KR20160133571A - W-ti sputtering target - Google Patents

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KR20160133571A
KR20160133571A KR1020167031186A KR20167031186A KR20160133571A KR 20160133571 A KR20160133571 A KR 20160133571A KR 1020167031186 A KR1020167031186 A KR 1020167031186A KR 20167031186 A KR20167031186 A KR 20167031186A KR 20160133571 A KR20160133571 A KR 20160133571A
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KR1020167031186A
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아츠시 사이토
다케시 오토모
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미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명의 W-Ti 스퍼터링 타깃은, Ti 를 5 질량％ 이상 20 질량％ 이하의 범위 내, Fe 를 25 질량ppm 이상 100 질량ppm 이하의 범위 내에서 함유하고, 잔부가 W 및 불가피 불순물로 이루어지는 조성을 갖고, 타깃면 내에 있어서 복수 지점에서 Fe 농도를 측정하고, 측정된 Fe 농도의 최대값을 Femax, Fe 농도의 최소값을 Femin 으로 한 경우에 있어서, (Femax－Femin)/(Femax＋Femin)≤0.25 라는 관계식을 만족시킨다.The W-Ti sputtering target of the present invention is a W-Ti sputtering target which contains Ti in an amount of 5 mass% or more and 20 mass% or less, Fe in an amount of 25 mass ppm or more and 100 mass ppm or less and the balance W and inevitable impurities (Fe max - Fe min ) / (Fe max - Fe max ) in the case where the Fe concentration is measured at a plurality of points in the target surface and the maximum value of the measured Fe concentration is denoted by Fe max and the minimum value of the Fe concentration is denoted by Fe min . + Fe min ) < / = 0.25.

Description

W-Ti 스퍼터링 타깃{W-TI SPUTTERING TARGET}W-Ti sputtering target {W-TI SPUTTERING TARGET}

본 발명은, 예를 들어 반도체 소자를 실장할 때에 사용되는 범프와 하지 전극 사이에, 상호 원소의 확산을 방지하는 확산 방지층으로서 W-Ti 막을 성막하기 위한 W-Ti 스퍼터링 타깃에 관한 것이다.The present invention relates to a W-Ti sputtering target for forming a W-Ti film as a diffusion preventing layer for preventing diffusion of mutual elements between a bump used for mounting a semiconductor element and a ground electrode, for example.

본원은, 2014년 10월 8일에 일본에 출원된 일본 특허출원 2014-207343호에 기초하여 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.The present application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2014-207343 filed on October 8, 2014, the contents of which are incorporated herein by reference.

종래, 반도체 칩을 기판에 실장할 때에는, 예를 들어 Al 전극이나 Cu 전극 상에 Au 범프나 솔더 범프 등을 형성하고 있다.Conventionally, when a semiconductor chip is mounted on a substrate, Au bumps or solder bumps are formed on, for example, an Al electrode or a Cu electrode.

여기서, 예를 들어 Al 전극과 Au 범프가 직접 접촉된 경우에는, Al 과 Au 가 상호 확산되어 Al 과 Au 의 금속간 화합물이 형성되어 버리고, 전기 저항이 상승되거나 밀착성이 저하되거나 할 우려가 있었다. 또, 예를 들어 Cu 전극과 솔더 범프가 직접 접촉된 경우에는, Cu 와 솔더 중의 Sn 이 상호 확산되어 Cu 와 Sn 의 금속간 화합물이 형성되어 버리고, 전기 저항이 상승되거나 밀착성이 저하되거나 할 우려가 있었다.Here, for example, when the Al electrode and the Au bump are in direct contact, there is a possibility that Al and Au are mutually diffused to form an intermetallic compound of Al and Au, thereby increasing electrical resistance or decreasing adhesion. In addition, when the Cu electrode and the solder bump are directly in contact with each other, for example, Sn in the solder and Cu diffuse each other to form an intermetallic compound of Cu and Sn, thereby increasing the electrical resistance or decreasing the adhesion there was.

그래서, 예를 들어 특허문헌 1, 2 에 개시된 W-Ti 스퍼터링 타깃을 사용하여, 하지 전극과 범프 사이에 상호 원소의 확산을 방지하는 확산 방지층으로서 W-Ti 막을 형성하고 있다.Thus, for example, a W-Ti sputtering target disclosed in Patent Documents 1 and 2 is used to form a W-Ti film as a diffusion preventing layer for preventing mutual element diffusion between the base electrode and the bump.

또, 특허문헌 1, 2 에 기재된 W-Ti 스퍼터링 타깃은, 각각 분말 소결법에 의해 제조되었다.The W-Ti sputtering targets described in Patent Documents 1 and 2 were each produced by powder sintering.

여기서, 하지 전극 및 범프 사이에 확산 방지층으로서 W-Ti 막을 성막할 때에는, 하지 전극의 전체면에 W-Ti 막을 성막한 후에 범프를 형성하고, 범프가 형성되어 있지 않은 영역의 W-Ti 막을 에칭으로 제거하였다. 그러나, 이 W-Ti 막은, 에칭 레이트가 매우 느리기 때문에, 생산 효율이 나쁘다는 문제가 있었다.Here, when forming the W-Ti film as the diffusion preventing layer between the base electrode and the bump, the W-Ti film is formed on the entire surface of the base electrode and then the bump is formed, and the W- Lt; / RTI > However, this W-Ti film has a problem that the production efficiency is poor because the etching rate is very slow.

그래서, 특허문헌 3 에 있어서는, Fe 를 미량 첨가한 W-Ti 스퍼터링 타깃을 사용함으로써, 성막된 W-Ti 막에 Fe 를 함유시켜, 에칭 레이트를 개선할 수 있음이 개시되어 있다.Thus, in Patent Document 3, it has been disclosed that by using a W-Ti sputtering target to which a small amount of Fe is added, Fe can be contained in the W-Ti film formed to improve the etching rate.

일본 특허공보 제2606946호Japanese Patent Publication No. 2606946 일본 공개특허공보 평05-295531호Japanese Patent Application Laid-Open No. 05-295531 일본 특허공보 제4747368호Japanese Patent Publication No. 4747368

그런데, 상기 서술한 바와 같이, W-Ti 막에 Fe 를 미량 첨가함으로써, 그 에칭 레이트가 개선되는데, W-Ti 막에 있어서 Fe 농도에 편차가 발생한 경우에는, W-Ti 막내에서 에칭 레이트가 국소적으로 변화되어 버려, 균일한 에칭을 실시할 수 없게 될 우려가 있었다.As described above, by adding a small amount of Fe to the W-Ti film, the etching rate is improved. When the Fe concentration varies in the W-Ti film, the etching rate in the W- So that there is a possibility that uniform etching can not be performed.

그래서, Fe 농도의 편차가 작아 에칭 레이트가 균일한 W-Ti 막을 성막할 수 있는 W-Ti 스퍼터링 타깃이 요망되고 있다.Thus, a W-Ti sputtering target capable of forming a W-Ti film having a small deviation in Fe concentration and having an uniform etching rate is desired.

이 발명은, 전술한 사정을 감안하여 이루어진 것으로, Fe 농도의 편차가 작아 에칭 레이트가 균일한 W-Ti 막을 성막할 수 있는 W-Ti 스퍼터링 타깃을 제공하는 것을 목적으로 한다.The object of the present invention is to provide a W-Ti sputtering target capable of forming a W-Ti film having a small variation in Fe concentration and having a uniform etching rate, in view of the above-described circumstances.

상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명의 일 양태인 W-Ti 스퍼터링 타깃은, Ti 를 5 질량％ 이상 20 질량％ 이하의 범위 내, Fe 를 25 질량ppm 이상 100 질량ppm 이하의 범위 내에서 함유하고, 잔부가 W 및 불가피 불순물로 이루어지는 조성을 갖는 W-Ti 스퍼터링 타깃으로서, 타깃면 내에 있어서 복수 지점에서 Fe 농도를 측정하고, 측정된 Fe 농도의 최대값을 Femax, Fe 농도의 최소값을 Femin 으로 한 경우에 있어서, In order to solve the above problems, the W-Ti sputtering target, which is an embodiment of the present invention, contains Ti in an amount of 5 mass% or more and 20 mass% or less, Fe in an amount of 25 mass ppm or more and 100 mass ppm or less And a balance W and inevitable impurities, wherein the Fe concentration is measured at a plurality of points in the target surface, and the maximum value of the measured Fe concentration is represented by Fe max , and the minimum value of the Fe concentration is represented by Fe min In one case,

(Femax－Femin)/(Femax＋Femin)≤0.25 (Fe max - Fe min ) / (Fe max + Fe min ) < / = 0.25

라는 관계식을 만족시키는 것을 특징으로 하고 있다.Is satisfied. ≪ / RTI >

이와 같은 구성으로 된 본 발명의 W-Ti 스퍼터링 타깃에 있어서는, Fe 를 25 질량ppm 이상 100 질량ppm 이하의 범위 내에서 함유하고 있으므로, 성막된 W-Ti 막의 에칭 레이트를 개선할 수 있다.In the W-Ti sputtering target of the present invention having such a constitution, the etching rate of the deposited W-Ti film can be improved because Fe is contained in the range of 25 mass ppm or more and 100 mass ppm or less.

그리고, 타깃면 내에 있어서 복수 지점에서 Fe 농도를 측정하고, 측정된 Fe 농도의 최대값 (Femax) 과 Fe 농도의 최소값 (Femin) 이 상기 서술한 관계식을 만족시키고 있으므로, 타깃면 내에서의 Fe 농도의 편차가 억제되고 있다. 그래서, Fe 농도의 편차가 작아 에칭 레이트가 균일한 W-Ti 막을 성막할 수 있게 된다.Then, the Fe concentration is measured at a plurality of points in the target surface, and since the measured maximum value (Fe max ) of the Fe concentration and the minimum value (Fe min ) of the Fe concentration satisfy the above-described relational expression, And the deviation of the Fe concentration is suppressed. Thus, it is possible to form a W-Ti film having a uniform deviation of Fe concentration and a uniform etching rate.

이상과 같이, 본 발명에 따르면, Fe 농도의 편차가 작아 에칭 레이트가 균일한 W-Ti 막을 성막할 수 있는 W-Ti 스퍼터링 타깃을 제공할 수 있게 된다.As described above, according to the present invention, it is possible to provide a W-Ti sputtering target capable of forming a W-Ti film having a small variation in Fe concentration and having a uniform etching rate.

도 1 은 본 발명의 일 실시 형태에 관련된 W-Ti 스퍼터링 타깃의 제조 방법을 나타내는 플로우도이다.
도 2 는 타깃면이 원형을 이루는 W-Ti 스퍼터링 타깃의 타깃면에 있어서의 Fe 농도의 측정 위치를 나타내는 설명도이다.
도 3 은 타깃면이 사각형을 이루는 W-Ti 스퍼터링 타깃의 타깃면에 있어서의 Fe 농도의 측정 위치를 나타내는 설명도이다.
도 4 는 실시예에 있어서, 기판 상에 성막된 W-Ti 막의 에칭 레이트를 측정한 지점을 설명하는 설명도이다.BRIEF DESCRIPTION OF DRAWINGS FIG. 1 is a flow chart showing a method of manufacturing a W-Ti sputtering target according to an embodiment of the present invention. FIG.
Fig. 2 is an explanatory view showing a measurement position of Fe concentration on a target surface of a W-Ti sputtering target having a circular target surface. Fig.
Fig. 3 is an explanatory view showing a measurement position of the Fe concentration on the target surface of a W-Ti sputtering target having a square target surface. Fig.
4 is an explanatory view for explaining a point at which an etching rate of a W-Ti film formed on a substrate is measured in the embodiment;

이하에, 본 발명의 실시 형태인 W-Ti 스퍼터링 타깃에 대해서 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.Hereinafter, a W-Ti sputtering target according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

본 실시 형태에 관련된 W-Ti 스퍼터링 타깃은, 예를 들어 액정 드라이버 IC 를 COF 테이프에 접합시키기 위해서, 액정 드라이버 IC 상에 형성된 Au 범프와 Al 패드부 (하지 전극) 사이에, 확산 방지층으로서 W-Ti 막을 스퍼터링에 의해 성막할 때에 사용된다.The W-Ti sputtering target according to the present embodiment is formed, for example, between a Au bump formed on a liquid crystal driver IC and an Al pad portion (base electrode) so as to bond a liquid crystal driver IC to a COF tape, Ti film is formed by sputtering.

본 실시 형태에 관련된 W-Ti 스퍼터링 타깃은, Ti 를 5 질량％ 이상 20 질량％ 이하의 범위 내, Fe 를 25 질량ppm 이상 100 질량ppm 이하의 범위 내에서 함유 하고, 잔부가 W 및 불가피 불순물로 이루어지는 조성을 갖는다.The W-Ti sputtering target according to this embodiment contains Ti in an amount of 5 mass% or more and 20 mass% or less, Fe in an amount of 25 mass ppm or more and 100 mass ppm or less, and the balance of W and inevitable impurities .

그리고, 타깃면 내에 있어서 복수 지점에서 Fe 농도를 측정하고, 측정된 Fe 농도의 최대값을 Femax, Fe 농도의 최소값을 Femin 으로 한 경우에 있어서, When the Fe concentration is measured at a plurality of points in the target surface and the maximum value of the measured Fe concentration is denoted by Fe max and the minimum value of Fe concentration is denoted by Fe min ,

(Femax－Femin)/(Femax＋Femin)≤0.25 (Fe max - Fe min ) / (Fe max + Fe min ) < / = 0.25

라는 관계식을 만족시키고 있다.Is satisfied.

이하에, 상기 서술한 바와 같이 성분 조성을 규정한 이유에 대해서 설명한다.Hereinafter, the reason for defining the component composition as described above will be described.

＜Ti：5 질량％ 이상 20 질량％ 이하＞≪ Ti: 5 mass% or more and 20 mass% or less >

W-Ti 스퍼터링 타깃에 있어서의 Ti 함유량이 5 질량％ 미만으로 된 경우에는, 성막된 W-Ti 막과 하지 전극의 밀착성이 저하될 우려가 있다. 한편, W-Ti 스퍼터링 타깃에 있어서의 Ti 함유량이 20 질량％ 를 초과한 경우에는, 성막된 W-Ti 막의 전기 저항이 상승되어 버림과 함께, 범프를 구성하는 원소 (본 실시 형태에서는 Au) 와 하지 전극을 구성하는 원소 (본 실시 형태에서는 Al) 의 상호 확산을 성막된 W-Ti 막에 의해 충분히 방지할 수 없게 될 우려가 있다.When the Ti content in the W-Ti sputtering target is less than 5 mass%, adhesion between the formed W-Ti film and the base electrode may be deteriorated. On the other hand, when the Ti content in the W-Ti sputtering target exceeds 20 mass%, the electric resistance of the W-Ti film formed increases, and the elements (Au in this embodiment) and There is a possibility that mutual diffusion of the elements (Al in this embodiment) constituting the ground electrode can not be sufficiently prevented by the W-Ti film formed.

그래서, 본 실시 형태에 있어서는, W-Ti 스퍼터링 타깃에 있어서의 Ti 의 함유량을 5 질량％ 이상 20 질량％ 이하의 범위 내로 규정하고 있다. 또, Ti 의 함유량의 하한은, 7 질량％ 이상으로 하는 것이 바람직하고, 9 질량％ 이상으로 하는 것이 더욱 바람직하다. 또한, Ti 의 함유량의 상한은, 15 질량％ 이하로 하는 것이 바람직하고, 13 질량％ 이하로 하는 것이 더욱 바람직하다.Therefore, in the present embodiment, the content of Ti in the W-Ti sputtering target is set within the range of 5 mass% or more and 20 mass% or less. The lower limit of the content of Ti is preferably 7 mass% or more, and more preferably 9 mass% or more. The upper limit of the content of Ti is preferably 15 mass% or less, and more preferably 13 mass% or less.

＜Fe：25 질량ppm 이상 100 질량ppm 이하＞≪ Fe: 25 mass ppm or more and 100 mass ppm or less >

W-Ti 스퍼터링 타깃에 있어서의 Fe 의 함유량이 25 질량ppm 미만으로 된 경우에는, 성막된 W-Ti 막의 에칭 레이트를 충분히 개선할 수 없을 우려가 있다. 한편, W-Ti 스퍼터링 타깃에 있어서의 Fe 의 함유량이 100 질량ppm 을 초과한 경우에는, 범프를 구성하는 원소 (본 실시 형태에서는 Au) 와 하지 전극을 구성하는 원소 (본 실시 형태에서는 Al) 의 상호 확산을 성막된 W-Ti 막에 의해 충분히 방지할 수 없게 될 우려가 있다.When the content of Fe in the W-Ti sputtering target is less than 25 mass ppm, there is a possibility that the etching rate of the deposited W-Ti film can not be sufficiently improved. On the other hand, when the content of Fe in the W-Ti sputtering target exceeds 100 mass ppm, the element constituting the bump (Au in this embodiment) and the element constituting the lower electrode (Al in this embodiment) There is a possibility that mutual diffusion can not be sufficiently prevented by the W-Ti film formed.

그래서, 본 실시 형태에 있어서는, W-Ti 스퍼터링 타깃에 있어서의 Fe 의 함유량을 25 질량ppm 이상 100 질량ppm 이하의 범위 내로 규정하고 있다.Therefore, in the present embodiment, the content of Fe in the W-Ti sputtering target is set within the range of 25 mass ppm or more and 100 mass ppm or less.

또, Fe 의 함유량의 하한은, 30 질량ppm 이상으로 하는 것이 바람직하고, 35 질량ppm 이상으로 하는 것이 더욱 바람직하다. 또한, Fe 의 함유량의 상한은, 75 질량ppm 이하로 하는 것이 바람직하고, 50 질량ppm 이하로 하는 것이 더욱 바람직하다.The lower limit of the content of Fe is preferably 30 mass ppm or more, and more preferably 35 mass ppm or more. The upper limit of the content of Fe is preferably 75 mass ppm or less, more preferably 50 mass ppm or less.

＜(Femax－Femin)/(Femax＋Femin)≤0.25＞≪ (Fe max -F min ) / (Fe max + Fe min ) <0.25>

본 실시 형태에 있어서의 W-Ti 스퍼터링 타깃을 사용하여 W-Ti 막을 성막하는 경우에는, W-Ti 스퍼터링 타깃의 타깃면의 전체로부터 각각 원자가 튕겨 비산되어 성막된다.When the W-Ti sputtering target in the present embodiment is used to form a W-Ti film, atoms are scattered from the entire target surface of the W-Ti sputtering target and scattered to form a film.

여기서, 타깃면 내에 있어서 복수 지점에서 Fe 농도를 측정하고, 측정된 Fe 농도의 최대값 (Femax) 과 Fe 농도의 최소값 (Femin) 이 상기 서술한 관계식을 만족시키는 경우에는, 타깃면 내에 있어서 Fe 농도의 편차가 작아진다. 따라서, 이 W-Ti 스퍼터링 타깃을 사용하여 성막된 W-Ti 막에 있어서도, Fe 농도의 편차가 작아져 에칭 레이트가 균일해진다.Here, when the Fe concentration is measured at a plurality of points in the target surface and the maximum value (Fe max ) of the measured Fe concentration and the minimum value (Fe min ) of the Fe concentration satisfy the above-described relational expression, The deviation of the Fe concentration becomes small. Therefore, even in the W-Ti film formed by using the W-Ti sputtering target, the deviation of the Fe concentration is reduced, and the etching rate becomes uniform.

또, (Femax－Femin)/(Femax＋Femin) 은, 0.2 이하로 하는 것이 바람직하고, 0.15 이하로 하는 것이 더욱 바람직하다. 또, (Femax－Femin)/(Femax＋Femin) 은 낮을수록 바람직하지만, (Femax－Femin)/(Femax＋Femin) 을 극도로 저하시키는 것은 비용 증가를 초래한다. 그래서, (Femax－Femin)/(Femax＋Femin) 은 0.005 이상이어도 된다.Further, (Fe max -F min ) / (Fe max + Fe min ) is preferably 0.2 or less, and more preferably 0.15 or less. Also, it is preferable that (Fe max -F min ) / (Fe max + Fe min ) be as low as possible, but extremely lowering of (Fe max -F min ) / (Fe max + Fe min ) leads to an increase in cost. Therefore, (Fe max -F min ) / (Fe max + Fe min ) may be 0.005 or more.

여기서, 본 실시 형태에 있어서는, W-Ti 스퍼터링 타깃의 타깃면이 원형을 이루는 경우에는, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 원의 중심 (1), 및 원의 중심을 통과함과 함께 서로 직교하는 2 개의 직선 상의 외주 부분 (2), (3), (4), (5) 의 5 점에서 Fe 농도를 측정하고, 상기 서술한 Fe 농도의 최대값 (Femax) 과 Fe 농도의 최소값 (Femin) 을 구하고 있다. 외주 부분 (2), (3), (4), (5) 는, 예를 들어 타깃의 주연 (周緣) 에서 중심측으로 약 10 mm 의 위치여도 된다.Here, in the present embodiment, when the target surface of the W-Ti sputtering target has a circular shape, as shown in Fig. 2, the center of the circle 1 and the center of the circle, (Fe max ) and the minimum value of the Fe concentration (Fe min (2), (3), (4) and (5) ). The outer peripheral portions 2, 3, 4, and 5 may be, for example, about 10 mm from the periphery of the target toward the center.

또한, W-Ti 스퍼터링 타깃의 타깃면이 사각형을 이루는 경우에는, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 대각선이 교차하는 교점 (1) 과 각 대각선 상의 모서리부 (2), (3), (4), (5) 의 5 점에서 Fe 농도를 측정하고, 상기 서술한 Fe 농도의 최대값 (Femax) 과 Fe 농도의 최소값 (Femin) 을 구하고 있다. 모서리부 (2), (3), (4), (5) 는, 예를 들어 정점에서 교점측으로 약 10 mm 의 위치여도 된다.When the target surface of the W-Ti sputtering target has a rectangular shape, as shown in Fig. 3, the intersection 1 where the diagonal lines intersect, the corner portions 2, 3, 4, (5), and the maximum value (Fe max ) of the Fe concentration and the minimum value (Fe min ) of the Fe concentration are obtained. The corner portions (2), (3), (4), and (5) may be, for example, about 10 mm from the vertex to the intersection.

Fe 농도의 측정 지점 수는, 5 점 이상 20 지점 이하여도 된다. 그 경우, 측정 지점은, 타깃 중심점과 그 중심을 통과하는 직선과 타깃 외주연의 교점에서 중심측으로 약 10 mm 의 점이어도 된다.The number of measurement points of the Fe concentration may be 5 or more and 20 or less. In this case, the measuring point may be a point of about 10 mm toward the center side from the intersection of the target center point and a straight line passing through the center thereof and the target outer circumference.

다음으로, 본 실시 형태에 관련된 W-Ti 스퍼터링 타깃을 제조하는 일 실시 형태에 대해서 도 1 의 플로우도를 참조하여 설명한다.Next, an embodiment for manufacturing a W-Ti sputtering target according to this embodiment will be described with reference to a flow chart of FIG.

본 실시 형태에 관련된 W-Ti 스퍼터링 타깃의 제조 방법은, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 소정의 배합량으로 배합된 원료 분말을 혼합 분쇄하는 혼합 분쇄 공정 (S01) 과, 혼합 분쇄된 원료 분말을 가열하여 소결시키는 소결 공정 (S02) 과, 얻어진 소결체를 가공하는 가공 공정 (S03) 을 구비하고 있다.As shown in Fig. 1, the method for producing a W-Ti sputtering target according to the present embodiment includes a mixing and crushing step (S01) of mixing and crushing a raw material powder blended at a predetermined blending amount, A sintering step (S02) for sintering, and a working step (S03) for processing the obtained sintered body.

먼저, 원료 분말로서 Ti 분말, W 분말 및 Fe 분말을 준비한다. 여기서, Ti 분말로서는, 순도가 99.999 질량％ 이상, 평균 입경이 1 ㎛ 이상 40 ㎛ 이하로 된 것을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, W 분말로서는, 순도가 99.999 질량％ 이상, 평균 입경이 0.5 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하로 된 것을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, Fe 분말로서는, 순도가 99.999 질량％ 이상, 평균 입경이 75 ㎛ 이상 150 ㎛ 이하로 된 것을 사용하는 것이 바람직하다.First, Ti powder, W powder and Fe powder are prepared as raw material powders. The Ti powder preferably has a purity of 99.999 mass% or more and an average particle diameter of 1 占 퐉 or more to 40 占 퐉 or less. The W powder preferably has a purity of 99.999 mass% or more and an average particle diameter of 0.5 占 퐉 or more to 20 占 퐉 or less. As the Fe powder, those having a purity of 99.999 mass% or more and an average particle diameter of 75 占 퐉 or more and 150 占 퐉 or less are preferably used.

＜혼합 분쇄 공정 (S01)＞≪ Mixing and grinding step (S01) >

이들 원료 분말을, Ti 를 5 질량％ 이상 20 질량％ 이하의 범위 내, Fe 를 25 질량ppm 이상 100 질량ppm 이하의 범위 내에서 함유하고, 잔부가 W 및 불가피 불순물로 이루어지는 조성이 되도록 칭량함과 함께, 이 원료 분말을 혼합 분쇄한다. 본 실시 형태에 있어서는, 칭량된 원료 분말을 볼 밀에 의해 혼합하고, 또한 초경합금제 볼을 사용하여, 아트라이터 장치에 의해 혼합 분쇄한다.These raw powders were weighed so as to have a composition of Ti in an amount of 5 mass% or more and 20 mass% or less, Fe in an amount of 25 mass ppm or more and 100 mass ppm or less and the remainder being W and inevitable impurities Together, this raw material powder is mixed and pulverized. In the present embodiment, the weighed raw powder is mixed by a ball mill, and further mixed and ground by an attritor using a cemented carbide ball.

이 혼합 분쇄 공정 (S01) 에 의해, Fe 분말은 평균 입경이 10 ㎛ 이하가 되도록 분쇄된다.By this mixed pulverization step (S01), the Fe powder is pulverized so as to have an average particle diameter of 10 mu m or less.

＜소결 공정 (S02)＞<Sintering Process (S02)>

다음으로, 상기 서술한 바와 같이 하여 혼합 분쇄된 원료 분말 (혼합 분말) 을, 진공 또는 불활성 가스 분위기 중 또는 환원 분위기 중에서 소결을 실시한다. 이 소결 공정 (S02) 에 있어서, 평균 입경이 10 ㎛ 이하로까지 분쇄된 Fe 분말은, W 중에 균일하게 확산된다.Next, the raw material powder (mixed powder) mixed and ground as described above is sintered in a vacuum or inert gas atmosphere or in a reducing atmosphere. In this sintering process (S02), the Fe powder pulverized to an average particle diameter of 10 mu m or less is uniformly diffused into W.

여기서, 소결 공정에 있어서의 소결 온도는, 제조하는 W-Ti 합금의 융점 Tm 에 따라 설정하는 것이 바람직하다.Here, the sintering temperature in the sintering step is preferably set in accordance with the melting point Tm of the W-Ti alloy to be produced.

이 소결 공정 (S02) 에 있어서, 소결 방법으로서 상압 소결, 핫 프레스, 열간 정수압 프레스를 적용할 수 있다.In this sintering step (S02), a normal pressure sintering, hot pressing, hot isostatic pressing can be applied as a sintering method.

본 실시 형태에서는, 그래파이트제 몰드에 원료 분말 (혼합 분말) 을 충전시키고, 압력을 10 MPa 이상 60 MPa 이하, 온도를 1000 ℃ 이상 1500 ℃ 로 한 진공 핫 프레스에 의해 소결을 실시하였다.In this embodiment, sintering is carried out by vacuum hot pressing in which a mold made of graphite is filled with a raw material powder (mixed powder) and the pressure is 10 MPa or more and 60 MPa or less and the temperature is 1000 占 폚 or more and 1500 占 폚.

＜가공 공정 (S03)＞&Lt; Processing step (S03)

소결 공정 (S02) 에서 얻어진 소결체에 대하여 절삭 가공 또는 연삭 가공을 실시함으로써, 소정 형상의 스퍼터링 타깃으로 가공한다.The sintered body obtained in the sintering step (S02) is subjected to cutting or grinding to form a sputtering target of a predetermined shape.

이상과 같은 공정에 의해, 본 실시 형태인 W-Ti 스퍼터링 타깃이 제조된다. 이 W-Ti 스퍼터링 타깃은, In 을 솔더로 하여 Cu 또는 SUS (스테인리스) 또는 기타 금속 (예를 들어 Mo) 으로 이루어지는 배킹 플레이트에 본딩하여 사용된다.By the above-described process, a W-Ti sputtering target of this embodiment is produced. This W-Ti sputtering target is used by being bonded to a backing plate made of Cu, SUS (stainless steel) or other metal (for example, Mo) with In as a solder.

이상과 같은 구성으로 된 본 실시 형태인 W-Ti 스퍼터링 타깃에 따르면, Fe 를 25 질량ppm 이상 100 질량ppm 이하의 범위 내에서 함유하고 있으므로, 성막된 W-Ti 막의 에칭 레이트를 개선할 수 있다.According to the W-Ti sputtering target of the present embodiment configured as described above, the etching rate of the deposited W-Ti film can be improved because Fe is contained in the range of 25 mass ppm or more and 100 mass ppm or less.

그리고, 타깃면 내에 있어서 복수 지점에서 Fe 농도를 측정하고, 측정된 Fe 농도의 최대값 (Femax) 과 Fe 농도의 최소값 (Femin) 이, Then, the Fe concentration is measured at a plurality of points in the target surface, and the maximum value (Fe max ) of the measured Fe concentration and the minimum value (Fe min )

(Femax－Femin)/(Femax＋Femin)≤0.25(Fe max - Fe min ) / (Fe max + Fe min ) &lt; / = 0.25

의 관계식을 만족시키고 있으므로, 타깃면 내에서의 Fe 농도의 편차가 억제되고 있다. 따라서, Fe 농도의 편차가 작아 에칭 레이트가 균일한 W-Ti 막을 성막할 수 있게 된다., The deviation of the Fe concentration in the target surface is suppressed. Therefore, it is possible to form a W-Ti film having a uniform deviation of Fe concentration and a uniform etching rate.

또, 본 실시 형태에서는, Ti 분말, W 분말 및 Fe 분말을 혼합 분쇄함으로써, 소결 전의 Fe 분말의 입경이 10 ㎛ 이하로 되어 있으므로, 소결시에 있어서, Fe 입자를 모상 (母相) 이 되는 W 중에 균일하게 확산시킬 수 있고, 소결체 전체에 Fe 를 균일하게 분포시킬 수 있게 된다. 소결 전의 Fe 분말의 입경은, 5 ㎛ 이하가 바람직하고, 2 ㎛ 이하가 더욱 바람직하지만, 이것에 한정되지는 않는다. 또, 소결 전의 Fe 분말의 입경은 작을수록 바람직하지만, 소결 전의 Fe 분말의 입경을 극도로 저하시키는 것은 비용 증가를 초래한다. 그래서, 소결 전의 Fe 분말의 입경은 0.1 ㎛ 이상이어도 된다.In this embodiment, since the Ti powder, the W powder and the Fe powder are mixed and pulverized, the particle diameter of the Fe powder before sintering is 10 m or less, and therefore, when sintering, the Fe particles, which become the parent phase, It is possible to distribute Fe uniformly throughout the sintered body. The grain size of the Fe powder before sintering is preferably 5 탆 or less, more preferably 2 탆 or less, but is not limited thereto. The smaller the grain size of the Fe powder before sintering is, the better, but the reduction of the grain size of the Fe powder before sintering causes an increase in cost. Therefore, the grain size of the Fe powder before sintering may be 0.1 占 퐉 or more.

또, 50 ㎛ 이하의 입자를 전체의 50 ％ 이상 포함하는 미세한 Fe 분말을 직접 사용한 경우에는 위험물로서 취급할 필요가 있는데, 본 실시 형태에서는, 평균 입경이 75 ㎛ 이상 150 ㎛ 이하로 된 Fe 분말을, 다른 원료 분말 (Ti 분말, W 분말) 과 함께 혼합 분쇄함으로써 입경을 10 ㎛ 이하로 하고 있고, 또한 Fe 분말의 비율이 충분히 낮기 때문에, 취급이 용이해진다.In addition, when fine Fe powder containing 50% or less of 50% or less of the total is used directly, it is necessary to treat it as a dangerous material. In this embodiment, an Fe powder having an average particle diameter of 75 [mu] m or more and 150 [ (Ti powder, W powder) to have a particle diameter of 10 mu m or less, and the ratio of Fe powder is sufficiently low, so that handling is facilitated.

이상, 본 발명의 실시 형태에 대해서 설명했는데, 본 발명은 이것에 한정되지는 않고, 그 발명의 기술적 사상을 일탈하지 않는 범위에서 적절히 변경할 수 있다다.Although the embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to this and can be appropriately changed without departing from the technical idea of the present invention.

예를 들어, 본 실시 형태에서는, 아트라이터 장치를 사용하여 원료 분말을 혼합 분쇄하는 것으로 설명했는데, 이것에 한정되지는 않고, 다른 방법에 의해 원료 분말을 혼합 분쇄해도 된다.For example, in the present embodiment, it has been described that the raw powder is mixed and pulverized by using the attritor, but the present invention is not limited to this, and the raw powder may be mixed and pulverized by another method.

또, 원료 분말을 혼합 분쇄하는 방법으로는, 유성 볼 밀, 진동 볼 밀 등을 들 수 있다.Examples of a method of mixing and pulverizing raw material powders include a planetary ball mill, a vibrating ball mill, and the like.

W-Ti 스퍼터링 타깃에 있어서의 불가피 불순물로서는, Na, K, Ca, Ni, Cr, Mn 등을 들 수 있다. 이들 불가피 불순물은, 합계로 0.01 질량％ 이하인 것이 바람직하지만, 이것에 한정되지는 않는다.Examples of the inevitable impurities in the W-Ti sputtering target include Na, K, Ca, Ni, Cr, and Mn. These inevitable impurities are preferably 0.01 mass% or less in total, but are not limited thereto.

실시예Example

이하에, 본 발명에 관련된 W-Ti 스퍼터링 타깃의 작용 효과에 대해서 평가한 평가 시험의 결과에 대해서 설명한다.Hereinafter, results of an evaluation test evaluating the effect of the W-Ti sputtering target related to the present invention will be described.

＜본 발명예＞&Lt;

원료 분말로서 순도가 99.999 질량％, 평균 입경이 15 ㎛ 로 된 Ti 분말, 순도가 99.999 질량％, 평균 입경이 1 ㎛ 로 된 W 분말, 순도가 99.999 질량％, 평균 입경이 100 ㎛ 로 된 Fe 분말을 준비하고, 표 1 에 나타내는 조성이 되도록 Ti 분말, Fe 분말 및 W 분말을 칭량하였다.A Ti powder having a purity of 99.999% by mass and an average particle size of 15 占 퐉, a purity of 99.999% by mass, a W powder having an average particle size of 1 占 퐉, a purity of 99.999% by mass, and an Fe powder having an average particle size of 100 占 퐉 And Ti powder, Fe powder and W powder were weighed so as to have the composition shown in Table 1. [

칭량된 Ti 분말, Fe 분말 및 W 분말 중, W 분말과 Fe 분말을 아트라이터 장치 (닛폰 코크 공업 주식회사 MA1D) 에, 직경 약 5 mm 의 초경합금제 볼과 함께 투입하고, 회전수 300 ppm 의 조건으로 Ar 분위기하에서 1 시간의 혼합 분쇄를 실시하였다. 또, 이 아트라이터의 혼합 용기의 내측에는, 분쇄 혼합시의 용기로부터의 불순물 혼입을 방지하기 위해, W 박에 의한 내부 부착을 실시하였다. 여기서, 초경합금제 볼의 투입 중량은, W 분말과 Fe 분말의 투입 중량의 약 10 배로 하였다.The W powder and the Fe powder in the weighed Ti powder, Fe powder and W powder were put into an attritor device (MA1D, manufactured by Nippon Kohk Co., Ltd.) together with balls made of cemented carbide having a diameter of about 5 mm, And mixed and pulverized in an Ar atmosphere for 1 hour. The inside of the mixing container of the attritor was internally attached by W foil in order to prevent impurities from mixing in the container during crushing and mixing. Here, the charged weight of the cemented carbide ball was about 10 times the weight of the W powder and the Fe powder.

혼합 분쇄된 W 분말 및 Fe 분말, 그리고, Ti 분말을, 전동 볼 밀 장치에 의해 혼합하여, 혼합 분말을 얻었다. 여기서, 소결 전의 혼합 분말을 EPMA 장치로 관찰하여, 특성 X 선의 면분석 이미지에 의해 Fe 입자를 특정하고, 그 입자경을 확인하였다. 그 입자경을 표 1 에 나타낸다. 검출된 Fe 입자는 전부 10 ㎛ 미만의 입자경을 갖고 있었다.The mixed pulverized W powder, Fe powder and Ti powder were mixed by means of an electric ball mill to obtain a mixed powder. Here, the mixed powder before sintering was observed with an EPMA apparatus, and Fe particles were identified by the surface analysis image of the characteristic X-ray, and the particle diameter thereof was confirmed. Table 1 shows the particle diameters. All of the detected Fe particles had a particle diameter of less than 10 mu m.

얻어진 혼합 분말을 그래파이트제 몰드에 충전하고, 압력：15 MPa, 온도：1200 ℃, 3 시간 유지의 조건에서 진공 핫 프레스함으로써 핫 프레스 소결체를 제조하고, 얻어진 핫 프레스 소결체를 기계 가공하여 직경：152.4 mm, 두께：6 mm 를 갖는 본 발명예의 W-Ti 스퍼터링 타깃을 제조하였다.A hot-pressed sintered body was produced by vacuum hot pressing under the conditions of a pressure of 15 MPa and a temperature of 1200 DEG C for 3 hours, and the resulting hot-pressed sintered body was machined to have a diameter of 152.4 mm , Thickness: 6 mm of the W-Ti sputtering target of the present invention.

＜비교예＞<Comparative Example>

원료 분말로서 순도가 99.999 질량％, 평균 입경이 15 ㎛ 로 된 Ti 분말, 순도가 99.999 질량％, 평균 입경이 1 ㎛ 로 된 W 분말, 순도가 99.999 질량％, 평균 입경이 100 ㎛ 로 된 Fe 분말을 준비하고, 표 1 에 나타내는 조성이 되도록 Ti 분말, Fe 분말 및 W 분말을 칭량하였다.A Ti powder having a purity of 99.999% by mass and an average particle size of 15 占 퐉, a purity of 99.999% by mass, a W powder having an average particle size of 1 占 퐉, a purity of 99.999% by mass, and an Fe powder having an average particle size of 100 占 퐉 And Ti powder, Fe powder and W powder were weighed so as to have the composition shown in Table 1. [

칭량된 Ti 분말, Fe 분말 및 W 분말을 전동 볼 밀 장치에 의해 혼합하여, 혼합 분말을 얻었다. 즉, 비교예에서는, 원료 분말의 분쇄를 실시하지 않았다. 여기서, 소결 전의 혼합 분말을 EPMA 장치로 관찰하여, 특성 X 선의 면분석 이미지에 의해 Fe 입자를 특정하고, 그 입자경을 확인하였다. 그 입자경을 표 1 에 나타낸다. 검출된 Fe 입자는 대략 표 1 에 나타내는 값을 최대값으로 하는 입자경을 갖고 있었다.The weighed Ti powder, Fe powder and W powder were mixed by an electric ball mill to obtain a mixed powder. That is, in the comparative example, the raw material powder was not pulverized. Here, the mixed powder before sintering was observed with an EPMA apparatus, and Fe particles were identified by the surface analysis image of the characteristic X-ray, and the particle diameter thereof was confirmed. Table 1 shows the particle diameters. The detected Fe particles had a particle diameter having a value shown in Table 1 as the maximum value.

얻어진 혼합 분말을 그래파이트제 몰드에 충전하고, 압력：15 MPa, 온도：1200 ℃, 3 시간 유지의 조건에서 진공 핫 프레스함으로써 핫 프레스 소결체를 제조하였다. 얻어진 핫 프레스 소결체를 기계 가공하여 직경：152.4 mm, 두께：6 mm 를 갖는 비교예의 W-Ti 스퍼터링 타깃을 제조하였다.The obtained mixed powder was filled in a mold made of graphite and vacuum hot pressed under the conditions of a pressure of 15 MPa and a temperature of 1200 DEG C for 3 hours to produce a hot press sintered body. The resulting hot press sintered body was machined to produce a W-Ti sputtering target of Comparative Example having a diameter of 152.4 mm and a thickness of 6 mm.

＜타깃면 내의 Fe 농도＞<Fe concentration in the target surface>

얻어진 W-Ti 스퍼터링 타깃의 타깃면이 원형 (환형 타깃) 인 경우에는, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 원의 중심 (1) 과, 중심을 통과함과 함께 서로 직교하는 2 개의 직선 상의 외주로부터 약 10 mm 의 위치 (2), (3), (4), (5) 의 5 점으로부터 초경합금제 드릴을 사용하여 조성 분석용 시료를 채취하였다.When the target surface of the obtained W-Ti sputtering target is circular (annular target), as shown in Fig. 2, the center of the circle 1 and the center of the circle The samples for composition analysis were collected from five points of positions 10 mm, 10 mm, 2, 3, 4, and 5 using a cemented carbide drill.

또, 얻어진 W-Ti 스퍼터링 타깃의 타깃면이 사각형 (각형 (角形) 타깃) 인 경우에는, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 대각선이 교차하는 교점 (1) 과 각 대각선 상의 모서리부로부터 약 10 mm 의 위치 (2), (3), (4), (5) 의 5 점으로부터 초경합금제 드릴을 사용하여 조성 분석용 시료를 채취하였다.When the target surface of the obtained W-Ti sputtering target is a square (square target), as shown in Fig. 3, the intersection 1 where the diagonal lines intersect with each other, and about 10 mm from the corner portions on each diagonal line Samples for composition analysis were collected from the five points of positions (2), (3), (4) and (5) using a cemented carbide drill.

이들 시료의 Fe 농도를 ICP 발광 분광 분석법에 의해 분석하였다. 측정 결과를 표 2 에 나타낸다.The Fe concentrations of these samples were analyzed by ICP emission spectrometry. The measurement results are shown in Table 2.

＜W-Ti 막의 성막＞<Formation of W-Ti Film>

다음으로, 상기 서술한 본 발명예 및 비교예의 W-Ti 스퍼터링 타깃을 무산소동제 배킹 플레이트에 솔더링하고, 이를 스퍼터 장치 (주식회사 알박 제조 SIH-450H) 에 장착하고, 이하의 조건에서 스퍼터링 성막을 실시하였다.Next, the above-described W-Ti sputtering target of the present invention and comparative example was soldered to an oxygen free copper backing plate and mounted on a sputtering apparatus (SIH-450H manufactured by ULVAC Co., Ltd.), and sputtering film formation was carried out under the following conditions .

기판：직경 100 mm 의 Si 기판Substrate: Si substrate with a diameter of 100 mm

도달 진공도：＜5×10-5 PaReached degree of vacuum: <5 × 10 -5 Pa

기판과 타깃의 거리：70 mmDistance between substrate and target: 70 mm

전력：직류 600 WPower: DC 600 W

가스 압력：Ar 1.0 PaGas pressure: Ar 1.0 Pa

기판 가열 없음No substrate heating

막두께：300 nmFilm thickness: 300 nm

＜W-Ti 막의 에칭 레이트 평가＞<Evaluation of Etching Rate of W-Ti Film>

이와 같이 해서 얻어진 직경 100 mm 의 Si 기판 중 도 4 에 나타내는 3 군데 위치에서 가로 세로 20 mm 의 시료를 잘라냈다. 또한 이 시료를, 10 mm × 20 mm 의 2 개 부분으로 절단하고, 절단한 한쪽의 시료를 워터 배스에 의해 액온 30 ℃ 로 설정된 31 vol％ 과산화수소수에 5 분간 침지시켰다. 과산화수소로부터 꺼낸 후, 순수로 충분히 헹구고, 또한 부착된 순수의 액적을, 건조 공기를 내뿜어 날려, 시료를 건조시켰다.A sample of 100 mm in diameter and 20 mm in width at three positions shown in Fig. 4 was cut out from the Si substrate thus obtained. This sample was cut into two portions of 10 mm x 20 mm, and one of the cut samples was immersed in a 31 vol% aqueous hydrogen peroxide solution set at a liquid temperature of 30 占 폚 for 5 minutes by a water bath. The sample was taken out of the hydrogen peroxide, rinsed thoroughly with pure water, and the dried pure water droplets were blown away by drying air to dry the sample.

이 시료를 과산화수소수에 침지시키지 않은 측과 침지시킨 측의 양방에 대해서 단면을 필드 이미션식 주사 전자 현미경 (FE-SEM：주식회사 히타치 하이테크놀로지스 제조 SU-70) 으로 관찰하여, W-Ti 막의 막두께를 측정하였다. 과산화수소에 침지시킨 측과 침지시키지 않은 측의 막두께 차이를 구하고, 이 막두께 차이를 침지 시간 (5 분) 으로 나누어, 직경이 100 mm 인 기판의 각 위치에 있어서의 에칭 레이트를 산출하였다. 이 결과를 표 3 에 나타낸다.Both sides of the sample not immersed in the aqueous hydrogen peroxide solution and the side immersed in the aqueous hydrogen peroxide were observed with a field emission scanning electron microscope (FE-SEM: SU-70 manufactured by Hitachi High Technologies, Inc.) Were measured. The difference in film thickness between the side immersed in hydrogen peroxide and the side not immersed was determined, and the difference in film thickness was divided by the immersion time (5 minutes) to calculate the etching rate at each position of the substrate having a diameter of 100 mm. The results are shown in Table 3.

Figure pct00001
Figure pct00001

Figure pct00002
Figure pct00002

Figure pct00003
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비교예 1 ― 6 에 있어서는, 표 2 에 나타내는 바와 같이, 타깃면 내에 있어서의 Fe 농도의 편차가 커져 있음이 확인되었다. 타깃면 내에 있어서의 Fe 농도의 편차가 커진 것은, 원료 분말의 분쇄를 실시하지 않고, 입경이 큰 Fe 입자를 사용하여 소결을 실시했기 때문으로 추측된다.In Comparative Example 1-6, as shown in Table 2, it was confirmed that the deviation of the Fe concentration in the target surface was large. The reason why the deviation of the Fe concentration in the target surface is large is presumably because sintering is carried out by using Fe particles having a large particle size without pulverizing the raw material powder.

특히, Fe 농도가 낮은 비교예 2, 5 에서는, Fe 농도가 국소적으로 적어져, Fe 농도의 최대 차이도 커졌다.In particular, in Comparative Examples 2 and 5 where the Fe concentration was low, the Fe concentration was locally decreased, and the maximum difference in Fe concentration also increased.

이 비교예 1 ― 6 의 W-Ti 스퍼터링 타깃을 사용하여 성막된 비교예 11 ― 16 의 W-Ti 막에 있어서는, 에칭 레이트가 불균일한 것이 확인되었다.It was confirmed that the W-Ti film of Comparative Example 11-16, which was formed using the W-Ti sputtering target of Comparative Example 1-6, had a non-uniform etching rate.

또, Fe 농도가 낮은 비교예 2, 5 의 W-Ti 스퍼터링 타깃을 사용하여 성막된 비교예 12, 15 의 W-Ti 막에 있어서는, 국소적으로 에칭 레이트가 매우 느려졌음이 확인되었다.It was also confirmed that the W-Ti films of Comparative Examples 12 and 15 formed by using the W-Ti sputtering targets of Comparative Examples 2 and 5 having low Fe concentrations were locally very slow in the etching rate.

이에 비해, 본 발명예 1 ― 6 에 있어서는, 타깃면 내에 있어서의 Fe 농도의 편차가 작아져 있음이 확인되었다. 타깃면 내에 있어서의 Fe 농도의 편차가 작아진 것은, 원료 분말의 혼합 분쇄를 실시함으로써, 입경이 작은 Fe 입자를 사용하여 소결을 실시했기 때문으로 추측된다.On the contrary, in Examples 1 to 6 of the present invention, it was confirmed that the deviation of the Fe concentration in the target surface was small. The reason why the deviation of the Fe concentration in the target surface is small is presumably because sintering is carried out by using Fe particles having a small particle diameter by carrying out the mixed pulverization of the raw powder.

또한, Fe 농도가 낮은 본 발명예 2, 5 나 Fe 농도가 높은 본 발명예 3, 6 에 있어서도, Fe 농도의 편차가 작아서 안정적이었다.Also in Examples 3 and 6 in which Fe concentrations were low in Examples 2 and 5 and in Fe concentration, which were low in Fe concentration, the variation in Fe concentration was small and stable.

이 본 발명예 1 ― 6 의 W-Ti 스퍼터링 타깃을 사용하여 성막된 본 발명예 11 ― 16 의 W-Ti 막에 있어서는, 에칭 레이트가 균일함이 확인되었다.It was confirmed that the etching rate was uniform in the W-Ti film of Inventive Example 11-16, which was formed using the W-Ti sputtering target of Inventive Examples 1 to 6.

특히, Fe 농도가 낮은 본 발명예 2, 5 의 W-Ti 스퍼터링 타깃을 사용하여 성막된 본 발명예 12, 15 의 W-Ti 막에 있어서도, W-Ti 막에 확실히 Fe 가 첨가되어, 에칭 레이트가 안정적이었다.Particularly, in the W-Ti films of Examples 12 and 15 formed by using the W-Ti sputtering targets of Examples 2 and 5 having a low Fe concentration, Fe was certainly added to the W-Ti film, Was stable.

또한, Fe 농도가 높은 본 발명예 3, 6 의 W-Ti 스퍼터링 타깃을 사용하여 성막된 본 발명예 13, 16 의 W-Ti 막에 있어서도, 에칭 레이트의 편차가 충분히 억제되었다.Further, even in the W-Ti films of Inventive Examples 13 and 16 formed using the W-Ti sputtering targets of Inventive Examples 3 and 6 having high Fe concentrations, the deviation of the etching rate was sufficiently suppressed.

이상과 같은 확인 실험의 결과로부터, 본 발명예에 따르면, Fe 농도의 편차가 작아 에칭 레이트가 균일한 W-Ti 막을 성막할 수 있음이 확인되었다.As a result of the confirmation experiment as described above, according to the present invention, it was confirmed that a W-Ti film having a uniform variation of the Fe concentration and a uniform etching rate can be formed.

산업상 이용가능성Industrial availability

본 발명의 W-Ti 스퍼터링 타깃에 따르면, Fe 농도의 편차가 작아 에칭 레이트가 균일한 W-Ti 막을 성막할 수 있다. 본 발명의 W-Ti 스퍼터링 타깃은, 예를 들어 반도체 소자를 실장할 때에 사용되는 범프와 하지 전극 사이에, 상호 원소의 확산을 방지하는 확산 방지층으로서의 W-Ti 막을 성막하는 데에 적합하다.
According to the W-Ti sputtering target of the present invention, it is possible to form a W-Ti film having a uniform deviation of Fe concentration and a uniform etching rate. The W-Ti sputtering target of the present invention is suitable for forming a W-Ti film as a diffusion preventing layer for preventing diffusion of mutual elements between, for example, a bump used for mounting a semiconductor device and a ground electrode.

Claims (1)

Ti 를 5 질량％ 이상 20 질량％ 이하의 범위 내, Fe 를 25 질량ppm 이상 100 질량ppm 이하의 범위 내에서 함유하고, 잔부가 W 및 불가피 불순물로 이루어지는 조성을 갖는 W-Ti 스퍼터링 타깃으로서,
타깃면 내에 있어서 복수 지점에서 Fe 농도를 측정하고, 측정된 Fe 농도의 최대값을 Femax, Fe 농도의 최소값을 Femin 으로 한 경우에 있어서,
(Femax－Femin)/(Femax＋Femin)≤0.25
라는 관계식을 만족시키는 W-Ti 스퍼터링 타깃.
A W-Ti sputtering target having a composition containing Ti in a range of 5 mass% or more and 20 mass% or less, Fe in a range of 25 mass ppm or more and 100 mass ppm or less, and the balance of W and inevitable impurities,
When the Fe concentration is measured at a plurality of points in the target surface and the maximum value of the measured Fe concentration is denoted by Fe max and the minimum value of the Fe concentration is denoted by Fe min ,
(Fe max - Fe min ) / (Fe max + Fe min ) &lt; / = 0.25
Gt; W-Ti &lt; / RTI &gt; sputtering target.
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