JP5840932B2 - Resin film forming equipment - Google Patents

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Description

本発明は、ウェーハの表面に所定の膜厚の樹脂膜を形成する樹脂膜形成装置に関する。   The present invention relates to a resin film forming apparatus that forms a resin film having a predetermined thickness on the surface of a wafer.

半導体デバイスの製造工程においては、略円板状のウェーハの表面に格子状に分割予定ラインが形成され、分割予定ラインにより区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等の回路が形成される。ウェーハは、切削装置により分割予定ラインに沿って切削され、個々の半導体チップに分割される。このようにして分割された半導体チップは、パッケージングされて携帯電話やパソコン等の電気機器に広く利用される。   In the semiconductor device manufacturing process, division lines are formed in a lattice pattern on the surface of a substantially disk-shaped wafer, and circuits such as ICs and LSIs are formed in regions partitioned by the division lines. The wafer is cut along a division line by a cutting device and divided into individual semiconductor chips. The semiconductor chip thus divided is packaged and widely used in electric devices such as mobile phones and personal computers.

ウェーハをストリートに沿って分割する方法として、レーザー加工により分割する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１のレーザー加工方法では、レーザー光線の照射領域に発生する熱エネルギーにより、ウェーハがストリートに沿って連続的に加工される。ウェーハ上の照射領域には、熱エネルギーが集中してデブリ（加工屑）が発生し、このデブリがウェーハ表面に付着して半導体チップの品質を低下させるという問題が起こっていた。   As a method of dividing the wafer along the street, a method of dividing the wafer by laser processing is known (for example, see Patent Document 1). In the laser processing method disclosed in Patent Document 1, a wafer is continuously processed along a street by thermal energy generated in an irradiation region of a laser beam. In the irradiation area on the wafer, heat energy is concentrated and debris (processing waste) is generated, and this debris adheres to the wafer surface, causing a problem that the quality of the semiconductor chip is deteriorated.

この問題を解決するために、本件出願人は、ウェーハ表面に水溶性の樹脂膜を形成し、樹脂膜を通してウェーハにレーザー光線を照射するレーザー加工装置を考案した（例えば、特許文献２参照）。特許文献２に記載のレーザー加工装置では、スピンナテーブル上のウェーハ表面に液状樹脂が供給され、いわゆるスピンコート法によってウェーハ表面に樹脂膜が形成される。この樹脂膜を通してウェーハがレーザー加工され、加工によって飛散したデブリが樹脂膜に付着される。そして、洗浄装置においてデブリが付着した樹脂膜が除去されることで、ウェーハ表面へのデブリの付着を抑制して半導体チップの品質低下が防止される。   In order to solve this problem, the present applicant has devised a laser processing apparatus that forms a water-soluble resin film on the wafer surface and irradiates the wafer with a laser beam through the resin film (see, for example, Patent Document 2). In the laser processing apparatus described in Patent Document 2, a liquid resin is supplied to the wafer surface on the spinner table, and a resin film is formed on the wafer surface by a so-called spin coating method. The wafer is laser processed through the resin film, and debris scattered by the processing is attached to the resin film. Then, by removing the resin film to which the debris is attached in the cleaning device, the adhesion of the debris to the wafer surface is suppressed and the deterioration of the quality of the semiconductor chip is prevented.

特開平１０−３０５４２０号公報JP-A-10-305420 特開２００４−３２２１６８号公報JP 2004-322168 A

上記したスピンコート法によりウェーハ表面に樹脂膜を形成する場合、スピンナテーブルの回転に伴う遠心力によって液状樹脂の大半が飛散して廃棄されてしまっていた。このため、ウェーハ表面に樹脂膜を形成する際にコストが増大するという問題があった。   When a resin film is formed on the wafer surface by the spin coating method described above, most of the liquid resin has been scattered and discarded due to the centrifugal force accompanying the rotation of the spinner table. For this reason, there has been a problem that the cost increases when a resin film is formed on the wafer surface.

本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、液状樹脂の廃棄を少なくして、樹脂膜の形成コストを低減できる樹脂膜形成装置を提供することを目的とする。   This invention is made | formed in view of this point, and it aims at providing the resin film forming apparatus which can reduce the disposal cost of a resin film by reducing discard of liquid resin.

本発明の樹脂膜形成装置は、ウェーハの表面に所定厚みの樹脂膜を形成する樹脂膜形成装置であって、ウェーハを上面に吸引保持する保持手段と、前記保持手段に対峙して配設され前記保持手段に保持されたウェーハ表面に液状樹脂を塗布する塗布手段と、前記保持手段と前記塗布手段とを相対的に平行にスライドさせる移動手段とを備え、前記保持手段は、ウェーハの外径と同等の径の水平面からなりウェーハを吸引保持する吸着部と、前記吸着部の外周を囲繞して立設しウェーハの外径よりも大径の外周囲繞部と、前記外周囲繞部に積層して配設されたリング形状のゴム部材と、から構成され、前記塗布手段は、前記リング形状のゴム部材の外径と同等の外径を有し前記保持手段に対峙する対峙面が水平面で且つ撥水性の高い材質で形成された定盤と、前記定盤中央に形成され且つ液状樹脂を供給する樹脂供給源に連通した供給口と、前記定盤の中心にウェーハ中心を位置づけた際のウェーハの外径と同等位置を囲繞するように形成され且つ吸引源に連通した吸引口と、から構成され、前記保持手段の前記外周囲繞部と前記ゴム部材とは、前記保持手段の前記吸着部にウェーハを吸引保持し前記保持手段の前記ゴム部材に前記塗布手段の対峙面を当接した際に、ウェーハの表面と前記定盤の前記対峙面との隙間が、塗布する樹脂膜の所定厚みに相当するように設定されており、ウェーハに液状樹脂を塗布する際には、前記保持手段の前記吸着部にウェーハが吸引保持され、前記保持手段の中心に前記塗布手段の中心を位置付け且つ前記保持手段の前記ゴム部材に前記塗布手段の前記対峙面における前記吸引口よりも径方向外側を当接させ、前記供給口から液状樹脂を供給するとともに前記吸引口から吸引しウェーハの表面に液状樹脂を塗布し、液状樹脂塗布後に前記塗布手段を前記保持手段から剥離する際には、前記保持手段の前記定盤の前記対峙面に前記保持手段の前記ゴム部材を当接させた状態で、前記移動手段により前記保持手段と前記塗布手段とを相対的に平行にスライドさせることを特徴とする。   The resin film forming apparatus of the present invention is a resin film forming apparatus for forming a resin film having a predetermined thickness on the surface of a wafer, and is disposed opposite to the holding means for sucking and holding the wafer on the upper surface. A coating means for applying a liquid resin to the wafer surface held by the holding means; and a moving means for sliding the holding means and the coating means relatively in parallel, wherein the holding means has an outer diameter of the wafer. A suction part that holds and holds the wafer by suction, and an outer peripheral flange part that surrounds the outer periphery of the suction part and has a diameter larger than the outer diameter of the wafer, and is stacked on the outer peripheral flange part. A ring-shaped rubber member disposed in a row, and the application means has an outer diameter equivalent to the outer diameter of the ring-shaped rubber member, and a facing surface facing the holding means is a horizontal plane and Made of highly water-repellent material A surface plate, a supply port formed in the center of the surface plate and connected to a resin supply source for supplying a liquid resin, and a position equivalent to the outer diameter of the wafer when the wafer center is positioned at the center of the surface plate. A suction port formed so as to surround and communicated with a suction source, and the outer peripheral flange portion and the rubber member of the holding means suck and hold the wafer in the suction portion of the holding means and hold the wafer The gap between the surface of the wafer and the facing surface of the surface plate is set so as to correspond to a predetermined thickness of the resin film to be coated when the facing surface of the coating means is brought into contact with the rubber member of the means. When applying the liquid resin to the wafer, the wafer is sucked and held by the suction portion of the holding means, the center of the application means is positioned at the center of the holding means, and the rubber member of the holding means is Of application means The outer surface in the radial direction is brought into contact with the suction surface on the opposite surface, and the liquid resin is supplied from the supply port and sucked from the suction port to apply the liquid resin to the surface of the wafer. In the state where the rubber member of the holding means is in contact with the facing surface of the surface plate of the holding means, the holding means and the coating means are separated by the moving means. Are relatively slid in parallel.

この構成によれば、保持手段の外周に設けたゴム部材に定盤の対峙面を当接させることで、保持手段に保持されたウェーハの上方に液密な空間が形成される。定盤中央の供給口から液密な空間に液状樹脂が供給され、定盤外周側の吸引口からの吸引によって液状樹脂がウェーハ表面の全域に広げられる。そして、保持手段と塗布手段とを相対的に平行にスライドさせることで、樹脂表面から定盤の対峙面が剥離され、ウェーハ表面に所定厚みの樹脂膜が形成される。よって、スピンコート法のように液状樹脂の大半が廃棄されることがなく、樹脂膜の形成コストを低減できる。   According to this configuration, a liquid-tight space is formed above the wafer held by the holding unit by bringing the opposing surface of the surface plate into contact with the rubber member provided on the outer periphery of the holding unit. The liquid resin is supplied to the liquid-tight space from the supply port at the center of the surface plate, and the liquid resin is spread over the entire surface of the wafer by suction from the suction port on the outer periphery of the surface plate. Then, the opposing surface of the surface plate is peeled from the resin surface by sliding the holding unit and the coating unit relatively in parallel, and a resin film having a predetermined thickness is formed on the wafer surface. Therefore, most of the liquid resin is not discarded unlike the spin coating method, and the formation cost of the resin film can be reduced.

本発明によれば、液状樹脂の廃棄を少なくして、樹脂膜の形成コストを低減できる。   According to the present invention, it is possible to reduce the disposal cost of the resin film by reducing the disposal of the liquid resin.

本実施の形態に係るレーザー加工装置の上面模式図である。It is an upper surface schematic diagram of the laser processing apparatus which concerns on this Embodiment. 本実施の形態に係る成膜用テーブルの斜視図である。It is a perspective view of the film-forming table which concerns on this Embodiment. 本実施の形態に係る塗布部の斜視図である。It is a perspective view of the application part which concerns on this Embodiment. 本実施の形態に係る樹脂膜形成装置による塗布動作の説明図である。It is explanatory drawing of the application | coating operation | movement by the resin film forming apparatus which concerns on this Embodiment. 本実施の形態に係るレーザー加工装置の全体動作の説明図である。It is explanatory drawing of the whole operation | movement of the laser processing apparatus which concerns on this Embodiment. 変形例に係る樹脂膜形成装置の斜視図である。It is a perspective view of the resin film forming apparatus which concerns on a modification. 変形例に係る塗布部の対峙面を示す平面模式図である。It is a plane schematic diagram which shows the facing surface of the application part which concerns on a modification.

以下、添付図面を参照して、本実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態に係る樹脂膜形成装置を備えたレーザー加工装置の上面模式図である。なお、以下においては、樹脂膜形成装置をレーザー加工装置に適用する構成について説明するが、この構成に限定されるものではない。本実施の形態に係る樹脂膜形成装置は、成膜後のウェーハを加工する加工装置や、樹脂膜形成専用の装置に適用可能である。   Hereinafter, the present embodiment will be described with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a schematic top view of a laser processing apparatus provided with a resin film forming apparatus according to the present embodiment. In the following, a configuration in which the resin film forming apparatus is applied to a laser processing apparatus will be described, but the present invention is not limited to this configuration. The resin film forming apparatus according to the present embodiment can be applied to a processing apparatus that processes a wafer after film formation or an apparatus dedicated to resin film formation.

図１に示すように、レーザー加工装置１は、樹脂膜形成装置２を備えており、ウェーハＷに樹脂膜を形成すると共に、成膜後のウェーハＷをレーザー加工するように構成されている。ウェーハＷは、略円板状に形成されており、表面に格子状に配列されたストリート（分割予定ライン）によって複数の領域に区画されている。ストリートによって区画された各領域には、ＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスが形成されている。ウェーハＷは、カセット内に収容された状態でレーザー加工装置１に搬入および搬出される。   As shown in FIG. 1, the laser processing apparatus 1 includes a resin film forming apparatus 2 and is configured to form a resin film on the wafer W and to laser process the wafer W after film formation. The wafer W is formed in a substantially disc shape, and is partitioned into a plurality of regions by streets (division lines) arranged in a lattice pattern on the surface. Devices such as IC and LSI are formed in each area partitioned by the street. The wafer W is carried into and out of the laser processing apparatus 1 while being accommodated in the cassette.

なお、本実施の形態においては、シリコンウェーハ（Ｓｉ）、ガリウムヒソ（ＧａＡｓ）、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）等のウェーハＷを例に挙げて説明するが、この構成に限定されるものではない。例えば、チップ実装用としてウェーハＷの裏面に設けられるＤＡＦ（Die Attach Film）等の粘着部材、半導体製品のパッケージ、セラミック、ガラス、サファイア（Al2O3）系の無機材料基板、各種電気部品、ミクロンオーダーの加工位置精度が要求される各種加工材料をワークとしてもよい。 In the present embodiment, a wafer W such as a silicon wafer (Si), gallium susceptor (GaAs), or silicon carbide (SiC) will be described as an example. However, the present invention is not limited to this configuration. For example, adhesive members such as DAF (Die Attach Film) provided on the back surface of the wafer W for chip mounting, semiconductor product packages, ceramics, glass, sapphire (Al 2 O 3 ) based inorganic material substrates, various electrical components, Various workpiece materials that require micron-order machining position accuracy may be used as the workpiece.

レーザー加工装置１は、直方体状の基台１１と、基台１１上の後方に立設した立壁部１２とを有している。基台１１上の一側方には、ウェーハＷの表面に樹脂膜を形成する他、加工済みのウェーハＷを洗浄する樹脂膜形成装置２が設けられている。基台１１上の他側方には、成膜後のウェーハＷをレーザー加工するレーザー加工ユニット３が設けられている。また、基台１１の上方には、チャックテーブル４と樹脂膜形成装置２との間でウェーハＷの受け渡しを行う搬送機構５が設けられている。   The laser processing apparatus 1 includes a rectangular parallelepiped base 11 and a standing wall portion 12 erected on the rear side of the base 11. On one side of the base 11, a resin film forming apparatus 2 for cleaning the processed wafer W is provided in addition to forming a resin film on the surface of the wafer W. On the other side of the base 11, a laser processing unit 3 that performs laser processing on the wafer W after film formation is provided. In addition, a transfer mechanism 5 that transfers the wafer W between the chuck table 4 and the resin film forming apparatus 2 is provided above the base 11.

樹脂膜形成装置２は、基台１１上に成膜室を形成する筐体２１を有している。筐体２１内には、ウェーハＷを保持する成膜用テーブル（保持手段）２２と、ウェーハＷの表面に液状樹脂８１を塗布する塗布部（塗布手段）２３とが設けられている。成膜用テーブル２２の外縁部分は、上面中央に保持されたウェーハＷを囲むように突出し、後述するゴム部材６８を介して塗布部２３に覆われることでウェーハＷの上方に液密な空間Ｓを形成する（図４参照）。樹脂膜形成装置２では、この液密な空間Ｓに液状樹脂８１を供給することでウェーハＷの表面に樹脂膜を形成する。なお、樹脂膜形成装置２による塗布構成の詳細については後述する。   The resin film forming apparatus 2 includes a housing 21 that forms a film forming chamber on the base 11. A film forming table (holding means) 22 for holding the wafer W and an application section (application means) 23 for applying the liquid resin 81 to the surface of the wafer W are provided in the housing 21. The outer edge portion of the film forming table 22 protrudes so as to surround the wafer W held at the center of the upper surface, and is covered with the coating unit 23 via a rubber member 68 described later, so that a liquid-tight space S is formed above the wafer W. (See FIG. 4). In the resin film forming apparatus 2, the resin film is formed on the surface of the wafer W by supplying the liquid resin 81 to the liquid-tight space S. The details of the coating configuration by the resin film forming apparatus 2 will be described later.

液状樹脂８１としては、例えば、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）やポリエチレングリコール（ＰＥＧ）等の水溶性樹脂がウェーハＷに塗布される。なお、液状樹脂８１には、レーザー波長の光を吸収する吸収剤を添加することが好ましい。これにより、レーザー加工時にウェーハＷの加工と共に樹脂膜も同時に除去されるため、ウェーハＷの熱分解物の蒸気等によって樹脂膜がウェーハＷの表面から剥離することが防止される。   For example, a water-soluble resin such as polyvinyl alcohol (PVA) or polyethylene glycol (PEG) is applied to the wafer W as the liquid resin 81. The liquid resin 81 is preferably added with an absorbent that absorbs light having a laser wavelength. As a result, the resin film is removed at the same time as the processing of the wafer W during laser processing, so that the resin film is prevented from being peeled off from the surface of the wafer W by the vapor of the thermal decomposition product of the wafer W or the like.

また、樹脂膜形成装置２は、加工済みのウェーハＷから樹脂膜を除去する洗浄機構としても機能する。筐体２１内には、成膜用テーブル２２の近傍に洗浄ノズル２４が設けられている。洗浄ノズル２４には、不図示の洗浄液用の配管と乾燥エアー用の配管が接続されている。回転中の成膜用テーブル２２に対して洗浄ノズル２４から洗浄水が噴射されることで、ウェーハＷの表面から樹脂膜が除去される。その後、洗浄ノズル２４から洗浄水の代わりに、乾燥エアーが噴射されることで、ウェーハＷが乾燥される。   The resin film forming apparatus 2 also functions as a cleaning mechanism for removing the resin film from the processed wafer W. A cleaning nozzle 24 is provided in the housing 21 in the vicinity of the film forming table 22. The cleaning nozzle 24 is connected with a pipe for cleaning liquid (not shown) and a pipe for dry air. The resin film is removed from the surface of the wafer W by spraying cleaning water from the cleaning nozzle 24 onto the rotating film forming table 22. Thereafter, dry air is sprayed from the cleaning nozzle 24 instead of the cleaning water, whereby the wafer W is dried.

また、洗浄ノズル２４は、ウェーハＷから樹脂膜を除去するだけでなく、成膜後のウェーハＷを筐体２１から出した後に成膜用テーブル２２を洗浄する。液状樹脂８１の塗布処理によって成膜用テーブル２２に付着した樹脂を除去することで、次のウェーハＷの搬入に備えている。なお、樹脂膜形成装置２による洗浄処理中には、図示しない開閉扉によって筐体２１の入口が閉じられ、筐体２１外への汚染水の飛散が防止される。   Further, the cleaning nozzle 24 not only removes the resin film from the wafer W, but also cleans the film formation table 22 after removing the film W from the housing 21. By removing the resin adhering to the film-forming table 22 by the application process of the liquid resin 81, the next wafer W is prepared for loading. During the cleaning process by the resin film forming apparatus 2, the entrance of the housing 21 is closed by a door (not shown), and the scattering of contaminated water to the outside of the housing 21 is prevented.

搬送機構５は、いわゆるベルヌーイパッド５１によってウェーハＷを吸着するように構成されている。ベルヌーイパッド５１は、エアー供給源に接続されており、円錐状の内面に沿って放射状にエアーを流すことで中央に負圧を発生させてウェーハＷを吸着する。なお、搬送機構５は、ベルヌーイパッド５１に限定されない。搬送機構５は、成膜後のウェーハＷを搬送可能な構成であれば、どのような構成でもよい。   The transport mechanism 5 is configured to suck the wafer W by a so-called Bernoulli pad 51. The Bernoulli pad 51 is connected to an air supply source, and sucks the wafer W by generating a negative pressure in the center by flowing air radially along the conical inner surface. The transport mechanism 5 is not limited to the Bernoulli pad 51. The transfer mechanism 5 may have any configuration as long as it can transfer the wafer W after film formation.

搬送機構５は、レーザー加工前においては、不図示のカセットからウェーハＷを取り出して樹脂膜形成装置２に搬送する他、成膜用テーブル２２上の成膜後のウェーハＷをピックアップしてチャックテーブル４に載置する。搬送機構５は、レーザー加工後においては、チャックテーブル４上の加工済みのウェーハＷをピックアップして樹脂膜形成装置２に搬送する他、成膜用テーブル２２上の洗浄済みのウェーハＷをピックアップしてカセットに戻す。   Before the laser processing, the transport mechanism 5 takes out the wafer W from a cassette (not shown) and transports it to the resin film forming apparatus 2, and also picks up the wafer W after film formation on the film formation table 22 and chucks it. 4 is placed. After the laser processing, the transfer mechanism 5 picks up the processed wafer W on the chuck table 4 and transfers it to the resin film forming apparatus 2 and picks up the cleaned wafer W on the film formation table 22. Return to the cassette.

基台１１の上面には、チャックテーブル４をＸ軸方向に加工送りすると共に、Ｙ軸方向に割出送りするチャックテーブル移動機構４１が設けられている。チャックテーブル移動機構４１は、基台１１上面に配置されたＸ軸方向に平行な一対のガイドレール４２と、一対のガイドレール４２にスライド可能に設置されたモータ駆動のＸ軸テーブル４３とを有している。また、チャックテーブル移動機構４１は、Ｘ軸テーブル４３上面に配置されたＹ軸方向に平行な一対のガイドレール４４と、一対のガイドレール４４にスライド可能に設置されたモータ駆動のＹ軸テーブル４５とを有している。   A chuck table moving mechanism 41 that feeds the chuck table 4 in the X-axis direction and indexes it in the Y-axis direction is provided on the upper surface of the base 11. The chuck table moving mechanism 41 includes a pair of guide rails 42 arranged on the upper surface of the base 11 and parallel to the X-axis direction, and a motor-driven X-axis table 43 slidably installed on the pair of guide rails 42. doing. The chuck table moving mechanism 41 includes a pair of guide rails 44 disposed on the top surface of the X-axis table 43 and parallel to the Y-axis direction, and a motor-driven Y-axis table 45 slidably installed on the pair of guide rails 44. And have.

Ｙ軸テーブル４５の上部には、チャックテーブル４が設けられている。なお、Ｘ軸テーブル４３、Ｙ軸テーブル４５の背面側には、それぞれ図示しないナット部が形成され、これらナット部にボールネジ４６、４７が螺合されている。そして、Ｘ軸テーブル４３用のボールネジ４６、Ｙ軸テーブル４５用のボールネジ４７の一端部には、それぞれ駆動モータ４８、４９が連結されている。これら駆動モータ４８、４９によりボールネジが回転駆動され、チャックテーブル４がガイドレール４２、４４に沿ってＸ軸方向及びＹ軸方向に移動される。   A chuck table 4 is provided above the Y-axis table 45. Note that nut portions (not shown) are formed on the back sides of the X-axis table 43 and the Y-axis table 45, and ball screws 46 and 47 are screwed into these nut portions. Drive motors 48 and 49 are connected to one end of a ball screw 46 for the X-axis table 43 and a ball screw 47 for the Y-axis table 45, respectively. The ball screws are rotationally driven by the drive motors 48 and 49, and the chuck table 4 is moved along the guide rails 42 and 44 in the X-axis direction and the Y-axis direction.

チャックテーブル４は、Ｙ軸テーブル４５に対して回転可能に取り付けられている。チャックテーブル４の上面中央部分には、ポーラスセラミック材により吸着面が形成されている。吸着面は、負圧によりウェーハＷを吸着しており、チャックテーブル４の内部の配管を介して吸引源に接続されている。   The chuck table 4 is rotatably attached to the Y-axis table 45. An adsorption surface is formed of a porous ceramic material at the center of the upper surface of the chuck table 4. The suction surface sucks the wafer W by a negative pressure and is connected to a suction source via a pipe inside the chuck table 4.

チャックテーブル４の後方に立設した立壁部１２には、前面からアーム部３１が突出しており、このアーム部３１の先端側にはレーザー加工ユニット３の加工ヘッド３２が設けられている。アーム部３１及び加工ヘッド３２内には、レーザー加工ユニット３の光学系が設けられている。加工ヘッド３２は、発振器３３から発振されたレーザー光線を集光レンズで集光し、チャックテーブル４上に保持されたウェーハＷに対してレーザー光線を照射する。   An arm portion 31 protrudes from the front surface of the standing wall portion 12 erected on the rear side of the chuck table 4, and a processing head 32 of the laser processing unit 3 is provided on the distal end side of the arm portion 31. In the arm portion 31 and the processing head 32, an optical system of the laser processing unit 3 is provided. The processing head 32 condenses the laser beam oscillated from the oscillator 33 with a condenser lens, and irradiates the wafer W held on the chuck table 4 with the laser beam.

レーザー加工ユニット３では、チャックテーブル移動機構４１によってチャックテーブル４が加工ヘッド３２に対して相対的に移動されることにより、ウェーハＷのストリートに沿ってレーザー加工（アブレーション加工）される。このとき、ウェーハＷの表面に樹脂膜が形成されているため、加工によって飛散したデブリが樹脂膜に付着し、ウェーハＷの表面に直に付着することがない。   In the laser processing unit 3, the chuck table 4 is moved relative to the processing head 32 by the chuck table moving mechanism 41, so that laser processing (ablation processing) is performed along the street of the wafer W. At this time, since the resin film is formed on the surface of the wafer W, debris scattered by the processing adheres to the resin film and does not directly adhere to the surface of the wafer W.

図２及び図３を参照して、樹脂膜形成装置の塗布構成について説明する。図２は、本実施の形態に係る成膜用テーブルの斜視図である。図３は、本実施の形態に係る塗布部の斜視図である。   With reference to FIG.2 and FIG.3, the coating structure of the resin film forming apparatus is demonstrated. FIG. 2 is a perspective view of the film forming table according to the present embodiment. FIG. 3 is a perspective view of the application unit according to the present embodiment.

図２に示すように、成膜用テーブル２２は、円盤状に形成されており、ウェーハＷの外径よりも僅かに大きな水平面を有している。この水平面の中央部分には、ウェーハＷを吸着する吸着面（吸着部）６１が設けられている。吸着面６１には、同心円状に配置された２重の円形溝６２と、円形溝６２の中心で交差する直線溝６３とが形成されている。円形溝６２及び直線溝６３は、各交点に形成された不図示の開口を介して吸引源６４に接続されている。吸引源６４の吸引によって複数の開口を介して円形溝６２と直線溝６３とに負圧が発生し、負圧によってウェーハＷが吸着面６１に吸着される。   As shown in FIG. 2, the film formation table 22 is formed in a disk shape and has a horizontal plane slightly larger than the outer diameter of the wafer W. An adsorption surface (adsorption part) 61 for adsorbing the wafer W is provided at the central portion of the horizontal plane. A double circular groove 62 concentrically arranged and a linear groove 63 intersecting at the center of the circular groove 62 are formed on the suction surface 61. The circular groove 62 and the linear groove 63 are connected to the suction source 64 through an opening (not shown) formed at each intersection. By suction of the suction source 64, negative pressure is generated in the circular groove 62 and the linear groove 63 through a plurality of openings, and the wafer W is sucked by the suction surface 61 by the negative pressure.

成膜用テーブル２２の外縁部分には、ウェーハＷを囲むように環状凸部（外周囲繞部）６５が上方に突出するように設けられている。環状凸部６５の内周面６６は、ウェーハＷの外形と略同等に形成されており（図４Ａ参照）、上方に向って大径になるようなテーパー面になっている。環状凸部６５の突出端面６７には、リング形状のゴム部材６８が固定されている。この環状凸部６５の突出長とゴム部材６８の厚みにより、成膜用テーブル２２上にウェーハＷ用の落とし込み部分が形成される。   An annular convex portion (outer peripheral collar portion) 65 is provided on the outer edge portion of the film forming table 22 so as to surround the wafer W so as to protrude upward. The inner peripheral surface 66 of the annular convex portion 65 is formed substantially the same as the outer shape of the wafer W (see FIG. 4A), and has a tapered surface that increases in diameter upward. A ring-shaped rubber member 68 is fixed to the protruding end surface 67 of the annular convex portion 65. A dropping portion for the wafer W is formed on the film forming table 22 by the protruding length of the annular convex portion 65 and the thickness of the rubber member 68.

図３に示すように、塗布部２３は、円盤状の定盤７１と、上方から定盤７１を支持する支持体７２とを有している。定盤７１の下面は、成膜用テーブル２２の上面に対峙する水平な対峙面７３となっており、この対峙面７３はリング形状のゴム部材６８と略同等の外径に形成されている。対峙面７３は、テフロン（登録商標）等の撥水性の高い材質で撥水加工が施されており、液状樹脂８１の付着が抑制されている。対峙面７３の中央には液状樹脂８１の供給口７４が形成されており、供給口７４は定盤７１内の流路を介して樹脂供給源７５に接続されている。対峙面７３の外周側には吸引溝（吸引口）７６が形成されており、吸引溝７６は定盤７１内の流路を介して吸引源７７に接続されている。   As shown in FIG. 3, the coating unit 23 includes a disk-shaped surface plate 71 and a support body 72 that supports the surface plate 71 from above. The lower surface of the surface plate 71 is a horizontal facing surface 73 that faces the upper surface of the film forming table 22, and this facing surface 73 is formed to have an outer diameter substantially equal to that of the ring-shaped rubber member 68. The facing surface 73 is water repellent made of a highly water repellent material such as Teflon (registered trademark), and adhesion of the liquid resin 81 is suppressed. A supply port 74 for the liquid resin 81 is formed at the center of the facing surface 73, and the supply port 74 is connected to a resin supply source 75 through a flow path in the surface plate 71. A suction groove (suction port) 76 is formed on the outer peripheral side of the facing surface 73, and the suction groove 76 is connected to a suction source 77 through a flow path in the surface plate 71.

支持体７２にはスライド機構等で構成された移動機構（移動手段）７８が連結されており、この移動機構７８によって定盤７１が上下移動及び水平移動される。定盤７１が成膜用テーブル２２に対して当接すると、定盤７１の対峙面７３とゴム部材６８とによってウェーハＷ用の落とし込み部分が封止され、ウェーハＷの上方に液密な空間Ｓが形成される。このときの対峙面７３とウェーハＷの表面との隙間は、樹脂膜の所定厚みに相当するように設定されている。また、吸引溝７６は、ゴム部材６８の内側においてウェーハＷの外縁部と略同等の位置に位置付けられる。そして、定盤７１中央の供給口７４から液密な空間Ｓに液状樹脂８１が供給され、定盤７１外周側の吸引溝７６の吸引によって液状樹脂８１がウェーハＷの表面の全域に広げられる。   A moving mechanism (moving means) 78 constituted by a slide mechanism or the like is connected to the support 72, and the surface plate 71 is moved up and down and horizontally by the moving mechanism 78. When the surface plate 71 comes into contact with the film forming table 22, the dropping portion for the wafer W is sealed by the facing surface 73 of the surface plate 71 and the rubber member 68, and a liquid-tight space S is formed above the wafer W. Is formed. The gap between the facing surface 73 and the surface of the wafer W at this time is set so as to correspond to a predetermined thickness of the resin film. Further, the suction groove 76 is positioned at a position substantially equal to the outer edge portion of the wafer W inside the rubber member 68. Then, the liquid resin 81 is supplied from the supply port 74 at the center of the surface plate 71 to the liquid-tight space S, and the liquid resin 81 is spread over the entire surface of the wafer W by the suction of the suction grooves 76 on the outer peripheral side of the surface plate 71.

図４を参照して、樹脂膜形成装置による塗布動作について詳細に説明する。図４は、本実施の形態に係る樹脂膜形成装置による塗布動作の説明図である。   With reference to FIG. 4, the coating operation by the resin film forming apparatus will be described in detail. FIG. 4 is an explanatory diagram of a coating operation by the resin film forming apparatus according to the present embodiment.

図４Ａに示すように、成膜用テーブル２２の吸着面６１にウェーハＷが吸着されると、塗布部２３の定盤７１が成膜用テーブル２２の上方に位置付けられる。このとき、定盤７１の中心がウェーハＷの中心に位置合わせされ、定盤７１の円形状の吸引溝７６の位置がウェーハＷの外周縁部に位置合わせされる。成膜用テーブル２２と定盤７１とが位置合わせされると、定盤７１が成膜用テーブル２２に向けて下降し始める。   As shown in FIG. 4A, when the wafer W is attracted to the adsorption surface 61 of the film formation table 22, the surface plate 71 of the application unit 23 is positioned above the film formation table 22. At this time, the center of the surface plate 71 is aligned with the center of the wafer W, and the position of the circular suction groove 76 of the surface plate 71 is aligned with the outer peripheral edge of the wafer W. When the film forming table 22 and the surface plate 71 are aligned, the surface plate 71 starts to descend toward the film forming table 22.

次に、図４Ｂに示すように、成膜用テーブル２２のリング形状のゴム部材６８に定盤７１の対峙面７３が当接されると、定盤７１の対峙面７３によってゴム部材６８が僅かに押し潰される。これにより、成膜用テーブル２２上のウェーハＷ用の落とし込み部分が封止され、ウェーハＷの上方に液密な空間Ｓが形成される。このときの定盤７１の対峙面７３とウェーハＷの表面と隙間は、樹脂膜のねらい厚みになるように設定されている。すなわち、環状凸部６５の突出長、ゴム部材６８の厚み、定盤７１によるゴム部材６８の押し潰し量は、樹脂膜のねらい厚みに合わせて設計されている。   Next, as shown in FIG. 4B, when the facing surface 73 of the surface plate 71 comes into contact with the ring-shaped rubber member 68 of the film forming table 22, the rubber member 68 is slightly moved by the facing surface 73 of the surface plate 71. Is crushed. Thereby, the dropping portion for the wafer W on the film forming table 22 is sealed, and a liquid-tight space S is formed above the wafer W. At this time, the facing surface 73 of the surface plate 71 and the surface of the wafer W and the gap are set to have a desired thickness of the resin film. That is, the projecting length of the annular protrusion 65, the thickness of the rubber member 68, and the amount of crushing of the rubber member 68 by the surface plate 71 are designed in accordance with the desired thickness of the resin film.

この場合、定盤７１の対峙面７３において吸引溝７６よりも径方向外側が、成膜用テーブル２２のゴム部材６８に当接される。したがって、ゴム部材６８によって吸引溝７６がシールされることがない。   In this case, the radially outer side of the facing surface 73 of the surface plate 71 than the suction groove 76 is in contact with the rubber member 68 of the film forming table 22. Therefore, the suction groove 76 is not sealed by the rubber member 68.

次に、図４Ｃに示すように、定盤７１中央の供給口７４から液密な空間Ｓに液状樹脂８１が供給される。また、定盤７１外周側の吸引溝７６の吸引により、ウェーハＷの中央に供給された液状樹脂８１の液溜まりがウェーハＷの外縁部まで放射状に広げられる。この液状樹脂８１の供給及び吸引が所定時間続けられることでウェーハＷの表面の全域に液状樹脂８１が塗布される。なお、液状樹脂８１の供給及び吸引に要する所定時間は、液状樹脂８１の粘度、膜厚、ウェーハＷの外径、対峙面７３の撥水性等に応じて適宜変更される。   Next, as shown in FIG. 4C, the liquid resin 81 is supplied to the liquid-tight space S from the supply port 74 at the center of the surface plate 71. Further, the liquid reservoir 81 supplied to the center of the wafer W is radially expanded to the outer edge of the wafer W by the suction of the suction groove 76 on the outer peripheral side of the surface plate 71. By supplying and sucking the liquid resin 81 for a predetermined time, the liquid resin 81 is applied to the entire surface of the wafer W. The predetermined time required for supplying and sucking the liquid resin 81 is appropriately changed according to the viscosity of the liquid resin 81, the film thickness, the outer diameter of the wafer W, the water repellency of the facing surface 73, and the like.

また、供給口７４からの液状樹脂８１の供給は、液状樹脂８１の自然落下によって行われてもよいし、吸引溝７６からの吸引力によって引き出されてもよい。また、樹脂供給源７５から液状樹脂８１を圧送供給する構成としてもよい。   Further, the supply of the liquid resin 81 from the supply port 74 may be performed by the natural fall of the liquid resin 81 or may be drawn by the suction force from the suction groove 76. Further, the liquid resin 81 may be supplied by pressure from the resin supply source 75.

次に、図４Ｄに示すように、成膜用テーブル２２に対して定盤７１が水平にスライドされ、液状樹脂８１をすり切るようにして樹脂表面から定盤７１が剥離される。このとき、定盤７１の対峙面７３には撥水加工が施されているため、対峙面７３に対する液状樹脂８１の付着が抑制される。また、定盤７１がゴム部材６８に当接された状態でスライドされるため、ゴム部材６８によって対峙面７３に僅かに付着した液状樹脂８１が掻き取られる。このため、スライド時の液状樹脂８１の液漏れが抑えられ、ウェーハＷの表面に均一に液状樹脂８１が塗布される。   Next, as shown in FIG. 4D, the surface plate 71 is slid horizontally with respect to the film forming table 22, and the surface plate 71 is peeled off from the resin surface so as to wear the liquid resin 81. At this time, since the water-repellent process is performed on the facing surface 73 of the surface plate 71, adhesion of the liquid resin 81 to the facing surface 73 is suppressed. Further, since the surface plate 71 is slid while being in contact with the rubber member 68, the liquid resin 81 slightly adhered to the facing surface 73 is scraped off by the rubber member 68. For this reason, liquid leakage of the liquid resin 81 at the time of sliding is suppressed, and the liquid resin 81 is uniformly applied to the surface of the wafer W.

次に、図５を参照して、レーザー加工装置の全体動作について説明する。図５は、本実施の形態に係るレーザー加工装置の全体動作の説明図である。   Next, the overall operation of the laser processing apparatus will be described with reference to FIG. FIG. 5 is an explanatory diagram of the overall operation of the laser processing apparatus according to the present embodiment.

図５Ａに示すように、先ず搬送機構５によって成膜前のウェーハＷがカセットから取り出されて、筐体２１内の成膜用テーブル２２上に載置される。成膜用テーブル２２上にウェーハＷが載置されると、成膜用テーブル２２にウェーハＷが吸着保持される。このとき、塗布部２３は、筐体２１内における退避位置に位置付けられている。次に図５Ｂに示すように、塗布部２３が成膜用テーブル２２の上方に移動して、塗布部２３の定盤７１の中心と成膜用テーブル２２の中心とが位置合わせされる。塗布部２３の定盤７１が下降され、上記した塗布動作によってウェーハＷの表面に液状樹脂８１が塗布される。   As shown in FIG. 5A, the wafer W before film formation is first removed from the cassette by the transfer mechanism 5 and placed on the film formation table 22 in the housing 21. When the wafer W is placed on the film formation table 22, the wafer W is attracted and held on the film formation table 22. At this time, the application unit 23 is positioned at a retracted position in the housing 21. Next, as shown in FIG. 5B, the coating unit 23 moves above the film forming table 22, and the center of the surface plate 71 of the coating unit 23 and the center of the film forming table 22 are aligned. The surface plate 71 of the application unit 23 is lowered, and the liquid resin 81 is applied to the surface of the wafer W by the application operation described above.

次に図５Ｃに示すように、塗布部２３の定盤７１が、液状樹脂８１をすり切るように水平方向にスライドして筐体２１内の退避位置に移動する。これにより、ウェーハＷの表面に均一な厚みの樹脂膜が形成される。成膜後のウェーハＷは、搬送機構５によって成膜用テーブル２２からピックアップされ、チャックテーブル４に搬送される。なお、液状樹脂８１は、搬送途中に自然乾燥されてもよいし、搬送前に自然乾燥されてもよい。また、液状樹脂８１は、加熱乾燥されてもよいし、減圧乾燥されてもよいし、これらを組み合わせて乾燥されてもよい。   Next, as shown in FIG. 5C, the surface plate 71 of the application unit 23 slides in the horizontal direction so as to rub the liquid resin 81 and moves to the retracted position in the housing 21. Thereby, a resin film having a uniform thickness is formed on the surface of the wafer W. The wafer W after film formation is picked up from the film formation table 22 by the transfer mechanism 5 and transferred to the chuck table 4. The liquid resin 81 may be naturally dried during the conveyance or may be naturally dried before the conveyance. Further, the liquid resin 81 may be dried by heating, may be dried under reduced pressure, or may be dried by combining these.

次に図５Ｄに示すように、チャックテーブル４が加工ヘッド３２の下方に位置付けられる。加工ヘッド３２の射出口がウェーハＷのストリートに位置合わせされ、レーザー加工処理が開始される。ここでは、チャックテーブル４がウェーハＷを保持した状態でストリートに沿ってレーザー光線が照射される。この場合、ウェーハＷの表面には樹脂膜が形成されているため、ウェーハＷに対するデブリの付着を抑えてウェーハＷの品質低下が防止される。   Next, as shown in FIG. 5D, the chuck table 4 is positioned below the machining head 32. The injection port of the processing head 32 is aligned with the street of the wafer W, and laser processing is started. Here, the laser beam is irradiated along the street while the chuck table 4 holds the wafer W. In this case, since a resin film is formed on the surface of the wafer W, adhesion of debris to the wafer W is suppressed and deterioration of the quality of the wafer W is prevented.

一方、樹脂膜形成装置２では、チャックテーブル４上でウェーハＷにレーザー加工が行われている間に、洗浄ノズル２４によって成膜用テーブル２２が洗浄される。洗浄ノズル２４から成膜用テーブル２２のゴム部材６８や内周面６６等に洗浄液が噴き付けられることで、リング形状のゴム部材６８や内周面６６等に付着した液状樹脂が洗い流される。   On the other hand, in the resin film forming apparatus 2, the film forming table 22 is cleaned by the cleaning nozzle 24 while the wafer W is being laser processed on the chuck table 4. The cleaning liquid is sprayed from the cleaning nozzle 24 onto the rubber member 68 and the inner peripheral surface 66 of the film forming table 22, so that the liquid resin adhering to the ring-shaped rubber member 68 and the inner peripheral surface 66 is washed away.

次に図５Ｅに示すように、ウェーハＷの全てのストリートが加工されると、搬送機構５によって加工済みのウェーハＷがチャックテーブル４から成膜用テーブル２２に搬送される。成膜用テーブル２２にウェーハＷが保持されると、成膜用テーブル２２が回転される。そして、回転中の成膜用テーブル２２に向けて洗浄ノズル２４から洗浄液が噴射されることで、ウェーハＷの表面から樹脂膜と共にデブリが洗い流される。続いて、回転中の成膜用テーブル２２に向けて洗浄ノズル２４から乾燥エアーが噴射されることで、ウェーハＷが乾燥される。そして、搬送機構５によって洗浄済みのウェーハＷが成膜用テーブル２２からカセット内に搬送される。   Next, as shown in FIG. 5E, when all the streets of the wafer W are processed, the processed wafer W is transferred from the chuck table 4 to the film forming table 22 by the transfer mechanism 5. When the wafer W is held on the film formation table 22, the film formation table 22 is rotated. Then, the cleaning liquid is sprayed from the cleaning nozzle 24 toward the rotating film forming table 22, so that debris is washed out together with the resin film from the surface of the wafer W. Subsequently, the wafer W is dried by spraying dry air from the cleaning nozzle 24 toward the rotating film forming table 22. Then, the cleaned wafer W is transferred from the film formation table 22 into the cassette by the transfer mechanism 5.

以上のように、本実施の形態に係る樹脂膜形成装置２によれば、成膜用テーブル２２の外周に設けたゴム部材６８に定盤７１の対峙面７３を当接させることで、成膜用テーブル２２上のウェーハＷの上方に液密な空間Ｓが形成される。この液密な空間Ｓには定盤７１中央の供給口７４から液状樹脂８１が供給され、定盤７１外周側の吸引溝７６からの吸引によって液状樹脂８１がウェーハＷの表面の全域に広げられる。そして、成膜用テーブル２２と塗布部２３とを相対的に平行にスライドさせることで、樹脂表面から定盤７１の対峙面７３が剥離され、ウェーハＷの表面に均一な厚みの樹脂膜が形成される。よって、スピンコート法のように液状樹脂８１の大半が廃棄されることがなく、樹脂膜の形成コストを低減できる。   As described above, according to the resin film forming apparatus 2 according to the present embodiment, film formation is performed by bringing the facing surface 73 of the surface plate 71 into contact with the rubber member 68 provided on the outer periphery of the film formation table 22. A liquid-tight space S is formed above the wafer W on the table 22. The liquid resin 81 is supplied to the liquid-tight space S from the supply port 74 at the center of the surface plate 71, and the liquid resin 81 is spread over the entire surface of the wafer W by suction from the suction groove 76 on the outer peripheral side of the surface plate 71. . Then, the facing surface 73 of the surface plate 71 is peeled from the resin surface by sliding the film forming table 22 and the coating portion 23 relatively in parallel, and a resin film having a uniform thickness is formed on the surface of the wafer W. Is done. Therefore, most of the liquid resin 81 is not discarded unlike the spin coating method, and the formation cost of the resin film can be reduced.

なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。上記実施の形態において、添付図面に図示されている大きさや形状などについては、これに限定されず、本発明の効果を発揮する範囲内で適宜変更することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。   In addition, this invention is not limited to the said embodiment, It can change and implement variously. In the above-described embodiment, the size, shape, and the like illustrated in the accompanying drawings are not limited to this, and can be appropriately changed within a range in which the effect of the present invention is exhibited. In addition, various modifications can be made without departing from the scope of the object of the present invention.

例えば、本実施の形態に係る樹脂膜形成装置２では、成膜用テーブル２２に対して塗布部２３をスライドさせて、樹脂表面から定盤７１を剥離する構成としたが、この構成に限定されない。塗布部２３と成膜用テーブル２２とが水平方向に相対移動可能であればよく、塗布部２３に対して成膜用テーブル２２をスライドさせて、樹脂表面から定盤７１を剥離する構成でもよい。   For example, in the resin film forming apparatus 2 according to the present embodiment, the coating unit 23 is slid with respect to the film forming table 22 and the surface plate 71 is peeled off from the resin surface. However, the present invention is not limited to this configuration. . It suffices that the coating unit 23 and the film forming table 22 are relatively movable in the horizontal direction, and the surface plate 71 may be peeled off from the resin surface by sliding the film forming table 22 relative to the coating unit 23. .

この場合、図６に示すような構成としてもよい。なお、図６においては成膜用テーブル２２を簡略化して記載している。図６に示すように、筐体２１の上壁に塗布部２３を固定し、成膜用テーブル２２をスライド機構９１によってスライド移動させる。スライド機構９１は、例えば、成膜用テーブル２２をスライド可能に支持する一対のリニアガイド９２と、成膜用テーブル２２を駆動するシリンダ９３とで構成されてもよい。なお、リニアガイド９２は、可動域が所定長（例えば、４００［ｍｍ］）以上になると、高精度であっても平行度に誤差が生じる。しかしながら、塗布部２３を昇降可能に構成して、定盤７１からの荷重を成膜用テーブル２２に作用させることで、成膜用テーブル２２を精度よくスライドできる。これにより、定盤７１の対峙面７３に対して成膜用テーブル２２上の樹脂面を平行に剥離させることができ、ウェーハＷの表面に均一な厚みの樹脂膜が形成可能である。   In this case, it is good also as a structure as shown in FIG. In FIG. 6, the film forming table 22 is simplified. As shown in FIG. 6, the coating unit 23 is fixed to the upper wall of the housing 21, and the film forming table 22 is slid by the slide mechanism 91. For example, the slide mechanism 91 may include a pair of linear guides 92 that slidably support the film formation table 22 and a cylinder 93 that drives the film formation table 22. Note that, when the movable range of the linear guide 92 is a predetermined length (for example, 400 [mm]) or more, an error occurs in the parallelism even if the accuracy is high. However, the film forming table 22 can be accurately slid by configuring the coating unit 23 to be movable up and down and applying the load from the surface plate 71 to the film forming table 22. As a result, the resin surface on the film forming table 22 can be peeled in parallel to the facing surface 73 of the surface plate 71, and a resin film having a uniform thickness can be formed on the surface of the wafer W.

また、本実施の形態に係る樹脂膜形成装置２では、定盤７１には吸引口として対峙面７３に円形の吸引溝７６が形成される構成としたが、この構成に限定されない。吸引口は、ウェーハＷの外周縁部に対応するように設けられていればよく、例えば図７に示すように、対峙面７３に周方向に配置された複数の開口９５で構成されてもよい。   In the resin film forming apparatus 2 according to the present embodiment, the surface plate 71 has a circular suction groove 76 formed on the facing surface 73 as a suction port. However, the present invention is not limited to this configuration. The suction port only needs to be provided so as to correspond to the outer peripheral edge portion of the wafer W. For example, as illustrated in FIG. 7, the suction port may include a plurality of openings 95 arranged in the circumferential direction on the facing surface 73. .

また、本実施の形態に係る樹脂膜形成装置２では、定盤７１中央に供給口７４が形成される構成としたが、この構成に限定されない。供給口７４は、ウェーハＷの表面の中央に液状樹脂８１の液溜まりを形成できればよく、対峙面７３における個数や形成位置は特に限定されない。   In the resin film forming apparatus 2 according to the present embodiment, the supply port 74 is formed at the center of the surface plate 71, but the present invention is not limited to this configuration. The supply port 74 only needs to be able to form a liquid pool of the liquid resin 81 at the center of the surface of the wafer W, and the number and formation position on the facing surface 73 are not particularly limited.

また、本実施の形態に係る樹脂膜形成装置２では、成膜用テーブル２２の吸着面６１に同心円状の円形溝６２と直線溝６３を形成することで、吸着面６１にウェーハＷを吸着する構成としたが、この構成に限定されない。成膜用テーブル２２の吸着面６１は、ウェーハＷを保持可能な構成であればよく、例えば、ポーラスセラミック材によって形成されてもよい。   Further, in the resin film forming apparatus 2 according to the present embodiment, the concentric circular groove 62 and the linear groove 63 are formed on the suction surface 61 of the film forming table 22 to suck the wafer W onto the suction surface 61. Although configured, it is not limited to this configuration. The suction surface 61 of the film forming table 22 may be configured to hold the wafer W, and may be formed of, for example, a porous ceramic material.

また、本実施の形態に係る樹脂膜形成装置２では、環状凸部６５の突出端面６７にリング形状のゴム部材６８が取り付けられる構成としたが、この構成に限定されない。環状凸部６５の突出端面６７には、定盤７１の対峙面７３に液密に接するシール部材が取り付けられていればよい。   Further, in the resin film forming apparatus 2 according to the present embodiment, the ring-shaped rubber member 68 is attached to the protruding end surface 67 of the annular convex portion 65, but the present invention is not limited to this configuration. The protruding end surface 67 of the annular convex portion 65 only needs to be attached with a seal member that is in liquid-tight contact with the facing surface 73 of the surface plate 71.

以上説明したように、本発明は、液状樹脂の廃棄を少なくして、樹脂膜の形成コストを低減できるという効果を有し、特に、レーザー加工装置に設置された樹脂膜形成装置に有用である。   As described above, the present invention has an effect that the disposal cost of the liquid resin can be reduced and the formation cost of the resin film can be reduced, and is particularly useful for the resin film forming apparatus installed in the laser processing apparatus. .

１ レーザー加工装置
２ 樹脂膜形成装置
２１ 筐体
２２ 成膜用テーブル（保持手段）
２３ 塗布部（塗布手段）
２４ 洗浄ノズル
６１ 吸着面（吸着部）
６５ 環状凸部（外周囲繞部）
６８ ゴム部材
７１ 定盤
７３ 対峙面
７４ 供給口
７５ 樹脂供給源
７６ 吸引溝（吸引口）
７７ 吸引源
７８ 移動機構（移動手段）
８１ 液状樹脂 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Laser processing apparatus 2 Resin film forming apparatus 21 Case 22 Film-forming table (holding means)
23 Application part (application means)
24 Cleaning nozzle 61 Suction surface (Suction part)
65 Annular convex part (outer peripheral collar part)
68 Rubber member 71 Surface plate 73 Confronting surface 74 Supply port 75 Resin supply source 76 Suction groove (suction port)
77 Suction source 78 Moving mechanism (moving means)
81 Liquid resin

Claims (1)

ウェーハの表面に所定厚みの樹脂膜を形成する樹脂膜形成装置であって、
ウェーハを上面に吸引保持する保持手段と、
前記保持手段に対峙して配設され前記保持手段に保持されたウェーハ表面に液状樹脂を塗布する塗布手段と、
前記保持手段と前記塗布手段とを相対的に平行にスライドさせる移動手段とを備え、
前記保持手段は、ウェーハの外径と同等の径の水平面からなりウェーハを吸引保持する吸着部と、前記吸着部の外周を囲繞して立設しウェーハの外径よりも大径の外周囲繞部と、前記外周囲繞部に積層して配設されたリング形状のゴム部材と、から構成され、
前記塗布手段は、前記リング形状のゴム部材の外径と同等の外径を有し前記保持手段に対峙する対峙面が水平面で且つ撥水性の高い材質で形成された定盤と、前記定盤中央に形成され且つ液状樹脂を供給する樹脂供給源に連通した供給口と、前記定盤の中心にウェーハ中心を位置づけた際のウェーハの外径と同等位置を囲繞するように形成され且つ吸引源に連通した吸引口と、から構成され、
前記保持手段の前記外周囲繞部と前記ゴム部材とは、前記保持手段の前記吸着部にウェーハを吸引保持し前記保持手段の前記ゴム部材に前記塗布手段の対峙面を当接した際に、ウェーハの表面と前記定盤の前記対峙面との隙間が、塗布する樹脂膜の所定厚みに相当するように設定されており、
ウェーハに液状樹脂を塗布する際には、前記保持手段の前記吸着部にウェーハが吸引保持され、前記保持手段の中心に前記塗布手段の中心を位置付け且つ前記保持手段の前記ゴム部材に前記塗布手段の前記対峙面における前記吸引口よりも径方向外側を当接させ、前記供給口から液状樹脂を供給するとともに前記吸引口から吸引しウェーハの表面に液状樹脂を塗布し、
液状樹脂塗布後に前記塗布手段を前記保持手段から剥離する際には、前記保持手段の前記定盤の前記対峙面に前記保持手段の前記ゴム部材を当接させた状態で、前記移動手段により前記保持手段と前記塗布手段とを相対的に平行にスライドさせること
を特徴とする樹脂膜形成装置。 A resin film forming apparatus for forming a resin film having a predetermined thickness on the surface of a wafer,
Holding means for sucking and holding the wafer on the upper surface;
An application means for applying a liquid resin to the wafer surface disposed opposite to the holding means and held by the holding means;
A moving means for sliding the holding means and the application means relatively in parallel;
The holding means includes a suction portion that is formed of a horizontal surface having a diameter equivalent to the outer diameter of the wafer, and sucks and holds the wafer, and an outer peripheral flange portion that is erected around the outer periphery of the suction portion and has a diameter larger than the outer diameter of the wafer. And a ring-shaped rubber member disposed in a layered manner on the outer peripheral flange,
The coating means has a surface plate having an outer diameter equivalent to the outer diameter of the ring-shaped rubber member, and a facing surface facing the holding means is formed of a material having a horizontal surface and high water repellency; and the surface plate A supply port formed in the center and connected to a resin supply source for supplying a liquid resin, and a suction source formed so as to surround a position equivalent to the outer diameter of the wafer when the wafer center is positioned at the center of the surface plate And a suction port communicating with the
The outer peripheral flange portion and the rubber member of the holding means suck and hold the wafer to the suction portion of the holding means, and the wafer comes into contact with the rubber member of the holding means against the opposite surface of the coating means The gap between the surface of the surface plate and the facing surface of the surface plate is set to correspond to a predetermined thickness of the resin film to be applied,
When applying the liquid resin to the wafer, the wafer is sucked and held by the suction portion of the holding means, the center of the application means is positioned at the center of the holding means, and the application means is applied to the rubber member of the holding means. Abutting the outside in the radial direction from the suction port on the opposite surface, supplying liquid resin from the supply port and sucking from the suction port to apply the liquid resin to the surface of the wafer,
When the coating unit is peeled from the holding unit after applying the liquid resin, the moving unit is used to move the rubber member of the holding unit in contact with the facing surface of the surface plate of the holding unit. A resin film forming apparatus, wherein the holding means and the coating means are slid relatively in parallel.
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