KR20170028256A - 척 테이블 - Google Patents

척 테이블 Download PDF

Info

Publication number
KR20170028256A
KR20170028256A KR1020160110710A KR20160110710A KR20170028256A KR 20170028256 A KR20170028256 A KR 20170028256A KR 1020160110710 A KR1020160110710 A KR 1020160110710A KR 20160110710 A KR20160110710 A KR 20160110710A KR 20170028256 A KR20170028256 A KR 20170028256A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
chuck table
holding surface
surplus region
holding
Prior art date
Application number
KR1020160110710A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102418169B1 (ko
Inventor
겐 도가시
Original Assignee
가부시기가이샤 디스코
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시기가이샤 디스코 filed Critical 가부시기가이샤 디스코
Publication of KR20170028256A publication Critical patent/KR20170028256A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102418169B1 publication Critical patent/KR102418169B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

본 발명은, 표면에 복수의 전극 범프가 형성된 반도체 웨이퍼의 표면측을 흡인 유지하는 경우에, 부압의 누설을 방지하여 웨이퍼를 확실하게 흡인 유지할 수 있는 척 테이블을 제공하는 것을 목적으로 한다.
격자형으로 구획된 복수의 영역에 전극 범프를 갖는 디바이스가 각각 형성된 디바이스 영역과, 상기 디바이스 영역을 둘러싸는 외주 잉여 영역을 표면에 구비한 웨이퍼의 표면을 흡인하여 유지하는 척 테이블로서, 상기 전극 범프와 대향하여 웨이퍼의 상기 디바이스 영역을 흡인 유지하는 유지면과, 상기 유지면을 둘러싸고, 상기 유지면으로부터 돌출된 탄성부재로 웨이퍼의 상기 외주 잉여 영역을 지지하는 외주 잉여 영역 지지부를 구비하고, 상기 외주 잉여 영역 지지부는 상기 전극 범프의 높이에 대응하여 상기 유지면으로부터 돌출되는 것을 특징으로 한다.

Description

척 테이블{CHUCK TABLE}
본 발명은, 레이저 가공 장치 등의 가공 장치의 척 테이블에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼나 사파이어, SiC, GaN 등의 에피택셜 기판 상에 발광층이 형성된 광 디바이스 웨이퍼 등은, 웨이퍼에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔을 웨이퍼 내부에 집광점을 위치시켜 조사하여 웨이퍼 내부에 개질층을 형성하고, 계속해서, 웨이퍼에 외력을 부여하여 개질층을 파단 기점으로 하여 웨이퍼를 개개의 디바이스 칩으로 분할하는 가공 방법이 최근 이용되기 시작하고 있다(예컨대, 일본 특허 제3408805호 공보 참조).
이 가공 방법에서는, 레이저 빔의 에너지를 감쇠시키는 것(예컨대, 디바이스를 구성하는 각종 패턴을 형성하는 재료)이 레이저 빔의 조사면측에 형성되어 있지 않는 것이 조건이 된다. 그 때문에, 표면에 복수의 디바이스가 형성된 웨이퍼에 대해서는, 디바이스가 없는 이면측에서 레이저 빔을 조사하고, 내부에 개질층을 형성하는 것이 일반적으로 실시되고 있다.
웨이퍼의 이면측에서 레이저 빔을 조사하기 위해서는, 디바이스가 형성된 웨이퍼의 표면측을 척 테이블로 유지하는데, 척 테이블의 유지면이 디바이스에 직접 접촉하여 디바이스가 파손되는 것을 막기 위해서, 유지면을 시트 부재로 덮는 가공 방법이 알려져 있다(일본 특허 공개 제2013-229403호 공보 참조).
[특허문헌 1] 일본 특허 제3408805호 공보 [특허문헌 2] 일본 특허 공개 제2013-229403호 공보
플립 칩 본딩 타입의 반도체 디바이스는, 디바이스의 전극 상에 전극 범프가 형성되어 있는 경우가 있고, 반도체 웨이퍼의 표면에 전극 범프가 다수 배열되어 형성되어 있다.
이러한 반도체 디바이스에서는, 전극 범프가 돌출되어 있기 때문에, 웨이퍼의 표면을 척 테이블로 흡인 유지하고자 하면, 부압의 누설이 발생하여 충분히 부압을 확보할 수 없어, 흡인 유지가 완전하지 않다고 하는 과제가 있었다.
본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 바는, 표면에 복수의 전극 범프가 형성된 반도체 웨이퍼의 표면측을 흡인 유지하는 경우에, 부압의 누설을 방지하여 웨이퍼를 확실하게 흡인 유지할 수 있는 척 테이블을 제공하는 것이다.
본 발명에 따르면, 격자형으로 구획된 복수의 영역에 전극 범프를 갖는 디바이스가 각각 형성된 디바이스 영역과, 상기 디바이스 영역을 둘러싸는 외주 잉여 영역을 표면에 구비한 웨이퍼의 표면을 흡인하여 유지하는 척 테이블로서, 상기 전극 범프와 대향하여 웨이퍼의 상기 디바이스 영역을 흡인 유지하는 유지면과, 상기 유지면을 둘러싸고, 상기 유지면으로부터 돌출된 탄성부재로 웨이퍼의 상기 외주 잉여 영역을 지지하는 외주 잉여 영역 지지부를 포함하고, 상기 외주 잉여 영역 지지부는 상기 전극 범프의 높이에 대응하여 상기 유지면으로부터 돌출되는 것을 특징으로 하는 척 테이블이 제공된다.
바람직하게는, 척 테이블은, 웨이퍼보다 큰 직경으로 가요성과 통기성을 갖추고, 상기 유지면과 상기 외주 잉여 영역 지지부를 덮어, 흡인 유지한 웨이퍼의 표면을 보호하는 시트 부재와, 상기 시트 부재의 외주를 상기 외주 잉여 영역 지지부로부터 아래쪽으로 눌러 내려 고정하는 시트 부재 고정부를 더 포함한다.
바람직하게는, 척 테이블은, 상기 외주 잉여 영역 지지부의 상기 유지면으로부터의 돌출량을 조정하는 높이 조정 수단을 더 포함하고 있다.
본 발명의 척 테이블에 따르면, 웨이퍼의 전극 범프측을 유지면으로 유지하면서 유지면으로부터 전극 범프의 높이에 대응하여 돌출된 외주 잉여 영역 지지부에서 웨이퍼와 유지면 사이를 시일하여, 충분히 부압을 확보할 수 있기 때문에, 복수의 전극 범프를 갖는 웨이퍼를 전극 범프측으로부터 흡인 유지할 수 있다.
