KR20170124800A - Solar cell module - Google Patents

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KR20170124800A KR1020160054659A KR20160054659A KR20170124800A KR 20170124800 A KR20170124800 A KR 20170124800A KR 1020160054659 A KR1020160054659 A KR 1020160054659A KR 20160054659 A KR20160054659 A KR 20160054659A KR 20170124800 A KR20170124800 A KR 20170124800A
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Abstract

The present invention relates to a solar cell module. According to an embodiment of the present invention, the solar cell module comprises: a plurality of solar cells including a semiconductor substrate and first and second electrodes on the surface of the semiconductor substrate, and positioned to be adjacent to each other in a first direction; a plurality of first conductive wires and a plurality of second conductive wires formed along the first direction on each of the plurality of solar cells, wherein the plurality of first conductive wires are connected to the first electrode and the plurality of second conductive wires are connected to the second electrode. Both sides of each of the first and second conductive wires have different asymmetric shapes based on a first direction central axis of the first and second conductive wires.

Description

태양 전지 모듈{SOLAR CELL MODULE}Solar cell module {SOLAR CELL MODULE}

본 발명은 태양 전지 모듈에 관한 것이다. The present invention relates to a solar cell module.

최근 석유나 석탄과 같은 기존 에너지 자원의 고갈이 예측되면서 이들을 대체할 대체 에너지에 대한 관심이 높아지고, 이에 따라 태양 에너지로부터 전기 에너지를 생산하는 태양 전지가 주목 받고 있다.Recently, as energy resources such as oil and coal are expected to be depleted, interest in alternative energy to replace them is increasing, and solar cells that produce electric energy from solar energy are attracting attention.

일반적인 태양 전지는 p형과 n형처럼 서로 다른 도전성 타입(conductive type)에 의해 p-n 접합을 형성하는 반도체부, 그리고 서로 다른 도전성 타입의 반도체부에 각각 연결된 전극을 구비한다. Typical solar cells have a semiconductor portion that forms a p-n junction by different conductive types, such as p-type and n-type, and electrodes connected to semiconductor portions of different conductivity types, respectively.

이러한 태양 전지에 빛이 입사되면 반도체부에서 복수의 전자-정공 쌍이 생성되고, 생성된 전자-정공 쌍은 전하인 전자와 정공으로 각각 분리되어, 전자는 n형의 반도체부 쪽으로 이동하고 정공은 p형의 반도체부 쪽으로 이동한다. 이동한 전자와 정공은 각각 n형의 반도체부와 p형의 반도체부에 연결된 서로 다른 전극에 의해 수집되고 이 전극들을 전선으로 연결함으로써 전력을 얻는다.When light is incident on such a solar cell, a plurality of electron-hole pairs are generated in the semiconductor portion, and the generated electron-hole pairs are separated into electrons and holes, respectively, so that the electrons move toward the n- Type semiconductor portion. The transferred electrons and holes are collected by different electrodes connected to the n-type semiconductor portion and the p-type semiconductor portion, respectively, and electric power is obtained by connecting these electrodes with electric wires.

이와 같은 태양 전지는 복수 개가 인터커넥터에 의해 서로 연결되어 모듈로 형성될 수 있다.A plurality of such solar cells may be formed as modules by being connected to each other by inter connecters.

본 발명은 태양 전지 모듈을 제공하는데 그 목적이 있다.An object of the present invention is to provide a solar cell module.

본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈은 반도체 기판, 반도체 기판의 표면에 제1 전극과 제2 전극을 각각 구비하고, 제1 방향으로 서로 인접하여 위치하는 복수의 태양 전지; 복수의 태양 전지 각각에 제1 방향을 따라 형성되며, 제1 전극에 접속되는 복수의 제1 도전성 배선과 제2 전극에 접속되는 복수의 제2 도전성 배선;을 포함하고, 제1, 2 도전성 배선 각각은 제1, 2 도전성 배선 각각의 제1 방향 중심축을 기준으로 양측이 서로 비대칭 형상을 갖는다.A solar cell module according to an example of the present invention includes: a semiconductor substrate; a plurality of solar cells each having a first electrode and a second electrode on a surface of the semiconductor substrate, the solar cells being disposed adjacent to each other in the first direction; And a plurality of second conductive wirings formed along the first direction in each of the plurality of solar cells, the plurality of first conductive wirings connected to the first electrode and the plurality of second conductive wirings connected to the second electrode, Each of the first and second conductive wirings has an asymmetrical shape on the both sides with respect to the central axis in the first direction of the first and second conductive wirings.

여기서, 제1 도전성 배선은 균일한 선폭을 가지면서, 제1 도전성 배선의 제1 방향 중심축을 기준으로 양측이 서로 비대칭 형상을 가지고, 제2 도전성 배선은 균일한 선폭을 가지면서, 제2 도전성 배선의 제1 방향 중심축을 기준으로 양측이 서로 비대칭 형상을 가질 수 있다.Here, the first conductive wirings have a uniform line width, and both sides of the first conductive wirings have an asymmetrical shape with respect to the first direction central axis, and the second conductive wirings have a uniform line width, Both sides may have an asymmetric shape with respect to the center axis of the first direction.

일례로, 제1, 2 도전성 배선 각각은 각각의 제1 방향 중심축을 기준으로 양측으로 지그재그 형상을 가질 수 있다.For example, each of the first and second conductive wirings may have a zigzag shape on both sides with respect to the respective first central axes.

아울러, 지그 재그 형상을 가지는 제1, 2 도전성 배선 각각이 홀을 구비할 수 있다.In addition, each of the first and second conductive wirings having a jig jig shape may have a hole.

이때, 제1, 2 도전성 배선 각각의 선폭은 1mm ~ 3mm 사이이고, 제1, 2 도전성 배선 각각이 지그재그되는 폭은 2mm ~ 4mm 사이일 수 있다.In this case, the line width of each of the first and second conductive wirings may be between 1 mm and 3 mm, and the width of each of the first and second conductive wirings may be between 2 mm and 4 mm.

또한, 다른 일례로 제1, 2 도전성 배선 각각은 홀을 구비하고, 홀의 위치나 형상은 제1 방향 중심축을 기준으로 비대칭일 수 있다.In another example, each of the first and second conductive wirings has a hole, and the position and shape of the hole may be asymmetric with respect to the first direction central axis.

여기서, 제1, 2 도전성 배선 각각의 폭은 제1 방향을 따라 주기적으로 증가되거나 감소할 수 있다.Here, the width of each of the first and second conductive wirings may be periodically increased or decreased along the first direction.

또한, 제1, 2 전극 각각은 반도체 기판의 후면에 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 길게 배치되고, 제1, 2 도전성 배선 각각은 반도체 기판의 후면에 제1, 2 전극에 교차하는 제1 방향을 따라 배치될 수 있다.Each of the first and second electrodes is disposed on the rear surface of the semiconductor substrate in a second direction crossing the first direction. Each of the first and second conductive wirings includes a first electrode and a second electrode crossing the first and second electrodes, 1 direction.

또한, 제1 도전성 배선은 제1 전극과 교차되는 부분에서 도전성 접착제에 의해 제1 전극에 접속되고, 제2 전극과 교차되는 부분에서 절연층에 의해 제2 전극과 절연되고, 제2 도전성 배선은 제2 전극과 교차되는 부분에서 도전성 접착제에 의해 제2 전극에 접속되고, 제1 전극과 교차되는 절연층에 의해 제1 전극과 절연될 수 있다.The first conductive wiring is connected to the first electrode by a conductive adhesive at a portion intersecting the first electrode and is insulated from the second electrode by an insulating layer at a portion intersecting the second electrode, The first electrode may be insulated from the first electrode by an insulating layer which is connected to the second electrode by a conductive adhesive at a portion intersecting the second electrode and crosses the first electrode.

아울러, 복수의 태양 전지 중 서로 인접한 제1, 2 태양 전지 사이에 배치되며, 제1 태양 전지에 접속된 복수의 제1 도전성 배선과 제2 태양 전지에 접속된 복수의 제2 도전성 배선이 공통으로 접속되는 인터커넥터;를 더 포함할 수 있다.A plurality of first conductive wirings connected to the first solar cell and a plurality of second conductive wirings connected to the second solar cell are disposed in common between the first and second solar cells adjacent to each other among the plurality of solar cells. And an interconnecting connector connected to the connector.

여기서, 제1 태양 전지에 접속된 복수의 제1 도전성 배선의 끝부분과 제2 태양 전지에 접속된 복수의 제2 도전성 배선의 끝부분 각각은 반도체 기판의 투영 영역 밖으로 돌출되어, 인터커넥터에 공통으로 접속될 수 있다.Here, the end portions of the plurality of first conductive wirings connected to the first solar cell and the end portions of the plurality of second conductive wirings connected to the second solar cell each project out of the projection region of the semiconductor substrate, As shown in FIG.

이때, 인터커넥터는 제1, 2 태양 전지의 각 반도체 기판과 이격될 수 있다.At this time, the interconnector may be spaced apart from the respective semiconductor substrates of the first and second solar cells.

여기의 제1, 2 도전성 배선 각각에서 반도체 기판의 투영 영역 밖으로 돌출된 끝부분은 제1, 2 방향과 교차하는 제3 방향으로 굴곡진 부분을 포함할 수 있다.The end portions protruding out of the projection region of the semiconductor substrate in each of the first and second conductive wirings may include a bent portion in the third direction intersecting the first and second directions.

여기서, 제1, 2 도전성 배선의 끝부분에 형성된 굴곡진 부분은 제1, 2 태양 전지 각각의 반도체 기판과 인터커넥터 사이에 위치할 수 있다.Here, the bent portions formed at the ends of the first and second conductive wirings may be located between the semiconductor substrate of each of the first and second solar cells and the interconnector.

이때, 제1, 2 도전성 배선의 끝부분에 형성된 굴곡진 부분은 태양 전지 모듈의 후면 방향으로 돌출될 수 있다.At this time, the bent portions formed at the end portions of the first and second conductive wirings may protrude toward the back surface of the solar cell module.

본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈은 제1, 2 도전성 배선 각각은 상기 제1, 2 도전성 배선 각각의 제1 방향 중심축을 기준으로 양측이 서로 비대칭 형상을 갖도록 함으로써, 제1, 2 도전성 배선의 열팽창 스트레스를 완화시킬 수 있다.In the solar cell module according to an example of the present invention, each of the first and second conductive wirings has an asymmetrical shape with respect to each other with respect to the first direction central axis of each of the first and second conductive wirings, The thermal expansion stress can be alleviated.

도 1 내지 도 4 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈을 설명하기 위한 도이다.
도 5는 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈에서, 도전성 배선(200)의 비대칭 형상에 대한 제1 실시예를 설명하기 위한 도이다.
도 6은 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈에서, 도전성 배선(200)의 비대칭 형상에 대한 제2 실시예를 설명하기 위한 도이다.
도 7은 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈에서, 도전성 배선(200)의 비대칭 형상에 대한 제3 실시예를 설명하기 위한 도이다.
도 8은 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈에서, 도전성 배선(200)의 비대칭 형상에 대한 제4 실시예를 설명하기 위한 도이다.
도 9는 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈에서, 도전성 배선(200)의 비대칭 형상에 대한 제5 실시예를 설명하기 위한 도이다.
도 10은 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈에서, 도전성 배선(200)의 비대칭 형상에 대한 제6 실시예를 설명하기 위한 도이다.
도 11은 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈의 전면 전체 모습을 설명하기 위한 도이다.1 to 4 are views for explaining a solar cell module according to an example of the present invention.
5 is a view for explaining a first embodiment of an asymmetrical shape of the conductive wiring 200 in a solar cell module according to an example of the present invention.
6 is a view for explaining a second embodiment of the asymmetrical shape of the conductive wiring 200 in the solar cell module according to an example of the present invention.
7 is a view for explaining a third embodiment of the asymmetrical shape of the conductive wiring 200 in the solar cell module according to an example of the present invention.
8 is a view for explaining a fourth embodiment of the asymmetrical shape of the conductive wiring 200 in the solar cell module according to an example of the present invention.
9 is a view for explaining a fifth embodiment of the asymmetrical shape of the conductive wiring 200 in the solar cell module according to an example of the present invention.
10 is a view for explaining a sixth embodiment of the asymmetrical shape of the conductive wiring 200 in the solar cell module according to an example of the present invention.
11 is a view for explaining a whole front view of a solar cell module according to an example of the present invention.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. In order to clearly illustrate the present invention, parts not related to the description are omitted, and similar parts are denoted by like reference characters throughout the specification.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한 어떤 부분이 다른 부분 위에 “전체적”으로 형성되어 있다고 할 때에는 다른 부분의 전체 면에 형성되어 있는 것뿐만 아니라 가장 자리 일부에는 형성되지 않은 것을 뜻한다.In the drawings, the thickness is enlarged to clearly represent the layers and regions. When a layer, film, region, plate, or the like is referred to as being "on" another portion, it includes not only the case directly above another portion but also the case where there is another portion in between. Conversely, when a part is "directly over" another part, it means that there is no other part in the middle. Further, when a certain portion is formed as "whole" on another portion, it means not only that it is formed on the entire surface of the other portion but also that it is not formed on the edge portion.

이하에서, 전면이라 함은 직사광이 입사되는 반도체 기판의 일면일 수 있으며, 후면이라 함은 직사광이 입사되지 않거나, 직사광이 아닌 반사광이 입사될 수 있는 반도체 기판의 반대면일 수 있다.Hereinafter, the front surface may be one surface of the semiconductor substrate to which the direct light is incident, and the rear surface may be the opposite surface of the semiconductor substrate in which direct light is not incident, or reflected light other than direct light may be incident.

아울러, 이하에서 셀 스트링이라 함은 복수의 태양 전지가 서로 직렬 연결된 구조나 형태를 의미한다.Hereinafter, the cell string refers to a structure or a form in which a plurality of solar cells are connected in series to each other.

도 1 내지 도 4 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈을 설명하기 위한 도이다. 여기서, 도 1은 태양 전지 모듈의 후면을 도시한 일례이다.1 to 4 are views for explaining a solar cell module according to an example of the present invention. Here, FIG. 1 is an example showing a rear surface of the solar cell module.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 복수의 태양 전지(C1, C2), 복수의 제1, 2 도전성 배선(200) 및 인터커넥터(300)를 포함할 수 있다.1, the solar cell module according to the present invention may include a plurality of solar cells C1 and C2, a plurality of first and second conductive wirings 200 and an interconnector 300. [

여기서, 복수의 태양 전지(C1, C2)는 도 1에 도시된 바와 같이, 제1 방향(x)으로 서로 이격되어 배열될 수 있으며, 복수의 태양 전지(C1, C2) 각각은 적어도 반도체 기판(110) 및 반도체 기판(110)의 후면에 서로 이격되어 제1 방향(x)과 교차하는 제2 방향(y)으로 길게 뻗어 형성되는 복수의 제1 전극(141)과 복수의 제2 전극(142)을 구비할 수 있다.1, the plurality of solar cells C1 and C2 may be arranged to be spaced apart from each other in the first direction x, and each of the plurality of solar cells C1 and C2 may include at least a semiconductor substrate A plurality of first electrodes 141 and a plurality of second electrodes 142 formed to be elongated in a second direction y which are spaced apart from each other on the rear surface of the semiconductor substrate 110 and intersecting the first direction x, ).

아울러, 복수의 제1, 2 도전성 배선(200)은 제1, 2 태양 전지(C1, C2)를 포함한 복수의 태양 전지(C1, C2) 각각의 반도체 기판(110)의 후면에 제1 방향(x)을 따라 배치되어 접속될 수 있다.The plurality of first and second conductive wirings 200 are formed on the back surface of the semiconductor substrate 110 of each of the plurality of solar cells C1 and C2 including the first and second solar cells C1 and C2 in the first direction x. < / RTI >

이와 같은, 복수의 제1, 2 도전성 배선(200)은 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 각각에 구비된 복수의 제1 전극(141)에 교차 및 중첩되어 접속되는 복수의 제1 도전성 배선(210)과 복수의 제2 전극(142)에 교차 및 중첩되어 접속되는 복수의 제2 도전성 배선(220)을 포함할 수 있다.The plurality of first and second conductive wirings 200 as described above are formed by stacking a plurality of first conductive wires 140 which are crossed and overlapped with the plurality of first electrodes 141 provided in the first and second solar cells C1 and C2, And a plurality of second conductive wirings 220 connected to the wirings 210 and the plurality of second electrodes 142 in a crossing manner.

보다 구체적으로, 도 1의 확대된 부분에 도시된 바와 같이, 제1 도전성 배선(210)은 복수의 태양 전지(C1, C2) 각각에 구비된 제1 전극(141)에 도전성 재질의 제1 도전성 접착제(251)를 통하여 접속되고, 절연성 재질의 절연층(252)에 의해 제2 전극(142)과 절연될 수 있다. More specifically, as shown in the enlarged part of FIG. 1, the first conductive wiring 210 is electrically connected to the first electrode 141 provided in each of the plurality of solar cells C1 and C2, And may be connected to the second electrode 142 by an insulating layer 252 made of an insulating material.

아울러, 도 1의 확대된 부분에 도시된 바와 같이, 제2 도전성 배선(220)은 복수의 태양 전지(C1, C2) 각각에 구비된 제2 전극(142)에 제1 도전성 접착제(251)를 통하여 접속되고, 절연층(252)에 의해 제1 전극(141)과 절연될 수 있다.1, the second conductive wiring 220 includes a first conductive adhesive 251 on the second electrode 142 provided in each of the plurality of solar cells C1 and C2, And may be insulated from the first electrode 141 by the insulating layer 252. [

이와 같은 제1, 2 도전성 배선(200)은 도전성 금속 재질로 형성되되, 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu) 또는 알루미늄(Al) 중 어느 하나를 포함하는 도전성 코어와, 코어(CR)의 표면을 코팅하고, 주석(Sn) 또는 주석(Sn)을 포함하는 합금을 포함하는 도전성 코팅층을 포함할 수 있다.The first and second conductive wirings 200 are formed of a conductive metal and include a conductive core containing any one of gold (Au), silver (Ag), copper (Cu), and aluminum (Al) CR), and an alloy including tin (Sn) or tin (Sn).

여기서, 제1 도전성 접착제(251)는 주석(Sn) 또는 주석(Sn)을 포함하는 합금을 포함하는 금속 재질로 형성될 수 있다. 아울러, 이와 같은 제1 도전성 접착제(251)는 (1) 주석(Sn) 또는 주석(Sn)을 포함하는 합금을 포함하는 솔더 패이스트(solder paste) 형태로 형성되거나, (2) 에폭시에 주석(Sn) 또는 주석(Sn)을 포함하는 합금이 포함된 에폭시 솔더 패이스트(epoxy solder paste) 또는 도전성 패이스트(Conductive paste) 형태로 형성될 수 있다.Here, the first conductive adhesive 251 may be formed of a metal material including an alloy containing tin (Sn) or tin (Sn). The first conductive adhesive 251 may be formed in the form of solder paste containing (1) an alloy containing tin (Sn) or tin (Sn), or (2) Sn or tin (Sn) may be formed in the form of an epoxy solder paste or a conductive paste including an alloy containing tin (Sn) or tin (Sn).

여기서, 절연층(252)은 절연성 재질이면 어떠한 것이든 상관 없으며, 일례로, 에폭시 계열, 폴리이미드, 폴리에틸렌, 아크릴 계열 또는 실리콘 계열 중 어느 하나의 절연성 재질이 사용될 수 있다.The insulating layer 252 may be any insulating material. For example, an insulating material such as epoxy, polyimide, polyethylene, acrylic, or silicone may be used.

여기서, 도 1에 도시된 바와 같이, 제1 도전성 배선(210)과 제2 전극(142) 사이의 교차점 또는 제2 도전성 배선(220)과 제1 전극(141) 사이의 교차점에서, 절연층(252)이 제1, 2 전극(141, 142) 각각의 위에 도포되는 제2 방향(y)으로의 폭은 제1 도전성 배선(210)과 제1 전극(141) 사이의 교차점 또는 제2 도전성 배선(220)과 제2 전극(142) 사이의 교차점에서, 제1 도전성 접착제(251)가 제1, 2 전극(141, 142) 각각의 위에 도포되는 제2 방향(y)으로의 폭보다 크게 형성될 수 있다.1, at an intersection between the first conductive wiring 210 and the second electrode 142 or at an intersection between the second conductive wiring 220 and the first electrode 141, The width in the second direction y applied to each of the first and second electrodes 141 and 142 is the intersection point between the first conductive wiring 210 and the first electrode 141, The first conductive adhesive 251 is formed to be larger than the width in the second direction y to be coated on each of the first and second electrodes 141 and 142 at the intersection between the first electrode 220 and the second electrode 142 .

아울러, 절연층(252)의 제1 방향(x)으로의 최대폭은 제1 도전성 접착제(251)의 제1 방향(x)으로의 최대폭 보다 크게 형성될 수 있다. 일례로, 절연층(252)의 제1 방향(x)으로의 최대폭은 제1, 2 전극(141, 142)의 선폭보다 크고 제1, 2 전극(141, 142) 사이의 간격보다 작을 수 있으며, 제1 도전성 접착제(251)의 제1 방향(x)으로의 최대폭은 제1, 2 전극(141, 142)의 선폭과 동일하거나 작게 형성될 수 있다.In addition, the maximum width of the insulating layer 252 in the first direction (x) may be greater than the maximum width of the first conductive adhesive 251 in the first direction (x). For example, the maximum width of the insulating layer 252 in the first direction x may be greater than the line width of the first and second electrodes 141 and 142 and smaller than the distance between the first and second electrodes 141 and 142 The maximum width of the first conductive adhesive 251 in the first direction x may be equal to or smaller than the line width of the first and second electrodes 141 and 142.

아울러, 복수의 제1, 2 도전성 배선(200)은 단면이 원형을 갖는 도전성 와이어 형태이거나 폭이 두께보다 큰 리본 형태를 가질 수 있다.The plurality of first and second conductive wirings 200 may have a conductive wire shape having a circular section or a ribbon shape having a width larger than the thickness.

여기서, 도 1에 도시된 제1, 2 도전성 배선(200) 각각의 선폭은 도전성 배선(200)의 선저항을 충분히 낮게 유지하면서, 제조 비용이 최소가 되도록 고려하여, 1mm ~ 3mm 사이로 형성될 수 있으며, 제1 도전성 배선(210)과 제2 도전성 배선(220) 사이의 간격은 제1, 2 도전성 배선(200)의 총 개수를 고려하여, 태양 전지 모듈의 단락 전류가 훼손되지 않도록 4mm ~ 6.5mm 사이로 형성될 수 있다.Here, the line width of each of the first and second conductive wirings 200 shown in Fig. 1 can be set to be between 1 mm and 3 mm, while keeping the line resistance of the conductive wiring 200 sufficiently low, The distance between the first conductive wiring 210 and the second conductive wiring 220 is set to be 4 mm to 6.5 mm so as not to damage the short circuit current of the solar cell module in consideration of the total number of the first and second conductive wiring 200. [ mm. < / RTI >

이와 같이 제1, 2 도전성 배선(200) 각각이 하나의 태양 전지에 접속되는 개수는 10개 ~ 20개일 수 있다. 따라서, 제1, 2 도전성 배선(200)이 하나의 태양 전지에 접속되는 총 개수의 합은 20개 ~ 40개일 수 있다.In this way, the number of the first and second conductive wirings 200 connected to one solar cell can be 10 to 20, respectively. Therefore, the sum of the total number of the first and second conductive wirings 200 connected to one solar cell may be 20 to 40. [

이와 같은 각 태양 전지에 접속된 제1 도전성 배선(210)과 제2 도전성 배선(220) 각각이 인터커넥터(300)와 접속하는 끝부분은 반도체 기판(110)의 투영 영역 밖으로 돌출될 수 있다.An end portion of each of the first conductive wiring 210 and the second conductive wiring 220 connected to each solar cell connected to the interconnector 300 may protrude out of the projection area of the semiconductor substrate 110.

