KR20150008853A - 광학 모듈 - Google Patents

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토모시 오오데
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소니 주식회사
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Abstract

본 발명은 고스트의 발생을 억제하기 위한 광학 모듈로서, 본 광학 모듈에서는, 피사체를 촬상하는 센서와, 센서에서 판독된 화소 데이터를 기억하는, 센서가 접합된 메모리 칩이 마련되고, 메모리 칩은, 플립칩의 접속부에 의해 기판과 접속된다. 센서는, 센서가 접합된 메모리 칩과 와이어에 의해 접속할 수 있다. 또한, 센서는, 기판의 개구부를 향하여 돌출하도록, 메모리 칩에 접합할 수 있다. 본 기술은, 카메라 모듈에 적용할 수 있다.

Description

광학 모듈{OPTICAL MODULE}
본 발명의 기술은 광학 모듈에 관한 것으로, 특히 고스트(ghost)의 발생을 억제하도록 한 광학 모듈에 관한 것이다.
최근, 휴대 전화기, 스마트 폰 등에 탑재되는 카메라 모듈로 대표되는 광학 모듈은, 보다 소형화가 도모되고 있다. 도 1은, 이와 같은 종래의 광학 모듈(1)의 단면의 원리적 구성을 도시하는 도면이다.
도 1에 도시되는 광학 모듈(1)에서는, 센서(10)가, 로직부(11)와 수광부(12)에 의해 구성되어 있다. 로직부(11)에는 수광부(12)에서 출력된 화소 데이터를 처리하는 회로가 형성되어 있다. 또한, 수광부(12)의 표면에 도시되어 있는 돌기는 화소를 도시하고 있고, 도 1에서는 간단함을 위해, 3개만이 도시되어 있지만, 실제로는 다수의 화소가 형성되어 있다.
이 센서(10)는, 그 주변이 범프(13)에 의해 기판(14)에 플립칩(Flip Chip) 접속되어 있다. 기판(14)의 개구부(14A)는, 적외선 컷트 필터(IRCF : Infrared Cut Filter)(15)에 의해 닫혀져 있다. 기판(14)에는 또한, 렌즈(17)를 지지하는 지지 부재(16)가 접합되어 있다.
이상의 구성에 의해, 피사체로부터의 광이, 렌즈(17)와 적외선 컷트 필터(15)를 통하여 수광부(12)에 입사한다. 수광부(12)의 화소에 의해 생성된 화소 데이터는 로직부(11)의 회로에 의해 처리되어, 외부에 출력된다.
센서(10)는 플립칩 접속되어 있기 때문에, 와이어 본딩 한 경우에 비하여, 소형화가 가능해진다.
특허 문헌 1 : 일본 특개2001-16486호 공보
여기서, 고스트에 관해 설명한다. 도 2는, 도 1의 광학 모듈(1)의 광의 반사의 상태를 도시하고 있다. 또한, 도 2에 도시되는 바와 같이, 렌즈(17)와 필터(15)(도 1 참조)를 통하여 입사된 광의 일부는, 기판(14)의 단면(14D)에 의해 반사된다. 반사광의 일부는, 센서(10)를 향하고, 수광부(12)에 의해 수광된다. 이와 같이 본래, 렌즈(17)와 필터(15)를 투과한 광만이 수광부(12)에 직접 입사되어야 하는 점에서, 반사광이 입사하면, 노이즈 성분이 입사하는 것으로 되어, 고스트라고 불리는 화상의 이상(abnormality)이 발생하기 쉽게 된다.
본 기술은 이와 같은 상황을 감안하여 이루어진 것으로, 고스트의 발생을 억제하는 것이다.
본 기술의 측면은, 피사체를 촬상하는 센서와, 상기 센서에서 판독된 화소 데이터를 기억하는, 상기 센서가 접합된 메모리 칩을 구비하고, 상기 메모리 칩과 상기 센서의 칩 사이즈가 다르고, 상기 센서가 상기 메모리 칩의 상부에 겹쳐져 있는 광학 모듈이다.
상기 메모리 칩은, 플립칩의 접속부에 의해 기판과 접속할 수 있다.
상기 센서는, 상기 센서가 접합된 상기 메모리 칩과 와이어에 의해 접속할 수 있다.
상기 센서는, 상기 메모리 칩부터 상기 기판의 개구부를 향하여 돌출하도록, 상기 메모리 칩에 접합할 수 있다.
상기 플립칩의 접속부는, 상기 메모리 칩의 주변을 상기 기판에 접속할 수 있다.
상기 와이어의 일단은, 상기 센서의 상기 개구부측의 면의 주변에 접속되고, 상기 와이어의 타단은, 상기 메모리 칩의, 상기 플립칩의 접속부와 상기 센서의 단면과의 사이의 영역에 접속할 수 있다.
상기 센서는, 적층 센서로 할 수 있다.
상기 기판의, 상기 메모리 칩의 상기 플립칩의 접속부가 접속되어 있는 면과 대향하는 면에는, 필터를 향하여 출사한 광이 상기 필터를 투과하여 상기 센서에 입사하도록 광을 안내하는 렌즈를 지지하는 지지 부재를 접합할 수 있다.
상기 메모리 칩은, 상기 센서가 겹쳐지지 않은 쪽의 면을, 기판과 접합할 수 있다.
상기 기판의, 상기 메모리 칩이 접합되어 있는 면에는, 필터를 향하여 출사한 광이 상기 필터를 투과하여 상기 센서에 입사하도록 광을 안내하는 렌즈를 지지하는 지지 부재가 접합할 수 있다.
상기 메모리 칩은, 상기 센서가 접합된 면을, 상기 기판과 와이어에 의해 접속할 수 있다.
본 기술의 측면에서는, 피사체를 촬상하는 센서와, 센서에서 판독된 화소 데이터를 기억하는, 센서가 접합된 메모리 칩이 마련되고, 메모리 칩과 센서의 칩 사이즈가 다르고, 센서가 메모리 칩의 상부에 겹쳐져 있다.
이상과 같이, 본 기술의 측면에 의하면, 고스트의 발생을 억제하는 것이 가능해진다.
도 1은 종래의 광학 모듈(1)의 단면의 원리적 구성을 도시하는 도면.
도 2는 광학 모듈(1)의 광의 반사의 상태를 도시하는 도면.
도 3은 본 기술의 광학 모듈(101)의 단면의 구성을 도시하는 도면.
도 4는 손상의 예를 도시하는 도면.
도 5는 제조 장치(501)의 기능적 구성을 도시하는 블록도.
도 6은 광학 모듈(101)의 제조 방법을 설명하는 플로 차트.
