KR20150138827A - 칩 제조 방법 - Google Patents

칩 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20150138827A
KR20150138827A KR1020150077274A KR20150077274A KR20150138827A KR 20150138827 A KR20150138827 A KR 20150138827A KR 1020150077274 A KR1020150077274 A KR 1020150077274A KR 20150077274 A KR20150077274 A KR 20150077274A KR 20150138827 A KR20150138827 A KR 20150138827A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
plate
chip
laser beam
shaped workpiece
workpiece
Prior art date
Application number
KR1020150077274A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102251261B1 (ko
Inventor
히로시 모리카즈
노보루 다케다
Original Assignee
가부시기가이샤 디스코
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시기가이샤 디스코 filed Critical 가부시기가이샤 디스코
Publication of KR20150138827A publication Critical patent/KR20150138827A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102251261B1 publication Critical patent/KR102251261B1/ko

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/064Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
    • B23K26/0648Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms comprising lenses
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/55Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for creating voids inside the workpiece, e.g. for forming flow passages or flow patterns
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B33/00Severing cooled glass
    • C03B33/02Cutting or splitting sheet glass or ribbons; Apparatus or machines therefor
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B33/00Severing cooled glass
    • C03B33/02Cutting or splitting sheet glass or ribbons; Apparatus or machines therefor
    • C03B33/0222Scoring using a focussed radiation beam, e.g. laser
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B33/00Severing cooled glass
    • C03B33/02Cutting or splitting sheet glass or ribbons; Apparatus or machines therefor
    • C03B33/023Cutting or splitting sheet glass or ribbons; Apparatus or machines therefor the sheet or ribbon being in a horizontal position
    • C03B33/03Glass cutting tables; Apparatus for transporting or handling sheet glass during the cutting or breaking operations
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B33/00Severing cooled glass
    • C03B33/02Cutting or splitting sheet glass or ribbons; Apparatus or machines therefor
    • C03B33/023Cutting or splitting sheet glass or ribbons; Apparatus or machines therefor the sheet or ribbon being in a horizontal position
    • C03B33/033Apparatus for opening score lines in glass sheets
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B33/00Severing cooled glass
    • C03B33/08Severing cooled glass by fusing, i.e. by melting through the glass
    • C03B33/082Severing cooled glass by fusing, i.e. by melting through the glass using a focussed radiation beam, e.g. laser
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B33/00Severing cooled glass
    • C03B33/09Severing cooled glass by thermal shock
    • C03B33/091Severing cooled glass by thermal shock using at least one focussed radiation beam, e.g. laser beam
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B33/00Severing cooled glass
    • C03B33/02Cutting or splitting sheet glass or ribbons; Apparatus or machines therefor
    • C03B33/04Cutting or splitting in curves, especially for making spectacle lenses
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P40/00Technologies relating to the processing of minerals
    • Y02P40/50Glass production, e.g. reusing waste heat during processing or shaping
    • Y02P40/57Improving the yield, e-g- reduction of reject rates

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

본 발명은 유리 기판 등의 판상 피가공물로부터 원하는 형상의 칩을 효율적으로 생성할 수 있는 칩 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
판상 피가공물로부터 원하는 형상의 칩을 생성하기 위한 칩 제조 방법으로서, 레이저 광선을 조사하는 집광기를 구비한 펄스 레이저 광선 조사 수단에 의해 판상 피가공물에 대해 투과성을 갖는 파장의 펄스 레이저 광선의 집광점을 판상 피가공물의 상면으로부터 정해진 위치에 위치시켜 생성해야 할 칩의 윤곽을 따라 조사함으로써, 판상 피가공물의 내부에 생성해야 할 칩의 윤곽을 따라 세공과 이 세공을 차폐시키는 비정질을 성장시켜 차폐 터널을 형성하는 차폐 터널 형성 공정과, 차폐 터널 형성 공정이 실시된 판상 피가공물에 초음파를 부여함으로써, 차폐 터널이 형성된 칩의 윤곽을 파괴하여 판상 피가공물로부터 칩을 생성하는 칩 생성 공정을 포함한다.

Description

칩 제조 방법{METHOD FOR MANUFACTURING CHIP}
본 발명은 유리 기판 등의 판상(板狀) 피가공물로부터 원하는 형상의 칩을 생성하기 위한 칩 제조 방법에 관한 것이다.
스마트폰 등의 조작 화면은 유리 기판에 의해 형성되어 있어, 화면을 보면서 각종 앱을 선택할 수 있다. 또한, 스마트폰 등의 휴대기기에는 카메라 기능이 장비되어 있어, 카메라의 대물렌즈에 흠집이 나지 않도록 석영유리나 사파이어 기판 등의 커버 유리가 장착되어 있다.
전술한 커버 유리 등의 칩은, 에칭 처리 가공에 의해 제조되어 있다(예컨대 특허문헌 1 및 특허문헌 2 참조).
[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2012-148955호 공보 [특허문헌 2] 일본 특허 공개 제2013-71854호 공보
그러나, 에칭 처리 가공은, 장시간을 요하여 생산성이 나쁘다고 하는 문제가 있다.
본 발명은 상기 사실을 감안하여 이루어진 것으로, 그 주된 기술 과제는, 유리 기판 등의 판상 피가공물로부터 원하는 형상의 칩을 효율적으로 생성할 수 있는 칩 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기 주된 기술 과제를 해결하기 위해서, 본 발명에 따르면, 판상 피가공물로부터 원하는 형상의 칩을 생성하기 위한 칩 제조 방법으로서,
레이저 광선을 조사하는 집광기를 구비한 펄스 레이저 광선 조사 수단에 의해 판상 피가공물에 대해 투과성을 갖는 파장의 펄스 레이저 광선의 집광점을 판상 피가공물의 상면으로부터 정해진 위치에 위치시켜 생성해야 할 칩의 윤곽을 따라 조사함으로써, 판상 피가공물의 내부에 생성해야 할 칩의 윤곽을 따라 세공과 이 세공을 차폐시키는 비정질을 성장시켜 차폐 터널을 형성하는 차폐 터널 형성 공정과,
상기 차폐 터널 형성 공정이 실시된 판상 피가공물에 초음파를 부여함으로써, 차폐 터널이 형성된 칩의 윤곽을 파괴하여 판상 피가공물로부터 칩을 생성하는 칩 생성 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 칩 제조 방법이 제공된다.
바람직하게는, 상기 집광기의 집광 렌즈의 개구수(NA)는 판상 피가공물의 굴절률(N)로 나눈 값이 0.05 내지 0.2의 범위로 설정된다.
바람직하게는, 상기 판상 피가공물은 석영유리 기판이며, 집광 렌즈의 개구수(NA)는 0.1 내지 0.25의 범위로 설정된다. 혹은, 상기 판상 피가공물은 사파이어 기판이며, 집광 렌즈의 개구수(NA)는 0.1 내지 0.35의 범위로 설정된다.
본 발명에 따른 칩 제조 방법은, 레이저 광선을 조사하는 집광기를 구비한 펄스 레이저 광선 조사 수단에 의해 판상 피가공물에 대하여 투과성을 갖는 파장의 펄스 레이저 광선의 집광점을 판상 피가공물의 상면으로부터 정해진 위치에 위치시켜 생성해야 할 칩의 윤곽을 따라 조사함으로써, 판상 피가공물의 내부에 생성해야 할 칩의 윤곽을 따라 세공과 이 세공을 차폐시키는 비정질을 성장시켜 차폐 터널을 형성하는 차폐 터널 형성 공정과, 상기 차폐 터널 형성 공정이 실시된 판상 피가공물에 초음파를 부여함으로써, 차폐 터널이 형성된 칩의 윤곽을 파괴하여 판상 피가공물로부터 칩을 생성하는 칩 생성 공정을 포함하고 있기 때문에, 상기 종래의 칩 제조 방법과 비교하여 단시간에 원하는 형상의 칩을 형성할 수 있다.
도 1은 판상 피가공물을 환상의 프레임에 장착한 다이싱 테이프에 접착한 상태를 나타낸 사시도.
도 2는 차폐 터널 형성 공정을 실시하기 위한 레이저 가공 장치의 사시도.
도 3은 도 2에 도시된 레이저 가공 장치에 의해 실시하는 차폐 터널 형성 공정의 설명도.
도 4는 렌즈의 개구수(NA)와 판상 피가공물의 굴절률(N)과 개구수(NA)를 굴절률(N)로 나눈 값(S=NA/N)과의 관계를 나타낸 도면.
도 5는 칩 생성 공정의 제1 실시형태를 나타낸 설명도.
도 6은 도 5에 도시된 칩 생성 공정이 실시된 상태로부터 칩을 픽업하는 공정을 나타낸 설명도.
도 7은 칩 생성 공정의 제2 실시형태를 실시하기 위한 차폐 터널 파괴 장치의 사시도.
도 8은 도 7에 도시된 차폐 터널 파괴 장치의 주요부를 분해하여 나타낸 사시도.
도 9는 도 7에 도시된 차폐 터널 파괴 장치를 구성하는 제2 테이블과 프레임 유지 수단을 나타낸 단면도.
도 10은 도 7에 도시된 차폐 터널 파괴 장치를 이용하여 실시하는 차폐 터널 형성 공정의 설명도.
이하, 본 발명에 따른 판상 피가공물의 가공 방법의 적합한 실시형태에 대해서 첨부 도면을 참조하여, 더욱 상세히 설명한다.
도 1에는, 본 발명에 따른 칩 제조 방법에 의해 가공되는 판상 피가공물의 사시도가 도시되어 있다. 도 1에 도시된 판상 피가공물(10)은, 석영유리 기판이나 사파이어 기판으로 이루어지고 예컨대 두께가 500 ㎛인 원 형상으로 형성되어 있고, 형성해야 할 복수의 칩의 윤곽(101) 및 가공 개시 위치(101a)가 설정되어 있다. 또한, 형성해야 할 복수의 칩의 윤곽(101) 및 가공 개시 위치(101a)는, 후술하는 레이저 가공 장치에 장비되는 제어 수단의 메모리에 저장되어 있다. 이와 같이 형성된 석영유리 기판이나 사파이어 기판으로 이루어진 판상 피가공물(10)은, 환상의 프레임(F)에 장착된 보호 테이프(T)의 표면에 접착된다.
도 2에는, 본 발명에 따른 칩 제조 방법에 있어서의 차폐 터널 형성 공정을 실시하기 위한 레이저 가공 장치(2)의 사시도가 도시되어 있다. 도 2에 도시된 레이저 가공 장치(2)는, 정지 베이스(20)와, 상기 정지 베이스(20)에 화살표 X로 나타내는 X축 방향으로 이동 가능하게 설치되어 피가공물을 유지하는 척 테이블 기구(3)와, 베이스(20) 상에 설치된 레이저 광선 조사 수단으로서의 레이저 광선 조사 유닛(4)을 구비하고 있다.
상기 척 테이블 기구(3)는, 정지 베이스(20) 상에 X축 방향을 따라 평행하게 설치된 한 쌍의 안내 레일(31, 31)과, 상기 안내 레일(31, 31) 상에 X축 방향으로 이동 가능하게 설치된 제1 슬라이딩 블록(32)과, 상기 제1 슬라이딩 블록(32) 상에 X축 방향과 직교하는 화살표 Y로 나타내는 Y축 방향으로 이동 가능하게 설치된 제2 슬라이딩 블록(33)과, 상기 제2 슬라이딩 블록(33)상에 원통 부재(34)에 의해 지지된 지지 테이블(35)과, 피가공물 유지 수단으로서의 척 테이블(36)을 구비하고 있다. 이 척 테이블(36)은 다공성 재료로 형성된 흡착척(361)을 구비하고 있고, 도시하지 않은 흡인 수단을 작동시킴으로써 흡착척(361)의 상면인 유지면 상에 피가공물인 판상 피가공물(10)을 보호 테이프(T)를 통해 흡인 유지하도록 되어 있다. 이와 같이 구성된 척 테이블(36)은, 원통 부재(34) 내에 설치된 도시하지 않은 펄스 모터에 의해 회전된다. 또한, 척 테이블(36)에는, 판상 피가공물(10) 등의 피가공물을 보호 테이프(T)를 통해 지지하는 환상의 프레임(F)을 고정하기 위한 클램프(362)가 설치되어 있다.
상기 제1 슬라이딩 블록(32)은, 그 하면에 상기 한 쌍의 안내 레일(31, 31)과 끼워 맞춰지는 한 쌍의 피안내홈(321, 321)이 마련되어 있고, 그 상면에 Y축 방향을 따라 평행하게 형성된 한 쌍의 안내 레일(322, 322)이 마련되어 있다. 이와 같이 구성된 제1 슬라이딩 블록(32)은, 피안내홈(321, 321)이 한 쌍의 안내 레일(31, 31)에 끼워 맞춰짐으로써, 한 쌍의 안내 레일(31, 31)을 따라 X축 방향으로 이동 가능하게 구성된다. 척 테이블 기구(3)는, 제1 슬라이딩 블록(32)을 한 쌍의 안내 레일(31, 31)을 따라 X축 방향으로 이동시키기 위한 제1 가공 이송 수단(37)을 구비하고 있다. 제1 가공 이송 수단(37)은, 상기 한 쌍의 안내 레일(31, 31) 사이에 평행하게 설치된 수나사 로드(371)와, 상기 수나사 로드(371)를 회전 구동하기 위한 펄스 모터(372) 등의 구동원을 포함하고 있다. 수나사 로드(371)는, 그 일단이 상기 정지 베이스(2)에 고정된 베어링 블록(373)에 회전 가능하게 지지되어 있고, 그 타단이 상기 펄스 모터(372)의 출력축에 전동 연결되어 있다. 또한, 수나사 로드(371)는, 제1 슬라이딩 블록(32)의 중앙부 하면에 돌출되어 마련된 도시하지 않은 암나사 블록에 형성된 관통 암나사 구멍에 나사 결합되어 있다. 따라서, 펄스 모터(372)에 의해 수나사 로드(371)를 정회전 및 역회전 구동함으로써, 제1 슬라이딩 블록(32)은 안내 레일(31, 31)을 따라 X축 방향으로 이동된다.
레이저 가공 장치(2)는, 상기 척 테이블(36)의 X축 방향 위치를 검출하기 위한 X축 방향 위치 검출 수단(374)을 구비하고 있다. X축 방향 위치 검출 수단(374)은, 안내 레일(31)을 따라 설치된 리니어 스케일(374a)과, 제1 슬라이딩 블록(32)에 설치되어 제1 슬라이딩 블록(32)과 함께 리니어 스케일(374a)을 따라 이동하는 판독 헤드(374b)로 이루어져 있다. 이 X축 방향 위치 검출 수단(374)의 판독 헤드(374b)는, 본 실시형태에 있어서는 1 ㎛마다 1펄스의 펄스 신호를 도시하지 않은 제어 수단으로 보낸다. 그리고 도시하지 않은 제어 수단은, 입력한 펄스 신호를 카운트함으로써, 척 테이블(36)의 X축 방향 위치를 검출한다. 또한, 상기 제1 가공 이송 수단(37)의 구동원으로서 펄스 모터(372)를 이용한 경우에는, 펄스 모터(372)에 구동 신호를 출력하는 도시하지 않은 제어 수단의 구동 펄스를 카운트함으로써, 척 테이블(36)의 X축 방향 위치를 검출할 수도 있다. 또한, 상기 제1 가공 이송 수단(37)의 구동원으로서 서보 모터를 이용한 경우에는, 서보 모터의 회전수를 검출하는 로터리 인코더가 출력하는 펄스 신호를 도시하지 않은 제어 수단으로 보내고, 제어 수단이 입력한 펄스 신호를 카운트함으로써, 척 테이블(36)의 X축 방향 위치를 검출할 수도 있다.
상기 제2 슬라이딩 블록(33)은, 그 하면에 상기 제1 슬라이딩 블록(32)의 상면에 마련된 한 쌍의 안내 레일(322, 322)과 끼워 맞춰지는 한 쌍의 피안내홈(331, 331)이 마련되어 있고, 이 피안내홈(331, 331)을 한 쌍의 안내 레일(322, 322)에 끼워 맞춤으로써, Y축 방향으로 이동 가능하게 구성된다. 척 테이블 기구(3)는, 제2 슬라이딩 블록(33)을 제1 슬라이딩 블록(32)에 마련된 한 쌍의 안내 레일(322, 322)을 따라 Y축 방향으로 이동시키기 위한 제2 가공 이송 수단(38)을 구비하고 있다. 제2 가공 이송 수단(38)은, 상기 한 쌍의 안내 레일(322, 322) 사이에 평행하게 설치된 수나사 로드(381)와, 상기 수나사 로드(381)를 회전 구동하기 위한 펄스 모터(382) 등의 구동원을 포함하고 있다. 수나사 로드(381)는, 그 일단이 상기 제1 슬라이딩 블록(32)의 상면에 고정된 베어링 블록(383)에 회전 가능하게 지지되어 있고, 그 타단이 상기 펄스 모터(382)의 출력축에 전동 연결되어 있다. 또한, 수나사 로드(381)는, 제2 슬라이딩 블록(33)의 중앙부 하면에 돌출되어 마련된 도시하지 않은 암나사 블록에 형성된 관통 암나사 구멍에 나사 결합되어 있다. 따라서, 펄스 모터(382)에 의해 수나사 로드(381)를 정회전 및 역회전 구동함으로써, 제2 슬라이딩 블록(33)은 안내 레일(322, 322)을 따라 Y축 방향으로 이동된다.
레이저 가공 장치(2)는, 상기 제2 슬라이딩 블록(33)의 Y축 방향 위치를 검출하기 위한 Y축 방향 위치 검출 수단(384)을 구비하고 있다. Y축 방향 위치 검출 수단(384)은, 안내 레일(322)을 따라 설치된 리니어 스케일(384a)과, 제2 슬라이딩 블록(33)에 설치되어 제2 슬라이딩 블록(33)과 함께 리니어 스케일(384a)을 따라 이동하는 판독 헤드(384b)로 이루어져 있다. 이 Y축 방향 위치 검출 수단(384)의 판독 헤드(384b)는, 본 실시형태에 있어서는 1 ㎛마다 1펄스의 펄스 신호를 도시하지 않은 제어 수단으로 보낸다. 그리고 도시하지 않은 제어 수단은, 입력한 펄스 신호를 카운트함으로써, 척 테이블(36)의 Y축 방향 위치를 검출한다. 또한, 상기 제2 가공 이송 수단(38)의 구동원으로서 펄스 모터(382)를 이용한 경우에는, 펄스 모터(382)에 구동 신호를 출력하는 도시하지 않은 제어 수단의 구동 펄스를 카운트함으로써, 척 테이블(36)의 Y축 방향 위치를 검출할 수도 있다. 또한, 상기 제2 가공 이송 수단(38)의 구동원으로서 서보 모터를 이용한 경우에는, 서보 모터의 회전수를 검출하는 로터리 인코더가 출력하는 펄스 신호를 도시하지 않은 제어 수단으로 보내고, 제어 수단이 입력한 펄스 신호를 카운트함으로써, 척 테이블(36)의 Y축 방향 위치를 검출할 수도 있다.
상기 레이저 광선 조사 유닛(4)은, 상기 정지 베이스(20) 상에 설치된 지지 부재(41)와, 상기 지지 부재(41)에 의해 지지되어 실질적으로 수평으로 연장되는 케이싱(42)과, 상기 케이싱(42)에 설치된 레이저 광선 조사 수단(5)과, 케이싱(42)의 전단부에 설치되어 레이저 가공해야 할 가공 영역을 검출하는 촬상 수단(6)을 구비하고 있다.
상기 레이저 광선 조사 수단(5)은, 케이싱(42) 내에 설치된 도시하지 않은 펄스 레이저 광선 발진기나 반복 주파수 설정 수단을 구비한 펄스 레이저 광선 발진 수단과, 케이싱(42)의 선단부에 설치되어 도시하지 않은 펄스 레이저 광선 발진 수단으로부터 발진된 펄스 레이저 광선을 집광하기 위한 집광 렌즈(511)를 갖춘 집광기(51)를 구비하고 있다. 이 집광기(51)의 집광 렌즈(511)는, 개구수(NA)가 다음과 같이 설정되어 있다. 즉, 집광 렌즈(511)의 개구수(NA)는, 개구수(NA)를 단결정 기판의 굴절률(N)로 나눈 값이 0.05 내지 0.2의 범위로 설정된다(개구수 설정 공정). 또한, 레이저 광선 조사 수단(5)은, 집광기(51)의 집광 렌즈(511)에 의해 집광되는 펄스 레이저 광선의 집광점 위치를 조정하기 위한 집광점 위치 조정 수단(도시하지 않음)을 구비하고 있다.
상기 레이저 광선 조사 수단(5)이 설치된 케이싱(42)의 선단부에 장착된 촬상 수단(6)은, 피가공물을 조명하는 조명 수단과, 상기 조명 수단에 의해 조명된 영역을 포착한 광학계와, 상기 광학계에 의해 포착된 상을 촬상하는 촬상 소자(CCD) 등을 구비하고, 촬상된 화상 신호를 도시하지 않은 제어 수단으로 보낸다.
레이저 가공 장치(2)는 이상과 같이 구성되어 있고, 이 레이저 가공 장치(2)를 이용하여 전술한 웨이퍼 지지 공정이 실시된 판상 피가공물(10)에 설정된 생성해야 할 칩의 윤곽(101)을 따라 판상 피가공물에 대하여 투과성을 갖는 파장의 펄스 레이저 광선을 조사함으로써, 판상 피가공물의 내부에 생성해야 할 칩의 윤곽(101)을 따라 세공과 이 세공을 차폐시키는 비정질을 성장시켜 차폐 터널을 형성하는 차폐 터널 형성 공정에 대해서 설명한다. 또한, 레이저 가공 장치(2)의 도시하지 않은 제어 수단을 구성하는 메모리에는, 생성해야 할 복수의 칩의 윤곽(101)의 좌표 및 가공 개시 위치(101a)의 좌표가 저장된다. 판상 피가공물(10)에 설정된 생성해야 할 칩의 윤곽(101)을 따라 차폐 터널을 형성하기 위해서는, 우선, 전술한 도 2에 도시된 레이저 가공 장치(2)의 척 테이블(36) 상에 판상 피가공물(10)이 접착된 보호 테이프(T)측을 배치한다. 그리고, 도시하지 않은 흡인 수단을 작동시킴으로써, 보호 테이프(T)를 통해 판상 피가공물(10)을 흡착척(361) 상에 유지한다(웨이퍼 유지 공정).
전술한 웨이퍼 유지 공정을 실시했다면, 도시하지 않은 제어 수단은, 제1 가공 이송 수단(37) 및 제2 가공 이송 수단(38)을 작동시켜 척 테이블(36)에 유지된 판상 피가공물(10)에 설정된 정해진 칩의 윤곽(101)의 가공 개시 위치(101a)를 도 3의 (a)에 도시된 바와 같이 레이저 광선 조사 수단(5)의 집광기(51)의 바로 아래에 위치시킨다. 다음에, 집광기(51)의 집광 렌즈(511)에 의해 집광되는 펄스 레이저 광선(LB)의 집광점이 판상 피가공물(10)의 두께 방향의 원하는 위치에 위치되도록 도시하지 않은 집광점 위치 조정 수단을 작동시켜 집광기(51)를 광축 방향으로 이동한다(위치 부여 공정). 또한, 도시된 실시형태에 있어서는, 펄스 레이저 광선의 집광점은, 판상 피가공물(10)에 있어서의 펄스 레이저 광선이 입사되는 상면(표면(10a)측)으로부터 원하는 위치(예컨대 표면(10a)으로부터 5 내지 10 ㎛ 이면(10b)측의 위치)에 설정되어 있다.
전술한 바와 같이 위치 부여 공정을 실시했다면, 레이저 광선 조사 수단(5)을 작동시켜 집광기(51)로부터 펄스 레이저 광선(LB)을 조사하면서 제1 가공 이송 수단(37) 및 제2 가공 이송 수단(38)을 작동시켜 척 테이블(36)을 판상 피가공물(10)에 설정된 생성해야 할 칩의 윤곽(101)에 기초하여 이동시킨다. 그리고, 가공 개시 위치(101a)가 집광기(51)의 바로 아래에 도달하면, 펄스 레이저 광선의 조사를 정지함과 동시에 제1 가공 이송 수단(37) 및 제2 가공 이송 수단(38)의 작동을 정지하여 척 테이블(36)의 이동을 정지한다(차폐 터널 형성 공정). 이 차폐 터널 형성 공정을 판상 피가공물(10)에 설정된 모든 칩의 윤곽(101)에 기초하여 실시한다.
전술한 차폐 터널 형성 가공을 실시함으로써, 판상 피가공물(10)의 내부에는, 도 3의 (b)에 도시된 바와 같이 펄스 레이저 광선(LB)의 집광점(P)이 위치된 표면(상면)측으로부터 이면(하면)에 걸쳐 세공(111)과 이 세공(111)의 주위에 형성된 비정질(112)이 성장하고, 판상 피가공물(10)에 형성해야 할 칩의 윤곽(101)을 따라 정해진 간격(본 실시형태에 있어서는 10 ㎛의 간격(가공 이송 속도: 500 ㎜/초)/(반복 주파수: 50 kHz))으로 비정질의 차폐 터널(110)이 형성된다. 이 차폐 터널(110)은, 도 3의 (c) 및 (d)에 도시된 바와 같이 중심에 형성된 직경이 φ 1 ㎛ 정도인 세공(111)과 이 세공(111)의 주위에 형성된 직경이 φ 10 ㎛인 비정질(112)로 이루어지고, 본 실시형태에 있어서는 서로 인접하는 비정질(112)끼리가 연결되도록 형성되는 형태로 되어 있다. 또한, 전술한 차폐 터널 형성 가공에 있어서 형성되는 비정질의 차폐 터널(110)은, 판상 피가공물(10)의 표면(상면)측으로부터 이면(하면)에 걸쳐 형성할 수 있기 때문에, 웨이퍼의 두께가 두꺼워도 펄스 레이저 광선을 1회 조사하면 되기 때문에, 생산성이 매우 양호해진다.
전술한 차폐 터널 형성 가공에 있어서, 양호한 차폐 터널(110)을 형성하기 위해서는, 전술한 바와 같이 집광 렌즈(511)의 개구수(NA)는, 개구수(NA)를 석영유리 기판이나 사파이어 기판 등의 단결정 기판의 굴절률(N)로 나눈 값(S)이 0.05 내지 0.2의 범위로 설정되어 있는 것이 중요하다.
여기서, 개구수(NA)와 굴절률(N)과 개구수(NA)를 굴절률(N)로 나눈 값(S=NA/N)과의 관계에 대해서, 도 4를 참조하여 설명한다. 도 4에 있어서 집광 렌즈(511)에 입사된 펄스 레이저 광선(LB)은 광축에 대하여 각도(θ)를 가지며 집광된다. 이 때, sinθ가 집광 렌즈(511)의 개구수(NA)이다(NA=sinθ). 집광 렌즈(511)에 의해 집광된 펄스 레이저 광선(LB)이 단결정 기판으로 이루어진 판상 피가공물(10)에 조사되면, 판상 피가공물(10)을 구성하는 단결정 기판은 공기보다 밀도가 높기 때문에 펄스 레이저 광선(LB)은 각도(θ)로부터 각도(α)로 굴절하여 집광점(P)에 집광된다. 이 때, 광축에 대한 각도(α)는, 판상 피가공물(10)을 구성하는 단결정 기판의 굴절률(N)에 따라 상이하다. 굴절률(N)은 (N=sinθ/sinα)이므로, 개구수(NA)를 단결정 기판의 굴절률(N)로 나눈 값(S=NA/N)은 sinα가 된다. 따라서, sinα를 0.05 내지 0.2의 범위(0.05≤sinα≤0.2)로 설정하는 것이 중요하다.
이하, 집광 렌즈(511)의 개구수(NA)를 단결정 기판의 굴절률(N)로 나눈 값(S=NA/N)이 0.05 내지 0.2의 범위로 설정된 이유에 대해서 설명한다.
[실험 1-1]
판상 피가공물(10)로서의 두께가 500 ㎛인 석영유리 기판(굴절률: 1.45)을 다음 가공 조건으로 차폐 터널을 형성하고, 차폐 터널의 양호/불량을 판정하였다.
가공 조건
파장 : 1064 ㎚
반복 주파수 : 50 kHz
펄스 폭 : 10 ps
평균 출력 : 2 W
집광 스폿 직경 : φ 10 ㎛
가공 이송 속도: 500 ㎜/초
집광 렌즈의 개구수(NA) 차폐 터널의 양호/불량 S=NA/N
0.05 불량: 없음 0.035
0.1 양호 0.069
0.15 양호 0.103
0.2 양호 0.138
0.25 양호 0.172
0.3 약간 양호 0.207
0.35 불량: 보이드가 생김 0.241
0.4 불량: 보이드가 생김 0.276
이상과 같이 석영유리 기판(굴절률: 1.45)에 있어서는, 펄스 레이저 광선을 집광하는 집광 렌즈(511)의 개구수(NA)를 단결정 기판의 굴절률(N)로 나눈 값(S=NA/N)이 0.05 내지 0.2의 범위로 설정함으로써, 차폐 터널이 형성된다. 따라서, 석영유리 기판(굴절률: 1.45)에 있어서는, 펄스 레이저 광선을 집광하는 집광 렌즈(511)의 개구수(NA)는, 0.1 내지 0.25로 설정하는 것이 중요하다.
전술한 실험 1-1로부터, 펄스 레이저 광선을 집광하는 집광 렌즈(511)의 개구수(NA)를 단결정 기판의 굴절률(N)로 나눈 값(S=NA/N)이 0.05 내지 0.2의 범위로 설정함으로써, 차폐 터널이 형성되는 것을 확인할 수 있었다.
[실험 1-2]
판상 피가공물(10)로서의 두께가 500 ㎛인 사파이어(Al2O3) 기판(굴절률: 1.76)을 다음 가공 조건으로 차폐 터널을 형성하고, 차폐 터널의 양호/불량을 판정하였다.
가공 조건
파장 : 1064 ㎚
반복 주파수 : 50 kHz
펄스 폭 : 10 ps
평균 출력 : 2 W
집광 스폿 직경 : φ 10 ㎛
가공 이송 속도 : 500 ㎜/초
집광 렌즈의 개구수(NA) 차폐 터널의 양호/불량 S=NA/N
0.05 불량: 없음
0.1 약간 양호 0.057
0.15 양호 0.085
0.2 양호 0.114
0.25 양호 0.142
0.3 양호 0.170
0.35 양호 0.198
0.4 불량 0.227
0.45 불량: 보이드가 생김
0.5 불량: 보이드가 생김
0.55 불량: 보이드가 생김
0.6 불량: 보이드가 생김
이상과 같이 사파이어 기판(굴절률: 1.76)에 있어서는, 펄스 레이저 광선을 집광하는 집광 렌즈(511)의 개구수(NA)가, 개구수(NA)를 단결정 기판의 굴절률(N)로 나눈 값(S=NA/N)이 0.05 내지 0.2의 범위로 설정함으로써, 차폐 터널이 형성된다. 따라서, 사파이어 기판(굴절률: 1.76)에 있어서는, 펄스 레이저 광선을 집광하는 집광 렌즈(511)의 개구수(NA)는, 0.1 내지 0.35로 설정하는 것이 중요하다.
전술한 실험 1-1, 실험 1-2로부터, 펄스 레이저 광선을 집광하는 집광 렌즈(511)의 개구수(NA)를 단결정 기판의 굴절률(N)로 나눈 값(S=NA/N)이 0.05 내지 0.2의 범위로 설정함으로써, 차폐 터널이 형성되는 것을 확인할 수 있었다.
전술한 차폐 터널 형성 공정을 실시했다면, 판상 피가공물(10)에 초음파를 부여함으로써, 차폐 터널(110)이 형성된 칩의 윤곽(101)을 파괴하여 판상 피가공물(10)로부터 칩을 생성하는 칩 생성 공정을 실시한다. 칩 생성 공정의 제1 실시형태에 대해서, 도 5를 참조하여 설명한다.
도 5에 도시된 칩 생성 공정의 제1 실시형태는, 우선 도 5의 (a)에 도시된 바와 같이 실리콘 고무 테이블(7) 상에 전술한 차폐 터널 형성 공정이 실시된 판상 피가공물(10)의 보호 테이프(T)측을 배치한다. 따라서, 실리콘 고무 테이블(7) 상에 보호 테이프(T)를 통해 배치된 판상 피가공물(10)은, 표면이 상측이 된다. 다음에, 도 5의 (b)에 도시된 바와 같이 초음파 부여 패드(70)의 하면을 실리콘 고무 테이블(7) 상에 보호 테이프(T)를 통해 배치된 판상 피가공물(10)의 표면에 배치한다. 그리고, 초음파 부여 패드(70)에 설치된 도시하지 않은 초음파 발생 수단을 작동시켜 판상 피가공물(10)에 초음파를 부여하게 한다. 이 결과, 판상 피가공물(10)은 도 5의 (c)에 도시된 바와 같이 차폐 터널(110)이 형성된 칩의 윤곽(101)이 파괴되어 칩(100)이 생성된다. 이와 같이 하여 차폐 터널(110)이 형성된 칩의 윤곽(101)이 파괴된 칩(100)은, 도 6에 도시된 바와 같이 보호 테이프(T)로부터 박리하여 픽업할 수 있다.
다음에, 칩 생성 공정의 제2 실시형태에 대해서, 도 7 내지 도 10을 참조하여 설명한다. 이 칩 생성 공정의 제2 실시형태는, 도 7 내지 도 9에 도시된 차폐 터널 파괴 장치(8)를 이용하여 실시한다. 도 7에는 차폐 터널 파괴 장치(8)의 사시도가 도시되어 있고, 도 8에는 도 7에 도시된 차폐 터널 파괴 장치(8)의 주요부를 분해하여 나타내는 사시도가 도시되어 있다.
본 실시형태에 있어서의 차폐 터널 파괴 장치(8)는, 베이스(81)와, 상기 베이스(81) 상에 화살표 Y로 나타내는 방향으로 이동 가능하게 설치된 제1 테이블(82)과, 상기 제1 테이블(82) 상에 화살표 Y와 직교하는 화살표 X로 나타내는 방향으로 이동 가능하게 설치된 제2 테이블(83)을 구비하고 있다. 베이스(81)는 직사각 형상으로 형성되고, 그 양측부 상면에는 화살표 Y로 나타내는 방향으로 2개의 안내 레일(811, 812)이 서로 평행하게 설치되어 있다. 또한, 2개의 안내 레일 중 한쪽 안내 레일(811)에는, 그 상면에 단면이 V자형인 안내홈(811a)이 형성되어 있다.
상기 제1 테이블(82)은, 도 8에 도시된 바와 같이 중앙부에 직사각 형상의 개구(821)를 구비한 창틀 형상으로 형성되어 있다. 이 제1 테이블(82)의 한쪽의 측부 하면에는, 상기 베이스(81)에 마련된 한쪽의 안내 레일(811)에 형성되어 있는 안내홈(811a)에 슬라이드 가능하게 끼워 맞추는 피안내 레일(822)이 마련되어 있다. 또한 제1 테이블(82)의 양측부 상면에는 상기 피안내 레일(822)과 직교하는 방향으로 2개의 안내 레일(823, 824)이 서로 평행하게 설치되어 있다. 또한, 2개의 안내 레일 중 한쪽의 안내 레일(823)에는, 그 상면에 단면이 V자형인 안내홈(823a)이 형성되어 있다. 이와 같이 구성된 제1 테이블(82)은, 도 7에 도시된 바와 같이 피안내 레일(822)을 베이스(81)에 마련된 한쪽의 안내 레일(811)에 형성된 안내홈(811a)에 끼워 맞춤과 동시에, 다른 쪽의 측부 하면을 베이스(81)에 마련된 다른 쪽의 안내 레일(812) 상에 배치한다. 차폐 터널 파괴 장치(8)는, 제1 테이블(82)을 베이스(81)에 마련된 안내 레일(811, 812)을 따라 화살표 Y로 나타내는 방향으로 이동하는 제1 이동 수단(84)을 구비하고 있다. 이 제1 이동 수단(84)은, 도 8에 도시된 바와 같이 베이스(81)에 마련된 다른 쪽의 안내 레일(812)에 평행하게 설치된 수나사 로드(841)와, 베이스(81)에 설치되어 수나사 로드(841)의 일단부를 회전 가능하게 지지하는 베어링(842)과, 수나사 로드(841)의 타단에 연결되어 수나사 로드(841)를 회전 구동하기 위한 펄스 모터(843)와, 상기 제1 테이블(82)의 하면에 마련되어 수나사 로드(841)에 나사 결합하는 암나사 블록(834)으로 이루어져 있다. 이와 같이 구성된 제1 이동 수단(84)은, 펄스 모터(843)를 구동하여 수나사 로드(841)를 회동함으로써, 제1 테이블(82)을 도 7에 있어서 화살표 Y로 나타내는 방향으로 이동시킨다.
상기 제2 테이블(83)은, 도 8에 도시된 바와 같이 직사각 형상으로 형성되고, 중앙부에 원형의 구멍(831)을 구비하고 있다. 이 제2 테이블(83)의 한쪽의 측부 하면에는, 상기 제1 테이블(82)에 마련된 한쪽의 안내 레일(823)에 형성되어 있는 안내홈(823a)에 슬라이드 가능하게 끼워 맞추는 피안내 레일(832)이 마련되어 있다. 이와 같이 구성된 제2 테이블(83)은, 도 7에 도시된 바와 같이 피안내 레일(832)을 제1 테이블(82)에 마련된 한쪽의 안내 레일(823)에 형성되어 있는 안내홈(823a)에 끼워 맞춤과 동시에, 다른 쪽의 측부 하면을 제1 테이블(82)에 마련된 다른 쪽의 안내 레일(824) 상에 배치한다. 차폐 터널 파괴 장치(8)는, 제2 테이블(83)을 제1 테이블(82)에 마련된 안내 레일(823, 824)을 따라 화살표 X로 나타내는 방향으로 이동하는 제2 이동 수단(85)을 구비하고 있다. 이 제2 이동 수단(85)은, 도 8에 도시된 바와 같이 제1 테이블(82)에 마련된 다른 쪽의 안내 레일(824)에 평행하게 설치된 수나사 로드(851)와, 제1 테이블(82)에 설치되어 수나사 로드(851)의 일단부를 회전 가능하게 지지하는 베어링(852)과, 수나사 로드(851)의 타단에 연결되어 수나사 로드(851)를 회전 구동하기 위한 펄스 모터(853)와, 상기 제2 테이블(83)의 하면에 마련되어 수나사 로드(851)에 나사 결합하는 암나사 블록(854)으로 이루어져 있다. 이와 같이 구성된 제2 이동 수단(85)은, 펄스 모터(853)를 구동하여 수나사 로드(851)를 회동함으로써, 제2 테이블(83)을 도 7에 있어서 화살표 X로 나타내는 방향으로 이동시킨다.
차폐 터널 파괴 장치(8)는, 상기 환상의 프레임(F)을 유지하는 프레임 유지 수단(86)을 구비하고 있다. 프레임 유지 수단(86)은, 도 7 및 도 9에 도시된 바와 같이 통형부(861)와, 상기 통형부(861)의 상단에 형성된 환상의 프레임 유지부(862)와, 통형부(861)의 하단부에 마련된 장착부(863)와, 상기 장착부(863)의 상측에 마련된 환상의 지지 플랜지부(864)로 이루어져 있다. 통형부(861)는, 환상의 프레임(F)의 내경보다 작고 환상의 프레임(F)에 장착된 보호 테이프(T)에 접착되어 있는 판상 피가공물(10)의 외경(外徑)보다 큰 내경을 갖고 있다. 상기 환상의 프레임 유지부(862)는, 통형부(861)의 상단에 직경 방향 외측으로 돌출되어 형성되어 있고, 상면이 환상의 프레임(F)이 배치되는 배치면(862a)을 형성하고 있다. 이와 같이 형성된 환상의 프레임 유지부(862)에는, 배치면(862a)에 배치된 환상의 프레임(F)을 고정하기 위한 복수의 클램프(865)가 장착되어 있다. 상기 장착부(863)는, 외주가 상기 제2 테이블(83)에 형성된 구멍(831)의 내주면에 회동 가능하게 끼워 맞춰지도록 구성되어 있다. 상기 환상의 지지 플랜지부(864)는, 장착부(863)의 상측에 직경 방향 외측으로 돌출되어 형성되어 있고, 장착부(863)가 제2 테이블(83)에 형성된 구멍(831)에 끼워 맞춰진 상태로 제2 테이블(83) 상에 배치된다.
차폐 터널 파괴 장치(8)는, 상기 환상의 프레임 유지 부재(86)에 유지된 환상의 프레임(F)에 보호 테이프(T)를 통해 지지되어 있는 판상 피가공물(10)에 초음파를 부여하는 초음파 부여 수단(87)을 구비하고 있다. 초음파 부여 수단(87)은, 도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이 상기 베이스(81) 상에 설치되어 프레임 유지 수단(86) 내에 배치되어 있다. 이 초음파 부여 수단(87)은, 도 8에 도시된 바와 같이 베이스(81) 상에 설치된 에어 실린더(871)와, 상기 에어 실린더(871)의 피스톤 로드(872)의 선단에 설치된 초음파 진동자(873)로 이루어져 있다. 초음파 진동자(873)는, 도시하지 않은 고주파 전압 인가 수단에 의해 정해진 주파수의 고주파 전압이 인가되도록 되어 있다. 또한, 초음파 진동자(873)는, 본 실시형태에 있어서는 구형으로 형성되어 있지만, 원형 혹은 반원형으로 형성하여도 좋다.
차폐 터널 파괴 장치(8)는, 프레임 유지 수단(86)에 지지된 환상의 프레임(F)에 보호 테이프(T)를 통해 지지된 판상 피가공물(10)에 냉기를 분무하는 냉기 분무 수단(88)을 구비하고 있다. 냉기 분무 수단(88)은, 베이스(81)에 설치된 선회 아암(881)과, 상기 선단에 장착된 냉기 분무 노즐(882)을 구비하고 있고, 상기 냉기 분무 노즐(882)이 도시하고자 하는 냉기 공급 수단에 접속되어 있다. 또한, 선회 아암(881)이 도시하지 않은 구동 수단에 의해 선회된다. 또한, 선회 아암(881)은 상하 이동 가능하게 구성되어 있다.
차폐 터널 파괴 장치(8)는, 상기 프레임 유지 수단(86)에 지지된 환상의 프레임(F)에 보호 테이프(T)를 통해 지지된 판상 피가공물(10)을 촬상하는 촬상 수단(89)을 구비하고 있다. 이 촬상 수단(89)은, 광학계 및 촬상 소자 등으로 구성되어 있고, 베이스(81)에 설치된 에어 실린더(891)에 의해 도면에 있어서 상하 방향으로 작동되는 L자형의 지지 부재(892)에 부착되고, 상기 프레임 유지 수단(86)을 구성하는 환상의 프레임 유지부(862)의 상방 위치에 배치되어 있다. 이와 같이 구성된 촬상 수단(89)은, 상기 환상의 프레임 유지부(862)에 유지된 환상의 프레임(F)에 보호 테이프(T)를 통해 지지되어 있는 판상 피가공물(10)을 촬상하고, 촬상된 화상 신호를 도시하지 않은 제어 수단으로 보낸다.
차폐 터널 파괴 장치(8)는 이상과 같이 구성되어 있고, 이하 그 작동에 대해서 주로 도 10을 참조하여 설명한다. 전술한 차폐 터널 형성 공정이 실시된 판상 피가공물(10)을 보호 테이프(T)를 통해 지지한 환상의 프레임(F)을, 도 10의 (a)에 도시된 바와 같이 프레임 유지 수단(86)을 구성하는 환상의 프레임 유지부(862)의 배치면(862a) 상에 배치하고, 클램프(865)에 의해 환상의 프레임 유지부(862)에 고정한다.
다음에, 촬상 수단(89) 및 도시하지 않은 제어 수단을 작동시켜, 전술한 차폐 터널 형성 공정이 실시된 판상 피가공물(10)에 있어서의 차폐 터널(110)이 형성된 각 칩의 윤곽(101)의 중심 위치를 구하여, 도시하지 않은 제어 수단의 메모리에 저장한다. 또한, 각 칩의 윤곽(101)의 중심 위치를 구하는 방법으로는, 제1 이동 수단(84) 및 제2 이동 수단(85)을 작동시켜 판상 피가공물(10)에 있어서의 차폐 터널(110)이 형성된 각 칩의 윤곽(101)의 중심이 촬상 수단(89)의 중심에 위치되었을 때의 제1 이동 수단(84)의 펄스 모터(843) 및 제2 이동 수단(85)의 펄스 모터(853)에 인가한 펄스 수에 의해 XY 좌표를 구할 수 있다(얼라이먼트 공정).
전술한 얼라이먼트 공정을 실시했다면, 도시하지 않은 제어 수단은 냉기 분무 수단(88)의 냉기 분무 노즐(882)을 초음파 부여 수단(87)을 구성하는 초음파 진동자(873)의 바로 위쪽에 위치시킴과 동시에, 아래쪽으로 이동하여 도 10의 (a)에 도시된 바와 같이 판상 피가공물(10)의 상면과 정해진 간극을 두고 상방 위치에 위치시킨다. 다음에, 도시하지 않은 제어 수단의 메모리에 저장된 데이터에 기초하여, 제1 이동 수단(84) 및 제2 이동 수단(85)을 작동시키고, 도 10의 (a)에 도시된 바와 같이 판상 피가공물(10)에 있어서의 차폐 터널(110)이 형성된 정해진 칩의 윤곽(101)의 중심 위치를 초음파 부여 수단(87)을 구성하는 초음파 진동자(873)의 바로 위쪽에 위치시킴과 동시에, 에어 실린더(871)를 작동시켜 초음파 진동자(873)의 상단을 판상 피가공물(10)이 접착되어 있는 보호 테이프(T)에 접촉시킨다. 그리고, 도 10의 (b)에 도시된 바와 같이 냉기 분무 수단(88)의 냉기 분무 노즐(882)로부터 냉기를 분출함과 동시에, 초음파 진동자(873)에 정해진 주파수의 고주파 전압을 인가하여 초음파 진동자(873)에 초음파 진동을 발생시킨다. 이 결과, 도 10의 (b)에 도시된 바와 같이 판상 피가공물(10)에 설정된 칩의 윤곽(101)으로 형성된 차폐 터널(110)이 초음파 진동에 의해 파괴되어 칩(100)이 생성된다. 이 때, 칩의 윤곽(101) 내의 영역은 냉기 분무 노즐(882)로부터 분출된 냉기에 의해 냉각되어 수축하기 때문에, 차폐 터널(110)의 파괴를 촉진할 수 있다. 이와 같이 하여 판상 피가공물(10)에 설정된 칩의 윤곽(101)으로 형성된 차폐 터널(110)이 초음파 진동에 의해 파괴되어 칩(100)이 생성되었다면, 칩(100)은 도 10의 (c)에 도시된 바와 같이 보호 테이프(T)로부터 박리하여 픽업할 수 있다.
이상과 같이, 전술한 실시형태에 있어서의 칩 제조 방법은, 레이저 광선을 조사하는 집광기(51)를 구비한 펄스 레이저 광선 조사 수단(5)에 의해 판상 피가공물(10)에 대하여 투과성을 갖는 파장의 펄스 레이저 광선의 집광점을 판상 피가공물(10)의 상면으로부터 정해진 위치에 위치시켜 생성해야 할 칩의 윤곽(101)을 따라 조사함으로써, 판상 피가공물(10)의 내부에 생성해야 할 칩의 윤곽(101)을 따라 세공과 이 세공을 차폐시키는 비정질을 성장시켜 차폐 터널(110)을 형성하는 차폐 터널 형성 공정과, 상기 차폐 터널 형성 공정이 실시된 판상 피가공물(10)에 초음파를 부여함으로써, 차폐 터널(110)이 형성된 칩의 윤곽(101)을 파괴하여 판상 피가공물로부터 칩(100)을 생성하는 칩 생성 공정으로 이루어져 있기 때문에, 상기 종래의 칩 제조 방법과 비교하여 단시간에 원하는 형상의 칩을 형성할 수 있다.
2 : 레이저 가공 장치 3 : 척 테이블 기구
36 : 척 테이블 37 : 제1 가공 이송 수단
374 : X축 방향 위치 검출 수단 384 : Y축 방향 위치 검출 수단
38 : 제2 가공 이송 수단 4 : 레이저 광선 조사 유닛
5 : 레이저 광선 조사 수단 51 : 집광기
6 : 촬상 수단 7 : 실리콘 고무 테이블
70 : 초음파 부여 패드 8 : 차폐 터널 파괴 장치
81 : 베이스 82 : 제1 테이블
83 : 제2 테이블 84 : 제1 이동 수단
85 : 제2 이동 수단 86 : 프레임 유지 수단
87 : 초음파 부여 수단 88 : 냉기 분무 수단
98 : 촬상 수단 10 : 판상 피가공물
F : 환상의 프레임 T : 보호 테이프

Claims (4)

  1. 판상 피가공물로부터 원하는 형상의 칩을 생성하기 위한 칩 제조 방법으로서,
    레이저 광선을 조사하는 집광기를 구비한 펄스 레이저 광선 조사 수단에 의해 판상 피가공물에 대해 투과성을 갖는 파장의 펄스 레이저 광선의 집광점을 판상 피가공물의 상면으로부터 정해진 위치에 위치시켜 생성해야 할 칩의 윤곽을 따라 조사함으로써, 판상 피가공물의 내부에 생성해야 할 칩의 윤곽을 따라 세공과 상기 세공을 차폐시키는 비정질을 성장시켜 차폐 터널을 형성하는 차폐 터널 형성 공정과,
    상기 차폐 터널 형성 공정이 실시된 판상 피가공물에 초음파를 부여함으로써, 차폐 터널이 형성된 칩의 윤곽을 파괴하여 판상 피가공물로부터 칩을 생성하는 칩 생성 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 칩 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 집광기의 집광 렌즈의 개구수(NA)는 판상 피가공물의 굴절률(N)로 나눈 값이 0.05 내지 0.2의 범위로 설정되는 것인 칩 제조 방법.
  3. 제2항에 있어서, 판상 피가공물은 석영유리 기판이며, 상기 집광기의 집광 렌즈의 개구수(NA)는 0.1 내지 0.25의 범위로 설정되는 것인 칩 제조 방법.
  4. 제2항에 있어서, 판상 피가공물은 사파이어 기판이며, 상기 집광기의 집광 렌즈의 개구수(NA)는 0.1 내지 0.35의 범위로 설정되는 것인 칩 제조 방법.
KR1020150077274A 2014-06-02 2015-06-01 칩 제조 방법 KR102251261B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2014-113789 2014-06-02
JP2014113789A JP6301203B2 (ja) 2014-06-02 2014-06-02 チップの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150138827A true KR20150138827A (ko) 2015-12-10
KR102251261B1 KR102251261B1 (ko) 2021-05-11

Family

ID=54481742

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150077274A KR102251261B1 (ko) 2014-06-02 2015-06-01 칩 제조 방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9682440B2 (ko)
JP (1) JP6301203B2 (ko)
KR (1) KR102251261B1 (ko)
CN (1) CN105269159B (ko)
DE (1) DE102015210030A1 (ko)
TW (1) TWI632970B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220030622A (ko) * 2020-09-03 2022-03-11 주식회사 시스템알앤디 유리제품 분리장치 및 이를 이용한 분리방법

Families Citing this family (259)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
JP2018063407A (ja) * 2016-10-14 2018-04-19 株式会社ディスコ 貼り合わせ基板の加工方法
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
JP7098284B2 (ja) * 2017-07-06 2022-07-11 株式会社ディスコ レーザー加工装置およびレーザー加工方法
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
JP6858455B2 (ja) * 2017-07-24 2021-04-14 株式会社ディスコ チップの製造方法
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
KR102633318B1 (ko) 2017-11-27 2024-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 청정 소형 구역을 포함한 장치
WO2019103613A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
JP6925945B2 (ja) * 2017-11-30 2021-08-25 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
JP2019125688A (ja) * 2018-01-16 2019-07-25 株式会社ディスコ 被加工物のレーザー加工方法
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 沈積方法
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
EP3737779A1 (en) 2018-02-14 2020-11-18 ASM IP Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
TWI816783B (zh) 2018-05-11 2023-10-01 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
US11492703B2 (en) 2018-06-27 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
KR20210027265A (ko) 2018-06-27 2021-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) * 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的***及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Asm Ip 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
JP7286238B2 (ja) * 2019-02-20 2023-06-05 株式会社ディスコ 複数のチップを製造する方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP7218056B2 (ja) * 2019-02-20 2023-02-06 株式会社ディスコ チップ及び枠体の少なくともいずれかを製造する方法
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
CN111593319B (zh) 2019-02-20 2023-05-30 Asm Ip私人控股有限公司 用于填充在衬底表面内形成的凹部的循环沉积方法和设备
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP7285694B2 (ja) * 2019-05-23 2023-06-02 株式会社ディスコ レーザー加工装置の光軸調整方法
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
JP2021015840A (ja) * 2019-07-10 2021-02-12 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
US11551912B2 (en) 2020-01-20 2023-01-10 Asm Ip Holding B.V. Method of forming thin film and method of modifying surface of thin film
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 專用於零件清潔的系統
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
US11898243B2 (en) 2020-04-24 2024-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride-containing layer
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005222989A (ja) * 2004-02-03 2005-08-18 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
JP2006140354A (ja) * 2004-11-12 2006-06-01 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工方法
KR20120058274A (ko) * 2010-11-29 2012-06-07 한국과학기술원 깊이에 따른 개질면의 특성 조합을 통한 절단 장치
JP2012148955A (ja) 2010-09-30 2012-08-09 Avanstrate Inc カバーガラスの製造方法及びカバーガラス
JP2013071854A (ja) 2011-09-27 2013-04-22 Hoya Corp 携帯機器用カバーガラスの製造方法
WO2014079570A1 (en) * 2012-11-20 2014-05-30 Light In Light Srl High speed laser processing of transparent materials

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3930825A (en) 1974-11-29 1976-01-06 Ford Motor Company Method of laser beam cutting of a ribbon of hot glass
US4467168A (en) 1981-04-01 1984-08-21 Creative Glassworks International Method of cutting glass with a laser and an article made therewith
US5387776A (en) 1993-05-11 1995-02-07 General Electric Company Method of separation of pieces from super hard material by partial laser cut and pressure cleavage
IT1284082B1 (it) 1996-06-27 1998-05-08 Calp Spa Metodo e dispositivo per il taglio mediante un raggio laser di articoli cavi in vetro
KR100606955B1 (ko) 1999-09-21 2006-07-31 엘지.필립스 엘시디 주식회사 레이저 절단장치 및 그것에 의한 유리기판 절단방법
JP4659300B2 (ja) * 2000-09-13 2011-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法
US20030134734A1 (en) 2001-08-08 2003-07-17 Shiro Nishimoto Press molding method for glass and manufacturing method for glass substrate using this method
TWI225279B (en) * 2002-03-11 2004-12-11 Hitachi Ltd Semiconductor device and its manufacturing method
JP2004304066A (ja) * 2003-03-31 2004-10-28 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP4574251B2 (ja) * 2003-09-17 2010-11-04 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP2007173475A (ja) * 2005-12-21 2007-07-05 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
KR101428823B1 (ko) * 2006-09-19 2014-08-11 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공 방법 및 레이저 가공 장치
DE102007035717A1 (de) * 2006-12-27 2008-07-03 Robert Bosch Gmbh Laserstrahlschweißvorrichtung sowie Laserstrahlschweißverfahren
US7757742B2 (en) * 2007-07-31 2010-07-20 Asm Assembly Automation Ltd Vibration-induced die detachment system
WO2010005064A1 (en) 2008-07-10 2010-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic device
JP2011078984A (ja) * 2009-10-02 2011-04-21 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工装置
JP5710133B2 (ja) * 2010-03-16 2015-04-30 株式会社ディスコ ワークの分割方法
JP2011210915A (ja) * 2010-03-30 2011-10-20 Shindengen Electric Mfg Co Ltd 単結晶基板の切断装置、および単結晶基板の切断方法
EP2619633B1 (en) 2010-09-25 2023-12-06 IPG Photonics (Canada) Inc. Method of coherent imaging and feedback control for modification of materials
KR101917401B1 (ko) * 2010-11-30 2018-11-09 코닝 인코포레이티드 유리 홀의 고밀도 어레이를 형성하는 방법
JP5671436B2 (ja) 2011-10-26 2015-02-18 三菱製紙株式会社 ガラス基板の製造方法
US20130216779A1 (en) * 2012-02-16 2013-08-22 University Of Tennessee Research Foundation Nanostructures from Laser-Ablated Nanohole Templates
EP2705812A1 (de) * 2012-09-05 2014-03-12 Universität zu Lübeck Vorrichtung zum Laserschneiden innerhalb transparenter Materialien
EP2754524B1 (de) * 2013-01-15 2015-11-25 Corning Laser Technologies GmbH Verfahren und Vorrichtung zum laserbasierten Bearbeiten von flächigen Substraten, d.h. Wafer oder Glaselement, unter Verwendung einer Laserstrahlbrennlinie
JP6062287B2 (ja) * 2013-03-01 2017-01-18 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6113529B2 (ja) * 2013-03-05 2017-04-12 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
ES2959429T3 (es) * 2013-04-04 2024-02-26 Lpkf Laser & Electronics Se Procedimiento para la separación de un sustrato
JP6151557B2 (ja) * 2013-05-13 2017-06-21 株式会社ディスコ レーザー加工方法
US9102007B2 (en) * 2013-08-02 2015-08-11 Rofin-Sinar Technologies Inc. Method and apparatus for performing laser filamentation within transparent materials
US9701563B2 (en) * 2013-12-17 2017-07-11 Corning Incorporated Laser cut composite glass article and method of cutting
US10442719B2 (en) * 2013-12-17 2019-10-15 Corning Incorporated Edge chamfering methods
US10293436B2 (en) * 2013-12-17 2019-05-21 Corning Incorporated Method for rapid laser drilling of holes in glass and products made therefrom
US9850160B2 (en) * 2013-12-17 2017-12-26 Corning Incorporated Laser cutting of display glass compositions
US20150166393A1 (en) * 2013-12-17 2015-06-18 Corning Incorporated Laser cutting of ion-exchangeable glass substrates
US20150165560A1 (en) * 2013-12-17 2015-06-18 Corning Incorporated Laser processing of slots and holes
US9815730B2 (en) * 2013-12-17 2017-11-14 Corning Incorporated Processing 3D shaped transparent brittle substrate
US20150165563A1 (en) * 2013-12-17 2015-06-18 Corning Incorporated Stacked transparent material cutting with ultrafast laser beam optics, disruptive layers and other layers
US9676167B2 (en) * 2013-12-17 2017-06-13 Corning Incorporated Laser processing of sapphire substrate and related applications
JP6262039B2 (ja) * 2014-03-17 2018-01-17 株式会社ディスコ 板状物の加工方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005222989A (ja) * 2004-02-03 2005-08-18 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
JP2006140354A (ja) * 2004-11-12 2006-06-01 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工方法
JP2012148955A (ja) 2010-09-30 2012-08-09 Avanstrate Inc カバーガラスの製造方法及びカバーガラス
KR20120058274A (ko) * 2010-11-29 2012-06-07 한국과학기술원 깊이에 따른 개질면의 특성 조합을 통한 절단 장치
JP2013071854A (ja) 2011-09-27 2013-04-22 Hoya Corp 携帯機器用カバーガラスの製造方法
WO2014079570A1 (en) * 2012-11-20 2014-05-30 Light In Light Srl High speed laser processing of transparent materials

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220030622A (ko) * 2020-09-03 2022-03-11 주식회사 시스템알앤디 유리제품 분리장치 및 이를 이용한 분리방법

Also Published As

Publication number Publication date
CN105269159A (zh) 2016-01-27
JP2015226924A (ja) 2015-12-17
US20150343559A1 (en) 2015-12-03
DE102015210030A1 (de) 2015-12-03
JP6301203B2 (ja) 2018-03-28
TW201607654A (zh) 2016-03-01
US9682440B2 (en) 2017-06-20
CN105269159B (zh) 2018-09-11
TWI632970B (zh) 2018-08-21
KR102251261B1 (ko) 2021-05-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20150138827A (ko) 칩 제조 방법
KR101975607B1 (ko) 레이저 가공 장치
KR102178210B1 (ko) 레이저 광선의 스폿 형상 검출 방법
KR102232130B1 (ko) 판형물의 가공 방법
JP5198203B2 (ja) 加工装置
KR101999411B1 (ko) 웨이퍼 가공 방법
US10658171B2 (en) Wafer processing apparatus
JP5980504B2 (ja) ウエーハの加工方法およびレーザー加工装置
KR20150050357A (ko) 레이저 가공 장치
JP2008296254A (ja) レーザー加工装置
KR101058800B1 (ko) 레이저 다이싱장치
KR20130142926A (ko) 레이저 가공 장치
KR102008532B1 (ko) 가공 장치
KR101886357B1 (ko) 레이저 광선의 스폿 형상 검출 방법 및 스폿 형상 검출 장치
JP2008131008A (ja) ウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置
JP2006332556A (ja) ウエーハの分割方法
KR20130129107A (ko) 개질층 형성 방법
JP2014028381A (ja) レーザー加工装置
JP2015213927A (ja) レーザー加工装置
KR20170107900A (ko) 피가공물의 내부 검출 장치 및 내부 검출 방법
JP2009142841A (ja) レーザー加工装置
JP5839383B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP2017050377A (ja) ウエーハの加工方法
JP2020107820A (ja) チップの製造方法
JP2017050305A (ja) ウエーハの加工方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant