JP6875865B2 - 半導体加工用シートおよび半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体加工用シートおよび半導体装置の製造方法に関するものであり、好ましくは、複数の半導体チップを加熱する工程および半導体チップを個々にピックアップする工程を備える半導体装置の製造方法に使用される半導体加工用シート、およびそのような半導体装置の製造方法に関するものである。

半導体装置の製造方法は、一般的に、半導体加工用シート上において半導体ウエハを個片化（ダイシング）して複数の半導体チップを得るダイシング工程と、得られた半導体チップを半導体加工用シートから個々に取り上げる（ピックアップ）ピックアップ工程とを含む。

上記ピックアップ工程では、半導体チップのピックアップを容易にするために、半導体加工用シートにおける半導体チップが積層された面とは反対の面から、半導体チップを個々に突き上げることを行う場合がある。このため、半導体加工用シートには、このような突き上げを良好に行うことができるような柔軟性が求められる。

また、上記ピックアップ工程では、ピックアップの際の半導体チップ同士の衝突を抑制するとともに、ピックアップを容易にするために、半導体加工用シートを延伸（エキスパンド）させて、半導体チップ同士を離間させるエキスパンド工程を行う場合もある。当該エキスパンドを良好に行うためにも、半導体加工用シートには、優れた柔軟性を有することが求められる。

近年、個片化された半導体チップを半導体加工用シートに積層した状態で加熱することが増えている。例えば、半導体加工用シート上の半導体チップに対して、蒸着、スパッタリング、脱湿のためのベーキング等の処理が行われたり、半導体チップが高温環境下で使用される場合には、高温環境下での信頼性を確認するための加熱試験が行われることがある。このような加熱を行う場合、使用される半導体加工用シートには、加熱による変形が生じ難いといった耐熱性が求められる。

耐熱性を有する半導体加工用シートの例として、特許文献１には、ガラス転移温度が７０℃以上である基材の少なくとも片面に、昇温速度２℃／ｍｉｎで室温から２００℃まで昇温した際の熱重量減少率が２％未満である粘着剤層を設けてなる耐熱ダイシングテープ又はシートであって、当該粘着剤層が、所定の組成を有するエネルギー線硬化型粘着剤で構成されているとともに、加熱を含む処理を行った後の粘着力が所定の値を示す耐熱ダイシングテープ又はシートが開示されている。

また、耐熱性を有する半導体加工用シートの別の例として、特許文献２には、所定の熱収縮率を有する基材と、当該基材上に設けられ、所定の組成を有する粘着剤層とを備える耐熱性粘着シートが開示されており、特許文献３には、所定の熱収縮率および線膨張係数を有する基材と、当該基材上に設けられ、所定の組成を有する粘着剤層とを備える耐熱性粘着シートが開示されている。

特許第４７８１１８５号 国際公開第２０１５／１７４３８１号 国際公開第２０１４／１９９９９３号

しかしながら、特許文献１〜３に開示される半導体加工用シートは、所定の耐熱性を有するものの、十分な柔軟性を発揮することはできず、良好なピックアップを行うことができない。このように、従来の半導体加工用シートでは、上述した柔軟性と耐熱性とを両立させることは困難であり、一方の特性を優先させると、他方の特性が損なわれ易い。

本発明は、このような実状に鑑みてなされたものであり、優れた耐熱性と柔軟性とを発揮する半導体加工用シート、および当該半導体加工用シートを使用した半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、第１に本発明は、複数の半導体チップが積層される粘着面を有する第１の粘着剤層と、前記第１の粘着剤層における前記粘着面とは反対の面側に積層されており、２３℃における引張弾性率が５０ＭＰａ以上、１０００ＭＰａ以下である第１の基材とを備えるフレキシブルシート、および融点が１５０℃以上、５５０℃以下の材料からなる第２の基材を少なくとも備え、前記第１の基材における前記第１の粘着剤層とは反対の面側に積層されている耐熱シートを備えることを特徴とする半導体加工用シートを提供する（発明１）。

上記発明（発明１）によれば、耐熱シートが、上述した範囲の融点を有する材料からなる第２の基材を備えることで、半導体加工用シートが優れた耐熱性を有するものとなり、半導体加工用シート上において半導体チップを加熱した際に、半導体加工用シートの変形が抑制される。また、フレキシブルシートが、上述した範囲の引張弾性率を示す第１の基材を備えることで、耐熱シートを剥離した後のフレキシブルシートが優れた柔軟性を有するものとなり、当該フレキシブルシートから半導体チップを良好にピックアップすることが可能となる。以上により、優れた耐熱性と柔軟性とを両立することが可能となる。

第２に本発明は、複数の半導体チップが積層される粘着面を有する第１の粘着剤層と、前記第１の粘着剤層における前記粘着面とは反対の面側に積層されており、２３℃における引張弾性率が５０ＭＰａ以上、１０００ＭＰａ以下である第１の基材とを備えるフレキシブルシート、および熱機械分析装置を用いて荷重０．２ｇの下、１０℃／分の昇温温度で２３℃から１２０℃まで加熱したときの膨張率が−３．０％以上、３．０％以下である材料からなる第２の基材を少なくとも備え、前記第１の基材における前記第１の粘着剤層とは反対の面側に積層されている耐熱シートを備えることを特徴とする半導体加工用シートを提供する（発明２）。

上記発明（発明２）によれば、耐熱シートが、上述した範囲の膨張率を示す材料からなる第２の基材を備えることで、半導体加工用シートが優れた耐熱性を有するものとなり、半導体加工用シート上において半導体チップを加熱した際に、半導体加工用シートの変形が抑制される。また、フレキシブルシートが、上述した範囲の引張弾性率を示す第１の基材を備えることで、耐熱シートを剥離した後のフレキシブルシートが優れた柔軟性を有するものとなり、当該フレキシブルシートから半導体チップを良好にピックアップすることが可能となる。以上により、優れた耐熱性と柔軟性とを両立することが可能となる。

上記発明（発明１，２）において、前記フレキシブルシートは、その周縁部の少なくとも一部に前記耐熱シートが積層されていない領域を有することが好ましい（発明３）。

上記発明（発明１，２）において、前記耐熱シートは、その周縁部の少なくとも一部に前記フレキシブルシートが積層されていない領域を有することが好ましい（発明４）。

上記発明（発明３，４）において、前記フレキシブルシートおよび前記耐熱シートは、平面視で略円形の形状をそれぞれ有するとともに、これらの略円形が同心円となるように配置されており、前記フレキシブルシートにおける略円形と前記耐熱シートにおける略円形との半径の差は、１ｍｍ以上、３０ｍｍ以下であることが好ましい（発明５）。

上記発明（発明１〜５）において、前記半導体加工用シートにおける前記フレキシブルシート側の面をステンレスチール板に貼付したときの、前記半導体加工用シートの前記ステンレスチール板に対する粘着力をＦ１、前記半導体加工用シートを構成する前記フレキシブルシートおよび前記耐熱シートについて、前記耐熱シートの前記フレキシブルシートに対する粘着力をＦ２としたときに、下記式（１）
Ｆ１＞Ｆ２ … （１）
の関係を満たすことが好ましい（発明６）。

上記発明（発明１〜６）において、前記耐熱シートは、前記第１の基材と前記第２の基材との間に位置する第２の粘着剤層をさらに備えることが好ましい（発明７）。

上記発明（発明７）において、前記半導体加工用シートを構成する前記第１の基材および前記第２の粘着剤層について、前記半導体加工用シートを１２０℃で１時間加熱する前における、前記第２の粘着剤層の前記第１の基材に対する粘着力をＦａ、前記半導体加工用シートを１２０℃で１時間加熱した後における、前記第２の粘着剤層の前記第１の基材に対する粘着力をＦｂとしたときに、下記式（２）
粘着力比＝Ｆｂ／Ｆａ … （２）
から算出される前記第２の粘着剤層の粘着力比が、０．５以上、１０以下であることが好ましい（発明８）。

上記発明（発明１〜８）においては、前記半導体加工用シートにおける前記第１の粘着剤層側の面上に複数の半導体チップを設けるチップ準備工程、前記半導体加工用シート上の前記半導体チップを加熱する加熱工程、前記耐熱シートを前記フレキシブルシートから剥離する剥離工程、および前記フレキシブルシートから前記半導体チップを個々にピックアップするピックアップ工程を備える半導体装置の製造方法において使用されることが好ましい（発明９）。

第３に本発明は、前記半導体加工用シート（発明１〜９）における前記第１の粘着剤層側の面上に複数の半導体チップを設けるチップ準備工程、前記半導体加工用シート上の前記半導体チップを加熱する加熱工程、前記耐熱シートを前記フレキシブルシートから剥離する剥離工程、および前記フレキシブルシートから前記半導体チップを個々にピックアップするピックアップ工程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する（発明１０）。

上記発明（発明１０）において、前記加熱工程は、前記半導体加工用シートにおける前記半導体チップが積層されている面とは反対の面を加熱テーブルに載置することを含むことが好ましい（発明１１）。

上記発明（発明１０，１１）において、前記剥離工程と前記ピックアップ工程との間に、前記フレキシブルシートをエキスパンドして、前記半導体チップを離間するエキスパンド工程をさらに備えることが好ましい（発明１２）。

本発明に係る半導体加工用シートは、優れた耐熱性と柔軟性とを発揮することができる。

本発明の第１の実施形態に係る半導体加工用シートの断面図である。 本発明の第２の実施形態に係る半導体加工用シートの断面図である。 本発明の第３の実施形態に係る半導体加工用シートの断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る半導体加工用シートの使用状態を示す断面図である。 本発明の第２の実施形態に係る半導体加工用シートの使用状態を示す断面図である。 本発明の第３の実施形態に係る半導体加工用シートの使用状態を示す断面図である。

以下、本発明の実施形態について説明する。
〔半導体加工用シート〕
図１には、第１の実施形態に係る半導体加工用シート１Ａの断面図が示される。本実施形態に係る半導体加工用シート１Ａは、フレキシブルシート２と、当該フレキシブルシート２の片面側に積層された耐熱シート３とを備える。フレキシブルシート２は、第１の粘着剤層２１と、当該第１の粘着剤層の片面側に積層された第１の基材２２とを備える。耐熱シート３は、フレキシブルシート２における第１の基材２２側に積層され、少なくとも第２の基材３２を備え、好ましくは、第１の基材２２と第２の基材３２との間に位置する第２の粘着剤層３１をさらに備える。

図２には、第２の実施形態に係る半導体加工用シート１Ｂの断面図が示される。本実施形態に係る半導体加工用シート１Ｂは、半導体加工用シート１Ａと同様に、フレキシブルシート２と、当該フレキシブルシート２の片面側に積層された耐熱シート３とを備える。本実施形態に係る半導体加工用シート１Ｂでは、フレキシブルシート２が、その周縁部の少なくとも一部に耐熱シート３が積層されていない領域２３（以下、「第１の領域２３」という場合がある。）を有する。

図３には、第３の実施形態に係る半導体加工用シート１Ｃの断面図が示される。本実施形態に係る半導体加工用シート１Ｃは、半導体加工用シート１Ａと同様に、フレキシブルシート２と、当該フレキシブルシート２の片面側に積層された耐熱シート３とを備える。本実施形態に係る半導体加工用シート１Ｃでは、耐熱シート３が、その周縁部の少なくとも一部にフレキシブルシート２が積層されていない領域３３（以下、「第２の領域３３」という場合がある。）を有する。

半導体加工用シート１Ａ，１Ｂ，１Ｃにおいて、第１の粘着剤層２１における第１の基材２２が積層された側の面とは反対の面は、半導体加工用シート１Ａ，１Ｂ，１Ｃが使用される際に、複数の半導体チップ４が積層される粘着面となる（図４〜６参照）。なお、本願明細書において、半導体チップとは、半導体ウエハの個片化により得られる半導体材料からなるチップだけでなく、半導体材料を備えるパッケージや、ガラスチップといった半導体材料以外のチップを含むものとする。

また、半導体加工用シート１Ａ，１Ｂ，１Ｃにおいて、第１の基材２２は、２３℃における引張弾性率が５０ＭＰａ以上、１０００ＭＰａ以下である。さらに、半導体加工用シート１Ａ，１Ｂ，１Ｃにおいて、第２の基材３２は、融点が１５０℃以上、５５０℃以下の材料からなるか、あるいは、熱機械分析装置を用いて荷重０．２ｇの下、１０℃／分の昇温温度で２３℃から１２０℃まで加熱したときの膨張率が−３．０％以上、３．０％以下である材料からなる。

半導体加工用シート１Ａ，１Ｂ，１Ｃでは、耐熱シート３が、上述した範囲の融点を有する材料からなる第２の基材３２、または上述した範囲の膨張率を示す材料からなる第２の基材３２を備えることにより、半導体加工用シート１Ａ，１Ｂ，１Ｃは優れた耐熱性を有するものとなる。このため、半導体チップ４を半導体加工用シート１Ａ，１Ｂ，１Ｃ上に積層した状態で加熱する場合であっても、加熱による半導体加工用シート１Ａ，１Ｂ，１Ｃの変形が抑制される。それにより、加熱処理を良好に行うことができる。

また、半導体加工用シート１Ａ，１Ｂ，１Ｃでは、フレキシブルシート２が、上述した範囲の引張弾性率を示す第１の基材２２を備えることで、フレキシブルシート２は優れた柔軟性を有するものとなる。そのため、半導体チップ４をピックアップする際には、半導体加工用シート１Ａ，１Ｂ，１Ｃから耐熱シート３を剥離することで、優れた柔軟性を示すフレキシブルシート２を介して半導体チップ４の突き上げを行うことができ、良好なピックアップが可能となる。特に、ピックアップの際にフレキシブルシート２のエキスパンドを行う場合には、フレキシブルシート２が優れた柔軟性を示すことにより、エキスパンドを効果的に行うことが可能となり、半導体チップ４同士の衝突を抑制しつつ、ピックアップをさらに良好に行うことが可能となる。

１．半導体加工用シートの構成
第１の実施形態に係る半導体加工用シート１Ａでは、フレキシブルシート２における耐熱シート３側の面の全体に、耐熱シート３が積層されているとともに、耐熱シート３におけるフレキシブルシート２側の面の全体に、フレキシブルシート２が積層されている。換言すれば、半導体加工用シート１Ａでは、フレキシブルシート２と耐熱シート３とが平面視で略同一の形状を有している。そのため、図１の断面図に示されるように、半導体加工用シート１Ａの端部には、フレキシブルシート２と耐熱シート３との段差が生じない。

ここで、図４は、半導体加工用シート１Ａを使用する状態を示す断面図であり、半導体加工用シート１Ａにおけるフレキシブルシート２側の面（第１の粘着剤層２１における粘着面）において、その周縁部はリングフレーム５に貼付され、中央部には半導体チップ４が設けられている。半導体加工用シート１Ａは、このように、リングフレーム５に貼付した状態で搬送されることがあるが、当該搬送を行う場合においても、半導体加工用シート１Ａには上述した段差が生じないため、当該段差が装置等に引っ掛かるといった搬送エラーが生じ難い。また、半導体加工用シート１Ａは、フレキシブルシート２と耐熱シート３とを異なる形状に形成する必要がないため、比較的容易に製造することができる。

一方、第２の実施形態に係る半導体加工用シート１Ｂでは、フレキシブルシート２が、その周縁部の少なくとも一部に耐熱シート３が積層されていない領域２３（以下「第１の領域２３」という場合がある。）を有する。図２に示されるように、半導体加工用シート１Ｂの端部では、耐熱シート３と比較して、フレキシブルシート２が第１の領域２３の分だけ突出している。

ここで、図５は、半導体加工用シート１Ｂを使用する状態を示す断面図であり、図４に示される半導体加工用シート１Ａと同様に、半導体加工用シート１Ｂに対してリングフレーム５および半導体チップ４が設けられている。半導体加工用シート１Ｂでは、図５の状態を経た後に、フレキシブルシート２から耐熱シート３が剥離される。ここで、半導体加工用シート１Ｂでは、耐熱シート３の端部がフレキシブルシート２の端部よりも内側（半導体加工用シート１Ｂの中心側）にあるため、耐熱シート３をその端部から剥離しようとしたときに、フレキシブルシート２の端部を起点とする、フレキシブルシート２のリングフレーム５からの剥離が生じ難い。その結果、フレキシブルシート２がリングフレーム５から剥離することを抑制しながら、耐熱シート３のみを効果的に剥離することが可能となる。また、第１の領域２３が存在することで、当該第１の領域２３をリングフレーム５に対して押さえつけながら、耐熱シート３を剥離することが可能となり、この点からも、リングフレーム５からのフレキシブルシート２の剥離を効果的に抑制することが可能となる。

半導体加工用シート１Ｂでは、上記の通りリングフレーム５からのフレキシブルシート２の剥離が抑制されるため、当該剥離を防止する目的で、フレキシブルシート２とリングフレーム５との界面における粘着力を、フレキシブルシート２と耐熱シート３との界面における粘着力よりも大きくする必要が生じず、これらの粘着力を所望の大きさに設定することが可能となる。

第１の領域２３の大きさは、上述した、リングフレーム５からのフレキシブルシート２の剥離を抑制する効果を良好に得るという観点から設定することが好ましい。例えば、フレキシブルシート２および耐熱シート３が、平面視で略円形の形状をそれぞれ有するとともに、これらの略円形が同心円となるように配置されている場合には、フレキシブルシート２における略円形と耐熱シート３における略円形との半径の差を調整することで、第１の領域２３の大きさを制御することができる。この場合、フレキシブルシート２の半径の長さから耐熱シート３の半径の長さを減じることで得られる半径の差が、１ｍｍ以上であることが好ましく、特に３ｍｍ以上であることが好ましく、さらには５ｍｍ以上であることが好ましい。当該差が１ｍｍ以上であることで、上述した効果を良好に得ることができる。また、当該差は、３０ｍｍ以下であることが好ましく、特に２０ｍｍ以下であることが好ましく、さらには１０ｍｍ以下であることが好ましい。当該差が３０ｍｍ以下であることで、フレキシブルシート２に対して耐熱シート３が過度に小さくなることがなく、耐熱シート３を設けることに起因する耐熱性の効果を良好に得ることが可能となる。

第３の実施形態に係る半導体加工用シート１Ｃでは、耐熱シート３が、その周縁部の少なくとも一部にフレキシブルシート２が積層されていない領域３３（以下「第２の領域３３」という場合がある。）を有する。図３に示されるように、半導体加工用シート１Ｃの端部では、フレキシブルシート２と比較して、耐熱シート３が第２の領域３３の分だけ突出している。

ここで、図６は、半導体加工用シート１Ｃを使用する状態を示す断面図であり、図４に示される半導体加工用シート１Ａと同様に、半導体加工用シート１Ｃに対してリングフレーム５および半導体チップ４が設けられている。半導体加工用シート１Ｃでは、図６の状態を経た後に、フレキシブルシート２から耐熱シート３が剥離される。このとき、半導体加工用シート１Ｃの端部では、フレキシブルシート２と比較して、耐熱シート３が第２の領域３３の分だけ突出していることで、この突出した部分を掴み具等で掴み易くなり、当該部分を起点として耐熱シート３を剥離することが容易となる。この点で、半導体加工用シート１Ｃは、耐熱シート３を剥離する際の作業性に優れる。また、半導体加工用シート１Ｃをリングフレーム５に貼付した状態（図６参照）では、耐熱シート３の突出した部分が、フレキシブルシート２の端部やリングフレーム５に接触した状態で保持され易い。そのため、半導体加工用シート１Ｃをリングフレーム５に貼付した状態で搬送する際には、当該突出した部分が装置等に引っ掛かるといった搬送エラーが生じ難い。

なお、半導体加工用シート１Ｃでは、フレキシブルシート２から耐熱シート３を剥離する際における、リングフレーム５からのフレキシブルシート２の剥離を防止する目的で、フレキシブルシート２とリングフレーム５との界面における粘着力を、フレキシブルシート２と耐熱シート３との界面における粘着力よりも大きくすることが好ましい。

第２の領域３３の大きさは、上述した、耐熱シート３を剥離する際の作業性に関する効果や、搬送エラーを抑制する効果を良好に得るという観点から設定することが好ましい。例えば、フレキシブルシート２および耐熱シート３が、平面視で略円形の形状をそれぞれ有するとともに、これらの略円形が同心円となるように配置されている場合には、フレキシブルシート２における略円形と耐熱シート３における略円形との半径の差を調整することで、第１の領域２３の大きさを制御することができる。この場合、耐熱シート３の半径の長さからフレキシブルシート２の半径の長さを減じることで得られる半径の差が、１ｍｍ以上であることが好ましく、特に３ｍｍ以上であることが好ましく、さらには５ｍｍ以上であることが好ましい。当該差が１ｍｍ以上であることで、上述した効果を良好に得ることができる。また、当該差は、３０ｍｍ以下であることが好ましく、特に２０ｍｍ以下であることが好ましく、さらには１０ｍｍ以下であることが好ましい。当該差が３０ｍｍ以下であることで、耐熱シート３の突出した部分が、半導体加工用シート１Ｃの取り扱いの妨げとなり難くなる。

なお、半導体加工用シート１Ａ，１Ｂ，１Ｃにおいて、フレキシブルシート２および耐熱シート３の平面視における形状は、上述したような略円形に限定されず、楕円形状、多角形状、矩形状等であってもよい。また、当該形状は、使用される半導体ウエハの形状に対応した形状であってもよい。

また、半導体加工用シート１Ｂおよび半導体加工用シート１Ｃにそれぞれ設けられる第１の領域２３および第２の領域３３は、単一の半導体加工用シートに同時に設けられてもよい。このような半導体加工用シートの例としては、周縁部の一部が平面視で切り欠かれたフレキシブルシート２と、周縁部の一部が平面視で切り欠かれた耐熱シート３とを、それらの切り欠き部が重ならないように積層して得られる半導体加工用シートが挙げられる。当該半導体加工用シートでは、フレキシブルシート２の切り欠き部において第２の領域３３が形成され、耐熱シート３の切り欠き部において第１の領域２３が形成される。

２．フレキシブルシート
（１）第１の基材
半導体加工用シート１Ａ，１Ｂ，１Ｃでは、第１の基材２２の２３℃における引張弾性率が、５０ＭＰａ以上であり、７０ＭＰａ以上であることが好ましく、特に８０ＭＰａ以上であることが好ましい。また、当該引張弾性率は、１０００ＭＰａ以下であり、７００ＭＰａ以下であることが好ましく、特に５００ＭＰａ以下であることが好ましい。当該引張弾性率が５０ＭＰａ未満であると、半導体加工用シート１Ａ，１Ｂ，１Ｃ上に半導体ウエハや半導体チップ４を積層した場合に、それらを十分に支持することができなくなる。また、当該引張弾性率が１０００ＭＰａを超えると、フレキシブルシート２の柔軟性が低下し、フレキシブルシート２を介して半導体チップ４を突き上げることが困難となったり、フレキシブルシート２をエキスパンドする場合に十分に延伸できなくなる。上記引張弾性率の測定方法は、後述する実施例の欄に記載する通りである。

第１の基材２２は、融点が１００℃以上の材料からなることが好ましく、特に融点が１３０℃以上の材料からなることが好ましく、さらには１５０℃以上の材料からなることが好ましい。第１の基材２２を構成する材料の融点が１００℃以上であることで、半導体加工用シート１Ａ，１Ｂ，１Ｃを加熱する工程において第１の基材２２が加熱されたとしても、溶融して耐熱シート３に固着してしまうことが抑制され、その後の、耐熱シート３を剥離する工程において、良好な剥離が可能となる。なお、第１の基材２２を構成する材料の融点の上限について特に制限はないものの、通常、第１の基材２２は、融点が５００℃以下の材料からなることが好ましく、特に融点が４００℃以下の材料からなることが好ましい。

第１の基材２２としては、２３℃における引張弾性率が上記範囲を満たし、好ましくは上記範囲の融点を有するものであれば、その構成材料は特に限定されず、通常は樹脂系の材料を主材とするフィルム（以下「樹脂フィルム」という。）から構成される。

