KR20160101297A - Tungsten Trioxide Fine Particle and Preparation Method Thereof - Google Patents
Tungsten Trioxide Fine Particle and Preparation Method Thereof Download PDFInfo
- Publication number
- KR20160101297A KR20160101297A KR1020150023365A KR20150023365A KR20160101297A KR 20160101297 A KR20160101297 A KR 20160101297A KR 1020150023365 A KR1020150023365 A KR 1020150023365A KR 20150023365 A KR20150023365 A KR 20150023365A KR 20160101297 A KR20160101297 A KR 20160101297A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- tungsten oxide
- tungsten
- fine particles
- range
- oxide fine
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G41/00—Compounds of tungsten
- C01G41/02—Oxides; Hydroxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/50—Agglomerated particles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/61—Micrometer sized, i.e. from 1-100 micrometer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/62—Submicrometer sized, i.e. from 0.1-1 micrometer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/80—Compositional purity
Abstract
Description
본 발명은 산화텅스텐 미립자의 제조방법 및 이를 이용하여 제조되는 산화텅스텐 미립자에 관한 것으로, 상세하게는, 텅스텐 정광을 무기산과 반응시켜 제조한 텅스텐산을 열분해법으로 제조하는 방법 및 이를 이용하여 제조되는 고순도 산화텅스텐 미립자에 관한 것이다.
The present invention relates to a method for producing tungsten oxide fine particles and a tungsten oxide fine particle prepared by using the tungsten oxide fine particles. More specifically, the present invention relates to a method for producing tungstic acid produced by reacting tungsten concentrate with an inorganic acid by pyrolysis, High-purity tungsten oxide microparticles.
텅스텐은 융점이 매우 높고 강도가 강하며, 고온 내식성이 우수하다는 특징이 있다. 따라서, 텅스텐은 전구의 필라멘트, X-선 튜브, 공구강이나 절삭용 바이트, 로켓의 노즐, 혹은 기타 항공 우주 재료 등에 많이 응용되고 있다. 이러한 텅스텐은 산화텅스텐의 형태로 사용되는 것이 일반적이다.
Tungsten has a very high melting point, strong strength, and excellent corrosion resistance at high temperatures. Therefore, tungsten is widely applied to bulb filaments, X-ray tubes, tool steels, cutting bites, rocket nozzles, and other aerospace materials. Such tungsten is generally used in the form of tungsten oxide.
산화텅스텐은 회증석(CaWO4) 정광을 용매추출법으로 텅스텐 추출 및 탈취공정을 수행하여 암모늄 텅스테이트(ammonium paratungstate(APT), 5(NH4)2O·2WO3)로 결정화시킨 다음, 이를 분해하여 제조되고 있다. 그러나, 상기 제조방법은 여러 단계의 공정을 거쳐야 하므로 공정이 복잡하고, 제조되는 산화텅스텐의 입도가 크고 순도는 낮아 원하는 산화텅스텐의 물성이 충분히 구현되지 않는 문제가 있다.
Tungsten oxide is crystallized with ammonium tungstate (APT), 5 (NH 4 ) 2 O · 2WO 3 ) by tungsten extraction and deodorization by solvent extraction of CaWO 4 concentrate, . However, since the above-mentioned production method has to be subjected to several steps, the process is complicated, and the tungsten oxide to be produced has a large particle size and a low purity, so that the desired tungsten oxide properties are not sufficiently realized.
이에 따라, 보다 순도가 높고 입도가 작으며 균일한 산화텅스텐 미립자를 제조하기 위한 연구가 꾸준히 진행되었으며, 최근에는 그 연구결과들이 속속 발표되고 있다.Accordingly, studies for producing uniform tungsten oxide fine particles having higher purity and smaller particle size have been conducted steadily, and recently, the results of the studies have been continuously published.
먼저, 산화텅스텐의 전구체인 암모늄 텅스테이트 수화물을 180~350℃에서 1차 열처리한 다음, 400~500℃에서 2차 열처리하고, 500~650℃에서 마지막 열처리 공정을 수행하여 산화텅스텐을 제조하는 열분해 공정법이 공개된 바 있다(특허문헌 1).First, ammonium tungstate hydrate, which is a precursor of tungsten oxide, is subjected to a first heat treatment at 180 to 350 ° C, followed by a second heat treatment at 400 to 500 ° C, and a final heat treatment process at 500 to 650 ° C to produce tungsten oxide (Patent Document 1).
또한, 폐초경합금에 포함되어 있는 텅스텐카바이드를 탈탄처리하고, 분쇄한 다음, 자력을 이용하여 금속성분을 제거하고, 산성용액으로 잔류 금속 또는 금속 산화물을 제거하여 고순도의 산화텅스텐 분말을 제조하는 방법이 공개된 바 있다(특허문헌 2).
Also, a method of decarburizing tungsten carbide contained in a cemented carbide, pulverizing it, removing metal components by using a magnetic force, and removing residual metals or metal oxides with an acidic solution to produce high purity tungsten oxide powder (Patent Document 2).
그러나, 상기 공정들에 의해 제조되는 산화텅스텐은 입도가 크고, 불균일할 뿐만 아니라, 순도가 낮은 문제가 있다. 아울러, 상기 공정들은 산화텅스텐을 제조하기 위하여 장시간의 공정시간이 요구되며, 자력선별기와 같은 설비가 필요하다는 문제가 있다.However, tungsten oxide produced by the above processes has a problem of large particle size, non-uniformity, and low purity. In addition, the above processes require a long processing time to manufacture tungsten oxide, and there is a problem that equipment such as a magnetic separator is required.
따라서, 짧은 시간 내에 간단한 공정으로 순도가 높고 입도가 작으며 균일한 고순도의 산화텅스텐 미립자를 제조하기 위한 보다 효과적인 제조방법의 개발이 절실히 요구되고 있다.
Therefore, it is urgently required to develop a more effective production method for producing tungsten oxide fine particles having high purity and small particle size and uniform high purity by a simple process in a short time.
본 발명은 입자 크기가 균일하고 고순도의 산화텅스텐 미립자를 효율적으로 제조하는 방법 및 제조된 산화텅스텐 미립자를 제공하고자 한다.
The present invention aims to provide a method for efficiently producing tungsten oxide fine particles having a uniform particle size and high purity and to provide the produced tungsten oxide fine particles.
본 발명은 상기 과제를 해결하기 위해, 하나의 실시예로서,In order to solve the above problems, the present invention provides, as one embodiment,
텅스텐 정광 및 무기산의 혼합물을 pH 4 이하의 범위로 제어하면서 텅스텐 산(H2WO4)을 제조하는 단계; 및Preparing tungstic acid (H 2 WO 4 ) while controlling the mixture of tungsten concentrate and inorganic acid to a pH of 4 or less; And
제조된 텅스텐 산(H2WO4)를 350 내지 650℃에서 열처리하는 단계를 포함하는 산화텅스텐 미립자의 제조방법을 제공한다.
And heat-treating the produced tungstic acid (H 2 WO 4 ) at 350 to 650 ° C.
또 다른 하나의 실시예로서, In yet another embodiment,
평균 입경은 0.38 내지 0.58 ㎛ 범위이고, The average particle diameter is in the range of 0.38 to 0.58 mu m,
하기 수학식 1 및 2의 조건을 만족하는 산화텅스텐 미립자를 제공한다.The tungsten oxide fine particles satisfying the following conditions (1) and (2) are provided.
[수학식 1][Equation 1]
20 ≤ FD1 ≤ 5020? F D1 ? 50
[수학식 1][Equation 1]
25 ≤ FD2 ≤ 5025? F D2 ? 50
수학식 1 및 2에서,In equations (1) and (2)
FD1은 직경이 0.2 내지 0.8 ㎛ 범위인 입자의 분율(v/v%)을 나타내고,F D1 represents the fraction (v / v%) of particles having a diameter in the range of 0.2 to 0.8 mu m,
FD2는 직경이 1.5 내지 2.3 ㎛ 범위인 입자의 분율(v/v%)을 나타낸다.
F D2 represents the fraction (v / v%) of particles having a diameter in the range of 1.5 to 2.3 mu m.
본 발명에 따른 산화텅스텐 미립자는 텅스텐 정광을 무기산과 반응시켜 제조한 텅스텐산을 열분해법으로 제조하며, 이를 통해 순도가 높고 입도가 작으며 균일한 산화텅스텐 미립자를 제조할 수 있으므로, 산화텅스텐이 사용되는 다양한 분야에서 유용하게 사용될 수 있다.
The tungsten oxide microparticles according to the present invention can be prepared by reacting tungsten concentrate with inorganic acid to produce tungstic acid by thermal decomposition and thereby producing tungsten oxide fine particles having high purity and small particle size and uniformity. It can be used in various fields.
도 1은 본 발명의 하나의 실시예에 따른 산화텅스텐의 제조방법을 도시한 공정도이다.
도 2 내지 4는 실시예 1에 따라 제조된 산화텅스텐 미립자를 배율을 달리하여 관찰한 전자현미경 사진이다.
도 5 내지 7은 실시예 2에 따라 제조된 산화텅스텐 미립자를 배율을 달리하여 관찰한 전자현미경 사진이다.
도 8 내지 10은 실시예 3에 따라 제조된 산화텅스텐 미립자를 배율을 달리하여 관찰한 전자현미경 사진이다.
도 11 내지 13은 비교예 1에 따라 제조된 산화텅스텐 미립자를 배율을 달리하여 관찰한 전자현미경 사진이다.
도 14 내지 16은 비교예 2에 따라 제조된 산화텅스텐 미립자를 배율을 달리하여 관찰한 전자현미경 사진이다.
도 17에서는, 실시예 1 내지 3에서 제조된 산화텅스텐 미립자의 입자 분포도를 나타낸 그래프이다. 1 is a process diagram showing a method for manufacturing tungsten oxide according to one embodiment of the present invention.
2 to 4 are electron micrographs of tungsten oxide microparticles prepared according to Example 1 with different magnifications.
5 to 7 are electron micrographs of tungsten oxide microparticles prepared according to Example 2 with different magnifications.
8 to 10 are electron micrographs of tungsten oxide microparticles prepared according to Example 3 with different magnifications.
11 to 13 are electron micrographs of the tungsten oxide microparticles prepared according to Comparative Example 1 with different magnifications.
14 to 16 are electron micrographs of the tungsten oxide microparticles prepared according to Comparative Example 2 with different magnifications.
17 is a graph showing particle distribution diagrams of the tungsten oxide fine particles produced in Examples 1 to 3. Fig.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다.While the invention is susceptible to various modifications and alternative forms, specific embodiments thereof are shown by way of example in the drawings and will herein be described in detail.
그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.It should be understood, however, that the invention is not intended to be limited to the particular embodiments, but includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. The terminology used in this application is used only to describe a specific embodiment and is not intended to limit the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise.
본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.In the present application, the terms "comprises" or "having" and the like are used to specify that there is a feature, a number, a step, an operation, an element, a component or a combination thereof described in the specification, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, elements, components, or combinations thereof.
따라서, 본 명세서에 기재된 실시예에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형 예들이 있을 수 있다.Therefore, the configurations shown in the embodiments described herein are merely the most preferred embodiments of the present invention and are not intended to represent all of the technical ideas of the present invention. Therefore, various equivalents And variations.
본 발명은 산화텅스텐 미립자의 제조방법 및 이를 이용하여 제조되는 산화텅스텐 미립자를 제공한다.The present invention provides a method for producing tungsten oxide fine particles and tungsten oxide fine particles prepared using the same.
산화텅스텐은 전기변색, 빛 변색현상, 가스감지, 광촉매, 빛 발광 등의 특성을 가지고 있어 지난 수십 년 동안 다양한 분야에서 사용되어 오고 있다. 그러나, 종래에 사용되고 있는 산화텅스텐의 제조방법은 공정이 복잡하며, 제조된 산화텅스텐의 입도는 크고, 순도는 낮아 원하는 산화텅스텐의 물성이 구현되지 않는 문제가 있다. 이에 따라, 이를 개선하기 위한 다양한 연구가 진행되고 있으나, 상기 문제점들이 효과적으로 개선된 공정방법은 제시되지 않고 있다.Tungsten oxide has been used in various fields over the past decades due to its properties such as electrochromism, light discoloration, gas detection, photocatalyst, and light emission. However, the conventional method of producing tungsten oxide has a problem in that the process is complicated, the produced tungsten oxide has a large particle size and the purity is low, so that the desired tungsten oxide property is not realized. Accordingly, various studies have been made to improve the above problems, but the above-mentioned problems are not effectively improved.
이러한 문제점들을 해결하기 위하여, 본 발명은 텅스텐 정광을 무기산과 반응시켜 제조한 텅스텐산을 열분해법으로 반응시킨 산화텅스텐 미립자의 제조방법을 제안한다.
In order to solve these problems, the present invention proposes a method for producing tungsten oxide microparticles obtained by reacting tungstic acid prepared by reacting tungsten concentrate with inorganic acid by thermal decomposition.
본 발명은 하나의 실시예에서,The present invention, in one embodiment,
텅스텐 정광 및 무기산의 혼합물을 pH 4 이하의 범위로 제어하면서 텅스텐 산(H2WO4)을 제조하는 단계; 및Preparing tungstic acid (H 2 WO 4 ) while controlling the mixture of tungsten concentrate and inorganic acid to a pH of 4 or less; And
제조된 텅스텐 산(H2WO4)를 350 내지 650℃에서 열처리하는 단계를 포함하는 따른 산화텅스텐 미립자의 제조방법을 제공한다.
And heat-treating the produced tungstic acid (H 2 WO 4 ) at 350 to 650 ° C.
도 1은 본 발명에 따른 산화텅스텐의 제조방법을 도시한 공정도이다. 이하, 도 1을 참고하여 상기 산화텅스텐 미립자의 제조방법을 상세히 설명한다.
1 is a process diagram showing a method for producing tungsten oxide according to the present invention. Hereinafter, a method for producing the tungsten oxide fine particles will be described in detail with reference to FIG.
먼저, 분말상의 텅스텐 정광을 증류수에 침적시켜 교반하는 단계(S10)를 거치게 된다. First, the tungsten concentrate in powder form is immersed in distilled water and stirred (S10).
텅스텐 정광 분말이 포함된 수용액과 무기산을 혼합하되, pH를 4 이하로 제어하면서, 텅스텐산을 제조한다(S20).Tungstic acid is prepared by mixing an aqueous solution containing tungsten powder and inorganic acid, while controlling the pH to 4 or less (S20).
제조된 텅스텐산은 필요에 따라, 필터링을 거치면서 불순물을 제거하는 단계(S30)를 거칠 수 있다. The prepared tungstic acid may be subjected to filtering (step S30), if necessary, to remove impurities.
그런 다음, 불순물이 제거된 텅스텐산을 건조 및 분쇄하고, 이를 350 내지 650℃ 범위에서 열처리함으로써, 산화텅스텐 미립자를 제조(S40)할 수 있다.
Then, the tungsten oxide with impurities removed is dried and pulverized, and then heat-treated at 350 to 650 ° C to prepare tungsten oxide fine particles (S40).
하나의 실시예에서, 텅스텐산을 제조하는 단계에서 텅스텐 정광 및 무기산의 혼합물은, In one embodiment, the mixture of tungsten concentrate and inorganic acid in the step of preparing tungstic acid,
텅스텐 정광을 포함하는 수용액을 제조하는 단계; 및Preparing an aqueous solution comprising tungsten concentrate; And
제조된 수용액과 무기산을 혼합하는 단계를 통해 제조할 수 있다. And then mixing the prepared aqueous solution with inorganic acid.
본 발명에서, 텅스텐 정광은, 텅스텐 성분을 함유하는 광물을 총칭하는 의미이다. 구체적으로, 텅스텐 정광은 회중석, 망간중석 또는 동중석 등으로 분류되기도 한다. 본 발명의 하나의 실시예에 따르면, 상기 텅스텐 정광은 회중석(CaWO4)을 이용할 수 있다.
In the present invention, the term tungsten concentrate means collectively a mineral containing a tungsten component. Specifically, the tungsten concentrate may be classified as a talc, a manganese seam or a copper seam. According to one embodiment of the present invention, the tungsten concentrate may utilize a kaolinite (CaWO 4 ).
본 발명의 하나의 실시예에서, 텅스텐 정광과 무기산의 혼합물은, 90 내지 180℃, 100 내지 150℃, 또는 110 내지 130℃ 온도 범위를 유지할 수 있다. 동시에 상기 혼합물은 산성 조건을 충족할 수 있으며, 구체적으로는 pH 2 내지 3 범위로 제어할 수 있다. 본 발명에서는 텅스텐 정광과 무기산의 혼합물을 상기 온도 및 pH 범위로 제어함으로써, 혼합물을 구성하는 성분들 간의 혼합 정도를 높이고, 산화텅스텐의 제조 수율 및 품질을 향상시킬 수 있다. In one embodiment of the invention, the mixture of tungsten concentrate and inorganic acid can maintain a temperature range of 90-180 占 폚, 100-150 占 폚, or 110-130 占 폚. At the same time, the mixture can meet the acidic conditions, specifically, the pH can be controlled within the range of 2 to 3. In the present invention, by controlling the mixture of tungsten concentrate and inorganic acid to the above-mentioned temperature and pH range, it is possible to increase the degree of mixing between components constituting the mixture and improve the production yield and quality of tungsten oxide.
또한, 텅스텐 정광과 무기산의 혼합물은 서로 반응하여 텅스텐 산을 제조하게 되며, 이 과정은 20 내지 60분, 혹은 30 내지 50분 동안 수행할 수 있다. 반응 시간을 제어함으로써, 텅스텐 산으로의 충분한 반응을 유도하고, 제조 효율 저하를 방지할 수 있다. Also, a mixture of tungsten concentrate and inorganic acid reacts with each other to produce tungstic acid, which can be carried out for 20 to 60 minutes, or 30 to 50 minutes. By controlling the reaction time, it is possible to induce a sufficient reaction with tungstic acid and prevent a decrease in the production efficiency.
상기 무기산은 산성 조건을 충족하는 경우라면 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어 염산, 질산, 황산 및 인산 등 중에서 선택되는 1종 이상을 사용할 수 있다. 구체적으로는, 본 발명은 무기산으로 염산을 사용할 수 있다. The inorganic acid is not particularly limited as far as the acidic condition is satisfied. For example, at least one selected from hydrochloric acid, nitric acid, sulfuric acid and phosphoric acid can be used. Specifically, hydrochloric acid can be used as an inorganic acid in the present invention.
텅스텐 정광과 무기산을 반응시켜 텅스텐 산을 제조하는 단계에서, 예를 들어, 텅스텐 정광 중 회중석과 무기산인 염산 용액을 반응시켜 텅스텐 산을 제조할 수 있다. 이 경우, 텅스텐 산은 아래 반응식 1을 통해 제조 가능하다. In the step of producing tungstic acid by reacting tungsten concentrate with inorganic acid, for example, tungstic acid can be prepared by reacting a decanter in a tungsten concentrate with a hydrochloric acid solution of inorganic acid. In this case, tungstic acid can be prepared by the following reaction formula (1).
[반응식 1][Reaction Scheme 1]
CaWO4 + 2HCl → H2WO4 +2CaCl2
CaWO 4 + 2HCl - > H 2 WO 4 + 2 CaCl 2
하나의 실시예에서, 앞서 설명한 텅스텐 산(H2WO4)을 제조하는 단계; 및 열처리하는 단계 사이에, 텅스텐 산이 용해되어 있는 수용액을 필터링하는 단계를 더 포함할 수 있다. 필터링하는 단계를 통해서, 불순불을 제거하고 산화텅스텐의 순도와 입자 균일도를 높일 수 있다. 하나의 예로서, 필터링 단계에서는 불순물로 염화칼슘(CaCl2)을 제거할 수 있다.
In one embodiment, the process comprises the steps of: preparing tungstic acid (H 2 WO 4 ) as described above; And a step of filtering the aqueous solution in which tungstic acid is dissolved, between the step of heat-treating. Through the filtering step, impurities can be removed and the purity and particle uniformity of the tungsten oxide can be increased. As an example, in the filtering step, calcium chloride (CaCl 2 ) can be removed as an impurity.
또한, 본 발명은 앞서 설명한 제조방법을 통해 제조된 산화텅스텐 미립자를 제공한다. The present invention also provides the tungsten oxide fine particles produced by the above-described production method.
하나의 실시예에서, 본 발명에 따른 산화텅스텐 미립자는,In one embodiment, the tungsten oxide microparticles according to the present invention comprise,
평균 입경은 0.38 내지 0.58 ㎛ 범위이고, The average particle diameter is in the range of 0.38 to 0.58 mu m,
하기 수학식 1 및/또는 2의 조건을 만족한다.Satisfy the following condition (1) and / or (2).
[수학식 1][Equation 1]
20 ≤ FD1 ≤ 50 (%)20? F D1 ? 50 (%)
[수학식 1][Equation 1]
25 ≤ FD2 ≤ 50 (%) 25 ≤ F D2 ≤ 50 (% )
수학식 1 및 2에서,In equations (1) and (2)
FD1은 직경이 0.2 내지 0.8 ㎛ 범위인 입자의 분율(v/v%)을 나타내고,F D1 represents the fraction (v / v%) of particles having a diameter in the range of 0.2 to 0.8 mu m,
FD2는 직경이 1.5 내지 2.3 ㎛ 범위인 입자의 분율(v/v%)을 나타낸다.F D2 represents the fraction (v / v%) of particles having a diameter in the range of 1.5 to 2.3 mu m.
상기 산화텅스텐 미립자는, 평균 입경이 0.38 내지 0.58 ㎛, 0.4 내지 0.5 ㎛, 혹은 0.4 내지 0.42 ㎛ 범위일 수 있다. 본 발명은 미립자 수준의 고순도 산화텅스텐을 제공한다. The tungsten oxide fine particles may have an average particle diameter of 0.38 to 0.58 mu m, 0.4 to 0.5 mu m, or 0.4 to 0.42 mu m. The present invention provides high purity tungsten oxide at the particulate level.
또한, 본 발명에 따른 산화텅스텐 미립자의 입자 분포는, 0.2 내지 0.8 ㎛ 범위에서 제1 피크를 갖고, 1.5 내지 2.3 ㎛ 범위에서 제2 피크를 갖도록 분포할 수 있다. 예를 들어, 산화텅스텐 미립자의 입자 분포는, 0.2 내지 0.8 ㎛ 범위의 제1 분포(FD1)와 1.5 내지 2.3 ㎛ 범위의 제2 분포(FD2)를 합산하면, 70 (v/v)% 이상, 85 (v/v)% 이상, 93 (v/v)% 이상, 혹은 70 내지 99 (v/v)% 이상을 만족할 수 있다. 본 발명에 따른 산화텅스텐 미립자는, 미세 직경을 가지면서, 서로 다른 2개의 직경 범위를 갖는 입자들이 혼재하는 구조일 수 있다.The particle distribution of the tungsten oxide fine particles according to the present invention may have a first peak in the range of 0.2 to 0.8 mu m and a second peak in the range of 1.5 to 2.3 mu m. For example, the particle distribution of the tungsten oxide particles can be calculated as 70 (v / v)% by summing the first distribution (F D1 ) in the range of 0.2 to 0.8 μm and the second distribution (F D2 ) Or more, 85 (v / v)% or more, 93 (v / v)% or more, or 70 to 99 (v / v)% or more. The tungsten oxide fine particles according to the present invention may have a structure in which particles having two different diameters are mixed together while having a fine diameter.
또 다른 하나의 예로서, 본 발명에 따른 산화텅스텐 미립자는 순도가 99.5 중량% 이상의 고순도 조건을 만족한다. 또한, 상기 산화텅스텐 미립자는 부분적으로 응집되어 평균 직경 1 내지 5 ㎛, 1 내지 3 ㎛, 혹은 1.2 내지 2 ㎛ 범위의 입자상 구조를 형성할 수 있다.
As another example, the tungsten oxide fine particles according to the present invention satisfy a high purity condition of a purity of 99.5 wt% or more. The tungsten oxide fine particles may partially aggregate to form a particulate structure having an average diameter of 1 to 5 mu m, 1 to 3 mu m, or 1.2 to 2 mu m.
이하, 본 발명을 실시예 및 실험예에 의해 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples and Experimental Examples.
단, 하기 실시예 및 실험예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기 실시예 및 실험예에 한정되는 것은 아니다.
However, the following Examples and Experimental Examples are merely illustrative of the present invention, and the present invention is not limited to the following Examples and Experimental Examples.
실시예Example 1. 산화텅스텐 미립자의 제조 1. Preparation of tungsten oxide microparticles
증류수에 회중석 분말을 침적하여 30분 동안 교반하였다. 회중석 분말이 포함된 수용액을 100~150℃로 유지하면서, 염산 용액을 첨가하여 pH를 2~3으로 제어하였다. Quartz powder was immersed in distilled water and stirred for 30 minutes. The pH was controlled to 2 to 3 by adding a hydrochloric acid solution while maintaining the aqueous solution containing the kaolinite powder at 100 to 150 ° C.
회중석과 염산 용액의 반응은 40 분 동안 진행한 후, 필터링을 통해 불순물(CaCl2)을 제거하였다. 제조된 텅스텐 산을 건조 및 분쇄한 후, 400oC에서 열처리하여 산화텅스텐 미립자를 제조하였다.
The reaction between the decanter and the hydrochloric acid solution was carried out for 40 minutes, and the impurities (CaCl 2 ) were removed through filtration. The prepared tungstic acid was dried and pulverized, and then heat-treated at 400 ° C to prepare tungsten oxide fine particles.
실시예Example 2. 산화텅스텐 미립자의 제조 2. Preparation of tungsten oxide fine particles
500℃에서 열처리한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 산화텅스텐 미립자를 제조하였다.
Tungsten oxide fine particles were prepared in the same manner as in Example 1, except that the heat treatment was performed at 500 占 폚.
실시예Example 3. 산화텅스텐 미립자의 제조 3. Preparation of tungsten oxide microparticles
600℃에서 열처리한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 산화텅스텐 미립자를 제조하였다.
Tungsten oxide fine particles were prepared in the same manner as in Example 1, except that the heat treatment was performed at 600 占 폚.
비교예Comparative Example 1. 산화텅스텐 미립자의 제조 1. Preparation of tungsten oxide microparticles
300℃에서 열처리한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 산화텅스텐 미립자를 제조하였다.
Tungsten oxide fine particles were prepared in the same manner as in Example 1, except that the heat treatment was performed at 300 占 폚.
비교예Comparative Example 2. 산화텅스텐 미립자의 제조 2. Preparation of tungsten oxide fine particles
700℃에서 열처리한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 산화텅스텐 미립자를 제조하였다.
Tungsten oxide fine particles were prepared in the same manner as in Example 1 except that the heat treatment was performed at 700 占 폚.
실험예Experimental Example 1. 산화텅스텐 미립자의 표면 상태 평가 1. Evaluation of Surface Condition of Tungsten Oxide Particles
본 발명에 따라 제조되는 산화텅스텐 미립자의 입도 및 표면 상태를 평가하기 위하여 하기와 같은 실험을 수행하였다.In order to evaluate the particle size and surface state of the tungsten oxide fine particles prepared according to the present invention, the following experiment was conducted.
먼저, 상기 실시예 1 내지 3, 비교예 1 및 2에서 제조된 산화텅스텐 미립자를 분취하여 주사전자현미경(SEM) 촬영을 수행하였다. 촬영 결과는 각각 도 2 내지 16에 나타내었다. First, the tungsten oxide microparticles prepared in Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 and 2 were aliquoted and subjected to scanning electron microscope (SEM) photographing. The photographing results are shown in Figs. 2 to 16, respectively.
구체적으로는, 도 2 내지 4는 실시예 1에 따라 제조된 산화텅스텐 미립자를 배율을 달리하여 관찰한 결과이다. 도 5 내지 7은 실시예 2에 따라 제조된 산화텅스텐 미립자를 배율을 달리하여 관찰한 결과이다. 도 8 내지 10은 실시예 3에 따라 제조된 산화텅스텐 미립자를 배율을 달리하여 관찰한 결과이다. 도 11 내지 13은 비교예 1에 따라 제조된 산화텅스텐 미립자를 배율을 달리하여 관찰한 결과이다. 그리고, 도 14 내지 16은 비교예 2에 따라 제조된 산화텅스텐 미립자를 배율을 달리하여 관찰한 결과이다.
Specifically, Figs. 2 to 4 show the results of observing the tungsten oxide fine particles produced according to Example 1 at different magnifications. 5 to 7 show the results of observing the tungsten oxide fine particles prepared according to Example 2 at different magnifications. 8 to 10 are the results of observing the tungsten oxide fine particles prepared according to Example 3 at different magnifications. 11 to 13 are the results of observing the tungsten oxide fine particles produced according to Comparative Example 1 at different magnifications. 14 to 16 are the results of observing the tungsten oxide fine particles produced according to Comparative Example 2 at different magnifications.
실험예Experimental Example 2. 산화텅스텐 미립자의 입도 분포 평가 2. Evaluation of Particle Size Distribution of Tungsten Oxide Particles
실시예 1 내지 3, 비교예 1 및 2에서 제조된 산화텅스텐 미립자의 입자 분포도는 입도분석기(LS230, Beckman Coulter, Germany)를 이용하여 측정하였다. 그 결과는 표 1에 나타내었다.The particle distribution of the tungsten oxide fine particles prepared in Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 and 2 was measured using a particle size analyzer (LS230, Beckman Coulter, Germany). The results are shown in Table 1.
표 1을 참조하면, 본 발명에 따른 산화텅스텐의 제조방법에 따라 제조되는 산화텅스텐 미립자는 입도가 작고, 균일한 것을 알 수 있다.Referring to Table 1, it can be seen that the tungsten oxide fine particles prepared according to the method for producing tungsten oxide according to the present invention have a small particle size and a uniform particle size.
구체적으로는, 실시예 1 내지 3의 경우에는, 평균 입경이 0.403 내지 0.542 ㎛ 범위임을 알 수 있다. 이에 대해, 비교예 1의 경우에는, 평균 입경이 0.591 ㎛이고, 반대로 비교예 2의 경우에는 0.362 ㎛ 수준인 것을 알 수 있다. 열처리 온도가 높아짐에 따라 평균 입경은 감소한다는 것을 알 수 있으며, 열처리 온도가 너무 높은 경우에는 평균 입경이 지나치게 작아지고, 반대로 열처리 온도가 너무 낮은 경우에는 미립자를 형성하지 못하는 문제가 있다.
Specifically, in the case of Examples 1 to 3, it can be understood that the average particle diameter is in the range of 0.403 to 0.542 μm. On the contrary, in the case of Comparative Example 1, the average particle diameter is 0.591 mu m, and on the contrary, in the case of Comparative Example 2, it is 0.362 mu m. It can be seen that as the heat treatment temperature increases, the average particle diameter decreases. When the heat treatment temperature is too high, the average particle diameter becomes too small. On the other hand, when the heat treatment temperature is too low, the fine particles can not be formed.
또한, 도 17에서는, 실시예 1 내지 3에서 제조된 산화텅스텐 미립자의 입자 분포도를 그래프로 나타내었다. 17, graphs of particle distribution of the tungsten oxide fine particles prepared in Examples 1 to 3 are shown.
도 17을 참조하면, 실시예 1 내지 3은 평균 직경 0.2 내지 0.8 ㎛ 범위에서 제1 피크가 형성되고, 평균 직경 1.5 내지 2.3 ㎛ 범위에서 제 2 피크가 형성됨을 알 수 있다. 열처리 온도가 높아짐에 따라, 제2 피크의 분율이 저하됨을 알 수 있다. 이를 통해, 열처리 온도에 따라 제조된 산화텅스텐 미립자의 입자 분포가 현저히 달라짐을 확인할 수 있다.
Referring to FIG. 17, it can be seen that in Examples 1 to 3, a first peak is formed in an average diameter range of 0.2 to 0.8 mu m, and a second peak is formed in an average diameter range of 1.5 to 2.3 mu m. It can be seen that as the heat treatment temperature increases, the fraction of the second peak decreases. As a result, it can be seen that the particle distribution of the tungsten oxide fine particles produced according to the heat treatment temperature is significantly different.
실험예Experimental Example 3. 산화텅스텐 미립자의 순도 평가 3. Purity Evaluation of Tungsten Oxide Particles
본 발명에 따른 산화텅스텐 미립자에 포함된 성분 및 함량 분석을 통하여 제조되는 산화텅스텐 미립자의 순도를 평가하기 위하여 하기와 같은 실험을 수행하였다.The following experiment was conducted to evaluate the purity of the tungsten oxide fine particles prepared by analyzing the components and the content of the tungsten oxide fine particles according to the present invention.
본 발명에 따른 실시예 1 내지 3에서 제조된 산화텅스텐 미립자에 대하여 X선 형광분석기(ZSX100e, Rigaku, Japan)를 이용하여 성분 분석을 수행하였으며, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.The tungsten oxide microparticles prepared in Examples 1 to 3 according to the present invention were subjected to component analysis using an X-ray fluorescence analyzer (ZSX100e, Rigaku, Japan). The results are shown in Table 2 below.
상기 표 2에 나타낸 바와 같이, 본 발명에 따라 제조되는 산화텅스텐 미립자는 99.5 중량% 이상의 고순도임을 알 수 있다.As shown in Table 2, it can be seen that the tungsten oxide fine particles prepared according to the present invention have a purity of 99.5% by weight or more.
보다 구체적으로, 본 발명에 따른 실시예 1에서 제조된 산화텅스텐 미립자의 경우, 산화텅스텐의 함량은 약 99.8113%이고, 산화텅스텐 이외의 성분인 칼슘, 루테륨, 철 등의 함량은 0.1887%인 것으로 확인된다. 또한, 실시예 2에서 제조된 산화텅스텐 미립자의 경우에는 산화텅스텐의 함량이 약 99.79353%이고, 실시예 3에서 제조된 산화텅스텐 미립자의 경우에는 산화텅스텐의 함량이 약 99.8044%인 것으로 나타났다. More specifically, in the case of the tungsten oxide fine particles prepared in Example 1 according to the present invention, the content of tungsten oxide is about 99.8113%, and the content of calcium, lutetium, iron, etc. other than tungsten oxide is 0.1887% Is confirmed. In the case of the tungsten oxide fine particles prepared in Example 2, the content of tungsten oxide was about 99.79353%, and in the case of the tungsten oxide fine particles prepared in Example 3, the content of tungsten oxide was about 99.8044%.
이는 본 발명에 따른 산화텅스텐의 제조방법에 의해 제조되는 산화텅스텐 미립자는 종래의 제조방법으로 제조되는 산화텅스텐 미립자와 대비하여 산화텅스텐 이외의 금속성분을 포함하는 비율이 현저히 낮음을 의미한다.This means that the tungsten oxide fine particles produced by the method for producing tungsten oxide according to the present invention have a remarkably low proportion of metal components other than tungsten oxide as compared with the tungsten oxide fine particles prepared by the conventional production method.
이로부터, 본 발명에 따른 산화텅스텐 미립자의 제조방법은 산화텅스텐 미립자를 고순도로 제조할 수 있음을 알 수 있다.
From this, it can be seen that the process for producing tungsten oxide fine particles according to the present invention can produce tungsten oxide fine particles with high purity.
따라서, 본 발명에 따른 산화텅스텐 미립자의 제조방법은 종래에 사용되고 있는 산화텅스텐 미립자의 제조방법과 대비하여 제조되는 산화텅스텐 미립자의 입도가 작고, 균일할 뿐만 아니라, 높은 순도로 제조할 수 있으므로, 산화텅스텐이 사용되는 다양한 분야에서 유용하게 사용될 수 있다.Therefore, the method for producing tungsten oxide fine particles according to the present invention can produce tungsten oxide fine particles having a small particle size, uniformity, and high purity as compared with conventional methods for producing tungsten oxide fine particles, It can be used in various fields where tungsten is used.
Claims (8)
제조된 텅스텐 산(H2WO4)를 350 내지 650℃에서 열처리하는 단계를 포함하는 산화텅스텐 미립자의 제조방법.
Preparing tungstic acid (H 2 WO 4 ) while controlling the mixture of tungsten concentrate and inorganic acid to a pH of 4 or less; And
And heat-treating the produced tungstic acid (H 2 WO 4 ) at 350 to 650 ° C.
텅스텐 산을 제조하는 단계에서, 텅스텐 정광 및 무기산의 혼합물은,
텅스텐 정광 분말을 포함하는 수용액을 제조하는 단계; 및
제조된 수용액과 무기산을 혼합하는 단계를 통해 제조하는 것을 특징으로 하는 산화텅스텐 미립자의 제조방법.
The method according to claim 1,
In the step of preparing tungstic acid, a mixture of tungsten concentrate and inorganic acid,
Preparing an aqueous solution comprising tungsten concentrate powder; And
And then mixing the prepared aqueous solution with inorganic acid to prepare tungsten oxide microparticles.
텅스텐 정광과 무기산의 혼합물은, 100 내지 150℃ 온도 범위에서, pH 2 내지 3 범위로 제어하는 것을 특징으로 하는 산화텅스텐 미립자의 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the mixture of tungsten concentrate and inorganic acid is controlled at a temperature in the range of 100 to 150 占 폚 and in a range of 2 to 3 in the pH range.
텅스텐 정광은 회중석인 것을 특징으로 하는 산화텅스텐 미립자의 제조방법.
The method according to claim 1,
≪ / RTI > wherein the tungsten concentrate is a talcum.
텅스텐 산(H2WO4)을 제조하는 단계; 및 열처리하는 단계 사이에,
텅스텐 산이 용해되어 있는 수용액을 필터링하는 단계를 더 포함하는 산화텅스텐 미립자의 제조방법.
The method according to claim 1,
Preparing tungstic acid (H 2 WO 4 ); And between the step of heat treatment,
Further comprising the step of filtering an aqueous solution in which tungstic acid is dissolved.
하기 수학식 1 및 2의 조건을 만족하는 산화텅스텐 미립자:
[수학식 1]
20 ≤ FD1 ≤ 50
[수학식 1]
25 ≤ FD2 ≤ 50
수학식 1 및 2에서,
FD1은 직경이 0.2 내지 0.8 ㎛ 범위인 입자의 분율(v/v%)을 나타내고,
FD2는 직경이 1.5 내지 2.3 ㎛ 범위인 입자의 분율(v/v%)을 나타낸다.
The average particle diameter is in the range of 0.38 to 0.58 mu m,
Tungsten oxide fine particles satisfying the following conditions (1) and (2):
[Equation 1]
20? F D1 ? 50
[Equation 1]
25? F D2 ? 50
In equations (1) and (2)
F D1 represents the fraction (v / v%) of particles having a diameter in the range of 0.2 to 0.8 mu m,
F D2 represents the fraction (v / v%) of particles having a diameter in the range of 1.5 to 2.3 mu m.
산화텅스텐 미립자의 입자 분포는,
0.2 내지 0.8 ㎛ 범위에서 제1 피크를 갖고,
1.5 내지 2.3 ㎛ 범위에서 제2 피크를 갖는 것을 특징으로 하는 산화텅스텐 미립자.
The method according to claim 6,
The particle distribution of the tungsten oxide fine particles is,
Has a first peak in the range of 0.2 to 0.8 mu m,
And a second peak in the range of 1.5 to 2.3 mu m.
산화텅스텐의 순도는 99.5 중량% 이상이고,
산화텅스텐 미립자는 부분적으로 응집되어 평균 직경 1 내지 5 ㎛ 범위의 입자상 구조를 형성하는 산화텅스텐 미립자.The method according to claim 6,
The purity of the tungsten oxide is 99.5% by weight or more,
The tungsten oxide microparticles are partially agglomerated to form a particulate structure having an average diameter in the range of 1 to 5 mu m.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150023365A KR101741308B1 (en) | 2015-02-16 | 2015-02-16 | Tungsten Trioxide Fine Particle and Preparation Method Thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150023365A KR101741308B1 (en) | 2015-02-16 | 2015-02-16 | Tungsten Trioxide Fine Particle and Preparation Method Thereof |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20160101297A true KR20160101297A (en) | 2016-08-25 |
| KR101741308B1 KR101741308B1 (en) | 2017-05-30 |
Family
ID=56884498
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020150023365A KR101741308B1 (en) | 2015-02-16 | 2015-02-16 | Tungsten Trioxide Fine Particle and Preparation Method Thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101741308B1 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019216719A1 (en) * | 2018-05-11 | 2019-11-14 | 엘지전자 주식회사 | Method for manufacture of transition metal oxide fine particles |
| WO2021172698A1 (en) * | 2018-05-11 | 2021-09-02 | 엘지전자 주식회사 | Method for producing transition metal oxide fine particles |
| KR20220077652A (en) * | 2020-12-02 | 2022-06-09 | 베스트알 주식회사 | Amorphous tungstic acid composite and tungsten oxide prepared using the same |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109594044A (en) * | 2018-12-13 | 2019-04-09 | 天津大学 | Tungsten oxide nanoparticles and porous silicon composite structure gas sensor and preparation method |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR950032631A (en) | 1994-03-21 | 1995-12-22 | 로망 엘. 뷜르 | Method for preparing pilocarpine |
| KR20100024032A (en) | 2008-08-25 | 2010-03-05 | 한국세라믹기술원 | Manufacturing method of high purity tungsten trioxide powder using waste hard metal and tungsten trioxide manufactured by the method |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4115513A (en) | 1977-08-16 | 1978-09-19 | Westinghouse Electric Corp. | Processing of ammonium paratungstate from tungsten ores |
| US4629503A (en) * | 1985-04-17 | 1986-12-16 | Ramot - University Authority For Applied Research And Industrial Development | Process for the recovery of tungsten in a pure form from tungsten-containing materials |
| JP2005226008A (en) | 2004-02-13 | 2005-08-25 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | Dispersion for forming solar radiation-shielding body, and solar radiation-shielding body and method for producing the same |
-
2015
- 2015-02-16 KR KR1020150023365A patent/KR101741308B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR950032631A (en) | 1994-03-21 | 1995-12-22 | 로망 엘. 뷜르 | Method for preparing pilocarpine |
| KR20100024032A (en) | 2008-08-25 | 2010-03-05 | 한국세라믹기술원 | Manufacturing method of high purity tungsten trioxide powder using waste hard metal and tungsten trioxide manufactured by the method |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019216719A1 (en) * | 2018-05-11 | 2019-11-14 | 엘지전자 주식회사 | Method for manufacture of transition metal oxide fine particles |
| WO2021172698A1 (en) * | 2018-05-11 | 2021-09-02 | 엘지전자 주식회사 | Method for producing transition metal oxide fine particles |
| US11420258B2 (en) | 2018-05-11 | 2022-08-23 | Lg Electronics Inc. | Method for manufacture of transition metal oxide fine particles |
| KR20220077652A (en) * | 2020-12-02 | 2022-06-09 | 베스트알 주식회사 | Amorphous tungstic acid composite and tungsten oxide prepared using the same |
| KR20230019897A (en) * | 2020-12-02 | 2023-02-09 | 베스트알 주식회사 | Amorphous tungstic acid composite and tungsten oxide prepared using the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101741308B1 (en) | 2017-05-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101741308B1 (en) | Tungsten Trioxide Fine Particle and Preparation Method Thereof | |
| EP3206989B1 (en) | Method for producing silicon by means of magnesiothermal reduction | |
| CA2622336A1 (en) | Reduction process | |
| JP4921806B2 (en) | Tungsten ultrafine powder and method for producing the same | |
| JP6159306B2 (en) | Nickel oxide powder | |
| CN107442130B (en) | A kind of palygorskite load type national standard method and its preparation method and application | |
| KR20180116373A (en) | Manufacturing method of silicon | |
| CN104973626A (en) | Method used for preparing high-purity ammonium metavanadate from sodium vanadate solution | |
| KR101800811B1 (en) | Method for manufacturing tungsten oxide and tungsten oxide manufactured by the same | |
| KR20230019897A (en) | Amorphous tungstic acid composite and tungsten oxide prepared using the same | |
| KR101599602B1 (en) | Preparation method of tungsten trioxide fine particle | |
| JP2009155194A (en) | Nickel oxide powder and method for manufacturing the same | |
| JP5640775B2 (en) | Method for producing granular gallium oxide | |
| Zhang et al. | LiYF 4: Yb 3+, Er 3+ upconverting submicro-particles: synthesis and formation mechanism exploration | |
| JP5733101B2 (en) | Method for producing nickel oxide powder | |
| JP2011063486A (en) | Method for producing high-purity metal boride particle, and high-purity metal boride particle obtained by the method | |
| WO2016021725A1 (en) | Method for producing platinum-based alloy powder | |
| KR101728517B1 (en) | Preparation of aluminum nitride using wet-mixed boehmite slurry | |
| JP5790292B2 (en) | Method for producing nickel oxide powder | |
| RU2656466C1 (en) | Molybdenum dioxide / carbon composite production method | |
| CN112919429B (en) | Preparation method of vanadium nitride, vanadium nitride prepared by preparation method and application of vanadium nitride | |
| US2733134A (en) | Method for making titanium carbide | |
| WO2023145520A1 (en) | Tungsten oxide powder | |
| KR102526569B1 (en) | silver oxalic acid | |
| RU2448809C2 (en) | Method of producing tungsten powder |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |