KR20140015247A - 태양전지용 백플레인 보강 및 상호연결부 - Google Patents

태양전지용 백플레인 보강 및 상호연결부 Download PDF

Info

Publication number
KR20140015247A
KR20140015247A KR1020137005704A KR20137005704A KR20140015247A KR 20140015247 A KR20140015247 A KR 20140015247A KR 1020137005704 A KR1020137005704 A KR 1020137005704A KR 20137005704 A KR20137005704 A KR 20137005704A KR 20140015247 A KR20140015247 A KR 20140015247A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
backplane
emitter
electrically conductive
layer
metal
Prior art date
Application number
KR1020137005704A
Other languages
English (en)
Inventor
메흐르다드 엠 모스레히
다비드 쑤안-퀴 왕
칼 조세프 크라메르
세안 세웃테르
샘 톤 토르
안토니 칼카테라
Original Assignee
솔렉셀, 인크.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 솔렉셀, 인크. filed Critical 솔렉셀, 인크.
Publication of KR20140015247A publication Critical patent/KR20140015247A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
    • H01L31/022458—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells for emitter wrap-through [EWT] type solar cells, e.g. interdigitated emitter-base back-contacts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
    • H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02008—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
    • H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02008—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
    • H01L31/02013—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules comprising output lead wires elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/028—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • H01L31/0516—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module specially adapted for interconnection of back-contact solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • H01L31/0682—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells back-junction, i.e. rearside emitter, solar cells, e.g. interdigitated base-emitter regions back-junction cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1892—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof methods involving the use of temporary, removable substrates
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

태양전지 기판 보강 및 전기적인 상호연결부를 제공하는 후면접촉 태양전지의 백플레인에 관한 가공 방법 및 구조가 개시된다. 상기 방법은 반도체 기판의 후면 상에 다중선형(interdigitated) 패턴의 베이스 전극 및 이미터 전극을 증착하는 단계, 상기 다중선형 패턴 상에 전기 전도성 이미터 플러그(plug) 및 베이스 플러그를 형성하는 단계, 및 상기 전도성 이미터 및 베이스 플러그에서 베이스 전극 및 이미터 전극의 제2 다중선형 패턴을 가지는 백플레인을 부착하여 전기적인 상호연결부를 형성하는 단계를 포함한다.

Description

태양전지용 백플레인 보강 및 상호연결부{BACKPLANE REINFORCEMENT AND INTERCONNECTS FOR SOLAR CELLS}
본 출원은 2010년 8월 5일 출원된 미국 가특허출원 제61/370,956호에 대한 우선권 주장을 수반하며, 그 전체 내용이 참조로 본 명세서에 통합된다.
또한 본 출원은 미국특허출원 제13/057,104호, 제13/057,115호, 및 제13/057,123호에 대한 우선권 주장을 수반하며, 그 전체 내용이 참조로 본 명세서에 통합된다.
본 발명은 일반적으로 광전소자 및 미세전자소자 분야에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 후면접촉 광전 태양전지를 위한 고성능 전기적 상호연결부 및 기계적 보강방법, 구조, 및 장치에 관한 것이다.
결정질 실리콘 태양전지를 포함하는 광전 태양전지는 태양전지 금속 전극(이미터 및 베이스 전극)의 2개의 극부(polarities)의 위치에 따라 전면접촉(front-contact) 및 후면접촉(back-contact) 전지로 나뉘어질 수 있다. 종래의 전면접촉 전지는 전지 전면(태양광면 또는 광 포획면이라고도 함)에 이미터 전극 접촉부를 가지고, 전지 후면에 베이스 전극 접촉부를 가지며(또는 전면접촉/후면접합(front-contact/back-junction) 태양전지의 경우, 전지 전면에 베이스 전극 및 전지 후면에 이미터 전극을 가짐), 어느 경우이든 상기 이미터 및 베이스 전극이 상기 태양전지의 반대면에 위치한다. 다만, 후면접촉 전지는, 전지 후면과 접촉하고 있는 상기 금속 전극의 양 극부를 모두 가진다. 후면접촉 태양전지의 주요 장점은 다음의 것들을 포함한다.
(1) 상기 후면접촉 태양전지의 단락회로 전류밀도(Jsc)를 증가시키는 전면 상의 금속 전극 그리드(grid)의 부재에 기인한, 전지 태양광면 상의 상기 금속 접촉부로부터 광-쉐이딩(shading) 및 광반사 손실이 없다.
(2) 양 금속 전극이 모두 전지 후면에 위치하기 때문에 전극의 폭 및 두께가 광-쉐이딩 문제없이 증가 및 최적화될 수 있고, 따라서, 상기 이미터 및 베이스 금속 그리드의 직렬 저항이 감소하고, 금속화의 전체적인 전류 운반 능력 및 형성된 전지 전환효율이 증가한다.
(3) 후면접촉 태양전지는 전면 금속 그리드가 없기 때문에 전면접촉 태양전지보다 더 심미적이다.
그 전체 내용이 참조로 본 명세서에 통합된, 국제공개특허 WO2011/072161호 및 WO2011/072179호는 박막 실리콘 기판을 이용한 후면접촉 단결정질 실리콘 태양전지를 개시한다. WO2011/072179호에서, 상기 박막 실리콘 기판은 기계적 표면 연삭(grinding) 또는 화학적 실리콘 식각(etching)(또는 다른 방법, 이를 테면 양성자 주입 또는 스트레스 유도 절개(stress induced cleavage)을 이용하여 두꺼운 웨이퍼로부터 박막 실리콘 기판을 클리빙(cleaving)하는 것)에 의하여 감소된 두께는 가지는 표준 초크랄스키(CZ) 웨이퍼이다. WO2011/072161호에서, 상기 박막 실리콘 기판은 에피택시얼 성장(epitaxial-grown)된 박막 실리콘 기판(TFSS)이다. 여기서, 상기 에피택시얼 실리콘층은 초기에 재사용 가능한 실리콘 템플릿 상부의 다공질 실리콘 제거층 상에서 성장된 다음, 전지 가공 공정 단계의 부분적인 또는 완전한 완료 이후에 상기 다공질 실리콘 제거층에서 상기 템플릿으로부터 제거/분리될 수 있다. 상기 박막 CZ 웨이퍼 및 TFSS는 양자 모두 실질적으로 평면이거나 규칙적 또는 불규칙적인 3차원 미세 구조로 구성될 수 있다.
다만, 후면접촉 태양전지에 관련된 문제점에는 다음의 것들이 있다:
(1) 상대적으로 얇은 기판 두께(약 1㎛ 내지 100㎛, 및 몇몇 실시예에서 50㎛ 미만의 범위)때문에, 상기 기판은 공정간 상기 박막 실리콘의 균열 및 최종 제조수율의 손실을 방지하기 위해 기계적으로 지지되거나 더욱 단단한 백플레인/플레이트(backplane/plate)로 보강되어야 한다.
(2) 상기 금속 전극들의 공면(co-planar) 상호연결부는 상기 베이스 및 이미터 영역들에 부착되는 카운터 전극들(counter electrodes)간의 불가피한 전향(shunting)을 방지하기 위해 전면접촉 태양전지보다 더욱 높은 전극 배치 정확도를 요구한다.
후면접촉 태양전지와 관련하여, 후면접촉 태양전지의 높은 제조수율을 획득하는 것은 견고한 가공 공정 및 효율적인 전지 설계를 필요로 하기 때문에, 상기 문제점 및 기타 문제점을 방지하기 위한 전지 구조를 설계하고 제조하는 공정은 과제로 남아있다.
따라서, 후면접촉 태양전지의 가공 방법 및 설계에 대한 필요성이 제기되어 왔다. 본 발명에 따르면, 후면접촉 태양전지의 가공 및 최종 모듈 패키징(packaging)을 가능하게 하는 전지 전류 추출용 고전도성 금속 상호연결부에 의하여 기계적으로 지지하는 백플레인 구조를 제조하기 위한 방법, 구조, 및 장치가 제공된다. 이러한 기술적 진보는 종래 개발된 후면접촉 태양전지에 관련된 단점 및 문제점을 실질적으로 감소시키거나 제거한다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 태양전지 기판 보강 및 전기적인 상호연결을 제공하는 후면접촉 태양전지의 백플레인에 관한 가공 방법 및 구조가 개시된다. 상기 방법은 반도체 기판의 후면 상에 베이스 전극 및 이미터 전극의 다중선형(interdigitated) 패턴을 증착하는 단계, 상기 다중선형 패턴 상에 전기 전도성 이미터 플러그(plug) 및 베이스 플러그를 형성하는 단계, 및 상기 전도성 이미터 및 베이스 플러그에서 베이스 전극 및 이미터 전극의 제2 다중선형 패턴을 가지는 백플레인을 부착하여 전기적인 상호연결부를 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명의 기술적 장점은 후면접촉 태양전지 가공의 비용절감 및 효율증대를 포함한다.
본 발명의 상기 장점, 기타 장점, 및 추가적인 신규한 특징은 본 명세서에서 제공되는 것으로부터 명확해질 것이다. 상기 발명의 내용의 목적은 본 발명을 포괄적으로 설명하기 위한 것보다는, 본 발명의 일부 특징에 대한 짧은 개요를 제공하기 위한 것이다. 여기서 제공되는 기타 시스템, 방법, 특징 및 장점은 하기 도면 및 상세한 설명의 검토 하에 당업자에게 명확해질 것이다. 본 명세서에 개시되는 이러한 모든 추가적인 시스템, 방법, 특징 및 장점은 특허청구범위의 권리범위 내에 있는 것으로 의도된다.
본 발명의 특징, 성질, 및 장점은 특징을 나타내는 참조부호를 포함하는 도면과 함께 하기의 상세한 설명으로부터 더욱 명확해질 것이다.
도 1a 및 1b는, 일부 가공된 TFSS에 기반한 후면접촉 태양전지의 실시예를 도시이다.
도 2는, 백플레인의 단면도이다.
도 3a 내지 3d는, 주요 가공 공정 단계 이후의 상기 태양전지를, 상기 백플레인을 강조하여 도시한 것이다.
도 4는, 다른 백플레인 실시예의 단면도이다.
도 5a 내지 5b는, 주요 가공 공정 단계 이후의 상기 태양전지를, 상기 백플레인을 강조하여 도시한 것이다.
도 6a 내지 6e는, 주요 가공 공정 단계 이후의 상기 태양전지를, 상기 백플레인을 강조하여 도시한 것이다.
도 7a 내지 7e는, 주요 가공 공정 단계 이후의 상기 태양전지를, 상기 백플레인을 강조하여 도시한 것이다.
도 8a 내지 8c는, 주요 가공 공정 단계 이후의 상기 태양전지를, 상기 백플레인을 강조하여 도시한 것이다.
도 9a 내지 9e는, 도 7A에 나타난 상기 백플레인의 결합 및 도 1a에 나타난 태양전지 어셈블리(assembly)를 도시한 것이다.
도 10a 내지 10c는, 상호연결된 태양전지의 또 다른 실시예를 도시한 것이다.
도 11은, 태양전지 모듈의 단면도이다.
도 12a 내지 12d는, 금속 전극 스트립(strip)을 제조하는 장치 및 가공 공정을 도시한 것이다.
도 13a 및 13b는, 사전 가공된(pre-fabricated) 금속 리본(ribbon)을 라미네이트하는(laminating) 장치 및 방법을 도시한 것이다.
도 14a 내지 14c는, 변형된 영역을 갖는 금속 전극을 제조하는 장치 및 가공 공정을 도시한 것이다.
도 15a 내지 15c는, 또 다른 변형된 영역을 갖는 금속 전극을 제조하는 장치 및 가공 공정을 도시한 것이다.
도 16a 및 16b는, 본 발명에 따른, 또 다른 태양전지 및 지지 백플레인 구조를 도시한 것이다.
본 명세서는 협의로 이해되어서는 아니되며, 본 발명의 일반적인 원리를 설명하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명의 권리범위는 특허청구범위에 따라 결정된다. 본 발명의 실시예는 도면, 참조부호 및 이와 유사한 것, 및 다양한 도면의 대응하는 부분에 도시된다.
또한, 본 명세서가 특정 실시예, 이를테면 실리콘 및 기타 가공 재료에 관하여 기재된다 하더라도, 당업자는 과도한 실험없이 여기에 개시된 원리를 기타 재료, 기술분야, 및/또는 실시예에 적용할 수 있다.
본 발명이 박막 실리콘 태양전지에 이용하기 위한 에피택시얼 성장된 결정질 박막 실리콘 기판(TFSS)을 대표적인 실시예로 나타낸다고 한다고 하더라도, 백플레인 보강 및 전기적 상호연결 방법, 구조, 장치, 및 공정은 결정질 반도체 잉곳(ingot)으로부터 생산되는 반도체 기판의 임의의 유형, 이를 테면 GaAs, 박막 초크랄스키(CZ) 또는 플로트 존(FZ) 웨이퍼를 포함하는 화합물 반도체에 광범위하고 동등하게 적용 가능하다.
또한, 용어 전도성 "포스트(posts)"는 용어 전도성 "플러그(plugs)" 또는 전도성 "범프(bumps)"가 적용 가능한 실시예에서 사용되며, 상기 태양전지 상의 박막 전극층 및 상기 백플레인 상의 후막 전극층 간의 접속 연결부를 나타낼 수 있는 임의의 용어와 상호교환적으로 사용될 수 있다.
본 발명은 박막 태양광 기판 상에 고효율 백플레인 태양전지를 주입 및 가공하는데 대한 현재의 문제점; 특히, 기판 균열 및 파괴를 제거하기 위한 연속적인 기계적 및 구조적 지지를 기판에 제공하는 공정 방법 및 구조, 및 고전도성 전지 상호연결부의 형성을 제공한다.
본 발명의 구조 및 방법은 바람직하게는 다중선형 패턴의 전기 전도성(즉, 금속 재료, 이를 테면 알루미늄, 알루미늄 합금, 또는 구리) 상호연결층 및 선택적인 유전성 절연층과 함께 일반적으로 백플레인을 포함한다. 이후 상기 백플레인은 배열된 결합 및 라미네이션 공정(lamination processs)에서 전기 전도성 및 전기 절연성 접착 물질과 함께 TFSS 표면에 결합될 수 있다. 상기 백플레인 상에 패터닝된(patterned) 금속 상호연결층은 일반적으로 상기 태양전지 TFSS 상의 금속층보다 매우 두껍거나[0.1mm 내지 1mm(또는 그 이상)], 기타 태양전지의 고려사항에 따라 더 작을 수 있다[25 내지 250㎛의 범위]. 따라서, 전류가 상기 박막 태양전지로부터 직접적으로 추출되어, 상기 태양전지 상의 패터닝된 박막 금속층 및 상기 백플레인 상의 패터닝된 후막 금속층을 접속시키는 상기 전도성 접착 플러그/범프/포스트를 통해 상기 백플레인으로 인도될 수 있다. 이후 상기 백플레인 결합 TFSS는 상기 재사용 가능한 반도체(예를 들어, 실리콘 태양전지용 실리콘) 템플릿으로부터 제거/분리될 수 있다. 상기 TFSS의 제거된 실리콘면(태양광면, 전지의 전면)은 이후 화학적으로 세척되고, 임의적으로 그리고 바람직하게는 텍스쳐링되며(textured), 표면 부동태화(passivation) 및 반사방지막(ARC) 층으로 도포될 수 있다. 이러한 백플레인 결합 태양전지의 다수는 백플레인의 가장자리에서 연장된 상기 전도성 상호연결부로부터 상기 태양전지를 연결하는 것에 의하거나 상기 백플레인 후면의 구멍/통로/개구부를 통하여 채워진 전도성 물질을 통해 연결 및 조립되어 태양 광전 모듈을 형성한다.
박막(일반적으로 10㎛ 이하 및 몇몇 실시예에서 약 0.1㎛ 내지 약 2㎛ 범위의 두께를 가짐) 다중선형 이미터 및 베이스 금속 그리드 층이 블랭킷 금속 코팅 공정, 이를 테면, 금속 물리적 증착[예를 들어, 알루미늄 또는 알루미늄 실리콘 합금의 플라즈마 스퍼터링(sputtering) 또는 증발], 및 금속 패터닝 공정, 이를테면 배열 펄스 레이저 금속 융삭, 에 의하여 상기 태양전지의 후면 상에 형성된다. 대안적인 패턴화된 금속 코팅 공정은 패터닝된 마스킹층을 통한 스크린-인쇄, 잉크젯-인쇄 및 금속 식각(etching)을 포함하며, 이에 한정되지 않는다.
상기 백플레인 어셈블리는 백플레인 플레이트, 선택적인 밀봉성(encapsulating) 및 접착성 절연 물질, 및 후막 다중선형 이미터 및 베이스 금속 그리드 층(몇몇 실시예에서 고전도성 및 저비용 금속 호일, 이를 테면 알루미늄 또는 알루미늄 합금 호일로 제조될 뿐만 아니라 구리와 같은 임의의 적합한 전기 전도성 재료일 수 있음)을 포함한다. 상기 패터닝된 금속층은 상기 절연성 접착층에 의하여 상기 백플레인에 밀봉되거나(encapsulated) 결합된다. 몇몇 실시예에서 상기 백플레인은 유전성 재료로 제조될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니고, 소다라임 유리(soda lime glass), 플라스틱 및 유전성 재료의 조성물, 또는 적합한 구조적 강도 및 광 포획 성능을 가지는 임의의 기타 재료로 제조될 수 있다. 대안적으로, 상기 백플레인은 유전물질이 코팅된 금속 재료, 이를 테면 양극산화된(anodized) 알루미늄으로 코팅된 알루미늄으로 제조될 수도 있다. 상기 금속 그리드 층은, 사전 제조된(pre-made) 금속 조각을 상기 백플레인 상에 라미네이트하거나, 상기 백플레인 상에 사전 라미네이트된(pre-laminated) 금속 호일, 이를 테면 알루미늄 또는 알루미늄 합금 호일을 패터닝/슬리팅(patterning/slitting)함으로써 형성될 수 있다. 상기 절연성 접착 재료의 예로는, 보통의 태양 광전 모듈 밀봉재(encapsulant) 재료, 이를 테면 다양한 제조업자들의 에틸렌 비닐 아세테이트(EVA) 및 다이 니폰 프린팅(Dai Nippon Printing, DNP)의 산화된 저밀도 폴리에틸렌(LDPE, PV-FS Z68)를 포함한다.
상기 태양전지 및 백플레인의 배열된 접합(joining)/결합은 상기 전도성 접착 플러그/범프/포스트 및 상기 백플레인 및 태양전지면의 패터닝된 금속표면들 사이의 부분적으로 녹고 재유동(reflow)된 밀봉성 유전층에 의하여 제조된다. 상기 태양전지 및 상기 백플레인 상의 다중선형 금속 그리드는 평행 또는 수직 정렬로 배열 및 부착될 수 있다. 상기 패터닝된 유전층은 상기 태양전지 및 상기 백플레인의 접합 전에 상기 태양전지 금속 표면 또는 상기 백플레인 금속 표면 중 어느 하나에 위치될 수 있다. 상기 2개의 금속층 사이의 패터닝된 유전층의 개방된 영역은 전도성 접착 재료로 충전되어 전기전도성 및 접착성 결합을 제공한다.
본 발명의 태양광 모듈, 상기 백플레인 결합 태양전지, 및 백플레인은 기계적으로 연성(flexible)이거나 반연성(semi-flexible)이어서 물체의 비평면 또는 곡면, 이를 테면 윤곽이 있는(contoured) 건물벽 또는 자동차체에의 등각 장착(conformal mounting)을 가능하게 한다. 또한, 본 발명의 태양광 모듈, 상기 백플레인 결합 태양전지, 및 백플레인은 투시용도(see-through application), 이를 테면 건물일체형 태양광 장치(BIPV) 및 자동차용으로 빛이 부분적으로 투과할 수 있도록 하는 복수의 광전송 개구부를 가질 수 있다.
도 1 내지 3d는, 박막 금속 전극이 패터닝된 TFSS 기반의 후면접촉 태양전지, 후막 금속 전극(예를 들어, 바람직하게는 저비용 고전도성 재료, 이를 테면 알루미늄 또는 알루미늄 합금)이 패터닝된 백플레인, 및 백플레인 지지 및 보강에 의하여 완전히 가공된 태양전지를 제조하는 접합/결합공정의 도식이다. 본 실시예에서, 상기 백플레인 상의 상기 금속 전극은, 상기 태양전지 상의 금속 전극에 대하여 평행하게 배열되고, 상기 백플레인 및 상기 태양전지 상의 상기 금속 전극은 상기 결합 및 밀봉된 구조 내에 완전히 매립된다(embedded). 매립된 전극은, 상기 매립된 금속 전극의 텍스쳐링(texturing) 화학물질에의 임의의 노출없이, 상기 전지가 포스트-템플릿-제거 공정 단계, 이를 테면 표면 텍스쳐링, 부동태화(passivation) 및 반사방지 코팅을 거치도록 하고, 상기 매립된 금속 전극 및 상기 가공기구의 상호오염의 위험을 감소시킨다.
도 1a는, 재사용 가능한 템플릿으로부터 제거되기 전에 부분 가공된 TFSS 기반 후면접촉 태양전지의 도시이다. 태양전지 기판(6)은, 에피택시얼 실리콘, 이를테면 트리클로로실란(TCS), 디클로로실란(DCS), 또는 실란을 증착하는 공지된 방법을 이용하여 재사용 가능한 실리콘 템플릿(2)의 다공질 실리콘 제거층(4) 상의 에피택시얼 실리콘 성장 박막(예를 들어, 1㎛ 내지 100㎛)이다. 본 명세서에 사용된 용어 "기판"은 반도체 재료, 이를테면 실리콘으로 제조되는 박막 플레이트를 말하고, 이러한 박막 플레이트는 두께보다 매우 큰 측면 규격(lateral dimensions)(직경, 길이, 폭)를 가진다. 본 명세서에 사용된 용어 "템플릿"는 상기 기판이 처음에 부착되고 분리/제거되어 상기 태양전지를 생성하는 구조를 말한다. 템플릿은 복수의 기판을 생산하는데 사용될 수 있고, 대개 기판 그 자체보다 두껍고 더 단단하다. 예를 들어, 재사용 가능한 실리콘 템플릿은, 100mm 내지 450mm의 직경을 가지는 원형, 또는 둥근 모서리의 정방형, 또는 측면 규격이 100mm내지 수백mm이하의 범위인 완전 정방형(일반적인 태양전지용 규격은 125mm x 125mm, 156mm x 156mm, 또는 210mm x 210mm임)의 실리콘 웨이퍼로 제조될 수 있다. 상기 박막 실리콘 기판(TFSS)의 두께는 약 1㎛ 내지 수백 ㎛의 범위일 수 있는 반면에, 상기 재사용 가능한 템플릿의 두께는 200㎛ 내지 수 mm의 범위일 수 있다.
상기 기판 및 상기 템플릿의 부착은, 상기 기판 및 상기 템플릿과 동일하거나 다른 재료로 제조되는 박막 기계적 연약층(thin mechanically-weak layer)을 통해 이루어진다. 예를 들어, 다공질 실리콘층은 상기 템플릿 측부의 고-공극률(60%~80%) 서브층(sub-layer) 및 상기 TFSS 측부의 저-공극률(10%~30%) 서브층에 의한 이중층(또는 삼중층 또는 불균일 공극률) 구조를 가진다. 상기 저-공극률층은 시드층 역할을 하여 상기 저결함 단결정질 에피택시얼 실리콘 성장을 촉진하고, 상기 고-공극률층은 상기 TFSS 및 템플릿의 분리를 촉진하는데 사용된다. 구조 및 공정에 관한 상세한 사항은, 그 전체 내용이 참조로 본 명세서에 통합된 미국공개특허 제2008/0264477호 및 제2009/0107545호에서 발견된다. 그 전체 내용이 참조로 본 명세서에 통합된, 국제공개특허 WO2011/072161호 및 WO2011/072179호는, 후면접촉 실리콘 태양전지를 제조하기 위한 특정 구조, 방법 및 공정을 개시한다. 또한, 본 발명의 실시예가 주로 재사용 가능한 실리콘 템플릿 및 에피탤시얼 실리콘 증착에 의하여 생산되는 박막 실리콘 전지를 사용하여 기재되어 있는 반면에, 본 발명의 기술사항은 기타 방법, 이를 테면 양성자 주입 및 스트레스 유도 절개(stress induced cleavage) 방법을 이용하여 벌크(bulk) 웨이퍼 및 잉곳으로부터 박막 실리콘을 클리빙(cleaving)하는 것과 같은 방법에 의하여 생산되는 박막 반도체 전지에 적용 가능하다.
도 1a는 후면접촉 태양전지 기판의 단면을 나타내고, 금속 전극의 양 극부(베이스 및 이미터)가 그 일측부에 있다. 재사용 가능한 템플릿(2)으로부터(또는 호스트(host) 웨이퍼로부터) 태양전지 기판(6)을 제거/분리/클리빙하기 전에, 국지화된(localized) 이미터 도핑층(8), 베이스 금속 전극(10), 이미터 금속 전극(12), 유전성 접착층(18), 베이스 전도성 포스트(14), 및 이미터 전도성 포스트(16)가 상기 기판의 후면(도1a 및 도1b에 나타난 것과 같이 상측부)에 형성된다. 나타난 것과 같이, 상기 기판은 도핑된 이미터 및 베이스 접촉 영역을 가진다; 다만, 상기 에피택시얼 성장 공정의 일부로서, 상기 에피택시얼 성장한 실리콘 TFSS는 인-시츄(in-situ) 벌크 베이스 도핑, 후면전계(back surface field, BSF) 도핑, 전면전계(front surface field, FSF) 도핑, 및 인-시츄 이미터 도핑의 1 이상의 조합을 가질 수 있거나, 그렇지 아니할 수 있다.
본 명세서의 특정 실시예는 붕소 p-형 이미터 및 인(phosphorous)에 의한 n-형 벌크 베이스 도핑을 포함하나, 상기 방법은 태양전지를 형성하는 도핑의 임의의 조합에 동일하게 적용 가능하다. 본 발명의 주요 실시예가 백플레인 전지 지지, 보강, 및 상호연결부에 초점을 두고 있기 때문에, 상기 특정 도핑 영역, 표면 부동태화층, 후면 거울층, 및 전면 반사방지 코팅(ARC)은 도면 및 상세한 설명의 간결함을 위해 도면에 도시되지 않았다.
도 1a에 나타난 중요한 구성요소는 실질적으로 평행이고 부스바가 없는(busbarless) 다중선형 이미터(12) 및 베이스(10) 금속 전극, 상기 유전성 결합 및 밀봉층(18), 및 전기 전도성 베이스(14) 및 이미터(16) 접합 포스트이다. 상기 금속층은 바람직하게는 물리적 증착(PVD) 가공, 이를 테면 플라즈마 스퍼터링 또는 증발에 의해 증착되고, 하기의 세가지 방법: (1) 금속 증착간 섀도우 마스크(shadow mask)의 사용; (2) 레이저 융삭과 같은 셸로우 레이저 스크라이빙(scribing); 또는 (3) 인쇄된 식각 마스킹층(masking layer)에 의한 금속 화학적 식각; 중 하나에 의해 패터닝될 수 있다. 금속 재료의 선택사항으로는, 다운스트림 태양전지 공정[박막 유전층의 플라즈마 강화 화학적 증착(PECVD) 및 습식 텍스쳐링 공정을 수반하는 공정을 포함함]에서 상기 재료가 오염의 우려가 거의 또는 전혀 없기 때문에, 알루미늄 또는 알루미늄-실리콘 합금을 포함하나, 이에 제한되는 것은 아니다. 이 재료들은 n+ 및 p+ 실리콘 접촉 영역에 대하여 저-저항성 접촉부를 형성하고, 상대적으로 우수한 광반사기로 작용하여 전지 광 포획을 돕는다. 상기 전지 상에 증착된 금속층의 두께는 일반적으로 10㎛ 미만이고, 개시된 실시예에서는 0.1㎛ 내지 2㎛의 범위이다. 상기 다중선형 전극의 길이는 상기 태양전지 크기와 유사하며, 이는 125mm 내지 156mm일 수 있다. 인접한 베이스 및 이미터 전극간의 공간은, 예를 들어, 0.5mm 내지 2mm의 범위이다. 상기 전극 폭은 저항성 오믹(ohmic) 손실을 저감시키기 위해 더 넓은 것이 선호된다. 다만, 상기 백플레인 결합 정렬의 내성에 따라, 인접한 전극간의 간극은 약 10㎛ 내지 1mm일 수 있다. 부스바(busbar) 전기 쉐이딩(shading)에 기인한 표면 손실을 저감시키고 표면 전영역으로부터 전류를 완전히 추출하기 위해, 본 구조에 개시된 금속 레이아웃(layout)은 부스바가 없다(busbarless)(즉, 상기 전지 상에 부스바가 없음).
선택적으로, 상기 박막 금속층을 패터닝하는데 있어서, 박막 유전성 절연층(18)이 상기 금속 전극 상에 증착되어 상기 접속부를 형성하도록 상기 전극의 국부적인 개구부를 제외한 표면 전체 영역을 덮는다[전도성 베이스 포스트(14) 및 전도성 이미터 포스트(16)로 나타남]. 이러한 필수적이지 않은 선택적인 절연층은 페이스트(paste)상으로부터 스크린 인쇄되거나 액상으로부터 잉크젯 인쇄된 이후 건조 및 경화될 수 있다. 대안적으로, 상기 유전층은 레이저 융삭 또는 화학적 식각에 의하여 패터닝되는 PVD 실리콘 질화물 또는 산화물일 수 있다.
전도성 이미터 포스트(16) 및 전도성 베이스 포스트(14)는 이후 스크린 인쇄, 잉크젯 인쇄 또는 직접 액체/페이스트 분무에 의하여 전기 전도성 페이스트를 도포함으로써 형성된다. 상기 전기 전도성 플러그(여기서 포스트와 상호교환적으로 기재됨)의 도포는 이 플러그를 상기 전지 또는 상기 백플레인 다중선형 금속 핑거(finger)에 부가함으로써 수행될 수 있다. 예를 들어, 상기 선택적으로 증착된 유전층을 건조 및 경화한 다음, 상기 전도성 포스트는 하기의 방법들: (1)금속 플레이팅(plating); (2)전도성 금속 잉크젯 인쇄 또는 분무 이후 건조; 또는 (3)전도성 접착층의 스크린 인쇄; 중 하나에 의하여 제조될 수 있다. 상기 전도성 포스트의 높이는 상기 선택적인 유전층 두께보다 더 크므로, 상기 전도성 포스트는 이를 둘러싸는 상기 선택적인 유전층으로부터 돌출된다. 일례로, 상기 유전성 절연층이 100㎛인 경우, 상기 포스트 높이는 적어도 100㎛ 내지 200㎛의 범위인 것이 바람직하다.
도 1b는 상기 TFSS가 제거되기 전 다른 후면접촉 태양전지의 단면도이며, 여기서 베이스 및 이미터 박막 금속 부스바가 개입되어 기계적 또는 전기적 결함 때문에 전기 연속성이 깨지는 경우에 전류를 흐르게 하는 리던던시(redundancy)를 제공한다. 태양전지 기판(26)은 재사용 가능한 실리콘 템플릿(22) 상에 위치되는 다공질 실리콘층(24) 상에 위치된다. 나타난 것과 같이 전지의 상부는, 박막 이미터 도핑층(28), 베이스 금속 전극(30), 이미터 금속 전극(32), 유전성 접착층(38), 베이스 전도성 포스트(34), 이미터 전도성 포스트(36), 베이스 금속 부스바(42), 및 이미터 금속 부스바(40)를 포함하는, 상기 후면 금속 접촉 측부(태양광면의 반대 측부)이다.
상기 부스바는 상기 다중선형 전극과 동일한 재료로 제조될 수 있고, 상기 부스바 폭은 상기 이미터 및 베이스 금속 그리드와 크기가 유사할 수 있으므로 완전하고 균일한 전류 추출에 영향을 미치지 않는다. 전도성 접착 포스트는 부스바 상에 위치될 수 있고, 상기 부스바 상의 포스트 밀도는 바람직하게는 상기 금속 그리드 상에서보다 크다. 박막 금속 부스바에 의한 상기 태양전지의 구조 설계 및 가공 공정의 나머지 부분은 도 1a에 도시된 것과 유사하다.
도 2 내지 3d는 주요 가공 공정 단계 이후의 상기 태양전지를, 상기 백플레인을 강조하여 도시한 것이다. 도 2 내지 3d의 단면도에 도시된 구조적 특징은 다른 언급이 없는 한 일치한다. 도 2 내지 3d에서 상기 태양전지의 단면도는, 위를 향하는 전면(태양광면) 및 아래를 향하는 후면(비-태양광/접촉면)을 포함하는 전지를 나타낸다.
도 2는 백플레인(54)(백플레인 플레이트라고도 함)을 포함하는 백플레인의 단면도이고, 상기 백플레인은 후막 베이스 전극(52), 후막 이미터 전극(50), 이미터 부스바(60), 및 베이스 부스바(58)를 포함하는 후막 다중선형 금속층에 결합/장착된다. 상기 다중선형 금속 그리드는 도 1a 및 1b에 나타난 상기 다중선형 금속 패턴에 대하여 평행이고 유사한 크기를 가진다. 상기 백플레인은 바람직하게는 전기 절연성이고 기계적으로 단단하며, 상대적으로 낮은 열팽창계수(CTE), 저비용, 높은 화학 저항성, 및 고-열안정성(예를 들어, 최대 150℃ 내지 200℃)을 가진다. 상기 백플레인 재료의 예로는, 소다라임 유리 및 임의의 플라스틱을 포함하나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 백플레인의 두께는 결합되는 상기 실리콘 태양전지와 유사한 측면 규격에 의하여, 바람직하게는 약 0.25mm 내지 3mm 범위에 있고, 보다 바람직하게는 0.25mm 내지 0.75mm 범위에 있다.
상기 패터닝된 금속층은, 도 1c에 나타난 것과 같이 상기 백플레인 상에 있으므로, 사전 가공되고, 절연성 접착층에 부착된 다음, 라미네이트될 수 있다. 대안적으로, 도 2에서 층(56)으로 나타난 절연성 접착 및 밀봉층, 이를 테면 EVA, PV-그레이드(grade) 실리콘 또는 PV-그레이드 Z68은 상기 백플레인 표면 상에 적층될 수 있다. 이후 금속 호일, 이를 테면, 알루미늄 또는 알루미늄 합금 호일이 상기 접착층 상부에 적층될 수 있다. 상기 금속층의 두께는 바람직하게는 25㎛ 내지 150㎛의 범위일 수 있고, 이는 상기 태양전지 상에 증착된 상기 박막 금속층 보다 더 두껍고 따라서 더 전기 전도성이 우수하다. 이 구조를 이용하면, 전체적인 전기 전류 및 전압의 추출 및 전도가 상기 백플레인 상의 상대적으로 후막 패터닝된 금속층에 의하여 주로 이루어진다. 다음 단계에서, 상기 금속 호일이 하기의 방법들: (1)레이저 스크라이빙 및 뒤이은 금속 조각 제거를 위한 세척; (2)패터닝된 마스킹층으로 화학적 식각; (3)기계적 스탬핑(stamping) 또는 다이(die)-커팅; 중 하나에 의하여 패터닝되고 가장자리부가 다듬어진다(edge trimmed). 상기 금속 호일을 다중선형 패턴으로 패터닝한 이후, 상기 백플레인 어셈블리가 가열되어 상기 패터닝된 금속 그리드 사이의 공간을 채우고 밀봉하기 위해 상기 절연성 접착 및 밀봉층을 부분적으로 용융 및 재유동시킬 수 있다.
도 3a는, 도 1a의 상기 결합된 백플레인 및 상기 태양전지의 단면도이다. 도 1a 및 3a의 단면도에 도시된 구조적 특징은 다른 언급이 없는 한 일치한다. 도 1a의 부착된 템플릿을 가지는 상기 태양전지는 도 3a의 상기 백플레인의 상부에 먼저 위치되고, 상기 백플레인 상의 상기 금속 패턴은 상기 태양전지 상의 상기 금속 패턴에 대하여 평행하게 배열되고, 상기 백플레인 상에 공간적으로 변형된 전지 상호연결부를 생성하기 위해 결합된다. 상기 결합 또는 적층 공정은 진공 조건에서 수행되어 상기 백플레인 및 상기 태양전지 사이의 기포 포획을 제거할 수 있고, 완전 표면 접촉을 형성하기 위해 결합간 제어된 압력이 적용될 수 있다.
상기 초기 결합(또는 적층/밀봉) 이후, 상기 어셈블리는 핫플레이트 접촉 또는 적외선 램프에 의하여 다소 가열될 수 있다. 그 결과, 도 3a에서 베이스 접촉부(64) 및 이미터 접촉부(62)로 나타난 것과 같이, 상기 전도성 포스트는 상기 금속층에 대하여 완전한 전기 접촉부를 형성시킬 것이고, 상기 부분적으로 용융 및 재유동된 절연성 접착층은 상기 두 플레이트를 상호 결합시킬 것이다.
도 3b는, 전면(태양방향, 태양광면) 실리콘 표면 공정 이후 상기 태양전지의 단면도이다. 또한, 도 3b에 나타난 것과 같이, 상기 가공된 태양전지는 그것의 전면/태양광면 표면(상부 표면으로 나타남) 상에 금속 그리드를 가지지 않는다. 부착된 재사용 가능한 템플릿에 의하여 상기 백플레인 및 상기 태양전지를 결합 또는 적층한 이후, 상기 템플릿은 상기 결합된 어셈블리로부터 제거된다. 예를 들어, 그 전체 내용이 참조로 본 명세서에 통합된, 미국공개특허 제2010/0022074호, 제2010/0279494, 및 제2011/0021006호는 제거 방법 및 장치를 개시한다.