第１の基材２２のための樹脂フィルムの具体例としては、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）フィルム、直鎖低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）フィルム、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）フィルム等のポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、エチレン−ノルボルネン共重合体フィルム、ノルボルネン樹脂フィルム等のポリオレフィン系フィルム；エチレン−酢酸ビニル共重合体フィルム、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体フィルム、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル共重合体フィルム等のエチレン系共重合フィルム；ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム等のポリ塩化ビニル系フィルム；ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム；ポリウレタンフィルム；ポリイミドフィルム；ポリスチレンフィルム；ポリカーボネートフィルム；フッ素樹脂フィルムなどが挙げられる。またこれらの架橋フィルム、アイオノマーフィルムのような変性フィルムも用いられる。上記の第１の基材２２はこれらの１種からなるフィルムでもよいし、さらにこれらを２種類以上組み合わせた積層フィルムであってもよい。上記の中でも、優れた柔軟性を示すという観点から、ポリプロピレンフィルムが好ましい。

第１の基材２２に対して第１の粘着剤層２１を積層する場合、第１の粘着剤層２１との密着性を向上させる目的で、第１の基材２２における第１の粘着剤層２１を積層する面には、酸化法や凹凸化法などによる表面処理、あるいはプライマー処理を施してもよい。上記酸化法としては、例えばコロナ放電処理、プラズマ放電処理、クロム酸化処理（湿式）、火炎処理、熱風処理、オゾン、紫外線照射処理などが挙げられ、また、凹凸化法としては、例えばサンドブラスト法、溶射処理法などが挙げられる。

また、第１の基材２２における耐熱シート３と接触する面には、第１の基材２２から耐熱シート３を剥離し易くする目的で、剥離処理を施してもよい。剥離処理としては、例えば、当該面に対して剥離剤を塗布することができる。当該剥離剤の例としては、シリコーン系剥離剤、フッ素系剥離剤、長鎖アルキル系剥離剤等が挙げられる。また、当該面に、マット加工などにより凹凸を形成することで、剥離性を向上させることもできる。マット加工とは、表面を物理的に粗面化する加工のことをいい、例としては、エンボス加工法、サンドブラスト加工法等が挙げられる。

第１の基材２２は、上記樹脂フィルム中に、着色剤、難燃剤、可塑剤、帯電防止剤、滑剤、フィラー等の各種添加剤を含有してもよい。

後述するように、第１の粘着剤層２１が、活性エネルギー線により硬化する材料を含む場合、第１の基材２２は活性エネルギー線に対する透過性を有することが好ましい。

第１の基材２２の厚さは、２０μｍ以上であることが好ましく、特に２５μｍ以上であることが好ましく、さらには５０μｍ以上であることが好ましい。また、当該厚さは、４５０μｍ以下であることが好ましく、特に４００μｍ以下であることが好ましく、さらには３５０μｍ以下であることが好ましい。該厚さが２０μｍ以上であることで、半導体加工用シート１Ａ，１Ｂ，１Ｃ上に半導体ウエハや半導体チップ４等を良好に支持することができる。また、当該厚さが４５０μｍ以下であることで、半導体加工用シート１Ａ，１Ｂ，１Ｃを半導体ウエハや半導体チップ４等に対して良好に貼付し易くなるとともに、半導体加工用シート１Ａ，１Ｂ，１Ｃをロール状に巻き取った際に、フレキシブルシート２と耐熱シート３との界面における剥離を抑制することができる。

（２）第１の粘着剤層
第１の粘着剤層２１は、第１の基材２２とは反対の面（粘着面）が、半導体ウエハや半導体チップ４を固定できるとともに、リングフレーム５に貼付できるものであれば、特に限定されない。ただし、半導体加工用シート１Ａ，１Ｂ，１Ｃの加熱工程の際に、第１の粘着剤層２１が溶融して、リングフレーム５、半導体ウエハおよび半導体チップ４等に固着してしまうことを防ぐため、第１の粘着剤層２１は、加熱工程において完全に溶融しない程度の耐熱性を有することが好ましい。

第１の粘着剤層２１は、非エネルギー線硬化性粘着剤から構成されてもよいし、エネルギー線硬化性粘着剤から構成されてもよい。非エネルギー線硬化性粘着剤としては、所望の粘着力および再剥離性を有するものが好ましく、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ウレタン系粘着剤、ポリエステル系粘着剤、ポリビニルエーテル系粘着剤等を使用することができる。これらの中でも、フレキシブルシート２をエキスパンド等した際に半導体チップ４の脱落を効果的に抑制することのできるアクリル系粘着剤が好ましい。

一方、エネルギー線硬化性粘着剤は、エネルギー線照射により硬化して粘着力が低下するため、半導体チップ４とフレキシブルシート２とを分離させたいときに、エネルギー線照射することにより、容易に分離させることができる。

第１の粘着剤層２１を構成するエネルギー線硬化性粘着剤は、エネルギー線硬化性を有するポリマーを主成分とするものであってもよいし、非エネルギー線硬化性ポリマー（エネルギー線硬化性を有しないポリマー）と少なくとも１つ以上のエネルギー線硬化性基を有するモノマーおよび／またはオリゴマーとの混合物を主成分とするものであってもよい。また、エネルギー線硬化性を有するポリマーと非エネルギー線硬化性ポリマーとの混合物であってもよいし、エネルギー線硬化性を有するポリマーと少なくとも１つ以上のエネルギー線硬化性基を有するモノマーおよび／またはオリゴマーとの混合物であってもよいし、それら３種の混合物であってもよい。

最初に、エネルギー線硬化性粘着剤が、エネルギー線硬化性を有するポリマーを主成分とする場合について、以下説明する。

エネルギー線硬化性を有するポリマーは、側鎖にエネルギー線硬化性を有する官能基（エネルギー線硬化性基）が導入された（メタ）アクリル酸エステル（共）重合体（Ａ）（以下「エネルギー線硬化型重合体（Ａ）」という場合がある。）であることが好ましい。このエネルギー線硬化型重合体（Ａ）は、官能基含有モノマー単位を有するアクリル系共重合体（ａ１）と、その官能基に結合する官能基を有する不飽和基含有化合物（ａ２）とを反応させて得られるものであることが好ましい。なお、本明細書において、（メタ）アクリル酸エステルとは、アクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルの両方を意味する。他の類似用語も同様である。

アクリル系共重合体（ａ１）は、官能基含有モノマーから導かれる構成単位と、（メタ）アクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体から導かれる構成単位とを含むことが好ましい。

アクリル系共重合体（ａ１）の構成単位としての官能基含有モノマーは、重合性の二重結合と、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アミノ基、置換アミノ基、エポキシ基等の官能基とを分子内に有するモノマーであることが好ましい。

ヒドロキシ基含有モノマーとしては、例えば、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、３−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート等が挙げられ、これらは単独でまたは２種以上を組み合わせて用いられる。

カルボキシ基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、イタコン酸、シトラコン酸等のエチレン性不飽和カルボン酸が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

アミノ基含有モノマーまたは置換アミノ基含有モノマーとしては、例えば、アミノエチル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチルアミノエチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

アクリル系共重合体（ａ１）を構成する（メタ）アクリル酸エステルモノマーとしては、アルキル基の炭素数が１〜２０であるアルキル（メタ）アクリレートの他、例えば、分子内に脂環式構造を有するモノマー（脂環式構造含有モノマー）が好ましく用いられる。

アルキル（メタ）アクリレートとしては、特にアルキル基の炭素数が１〜１８であるアルキル（メタ）アクリレート、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート等が好ましく用いられる。これらは、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

脂環式構造含有モノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸シクロヘキシル、（メタ）アクリル酸ジシクロペンタニル、（メタ）アクリル酸アダマンチル、（メタ）アクリル酸イソボルニル、（メタ）アクリル酸ジシクロペンテニル、（メタ）アクリル酸ジシクロペンテニルオキシエチル等が好ましく用いられる。これらは、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

アクリル系共重合体（ａ１）は、上記官能基含有モノマーから導かれる構成単位を、好ましくは１質量％以上、特に好ましくは５質量％以上、さらに好ましくは１０質量％以上の割合で含有する。また、アクリル系共重合体（ａ１）は、上記官能基含有モノマーから導かれる構成単位を、好ましくは３５質量％以下、特に好ましくは３０質量％以下、さらに好ましくは２５質量％以下の割合で含有する。

さらに、アクリル系共重合体（ａ１）は、（メタ）アクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体から導かれる構成単位を、好ましくは５０質量％以上、特に好ましくは６０質量％以上、さらに好ましくは７０質量％以上の割合で含有する。また、アクリル系共重合体（ａ１）は、（メタ）アクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体から導かれる構成単位を、好ましくは９９質量％以下、特に好ましくは９５質量％以下、さらに好ましくは９０質量％以下の割合で含有する。

アクリル系共重合体（ａ１）は、上記のような官能基含有モノマーと、（メタ）アクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体とを常法で共重合することにより得られるが、これらモノマーの他にもジメチルアクリルアミド、蟻酸ビニル、酢酸ビニル、スチレン等が共重合されてもよい。

上記官能基含有モノマー単位を有するアクリル系共重合体（ａ１）を、その官能基に結合する官能基を有する不飽和基含有化合物（ａ２）と反応させることにより、エネルギー線硬化型重合体（Ａ）が得られる。

不飽和基含有化合物（ａ２）が有する官能基は、アクリル系共重合体（ａ１）が有する官能基含有モノマー単位の官能基の種類に応じて、適宜選択することができる。例えば、アクリル系共重合体（ａ１）が有する官能基がヒドロキシ基、アミノ基または置換アミノ基の場合、不飽和基含有化合物（ａ２）が有する官能基としてはイソシアネート基またはエポキシ基が好ましく、アクリル系共重合体（ａ１）が有する官能基がエポキシ基の場合、不飽和基含有化合物（ａ２）が有する官能基としてはアミノ基、カルボキシ基またはアジリジニル基が好ましい。

また上記不飽和基含有化合物（ａ２）には、エネルギー線重合性の炭素−炭素二重結合が、１分子中に少なくとも１個、好ましくは１〜６個、さらに好ましくは１〜４個含まれている。このような不飽和基含有化合物（ａ２）の具体例としては、例えば、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、メタ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネート、メタクリロイルイソシアネート、アリルイソシアネート、１，１−（ビスアクリロイルオキシメチル）エチルイソシアネート；ジイソシアネート化合物またはポリイソシアネート化合物と、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートとの反応により得られるアクリロイルモノイソシアネート化合物；ジイソシアネート化合物またはポリイソシアネート化合物と、ポリオール化合物と、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートとの反応により得られるアクリロイルモノイソシアネート化合物；グリシジル（メタ）アクリレート；（メタ）アクリル酸、２−（１−アジリジニル）エチル（メタ）アクリレート、２−ビニル−２−オキサゾリン、２−イソプロペニル−２−オキサゾリン等が挙げられる。

上記不飽和基含有化合物（ａ２）は、上記アクリル系共重合体（ａ１）の官能基含有モノマーモル数に対して、好ましくは５０モル％以上、特に好ましくは６０モル％以上、さらに好ましくは７０モル％以上の割合で用いられる。また、上記不飽和基含有化合物（ａ２）は、上記アクリル系共重合体（ａ１）の官能基含有モノマーモル数に対して、好ましくは９５モル％以下、特に好ましくは９３モル％以下、さらに好ましくは９０モル％以下の割合で用いられる。

アクリル系共重合体（ａ１）と不飽和基含有化合物（ａ２）との反応においては、アクリル系共重合体（ａ１）が有する官能基と不飽和基含有化合物（ａ２）が有する官能基との組合せに応じて、反応の温度、圧力、溶媒、時間、触媒の有無、触媒の種類を適宜選択することができる。これにより、アクリル系共重合体（ａ１）中に存在する官能基と、不飽和基含有化合物（ａ２）中の官能基とが反応し、不飽和基がアクリル系共重合体（ａ１）中の側鎖に導入され、エネルギー線硬化型重合体（Ａ）が得られる。

このようにして得られるエネルギー線硬化型重合体（Ａ）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１万以上であるのが好ましく、特に１５万以上であるのが好ましく、さらには２０万以上であるのが好ましい。また、当該重量平均分子量（Ｍｗ）は、１５０万以下であるのが好ましく、特に１００万以下であるのが好ましい。なお、本明細書における重量平均分子量（Ｍｗ）は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ法）により測定した標準ポリスチレン換算の値である。

エネルギー線硬化性粘着剤が、エネルギー線硬化型重合体（Ａ）といったエネルギー線硬化性を有するポリマーを主成分とする場合であっても、エネルギー線硬化性粘着剤は、エネルギー線硬化性のモノマーおよび／またはオリゴマー（Ｂ）をさらに含有してもよい。

エネルギー線硬化性のモノマーおよび／またはオリゴマー（Ｂ）としては、例えば、多価アルコールと（メタ）アクリル酸とのエステル等を使用することができる。

かかるエネルギー線硬化性のモノマーおよび／またはオリゴマー（Ｂ）としては、例えば、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート等の単官能性アクリル酸エステル類、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジメチロールトリシクロデカンジ（メタ）アクリレート等の多官能性アクリル酸エステル類、ポリエステルオリゴ（メタ）アクリレート、ポリウレタンオリゴ（メタ）アクリレート等が挙げられる。

エネルギー線硬化型重合体（Ａ）に対し、エネルギー線硬化性のモノマーおよび／またはオリゴマー（Ｂ）を配合する場合、エネルギー線硬化性粘着剤中におけるエネルギー線硬化性のモノマーおよび／またはオリゴマー（Ｂ）の含有量は、エネルギー線硬化型重合体（Ａ）１００質量部に対して、０質量部超であることが好ましく、特に６０質量部以上であることが好ましい。また、当該含有量は、エネルギー線硬化型重合体（Ａ）１００質量部に対して、２５０質量部以下であることが好ましく、特に２００質量部以下であることが好ましい。

ここで、エネルギー線硬化性粘着剤を硬化させるためのエネルギー線として紫外線を用いる場合には、光重合開始剤（Ｃ）を添加することが好ましく、この光重合開始剤（Ｃ）の使用により、重合硬化時間および光線照射量を少なくすることができる。

光重合開始剤（Ｃ）としては、具体的には、ベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安息香酸、ベンゾイン安息香酸メチル、ベンゾインジメチルケタール、２，４−ジエチルチオキサンソン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ベンジル、ジベンジル、ジアセチル、β−クロールアンスラキノン、（２，４，６−トリメチルベンジルジフェニル）フォスフィンオキサイド、２−ベンゾチアゾール−Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバメート、オリゴ｛２−ヒドロキシ−２−メチル−１−［４−（１−プロペニル）フェニル］プロパノン｝、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オンなどが挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。

光重合開始剤（Ｃ）は、エネルギー線硬化型共重合体（Ａ）（エネルギー線硬化性のモノマーおよび／またはオリゴマー（Ｂ）を配合する場合には、エネルギー線硬化型共重合体（Ａ）およびエネルギー線硬化性のモノマーおよび／またはオリゴマー（Ｂ）の合計量１００質量部）１００質量部に対して０．１質量部以上、特に０．５質量部以上の量で用いられることが好ましい。また、光重合開始剤（Ｃ）は、エネルギー線硬化型共重合体（Ａ）（エネルギー線硬化性のモノマーおよび／またはオリゴマー（Ｂ）を配合する場合には、エネルギー線硬化型共重合体（Ａ）およびエネルギー線硬化性のモノマーおよび／またはオリゴマー（Ｂ）の合計量１００質量部）１００質量部に対して１０質量部以下、特に６質量部以下の量で用いられることが好ましい。

エネルギー線硬化性粘着剤においては、上記成分以外にも、適宜他の成分を配合してもよい。他の成分としては、例えば、非エネルギー線硬化性ポリマー成分またはオリゴマー成分（Ｄ）、架橋剤（Ｅ）等が挙げられる。

非エネルギー線硬化性ポリマー成分またはオリゴマー成分（Ｄ）としては、例えば、ポリアクリル酸エステル、ポリエステル、ポリウレタン、ポリカーボネート、ポリオレフィン等が挙げられ、重量平均分子量（Ｍｗ）が３０００〜２５０万のポリマーまたはオリゴマーが好ましい。当該成分（Ｄ）をエネルギー線硬化性粘着剤に配合することにより、硬化前における粘着性および剥離性、硬化後の強度、他の層との接着性、保存安定性などを改善し得る。当該成分（Ｄ）の配合量は特に限定されず、エネルギー線硬化型共重合体（Ａ）１００質量部に対して０質量部超、５０質量部以下の範囲で適宜決定される。

架橋剤（Ｅ）としては、エネルギー線硬化型共重合体（Ａ）等が有する官能基との反応性を有する多官能性化合物を用いることができる。このような多官能性化合物の例としては、イソシアネート化合物、エポキシ化合物、アミン化合物、メラミン化合物、アジリジン化合物、ヒドラジン化合物、アルデヒド化合物、オキサゾリン化合物、金属アルコキシド化合物、金属キレート化合物、金属塩、アンモニウム塩、反応性フェノール樹脂等を挙げることができる。

架橋剤（Ｅ）の配合量は、エネルギー線硬化型共重合体（Ａ）１００質量部に対して、０．０１質量部以上であることが好ましく、特に０．０３質量部以上であることが好ましく、さらには０．０４質量部以上であることが好ましい。また、架橋剤（Ｅ）の配合量は、エネルギー線硬化型共重合体（Ａ）１００質量部に対して、３０質量部以下であることが好ましく、特に２０質量部以下であることが好ましく、さらには１５質量部以下であることが好ましい。

次に、エネルギー線硬化性粘着剤が、非エネルギー線硬化性ポリマー成分と少なくとも１つ以上のエネルギー線硬化性基を有するモノマーおよび／またはオリゴマーとの混合物を主成分とする場合について、以下説明する。

非エネルギー線硬化性ポリマー成分としては、例えば、前述したアクリル系共重合体（ａ１）と同様の成分が使用できる。

少なくとも１つ以上のエネルギー線硬化性基を有するモノマーおよび／またはオリゴマーとしては、前述の成分（Ｂ）と同じものが選択できる。非エネルギー線硬化性ポリマー成分と少なくとも１つ以上のエネルギー線硬化性基を有するモノマーおよび／またはオリゴマーとの配合比は、非エネルギー線硬化性ポリマー成分１００質量部に対して、少なくとも１つ以上のエネルギー線硬化性基を有するモノマーおよび／またはオリゴマーが１質量部以上であるのが好ましく、特に６０質量部以上であるのが好ましい。また、当該配合比は、非エネルギー線硬化性ポリマー成分１００質量部に対して、少なくとも１つ以上のエネルギー線硬化性基を有するモノマーおよび／またはオリゴマーが２００質量部以下であるのが好ましく、特に１６０質量部以下であるのが好ましい。

この場合においても、上記と同様に、光重合開始剤（Ｃ）や架橋剤（Ｅ）を適宜配合することができる。

第１の粘着剤層２１の厚さは、特に限定されず、例えば、３μｍ以上であることが好ましく、特に５μｍ以上であることが好ましい。また、当該厚さは、５０μｍ以下であることが好ましく、特に４０μｍ以下であることが好ましい。

３．耐熱シート
（１）第２の基材
半導体加工用シート１Ａ，１Ｂ，１Ｃにおいて、第２の基材３２は、融点が１５０℃以上の材料からなることが好ましく、特に融点が２００℃以上の材料からなることが好ましく、さらには融点が２５０℃以上の材料からなることが好ましい。第２の基材３２を構成する材料の融点が１５０℃以上であることで、半導体加工用シート１Ａ，１Ｂ，１Ｃを加熱する工程において、加熱による半導体加工用シート１Ａ，１Ｂ，１Ｃの変形が効果的に抑制されるため、半導体加工用シート１Ａ，１Ｂ，１Ｃ上に設けられた半導体チップ４を所望の温度、時間で加熱することができる。なお、第２の基材３２を構成する材料の融点の上限について特に制限はないものの、通常、第２の基材３２は、融点が５５０℃以下の材料からなることが好ましく、特に融点が４５０℃以下の材料からなることが好ましく、さらには融点が３５０℃以下の材料からなることが好ましい。なお、上記融点の測定方法は、後述する実施例の欄に記載する通りである。

半導体加工用シート１Ａ，１Ｂ，１Ｃにおいて、第２の基材３２は、膨張率が３．０％以下である材料からなることが好ましく、特に膨張率が２．０％以下の材料からなることが好ましく、さらには膨張率が１．０％以下の材料からなることが好ましい。本願明細書において、膨張率とは、熱機械分析装置を用いて、荷重０．２ｇの下、１０℃／分の昇温温度で、対象となる材料を２３℃から１２０℃まで加熱したときの膨張率をいい、その測定方法は後述する実施例の欄に示す通りである。第２の基材３２を構成する材料の膨張率が３．０％以下であることで、半導体加工用シート１Ａ，１Ｂ，１Ｃを加熱する工程において、加熱による半導体加工用シート１Ａ，１Ｂ，１Ｃの変形が効果的に抑制されるため、半導体加工用シート１Ａ，１Ｂ，１Ｃ上に設けられた半導体チップ４を所望の温度、時間で加熱することができる。なお、第２の基材３２を構成する材料の膨張率の下限について特に制限はないものの、通常、第２の基材３２は、膨張率が−３．０％以上である材料からなることが好ましく、特に膨張率が−２．０％以上の材料からなることが好ましく、さらには膨張率が−１．０％以上の材料からなることが好ましい。

半導体加工用シート１Ａ，１Ｂ，１Ｃでは、第２の基材３２の１２０℃における引張弾性率が、１００ＭＰａ以上であることが好ましく、特に５００ＭＰａ以上であることが好ましく、さらには１０００ＭＰａ以上であることが好ましい。また、当該引張弾性率は、１０００００ＭＰａ以下であることが好ましく、特に１００００ＭＰａ以下であることが好ましく、８０００ＭＰａ以下であることが好ましい。当該引張弾性率が上記範囲であることで、半導体加工用シート１Ａ，１Ｂ，１Ｃを加熱する工程において、加熱による半導体加工用シート１Ａ，１Ｂ，１Ｃの変形が効果的に抑制され、その結果、半導体加工用シート１Ａ，１Ｂ，１Ｃ上に設けられた半導体チップ４を効果的に加熱することができる。上記引張弾性率の測定方法は、後述する実施例の欄に記載する通りである。

第２の基材３２としては、上記範囲の融点を有する材料からなるか、上記範囲の膨張率を有する材料からなるか、または、１２０℃における引張弾性率が上記範囲を満たすものであれば、その構成材料は特に限定されない。通常、第２の基材３２は、樹脂系の材料を主材とするフィルム（以下「樹脂フィルム」という。）から構成される。

第２の基材３２のための樹脂フィルムとしては、第１の基材２２のための樹脂フィルムとして前述したものを使用することができる。第２の基材３２においては、耐熱性に優れるという観点から、ポリエチレンテレフタレートフィルムポリブチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルムまたはポリイミドフィルムを使用することが好ましい。また、その他の耐熱性に優れる樹脂フィルムとして、ポリエーテルイミドフィルム、ポリエーテルエーテルケトンフィルムを使用してもよい。特に、第１の粘着剤層２１および第２の粘着剤層３１の少なくとも一方がエネルギー線硬化性粘着剤から構成される場合には、エネルギー線の透過性に優れるポリエチレンテレフタレートフィルムを使用することが好ましい。

また、第２の基材３２は、耐熱性を有するコート層（以下「耐熱コート層」という場合がある。）であってもよい。耐熱コート層は、第１の基材２２における第１の粘着剤層２１とは反対側の面に、コート剤を塗工し、硬化させることで形成することができる。

上記コート剤の例としては、エネルギー線硬化型樹脂、熱硬化型樹脂等が挙げられ、特にエネルギー線硬化型樹脂が好ましい。エネルギー線硬化型樹脂としては、低分子量で多官能のエネルギー線硬化性化合物を比較的多く含むものが好ましい。このようなエネルギー線硬化性化合物としては、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートなどが用いられる。

また、第１の基材２２との密着を向上させるため、コート剤としてのエネルギー線硬化型樹脂の成分中にバインダー成分を添加してもよい。このようなバインダー成分としては、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、ポリアミド樹脂等が挙げられる。

また、コート剤としてのエネルギー線硬化型樹脂は、側鎖にエネルギー線硬化性の官能基を有するポリマーであってもよい。このようなポリマーを使用することで、架橋密度を下げることなく第１の基材２２との密着性を向上させることができる。このようなポリマーとしては、例えば、主鎖がアクリルポリマーであり、側鎖にエネルギー線硬化性二重結合やエポキシ基を官能基として有するものが使用できる。

コート剤としてエネルギー線硬化型樹脂を使用する場合、当該エネルギー線硬化型樹脂を第１の基材２２における第１の粘着剤層２１とは反対側の面に塗工した後、例えば２５０ｍＪ／ｃｍ^２の照射条件で紫外線照射するという条件で硬化させることで、耐熱コート層を形成することができる。

また、第２の基材３２として、自己粘着性または自己接着性を有する樹脂フィルムを使用してもよい。このような樹脂フィルムを第２の基材３２として使用する場合、耐熱シート３は第２の粘着剤層３１を含まないものとすることができ、半導体加工用シート１Ａ，１Ｂ，１Ｃの製造工程を簡素化することができる。このような樹脂フィルムとしては、ガラス転移温度（Ｔｇ）が２０℃以下である樹脂からなるフィルムを使用することが好ましく、特にＴｇが０℃以下である樹脂からなるフィルムを使用することが好ましく、さらにはＴｇが−２０℃以下である樹脂からなるフィルムを使用することが好ましい。

第２の基材３２に対して第２の粘着剤層３１を積層する場合、第２の粘着剤層３１との密着性を向上させる目的で、第２の基材３２における第２の粘着剤層３１を積層する面には、第１の基材２２と同様に、表面処理やプライマー処理を施してもよい。

第２の基材３２は、上記樹脂フィルム中に、着色剤、難燃剤、可塑剤、帯電防止剤、滑剤、フィラー等の各種添加剤を含有してもよい。

第１の粘着剤層２１および第２の粘着剤層３１の少なくとも一方が、活性エネルギー線により硬化する材料を含む場合、第２の基材３２は活性エネルギー線に対する透過性を有することが好ましい。

第２の基材３２の厚さは、１０μｍ以上であることが好ましく、特に２５μｍ以上であることが好ましく、さらには３０μｍ以上であることが好ましい。また、当該厚さは、２００μｍ以下であることが好ましく、特に１５０μｍ以下であることが好ましく、さらには１００μｍ以下であることが好ましい。当該厚さが１０μｍ以上であることで、加熱工程において、半導体加工用シート１Ａ，１Ｂ，１Ｃの加熱による変形を抑制する効果を十分に得ることができる。当該厚さが２００μｍ以下であることで、半導体加工用シート１Ａ，１Ｂ，１Ｃを半導体ウエハや半導体チップ４等に対して良好に貼付し易くなるとともに、半導体加工用シート１Ａ，１Ｂ，１Ｃをロール状に巻き取った際に、フレキシブルシート２と耐熱シート３との界面における剥離を抑制することができる。

（２）第２の粘着剤層
耐熱シート３は、第２の基材３２におけるフレキシブルシート２の面側に第２の粘着剤層３１を備えていてもよい。耐熱シート３が第２の粘着剤層３１を備えることで、フレキシブルシート２に対する耐熱シート３の粘着力を後述する範囲に調整し易くなる。

耐熱シート３が第２の粘着剤層３１を備える場合、第２の粘着剤層３１の粘着力比が、０．５以上であることが好ましく、特に０．７以上であることが好ましく、さらには０．９以上であることが好ましい。また、当該粘着力比は、１０以下であることが好ましく、特に５以下であることが好ましく、さらには３以下であることが好ましい。

ここで、第２の粘着剤層３１の粘着力比とは、半導体加工用シート１Ａ，１Ｂ，１Ｃを１２０℃で１時間加熱する前における、第２の粘着剤層３１の第１の基材２２に対する粘着力をＦａ、半導体加工用シート１Ａ，１Ｂ，１Ｃを１２０℃で１時間加熱した後における、第２の粘着剤層３１の第１の基材２２に対する粘着力をＦｂとしたときに、下記式（２）
粘着力比＝Ｆｂ／Ｆａ … （２）
から算出される粘着力比をいう。

なお、上記粘着力Ｆａは、上記加熱前の半導体加工用シート１Ａ，１Ｂ，１Ｃにおいて、フレキシブルシートから耐熱シートのみを剥がしたときの粘着力として測定することができる。また、上記粘着力Ｆｂは、上記加熱後の半導体加工用シート１Ａ，１Ｂ，１Ｃにおいて、フレキシブルシートから耐熱シートのみを剥がしたときの粘着力として測定することができる。これらの測定方法の詳細は、後述する試験例に記載する通りである。

上記粘着力比が１０以下であることで、耐熱シート３のフレキシブルシート２に対する粘着力が、加熱工程によって極端に上昇することがなく、加熱工程後においても、耐熱シート３を良好に剥離することが可能となる。また、上記粘着力比が０．５以上であることで、耐熱シート３のフレキシブルシート２に対する粘着力が、加熱工程によって極端に低下することがなく、耐熱シート３がフレキシブルシート２から意図せず剥離することを抑制することができる。

第２の粘着剤層３１を構成する粘着剤としては、特に限定されないものの、粘着力比の上記範囲を達成し易く、また、耐熱性を有するものであることが好ましい。

第２の粘着剤層３１を構成する具体的な粘着剤としては、第１の粘着剤層２１を構成するものとして前述した粘着剤を使用することができる。

第２の粘着剤層３１を構成する粘着剤は、エネルギー線硬化性粘着剤であってもよい。この場合、フレキシブルシート２から耐熱シート３を剥離する際に、第２の粘着剤層３１にエネルギー線を照射してその粘着力を低下させることで、容易に当該剥離を行うことができる。なお、第１の粘着剤層２１および第２の粘着剤層３１が、ともにエネルギー線硬化性粘着剤からなると、一方の粘着剤層のみにエネルギー線を照射することは困難であるため、両方同時にエネルギー線硬化により粘着力が低下してしまう。この場合、他方の粘着剤では、意図しない段階において粘着力が低下するものとなる。そのため、第１の粘着剤層２１および第２の粘着剤層３１は、一方がエネルギー線硬化性粘着剤からなる場合には、他方を非エネルギー線硬化性粘着剤とすることで、粘着力の制御が容易となる。

第２の粘着剤層３１の厚さは、特に限定されず、例えば、３μｍ以上であることが好ましく、特に５μｍ以上であることが好ましい。また、当該厚さは、５０μｍ以下であることが好ましく、特に４０μｍ以下であることが好ましい。

４．剥離シート
半導体加工用シート１Ａ，１Ｂ，１Ｃでは、フレキシブルシート２における耐熱シート３とは反対の面を半導体ウエハや半導体チップ４等に貼付するまでの間、当該面を保護する目的で、当該面に剥離シートが積層されていてもよい。剥離シートの構成は任意であり、プラスチックフィルムを剥離剤等により剥離処理したものが例示される。プラスチックフィルムの具体例としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステルフィルム、およびポリプロピレンやポリエチレン等のポリオレフィンフィルムが挙げられる。剥離剤としては、シリコーン系、フッ素系、長鎖アルキル系等を用いることができ、これらの中で、安価で安定した性能が得られるシリコーン系が好ましい。剥離シートの厚さについては特に制限はないが、通常２０μｍ以上、２５０μｍ以下である。

５．物性等
半導体加工用シート１Ａ，１Ｂ，１Ｃでは、半導体加工用シート１Ａ，１Ｂ，１Ｃにおけるフレキシブルシート２側の面をステンレスチール板に貼付したときの、半導体加工用シート１Ａ，１Ｂ，１Ｃのステンレスチール板に対する粘着力をＦ１とし、半導体加工用シート１Ａ，１Ｂ，１Ｃを構成するフレキシブルシート２および耐熱シート３について、耐熱シート３のフレキシブルシート２に対する粘着力をＦ２としたときに、下記式（１）
Ｆ１＞Ｆ２ … （１）
の関係を満たすことが好ましい。

上記式（１）の関係を満たすことで、半導体加工用シート１Ａ，１Ｂ，１Ｃのフレキシブルシート２側の面をリングフレーム５に貼付した状態で、耐熱シート３をフレキシブルシート２から剥離する際に、フレキシブルシート２がリングフレーム５から剥離することを防止しながら、耐熱シート３を良好に剥離することが可能となる。特に、半導体加工用シート１Ｃを使用する場合（図６参照）、耐熱シート３端部の突出部分を掴み易いことにより剥離作業を行い易いという利点と、フレキシブルシート２がリングフレーム５から剥離することを防止できるという利点とを両立できるため、上記式（１）を満たすことが特に好ましい。なお、上記粘着力Ｆ１および粘着力Ｆ２は、半導体加工用シート１Ａ，１Ｂ，１Ｃに対して加熱処理を施さない状態で測定されるものであり、測定方法の詳細は、後述する試験例に記載する通りである。

６．半導体加工用シートの製造方法
半導体加工用シート１Ａ，１Ｂ，１Ｃの製造方法としては、特に限定されず、例えば、最初にフレキシブルシート２および耐熱シート３をそれぞれ作製した後、それらを積層することで半導体加工用シート１Ａ，１Ｂ，１Ｃを得ることができる。あるいは、半導体加工用シート１Ａ，１Ｂ，１Ｃを構成する各層を順に積層することで、半導体加工用シート１Ａ，１Ｂ，１Ｃを得てもよい。

以下に、フレキシブルシート２および耐熱シート３をそれぞれ作製した後、それらを積層することで半導体加工用シート１Ａ，１Ｂ，１Ｃを製造法する方法を説明する。

フレキシブルシート２は、例えば、第１の粘着剤層２１のための粘着性組成物を使用して、第１の基材２２の片面に第１の粘着剤層２１を積層することで得ることができ、その詳細な方法は特に限定されない。

フレキシブルシート２の製造方法の一例を挙げれば、上記粘着性組成物、および所望によりさらに溶媒または分散媒を含有する塗工液を調製し、前述した剥離シートにおける剥離処理した面（以下「剥離面」という場合がある。）上に、ダイコーター、カーテンコーター、スプレーコーター、スリットコーター、ナイフコーター等によりその塗工液を塗布して塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥させることにより、第１の粘着剤層２１と剥離シートとからなる積層体を形成することができる。塗工液は、塗布を行うことが可能であればその性状は特に限定されず、第１の粘着剤層２１を形成するための成分を溶質として含有する場合もあれば、分散質として含有する場合もある。上記積層体を得た後、その第１の粘着剤層２１における剥離シート側の面と反対側の面を、第１の基材２２に貼付することで、剥離シートが積層されたフレキシブルシート２を得ることができる。

フレキシブルシート２の製造方法の別の例としては、上記塗工液を、第１の基材２２の片面上に塗布して塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥させることにより、フレキシブルシート２を得てもよい。

塗工液が架橋剤を含有する場合には、上記の乾燥の条件（温度、時間など）を変えることにより、または加熱処理を別途設けることにより、塗膜内の非エネルギー線硬化性ポリマーまたはエネルギー線硬化型重合体（Ａ）と架橋剤（Ｅ）との架橋反応を進行させ、第１の粘着剤層２１内に所望の存在密度で架橋構造を形成させればよい。この架橋反応を十分に進行させるために、上記の方法などによって第１の基材２２に第１の粘着剤層２１を積層させた後、得られたフレキシブルシート２を、例えば２３℃、相対湿度５０％の環境に数日間静置するといった養生を行ってもよい。

耐熱シート３が第２の粘着剤層３１と第２の基材３２とを備える場合、当該耐熱シート３もフレキシブルシート２と同様に製造することができる。すなわち、第２の粘着剤層３１のための粘着性組成物を用いて、剥離シート上に第２の粘着剤層３１を形成した後、第２の粘着剤層３１における剥離シート側の面と反対側の面を第２の基材３２に貼付することで、剥離シートが積層された耐熱シート３を得ることができる。あるいは、上記粘着性組成物を用いて、第２の基材３２上に第２の粘着剤層３１を形成することで、耐熱シート３を得ることができる。

得られたフレキシブルシート２および耐熱シート３を積層する方法は特に限定されず、例えば、フレキシブルシート２における第１の基材２２側の面と、耐熱シート３における第２の粘着剤層３１側の面とを、温度２３℃において、ロールラミネータ等を用いて貼り合せることで、半導体加工用シート１Ａ，１Ｂ，１Ｃを得ることができる。

フレキシブルシート２と耐熱シート３とが平面視で略同一形状である半導体加工用シート１Ａ（図１参照）については、平面視で略同一の形状に形成したフレキシブルシート２および耐熱シート３を貼り合わせることで得てもよい。あるいは、フレキシブルシート２および耐熱シート３を貼り合わせた後、所望の形状を有する半導体加工用シート１Ａを打ち抜き等により切断してもよい。

平面視でフレキシブルシート２の方が耐熱シート３よりも大きいことにより、第１の領域２３が存在する半導体加工用シート１Ｂ（図２参照）については、フレキシブルシート２および耐熱シート３を予め所望の形状（すなわち、完成した半導体加工用シート１Ｂにおけるそれぞれの形状）に形成し、それらを貼り合わせることで得てもよい。あるいは、フレキシブルシート２および耐熱シート３を貼り合わせた後、これらのシートの積層体または各シートを適宜切断（ハーフカット）して、フレキシブルシート２および耐熱シート３がそれぞれ所望の形状となるようにしてもよい。さらには、予め所望の形状に形成された耐熱シート３をフレキシブルシート２に積層した後、フレキシブルシート２のみを所望の形状に切断してもよい。

平面視で耐熱シート３の方がフレキシブルシート２よりも大きいことにより、第２の領域３３が存在する半導体加工用シート１Ｃ（図３参照）については、フレキシブルシート２および耐熱シート３を予め所望の形状に形成し、それらを貼り合わせることで得てもよい。あるいは、予め所望の形状に形成されたフレキシブルシート２を耐熱シート３に積層した後、耐熱シート３をのみを所望の形状に切断してもよい。

７．半導体加工用シートの使用方法
半導体加工用シート１Ａ，１Ｂ，１Ｃは、半導体装置を製造する方法に使用することができる。特に、半導体加工用シート１Ａ，１Ｂ，１Ｃは、半導体装置を半導体加工用シート１Ａ，１Ｂ，１Ｃ上で加熱する工程および半導体装置を半導体加工用シート１Ａ，１Ｂ，１Ｃからピックアップする工程の少なくとも一方を含む半導体装置の製造方法に使用することが好ましい。このような、半導体装置の製造方法の詳細については後述する。

〔半導体装置の製造方法〕
本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法は、前述した半導体加工用シート１Ａ，１Ｂ，１Ｃを使用して、半導体装置を製造する方法である。本実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例は、少なくとも、チップ準備工程、加熱工程、剥離工程およびピックアップ工程を備える。これらの各工程について、以下に説明する。

（１）チップ準備工程
最初に、チップ準備工程として、半導体加工用シート１Ａ，１Ｂ，１Ｃにおける第１の粘着剤層２１側の面上に複数の半導体チップ４を設ける。図４〜図６には、半導体加工用シート１Ａ，１Ｂ，１Ｃの第１の粘着剤層２１側の面における中央部上に、複数の半導体チップ４が設けられている状態が示されている。また、当該面の周縁部には、リングフレーム５も貼付されている。

半導体加工用シート１Ａ，１Ｂ，１Ｃ上に複数の半導体４を設ける方法は、特に限定されず、例えば、半導体加工用シート１Ａ，１Ｂ，１Ｃの第１の粘着剤層２１側の面に半導体ウエハを貼付した後、当該半導体ウエハを半導体加工用シート１Ａ，１Ｂ，１Ｃ上でダイシングにより個片化することで、半導体チップ４を形成してもよい。

上記ダイシングの方法は特に限定されず、一般的な方法で行うことができる。例えば、ダイシングブレードを用いることで、またはレーザ光を照射することで、半導体ウエハを完全に分断し、複数の半導体チップ４に個片化してもよい。あるいは、レーザ光の照射により半導体ウエハ内部に改質層を形成し、後述するエキスパンド工程においてフレキシブルシート２を引き延ばすことで、半導体ウエハを改質層の位置で破断して、半導体チップ４に個片化してもよい（ステルスダイシング）。

半導体加工用シート１Ａ，１Ｂ，１Ｃ上に複数の半導体チップ４を設ける別の方法として、半導体加工用シート１Ａ，１Ｂ，１Ｃとは別のダイシングシートを用いて、半導体ウエハをダイシングし、形成された複数の半導体チップ４を、半導体加工用シート１Ａ，１Ｂ，１Ｃに転写することで設けてもよい。

（２）加熱工程
次に、加熱工程として、半導体加工用シート１Ａ，１Ｂ，１Ｃ上の半導体チップ４を加熱する。当該加熱は、種々の目的のために行われるものであってよい。例えば、半導体チップ４に対して蒸着やスパッタリング等の処理を行う際における、半導体チップ４の副次的な加熱であってもよく、脱湿のために半導体チップ４をベーキングする際の加熱であってもよく、または、高温環境に対する耐久試験のための、半導体チップ４の加熱であってもよい。

加熱する方法は特に限定されず、加熱の目的に応じて決定される。特に、高温環境に対する耐久試験を行う場合には、半導体加工用シート１Ａ，１Ｂ，１Ｃにおける半導体チップ４が積層されている面とは反対の面を加熱テーブルに載置することで加熱することが好ましい。当該加熱テーブルを用いた加熱の具体的方法は、後述する試験例に示す通りである。

加熱の温度は、加熱の目的に応じて設定することができるが、例えば、８０℃以上であることが好ましく、特に１００℃以上であることが好ましい。また、当該温度は３００℃以下であることが好ましく、特に２７０℃以下であることが好ましい。加熱時間も、加熱の目的に応じて設定することができるものの、例えば、１０分以上であることが好ましく、特に３０分以上であることが好ましく。また、加熱時間は、２５時間以下であることが好ましく、特に１０時間以下であることが好ましい。本実施形態に係る半導体装置の製造方法では、半導体加工用シート１Ａ，１Ｂ，１Ｃを用いることにより、これらの条件で加熱する場合であっても、加熱による半導体加工用シート１Ａ，１Ｂ，１Ｃの変形が抑制され、その結果、加熱処理を良好に行うことができる。

（３）剥離工程
次に、剥離工程として、耐熱シート３をフレキシブルシート２から剥離する。半導体加工用シート１Ａまたは半導体加工用シート１Ｂを使用する場合には、例えば、半導体加工用シート１Ａの端部における、フレキシブルシート２と耐熱シート３との界面にカッター等の道具を差し込み、耐熱シート３の端部をフレキシブルシート２から剥がす。続いて、当該端部を掴み具等で掴み、耐熱シート３を引っ張りながら、フレキシブルシート２から引き剥がすことで行うことができる。

ここで、半導体加工用シート１Ｂでは、図２および図５に示されるように、半導体加工用シート１Ｂのフレキシブルシート２に第１の領域２３が存在し、耐熱シート３の端部がフレキシブルシート２の端部よりも内側（半導体加工用シート１Ｂの中心側）に存在する。そのため、耐熱シート３の端部から剥離しようとしたときに、フレキシブルシート２の端部を起点とする、フレキシブルシート２のリングフレーム５からの剥離が生じ難い。また、第１の領域２３をリングフレーム５に対して押さえつけながら、耐熱シート３を剥離することも可能となる。以上より、半導体加工用シート１Ｂを使用する場合、フレキシブルシート２のリングフレーム５からの剥離を抑制しながら、耐熱シート３のみを効果的に剥離することが可能となる。

半導体加工用シート１Ｃを使用する場合には、耐熱シート３の端部における、フレキシブルシート２の端部と比較して突出した部分（図３および図６参照）を掴み具等で掴み、当該部分を起点として耐熱シート３を剥離することができる。半導体加工用シート１Ｃでは、上記突出した部分を剥離の起点として使用できるため、剥離の作業性に優れる。

フレキシブルシート２から耐熱シート３を剥離する際において、耐熱シート３が、エネルギー線硬化性粘着剤から構成される第２の粘着剤層３１を備えている場合には、第２の粘着剤層３１に対してエネルギー線を照射して、第２の粘着剤層３１のフレキシブルシート２に対する粘着力を低下させることで、上記剥離を容易に行えるようにしてもよい。このエネルギー線としては、例えば、電磁波または荷電粒子線の中でエネルギー量子を有するものを使用でき、具体的には、紫外線や電子線などを使用することができる。特に、取扱いが容易な紫外線が好ましい。紫外線の照射は、高圧水銀ランプ、キセノンランプ等によって行うことができ、紫外線の照射量は、照度が５０ｍＷ／ｃｍ^２以上、１０００ｍＷ／ｃｍ^２以下であることが好ましい。また、光量は、５０ｍＪ／ｃｍ^２以上であることが好ましく、特に８０ｍＪ／ｃｍ^２以上であることが好ましく、さらには２００ｍＪ／ｃｍ^２以上であることが好ましい。また、光量は、１００００ｍＪ／ｃｍ^２以下であることが好ましく、特に５０００ｍＪ／ｃｍ^２以下であることが好ましく、さらには２０００ｍＪ／ｃｍ^２以下であることが好ましい。一方、電子線の照射は、電子線加速器等によって行うことができ、電子線の照射量は、１０ｋｒａｄ以上、１０００ｋｒａｄ以下が好ましい。

また、耐熱シート３を溶剤で洗浄したり、耐熱シート３を加熱して変形させることで、フレキシブルシート２に対する粘着性を低下させて、上記剥離を容易に行えるようにしてもよい。

（４）エキスパンド工程
上記剥離工程に続いて、エキスパンド工程を行ってもよい。エキスパンド工程では、フレキシブルシート２をエキスパンドして、半導体チップ４を離間する。エキスパンドの方法は特に限定されず、一般的な方法により行うことができる。

本実施形態に係る半導体装置の製造方法では、フレキシブルシート２が優れた柔軟性を有するものであるため、エキスパンドを効果的に行うことができ、半導体チップ４を十分に離間することが可能となる。

（５）ピックアップ工程
続いて、ピックアップ工程として、フレキシブルシート２から半導体チップ４を個々にピックアップする。ピックアップの方法は特に限定されず、一般的な方法により行うことができる。

本実施形態に係る半導体装置の製造方法では、フレキシブルシート２が優れた柔軟性を有するものであるため、フレキシブルシート２を介した半導体チップ４の突き上げを効果的に行うことができ、良好なピックアップすることが可能となる。

以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。

例えば、フレキシブルシート２における第１の粘着剤層２１と第１の基材２２との間、耐熱シート３における第２の粘着剤層３１と第２の基材３２との間、フレキシブルシート２と耐熱シート３との間、または耐熱シート３におけるフレキシブルシート２とは反対の面には、その他の層が設けられてもよい。

以下、実施例等により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明の範囲はこれらの実施例等に限定されるものではない。

〔実施例１〕
（１）粘着性組成物Ｐ１の調製
２−エチルヘキシルアクリレート５０質量部（固形分換算，以下同じ）と、メチルアクリレート３６質量部と、アクリル酸１０質量部とを共重合させて、重量平均分子量が７０万のアクリル系共重合体を得た。

得られたアクリル系重共重合体３５質量部と、エネルギー線硬化性のオリゴマーとしての多官能型ＵＶ硬化性樹脂（日本合成化学工業社製，製品名「紫光ＵＶ−５８０６」）４０質量部と、架橋剤としてのトリメチロールプロパン変性トリレンジイソシアネート（ＴＤＩ−ＴＭＰ）（東ソー社製，製品名「コロネートＬ」）３質量部とを混合し、酢酸エチルにて希釈して、固形分の含有量が２４質量％である粘着性組成物Ｐ１の塗布液を得た。

（２）粘着性組成物Ｐ２の調製
イソブチルアクリレート６５質量部と、２−エチルヘキシルアクリレート２０質量部と、メチルメタクリレート１０質量部と、２−ヒドロキシエチルアクリレート５質量部とを共重合させて、重量平均分子量が７０万のアクリル系共重合体を得た。

得られたアクリル系重共重合体４０質量部と、架橋剤としてのトリメチロールプロパン変性トリレンジイソシアネート（三井化学ポリウレタン社製，製品名「タケネートＤ−１１０Ｎ」）３質量部とを混合し、酢酸エチルにて希釈して、固形分の含有量が２４質量％である粘着性組成物Ｐ２の塗布液を得た。

（３）耐熱シートの作製
厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムの一方の主面がシリコーン系剥離剤によって剥離処理されてなる剥離フィルム（リンテック社製，製品名「ＳＰ−ＰＥＴ３８１０３１」）の剥離処理面上に、アプリケータを用いてギャップを調整しながら、上記工程（１）において調製した粘着性組成物Ｐ１の塗布液を塗布し、１００℃で２分間乾燥させることで、厚さが１０μｍである第２の粘着剤層を形成し、剥離フィルムと第２の粘着剤層とからなる積層体を得た。

次に、第２の基材としての、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（東レ社製，製品名「ルミラー５０Ｔ６０」，厚さ：５０μｍ）の一方の面上に、剥離フィルムと第２の粘着剤層とからなる積層体における第２の粘着剤層側の面を貼付した。これにより、第２の基材と第２の粘着剤層とからなる耐熱シートを、第２の粘着剤層における第２の基材と反対側の面に剥離フィルムが積層された状態で得た。

なお、上記第２の基材の融点を、熱重量測定装置（パーキンエルマー社製，製品名「Ｐｙｒｉｓ１」）を用いて測定したところ、２６０℃であった。具体的な測定方法としては、第２の基材を５０℃から２５０℃まで毎分１０℃で加熱し、ＤＳＣ（示差走査熱量分析）測定を行い、吸熱ピークが観測される温度を融点とした。

また、上記第２の基材について、熱機械分析装置（Ｔｈｅｒｍｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ａｎａｌｙｚｅｒ，ＴＭＡ）（ブルカーエーエックスエス社製，製品名「ＴＭＡ４０００ＳＡ」）を用いて、荷重０．２ｇの下、１０℃／分の昇温温度で２３℃から１２０℃まで加熱したときの、初期寸法Ｌ_０（ｍｍ）および最大寸法Ｌ_ｍａｘ（ｍｍ）を測定し、以下式（３）
膨張率（％）＝（Ｌ_ｍａｘ−Ｌ_０）／Ｌ_０×１００ … （３）
から膨張率を算出したところ、−０．１（％）であった。

さらに、上記第２の基材を１５ｍｍ×１４０ｍｍの試験片に裁断し、ＪＩＳ Ｋ７１２７：１９９９に準拠して、２３℃で測定される引張弾性率を測定したところ、４ＧＰａであった。具体的な測定方法としては、上記試験片を、引張試験機（島津製作所製，製品名「オートグラフＡＧ−ＩＳ ５００Ｎ」等）にて、チャック間距離１００ｍｍに設定した後、２００ｍｍ／分の速度で引張試験を行うことで、引張弾性率を得た。

（４）フレキシブルシートの作製
厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムの一方の主面がシリコーン系剥離剤によって剥離処理されてなる剥離フィルム（リンテック社製，製品名「ＳＰ−ＰＥＴ３８１０３１」）の剥離処理面上に、アプリケータを用いてギャップを調整しながら、上記工程（２）において調製した粘着性組成物Ｐ２の塗布液を塗布し、１００℃で２分間乾燥させることで、厚さが１０μｍである第１の粘着剤層を形成し、剥離フィルムと第１の粘着剤層とからなる積層体を得た。

次に、第１の基材としての、ポリプロピレンフィルム（ＤＰＦ社製，製品名「ＰＬ１０５」，厚さ：１４０μｍ，）の一方の面上に、剥離フィルムと第１の粘着剤層とからなる積層体における第１の粘着剤層側の面を貼付した。これにより、第１の基材と第１の粘着剤層とからなるフレキシブルシートを、第１の粘着剤層における第１の基材と反対側の面に剥離フィルムが積層された状態で得た。

なお、第１の基材の融点を、第２の基材の融点と同様の測定方法で測定したところ、１４０℃であった。また、第１の基材におけるＭＤ方向の引張弾性率を、第２の基材の引張弾性率の測定方法における測定時の温度を１２０℃から２３℃に変更した方法にて測定したところ、２００ＭＰａであった。

（５）半導体加工用シートの作製
上記工程（３）で得られた剥離フィルムが積層された耐熱シートから剥離フィルムを剥離し、露出した第２の粘着剤層側の面と、上記工程（４）で得られた剥離フィルムが積層されたフレキシブルシートにおける第１の基材側の面とを、温度２３℃でロールラミネータを用いて貼り合せた後、直径２７０ｍｍの略円形に打ち抜くことで、半導体加工用シートを得た。なお、本実施例のように、フレキシブルシートと耐熱シートとの直径が同一である半導体加工用シートを、「Ａ」型の半導体加工用シートということとする。

〔実施例２〜９，比較例１〜３〕
フレキシブルシートおよび耐熱シートの有無、第１の粘着剤層および第２の粘着剤層の形成のために用いた粘着性組成物の種類、ならびに、フレキシブルシートおよび耐熱シートの直径を表１に示すように変更する以外、実施例１と同様にして半導体加工用シートを製造した。

ただし、フレキシブルシートの直径の方が耐熱シートの直径よりも大きい半導体加工用シート（以下、「Ｂ」型の半導体加工用シートという。）については、耐熱シートを表１中に記載される直径で略円形に打ち抜き、これをフレキシブルシート上に積層した後、フレキシブルシートのみを表１中に記載される直径で略円形に打ち抜くことで、耐熱シートとフレキシブルシートとが同心円状に積層された半導体加工用シートを得た。

また、耐熱シートの直径の方がフレキシブルシートの直径よりも大きい半導体加工用シート（以下、「Ｃ」型の半導体加工用シートという。）については、フレキシブルシートを表１中に記載される直径で略円形に打ち抜き、これを耐熱シート上に積層した後、耐熱シートのみを表１中に記載される直径で略円形に打ち抜くことで、耐熱シートとフレキシブルシートとが同心円状に積層された半導体加工用シートを得た。

〔試験例１〕（粘着力の測定）
実施例および比較例にて製造した半導体加工用シートから剥離フィルムを剥離し、露出した第１の粘着剤層側の面と、ステンレススチール板（ＳＵＳ＃３０４鏡面板，算術平均粗さＲａ：０．０５μｍ）の片面とを、温度２３℃、相対湿度５０％の環境下で、２ｋｇゴムローラーを用いて貼り合わせ、２０分静置した。比較例３については、２０分静置後のものをサンプルとした。また、多官能型ＵＶ硬化性樹脂を含有する粘着性組成物Ｐ１を用いて製造した実施例１〜９および比較例１〜２については、さらに、半導体加工用シートにおけるステンレススチール板と貼合した面とは反対側から紫外線（照度２３０ｍＷ／ｃｍ^２、光量１９０ｍＪ／ｃｍ^２）を照射したものをサンプルとした。

得られたサンプルについて、万能型引張試験機（島津製作所社製，製品名「オートグラフＡＧ−ＩＳ」）を用いて、ＪＩＳ Ｚ０２３７に準じて、剥離角度１８０°および剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎで、ステンレススチール板から半導体加工用シートを剥がし、そのときの粘着力Ｆ１（ｍＮ／２５ｍｍ）を測定した。結果を表１に示す。

また、別途用意した上記サンプルについて、万能型引張試験機（島津製作所社製，製品名「オートグラフＡＧ−ＩＳ」）を用いて、ＪＩＳ Ｚ０２３７に準じて、剥離角度１８０°および剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎで、耐熱シートのみをフレキシブルシートから剥がし、そのときの粘着力Ｆ２（ｍＮ／２５ｍｍ）も測定した。結果を表１に示す。

〔試験例２〕（粘着力比の測定）
試験例１と同様に得られた上記サンプルについて、万能型引張試験機（島津製作所社製，製品名「オートグラフＡＧ−ＩＳ」）を用いて、ＪＩＳ Ｚ０２３７に準じて、剥離角度１８０°および剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎで、耐熱シートのみをフレキシブルシートから剥がし、そのときの粘着力Ｆａ（ｍＮ／２５ｍｍ）を測定した。

また、別途用意した上記サンプルを、オーブンを用いて１２０℃で１時間加熱した。当該加熱後のサンプルを室温まで冷却した後、上記粘着力Ｆａと同様に粘着力を測定し、加熱後の粘着力Ｆｂ（ｍＮ／２５ｍｍ）とした。

得られた粘着力Ｆａおよび粘着力Ｆｂの値から、下記式（２）
粘着力比＝Ｆｂ／Ｆａ … （２）
により、粘着力比を算出した。結果を表１に示す。

〔試験例３〕（柔軟性の評価）
実施例および比較例にて製造した半導体加工用シートから剥離フィルムを剥離し、露出した第１の粘着剤層側の面の周縁部にリングフレームを貼付した。その後、多官能型ＵＶ硬化性樹脂を含有する粘着性組成物Ｐ１を用いて製造した実施例１〜９および比較例１〜２については、半導体加工用シートに対して紫外線（照度２３０ｍＷ／ｃｍ^２、光量１９０ｍＪ／ｃｍ^２）を照射した。さらに、フレキシブルシートから耐熱シートを剥離した。これにより得られる、リングフレームに貼付されたフレキシブルシートを、エキスパンド装置（ＪＣＭ社製，製品名「ＳＥ−１００」）に設置し、リングフレームを５ｍｍ／ｓの速さで、７ｍｍおよび１０ｍｍの２種類の引き落とし量で、それぞれ引き落としを行った。そして、以下に基準に基づいて、フレキシブルシートの柔軟性を評価した。結果を表１に示す。
○：引き落とし量７ｍｍおよび１０ｍｍの両方の場合において、良好に引き落としができた。
△：引き落とし量１０ｍｍの場合については、リングフレームからフレキシブルシートが剥がれたり、設定した速度で引き落としできないといった問題が生じたものの、引き落とし量７ｍｍの場合については、良好に引き落としができた。
×：引き落とし量７ｍｍおよび１０ｍｍの両方の場合において、リングフレームからフレキシブルシートが剥がれたり、設定した速度で引き落としできないといった問題が生じた。

〔試験例４〕（耐熱性の評価）
（１）半導体パッケージの作製
銅箔張り積層板（三菱ガス化学社製，製品名「ＣＣＬ-ＨＬ８３０」，銅箔の厚さ：１８μｍ）における銅箔に回路パターンを形成した後、当該パターン上にソルダーレジスト（太陽インキ社製，製品名「ＰＳＲ-４０００ ＡＵＳ３０３」）を積層してなる基板(ちの技研社製，製品名「ＬＮ００１Ｅ−００１ ＰＣＢ（Ａｕ）ＡＵＳ３０３」)を用意した。

上記基板に対して、チップを搭載することなく、封止装置(アピックヤマダ社製，製品名「ＭＰＣ-０６Ｍ ＴｒｉＡｌ Ｐｒｅｓｓ」)を用いて、モールド樹脂(京セラケミカル社製，製品名「ＫＥ-１１００ＡＳ３」)で、封止厚さ４００μm、封止サイズ４５ｍｍ×１３７ｍｍとなるように矩形状に封止した。その後、モールド樹脂を、１７５℃で５時間加熱することで硬化させて、半導体パッケージを得た。

（２）ダイシング
実施例および比較例において作製した半導体加工用シートから剥離フィルムを剥離し、露出した第１の粘着剤層側の粘着面に対して、テープマウンター（リンテック社製，製品名「Ａｄｗｉｌｌ ＲＡＤ−２７００Ｆ／１２」）を用いて、上記工程（１）で得た半導体パッケージ１枚を、半導体加工用シートの流れ方向と半導体パッケージの長辺方向とが平行となり且つ半導体パッケージが半導体加工用シートの中心に位置するように、温度２３℃の環境下で貼り合わせた。

さらに、半導体加工用シートにおける第１の粘着剤層側の面の周縁部（半導体パッケージとは重ならない位置）に、ダイシング用リングフレーム（ディスコ社製，製品名「２−８−１」）を付着させた。

次いで、下記の条件で、半導体パッケージをダイシングした。
＜ダイシング条件＞
・ダイシング装置：ＤＩＳＣＯ社製，製品名「ＤＦＤ−６５１」
・ブレード：ＤＩＳＣＯ社製，製品名「ＮＢＣ−ＺＨ２０５０−２７ＨＥＣＣ」
・ブレード回転数：３００００ｒｐｍ
・切削速度：５０ｍｍ／分
・切り込み深さ：半導体加工用シートに対する切り込み量：８０μｍ
・ダイシングサイズ：３ｍｍ×３ｍｍ

（３）加熱テーブル試験
次に、予め１２０℃に加熱され且つバキュームがＯＮとなっている状態のテープマウンター（リンテック社製，「Ａｄｗｉｌｌ ＲＡＤ−２７００Ｆ／１２」）のマウントテーブルに対し、上記ダイシング後の半導体パッケージおよびリングフレームが貼付された状態の半導体加工用シートを、当該貼付された面とは反対の面がマウントテーブルに接するように、搬送アームを用いて静置した。そして、半導体加工用シートの様子を確認した後、半導体加工用シートをマウントテーブルから離した。この操作を、上記工程（２）で得られた、ダイシング後の半導体パッケージおよびリングフレームが貼付された状態の半導体加工用シート１０セットについて行った。

マウントテーブルに静置したときの半導体加工用シートの状態について、以下の基準に基づいて、半導体加工用シートの耐熱性を評価した。結果を表１に示す。
○：１０セット全てにおいて、マウントテーブルに完全に真空吸着され、マウントテーブル外周部の位置において、シワ等の変形も一切発生していなかった。
△：マウントテーブルに完全に真空吸着されたセット数が、９セット以下、８セット以上であった。
×：マウントテーブルに完全に真空吸着されたセット数が、７セット以下であった。

〔試験例５〕（剥離性の評価）
上記試験例４における工程（２）と同様にダイシングを行うことで、ダイシング後の半導体パッケージおよびリングフレームが貼付された状態の半導体加工用シートを、１０セット得た。続いて、多官能型ＵＶ硬化性樹脂を含有する粘着性組成物Ｐ１を用いて製造した実施例１〜９および比較例１〜２のセットについては、半導体加工用シートに対して紫外線（照度２３０ｍＷ／ｃｍ^２、光量１９０ｍＪ／ｃｍ^２）を照射した。その後、これらの半導体加工用シートにおいて、必要に応じてカッター等の道具を使用して、耐熱シートをフレキシブルシートから剥離した（試験１）。なお、当該試験１は、半導体加工用シートの種類が「Ａ」および「Ｂ」であるものについてのみ行った。

そして、以下の基準に基づいて、半導体加工用シートの剥離性（試験１）を評価した。結果を表１に示す。
○：１０セット全てにおいて、リングフレームとフレキシブルシートとの界面に剥がれが発生することなく、耐熱シートを剥離できた。
△：リングフレームとフレキシブルシートとの界面において部分的な剥がれが生じる場合があったものの、１０セット全てにおいて、耐熱シートを剥離できた。
×：フレキシブルシートがリングフレームから完全に剥離し、耐熱シートを剥離できない場合があった。

また、上記試験例４における工程（２）と同様にダイシングを行うことで、ダイシング後の半導体パッケージおよびリングフレームが貼付された状態の半導体加工用シートを、１０セット得た。これらの半導体加工用シートにおいて、カッター等の道具を使うことなく、耐熱シートの端部を手で掴むことで、耐熱シートをフレキシブルシートから剥離した（試験２）。なお、当該試験２は、半導体加工用シートの種類が「Ａ」および「Ｃ」であるものについてのみ行った。

そして、以下の基準に基づいて、半導体加工用シートの剥離性（試験２）を評価した。結果を表１に示す。
○：１０セット全てにおいて、剥離できた。
△：剥離できたセット数が、９セット以下、５セット以上であった。
×：剥離できたセット数が、４セット以下であった。

表１から分かるように、実施例で得られた半導体加工用シートは、柔軟性および耐熱性に優れていた。また、「Ｂ」型の半導体加工用シートについては、リングフレームからフレキシブルシートが剥がすことなく、剥離シートを良好に剥離することができた。さらに、「Ｃ」型の半導体加工用シートについては、道具を使わなくとも、容易に剥離シートを剥離することができた。

本発明の半導体加工用シートは、加熱工程およびピックアップ工程を含む半導体装置の製造方法に好適に使用することができる。

１Ａ，１Ｂ，１Ｃ…半導体加工用シート
２…フレキシブルシート
２１…第１の粘着剤層
２２…第１の基材
２３…第１の領域
３…耐熱シート
３１…第２の粘着剤層
３２…第２の基材
３３…第２の領域
４…半導体チップ
５…リングフレーム

Claims (12)

1. 複数の半導体チップが積層される粘着面を有する第１の粘着剤層と、前記第１の粘着剤層における前記粘着面とは反対の面側に積層されており、２３℃における引張弾性率が５０ＭＰａ以上、１０００ＭＰａ以下である第１の基材とを備えるフレキシブルシート、および
   融点が１５０℃以上、５５０℃以下の材料からなる第２の基材を少なくとも備え、前記第１の基材における前記第１の粘着剤層とは反対の面側に積層されている耐熱シート
   を備え、
   前記フレキシブルシートは、その周縁部の少なくとも一部に前記耐熱シートが積層されていない領域を有する
   ことを特徴とする半導体加工用シート。
2. 複数の半導体チップが積層される粘着面を有する第１の粘着剤層と、前記第１の粘着剤層における前記粘着面とは反対の面側に積層されており、２３℃における引張弾性率が５０ＭＰａ以上、１０００ＭＰａ以下である第１の基材とを備えるフレキシブルシート、および
   熱機械分析装置を用いて荷重０．２ｇの下、１０℃／分の昇温温度で２３℃から１２０℃まで加熱したときの膨張率が−３．０％以上、３．０％以下である材料からなる第２の基材を少なくとも備え、前記第１の基材における前記第１の粘着剤層とは反対の面側に積層されている耐熱シート
   を備え、
   前記フレキシブルシートは、その周縁部の少なくとも一部に前記耐熱シートが積層されていない領域を有する
   ことを特徴とする半導体加工用シート。
3. 前記フレキシブルシートおよび前記耐熱シートは、平面視で略円形の形状をそれぞれ有するとともに、これらの略円形が同心円となるように配置されており、
   前記フレキシブルシートにおける略円形と前記耐熱シートにおける略円形との半径の差は、１ｍｍ以上、３０ｍｍ以下である
   ことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体加工用シート。
4. 前記半導体加工用シートにおける前記フレキシブルシート側の面をステンレスチール板に貼付したときの、前記半導体加工用シートの前記ステンレスチール板に対する粘着力をＦ１、
   前記半導体加工用シートを構成する前記フレキシブルシートおよび前記耐熱シートについて、前記耐熱シートの前記フレキシブルシートに対する粘着力をＦ２
   としたときに、下記式（１）
   Ｆ１＞Ｆ２ … （１）
   の関係を満たすことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体加工用シート。
5. 前記耐熱シートは、前記第１の基材と前記第２の基材との間に位置する第２の粘着剤層をさらに備えることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体加工用シート。
6. 前記半導体加工用シートを構成する前記第１の基材および前記第２の粘着剤層について、
   前記半導体加工用シートを１２０℃で１時間加熱する前における、前記第２の粘着剤層の前記第１の基材に対する粘着力をＦａ、
   前記半導体加工用シートを１２０℃で１時間加熱した後における、前記第２の粘着剤層の前記第１の基材に対する粘着力をＦｂ
   としたときに、下記式（２）
   粘着力比＝Ｆｂ／Ｆａ … （２）
   から算出される前記第２の粘着剤層の粘着力比が、０．５以上、１０以下であることを特徴とする請求項５に記載の半導体加工用シート。
7. 前記半導体加工用シートにおける前記第１の粘着剤層側の面上に複数の半導体チップを設けるチップ準備工程、
   前記半導体加工用シート上の前記半導体チップを加熱する加熱工程、
   前記耐熱シートを前記フレキシブルシートから剥離する剥離工程、および
   前記フレキシブルシートから前記半導体チップを個々にピックアップするピックアップ工程
   を備える半導体装置の製造方法において使用されることを特徴とする請求項１〜６の何れか一項に記載の半導体加工用シート。
8. 複数の半導体チップが積層される粘着面を有する第１の粘着剤層と、前記第１の粘着剤層における前記粘着面とは反対の面側に積層されており、２３℃における引張弾性率が５０ＭＰａ以上、１０００ＭＰａ以下である第１の基材とを備えるフレキシブルシート、および
   融点が１５０℃以上、５５０℃以下の材料からなる第２の基材を少なくとも備え、前記第１の基材における前記第１の粘着剤層とは反対の面側に積層されている耐熱シート
   を備える半導体加工用シートであって、
   前記耐熱シートは、前記第１の基材と前記第２の基材との間に位置する第２の粘着剤層をさらに備え、
   前記半導体加工用シートを構成する前記第１の基材および前記第２の粘着剤層について、
   前記半導体加工用シートを１２０℃で１時間加熱する前における、前記第２の粘着剤層の前記第１の基材に対する粘着力をＦａ、
   前記半導体加工用シートを１２０℃で１時間加熱した後における、前記第２の粘着剤層の前記第１の基材に対する粘着力をＦｂ
   としたときに、下記式（２）
   粘着力比＝Ｆｂ／Ｆａ … （２）
   から算出される前記第２の粘着剤層の粘着力比が、０．５以上、１０以下である
   ことを特徴とする半導体加工用シート。
9. 複数の半導体チップが積層される粘着面を有する第１の粘着剤層と、前記第１の粘着剤層における前記粘着面とは反対の面側に積層されており、２３℃における引張弾性率が５０ＭＰａ以上、１０００ＭＰａ以下である第１の基材とを備えるフレキシブルシート、および
   熱機械分析装置を用いて荷重０．２ｇの下、１０℃／分の昇温温度で２３℃から１２０℃まで加熱したときの膨張率が−３．０％以上、３．０％以下である材料からなる第２の基材を少なくとも備え、前記第１の基材における前記第１の粘着剤層とは反対の面側に積層されている耐熱シート
   を備える半導体加工用シートであって、
   前記耐熱シートは、前記第１の基材と前記第２の基材との間に位置する第２の粘着剤層をさらに備え、
   前記半導体加工用シートを構成する前記第１の基材および前記第２の粘着剤層について、
   前記半導体加工用シートを１２０℃で１時間加熱する前における、前記第２の粘着剤層の前記第１の基材に対する粘着力をＦａ、
   前記半導体加工用シートを１２０℃で１時間加熱した後における、前記第２の粘着剤層の前記第１の基材に対する粘着力をＦｂ
   としたときに、下記式（２）
   粘着力比＝Ｆｂ／Ｆａ … （２）
   から算出される前記第２の粘着剤層の粘着力比が、０．５以上、１０以下である
   ことを特徴とする半導体加工用シート。
10. 請求項１〜９の何れか一項に記載の半導体加工用シートにおける前記第１の粘着剤層側の面上に複数の半導体チップを設けるチップ準備工程、
    前記半導体加工用シート上の前記半導体チップを加熱する加熱工程、
    前記耐熱シートを前記フレキシブルシートから剥離する剥離工程、および
    前記フレキシブルシートから前記半導体チップを個々にピックアップするピックアップ工程
    を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
11. 前記加熱工程は、前記半導体加工用シートにおける前記半導体チップが積層されている面とは反対の面を加熱テーブルに載置することを含むことを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
12. 前記剥離工程と前記ピックアップ工程との間に、前記フレキシブルシートをエキスパンドして、前記半導体チップを離間するエキスパンド工程をさらに備えることを特徴とする請求項１０または１１に記載の半導体装置の製造方法。

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