KR20150106833A - Apparatus and method for processing wafer - Google Patents

Apparatus and method for processing wafer Download PDF

Info

Publication number
KR20150106833A
KR20150106833A KR1020150030244A KR20150030244A KR20150106833A KR 20150106833 A KR20150106833 A KR 20150106833A KR 1020150030244 A KR1020150030244 A KR 1020150030244A KR 20150030244 A KR20150030244 A KR 20150030244A KR 20150106833 A KR20150106833 A KR 20150106833A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
cleaning
holding
ultraviolet ray
suction
Prior art date
Application number
KR1020150030244A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
미노루 스즈키
Original Assignee
가부시기가이샤 디스코
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시기가이샤 디스코 filed Critical 가부시기가이샤 디스코
Publication of KR20150106833A publication Critical patent/KR20150106833A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02054—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process combining dry and wet cleaning steps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02345—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to radiation, e.g. visible light
    • H01L21/02348—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to radiation, e.g. visible light treatment by exposure to UV light
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

The purpose of the present invention is to provide an apparatus and a method for processing a wafer to effectively radiate an ultraviolet ray without increasing the area of an apparatus. A cleaning device (1) as a wafer processing device includes a support table (20) which supports a wafer (W), and a cleaning and drying unit which cleans and dries the surface (WS) of the wafer (W) on the support table (20). The support table (20) comprises a support member (21) and an ultraviolet ray radiation part (23). The support member (21) has a support surface (21a) which has absorption holes (24) for absorbing and supporting the back side (WR) of the wafer (W) and supports the entire backside (WR), and is made of a material which transmits an ultraviolet ray. The ultraviolet ray radiation part (23) is arranged in the opposite side to the support surface (21a) of the support member (21).

Description

웨이퍼 처리 장치 및 웨이퍼 처리 방법{APPARATUS AND METHOD FOR PROCESSING WAFER}[0001] APPARATUS AND METHOD FOR PROCESSING WAFER [0002]

본 발명은 웨이퍼의 표면을 세정하는 웨이퍼 처리 장치 및 웨이퍼 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer processing apparatus and a wafer processing method for cleaning the surface of a wafer.

절삭 장치에 있어서는, 프레임에 유지된 웨이퍼를 절삭한 후에, 그 웨이퍼를 접착하고 있는 테이프에 자외선을 조사하여 점성을 저하시켜, 절삭 후의 칩의 픽업을 용이하게 하여, 작업성을 높이도록 하고 있다. 생산성 향상을 위해서, 절삭 장치에 자외선 조사부를 편입시켜 자외선 조사 영역을 마련하고, 웨이퍼를 절삭하고 있는 동안의 대기 시간을 이용하여, 이미 절삭이 종료된 웨이퍼에의 자외선 조사를 행할 수 있도록 한 절삭 장치가 제안되어 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조). In the cutting apparatus, after the wafer held on the frame is cut, ultraviolet rays are irradiated on the tape to which the wafer is bonded to lower the viscosity, thereby facilitating picking up of the chips after cutting, thereby improving workability. An ultraviolet ray irradiation area is provided by incorporating an ultraviolet ray irradiating part into a cutting device and a waiting time while the wafer is being cut is used to improve the productivity, (See, for example, Patent Document 1).

일본 특허 공개 평성 제07-45556호 공보Japanese Patent Laid-open No. Hei 07-45556

그러나, 특허문헌 1에 기재된 절삭 장치는, 자외선 조사부를 편입시킬 수 있도록, 스페이스를 마련할 필요가 있어, 웨이퍼가 대구경이 될수록 장치 면적이 증대해 버린다고 하는 문제가 있다.However, in the cutting apparatus described in Patent Document 1, it is necessary to provide a space so as to incorporate the ultraviolet ray irradiating unit, and there is a problem that the larger the wafer becomes, the larger the apparatus area becomes.

본 발명은 상기 문제를 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은, 장치 면적을 증대시키지 않고 효율적으로 자외선을 조사할 수 있는 웨이퍼 처리 장치 및 웨이퍼 처리 방법을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a wafer processing apparatus and a wafer processing method capable of efficiently irradiating ultraviolet light without increasing the device area.

전술한 과제를 해결하여 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 웨이퍼 처리 장치는, 웨이퍼의 이면측을 유지하고 회전 가능한 유지 테이블과, 이 유지 테이블에 유지된 웨이퍼의 표면을 세정하고 건조하는 세정 건조 수단을 구비한 웨이퍼 처리 장치로서, 상기 유지 테이블은, 웨이퍼 이면을 흡인 유지하는 흡인부가 형성되어 이면 전면을 유지하는 유지면을 가지며 또한 자외선을 투과하는 재질로 형성된 유지 부재와, 이 유지 부재의 유지면과 반대측에 배치된 자외선 조사부를 구비하는 것을 특징으로 하다. In order to solve the above-mentioned problems and to achieve the object, a wafer processing apparatus of the present invention comprises: a holding table rotatable by holding a back side of a wafer; cleaning and drying means for cleaning and drying the surface of the wafer held by the holding table; Wherein the holding table includes a holding member having a holding surface for holding a front surface of the wafer and having a suction portion for holding the back surface of the wafer, the holding member being made of a material that transmits ultraviolet rays, And an ultraviolet ray irradiating unit disposed on the opposite side to the ultraviolet ray irradiating unit.

또한, 본 발명의 웨이퍼 처리 방법은, 상기 웨이퍼 처리 장치를 사용하여 웨이퍼를 처리하는 웨이퍼 처리 방법으로서, 이면측에 자외선 경화형의 보호 테이프가 접착된 웨이퍼의 이면측을 상기 유지 테이블의 유지면에 흡인 유지하는 흡인 유지 단계와, 이 흡인 유지 단계를 실시한 후에, 상기 유지 테이블을 회전시키면서 상기 세정 건조 수단에 의해 웨이퍼 표면을 세정 건조하는 세정 건조 단계와, 이 세정 건조 단계를 실시한 후에, 상기 자외선 조사부에 의해 웨이퍼 이면 전면에 자외선을 조사하는 자외선 조사 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.The wafer processing method of the present invention is a wafer processing method for processing a wafer by using the wafer processing apparatus, wherein a back side of a wafer to which an ultraviolet curable protective tape is adhered is attracted to the holding surface of the holding table A cleaning and drying step of cleaning the surface of the wafer by the cleaning and drying means while rotating the holding table after the cleaning and drying step is performed after the cleaning and drying step is performed; And an ultraviolet light irradiation step of irradiating the entire surface of the wafer with ultraviolet light.

본 발명은 웨이퍼 처리 장치의 유지 테이블의 유지 부재를 자외선이 투과 가능한 재질로 형성하고, 유지 부재의 하방에 자외선 조사부를 구비하기 때문에, 자외선 조사부를 위해서 장치 면적이 증대할 일이 없어 스페이스 절약화를 도모할 수 있다. 또한, 유지 부재의 하방에 자외선 조사부를 구비하기 때문에, 웨이퍼의 세정 건조 후에 즉시 자외선을 조사하는 것이 가능하다. 따라서, 장치 면적을 증대시키지 않고 효율적으로 자외선을 조사할 수 있다.Since the holding member of the holding table of the wafer processing apparatus is formed of a material that can transmit ultraviolet rays and the ultraviolet ray irradiating unit is provided below the holding member, the device area is not increased for the ultraviolet ray irradiating unit, . Further, since the ultraviolet ray irradiating unit is provided below the holding member, it is possible to irradiate ultraviolet rays immediately after washing and drying the wafer. Therefore, ultraviolet rays can be efficiently irradiated without increasing the device area.

도 1은 실시형태에 따른 웨이퍼 처리 장치로서의 세정 장치를 구비한 절삭 장치의 구성예의 사시도이다.
도 2는 실시형태에 따른 웨이퍼 처리 장치로서의 세정 장치의 일부를 단면으로 나타낸 사시도이다.
도 3은 실시형태에 따른 웨이퍼 처리 장치로서의 세정 장치를 이용한 웨이퍼 처리 방법의 세정 건조 단계를 도시한 단면도이다.
도 4는 실시형태에 따른 웨이퍼 처리 장치로서의 세정 장치를 이용한 웨이퍼 처리 방법의 자외선 조사 단계를 도시한 단면도이다.
도 5는 실시형태의 변형예에 따른 웨이퍼 처리 장치로서의 세정 장치의 일부를 단면으로 나타낸 사시도이다.
도 6은 실시형태의 변형예에 따른 웨이퍼 처리 장치로서의 세정 장치를 이용한 웨이퍼 처리 방법의 자외선 조사 단계를 도시한 단면도이다.1 is a perspective view of a configuration example of a cutting apparatus having a cleaning apparatus as a wafer processing apparatus according to an embodiment.
2 is a perspective view showing a part of a cleaning apparatus as a wafer processing apparatus according to an embodiment in a section.
3 is a cross-sectional view showing the cleaning and drying step of the wafer processing method using the cleaning apparatus as the wafer processing apparatus according to the embodiment.
4 is a cross-sectional view showing an ultraviolet irradiation step of the wafer processing method using the cleaning apparatus as the wafer processing apparatus according to the embodiment.
Fig. 5 is a perspective view showing a part of a cleaning apparatus as a wafer processing apparatus according to a modification of the embodiment, in cross section. Fig.
6 is a cross-sectional view showing an ultraviolet irradiation step of a wafer processing method using a cleaning apparatus as a wafer processing apparatus according to a modification of the embodiment.

본 발명을 실시하기 위한 형태(실시형태)에 대해, 도면을 참조하면서 상세히 설명한다. 이하의 실시형태에 기재한 내용에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다. 또한, 이하에 기재한 구성 요소에는, 당업자가 용이하게 상정할 수 있는 것, 실질적으로 동일한 것이 포함된다. 또한, 이하에 기재한 구성은 적절히 조합하는 것이 가능하다. 또한, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 구성의 여러 가지 생략, 치환 또는 변경을 행할 수 있다.BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION A mode (embodiment) for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited to the following embodiments. The constituent elements described below include those which can be readily devised by those skilled in the art and substantially the same. Further, the structures described below can be appropriately combined. In addition, various omissions, substitutions or modifications can be made without departing from the gist of the present invention.

〔실시형태〕[Embodiment]

본 발명의 실시형태에 따른 웨이퍼 처리 장치 및 웨이퍼 처리 방법을 도면에 기초하여 설명한다. 도 1은 실시형태에 따른 웨이퍼 처리 장치로서의 세정 장치를 구비한 절삭 장치의 구성예의 사시도이다. 도 2는 실시형태에 따른 웨이퍼 처리 장치로서의 세정 장치의 일부를 단면으로 나타낸 사시도이다. 도 3은 실시형태에 따른 웨이퍼 처리 장치로서의 세정 장치를 이용한 웨이퍼 처리 방법의 세정 건조 단계를 도시한 단면도이다. 도 4는 실시형태에 따른 웨이퍼 처리 장치로서의 세정 장치를 이용한 웨이퍼 처리 방법의 자외선 조사 단계를 도시한 단면도이다.A wafer processing apparatus and a wafer processing method according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. 1 is a perspective view of a configuration example of a cutting apparatus having a cleaning apparatus as a wafer processing apparatus according to an embodiment. 2 is a perspective view showing a part of a cleaning apparatus as a wafer processing apparatus according to an embodiment in a section. 3 is a cross-sectional view showing the cleaning and drying step of the wafer processing method using the cleaning apparatus as the wafer processing apparatus according to the embodiment. 4 is a cross-sectional view showing an ultraviolet irradiation step of the wafer processing method using the cleaning apparatus as the wafer processing apparatus according to the embodiment.

실시형태에 따른 웨이퍼 처리 장치로서의 세정 장치(1)는 웨이퍼(W)를 절삭, 연삭, 연마 등의 각종의 가공을 실시하는 가공 장치에 설치되어, 웨이퍼(W)의 표면(WS)을 세정하는 것이다. 한편, 도 1에 도시한 예에서는, 세정 장치(1)는 가공 장치로서의 웨이퍼(W)에 절삭 가공을 실시하는 절삭 장치(100)에 설치되어 있다. The cleaning apparatus 1 as the wafer processing apparatus according to the embodiment is provided in a processing apparatus for performing various kinds of processing such as cutting, grinding, polishing and the like to clean the surface WS of the wafer W will be. On the other hand, in the example shown in Fig. 1, the cleaning apparatus 1 is provided in a cutting apparatus 100 for performing a cutting process on a wafer W as a processing apparatus.

한편, 세정 장치(1)에 의해 표면(WS)이 세정되는 웨이퍼(W)는, 본 실시형태에서는, 실리콘, 사파이어, 갈륨 등을 모재(母材)로 하는 원판형의 반도체 웨이퍼나 광디바이스 웨이퍼이며, 절삭, 연삭, 연마 등의 각종의 가공이 실시된 후에 세정 장치(1)에 의해 세정된다. 웨이퍼(W)는, 예컨대 표면(WS)에 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획된 각 영역에 디바이스가 형성되고, 분할 예정 라인을 따라 절삭되어, 개개의 디바이스로 분할된다. 웨이퍼(W)는 도 1에 도시한 바와 같이, 환형 프레임(F)에 장착된 보호 테이프(T)에 접착되고, 환형 프레임(F)에 보호 테이프(T)를 통해 장착된다. 보호 테이프(T)는 자외선(U)(도 4에 도시함)을 투과하는 재질로 구성되며, 자외선(U)이 조사됨으로써 점착층의 점성이 저하되는 재질로 구성되어 있다. 즉, 보호 테이프(T)는 자외선 경화형의 보호 테이프이다. On the other hand, in the present embodiment, the wafer W on which the surface WS is cleaned by the cleaning device 1 is a disk-shaped semiconductor wafer made of silicon, sapphire, gallium or the like as a base material, And is cleaned by the cleaning device 1 after various processing such as cutting, grinding, polishing and the like are performed. In the wafer W, a device is formed in each area partitioned by a plurality of lines to be divided, for example, on the surface WS, cut along the line to be divided, and divided into individual devices. The wafer W is adhered to the protective tape T mounted on the annular frame F and mounted to the annular frame F through the protective tape T as shown in Fig. The protective tape T is made of a material that transmits ultraviolet rays U (shown in FIG. 4), and is made of a material which is reduced in viscosity of the pressure-sensitive adhesive layer by irradiation with ultraviolet rays U. That is, the protective tape T is an ultraviolet curable protective tape.