일례로, 제1 태양 전지(C1)에 접속된 복수의 제1 도전성 배선(210)의 끝부분과 제2 태양 전지(C2)에 접속된 복수의 제2 도전성 배선(220)의 끝부분 각각은 반도체 기판(110)의 투영 영역 밖으로 돌출될 수 있고, 이와 같이, 복수의 제1, 2 도전성 배선(200)은 각각의 끝부분이 동일한 인터커넥터(300)에 공통으로 접속되어, 복수의 태양 전지를 서로 직렬 연결할 수 있다.For example, the ends of the plurality of first conductive wirings 210 connected to the first solar cell C1 and the ends of the plurality of second conductive wirings 220 connected to the second solar cell C2, The plurality of first and second conductive wirings 200 are connected in common to the same interconnector 300 so that the ends of the first and second conductive wirings 200 are connected to a plurality of solar cells 200. [ Can be connected in series with each other.

여기서, 인터커넥터(300)는 제1, 2 태양 전지(C1, C2)를 포함한 복수의 태양 전지 각각의 반도체 기판(110)과 이격될 수 있으며, 각 태양 전지 사이에 제2 방향(y)으로 길게 뻗어 배치될 수 있다.Here, the interconnector 300 may be spaced apart from the semiconductor substrate 110 of each of the plurality of solar cells including the first and second solar cells C1 and C2, and may be disposed between the solar cells in the second direction y It can be extended and arranged.

여기서, 인터커넥터(300)의 선폭(W300)은 1mm ~ 3mm 사이로 형성될 수 있고, 이와 같은 인터커넥터(300)의 선폭(W300)은 제1, 2 도전성 배선(200)의 선폭과 동일하게 형성될 수 있다.The line width W300 of the interconnector 300 may be between 1 mm and 3 mm and the line width W300 of the interconnector 300 may be formed to be equal to the line width of the first and second conductive interconnections 200 .

아울러, 인터커넥터(300)가 복수의 태양 전지 각각의 반도체 기판(110)과 이격되는 간격은 1mm ~ 1.5mm 사이일 수 있다.In addition, an interval between the interconnector 300 and the semiconductor substrate 110 of each of the plurality of solar cells may be between 1 mm and 1.5 mm.

아울러, 인터커넥터(300)에 접속되는 제1, 2 도전성 배선(200) 각각의 끝부분은 인터커넥터(300)에 공통으로 접속되되, 인터커넥터(300)의 제2 방향(y)을 따라 서로 엇갈려 접속될 수 있다.The ends of the first and second conductive wires 200 connected to the interconnector 300 are commonly connected to the interconnector 300 and are connected to each other along the second direction y of the interconnector 300. [ Can be staggered and connected.

한편, 이와 같은 태양 전지 모듈에서 제1, 2 도전성 배선(200) 각각은 도 1에 도시된 바와 같이, 제1, 2 도전성 배선(200) 각각의 제1 방향(x) 중심축을 기준으로 양측이 서로 비대칭 형상을 가질 수 있다. 이에 대한 보다 구체적인 설명은 태양 전지 모듈의 다른 구성 부분에 대해 먼저 설명한 이후, 도 5 이하에서 보다 구체적으로 설명한다.On the other hand, as shown in Fig. 1, each of the first and second conductive wirings 200 in such a solar cell module has a structure in which both sides of the first and second conductive wirings 200 in the first direction (x) They can have an asymmetric shape with each other. A more detailed description thereof will be given later in more detail with reference to Fig. 5 after the other constituent parts of the solar cell module are described first.

이와 같은 태양 전지 모듈의 각 구성 부분에 대해 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다. Each constituent part of the solar cell module will be described in more detail as follows.

도 2는 도 1에 적용되는 태양 전지의 일례를 나타내는 일부 사시도이고, 도 3은 도 2에 도시된 태양 전지의 제1 방향(x) 단면을 도시한 것이다.Fig. 2 is a partial perspective view showing an example of a solar cell applied to Fig. 1, and Fig. 3 is a cross-sectional view in the first direction (x) of the solar cell shown in Fig.

도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 태양 전지의 일례는 반사 방지막(130), 반도체 기판(110), 터널층(180), 제1 반도체부(121), 제2 반도체부(172), 진성 반도체부(150), 패시베이션층(190), 복수의 제1 전극(141) 및 복수의 제2 전극(142)을 구비할 수 있다. 2 and 3, an example of a solar cell according to the present invention includes an antireflection film 130, a semiconductor substrate 110, a tunnel layer 180, a first semiconductor portion 121, The passivation layer 190, the plurality of the first electrodes 141, and the plurality of the second electrodes 142. The first electrode 141, the second electrode 142,

여기서, 반사 방지막(130), 터널층(180) 및 패시베이층(190)은 생략될 수도 있으나, 구비된 경우 태양 전지의 효율이 더 향상되므로, 이하에서는 구비된 경우를 일례로 설명한다.Here, the antireflection film 130, the tunnel layer 180, and the passivation layer 190 may be omitted. However, since the efficiency of the solar cell is improved, the following description will be made by way of example.

반도체 기판(110)은 제 1 도전성 타입 또는 제2 도전성 타입의 불순물이 도핑되는 단결정 실리콘, 다결정 실리콘 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. 일례로, 반도체 기판(110)은 단결정 실리콘 웨이퍼로 형성될 수 있다.The semiconductor substrate 110 may be formed of at least one of monocrystalline silicon and polycrystalline silicon doped with impurities of the first conductivity type or the second conductivity type. In one example, the semiconductor substrate 110 may be formed of a single crystal silicon wafer.

여기서, 반도체 기판(110)에 함유된 제 1 도전성 타입의 불순물 또는 제2 도전성 타입의 불순물은 n형 또는 p형 도전성 타입 중 어느 하나일 수 있다. Here, the impurity of the first conductive type contained in the semiconductor substrate 110 or the impurity of the second conductive type may be any of n-type and p-type conductive types.

반도체 기판(110)이 p형의 도전성 타입을 가질 경우, 붕소(B), 갈륨, 인듐 등과 같은 3가 원소의 불순물이 반도체 기판(110)에 도핑(doping)된다. 하지만, 반도체 기판(110)이 n형의 도전성 타입을 가질 경우, 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 등과 같이 5가 원소의 불순물이 반도체 기판(110)에 도핑될 수 있다.When the semiconductor substrate 110 has a p-type conductivity type, impurity of a trivalent element such as boron (B), gallium, indium, or the like is doped in the semiconductor substrate 110. However, when the semiconductor substrate 110 has an n-type conductivity type, impurities of pentavalent elements such as phosphorus (P), arsenic (As), and antimony (Sb) may be doped into the semiconductor substrate 110.

이하에서는 이와 같은 반도체 기판(110)의 함유된 불순물이 제2 도전성 타입의 불순물이고, n형인 경우를 일례로 설명한다. 그러나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the case where the impurity contained in the semiconductor substrate 110 is an impurity of the second conductivity type and is n-type will be described as an example. However, the present invention is not limited thereto.

이러한 반도체 기판(110)의 전면에 복수의 요철면을 가질 수 있다. 이로 인해 반도체 기판(110)의 전면 위에 위치한 제1 반도체부(121) 역시 요철면을 가질 수 있다. The semiconductor substrate 110 may have a plurality of uneven surfaces on the entire surface thereof. Accordingly, the first semiconductor part 121 located on the front surface of the semiconductor substrate 110 may also have an uneven surface.

이로 인해, 반도체 기판(110)의 전면에서 반사되는 빛의 양이 감소하여 반도체 기판(110) 내부로 입사되는 빛의 양이 증가할 수 있다.Accordingly, the amount of light reflected from the front surface of the semiconductor substrate 110 decreases, and the amount of light incident into the semiconductor substrate 110 increases.

반사 방지막(130)은 외부로부터 반도체 기판(110)의 전면으로 입사되는 빛의 반사를 최소화하기 위하여, 반도체 기판(110)의 전면 위에 위치하며, 알루미늄 산화막(AlOx), 실리콘 질화막(SiNx), 실리콘 산화막(SiOx) 및 실리콘 산화질화막(SiOxNy) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. The antireflection film 130 is formed on the front surface of the semiconductor substrate 110 to minimize the reflection of light incident from the outside to the front surface of the semiconductor substrate 110. The antireflection film 130 is formed of an aluminum oxide film (AlOx), a silicon nitride film (SiNx) An oxide film (SiOx), and a silicon oxynitride film (SiOxNy).

터널층(180)은 반도체 기판(110)의 후면 전체에 직접 접촉하여 배치되며, 유전체 재질을 포함할 수 있다. 따라서, 터널층(180)은 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)에서 생성되는 캐리어를 통과시킬 수 있다.The tunnel layer 180 is disposed in direct contact with the entire rear surface of the semiconductor substrate 110, and may include a dielectric material. Therefore, the tunnel layer 180 can pass carriers generated in the semiconductor substrate 110, as shown in FIGS.

이와 같은 터널층(180)은 반도체 기판(110)에서 생성된 캐리어를 통과시키며, 반도체 기판(110)의 후면에 대한 패시베이션 기능을 수행할 수 있다.The tunnel layer 180 may pass carriers generated in the semiconductor substrate 110 and passivate the back surface of the semiconductor substrate 110.

아울러, 터널층(180)은 600℃ 이상의 고온 공정에도 내구성이 강한 SiCx 또는 SiOx로 형성되는 유전체 재질로 형성될 수 있다. In addition, the tunnel layer 180 may be formed of a dielectric material formed of SiCx or SiOx having high durability even at a high temperature process of 600 DEG C or more.

제1 반도체부(121)는 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)의 후면에 배치되되, 일례로, 터널층(180)의 후면의 일부에 직접 접촉하여 배치될 수 있다.The first semiconductor section 121 may be disposed on the rear surface of the semiconductor substrate 110 as shown in FIGS. 2 and 3, for example, in direct contact with a part of the rear surface of the tunnel layer 180 .

아울러, 이와 같은 제1 반도체부(121)는 반도체 기판(110)의 후면에 제2 방향(y)으로 배치되며, 제2 도전성 타입과 반대인 제1 도전성 타입을 갖는 다결정 실리콘 재질로 형성될 수 있다.The first semiconductor part 121 may be formed of a polycrystalline silicon material having a first conductivity type opposite to the second conductivity type and disposed in the second direction y on the rear surface of the semiconductor substrate 110 have.

여기서, 제1 반도체부(121)는 제1 도전성 타입의 불순물이 도핑될 수 있으며, 반도체 기판(110)에 함유된 불순물이 제2 도전성 타입의 불순물인 경우, 제1 반도체부(121)는 터널층(180)을 사이에 두고 반도체 기판(110)과 p-n 접합을 형성할 수 있다.Here, the first semiconductor section 121 may be doped with an impurity of the first conductivity type, and when the impurity contained in the semiconductor substrate 110 is an impurity of the second conductivity type, The pn junction with the semiconductor substrate 110 can be formed with the layer 180 therebetween.

각 제1 반도체부(121)는 반도체 기판(110)과 p-n접합을 형성하므로, 제1 반도체부(121)는 p형의 도전성 타입을 가질 수 있으며, 복수의 제1 반도체부(121)가 p형의 도전성 타입을 가질 경우 제1 반도체부(121)에는 3가 원소의 불순물이 도핑될 수 있다.The first semiconductor section 121 may have a p-type conductivity type and the plurality of first semiconductor sections 121 may be formed of p Impurity of the trivalent element can be doped in the first semiconductor portion 121. [0157]

제2 반도체부(172)는 반도체 기판(110)의 후면에 제1 반도체부(121)와 나란한 제2 방향(y)으로 길게 뻗어 배치되며, 일례로 터널층(180)의 후면 중에서 전술한 제1 반도체부(121) 각각과 이격된 일부 영역에 직접 접촉하여 형성될 수 있다. The second semiconductor section 172 is extended on the rear surface of the semiconductor substrate 110 in a second direction y parallel to the first semiconductor section 121. The second semiconductor section 172 may be formed on the rear surface of the tunnel layer 180, 1 semiconductor region 121. In this case,

이와 같은 제2 반도체부(172)는 제2 도전성 타입의 불순물이 반도체 기판(110)보다 고농도로 도핑되는 다결정 실리콘 재질로 형성될 수 있다. 따라서, 예를 들어, 반도체 기판(110)이 제2 도전성 타입의 불순물인 n형 타입의 불순물로 도핑되는 경우, 복수의 제2 반도체부(172)는 n+의 불순물 영역일 수 있다.The second semiconductor section 172 may be formed of a polycrystalline silicon material doped with impurities of the second conductivity type at a higher concentration than the semiconductor substrate 110. Therefore, for example, when the semiconductor substrate 110 is doped with an n-type impurity which is an impurity of the second conductivity type, the plurality of second semiconductor regions 172 may be an n + impurity region.

이러한 제2 반도체부(172)는 반도체 기판(110)과 제2 반도체부(172)와의 불순물 농도 차이로 인한 전위 장벽에 의해 전자의 이동 방향인 제2 반도체부(172) 쪽으로의 정공 이동을 방해하는 반면, 제2 반도체부(172) 쪽으로의 캐리어(예, 전자) 이동을 용이하게 할 수 있다. The second semiconductor section 172 prevents the hole movement toward the second semiconductor section 172, which is the direction of electron movement, by the potential barrier due to the difference in impurity concentration between the semiconductor substrate 110 and the second semiconductor section 172 (E. G., Electrons) to the second semiconductor portion 172 can be facilitated.

따라서, 제2 반도체부(172) 및 그 부근 또는 제1, 2 전극(141, 142)에서 전자와 정공의 재결합으로 손실되는 전하의 양을 감소시키고 전자 이동을 가속화시켜 제2 반도체부(172)로의 전자 이동량을 증가시킬 수 있다. Therefore, the amount of charges lost by recombination of electrons and holes in the second semiconductor section 172 and the vicinity thereof or the first and second electrodes 141 and 142 is reduced and the electron movement is accelerated, Can be increased.

지금까지의 도 2 내지 도 3에서는 반도체 기판(110)이 제2 도전성 타입의 불순물인 경우를 일례로 설명하면서, 제1 반도체부(121)가 에미터부로서 역할을 하고, 제2 반도체부(172)가 후면 전계부로서 역할을 하는 경우를 일례로 설명하였다. 2 to 3 illustrate a case where the semiconductor substrate 110 is a second conductive type impurity and the first semiconductor section 121 serves as an emitter section and the second semiconductor section 172 ) Serves as a rear electric field portion.

그러나, 이와 다르게, 반도체 기판(110)이 제1 도전성 타입의 불순물을 함유하는 경우, 제1 반도체부(121)가 후면 전계부로서 역할을 하고, 제2 반도체부(172)가 에미터부로서 역할을 할 수도 있다.Alternatively, when the semiconductor substrate 110 contains impurities of the first conductivity type, the first semiconductor portion 121 serves as a rear electric field portion and the second semiconductor portion 172 serves as an emitter portion .

아울러, 여기의 도 2 및 도 3에서는 제1 반도체부(121)와 제2 반도체부(172)가 터널층(180)의 후면에 다결정 실리콘 재질로 형성된 경우를 일례로 설명하였으나, 이와 다르게, 터널층(180)이 생략된 경우, 제1 반도체부(121)와 제2 반도체부(172)는 반도체 기판(110)의 후면 내에 불순물이 확산되어 도핑될 수도 있다. 이와 같은 경우, 제1 반도체부(121)와 제2 반도체부(172)는 반도체 기판(110)과 동일한 단결정 실리콘 재질로 형성될 수도 있다.2 and 3 illustrate the case where the first semiconductor section 121 and the second semiconductor section 172 are formed of polycrystalline silicon on the rear surface of the tunnel layer 180. Alternatively, If the layer 180 is omitted, the first semiconductor portion 121 and the second semiconductor portion 172 may be doped with impurities diffused in the rear surface of the semiconductor substrate 110. [ In this case, the first semiconductor section 121 and the second semiconductor section 172 may be formed of the same single-crystal silicon material as the semiconductor substrate 110.

진성 반도체부(150)은 도 2 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 반도체부(121)와 제2 반도체부(172) 사이에 노출된 터널층(180)의 후면에 형성될 수 있고, 이와 같은 진성 반도체부(150)은 제1 반도체부(121) 및 제2 반도체부(172)와 다르게 제1 도전성 타입의 불순물 또는 제2 도전성 타입의 불순물이 도핑되지 않은 진성 다결정 실리콘층으로 형성될 수 있다.The intrinsic semiconductor part 150 may be formed on the rear surface of the tunnel layer 180 exposed between the first semiconductor part 121 and the second semiconductor part 172 as shown in FIGS. Unlike the first semiconductor part 121 and the second semiconductor part 172, the intrinsic semiconductor part 150 is formed of an intrinsic polycrystalline silicon layer which is not doped with impurities of the first conductivity type or impurities of the second conductivity type .

아울러, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 진성 반도체부(150)의 양측면 각각은 제1 반도체부(121)의 측면 및 제2 반도체부(172)의 측면에 직접 접촉되는 구조를 가질 수 있다.2 and 3, each of the opposite side surfaces of the intrinsic semiconductor part 150 may have a structure in which the side surfaces of the first semiconductor part 121 and the side surfaces of the second semiconductor part 172 are in direct contact with each other. have.

패시베이션층(190)은 제1 반도체부(121), 제2 반도체부(172) 및 진성 반도체부(150)에 형성되는 다결정 실리콘 재질의 층의 후면에 형성된 뎅글링 본드(dangling bond)에 의한 결함을 제거하여, 반도체 기판(110)으로부터 생성된 캐리어가 뎅글링 본드(dangling bond)에 의해 재결합되어 소멸되는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다.The passivation layer 190 is formed on the back surface of the polycrystalline silicon layer formed on the first semiconductor section 121, the second semiconductor section 172, and the intrinsic semiconductor section 150 by a dangling bond defect So that carriers generated from the semiconductor substrate 110 can be prevented from being recombined by the dangling bonds and disappearing.

복수의 제1 전극(141)은 제1 반도체부(121)에 접속하고, 제2 방향(y)으로 길게 뻗어 형성될 수 있다. 이와 같은, 제1 전극(141)은 제1 반도체부(121) 쪽으로 이동한 캐리어, 예를 들어 정공을 수집할 수 있다.The plurality of first electrodes 141 may be connected to the first semiconductor section 121 and extend in a second direction y. The first electrode 141 may collect carriers, for example, holes, which have migrated toward the first semiconductor section 121.

복수의 제2 전극(142)은 제2 반도체부(172)에 접속하고, 제1 전극(141)과 나란하게 제2 방향(y)으로 길게 뻗어 형성될 수 있다. 이와 같은, 제2 전극(142)은 제2 반도체부(172) 쪽으로 이동한 캐리어, 예를 들어, 전자를 수집할 수 있다.The plurality of second electrodes 142 may be connected to the second semiconductor portion 172 and extend in the second direction y in parallel with the first electrode 141. As such, the second electrode 142 can collect carriers, for example, electrons, which have migrated toward the second semiconductor section 172.

이와 같은 도 1에 도시된 바와 같이, 제1 전극(141)과 제2 전극(142)은 제1 방향(x)으로 교번하여 배치될 수 있다.1, the first electrode 141 and the second electrode 142 may be alternately arranged in the first direction x.

이와 같은 구조로 제조된 본 발명에 따른 태양 전지에서 제1 전극(141)을 통하여 수집된 정공과 제2 전극(142)을 통하여 수집된 전자는 외부의 회로 장치를 통하여 외부 장치의 전력으로 이용될 수 있다.The holes collected through the first electrode 141 and the electrons collected through the second electrode 142 in the solar cell according to the present invention are used as electric power of the external device through the external circuit device .

본 발명에 따른 태양 전지 모듈에 적용된 태양 전지는 반드시 도 2 및 도 3에만 한정하지 않으며, 태양 전지에 구비되는 제1, 2 전극(141, 142)이 반도체 기판(110)의 후면에만 형성되는 점을 제외하고 다른 구성 요소는 얼마든지 변경이 가능하다. The solar cell applied to the solar cell module according to the present invention is not necessarily limited to only FIGS. 2 and 3, and the first and second electrodes 141 and 142 provided on the solar cell are formed only on the rear surface of the semiconductor substrate 110 Other components can be changed at any time.

예를 들어 본 발명의 태양 전지 모듈에는 제1 전극(141)의 일부 및 제1 반도체부(121)가 반도체 기판(110)의 전면에 위치하고, 제1 전극(141)의 일부가 반도체 기판(110)에 형성된 홀을 통해 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 제1 전극(141)의 나머지 일부와 연결되는 MWT 타입의 태양 전지도 적용이 가능하다.For example, in the solar cell module of the present invention, a part of the first electrode 141 and the first semiconductor part 121 are located on the front surface of the semiconductor substrate 110, and a part of the first electrode 141 is disposed on the semiconductor substrate 110 The MWT type solar cell may be connected to the remaining part of the first electrode 141 formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110 through the hole formed in the semiconductor substrate 110. [

이와 같은 태양 전지가 도 1과 같이 제1, 2 도전성 배선(200)과 인터커넥터(300)를 이용하여 직렬 연결된 단면 구조는 다음의 도 4와 같다.1, a cross-sectional structure in which the solar cell is connected in series using the first and second conductive wirings 200 and the interconnector 300 is shown in FIG.

도 4는 도 1 및 도 1 에서 X1-X1 라인에 따른 단면을 도시한 것이다.Fig. 4 is a cross-sectional view taken along line X1-X1 in Fig. 1 and Fig. 1. Fig.

도 4에 도시된 바와 같이, 복수의 태양 전지는 제1 방향(x)으로 직렬 연결될 수 있다.As shown in FIG. 4, the plurality of solar cells may be connected in series in the first direction (x).

여기서, 각 태양 전지에 제1, 2 도전성 배선(200)이 앞선 도 1 내지 도 1에서 설명한 바와 같이, 반도체 기판(110)의 후면에 접속되고, 앞에서 설명한 바와 같이, 각 태양 전지의 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 제1, 2 전극(141, 142)에 제1 도전성 접착제(251)를 통해 접속되거나 절연층(252)에 의해 절연될 수 있다.Here, the first and second conductive wirings 200 are connected to the back surface of the semiconductor substrate 110 as described above with reference to Figs. 1 to 1, and as described above, The first and second electrodes 141 and 142 may be connected to each other through the first conductive adhesive 251 or may be insulated by the insulating layer 252.

이와 같이, 복수의 태양 전지(C1, C2)가 제1 방향(x)으로 배열된 상태에서, 각 태양 전지(C1, C2)는 제1, 2 도전성 배선(200)과 인터커넥터(300)에 의해 제1 방향(x)으로 길게 뻗어 직렬 연결되는 하나의 스트링을 형성할 수 있다.As described above, in the state where the plurality of solar cells C1 and C2 are arranged in the first direction x, each of the solar cells C1 and C2 is connected to the first and second conductive wirings 200 and 300 To form one string that extends in the first direction (x) and is connected in series.

이와 같이 하나의 스트링을 형성하기 위하여, 일례로, 제1 태양 전지에 접속된 복수의 제1 도전성 배선(210)의 끝부분과 제2 태양 전지에 접속된 복수의 제2 도전성 배선(220)의 끝부분은 각 반도체 기판(110)의 투영 영역 밖으로 돌출되고, 돌출된 제1, 2 도전성 배선(200)의 끝부분이 인터커넥터(300)에 공통으로 접속될 수 있다.In order to form one string, for example, an end portion of a plurality of first conductive wirings 210 connected to the first solar cell and a plurality of second conductive wirings 220 connected to the second solar cell The ends of the first and second conductive wirings 200 may protrude out of the projection area of each semiconductor substrate 110 and the ends of the protruded first and second conductive wirings 200 may be commonly connected to the interconnector 300. [

이때, 인터커넥터(300)는 제1, 2 도전성 배선(200)이 각 반도체 기판(110)에 접속된 면과 동일한 면에 접속될 수 있다. 즉, 제1, 2 도전성 배선(200) 각각의 전면이 각 반도체 기판(110)에 접속되고, 제1, 2 도전성 배선(200) 각각의 전면이 인터커넥터(300)에 접속될 수 있다.At this time, the interconnector 300 may be connected to the same plane as the plane where the first and second conductive wirings 200 are connected to the respective semiconductor substrates 110. That is, the front surface of each of the first and second conductive wirings 200 may be connected to the semiconductor substrate 110, and the front surface of each of the first and second conductive wirings 200 may be connected to the interconnector 300.

이와 같이, 인터커넥터(300)가 제1, 2 도전성 배선(200)의 전면에 접속됨으로써, 인터커넥터(300)를 통해 각 태양 전지 사이로 입사되는 빛을 반사할 수 있어, 태양 전지 모듈의 광이득을 보다 향상시킬 수 있다.Since the interconnector 300 is connected to the front surfaces of the first and second conductive wirings 200 as described above, light incident between the solar cells can be reflected through the interconnector 300, Can be further improved.

여기서, 제1, 2 도전성 배선(200) 각각에서 반도체 기판(110)의 투영 영역 밖으로 돌출된 끝부분은 제1, 2 방향(x, y)과 교차하는 제3 방향(z)으로 굴곡진 부분(200p)을 포함할 수 있다.The ends of the first and second conductive wirings 200 protruding from the projection region of the semiconductor substrate 110 are bent in a third direction z intersecting with the first and second directions x and y, (200p).

이와 같이, 제1, 2 도전성 배선(200)의 끝부분에 굴곡진 부분(200p)을 포함함으로써, 제1, 2 도전성 배선(200)을 열처리하여 인터커넥터(300)에 접속할 때에, 열처리 공정에 발생하는 제1, 2 도전성 배선(200)의 열팽창 스트레스를 완화할 수 있다.When the first and second conductive wirings 200 are heat-treated and connected to the interconnector 300 by including the bent portions 200p at the ends of the first and second conductive wirings 200 as described above, The thermal expansion stress of the generated first and second conductive wirings 200 can be relaxed.

즉, 제1, 2 도전성 배선(200)을 열처리하여 인터커넥터(300)에 접속할 때, 열처리 공정 중에 제1, 2 도전성 배선(200)을 제1 방향(x)으로 열팽창될 수 있고, 이로 인하여, 제1, 2 도전성 배선(200)의 열팽창 스트레스가 제1, 2 도전성 배선(200)과 제1, 2 전극(141, 142)을 서로 접속시키는 제1 도전성 접착제(251)에 전달될 수 있다.That is, when the first and second conductive wirings 200 are heat-treated and connected to the interconnector 300, the first and second conductive wirings 200 can be thermally expanded in the first direction x during the heat treatment process, The thermal expansion stress of the first and second conductive wirings 200 can be transmitted to the first conductive adhesive 251 connecting the first and second conductive wirings 200 and the first and second electrodes 141 and 142 to each other .

이와 같은 경우, 제1 도전성 접착제(251)의 물리적 접속력이 약화되어, 제1 도전성 배선(210)과 제1 전극(141)이 단선되거나 제2 도전성 배선(220)과 제2 전극(142)이 단선될 수 있다.The physical connection force of the first conductive adhesive 251 may be weakened so that the first conductive wiring 210 and the first electrode 141 are disconnected or the second conductive wiring 220 and the second electrode 142 are disconnected. Can be disconnected.

그러나, 제1, 2 도전성 배선(200)의 끝부분에 형성된 굴곡진 부분(200p)에 굴곡진 부분(200p)이 포함된 경우, 제1, 2 도전성 배선(200)이 제3 방향(z)으로 열팽창되도록 하여, 제1 방향(x)으로의 열팽창 스트레스를 완화할 수 있다. However, when the curved portion 200p includes the bent portion 200p formed at the end portion of the first and second conductive wirings 200, the first and second conductive wirings 200 are arranged in the third direction z, The thermal expansion stress in the first direction (x) can be relaxed.

이에 따라, 제1 도전성 배선(210)과 제1 전극(141)이 단선되거나 제2 도전성 배선(220)과 제2 전극(142)이 단선되는 것을 방지할 수 있다.This can prevent the first conductive wiring 210 and the first electrode 141 from being disconnected or the second conductive wiring 220 and the second electrode 142 from being disconnected.

이때, 제1, 2 도전성 배선(200)의 끝부분에 형성된 굴곡진 부분(200p)은 굴곡진 부분(200p)의 중심이 제1, 2 태양 전지 각각의 반도체 기판(110)과 인터커넥터(300) 사이에 위치할 수 있고, 태양 전지 모듈의 후면 방향으로 돌출될 수 있다.At this time, the bent portion 200p formed at the end of the first and second conductive wirings 200 is formed such that the center of the bent portion 200p is connected to the semiconductor substrate 110 of each of the first and second solar cells, , And may protrude in the rear direction of the solar cell module.

이와 같이, 제1, 2 도전성 배선(200)의 끝부분에 형성된 굴곡진 부분(200p)이 반도체 기판(110)이 위치한 모듈의 전면 방향으로 돌출되지 않고, 태양 전지 모듈의 후면 방향으로 돌출되도록 함으로써, 제1, 2 도전성 배선(200)이 제3 방향(z)으로 열팽창되더라도, 반도체 기판(110)과 반대 방향인 태양 전지 모듈의 후면 방향으로 열팽창되도록 유도할 수 있다.In this manner, the bent portion 200p formed at the end of the first and second conductive wirings 200 is not protruded toward the front surface of the module in which the semiconductor substrate 110 is located, but protrudes toward the back surface of the solar cell module Even if the first and second conductive wirings 200 are thermally expanded in the third direction z, the first and second conductive wirings 200 can be induced to thermally expand in the direction of the back surface of the solar cell module opposite to the semiconductor substrate 110.

이때, 도 4에 도시된 바와 같이, 제1, 2 도전성 배선(200) 각각의 끝부분은 인터커넥터(300)와 중첩되어, 제2 도전성 접착제(350)를 통해 인터커넥터(300)에 접착될 수 있다.4, an end portion of each of the first and second conductive wirings 200 is overlapped with the inter connecter 300 and bonded to the interconnect 300 through the second conductive adhesive 350 .

여기서, 제1, 2 도전성 배선(200)과 인터커넥터(300)를 서로 접착시키는 제2 도전성 접착제(350)는 주석(Sn) 또는 주석(Sn)을 포함하는 합금을 포함하는 금속 재질로 형성될 수 있다. Here, the second conductive adhesive agent 350 for bonding the first and second conductive wires 200 and the interconnector 300 to each other is made of a metal material including an alloy containing tin (Sn) or tin (Sn) .

보다 구체적으로, 제2 도전성 접착제(350)는 (1) 주석(Sn) 또는 주석(Sn)을 포함하는 합금을 포함하는 솔더 패이스트(solder paste) 형태로 형성되거나, (2) 에폭시에 주석(Sn) 또는 주석(Sn)을 포함하는 합금이 포함된 에폭시 솔더 패이스트(epoxy solder paste) 또는 도전성 패이스트(Conductive psate) 형태로 형성될 수 있다.More specifically, the second conductive adhesive 350 may be formed of (1) a solder paste comprising an alloy containing tin (Sn) or tin (Sn), or (2) Sn or tin (Sn), or may be formed in the form of an electrically conductive paste (conductive paste).

이와 같은 제1, 2 도전성 배선(200)과 인터커넥터(300)를 서로 접착시키는 제2 도전성 접착제(350)는 제1 도전성 접착제(251)와 동일한 재질로 형성되거나 다른 재질로 형성될 수 있다.The second conductive adhesive agent 350 for bonding the first and second conductive wires 200 and the interconnector 300 to each other may be formed of the same material as that of the first conductive adhesive agent 251 or may be formed of another material.

즉, 서로 다른 재질로 형성되는 경우, 일례로, 제2 도전성 접착제(350)는 주석(Sn)을 포함하는 솔더 패이스트(solder paste) 형태로 형성될 수 있고, 제1 도전성 접착제(251)는 주석(Sn) 또는 주석(Sn)을 포함하는 합금을 포함하는 에폭시 솔더 패이스트(epoxy solder paste) 또는 도전성 패이스트(Conductive psate) 형태로 형성될 수 있다.That is, when the second conductive adhesive agent 350 is formed of different materials, for example, the second conductive adhesive agent 350 may be formed in the form of a solder paste containing tin (Sn) And may be formed in the form of an epoxy solder paste or a conductive paste including an alloy containing tin (Sn) or tin (Sn).

이와 같은 구조를 갖는 태양 전지 모듈은 별도의 인터커넥터(300)를 구비하므로, 복수 개의 태양 전지 중 제1, 2 도전성 배선(200)과 제1, 2 전극(141, 142) 사이에 접속 불량이 발생한 태양 전지가 있는 경우, 인터커넥터(300)과 복수의 제1, 2 도전성 배선(200) 사이의 접속을 해제하여, 해당 태양 전지만 보다 용이하게 교체할 수 있다.Since the solar cell module having such a structure is provided with a separate interconnector 300, a connection failure between the first and second conductive wirings 200 and the first and second electrodes 141 and 142 of the plurality of solar cells The connection between the interconnector 300 and the plurality of first and second conductive wirings 200 is released so that the solar cell can be replaced more easily.

아울러, 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈에서는 인터커넥터(300)가 구비된 경우를 일례로 설명하였으나, 이와 다르게 인터커넥터(300)는 생략되는 것도 가능하다.In addition, in the solar cell module according to an example of the present invention, the interconnector 300 is provided. However, the interconnector 300 may be omitted.

따라서, 인터커넥터(300)가 생략된 경우, 제1 태양 전지의 제1 도전성 배선(210)과 제2 태양 전지의 제2 도전성 배선(220)은 제2 방향(y)으로 길게 뻗은 별도의 인터커넥터(300) 없이 제2 도전성 접착제를 통해 서로 접속되거나 직접 접속될 수 있으며, 하나의 도전성 배선(200)이 제1 태양 전지의 제1 전극(141) 및 제2 태양 전지의 제2 전극(142)에 공통으로 접속될 수 있다.Therefore, when the interconnector 300 is omitted, the first conductive wiring 210 of the first solar cell and the second conductive wiring 220 of the second solar cell are connected to each other through a separate interconnection One of the conductive wirings 200 may be connected to or directly connected to the first electrode 141 of the first solar cell and the second electrode 142 of the second solar cell without the connector 300, As shown in Fig.

한편, 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 다른 태양 전지 모듈은 제1, 2 도전성 배선(200)의 열팽창 스트레스를 완화시키기 위하여, 제1, 2 도전성 배선(200) 각각은 제1, 2 도전성 배선(200) 각각의 제1 방향(x) 중심축을 기준으로 양측이 서로 비대칭 형상을 갖도록 할 수 있다. 이에 대해 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.1, in the solar cell module according to the present invention, in order to alleviate the thermal expansion stress of the first and second conductive wirings 200, each of the first and second conductive wirings 200 includes first and second conductive wirings 200, Both sides of the conductive wirings 200 may have an asymmetrical shape with respect to the central axis of the first direction x. This will be described in more detail as follows.

도 5는 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈에서, 도전성 배선(200)의 비대칭 형상에 대한 제1 실시예를 설명하기 위한 도이다. 5 is a view for explaining a first embodiment of an asymmetrical shape of the conductive wiring 200 in a solar cell module according to an example of the present invention.

제1, 2 도전성 배선(200) 각각은 제1, 2 도전성 배선(200) 각각의 제1 방향 중심축(Ax1, Ax2)을 기준으로 양측이 서로 비대칭 형상을 가질 수 있다. Each of the first and second conductive wirings 200 may have an asymmetrical shape with respect to the first and second conductive wirings 200 on the basis of the central axes Ax1 and Ax2 in the first direction.

일례로, 제1 도전성 배선(210)은 균일한 선폭(w200)을 가지면서, 제1 도전성 배선(210)의 제1 방향 중심축(Ax1)을 기준으로 양측이 서로 비대칭 형상을 가질 수 있고, 제2 도전성 배선(220)도 균일한 선폭(w200)을 가지면서, 제2 도전성 배선(220)의 제1 방향 중심축(Ax2)을 기준으로 양측이 서로 비대칭 형상을 가질 수 있다.For example, the first conductive wirings 210 may have an asymmetrical shape with respect to the center axis Ax1 of the first conductive wirings 210 in the first direction with a uniform line width w200, The second conductive wirings 220 may have a uniform line width w200 and both sides of the second conductive wirings 220 may have an asymmetrical shape with respect to the first axis central axis Ax2.

보다 구체적 일례로, 제1, 2 도전성 배선(200) 각각은 각각의 제1 방향 중심축(Ax1, Ax2)을 기준으로 양측이 지그재그 형상을 가질 수 있다.More specifically, each of the first and second conductive wirings 200 may have a zigzag shape on both sides with respect to the first central axes Ax1 and Ax2 in the first direction.

즉, 도 5에 도시된 바와 같이, 제1, 2 도전성 배선(200) 각각은 제1 방향 중심축(Ax1, Ax2)을 기준으로 제1, 2 방향(x, y)에 사선 방향으로 교차하되, 제1 사선 방향(S1)으로 뻗어 있는 제1 부분(200P1)과 제1 사선 방향(S1)과 다른 제2 사선 방향(S2)으로 뻗어 있는 제2 부분(200P2)을 포함할 수 있다.5, each of the first and second conductive wirings 200 intersects the first and second directions x and y in the oblique direction with respect to the first direction central axes Ax1 and Ax2, A first portion 200P1 extending in a first diagonal direction S1 and a second portion 200P2 extending in a second diagonal direction S2 different from the first diagonal direction S1.

즉, 제1, 2 도전성 배선(200) 각각은 제1, 2 부분(200P1, 200P2)이 제1, 2 방향(x, y)에 사선 방향으로 형성되도록 하여, 제1 방향 중심축(Ax)을 기준으로 지그재그 형상을 구성할 수 있고, 이에 따라, 제1, 2 도전성 배선(200) 각각은 제1 방향 중심축(Ax1, Ax2)을 기준으로 양측이 비대칭 형상을 가질 수 있다. That is, each of the first and second conductive wirings 200 is formed so that the first and second portions 200P1 and 200P2 are formed in the first and second directions (x, y) The first and second conductive wirings 200 may have an asymmetrical shape on both sides with respect to the first direction central axes Ax1 and Ax2.

아울러, 제1, 2 도전성 배선(200) 각각의 제1, 2 부분(200P1, 200P2)이 서로 연결되는 부분의 각도는 제1 방향 중심축(Ax)을 기준으로 양측이 서로 동일할 수 있고, 제1, 2 부분(200P1, 200P2) 각각의 길이는 동일할 수 있다.The angles of the portions where the first and second portions 200P1 and 200P2 of the first and second conductive wirings 200 are connected to each other may be the same on both sides with respect to the first direction central axis Ax, The lengths of the first and second portions 200P1 and 200P2 may be the same.

이때, 제1, 2 도전성 배선(200) 각각에서 제1, 2 부분(200P1, 200P2)의 선폭(W200)은 1mm ~ 3mm 사이로 형성될 수 있고, 제1, 2 도전성 배선(200) 각각이 지그재그되는 폭은 2mm ~ 4mm 사이로 형성될 수 있다.The line width W200 of the first and second portions 200P1 and 200P2 in each of the first and second conductive wirings 200 may be between 1 mm and 3 mm and the first and second conductive wirings 200 may be formed in a zigzag May be formed between 2 mm and 4 mm.

이와 같은 제1, 2 도전성 배선(200) 각각에 제1, 2 전극(141, 142)이 교차하는 부분을 열처리하여 제1 도전성 접착제(251)에 의해 접속될 수 있다.The portions where the first and second electrodes 141 and 142 intersect with the first and second conductive wirings 200 may be heat treated and connected by the first conductive adhesive 251. [

일례로, 제1 도전성 배선(210)과 제1 전극(141)은 제1, 2 부분(200P1, 200P2)의 중앙에서 서로 교차하여 제1 도전성 접착제(251)를 통해 서로 접속되고, 제2 도전성 배선(220)과 제2 전극(142)은 제1, 2 부분(200P1, 200P2)이 서로 연결되는 부분에서 서로 교차하여 제1 도전성 접착제(251)를 통해 접속될 수 있다.For example, the first conductive wiring 210 and the first electrode 141 are connected to each other through the first conductive adhesive 251 at the center of the first and second portions 200P1 and 200P2, The wiring 220 and the second electrode 142 may be connected to each other through the first conductive adhesive 251 at portions where the first and second portions 200P1 and 200P2 are connected to each other.

여기서, 제1, 2 도전성 배선(200) 각각은 제1 도전성 접착제(251)를 열처리하여 제1, 2 전극(141, 142) 각각에 접속될 수 있는데, 열처리 공정 중 제1, 2 도전성 배선(200)은 열팽창되고, 열처리 공정 후 냉각되면서 제1, 2 도전성 배선(200)을 열수축할 수 있다.Each of the first and second conductive wirings 200 may be connected to the first and second electrodes 141 and 142 by heat treating the first conductive adhesive 251. The first and second conductive wirings 200 are thermally expanded, and the first and second conductive wirings 200 can be heat shrunk while being cooled after the heat treatment process.

이와 같이, 제1, 2 도전성 배선(200)이 열팽창 및 열수축하는 과정 중에 제1, 2 도전성 배선(200)에는 열팽창 스트레스가 발생되고, 이로 인하여 제1, 2 도전성 배선(200)과 제1, 2 전극(141, 142) 사이가 단선될 수 있거나, 반도체 기판(110)이 밴딩될 수 있다.As described above, during the process of thermal expansion and contraction of the first and second conductive wirings 200, thermal stress is generated in the first and second conductive wirings 200. As a result, the first and second conductive wirings 200, The two electrodes 141 and 142 may be disconnected or the semiconductor substrate 110 may be bent.

그러나, 본 발명은 전술한 바와 같이, 제1, 2 도전성 배선(200)이 도 5에 도시된 바와 같이, 제1 방향 중심축(Ax)을 기준으로 양측이 서로 비대칭 형상을 갖도록 하여, 제1, 2 도전성 배선(200)의 열팽창 스트레스가 제1 방향(x)으로 집중되는 것을 방지하고, 제1, 2 사선 방향(S1, S2)으로 분산시켜, 전술한 바와 같은 단선이나 반도체 기판(110)의 밴딩을 최소화할 수 있다.5, the first and second conductive wirings 200 may have an asymmetrical shape with respect to each other with respect to the first direction central axis Ax, The thermal expansion stress of the two conductive wirings 200 is prevented from concentrating in the first direction x and dispersed in the first and second oblique directions S1 and S2 so that the above- Can be minimized.

도 5에서는 제1, 2 도전성 배선(200) 각각의 제1, 2 부분(200P1, 200P2)이 서로 연결되는 부분의 각도가 제1 방향 중심축(Ax)을 기준으로 양측이 서로 다르고, 제1, 2 부분(200P1, 200P2) 각각의 길이가 서로 다른 경우를 일례로 설명하였지만, 이와 다르게 제1, 2 부분(200P1, 200P2)이 서로 연결되는 부분의 각도가 제1 방향 중심축(Ax1, Ax2)을 기준으로 양측이 서로 다르게 형성되거나 제1, 2 부분(200P1, 200P2) 각각의 길이가 서로 다르게 형성될 수도 있다.5, the angles of the portions where the first and second portions 200P1 and 200P2 of the first and second conductive wirings 200 are connected to each other are different from each other with respect to the first direction central axis Ax, And the two portions 200P1 and 200P2 are different from each other, the angle of the portion where the first and second portions 200P1 and 200P2 are connected to each other is different from the first direction center axes Ax1 and Ax2 And the lengths of the first and second portions 200P1 and 200P2 may be different from each other.

도 6은 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈에서, 도전성 배선(200)의 비대칭 형상에 대한 제2 실시예를 설명하기 위한 도이다.6 is a view for explaining a second embodiment of the asymmetrical shape of the conductive wiring 200 in the solar cell module according to an example of the present invention.

도 6 이하에서는 설명과 이해의 편의를 위해 제1, 2 전극(141, 142) 및 제1 도전성 접착제(251)와 절연층(252)에 대한 도시를 생략하였다. 아울러, 도 6 이하에서는 하나의 도전성 배선(200)만 도시하였지만, 이와 같은 하나의 도전성 배선(200)은 제1, 2 도전성 배선(200) 각각에 공통으로 적용될 수 있다.The first and second electrodes 141 and 142 and the first conductive adhesive 251 and the insulating layer 252 are not shown in FIG. 6 for convenience of explanation and understanding. Although only one conductive wiring 200 is shown in FIG. 6 and FIG. 6, one conductive wiring 200 may be commonly applied to each of the first and second conductive wiring 200.

도 6에 도시된 바와 같이, 도전성 배선(200)은 지그 재그 형상을 갖되, 지그 재그 형상의 제1 부분(200P1)과 제2 부분(200P2)이 서로 연결되는 부분에서의 각도가 제1 방향 중심축(Ax)을 기준으로 양측이 서로 다를 수 있다.As shown in FIG. 6, the conductive wiring 200 has a jig jig shape, in which an angle at a portion where the first portion 200P1 and the second portion 200P2 of the jig jig shape are connected to each other, Both sides may be different from each other with respect to the axis Ax.

보다 구체적으로, 도 6에 도시된 바와 같이, 제1 방향 중심축(Ax)을 기준으로 어느 한 측에서 제1 부분(200P1)과 제2 부분(200P2)에 의해 형성되는 제1 각(θ1)은 다른 한 측에서 제1 부분(200P1)과 제2 부분(200P2)에 의해 형성되는 제2 각(θ2)과 다를 수 있으며, 제1 부분(200P1)의 길이(LS1)는 제2 부분(200P2)의 길이(LS2)와 다를 수 있다. More specifically, as shown in Fig. 6, the first angle? 1 formed by the first portion 200P1 and the second portion 200P2 on either side with respect to the first direction central axis Ax 2 formed by the first portion 200P1 and the second portion 200P2 on the other side and the length LS1 of the first portion 200P1 may be different from the length of the second portion 200P2 May be different from the length LS2.

도 5 및 도 6에서는 도전성 배선(200)이 지그 재그 형상으로 구성되는 제1, 2 부분(200P1, 200P2)만을 구비한 예를 설명하였지만, 전술한 바와 같은 도전성 배선(200)의 열팽창 스트레스를 보다 분산시키기 위하여, 도전성 배선(200)에 제1 방향(x)으로 뻗어 있는 부분이 더 구비될 수 있다. 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.5 and 6, only the first and second portions 200P1 and 200P2 having the jig jig shape are described. However, the thermal expansion stress of the conductive wiring 200 as described above may be more In order to disperse the conductive wire 200, the conductive wire 200 may further include a portion extending in the first direction x. More specifically, it is as follows.

도 7은 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈에서, 도전성 배선(200)의 비대칭 형상에 대한 제3 실시예를 설명하기 위한 도이다.7 is a view for explaining a third embodiment of the asymmetrical shape of the conductive wiring 200 in the solar cell module according to an example of the present invention.

도 7에 도시된 바와 같이, 도전성 배선(200)은 지그 재그 형상을 구성하는 제1, 2 부분(200P1, 200P2)에 제1 방향(x)과 나란한 제3, 4 부분(200P3, 200P4)을 더 포함할 수 있다.7, the conductive wirings 200 are divided into first and second portions 200P1 and 200P2 constituting the jig jig shape by third and fourth portions 200P3 and 200P4 arranged in parallel with the first direction x .

보다 구체적으로, 도전성 배선(200)은 제1 방향 중심축(Ax)을 기준으로 어느 한 측에는 제1 방향(x)으로 길게 뻗어 있는 제3 부분(200P3), 다른 한 측에는 제1 방향(x)으로 길게 뻗어 있는 제4 부분(200P4)을 더 구비할 수 있다.More specifically, the conductive wiring 200 includes a third portion 200P3 extending in one direction along the first direction x with respect to the first direction central axis Ax, and a third portion 200P2 extending in the first direction x on the other side. And a fourth portion 200P4 extending in a longitudinal direction.

여기서, 제3, 4 부분(200P3, 200P4) 각각은 제1 부분(200P1)과 제2 부분(200P2) 사이에 위치하여 제1, 2 부분(200P1, 200P2)에 양끝단이 연결되고, 도 7에 도시된 바와, 제3 부분(200P3)의 길이(La)는 제4 부분(200P4)의 길이(Lb)와 다를 수 있다. 도 7에서는 제3 부분(200P3)의 길이(La)가 제4 부분(200P4)의 길이(Lb)보다 큰 것으로 도시하였으나, 이와 반대일 수도 있다.Each of the third and fourth portions 200P3 and 200P4 is located between the first portion 200P1 and the second portion 200P2 and is connected at both ends to the first and second portions 200P1 and 200P2, The length La of the third portion 200P3 may be different from the length Lb of the fourth portion 200P4. Although the length La of the third portion 200P3 is larger than the length Lb of the fourth portion 200P4 in FIG. 7, the length La may be opposite.

또한, 본 발명에 따른 도전성 배선(200)은 전술한 열팽창 스트레스를 보다 완화하기 위하여, 지그 재그 형상을 갖는 도전성 배선(200)에 홀(200H)을 더 구비할 수 있다. 이에 대해 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.In addition, the conductive wiring 200 according to the present invention may further include a hole 200H in the conductive wiring 200 having a jig jig shape in order to further alleviate the aforementioned thermal expansion stress. This will be described in more detail as follows.

도 8은 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈에서, 도전성 배선(200)의 비대칭 형상에 대한 제4 실시예를 설명하기 위한 도이다.8 is a view for explaining a fourth embodiment of the asymmetrical shape of the conductive wiring 200 in the solar cell module according to an example of the present invention.

도 8에 도시된 바와 같이, 도전성 배선(200)은 각각의 제1 방향 중심축(Ax)을 기준으로 양측이 비대칭 형상을 갖도록 지그재그 형상으로 형성되되, 지그 재그 형상을 갖는 도전성 배선(200)은 홀(200H)을 구비할 수 있다.As shown in FIG. 8, the conductive wirings 200 are formed in a zigzag shape so that both sides of the conductive wirings 200 are asymmetrical with respect to the first central axis Ax, and the conductive wirings 200 having a jig jig shape And may have a hole 200H.

여기서, 홀(200H)의 위치는 지그 재그 형상을 갖는 도전성 배선(200)과 전기적으로 접속되는 전극이 위치하는 영역(A140)과 교차하는 이외의 부분에 형성될 수 있다.Here, the position of the hole 200H can be formed at a portion other than the region A140 where the electrode electrically connected to the conductive wiring 200 having the jig jig shape is located.

이는 홀(200H)의 위치가 지그 재그 형상을 갖는 도전성 배선(200)과 전기적으로 접속되는 전극이 위치하는 영역(A140)과 교차하는 부분에 형성될 경우, 제1 도전성 접착제(251)의 물리적 접착력이 약화될 수 있으며, 도전성 배선(200)과 전극 사이의 저항이 상승할 수 있기 때문이다.This is because when the position of the hole 200H is formed at a portion intersecting with the region A140 where the electrode electrically connected to the conductive wiring 200 having the jig jig shape is located, the physical adhesiveness of the first conductive adhesive 251 This is because the resistance between the conductive wiring 200 and the electrode can be increased.

따라서, 이를 방지하기 위해, 홀(200H)의 위치는 도전성 배선(200) 중에서 도전성 배선(200)과 전극이 접속되는 이외의 부분에 형성될 수 있다.Therefore, in order to prevent this, the position of the hole 200H may be formed in a portion of the conductive wiring 200 other than the portion where the conductive wiring 200 and the electrode are connected.

여기서, 도전성 배선(200)과 전기적으로 접속되는 전극에 대한 의미는 다음과 같다. Here, the meaning of the electrode electrically connected to the conductive wiring 200 is as follows.

제1 도전성 배선(210)은 제1 전극(141)과 전기적으로 접속하고, 제2 전극(142)과는 절연되므로, 도 8에 도시된 도전성 배선(200)이 제1 도전성 배선(210)인 경우, 전기적으로 접속되는 전극은 제1 전극(141)을 의미하고, 도 8에 도시된 도전성 배선(200)이 제2 도전성 배선(220)인 경우, 전기적으로 접속되는 전극은 제2 전극(142)을 의미한다. The first conductive wiring 210 is electrically connected to the first electrode 141 and is insulated from the second electrode 142 so that the conductive wiring 200 shown in FIG. 8 is electrically connected to the first conductive wiring 210 When the conductive wiring 200 shown in FIG. 8 is the second conductive wiring 220, the electrode electrically connected to the first electrode 141 is electrically connected to the second electrode 142 ).

지금까지는 제1, 2 도전성 배선(200)이 제1 방향 중심축(Ax)을 기준으로 양측이 서로 비대칭 형상으로 형성되는 경우의 예로, 제1, 2 도전성 배선(200)이 지그 재그 형상으로 형성된 예를 설명하였지만, 이와 다르게, 제1, 2 도전성 배선(200)이 균일한 선폭을 가지고 제1 방향(x)으로 길게 형성되되, 제1, 2 도전성 배선(200)에 홀(200H)이 구비되고, 홀(200H)의 위치나 형상이 제1 방향 중심축(Ax)을 기준으로 양측이 서로 비대칭될 수 있다. 이에 대해 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.The first and second conductive wirings 200 are formed asymmetrically with respect to the first direction central axis Ax. The first and second conductive wirings 200 are formed in a zigzag shape The first and second conductive wirings 200 are formed to be long in the first direction x with a uniform line width and the holes 200H are provided in the first and second conductive wirings 200. [ And the positions and shapes of the holes 200H can be asymmetrical with respect to each other with respect to the first direction central axis Ax. This will be described in more detail as follows.

도 9는 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈에서, 도전성 배선(200)의 비대칭 형상에 대한 제5 실시예를 설명하기 위한 도이다.9 is a view for explaining a fifth embodiment of the asymmetrical shape of the conductive wiring 200 in the solar cell module according to an example of the present invention.

도 9에 도시된 바와 같이, 도전성 배선(200)은 제1 방향(x)을 따라 길게 균일한 선폭으로 형성될 수 있으며, 홀(200H1, 200H2)을 구비할 수 있다.As shown in FIG. 9, the conductive wirings 200 may be formed with a long and uniform line width along the first direction x, and may have holes 200H1 and 200H2.

여기서, 홀(200H1, 200H2)의 위치는 지그 재그 형상을 갖는 도전성 배선(200)과 전기적으로 접속되는 전극이 위치하는 부분(A140)과 교차하는 이외의 부분에 형성될 수 있다.Here, the positions of the holes 200H1 and 200H2 may be formed at a portion other than the portion where the electrodes are electrically connected to the conductive wiring 200 having the jig jig shape.

여기서, 도전성 배선(200)의 홀(200H1, 200H2)은 제1 방향 중심축(Ax)을 기준으로 양측이 서로 비대칭되는 부분에 위치할 수 있으며, 아울러, 홀(200H1, 200H2)의 형상은 일례로, 제1 방향(x)으로 길게 형성되거나 제2 방향(y)으로 길게 형성되되, 제1 방향 중심축(Ax)을 기준으로 양측이 서로 비대칭으로 형성될 수 있다.Here, the holes 200H1 and 200H2 of the conductive wiring 200 may be located at portions where both sides are asymmetrical with respect to the center axis Ax in the first direction, and the shapes of the holes 200H1 and 200H2 are, for example, And may be elongated in the first direction (x) or elongated in the second direction (y), and both sides may be formed asymmetrically with respect to the first direction central axis Ax.

이와 같은 경우에도, 제1, 2 도전성 배선(200)은 제1 방향 중심축(Ax)을 기준으로 양측이 서로 비대칭 형상을 가지므로, 제1, 2 도전성 배선(200)의 열팽창 스트레스를 보다 완화할 수 있다.Even in such a case, since the first and second conductive wirings 200 have an asymmetrical shape with respect to each other with respect to the first direction central axis Ax, the thermal expansion stress of the first and second conductive wirings 200 can be further relaxed can do.

도 9에서는 도전성 배선(200)이 홀(200H1, 200H2)을 구비하고, 제1 방향(x)으로 길게 형성되되, 균일한 폭을 가지는 경우를 일례로 설명하였으나, 폭이 제1 방향(x)을 따라 주기적으로 변화될 수도 있다. 이에 대해 설명하면 다음과 같다.9A and 9B illustrate a case where the conductive wiring 200 includes holes 200H1 and 200H2 and is formed to be long in the first direction x and has a uniform width. Or may be periodically changed along a line. This is explained as follows.

도 10은 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈에서, 도전성 배선(200)의 비대칭 형상에 대한 제6 실시예를 설명하기 위한 도이다.10 is a view for explaining a sixth embodiment of the asymmetrical shape of the conductive wiring 200 in the solar cell module according to an example of the present invention.

도 10에 도시된 바와 같이, 도전성 배선(200)은 제1 방향 중심축(Ax)을 기준으로 양측이 서로 비대칭으로 형성된 홀(200H1, 200H2)을 구비하되, 도전성 배선(200)의 폭(Wa200, Wb200)은 제1 방향(x)을 따라 주기적으로 증가되거나 감소할 수 있다.10, the conductive wirings 200 have holes 200H1 and 200H2 formed on both sides of the first wirings 200 asymmetrically with respect to the central axis Ax in the first direction, , Wb200 may periodically increase or decrease along the first direction (x).

여기서, 홀(200H1, 200H2)의 위치나 형상이 제1 방향 중심축(Ax)을 기준으로 양측이 서로 비대칭일 수 있다.Here, the positions and shapes of the holes 200H1 and 200H2 may be asymmetric with respect to each other with respect to the first direction central axis Ax.

도 10에서는 홀(200H1, 200H2)의 형상이 제1 방향 중심축(Ax)을 기준으로 양측이 서로 비대칭인 경우를 일례로 도시하였다.In FIG. 10, the shapes of the holes 200H1 and 200H2 are asymmetrical with respect to each other with respect to the center axis Ax in the first direction.

아울러, 도전성 배선(200)의 폭은 제1 방향(x)을 따라 주기적으로 증가되거나 감소하되, 도전성 배선(200)과 전기적으로 접속하는 전극이 위치하는 부분(A140)과 교차하는 부분의 폭(Wb200)은 도전성 배선(200)과 전기적으로 접속하는 전극이 위치하는 부분(A140)과 교차하지 않는 부분의 폭(Wa200)보다 크게 형성될 수 있다.The width of the conductive wiring line 200 is increased or decreased periodically along the first direction x so that the width of the portion that intersects the portion A140 where the electrode electrically connected to the conductive wiring line 200 is located Wb200 may be formed to be larger than a width Wa200 of a portion that does not intersect the portion A140 where the electrode electrically connected to the conductive wiring 200 is located.

이에 따라, 도전성 배선(200)의 열팽창 스트레스를 완화하면서, 도전성 배선(200)에서 전기적으로 접속될 전극이 위치하는 부분(A140)과 교차하는 부분에서의 폭(Wb200)을 상대적으로 더 크게 함으로써, 도전성 배선(200)과 전극 사이의 접촉 저항을 보다 낮출 수 있다.This makes it possible to relatively increase the width Wb200 at a portion intersecting the portion A 140 where the electrode to be electrically connected is located in the conductive wiring 200 while relieving the thermal expansion stress of the conductive wiring 200, The contact resistance between the conductive wiring 200 and the electrode can be further reduced.

이와 같이, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 제1, 2 도전성 배선 각각이 제1 방향 중심축을 기준으로 양측이 서로 비대칭 형상을 갖도록 하여, 도전성 배선에 의한 열팽창 스트레스를 보다 완화할 수 있다.As described above, in the solar cell module according to the present invention, the first and second conductive wirings each have an asymmetrical shape with respect to each other with respect to the central axis in the first direction, thereby further relieving thermal expansion stress caused by the conductive wirings.

이와 같이, 각 태양 전지의 후면에 제1, 2 도전성 배선 각각이 제1 방향 중심축을 기준으로 양측이 서로 비대칭으로 형성된 태양 전지 모듈의 전체 평면 모습은 다음과 같다.The entire plan view of the solar cell module in which the first and second conductive wirings are formed on the rear surface of each solar cell asymmetrically with respect to each other with respect to the first direction central axis is as follows.

도 11은 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈의 전면 전체 모습을 설명하기 위한 도이다.11 is a view for explaining a whole front view of a solar cell module according to an example of the present invention.

본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈은 복수의 태양 전지가 라미네이션 공정에 의해 캡슐화될 수 있다. In a solar cell module according to an example of the present invention, a plurality of solar cells may be encapsulated by a lamination process.

일례로, 복수의 태양 전지는 전면 투명 기판(미도시)과 후면 시트(미도시) 사이에 배치되고, EVA 시트와 같이 투명한 충진재(미도시)가 복수의 태양 전지 전체의 전면 및 후면에 배치된 상태에서, 열과 압력이 동시에 가해지는 라미네이션 공정에 의해 일체화되어 캡슐화될 수 있다.For example, a plurality of solar cells are disposed between a front transparent substrate (not shown) and a rear sheet (not shown), and a transparent filler (not shown) such as an EVA sheet is disposed on the front and back surfaces of a plurality of solar cells , They can be integrated and encapsulated by a lamination process in which heat and pressure are simultaneously applied.

아울러, 도 11에 도시된 바와 같이, 라미네이션 공정으로 캡슐화된 전면 투명 기판(미도시), 후면 시트(BS) 및 충진재(미도시)는 프레임(500)에 의해 가장 자리가 고정될 수 있다.11, the front transparent substrate (not shown), the back sheet (BS), and the filler (not shown) encapsulated by the lamination process can be fixed at the edges by the frame 500.

따라서, 도 11에 도시된 바와 같이, 태양 전지 모듈의 전면에는 전면 투명 기판(미도시)과 충진재(미도시)를 투과하여, 복수의 태양 전지와 복수의 제1, 2 도전성 배선(210, 220), 인터커넥터(300), 후면 시트(미도시) 및 프레임(500)이 보여질 수 있다.더불어, 인터커넥터(300)에 의해 복수의 태양 전지가 직렬 연결된 셀 스트링 각각은 제1 방향(x)으로 길게 위치하고, 제2 방향(y)으로 이격되어 배열될 수 있고, 이와 같은 복수의 셀 스트링은 제2 방향(y)으로 길게 뻗어 있는 버싱바(350)에 의해 제2 방향(y)으로 직렬 연결 될 수 있다.11, a front transparent substrate (not shown) and a filler (not shown) are transmitted through the front surface of the solar cell module, and a plurality of solar cells and a plurality of first and second conductive wires 210 and 220 ), The interconnector 300, the back sheet (not shown) and the frame 500. In addition, each of the cell strings in which a plurality of solar cells are connected in series by the interconnector 300, And the plurality of cell strings may be arranged in a second direction y by means of a bushing bar 350 extending long in the second direction y, Can be connected in series.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, Of the right.

Claims (15)

반도체 기판, 상기 반도체 기판의 표면에 제1 전극과 제2 전극을 각각 구비하고, 제1 방향으로 서로 인접하여 위치하는 복수의 태양 전지;
상기 복수의 태양 전지 각각에 상기 제1 방향을 따라 형성되며, 상기 제1 전극에 접속되는 복수의 제1 도전성 배선과 상기 제2 전극에 접속되는 복수의 제2 도전성 배선;을 포함하고,
상기 제1, 2 도전성 배선 각각은 상기 제1, 2 도전성 배선 각각의 제1 방향 중심축을 기준으로 양측이 서로 비대칭 형상을 갖는 태양 전지 모듈.1. A solar cell comprising: a semiconductor substrate; a plurality of solar cells each having a first electrode and a second electrode on a surface of the semiconductor substrate, the solar cells being adjacent to each other in a first direction;
And a plurality of second conductive wirings formed on the plurality of solar cells along the first direction and connected to the first electrode and a plurality of second conductive wirings connected to the second electrode,
Wherein each of the first and second conductive wirings has an asymmetrical shape on the both sides with respect to the first direction central axis of each of the first and second conductive wirings. 제1 항에 있어서,
상기 제1 도전성 배선은 균일한 선폭을 가지면서, 상기 제1 도전성 배선의 제1 방향 중심축을 기준으로 양측이 서로 비대칭 형상을 가지고,
상기 제2 도전성 배선은 균일한 선폭을 가지면서, 상기 제2 도전성 배선의 제1 방향 중심축을 기준으로 양측이 서로 비대칭 형상을 가지는 태양 전지 모듈.The method according to claim 1,
Wherein the first conductive interconnection has a uniform line width and both sides of the first conductive interconnection have an asymmetrical shape with respect to a center axis in the first direction,
Wherein the second conductive wirings have a uniform line width and both sides of the second conductive wirings have an asymmetrical shape with respect to a center axis in the first direction. 제2 항에 있어서,
상기 제1, 2 도전성 배선 각각은 각각의 제1 방향 중심축을 기준으로 양측으로 지그재그 형상을 갖는 태양 전지 모듈.3. The method of claim 2,
Wherein each of the first and second conductive wirings has a zigzag shape on both sides with respect to the central axis in the first direction. 제3 항에 있어서,
상기 지그 재그 형상을 가지는 제1, 2 도전성 배선 각각은 홀을 구비하는 태양 전지 모듈.The method of claim 3,
And each of the first and second conductive wirings having the jig jig shape has a hole. 제3 항에 있어서,
상기 제1, 2 도전성 배선 각각의 선폭은 1mm ~ 3mm 사이이고,
상기 제1, 2 도전성 배선 각각이 지그재그되는 폭은 2mm ~ 4mm 사이인 태양 전지 모듈.The method of claim 3,
The line width of each of the first and second conductive wirings is between 1 mm and 3 mm,
Wherein a width of each of the first and second conductive wirings is between 2 mm and 4 mm. 제1 항에 있어서,
상기 제1, 2 도전성 배선 각각은 홀을 구비하고, 상기 홀의 위치나 형상은 상기 제1 방향 중심축을 기준으로 비대칭인 태양 전지 모듈.The method according to claim 1,
Wherein each of the first and second conductive wirings has a hole and the position and shape of the hole are asymmetrical with respect to the first direction central axis. 제6 항에 있어서,
상기 제1, 2 도전성 배선 각각의 폭은 상기 제1 방향을 따라 주기적으로 증가되거나 감소하는 태양 전지 모듈.The method according to claim 6,
Wherein a width of each of the first and second conductive wirings is periodically increased or decreased along the first direction. 제1 항에 있어서,
상기 제1, 2 전극 각각은 상기 반도체 기판의 후면에 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 길게 배치되고,
상기 제1, 2 도전성 배선 각각은 상기 반도체 기판의 후면에 상기 제1, 2 전극에 교차하는 제1 방향을 따라 배치되는 태양 전지 모듈. The method according to claim 1,
Wherein each of the first and second electrodes is arranged on a rear surface of the semiconductor substrate in a second direction crossing the first direction,
Wherein each of the first and second conductive wirings is disposed on a rear surface of the semiconductor substrate along a first direction crossing the first and second electrodes. 제1 항에 있어서,
상기 제1 도전성 배선은 상기 제1 전극과 교차되는 부분에서 도전성 접착제에 의해 상기 제1 전극에 접속되고, 상기 제2 전극과 교차되는 부분에서 절연층에 의해 상기 제2 전극과 절연되고,
상기 제2 도전성 배선은 상기 제2 전극과 교차되는 부분에서 상기 도전성 접착제에 의해 상기 제2 전극에 접속되고, 상기 제1 전극과 교차되는 상기 절연층에 의해 상기 제1 전극과 절연되는 태양 전지 모듈.The method according to claim 1,
Wherein the first conductive wiring is connected to the first electrode by a conductive adhesive at a portion intersecting with the first electrode and is insulated from the second electrode by an insulating layer at a portion intersecting the second electrode,
Wherein the second conductive wiring is connected to the second electrode by the conductive adhesive at a portion intersecting with the second electrode and is insulated from the first electrode by the insulating layer intersecting with the first electrode, . 제1 항에 있어서,
상기 복수의 태양 전지 중 서로 인접한 제1, 2 태양 전지 사이에 배치되며, 상기 제1 태양 전지에 접속된 상기 복수의 제1 도전성 배선과 상기 제2 태양 전지에 접속된 상기 복수의 제2 도전성 배선이 공통으로 접속되는 인터커넥터;를 더 포함하는 태양 전지 모듈.The method according to claim 1,
A plurality of second conductive wires arranged between first and second solar cells adjacent to each other of the plurality of solar cells, the plurality of first conductive wires connected to the first solar cell, and the plurality of second conductive wires And an interconnector connected in common. 제11 항에 있어서,
상기 제1 태양 전지에 접속된 복수의 제1 도전성 배선의 끝부분과 상기 제2 태양 전지에 접속된 복수의 제2 도전성 배선의 끝부분 각각은 상기 반도체 기판의 투영 영역 밖으로 돌출되어, 상기 인터커넥터에 공통으로 접속되는 태양 전지 모듈.12. The method of claim 11,
The end portions of the plurality of first conductive wirings connected to the first solar cell and the end portions of the plurality of second conductive wirings connected to the second solar cell each project out of the projection region of the semiconductor substrate, To the solar cell module. 제11 항에 있어서,
상기 인터커넥터는 상기 제1, 2 태양 전지의 각 반도체 기판과 이격되는 태양 전지 모듈.12. The method of claim 11,
Wherein the interconnector is spaced apart from each semiconductor substrate of the first and second solar cells. 제10 항에 있어서,
상기 제1, 2 도전성 배선 각각에서 상기 반도체 기판의 투영 영역 밖으로 돌출된 끝부분은 상기 제1, 2 방향과 교차하는 제3 방향으로 굴곡진 부분을 포함하는 태양 전지 모듈.11. The method of claim 10,
Wherein an end portion of each of the first and second conductive wirings protruding from the projection region of the semiconductor substrate includes a bent portion in a third direction intersecting with the first and second directions. 제13 항에 있어서,
상기 제1, 2 도전성 배선의 끝부분에 형성된 굴곡진 부분은 상기 제1, 2 태양 전지 각각의 반도체 기판과 상기 인터커넥터 사이에 위치하는 태양 전지 모듈.14. The method of claim 13,
Wherein a bent portion formed at an end portion of the first and second conductive wirings is located between the semiconductor substrate of each of the first and second solar cells and the interconnector. 제13 항에 있어서,
상기 제1, 2 도전성 배선의 끝부분에 형성된 굴곡진 부분은 상기 태양 전지 모듈의 후면 방향으로 돌출되는 태양 전지 모듈. 14. The method of claim 13,
Wherein a bent portion formed at an end portion of the first and second conductive wirings protrudes in a rear direction of the solar cell module.
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