도 7은 도 3의 광학 모듈(101)의 제조 과정을 설명하는 도면.
도 8은 도 3의 광학 모듈(101)의 광의 반사의 상태를 도시하는 도면.
도 9는 본 기술의 다른 광학 모듈(101)의 단면의 구성을 도시하는 도면.
도 10은 백 포커스를 설명하는 도면.
도 11은 와이어(120)의 접속의 상태를 도시하는 도면.
도 12는 도 9의 광학 모듈(101)의 광의 반사의 상태를 도시하는 도면.
도 13은 방열을 설명하는 도면.
도 14는 도 9의 광학 모듈(101)의 제조 과정을 설명하는 도면.
도 15는 본 기술의 다른 광학 모듈(101)의 단면의 구성을 도시하는 도면.
도 16은 도 15의 광학 모듈(101)의 광의 반사의 상태를 도시하는 도면.
도 17은 도 15의 광학 모듈(101)의 제조 방법을 설명하는 플로 차트.
도 18은 도 15의 광학 모듈(101)의 제조 과정을 설명하는 도면.
이하, 본 기술을 실시하기 위한 형태(이하, 실시의 형태라고 칭한다)에 관해 설명한다. 또한, 설명은 이하의 순서로 행한다.
1. 제1의 실시의 형태(비적층 센서를 이용하는 경우)
<광학 모듈의 구조>
<제조 장치의 구성>
<제조 처리>
2. 제2의 실시의 형태(적층 센서를 이용하는 경우)
<광학 모듈의 구조>
<제조 처리>
<변형례>
<제조 처리>
3.<기타의 구성>
<1. 제1의 실시의 형태(비적층 센서를 이용하는 경우)>
<광학 모듈의 구조>
도 3은, 본 기술의 광학 모듈(101)의 단면의 구성을 도시하는 도면이다. 예를 들면 카메라에 장전된 카메라 모듈을 구성하는 광학 모듈(101)에서는, 센서(110)가, 로직부(111)와 수광부(112)에 의해 구성되어 있다. 로직부(111)에는 수광부(112)에서 출력된 화소 데이터를 처리하는 회로가 형성되어 있다. 수광부(112)는, 로직부(111)의 거의 중앙의 윗면측에 형성되어 있다. 도 3에서 수광부(112)의 윗면에 반구형상으로 도시되어 있는 돌기는, 각각 적, 녹, 청 등의 화소를 구성하는 부분이고, 대응하는 수광 소자에 광을 수속하는 렌즈를 포함하고 있다. 도 3에서는 간단함을 위해, 3개만이 도시되어 있지만, 실제로는 화소는 다수 형성되어 있다.
센서(110)는 메모리 칩(122)과 사이즈가 다르다. 즉, 센서(110)는 메모리 칩(122)보다 사이즈가 작고, 다이본드재(121)에 의해 메모리 칩(122)의 거의 중앙의 윗면(122U)에 겹쳐지도록 직접 접합되어 있다. 메모리 칩(122)은, 센서(110)에 의해 촬상되고, 출력된 화소 데이터를 기억하는 메모리이고, 예를 들면 DRAM (Dynamic Random Access Memory)에 의해 구성된다.
메모리 칩(122)은 그 주변이, 도전성 재료로서의 예를 들면 금(Au)의 범프(113)에 의해, 기판(114)의 도면 중 하측의 면(114B)에 패드(118)를 통하여 플립칩 접속되어 있다. 플립칩의 접속부인 범프(113)는, 보강을 위해 언더필(119)을 도포하여 밀봉되어 있다.
기판(114)의 거의 중앙에는, 수광부(112)에 광을 입사시키기 위한 개구부(114A)가 형성되어 있다. 센서(110)는, 메모리 칩(122)으로부터 이 개구부(114A)를 향하여 돌출하도록, 메모리 칩(122)의 윗면(122U)에 접합되어 있다. 즉 센서(110)는 메모리 칩(122)보다 사이즈가 작기 때문에, 메모리 칩(122)과 센서(10)의 사이에는, 센서(110)의 두께분만큼 단차가 형성되어 있다. 기판(114)의 도면 중 상측의 면(114C)에는, 개구부(114A)를 닫도록, 필터(115)가 접합되어 있다. 이 필터(115)는, 수광부(112)에 적외선이 입사하는 것을 방지함과 함께, 수광부(112)의 화소면에의 더스트의 낙하를 방지한다.
지지 부재(116)와, 지지 부재(116)에 의해 지지된 렌즈(117)에 의해 렌즈 유닛(131)이 구성되어 있다. 지지 부재(116)는, 기판(114)의 면(114B)과 대향하는 면(114C)에 접합되어 있다.
센서(110)와 메모리 칩(122)은, 도전성 재료로서의 예를 들면 금 등의 와이어(120)에 의해 접속되어 있다. 와이어(120)는, 센서(110)의 개구부(114A)측의 면의 주변과, 플립칩 접속된 범프(113)와 센서(110)의 단면(110A)과의 사이의 메모리 칩(122)의 영역(122A)에 접속되어 있다.
또한, 지지 부재(116) 내에 렌즈(117)를 가동시키는 액추에이터를 마련하여, 이른바 오토 포커스 기능을 갖게 할 수도 있다.
이상의 구성에 의해, 피사체로부터의 광이, 렌즈(117)와 필터(115)를 통하여 수광부(112)에 입사한다. 수광부(112)에 의해 생성된 화소 데이터는 로직부(111)의 회로에 의해 처리되어, 외부에 출력된다.
본 구조에서는, 메모리 칩(122)에 대해 플립칩 접속하기 때문에, 플립칩 접속시에 초음파 진동을 이용하였다고 하여도, 메모리 칩(122)의 기판(114)과의 접속부에 크랙 등의 손상은 발생하지 않는다. 그리고, 센서(110)와 메모리 칩(122)에는, 접속에 안정적인 와이어(120)를 접속하고 있기 때문에, 접속 구조적으로 로버스트(robust)한 구조 설계로 되어 있고, 접속 품질이 안정된다.
즉, 도 1에 도시되는 바와 같이, 센서(10)의 로직부(11)에 플립칩 접속하면, 센서(10)가 손상을 받는 경우가 있다. 이 점에 관해, 도 4를 참조하여 설명한다.
센서(10)를 플립칩 접속하는데는 몇 가지의 방법이 있다. 솔더나 은(Ag) 페이스트를 통하여 접속하는 방법에서는, 가열시의 열에 의해 센서(10)상의 렌즈(수광부(12)의 화소마다 존재한 렌즈(도시 생략))에 손상이 발생하는 일이 있다. 금(Au)과 금을 압접하는 방법에서도, 가열을 필요로 하기 때문에, 마찬가지로, 렌즈에 손상이 발생하는 일이 있다.
저온으로 접속하는 플립칩 접속의 방법으로서는, 금을 초음파로 단시간에 접합하는 방법이 있다. 그러나 이 방법은, 초음파 접합시의 진폭에 의해, 로직부(11)의 범프(13)에 의해 접속된 부분이 손상되기 쉽다는 문제가 있다.
도 4는, 손상의 예를 도시하는 도면이다. 도 4A는, 로직부(11)의 범프(13)에 의해 접속된 부분을 점선으로 둘러싸서 도시하고 있다. 도 4B는, 도 4A의 점선으로 둘러싸여진 범위를 확대하여 도시하고 있다. 도 4B에 도시되는 바와 같이, 로직부(11)의 범프(13)에 의해 접속된 부분에는, 저 비유전율막(Low-K막)(31)이 형성되고, 그 위에는 층간막(32)이 형성되어 있다. 범프(13)를 초음파 진동에 의해 접합하는 처리는, 센서(10)의 주변에 위치하는 모든 범프(13)에 대해 동시에 행하여진다. 그 결과, 이 초음파 진동에 기인하여, 저 비유전율막(31)이나 층간막(32)에, 크랙(33) 등의 손상이 발생하는 일이 있는 것이다.
도 3의 광학 모듈(101)에서는, 이와 같은 손상이 발생할 우려가 적다.
또한, 도 3의 광학 모듈(101)의 센서(110)로서, 도 1의 센서(10)와 같은 크기의 센서를 이용할 수 있다. 이 경우, 범프(113)를 형성하는 영역을 확보하기 위해, 메모리 칩(122)은, 그 사이즈(도면 중 횡방향의 길이)를 센서(110)보다 크게 할 필요가 있다. 그 때문에, 렌즈(117)로서 도 1의 렌즈(17)와 같은 지름의 렌즈를 사용하였다고 하여도, 지지 부재(116)의 외경을, 도 1의 지지 부재(16)보다 크게 할 필요가 있다. 따라서 도 3의 광학 모듈(101)의 모듈 사이즈(지지 부재(116)의 외경)(S11)는, 도 1의 광학 모듈(1)의 모듈 사이즈(지지 부재(16)의 외경)(S1)보다 커진다.
또한, 도 3의 광학 모듈(101)에서는, 도 1의 광학 모듈(1)에 비하여, 센서(110)의 두께의 분만큼, 수광부(112)의 위치가 렌즈(117)에 가까워진다. 따라서, 일반적으로는, 지지 부재(116)로 지지되어 있는 렌즈(117)와 수광부(112)까지의 거리인 백 포커스의 길이(BF11)는, 도 1의 렌즈(17)와 수광부(12)까지의 거리인 백 포커스의 길이(BF1)보다 짧아진다.
백 포커스가 긴 것은, 일반적으로 렌즈(117)의 초점 심도가 깊어지고, 화소면과 렌즈 유닛(131)의 평행도에 대해, 제조 편차를 흡수하기 쉽게 되고, 저 비용의 제조 프로세스를 실현할 수 있다. 구체적으로는 렌즈 유닛(131)의 틸트 보정을 하지 않은 채로 렌즈 유닛(131)을 기판(114)에 접착하는 것이 가능해진다. 즉, 백 포커스의 길이(BF11)를 너무 단축하면 불리해지는 일이 있다.
그래서, 백 포커스가 필요한 광학 모듈의 경우는, 필요에 응하여, 도 3의 범프(113)에 의한 접속부의 길이(메모리 칩(122)의 윗면(122U)과 기판(114)의 하면(114B)의 거리)인 갭(G11)의 길이를 조정할 수 있다. 즉, 갭(G11)의 길이를, 도 1의 범프(13)에 의한 접속부의 길이(로직부(11)의 윗면(11U)과 기판(14)의 하면(14B)의 거리)인 갭(G1)의 길이보다 길게 할 수 있다. 이에 의해, 백 포커스의 길이(BF11)를, 백 포커스의 길이(BF1)와 동등 이상으로 할 수 있다.
또한, 백 포커스에 관해서는, 후술하는 도 10을 참조하여 더욱 상세히 설명한다.
<제조 장치의 구성>
다음에, 상기한 광학 모듈(101)의 제조 장치(501)에 관해 설명한다. 도 5는, 제조 장치(501)의 기능적 구성을 도시하는 블록도이다. 동 도면에 도시되는 바와 같이, 제조 장치(501)는, 준비부(511), 접속부(512), 및 접합부(513)를 갖고 있다.
준비부(511)는, 소정의 부재를 준비한다. 접속부(512)는 전기적 접속 등을 행한다. 예를 들면, 범프의 형성, 플립칩 접속, 와이어 본딩 등이 행하여진다. 접합부(513)는, 센서(110)를 접합하거나, 필터(115)나 렌즈 유닛(131)을 접착한다.
<제조 처리>
다음에, 도 3의 광학 모듈(101)의 제조 방법에 관해 설명한다. 도 6은, 광학 모듈(101)의 제조 방법을 설명하는 플로 차트이고, 도 7은, 도 3의 광학 모듈(101)의 제조 과정을 설명하는 도면이다.
스텝 S1에서 준비부(511)는, 메모리 칩(122) 등을 준비한다. 물론 이 때, 메모리 칩(122) 이외의 필요한 부재가 준비된다. 예를 들면 센서(110), 기판(114), 필터(115), 렌즈 유닛(131) 등도 준비된다. 스텝 S2에서 접속부(512)는, 도 7A에 도시되는 바와 같이, 메모리 칩(122)의 도면의 상측의 면(122U)의 주변에, 범프(113)를 형성한다. 예를 들면, 금의 와이어로 스터드 범프가 형성된다. 기판(114)의 하면(114B)과 메모리 칩(122)의 윗면(122U)과의 거리인 접속 갭(G11)은, 필요에 응하여 다단으로 하여 조정하는 것도 가능하다. 이 실시의 형태의 경우, 범프 형성은, 다이싱이 끝난 메모리 칩(122)에 대해 행하여지지만, 다이싱 전의 메모리의 웨이퍼에 대해 행할 수도 있다. 범프를 도금으로 형성하는 경우에는, 웨이퍼 레벨에서 형성하는 것이 바람직하다.
또한, 본 제조 방법에서는, 메모리 칩(122)측에 범프(113)를 형성하고 있지만, 기판(114)측에 형성하여도 좋다. 범프(113)를 다단으로 형성하는 경우는, 메모리 칩(122)과 기판(114)의 양쪽에 범프(113)를 형성하여 플립칩 접속하는 것도 가능하다.
스텝 S3에서 접속부(512)는, 플립칩 접속한다. 즉, 도 7B에 도시되는 바와 같이, 메모리 칩(122)이 범프(113)를 통하여 기판(114)의 하면(114B)에 접속된다. 이 때 초음파 진동이 이용되고, 메모리 칩(122)의 주변의 모든 범프(113)가 동시에 접속된다. 메모리 칩(122)의 주변에는, 도 4에 도시한 저 비유전율막(31)이나 층간막(32)은 형성되어 있지 않기 때문에, 크랙 등의 손상이 발생할 우려는 적다. 그리고 범프(113)는, 보강을 위해 언더필(119)이 도포되고, 밀봉된다. 이에 의해, 메모리 칩(122)은 그 주변이, 범프(113)에 의해 기판(114)의 도면 중 하측의 면(114B)에 패드(118)를 통하여 플립칩 접속된다.
후에 센서(110)가 메모리 칩(122)상에 탑재되기 때문에, 아직 이 때, 기판(114)의 개구부(114A)는 개구하여 둘 필요가 있다. 더스트가 센서(110)의 수광부(112)의 화소면에 묻으면, 화질 불량이 될 우려가 있다. 그 때문에, 기판(114)으로서, 개구부(114A)의 단면에서 더스트가 나오지 않는 기판을 선택할 필요가 있다. 그래서, 기판(114)은 세라믹 기판이나, 더스트 발생 방지를 위해, 개구부(114A)의 단면을 코트한 유기 기판을 이용하는 것이 바람직하다.
스텝 S4에서 접합부(513)는, 센서(110)를 접합한다. 즉, 도 7C에 도시되는 바와 같이, 메모리 칩(122)의 윗면(122U)에 다이본드재(121)를 통하여 센서(110)가 접합된다.
스텝 S5에서 접속부(512)는, 와이어 본드를 행한다. 이 상태가, 도 7D에 도시되어 있다. 즉, 예를 들면 캐필러리(301)(후술하는 도 11 참조)에 의해 하중이 가하여지고, 와이어(120)가, 센서(110)와 메모리 칩(122)과의 사이에 접속된다. 상세히 은, 센서(110)의 개구부(114A)측의 면(110B)의 주변과, 플립칩 접속된 범프(113)와 센서(110)의 단면(110A)과의 사이의 메모리 칩(122)의 영역(122A)에 접속된다.
와이어(120)의 접속시, 하중과 초음파 진동이 가하여지지만, 이 처리는 와이어(120)에 대해 1개씩 행하여진다. 그 결과, 로직부(111)의 저 비유전율막(31)이나 층간막(32)(도 4 참조)이 손상을 받는 일은 거의 없다.
스텝 S6에서 접합부(513)는, 필터(115)를 접착한다. 즉, 도 7E에 도시되는 바와 같이, 기판(114)의 면(114C)에, 개구부(114A)를 닫도록, 필터(115)가 접착된다.
스텝 S7에서 접합부(513)는, 렌즈 유닛(131)을 접착한다. 즉, 도 3에 도시되는 바와 같이, 렌즈(117)를 지지하는 지지 부재(116)의 단부가, 기판(114)의 면(114C)에 접착된다.
또한, 이상의 제조 플로에서는, 메모리 칩(122)을 기판(114)에 플립칩 접속한 후에, 센서(110)를 메모리 칩(122)에 다이 본드와 와이어 본드하도록 하였다. 그러나, 메모리 칩(122)에 센서(110)를 다이 본드 또는 와이어 본드를 하고 나서 메모리 칩(122)을 기판(114)에 플립칩 접속하도록 하여도 좋다. 그 경우는, 와이어 본드의 와이어를 변형하지 않도록 핸들링하는 콜릿을 준비할 필요가 있다.
도 8은, 도 3의 광학 모듈(101)의 광의 반사의 상태를 도시하고 있다. 또한, 도 8에서는, 광을 의미한 화살표의 폭은 광량을 나타내고 있다. 반사함에 의해 광량은 감쇠하기 때문에, 반사광의 화살표의 폭은 입사광의 폭보다 가늘어져 있다.
도 8에 도시되는 바와 같이, 렌즈(117)와 필터(115)(도 3 참조)를 통하여 입사되는 광의 일부도, 기판(114)의 단면(114D)에 의해 반사되고, 반사광의 일부는, 센서(110)를 향한다. 그러나, 센서(110)가, 메모리 칩(122)의 윗면(122U)부터 개구부(114A)의 방향으로 돌출하고 있고, 수광부(212)가 메모리 칩(122)의 윗면(122U)보다 상방에 위치한다. 또한, 영역(122A)의 분만큼, 수광부(112)는 단면(114D)으로부터 떨어져 있다.
그 결과, 수광부(112)에 입사하는 반사광의 광량은, 도 2의 수광부(12)의 경우에 비하여 적어진다. 즉, 광학 모듈(101) 내에서 반사한 광을 수광부(112)에 입사시키지 않기 때문에, 센서(110)의 두께에 의한 단차를 이용하여, 반사광의 일부를 센서(110)의 단면(110A)에 의해 컷트시킨다. 와이어(120)에 의해 반사된 광의 일부가 수광부(112)에 입사하지만, 그 양은 적다. 따라서 도 8에 도시되는 경우의 쪽이, 도 2에 도시되는 경우보다, 고스트가 발생할 우려는 적어진다.
<2. 제2의 실시의 형태(적층 센서를 이용하는 경우)>
<광학 모듈의 구조>
다음에, 제2의 실시의 형태에 관해 설명한다. 도 9는, 본 기술의 다른 광학 모듈(101)의 단면의 구성을 도시하는 도면이다. 도 9에 도시되는 광학 모듈(101)의 구성은, 도 3에 도시된 광학 모듈(101)과 기본적으로 마찬가지이다. 즉, 도 3의 광학 모듈(101)에서는, 센서(110)가 비적층 센서로 구성되어 있지만, 도 9의 광학 모듈(101)은, 센서(210)가 적층 센서로 구성되어 있는 점이, 도 3의 경우와 다르다. 비적층 센서에서는, 도 3에 도시되는 바와 같이, 광을 수광하고, 대응하는 화소 데이터를 출력하는 수광부(112)가, 수광부(112)가 출력한 화소 데이터를 처리하는 로직부(111)와 같은 평면상에 형성되어 있다. 이에 대해 적층 센서는, 도 9에 도시되는 바와 같이, 광을 수광하고, 대응하는 화소 데이터를 출력하는 수광부(212)가, 수광부(212)가 출력한 화소 데이터를 처리한 로직부(211)의 위에 적층된 구조를 갖고 있다.
센서(210)는 적층 센서이므로, 로직부(211)의 위에 수광부(212)가 형성되어 있다. 그 결과, 센서(210)의 두께는, 센서(110)보다 두꺼워지지만, 평면 방향의 크기(사이즈)는, 비적층 센서인 센서(110)보다 작아진다. 그 때문에, 도 9의 렌즈(117)로서 도 1의 렌즈(17)와 같은 사이즈의 렌즈를 사용한 경우, 지지 부재(116)의 지름을, 도 1의 지지 부재(16)와 같게 할 수 있다. 즉, 도 9의 광학 모듈(101)의 모듈 사이즈(S21)는, 도 1의 광학 모듈(1)의 모듈 사이즈(S1)와 동등 이하로 할 수 있다. 또한 도 9의 광학 모듈(101)의 모듈 사이즈(S21)는, 도 3이나 후술하는 도 15의 광학 모듈(101)의 모듈 사이즈(S11, S31)보다 작게 할 수 있다.
또한 본 실시의 형태에서도, 도 3의 경우와 마찬가지로, 필요에 응하여, 갭(G21)의 길이를 조정할 수 있다. 도 10은, 백 포커스를 설명하는 도면이다. 도 10에 도시되는 바와 같이, 범프(113)에 의한 접속부의 길이인 갭(G21)은, 메모리 칩(122)의 윗면(122U)과 기판(114)의 하면(114B)의 거리이다. 이 갭(G21)의 길이를, 도 1의 갭(G1)의 길이보다 길게 하고, 백 포커스의 길이(BF21)를, 도 1의 백 포커스의 길이(BF1)와 동등 이상으로 조정할 수 있다.
또한, 백 포커스의 길이를 조정하려면, 플립칩 접속하는 갭(G21)을 길게 할 뿐만 아니라, 그에 맞추어서, 또는 그것과는 별도로, 센서(210)의 두께를 센서(110)(또는 센서(10))보다 얇게 연마하여 대응할 수도 있다.
도 1의 광학 모듈(1)의 센서(10)의 구조에서는, 센서(10)는, 약 100 내지 약 200㎛ 정도까지의 두께까지밖에 얇게 할 수가 없었다. 그것은, 화소면은 평탄한 것이 바람직하지만, 센서(10)의 재료인 실리콘을 얇게 하면 휘어짐이 발생하고, 렌즈(17)의 포커스 밖에 수광부(12)의 화소면이 위치하여 버리거나, 휘어짐에 의해 해상도가 떨어지는 등 화질이 열화되기 때문이다.
본 기술의 광학 모듈(101)의 구조에서는, 아래에 평탄도를 보장한 실리콘인 메모리 칩(122)이 존재하기 때문에, 센서(210)측의 실리콘의 두께를 얇게 할 수 있다. 예를 들면 실리콘의 두께를 약 30㎛까지 얇게 하는 것이 가능하다. 이와 같이, 센서(210)를 메모리 칩(122)에 접합함에 의해, 센서(210)의 두께의 분만큼 백 포커스의 거리가 짧아진 분의 적어도 일부를, 센서(210)를 얇게 함으로써 상쇄할 수 있다. 종합적으로는, 센서(210)의 두께와, 범프(113)의 길이(갭(G21)의 길이)의 적어도 한쪽을 조정함으로써, 백 포커스의 길이(BF21)를 조정할 수 있다.
갭(G21)은, 예를 들면, 범프(113)를 다단으로 하여 조정하거나, 범프(113)를 도금으로 작성하는 경우는, 도금의 높이로 조정할 수 있다. 범프(113)나 도전성 재료로서의 은(Ag) 페이스트의 프리 코트하는 양을 늘려서 조정할 수도 있다.
도 11은, 와이어(120)의 접속의 상태를 도시하는 도면이다. 동 도면에 도시되는 바와 같이, 메모리 칩(122)의 윗면(122U)의, 센서(210)의 단면(210A)과 기판(114)의 단면(114D)의 사이의 영역(122A)의 패드(118A)에는, 와이어(120)의 일단이 접속된다. 와이어(120)의 타단은, 센서(210)의 패드(118B)에 접속된다.
와이어(120)의 접속에는, 캐필러리(301)가 사용된다. 그 때문에, 센서(210)의 단면(210A)과 패드(118A)의 도면 중 좌측의 단부까지의 거리(L1)와, 기판(114)의 도면 중 좌측의 단면(114D)으로부터 패드(118A)의 도면 중 우측의 단부까지의 거리(L2)는, 캐필러리(301)의 크기에 의해 규정된다.
도 11의 상측에는, 도 1의 광학 모듈(1)의 기판(14)과, 그것에 접합된 센서(10)가 비교를 위해 도시되어 있다. 기판(14)의 개구부(14A)의 지름을 D11로 한다. 센서(210)로서, 영역(122A)에 있어서 캐필러리(301)가 사용할 수 있는 사이즈가 작은 적층 센서를 이용함으로써, 기판(114)의 개구부(114A)의 지름(D21)을, 지름(D11) 이하로 하는 것이 가능해진다. 즉, 적층 센서인 센서(210)를 와이어 본드의 SiP(System in Package) 구조로 하여, 광학 모듈(101)의 사이즈를, 광학 모듈(1)과 동등 이하로 할 수 있다.
도 12는, 도 9의 광학 모듈(101)의 광의 반사의 상태를 도시하고 있다. 또한, 도 12에서도, 광을 의미하는 화살표의 폭은 광량을 나타내고 있다. 반사함에 의해 광량은 감쇠하기 때문에, 반사광의 화살표의 폭은 입사광의 폭보다 가늘어져 있다.
도 12에 도시되는 바와 같이, 렌즈(117)와 필터(115)(도 9 참조)를 통하여 입사되는 광의 일부는, 기판(114)의 단면(114D)에 의해 반사되고, 반사광의 일부는, 센서(210)를 향한다. 그러나, 센서(210)가, 메모리 칩(122)의 윗면(122U)으로부터 개구부(114A)의 방향으로 돌출하고 있고(센서(210)와 메모리 칩(122)의 사이에 단차가 형성되어 있고), 수광부(212)가 메모리 칩(122)의 윗면(122U)보다 상방에 위치한다. 또한, 영역(122A)의 분만큼, 수광부(212)는 단면(114D)으로부터 떨어져 있다.
그 결과, 수광부(212)에 입사하는 반사광의 광량은, 도 2의 수광부(12)의 경우에 비하여 적어진다. 즉, 광학 모듈(101) 내에서 반사한 광을 수광부(112)에 입사시키지 않기 위해, 센서(210)의 두께에 의한 단차를 이용하여, 반사광의 일부를 센서(210)의 단면(210A)에 의해 컷트시킨다. 와이어(120)에 의해 반사된 광의 일부가 수광부(212)에 입사하지만, 그 양은 적다. 따라서 도 12에 도시되는 경우의 쪽이, 도 2에 도시되는 경우보다, 고스트가 발생할 우려는 적어진다.
도 13은, 방열을 설명하는 도면이다. 동 도면에 도시되는 바와 같이, 센서(210)에 의해 발생된 열은, 메모리 칩(122)에 전달된 후, 또한 메모리 칩(122)으로부터 방열된다. 따라서 센서(210)의 온도의 상승이 억제되고, 그에 의해 화소 데이터가 열에 의해 열화되는 것이 억제된다.
또한, 메모리 칩(122)이 센서(210)의 바로 아래에 다이본드재(121)를 통하여 직접 접합되어 있기 때문에, 양자의 사이의 배선 거리, 즉 와이어(120)의 길이를 단축할 수 있다. 그 결과, 센서(210)로부터의 화소 데이터를 고속으로 메모리 칩(122)에 축적하여, 고속의 화상 처리가 가능해진다. 이에 의해, 예를 들면, 글로벌 셔터, 다이내믹 레인지 확대 등의 화상 처리가 가능해진다. 또한, 도 9의 광학 모듈(101)은, 후술하는 도 15의 광학 모듈(101)에 비하여 고속 처리에는 유리하다. 그것은 도 15와 같이, 와이어(120B)에 의해 메모리 칩(122)과 기판(114)을 접속하지 않기 때문에, 와이어(120B)의 기생 용량에 의한 영향이 없기 때문이다.
또한 도 9의 광학 모듈(101)은, 도 3의 광학 모듈(101)과 마찬가지로, 후술하는 도 15의 광학 모듈(101)에 비하여, 기판(114)의 두께의 분만큼 높이를 낮게 할 수 있다.
또한, 이상의 도 9의 실시의 형태의 효과는, 도 3의 실시의 형태에서도, 마찬가지로 발휘된다.
<제조 처리>
도 9의 광학 모듈(101)의 제조 방법에 관해 설명한다. 도 14는, 도 9의 광학 모듈(101)의 제조 과정을 설명하는 도면이다. 도 14를 도 7과 비교하여 분명한 바와 같이, 도 14는, 도 7의 비적층 센서인 센서(110)를, 적층 센서인 센서(210)로 변경한 점만이 도 7과 다르고, 그 밖의 공정은 도 7에서의 경우와 마찬가지이다. 따라서 도 9의 광학 모듈(101)의 제조 장치와 제조 방법은, 도 5와 도 6에 도시한 경우와 기본적으로 마찬가지이다.
스텝 S1에서 준비부(511)는, 메모리 칩(122) 등을 준비한다. 물론 이 때, 메모리 칩(122) 이외의 필요한 부재가 준비된다. 예를 들면 센서(210), 기판(114), 필터(115), 렌즈 유닛(131) 등도 준비된다. 스텝 S2에서 접속부(512)는, 도 14A에 도시되는 바와 같이, 메모리 칩(122)의 도면중의 상측의 면(122U)의 주변에, 범프(113)를 형성한다. 예를 들면, 금의 와이어로 스터드 범프가 형성된다. 기판(114)의 하면(114B)과 메모리 칩(122)의 윗면(122U)과의 거리인 접속 갭(G21)은, 필요에 응하여 다단으로 하여 조정하는 것도 가능하다. 범프(113)의 형성은, 다이싱이 끝난 메모리 칩(122)에 대해 행하여도 좋고, 다이싱 전의 메모리의 웨이퍼에 대해 행할 수도 있다. 범프(113)를 도금으로 형성하는 경우에는, 웨이퍼 레벨에서 형성하는 것이 바람직하다.
또한, 본 제조 방법에서는, 메모리 칩(122)측에 범프(113)를 형성하고 있지만, 기판(114)측에 형성하여도 좋다. 범프(113)를 다단으로 형성하는 경우는, 메모리 칩(122)과 기판(114)의 양쪽에 범프(113)를 형성하여 플립칩 접속하는 것도 가능하다.
스텝 S3에서 접속부(512)는, 플립칩 접속한다. 즉, 도 14B에 도시되는 바와 같이, 메모리 칩(122)이 범프(113)를 통하여 기판(114)의 하면(114B)에 접속된다. 그리고 범프(113)는, 보강을 위해 언더필(119)이 도포되고, 밀봉된다. 이에 의해, 메모리 칩(122)은 그 주변이, 범프(113)에 의해 기판(114)의 도면 중 하측의 면(114B)에 패드(118)를 통하여 플립칩 접속된다.
후에 센서(210)가 메모리 칩(122)상에 탑재되기 때문에, 아직 이 때, 기판(114)의 개구부(114A)는 개구하여 둘 필요가 있다. 더스트가 센서(210)의 수광부(212)의 화소면에 묻으면, 화질 불량이 될 우려가 있다. 그 때문에, 기판(114)으로서, 개구부(114A)의 단면에서 더스트가 나오지 않는 기판을 선택할 필요가 있다. 그래서, 기판(114)은 세라믹 기판이나, 더스트 발생 방지를 위해, 개구부(114A)의 단면을 코트한 유기 기판을 이용하는 것이 바람직하다.
스텝 S4에서 접합부(513)는, 센서(210)를 접합한다. 즉, 도 14C에 도시되는 바와 같이, 메모리 칩(122)의 윗면(122U)에 다이본드재(121)를 통하여 센서(210)가 직접 접합된다.
스텝 S5에서 접속부(512)는, 와이어 본드를 행한다. 이 상태가, 도 14D에 도시되어 있다. 즉, 캐필러리(301)에 의해 하중과 초음파 진동이 가하여져, 와이어(120)가, 센서(210)의 수광부(212)의 주변과, 메모리 칩(122)의 영역(122A)에 접속된다.
또한, 와이어(120)의 접속시, 하중과 초음파 진동이 가하여지지만, 이 처리는 와이어(120)에 대해 1개씩 행하여진다. 그 결과, 메모리 칩(122)이 손상을 받는 일은 거의 없다. 단, 하중과 초음파에 의해서도 메모리 칩(122)의 특성에 영향이 나올 우려도 있다. 그래서, 플립칩 접속부와 마찬가지로, 만약을 위해, 메모리 칩(122)상의 와이어 본딩하는 에어리어는, 메모리 셀의 형성을 금지하고, 배선층만을 형성하는 영역으로 하여 두면, 보다 안전하다.
스텝 S6에서 접합부(513)는, 필터(115)를 접착한다. 즉, 도 14E에 도시되는 바와 같이, 기판(114)의 면(114C)에, 개구부(114A)를 닫도록, 필터(115)가 접착된다.
스텝 S7에서 접합부(513)는, 렌즈 유닛(131)을 접착한다. 즉, 도 9에 도시되는 바와 같이, 렌즈(117)를 지지하는 지지 부재(116)의 단부가, 기판(114)의 면(114C)에 접착된다.
또한, 이상의 제조 플로에서는, 메모리 칩(122)을 기판(114)에 플립칩 접속한 후에, 센서(210)를 메모리 칩(122)에 다이 본드와 와이어 본드하도록 하였다. 그러나, 메모리 칩(122)에 센서(210)를 다이 본드, 와이어 본드하고 나서 메모리 칩(122)을 기판(114)에 플립칩 접속하도록 하여도 좋다. 그 경우는, 와이어 본드의 와이어를 변형하지 않도록 핸들링하는 콜릿을 준비할 필요가 있다.
<변형례>
이상에서는, 센서(110, 210)의 손상을 방지하기 위해, 센서(110, 210)를 메모리 칩(122)에 접착하고, 그 메모리 칩(122)을 범프(113)에 의해 기판(114)에 접속하도록 하였다. 이 범프(113)에 대신하여, 와이어(120)에 의해 접속할 수도 있다.
도 15는, 또 다른 광학 모듈(101)의 단면의 구성을 도시하는 도면이다. 이 광학 모듈(101)에서는, 센서(210)가 다이본드재(121)를 통하여 접합된 메모리 칩(122)이, 또한 기판(114)에 직접 접합되어 있다. 그리고 센서(210)와 메모리 칩(122)의 사이가 와이어(120A)에 의해 접속되어 있을 뿐만 아니라, 메모리 칩(122)과 기판(114)의 사이도, 와이어(120B)에 의해 접속되어 있다.
따라서 도 3과 도 9에 도시되는 바와 같이, 메모리 칩(122)과 기판(114)을, 범프(113)에 의해 접속시키는 경우에 비하여, 메모리 칩(122)의 손상의 우려를 더욱 저감할 수 있다.
도 15의 광학 모듈(101)은, 범프(113)를 이용하지 않고, 와이어 본딩만이 사용되기 때문에, 도 3과 도 9의 광학 모듈(101)에 비하여, 저 비용화를 도모할 수 있다.
도 16은, 도 15의 광학 모듈(101)의 광의 반사의 상태를 도시하는 도면이다. 도 16에 도시되는 바와 같이, 렌즈(117)와 필터(115)를 통하여 입사된 광의 일부는, 지지 부재(116)의 단면(116C)에 의해 반사되고, 반사광의 일부는, 센서(210)를 향한다. 그러나, 센서(210)가, 메모리 칩(122)의 윗면(122U)으로부터 개구부(116B)의 방향으로 돌출하고 있고(센서(210)와 메모리 칩(122)의 사이에 단차가 형성되어 있고), 수광부(212)가 메모리 칩(122)의 윗면(122U)보다 상방에 위치한다. 또한, 영역(122A)의 분만큼, 수광부(212)는 단면(116C)으로부터 떨어져 있다.
그 결과, 수광부(212)에 입사하는 반사광의 광량은, 도 2의 수광부(12)의 경우에 비하여 적어진다. 즉, 광학 모듈(101) 내에서 반사하는 광을 수광부(212)에 입사시키지 않기 위해, 센서(210)의 두께에 의한 단차를 이용하여, 반사광의 일부를 센서(210)의 단면(210A)에 의해 컷트시킨다. 와이어(120)에 의해 반사된 광의 일부가 수광부(212)에 입사하지만, 그 양은 적다. 따라서 도 16에 도시되는 경우의 쪽이, 도 2에 도시되는 경우보다, 고스트가 발생할 우려는 적어진다. 그 결과, 지지 부재(116)의 설계의 제약이 적어진다.
<제조 처리>
도 15의 광학 모듈(101)의 제조 방법에 관해, 도 17과 도 18을 참조하여 설명한다. 도 17은, 도 15의 광학 모듈(101)의 제조 방법을 설명하는 플로 차트이다. 도 18은, 도 15의 광학 모듈(101)의 제조 과정을 설명하는 도면이다. 또한, 도 15의 광학 모듈(101)의 제조 장치는, 도 5에 도시한 경우와 기본적으로 마찬가지이다.
스텝 S51에서 준비부(511)는, 메모리 칩(122) 등을 준비한다. 물론 이 때, 메모리 칩(122) 이외의 필요한 부재가 준비된다. 예를 들면 센서(210), 기판(114), 필터(115), 렌즈 유닛(131) 등도 준비된다.
스텝 S52에서 접합부(513)는, 센서(210)를 접합한다. 즉, 도 18A에 도시되는 바와 같이, 메모리 칩(122)의 윗면(122U)에 다이본드재(121)를 통하여 센서(210)가 직접 접합된다.
스텝 S53에서 접합부(513)는, 메모리 칩(122)을 접합한다. 즉, 도 18B에 도시되는 바와 같이, 센서(210)가 접합된 메모리 칩(122)이, 기판(114)의 윗면(114C)에 다이본드재(251)를 통하여 직접 접합된다.
스텝 S54에서 접속부(512)는, 와이어 본드를 행한다. 즉, 도 18C에 도시되는 바와 같이, 캐필러리(301)에 의해 하중과 초음파 진동이 가하여져, 와이어(120A)가, 센서(210)의 수광부(212)의 주변과, 메모리 칩(122)의 윗면(122U)에 접속된다. 또한 센서(210)와 기판(114)이 와이어(120B)에 의해 접속된다.
또한, 와이어(120A, 120B)의 접속시, 하중과 초음파 진동이 가하여지지만, 이 처리는 와이어(120)에 대해 1개씩 행하여진다. 그 결과, 메모리 칩(122)이 손상을 받는 일은 거의 없다. 특히, 도 3과 도 9의 광학 모듈(101)에서는, 메모리 칩(122)과 기판(114)의 사이가, 범프(113)에 의해 접속되어 있지만, 도 15의 광학 모듈(101)에서는, 메모리 칩(122)과 기판(114)의 사이도, 와이어(120)에 의해 접속된다. 따라서 도 3과 도 9의 광학 모듈(101)에 비교하여, 도 15의 광학 모듈(101)의 쪽이, 보다 손상을 받기 어렵게 된다. 단, 만약을 위해, 메모리 칩(122)상의 와이어 본딩 한 영역(122A)은, 메모리 셀의 형성을 금지하고, 배선층만을 형성한 영역으로 하여 두면, 보다 안전하다.
스텝 S55에서 접합부(513)는, 필터(115)를 접착한다. 즉, 도 18D에 도시되는 바와 같이, 렌즈 유닛(131)의 지지 부재(116)의 면(116A)에, 지지 부재(116)의 광을 투과하는 공간(116B)을 닫도록, 필터(115)가 접착된다.
스텝 S56에서 접합부(513)는, 렌즈 유닛(131)을 접착한다. 즉, 도 15에 도시되는 바와 같이, 렌즈(117)를 지지하는 지지 부재(116)의 단부가, 기판(114)의 면(114C)에 접착된다.
도 15의 광학 모듈(101)도, 도 1의 광학 모듈(1)에서 기판(14)을 연장하고, 그 어딘가에 메모리 칩을 접합하는 경우에 비하여, 와이어(120)의 길이를 단축할 수 있고, 고속 처리가 가능해진다. 이 밖에, 도 15의 광학 모듈(101)에서도, 도 3과 도 9의 광학 모듈(101)과 같은 효과를 이룰 수 있다.
또한, 본 기술의 실시의 형태는, 상술한 실시의 형태로 한정되는 것이 아니고, 본 기술의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 여러가지의 변경이 가능하다.
3.<기타의 구성>
본 기술은, 이하와 같은 구성도 취할 수 있다.
(1) 피사체를 촬상하는 센서와,
상기 센서에서 판독된 화소 데이터를 기억하는, 상기 센서가 접합된 메모리 칩을 구비하고,
상기 메모리 칩과 상기 센서의 칩 사이즈가 다르고, 상기 센서가 상기 메모리 칩의 상부에 겹쳐져 있는 광학 모듈.
(2) 상기 메모리 칩은, 플립칩의 접속부에 의해 기판과 접속되어 있는 상기 (1)에 기재된 광학 모듈.
(3) 상기 센서는, 상기 센서가 접합된 상기 메모리 칩과 와이어에 의해 접속되어 있는 상기 (1) 또는 (2)에 기재된 광학 모듈.
(4) 상기 센서는, 상기 메모리 칩부터 상기 기판의 개구부를 향하여 돌출하도록, 상기 메모리 칩에 접합되어 있는 상기 (1) 내지 (3)의 어느 하나에 기재된 광학 모듈.
(5) 상기 플립칩의 접속부는, 상기 메모리 칩의 주변을 상기 기판에 접속하고 있는 상기 (2) 내지 (4)의 어느 하나에 기재된 광학 모듈.
(6) 상기 와이어의 일단은, 상기 센서의 상기 개구부측의 면의 주변에 접속되고, 상기 와이어의 타단은, 상기 메모리 칩의, 상기 플립칩의 접속부와 상기 센서의 단면과의 사이의 영역에 접속되어 있는 상기 (3) 내지 (5)의 어느 하나에 기재된 광학 모듈.
(7) 상기 센서는, 적층 센서인 상기 (1) 내지 (6)의 어느 하나에 기재된 광학 모듈.
(8) 상기 기판의, 상기 메모리 칩의 상기 플립칩의 접속부가 접속되어 있는 면과 대향하는 면에는, 필터를 향하여 출사한 광이 상기 필터를 투과하여 상기 센서에 입사하도록 광을 안내하는 렌즈 지지하는 지지 부재가 접합되어 있는 상기 (2) 내지 (7)의 어느 하나에 기재된 광학 모듈.
(9) 상기 메모리 칩은, 상기 센서가 겹쳐지지 않은 쪽의 면이, 기판과 접합되어 있는 상기 (1)에 기재된 광학 모듈.
(10) 상기 기판의, 상기 메모리 칩이 접합되어 있는 면에는, 필터를 향하여 출사한 광이 상기 필터를 투과하여 상기 센서에 입사하도록 광을 안내하는 렌즈를 지지하는 지지 부재가 접합되어 있는 상기 (9)에 기재된 광학 모듈.
(11) 상기 메모리 칩은, 상기 센서가 접합된 면이, 상기 기판과 와이어에 의해 접속되어 있는 상기 (9) 또는 (10)에 기재된 광학 모듈.
101 : 광학 모듈
110 : 센서
111 : 로직부
112 : 수광부
113 : 범프
114 : 기판
115 : 필터
116 : 지지부
117 : 렌즈
119 : 언더필
120 : 와이어
121 : 다이본드재
122 : 메모리 칩
131 : 렌즈 유닛

Claims (11)

  1. 피사체를 촬상하는 센서와,
    상기 센서에서 판독된 화소 데이터를 기억하는, 상기 센서가 접합된 메모리 칩을 구비하고,
    상기 메모리 칩과 상기 센서의 칩 사이즈가 다르고, 상기 센서가 상기 메모리 칩의 상부에 겹쳐져 있는 것을 특징으로 하는 광학 모듈.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 메모리 칩은, 플립칩의 접속부에 의해 기판과 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 광학 모듈.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 센서는, 상기 센서가 접합된 상기 메모리 칩과 와이어에 의해 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 광학 모듈.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 센서는, 상기 메모리 칩부터 상기 기판의 개구부를 향하여 돌출하도록, 상기 메모리 칩에 접합되어 있는 것을 특징으로 하는 광학 모듈.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 플립칩의 접속부는, 상기 메모리 칩의 주변을 상기 기판에 접속하고 있는 것을 특징으로 하는 광학 모듈.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 와이어의 일단은, 상기 센서의 상기 개구부측의 면의 주변에 접속되고, 상기 와이어의 타단은, 상기 메모리 칩의, 상기 플립칩의 접속부와 상기 센서의 단면과의 사이의 영역에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 광학 모듈.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 센서는, 적층 센서인 것을 특징으로 하는 광학 모듈.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 기판의, 상기 메모리 칩의 상기 플립칩의 접속부가 접속되어 있는 면과 대향하는 면에는, 필터를 향하여 출사한 광이 상기 필터를 투과하여 상기 센서에 입사하도록 광을 안내하는 렌즈를 지지하는 지지 부재가 접합되어 있는 것을 특징으로 하는 광학 모듈.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 메모리 칩은, 상기 센서가 겹쳐지지 않은 쪽의 면이, 기판과 접합되어 있는 것을 특징으로 하는 광학 모듈.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 기판의, 상기 메모리 칩이 접합되어 있는 면에는, 필터를 향하여 출사한 광이 상기 필터를 투과하여 상기 센서에 입사하도록 광을 안내하는 렌즈를 지지하는 지지 부재가 접합되어 있는 것을 특징으로 하는 광학 모듈.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 메모리 칩은, 상기 센서가 접합된 면이, 상기 기판과 와이어에 의해 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 광학 모듈.
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