세정 장치(1)를 설치한 절삭 장치(100)는 도 1에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)를 유지하는 척 테이블(110)과, 척 테이블(110)에 유지된 웨이퍼(W)를 절삭하기 위한 절삭 블레이드(121)를 구비한 절삭 수단(120)과, 척 테이블(110)을 X축 방향으로 이동시키는 X축 이동 수단(도시하지 않음)과, 절삭 수단(120)을 Y축 방향으로 이동시키는 Y축 이동 수단(도시하지 않음)과, 절삭 수단(120)을 Z축 방향으로 이동시키는 Z축 이동 수단(도시하지 않음)과, 척 테이블(110)을 Z축과 평행한 축심 주위로 회전시키는 회전 구동원(도시하지 않음) 등을 구비한다. 절삭 장치(100)는 X축 이동 수단과, Y축 이동 수단과, Z축 이동 수단 및 회전 구동원에 의해, 척 테이블(110)과 절삭 수단(120)을 X축 방향, Y축 방향, Z축 방향 및 Z축 주위로 상대적으로 이동시켜, 웨이퍼(W)에 절삭 가공을 실시하고 디바이스로 분할하는 것이다.1, the cutting apparatus 100 provided with the cleaning apparatus 1 includes a chuck table 110 for holding a wafer W and a chuck table 110 for holding the wafer W held on the chuck table 110 (Not shown) for moving the chuck table 110 in the X-axis direction, and a cutting means 120 for moving the chuck table 110 in the Y-axis direction A Z-axis moving means (not shown) for moving the cutting means 120 in the Z-axis direction, and a chuck table 110 for moving the chuck table 110 around the central axis parallel to the Z-axis And a rotation drive source (not shown) for rotating the motor. The cutting apparatus 100 is configured to move the chuck table 110 and the cutting means 120 in the X-axis direction, the Y-axis direction, the Z-axis direction, and the Z-axis direction by the X- Direction and the Z-axis, the wafer W is subjected to cutting processing and divided into devices.

또한, 절삭 장치(100)는, 절삭 전후의 웨이퍼(W)를 복수개 수용하는 카세트 엘리베이터(130)와, 카세트 엘리베이터(130)에 웨이퍼(W)를 출납하는 반입 반출 수단(140)과, 반입 반출 수단(140)과 척 테이블(110)과 세정 장치(1)에 걸쳐 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 수단(160)을 구비한다.The cutting apparatus 100 further includes a cassette elevator 130 for accommodating a plurality of wafers W before and after cutting, a carry-in and carry-out means 140 for loading and unloading wafers W into and from the cassette elevator 130, And a transfer means 160 for transferring the wafer W across the means 140, the chuck table 110 and the cleaning device 1. [

절삭 장치(100)는 반입 반출 수단(140)에 의해 카세트 엘리베이터(130) 내로부터 절삭 가공 전의 웨이퍼(W)를 취출하고, 취출된 웨이퍼(W)를 반송 수단(160)에 의해 척 테이블(110)에 반송한다. 그리고, 절삭 장치(100)는 척 테이블(110)에 웨이퍼(W)를 유지하고, X축 이동 수단과, Y축 이동 수단과, Z축 이동 수단 및 회전 구동원에 의해, 척 테이블(110)과 절삭 수단(120)을 X축 방향, Y축 방향, Z축 방향 및 Z축 주위로 상대적으로 이동시켜, 웨이퍼(W)에 절삭 가공을 실시하여 디바이스로 분할한다. 절삭 장치(100)는 절삭 가공 후의 웨이퍼(W)를 반송 수단(160)에 의해 척 테이블(110)로부터 세정 장치(1)에 반송한 후, 세정 장치(1)에 의해 세정한다. 그리고, 절삭 장치(100)는 절삭 가공 후의 웨이퍼(W)를 반송 수단(160)에 의해 반입 반출 수단(140)에 반송하고, 반입 반출 수단(140)에 의해 카세트 엘리베이터(130) 내에 수용한다.The cutting apparatus 100 takes out the wafer W before cutting from the cassette elevator 130 by the carry-in and carry-out means 140 and transfers the wafer W taken out by the carrying means 160 to the chuck table 110 . The cutting apparatus 100 holds the wafer W on the chuck table 110 and moves the chuck table 110 by the X-axis moving means, the Y-axis moving means, the Z-axis moving means, The cutting means 120 is relatively moved in the X-axis direction, the Y-axis direction, the Z-axis direction, and the Z-axis, and the wafer W is cut and divided into devices. The cutting apparatus 100 carries the wafer W after the cutting process to the cleaning apparatus 1 from the chuck table 110 by the transporting means 160 and then the wafer W is cleaned by the cleaning apparatus 1. The cutting apparatus 100 transports the wafer W after the cutting process to the carry-in / carry-out means 140 by the conveying means 160 and accommodates the wafer W in the cassette elevator 130 by the carry-

세정 장치(1)는 웨이퍼(W)를 회전시키면서 세정수(R)(도 3에 도시함)를 분사함으로써, 웨이퍼(W)의 표면(WS)을 세정하는, 소위 스피너 세정 장치이다. 또한, 본 발명에서는, 세정 장치(1)는 절삭 장치(100) 등의 가공 장치에 설치되지 않고 단독으로 구성되어도 좋다.The cleaning apparatus 1 is a so-called spinner cleaning apparatus that cleans the surface WS of the wafer W by spraying the cleaning water R (shown in FIG. 3) while rotating the wafer W. Further, in the present invention, the cleaning apparatus 1 may not be provided in the processing apparatus such as the cutting apparatus 100, but may be constituted independently.

세정 장치(1)는 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 세정 챔버(10)와, 웨이퍼(W)를 유지하는 유지 테이블(20)과, 세정 건조 수단(30)을 구비한다. 세정 챔버(10)는 웨이퍼(W)를 외부와 격리된 상태에서 세정하기 위한 것이다. 세정 챔버(10)는 본 실시형태에서는, 상방이 개구된 원통형의 형상이며, 내부에 유지 테이블(20)과, 세정 건조 수단(30) 등이 배치되어 있다. 세정 챔버(10)는 상방의 개구를 통해, 반송 수단(160)에 의해 웨이퍼(W)가 출납된다. 또한, 세정 챔버(10)는 웨이퍼(W)를 세정할 때에는, 상방의 개구가 도시하지 않은 덮개 등에 의해 막혀진다.1 and 2, the cleaning apparatus 1 includes a cleaning chamber 10, a holding table 20 for holding the wafer W, and a cleaning and drying means 30. The cleaning chamber 10 is for cleaning the wafer W in an isolated state from the outside. In the present embodiment, the cleaning chamber 10 has a cylindrical shape with an opening at the top, and a holding table 20, cleaning and drying means 30, and the like are disposed inside. The wafer W is carried in and out of the cleaning chamber 10 by the carrying means 160 through the upper opening. Further, when cleaning the wafer W, the cleaning chamber 10 is closed by an unillustrated lid or the like at the upper opening.

세정 건조 수단(30)은 유지 테이블(20)에 유지된 웨이퍼(W)의 표면(WS)을 세정하고 건조하는 것이다. 세정 건조 수단(30)은 도 2에 도시한 바와 같이, 세정수 분사 노즐(31)과, 세정 후의 웨이퍼(W)를 건조시키기 위한 고압 에어를 분사하는 에어 분사 노즐(32)을 구비한다.The cleaning and drying means 30 cleans and dries the surface WS of the wafer W held by the holding table 20. The cleaning and drying means 30 includes a cleaning water injection nozzle 31 and an air injection nozzle 32 for spraying high pressure air for drying the wafer W after cleaning as shown in FIG.

세정수 분사 노즐(31)은 유지 테이블(20)에 유지된 웨이퍼(W)의 표면(WS)에 세정수(R)를 분사하는 것이다. 세정수 분사 노즐(31)은 도전성을 갖는 금속으로 구성되며, 웨이퍼(W)를 세정할 때에는, 선단의 분사구(31a)가 유지 테이블(20) 상의 웨이퍼(W)를 향해 수직으로 세정수(R)를 분사한다. 세정수 분사 노즐(31)은 웨이퍼(W)를 세정할 때에는, 선단의 분사구(31a)가 유지 테이블(20)의 회전 중심을 지나도록, 도시하지 않은 모터에 의해 요동된다. 또한, 세정수 분사 노즐(31)은 세정 챔버(10) 내에 웨이퍼(W)를 출납할 때에는, 도시하지 않은 모터에 의해 유지 테이블(20)에 유지된 웨이퍼(W)의 상방으로부터 퇴피된다.The cleaning water injection nozzle 31 is for spraying the cleaning water R onto the surface WS of the wafer W held by the holding table 20. The cleaning water jetting nozzle 31 is made of metal having conductivity and when the wafer W is cleaned, the jetting port 31a at the front end is vertically directed toward the wafer W on the holding table 20, ). When the wafer W is cleaned, the cleaning water jetting nozzle 31 is rocked by a motor (not shown) so that the jetting port 31a at the tip end passes the rotation center of the holding table 20. The cleaning water jetting nozzle 31 is retracted from the upper side of the wafer W held by the holding table 20 by a motor (not shown) when the wafer W is put into or taken out from the cleaning chamber 10.

에어 분사 노즐(32)은 가압된 공기나 질소 등의 기체를 세정 후의 웨이퍼(W)에 분사하여, 세정 후의 웨이퍼(W)를 건조시키는 것이다. 에어 분사 노즐(32)은 웨이퍼(W)를 건조시킬 때에는, 선단의 분사구(32a)가 유지 테이블(20) 상의 웨이퍼(W)를 향해 고압 에어를 분사한다. 또한, 실시형태에서는, 에어 분사 노즐(32)은 세정수 분사 노즐(31)에 부착되고, 웨이퍼(W)를 건조시킬 때에는, 선단의 분사구(32a)가 유지 테이블(20)의 회전 중심을 지나도록, 세정수 분사 노즐(31)과 일체로 도시하지 않은 모터에 의해 요동된다. 한편, 세정수 분사 노즐(31)과 에어 분사 노즐(32)은 평행하게 배치되고, 에어 분사 노즐(32)은 세정수 분사 노즐(31)보다 길게 형성되어 있다. The air injection nozzle 32 blows pressurized air or gas such as nitrogen onto the cleaned wafer W to dry the cleaned wafer W. The air injection nozzle 32 injects the high pressure air toward the wafer W on the holding table 20 when the wafer W is dried. In the embodiment, the air injection nozzle 32 is attached to the cleaning water injection nozzle 31, and when the wafer W is dried, the jet opening 32a at the tip end passes the rotation center of the holding table 20 And is swung by a motor (not shown) integrally with the cleaning water jetting nozzle 31. [ On the other hand, the cleaning water jetting nozzle 31 and the air jetting nozzle 32 are arranged in parallel, and the air jetting nozzle 32 is longer than the cleaning water jetting nozzle 31.

유지 테이블(20)은 웨이퍼(W)의 이면(WR)측을 보호 테이프(T)를 통해 유지하여, Z축 방향과 평행한 축심 주위로 회전 가능한 것이다. 유지 테이블(20)은 도 2, 도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이, 유지 부재(21)와, 테이블 본체(22)와, 자외선 조사부(23)를 구비한다. The holding table 20 is rotatable around an axis parallel to the Z axis direction while holding the back surface WR side of the wafer W through the protective tape T. [ 2, 3, and 4, the holding table 20 includes a holding member 21, a table body 22, and an ultraviolet ray irradiating unit 23.

유지 부재(21)는 웨이퍼(W)의 이면(WR) 전면을 유지하는 유지면(21a)을 갖고 있다. 유지면(21a)에는, 웨이퍼(W) 이면(WR)을 흡인 유지하는 흡인 구멍(24)(흡인부에 상당)이 복수RO 형성되어 있다. 흡인 구멍(24)은 유지 부재(21)를 관통하여, 유지면(21a)에 개구되어 있다. 유지 부재(21)는 유리 등의 자외선(U)을 투과하는 재질로 형성되어 있다. 테이블 본체(22)는 유지 부재(21)의 유지면(21a)과 반대측의 면 사이에 공간(K)을 마련하고, 유지 부재(21)의 외측 가장자리를 둘러싸서, 유지 부재(21)에 부착되어 있다. 테이블 본체(22) 내의 공간(K)에는, 도시하지 않은 흡인 수단에 연결된 흡인 통로(25)가 개구되어 있다. 자외선 조사부(23)는 유지 부재(21)의 유지면(21a)과 반대측에 배치되어 있다. 자외선 조사부(23)는 공간(K)의 바닥면 등에 설치되며 또한 자외선(U)을 조사할 수 있는 LED(23a)를 복수개 구비한다.The holding member 21 has a holding surface 21a for holding the entire surface of the back surface WR of the wafer W. [ A plurality of suction holes 24 (corresponding to suction portions) for sucking and holding the back surface WR of the wafer W are formed on the holding surface 21a. The suction hole 24 passes through the holding member 21 and is opened to the holding surface 21a. The holding member 21 is made of a material that transmits ultraviolet rays U such as glass. The table body 22 is provided with a space K between the holding surface 21a and the opposite surface of the holding member 21 and surrounds the outer edge of the holding member 21, . In the space K in the table body 22, a suction passage 25 connected to a suction means (not shown) is opened. The ultraviolet ray irradiating unit 23 is disposed on the side opposite to the holding surface 21a of the holding member 21. [ The ultraviolet ray irradiating unit 23 includes a plurality of LEDs 23a which are provided on the bottom surface of the space K and are capable of irradiating the ultraviolet rays U.

유지 테이블(20)은 환형 프레임(F)에 보호 테이프(T)를 통해 장착된 웨이퍼(W)가 유지면(21a)에 배치되고, 흡인 수단에 의해 부압이 작용됨으로써 웨이퍼(W)의 이면(WR)을 유지면(21a)에 흡인 유지한다. 또한, 유지 테이블(20)은 세정 건조 수단(30)에 의한 웨이퍼(W)의 표면(WS)의 세정, 건조 후에, 자외선 조사부(23)의 복수의 LED(23a)로부터 자외선(U)을 유지 부재(21)를 통해 보호 테이프(T)의 점착층에 조사한다.The holding table 20 is constructed such that the wafer W mounted on the annular frame F through the protective tape T is disposed on the holding surface 21a and the negative pressure is applied by the suction means, WR) on the holding surface 21a. The holding table 20 holds the ultraviolet rays U from the plurality of LEDs 23a of the ultraviolet ray irradiating unit 23 after cleaning and drying the surface WS of the wafer W by the cleaning and drying means 30 And irradiates the adhesive layer of the protective tape (T) through the member (21).

또한, 유지 테이블(20)에는, 세정 장치(1)에 부착된 도시하지 않은 전동 모터의 구동축이 연결되어 있다. 유지 테이블(20)은 전동 모터의 회전 구동력에 의해, Z축 방향과 평행한 축심 주위로 회전된다. 또한, 유지 테이블(20) 주위에는, 웨이퍼(W) 주위의 환형 프레임(F)을 협지(挾持)하는 클램프부(26)가 복수개 설치되어 있다. 또한, 유지 테이블(20)은 도시하지 않은 승강 실린더 등에 의해, 웨이퍼(W)가 세정 챔버(10)에 출납될 때에는 상승하고, 웨이퍼(W)의 세정, 건조 중에는 하강한다.A driving shaft of an electric motor (not shown) attached to the cleaning device 1 is connected to the holding table 20. The holding table 20 is rotated around the axis parallel to the Z-axis direction by the rotational driving force of the electric motor. A plurality of clamp portions 26 for holding the annular frame F around the wafer W are provided around the holding table 20. The holding table 20 is lifted when the wafer W is carried into or out of the cleaning chamber 10 by an elevating cylinder or the like not shown and falls during cleaning and drying of the wafer W.

또한, 세정 장치(1)의 세정 챔버(10)에는, 세정수(R) 등을 배출하기 위한 도시하지 않은 배출구가 형성되어 있다. 세정 장치(1)는 절삭 장치(100)의 도시하지 않은 마이크로 프로세서를 주체로 하여 구성된 제어 수단에 의해 제어된다.In the cleaning chamber 10 of the cleaning apparatus 1, a discharge port (not shown) for discharging the cleaning water R or the like is formed. The cleaning apparatus 1 is controlled by control means configured mainly by a microprocessor (not shown) of the cutting apparatus 100.

다음으로, 실시형태에 따른 세정 장치(1)를 사용한 세정 방법, 즉 세정 장치(1)를 사용하여 웨이퍼(W)를 처리하는 웨이퍼 처리 방법을 설명한다. 웨이퍼 처리 방법으로서의 세정 방법은 흡인 유지 단계와, 세정 건조 단계와, 자외선 조사 단계를 포함한다.Next, a cleaning method using the cleaning apparatus 1 according to the embodiment, that is, a wafer processing method for processing the wafer W using the cleaning apparatus 1 will be described. The cleaning method as the wafer processing method includes a suction holding step, a cleaning drying step, and an ultraviolet irradiation step.

흡인 유지 단계에서는, 전술한 절삭 장치(100)의 반송 수단(160)에 의해, 세정 장치(1)의 유지 테이블(20)에 절삭 가공이 실시되고 또한 이면(WR)측에 보호 테이프(T)가 접착된 웨이퍼(W)가 배치된다. 한편, 이 상태에서는, 세정수 분사 노즐(31)의 분사구(31a), 에어 분사 노즐(32)의 분사구(32a)는 유지 테이블(20)의 상방으로부터 퇴피되어 있다. 그리고, 제어 수단이 승강 실린더로 유지 테이블(20)을 하강시키고, 흡인 수단을 구동하여, 웨이퍼(W)의 이면(WR)측을 보호 테이프(T)를 통해 유지 테이블(20)의 유지면(21a)에 흡인 유지한다. 또한, 클램프부(26)에 의해 환형 프레임(F)을 협지한다. 그리고, 덮개 등에 의해 세정 챔버(10)의 개구를 막고, 세정 건조 단계로 진행한다.In the suction holding step, the holding table 20 of the cleaning apparatus 1 is cut by the conveying means 160 of the above-described cutting apparatus 100 and the protective tape T is applied to the back surface WR side, The wafer W to which the wafer W is adhered is disposed. In this state, the injection port 31a of the cleaning water injection nozzle 31 and the injection port 32a of the air injection nozzle 32 are retracted from above the holding table 20. Then the control means lowers the holding table 20 with the lifting cylinder and drives the suction means so that the back surface WR side of the wafer W is held on the holding surface 20 of the holding table 20 21a. Further, the annular frame F is sandwiched by the clamp portion 26. Then, the opening of the cleaning chamber 10 is closed by a lid or the like, and the cleaning and drying step is performed.

세정 건조 단계에서는, 흡인 유지 단계를 실시한 후에, 제어 수단이 전동 모터를 구동하여, 유지 테이블(20)과 웨이퍼(W)를 축심 주위로 회전시키면서 세정 건조 수단(30)으로 웨이퍼(W) 표면(WS)을 세정 건조한다. 구체적으로는, 세정 건조 단계에서는, 도 3에 도시한 바와 같이, 제어 수단이 유지 테이블(20)에 유지된 웨이퍼(W)의 표면(WS)에 세정수 분사 노즐(31)의 분사구(31a)로부터 세정수(R)를 분사시키고, 도시하지 않은 모터에 의해 세정수 분사 노즐(31)과 에어 분사 노즐(32)을 요동시킨다.In the cleaning and drying step, the control means drives the electric motor to rotate the holding table 20 and the wafer W around the central axis, while the cleaning and drying means 30 performs the suction / WS) is washed and dried. 3, the control means controls the jetting port 31a of the cleaning water jetting nozzle 31 on the surface WS of the wafer W held by the holding table 20, And the cleaning water injection nozzle 31 and the air injection nozzle 32 are rocked by a motor (not shown).

그리고, 세정수(R)의 분사를 소정 시간 행한 후, 제어 수단은 세정수 분사 노즐(31)의 분사구(31a)로부터의 세정수(R)의 분사를 정지시키고, 유지 테이블(20)과 웨이퍼(W)를 축심 주위로 회전시키면서 도시하지 않은 모터에 의해 세정수 분사 노즐(31)과 에어 분사 노즐(32)을 요동시키면서, 에어 분사 노즐(32)의 분사구(32a)로부터 고압 에어를 웨이퍼(W)의 표면(WS)에 분출시킨다. 그리고, 고압 에어의 분사를 소정 시간 행한 후, 제어 수단은, 에어 분사 노즐(32)의 분사구(32a)로부터의 고압 에어의 분사를 정지시키고, 도시하지 않은 모터에 의해 세정수 분사 노즐(31)과 에어 분사 노즐(32)을 웨이퍼(W)의 상방으로부터 퇴피시키며, 유지 테이블(20)의 축심 주위의 회전을 정지시키고, 자외선 조사 단계로 진행한다.After the cleaning water R is sprayed for a predetermined time, the control means stops the spraying of the washing water R from the jetting port 31a of the washing water spraying nozzle 31, Pressure air from the injection port 32a of the air injection nozzle 32 while rotating the cleaning water injection nozzle 31 and the air injection nozzle 32 by a motor (not shown) while rotating the wafer W around the axis W on the surface WS. After the high-pressure air is injected for a predetermined time, the control means stops the injection of the high-pressure air from the injection port 32a of the air injection nozzle 32 and controls the cleaning water injection nozzle 31 by a motor (not shown) And the air injection nozzle 32 are retracted from above the wafer W to stop the rotation around the central axis of the holding table 20 and proceed to the ultraviolet irradiation step.

자외선 조사 단계에서는, 세정 건조 단계를 실시한 후에, 제어 수단은 도 4에 도시한 바와 같이, 자외선 조사부(23)의 복수의 LED(23a)에 의해 웨이퍼(W) 이면(WR) 전면에 소정 시간 자외선(U)을 조사한다. 한편, 자외선 조사 단계에서는, 전동 모터에 의한 유지 테이블(20)의 회전을 정지하고 있으나, 관성 등에 의해 유지 테이블(20)이 축심 주위로 회전하고 있어도 좋고, 유지 테이블(20)이 정지하고 있어도 좋다. 그리고, 제어 수단은 유지 테이블(20)의 흡인 유지와 클램프부(26)의 환형 프레임(F)의 협지를 해제한다. 제어 수단은, 반송 수단(160) 등에 의해 유지 테이블(20) 상의 웨이퍼(W)를 카세트 엘리베이터(130)에 반송한다. 한편, 세정 건조 단계에서 이용된 세정수(R)는 세정 챔버(10)에 형성된 배출구 등을 통해 세정 장치(1) 밖으로 배출된다.4, after the cleaning and drying step is performed, the control means controls the entire surface of the wafer W (WR) with a plurality of LEDs 23a of the ultraviolet ray irradiating unit 23, (U). On the other hand, in the ultraviolet irradiation step, the rotation of the holding table 20 by the electric motor is stopped, but the holding table 20 may be rotated around the central axis by inertia or the holding table 20 may be stopped . Then, the control means releases suction holding of the holding table 20 and clamping of the annular frame (F) of the clamp portion (26). The control means conveys the wafer W on the holding table 20 to the cassette elevator 130 by the conveying means 160 or the like. On the other hand, the washing water R used in the washing and drying step is discharged to the outside of the washing apparatus 1 through an outlet or the like formed in the washing chamber 10.

이상과 같이, 실시형태에 따른 세정 장치(1) 및 세정 방법에 의하면, 유지 테이블(20)의 유지 부재(21)를 자외선(U)이 투과 가능한 재질로 구성하고, 유지 부재(21)의 하방에 자외선 조사부(23)를 설치한다. 이 때문에, 자외선 조사부(23)를, 세정 장치(1)의 유지 테이블(20)의 유지 부재(21)와 포개어 설치하기 때문에, 자외선 조사부(23)를 설치하기 위해서 세정 장치(1)나 절삭 장치(100)가 대형화되는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 세정 장치(1)나 절삭 장치(100)의 설치에 따른 장치 면적을 증대시키지 않고, 효율적으로 자외선(U)의 조사가 가능해진다.As described above, according to the cleaning apparatus 1 and the cleaning method according to the embodiment, the holding member 21 of the holding table 20 is made of a material which can transmit the ultraviolet rays U, The ultraviolet ray irradiating unit 23 is provided. Therefore, since the ultraviolet ray irradiating section 23 is superimposed on the holding member 21 of the holding table 20 of the cleaning apparatus 1, the cleaning apparatus 1 and the cutting apparatus It is possible to suppress the size of the display device 100 from being increased. Therefore, the ultraviolet ray U can be efficiently irradiated without increasing the area of the apparatus required for the cleaning apparatus 1 and the cutting apparatus 100 installed.

또한, 실시형태에 따른 세정 장치(1) 및 세정 방법에 의하면, 자외선 조사부(23)를 유지 테이블(20)의 유지 부재(21)의 하방에 설치하기 때문에, 세정 건조 단계를 실시한 후에 신속히 자외선 조사 단계를 실시할 수 있다. 따라서, 효율적으로 자외선(U)의 조사가 가능해진다. 또한, 본 발명에서는, 세정 건조 단계 실시 개시 후, 세정 건조 단계를 한창 실시하고 있는 중에, 자외선 조사부(23)에 의해 자외선(U)을 웨이퍼(W) 이면(WR) 전면에 조사해도 좋다. 이 경우, 보다 효율적으로 자외선(U)의 조사가 가능해진다. 이와 같이, 본 발명의 세정 건조 단계를 실시한 후에 자외선 조사 단계를 실시한다고 하는 것은, 세정 건조 단계 실시 개시 후, 세정 건조 단계를 한창 실시하고 있는 중에 자외선 조사 단계를 실시하는 것도 포함된다. According to the cleaning apparatus 1 and the cleaning method according to the embodiment, since the ultraviolet ray irradiating unit 23 is provided below the holding member 21 of the holding table 20, Step can be carried out. Therefore, irradiation with the ultraviolet light U can be efficiently performed. In the present invention, the ultraviolet ray U may be irradiated to the entire surface of the backside WR of the wafer W by the ultraviolet ray irradiating unit 23 while the washing / drying step is started and the washing / drying step is in progress. In this case, the ultraviolet ray U can be irradiated more efficiently. As described above, the ultraviolet ray irradiation step after the cleaning and drying step of the present invention includes the step of performing the ultraviolet ray irradiation step while the cleaning and drying step is being carried out after the initiation of the cleaning and drying step.

〔변형예〕[Modifications]

본 발명의 실시형태의 변형예에 따른 웨이퍼 처리 장치 및 웨이퍼 처리 방법을 도면에 기초하여 설명한다. 도 5는 실시형태의 변형예에 따른 웨이퍼 처리 장치로서의 세정 장치의 일부를 단면으로 나타낸 사시도이다. 도 6은 실시형태의 변형예에 따른 웨이퍼 처리 장치로서의 세정 장치를 이용한 웨이퍼 처리 방법의 자외선 조사 단계를 도시한 단면도이다. 한편, 도 5 및 도 6에 있어서, 전술한 실시형태와 동일 부분에는, 동일 부호를 붙이고 설명을 생략한다.A wafer processing apparatus and a wafer processing method according to a modified example of the embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. Fig. 5 is a perspective view showing a part of a cleaning apparatus as a wafer processing apparatus according to a modification of the embodiment, in cross section. Fig. 6 is a cross-sectional view showing an ultraviolet irradiation step of a wafer processing method using a cleaning apparatus as a wafer processing apparatus according to a modification of the embodiment. 5 and 6, the same reference numerals are given to the same parts as in the above-described embodiment, and a description thereof is omitted.

실시형태의 변형예에 따른 웨이퍼 처리 장치로서의 세정 장치(1-1)는 도 5 및 도 6에 도시한 바와 같이, 유지 테이블(20)의 유지면(21a)에 흡인부로서의 흡인홈(24-1)이 복수개 형성되어 있다. 흡인홈(24-1)은 유지면(21a)으로부터 오목하게 형성되며, 유지면(21a)의 중앙으로부터 방사형으로 연장되어 있다. 흡인홈(24-1)은 유지면(21a)의 중앙으로부터 외주 방향으로 직선형으로 연장되어 있다. 또한, 테이블 본체(22)에 형성된 흡인 통로(25)는 흡인홈(24-1)에 연통(連通)되어 있다.5 and 6, the cleaning apparatus 1-1 as the wafer processing apparatus according to the modification of the embodiment is provided with the suction grooves 24- 1) are formed. The suction groove 24-1 is formed concave from the holding surface 21a and extends radially from the center of the holding surface 21a. The suction groove 24-1 extends linearly from the center of the holding surface 21a in the outer circumferential direction. Further, the suction passage 25 formed in the table body 22 is communicated with the suction groove 24-1.

실시형태의 변형예에 따른 웨이퍼 처리 장치로서의 세정 장치(1-1)는 실시형태와 마찬가지로, 설치에 따른 장치 면적을 증대시키지 않고, 효율적으로 자외선(U)의 조사가 가능해진다. The cleaning apparatus 1-1 as the wafer processing apparatus according to the modification of the embodiment can efficiently irradiate the ultraviolet ray U without increasing the area of the apparatus upon installation as in the embodiment.

전술한 실시형태에서는 가공 장치로서 절삭 장치(100)를 나타내고 있으나, 본 발명에서는 이것에 한정되지 않고, 연마 장치, 연삭 장치, 레이저 가공 장치 등의 여러 가지 가공 장치에 적용해도 좋다. 또한, 전술한 실시형태에서는, 웨이퍼 처리 장치로서 세정 장치(1)를 나타내고 있으나, 본 발명에서는, 이것에 한정하지 않고, 웨이퍼(W)의 표면(WS)에 보호막을 도포한 후에 보호막을 제거하는 보호막 형성겸 세정 장치 등의 여러 가지 웨이퍼 처리 장치에 적용해도 좋다.Although the cutting apparatus 100 is shown as the machining apparatus in the above-described embodiment, the present invention is not limited to this, and may be applied to various machining apparatuses such as a grinding apparatus, a grinding apparatus, and a laser machining apparatus. Although the cleaning apparatus 1 is shown as the wafer processing apparatus in the above-described embodiment, the present invention is not limited to this, and the protective film may be removed after the protective film is applied to the surface WS of the wafer W And may be applied to various wafer processing apparatuses such as a protective film forming and cleaning apparatus.

한편, 본 발명은 상기 실시형태, 변형예에 한정되는 것은 아니다. 즉, 본 발명의 골자를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지로 변형하여 실시할 수 있다.On the other hand, the present invention is not limited to the above-described embodiments and modifications. In other words, various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.

1: 세정 장치(웨이퍼 처리 장치) 20: 유지 테이블
21: 유지 부재 21a: 유지면
23: 자외선 조사부 24: 흡인 구멍(흡인부)
24-1: 흡인홈(흡인부) 30: 세정 건조 수단
T: 보호 테이프 U: 자외선
W: 웨이퍼 WS: 표면
WR: 이면1: Cleaning apparatus (wafer processing apparatus) 20: Holding table
21: holding member 21a: holding face
23: ultraviolet ray irradiation part 24: suction hole (suction part)
24-1: suction groove (suction portion) 30: cleaning and drying means
T: Protective tape U: Ultraviolet ray
W: wafer WS: surface
WR:

Claims (2)

웨이퍼의 이면측을 유지하고 회전 가능한 유지 테이블과, 이 유지 테이블에 유지된 웨이퍼의 표면을 세정하고 건조하는 세정 건조 수단을 구비한 웨이퍼 처리 장치에 있어서,
상기 유지 테이블은, 웨이퍼 이면을 흡인 유지하는 흡인부가 형성되어 이면 전면을 유지하는 유지면을 가지며 또한 자외선을 투과하는 재질로 형성된 유지 부재와, 이 유지 부재의 유지면과 반대측에 배치된 자외선 조사부를 구비하는 것인 웨이퍼 처리 장치. 1. A wafer processing apparatus comprising: a holding table rotatably holding a back side of a wafer; and cleaning and drying means for cleaning and drying the surface of the wafer held by the holding table,
The holding table includes a holding member having a holding surface for holding the front surface of the wafer and having a suction portion for holding the back surface of the wafer so as to attract and hold the back surface of the wafer and an ultraviolet ray irradiating portion disposed on the opposite side of the holding surface of the holding member, And the wafer processing apparatus. 제1항에 기재된 웨이퍼 처리 장치를 사용하여 웨이퍼를 처리하는 웨이퍼 처리 방법에 있어서,
이면측에 자외선 경화형의 보호 테이프가 접착된 웨이퍼의 이면측을 상기 유지 테이블의 유지면에 흡인 유지하는 흡인 유지 단계와,
상기 흡인 유지 단계를 실시한 후에, 상기 유지 테이블을 회전시키면서 상기 세정 건조 수단에 의해 웨이퍼 표면을 세정 건조하는 세정 건조 단계와,
상기 세정 건조 단계를 실시한 후에, 상기 자외선 조사부에 의해 웨이퍼 이면 전면에 자외선을 조사하는 자외선 조사 단계
를 포함하는 웨이퍼 처리 방법.
A wafer processing method for processing a wafer using the wafer processing apparatus according to claim 1,
A suction holding step of holding the back side of the wafer to which the ultraviolet curable protective tape is adhered on the back surface side by suction on the holding surface of the holding table;
A cleaning and drying step of cleaning and drying the surface of the wafer by the cleaning and drying means while rotating the holding table after the suction and holding step;
An ultraviolet ray irradiation step of irradiating ultraviolet rays to the entire back surface of the wafer by the ultraviolet ray irradiation unit
And a wafer processing method.
KR1020150030244A 2014-03-12 2015-03-04 Apparatus and method for processing wafer KR20150106833A (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014049333A JP6277021B2 (en) 2014-03-12 2014-03-12 Wafer processing apparatus and wafer processing method
JPJP-P-2014-049333 2014-03-12

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20150106833A true KR20150106833A (en) 2015-09-22

Family

ID=54085540

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150030244A KR20150106833A (en) 2014-03-12 2015-03-04 Apparatus and method for processing wafer

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6277021B2 (en)
KR (1) KR20150106833A (en)
CN (1) CN104916567B (en)
TW (1) TWI639187B (en)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6181799B1 (en) * 2016-04-01 2017-08-16 ソウ テクノロジー カンパニー、リミテッド Semiconductor strip grinder
EP4101473A1 (en) * 2016-05-25 2022-12-14 Teleflex Life Sciences Unlimited Company Method of making a ready-to-use catheter assembly and a ready-to-use catheter assembly
US10665507B2 (en) * 2017-09-29 2020-05-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Automated transfer and drying tool for process chamber
JP7126750B2 (en) * 2018-03-20 2022-08-29 株式会社ディスコ cutting equipment
CN109712927A (en) * 2018-12-28 2019-05-03 天津洙诺科技有限公司 A kind of cleaning semiconductor chip machine
JP2021009981A (en) * 2019-07-03 2021-01-28 株式会社ディスコ Processing device

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3232575B2 (en) * 1990-10-16 2001-11-26 ソニー株式会社 Semiconductor processing equipment
JP3502498B2 (en) * 1996-01-22 2004-03-02 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate processing equipment
JP3464596B2 (en) * 1996-09-13 2003-11-10 富士通株式会社 Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus
JP4311857B2 (en) * 2000-04-05 2009-08-12 日東電工株式会社 UV irradiation equipment
JP2002346379A (en) * 2001-05-25 2002-12-03 Techno Plex:Kk Ultraviolet irradiation apparatus and ultraviolet irradiation method
CN100442448C (en) * 2003-08-07 2008-12-10 株式会社荏原制作所 Substrate processing apparatus, substrate processing method, and substrate holding apparatus
JP2005064151A (en) * 2003-08-08 2005-03-10 Sanyo Electric Co Ltd Method and device for supplying semiconductor chip
US7241642B2 (en) * 2004-01-30 2007-07-10 Intel Corporation Mounting and dicing process for wafers
JP2005347675A (en) * 2004-06-07 2005-12-15 Fujitsu Ltd Method for manufacturing element having fine structure
JP2006310395A (en) * 2005-04-26 2006-11-09 Tokyo Seimitsu Co Ltd Method of cleaning wafer in dicing apparatus
JP4624931B2 (en) * 2006-01-19 2011-02-02 キヤノンマシナリー株式会社 Pickup device and pickup method
JP2007329300A (en) * 2006-06-08 2007-12-20 Disco Abrasive Syst Ltd Ultraviolet ray irradiation apparatus and cutter including the same
US7811904B2 (en) * 2007-01-31 2010-10-12 Alpha And Omega Semiconductor Incorporated Method of fabricating a semiconductor device employing electroless plating
WO2008142975A1 (en) * 2007-05-18 2008-11-27 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. Dicing apparatus and dicing method
JP2010123858A (en) * 2008-11-21 2010-06-03 Disco Abrasive Syst Ltd Method and device for spinner type washing
JP5389473B2 (en) * 2009-03-03 2014-01-15 株式会社ディスコ Spinner cleaning device
JP2013141651A (en) * 2012-01-11 2013-07-22 Lintec Corp Energy ray irradiation apparatus
JP5955675B2 (en) * 2012-07-18 2016-07-20 株式会社ディスコ Processing device with ultraviolet irradiation means
CN103325717B (en) * 2013-06-08 2018-04-03 上海集成电路研发中心有限公司 One chip cleaning equipment and its cleaning method

Also Published As

Publication number Publication date
JP2015173233A (en) 2015-10-01
CN104916567B (en) 2019-06-14
CN104916567A (en) 2015-09-16
JP6277021B2 (en) 2018-02-07
TW201539561A (en) 2015-10-16
TWI639187B (en) 2018-10-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20150106833A (en) Apparatus and method for processing wafer
JP5324180B2 (en) Laser processing method and laser processing apparatus
TWI392002B (en) Laser processing device
JP6904368B2 (en) Semiconductor substrate processing method and semiconductor substrate processing equipment
JP5320014B2 (en) Grinding equipment
JP2007142327A (en) Device of processing semiconductor wafer
KR20180036557A (en) Machining apparatus
KR101104185B1 (en) Wafer back side coating machine
TWI626681B (en) Wafer processing method
KR20200068590A (en) Wafer dividing apparatus
KR20190062366A (en) Substrate cleaning device, substrate processing apparatus, substrate cleaning method and substrate processing method
JP6210847B2 (en) Cutting apparatus and cutting method
JP5350818B2 (en) Grinding equipment
JP5091654B2 (en) Chuck table mechanism
JP4776431B2 (en) Protective film coating equipment
JP7242268B2 (en) Dicing machine
JP2012139660A (en) Spinner cleaning device
JP4533242B2 (en) Wafer transfer device and wafer grinding-etching system
JP2019192853A (en) Cleaning apparatus
JP6401988B2 (en) Processing apparatus and wafer processing method
JP5548535B2 (en) UV irradiation equipment
WO2020209127A1 (en) Substrate processing method and substrate processing system
JP5840932B2 (en) Resin film forming equipment
KR20060108316A (en) Apparatus grinding back-side of wafer
TW202205419A (en) Forming method of sheet and protection member

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application