KR20140135108A - Method of manufacturing plating films - Google Patents

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신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤
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Abstract

A method of fabricating plating films on a first main surface of a workpiece and a second main surface opposite to the first main surface, respectively, includes the steps of: preparing a periodic reverse current power source and a DC power supply; applying a current periodically changed in the direction thereof at a predetermined timing by power having polarity reversed between the workpiece and a first electrode provided on the first main surface of the workpiece in a plating solution; and applying DC current by the DC power between the workpiece and a second electrode provided on the second surface of the workpiece in the plating solution. The application of the current by the power having the reversed polarity and the application of the DC current by the DC power are simultaneously performed so that the plating films are formed on the first and second main surfaces, respectively.

Description

도금막의 제조 방법{METHOD OF MANUFACTURING PLATING FILMS}[0001] METHOD OF MANUFACTURING PLATING FILMS [0002]

본 발명은 도금막의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for producing a plated film.

제조 공정 동안이나 사용시에 열 등이 가해지는 것에 의해 또는 시간 경과에 의해서, 밀봉 수지와 같은 수지제 부재로부터 리드 프레임과 같은 금속제 부재의 박리가 발생하는 문제점이 있었다.There has been a problem that peeling of a metal member such as a lead frame from a resin member such as a sealing resin occurs due to heat or the like during or during the manufacturing process.

이 때문에, 금속제 부재와 수지제 부재 사이의 접합 강도를 높이는 방법이 연구되어 왔다. 예를 들어, 금속제 부재의 표면을 조면화(roughing)하는 방법이 연구되어 왔다.Therefore, a method of increasing the bonding strength between the metal member and the resin member has been studied. For example, a method of roughing the surface of a metal member has been studied.

특허 문헌 1에는 광택제를 함유하는 전해액 내에서, 소정 조건의 비대칭 양음 펄스로 펄스-전기분해하는 것에 의해 압연 구리판을 전기도금함으로써 압연 구리판의 표면을 조면화하는 방법이 개시되어 있다.Patent Document 1 discloses a method of roughening the surface of a rolled copper plate by electroplating a rolled copper plate by pulse-electrolysis with an asymmetrical positive / negative pulse under a predetermined condition in an electrolytic solution containing a brightener.

그러나, 특허 문헌 1에 개시된 방법에 따르면, 압연 구리판의 모든 면들이 조면화된다.However, according to the method disclosed in Patent Document 1, all the surfaces of the rolled copper plate are roughened.

예를 들어, 리드 프레임 등의 한쪽의 면에는 수지를 형성할 필요가 있지만, 리드 프레임의 다른쪽 면에는 수지를 형성하는 것이 바람직하지 않은 경우가 있을 수 있다. 이러한 경우에, 리드 프레임의 한쪽의 면에 수지를 형성할 시에 리드 프레임의 다른쪽 면에 수지가 부착되면, 상기 다른쪽 면이 조면화될 경우에 그 다른쪽 면으로부터 수지를 제거하는 것이 곤란해진다. 이에 따라, 생산성이나 수율 요소가 저하된다는 문제점이 있었다.For example, it is necessary to form a resin on one side of a lead frame or the like, but it may be undesirable to form a resin on the other side of the lead frame. In this case, when resin is adhered to the other surface of the lead frame when the resin is formed on one surface of the lead frame, it is difficult to remove the resin from the other surface when the other surface is roughened It becomes. As a result, there has been a problem that the productivity and the yield factor are deteriorated.

예를 들어, 압연 구리판에 있어서, 한쪽 면을 평활화하기 위해, 마스킹 테이프 등으로 평활화하기를 원하는 그 한쪽의 면을 마스킹한 뒤, 특허 문헌 1에 개시된 조화면(rough surface)을 형성시키는 전기도금 처리의 적용을 받는 방법을 고려할 수 있다.For example, in a rolled copper plate, in order to smooth one surface, one surface of the rolled copper plate, which is desired to be smoothed with a masking tape or the like, is masked and then subjected to an electroplating process for forming a rough surface disclosed in Patent Document 1 And the like.

일본국 특개2008-223063호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-223063

그러나, 이러한 경우에, 전기도금 이전에 마스킹 테이프 등을 붙이고, 이어서 그 전기도금 이후에 마스킹 테이프 등을 제거할 필요가 있다. 그러므로, 생산성이 저하되는 문제가 있었다. 또한, 리드 프레임 등과 같이 워크피스의 두께가 얇은 경우, 마스킹 테이프를 제거할 때에 원크피스가 파손되는 문제가 있을 수 있다. 이러한 경우, 수율 요소가 저하된다는 문제점이 있어 왔다.In this case, however, it is necessary to attach a masking tape or the like before electroplating, and then remove the masking tape or the like after the electroplating. Therefore, there is a problem that the productivity is lowered. Further, when the thickness of the workpiece is thin, such as a lead frame, there is a problem that the square piece is damaged when the masking tape is removed. In such a case, there has been a problem that the yield factor is lowered.

상기 문제점들에 비추어 본 발명이 이루어졌으며, 본 발명은 단일의 도금 처리로, 워크피스의 주면들에 조화면을 갖는 도금막 및 평활면을 갖는 도금막을 각각 형성할 수 있는 도금막 제조 방법을 제공한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems and provides a plating film manufacturing method capable of forming a plated film having a roughened surface and a plated film having a smooth surface on principal surfaces of a work piece by a single plating treatment do.

또한 전술한 요소들의 임의 조합과 방법, 디바이스, 시스템 등 중에서 이루어지는 본 발명의 표현 변화들은 본 발명의 실시형태들로서 유효하다.Furthermore, any combination of the above-described elements and changes in the present invention, among methods, devices, systems, and the like, are effective as embodiments of the present invention.

일 실시형태에 따르면, 워크피스의 제 1 주면(main surface)과, 상기 제 1 주면의 반대측인 제 2 주면에 각각 도금막(plating film)을 제조하는 방법으로서, 극성 반전 전원(periodic reverse current power source)과 직류 전원을 마련하는 단계; 도금액 내에서, 상기 워크피스와, 상기 워크피스의 제 1 주면에 대향하는 제 1 전극 사이에 상기 극성 반전 전원에 의해 타이밍에서 전류 방향을 주기적으로 역방향으로 변화하는 전류를 제공하는 단계; 및 상기 도금액 내에서, 상기 워크피스와, 상기 워크피스의 제 2 주면에 대향하는 제 2 전극 사이에 상기 직류 전원에 의해 직류 전류를 제공하는 단계를 포함하고, 상기 극성 반전 전원에 의해 상기 전류를 제공하는 것과, 상기 직류 전원에 의해 상기 직류 전류를 제공하는 것은 상기 제 1 주면과 상기 제 2 주면 상에서 각각 도금막이 형성되도록 동시에 수행되는, 도금막의 제조 방법이 제공된다.According to one embodiment, there is provided a method of fabricating a plating film on a first main surface of a workpiece and a second main surface opposite to the first main surface, the method comprising: providing a periodic reverse current power source and a DC power source; Providing a current in the plating liquid that varies periodically in the direction of the current in the reverse direction between the workpiece and the first electrode opposite to the first major surface of the workpiece by the polarity inversion power source; And providing a direct current between the workpiece and a second electrode opposite to a second major surface of the workpiece in the plating liquid by the direct current power source, And providing the direct current by the direct current power source is performed simultaneously so that a plating film is formed on the first main surface and the second main surface, respectively.

본 발명의 다른 목적, 특징, 및 이점은 첨부 도면과 함께 독해 될 시에 다음의 상세한 설명으로부터 더욱 명백해질 것이다.
도 1은 일 실시형태의 도금막 제조 방법에 사용되는 도금욕의 구조의 일 예를 나타낸 도면.
도 2는 워크피스의 일 예로서 QFN 타입 리드 프레임의 예를 나타낸 단면도.
도 3은 극성 반전 전원에 의해 제공되는 전류의 전류 프로파일의 일 예를 나타낸 도면.
도 4의 (A) 및 (B)는 일 예에서 얻어진 SEM 화상들을 나타낸 도면들.
도 5의 (A) 및 (B)는 일 예에서 얻어진 AFM 화상들을 나타낸 도면들.Other objects, features, and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description when read with the accompanying drawings.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a view showing an example of the structure of a plating bath used in a plating film production method of one embodiment; Fig.
2 is a sectional view showing an example of a QFN type lead frame as an example of a workpiece.
3 is a diagram showing an example of a current profile of a current provided by a polarity inversion power supply;
4 (A) and 4 (B) are views showing SEM images obtained in one example.
FIGS. 5A and 5B are views showing AFM images obtained in an example. FIG.

이하, 예시적 실시형태들을 참조하여 본 발명을 설명하도록 한다. 본 발명의 교시들을 사용하여 다른 실시형태들이 달성될 수 있음과, 설명의 목적으로 예시된 실시형태들로 본 발명이 한정되지 않음을 당업자는 이해할 것이다.Hereinafter, the present invention will be described with reference to exemplary embodiments. It will be understood by those skilled in the art that other embodiments may be accomplished using the teachings of the present invention and that the invention is not limited to the embodiments illustrated for purpose of illustration.

도면들의 설명에 있어서, 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호가 부여되며, 반복 설명을 하지 않음에 유의하도록 한다.In the description of the drawings, the same components are denoted by the same reference numerals and the description thereof will not be repeated.

이 실시형태에서는, 도금막의 제조 방법의 일 예가 설명된다.In this embodiment, an example of a method of manufacturing a plated film is described.

본 실시형태의 도금막 제조 방법에 따르면, 워크피스의 제 1 주면(main surface)과, 상기 제 1 주면의 반대측인 제 2 주면의 각각에는 도금막(plating film)이 형성된다.According to the plating film manufacturing method of the present embodiment, a plating film is formed on each of a first main surface of the workpiece and a second main surface opposite to the first main surface.

이 실시형태에서, 워크피스와 상기 워크피스의 제 1 주면에 대향하는 제 1 전극 사이에는 극성 반전 전원(periodic reverse current power source)이 접속되어 있고, 워크피스와 상기 워크피스의 제 2 주면에 대향하는 제 2 전극 사이에는 직류 전원이 접속되어 있다. 그리고, 극성 반전 전원과 직류 전원에 의해 워크피스, 제 1 전극 및 제 2 전극에는 전압이 인가되며, 이에 따라 워크피스의 제 1 주면과 제 2 주면에는 도금막이 동시에 형성된다.In this embodiment, a periodic reverse current power source is connected between the workpiece and the first electrode opposite to the first major surface of the workpiece, and a periodic reverse current power source is connected between the workpiece and the second main surface of the workpiece, A direct current power source is connected between the second electrodes. A voltage is applied to the workpiece, the first electrode, and the second electrode by the polarity reversing power source and the direct current power source, whereby a plating film is simultaneously formed on the first main surface and the second main surface of the workpiece.

도 1은 본 실시형태의 도금막 제조 방법에 사용되는 도금욕(plating bath)(11) 구조의 일 예를 나타낸 도면이다. 도 1에 나타낸 바와 같이, 도금욕(11) 내에는 제 1 주면(121) 및 제 1 주면(121)의 반대측에 있는 제 2 주면(122)을 구비한 워크피스(도금될 물체)(12)가 설치되어 있다.1 is a view showing an example of a structure of a plating bath 11 used in a plating film production method of the present embodiment. 1, a workpiece (an object to be plated) 12 having a first main surface 121 and a second main surface 122 opposite to the first main surface 121 is provided in the plating bath 11, Respectively.

도금욕(11)은 제 1 전극(13), 제 2 전극(14), 극성 반전 전원(15) 및 직류 전원(16)을 포함한다. 제 1 전극(13)은 워크피스(12)의 제 1 주면(121)에 대향하도록 제공되고, 제 2 전극(14)은 워크피스(12)의 제 2 주면(122)에 대향하도록 제공된다. 제 1 전극(13)과 워크피스(12) 사이에는 극성 반전 전원(15)이 접속되어 있다. 제 2 전극(14)과 워크피스(12) 사이에는 직류 전원(16)이 접속되어 있다.The plating bath 11 includes a first electrode 13, a second electrode 14, a polarity inversion power source 15, and a DC power source 16. The first electrode 13 is provided to face the first major surface 121 of the workpiece 12 and the second electrode 14 is provided to face the second major surface 122 of the workpiece 12. A polarity inversion power supply 15 is connected between the first electrode 13 and the workpiece 12. [ A DC power supply (16) is connected between the second electrode (14) and the workpiece (12).

워크피스(12), 제 1 전극(13) 및 제 2 전극(14)은 도금욕(11) 내에 채워진 도금액(17) 내에 침지되어 있다.The workpiece 12, the first electrode 13 and the second electrode 14 are immersed in the plating liquid 17 filled in the plating bath 11.

각 부재에 대하여 설명한다.The respective members will be described.

워크피스(12)는 특별히 한정되지 않는다. 도 1에 나타난 워크피스(12)는 직사각형 형상을 갖고 있지만, 워크피스(12)의 형상은 특별히 한정되지 않는다. 본 실시형태의 도금막 제조 방법은 각종 형상을 가진 다양한 워크 피스에 대해서 적용될 수 있다. 워크의 주면들 중 한쪽의 주면에 조화면(rough surface)을 형성할 필요가 있고, 또한 워크의 주면들 중 다른쪽의 주면에 평활면(smooth surface)을 형성할 필요가 있는 각종 부재를 워크피스(12)로서 사용할 수 있다. 예를 들어, 전술한 바와 같이, 워크피스(12)로서 리드 프레임을 사용할 수 있다.The workpiece 12 is not particularly limited. The workpiece 12 shown in Fig. 1 has a rectangular shape, but the shape of the workpiece 12 is not particularly limited. The plating film manufacturing method of the present embodiment can be applied to various workpieces having various shapes. It is necessary to form a rough surface on one of the main surfaces of the work and also various members which need to form a smooth surface on the other main surface of the work, (12). For example, as described above, a lead frame can be used as the workpiece 12. [

특히, 주면들 중 한쪽의 주면이 수지로 밀봉되어 있고, 주면들 중의 다른쪽의 주면이 수지로부터 노출되어 있는 리드 프레임을 워크피스(12)로서 사용할 수 있다. 리드 프레임으로서, QFN(Quad Flat Non-leaded package) 타입 리드 프레임을 사용할 수 있다.Particularly, a lead frame in which one principal surface of the main surfaces is sealed with resin and the other main surface of the main surfaces is exposed from the resin can be used as the workpiece 12. As the lead frame, a QFN (Quad Flat Non-leaded package) type lead frame can be used.

도 2는 QFN 타입 리드 프레임(110)의 일 예를 나타낸다. QFN 타입 리드 프레임(110)은 리드(111)와 다이 패드(112)를 포함한다. 다이 패드(112) 상에는 칩(113)이 탑재되어 있으며, 리드 프레임(110)의 칩 탑재면측이 수지(114)에 의해 밀봉된다. 이 때, 도 2에 나타난 바와 같이, 리드 프레임(110)의 측면 부분(101)도 수지(114)에 의해 밀봉될 수 있다.Fig. 2 shows an example of a QFN type lead frame 110. Fig. The QFN type lead frame 110 includes a lead 111 and a die pad 112. A chip 113 is mounted on the die pad 112 and the chip mounting surface side of the lead frame 110 is sealed by the resin 114. At this time, as shown in Fig. 2, the side portion 101 of the lead frame 110 may also be sealed by the resin 114. Fig.

전술한 바와 같이, 칩 탑재면인, QFN 타입 리드 프레임(110)의 주면들 중의 한쪽 주면이 수지(114)에 의해 밀봉되고, 외측면(outside surface)으로 지칭되는 QFN 타입 리드 프레임(110)의 주면들 중의 다른쪽 주면이 수지(114)로부터 노출되어 있다. 따라서, 리드 프레임(110)의 칩 탑재면에 있어서는 수지(114)와의 밀착성이 필요하고, 리드 프레임(110)의 외측면에 있어서는 땜납과의 밀착성이 필요하다. 본 실시형태에 따르면, 리드 프레임(110)의 칩 탑재면에 조화면을 형성하는 도금을 수행함으로써 수지(114)와의 밀착성을 향상시킨다. 한편, 외측면에는 평활면을 형성하는 도금을 수행함으로써 땜납과의 밀착성을 확보한다. 또한, 리드 프레임(110)의 측면 부분(101)도 조화면을 형성하는 도금을 수행함으로써, 수지(114)와의 밀착성을 더욱 향상시킬 수 있다.As described above, one of the major surfaces of the QFN type lead frame 110, which is the chip mounting surface, is sealed by the resin 114, and the QFN type lead frame 110, which is referred to as the outside surface, And the other main surface of the main surfaces is exposed from the resin 114. [ Therefore, the chip mounting surface of the lead frame 110 needs to have adhesion with the resin 114, and on the outer surface of the lead frame 110, adhesion with the solder is required. According to the present embodiment, the plating with the roughened surface is performed on the chip mounting surface of the lead frame 110, thereby enhancing the adhesion with the resin 114. On the other hand, plating is performed to form a smooth surface on the outer side surface, thereby ensuring adhesion with the solder. In addition, the side surface portion 101 of the lead frame 110 can further improve the adhesion with the resin 114 by performing the plating to form the roughened surface.

리드 프레임(110)의 재료에 있어서는, 일반적으로, 구리 합금 등이 사용된다. 제품에 수지(114)로부터 노출된 부분이 있을 경우, 제조 공정에서 제품이 가열되거나 했을 때에 그 부분에는 산화막이 형성될 수 있다. 그리고, 산화막은 제거될 수 있다. 제조 중에 산화막이 제거되는 경우, 생산 라인을 오염시킬 수 있는 문제가 있다.As the material of the lead frame 110, a copper alloy or the like is generally used. When the product is exposed from the resin 114, an oxide film may be formed on the product when the product is heated in the manufacturing process. Then, the oxide film can be removed. If the oxide film is removed during manufacture, there is a problem that the production line may be contaminated.

그러나, 본 실시형태의 도금막 제조 방법에 따르면, 워크피스(12)의 주면들 중의 한쪽 주면에 평활 도금막이 형성된다. 이에 따라, 구리 합금 리드 프레임에 형성되는 평활 도금막이 산화막과 구리 합금 리드 프레임 사이의 밀착성을 향상시킴으로써, 산화막의 제거를 방지하는 기능을 할 수 있다.However, according to the plating film manufacturing method of the present embodiment, a smooth plating film is formed on one principal surface of the workpiece 12. Thus, the smooth plating film formed on the copper alloy lead frame can improve the adhesion between the oxide film and the copper alloy lead frame, thereby preventing the removal of the oxide film.

예를 들어, 미리 구리 합금 리드 프레임 상에 땜납 접합층으로서 기능할 수 있는 Ni/Pd/Au 층들을 형성함으로써, 구리 합금 리드 프레임과 땜납 사이의 밀착성을 향상시킬 수 있다. 이 경우, Ni 층은 평활면을 가질 수 있다. 그 후에, Ni 층은 리드 프레임의 산화를 방지할 수 있으며, 리드 프레임은 땜납과 양호하게 접합될 수 있다.For example, the adhesion between the copper alloy lead frame and the solder can be improved by forming Ni / Pd / Au layers that can function as a solder bonding layer on the copper alloy lead frame in advance. In this case, the Ni layer may have a smooth surface. Thereafter, the Ni layer can prevent oxidation of the lead frame, and the lead frame can be well bonded to the solder.

본 실시형태에 따르면, 수지와의 양호한 밀착성을 가진 조화(rough) Ni 층과 평활 Ni 층이 동시에 형성될 수 있다.According to the present embodiment, a rough Ni layer and a smooth Ni layer having good adhesion with a resin can be formed at the same time.

극성 반전 전원(15)에 대하여 설명한다. 도 3은 극성 반전 전원(15)에 의해 제공되는 전류의 전류 프로파일의 일 예를 나타낸 도면이다.The polarity inversion power supply 15 will be described. 3 is a diagram showing an example of a current profile of a current provided by the polarity inversion power supply 15. As shown in Fig.

극성 반전 전원(15)은 전류 방향이 소정 타이밍에서 역방향으로 주기적으로 변화하는 전류를 제공한다. 즉, 극성 반전 전원(15)은 극성이 주기적으로 변화하는 전류를 제공한다. 극성 반전 전원(15)은 도 3에 나타낸 바와 같은 펄스 전류를 제공할 수 있다. 이 때, 양(positive) 펄스 전류가 제공되는 경우에는, 워크피스(12)의 표면이 도금되고(도금액이 석출됨), 또한 음(negative) 펄스 전류가 제공되는 경우, 워크피스(12)의 표면이 도금액 내로 용출(eluted)된다.The polarity inversion power supply 15 provides a current whose direction of current changes periodically in a reverse direction at a predetermined timing. That is, the polarity reversal power supply 15 provides a current whose polarity changes periodically. The polarity inversion power supply 15 can provide the pulse current as shown in Fig. At this time, when a positive pulse current is provided, the surface of the workpiece 12 is plated (the plating liquid is deposited), and when a negative pulse current is provided, The surface is eluted into the plating solution.

펄스 전류의 구체적 조건들, 예를 들어 전류의 크기, 양 펄스 및 음 펄스를 제공하는 주기 등은 특별히 한정되지 않으며, 도금막이 형성될 것을 필요로 하는 형상, 도금액의 종류에 따라 임의로 선택될 수 있다.The specific conditions of the pulse current, for example the magnitude of the current, the period for providing the positive and negative pulses, and the like are not particularly limited and may be arbitrarily selected depending on the shape required to form the plating film and the type of plating liquid .

특히, 펄스 전류의 조건들은 이하의 식 1로 표시되는 Cratio의 값이 도금액의 조성에 대응하는 값이 되도록 선택될 수 있다. 식에서, "Ip"는 양 펄스 전류값(석출측에서)을 나타내고,"TP"는 양 펄스 전해 주기(석출측에서)를 나타내며, "IR"은 음 펄스 전류값(용출측에서)을 나타내고, "TR"은 음 펄스 전해 주기(용출측에서)를 나타낸다. Cratio의 값은 도금액의 조성이나 형성할 도금막의 특성에 따라 달라진다. 따라서, 그 값은 특별히 한정되지 않는다. 그러나, 워크피스(12)의 표면들에 도금막을 형성하기 위해, 양 펄스 전류를 제공하는 프로덕트 (IP ×TP)는 음 펄스 전류를 제공하는 프로덕트 (IR ×TR) 보다 클 수 있다. 즉, Cratio 값은 1보다 클 수 있다. Particularly, the conditions of the pulse current can be selected so that the value of Cratio expressed by the following formula 1 becomes a value corresponding to the composition of the plating solution. "I P " represents a positive pulse current value (on the precipitation side), "T p " represents a positive pulse electrolysis cycle (on the precipitation side), "I R " And "T R " represents a negative pulse electrolysis cycle (on the release side). The value of the Cratio depends on the composition of the plating solution and the characteristics of the plating film to be formed. Therefore, the value is not particularly limited. However, in order to form a plated film on the surfaces of the workpiece 12, a product (I P × T P ) is a product (I R × T R ). That is, the Cratio value may be greater than one.

