KR20160088831A - 검출기기의 조작 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 가동소자를 구비하는 반도체 검출기기에 적용되는 검출기기의 조작 방법에 있어서, 웨이퍼 맵을 터치 표시 장치에 표시하는 단계; 터치 표시 장치에서 발생한 터치신호를 검지하는 단계; 터치신호 발생시의 웨이퍼 맵의 증폭 배율을 검치하는 단계; 및 터치신호 발생시의 웨이퍼 맵의 증폭 배율에 의해 가동소자의 이동속도를 결정하는 단계를 포함하는 검출기기의 조작 방법을 제시한다. 또한, 터치신호에 따라 가동소자의 이동방향을 결정할 수도 있다. 본 발명에 따르면, 작업자는 반도체 검출기기의 각 가동소자를 더욱 직관적으로 조작할 수 있다.

Description

검출기기의 조작 방법{Operating method for inspecting equipment}
본 발명은 검출기기의 이동 제어 방법에 관한 것으로, 특히 반도체 검출기기의 웨이퍼 스테이지 또는 촬영모듈 등 가동소자의 이동속도 또는 방향의 제어방법에 관한 것이다.
클래식 반도체 검출기기의 웨이퍼 스테이지(또는 검출물 스테이지), 촬영모듈 또는 프로브 스테이지의 이동은 로커바, 마우스, 키보드 및 반도체 검출기기내에 작성한 사용자 조작 소프트에 의해서만 수행되는 것으로, 편리성 및 효율에 제한이 있다. 그러나, 현재 시중과 문헌에서 모두 터치신호에 의해 웨이퍼 스테이지(또는 검출물 스테이지), 촬영모듈, 프로브 스테이지와 프로브 스테이션 등 가동소자의 이동을 제어하는 기술방안을 발견하지 못했다.
따라서, 본 발명의 한 목적은 터치신호에 의해 검출기기의 가동소자를 제어함으로써 더욱 직접적이고 효율적으로 가동소자를 이동시키거나 관련 검출물을 검사하는 것이다.
본 발명의 한 태양은 가동소자를 구비하는 반도체 검출기기에 적용되는 검출기기의 조작 방법에 있어서, 웨이퍼 맵을 터치 표시 장치에 표시하는 단계; 상기 터치 표시 장치에서 발생한 터치신호를 검지하는 단계; 상기 터치신호 발생시의 상기 웨이퍼 맵의 증폭 배율을 검지하는 단계; 및 상기 터치신호 발생시의 상기 웨이퍼 맵의 증폭 배율에 의해 상기 가동소자의 이동속도를 결정하는 단계를 포함하는 검출기기의 조작 방법이다.
도 1은 반도체 검출기기의 모시도이고,
도 2는 웨이퍼 맵의 모시도(1)이고,
도 3은 웨이퍼 맵의 모시도(2)이고,
도 4는 웨이퍼 맵의 모시도(3)이고,
도 5는 웨이퍼 맵이 손가락의 슬라이드 방향을 따라 이동하는 모시도(1)이고,
도 6은 웨이퍼 맵이 손가락의 슬라이드 방향을 따라 이동하는 모시도(2)이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 각각 반도체 검출기기의 모시도 및 웨이퍼 맵의 모시도(1) 내지 (3)이고, 각각 검출기기 및 검출물 맵을 예시하기 위한 것인데, 그 중 웨이퍼 맵의 모시도(1) 내지 (3)은 각각 서로 다른 증폭 배율하의 웨이퍼 맵을 도시하였으며, 웨이퍼 맵의 모시도(3)의 증폭 배율은 웨이퍼 맵의 모시도(2)보다 크고, 웨이퍼 맵의 모시도(2)의 증폭 배율은 웨이퍼 맵의 모시도(1)보다 크다. 본 발명의 제1실시예는 가동소자를 구비하는 반도체 검출기기(1)에 적용되는 검출기기의 조작 방법이다. 도 1에서 도시된 바와 같이, 반도체 검출기기(1)는 웨이퍼 스테이지(11), 촬영모듈(12), 프로브 스테이지(13), 터치 표시 장치(14), 디스플레이(15), 프로브 스테이션(16) 및 하우징(19)을 포함하는데, 그 중 웨이퍼 스테이지(11), 촬영모듈(12), 프로브 스테이지(13)와 프로브 스테이션(16)은 가동소자이다. 터치 표시 장치(14)는 웨이퍼 맵을 표시할 수 있고, 디스플레이(15)는 촬영모듈(12)이 실시간으로 캡쳐한 영상을 표시할 수 있다. 프로브 스테이션(16)은 프로브 스테이지(13)에 설치되고 프로브 스테이지(13)를 따라 이동할 수 있을 뿐만 아니라, 프로브 스테이션(16) 자체도 프로브 스테이지(13)에 대해 단독적으로 이동할 수 있다. 촬영모듈(12)은 웨이퍼 스테이지(11) 위로부터 Z축 방향을 따라 영상을 캡쳐할 수도 있고, 하우징(19) 측변에 위치하여 X축 방향 또는 Y축 방향을 따라 영상을 캡쳐할 수도 있다. 주의해야 할 것은, 본 실시예는 반도체 검출기기의 관련 소자 및 모듈과 웨이퍼 맵을 예로 하여 설명하였으나, 기타 검출기기 및 검출물 맵도 조정하여 적용될 수 있고 이에 한정되지 않으며, 가동소자 또한 웨이퍼 스테이지(11), 촬영모듈(12), 프로브 스테이지(13), 디스플레이(15) 및 프로브 스테이션(16)에 한정되지 않는다.
도 2 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 제1실시예에 따른 검출기기의 조작 방법의 한 단계는 웨이퍼 맵(20)을 터치 표시 장치(14)에 표시하는 것이다. 웨이퍼 맵(20)의 각 격자는 웨이퍼에 형성된 각 결정립에 해당되는데, 그 중 (21)로 표기한 결정립은 결함이 있는 결정립이거나 또는 검출을 수행하려고 하는 결정립이다. 웨이퍼 맵이 제1증폭 배율에 처해 있을 때, 즉 도 2와 같은 웨이퍼 맵(20)이 나타낸 낮은 배율에 처해 있을 때, 촬영모듈(12)의 촬영범위가 넓어 디스플레이(15)에 많은 결정립이 표시된다. 웨이퍼 맵이 제2증폭 배율에 처해 있을 때, 즉 도 3과 같은 웨이퍼 맵(30)이 나타낸 중간 배율에 처해 있을 때, 촬영모듈(12)의 촬영범위가 좁아져 디스플레이(15)에 적은 결정립이 표시된다. 웨이퍼 맵이 제3증폭 배율에 처해 있을 때, 즉 도 4와 같은 웨이퍼 맵(40)이 나타낸 고배율에 처해 있을 때, 촬영모듈(12)의 촬영범위가 더욱 좁아져 디스플레이(15)에 더욱 적은 결정립이 표시된다.
증폭 배율이 웨이퍼 맵(20)이 나타낸 제1증폭 배율에 처해 있을 때, 작업자가 손가락으로 터치 표시 장치(14)에서 슬라이드하면 웨이퍼 스테이지(11)는 제1속도로 이동하게 된다. 증폭 배율이 웨이퍼 맵(30)이 나타낸 제2증폭 배율에 처해 있을 때, 작업자가 손가락으로 터치 표시 장치(14)에서 슬라이드하면 웨이퍼 스테이지(11)는 제2속도로 이동하게 된다. 증폭 배율이 웨이퍼 맵(40)이 나타낸 제3증폭 배율에 처해 있을 때, 작업자가 손가락으로 터치 표시 장치(14)에서 슬라이드하면 웨이퍼 스테이지(11)는 제3속도로 이동하게 된다. 그 중, 제3속도는 제2속도보다 작고, 제2속도는 제1속도보다 작은데, 즉 웨이퍼 맵의 증폭 배율이 높을수록 웨이퍼 스테이지(11)의 이동속도가 느려지는 것이고 또는 작업자가 손가락으로 터치 표시 장치(14)에서 동일한 거리를 슬라이드할 때, 대응하는 웨이퍼 맵의 증폭 배율이 높으면 대응되는 웨이퍼 스테이지(11)의 이동거리가 짧다는 것이다. 웨이퍼 스테이지(11)의 이동 또는 조작 과정에서, 촬영모듈(12)은 계속해서 웨이퍼 스테이지(11)에 위치한 웨이퍼의 영상을 캡쳐하고 작업자가 관찰할 수 있도록 디스플레이(15) 또는 터치 표시 장치(14)에 의해 웨이퍼(검출물)의 전체도, 부분도, 표기도, 및/또는 확대도를 표시한다.
터치 표시 장치(14)가 멀티터치를 지지하는 경우, 상기 웨이퍼 맵의 증폭 배율은 작업자의 터치 표시 장치(14)에서의 제스처에 의해 조작하여 수행할 수 있는데, 예를 들어 두 손가락이 터치 표시 장치(14)에서 서로 근접하면 웨이퍼 맵이 축소되고, 두 손가락이 터치 표시 장치(14)에서 서로 멀어지면 웨이퍼 맵이 증폭되는 것이다.
도 5와 도 6을 참조하면, 각각 웨이퍼 맵이 손가락의 슬라이드 방향을 따라 이동하는 모시도(1)와 모시도(2)이다. 제1실시예에서, 터치신호는 터치 표시 장치(14)에 발생된 슬라이드 트랙(29)에 의해 촉발되고, 작업자가 손가락(39)으로 터치 표시 장치(14)에서 슬라이드하여 슬라이드 트랙(29)을 발생시킬 때, 본 실시예는 슬라이드 트랙(29)에 대응하는 복수개의 터치 좌표를 계산하고, 계산한 터치 좌표에 의해 슬라이드 방향을 계산한 후 계산한 슬라이드 방향에 따라 가동소자(예를 들어, 웨이퍼 스테이지(11), 촬영모듈(12), 프로브 스테이지(13)와 프로브 스테이션(16) 등)의 이동방향을 결정한다.
또한, 웨이퍼 맵(40) 자체도 손가락(39)의 슬라이드 방향을 따라 터치 표시 장치(14)의 화면에서 이동하게 된다. 웨이퍼 맵(40)의 이동속도와 이동방향은 손가락(39)의 슬라이드 속도와 슬라이드 방향에 의존하게 되는데, 손가락(39)이 터치 표시 장치(14)에서 슬라이드하면 웨이퍼 맵(40)은 즉시 따라서 이동하게 된다.
그리고, 본 실시예는 또한 계산한 터치 좌표에 의해 슬라이드 속도를 더 계산하고, 계산한 슬라이드 속도에 따라 가동소자의 이동속도를 결정할 수 있다. 예를 들어, 반도체 검출기기(1)내에 슬라이드 속도와 이동속도의 대응표를 작성할 수 있는데, 계산한 슬라이드 속도가 제1값과 제2값 사이에 있을 때 이동속도는 V1이고, 계산한 슬라이드 속도가 제2값과 제3값 사이에 있을 때 이동속도는 V2이며 이런 방식으로 유추한다. 즉 , 대응표를 확인함으로써 가동소자의 이동속도를 결정할 수 있어 반드시 특정한 연산법에 의해 계산하여 가동소자의 이동속도를 결정해야 하는 것은 아니다. 그 중, 상기 제3값이 상기 제2값보다 크고 상기 제2값이 상기 제1값보다 크면 V2는 V1보다 크다.
제1실시예는 터치 표시 장치(14)에 표시된 웨이퍼 맵의 증폭 배율에 의해 가동소자의 이동속도를 결정하는 것이고, 웨이퍼 맵의 증폭 배율이 상승함에 따라 웨이퍼 스테이지(11)의 이동속도가 느려지는데, 이것은 웨이퍼 맵이 증폭됨에 따라 촬영모듈(12)의 촬영범위가 좁아지고, 이 때 웨이퍼의 이동이 너무 빠르면 관찰하고자 하는 결정립이 촬영범위 밖으로 이탈될 수 있기 때문이다. 또한, 제1실시예는 작업자의 손가락이 터치 표시 장치(14)에서 슬라이드하는 방향에 의해 가동소자의 이동방향을 결정할 수도 있다. 본 실시예에 의하면, 반도체 검출기기(1)의 각 가동소자의 제어가 더욱 직관적이고 조작이 더욱 편리하다.
본 발명의 제2실시예는 마찬가지로 웨이퍼 스테이지(11), 촬영모듈(12), 프로브 스테이지(13)와 프로브 스테이션(16)에서 선택한 하나인 가동소자를 구비하는 반도체 검출기기(1)에 적용되는 검출기기의 조작 방법이다. 본 실시예는 마찬가지로 웨이퍼 맵을 터치 표시 장치(14)에 표시하고, 작업자가 손가락(39)으로 터치 표시 장치(14)에서 슬라이드하여 발생한 슬라이드 트랙(29)에 의해 슬라이드 트랙(29)에 대응하는 복수개의 터치 좌표를 계산한다. 그 후, 계산한 복수개의 터치 좌표에 의해 슬라이드 방향을 계산하고 계산한 슬라이드 방향에 따라 가동소자의 이동방향을 결정한다.
제2실시예는 터치신호 발생시의 웨이퍼 맵의 증폭 배율을 더 검지한 후 터치신호 발생시의 웨이퍼 맵의 증폭 배율에 의해 가동소자의 이동속도를 결정할 수도 있다. 그 중, 터치신호가 발생하는 경우, 웨이퍼 맵의 증폭 배율이 높을수록 가동소자의 이동속도가 낮아진다. 마찬가지로, 제2실시예는 터치 좌표에 의해 슬라이드 속도와 슬라이드 방향을 더 계산하고 계산한 손가락(39)의 슬라이드 속도와 슬라이드 방향에 따라 가동소자의 이동속도와 이동방향을 결정할 수도 있다. 또한, 웨이퍼 맵(40) 자체도 계산한 손가락(39)의 슬라이드 방향을 따라 터치 표시 장치(14)의 화면에서 즉시로 대응하게 이동할 수 있다.
본 실시예에서는 웨이퍼 스테이지(11)가 XY평면에서 이동하는 것만 예시하였으나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 촬영모듈(12), 프로브 스테이지(13) 및 프로브 스테이션(16)은 또한 Z축을 따라 이동할 수도 있는데, 즉 웨이퍼 스테이지(11)에 대해 상승하거나 또는 하강할 수 있는 것이다. 작업자가 터치 표시 장치(14)에 의해 촬영모듈(12), 프로브 스테이지(13) 및 프로브 스테이션(16)의 승강을 제어할 수 있도록 하기 위해 터치 표시 장치(14)에 실체 또는 더미 전환 스위치를 설치함으로써 작업자더러 손가락을 터치 표시 장치(14)에서 상하로 이동시킬 때 가동소자를 Y축을 따라 이동시킬 것인지 아니면 Z축을 따라 이동시킬 것인지를 결정하도록 할 수 있다. 전환 스위치 또는 가동소자의 조작 제어 스위치를 조종 테이블(미도시)과 같은 기타 위치에 설치할 수도 있는데, 이에 한정되지 않는다.
전술한 각 실시예에서 말한 웨이퍼 맵은 데이터 처리에 의해 변환된 그림, 촬영모듈(12)에 의해 실제적으로 촬영된 영상 파일 또는 기타형태의 대표 도면일 수 있다.
본 발명은 또한 웨이퍼 스테이지, 촬영모듈, 프로브 스테이지와 프로브 스테이션에서 선택한 하나인 가동소자를 구비하는 반도체 검출기기에 적용되는 검출기기의 조작 방법에 있어서,
웨이퍼 맵을 터치 표시 장치에 표시하는 단계(S110);
상기 터치 표시 장치에서 발생한 터치신호를 검지하는 단계(S120);
상기 터치신호 발생시의 상기 웨이퍼 맵의 증폭 배율을 검치하는 단계(S130); 및
상기 터치신호 발생시의 상기 웨이퍼 맵의 증폭 배율에 의해 상기 가동소자의 이동속도를 결정하는 단계(S140)를 포함하는 검출기기의 조작 방법을 개시한다.
본 발명은 또한 웨이퍼 스테이지, 촬영모듈, 프로브 스테이지와 프로브 스테이션에서 선택한 하나일 수 있는 가동소자를 구비하는 반도체 검출기기에 적용되는 검출기기의 조작 방법에 있어서,
웨이퍼 맵을 터치 표시 장치에 표시하는 단계(S210);
상기 터치 표시 장치에서 발생한 터치신호를 검지하고, 상기 터치신호는 상기 터치 표시 장치에 발생한 슬라이드 트랙에 의해 촉발되는 단계(S220);
상기 슬라이드 트랙에 대응하는 복수개의 터치 좌표를 계산하는 단계(S230);
상기 복수개의 터치 좌표에 의해 슬라이드 방향을 계산하는 단계(S240); 및
상기 슬라이드 방향에 따라 상기 가동소자의 이동방향을 결정하는 단계(S250)를 포함하는 검출기기의 조작 방법을 개시한다.
본 발명은 또한 검출물 스테이지 및 촬영모듈 중의 하나인 가동소자를 구비하는 검출기기에 적용되는 검출기기의 조작 방법에 있어서,
검출물 맵을 터치 표시 장치에 표시하는 단계(S410);
상기 터치 표시 장치에서 발생한 터치신호를 검지하는 단계(S420);
상기 터치신호 발생시의 상기 검출물 맵의 증폭 배율을 검지하는 단계(S430); 및
상기 터치신호 발생시의 상기 검출물 맵의 증폭 배율에 의해 상기 가동소자의 이동속도를 결정하는 단계(S440)를 포함하는 검출기기의 조작 방법을 개시한다.
상술한 세개 방법 실시예의 내용은 본 명세서의 전술한 설명에 의해 얻을 수 있고, 설명의 간결화를 위해 여기서 반복하여 설명하지 않기로 한다.
상술한 바와 같이, 명세서에서 개시한 내용에 따르면, 본 발명은 터치신호에 의해 검출기기의 가동소자를 제어함으로써 더욱 직접적이고 효율적으로 가동소자를 이동하거나 관련 검출물을 검사할 수 있다.
본 발명의 기술적 내용은 실시예에 의해 상술한 바와 같이 개시되었으나, 이 실시예는 본 발명을 한정하기 위한 것이 아니고, 본 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 전제하에서 실시한 약간의 변동과 수식은 모두 본 발명의 범위에 포함되어야 하며, 따라서 본 발명의 보호범위는 첨부된 특허청구범위에서 규정한 내용을 기준으로 해야 한다.
1 : 반도체 검출기기
11 : 웨이퍼 스테이지
12 : 촬영모듈
13 : 프로브 스테이지
14 : 터치 표시 장치
15 : 디스플레이
16 : 프로브 스테이션
19 : 하우징
29 : 슬라이드 트랙
39 : 손가락
S110 ~ S440 : 단계

Claims (15)

  1. 웨이퍼 스테이지, 촬영모듈, 프로브 스테이지와 프로브 스테이션에서 선택한 하나인 가동소자를 구비하는 반도체기기에 적용되는 검출기기의 조작 방법에 있어서,
    웨이퍼 맵을 터치 표시 장치에 표시하는 단계;
    상기 터치 표시 장치에서 발생한 터치신호를 검지하는 단계;
    상기 터치신호 발생시의 상기 웨이퍼 맵의 증폭 배율을 검지하는 단계; 및
    상기 터치신호 발생시의 상기 웨이퍼 맵의 증폭 배율에 의해 상기 가동소자의 이동속도를 결정하는 단계를 포함하는 검출기기의 조작 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 터치신호 발생시의 상기 웨이퍼 맵의 증폭 배율이 높을수록 상기 가동소자의 이동속도가 낮아지는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 터치신호는 상기 터치 표시 장치에 발생한 슬라이드 트랙에 의해 촉발되고,
    상기 슬라이드 트랙에 대응하는 복수개의 터치 좌표를 계산하는 단계;
    상기 복수개의 터치 좌표에 의해 슬라이드 방향을 계산하는 단계; 및
    상기 슬라이드 방향에 따라 상기 가동소자의 이동방향을 결정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 슬라이드 방향에 의해 상기 웨이퍼 맵을 상기 터치 표시 장치에서 즉시로 이동시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 복수개의 터치 좌표에 의해 슬라이드 속도를 계산하는 단계; 및
    상기 슬라이드 속도에 따라 상기 가동소자의 이동속도를 결정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 슬라이드 속도에 따라 상기 웨이퍼 맵을 상기 터치 표시 장치에서 즉시로 이동시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 웨이퍼 스테이지, 촬영모듈, 프로브 스테이지와 프로브 스테이션에서 선택한 하나인 가동소자를 구비하는 반도체기기에 적용되는 검출기기의 조작 방법에 있어서,
    웨이퍼 맵을 터치 표시 장치에 표시하는 단계;
    상기 터치 표시 장치에서 발생한 터치신호를 검지하고, 상기 터치신호는 상기 터치 표시 장치에 발생한 슬라이드 트랙에 의해 촉발되는 단계;
    상기 슬라이드 트랙에 대응하는 복수개의 터치 좌표를 계산하는 단계;
    상기 복수개의 터치 좌표에 의해 슬라이드 방향을 계산하는 단계; 및
    상기 슬라이드 방향에 따라 상기 가동소자의 이동방향을 결정하는 단계를 포함하는 검출기기의 조작 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 터치신호 발생시의 상기 웨이퍼 맵의 증폭 배율을 검지하는 단계; 및
    상기 터치신호 발생시의 상기 웨이퍼 맵의 증폭 배율에 의해 상기 가동소자의 이동속도를 결정하고, 상기 터치신호 발생시의 상기 웨이퍼 맵의 증폭 배율이 높을수록 상기 가동소자의 이동속도가 낮아지는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 복수개의 터치 좌표에 의해 슬라이드 속도를 계산하는 단계; 및
    상기 슬라이드 속도에 따라 상기 가동소자의 이동속도를 결정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 슬라이드 속도에 따라 상기 웨이퍼 맵을 상기 터치 표시 장치에서 즉시로 이동시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제7항에 있어서,
    상기 슬라이드 방향에 의해 상기 웨이퍼 맵을 상기 터치 표시 장치에서 즉시로 이동시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제7항에 있어서,
    상기 가동소자는 상긱 웨이퍼 스테이지이고,
    상기 슬라이드 방향에 의해 상기 웨이퍼 스테이지의 평면에서의 이동방향을 결정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제7항에 있어서,
    상기 가동소자는 상기 촬영모듈, 상기 프로브 스테이지와 상기 프로브 스테이션 중의 하나이고,
    상기 슬라이드 방향에 의해 상기 가동소자의 상승 또는 하강을 결정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 검출물 스테이지 및 촬영모듈 중의 하나인 가동소자를 구비하는 검출기기에 적용되는 검출기기의 조작 방법에 있어서,
    검출물 맵을 터치 표시 장치에 표시하는 단계;
    상기 터치 표시 장치에서 발생한 터치신호를 검지하는 단계;
    상기 터치신호 발생시의 상기 검출물 맵의 증폭 배율을 검지하는 단계; 및
    상기 터치신호 발생시의 상기 검출물 맵의 증폭 배율에 의해 상기 가동소자의 이동속도를 결정하는 단계를 포함하는 검출기기의 조작 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 터치신호 발생시의 상기 검출물 맵의 증폭 배율이 높을수록 상기 가동소자의 이동속도가 낮아지는 것을 특징으로 하는 방법.
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