KR101816183B1 - Solar cell module - Google Patents

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KR101816183B1 KR1020170067565A KR20170067565A KR101816183B1 KR 101816183 B1 KR101816183 B1 KR 101816183B1 KR 1020170067565 A KR1020170067565 A KR 1020170067565A KR 20170067565 A KR20170067565 A KR 20170067565A KR 101816183 B1 KR101816183 B1 KR 101816183B1
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Abstract

본 발명은 태양 전지 모듈에 관한 것이다.
본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 반도체 기판; 반도체 기판에 서로 다른 극성을 가지며, 제1 방향으로 길게 배치되는 복수의 제1 전극과 복수의 제2 전극을 각각 구비하는 복수의 태양 전지; 각각이 복수의 태양 전지 각각에 접속되되, 복수의 제1, 2 전극에 교차하는 제2 방향으로 길게 배치되며, 복수의 제1 전극에 중첩되어 접속되는 복수의 제1 도전성 배선과 복수의 제2 전극에 중첩되어 접속되는 복수의 제2 도전성 배선; 및 복수의 태양 전지 중 서로 인접한 두 개의 제1, 2 태양 전지 사이에 제1 방향으로 길게 배치되고, 두 개의 태양 전지 중 제1 태양 전지에 접속된 복수의 제1 도전성 배선과 두 개의 태양 전지 중 제2 태양 전지에 접속된 복수의 제2 도전성 배선이 공통으로 접속되는 인터커넥터;를 포함하고, 인터커넥터의 평면 형상은 인터커넥터에서 제1 방향과 나란한 방향의 중심선을 기준으로 비대칭 형상을 갖는다.
The present invention relates to a solar cell module.
A solar cell module according to the present invention includes: a semiconductor substrate; A plurality of solar cells each having a plurality of first electrodes and a plurality of second electrodes arranged in a first direction and having different polarities on the semiconductor substrate; Each of which is connected to each of the plurality of solar cells and is arranged in a second direction crossing the plurality of first and second electrodes and connected to the plurality of first electrodes by a plurality of first conductive wires and a plurality of second A plurality of second conductive wirings superimposed and connected to the electrodes; And a plurality of first conductive wirings arranged in a first direction between the two first and second solar cells adjacent to each other of the plurality of solar cells and connected to the first solar cell of the two solar cells, And a plurality of second conductive wirings connected to the second solar cell are connected in common. The planar shape of the interconnector has an asymmetrical shape with respect to a center line in a direction parallel to the first direction in the interconnector.

Description

태양 전지 모듈{SOLAR CELL MODULE}Solar cell module {SOLAR CELL MODULE}

본 발명은 태양 전지 모듈에 관한 것이다. The present invention relates to a solar cell module.

최근 석유나 석탄과 같은 기존 에너지 자원의 고갈이 예측되면서 이들을 대체할 대체 에너지에 대한 관심이 높아지고, 이에 따라 태양 에너지로부터 전기 에너지를 생산하는 태양 전지가 주목받고 있다.Recently, as energy resources such as oil and coal are expected to be depleted, interest in alternative energy to replace them is increasing, and solar cells that produce electric energy from solar energy are attracting attention.

일반적인 태양 전지는 p형과 n형처럼 서로 다른 도전성 타입(conductive type)에 의해 p-n 접합을 형성하는 반도체부, 그리고 서로 다른 도전성 타입의 반도체부에 각각 연결된 전극을 구비한다. Typical solar cells have a semiconductor portion that forms a p-n junction by different conductive types, such as p-type and n-type, and electrodes connected to semiconductor portions of different conductivity types, respectively.

이러한 태양 전지에 빛이 입사되면 반도체부에서 복수의 전자-정공 쌍이 생성되고, 생성된 전자-정공 쌍은 전하인 전자와 정공으로 각각 분리되어, 전자는 n형의 반도체부 쪽으로 이동하고 정공은 p형의 반도체부 쪽으로 이동한다. 이동한 전자와 정공은 각각 n형의 반도체부와 p형의 반도체부에 연결된 서로 다른 전극에 의해 수집되고 이 전극들을 전선으로 연결함으로써 전력을 얻는다.When light is incident on such a solar cell, a plurality of electron-hole pairs are generated in the semiconductor portion, and the generated electron-hole pairs are separated into electrons and holes, respectively, so that the electrons move toward the n- Type semiconductor portion. The transferred electrons and holes are collected by different electrodes connected to the n-type semiconductor portion and the p-type semiconductor portion, respectively, and electric power is obtained by connecting these electrodes with electric wires.

이와 같은 태양 전지는 복수 개가 인터커넥터에 의해 서로 연결되어 모듈로 형성될 수 있다.A plurality of such solar cells may be formed as modules by being connected to each other by inter connecters.

본 발명은 태양 전지 모듈을 제공하는데 그 목적이 있다.An object of the present invention is to provide a solar cell module.

본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 반도체 기판; 반도체 기판에 서로 다른 극성을 가지며, 제1 방향으로 길게 배치되는 복수의 제1 전극과 복수의 제2 전극을 각각 구비하는 복수의 태양 전지; 각각이 복수의 태양 전지 각각에 접속되되, 복수의 제1, 2 전극에 교차하는 제2 방향으로 길게 배치되며, 복수의 제1 전극에 중첩되어 접속되는 복수의 제1 도전성 배선과 복수의 제2 전극에 중첩되어 접속되는 복수의 제2 도전성 배선; 및 복수의 태양 전지 중 서로 인접한 두 개의 제1, 2 태양 전지 사이에 제1 방향으로 길게 배치되고, 두 개의 태양 전지 중 제1 태양 전지에 접속된 복수의 제1 도전성 배선과 두 개의 태양 전지 중 제2 태양 전지에 접속된 복수의 제2 도전성 배선이 공통으로 접속되는 인터커넥터;를 포함하고, 인터커넥터의 평면 형상은 인터커넥터에서 제1 방향과 나란한 방향의 중심선을 기준으로 비대칭 형상을 갖는다.A solar cell module according to the present invention includes: a semiconductor substrate; A plurality of solar cells each having a plurality of first electrodes and a plurality of second electrodes arranged in a first direction and having different polarities on the semiconductor substrate; Each of which is connected to each of the plurality of solar cells and is arranged in a second direction crossing the plurality of first and second electrodes and connected to the plurality of first electrodes by a plurality of first conductive wires and a plurality of second A plurality of second conductive wirings superimposed and connected to the electrodes; And a plurality of first conductive wirings arranged in a first direction between the two first and second solar cells adjacent to each other of the plurality of solar cells and connected to the first solar cell of the two solar cells, And a plurality of second conductive wirings connected to the second solar cell are connected in common. The planar shape of the interconnector has an asymmetrical shape with respect to a center line in a direction parallel to the first direction in the interconnector.

여기서, 제1 태양 전지에 접속된 제1 도전성 배선이 인터커넥터에 접속하는 제1 접속 부분과 제2 태양 전지에 접속된 제2 도전성 배선이 인터커넥터에 접속하는 제2 접속 부분은 인터커넥터의 길이 방향인 제1 방향을 따라 교번하여 위치하고, 인터커넥터는 제1 접속 부분에서 중심선을 기준으로 비대칭 형상을 가지며, 제2 접속 부분에서 중심선을 기준으로 비대칭 형상을 가질 수 있다.Here, the first connecting portion, which is connected to the first solar cell and is connected to the interconnector, and the second connecting portion, which is connected to the interconnector by the second conductive interconnect that is connected to the second solar cell, And the interconnector has an asymmetrical shape with respect to the center line in the first connecting portion and an asymmetrical shape with respect to the center line in the second connecting portion.

보다 구체적으로, 인터커넥터의 평면 형상은 중심선을 기준으로 비대칭으로 형성되는 슬릿, 홀, 돌출부, 함몰부, 또는 지그재그 형상 중 적어도 하나의 형상을 구비할 수 있다.More specifically, the planar shape of the interconnector may include at least one of a slit, a hole, a protrusion, a depression, or a zigzag shape formed asymmetrically with respect to a center line.

일례로, 인터커넥터의 평면 형상은 지그재그 형상을 구비하되, 지그재그 형상은 인터커넥터를 평면에서 보았을 때, 중심선을 기준으로 일측면은 돌출되고, 타측면은 함몰될 수 있다.For example, the planar shape of the interconnector has a zigzag shape, wherein the zigzag shape can protrude from one side with respect to the centerline when the interconnector is viewed from the plane, and the other side can be recessed.

여기서, 지그재그 형상을 갖는 인터커넥터는 제1 접속부분에서 제1 태양 전지와 바로 이웃한 제1 측면은 제1 태양 전지 방향으로 돌출되고, 중심선을 기준으로 대칭되고, 제2 태양 전지와 바로 이웃한 제2 측면은 중심선 방향으로 함몰되고, 제2 접속 부분에서 제2 측면은 제2 태양 전지 방향으로 돌출되고, 제1 측면은 중심선 방향으로 함몰될 수 있다.Here, the inter connecter having a zigzag shape is characterized in that the first side adjacent to the first solar cell in the first connecting portion protrudes in the direction of the first solar cell, is symmetrical with respect to the center line, The second side is recessed in the center line direction, the second side in the second connecting portion protrudes in the direction of the second solar cell, and the first side can be recessed in the centerline direction.

여기서, 지그재그 형상을 갖는 인터커넥터의 선폭은 1mm ~ 3mm 사이이고, 오차 범위 10% 이하의 범위에서 균일할 수 있다.Here, the linewidth of the inter connecter having a zigzag shape is between 1 mm and 3 mm, and can be uniform within an error range of 10% or less.

또한, 지그재그 형상을 갖는 인터커넥터에서 돌출된 일측면에서 돌출된 타측면까지의 제2 방향 폭은 2mm ~ 4mm 사이일 수 있다.The width in the second direction from the one side projecting from the zigzag-shaped inter connector to the other side projecting from the one side may be between 2 mm and 4 mm.

또는, 인터커넥터의 평면 형상은 중심선을 기준으로 비대칭으로 형성되는 돌출부 및/또는 함몰부를 구비하되, 제1 접속부분에서 제1 측면에는 돌출부가 구비되고, 제2 측면에는 돌출부가 구비되지 않거나 함몰부가 구비되고, 제2 접속부분에서 제2 측면에는 돌출부가 구비되고, 제1 측면에는 돌출부가 구비되지 않거나 함몰부가 구비될 수 있다.Alternatively, the planar shape of the interconnector has protrusions and / or depressions that are formed asymmetrically with respect to the center line, wherein the first side of the first connection portion is provided with the protrusion, the second side is not provided with the protrusion, The second side surface of the second connection portion is provided with a protrusion, and the first side surface may not have a protrusion or may be provided with a depression.

여기서, 돌출부의 제1 방향으로의 폭은 1mm ~ 3mm 사이일 수 있다.Here, the width of the protrusion in the first direction may be between 1 mm and 3 mm.

또는, 인터커넥터의 평면 형상은 중심선을 기준으로 비대칭으로 형성되는 함몰부를 구비하되, 제1 접속부분에서 제2 측면에는 함몰부가 구비되고, 제2 측면과 대칭되는 제1 측면에는 함몰부가 구비되지 않고, 제2 접속부분에서 제1 측면에는 함몰부가 구비되고, 제2 측면에는 함몰부가 구비되지 않을 수 있다.Alternatively, the planar shape of the interconnector may include a depression formed asymmetrically with respect to a center line, the depression may be formed in the second side surface of the first connection portion, and the depression may not be provided in the first side surface that is symmetrical with the second side surface , The first side surface of the second connection portion may have a depression, and the second side surface may not have a depression.

여기서, 함몰부의 제1 방향으로의 폭은 1mm ~ 3mm 사이일 수 있다.Here, the width of the depressed portion in the first direction may be between 1 mm and 3 mm.

또는, 인터커넥터의 평면 형상은 중심선을 기준으로 비대칭으로 위치하는 슬릿 또는 홀을 구비하되, 제1 접속부분에서 중심선을 기준으로 제1 측면에 인접한 영역에는 슬릿 또는 홀이 구비되고, 중심선을 기준으로 제2 측면에 인접한 영역에는 슬릿 또는 홀이 구비되지 않고, 제2 접속부분에서 중심선을 기준으로 제2 측면에 인접한 영역에는 슬릿 또는 홀이 구비되고, 중심선을 기준으로 제1 측면에 인접한 영역에는 슬릿 또는 홀이 구비되지 않을 수 있다.Alternatively, the planar shape of the interconnector may include a slit or hole located asymmetrically with respect to the center line, wherein a slit or hole is provided in a region adjacent to the first side with respect to a center line in the first connecting portion, The slit or hole is not provided in the region adjacent to the second side and the slit or hole is provided in the region adjacent to the second side with respect to the center line in the second connecting portion, Or holes may not be provided.

또한, 제1 도전성 배선은 복수의 태양 전지 각각에서 제1 전극에 도전성 접착제를 통해 접속되고, 제2 전극에는 절연층에 의해 절연되고, 제2 도전성 배선은 제1 도전성 배선과 이격되며, 제2 전극에 도전성 접착제를 통해 접속되고, 제1 전극에는 절연층에 의해 절연될 수 있다.The first conductive wiring is connected to the first electrode through a conductive adhesive in each of the plurality of solar cells, the second electrode is insulated by the insulating layer, the second conductive wiring is separated from the first conductive wiring, The electrode may be connected to the electrode through a conductive adhesive, and the first electrode may be insulated by an insulating layer.

또한, 제1, 2 태양 전지 각각의 반도체 기판은 제1 도전성 타입의 불순물이 도핑되고, 제1 전극은 반도체 기판의 후면에 위치하고, 제1 도전성과 반대인 제2 도전성의 불순물이 도핑되는 에미터부에 접속되고, 제2 전극은 반도체 기판의 후면에 위치하고, 반도체 기판보다 제1 도전성 타입의 불순물이 고농도로 도핑되는 후면 전계부에 접속될 수 있다.The semiconductor substrate of each of the first and second solar cells is doped with an impurity of the first conductivity type and the first electrode is located on the rear surface of the semiconductor substrate and is doped with a second conductive impurity opposite to the first conductivity. And the second electrode is located on the rear surface of the semiconductor substrate and can be connected to the rear electric field portion in which the impurity of the first conductive type is doped at a higher concentration than the semiconductor substrate.

본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈은 인터커넥터가 중심선을 기준으로 비대칭 형상을 갖도록 함으로써, 제1, 2 도전성 배선의 의해 인터커넥터에 열팽창 스트레스가 가해지더라도, 인터커넥터의 구조적 변형을 완화시키거나, 제1, 2 도전성 배선과 인터커넥터 사이의 접착력이 저하되는 것을 최소화할 수 있다.The solar cell module according to an embodiment of the present invention has an asymmetrical shape with respect to the center line of the solar cell module, so that even if thermal stress is applied to the interconnector by the first and second conductive interconnections, It is possible to minimize the decrease in the adhesive force between the first and second conductive wirings and the inter-connector.

도 1 내지 도 4는 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 5는 도 1에 도시된 본 발명에 따른 태양 전지 모듈을 전면에서 바라봤을 때, 인터커넥터의 평면 형상이 비대칭 구조의 지그재그 형상을 갖는 일례를 보다 구체적으로 설명하기 위한 도이다.
도 6은 본 발명에 따른 태양 전지 모듈을 전면에서 바라봤을 때, 인터커넥터의 평면 형상이 비대칭 구조의 함몰부를 갖는 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 7은 본 발명에 따른 태양 전지 모듈을 전면에서 바라봤을 때, 인터커넥터의 평면 형상이 비대칭 구조의 돌출부를 갖는 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 8은 본 발명에 따른 태양 전지 모듈을 전면에서 바라봤을 때, 인터커넥터의 평면 형상이 비대칭 구조의 돌출부 및 함몰부를 갖는 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 9 내지 도 11은 본 발명에 따른 태양 전지 모듈을 전면에서 바라봤을 때, 인터커넥터에 슬릿 또는 홀이 비대칭으로 위치하여 구비된 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 12는 본 발명에 따른 태양 전지 모듈을 전면에서 바라봤을 때, 인터커넥터의 평면 형상이 제1 방향에 따라 증가하거나 감소하도록 형성된 상태에서, 슬릿이 인터커넥터에 비대칭으로 위치하는 일례를 설명하기 위한 도이다.
1 to 4 are views for explaining an example of a solar cell module according to the present invention.
5 is a view for explaining an example in which the planar shape of the interconnector has a zigzag shape of an asymmetric structure when viewed from the front of the solar cell module according to the present invention shown in FIG.
6 is a view for explaining an example in which the planar shape of the interconnector has a depressed portion having an asymmetrical structure when the solar cell module according to the present invention is viewed from the front.
FIG. 7 is a view illustrating an example in which the planar shape of the interconnector has an asymmetrical protrusion when the solar cell module according to the present invention is viewed from the front. FIG.
8 is a view for explaining an example in which the planar shape of the interconnector has protrusions and depressions having an asymmetric structure when the solar cell module according to the present invention is viewed from the front.
9 to 11 are views for explaining an example in which a slit or a hole is asymmetrically located in the interconnector when the solar cell module according to the present invention is viewed from the front.
12 is a view illustrating an example in which the slit is asymmetrically located on the interconnector in a state in which the plane shape of the interconnector is increased or decreased along the first direction when the solar cell module according to the present invention is viewed from the front side .

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. In order to clearly illustrate the present invention, parts not related to the description are omitted, and similar parts are denoted by like reference characters throughout the specification.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한 어떤 부분이 다른 부분 위에 “전체적”으로 형성되어 있다고 할 때에는 다른 부분의 전체 면에 형성되어 있는 것뿐만 아니라 가장 자리 일부에는 형성되지 않은 것을 뜻한다.In the drawings, the thickness is enlarged to clearly represent the layers and regions. When a layer, film, region, plate, or the like is referred to as being "on" another portion, it includes not only the case directly above another portion but also the case where there is another portion in between. Conversely, when a part is "directly over" another part, it means that there is no other part in the middle. Further, when a certain portion is formed as "whole" on another portion, it means not only that it is formed on the entire surface of the other portion but also that it is not formed on the edge portion.

이하에서, 전면이라 함은 직사광이 입사되는 반도체 기판(110)의 일면일 수 있으며, 후면이라 함은 직사광이 입사되지 않거나, 직사광이 아닌 반사광이 입사될 수 있는 반도체 기판(110)의 반대면일 수 있다.Hereinafter, the front surface may be a surface of the semiconductor substrate 110 on which the direct light is incident, and the rear surface may be an opposite surface of the semiconductor substrate 110 on which the direct light is not incident, have.

도 1 내지 도 4는 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 일례를 설명하기 위한 도이다. 1 to 4 are views for explaining an example of a solar cell module according to the present invention.

여기서, 도 1은 태양 전지 모듈을 후면에서 바라본 형상의 일례이다.Here, FIG. 1 is an example of a shape of the solar cell module viewed from the rear side.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 복수의 태양 전지(C1, C2), 복수의 도전성 배선들(200) 및 인터커넥터(300)를 포함할 수 있다.1, the solar cell module according to the present invention may include a plurality of solar cells C1 and C2, a plurality of conductive wirings 200, and an interconnector 300.

여기서, 복수의 태양 전지(C1, C2) 각각은 적어도 반도체 기판(110) 및 반도체 기판(110)의 후면에 서로 이격되어 제1 방향(x)으로 길게 뻗어 형성되는 복수의 제1 전극(141)들(141)과 복수의 제2 전극(142)들(142)을 구비할 수 있다.Each of the plurality of solar cells C1 and C2 includes a plurality of first electrodes 141 spaced apart from each other at least on the rear surface of the semiconductor substrate 110 and the semiconductor substrate 110 and extending in a first direction x, And a plurality of second electrodes 142 (142).

아울러, 복수의 도전성 배선(200)은 제1, 2 전극(141, 142)의 길이 방향인 제1 방향(x)과 교차하는 제2 방향(y)으로 길게 뻗어 배치되고, 복수의 태양 전지 각각에 접속될 수 있다.The plurality of conductive wirings 200 are extended in a second direction y intersecting with the first direction x which is the longitudinal direction of the first and second electrodes 141 and 142, Lt; / RTI >

이와 같은, 복수의 도전성 배선(200)은 복수의 제1 전극(141)에 중첩되어 접속되는 복수의 제1 도전성 배선(210)과 복수의 제2 전극(142)에 중첩되어 접속되는 복수의 제2 도전성 배선(220)을 포함할 수 있다.The plurality of conductive wirings 200 may include a plurality of first conductive wirings 210 connected to a plurality of first electrodes 141 and connected to the plurality of second electrodes 142 in a superposed manner, 2 conductive wirings 220 as shown in FIG.

보다 구체적으로, 제1 도전성 배선(210)은 각 태양 전지에 구비된 제1 전극(141)에 도전성 접착제(251)를 통하여 접속되고, 절연성 재질의 절연층(252)에 의해 제2 전극(142)과 절연될 수 있다.More specifically, the first conductive wiring 210 is connected to the first electrode 141 provided in each solar cell through the conductive adhesive 251, and the second electrode 142 ).

아울러, 제2 도전성 배선(220)은 각 태양 전지에 구비된 제2 전극(142)에 도전성 접착제(251)를 통하여 접속되고, 절연성 재질의 절연층(252)에 의해 제1 전극(141)과 절연될 수 있다.The second conductive wiring 220 is connected to the second electrode 142 provided in each solar cell via the conductive adhesive 251 and is electrically connected to the first electrode 141 and the second electrode 142 by an insulating layer 252 made of an insulating material. Can be insulated.

이와 같은 복수의 도전성 배선(200)은 복수의 태양 전지 중 서로 인접한 두 개의 태양 전지 중 어느 하나의 태양 전지, 일례로 제1 태양 전지(C1)에 구비된 복수의 제1 전극(141)과 나머지 하나의 태양 전지, 일례로 제2 태양 전지(C2)에 구비된 복수의 제2 전극(142)을 인터커넥터(300)를 통해 서로 전기적으로 직렬 연결할 수 있다.The plurality of conductive wirings 200 may include any one of two solar cells adjacent to each other among a plurality of solar cells, for example, a plurality of first electrodes 141 provided in the first solar cell C1, A plurality of second electrodes 142 provided in a single solar cell, for example, the second solar cell C2, may be electrically connected to each other in series via the interconnector 300.

보다 구체적으로, 인터커넥터(300)는 제1 태양 전지(C1)와 제2 태양 전지(C2) 사이에 제1 방향(x)으로 길게 뻗어 배치될 수 있다. 일례로, 인터커넥터(300)는 제1 태양 전지(C1)의 반도체 기판(110) 및 제2 태양 전지(C2)의 반도체 기판(110)과 이격되어 배치될 수 있다.More specifically, the inter connector 300 may be disposed so as to extend in the first direction (x) between the first solar cell C1 and the second solar cell C2. For example, the interconnect 300 may be spaced apart from the semiconductor substrate 110 of the first solar cell C1 and the semiconductor substrate 110 of the second solar cell C2.

아울러, 이와 같은 인터커넥터(300)에 제1 태양 전지(C1)의 제1 전극(141)에 접속된 제1 도전성 배선(210)과 제2 태양 전지(C2)의 제2 전극(142)에 접속된 제2 도전성 배선(220)이 공통으로 접속되어, 제1, 2 태양 전지(C1, C2)는 제2 방향(y)으로 서로 직렬 연결될 수 있다.The first conductive interconnect 210 connected to the first electrode 141 of the first solar cell C1 and the second electrode 142 of the second solar cell C2 are connected to the interconnector 300, The connected second conductive wires 220 are connected in common so that the first and second solar cells C1 and C2 can be connected in series in the second direction y.

한편, 본 발명에서 인터커넥터(300)의 평면 형상은 인터커넥터(300)에서 제1 방향(x)과 나란한 방향의 중심선(300CL)을 기준으로 비대칭 형상을 가질 수 있다. 이와 같이, 본 발명에 따른 인터커넥터(300)는 평면 형상이 중심선(300CL)을 기준으로 비대칭 형상을 갖도록 함으로써, 제1, 2 도전성 배선(210, 220)에 의해 발생되는 열 팽창 스트레스를 완화할 수 있다.Meanwhile, in the present invention, the plane shape of the inter connecter 300 may have an asymmetrical shape with respect to the center line 300CL in a direction parallel to the first direction (x) in the interconnector 300. [ As described above, the interconnector 300 according to the present invention has an asymmetrical shape with respect to the center line 300CL in plan view, thereby reducing the thermal expansion stress generated by the first and second conductive interconnects 210 and 220 .

이와 같은 인터커넥터(300)의 평면 형상에 대해서는 도 5 이하에서 보다 구체적으로 설명한다.The planar shape of the interconnector 300 will be described later in more detail with reference to FIG.

이와 같은 태양 전지 모듈의 각 구성 부분에 대해 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다. Each constituent part of the solar cell module will be described in more detail as follows.

도 2는 도 1에 적용되는 태양 전지의 일례를 나타내는 일부 사시도이고, 도 3은 도 2에 도시된 태양 전지의 제2 방향(y) 단면을 도시한 것이다.FIG. 2 is a partial perspective view showing an example of a solar cell applied to FIG. 1, and FIG. 3 is a sectional view of the solar cell shown in FIG. 2 in a second direction (y).

도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 태양 전지의 일례는 반사 방지막(130), 반도체 기판(110), 터널층(180), 에미터부(121), 후면 전계부 (172, back surface field, BSF), 진성 반도체층(150), 패시베이션층(190), 복수의 제1 전극(141) 및 복수의 제2 전극(142)을 구비할 수 있다. 2 and 3, an example of a solar cell according to the present invention includes an antireflection film 130, a semiconductor substrate 110, a tunnel layer 180, an emitter section 121, a rear electric section 172, a backside surface field (BSF), an intrinsic semiconductor layer 150, a passivation layer 190, a plurality of first electrodes 141, and a plurality of second electrodes 142.

여기서, 반사 방지막(130), 진성 반도체층(150), 터널층(180) 및 패시베이층(190)은 생략될 수도 있으나, 구비된 경우 태양 전지의 효율이 더 향상되므로, 이하에서는 구비된 경우를 일례로 설명한다.Here, the antireflection film 130, the intrinsic semiconductor layer 150, the tunnel layer 180, and the passivation layer 190 may be omitted. However, since the efficiency of the solar cell is improved when provided, As an example.

반도체 기판(110)은 제 1 도전성 타입의 불순물을 함유하는 단결정 실리콘, 다결정 실리콘 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. 일례로, 반도체 기판(110)은 단결정 실리콘 웨이퍼로 형성될 수 있다.The semiconductor substrate 110 may be formed of at least one of monocrystalline silicon and polycrystalline silicon containing an impurity of the first conductivity type. In one example, the semiconductor substrate 110 may be formed of a single crystal silicon wafer.

여기서, 제1 도전성 타입은 n형 또는 p형 도전성 타입 중 어느 하나일 수 있다. Here, the first conductivity type may be any one of n-type and p-type conductivity types.

반도체 기판(110)이 p형의 도전성 타입을 가질 경우, 붕소(B), 갈륨, 인듐 등과 같은 3가 원소의 불순물이 반도체 기판(110)에 도핑(doping)된다. 하지만, 반도체 기판(110)이 n형의 도전성 타입을 가질 경우, 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 등과 같이 5가 원소의 불순물이 반도체 기판(110)에 도핑될 수 있다.When the semiconductor substrate 110 has a p-type conductivity type, impurity of a trivalent element such as boron (B), gallium, indium, or the like is doped in the semiconductor substrate 110. However, when the semiconductor substrate 110 has an n-type conductivity type, impurities of pentavalent elements such as phosphorus (P), arsenic (As), and antimony (Sb) may be doped into the semiconductor substrate 110.

이하에서는 이와 같은 반도체 기판(110)의 제1 도전성 타입이 n형인 경우를 일례로 설명한다.Hereinafter, a case where the first conductive type of the semiconductor substrate 110 is n-type will be described as an example.

이러한 반도체 기판(110)의 전면에 복수의 요철(200P)면을 가질 수 있다. 이로 인해 반도체 기판(110)의 전면 위에 위치한 에미터부(121) 역시 요철(200P)면을 가질 수 있다. A plurality of uneven portions 200P may be formed on the entire surface of the semiconductor substrate 110. Accordingly, the emitter section 121 located on the front surface of the semiconductor substrate 110 may also have a concave and convex (200P) surface.

이로 인해, 반도체 기판(110)의 전면에서 반사되는 빛의 양이 감소하여 반도체 기판(110) 내부로 입사되는 빛의 양이 증가할 수 있다.Accordingly, the amount of light reflected from the front surface of the semiconductor substrate 110 decreases, and the amount of light incident into the semiconductor substrate 110 increases.

반사 방지막(130)은 외부로부터 반도체 기판(110)의 전면으로 입사되는 빛의 반사를 최소화하기 위하여, 반도체 기판(110)의 전면 위에 위치하며, 알루미늄 산화막(AlOx), 실리콘 질화막(SiNx), 실리콘 산화막(SiOx) 및 실리콘 산화질화막(SiOxNy) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. The antireflection film 130 is formed on the front surface of the semiconductor substrate 110 to minimize the reflection of light incident from the outside to the front surface of the semiconductor substrate 110. The antireflection film 130 is formed of an aluminum oxide film (AlOx), a silicon nitride film (SiNx) An oxide film (SiOx), and a silicon oxynitride film (SiOxNy).

터널층(180)은 반도체 기판(110)의 후면 전체에 직접 접촉하여 배치되며, 유전체 재질을 포함할 수 있다. 따라서, 터널층(180)은 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)에서 생성되는 캐리어를 통과시킬 수 있다.The tunnel layer 180 is disposed in direct contact with the entire rear surface of the semiconductor substrate 110, and may include a dielectric material. Therefore, the tunnel layer 180 can pass carriers generated in the semiconductor substrate 110, as shown in FIGS.

이와 같은 터널층(180)은 반도체 기판(110)에서 생성된 캐리어를 통과시키며, 반도체 기판(110)의 후면에 대한 패시베이션 기능을 수행할 수 있다.The tunnel layer 180 may pass carriers generated in the semiconductor substrate 110 and passivate the back surface of the semiconductor substrate 110.

아울러, 터널층(180)은 600℃ 이상의 고온 공정에도 내구성이 강한 SiCx 또는 SiOx로 형성되는 유전체 재질로 형성될 수 있다. In addition, the tunnel layer 180 may be formed of a dielectric material formed of SiCx or SiOx having high durability even at a high temperature process of 600 DEG C or more.

에미터부(121)는 반도체 기판(110)의 후면에 배치되며, 일례로, 터널층(180)의 후면의 일부에 직접 접촉하여, 복수 개가 제1 방향(x)으로 길게 배치되며, 제1 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입을 갖는 다결정 실리콘 재질로 형성될 수 있으며, 에미터부(121)는 터널층(180)을 사이에 두고 반도체 기판(110)과 p-n 접합을 형성할 수 있다.The emitter layer 121 is disposed on the rear surface of the semiconductor substrate 110. For example, a plurality of the emitter layers 121 are arranged in a first direction (x) so as to be in direct contact with a part of the rear surface of the tunnel layer 180, Type emitter layer 121 may be formed of a polycrystalline silicon material having a second conductivity type opposite to that of the emitter layer 121. The emitter layer 121 may form a pn junction with the semiconductor substrate 110 via the tunnel layer 180. [

각 에미터부(121)는 반도체 기판(110)과 p-n접합을 형성하므로, 에미터부(121)는 p형의 도전성 타입을 가질 수 있다. 그러나, 본 발명의 일례와 달리, 반도체 기판(110)이 p형의 도전성 타입을 가질 경우, 에미터부(121)는 n형의 도전성 타입을 가진다. 이 경우, 분리된 전자는 복수의 에미터부(121)쪽으로 이동하고 분리된 정공은 복수의 후면 전계부(172)쪽으로 이동할 수 있다.Since each emitter section 121 forms a p-n junction with the semiconductor substrate 110, the emitter section 121 can have a p-type conductivity type. However, unlike the example of the present invention, when the semiconductor substrate 110 has the p-type conductivity type, the emitter portion 121 has the n-type conductivity type. In this case, the separated electrons move toward the plurality of emitter portions 121 and the separated holes can move toward the plurality of rear electric fields 172.

복수의 에미터부(121)가 p형의 도전성 타입을 가질 경우 에미터부(121)에는 3가 원소의 불순물이 도핑될 수 있고, 반대로 복수의 에미터부(121)가 n형의 도전성 타입을 가질 경우, 에미터부(121)에는 5가 원소의 불순물이 도핑될 수 있다.When the plurality of emitter sections 121 have a p-type conductivity type, the emitter section 121 can be doped with an impurity of a trivalent element. Conversely, when the plurality of emitter sections 121 have an n-type conductivity type , The emitter portion 121 may be doped with an impurity of a pentavalent element.

후면 전계부(172)는 반도체 기판(110)의 후면에 배치되며, 일례로 터널층(180)의 후면 중에서 전술한 복수의 에미터부(121) 각각과 이격된 일부 영역에 직접 접촉하여, 복수 개가 에미터부(121)와 나란한 제1 방향(x)으로 길게 위치하도록 형성될 수 있다. The rear electric field portion 172 is disposed on the rear surface of the semiconductor substrate 110 and is in direct contact with a part of the rear surface of the tunnel layer 180 which is spaced apart from each of the plurality of emitter portions 121, May be formed to be long in a first direction (x) side by side with the emitter part (121).

이와 같은 후면 전계부(172)는 제1 도전성 타입의 불순물이 반도체 기판(110)보다 고농도로 도핑되는 다결정 실리콘 재질로 형성될 수 있다. 따라서, 예를 들어, 기판이 n형 타입의 불순물로 도핑되는 경우, 복수의 후면 전계부(172)는 n+의 불순물 영역일 수 있다.The rear electric field portion 172 may be formed of a polycrystalline silicon material doped with impurities of the first conductivity type at a higher concentration than the semiconductor substrate 110. Thus, for example, when the substrate is doped with an n-type impurity, the plurality of backside electrical paths 172 may be n + impurity regions.

이러한 후면 전계부(172)는 반도체 기판(110)과 후면 전계부(172)와의 불순물 농도 차이로 인한 전위 장벽에 의해 전자의 이동 방향인 후면 전계부(172) 쪽으로의 정공 이동을 방해하는 반면, 후면 전계부(172) 쪽으로의 캐리어(예, 전자) 이동을 용이하게 할 수 있다. The rear electric field 172 disturbs the hole movement toward the rear electric field 172, which is the movement direction of the electrons, due to the potential barrier due to the difference in impurity concentration between the semiconductor substrate 110 and the rear electric field 172, (E. G., Electrons) to the backside electrical < / RTI >

따라서, 후면 전계부(172) 및 그 부근 또는 제1 및 제2 전극(142)(141, 142)에서 전자와 정공의 재결합으로 손실되는 전하의 양을 감소시키고 전자 이동을 가속화시켜 후면 전계부(172)로의 전자 이동량을 증가시킬 수 있다. Thus, by reducing the amount of charge lost due to recombination of electrons and holes in the rear electric field 172 and in the vicinity thereof or at the first and second electrodes 142, 141 and 142 and accelerating electron movement, 172 can be increased.

여기의 도 2 및 도 3에서는 에미터부와 후면 전계부가 터널층의 후면에 다결정 실리콘 재질로 형성된 경우를 일례로 설명하였으나, 이와 다르게, 터널층이 생략된 경우, 에미터부와 후면 전계부는 반도체 기판(110)의 후면 내에 불순물이 확산되어 도핑될 수도 있다. 이와 같은 경우, 에미터부와 후면 전계부는 반도체 기판(110)과 동일한 단결정 실리콘 재질로 형성될 수도 있다.2 and 3, the case where the emitter portion and the rear electric field portion are formed of a polycrystalline silicon material on the rear surface of the tunnel layer has been described as an example. Alternatively, when the tunnel layer is omitted, 110 may be diffused and doped. In this case, the emitter portion and the rear surface electric portion may be formed of the same single-crystal silicon material as the semiconductor substrate 110.

진성 반도체층(150)은 에미터부와 후면 전계부 사이에 노출된 터널층의 후면에 형성될 수 있고, 이와 같은 진성 반도체층(150)은 에미터부(121) 및 후면 전계부(172)와 다르게 제1 도전성 타입의 불순물 또는 제2 도전성 타입의 불순물이 도핑되지 않은 진성 다결정 실리콘층으로 형성될 수 있다.The intrinsic semiconductor layer 150 may be formed on the back surface of the tunnel layer exposed between the emitter portion and the rear electric portion and the intrinsic semiconductor layer 150 may be formed on the back surface of the tunnel layer, The impurity of the first conductivity type or the impurity of the second conductivity type may be formed of an intrinsic polycrystalline silicon layer not doped.

아울러, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 진성 반도체층(150)의 양측면 각각은 에미터부(121)의 측면 및 후면 전계부(172)의 측면에 직접 접촉되는 구조를 가질 수 있다.2 and 3, each of the opposite side surfaces of the intrinsic semiconductor layer 150 may have a structure in which the side surfaces of the emitter layer 121 and the side surfaces of the rear electric section 172 are in direct contact with each other.

패시베이션층(190)은 후면 전계부(172), 진성 반도체층(150) 및 에미터부(121)에 형성되는 다결정 실리콘 재질의 층의 후면에 형성된 뎅글링 본드(dangling bond)에 의한 결함을 제거하여, 반도체 기판(110)으로부터 생성된 캐리어가 뎅글링 본드(dangling bond)에 의해 재결합되어 소멸되는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다.The passivation layer 190 is formed by removing a defect caused by a dangling bond formed on the rear surface of the polycrystalline silicon layer formed on the rear electric field portion 172, the intrinsic semiconductor layer 150, and the emitter portion 121 , And to prevent the carriers generated from the semiconductor substrate 110 from being recombined by a dangling bond and disappearing.

복수의 제1 전극(141)은 에미터부에 접속하고, 제1 방향(x)으로 길게 뻗어 형성될 수 있다. 이와 같은, 제1 전극(141)은 에미터부(121) 쪽으로 이동한 캐리어, 예를 들어 정공을 수집할 수 있다.The plurality of first electrodes 141 may be connected to the emitter section and extend in the first direction (x). The first electrode 141 may collect carriers, for example, holes, which have migrated toward the emitter section 121.

복수의 제2 전극(142)은 후면 전계부에 접속하고, 제1 전극(141)과 나란하게 제1 방향(x)으로 길게 뻗어 형성될 수 있다. 이와 같은, 제2 전극(142)은 후면 전계부(172) 쪽으로 이동한 캐리어, 예를 들어, 전자를 수집할 수 있다.The plurality of second electrodes 142 may be formed to extend in the first direction (x) in parallel with the first electrode 141, connected to the rear electric field portion. As such, the second electrode 142 may collect carriers, e.g., electrons, that have migrated toward the rear electric section 172.

이와 같은 도 1에 도시된 바와 같이, 제1, 2 전극(141, 142) 각각은 제1 방향(x)으로 길게 뻗어 형성될 수 있고, 제1 전극(141)과 제2 전극(142)이 제2 방향(y)으로 교번하여 배치될 수 있다.1, each of the first and second electrodes 141 and 142 may be extended in a first direction x, and the first electrode 141 and the second electrode 142 may be formed to extend in the first direction x, May be alternately arranged in the second direction (y).

이와 같은 구조로 제조된 본 발명에 따른 태양 전지에서 제1 전극(141)을 통하여 수집된 정공과 제2 전극(142)을 통하여 수집된 전자는 외부의 회로 장치를 통하여 외부 장치의 전력으로 이용될 수 있다.The holes collected through the first electrode 141 and the electrons collected through the second electrode 142 in the solar cell according to the present invention are used as electric power of the external device through the external circuit device .

본 발명에 따른 태양 전지 모듈에 적용된 태양 전지는 반드시 도 2 및 도 3에만 한정하지 않으며, 태양 전지에 구비되는 제1, 2 전극(141, 142)이 반도체 기판(110)의 후면에만 형성되는 점을 제외하고 다른 구성 요소는 얼마든지 변경이 가능하다. The solar cell applied to the solar cell module according to the present invention is not necessarily limited to only FIGS. 2 and 3, and the first and second electrodes 141 and 142 provided on the solar cell are formed only on the rear surface of the semiconductor substrate 110 Other components can be changed at any time.

예를 들어 본 발명의 태양 전지 모듈에는 제1 전극(141)의 일부 및 에미터부(121)가 반도체 기판(110)의 전면에 위치하고, 제1 전극(141)의 일부가 반도체 기판(110)에 형성된 홀을 통해 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 제1 전극(141)의 나머지 일부와 연결되는 MWT 타입의 태양 전지도 적용이 가능하다.For example, in the solar cell module of the present invention, a part of the first electrode 141 and the emitter part 121 are located on the front surface of the semiconductor substrate 110, and a part of the first electrode 141 is formed on the semiconductor substrate 110 The MWT type solar cell connected to the remaining part of the first electrode 141 formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110 through the formed hole is also applicable.

이와 같은 태양 전지가 도 1과 같이 도전성 배선(200)과 인터커넥터(300)를 이용하여 직렬 연결된 단면 구조는 다음의 도 4와 같다.The cross-sectional structure in which the solar cell is connected in series using the conductive wiring 200 and the interconnector 300 as shown in FIG. 1 is as shown in FIG.

도 4는 도 1에서 X1-X1 라인에 따른 단면을 도시한 것이다.Fig. 4 shows a cross section taken along the line X1-X1 in Fig. 1. Fig.

도 4에 도시된 바와 같이, 제1 태양 전지(C1)와 제2 태양 전지(C2)를 포함하는 복수의 태양 전지는 복수 개가 제2 방향(y)으로 배열될 수 있다. As shown in FIG. 4, a plurality of solar cells including the first solar cell C1 and the second solar cell C2 may be arranged in the second direction (y).

이때, 제1, 2 태양 전지(C1, C2)에 구비되는 복수의 제1, 2 전극(141, 142)의 길이 방향이 제1 방향(x)으로 향하도록 배치될 수 있다.At this time, the longitudinal direction of the first and second electrodes 141 and 142 provided in the first and second solar cells C1 and C2 may be oriented in the first direction x.

이와 같이, 제1, 2 태양 전지(C1, C2)가 제2 방향(y)으로 배열된 상태에서, 제1, 2 태양 전지(C1, C2)는 제1, 2 도전성 배선(210, 220)과 인터커넥터(300)에 의해 제2 방향(y)으로 길게 뻗어 직렬 연결되는 하나의 스트링을 형성할 수 있다.The first and second solar cells C1 and C2 are connected to the first and second conductive wirings 210 and 220 while the first and second solar cells C1 and C2 are arranged in the second direction y. And one interconnected string can be formed by the interconnector 300 and extending in the second direction y.

여기서, 제1, 2 도전성 배선(210, 220)과 인터커넥터(300)는 도전성 금속 재질로 형성되고, 제1, 2 도전성 배선(210, 220)은 각 태양 전지의 반도체 기판(110)의 후면에 접속되며, 태양 전지의 직렬 연결을 위하여 각 반도체 기판(110)에 접속된 제1, 2 도전성 배선(210, 220)은 인터커넥터(300)에 접속될 수 있다.The first and second conductive wirings 210 and 220 and the interconnector 300 are formed of a conductive metal and the first and second conductive wirings 210 and 220 are formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110 of each solar cell And the first and second conductive wirings 210 and 220 connected to the respective semiconductor substrates 110 for the series connection of the solar cells may be connected to the interconnector 300.

아울러, 복수의 제1, 2 도전성 배선(210, 220)은 단면이 원형을 갖는 도전성 와이어 형태이거나 폭이 두께보다 큰 리본 형태를 가질 수 있다.In addition, the plurality of first and second conductive wirings 210 and 220 may have a conductive wire shape having a circular section or a ribbon shape having a width larger than the thickness.

여기서, 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 각각의 선폭은 도전성 배선의 선저항을 충분히 낮게 유지하면서, 제조 비용이 최소가 되도록 고려하여, 0.5mm ~ 2.5mm 사이로 형성될 수 있으며, 제1 도전성 배선(210)과 제2 도전성 배선(220) 사이의 간격은 도전성 배선(200)의 총 개수를 고려하여, 태양 전지 모듈의 단락 전류가 훼손되지 않도록 4mm ~ 6.5mm 사이로 형성될 수 있다.Here, the line width of each of the first and second conductive wirings 210 and 220 may be formed to be between 0.5 mm and 2.5 mm in consideration of minimizing the manufacturing cost while keeping the line resistance of the conductive wiring sufficiently low, The interval between the conductive wirings 210 and the second conductive wirings 220 may be formed to be between 4 mm and 6.5 mm in order to prevent the short circuit current of the solar cell module from being damaged in consideration of the total number of the conductive wirings 200.

아울러, 도전성 배선(200)의 두께는 0.05mm ~ 0.3mm 사이로 형성될 수 있다.In addition, the thickness of the conductive wiring 200 may be between 0.05 mm and 0.3 mm.

구체적으로, 복수의 제1 도전성 배선(210)은 복수의 태양 전지(C1, C2) 각각에 구비된 복수의 제1 전극(141)에 중첩되어 도전성 접착제(251)를 통해 접속되고, 절연성 재질의 절연층(252)에 의해 복수의 제2 전극(142)과 절연될 수 있다.More specifically, the plurality of first conductive wirings 210 are connected to the plurality of first electrodes 141 provided in each of the plurality of solar cells C1 and C2 via the conductive adhesive 251, And may be insulated from the plurality of second electrodes 142 by the insulating layer 252.

아울러, 복수의 제2 도전성 배선(220)은 복수의 태양 전지(C1, C2) 각각에 구비된 복수의 제2 전극(142)에 중첩되어 도전성 접착제(251)를 통해 접속되고, 절연성 재질의 절연층(252)에 의해 복수의 제1 전극(141)과 절연될 수 있다.The plurality of second conductive wirings 220 are connected to the plurality of second electrodes 142 provided in each of the plurality of solar cells C1 and C2 through the conductive adhesive 251, And may be insulated from the plurality of first electrodes 141 by the layer 252.

여기서, 도전성 접착제(251)는 주석(Sn) 또는 주석(Sn)을 포함하는 합금을 포함하는 금속 재질로 형성될 수 있다. 아울러, 이와 같은 도전성 접착제(251)는 주석(Sn) 또는 주석(Sn)을 포함하는 합금을 포함하하는 솔더 패이스트(solder paste), 에폭시에 주석(Sn) 또는 주석(Sn)을 포함하는 합금이 포함된 에폭시 솔더 패이스트(epoxy solder paste) 또는 도전성 패이스트(Conductive psate) 중 어느 하나의 형태로 형성될 수 있다.Here, the conductive adhesive 251 may be formed of a metal material including an alloy containing tin (Sn) or tin (Sn). The conductive adhesive 251 may be a solder paste including an alloy containing tin (Sn) or tin (Sn), an alloy containing tin (Sn) or tin (Sn) May be formed in the form of either an epoxy solder paste or a conductive paste.

여기서, 절연층(252)은 절연성 재질이면 어떠한 것이든 상관 없으며, 일례로, 에폭시 계열의 수지, 폴리이미드, 폴리에틸렌, 아크릴 계열의 수지 또는 실리콘 계열의 수지 중 어느 하나의 절연성 재질이 사용될 수 있다.Here, the insulating layer 252 may be any insulating material. For example, an insulating material such as epoxy resin, polyimide, polyethylene, acryl-based resin, or silicone-based resin may be used.

이때, 복수의 제1 도전성 배선(210) 각각은 도 1 및 도 4에 도시된 바와 같이, 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 사이에 배치된 인터커넥터(300) 방향 쪽의 반도체 기판(110) 밖으로 돌출되어 배치될 수 있다.1 and 4, each of the plurality of first conductive wirings 210 is electrically connected to the semiconductor substrate (not shown) disposed on the side of the interconnector 300 disposed between the first and second solar cells C1 and C2 110, respectively.

아울러, 복수의 제2 도전성 배선(220) 각각은 도 1 및 도 4에 도시된 바와 같이, 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 사이에 배치된 인터커넥터(300) 방향 쪽의 반도체 기판(110) 밖으로 돌출되어 배치될 수 있다.1 and 4, each of the plurality of second conductive wirings 220 includes a plurality of first conductive wirings 220 disposed on the semiconductor substrate 110, respectively.

이와 같이, 각 태양 전지의 후면에 접속된 복수의 제1 도전성 배선(210) 및 복수의 제2 도전성 배선(220) 중 각 반도체 기판(110)의 밖으로 돌출되는 부분이 도 1 및 도 4에 도시된 바와 같이, 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 사이에 배치되는 인터커넥터(300)의 후면에 공통으로 접속될 수 있고, 이에 따라, 복수의 태양 전지(C1, C2)가 제2 방향(y)으로 직렬 연결된 하나의 스트링으로 형성될 수 있다.As described above, a portion of the plurality of first conductive wirings 210 and the plurality of second conductive wirings 220, which are connected to the rear surface of each solar cell, protruding out of each semiconductor substrate 110 is shown in Figs. 1 and 4 The plurality of solar cells C1 and C2 can be connected in common to the rear surface of the interconnector 300 disposed between the first and second solar cells C1 and C2, lt; RTI ID = 0.0 > (y). < / RTI >

이때, 일례로, 도 4에 도시된 바와 같이, 제1, 2 도전성 배선(210, 220)은 인터커넥터(300)와 중첩되는 접속 부분에서 인터커넥터(300)에 직접 접착될 수 있지만, 이와 다르게, 도시되지는 않았지만, 제1, 2 도전성 배선(210, 220)은 인터커넥터(300)와 중첩되는 접속 부분에서 도전성 접착제를 통해 인터커넥터(300)에 접착될 수 있다.4, the first and second conductive wirings 210 and 220 may be directly bonded to the interconnector 300 at a connection portion overlapping the interconnector 300. Alternatively, however, Although not shown, the first and second conductive wirings 210 and 220 may be bonded to the interconnect 300 through a conductive adhesive at a connection portion overlapping the interconnector 300.

이와 같은 구조를 갖는 태양 전지 모듈은 복수 개의 태양 전지 중 제1, 2 도전성 배선(210, 220)과 제1, 2 전극(141, 142) 사이에 접속 불량이 발생한 태양 전지가 있는 경우, 인터커넥터(300)과 복수의 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 사이의 접속을 해제하여, 해당 태양 전지만 보다 용이하게 교체할 수 있다.In a solar cell module having such a structure, when there is a solar cell in which a connection failure occurs between the first and second conductive wirings 210 and 220 and the first and second electrodes 141 and 142 among a plurality of solar cells, The connection between the solar cell 300 and the plurality of first and second conductive wirings 210 and 220 is released so that the solar cell can be replaced more easily.

한편, 본 발명에서는 도 1에 도시된 바와 같이, 제1 태양 전지(C1)에 접속된 제1 도전성 배선(210)이 인터커넥터(300)에 중첩하여 접속하는 제1 접속 부분과 제2 태양 전지(C2)에 접속된 제2 도전성 배선(220)이 인터커넥터(300)에 중첩하여 접속하는 제2 접속 부분은 인터커넥터(300)의 길이 방향인 제1 방향(x)을 따라 교번하여 위치할 수 있다.In the present invention, as shown in FIG. 1, a first connecting portion connected to the first connector C1 by a first conductive wiring 210 connected to the inter connector 300, The second connecting portion in which the second conductive wiring 220 connected to the second connector C2 is overlapped and connected to the inter connecter 300 is located alternately along the first direction x in the longitudinal direction of the inter connecter 300 .

아울러, 본 발명에 따른 인터커넥터(300)의 평면 형상은 제1 접속 부분에서 중심선(300CL)을 기준으로 비대칭 형상을 가지며, 제2 접속 부분에서 중심선(300CL)을 기준으로 비대칭 형상을 가질 수 있다.In addition, the planar shape of the interconnect 300 according to the present invention may have an asymmetrical shape with respect to the center line 300CL in the first connecting portion, and an asymmetric shape with respect to the center line 300CL in the second connecting portion .

이와 같이, 제1 접속 부분과 제2 접속 부분이 제1 방향(x)을 따라 인터커넥터(300)의 후면에 교번하여 위치하는 경우, 태양 전지 모듈의 제조 공정 중 또는 태양 전지 모듈이 사용되는 과정에서, 제1, 2 도전성 배선(210, 220)에 열팽창이 발생할 수 있고, 이와 같은 제1, 2 도전성 배선(210, 220)의 열팽창 스트레스에 의해 인터커넥터(300)에 평면 형상은 제1, 2 도전성 배선(210, 220)의 길이 방향인 제2 방향(y)으로 휘어지는 변형이 발생될 수 있다.When the first connecting portion and the second connecting portion are alternately disposed on the rear surface of the inter connecter 300 along the first direction x, the process of manufacturing the solar cell module or the process of using the solar cell module Thermal expansion may occur in the first and second conductive wirings 210 and 220. The thermal expansion stress of the first and second conductive wirings 210 and 220 causes the interconnector 300 to have a planar shape, 2 warps in the second direction (y), which is the longitudinal direction of the first and second conductive wirings (210, 220).

이와 같이, 인터커넥터(300)에 변형이 발생되는 경우, 인터커넥터(300)와 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 사이의 접착력이 저하될 수 있고, 인터커넥터(300)에 한 번 변형이 발생된 경우, 인터커넥터(300)의 형상이 원래 상태로 복원되는 것은 거의 불가능하므로, 접착력이 저하된 상태가 지속되어, 결국 태양 전지 모듈의 효율이 저하되거나 불량이 발생될 수 있다.If deformation occurs in the interconnector 300, the adhesive force between the interconnector 300 and the first and second conductive interconnects 210 and 220 may be reduced, The shape of the interconnector 300 can hardly be restored to its original state. Therefore, the state where the adhesive force is lowered may be continued, and as a result, the efficiency of the solar cell module may be lowered or defective.

그러나, 도 1에 도시된 바와 같이, 인터커넥터(300)의 평면 형상이 제1, 2 접속 부분 각각에서 제1 방향(x)과 나란한 방향의 중심선(300CL)을 기준으로 비대칭 형상을 갖도록 구비된 경우, 전술한 바와 같이 인터커넥터(300)의 형상이 변형되더라도 제1, 2 도전성 배선(210, 220)에 의해 발생되는 열팽창 스트레스를 완화할 수 있어 변형이 최소화되도록 할 수 있고, 변형되더라도 인터커넥터(300)와 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 사이의 접착력이 저하되는 것을 최소화할 수 있다.However, as shown in Fig. 1, the planar shape of the interconnector 300 is formed so as to have an asymmetrical shape with respect to the center line 300CL in the direction parallel to the first direction (x) in each of the first and second connecting portions In this case, even if the shape of the interconnector 300 is deformed as described above, the thermal expansion stress caused by the first and second conductive interconnects 210 and 220 can be relaxed to minimize the deformation, It is possible to minimize the deterioration of the adhesive force between the first conductive wiring 300 and the first and second conductive wirings 210 and 220.

일례로, 본 발명에 따른 인터커넥터(300)는 평면에서 보았을 때, 인터커넥터(300)의 평면 형상은 중심선(300CL)을 기준으로 비대칭으로 형성되는 폭보다 길이가 긴 슬릿, 폭과 길이가 동일한 홀, 돌출부, 함몰부, 또는 지그재그 형상 중 적어도 하나의 형상을 구비할 수 있다.For example, the interconnector 300 according to the present invention has a planar shape in which the planar shape of the interconnector 300 is slit longer than the width formed asymmetrically with respect to the center line 300CL, Holes, protrusions, depressions, or zigzag shapes.

이와 같은 일례로, 도 1에서는 인터커넥터(300)의 평면 형상이 지그재그 형상인 경우를 일례로 도시하였지만, 이와 같은 인터커넥터(300)의 평면 형상은 이와 다르게 중심선(300CL)을 기준으로 비대칭으로 위치하는 슬릿, 홀, 돌출부 또는 함몰부 중 적어도 하나의 형상이 구비될 수 있다.1, the planar shape of the interconnector 300 is a zigzag shape. However, the planar shape of the interconnector 300 is different from the planar shape of the interconnector 300 asymmetrically with respect to the center line 300CL A shape of at least one of a slit, a hole, a projection, or a depression may be provided.

이하에서는 이와 같은 비대칭 평면 형상을 가지는 인터커넥터(300)의 다양한 형상에 대해 보다 구체적으로 설명한다.Hereinafter, various shapes of the interconnector 300 having such an asymmetric planar shape will be described in more detail.

도 5는 도 1에 도시된 본 발명에 따른 태양 전지 모듈을 전면에서 바라봤을 때, 인터커넥터(300)의 평면 형상이 비대칭 구조의 지그재그 형상을 갖는 일례를 보다 구체적으로 설명하기 위한 도이다. 5 is a view for explaining an example in which the planar shape of the interconnector 300 has a zigzag shape of an asymmetrical structure when the solar cell module according to the present invention shown in FIG. 1 is viewed from the front.

이와 같은 도 5는 태양 전지 모듈의 전면에서 바라본 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 사이의 인터커넥터(300)를 확대 도시한 것이다. 5 is an enlarged view of the interconnector 300 between the first and second solar cells C1 and C2 viewed from the front side of the solar cell module.

도 5에 도시된 바와 같이, 제1 태양 전지(C1)에 접속된 제1 도전성 배선(210)이 인터커넥터(300)에 중첩하여 접속하는 제1 접속 부분(300a)과 제2 태양 전지(C2)에 접속된 제2 도전성 배선(220)이 인터커넥터(300)에 중첩하여 접속하는 제2 접속 부분(300b)은 인터커넥터(300)의 길이 방향인 제1 방향(x)을 따라 교번하여 위치할 수 있다.5, a first connecting portion 300a and a second connecting portion 300a, to which the first conductive wiring 210 connected to the first solar cell C1 are overlapped and connected to the interconnect 300, The second connecting portion 300b in which the second conductive wiring 220 connected to the interconnection 300 is overlapped and connected to the interconnection 300 alternately moves along the first direction x, can do.

아울러, 인터커넥터(300)는 평면에서 보았을 때, 제1 방향(x)과 나란한 방향의 중심선(300CL)을 기준으로 비대칭 구조를 갖는 지그재그 형상일 수 있다. 즉, 이와 같은 지그재그 형상의 인터커넥터(300)는 평면 형상이 중심선(300CL)을 기준으로 일측면은 돌출되고, 타측면은 함몰되는 구조를 가질 수 있다.In addition, the interconnector 300 may have a zigzag shape having an asymmetrical structure with respect to a center line 300CL in a direction parallel to the first direction x when viewed in plan view. That is, the zigzag-shaped inter connector 300 may have a structure in which a planar shape is protruded from one side of the center line 300CL and the other side is recessed.

보다 구체적으로, 지그재그 형상을 갖는 인터커넥터(300)는 제1 접속 부분(300a)에서 제1 태양 전지(C1)와 바로 이웃한 제1 측면(300S1)은 제1 태양 전지(C1) 방향으로 돌출되고, 중심선(300CL)을 기준으로 대칭되고, 제2 태양 전지(C2)와 바로 이웃한 제2 측면(300S2)은 중심선(300CL) 방향으로 함몰될 수 있고, 제2 접속 부분(300b)에서 제2 측면(300S2)은 제2 태양 전지(C2) 방향으로 돌출되고, 제1 측면(300S1)은 중심선(300CL) 방향으로 함몰될 수 있다.More specifically, in the zigzag-shaped inter connector 300, the first side 300S1 immediately adjacent to the first solar cell C1 in the first connecting portion 300a protrudes in the direction of the first solar cell C1 The second side 300S2 immediately adjacent to the second solar cell C2 can be recessed in the direction of the center line 300CL and the second side 300S2 can be recessed in the direction of the center line 300CL, The two side surfaces 300S2 protrude toward the second solar cell C2 and the first side surface 300S1 can sink toward the center line 300CL.

따라서, 인터커넥터(300)는 제1 접속 부분(300a)에서 제1 태양 전지(C1)에 상대적으로 더 가까이 위치할 수 있고, 제2 접속 부분(300b)에서 제2 태양 전지(C2)에 상대적으로 더 가까이 위치할 수 있다.Therefore, the interconnect 300 can be positioned relatively closer to the first solar cell C1 in the first connecting portion 300a, and relatively closer to the second solar cell C2 in the second connecting portion 300b As shown in FIG.

이와 같이, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 인터커넥터(300)가 비대칭 구조의 지그재그 형상을 갖도록 하되, 지그재그 형상의 인터커넥터(300)가 중심선(300CL)을 기준으로 제1 접속 부분(300a)에서는 제1 도전성 배선(210)이 접속된 제1 태양 전지(C1) 방향으로 돌출되고, 제2 접속 부분(300b)에서는 제2 도전성 배선(220)이 접속된 제2 태양 전지(C2) 방향으로 돌출되도록 함으로써, 제1, 2 도전성 배선(210, 220)에 의해 발생되는 열팽창 스트레스를 완화할 수 있어 인터커넥터(300)의 변형이 최소화되도록 할 수 있고, 변형되더라도 인터커넥터(300)와 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 사이의 접착력이 저하되는 것을 최소화할 수 있다.As described above, the solar cell module according to the present invention is configured such that the interconnector 300 has a zigzag shape of an asymmetric structure, and the zigzag-shaped interconnector 300 is connected to the first connecting portion 300a with respect to the center line 300CL And protrudes in the direction of the first solar cell C1 to which the first conductive wiring 210 is connected and protrudes in the direction of the second solar cell C2 to which the second conductive wiring 220 is connected in the second connecting portion 300b The thermal expansion stress generated by the first and second conductive wirings 210 and 220 can be relieved so that the deformation of the interconnector 300 can be minimized and even if the interconnector 300 is deformed, 2 conductive wirings 210 and 220 can be minimized.

이때, 지그재그 형상을 갖는 인터커넥터(300)의 선폭(W300)은 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 사이의 간격과 제1, 2 접속 면적(300a, 300b)의 크기를 고려하여, 1mm ~ 3mm 사이로 형성되되, 오차 범위 10% 이하의 범위에서 균일하게 형성될 수 있다.The wire width W300 of the zigzag interconnector 300 is set to 1 mm or less in consideration of the distance between the first and second solar cells C1 and C2 and the first and second connection areas 300a and 300b. To 3 mm, and can be uniformly formed within a range of an error range of 10% or less.

아울러, 지그재그 형상을 갖는 인터커넥터(300)에서 돌출된 일측면에서 돌출된 타측면까지의 제2 방향 폭(WP300)은 2mm ~ 4mm 사이로 형성될 수 있다.In addition, the second directional width WP300 extending from one surface of the inter connecter 300 having a zigzag shape protruding from one side may be between 2 mm and 4 mm.

도 1 및 도 5에서는 인터커넥터(300)의 평면 형상이 비대칭 구조의 지그재그 형상을 갖는 경우를 일례로 도시하였지만, 인터커넥터(300)의 평면 형상이 비대칭 형상을 갖는 경우는 이 외에도 여러 가지가 있을 수 있다.Although FIGS. 1 and 5 illustrate a case where the planar shape of the interconnector 300 has a zigzag shape of an asymmetric structure, the case where the planar shape of the interconnector 300 has an asymmetrical shape may be various .

이하에서는 이와 같이, 인터커넥터(300)의 평면 형상이 비대칭 형상을 갖는 다양한 일례에 대해 이하의 도 6 내지 도 12를 참조하여 보다 구체적으로 설명한다.Hereinafter, various examples in which the planar shape of the interconnector 300 has an asymmetric shape will be described in more detail with reference to Figs. 6 to 12 below.

이하의 도 6 내지 도 12에서는 앞선 태양 전지 모듈과 동일한 부분에 대한 내용은 생략하고, 다른 부분을 위주로 설명한다.In the following Figs. 6 to 12, the same parts as those of the prior solar cell module are omitted, and the other parts are mainly described.

도 6은 본 발명에 따른 태양 전지 모듈을 전면에서 바라봤을 때, 인터커넥터(300)의 평면 형상이 비대칭 구조의 함몰부(300R)를 갖는 일례를 설명하기 위한 도이다.6 is a view for explaining an example in which a solar cell module according to the present invention has a depressed portion 300R having an asymmetrical planar shape of the interconnector 300 when viewed from the front.

도 6에 도시된 바와 같이, 인터커넥터(300)의 평면 형상은 제1 방향(x)으로 길게 형성되되, 중심선(300CL)을 기준으로 비대칭으로 형성되는 함몰부(300R)를 구비할 수 있다.As shown in FIG. 6, the planar shape of the interconnector 300 may include a depression 300R that is formed to be long in the first direction (x) and is formed asymmetrically with respect to the center line 300CL.

보다 구체적으로, 인터커넥터(300)의 제1 접속 부분(300a)에서 제2 측면(300S2)에는 인터커넥터(300)의 중심선(300CL) 방향으로 함몰된 함몰부(300R)가 구비되고, 제2 측면(300S2)과 대칭되는 제1 측면(300S1)에는 함몰부(300R)가 구비되지 않을 수 있다.More specifically, the second side surface 300S2 of the first connector 300a of the inter connecter 300 is provided with a depression 300R depressed in the direction of the center line 300CL of the inter connector 300, The first side 300S1 symmetrical with the side surface 300S2 may not be provided with the depression 300R.

아울러, 인터커넥터(300)의 제2 접속 부분(300b)에서 제1 측면(300S1)에는 인터커넥터(300)의 중심선(300CL) 방향으로 함몰된 함몰부(300R)가 구비되고, 제2 측면(300S2)에는 함몰부(300R)가 구비되지 않을 수 있다.The first side 300S1 of the second connector 300b of the inter connector 300 is provided with a depression 300R depressed in the direction of the center line 300CL of the inter connector 300, 300S2 may not be provided with the depressed portion 300R.

이와 같이 인터커넥터(300)에 구비되는 함몰부(300R)의 평면 형상은 도 6에 도시된 바와 같이 곡면 형태로 구비될 수 있으며, 일례로, 반원 또는 반 타원형일 수 있다.6, the planar shape of the depression 300R provided in the interconnector 300 may be a curved surface shape, for example, semicircular or semi-elliptic.

그러나, 도 6에 도시된 바와 다르게 함몰부(300R)의 형태가 삼각형, 사각형 또는 다각형 형상일 수도 있다.However, as shown in Fig. 6, the shape of the depression 300R may be triangular, rectangular or polygonal.

이때, 함몰부(300R)의 최대 함몰 깊이(H300R)는 인터커넥터 선폭(W300)의 1/2 이하일 수 있으며, 일례로, 0.5mm ~ 1.5mm 사이일 수 있다.At this time, the maximum depression depth H300R of the depression 300R may be 1/2 or less of the interconnect line width W300, and may be, for example, 0.5 mm to 1.5 mm.

아울러, 함몰부(300R)의 제1 방향(x)으로의 최대 폭(W300R)은 제1, 2 도전성 배선(210, 220)의 선폭(W210, W220)과 실질적으로 동일하거나 클 수 있으며, 일례로, 1mm ~ 3mm 사이일 수 있다.The maximum width W300R of the depression 300R in the first direction x may be substantially equal to or larger than the line widths W210 and W220 of the first and second conductive wirings 210 and 220, And may be between 1 mm and 3 mm.

도 7은 본 발명에 따른 태양 전지 모듈을 전면에서 바라봤을 때, 인터커넥터(300)의 평면 형상이 비대칭 구조의 돌출부(300P)를 갖는 일례를 설명하기 위한 도이다.7 is a view for explaining an example in which the solar cell module according to the present invention has an asymmetrical protrusion 300P with a plane shape of the interconnector 300 when viewed from the front.

도 7에 도시된 바와 같이, 인터커넥터(300)의 평면 형상은 제1 방향(x)으로 길게 형성되되, 중심선(300CL)을 기준으로 비대칭으로 형성되는 돌출부(300P)를 구비할 수 있다.As shown in FIG. 7, the planar shape of the interconnector 300 may include a protrusion 300P that is elongated in the first direction (x) and is formed asymmetrically with respect to the center line 300CL.

보다 구체적으로, 인터커넥터(300)의 제1 접속 부분(300a)에서 제1 측면(300S1)에는 제1 태양 전지(C1) 방향으로 돌출된 돌출부(300P)가 구비되고, 제2 측면(300S2)에는 돌출부(300P)가 구비되지 않을 수 있다.More specifically, the first side 300S1 of the first connector 300a of the inter connector 300 is provided with a protrusion 300P protruding in the direction of the first solar cell C1, The protrusion 300P may not be provided.

아울러, 인터커넥터(300)의 제2 접속 부분(300b)에서 제2 측면(300S2)에는 제2 태양 전지(C2) 방향으로 돌출된 돌출부(300P)가 구비되고, 제1 측면(300S1)에는 돌출부(300P)가 구비되지 않을 수 있다.The second side 300S2 of the second connector 300b of the inter connector 300 is provided with a protrusion 300P protruding in the direction of the second solar cell C2. (300P) may not be provided.

도 7에서는 돌출부(300P)의 형태가 사각형 형상으로 돌출된 경우를 일례로 도시하였지만, 이와 다르게 곡면 형태, 즉 반원 또는 타원형 형태일 수도 있고, 또는 삼각형 형태일 수도 있다.7, the protrusion 300P protrudes in a rectangular shape as an example. Alternatively, the protrusion 300P may have a curved shape, i.e., a semicircular or oval shape, or a triangular shape.

이때, 돌출부(300P)의 최대 돌출 길이(H300P)는 인터커넥터 선폭(W300)의 1/2 이하일 수 있으며, 일례로, 0.5mm ~ 1.5mm 사이일 수 있다.At this time, the maximum protrusion length H300P of the protrusion 300P may be 1/2 or less of the interconnect line width W300, and may be, for example, 0.5 mm to 1.5 mm.

아울러, 돌출부(300P)의 제1 방향(x)으로의 최대 폭(W300P)은 제1, 2 도전성 배선(210, 220)의 선폭(W210, W220)과 실질적으로 동일하거나 클 수 있으며, 1mm ~ 3mm 사이일 수 있다.The maximum width W300P of the protrusion 300P in the first direction x may be substantially equal to or greater than the line widths W210 and W220 of the first and second conductive wirings 210 and 220, Lt; / RTI >

도 8은 본 발명에 따른 태양 전지 모듈을 전면에서 바라봤을 때, 인터커넥터(300)의 평면 형상이 비대칭 구조의 돌출부(300P) 및 함몰부(300R)를 갖는 일례를 설명하기 위한 도이다.8 is a view for explaining an example in which the planar shape of the interconnector 300 has projected portions 300P and depressions 300R having an asymmetrical structure when the solar cell module according to the present invention is viewed from the front.

도 8에 도시된 바와 같이, 인터커넥터(300)의 평면 형상은 제1 방향(x)으로 길게 형성되되, 중심선(300CL)을 기준으로 비대칭으로 형성되는 돌출부(300P) 및 함몰부(300R)를 구비할 수 있다.8, the planar shape of the interconnect 300 is formed to be long in the first direction x, and the projections 300P and the depressions 300R, which are formed asymmetrically with respect to the center line 300CL, .

보다 구체적으로, 인터커넥터(300)의 제1 접속 부분(300a)에서 제1 측면(300S1)에는 제1 태양 전지(C1) 방향으로 돌출된 돌출부(300P)가 구비되고, 제2 측면(300S2)에는 인터커넥터(300)의 중심선(300CL) 방향으로 함몰된 함몰부(300R)가 구비될 수 있다.More specifically, the first side 300S1 of the first connector 300a of the inter connector 300 is provided with a protrusion 300P protruding in the direction of the first solar cell C1, The depression 300R may be provided in the direction of the center line 300CL of the inter connecter 300.

아울러, 인터커넥터(300)의 제2 접속 부분(300b)에서 제2 측면(300S2)에는 제2 태양 전지(C2) 방향으로 돌출된 돌출부(300P)가 구비되고, 제1 측면(300S1)에는 인터커넥터(300)의 중심선(300CL) 방향으로 함몰된 함몰부(300R)가 구비될 수 있다.The second side 300S2 of the second connector 300b of the inter connector 300 is provided with a protrusion 300P protruding in the direction of the second solar cell C2. A depressed portion 300R depressed toward the center line 300CL of the connector 300 may be provided.

여기서, 돌출부(300P) 및 함몰부(300R)의 형상은 사각형 형태인 경우를 일례로 도시하였지만, 곡면 형태일 수도 있고, 돌출부(300P) 및 함몰부(300R)의 제1 방향(x)으로의 폭이나 돌출 길이 또는 함몰 길이는 앞선 도 6 및 도 7에서 설명한 바와 동일할 수 있다.Although the protrusion 300P and the depression 300R have a rectangular shape as an example, the protrusion 300P and the depression 300R may have a curved shape. The width, protrusion length, or recess length may be the same as those described in FIGS. 6 and 7 above.

도 6 내지 도 8에서는 인터커넥터(300)의 제1 측면(300S1) 및 제2 측면(300S2)에 함몰부(300R)나 돌출부(300P)가 형성된 경우를 일례로 설명하였지만, 이와 다르게 인터커넥터(300)의 제1 측면(300S1) 및 제2 측면(300S2)은 직선으로 형성되되, 인터커넥터(300) 내에 비대칭으로 형성되는 슬릿이나 홀이 구비될 수도 있다. 6 to 8 illustrate the case where the depression 300R and the protrusion 300P are formed on the first side 300S1 and the second side 300S2 of the inter connecter 300. However, The first side 300S1 and the second side 300S2 of the connector 300 may be formed in a straight line and may include slits or holes formed asymmetrically in the interconnect 300. [

이에 대해 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.This will be described in more detail as follows.

도 9 내지 도 11은 본 발명에 따른 태양 전지 모듈을 전면에서 바라봤을 때, 인터커넥터(300)에 슬릿(300SL) 또는 홀(300H)이 비대칭으로 위치하여 구비된 일례를 설명하기 위한 도이다.9 to 11 are views for explaining an example in which the slit 300SL or the hole 300H is asymmetrically located on the interconnect 300 when the solar cell module according to the present invention is viewed from the front.

도 9에 도시된 바와 같이, 인터커넥터(300)의 평면 형상은 중심선(300CL)을 기준으로 비대칭으로 위치하는 슬릿(300SL)을 구비할 수 있다. As shown in FIG. 9, the planar shape of the interconnector 300 may include a slit 300SL positioned asymmetrically with respect to the center line 300CL.

여기서, 인터커넥터(300)의 제1, 2 측면(300S1, 300S2)은 직선 형태로 구비되고, 인터커넥터(300)의 선폭(W300)은 균일할 수 있으며, 인터커넥터(300)에 구비되는 슬릿(300SL)의 길이 방향은 제1 방향(x)일 수 있다.The first and second side faces 300S1 and 300S2 of the interconnector 300 are provided in a linear shape and the line width W300 of the interconnector 300 may be uniform. And the longitudinal direction of the light source 300SL may be the first direction x.

이와 같은 슬릿(300SL)은 인터커넥터(300)의 제1 접속 부분(300a)에서 중심선(300CL)을 기준으로 제1 측면(300S1)에 인접하는 영역에 구비되고, 중심선(300CL)을 기준으로 제2 측면(300S2)에 인접한 영역에는 구비되지 않을 수 있다.The slit 300SL is provided in a region adjacent to the first side 300S1 with respect to the center line 300CL in the first connecting portion 300a of the inter connecter 300, It may not be provided in the region adjacent to the two side surfaces 300S2.

아울러, 슬릿(300SL)은 인터커넥터(300)의 제2 접속 부분(300b)에서 중심선(300CL)을 기준으로 제2 측면(300S2)에 인접한 영역에 구비되고, 중심선(300CL)을 기준으로 제1 측면(300S1)에 인접한 영역에는 구비되지 않을 수 있다.The slit 300SL is provided in a region adjacent to the second side 300S2 with respect to the center line 300CL in the second connecting portion 300b of the inter connecter 300, But may not be provided in a region adjacent to the side surface 300S1.

이때, 슬릿(300SL)의 선폭(WSL)은 0.2mm ~ 0.5mm 사이일 수 있으며, 슬릿(300SL)의 제1 방향(x)으로의 길이(LSL)는 제1, 2 도전성 배선(210, 220)의 선폭(W210, W220)보다 작거나 클 수 있으며, 일례로, 1mm ~ 2mm 사이일 수 있다.The line width WSL of the slit 300SL may be between 0.2 mm and 0.5 mm and the length LSL of the slit 300SL in the first direction x may be less than the length LSL of the first and second conductive lines 210 and 220 W210 and W220 of the line width W220, and may be, for example, between 1 mm and 2 mm.

이와 같은 슬릿(300SL)은 인터커넥터(300)가 제1, 2 도전성 배선(210, 220)에 의해 열팽창 스트레스를 받더라도, 슬릿(300SL)에 의해 형성된 공간이 완충 작용을 하여, 인터커넥터(300)가 변형되는 것을 완화시켜 줄 수 있다.Although the slit 300SL is stressed by the first and second conductive wirings 210 and 220, the space formed by the slit 300SL serves to buffer the interconnector 300, Can be relieved from being deformed.

아울러, 도 9에서는 제1, 2 접속 부분(300a, 300b) 각각에 형성된 슬릿(300SL)의 개수가 하나인 경우를 일례로 도시하였으나, 이와 다르게 제1, 2 접속 부분(300a, 300b) 각각에 형성된 슬릿(300SL)의 개수는 복수 개일 수도 있다.9 shows an example in which the number of the slits 300SL formed in each of the first and second connecting portions 300a and 300b is one. However, in the first and second connecting portions 300a and 300b, The number of slits 300SL formed may be plural.

아울러, 도 9에서는 슬릿(300SL)의 길이 방향이 제1 방향(x)인 경우를 일례로 도시하였으나, 이와 다르게 슬릿(300SL)은 도 10에 도시된 바와 같이, 제2 방향(y)으로 길게 형성될 수도 있다.9, the slit 300SL has a longitudinal direction in the first direction x. However, as shown in FIG. 10, the slit 300SL may be elongated in the second direction y, .

또한, 도 11에 도시된 바와 같이, 인터커넥터(300)는 중심선(300CL)을 기준으로 비대칭으로 위치하는 폭과 길이가 같은 홀(300H)을 구비할 수 있다. 11, the interconnect 300 may include a hole 300H having the same width and the same length, which are positioned asymmetrically with respect to the center line 300CL.

이와 같은 홀(300H)은 인터커넥터(300)의 제1 접속 부분(300a)에서 중심선(300CL)을 기준으로 제1 측면(300S1)에 인접하는 영역에 구비되고, 중심선(300CL)을 기준으로 제2 측면(300S2)에 인접한 영역에는 구비되지 않을 수 있다.Such a hole 300H is provided in a region adjacent to the first side face 300S1 with respect to the center line 300CL in the first connecting portion 300a of the inter connecter 300, It may not be provided in the region adjacent to the two side surfaces 300S2.

아울러, 인터커넥터(300)의 제2 접속 부분(300b)에서 중심선(300CL)을 기준으로 제2 측면(300S2)에 인접한 영역에 구비되고, 중심선(300CL)을 기준으로 제1 측면(300S1)에 인접한 영역에는 구비되지 않을 수 있다.The second connecting portion 300b of the inter connector 300 is provided in the vicinity of the second side 300S2 with respect to the center line 300CL and is provided on the first side 300S1 with respect to the center line 300CL It may not be provided in the adjacent area.

여기서, 홀(300H)의 폭 또는 길이(W300H)는 제1, 2 도전성 배선(210, 220)의 선폭(W210, W220)보다 작거나 클 수 있으며, 일례로, 1.5mm ~ 2.5mm 사이로 형성될 수 있다.The width or length W300H of the hole 300H may be smaller or larger than the line widths W210 and W220 of the first and second conductive wirings 210 and 220 and may be set to be between 1.5 mm and 2.5 mm, .

지금까지의 도 9 내지 도 11에서는 인터커넥터(300)의 선폭(W300)이 균일한 상태에서 인터커넥터(300)에 비대칭으로 위치하는 슬릿(300SL) 또는 홀(300H)이 구비된 경우를 일례로 설명하였으나, 이와 다르게, 인터커넥터(300)의 선폭(W300)이 제1 방향(x)에 따라 증가하거나 감소하도록 형성된 상태에서, 슬릿(300SL) 또는 홀(300H)이 인터커넥터(300)에 비대칭으로 위치할 수도 있다.9 to 11 show a case where the slit 300SL or the hole 300H located asymmetrically to the interconnector 300 is provided in a state where the line width W300 of the interconnector 300 is uniform The slit 300SL or the hole 300H may be asymmetric to the inter connector 300 in a state in which the line width W300 of the interconnect 300 is increased or decreased along the first direction x Lt; / RTI >

이에 대해, 도 12를 참조하여 설명하면 다음과 같다.This will be described with reference to FIG.

도 12는 본 발명에 따른 태양 전지 모듈을 전면에서 바라봤을 때, 인터커넥터(300)의 평면 형상이 제1 방향(x)에 따라 증가하거나 감소하도록 형성된 상태에서, 슬릿(300SL)이 인터커넥터(300)에 비대칭으로 위치하는 일례를 설명하기 위한 도이다.12 is a sectional view of the solar cell module according to the present invention when the slit 300SL is connected to the interconnector 300 in a state in which the planar shape of the interconnector 300 is formed to increase or decrease along the first direction x, 300 as shown in FIG.

도 12에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 인터커넥터(300)는 평면 형상이 제1 방향(x)에 따라 증가하거나 감소하도록 형성될 수 있고, 슬릿(300SL)이 인터커넥터(300)에 비대칭으로 위치할 수 있다.12, the interconnect 300 according to the present invention can be formed such that the planar shape increases or decreases along the first direction x, and the slit 300SL is asymmetric to the interconnect 300 Lt; / RTI >

여기서, 인터커넥터(300)의 제1 접속 부분(300a)에서 중심선(300CL)을 기준으로 제1 측면(300S1)에 인접하여 제1 방향(x)의 슬릿(300SL)이 구비되고, 중심선(300CL)을 기준으로 제2 측면(300S2)에 인접한 영역에는 슬릿(300SL)이 구비되지 않을 수 있다.The slit 300SL in the first direction x is provided adjacent to the first side 300S1 with respect to the center line 300CL in the first connecting portion 300a of the inter connecter 300, The slit 300SL may not be provided in a region adjacent to the second side 300S2.

아울러, 인터커넥터(300)의 제2 접속 부분(300b)에서 중심선(300CL)을 기준으로 제2 측면(300S2)에 인접한 영역에는 제1 방향(x)의 슬릿(300SL)이 구비되고, 중심선(300CL)을 기준으로 제1 측면(300S1)에 인접한 영역에는 슬릿(300SL)이 구비되지 않을 수 있다.A slit 300SL in the first direction x is provided in a region adjacent to the second side 300S2 with respect to the center line 300CL in the second connecting portion 300b of the inter connecter 300, The slit 300SL may not be provided in a region adjacent to the first side 300S1 with respect to the first side 300L1.

또한, 인터커넥터(300)의 제1, 2 접속 부분(300a, 300b) 사이에는 제2 방향(y)의 슬릿(300SL)이 구비될 수 있다.A slit 300SL in the second direction y may be provided between the first and second connecting portions 300a and 300b of the inter connecter 300. [

도 12에서는 인터커넥터(300)의 제1, 2 접속 부분(300a, 300b)에 슬릿(300SL)이 구비되는 경우를 일례로 도시하였으나, 이와 다르게 제1, 2 접속 부분(300a, 300b)에는 슬릿(300SL) 대신 홀(300H)이 구비될 수도 있다.12 shows a case where the slit 300SL is provided in the first and second connecting portions 300a and 300b of the inter connecter 300. Alternatively, the first and second connecting portions 300a and 300b may be provided with slits A hole 300H may be provided instead of the hole 300SL.

여기서, 각 슬릿(300SL)의 길이 및 폭은 앞선 도 9 및 도 10에서 설명한 바와 동일할 수 있다.Here, the length and the width of each slit 300SL may be the same as those described in Figs. 9 and 10 above.

아울러, 인터커넥터(300)의 최대 선폭(WM300)은 2mm ~ 3mm 사이일 수 있으며, 인터커넥터(300)의 최소 선폭(WS300)은 0.6mm ~ 1mm 사이일 수 있다.In addition, the maximum line width WM300 of the interconnect 300 may be between 2 mm and 3 mm, and the minimum line width WS300 of the interconnect 300 may be between 0.6 mm and 1 mm.

또한, 인터커넥터(300)에서 최대 선폭(WM300)이 유지되는 길이(300X1)는 5mm ~ 7mm 사이일 수 있고, 인터커넥터(300)의 선폭(W300)이 증가하거나 감소하는 길이(300X2)는 1mm ~ 1.5mm 사이일 수 있고, 인터커넥터(300)에서 최소 선폭(WS300)이 유지되는 길이(300X3)는 3mm ~ 3.5mm 사이일 수 있다.The length 300X1 of the interconnect 300 in which the maximum line width WM300 is maintained may be between 5mm and 7mm and the length 300X2 of the line width W300 of the interconnect 300 may be 1mm And the length 300X3 at which the minimum line width WS300 of the interconnect 300 is maintained may be between 3 mm and 3.5 mm.

이와 같이, 본 발명에 따른 인터커넥터(300)는 평면 형상이 중심선(300CL)을 기준으로 비대칭 형상을 갖도록 함으로써, 제1, 2 도전성 배선(210, 220)에 의해 발생되는 열 팽창 스트레스를 완화할 수 있다.As described above, the interconnector 300 according to the present invention has an asymmetrical shape with respect to the center line 300CL in plan view, thereby reducing the thermal expansion stress generated by the first and second conductive interconnects 210 and 220 .

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, Of the right.

Claims (5)

반도체 기판; 상기 반도체 기판에 서로 다른 극성을 가지며, 제1 방향으로 길게 배치되는 복수의 제1 전극과 복수의 제2 전극을 각각 구비하는 복수의 태양 전지;
각각이 상기 복수의 태양 전지 각각에 접속되되, 상기 복수의 제1, 2 전극에 교차하는 제2 방향으로 길게 배치되며, 상기 복수의 제1 전극에 중첩되어 접속되는 복수의 제1 도전성 배선과 상기 복수의 제2 전극에 중첩되어 접속되는 복수의 제2 도전성 배선; 및
상기 복수의 태양 전지 중 서로 인접한 두 개의 제1, 2 태양 전지 사이에 상기 제1 방향으로 길게 배치되고, 상기 두 개의 태양 전지 중 상기 제1 태양 전지에 접속된 상기 복수의 제1 도전성 배선과 상기 두 개의 태양 전지 중 제2 태양 전지에 접속된 상기 복수의 제2 도전성 배선이 공통으로 접속되는 인터커넥터;를 포함하고,
상기 인터커넥터의 평면 형상은 상기 제1 방향과 나란한 상기 인터커넥터의 중심선을 기준으로 비대칭으로 위치하는 제1, 2 슬릿 또는 제1, 2 홀을 구비하고,
상기 인터커넥터에서 상기 제1 태양 전지와 인접한 제1 측면은 상기 제1 태양 전지와 이격되고, 상기 제1 태양 전지에 접속된 복수의 제1 도전성 배선이 접속되는 상기 제1 측면의 제1 접속 영역에는 상기 제1 슬릿 또는 제1 홀이 구비되고,
상기 인터커넥터에서 상기 제2 태양 전지와 인접한 제2 측면은 상기 제2 태양 전지와 이격되고, 상기 제2 태양 전지에 접속된 복수의 제2 도전성 배선이 접속되는 상기 제2 측면의 제2 접속 영역에는 상기 제2 슬릿 또는 제2 홀이 구비되고,
상기 제1 슬릿과 상기 제2 슬릿은 상기 인터커넥터의 중심선을 기준으로 선대칭되지 않는 위치에 구비되거나, 상기 제1 홀과 상기 제2 홀은 상기 인터커넥터의 중심선을 기준으로 선대칭되지 않는 위치에 구비되는 태양 전지 모듈.
A semiconductor substrate; A plurality of solar cells each having a plurality of first electrodes and a plurality of second electrodes arranged in a first direction and having different polarities on the semiconductor substrate;
A plurality of first conductive wirings, each of which is connected to each of the plurality of solar cells and is arranged in a second direction crossing the plurality of first and second electrodes, the plurality of first conductive wirings being overlapped and connected to the plurality of first electrodes; A plurality of second conductive wirings connected in superposition with the plurality of second electrodes; And
A plurality of first conductive wirings arranged in the first direction between two first and second solar cells adjacent to each other of the plurality of solar cells and connected to the first solar cell of the two solar cells, And an interconnector in which the plurality of second conductive interconnections connected to the second solar cell of the two solar cells are commonly connected,
The planar shape of the interconnector includes first and second slits or first and second holes positioned asymmetrically with respect to a center line of the interconnector in parallel with the first direction,
Wherein a first side surface of the interconnector adjacent to the first solar cell is spaced apart from the first solar cell and a plurality of first conductive interconnections connected to the first solar cell are connected, The first slit or the first hole is provided,
Wherein a second side surface of the interconnector adjacent to the second solar cell is spaced apart from the second solar cell and a plurality of second conductive interconnections connected to the second solar cell are connected, The second slit or the second hole is provided,
The first slit and the second slit may be provided at positions that are not line-symmetrical with respect to the center line of the interconnector, or the first hole and the second hole may be provided at positions that are not line-symmetrical with respect to the center line of the interconnector Solar cell module.
제1 항에 있어서,
상기 제1 슬릿 또는 제1 홀은 상기 인터커넥터의 상기 제1 접속 영역에 복수개가 구비되고,
상기 제2 슬릿 또는 제2 홀은 상기 인터커넥터의 상기 제2 접속 영역에 복수개가 구비되는 태양 전지 모듈.
The method according to claim 1,
Wherein a plurality of the first slits or the first holes are provided in the first connection region of the interconnector,
And a plurality of second slits or second holes are provided in the second connection region of the interconnector.
제1 항에 있어서,
상기 인터커넥터는 상기 제1, 2 접속 영역과 중첩되지 않는 다른 영역에 제3 슬릿 또는 제3 홀을 더 구비하는 태양 전지 모듈.
The method according to claim 1,
Wherein the interconnector further comprises a third slit or a third hole in another region that does not overlap the first and second connection regions.
제3 항에 있어서,
상기 제3 슬릿 또는 제3 홀은 상기 인터커넥터의 중심선과 중첩되어 위치하는 태양 전지 모듈.
The method of claim 3,
And the third slit or the third hole overlaps with a center line of the interconnector.
제1 항에 있어서,
상기 인터커넥터는 상기 제1 방향으로 진행함에 따라 상기 인터커넥터의 상기 제2 방향으로의 선폭이 변화하고,
상기 인터커넥터는 상기 제1, 2 슬릿 또는 제1, 2 홀의 상기 제2 방향으로의 최대 선폭 또는 상기 제1 방향으로의 최대 길이보다 작은 선폭을 갖는 부분을 포함하는 태양 전지 모듈.
The method according to claim 1,
The line width of the interconnector in the second direction changes as the interconnector moves in the first direction,
Wherein the interconnector includes a portion having a maximum line width in the second direction of the first, second slits, or first and second holes, or a line width smaller than the maximum length in the first direction.
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