Cratio=(IP×TP)/(IR×TR) (식 1)Cratio = (I P T P ) / (I R T R ) (1)

다음으로, 직류 전원(16)에 대하여 설명한다. 직류 전원(16)은 제 2 전극(14)과 워크피스(12) 사이에 일정한 전류를 제공한다. 이 때, 직류 전원(16)이 공급하는 전류의 크기는 특별히 한정되지 않으며, 형성될 도금막에 요구되는 형상이나, 도금액의 종류 등에 따라서 임의로 선택될 수 있다. 제 2 전극(14)에 대향하는 워크피스(12)의 제 2 주면(122)에 도금막을 형성하기 위해, 직류 전원(16)은 워크피스(12)가 음극이 되도록, 제 2 전극(14)과 워크피스(12)에 접속될 수 있다.Next, the DC power supply 16 will be described. The DC power supply 16 provides a constant current between the second electrode 14 and the workpiece 12. At this time, the magnitude of the current supplied by the DC power supply 16 is not particularly limited, and may be arbitrarily selected depending on the shape required for the plating film to be formed, the type of plating solution, and the like. The DC power supply 16 is connected to the second electrode 14 so that the workpiece 12 becomes the cathode in order to form a plating film on the second main surface 122 of the workpiece 12 opposed to the second electrode 14. [ And the workpiece 12, as shown in FIG.

도금액(17)의 종류는 특별히 한정되지 않으며, 형성될 도금막에 따라 각종 도금액을 사용할 수 있다. 도금막으로서 석출되는 금속으로서는, 예를 들어 Cu, Ni 등이 사용될 수 있다. 따라서, 도금액으로서는, 예를 들어 전해 구리 도금액이나 전해 니켈 도금액을 사용할 수 있다. 이러한 도금액의 조성은 특별히 한정되지 않는다. 브라이트너(brightener), 레벨러(leveler), 폴리머 등과 같은 첨가 성분들이 도금액에 첨가될 수도 있다.The kind of the plating liquid 17 is not particularly limited, and various plating liquids may be used depending on the plating film to be formed. As the metal to be deposited as the plated film, for example, Cu, Ni or the like may be used. Therefore, for example, an electrolytic copper plating solution or an electrolytic nickel plating solution can be used as the plating solution. The composition of such a plating solution is not particularly limited. Additives such as brighteners, levelers, polymers, etc. may be added to the plating solution.

본 실시형태의 도금막 제조 방법에 따라, 도 1에 나타낸 바와 같이 극성 반전 전원(15)에 의해 타이밍에서 전류 방향이 역방향으로 주기적으로 변화하는 전류를 제공하는 것에 의해 및 직류 전원(16)에 의해 직류 전류를 제공하는 것에 의해 도금을 수행하는 경우, 워크피스(12)의 제 1 주면(121) 및 제 2 주면(122)에 도금막이 형성된다. 이 때, 워크피스(12)의 주면들(제 1 주면(121) 및 제 2 주면(122)) 중의 한쪽 주면에는 조화 도금막이 형성되고, 워크피스(12)의 주면들 중의 다른쪽 주면에는 평활 도금막이 형성된다. 조화 도금막과 평활 도금막 중의 어느 것이 제 1 주면(121)과 제 2 주면(122) 중의 어느 것 상에 형성되는지는 도금액의 조성, 도금 조건 등에 따라 결정된다.According to the plating film manufacturing method of the present embodiment, as shown in Fig. 1, by providing a current periodically changing in the direction of the current in the timing by the polarity inversion power supply 15 and by the DC power supply 16 A plated film is formed on the first major surface 121 and the second major surface 122 of the workpiece 12 when plating is performed by providing a direct current. At this time, a harmonious plating film is formed on one of the main surfaces (the first main surface 121 and the second main surface 122) of the workpiece 12, and the other main surface of the workpiece 12 is smooth A plated film is formed. Which of the harmful plating film and the smoothing plating film is formed on the first main surface 121 and the second main surface 122 is determined depending on the composition of the plating solution, the plating conditions, and the like.

(제 2 주면(122)에 조화 도금막이 형성된 경우)(When a harmonious plating film is formed on the second main surface 122)

이 경우, 워크피스와 전극 사이에 직류 전류가 제공될 시에 조화 도금막을 형성하는 도금액이 사용된다.In this case, a plating liquid which forms a harmonized plating film is used when a direct current is provided between the workpiece and the electrode.

이 때, 직류 전원(16)과 접속된 제 2 전극(14)에 대향하는 워크피스(12)의 제 2 주면(122)에는 조화면을 갖는 도금막(조화 도금막)이 형성된다. 또한, 극성 반전 전원(15)과 접속된 제 1 전극(13)에 대향하는 워크피스(12)의 제 1 주면(121)에는 평활면을 갖는 도금막(평활 도금막)이 형성된다.At this time, a plating film (roughened plating film) having a roughened surface is formed on the second main surface 122 of the workpiece 12 opposed to the second electrode 14 connected to the direct current power source 16. A plated film (smooth plating film) having a smooth surface is formed on the first main surface 121 of the workpiece 12 opposite to the first electrode 13 connected to the polarity inversion power supply 15.

전술한 바와 같이, 도금액은 직류 전류가 제공되는 경우 조화 도금막이 형성되는 특성을 갖는다. 또한, 직류 전원(16)은 워크피스(12) 및 당해 워크피스(12)의 제 2 주면(122)에 대향하는 제 2 전극(14)에 접속되어 있다. 따라서, 워크피스(12)와 제 2 전극(14) 사이에는 직류 전원(16)에 의해 직류 전류가 제공되기 때문에, 도금액의 특성에 따라 워크피스(12)의 제 2 주면(122)에는 조화면을 갖는 도금막이 석출된다.As described above, the plating liquid has a characteristic in which a harmonized plating film is formed when a direct current is provided. The DC power supply 16 is connected to the workpiece 12 and the second electrode 14 opposed to the second main surface 122 of the workpiece 12. Therefore, a DC current is supplied between the workpiece 12 and the second electrode 14 by the DC power supply 16, so that the second main surface 122 of the workpiece 12, depending on the characteristics of the plating liquid, Is precipitated.

한편, 전술한 바와 같이, 극성 반전 전원(15)은 워크피스(12) 및 당해 워크피스(12)의 제 1 주면(121)에 대향하는 제 1 전극(13)에 접속되어 있다. 따라서, 워크피스(12)와 제 1 전극(13) 사이에는 극성 반전 전원(15)에 의해 직류 전류가 제공되기 때문에, 극성 반전 전원(15)이 양 펄스 전류를 제공할 경우에는, 도금액의 특성에 따라 워크피스(12)의 제 1 주면(121)에 조화면을 갖는 도금막이 석출된다. 이어서, 극성 반전 전원(15)이 전류의 극성을 반전시켜 음 펄스 전류를 제공할 경우, 워크피스(12)의 제 1 주면(121)에 형성된 조화면을 갖는 도금막 중의, 상기 조화면을 형성하는 돌출부들이 양극 전해에 의해 우선적으로 용출된다. 이것은 돌출부에 전류가 집중되는 메커니즘에 의해 발생한다. 따라서, 워크피스(12)의 제 1 주면(121)에는 평활면을 갖는 도금막이 형성된다.The polarity reversal power supply 15 is connected to the workpiece 12 and the first electrode 13 opposed to the first main surface 121 of the workpiece 12 as described above. Therefore, since the DC current is supplied between the workpiece 12 and the first electrode 13 by the polarity inversion power supply 15, when the polarity inversion power supply 15 provides both pulse currents, A plating film having a roughened surface on the first main surface 121 of the workpiece 12 is deposited. Subsequently, when the polarity inversion power supply 15 inverts the polarity of the current to provide a negative pulse current, the coarse screen is formed in the plating film having the rough surface formed on the first main surface 121 of the workpiece 12 Are preferentially eluted by anode electrolysis. This is caused by the mechanism by which current is concentrated in the protrusions. Therefore, a plated film having a smooth surface is formed on the first main surface 121 of the workpiece 12. [

(제 1 주면(121)에 조화 도금막이 형성되는 경우)(In the case where a roughened plating film is formed on the first main surface 121)

이 경우, 워크피스와 전극 사이에 직류 전류가 제공될 시에 평활 도금막이 형성되는 도금액이 사용된다.In this case, a plating liquid in which a smooth plating film is formed when a direct current is provided between the workpiece and the electrode is used.

이 때, 직류 전원(16)과 접속된 제 2 전극(14)에 대향하는 워크피스(12)의 제 2 주면(122)에는 평활면을 갖는 도금막(조화 도금막)이 형성된다. 또한, 극성 반전 전원(15)과 접속된 제 1 전극(13)에 대향하는 워크피스(12)의 제 1 주면(121)에는 조화면을 갖는 도금막(조화 도금막)이 형성된다.At this time, a plated film (roughened plating film) having a smooth surface is formed on the second main surface 122 of the workpiece 12 opposed to the second electrode 14 connected to the direct current power source 16. A plating film (roughened plating film) having a roughened surface is formed on the first main surface 121 of the workpiece 12 opposed to the first electrode 13 connected to the polarity inversion power supply 15.

전술한 바와 같이, 도금액은 직류 전류가 제공되는 경우 평활 도금막이 형성되는 특성을 갖는다. 또한, 직류 전원(16)은 워크피스(12) 및 당해 워크피스(12)의 제 2 주면(122)에 대향하는 제 2 전극(14)에 접속되어 있다. 따라서, 워크피스(12)와 제 2 전극(14) 사이에는 직류 전원(16)에 의해 직류 전류가 제공되기 때문에, 도금액의 특성에 따라 워크피스(12)의 제 2 주면(122)에는 평활면을 갖는 도금막이 석출된다.As described above, the plating liquid has a property that a smooth plating film is formed when a direct current is provided. The DC power supply 16 is connected to the workpiece 12 and the second electrode 14 opposed to the second main surface 122 of the workpiece 12. Therefore, a DC current is supplied between the workpiece 12 and the second electrode 14 by the DC power source 16, so that the second main surface 122 of the workpiece 12 has a smooth surface Is precipitated.

한편, 전술한 바와 같이, 극성 반전 전원(15)은 워크피스(12) 및 당해 워크피스(12)의 제 1 주면(121)에 대향하는 제 1 전극(13)에 접속되어 있다. 그리고, 극성 반전 전원(15)에 의해 평활 도금막을 형성할 수 있는 적정 전류값을 초과하는 양 펄스 전류를 제공함으로써, 평활면을 갖는 도금막 이외에, 워크피스(12)의 제 1 주면(121)에는 밀착성이 나쁜 도금막이 부분적으로 석출된다. 그리고, 극성 반전 전원(15)이 전류의 극성을 반전시켜 음 펄스 전류를 제공할 경우, 상기 밀착성이 나쁜 도금막은 양극 전해에 의해 선택적으로 용출된다. 이것은 밀착성이 나쁜 도금막에 양극 전해를 선택적으로 수행하는 메커니즘에 의해 발생한다. 이 단계들을 반복함으로써, 조화면이 형성된다. 이 때문에, 도금막의 표면이 거칠어져, 워크피스(12)의 제 1 주면(121)에는 조화면을 갖는 도금막이 형성된다.The polarity reversal power supply 15 is connected to the workpiece 12 and the first electrode 13 opposed to the first main surface 121 of the workpiece 12 as described above. In addition to the plated film having a smooth surface, the first main surface 121 of the workpiece 12 is provided with a plating film having a smooth surface by providing a positive pulse current exceeding a proper current value capable of forming a smooth plating film by the polarity inversion power supply 15. [ A plating film with poor adhesion is partially deposited. When the polarity reversal power supply 15 reverses the polarity of the current to provide a negative pulse current, the poorly adhered plated film is selectively eluted by anode electrolysis. This is caused by a mechanism for selectively performing anodic electrolysis on the poorly adhered plated film. By repeating these steps, a roughened screen is formed. As a result, the surface of the plated film becomes rough, and a plated film having a roughened surface is formed on the first main surface 121 of the workpiece 12.

또한, 본 실시형태의 도금막 제조 방법에 따르면, 워크피스(12)의 제 1 주면(121)과 제 2 주면(122)에 도금막을 형성함과 동시에 워크피스(12)의 측면 부분에 도금막을 형성할 수도 있다. 이 도금막은 워크피스(12), 제 1 전극(13) 및 제 2 전극(14)에 인가되는 전압의 영향에 의해 워크피스(12)의 주면들에 도금막들이 형성될 때에 워크피스(12)의 측면 부분에 형성된다.According to the plating film manufacturing method of the present embodiment, a plating film is formed on the first main surface 121 and the second main surface 122 of the workpiece 12 and a plating film is formed on the side surface portion of the workpiece 12 . This plating film is formed on the workpiece 12 when plated films are formed on the main surfaces of the workpiece 12 by the influence of the voltage applied to the workpiece 12, the first electrode 13 and the second electrode 14, As shown in Fig.

워크피스(12)의 측면 부분에서 석출되는 도금막은 조화 도금막을 포함할 수 있다. 이러한 구성으로, 수지와 워크피스(12)의 밀착성을 높일 수 있다. 이 때문에, 워크피스(12)의 측면 부분에 조화 도금막이 형성되는 것이 바람직하다. 이 때, 워크피스(12)의 측면 부분에는 조화 도금막과 평활 도금막이 혼재하여 형성될 수도 있다.The plating film deposited on the side surface of the workpiece 12 may include a roughened plating film. With such a configuration, the adhesion between the resin and the workpiece 12 can be enhanced. For this reason, it is preferable that a roughened plating film is formed on the side portion of the workpiece 12. At this time, the roughened plating film and the smooth plating film may be formed on the side surface of the workpiece 12 in a mixed manner.

전술한 바와 같이, 본 실시형태에 따르면, 단일의 도금 처리로, 워크피스의 주면들에 조화면을 갖는 도금막 및 평활면을 갖는 도금막을 각각 형성할 수 있는 도금막 제조 방법이 제공된다.As described above, according to the present embodiment, there is provided a plating film manufacturing method capable of forming a plated film having a roughened surface on principal surfaces of a workpiece and a plated film having a smooth surface by a single plating process, respectively.

이에 따라, 워크피스(12)의 제 1 주면(121) 및 제 2 주면(122) 중의 한쪽의 주면에 형성된 조화면을 갖는 도금막은 수지와 워크피스(12)를 접합할 때에 접착 강도를 증대시킬 수 있다. 또한, 워크피스(12)의 제 1 주면(121) 및 제 2 주면(122) 중의 다른쪽의 주면에는 평활면을 갖는 도금막이 형성된다. 이에 따라, 일 표면에서 수지와 워크피스(12)를 결합할 때에 수지가 다른 표면에 부착되었을 경우에도, 용이하게 수지를 제거하게 된다.Thus, the plating film having the roughened surface formed on one of the first main surface 121 and the second main surface 122 of the workpiece 12 can increase the adhesive strength when bonding the resin and the workpiece 12 . A plated film having a smooth surface is formed on the other main surface of the first main surface 121 and the second main surface 122 of the workpiece 12. [ Accordingly, even when the resin adheres to the other surface when the resin and the workpiece 12 are bonded to each other on one surface, the resin can be easily removed.

[실시예들][Examples]

(제 1 실시예)(Embodiment 1)

본 실시예에서는, 다음의 단계들에 따라 워크피스의 표면에 도금막을 형성한다.In this embodiment, a plated film is formed on the surface of the workpiece according to the following steps.

도 1에 나타낸 바와 같이, 워크피스(12)와 제 1 전극(13) 사이에 극성 반전 전원(15)을 접속하고, 워크피스(12)와 제 2 전극(14) 사이에 직류 전원(16)을 접속하는 것에 의해 도금막들을 형성한다.A polarity inversion power supply 15 is connected between the workpiece 12 and the first electrode 13 and a direct current power supply 16 is connected between the workpiece 12 and the second electrode 14. [ To form plated films.

워크피스(12)로서는, 구리 합금(C194)으로 이루어지는 금속판을 사용하였다. 또한, 도금액의 조성으로서는, 황산구리를 200g/ℓ, 황산을 100g/ℓ, 염소를 50ppm, 브라이트너(롬 앤드 하스사제 상품명 : MICROFILLTM EVF BRIGHTENER)를 2㎖/ℓ, 레벨러(롬 앤드 하스사제 상품명 : MICROFILLTM EVF LEVELER)를 10㎖/ℓ, 폴리머(롬 앤드 하스사제 상품명 : MICROFILLTM EVF C2)를 20㎖/ℓ 함유하는 도금액을 사용했다.As the workpiece 12, a metal plate made of a copper alloy (C194) was used. The composition of the plating solution was as follows: 200 g / L of copper sulfate, 100 g / L of sulfuric acid, 50 ppm of chlorine, 2 mL / L of Brightener (trade name: MICROFILL TM EVF BRIGHTENER made by Rohm and Haas) MICROFILL TM EVF LEVELER) and 20 mL / L of a polymer (trade name: MICROFILL TM EVF C2, manufactured by Rohm and Haas) were used.

상기 조건에 따라 도금막을 형성한 이후에, 제 1 전극(13)에 대향하는 워크피스(12)의 제 1 주면(121)에 조화면이 형성되었고, 제 2 전극(14)에 대향하는 워크피스(12)의 제 2 주면(122)에 평활면이 형성되었다는 것이 확인되었다.A roughened surface is formed on the first main surface 121 of the workpiece 12 opposed to the first electrode 13 after the plating film is formed according to the above conditions, It was confirmed that a smooth surface was formed on the second main surface 122 of the substrate 12.

형성된 도금막들의 표면들에 대하여, SEM(scanning electron microscope)(JEOL 사제, 타입 번호: JSM-5600LV)을 사용하여 관찰을 행했다. 도 4의 (A) 및 (B)는 SEM 화상들을 나타낸 도면들이다. 또한, SEM의 관찰은, 각 주면의 중앙부에서 행해졌다.The surfaces of the formed plating films were observed with an SEM (scanning electron microscope) (manufactured by JEOL, type number: JSM-5600LV). 4 (A) and 4 (B) are views showing SEM images. Further, observation of the SEM was performed at the center of each main surface.

도 4의 (A)는 워크피스(12)의 제 1 주면(121)에 형성된 도금막의 SEM 화상을 나타낸다. 도 4의 (A)에서, 미세한 파티클들이 표면에 형성되어 그 표면이 조면화되어 있는 것을 확인할 수 있다. 도 4의 (B)는 워크피스(12)의 제 2 주면(122)에 형성된 도금막의 SEM 화상을 나타낸다. 도 4의 (B)에서는, 도 4의 (A)에 나타낸 도금막과는 달리, 그 표면이 평활화되어 있는 것을 알 수 있다.4 (A) shows an SEM image of a plated film formed on the first main surface 121 of the workpiece 12. As shown in Fig. In FIG. 4 (A), it can be seen that fine particles are formed on the surface and the surface is roughened. 4B shows an SEM image of the plated film formed on the second main surface 122 of the workpiece 12. As shown in Fig. In Fig. 4 (B), it can be seen that the surface is smoothed, unlike the plated film shown in Fig. 4 (A).

형성된 도금막들의 표면들이, AFM(atomic force microscope)(세이코인스트루 가부시키가이샤제, 타입 번호 : Nano Navi Nanocute)에 의해 관찰되었다. 도 5의 (A) 및 (B)는 AFM 화상들을 나타낸 도면들이다. 표 1에는 조도(roughness) 측정 결과가 나타나 있다.The surfaces of the formed plating films were observed by AFM (atomic force microscope) (manufactured by Seiko Instruments Inc., type number: Nano Navi Nanocute). 5 (A) and 5 (B) are views showing AFM images. Table 1 shows the roughness measurement results.

[표 1][Table 1]

Figure pat00001
Figure pat00001

도 5의 (A)는 워크피스(12)의 제 1 주면(121)에 형성된 도금막의 AFM 화상을 나타낸다. 도 5의 (B)는 워크피스(12)의 제 2 주면(122)에 형성된 도금막의 AFM 화상을 나타낸다. 도 5의 (A) 및 (B)에 나타낸 화상으로부터 제 1 주면(121)에 형성된 도금막은 조화면을 갖고, 제 2 주면(122)에 형성된 도금막은 평활면을 갖는다는 것을 확인할 수 있다.5 (A) shows an AFM image of a plated film formed on the first main surface 121 of the workpiece 12. As shown in Fig. 5B shows an AFM image of a plated film formed on the second main surface 122 of the workpiece 12. As shown in Fig. It can be seen from the images shown in FIGS. 5 (A) and 5 (B) that the plating film formed on the first main surface 121 has a roughened surface and that the plating film formed on the second principal surface 122 has a smooth surface.

이것은, 표 1 중, 조화 도금면으로 확인된 워크피스(12)의 제 1 주면(121)에 형성된 도금막측이, 평활면을 갖는 것으로 확인된 워크피스(12)의 제 2 주면(122)에 형성된 도금막측보다도, 산술 평균 거칠기 Sa, 최대 높이 P-V, 표면적율 Sratio의 전부에 있어서 높게 되어 있는 것으로부터도 확인할 수 있다.This is because the plated film side formed on the first main surface 121 of the workpiece 12 identified as the roughened plated surface in Table 1 has a plated film side on the second main surface 122 of the workpiece 12, It can be confirmed from the fact that the arithmetic average roughness Sa, the maximum height PV, and the surface area ratio Sratio are higher than those of the formed plating film.

(제 2 실시예)(Second Embodiment)

또한, 워크피스(12)가 리드 프레임으로서 사용되는 경우, 리드 프레임의 표면의 와이어 본딩을 위해 사용되는 부분에 은 도금이 수행되었다. 이 때, 은 도금막에는 산화막이 형성되어 있지 않기 때문에, 은 도금막과 수지의 밀착성이 양호하지 못한 문제가 있을 수 있다. 따라서, 수지와의 밀착성을 증대시키기 위해 은 도금막의 표면을 조면화하는 것이 더 좋을 수 있다. 그러므로, 은 도금막이 조화면을 갖는 도금막에 형성(워크피스(12)의 제 1 주면(121)에 형성)되었다. 그 후에, 조도를 측정하였다.Further, when the workpiece 12 is used as a lead frame, silver plating is performed on a portion used for wire bonding of the surface of the lead frame. At this time, since there is no oxide film formed on the silver plated film, the adhesion between the silver plated film and the resin may not be good. Therefore, it may be preferable to roughen the surface of the silver plated film in order to increase the adhesion with the resin. Therefore, a silver plated film was formed (formed on the first main surface 121 of the workpiece 12) in a plated film having a roughened surface. Thereafter, the illuminance was measured.

이때, 은 도금은 시안화은(silver cyanide)을 함유하는 도금액과 펄스 전원을 사용하여 수행되었다.At this time, the silver plating was performed using a plating liquid containing silver cyanide and a pulsed power source.

또한, 비교를 위해, 조화면 또는 평활면을 갖는 도금막 없이, 워크피스(12)의 표면 상에 직접 은 도금막을 형성하고, 조도를 측정하였다. 이 때, 은 도금은 조화면을 갖는 도금막에 형성된(워크피스(12)의 제 1 주면(121)에 형성된) 것과 동일한 방식으로 수행되었다.Further, for comparison, a silver plated film was directly formed on the surface of the workpiece 12 without a roughened surface or a plated film having a smooth surface, and the roughness was measured. At this time, the silver plating was performed in the same manner as that formed on the plated film having the roughened surface (formed on the first main surface 121 of the workpiece 12).

조도의 측정은 레이저 현미경(올림푸스 가부시키가이샤, 타입 번호: OLS4000)을 사용하여 행했다. 조도 측정 결과가 표 2에 나타나 있다.The illuminance was measured using a laser microscope (Olympus Corporation, type number: OLS4000). The results of the roughness measurement are shown in Table 2.

[표 2][Table 2]

Figure pat00002
Figure pat00002

표 2에 나타낸 바와 같이, 워크피스(12)에 직접 형성된 은 도금막에 비해, 조화면을 갖는 도금막에 형성된(워크피스(12)의 제 1 주면(121)에 형성된) 은 도금막쪽이 표면이 더 거칠어져 있음을 확인하였다.(Formed on the first main surface 121 of the workpiece 12) formed on the plated film having the roughened surface, as compared with the silver plated film formed directly on the workpiece 12, Of the total area.

상기 결과로부터, 조화면을 갖는 도금막에 은 도금막이 형성된 경우에도, 조화면을 갖는 도금막의 영향에 의하여, 은 도금막의 표면도 조면화될 수 있다는 것이 확인되었다. 이 때문에, 본 실시형태의 방법에 의해 형성된 조화면을 갖는 도금막에 다른 도금막을 형성한 경우에도, 양호한 밀착성을 유지할 수 있다는 것이 확인되었다.From the above results, it was confirmed that even when a silver plated film was formed on a plated film having a roughened surface, the surface of the silver plated film could also be roughened by the influence of the plated film having the roughened surface. Therefore, it was confirmed that good adhesion can be maintained even when another plating film is formed on the plated film having the roughened surface formed by the method of the present embodiment.

(제 3 실시예)(Third Embodiment)

본 실시예에서 사용한 구리 합금 C194는 일반적으로 리드 프레임 등의 용도로 사용된다. 구리 합금 C194의 표면에 구리 산화막이 형성되고, 공기 중에서 가열될 시에, 또는 시간 경과 시에, 구리 산화막이 벗겨지는 경우가 있을 수 있다. 이러한 구리 산화막의 벗겨짐이 억제될 수 있는지를 확인하였다.The copper alloy C194 used in this embodiment is generally used for a lead frame or the like. There may be a case where the copper oxide film is formed on the surface of the copper alloy C194 and the copper oxide film is peeled off when heated in air or over time. It was confirmed that peeling of the copper oxide film can be suppressed.

구체적으로는, 실시예 1에서 얻어진 샘플(제 1 주면(121) 및 제 2 주면(122)에 조화면 및 평활면을 갖는 도금막들이 형성된 워크피스(12))에 대하여 공기 중, 300℃에서 15분간 가열을 행하였다. 가열 후, 냉각을 거쳐, 제 1 주면(121) 및 제 2 주면(122)의 도금막 상에 각각 테이프(3M 사제, 상품명 : 스카치(등록상표) 멘딩 테이프 810)를 붙이고, 이것을 벗겨내었다. 그 후에, 제 1 주면(121) 및 제 2 주면(122)에 각각 형성된 산화막들 모두에 대하여 산화막들이 제거되었는지의 여부를 확인하였다.Specifically, the sample (the workpiece 12 on which the plated films having the roughened surface and the smooth surface are formed on the first main surface 121 and the second main surface 122) obtained in Example 1 was subjected to a heat treatment at 300 ° C Heating was carried out for 15 minutes. After heating and cooling, tapes (product name: Scotch (registered trademark) Mending Tape 810) were attached to the plated films of the first main surface 121 and the second main surface 122, respectively, and peeled off. Thereafter, it was confirmed whether or not the oxide films were removed from all the oxide films formed on the first main surface 121 and the second main surface 122, respectively.

또한, 비교를 위해, 조화면이나 평활면을 갖는 도금막 없이, 즉, 구리 합금판 상에 도금막들을 형성하기 이전에 워크피스(12)에 대하여 동일한 테스트를 수행하였다. 표 3에서, "도금막 없음"은 그 결과를 나타낸다.Further, for comparison, the same test was carried out on the workpiece 12 before forming the plating films on the copper alloy plate without the roughened surface or the plating film having the smooth surface. In Table 3, "no plating film" indicates the result.

표 3에서, 산화막이 제거된 경우, 그 결과는 "불량"으로 나타났으며, 산화막이 제거되지 않은 경우, 그 결과는 "양호"로 나타났다.In Table 3, when the oxide film was removed, the result was "bad ", and when the oxide film was not removed, the result was" good ".

[표 3][Table 3]

Figure pat00003
Figure pat00003

표 3에 나타난 바와 같이, 도금막이 없는 샘플에 있어서는, 산화막이 제거되었다. 한편, 도금막들이 형성된 워크피스(12)에 있어서는, 그 표면이 조화면이든 평활면이든 관계없이, 산화막이 제거되지 않았다.As shown in Table 3, in the sample without the plating film, the oxide film was removed. On the other hand, in the workpiece 12 on which the plated films were formed, the oxide film was not removed regardless of whether the surface was a coarse surface or a smooth surface.

도금막 제조 방법의 바람직한 실시형태를 구체적으로 예시하고 기술하였지만, 청구범위에 의해 규정되는 본 발명의 사상 및 범위로부터 일탈함 없이 사소한 변형들이 이루어질 수 있음이 이해될 것이다.Although preferred embodiments of the method for producing a plated film have been specifically illustrated and described, it will be understood that minor modifications may be made without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the claims.

본 발명은 구체적으로 개시된 실시형태들에 한정되지 않으며, 본 발명의 사상 및 범위로부터 일탈하지 않는 범위 내에서 다수의 변형 및 변경이 이루어질 수 있다.The present invention is not limited to the specifically disclosed embodiments and many modifications and changes may be made without departing from the spirit and scope of the present invention.

12 : 워크피스
121 : 제 1 주면
122 : 제 2 주면
13, 14 : 전극
15 : 극성 반전 전원
16 : 직류 전원12: Workpiece
121: First main surface
122: 2nd week
13, 14: electrode
15: Polarity inversion power
16: DC power source

Claims (10)

워크피스의 제 1 주면(main surface)과, 상기 제 1 주면의 반대측인 제 2 주면에 각각 도금막(plating film)을 제조하는 방법으로서,
극성 반전 전원(periodic reverse current power source)과 직류 전원을 마련하는 단계;
도금액 내에서, 상기 워크피스와, 상기 워크피스의 제 1 주면에 대향하는 제 1 전극 사이에 상기 극성 반전 전원에 의해 소정 타이밍에서 전류 방향을 주기적으로 역방향으로 변화하는 전류를 제공하는 단계; 및
상기 도금액 내에서, 상기 워크피스와, 상기 워크피스의 제 2 주면에 대향하는 제 2 전극 사이에 상기 직류 전원에 의해 직류 전류를 제공하는 단계를 포함하고,
상기 극성 반전 전원에 의해 상기 전류를 제공하는 것과, 상기 직류 전원에 의해 상기 직류 전류를 제공하는 것은 상기 제 1 주면과 상기 제 2 주면 상에서 각각 도금막이 형성되도록 동시에 수행되는, 도금막의 제조 방법.A method of manufacturing a plating film on a first main surface of a workpiece and a second main surface opposite to the first main surface,
Providing a periodic reverse current power source and a DC power source;
Providing a current in the plating liquid that varies periodically in the reverse direction between the workpiece and the first electrode opposite to the first major surface of the workpiece at a predetermined timing by the polarity inversion power supply; And
Providing a direct current in the plating liquid between the workpiece and a second electrode opposite the second major surface of the workpiece by the direct current power source,
Wherein providing the current by the polarity inversion power supply and providing the direct current by the direct current power supply are performed simultaneously to form a plated film on the first major surface and the second major surface, respectively. 제 1 항에 있어서,
상기 직류 전류는 상기 워크피스가 음극이 되도록 상기 직류 전원에 의해 제공되는, 도금막의 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the direct current is provided by the direct current power source such that the workpiece becomes a cathode. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 워크피스의 측면 부분에도 도금막이 형성되는, 도금막의 제조 방법.3. The method according to claim 1 or 2,
And a plating film is also formed on a side portion of the workpiece. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 워크피스는 리드 프레임(lead frame)인, 도금막의 제조 방법.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the workpiece is a lead frame. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 도금액은 상기 직류 전류에 의해 조화 도금막(rough plating film)이 형성되는 특성을 갖고,
상기 워크피스의 제 1 주면에서는 평활 도금막(smooth plating film)이 석출되고, 또한
상기 워크피스의 제 2 주면에서는 조화 도금막이 석출되는, 도금막의 제조 방법.3. The method according to claim 1 or 2,
The plating liquid has a characteristic that a rough plating film is formed by the direct current,
A smooth plating film is deposited on the first main surface of the workpiece,
And a harmful plated film is deposited on the second main surface of the workpiece. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 도금액은 상기 직류 전류에 의해 평활 도금막이 형성되는 특성을 갖고,
상기 워크피스의 제 1 주면에서는 조화 도금막이 석출되고, 또한
상기 워크피스의 제 2 주면에서는 평활 도금막이 석출되는, 도금막의 제조 방법.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the plating liquid has a property of forming a smooth plating film by the direct current,
On the first main surface of the workpiece, a roughened plating film is deposited,
And a smooth plating film is deposited on the second main surface of the workpiece. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 워크피스의 측면 부분에는 조화 도금막이 형성되는, 도금막의 제조 방법.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein a roughened plating film is formed on a side portion of the workpiece. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 워크피스의 측면 부분에는, 조화 도금막과 평활 도금막 모두가 혼재하여(mixed manner) 형성되는, 도금막의 제조 방법.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein both of the roughened plating film and the smoothing plated film are formed in a mixed manner in a side portion of the workpiece. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
조화 도금막과 평활 도금막 중의 한쪽이 상기 도금액의 특성에 따라 상기 직류 전류에 의해 상기 워크피스의 제 2 주면에 형성되고,
상기 조화 도금막과 상기 평활 도금막 중의 다른쪽이 상기 소정 타이밍에서 전류 방향을 주기적으로 역방향으로 변화하는 전류에 의해 상기 워크피스의 제 1 주면에 형성되는, 도금막의 제조 방법.3. The method according to claim 1 or 2,
One of the harmonious plating film and the smoothing plating film is formed on the second main surface of the workpiece by the direct current according to the characteristics of the plating liquid,
Wherein the other of the harmonious plating film and the smoothing plating film is formed on a first main surface of the workpiece by a current that periodically changes in a current direction in a reverse direction at the predetermined timing. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 소정 타이밍에서 전류 방향을 주기적으로 역방향으로 변화하는 전류를 제공할 시에, 상기 전류의 극성(polarity)이 주기적으로 변화하는, 도금막의 제조 방법.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the polarity of the current periodically changes when providing a current that periodically changes in a reverse direction in a current direction at the predetermined timing.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6685112B2 (en) * 2015-11-18 2020-04-22 株式会社三井ハイテック Lead frame, lead frame package, and manufacturing method thereof
JP6621681B2 (en) * 2016-02-17 2019-12-18 株式会社三井ハイテック Lead frame, manufacturing method thereof, and semiconductor package
JP6905031B2 (en) * 2016-02-17 2021-07-21 株式会社三井ハイテック Lead frame and semiconductor package
JP6782116B2 (en) * 2016-08-02 2020-11-11 古河電気工業株式会社 Silver coating material
CN109468670B (en) * 2018-11-16 2021-03-26 中山品高电子材料有限公司 Method for electroplating copper layer on lead frame
CN112331566A (en) * 2020-11-02 2021-02-05 昆山一鼎工业科技有限公司 Manufacturing equipment and manufacturing method for surface roughness of lead frame

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000068857A (en) * 1997-08-29 2000-11-25 크룸 마크 에이. process for making copper wire
JP2008223063A (en) 2007-03-09 2008-09-25 Furukawa Electric Co Ltd:The Roughened rolled copper sheet and its manufacturing method
KR100950442B1 (en) * 2009-05-13 2010-04-02 주식회사 모아기술 Method for antibious surface treatment of aluminum matter using high frequency pluse
KR20100066988A (en) * 2008-12-10 2010-06-18 삼성테크윈 주식회사 Uniform pating method for pcb

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3690603B2 (en) * 2002-11-28 2005-08-31 株式会社中央製作所 Current control method for continuous plating
CN2587889Y (en) * 2002-12-11 2003-11-26 吕明 Electric deposition equipment for making high-porosity metal strip material
JP2005097721A (en) * 2003-08-27 2005-04-14 Yamaha Corp Apparatus and method for plating both sides
CN2712947Y (en) * 2004-07-20 2005-07-27 戴其金 Plating bath with double anode
CN102337578B (en) * 2010-07-19 2014-04-02 北大方正集团有限公司 Double-sided plating tank, sheet and plating method

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000068857A (en) * 1997-08-29 2000-11-25 크룸 마크 에이. process for making copper wire
JP2008223063A (en) 2007-03-09 2008-09-25 Furukawa Electric Co Ltd:The Roughened rolled copper sheet and its manufacturing method
KR20100066988A (en) * 2008-12-10 2010-06-18 삼성테크윈 주식회사 Uniform pating method for pcb
KR100950442B1 (en) * 2009-05-13 2010-04-02 주식회사 모아기술 Method for antibious surface treatment of aluminum matter using high frequency pluse

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