JP2011210915A - 単結晶基板の切断装置、および単結晶基板の切断方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】カッティングライン25の加工幅t1よりも外側領域まで、レーザ光源装置12からレーザー光線LRを照射する。このレーザー光線LRの照射幅t2は、カッティングライン25の加工幅t1よりも広くなるように設定する。即ち、レーザー光線LRは、カッティングライン25のエッジを越えて、半導体チップ20の形成領域の端部まで細長く照射する。この照射によって単結晶が多結晶化または非晶質化した改質領域Snを形成し、そこをブレード11で切断する。
【選択図】図3
Description
しかしながら、単結晶基板は強い物理的な応力が加わると結晶の劈開面に沿って劈開しやすいという特性がある。このため、ブレードなどで切断を行うと単結晶基板の厚み方向に沿って切断部分に強い応力が加わり、切断部分に割れや欠けが生じやすいという課題があった。
例えば、特許文献1には、レーザー光線の焦点位置をダイシングラインの表層側にして照射し、更にレーザー光線の焦点位置を切断領域に対応する半導体ウェーハの内部に設定し、レーザー光線を照射して、半導体ウェーハを個々のチップに分割する半導体装置の製造方法が記載されている。
また、例えば、特許文献2には、切断予定ラインに予め凹部を形成し、この凹部に沿ってレーザービームを照射して切断する半導体基板の切断方法が記載されている。
すなわち、本発明の単結晶基板の切断装置は、単結晶基板を所定のカッティングラインに沿って切断する単結晶基板の切断装置であって、前記カッティングラインに沿って電磁波または粒子線を照射し、前記単結晶基板の一部を多結晶化または非晶質化させる照射線源と、前記カッティングラインに沿って、前記単結晶基板を切断するブレードと、を少なくとも備えたことを特徴とする。
また、このレーザー光源は、パルスレーザー光源であればよい。
前記電磁波または粒子線は、前記カッティングラインの両側端にそれぞれ沿うように2本同時に照射されればよい。
前記電磁波または粒子線は、前記カッティングラインに沿って間欠的に照射されればよい。
前記単結晶基板はシリコン単結晶ウェーハであればよい。
本発明の切断装置10は、円形の回転刃であるブレード(ダイシングブレード)11と、照射線源12と、被切断物である単結晶基板Wを載置するステージ13と、冷却液供給ユニット14を備えている。
ブレード11は、例えば周縁部に微細なダイヤモンド粒子が散在され、全体がステンレス鋼などから形成されている。こうしたブレード11はモータ15によって回転駆動される。
図2(a)に示すように、単結晶基板Wの一面Waは、切断中心線Cに沿って、個々の集積回路が形成された領域ごとに切断(Dicing)され、多数の半導体チップ20が1枚の単結晶基板Wから形成される(切り出される)。この時、図2(b)に示すように、ブレード11の厚みに相当する分だけ加工しろとして切断屑となり除去される。
また、半導体チップ20という表現は、カッティングライン25に沿って実際に切断されて切り出されたものを示す以外に、これから切断を行うのに伴って形成される(区画される)予定の、個々の半導体チップの形成領域も含むものとする。
図3(a)は、本発明の切断方法を示す模式図である。本発明による単結晶基板Wの切断(ダイシング)にあたっては、まず、単結晶基板Wに対して加工幅t1の細長いカッティングライン(切断予定線)25を設定する。このカッティングライン25は、互いに隣接する半導体チップ20の形成領域のどうしの中間に設定された切断中心線C(図2参照)を中心として、ブレード11の厚みを勘案して設定すればよい。
なお、個々の半導体チップ20の周縁部に形成される改質領域Snの幅Δtは、半導体チップ20の回路配線に影響を与えない程度の幅に設定される。このため、多結晶化工程におけるレーザー光線LRの照射幅t2は、切断後の半導体チップ20に残る改質領域Snが半導体チップ20の回路配線にかからない程度に設定すればよい。
この実施形態では、単結晶基板Wの多結晶化工程において、カッティングライン25の両側端25a,25bにそれぞれ沿うように、2本のレーザー光線LR1,LR2を同時に照射するものである。このため、この実施形態における切断装置は、2つのレーザ光源装置12a,12bを備えている。
図7(a)に示すように、この実施形態における多結晶化工程では、カッティングライン25の加工幅t1よりも広い照射幅t2のパルスレーザー光線LRpで、単結晶基板Wのカッティングライン25に沿って、間欠的に改質領域Sn3,Sn3…を形成する。このため、この実施形態におけるレーザ光源装置は、パルスレーザー光源装置17を用いる。
この実施形態では、図8(a)に示すように、複層、例えば2層の単結晶基板WSを用いて、カッティングライン25を設定する。2層の単結晶基板WSを構成する第一層31は、例えばシリコン単結晶から構成されれば良い。また、この第一層31に重ねて形成される第二層32は、例えば、シリコン酸化膜(SiO2)、アモルファスシリコン、石英ガラスなどの薄膜であればよい。
Claims (10)
- 単結晶基板を所定のカッティングラインに沿って切断する単結晶基板の切断装置であって、
前記カッティングラインに沿って電磁波または粒子線を照射し、前記単結晶基板の一部を多結晶化または非晶質化させる照射線源と、
前記カッティングラインに沿って、前記単結晶基板を切断するブレードと、
を少なくとも備えたことを特徴とする単結晶基板の切断装置。 - 前記照射線源はレーザー光源であることを特徴とする請求項1記載の単結晶基板の切断装置。
- 前記レーザー光源は、パルスレーザー光源であることを特徴とする請求項2記載の単結晶基板の切断装置。
- 単結晶基板を所定のカッティングラインに沿って切断する単結晶基板の切断方法であって、
前記カッティングラインに沿って電磁波または粒子線を照射し、前記単結晶基板の一部を多結晶化または非晶質化させる多結晶化工程と、
前記カッティングラインに沿ってブレードを移動させ、前記単結晶基板を切断する切断工程と、
を少なくとも備えたことを特徴とする単結晶基板の切断方法。 - 前記電磁波または粒子線は、少なくとも前記カッティングラインの外側領域に照射されることを特徴とする請求項4記載の単結晶基板の切断方法。
- 前記電磁波または粒子線は、前記カッティングラインの両側端にそれぞれ沿うように2本同時に照射されることを特徴とする請求項4または5記載の単結晶基板の切断方法。
- 前記電磁波または粒子線は、前記単結晶基板の表面から所定の深さまでをアブレーションによって除去することを特徴とする請求項4ないし6いずれか1項記載の単結晶基板の切断方法。
- 前記電磁波または粒子線は、前記カッティングラインに沿って間欠的に照射されることを特徴とする請求項4ないし7いずれか1項記載の単結晶基板の切断方法。
- 前記電磁波はレーザー光線であることを特徴とする請求項4ないし8いずれか1項記載の単結晶基板の切断方法。
- 前記単結晶基板はシリコン単結晶ウェーハであることを特徴とする請求項4ないし9いずれか1項記載の単結晶基板の切断方法。
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