KR20170042618A - 은 분말, 그 제조방법 및 도전성 페이스트 - Google Patents

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Abstract

다음을 포함하는 은 분말: 유기물 1 분자에 적어도 하나의 카르복실기 및 적어도 하나의 히드록시기를 포함하는 은 분말의 표면 상의 유기물, (캐손 항복치/BET 비표면적)의 비가 500 이하이고, 상기 캐손 항복치는 도전성 페이스트의 캐손 항복치이고. 상기 BET 비표면적은 은 분말의 BET 비표면적이며, 상기 도전성 페이스트는 은 분말 86 중량%, 유리 프릿 1 중량%, 에틸 셀룰로오스 0.6 중량%, 텍사놀 10.5 중량% 및 산화아연 1.9 중량%의 조성물을 포함하고, 상기 조성물을 자공전식 진공탈포장치로 혼련하고 3중롤밀로 분산시켜 제조되는 도전성 페이스트이다.

Description

은 분말, 그 제조방법 및 도전성 페이스트{Silver Powder, Method for Producing Same, and Conductive Paste}
본 발명은 예를 들어, 적층 콘덴서와 태양전지의 회로의 내부 전극, 플라즈마 디스플레이 패널, 및 터치패널의 형성에 사용되는 도전성 페이스트에 사용되는 은 분말, 상기 은 분말 제조방법 및 도전성 페이스트에 관한 것이다.
적층 콘덴서의 내부 전극, 회로 기판의 도체 패턴, 및 태양전지와 플라즈마 디스플레이 패널용 기판의 전극 및 회로를 형성하는 종래 방법은 유리 비히클에 유리 프릿과 함께 은 분말을 첨가한 다음 혼련하여 연소형태의 도전성 페이스트를 제조하고, 제조된 도전성 페이스트를 기판 상에 설정된 패턴으로 형성시키고, 그 결과물을 500℃ 이상의 온도로 가열하여 유기성분을 제거하고 은 분말 입자를 소결시켜 도전성 필름을 제조하는 방법이다.
이러한 용도에 사용되는 도전성 페이스트는 전자부품의 소형화를 위한 도체 패턴의 고밀도화 및 미세화에 부응할 필요가 있다. 그러므로, 적절하게 작은 입경과 균일한 입자 크기를 가지며, 유기 비히클에 분산되는 은 분말이 필요하다.
이러한 도전성 페이스트용 은 분말을 제조하기 위한 공지된 방법으로는 은 이온을 포함하는 수성반응계(aqueous reaction system)에 환원제를 첨가하여 환원을 통해 구형(spherical) 은 분말을 침착시키는 습식환원법이 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조).
또 다른 공지된 방법으로는 나노 크기의 은 분말의 표면에 있는 유기 물질을 적절한 것으로 치환하여 설정된 유기 비히클과의 적합성을 향상시키는 방법이 있다(예컨대 특허문헌 2 참조)
특개평 08-175520호 일본특허공개공보 특개 2013-151753호 일본특허공개공보
상술한 바와 같이, 전자부품의 소형화와 함께, 미세배선(fine wired line)을 묘화할 수 있는 도전성 페이스트가 요구되고 있다. 스크린 인쇄에서 미세배선을 묘화할 때 메시(mesh)의 구멍 크기와 같은 심각한 기술적 문제가 발생한다. 따라서, 현재, 감광성 페이스트를 이용하여 배선을 형성하는 기술이 주목받고 있다.
감광성 페이스트를 사용할 때, 상기 감광성 페이스트의 평탄성이 매우 중요한 특성이 된다. 불량한 평탄성을 갖는 감광성 페이스트를 사용하는 경우 결과물의 도전성 필름의 두께가 불균일하게 되며, 도전성 필름의 불충분한 경화와 같은 문제를 야기한다.
이러한 문제를 고려하여, 본 발명은 우수한 평탄성을 갖는 도전성 페이스트를 제조할 수 있는 은 분말, 상기 은 분말의 제조방법 및 도전성 페이스트를 제공하고자 한다.
본 발명자는 상기 문제점을 해결하기 위해, 예의 연구를 거듭한 결과, 은 분말 표면에 유기물 1 분자에 적어도 하나의 카르복실기 및 적어도 하나의 히드록시기(hydroxyl group)를 갖는 유기물을 500 이하의 (캐손 항복치/BET 비표면적)의 비로 포함하는 은 분말을 사용하여 상기 문제점을 효과적으로 해결할 수 있음을 확인하였다. 상기 캐손 항복치는 도전성 페이스트의 캐손 항복치이고, 상기 BET 비표면적은 은 분말의 BET 비표면적이다. 또한, 도전성 페이스트의 조성은 은 분말 86 중량%, 유리 프릿 1 중량%, 에틸 셀룰로오스 0.6 중량%, 텍사놀 10.5 중량%, 산화아연 1.9 중량%이다. 도전성 페이스트는 상기 조성물을 자공전식 진공탈포장치로 혼련하고 3중롤밀로 분산시켜 제조된다.
본 발명은 본 발명자가 얻은 상기 발견에 기초하고, 상기 문제를 해결하기 위한 수단은 다음과 같다.
<1> 은 분말 86 중량%, 유리 프릿 1 중량%, 에틸 셀룰로오스 0.6 중량%, 텍사놀 10.5 중량% 및 산화아연 1.9 중량%의 조성으로 이루어지고, 자공전식 진공탈포장치로 혼련하여, 3중롤밀로 분산시켜 제조되는 도전성 페이스트의 캐손(Casson) 항복치와, 상기 은 분말의 BET 비표면적과의 비(캐손 항복치/BET 비표면적)가 500 이하이며,
또한 상기 은 분말은 유기물 1 분자에 적어도 하나의 카르복실기 및 적어도 하나의 히드록시기를 포함하는 유기물을 표면에 포함하는 것을 특징으로 하는 은 분말.
<2> <1>에 있어서, 상기 유기물은 지방산 1 분자에 적어도 하나의 히드록시기를 갖는 은 분말이다.
<3> <2>에 있어서, 상기 지방산 1 분자의 탄소원자의 수는 6 이상 20 이하인 은 분말이다.
<4> <2> 또는 <3>에 있어서, 상기 지방산은 리시놀산(ricinoleic acid), 12-히드록시스테아르산(1-hydroxystearic acid) 및 알류리트산(aleuritic acid)으로 구성된 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 지방산인 은 분말이다.
<5> <1> 내지 <4> 중 어느 하나에 있어서, 상기 은 분말은 BET 비표면적이 0.1 ㎡/g 이상 2.0 ㎡/g 이하이고, 레이저회절 입도분포분석으로 측정한 부피-기준 입도 분포에서의 누적 50% 입경(D50)이 0.1 ㎛ 이상 6.0 ㎛ 이하이고, 누적 90% 입경(D90) 및 누적 10% 입경(D10)에 대한 상기 D50의 비[(D90-D10)/D50]가 3.0 이하인 것을 특징으로 하는 은 분말이다.
<6> 다음의 단계를 포함하는 은 분말의 제조방법:
습식환원법에 의해 환원제로 은 분말을 환원 및 침착시키는 단계 및 분산제로 유기물 1 분자에 적어도 하나의 카르복실기 및 적어도 하나의 히드록시기를 포함하는 유기물을 첨가하는 단계.
<7> <6>에 있어서, 상기 환원제는 아스코르브산(ascorbic acid), 알카놀아민(alkanolamine), 수소화붕소나트륨(sodium borohydride), 히드로퀴논(hydroquinone), 히드라진(hydrazine) 및 포르말린(formalin)으로 구성된 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 환원제인 은 분말의 제조방법이다.
<8> <1> 내지 <5> 중 어느 하나에 기재된 은 분말을 포함하는 도전성 페이스트.
<9> <8>에 있어서, 상기 도전성 페이스트는 감광성 페이스트인 도전성 페이스트이다.
<10> 유기물 1 분자에 적어도 하나의 카르복실기 및 적어도 하나의 히드록시기를 포함하는 은 분말, 유리 프릿, 수지 및 용제를 포함하고,
도전성 페이스트의 캐손 항복치와, 상기 은 분말의 BET 비표면적과의 비(캐손 항복치/BET 비표면적)가 500 이하인 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트.
<11> <10>에 있어서, 상기 유기물은 지방산 1 분자에 적어도 하나의 히드록시기를 갖는 지방산이고, 상기 지방산 1 분자의 탄소원자의 수는 6 이상 20 이하인 도전성 페이스트이다.
<12> <11>에 있어서, 상기 지방산은 리시놀산, 12-히드록시스테아르산 및 알류리트산으로 구성된 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 지방산인 도전성 페이스트이다.
<13> <8> 내지 <12> 중 어느 하나에 있어서, 상기 은 분말의 BET 비표면적은 0.1 ㎡/g 이상 2.0 ㎡ 이하이고, 레이저회절 입도분포분석으로 측정한 부피-기준 입도 분포에서의 은 분말의 입경의 누적 50% 입경(D50)는 0.1 ㎛ 이상 6.0 ㎛ 이하이며, [(D90-D10)/D50]의 비는 3.0 이하인 도전성 페이스트이다. 상기 D50은 입경의 누적 50% 입경이고, D90은 은 분말의 입경의 누적 90% 입경이며, D10은 은 분말의 입경의 10% 누적 포인트인 도전성 페이스트이다.
(은 분말)
본 발명의 은 분말은 은 분말의 표면 상에 유기물을 포함하고, 상기 유기물은 유기물 1 분자에 적어도 하나의 카르복실기 및 적어도 하나의 히드록시기를 포함하며, (캐손 항복치/BET 비표면적)의 비는 500 이하로, 상기 캐손 항복치는 도전성 페이스트의 캐손 항복치이고, 상기 BET 비표면적은 은 분말의 BET 비표면적이고, 도전성 페이스트는 은 분말 86 중량%, 유리 프릿 1 중량%, 에틸 셀룰로오스 0.6 중량%, 텍사놀 10.5 중량%, 산화아연 1.9 중량%의 조성물을 가지며, 상기 도전성 페이스트는 상기 조성물을 자공전식 진공탈포장치로 혼련하고 3중롤밀로 분산시켜 제조된다.
<캐손 항복치>
캐손 항복치(τ0)은 √τ 및 √D의 분산형 차트로부터 구한 다음의 공식 A로부터 계산할 수 있으며, 상기 √τ는 전단응력이고, 상기 √D는 전단속도이다.
Figure pct00001
전단응력 τ은 점도(η) 및 전단속도(D)를 이용한 다음의 공식 B로부터 계산할 수 있다.
Figure pct00002
점도는 25℃에서 점도계 5XHBDV-IIIUC(BROOKFIELD Co. 제조)의 콘(cone): CP25를 이용하여 측정된 값으로 정의된다. 본 명세서에서, 콘:CP52 내 콘의 각도는 3°이다.
전단속도 D는 콘의 각속도(ω) 및 콘의 각도(θ)로부터 얻을 수 있는 값이다. 전단속도 D는 다음의 공식 C로부터 계산할 수 있다.
Figure pct00003
캐손 항복치가 매우 크면 도전성 페이스트의 평탄성이 나빠진다. 그러므로, 캐손 항복치는 600 이하, 보다 바람직하게는, 500 이하이다.
-은 분말의 BET 비표면적-
은 분말의 BET 비표면적은 질소흡착을 이용한 싱글포인트 방법으로 Macsorb HM-모델 1210(MOUNTECH Co. 제조)을 이용하여 측정할 수 있다. 본 명세서에서, BET 비표면적의 측정에서 측정 전 탈가스 조건은 60℃ 및 10분이다.
본 발명에서, 은 분말의 BET 비표면적은 0.1 ㎡/g 이상 2.0 ㎡/g 이하이고, 바람직하게는 0.3 ㎡/g 이상 1.5 ㎡/g 이하이다. 상기 BET 비표면적이 0.1 ㎡/g 이하이면, 은 분말의 크기가 커져 경우에 따라 미세배선의 묘화에 적합하지 않다. 상기 BET 비표면적이 2.0 ㎡/g 이상이면, 수득한 도전성 페이스트의 점도가 너무 높아 사용 전에 도전성 페이스트를 희석해야한다. 결과적으로, 도전성 페이스트 내 은의 농도가 낮아지고, 결과물의 배선은 깨질 수 있다.
은 분말의 BET 비표면적에 대한 도전성 페이스트의 캐손 항복치의 비(캐손 항복치/BET 비표면적)는 500 이하이다.
(캐손 항복치/BET 비표면적)의 비가 500 이하인 경우, 우수한 평탄성을 갖는 도전성 페이스트를 얻을 수 있다.
<은 분말>
은 분말의 제조방법에 대하여 후술한 바와 같이, 은 분말은 바람직하게는 습식환원법에 의해 제조되고, 상기 은 분말의 표면에 유기물 1 분자에 적어도 하나의 카르복실기 및 적어도 하나의 히드록시기를 갖는 유기물을 포함하는 은 분말이다.
본 명세서에서, “은 분말의 표면상에 유기물 1 분자에 적어도 하나의 카르복실기 및 적어도 하나의 히드록시기를 갖는 유기물을 포함한다”라는 문구의 의미는 흡착 및 코팅과 같은 어떠한 방식으로 은 분말의 표면에 유기물이 부착된 상태를 포함한다. 상기 은 분말은 은 분말의 표면의 적어도 일부분에 유기물을 포함할 수 있다. 즉, 은 분말의 표면 전체가 유기물을 포함하거나 은 분말의 표면 일부가 유기물을 포함할 수 있다. 본 명세서에서, 은 분말은 유기물을 은 분말의 내부에 포함할 수 있다.
(은 분말의 제조방법)
본 발명의 은 분말의 제조방법은 습식환원법에 의해 환원제로 은 분말을 환원 및 침착시키는 단계 및 분산제로 유기물을 첨가하는 단계로, 상기 유기물은 유기물 1 분자에 적어도 하나의 카르복실기 및 적어도 하나의 히드록시기를 갖는 유기물이다. 바람직하게는 본 발명의 방법은 다음을 포함한다: 은 이온 분산액의 액체 제조 단계; 은의 환원 단계; 분산제의 흡착 단계; 은 분말의 세척 단계; 및 은 분말의 건조 단계. 본 발명의 방법은 필요하다면 다른 단계를 추가적으로 포함한다.
-은 이온 분산액의 용액 준비 단계-
은 이온 분산액의 용액 준비 단계는 은 이온 분산액을 제조하는 단계이다.
은 이온을 포함하는 수성반응계로서, 질산은, 은 복합체 또는 은 중간물질을 포함하는 수용액 또는 슬러리를 사용할 수 있다.
은 복합체를 포함하는 수용액은 암모니아수 또는 암모늄염을 질산은 수용액 또는 산화은 현탁액에 첨가하여 제조할 수 있다. 그 중에서도, 질산은 수용액에 암모니아수를 가하여 얻은 은 암민 복합체를 사용하는 것이 적정한 입경 및 구형을 갖는 은 분말의 제조에 바람직하다.
은 암민 복합체 중 암모니아의 배위수는 2이고, 은 1 mol 당 2 mol 이상의 암모니아를 첨가한다. 암모니아의 양이 너무 많으면, 생성된 복합체는 안정하게 되어 환원이 쉽게 진행되지 않는다. 그러므로, 바람직하게는, 암모니아의 양은 은 1 mol 당 8 mol 이하이다. 본 명세서에서, 암모니아의 양이 8 mol을 초과하여도, 환원제 첨가량을 증가시키는 등의 조절을 통해 적절한 입경을 갖는 구형 은 분말을 얻을 수 있다. 또한, 은 이온을 함유하는 수용액에 pH 조절제를 첨가할 수 있다. pH 조절제로, 일반적으로 사용되는 산 및 염기를 사용할 수 있다. 그 예로 질산 및 수산화나트륨을 포함한다.
-은의 환원 단계-
은의 환원 단계는 환원제로 은을 환원 및 침착시키는 단계이다.
예컨대, 상기 환원제는 아스코르브산, 아황산염(sulfites), 알카놀아민, 과산화수소 수용액(aqueous hydrogen peroxide), 포름산(formic acid), 포름산암모늄(ammonium formate), 포름산나트륨(sodium formate), 글리옥살(glyoxal), 타르타르산(tartaric acid), 차아인산나트륨(sodium hypophosphite), 수소화붕소나트륨, 히드로퀴논, 히드라진, 히드라진 화합물, 피로갈롤(pyrogallol), 글루코오스(glucose), 갈산(gallic acid), 포르말린, anhydrous sodium sulphite 및 롱갈리트(Rongalite)를 포함한다. 이들은 단독 또는 조합으로 사용될 수 있다.
바람직하게는, 그중에서, 아스코르브산, 알카놀아민, 수소화붕소나트륨, 히드로퀴논, 히드라진 및 포르말린으로 구성된 군으로부터 선택되는 하나 이상의 환원제이고, 보다 바람직하게는, 히드라진 및 포르말린이다.
환원제를 사용함으로써 적절한 입경을 갖는 은 분말을 얻을 수 있다. 바람직하게는, 환원제의 양은 은에 대한 반응 수율을 증가시키기 위해 은에 대하여 1 당량 이상이다. 환원력이 약한 환원제를 사용하는 경우, 환원제의 양은 은에 대하여 바람직하게는 2 당량 이상, 보다 바람직하게는 10 당량 이상 20 당량 이하이다.
환원제를 첨가하는 방법으로는 은 분말의 응집을 억제하기 위해 환원제의 첨가량을 1 당량/분 이상의 속도로 하는 것이 바람직하다. 이것에 대한 분명한 이유는 없지만, 고려할 수 있는 이유는 다음과 같다. 구체적으로, 환원제를 단시간에 첨가하면, 은 분말의 환원 및 침착이 동시에 일어난다. 결과적으로, 환원반응이 단시간에 종료되고 형성된 핵 사이의 응집이 쉽게 일어나지 않아 분산성이 향상된다. 그러므로, 환원제의 첨가 시간은 바람직하게 더 짧다. 예컨대, 환원제는 100 당량/분 이상의 속도로 첨가할 수 있다. 또한, 단시간 내 반응을 종료시키기 위해 환원 반응시에 반응 혼합물을 교반하는 것이 바람직하다. 또한, 환원 반응 시에 액체 온도는 바람직하게는 5℃ 이상 80℃ 이하, 보다 바람직하게는 15℃ 이상 40℃ 이하이다.
수득한 은 분말은 특별히 제한되지 않고, 목적에 따라 적절하게 선택될 수 있다. 바람직하게는 구형 또는 무정형의 은 분말이다. 여기서, 구형 은 분말은 주사전자현미경으로 관찰하였을 때, 입자 형상이 구형 또는 거의 구형이고 100 입자의 구형도가 1.5 이하인 것을 특징으로 하는 은 분말이다[상기 구형도는 주사전자현미경으로 입자를 관찰하였을 때 (가장 긴 직경을 갖는 부분의 직경)/(가장 짧은 직경을 갖는 부분의 직경)이다]. 무정형 은 분말은 주사전자현미경으로 관찰하였을 때 구형 입자 형태 이외에 입자 형태를 갖고 있는, 원주형이나 각주형 등의 특정 입자 형태의 어떠한 특징을 갖지 않는 은 분말을 의미한다.
-분산제의 흡착 단계-
분산제의 흡착 단계는 은 분말의 표면에 분산제를 흡착시키는 단계이다.
분산제로서, 유기물 1 분자에 적어도 하나의 카르복실기 및 적어도 하나의 히드록시기를 갖는 유기물을 사용하였다.
은 분말의 환원 및 침착 후 분산제를 액체에 첨가함으로써 분산제를 은 분말의 표면에 흡착시킬 수 있다.
바람직하게는, 상기 유기물은 지방산 1 분자에 적어도 하나의 히드록시기를 포함하는 지방산이고, 각각의 기(group)는 사슬 탄화수소기에 결합된다. 보다 바람직하게는, 상기 유기물은 적어도 하나의 히드록시기를 포함하는 지방산(이하, 히드록실 지방산)이다. 히드록시기를 포함하는 은 분말의 표면을 약하게 친수성으로 함으로써, 은 분말과 용매의 호환성을 보다 좋게 할 수 있다. 그러나, 은 분말의 표면이 지나치게 친수성이 되면, 반대로 은 분말은 호환성이 떨어진다. 그러므로, 1 분자 당 히드록시기의 수는 바람직하게는 1 이상 5 이하, 보다 바람직하게는 1 이상 3 이하이다.
상기 지방산의 탄소원자의 수는 바람직하게는 6 이상 20 이하이고, 보다 바람직하게는 12 이상 20 이하이다. 탄소 원자의 수가 6 미만인 경우, 지방산은 입체 장애가 발생하지 않아 응집될 우려가 있다. 탄소 원자의 수가 20 초과인 경우, 분산제는 연소 시 분해되지 않아 잠재적으로 도전성은 저하시킨다.
은 분말에 대한 흡착력과 은 분말로부터 유리성(releasability) 간의 균형의 관점에서, 바람직하게는, 상기 지방산은 지방산 1 분자에 하나의 카르복실기 및 적어도 하나의 히드록시기를 포함하는 1가 지방산이다.
예컨대, 지방산 1 분자에 하나의 카르복실기 및 적어도 하나의 히드록시기를 포함하는 히드록실 지방산은 리시놀산, 12-히드록시스테아르산 및 알류리트산이다. 이들은 단독 또는 조합으로 사용될 수 있다. 리시놀산 및 12-히드록시스테아르산은 지방산의 탄소 사슬 중 하나의 수소가 히드록시기로 치환된 것이다. 리시놀산 및 12-히드록시스테아르산의 탄소 원자의 수는 18이다. 또한, 카르복실기를 포함하는 지방산의 탄소 사슬의 3개의 수소가 히드록시기로 치환된 알류리트산과 같이, 치환된 히드록시기의 수가 2 이상인 분산제가 요변성비의 감소시키는데 적합하다.
본 명세서에서, 분산제를 확인할 수 있는 방법은 다음을 포함한다: FT-IR을 통한 측정 방법; 용매로 표면처리제를 추출하고 탄소자동분석기 또는 GC-MS로 추출물을 측정하는 방법; 및 은 분말을 예컨대, 열분해기로 가열하고 은 분말의 포면으로부터 유리된 분산제를 탄소자동분석기 또는 GC-MS로 측정하는 방법.
[리시놀산]
리시놀산은 다음의 구조식을 갖는 불포화 지방산이고, 피마자(Ricinus communis)의 종자에 자연적으로 존재한다. 본 명세서에서, 피마자유의 구성 지방산의 90%는 리시놀산의 중성지방이다.
Figure pct00004
[12-히드록시스테아르산]
12-히드록시스테아르산은 다음의 구조식을 갖는 포화지방산이다.
Figure pct00005
[알류리트산]
알류리트산은 다음의 구조식을 갖는 포화지방산이다.
Figure pct00006
바람직하게는, 흡착되는 유기물의 양은 은 분말의 질량에 대하여 3.0 중량% 이하이고, 보다 바람직하게는, 1.0 중량% 이하이다.
바람직하게는, 분산제의 흡착 단계에서 첨가되는 유기물의 양은 은 분말의 질량에 대하여 3.0 중량% 이하이고, 보다 바람직하게는, 1.0 중량% 이하이다.
-은 분말의 회수 및 세척 단계-
은 분말의 회수 및 세척 단계는 수득한 은 분말을 회수하여 세척하는 단계이다.
은 분말은 불순물을 포함하고 있기 때문에 환원 단계 후에 수득한 은 분말을 세척해야한다.
세척에 사용된 적합한 세척 용매는 순수한 물이다. 상기 회수 및 세척의 방식은 특별히 제한되지 않으며, 목적에 따라 적절하게 선택할 수 있다. 그 예로는 경사법 및 압착식 여과기가 있다. 세척의 종료는 세척 후 물의 전도율로 판정할 수 있다. 전도율이 0.5 mS/m 이하가 될 때까지 세척하는 것이 적합하다.
-은 분말의 건조 단계-
은 분말의 건조 단계는 세척 후의 은 분말을 건조하는 단계이다.
세척 후의 은 분말은 많은 수분을 함유하며, 사용 전에 수분을 제거해야한다. 수분을 제거하는 적합한 방법은 진공 하의 건조이다. 건조 온도는 적절하게는 100℃ 이하로 설정한다. 건조 시에 과도한 열을 가하는 것은 은 분말 사이의 소결이 일어나기 때문에 바람직하지 않다.
수득한 은 분말에 건식 분쇄처리 또는 선별처리를 실시할 수 있다. 분쇄 처리를 대신하여, 표면 평탄화 처리가 수행될 수 있다. 표면 평탄화 처리는 은 분말을 기계적으로 유동화 할 수 있는 장치에 충전하고, 은 분말의 입자를 서로 기계적으로 분쇄하여 은 분말 표면의 요철 및 각부를 평탄화한다. 또한, 선별처리는 분쇄 또는 표면 평탄화 처리 후에 수행될 수 있다. 본 명세서에서, 건조, 분쇄 및 선별은 건조, 분쇄 및 선별이 가능한 통합장치(예컨대, HOSOKAWA MICRON CORPORATION社의 DRYMEISTER 및 MICRON DRYER)를 사용하여 수행될 수 있다.
은 분말의 제조 방법에 의해 제조되고 은 분말의 표면에 유기물 1 분자에 적어도 하나의 카르복실기 및 적어도 하나의 히드록시기를 갖는 유기물을 포함하는 은 분말은 다음의 특성이 관찰된다.
-은 분말의 입도 분포-
레이저회절 입도분포분석으로 측정한 부피-기준 입도 분포에서의 은 분말의 입경의 누적 50% 입경(D50)는 바람직하게는, 0.1 ㎛ 이상 6.0 ㎛ 이하이고, 보다 바람직하게는 0.1 ㎛ 이상 4.0 ㎛ 이하이다.
[(D90-D10)/D50]의 비는 바람직하게는 3.0 이하이고, 보다 바람직하게는, 2.0 이하이다. 상기 D50은 입경의 누적 50% 입경이고, D90은 은 분말의 입경의 누적 90% 입경이며, D10은 은 분말의 입경의 10% 누적 포인트이다.
BET 비표면적과 유사하게, 은 분말의 입도분포가 너무 크면, 은 분말은 미세배선을 묘화하는데 적합하지 않다. 은 분말의 입도분포가 너무 작으면 도전성 페이스트 내 은 농도를 증가시키기 어렵게 된다. 또한, 은 분말은 입도분포의 피크 폭이 좁은 것이 바람직하고, 입경이 작은 범위인 것이 바람직하다. 즉, 균일하다.
은 분말의 입도분포의 측정은 습식 레이저회절 시스템에 기반한 입도분포 측정을 통해 실시할 수 있다. 습식 레이저회절 시스템에 기반한 입도분포 측정은 다음과 같다. 구체적으로, 은 분말 0.1 g을 이소프로필알콜 40 ㎖에 넣고, 2분 동안 초음파 균질기(NISSEI Corporation社의 MODEL US-150T)로 분산시킨다. 다음, Microtrac 입도분포 분석기(NIKKISO CO., LTD., Microtrac MT3300EXII)를 이용하여 분산액 내 은 분말의 입도분포를 측정한다. 측정결과는 은 분말의 입도분포의 빈도 및 누적이 결정되는 그래프를 만들기 위해 도시된다. 입경의 10% 누적 포인트는 D10로 표시되고, 입경의 누적 50% 입경은 D50로 표시되며, 입경의 누적 90% 입경은 D90로 표시된다.
(도전성 페이스트)
제 1 양태에서, 본 발명의 도전성 페이스트는 본 발명의 은 분말을 포함하고, 바람직하게는, 은 분말, 유리 프릿, 수지 및 용매를 포함한다. 도전성 페이스트는 필요에 따라 다른 성분을 추가적으로 포함한다.
제 2 양태에서, 본 발명의 도전성 페이스트는 다음을 포함한다: 은 분말의 표면에 유기물을 포함하는 은 분말, 유기물 1 분자에 적어도 하나의 카르복실기 및 적어도 하나의 히드록시기를 갖는 유기물; 유리 프릿; 수지; 및 용매, [캐손 항복치/BET 비표면적(BET specific surface area)]의 비는 500 이하로, 상기 캐손 항복치는 도전성 페이스트의 캐손 항복치이고, 상기 BET 비표면적은 은 분말의 BET 비표면적이다.
<은 분말>
사용된 은 분말은 본 발명의 은 분말이다.
은 분말의 양은 특별히 제한되지 않고, 목적에 따라 적절하게 선택될 수 있다. 바람직하게는, 은 분말의 양은 도전성 페이스트의 전체 양에 대하여 40 중량% 이상 90 중량% 이하이다.
<유리 프릿>
유리 프릿은 연소 시 은 분말을 기판에 결합시키는 성분이다.
유리 프릿은 특별히 제한되지 않고, 목적에 따라 적절하게 선택될 수 있다. 그 예로는 비스무트 붕규산계(bismuth borosilicate-based) 유리 프릿, 알칼리 금속 붕규산계(alkali metal borosilicate-based) 유리 프릿, 알칼리 토금속 붕규산계(alkaline earth metal borosilicate-based) 유리 프릿, 아연 붕규산계(zinc borosilicat-based) 유리 프릿, 붕규산납계(lead borosilicate-based) 유리 프릿, 붕산납계(lead borate-based) 유리 프릿 및 규산납계(lead silicated-based) 유리 프릿이 포함된다. 이들은 단독 또는 조합으로 사용될 수 있다. 본 명세서에서, 유리 프릿은 환경에 대한 악영향을 고려하여 납이 없는 유리 프릿이 바람직하다.
유리 프릿의 연화점은 특별히 제한되지 않고, 목적에 따라 적절하게 선택될 수 있다. 유리 프릿의 연화점은 바람직하게는 400℃ 이상 600℃ 이하이다. 연화점이 400℃ 이하인 경우, 도전성 페이스트 중의 수지 성분이 증발하기 전에 유리의 소결이 시작되어, 탈바인더 과정이 원활하게 진행되지 않는다. 결과적으로, 수지 성분은 연소 후에 잔류 탄소가 되어 도전성 필름이 박리될 수 있다. 연화점이 600℃보다 높으면, 약 600℃ 이하의 온도에서 소성하면 충분한 접착 강도를 갖는 미세 도전성 막이 얻어지지 않을 수 있다.
연화점은 예를 들어 열중량 분석기에 의해 측정된 DTA 곡선의 제2 흡열부의 하부폭의 온도로부터 결정될 수 있다.
유리 프릿의 양은 특별히 제한되지 않고, 목적에 따라 적절하게 선택될 수 있다. 바람직하게는, 유리 프릿의 양은 은 분말에 대하여 0.1 중량% 이상 10 중량% 이하이다.
<수지>
수지는 특별히 제한되지 않고, 목적에 따라 적절하게 선택될 수 있다. 그 예로는 에폭시(epoxy) 수지, 아크릴(acrylic) 수지, 폴리에스테르(polyester) 수지, 폴리이미드(polyimide) 수지, 폴리우레탄(polyurethane) 수지, 페녹시(phenoxy) 수지, 실리콘(silicone) 수지 및 에틸(ethyl) 셀룰로오스를 포함한다. 이들은 단독 또는 조합으로 사용될 수 있다.
수지의 양은 특별히 제한되지 않고, 목적에 따라 적절하게 선택될 수 있다.
용매는 특별히 제한되지 않고, 목적에 따라 적절하게 선택될 수 있다. 그 예로는 테르피네올(terpineol), 부틸 카르비톨 아세테이트(buthyl carbitol acetate) 및 텍사놀(texanol)을 포함한다. 이들은 단독 또는 조합으로 사용될 수 있다.
다른 성분들도 특별히 제한되지 않고, 목적에 따라 적절하게 선택될 수 있다. 그 예로는 산화아연과 같은 금속 산화물 및 점도 조절제를 포함한다.
<도전성 페이스트의 제조 방법>
본 발명에 있어서의 도전성 페이스트의 제조 방법은 본 발명의 도전성 페이스트의 제조방법이다.
본 발명의 은 분말, 유리 프릿, 수지, 용매 및 필요에 따라 함유되는 다른 성분을 자공전식 진공탈포장치로 혼련하고 3중롤밀로 분산시키는 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서의 도전성 페이스트의 구체적인 페이스트 조성 및 제조 플로우를 다음에 나타낸다.
<페이스트 조성>
은 분말 86.0 중량%
유리 프릿 1.0 중량%
산화 아연 1.9 중량%
에틸 셀룰로오스 0.6 중량%
텍사놀 10.5 중량%
<도전성 페이스트의 제조 플로우>
Figure pct00007
본 발명의 도전성 페이스트는 예를 들어, 스크린 인쇄, 오프셋 인쇄 또는 포토리소그래피에 의해 기판 상에 인쇄될 수 있다.
스크린 인쇄의 경우, 도전성 페이스트의 점도는 바람직하게는 25℃ 및 1 회전 시 10 Paㆍs 이상 1,000 Paㆍs 이하이다. 도전성 페이스트의 점성이 10 Paㆍs 미만이면, 인쇄 시에 “블리딩(bleeding)”이 발생할 수 있다. 도전성 페이스트의 점도가 1,000 Paㆍs 초과이면, “흐린 인쇄(blurred print)”와 같은 인쇄 불균일이 발생할 수 있다.
도전성 페이스트의 점도는 은 분말의 양 조절하고, 점도조절제의 첨가하고, 용매의 종류 변경함으로써 조절할 수 있다.
상기 도전성 페이스트는 감광성 페이스트로 사용하는데 적합하고 예를 들어, 스크린 인쇄, 오프셋 인쇄 또는 포토리소그래피에 의해 기판 상에 인쇄될 수 있다.
본 발명의 도전성 페이스트는 예를 들어, 태양 전지, 칩 부품, 하이브리드 ICs, 서리제거장치, 서미스터, 배리스터, 서멀 헤드, 액정 표시 장치(LCDs), 플라스마 디스플레이(PDPs), 전계방출 디스플레이(FEDs) 및 전자파 차폐재와 같은 다양한 전자 부품의 전극 및 회로로 사용하는데 적합하다.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결할 수 있으며, 우수한 평탄성을 갖는 도전성 페이스트를 제조할 수 있는 은 분말, 상기 은 분말의 제조방법 및 도전성 페이스트를 제공할 수 있다.
실시예
본 발명을 실시예 및 비교예에 의해 설명한다. 그러나, 본 발명은 이들 실시예 및 비교예에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에서, 실시예 및 비교예에서 제조된 각각의 은 분말의 유기물의 동정 및 BET 비표면적 및 입도분포의 측정은 다음과 같은 방식으로 수행된다.
<유기물의 동정>
각각의 제조된 은 분말을 열분해기(Frontier Lab Co.社의 EGA/Py-3030D)를 이용하여 300℃로 가열하여 은 분말의 표면으로부터 유기물을 유리시켰다. 다음, 유리된 유기물을 GC-MS(Agilent Technologies Co.社의 7890A/5975C)를 이용하여 확인하였다.
본 명세서에서, 히드록시기를 함유한 지방산은 높은 극성을 가지며, 상기 방법에서 감도가 매우 낮다. 그러므로, 작용기를 메틸화시킬 필요가 있다. 이 경우의 방법을 이하에 설명한다.
염산 및 메탄올 혼합물(TOKYO CHEMICAL INDUSTRY CO., LTD.의 Hydrogen Chloride-Methanol Reagent) 1 ㎖에 은 분말 0.5 g을 첨가하였다. 혼합물을 50℃로 30분 동안 가열하여 은 분말의 표면으로부터 유기물을 유리시키고 작용기를 메틸화시키고, 그 다음 차갑게 두었다. 다음, 순수한 물 1 ㎖ 및 n-헥산 2 ㎖을 혼합물에 첨가하고 메틸화된 유기물이 헥산층으로 추출되도록 흔들어주었다. 헥산층의 성분을 GC-MS를 사용하여 분석하고, 은 분말의 표면 상의 유기물을 확인하였다. 이하, 관능기가 메틸화된 유기물을 유기물의 유도체로 기재한다.
<BET 비표면적>
각각의 제조된 은 분말의 BET 비표면적은 BET 비표면적 측정 장치(Macsorb HM-모델 1210, MOUNTECH Co. 제조)를 이용하여 질소흡착을 이용한 싱글 포인터 BET 방법으로 측정하였다. 본 명세서에서, BET 비표면적의 측정에 있어서, 측정 전 탈가스 조건은 60℃ 및 10분이다.
<입도분포>
각각의 제조된 은 분말의 입도분포는 다음의 방법으로 측정하였다. 구체적으로, 은 분말 0.1 g을 이소프로필 알코올 40 ㎖에 첨가하고, 초음파 균질기(MODEL US-150T, NISSEI Corporation 제조)로 2분 동안 분산시키고, Microtrac 입도분포 분석기(Microtrac MT3300EXII, NIKKISO CO., LTD., 제조)를 이용하여 측정하였다. 측정결과를 그래프화하여 은 분말의 입도분포의 빈도 및 누적들 결정하여 입경의 10% 누적 포인트(D10), 입경의 누적 50% 입경(D50) 및 입경의 90% 누적포인트(D90)를 측정하였다.
(실시예 1)
-은 분말의 제조-
은 52 g을 포함하는 질산은 용액 3,600 g을 준비하였다. 28 중량% 암모니아수 용액 160 g을 상기 질산은 용액에 첨가하여 은 이온을 포함하는 수성반응계를 제조하였다. 액체 온도는 25℃로 설정하였다. 상기 은이온을 포함하는 수성반응계에 환원제로 80 중량% 하이드라진 수용액 13 g을 첨가하고 충분히 교반하여, 은 분말을 포함하는 슬러리를 수득하였다.
다음으로, 3.5 중량% 리시놀산(하나의 히드록기를 추가로 포함하는 것을 제외하면 올레산과 동일함; 탄소원자수: 18)을 포함하는 에탄올 용액 5.9 g을 은 분말을 포함하는 수득한 슬러리에 분산제로 첨가하고, 충분히 교반하고 숙성시켰다. 리시놀산의 첨가량은 은 분말의 중량에 대하여 0.4 중량%였다. 숙성된 슬러리를 여과하고, 물로 세척하고, 분쇄하여 실시예 1의 은 분말을 수득하였다.
수득한 은 분말을 평가한 결과, BET 비표면적은 1.4 ㎡/g, 누적 10% 입경(D10)은 0.9 ㎛, 누적 50% 입경(D50)은 1.7 ㎛, 누적 90% 입경(D90)은 3.4 ㎛이고, [(D90-D10)/D50]의 비는 (3.4-0.9)/1.7=1.5였다. 또한, 상기 방법에 따라 은 분말에 부착된 유기물을 분석한 결과, 리시놀산 유도체로부터 유래하는 피크가 관찰되어, 은 분말의 표면에 리시놀산이 존재함을 확인할 수 있었다.
-도전성 페이스트의 제조-
유리 프릿(OKUNO CHEMICAL INDUSTRIES CO., LTD., G3-5754) 0.3 g, 산화 아연(Junsei Chemical Co., Ltd., 제조, 특급시약) 0.6 g, 에틸 셀룰로오스 100 cp 0.2 g(Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) 및 텍사놀(JNC Corporation, CS-12) 3.3 g를 수득한 은 분말 27 g에 첨가하고 프로펠러가 없는 자공전식 진공탈포장치(THINKY Corporation, AR-250)로 혼합하였다. 그 다음, 3중롤밀(EXAKT Co., EXAKT80S)를 사용하여 점차 좁은 롤 갭을 통과시켜 도전성 페이스트를 얻었다.
수득한 도전성 페이스트의 콘의 수에 대한 회전수를 0.1 rpm, 1.0 rpm, 5.0 rpm, 또는 10.0 rpm로 하여 점도를 측정하였다. 점도는 25℃에서 콘: CP52을 사용하여 5XHBDV-IIIUC 점도계(BROOKFIELD Co. 제조)로 측정하였다.
0.1 rpm에서의 전단속도는 0.2 rad/s이고, 점도는 2,010 Paㆍs이다. 1.0 rpm에서의 전단속도는 2.0 rad/s이고 점도는 396 Paㆍs이다. 5.0 rpm에서의 전단속도는 10.0 rad/s이고 점도는 113 Paㆍs이다. 10.0 rpm에서의 전단속도는 20.0 rad/s이고 점도는 62 Paㆍs이다.
상기 값으로 결정된 전단응력 τ을 결정하였고, 전단응력 τ는 402 Pa, 792 Pa, 1,130 Pa 및 1,240 Pa이다.
분산형 차트에 √D 및 √τ을 플로팅하여 공식 √τ=3.6×√D+20.7을 구하였다. 캐손 항복치는 429이고, “캐손 항복치/BET 비표면적”=429/1.42=302이다.
수득한 도전성 페이스트를 스크린 인쇄기를 이용하여 인쇄하였다. 육안으로 관찰한 경우, 수득한 전도막은 요철이 없는 양호한 평탄성을 나타내었다.
(실시예 2)
-은 분말의 제조-
분산제를 3.5 중량% 12-히드록시스테아르산(하나의 히드록시기가 추가된 것 외에 스테아르산과 동일함, 탄소원자의 수: 18)을 함유하는 에탄올 용액 5.9 g으로 변경한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 은 분말을 숙성시켰다. 12-히드록시스테아르산의 첨가량은 은 분말의 질량에 대하여 0.4 중량%이다. 숙성된 은 분말 슬러리를 여과하고 물로 세척하고, 분쇄하여 실시예 2의 은 분말을 얻었다.
수득한 은 분말을 측정한 결과로, BET 비표면적은 1.31 ㎡/g, 입경의 10% 누적 포인트(D10)는 0.7 ㎛, 입경의 누적 50% 입경(D50)는 1.5 ㎛, 입경의 누적 90% 입경(D90)는 3.1 ㎛이고, [(D90-D10)/D50]의 비는 (3.1-0.7)/1.5=1.6이다. 또한, 상기 방법에 따라 은 분말에 부착된 유기물을 분석 결과는 12-히드록시스테아르산의 유도체로부터 유래하는 피크가 관찰되어, 은 분말의 표면에 12-히드록시스테아르산이 존재함을 확인할 수 있었다.
-도전성 페이스트의 제조-
수득한 은 분말을 실시예 1과 동일하게 사용하여 실시예 2의 도전성 페이스트를 얻었다.
실시예 1과 동일하게 도전성 페이스트의 캐손 항복치를 구하였고 캐손 항복치는 450이였으며, “캐손 항복치/BET 비표면적”=450/1.31=344이다.
수득한 도전성 페이스트를 스크린 인쇄기를 이용하여 인쇄하였다. 육안으로 관찰한 경우, 수득한 전도막은 요철이 없는 양호한 평탄성을 나타내었다.
(실시예 3)
-은 분말의 제조-
은 52 g을 포함하는 질산은 용액 3,700 g을 제공하였다. 28 중량% 액상 암모니아 용액 150 g을 질산은 용액에 첨가하여 은 이온을 포함하는 수성반응계를 제조하였다. 액체 온도는 28℃로 설정하였다. 37 중량% 액상 포르말린 용액 240 g을 은 이온을 포함하는 수성반응계에 환원제로 첨가하고 교반한 다음 은 분말을 포함하는 슬러리를 수득하였다.
2.0 중량% 알류리트산(3개의 히드록시기를 첨가하는 것을 제외하면 스테아르산과 동일함. 탄소원자수: 18)을 포함하는 에탄올 용액 4.7 g을 은 분말을 포함하는 수득한 슬러리에 분산제로 첨가하고 충분히 교반하고 숙성시켰다. 알류리트산의 첨가량은 은 분말의 질량에 대하여 0.18 중량%이다. 숙성된 슬러리를 여과하고, 물로 세척하고, 분쇄하여 실시예 3의 은 분말을 수득하였다.
수득한 은 분말을 측정한 결과로, BET 비표면적은 0.46 ㎡/g, 입경의 10% 누적 포인트(D10)는 1.6 ㎛, 입경의 누적 50% 입경(D50)는 3.0 ㎛, 입경의 누적 90% 입경(D90)는 5.5 ㎛이고, [(D90-D10)/D50]의 비는 (5.5-1.6)/3.0=1.3이다. 또한, 상기 방법에 따라 은 분말에 부착된 유기물을 분석 결과는 알류리트산 유도체로부터 유래하는 피크가 관찰되어, 은 분말의 표면에 알류리트산이 존재함을 확인할 수 있었다.
-도전성 페이스트의 제조-
수득한 은 분말을 실시예 1과 동일하게 사용하여 실시예 3의 도전성 페이스트를 얻었다.
실시예 1과 동일하게 도전성 페이스트의 캐손 항복치를 구하였고 캐손 항복치는 17이였으며, “캐손 항복치/BET 비표면적”=17/0.46=37이다.
수득한 도전성 페이스트를 스크린 인쇄기를 이용하여 인쇄하였다. 육안으로 관찰한 경우, 수득한 전도막은 요철이 없는 양호한 평탄성을 나타내었다.
(실시예 4)
-은 분말의 제조-
분산제를 2.0 중량% 12-히드록시스테아르산(하나의 히드록시기가 추가된 것 외에 스테아르산과 동일함, 탄소원자의 수: 18)을 함유하는 에탄올 용액 4.7 g으로 변경한 것 이외에는 실시예 3과 동일하게 은 분말을 숙성시켰다. 12-히드록시스테아르산의 첨가량은 은 분말의 질량에 대하여 0.18 중량%이다. 숙성된 은 분말 슬러리를 여과하고 물로 세척하고, 분쇄하여 실시예 4의 은 분말을 얻었다.
수득한 은 분말을 측정한 결과로, BET 비표면적은 0.42 ㎡/g, 입경의 누적 10% 입경(D10)는 1.4 ㎛, 입경의 누적 50% 입경(D50)는 2.7 ㎛, 입경의 누적 90% 입경(D90)는 5.2 ㎛이고, [(D90-D10)/D50]의 비는 (5.2-1.4)/2.7=1.4이다. 또한, 상기 방법에 따라 은 분말에 부착된 유기물을 분석 결과는 12-히드록시스테아르산 유도체로부터 유래하는 피크가 관찰되어, 은 분말의 표면에 12-히드록시스테아르산이 존재함을 확인할 수 있었다.
-도전성 페이스트의 제조-
수득한 은 분말을 실시예 1과 동일하게 사용하여 실시예 4의 도전성 페이스트를 얻었다.
실시예 1과 동일하게 도전성 페이스트의 캐손 항복치를 구하였고 캐손 항복치는 204이였으며, “캐손 항복치/BET 비표면적”=204/0.42=486이다.
수득한 도전성 페이스트를 스크린 인쇄기를 이용하여 인쇄하였다. 육안으로 관찰한 경우, 수득한 전도막은 요철이 없는 양호한 평탄성을 나타내었다.
(비교예 1)
-은 분말의 제조-
분산제를 3.5 중량% 스테아르산을 함유하는 에탄올 용액 5.9 g으로 변경한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 은 분말을 숙성시켰다. 스테아르산의 첨가량은 은 분말의 질량에 대하여 0.4 중량%이다. 숙성된 은 분말 슬러리를 여과하고 물로 세척하고, 분쇄하여 비교예 1의 은 분말을 얻었다.
수득한 은 분말을 측정한 결과로, BET 비표면적은 1.27 ㎡/g, 입경의 누적 10% 입경(D10)는 0.5 ㎛, 입경의 누적 50% 입경(D50)는 1.5 ㎛, 입경의 누적 90% 입경(D90)는 3.1 ㎛이고, [(D90-D10)/D50]의 비는 (3.1-0.5)/1.5=1.7이다. 또한, 상기 방법에 따라 은 분말에 부착된 유기물을 분석 결과는 스테아르산으로부터 유래하는 피크가 관찰되어, 은 분말의 표면에 스테아르산이 존재함을 확인할 수 있었다.
-도전성 페이스트의 제조-
수득한 은 분말을 실시예 1과 동일하게 사용하여 비교예 1의 도전성 페이스트를 얻었다.
실시예 1과 동일하게 도전성 페이스트의 캐손 항복치를 구하였고 캐손 항복치는 701이였으며, “캐손 항복치/BET 비표면적”=701/1.27=552이다.
수득한 도전성 페이스트를 스크린 인쇄기를 이용하여 인쇄하였다. 육안으로 관찰한 경우, 수득한 전도막은 요철이 있는 좋지않은 평탄성을 나타내었다.
(비교예 2)
-은 분말의 제조-
분산제를 2.0 중량% 올레산을 함유하는 에탄올 용액 4.7 g으로 변경한 것 이외에는 실시예 3과 동일하게 은 분말을 숙성시켰다. 올레산의 첨가량은 은 분말의 질량에 대하여 0.18 중량%이다. 숙성된 은 분말 슬러리를 여과하고 물로 세척하고, 분쇄하여 비교예 2의 은 분말을 얻었다.
수득한 은 분말을 측정한 결과로, BET 비표면적은 0.39 ㎡/g, 입경의 누적 10% 입경(D10)는 1.6 ㎛, 입경의 누적 50% 입경(D50)는 3.1 ㎛, 입경의 누적 90% 입경(D90)는 6.2 ㎛이고, [(D90-D10)/D50]의 비는 (6.2-1.6)/3.1=1.5이다. 또한, 상기 방법에 따라 은 분말에 부착된 유기물을 분석 결과는 올레산에 기인하는 피크가 관찰되어, 은 분말의 표면에 올레산이 존재함을 확인할 수 있었다.
-도전성 페이스트의 제조-
수득한 은 분말을 실시예 1과 동일하게 사용하여 비교예 2의 도전성 페이스트를 얻었다.
실시예 1과 동일하게 도전성 페이스트의 캐손 항복치를 구하였고 캐손 항복치는 304이였으며, “캐손 항복치/BET 비표면적”=304/0.39=780이다.
수득한 도전성 페이스트를 스크린 인쇄기를 이용하여 인쇄하였다. 육안으로 관찰한 경우, 수득한 전도막은 요철이 있는 좋지않은 평탄성을 나타내었다. 또한, 몇 군데 파손된 곳이 관찰되었다.
표 3은 상기 실시예 및 비교예의 BET 비표면적, 캐손 항복치 및 캐손 항복치/BET 비표면적을 나타낸다.
- 분산제 양 BET 비표면적(B) 캐손 항복치
(A)		 (A)/(B)
(중량%) ㎡/g
실시예 1 리시놀산 0.4 1.42 429 302
실시예 2 12-히드록시스테아르산 0.4 1.31 450 344
실시예 3 알류리트산 0.18 0.46 17 37
실시예 4 12-히드록시스테아르산 0.18 0.42 204 486
비교예 1 스테아르산 0.4 1.27 701 552
비교예 2 올레산 0.18 0.39 304 780
실시예와 비교예를 비교하면, “캐손 항복치/BET 비표면적”이 500 이하인 경우에 은 분말을 사용하여 평탄성이 우수한 도전성 페이스트를 제공할 수 있음을 알 수 있다.
산업상 이용가능성
본 발명의 은 분말을 함유하는 도전성 페이스트는 평탄성이 양호하기 때문에 다양한 전자 부품의 전극 및 회로의 형성에 바람직하게 사용할 수 있다.

Claims (13)

  1. 은 분말 86 중량%, 유리 프릿 1 중량%, 에틸 셀룰로오스 0.6 중량%, 텍사놀 10.5 중량% 및 산화아연 1.9 중량%의 조성으로 이루어지고, 자공전식 진공탈포장치로 혼련하여, 3중롤밀로 분산시켜 제조되는 도전성 페이스트의 캐손(Casson) 항복치와, 상기 은 분말의 BET 비표면적과의 비(캐손 항복치/BET 비표면적)가 500 이하이며,
    또한 상기 은 분말은 유기물 1 분자에 적어도 하나의 카르복실기 및 적어도 하나의 히드록시기를 포함하는 유기물을 표면에 포함하는 것을 특징으로 하는 은 분말.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 유기물은 지방산 1 분자에 하나 이상의 히드록시기를 포함하는 지방산인 것을 특징으로 하는, 은 분말.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 지방산은 지방산 1 분자의 탄소 원자의 수가 6 이상 20 이하인 것을 특징으로 하는, 은 분말.
  4. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 지방산은 리시놀산, 12-히드록시스테아르산 및 알류리트산으로 구성된 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 지방산인 것을 특징으로 하는, 은 분말.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 은 분말은 BET 비표면적이 0.1 ㎡/g 이상 2.0 ㎡/g 이하이고, 레이저회절 입도분포분석으로 측정한 부피-기준 입도 분포에서의 누적 50% 입경(D50)이 0.1 ㎛ 이상 6.0 ㎛ 이하이고, 누적 90% 입경(D90) 및 누적 10% 입경(D10)에 대한 상기 D50의 비[(D90-D10)/D50]가 3.0 이하인 것을 특징으로 하는 은 분말.
  6. 다음을 단계를 포함하는 은 분말의 제조방법:
    습식환원법에 의해 환원제로 은 분말을 환원 및 침착시키는 단계 및 분산제로 유기물 1 분자에 적어도 하나의 카르복실기 및 적어도 하나의 히드록시기를 포함하는 유기물을 첨가하는 단계.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 환원제는 아스코르브산, 알카놀아민, 수소화붕소나트륨, 하이드로퀴논, 하이드라진 및 포르말린으로 구성된 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 환원제인 것을 특징으로 하는, 은 분말의 제조방법.
  8. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항의 은 분말을 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 도전성 페이스트는 감광성 페이스트인 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트.
  10. 유기물 1 분자에 적어도 하나의 카르복실기 및 적어도 하나의 히드록시기를 포함하는 은 분말, 유리 프릿, 수지 및 용제를 포함하고,
    도전성 페이스트의 캐손 항복치와, 상기 은 분말의 BET 비표면적과의 비(캐손 항복치/BET 비표면적)가 500 이하인 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 유기물은 지방산 1 분자에 하나 이상의 히드록시기를 포함하는 지방산이고, 상기 지방산 1 분자의 탄소 원자 수가 6 이상 20 이하인 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 지방산은 리시놀산, 12-히드록시스테아르산 및 알류리트산으로 구성된 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 지방산인 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트.
  13. 제 8 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 은 분말의 BET 비표면적은 0.1 ㎡/g 이상 2.0 ㎡/g 이하이고, 레이저회절 입도분포분석으로 측정한 부피-기준 입도 분포에서의 은 분말의 입경의 누적 50% 입경(D50)가 0.1 ㎛ 이상 6.0 ㎛ 이하이며, [D90-D10]/D50]는 3.0 이하이고, 상기 D50은 입경의 누적 50% 입경이며, D90은 은 분말의 입경의 누적 90% 입경이고, D10은 은 분말의 입경의 누적 10% 입경인 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트.
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Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017002409A (ja) * 2014-07-31 2017-01-05 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 銀粉及びその製造方法
JP6029719B2 (ja) * 2014-07-31 2016-11-24 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 銀粉及びその製造方法、並びに導電性ペースト
JP6029720B2 (ja) 2014-07-31 2016-11-24 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 銀粉及びその製造方法、並びに導電性ペースト
CN105880627B (zh) * 2016-05-13 2018-03-16 溧阳市立方贵金属材料有限公司 一种可精确控制比表面积的银微粉的制备方法
US11081253B2 (en) * 2016-11-08 2021-08-03 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Silver particle dispersing solution, method for producing same, and method for producing conductive film using silver particle dispersing solution
JP6690580B2 (ja) * 2017-03-08 2020-04-28 住友大阪セメント株式会社 ペースト、酸化物半導体膜および色素増感型太陽電池
CN107655795B (zh) * 2017-09-19 2020-03-20 合肥国轩高科动力能源有限公司 一种判断锂离子电池合浆浆料比表面积合格的方法
US11441010B2 (en) 2017-10-04 2022-09-13 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Fine silver particle dispersion
KR102061720B1 (ko) * 2017-10-31 2020-01-02 엘에스니꼬동제련 주식회사 표면 처리된 은 분말 및 이의 제조방법
CN108492912A (zh) * 2018-03-15 2018-09-04 山东建邦胶体材料有限公司 以银粉比表面积控制的太阳能电池正面银浆及其制备方法
KR102007857B1 (ko) 2018-06-29 2019-08-06 엘에스니꼬동제련 주식회사 표면 처리된 은 분말 및 이의 제조방법
WO2020137329A1 (ja) * 2018-12-26 2020-07-02 昭栄化学工業株式会社 銀ペースト
KR20210105405A (ko) * 2018-12-26 2021-08-26 쇼에이 가가쿠 가부시키가이샤 은 페이스트
KR102263618B1 (ko) * 2019-03-29 2021-06-10 대주전자재료 주식회사 혼합 은 분말 및 이를 포함하는 도전성 페이스트
US11072715B2 (en) * 2019-04-04 2021-07-27 E I Du Pont De Nemours And Company Fine silver particle dispersion
US11227702B2 (en) 2019-04-04 2022-01-18 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Fine silver particle dispersion
KR102454264B1 (ko) * 2020-03-25 2022-10-14 엘에스니꼬동제련 주식회사 점도 안정성이 향상된 전도성 페이스트용 은 분말 및 이의 제조방법
CN112420238A (zh) * 2020-11-09 2021-02-26 无锡晶睿光电新材料有限公司 一种触摸屏用镭射导电银浆及其制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0322306A (ja) * 1989-06-19 1991-01-30 Dai Ichi Kogyo Seiyaku Co Ltd 接着性良好な金属ペースト
JPH08175520A (ja) 1994-12-23 1996-07-09 Ishida Co Ltd 製袋包装機
JP2005042174A (ja) * 2003-07-24 2005-02-17 Sakata Corp 金属粉末の分散方法及びその方法によって得られる金属粉末分散体
JP2012214873A (ja) * 2011-03-28 2012-11-08 Dowa Electronics Materials Co Ltd 銀粉およびその製造方法、並びに導電性ペースト
JP2013151753A (ja) 2013-03-04 2013-08-08 Dowa Electronics Materials Co Ltd 極性媒体との親和性に優れた銀微粉および銀インク

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4443495A (en) * 1981-03-05 1984-04-17 W. R. Grace & Co. Heat curable conductive ink
JPH03173007A (ja) 1989-12-01 1991-07-26 Kao Corp 導電性ペースト及び導電性塗膜
JPH08176620A (ja) 1994-12-27 1996-07-09 Dowa Mining Co Ltd 銀粉の製造法
JP3541125B2 (ja) * 1998-05-01 2004-07-07 太陽インキ製造株式会社 アルカリ現像型光硬化性導電性ペースト組成物及びそれを用いて電極形成したプラズマディスプレイパネル
JP2003262949A (ja) * 2002-03-08 2003-09-19 Dainippon Printing Co Ltd アルキド樹脂を用いた感光性導電ペースト及び電極
JP4829489B2 (ja) * 2004-09-17 2011-12-07 株式会社リコー トナー、並びに、現像剤、トナー入り容器、プロセスカートリッジ、画像形成装置及び画像形成方法
JP4759271B2 (ja) * 2005-01-12 2011-08-31 バンドー化学株式会社 複合粒子分散体および複合粒子分散体の製造方法
JP5032005B2 (ja) * 2005-07-05 2012-09-26 三井金属鉱業株式会社 高結晶銀粉及びその高結晶銀粉の製造方法
JP2007194122A (ja) * 2006-01-20 2007-08-02 Sumitomo Electric Ind Ltd 導電性ペーストおよびそれを用いた配線基板
JP2008223096A (ja) * 2007-03-13 2008-09-25 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd フレーク状銀粉の製造方法
US20090098396A1 (en) * 2007-10-10 2009-04-16 Ppg Industries Ohio, Inc. Powder coating compositions, methods for their preparation and related coated substrates
JP2009138243A (ja) * 2007-12-07 2009-06-25 Dowa Electronics Materials Co Ltd 極性媒体との親和性に優れた銀微粉および銀インク並びに銀粒子の製造方法
JP2009215502A (ja) * 2008-03-12 2009-09-24 Dowa Electronics Materials Co Ltd 脂環式・芳香族炭化水素を溶媒とする銀インク
JP5139848B2 (ja) * 2008-03-14 2013-02-06 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 没食子酸の誘導体に被覆された銀ナノ粒子
JP5661273B2 (ja) * 2008-11-26 2015-01-28 三ツ星ベルト株式会社 金属コロイド粒子及びそのペースト並びにその製造方法
JP5688895B2 (ja) 2008-12-26 2015-03-25 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 微小銀粒子粉末と該粉末を使用した銀ペースト
EP2405449B1 (en) * 2009-03-06 2017-08-16 Toyo Aluminium Kabushiki Kaisha Electrically conductive paste composition and electrically conductive film formed by using the same
JP5441550B2 (ja) * 2009-07-30 2014-03-12 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 金属ナノ粒子分散液
JP2011052300A (ja) * 2009-09-04 2011-03-17 Dowa Electronics Materials Co Ltd フレーク状銀粉及びその製造方法、並びに導電性ペースト
CN102054882B (zh) 2009-10-29 2012-07-18 上海宝银电子材料有限公司 晶体硅太阳能电池用正面栅极导电银浆及其制备方法
JP5311147B2 (ja) * 2010-08-25 2013-10-09 株式会社豊田中央研究所 表面被覆金属ナノ粒子、その製造方法、およびそれを含む金属ナノ粒子ペースト
JP5830237B2 (ja) 2010-11-10 2015-12-09 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 銀粒子含有組成物、分散液ならびにペーストの製造方法
KR101332435B1 (ko) * 2010-11-25 2013-11-22 제일모직주식회사 전극 페이스트 조성물
KR101340541B1 (ko) * 2010-12-13 2013-12-11 제일모직주식회사 오프셋 인쇄용 전극 조성물, 이를 이용한 전극 형성 방법 및 플라즈마 디스플레이 패널
US8715387B2 (en) 2011-03-08 2014-05-06 E I Du Pont De Nemours And Company Process for making silver powder particles with small size crystallites
EP2578624A1 (en) * 2011-10-06 2013-04-10 Henkel Italia S.p.A. Polymeric PTC thermistors
CN102592703B (zh) * 2012-02-13 2014-04-16 江苏瑞德新能源科技有限公司 一种太阳能电池背面电极用银导体浆料
JP6081231B2 (ja) * 2012-03-05 2017-02-15 ナミックス株式会社 熱伝導性ペースト及びその使用
JP5880300B2 (ja) * 2012-06-14 2016-03-08 日立化成株式会社 接着剤組成物及びそれを用いた半導体装置
CN102842353B (zh) * 2012-08-14 2015-05-13 廖晓峰 一种用于片式元件端电极的导电浆料
EP2952526B1 (en) * 2013-02-04 2018-04-18 Bridgestone Corporation Photocurable elastomer composition, seal material, gasket for hard disk drive, hard disk drive and device
JP6423139B2 (ja) * 2013-06-28 2018-11-14 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 フレーク状銀粉及びその製造方法、並びに導電性ペースト
CN106457389B (zh) * 2014-06-20 2018-07-03 昭荣化学工业株式会社 碳被覆金属粉末、含有碳被覆金属粉末的导电性糊剂及使用了其的层叠电子部件
JP6620744B2 (ja) * 2014-07-11 2019-12-18 横浜ゴム株式会社 太陽電池集電電極形成用導電性組成物、太陽電池セルおよび太陽電池モジュール
JP6282616B2 (ja) * 2014-07-30 2018-02-21 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 銀粉およびその製造方法
JP6029720B2 (ja) 2014-07-31 2016-11-24 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 銀粉及びその製造方法、並びに導電性ペースト
JP6029719B2 (ja) * 2014-07-31 2016-11-24 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 銀粉及びその製造方法、並びに導電性ペースト

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0322306A (ja) * 1989-06-19 1991-01-30 Dai Ichi Kogyo Seiyaku Co Ltd 接着性良好な金属ペースト
JPH08175520A (ja) 1994-12-23 1996-07-09 Ishida Co Ltd 製袋包装機
JP2005042174A (ja) * 2003-07-24 2005-02-17 Sakata Corp 金属粉末の分散方法及びその方法によって得られる金属粉末分散体
JP2012214873A (ja) * 2011-03-28 2012-11-08 Dowa Electronics Materials Co Ltd 銀粉およびその製造方法、並びに導電性ペースト
JP2013151753A (ja) 2013-03-04 2013-08-08 Dowa Electronics Materials Co Ltd 極性媒体との親和性に優れた銀微粉および銀インク

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