또한, 시트 부재를 이용하여 웨이퍼 표면을 보호하는 경우, 시트 부재 고정부로 시트 부재에도 대응할 수 있다. 나아가서는, 전극 범프의 높이가 디바이스의 종류에 따라 변경되어도, 외주 잉여 영역 지지부의 높이를 조정 수단에 의해 조정할 수 있기 때문에, 다른 척 테이블을 준비할 필요가 없다.
도 1은 본 발명의 척 테이블을 적용 가능한 레이저 가공 장치의 사시도이다.
도 2는 각 디바이스가 복수의 전극 범프를 갖는 웨이퍼의 표면측 사시도이다.
도 3은 웨이퍼의 이면을 외주부가 환상 프레임에 접착된 다이싱 테이프에 접착한 형태의 프레임 유닛의 사시도이다.
도 4는 본 발명 실시형태의 척 테이블로 프레임 유닛의 전극 범프측을 흡인 유지한 상태의 단면도이다.
도 5는 도 4에 도시된 척 테이블의 일부 확대 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시형태를 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 도 1은 본 발명 실시형태에 따른 척 테이블을 구비한 레이저 가공 장치(2)의 개략 구성도를 나타내고 있다. 레이저 가공 장치(2)는, 정지 베이스(4) 상에 탑재된 Y축 방향으로 연장되는 한 쌍의 가이드 레일(6)을 포함하고 있다.
Y축 이동 블록(8)은, 볼나사(10) 및 펄스 모터(12)로 구성되는 Y축 이송 기구(Y축 이송 수단)(14)에 의해 인덱싱 이송 방향, 즉 Y축 방향으로 이동된다. Y축 이동 블록(8) 상에는, X축 방향으로 연장되는 한 쌍의 가이드 레일(16)이 고정되어 있다.
X축 이동 블록(18)은, 볼 나사(20) 및 펄스 모터(22)로 구성되는 X축 이송 기구(X축 이송 수단)(28)에 의해, 가이드 레일(16)에서 안내되어 가공 이송 방향, 즉 X축 방향으로 이동된다.
X축 이동 블록(18) 상에는 원통형 지지 부재(30)를 매개로 척 테이블(24)이 탑재되어 있다. 척 테이블(24)에는, 도 3에 도시된 환상 프레임(F)을 클램프하는 복수(본 실시형태에서는 4개)의 클램프(26)가 배치되어 있다.
베이스(4)의 후방에는 칼럼(32)이 세워져 있다. 칼럼(32)에는, 레이저 빔 조사 유닛(34)의 케이싱(36)이 고정되어 있다. 케이싱(36) 내에는, YAG 레이저 발진기 등을 포함한 레이저 빔 발진 수단이 수용되어 있고, 케이싱(36)의 선단에는 레이저 빔을 가공해야 할 웨이퍼 상에 집광하는 집광기(레이저 헤드)(38)가 장착되어 있다.
레이저 빔 조사 유닛(34)의 케이싱(36)의 선단에는, 척 테이블(24)에 유지된 웨이퍼(11)를 촬상하는 촬상 유닛(40)이 장착되어 있다. 촬상 유닛은 적외광에 대응한 촬상 소자를 구비하고 있다. 집광기(38)와 촬상 유닛(40)은 X축 방향으로 정렬하여 배치되어 있다.
도 2를 참조하면, 본 발명 실시형태에 따른 척 테이블로 흡인 유지하는 데 알맞은 반도체 웨이퍼(이하, 단순히 웨이퍼라고 약칭하는 경우가 있음)(11)의 표면측 사시도가 도시되어 있다.
반도체 웨이퍼(11)의 표면(11a)에 있어서는, 복수의 분할 예정 라인(스트리트)(13)이 격자형으로 형성되어 있고, 직교하는 분할 예정 라인(13)에 의해 구획된 각 영역에 IC, LSI 등의 디바이스(15)가 형성되어 있다.
각 디바이스(15)가 복수의 전극 범프(17)를 갖고 있는 웨이퍼(11)는, 각각 복수의 전극 범프(17)를 구비한 복수의 디바이스(15)가 형성된 디바이스 영역(19)과, 디바이스 영역(19)을 둘러싸는 외주 잉여 영역(21)을 그 표면에 구비하고 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(11)는 점착 테이프인 다이싱 테이프(T)에 접착되고, 다이싱 테이프(T)의 외주부는 환상 프레임(F)에 접착되어 있다. 즉, 다이싱 테이프(T)를 매개로 환상 프레임(F)의 개구에 웨이퍼(11)가 고정된 프레임 유닛(23)의 형태로 핸들링된다. 다이싱 테이프(T)는, 폴리올레핀 등의 수지로 이루어진 기재 상에 점착층이 도포되어 형성되어 있다.
다음에 도 4 및 도 5를 참조하여, 본 발명 실시형태에 따른 척 테이블(24)에 대해서 상세히 설명한다. 도 4는 척 테이블(24)로 웨이퍼(11)를 흡인 유지하고, 웨이퍼의 이면에 접착된 다이싱 테이프(T)를 통해 레이저 빔을 웨이퍼(11)에 조사하고, 웨이퍼(11)의 내부에 개질층(25)을 형성하고 있는 상태의 단면도이다. 도 5는 도 4의 일부 확대 단면도이다.
원통형 지지 부재(30) 상에 탑재된 척 테이블(24)은, SUS 등의 금속으로 형성된 프레임(42)과, 프레임(42)의 오목부에 끼워 맞춰진 다공성 세라믹스 등으로 형성된 흡인 유지부(44)로 구성된다. 프레임(42)에는 흡인 유지부(44)로 연통하는 흡인로(46)가 형성되어 있고, 흡인로(46)의 타단은, 전자 전환 밸브를 통해 도시하지 않은 흡인원에 선택적으로 접속된다.
도 4에 있어서, 프레임 유닛(23)의 표리를 반전하고, 웨이퍼(11)의 전극 범프(17)가 형성된 표면(11a)측을 시트 부재(48)를 매개로 유지면(44a)으로 흡인 유지함과 더불어, 프레임 유닛(23)의 환상 프레임(F)을 클램프(26)로 클램프하여 고정한다.
흡인 유지부(46)의 표면인 유지면(44a)은 웨이퍼(11)의 전극 범프(17)와 대향하고, 척 테이블(24) 상에 탑재된 웨이퍼(11)의 디바이스 영역(19)을 흡인 유지한다. 웨이퍼(11)의 외주 잉여 영역(21)은 전극 범프(17)의 높이에 대응하여 유지면(44a)으로부터 돌출되어 배치된 외주 잉여 영역 지지부로서의 O링(54)에 접촉하여 지지된다.
O링(54)은, 환상의 O링 고정부(50)에 형성된 환상의 노치(52) 내에 삽입되어 고정되어 있다. O링 고정부(50)와 O링(54)으로 높이 조정 수단(56)을 구성한다. O링 고정부(50)는 원주 방향으로 소정 간격 이격된 복수의 나사(58)에 의해 척 테이블(24)의 프레임(42)에 고정되어 있다.
척 테이블(24)의 유지면(44a)과 외주 잉여 영역 지지부로서의 O링(54)은, 웨이퍼(11)보다 큰 직경으로 가요성과 통기성을 갖춘 시트 부재(48)로 덮여 있다. 이 시트 부재(48)에 의해 웨이퍼(11)의 표면(11a)이 보호된다.
시트 부재(48)의 외주는 O링 고정부(50)와 시트 부재 고정부(60) 사이에 끼여 고정되어 있다. 시트 부재 고정부(60)는 환상으로 되어 있고, 원주 방향으로 소정 간격 이격된 복수의 나사(62)에 의해 척 테이블(24)의 프레임(42)에 고정되어 있다. 시트 부재 고정부(60)는, 시트 부재(48)의 외주를 외주 잉여 영역 지지부로서의 O링(54)으로부터 아래쪽으로 눌러 내려 O링 고정부(50)와 협동하여 고정한다.
전술한 바와 같이, O링 지지부(50)와 O링(54)으로 높이 조정 수단(56)을 구성하고, 전극 범프(17)의 높이에 따라 O링(54)의 직경을 변경함으로써, O링(54)의 유지면(44a)으로부터의 돌출량을 조정할 수 있다. 전극 범프(17)의 높이는 약 50∼200 ㎛ 정도이다. 또한, O링 지지부를 O링의 사이즈에 따라 변경하여도 좋다.
전술한 실시형태의 척 테이블(24)에 따르면, 웨이퍼(11)의 전극 범프(17)측을 유지면(44a)으로 유지하고, 외주 잉여 영역 지지부인 O링(54)으로 외주 잉여 영역(21)을 지지함으로써, O링(54)으로 웨이퍼(11)와 유지면(44a) 사이를 시일하기 때문에, 충분히 부압을 확보할 수 있으므로, 전극 범프(17)를 구비하는 웨이퍼(11)를 전극 범프(17)측에서 유지할 수 있다.
또한, 시트 부재(48)를 이용하여 웨이퍼(11)의 표면을 보호하기 때문에, 웨이퍼(11)를 흡인 유지할 때 웨이퍼(11)의 표면(11a)을 충분히 보호할 수 있다. 또한, 전극 범프(17)의 높이가 디바이스의 종류에 따라 변경되어도, O링(54)을 변경함으로써 외주 잉여 영역 지지부의 높이를 조정할 수 있기 때문에, 별도의 척 테이블을 준비할 필요가 없다.
2 : 레이저 가공 장치 11 : 반도체 웨이퍼
15 : 디바이스 17 : 전극 범프
19 : 디바이스 영역 21 : 외주 잉여 영역
24 : 척 테이블 42 : 프레임
44 : 흡인 유지부 44a : 유지면
48 : 시트 부재 50 : O링 고정부
54 : O링 56 : 높이 조정 수단
60 : 시트 부재 고정부

Claims (3)

  1. 격자형으로 구획된 복수의 영역에 전극 범프를 갖는 디바이스가 각각 형성된 디바이스 영역과, 상기 디바이스 영역을 둘러싸는 외주 잉여 영역을 표면에 구비한 웨이퍼의 표면을 흡인하여 유지하는 척 테이블로서,
    상기 전극 범프와 대향하여 웨이퍼의 상기 디바이스 영역을 흡인 유지하는 유지면과,
    상기 유지면을 둘러싸고, 상기 유지면으로부터 돌출된 탄성부재로 웨이퍼의 상기 외주 잉여 영역을 지지하는 외주 잉여 영역 지지부
    를 포함하고, 상기 외주 잉여 영역 지지부는 상기 전극 범프의 높이에 대응하여 상기 유지면으로부터 돌출되는 것을 특징으로 하는 척 테이블.
  2. 제1항에 있어서, 웨이퍼보다 큰 직경으로 가요성과 통기성을 갖추고, 상기 유지면과 상기 외주 잉여 영역 지지부를 덮어, 흡인 유지한 웨이퍼의 표면을 보호하는 시트 부재와,
    상기 시트 부재의 외주를 상기 외주 잉여 영역 지지부로부터 아래쪽으로 눌러 내려 고정하는 시트 부재 고정부
    를 더 포함하는 척 테이블.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 외주 잉여 영역 지지부의 상기 유지면으로부터의 돌출량을 조정하는 높이 조정 수단을 더 포함하는 척 테이블.
KR1020160110710A 2015-09-03 2016-08-30 척 테이블 KR102418169B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2015-173976 2015-09-03
JP2015173976A JP6576172B2 (ja) 2015-09-03 2015-09-03 チャックテーブル

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170028256A true KR20170028256A (ko) 2017-03-13
KR102418169B1 KR102418169B1 (ko) 2022-07-08

Family

ID=58055160

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160110710A KR102418169B1 (ko) 2015-09-03 2016-08-30 척 테이블

Country Status (8)

Country Link
US (1) US10090186B2 (ko)
JP (1) JP6576172B2 (ko)
KR (1) KR102418169B1 (ko)
CN (1) CN106505027B (ko)
DE (1) DE102016215891A1 (ko)
MY (1) MY179208A (ko)
SG (1) SG10201606672YA (ko)
TW (1) TWI689036B (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9917000B2 (en) * 2015-10-01 2018-03-13 Infineon Technologies Ag Wafer carrier, method for manufacturing the same and method for carrying a wafer
JP6934395B2 (ja) * 2017-11-06 2021-09-15 株式会社ディスコ 分割装置及び分割方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3408805B2 (ja) 2000-09-13 2003-05-19 浜松ホトニクス株式会社 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法
KR20070069162A (ko) * 2004-10-14 2007-07-02 린텍 가부시키가이샤 비접촉형 흡착 홀딩 장치
JP2013229403A (ja) 2012-04-24 2013-11-07 Disco Abrasive Syst Ltd 加工装置のチャックテーブル機構

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2730370A (en) * 1954-08-13 1956-01-10 George F Brewster Work holding chuck
US3727282A (en) * 1970-02-05 1973-04-17 Burroughs Corp Semiconductor handling apparatus
US3743148A (en) * 1971-03-08 1973-07-03 H Carlson Wafer breaker
US4410168A (en) * 1980-07-11 1983-10-18 Asta, Ltd. Apparatus for manipulating a stretched resilient diaphragm
JPH0731245U (ja) * 1993-11-17 1995-06-13 株式会社森田工業 チャック
US5624299A (en) * 1993-12-27 1997-04-29 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing apparatus with improved carrier and method of use
KR0174773B1 (ko) * 1995-03-31 1999-04-01 모리시다 요이치 반도체장치의 검사방법
JP3662404B2 (ja) * 1997-11-19 2005-06-22 芝浦メカトロニクス株式会社 ウエハシート引伸ばし装置およびそれを用いたペレットボンディング装置
JP2000180469A (ja) * 1998-12-18 2000-06-30 Fujitsu Ltd 半導体装置用コンタクタ及び半導体装置用コンタクタを用いた試験装置及び半導体装置用コンタクタを用いた試験方法及び半導体装置用コンタクタのクリーニング方法
US6716084B2 (en) * 2001-01-11 2004-04-06 Nutool, Inc. Carrier head for holding a wafer and allowing processing on a front face thereof to occur
US6939206B2 (en) * 2001-03-12 2005-09-06 Asm Nutool, Inc. Method and apparatus of sealing wafer backside for full-face electrochemical plating
JP4630692B2 (ja) * 2005-03-07 2011-02-09 株式会社ディスコ レーザー加工方法
US7608523B2 (en) * 2005-08-26 2009-10-27 Disco Corporation Wafer processing method and adhesive tape used in the wafer processing method
JP4874602B2 (ja) * 2005-08-26 2012-02-15 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法およびウエーハの加工方法に用いる粘着テープ
US20090075459A1 (en) * 2007-09-06 2009-03-19 Kabushiki Kaisha Shinkawa Apparatus and method for picking-up semiconductor dies
JP5361634B2 (ja) * 2009-09-25 2013-12-04 信越ポリマー株式会社 半導体ウェーハ用チャックテーブル及び半導体ウェーハの加工方法
JP2014072510A (ja) * 2012-10-02 2014-04-21 Disco Abrasive Syst Ltd チャックテーブル
JP6061629B2 (ja) * 2012-11-07 2017-01-18 株式会社ディスコ 加工装置
JP6208956B2 (ja) * 2013-03-04 2017-10-04 株式会社ディスコ 環状凸部除去装置
JP6205231B2 (ja) * 2013-10-08 2017-09-27 株式会社ディスコ 切削装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3408805B2 (ja) 2000-09-13 2003-05-19 浜松ホトニクス株式会社 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法
KR20070069162A (ko) * 2004-10-14 2007-07-02 린텍 가부시키가이샤 비접촉형 흡착 홀딩 장치
JP2013229403A (ja) 2012-04-24 2013-11-07 Disco Abrasive Syst Ltd 加工装置のチャックテーブル機構

Also Published As

Publication number Publication date
TW201712797A (zh) 2017-04-01
JP6576172B2 (ja) 2019-09-18
US20170069524A1 (en) 2017-03-09
CN106505027B (zh) 2021-10-08
DE102016215891A1 (de) 2017-03-09
US10090186B2 (en) 2018-10-02
CN106505027A (zh) 2017-03-15
SG10201606672YA (en) 2017-04-27
TWI689036B (zh) 2020-03-21
KR102418169B1 (ko) 2022-07-08
MY179208A (en) 2020-11-01
JP2017050461A (ja) 2017-03-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20170097557A (ko) 웨이퍼의 가공 방법
TWI657495B (zh) 晶圓的加工方法
JP2007158108A (ja) ウエーハの分割方法
KR20170100426A (ko) 웨이퍼의 가공 방법
US20160240424A1 (en) Chuck table of processing apparatus
KR102662458B1 (ko) 레이저 가공 장치
KR20160053783A (ko) 웨이퍼의 가공 방법
JP2007242787A (ja) ウエーハの分割方法
JP4833657B2 (ja) ウエーハの分割方法
KR20180099481A (ko) 정전 척 테이블의 사용 방법
KR101854891B1 (ko) 레이저 가공 장치
TW202221779A (zh) 工作夾台及雷射加工裝置
TW202032701A (zh) 卡盤台
KR20170028256A (ko) 척 테이블
KR102527033B1 (ko) 웨이퍼의 가공 방법
TWI736760B (zh) 晶圓加工方法
US20190061060A1 (en) Laser processing apparatus
JP5441111B2 (ja) 板状物の加工方法
JP2018006574A (ja) チャックテーブル
CN110620076A (zh) 带扩展装置
JP2020017592A (ja) ウェーハの分割方法
JP6290010B2 (ja) ウェーハの分割方法
JP6804154B2 (ja) パッケージ基板の加工方法及び切削装置
JP2009277778A (ja) ウエーハの分割方法
JP2014143295A (ja) 加工装置のチャックテーブル

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant