JP2020107820A - チップの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の実施形態1に係るチップの製造方法を図面に基づいて説明する。図1は、実施形態1に係るチップの製造方法の加工対象のウエーハの斜視図である。図2は、図1中のII−II線に沿う断面図である。図3は、実施形態1に係るチップの製造方法において用いられるレーザー加工装置の構成例を示す斜視図である。図4は、図3に示されたレーザー加工装置のレーザービーム照射ユニットの構成を示す図である。図5は、実施形態1に係るチップの製造方法の流れを示すフローチャートである。
図6は、図5に示されたチップの製造方法のテープ貼着ステップを示す斜視図である。テープ貼着ステップST1は、ウエーハ200の基板202の裏面207側に伸縮性を有するテープ210を貼着するステップである。テープ210は、伸縮性を有する合成樹脂で構成された基材層と、基材層に積層されかつ伸縮性及び粘着性を有する合成樹脂で構成された粘着層とを備えている。
図7は、図5に示されたチップの製造方法の金属層除去ステップを模式的に示す斜視図である。図8は、図7中のVIII−VIII線の断面を模式的に示す断面図である。図9は、図5に示されたチップの製造方法の金属層除去ステップのウエーハの要部等を模式的に示す断面図である。
図10は、図5に示されたチップの製造方法の改質層形成ステップを模式的に示す斜視図である。図11は、図10中のXI−XI線の断面を模式的に示す断面図である。図12は、図5に示されたチップの製造方法の改質層形成ステップのウエーハの要部等を模式的に示す断面図である。
図13は、図5に示されたチップの製造方法の分割ステップにおいて、ウエーハを分割装置に保持した状態を模式的に示す断面図である。図14は、図5に示されたチップの製造方法の分割ステップにおいて、ウエーハを個々のチップに分割した状態を模式的に示す断面図である。
21−1 集光点
200 ウエーハ
201 チップ
202 基板
203 表面
204 分割予定ライン
205 デバイス
206 金属層
207 裏面
209 改質層
210 テープ
220 シリコン層(シリコン)
ST1 テープ貼着ステップ
ST2 金属層除去ステップ
ST3 改質層形成ステップ
ST4 分割ステップ
Claims (3)
- 基板と、該基板の表面に設定された分割予定ラインと、該分割予定ラインによって区画された領域に形成されたデバイスと、を有し、少なくとも該分割予定ラインの一部が金属層によって被覆されたウエーハを該分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割しチップを製造するチップの製造方法であって、
該ウエーハの裏面側に伸長性を有するテープを貼着するテープ貼着ステップと、
該テープ貼着ステップの後、該ウエーハの表面側から該分割予定ラインに沿ってレーザービームを照射し、該金属層を除去する金属層除去ステップと、
該金属層除去ステップの後、該テープを介して該ウエーハの裏面側から該基板の内部に集光点を位置付けてレーザービームを照射し、該基板の内部に該分割予定ラインに沿って改質層を形成する改質層形成ステップと、
該改質層形成ステップの後に、該テープを拡張することで該基板に外力を付与し、該基板を該分割予定ラインに沿って分割する分割ステップと、
を含むことを特徴とするチップの製造方法。 - 該レーザービームは、該金属層に対しては吸収性を有し、該基板に対しては透過性を有することを特徴とする、請求項1に記載のチップの製造方法。
- 該ウエーハの該基板はシリコンであり、該金属層の上に更にシリコンが積層されていることを特徴とする、請求項1または請求項2に記載のチップの製造方法。
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US9165832B1 (en) * | 2014-06-30 | 2015-10-20 | Applied Materials, Inc. | Method of die singulation using laser ablation and induction of internal defects with a laser |
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US9165832B1 (en) * | 2014-06-30 | 2015-10-20 | Applied Materials, Inc. | Method of die singulation using laser ablation and induction of internal defects with a laser |
JP2017107921A (ja) * | 2015-12-07 | 2017-06-15 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
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