KR20180022501A - Sputtering apparatus for forming nanoporous-structure - Google Patents

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KR20180022501A
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윤성호
최병운
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(주)광림정공
윤성호
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Abstract

The present invention relates to a sputtering device for forming a nanoporous structure film capable of being formed by controlling a nanoporous structure and a porosity of a desired size on a substrate, and more particularly, to a sputtering device for forming a nanoporous structure deposited on a substrate, including: a process chamber provided with a substrate formed therein; a cluster source provided in the process chamber; and a nozzle provided between the cluster source and the process chamber, and having at least one opening. The pressure in the process chamber and the pressure in the cluster source are different from each other such that the size and density of nanoporous particles can be easily controlled, and the cost consumed in system construction can be reduced.

Description

나노포러스 구조 막 형성용 스퍼터링 장치{Sputtering apparatus for forming nanoporous-structure} [0001] The present invention relates to a sputtering apparatus for forming a nanoporous structure,

본 발명은 나노포러스(nanoporous) 구조 막 형성용 스퍼터링 장치에 관한 것으로, 특히 기판상에 원하는 크기의 나노포러스 구조 및 기공률을 제어하여 형성할 수 있는 나노포러스 구조 막 형성용 스퍼터링 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a sputtering apparatus for forming a nanoporous structure film, and more particularly, to a sputtering apparatus for forming a nanoporous structure film which can be formed by controlling a nanoporous structure and a porosity of a desired size on a substrate.

일반적으로 산업의 다양한 분야에 널리 이용되고 있는 가스 센서, 염료감응 태양전지, 수질정화기, 리튬 이차전지, 반도체태양전지, 액츄에이터 및 에너지 하베스터 등에 적용되는 다공성 물질(porous material)은 기공(pore)을 가지고 있는 물질이다. 이와 같은 다공성 물질은 예를 들어 GDL(Gas Diffusion Layer)이나 해수담수화 필터(desalination filter)와 같이 기공 사이로 기체가 이동해야 하는 응용 제품이나 유수분리필터(filter of oil-water separator)나 초소수/친수표면(super-hydrophobic/hydrophilic surface)와 같이 기공 사이로 사용자가 원하는 액체를 선택적으로 출입시켜야 하는 응용 제품들에 적용이 필요하여 최근 많은 관심을 받고 있는 물질이다. 이러한 기체나 액체의 이동은 나노 또는 마이크로 수준에서 일어나므로, 예를 들어 물과 기름을 분리하는 능력이나 접촉각과 같은 제품의 효율을 좌우할 수 있는 특징이, 기공이 크기에 따라서 좌우되기도 하며, 나노 스케일 수준일 때가 마이크로 스케일 수준일 때보다 효율이 높은 것으로 알려져있다.Porous materials applied to gas sensors, dye-sensitized solar cells, water purifiers, lithium secondary batteries, semiconductor solar cells, actuators and energy harvesters which are widely used in various fields of industry generally have pores It is a substance. Such porous materials may be used in applications such as GDL (Gas Diffusion Layer) and desalination filters where the gas must move between the pores, a filter of oil-water separator, It has recently received a lot of attention because it needs to be applied to applications where a user wants to selectively access liquids between pores such as super-hydrophobic / hydrophilic surfaces. Since the movement of the gas or liquid occurs at the nano- or micro-level, for example, the ability to separate water and oil or the efficiency of the product, such as contact angle, depends on the size of the pores, Level is known to be more efficient than when it is at a microscale level.

이와 같은 나노 구조의 다공성 구조의 제조는 건식 증착 기술을 사용하며, 그 증착 원리에 따라 고상(solid state)의 소스를 사용하는 물리적 기상 증착 방식의 PVD(Physical Vapor Deposition)와 기상(gas state)의 소스를 사용하는 화학적 기상증착방식의 CVD(Chemical Vapor Deposition)로 나누어진다.Such a nanostructured porous structure can be prepared by using a dry deposition technique. The physical vapor deposition (PVD) method using a solid state source and the physical vapor deposition method using a gas state And a chemical vapor deposition (CVD) method using a source.

또한, 이러한 원료 소스를 기판(피코팅재)에 코팅시키는 장비의 형태에 따라 증발(evaporation), 스퍼터링(sputtering), 음극 아크(cathodic arc), 이온빔 적용 증착(ion beam assisted deposition; IBAD), 펄스 레이저 증착(pulsed laser deposition; PLD), 열화학 기상증착(thermal CVD), 플라즈마 화학기상증착(plasma enhanced CVD; PECVD) 등으로 구분되며, 이러한 장비가 단독 또는 복합 방식으로 사용되기도 한다.In addition, depending on the type of equipment for coating such a source material on a substrate (coated material), evaporation, sputtering, cathodic arc, ion beam assisted deposition (IBAD) Plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD), and the like. These devices may be used alone or in combination.

플라즈마 화학기상증착(PECVD) 방식은 빠른 증착 속도와 피코팅재에 대한 적은 섀도(shadow) 영역의 장점이 있지만, 코팅 소스 공급에 대한 한계와 이온화도의 한계로 인하여 DLC(Diamond Like Carbon), TiN, TiCN와 같은 특정 코팅재질을 사용한 증착에만 상용화되고 있고, 더욱이 낮은 이온화에너지에 의해 증착된 박막의 물성이 상대적으로 떨어지는 단점이 있다.Plasma chemical vapor deposition (PECVD) has advantages of rapid deposition rate and low shadow region for the coating material. However, due to limitations on the supply of coating source and limitation of ionization degree, DLC (Diamond Like Carbon), TiN, TiCN , And furthermore, the physical properties of the thin film deposited by the low ionization energy are relatively low.

음극 아크(Cathodic arc) 방식은 고이온화율과 높은 생산성에 대한 장점을 가지고 있지만, 액적(droplet) 형성으로 인해 표면 조도가 저하되는 현상과 다양한 물질 증발에 대한 한계를 가지는 단점이 있다.Cathodic arc method has advantages of high ionization rate and high productivity, but it has drawbacks such as a drop in surface roughness due to droplet formation and a limitation on various material evaporation.

스퍼터링(Sputtering) 기술은 이온화된 원자를 전기장에 의해 가속시켜 타깃에 충돌시키면, 이 충돌에 의해 타깃을 구성하는 원자들이 튀어나오게 되며, 튀어나온 원자들이 기판의 표면에 증착되는 기술이다. 이와 같은 스퍼터링은 챔버(chamber)에 공급되는 가스와 캐소드(cathode, 타깃)에서 발생하는 전자 사이의 충돌로부터 시작되며, 그 과정을 보면 진공 챔버 내에 Ar과 같은 불활성 기체를 넣고 캐소드에 (-)전압을 가하면 캐소드로부터 방출된 전자들이 Ar 기체원자와 충돌하여 Ar을 이온화시킨다.The sputtering technique is a technique in which an ionized atom is accelerated by an electric field to impinge on a target, atoms constituting the target are protruded by the impact, and protruding atoms are deposited on the surface of the substrate. This sputtering starts from the collision between the gas supplied to the chamber and the electrons generated from the cathode. In the process, an inert gas such as Ar is introduced into the vacuum chamber, and negative (-) voltage The electrons emitted from the cathode collide with the Ar gas atoms to ionize Ar.

즉, Ar + e―(primary) = Ar+ + e―(primary) + e―(secondary)That is, Ar + e - (primary) = Ar + + e - (primary) + e - (secondary)

Ar이 여기(excite)하면서 전자를 방출하면 에너지가 방출되고, 이때 글로우 방전(glow discharge)이 발생하여 이온과 전자가 공존하는 플라즈마(plasma) 내의 Ar+ 이온은 큰 전위차에 의해 캐소드(타깃)로 가속되어 타깃의 표면과 충돌하면 중성의 타깃 원자들이 튀어나와 기판에 박막을 형성한다.When Ar is excited, electrons are released and energy is released. At this time, a glow discharge occurs and Ar + ions in the plasma, in which ions and electrons coexist, are attracted to the cathode (target) by a large potential difference When accelerated and collided with the target surface, neutral target atoms protrude to form a thin film on the substrate.

상술한 바와 같은 스퍼터링 기술은 금속, 합금, 화합물, 절연체 등 다양한 재료의 성막이 가능하며, 여러 가지 다른 재료에서도 성막 속도가 안정되고 비슷하게 된다. 또한, 박막의 접착력이 좋고 대면적화에 유리하고 균일한 성막이 가능하며 스텝 커버리지(step coverage)가 우수한 장점이 있다.The sputtering technique as described above can form a variety of materials such as metals, alloys, compounds, and insulators, and the deposition rate is stable and similar in various other materials. In addition, it is advantageous in that the thin film has good adhesion, is advantageous for large-sized and uniform film formation, and has excellent step coverage.

상술한 바와 같은 다공성 물질을 형성하기 위한 기술의 일 예가 하기 특허 문헌 등에 개시되어 있다.One example of the technique for forming the porous material as described above is disclosed in the following patent documents and the like.

예를 들어, 하기 특허문헌 1에는 고분자 미세 구형체 템플릿을 준비하는 단계, 플라즈마 처리를 하여 미세 구형체들이 나노브릿지를 공유하여 서로 연결된 나노구조 고분자 미세 구형체 네트워크를 형성하는 단계, 상기 나노구조 고분자 미세 구형체 네트워크상에 산화물 박막을 증착하는 단계 및 상기 나노구조 미세 구형체 네트워크를 제거하는 단계를 포함하고, 플라즈마 처리가 산소, 아르곤, 질소, 수소, SF6 및 Cl2로 구성되는 군으로부터 선택되는 일종 이상을 이용하여 수행되며, 산화물 박막이 상온 스퍼터링, 전자선 증착법 또는 열 증착법을 통해 형성되는 나노구조 산화물 박막 제조방법으로서, 이 제조방법에 의해 가스 센서, 염료감응 태양전지, 수질정화기, 리튬 이차전지, 반도체태양전지, 액츄에이터 및 에너지 하베스터로 구성되는 군으로부터 선택되는 나노구조 산화물 박막을 이용한 제품에 대해 개시되어 있다.For example, the following Patent Document 1 discloses a method of preparing a nanoporous polymer microspheres, comprising the steps of preparing a microspheres of polymer microspheres and plasma treatment to form microspheres of nanostructured polymers connected to each other by sharing fine nano- a step and removing the nanostructures fine spherical bodies network of depositing an oxide film on the micro-spheres network, selected from the group in which plasma processing is composed of oxygen, argon, nitrogen, hydrogen, SF 6 and Cl 2 And the oxide thin film is formed through room temperature sputtering, electron beam evaporation, or thermal evaporation, wherein the gas sensor, the dye-sensitized solar cell, the water purifier, the lithium secondary Batteries, semiconductor solar cells, actuators and energy harvesters. Using nanostructured oxide thin film is selected from is disclosed for the product.

또, 하기 특허문헌 2에는 기재를 준비하는 준비단계, 상기 기재에 증착압력을 300 mTorr 이상, 500 mTorr 미만으로 하는 플라즈마 증착을 이용하여 나노클러스터들이 서로 연결되어 네트워크를 형성한 나노 다공성 물질을 제조하는 제조단계를 포함하는 나노 다공성 물질의 제조방법으로서, 나노 다공성 물질은, 상기 물질의 표면 및 내부에 기공을 포함하며, 나노 다공성 물질은 상기 물질의 내부에 포함되는 기공의 지름이 10 내지 70nm이고, 상기 물질에 포함되는 나노클러스터들의 직경이 10 내지 50nm인 나노 다공성 기술에 대해 개시되어 있다.The following Patent Document 2 discloses a method of preparing a nanoporous material in which nanoclusters are connected to each other to form a network by using plasma deposition in which a deposition pressure is 300 mTorr or more and less than 500 mTorr, Wherein the nanoporous material comprises pores on the surface and inside of the material, the nanoporous material has a pore diameter of 10 to 70 nm contained in the material, Nanoporous technology in which the nanoclusters included in the material have diameters of 10 to 50 nm.

또 하기 특허문헌 3에는 챔버가 선형으로 전환 가능한 기판상에 장착되는 증기를 생성하는 마그네트론 스퍼터링 소스를 포함하고, 불활성 가스는 마그네트론 뒤의 지점에서 챔버로 공급하고, 마그네트론의 바로 앞 출구 개구에서 추출되며, 챔버를 통해 가스 유동을 생성하고, 증기의 이동을 확립하며, 출구 개구로의 전송 중에, 증기는 나노 입자 구름을 형성하도록 응축되고, 챔버에 의해 정의된 응축 영역에서 나오는 빔은 큰 압력차를 적용하며 초음속 확장으로 되고, 확장된 빔은 통과하는 빔의 중앙부를 허용하는 제2 개구에 충돌하여 배경 가스와 작은 나노 입자는 통과하지 않게 되며, 배경 가스는 재순환 또는 폐기하기 위한 펌핑 포트에 의해 수집되고, 입자는 기판 또는 객체로 진공을 통해 정전 가속함으로써 운동 에너지를 획득할 수 있는 구성으로서, 나노 입자 필름의 사용을 위해 항균 층의 증착에 대해 개시되어 있다.Patent Document 3 also discloses that the chamber includes a magnetron sputtering source for generating steam that is mounted on a linearly switchable substrate, the inert gas is supplied to the chamber at a point behind the magnetron and is extracted at the immediately preceding exit opening of the magnetron The vapor is condensed to form a nanoparticle cloud, and the beam emerging from the condensation zone defined by the chamber produces a large pressure difference < RTI ID = 0.0 > And the expanded beam impinges on a second opening which allows the center of the passing beam so that the background gas and the small nanoparticles do not pass and the background gas is collected by the pumping port for recirculation or discard, And the particle is capable of acquiring kinetic energy by accelerating the electrostatic force through the vacuum to the substrate or object , For the deposition of antimicrobial layers for the use of nanoparticle films.

대한민국 등록특허공보 제10-1210494호(2012.12.04 등록)Korean Registered Patent No. 10-1210494 (Registered on December 04, 2012) 대한민국 등록특허공보 제10-1408136호(2014.06.10 등록)Korean Registered Patent No. 10-1408136 (registered on June 10, 2014) 영국특허공보 제2430202호(2007.03.21 공고)British Patent Publication No. 2430202 (published on Mar. 21, 2007)

그러나 종래의 나노구조 형성용 스퍼터링 장치는 그 구조가 복잡하고 증착 속도 및 증착 효율이 낮고, 대면적화하기 어려운 단점이 있어 양산제품에 적용하기 어려운 단점이 있다. However, the conventional sputtering apparatus for forming a nanostructure has a disadvantage that it is complicated in its structure, has low deposition rate and deposition efficiency, and is difficult to be large-sized, making it difficult to apply it to mass-produced products.

또 상술한 종래 기술에 의한 나노포러스 구조에서는 미리 설정된 조건에 의한 형상만을 제조할 수 있을 뿐, 동일 스퍼터링 장치에서 다양한 나노포러스 구조를 형성할 수 없다는 문제도 있었다. In addition, in the nanoporous structure according to the prior art described above, only the shape according to preset conditions can be manufactured, and various nanoporous structures can not be formed in the same sputtering apparatus.

또한, 상기 특허문헌 3에 개시된 기술에서는 압력차를 주기 위한 별도의 진공 펌핑 시스템을 장착해야 하므로 상대적으로 제조 비용이 증가하게 되고, 차압을 위한 펌핑 라인을 통해서도 증착 물질의 손실이 있어 상대적으로 타깃 사용 효율이 떨어지는 단점이 있었다.In addition, in the technique disclosed in the Patent Document 3, since a separate vacuum pumping system is required to provide a pressure difference, the manufacturing cost is relatively increased, and the deposition material is also lost through the pumping line for differential pressure, There is a disadvantage that the efficiency is low.

본 발명의 목적은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위해 이루어진 것으로서, 스퍼터링 공정 압력을 높이고, 증착 속도를 높이며 증착되는 나노포러스 구조 막 형성을 용이하게 제어할 수 있는 나노포러스 구조 막 형성용 스퍼터링 장치를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a sputtering apparatus for forming a nanoporous structure film which can increase the pressure of a sputtering process, increase a deposition rate, and easily control the formation of a deposited nanoporous structure film .

본 발명의 다른 목적은 가스 흐름 스퍼터링(gas flow sputtering) 공정기술을 도입하여 원하는 크기로 나노포러스 구조를 형성할 수 있는 나노포러스 구조 막 형성용 스퍼터링 장치를 제공하는 것이다.It is another object of the present invention to provide a sputtering apparatus for forming a nanoporous structure film capable of forming a nanoporous structure with a desired size by introducing a gas flow sputtering process.

본 발명의 또 다른 목적은 다양한 종류의 프로세스 챔버의 구조에 대해 노즐의 구조를 변경 장착하여 용이하게 적용할 수 있는 나노포러스 구조 막 형성용 스퍼터링 장치를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a sputtering apparatus for forming a nanoporous structure film which can be easily applied to a structure of various kinds of process chambers by changing the structure of a nozzle.

상기 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 나노포러스 구조 막 형성용 스퍼터링 장치는 기판에 증착되는 나노포러스(nanoporous)의 구조를 형성하기 위한 스퍼터링 장치로서, 상기 기판이 마련된 프로세스 챔버, 상기 프로세스 챔버에 마련된 클러스터 소스 및 상기 클러스터 소스와 프로세스 챔버 사이에 마련되고 적어도 하나의 개구를 구비한 노즐을 포함하고, 상기 프로세스 챔버의 내의 압력과 상기 클러스터 소스의 내의 압력은 상이한 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a sputtering apparatus for forming a nanoporous structure film according to the present invention is a sputtering apparatus for forming a nanoporous structure deposited on a substrate, comprising: a process chamber provided with the substrate; A cluster source, and a nozzle provided between the cluster source and the process chamber and having at least one opening, wherein the pressure within the process chamber and the pressure within the cluster source are different.

또 본 발명에 따른 스퍼터링 장치에서, 상기 프로세스 챔버는 상기 클러스터 소스에 연속하여 마련되고, 상기 클러스터 소스 내에 타깃이 마련되고, 프로세스 챔버에 기판이 마련되며, 상기 노즐은 상기 클러스터 소스에 분리 가능하게 장착된 것을 특징으로 한다.In the sputtering apparatus according to the present invention, the process chamber is provided successively to the cluster source, a target is provided in the cluster source, a substrate is provided in the process chamber, and the nozzle is detachably mounted .

또 본 발명에 따른 스퍼터링 장치에서, 상기 노즐의 둘레 부분에는 상기 클러스터 소스로부터 배출되는 가스 흐름을 방해하는 배플(baffle)이 마련되는 것을 특징으로 한다.In the sputtering apparatus according to the present invention, a baffle is provided at a circumferential portion of the nozzle to obstruct the flow of gas discharged from the cluster source.

또 본 발명에 따른 스퍼터링 장치에서, 상기 클러스터 소스에 마련된 타깃과 상기 노즐 사이의 간격은 30~100㎜로 유지되는 것을 특징으로 한다.In the sputtering apparatus according to the present invention, the gap between the target and the nozzle provided in the cluster source is maintained at 30 to 100 mm.

또 본 발명에 따른 스퍼터링 장치에서, 상기 노즐의 개구의 위치 및 형상은 기판의 크기, 수량, 형상 및 자전과 공전에 대응하여 마련되는 것을 특징으로 한다.In the sputtering apparatus according to the present invention, the positions and the shapes of the openings of the nozzles are provided corresponding to the size, quantity, shape, and rotation and revolution of the substrate.

또 본 발명에 따른 스퍼터링 장치에서, 상기 노즐에는 다수의 개구가 마련되고, 상기 다수의 개구는 노즐의 중심 부분을 따라 일렬로 마련된 것을 특징으로 한다.Further, in the sputtering apparatus according to the present invention, the nozzle is provided with a plurality of openings, and the plurality of openings are arranged in a line along the central portion of the nozzle.

또 본 발명에 따른 스퍼터링 장치에서, 상기 노즐에는 다수의 개구가 마련되고, 상기 다수의 개구의 각각의 내경은 서로 상이한 것을 특징으로 한다.In the sputtering apparatus according to the present invention, the nozzle is provided with a plurality of openings, and the inner diameters of the plurality of openings are different from each other.

또 본 발명에 따른 스퍼터링 장치에서, 상기 클러스터 소스의 내부 압력은 주입되는 가스량에 의해 제어되는 것을 특징으로 한다.Further, in the sputtering apparatus according to the present invention, the inner pressure of the cluster source is controlled by the amount of the gas to be injected.

또 본 발명에 따른 스퍼터링 장치에서, 상기 클러스터 소스에는 상기 클러스터 소스 내의 압력을 제어하기 위해 소스용 불활성 및 반응성 가스 공급부와 소스용 냉각수 공급 및 배출부가 마련된 것을 특징으로 한다.In the sputtering apparatus according to the present invention, the cluster source is provided with a source inert and reactive gas supply unit and a source cooling water supply and discharge unit for controlling the pressure in the cluster source.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 나노포러스 구조 막 형성용 스퍼터링 장치에 의하면, 나노구조 형성용 스퍼터링 소스를 위한 별도의 진공 펌핑 시스템이 필요하지 않아 시스템으로 구성시 비용을 절감할 수 있다는 효과가 얻어진다.As described above, according to the sputtering apparatus for forming a nanoporous structure film according to the present invention, since a separate vacuum pumping system for a sputtering source for forming a nanostructure is not required, it is possible to reduce the cost of the system configuration Loses.

또, 본 발명에 따른 나노포러스 구조 막 형성용 스퍼터링 장치에 의하면, 나노구조 형성용 스퍼터링 소스 내부에서 생성되는 증착 물질이 노즐을 통해 상대적으로 높은 비율로 클러스터 소스로 유입되므로 타깃 사용 효율을 개선할 수 있다는 효과도 얻어진다.In addition, according to the sputtering apparatus for forming a nanoporous structure film according to the present invention, the evaporation material generated in the sputtering source for nanostructure formation flows into the cluster source at a relatively high rate through the nozzle, .

또 본 발명에 따른 나노포러스 구조 막 형성용 스퍼터링 장치에 의하면, 프로세스 챔버에 마련된 기판 처리에 대응하여 노즐을 마련하여 사용하므로, 나노포러스 입자의 크기 및 밀도를 용이하게 제어할 수 있고, 장비 교체를 위한 비용을 절감할 수 있다는 효과도 얻어진다.According to the sputtering apparatus for forming a nanoporous structure film according to the present invention, the size and density of the nanoporous particles can be easily controlled, and the apparatus can be easily replaced It is possible to reduce the cost of the system.

또 본 발명에 따른 나노포러스 구조 막 형성용 스퍼터링 장치에 의하면, 나노포러스 구조 막 형성 장치 및 공정을 통하여 증착하고자 하는 막의 기공률 제어가 가능하여 표면증강 라만산란용 기판, 연료전지용 Pt 촉매, 다양한 센서 소재 등에 활용할 수 있다는 효과가 얻어진다.Further, according to the sputtering apparatus for forming a nanoporous structure film according to the present invention, it is possible to control the porosity of a film to be deposited through a nanoporous structure film forming apparatus and process, and to provide a substrate for surface enhanced Raman scattering, a Pt catalyst for a fuel cell, And the like.

또한, 본 발명에 따른 나노포러스 구조 막 형성용 스퍼터링 장치에 의하면, 스퍼터링 공정 베이스이므로 금속, 산화물 등 증착하고자 하는 소재의 제약이 없다는 효과도 얻어진다.Further, according to the sputtering apparatus for forming a nanoporous structure film according to the present invention, since it is the base of the sputtering process, there is no restriction on the material to be deposited such as metal, oxide and the like.

도 1은 본 발명에 따른 나노포러스 구조 막 형성용 스퍼터링 장치의 개념을 설명하기 위한 모식도,
도 2는 본 발명에 따른 나노포러스 구조 막 형성용 스퍼터링 장치의 모식도,
도 3 내지 도 7은 도 2에 도시된 노즐의 구성의 일 예를 나타내는 도면.
도 8 및 도 9는 본 발명에 따른 나노포러스 구조 막 형성용 스퍼터링 장치에 의해 기판에 증착된 나노포러스 구조물의 SEM 사진. 1 is a schematic view for explaining the concept of a sputtering apparatus for forming a nanoporous structure film according to the present invention;
2 is a schematic view of a sputtering apparatus for forming a nanoporous structure film according to the present invention,
Figs. 3 to 7 are views showing an example of the configuration of the nozzle shown in Fig. 2; Fig.
8 and 9 are SEM photographs of a nanoporous structure deposited on a substrate by a sputtering apparatus for forming a nanoporous structure film according to the present invention.

본 발명의 상기 및 그 밖의 목적과 새로운 특징은 본 명세서의 기술 및 첨부 도면에 의해 더욱 명확하게 될 것이다.These and other objects and novel features of the present invention will become more apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.

먼저, 본 발명에 따른 스퍼터링 구조의 개요에 대해 도 1에 따라 설명한다.First, an outline of the sputtering structure according to the present invention will be described with reference to Fig.

도 1은 본 발명에 따른 나노포러스 구조 막 형성용 스퍼터링 장치의 개념을 설명하기 위한 모식도이다.1 is a schematic view for explaining the concept of a sputtering apparatus for forming a nanoporous structure film according to the present invention.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 나노포러스(nanoporous) 구조 막 형성용 스퍼터링 장치는 프로세스 챔버(100) 내에 클러스터 소스(200)가 마련된 구조를 적용한다.As shown in FIG. 1, a sputtering apparatus for forming a nanoporous structure film according to the present invention employs a structure in which a cluster source 200 is provided in a process chamber 100.

상기 클러스터 소스(200)의 상부에는 스퍼터링을 실행하기 위한 스퍼터 건(300)이 장착되고, 상기 클러스터 소스(200)와 프로세스 챔버(100) 사이에는 노즐(400)이 클러스터 소스(200)에 분리 가능하게 장착된다. 상기 노즐(400)은 적어도 하나의 개구(410)를 구비한다. 본 발명에 적용되는 노즐(400)은 클러스터 소스(200)에서 프로세스 챔버(100)로 공급되는 가스의 흐름을 제어하기 위해 마련된다. 또 상기 노즐(400)의 둘레 부분에는 상기 클러스터 소스(200)로부터 배출되는 가스 흐름을 방해하는 배플(baffle, 500)이 마련된다. 노즐(400)에 마련된 배플(500)은 대략 원형으로 노즐(400)의 전체 둘레에 마련된다.A sputter gun 300 for sputtering is mounted on the upper portion of the cluster source 200 and a nozzle 400 is detachably connected to the cluster source 200 between the cluster source 200 and the process chamber 100. Respectively. The nozzle 400 has at least one opening 410. The nozzle 400 applied to the present invention is provided for controlling the flow of gas supplied from the cluster source 200 to the process chamber 100. A baffle 500 is provided at the periphery of the nozzle 400 to block the flow of gas discharged from the cluster source 200. The baffle 500 provided in the nozzle 400 is provided around the entire circumference of the nozzle 400 in a substantially circular shape.

즉, 본 발명에 따른 나노포러스의 구조를 형성하기 위해서 프로세스 챔버(100) 내에 클러스터 소스(200) 및 노즐(400)을 마련하여 물질의 에너지(Kinetic energy) 제어를 실행한다.That is, in order to form the structure of the nanoporous material according to the present invention, the cluster source 200 and the nozzle 400 are provided in the process chamber 100 to perform kinetic energy control of the material.

도 1에서 클러스터 소스(200)의 압력 P1와 프로세스 챔버(100)의 압력 P2은 서로 상이하고, 이 P1, P2의 압력차에 의한 가스 흐름(gas flow)을 통하여 클러스터 소스(200)에서 생성되는 나노포러스의 증착 물질이 프로세스 챔버(100)로 빠르게 이송되어 증착 속도를 개선할 수 있다. 상기 프로세스 챔버(100)의 압력은 수백 mTorr 이하로 마련되며, 상기 클러스터 소스(200)의 압력은 50 mTorr 내지 수 Torr로 마련된다.1, the pressure P1 of the cluster source 200 and the pressure P2 of the process chamber 100 are different from each other and are generated in the cluster source 200 through the gas flow by the pressure difference of P1 and P2 The deposition material of the nanoporous can be rapidly transferred to the process chamber 100 to improve the deposition rate. The pressure of the process chamber 100 is set to several hundreds mTorr or less, and the pressure of the cluster source 200 is set to 50 mTorr to several Torr.

상기 스퍼터 건(300)은 예를 들어 자석과 Cu 플레이트로 이루어진 마그네트론 소스부(310), 실링용 링으로 이루어진 실드(shield)부(320), 대략 원형으로 이루어지고 상기 실드부(320)에 장착된 타깃(330), 상기 마그네트론 소스부(310)를 작동시키는 작동부(340)를 구비하고, 상기 작동부(340)에는 전원선(341), 냉각수 공급 라인(342) 및 냉각수 배출 라인(343)이 체결된다.The sputter gun 300 includes a magnetron source part 310 formed of a magnet and a Cu plate, a shield part 320 formed of a sealing ring, a substantially circular shape, and mounted on the shield part 320 A power supply line 341, a cooling water supply line 342, and a cooling water discharge line 343 (not shown) are connected to the operation unit 340. The power supply line 341, the cooling water supply line 342, ).

상기 스퍼터 건(300)은 통상의 스퍼터링 장치에 적용되는 스퍼터 건을 용이하게 적용할 수 있으므로 이에 대한 구체적인 설명은 생략한다.Since the sputter gun 300 can easily apply the sputter gun applied to a conventional sputtering apparatus, a detailed description thereof will be omitted.

또한, 상기 프로세스 챔버(100)에는 척(110)이 마련되고 이 척(110) 상에 기판(120)이 장착되고, 척의 둘레에도 가스 배기구(510)가 형성된 배플(500)이 장착된다. 상기 기판(120)에는 예를 들어, 도 1에 도시된 바와 같이, 클러스터 소스(200) 내부의 스퍼터링 공정 조건, 노즐(400)의 개구(410)의 크기 및 개수, 프로세스 챔버(100) 내부의 압력조건 및 척(110)의 위치에 따라 나노포러스의 형상 및 크기가 제어된 나노 입자가 증착된다.The process chamber 100 is provided with a chuck 110. The substrate 120 is mounted on the chuck 110 and the baffle 500 having a gas exhaust port 510 is also installed around the chuck. 1, the sputtering process conditions in the cluster source 200, the size and number of the openings 410 of the nozzles 400, and the number and size of openings of the openings 410 in the process chamber 100 are measured in the substrate 120. For example, Nanoparticles of controlled nanoporous shape and size are deposited according to the pressure conditions and the position of the chuck 110.

이하, 본 발명의 구체적인 구성에 대해 도 2에 따라 설명한다.Hereinafter, a specific configuration of the present invention will be described with reference to FIG.

도 2는 본 발명에 따른 나노포러스 구조 막 형성용 스퍼터링 장치의 모식도이다.2 is a schematic view of a sputtering apparatus for forming a nanoporous structure film according to the present invention.

도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 나노포러스 구조 막 형성용 스퍼터링 장치는 기판(120)에 증착되는 나노포러스 구조를 형성하기 위한 스퍼터링 장치로서, 기판(120)이 마련된 프로세스 챔버(100), 상기 프로세스 챔버(100)에 마련된 클러스터 소스(200) 및 상기 클러스터 소스(200)의 하부에 마련된 노즐(400), 상기 노즐(400)의 둘레에 마련된 배플(500)을 포함하고, 상기 프로세스 챔버(100)의 압력과 상기 클러스터 소스(200)의 압력은 상이하게 마련된다.2, the sputtering apparatus for forming a nanoporous structure film according to the present invention is a sputtering apparatus for forming a nanoporous structure to be deposited on a substrate 120. The sputtering apparatus includes a process chamber 100 having a substrate 120, A cluster source 200 provided in the process chamber 100 and a nozzle 400 disposed under the cluster source 200 and a baffle 500 provided around the nozzle 400. The process chamber 100 includes a process chamber 100, The pressure of the cluster source 200 and the pressure of the cluster source 200 are different from each other.

즉 본 발명에 따른 나노포러스 구조 막 형성용 스퍼터링 장치에서는 별도의 부수적인 기구 없이 상기 클러스터 소스(200)에 주입되는 가스량에 의해서 내부의 압력을 제어한다.That is, in the sputtering apparatus for forming a nanoporous structure film according to the present invention, the internal pressure is controlled by the amount of gas injected into the cluster source 200 without any additional mechanism.

상기 프로세스 챔버(100)는 통상의 스퍼터링 챔버와 같이 가열, 냉각, 상하 이동 및 회전 가능한 척(10), 척(110) 상에 장착되는 기판(120), 상기 챔버 내로 Ar, He, N2 등의 불활성 및 반응성 가스를 공급하는 가스 공급구 및 가스 배출구를 구비할 수 있다. 가스 배출구와 연결되어 프로세스 챔버(100)의 진공 형성 및 유지를 위한 진공 펌핑 장치 및 압력제어를 위한 밸브류와 같은 통상의 스퍼터링 장치에서 사용되는 세부구성은 생략하였다.The process chamber 100 is heated, such as a conventional sputtering chamber, cooling, tilt, and a rotatable chuck (10), Ar into the chamber substrate 120, mounted on the chuck (110), He, N 2, etc. And a gas outlet and a gas outlet for supplying reactive and reactive gases. A detailed configuration used in a conventional sputtering apparatus such as a vacuum pumping apparatus for vacuum formation and maintenance of the process chamber 100 and valves for pressure control, which are connected to the gas discharge port, are omitted.

이와 같은 프로세스 챔버(100)는 상기 클러스터 소스(200)에 연속하여 마련되고, 상기 클러스터 소스(200) 내에는 타깃(330)이 마련된다. 상기 타깃(330)은 기판(120)상에 증착될 나노 입자에 대응하는 금속재, 부도체 등을 사용할 수 있으며, 특별히 어느 하나의 금속에 한정되는 것은 아니다. The process chamber 100 is provided continuously with the cluster source 200 and the target 330 is provided in the cluster source 200. The target 330 may be formed of a metal material, a non-conductor, or the like corresponding to the nanoparticles to be deposited on the substrate 120, and is not particularly limited to any one metal.

상기 클러스터 소스(200)는 프로세스 챔버(100)를 향해 경사진 호퍼 형상으로 이루어질 수 있고, 이 클러스터 소스(200)에 분리 가능하게 장착된 노즐(400)은 원형으로 이루어지지만, 이에 한정되는 것은 아니고 용도에 따라 사각 형상으로 적용할 수도 있다.The cluster source 200 may be in the form of a hopper that is inclined toward the process chamber 100 and the nozzle 400 detachably mounted to the cluster source 200 is circular, It may be applied in a rectangular shape depending on the application.

또, 상기 클러스터 소스(200)에는 소스 내의 압력을 제어하기 위해 소스용 불활성 및 반응성 가스 공급부와 소스용 냉각수 공급 및 배출부를 마련할 수 있다. The cluster source 200 may be provided with a source inert gas, a reactive gas supply source, and a source cooling water supply and discharge unit for controlling the pressure in the source.

즉, 본 발명에서는 프로세스 챔버(100)에 마련된 가스 공급구 및 가스 배출구와 별도로 소스용 불활성 및 반응성 가스 공급부를 마련하고, 스퍼터 건(300)에 마련된 냉각수 공급 라인(342) 및 냉각수 배출 라인(343)과 별도로 소스용 냉각수 공급 및 배출부를 마련하여 클러스터 소스(200) 내의 압력을 제어하는 것에 의해 프로세스 챔버(100)의 압력 P2와 클러스터 소스(200)의 압력 P1을 서로 상이하게 제어할 수 있다.That is, in the present invention, the inert gas and the reactive gas for the source are provided separately from the gas supply port and the gas discharge port provided in the process chamber 100, and the cooling water supply line 342 and the cooling water discharge line 343 The pressure P2 of the process chamber 100 and the pressure P1 of the cluster source 200 can be controlled to be different from each other by controlling the pressure in the cluster source 200. [

상기 설명에서는 클러스터 소스(200)의 압력 제어를 소스 내에 공급되는 가스량에 의해 실행하는 것으로 설명하였지만, 이에 한정되는 것은 아니고, 기판(120)에 증착될 나노포러스 입자의 크기, 타깃(330)의 종류 등에 따라 미리 설정된 조건으로 질량유량계(MFC : Mass Flow Controller) 등을 구비한 제어부에 의해 실행될 수 있다.The size of the nanoporous particles to be deposited on the substrate 120, the type of the target 330 (the type of the target 330) And may be executed by a control unit including a mass flow controller (MFC) or the like under preset conditions.

스퍼터 건(300)은 도 2에 도시된 바와 같이 클러스터 소스(200)의 상부에 장착되며, 상기 스퍼터 건(300)에는 캐소드로서 마그네트론 소스(310)에 DC, RF, 펄스 DC, MF 전원을 인가하는 전원 공급부, 냉각수 공급부, 타깃(330)을 상하로 이동 가능한 모터를 구비한 작동부(340)가 마련된다.The sputter gun 300 is mounted on top of the cluster source 200 as shown in FIG. 2 and the DC, RF, pulsed DC, and MF power sources are applied to the magnetron source 310 as a cathode to the sputter gun 300 An operating portion 340 having a motor capable of moving the target 330 up and down is provided.

노즐(400)은 도 2에 도시된 바와 같이 클러스터 소스(200) 내부와 외부(프로세스 챔버)와의 차압을 유지하기 위하여 분리 가능하게 장착되며, 기판(120)에서의 증착 면적 개선을 위해 다수의 개구(도 2에서는 5개의 개구를 나타냄)가 마련된다.The nozzle 400 is removably mounted to maintain a pressure differential between the interior and exterior of the cluster source 200 as shown in Figure 2 and includes a plurality of openings < RTI ID = 0.0 > (Five openings are shown in Fig. 2).

또 캐소드로 마련된 타깃(330)과 노즐(400) 사이의 간격은 30~100㎜, 바람직하게는 50㎜로 유지하는 것에 의해 클러스터 소스(200)에서 응결(condensation)에 의한 클러스터 화를 최소화하여 나노 입자를 노즐(400) 밖으로 분사하여 기판(120)상에 나노포러스 구조의 막을 형성하게 한다.In addition, by keeping the interval between the target 330 and the nozzle 400 at 30 to 100 mm, preferably 50 mm, provided at the cathode, clustering due to condensation is minimized in the cluster source 200, The particles are jetted out of the nozzle 400 to form a film having a nanoporous structure on the substrate 120.

따라서, 본 발명에 따른 스퍼터링 장치에서는 주입되는 가스의 종류 및 비율, 소스 내부의 압력, 프로세스 챔버(100) 내부의 압력 등 공정변수에 의해 나노입자의 크기 및 기공률(porosity)이 제어 가능하게 된다.Therefore, in the sputtering apparatus according to the present invention, the size and porosity of nanoparticles can be controlled by process parameters such as the type and ratio of the gas to be injected, the pressure inside the source, and the pressure inside the process chamber 100.

또 이를 위해 노즐(400)에 마련된 개구(410)가 클러스터 소스(200) 내부와 외부(프로세스 챔버)의 압력차가 유지될 수 있도록 개구 면적이 조절되며, 노즐(400)의 위치 및 형상은 기판(120)의 크기, 수량, 형상 및 공전/자전을 고려하여 다양하게 구성될 수 있다.To this end, the opening area is adjusted so that the opening 410 provided in the nozzle 400 maintains a pressure difference between the inside and the outside of the cluster source 200 (process chamber), and the position and shape of the nozzle 400 120, size, quantity, shape, and revolution / rotation.

상기 노즐(400)의 다양한 구성에 대해서는 도 3 내지 도 7에 따라 설명한다.Various configurations of the nozzle 400 will be described with reference to Figs. 3 to 7. Fig.

도 3은 내지 도 7은 노즐의 다양한 구성 예를 나타내는 도면이다.Fig. 3 through Fig. 7 are views showing various configurations of the nozzles. Fig.

도 3에 도시된 노즐(400)에서는 프로세스 챔버(100) 내에 기판(120)이 4개 마련되고 자전과 공전을 실행되는 구조에서 각각의 기판(120)을 공용으로 나노포러스 구조의 막을 형성하도록 하나의 개구(410)가 마련된 구조를 나타낸다.In the nozzle 400 shown in FIG. 3, four substrates 120 are provided in the process chamber 100, and the substrate 120 is commonly used to form a film having a nanoporous structure in a structure in which the substrate 120 is rotated and revolved The opening 410 is provided.

도 4에 도시된 노즐(400)에서는 프로세스 챔버(100) 내에 기판(120)이 한 개 마련되고 자전을 실행하는 구조에서 동일 크기의 다수의 개구(410)가 마련된 구조를 나타낸다.4 shows a structure in which a plurality of openings 410 of the same size are provided in a structure in which a substrate 120 is provided in the process chamber 100 and rotation is performed.

도 5에 도시된 노즐(400)에서는 프로세스 챔버(100) 내에 기판(120)이 2개 마련되고 공전을 실행하는 구조에서 동일 크기의 다수의 개구(410)가 노즐의 중심 부분의 일 측에 일렬로 마련된 구조를 나타낸다.In the nozzle 400 shown in Fig. 5, a plurality of openings 410 of the same size are arranged in one row on one side of the center portion of the nozzle in the structure in which two substrates 120 are provided in the process chamber 100 and performing revolution. Respectively.

도 6에 도시된 노즐(400)에서는 프로세스 챔버(100) 내에 기판(120)이 2개 마련되고 공전을 실행하는 구조에서 각각의 내경이 서로 상이한 다수의 개구(410)가 노즐의 중심 부분의 일 측에 일렬로 마련된 구조를 나타낸다. 이는 기판(120)이 공전하게 되면 가장자리는 증착률이 중심부보다 감소하게 되므로 노즐의 개구(410)의 크기 및 수량을 조절하여 균일도를 개선하기 위함이다.In the nozzle 400 shown in FIG. 6, a plurality of openings 410 having different inner diameters from each other in the structure in which two substrates 120 are provided in the process chamber 100 and performing the orbital motion are disposed at the center of the nozzle In a row. This is because, when the substrate 120 is revolved, the deposition rate of the edges is reduced compared to the central portion, so that the size and quantity of the openings 410 of the nozzles are adjusted to improve the uniformity.

도 7에 도시된 노즐(400)에서는 프로세스 챔버(100) 내에 기판(120)이 사각형상으로 한 개 마련되고 이송되는 구조에서 동일 크기의 다수의 개구(410)가 노즐의 중심 부분을 따라 일렬로 마련된 구조를 나타낸다. In the nozzle 400 shown in FIG. 7, a plurality of openings 410 of the same size are arranged in a line along the center portion of the nozzle in the structure in which the substrate 120 is provided in a rectangular shape in the process chamber 100 Lt; / RTI >

상술한 바와 같이 노즐(400)의 구성을 다양화하는 것에 의해, 가스량의 흐름을 제어하여 증착 속도를 제어하고, 기판(120)상에 원하는 크기의 나노포러스 입자를 증착할 수 있다.As described above, by varying the configuration of the nozzle 400, it is possible to control the deposition rate by controlling the flow of gas, and to deposit nanoporous particles of a desired size on the substrate 120.

도 8 및 도 9는 본 발명에 따른 나노포러스 구조 막 형성용 스퍼터링 장치에 의해 기판(120)에 증착된 나노포러스 구조물의 SEM 사진이다.8 and 9 are SEM photographs of nanoporous structures deposited on a substrate 120 by a sputtering apparatus for forming a nanoporous structure film according to the present invention.

도 8은 프로세스 챔버(100)의 압력을 10 mTorr로 설정한 상태에서 기판(120)에 증착된 나노포러스 입자들의 단면도(a) 및 평면도(b)이고, 도 9는 프로세스 챔버(100)의 압력을 50 mTorr로 설정한 상태에서 기판(120)에 증착된 나노포러스 입자들의 단면도(a) 및 평면도(b)이다.8 is a cross-sectional view (a) and a plan view (b) of the nanoporous particles deposited on the substrate 120 with the pressure of the process chamber 100 set at 10 mTorr, Sectional view (a) and a plan view (b) of the nanoporous particles deposited on the substrate 120 in a state where the temperature is set to 50 mTorr.

도 8 및 도 9에서 알 수 있는 바와 같이, 본 발명에 따른 나노포러스 구조 막 형성용 스퍼터링 장치에서는 스퍼터링 공정 시 압력을 조절하는 것에 의해 나노포러스 입자의 크기 및 밀도를 용이하게 제어할 수 있다.As can be seen from FIGS. 8 and 9, in the sputtering apparatus for forming a nanoporous structure film according to the present invention, the size and density of nanoporous particles can be easily controlled by controlling the pressure during the sputtering process.

이상 본 발명자에 의해서 이루어진 발명을 상기 실시 예에 따라 구체적으로 설명하였지만, 본 발명은 상기 실시 예에 한정되는 것은 아니고 그 요지를 이탈하지 않는 범위에서 여러 가지로 변경 가능한 것은 물론이다.Although the present invention has been described in detail with reference to the above embodiments, it is needless to say that the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications may be made without departing from the spirit of the present invention.

본 발명에 따른 나노포러스 구조 막 형성용 스퍼터링 장치를 사용하는 것에 의해 나노포러스 입자의 크기 및 밀도를 용이하게 제어할 수 있고, 시스템 구성시 비용을 절감할 수 있다.By using the sputtering apparatus for forming a nanoporous structure film according to the present invention, it is possible to easily control the size and density of the nanoporous particles and to reduce the cost in system construction.

100 : 프로세스 챔버
200 : 클러스터 소스
300 : 스퍼터건
400 : 노즐
500 : 배플 100: Process chamber
200: Cluster source
300: Sputter gun
400: nozzle
500: Baffle

Claims (9)

기판에 증착되는 나노포러스(nanoporous)의 구조를 형성하기 위한 스퍼터링 장치로서,
상기 기판이 마련된 프로세스 챔버,
상기 프로세스 챔버에 마련된 클러스터 소스 및
상기 클러스터 소스와 프로세스 챔버 사이에 마련되고 적어도 하나의 개구를 구비한 노즐을 포함하고,
상기 프로세스 챔버의 내의 압력과 상기 클러스터 소스의 내의 압력은 상이한 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.1. A sputtering apparatus for forming a nanoporous structure deposited on a substrate,
A process chamber in which the substrate is provided,
A cluster source provided in the process chamber and
And a nozzle provided between the cluster source and the process chamber and having at least one opening,
Wherein the pressure within the process chamber and the pressure within the cluster source are different. 제1항에서,
상기 프로세스 챔버는 상기 클러스터 소스에 연속하여 마련되고,
상기 클러스터 소스 내에 타깃이 마련되고, 프로세스 챔버에 기판이 마련되며,
상기 노즐은 상기 클러스터 소스에 분리 가능하게 장착된 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.The method of claim 1,
Wherein the process chamber is provided continuously with the cluster source,
A target is provided in the cluster source, a substrate is provided in the process chamber,
Wherein the nozzle is detachably mounted to the cluster source. 제2항에서,
상기 노즐의 둘레 부분에는 상기 클러스터 소스로부터 배출되는 가스 흐름을 방해하는 배플(baffle)이 마련되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.3. The method of claim 2,
Wherein a circumferential portion of the nozzle is provided with a baffle that interferes with the flow of gas exiting the cluster source. 제3항에서,
상기 클러스터 소스에 마련된 타깃과 상기 노즐 사이의 간격은 30~100㎜로 유지되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.4. The method of claim 3,
Wherein the gap between the target and the nozzle provided in the cluster source is maintained at 30 to 100 mm. 제4항에서,
상기 노즐의 개구의 위치 및 형상은 기판의 크기, 수량, 형상 및 자전과 공전에 대응하여 마련되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.5. The method of claim 4,
Wherein a position and a shape of an opening of the nozzle are provided corresponding to size, quantity, shape, and rotation and revolution of the substrate. 제5항에서,
상기 노즐에는 다수의 개구가 마련되고, 상기 다수의 개구는 노즐의 중심 부분을 따라 일렬로 마련된 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.The method of claim 5,
Wherein the nozzle is provided with a plurality of openings and the plurality of openings are arranged in a line along a central portion of the nozzle. 제5항에서,
상기 노즐에는 다수의 개구가 마련되고, 상기 다수의 개구의 각각의 내경은 서로 상이한 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.The method of claim 5,
Wherein the nozzle is provided with a plurality of openings, wherein the inner diameters of the plurality of openings are different from each other. 제5항에서,
상기 클러스터 소스의 내부 압력은 주입되는 가스량에 의해 제어되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.The method of claim 5,
Wherein the inner pressure of the cluster source is controlled by the amount of gas being injected. 제1항에서,
상기 클러스터 소스에는 상기 클러스터 소스 내의 압력을 제어하기 위해 소스용 불활성 및 반응성 가스 공급부와 소스용 냉각수 공급 및 배출부가 마련된 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
The method of claim 1,
Wherein the cluster source is provided with a source inert and reactive gas supply and a source cooling water supply and discharge for controlling the pressure in the cluster source.
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