상기 템플릿으로부터 상기 라미네이트 및 결합된 백플레인/전지 어셈블리를 제거한 이후, 상기 박막 실리콘 기판 및 템플릿 경계면(interface)에서 다공질 실리콘 조각 및 준-단결정질 실리콘(quasi-monocrystalline silicon, QMS)층이 제어된 실리콘 식각 공정, 이를 테면, 희석된 KOH 또는 TMAH 또는 HF+HNO3 기반 실리콘 식각에 의하여 세정 및 제거된다. 상기 세정된 실리콘 템플릿은 다공질 실리콘층을 형성하고 에피택시얼 실리콘층을 성장시키는 다음 사이클에 다시 사용될 것이다.
상기 태양전지의 노출된 실리콘 태양광면은 이후 (1)효율적인 광 포획 및 광 반사 손실 저감을 위한 텍스쳐를 생성하는 표면 텍스쳐링 공정; (2)표면 부동태화 및 반사방지 코팅(ARC)을 거친다. 따라서, 도 3b에 나타난 것과 같이, 텍스쳐링되고 부동태화 및 ARC 코팅된 상기 태양전지 TFSS(72) 상의 실리콘 표면(70)을 생성한다.
도 3b에서 충전된 베이스 부스바(74) 및 충전된 이미터 부스바(76)에 의하여 나타난 것과 같이, 상기 상호연결 금속층이 상기 결합 및 적층된 어셈블리 내에 완전히 매립되고 밀봉되는 경우, 본 발명의 뒤이은 임의의 관련된 문제점 없이 수행될 수 있다. 다만, 후술하는 것과 같이, 상기 상호연결 금속층이 상기 결합 및 라미네이트된 어셈블리의 가장자리 위로 연장되는 경우, 상기 연장된 금속 표면은 절연성 보호 밀봉층으로 코팅되어 상기 금속 표면이 상기 실리콘 습식 식각 및 PECVD 부동태화/ARC 공정에 노출되는 것을 방지함으로써 잠재적인 금속 식각 및 상호 오염을 제거할 수 있다. 또한, 상기 실리콘 습식 식각 세척 및 텍스쳐링 공정은 단일 측 인-라인(in-line) 공정 기구 또는 배치 담금(batch immersion) 공정 기구에서 수행될 수 있다. 상기 표면 부동태화 및 ARC층 코팅은 실리콘 질화물 박막을 증착하여 상기 텍스쳐링된 실리콘 표면을 도포함으로써 PECVD 기구에서 증착될 수 있다.
도 3c는 상기 전지 후면으로부터 구멍(80)을 통해 백플레인을 형성한 이후의 상기 태양전지의 단면도이다. 바람직하게는, 이 구멍은, 전술한 것과 같이 상기 백플레인이 상기 밀봉재로 적층되기에 앞서 기계적 드릴링(drilling), 레이저 드릴링, 또는 다른 방법을 이용하여 상기 백플레인 재료에 형성된다. 상기 관통 구멍(through-hole) 개구부는 상호연결을 위해 상기 이미터 및 베이스 부스바를 상기 후면으로부터 노출시킨다. 일례로, 상기 관통 구멍은 하기의 방법들: (1)레이저 드릴링 이후 조각 제거; (2)기계적 드릴링, 이를 테면 초음파 유리 드릴링; (3)제어된 화학적 식각; 중 하나에 의하여 형성될 수 있다.
또한, 상기 백플레인 관통 구멍은 바람직하게는 테이퍼형(tapered)이다. 예를 들어, 상기 백플레인 표면 상의 상기 개구부는 1mm 내지 5mm의 범위일 수 있고, 상기 금속 경계면에서 상기 개구부는 외부 개구부보다 10% 내지 50% 더 작을 수 있다. 상기 구멍 영역에서 상기 금속 전극을 덮고, 접착 밀봉층(56)을 절연시키는 상기 밀봉재는, 연속적인 전지 검사 및 분류 및 모듈 패키징(packaging)를 위한 상기 관통구멍에서 상기 금속 전극을 노출시키기 위해, 전지 공정의 말미에 기계적 또는 열적 방법에 의하여 제거될 수 있다.
도 3d는 상기 백플레인 관통 구멍을 전도성 재료, 이를 테면 전도성 페이스트로 충전하고 이미터 전극(84) 및 베이스 전극(82)을 형성한 이후 완전히 가공된 태양전지의 단면도이다. 예를 들어, 하기의 방법들: (1)금속 입자를 함유하는 전도성 페이스트를 스크린 인쇄한 다음 건조시키는 공정; (2)금속 입자를 함유하는 액상을 상기 구멍 속으로 위치/장소가 제어되는 분무 또는 잉크젯 인쇄한 다음 건조시키는 공정; 또는 (3)금속 플러그를 전기도금하여 상기 구멍을 충전하는 공정; 중 하나가 상기 관통구멍을 충전하는데 이용될 수 있다. 이제 상기 태양전지는 이후의 추가적인 공정, 이를 테면 추가적인 태양전지 및 모듈 어셈블리로 상호연결부를 형성하기 위한 준비가 되었다.
도 4 내지 5b는 주요 가공 공정 단계 이후의 상기 태양전지를, 상기 백플레인을 강조하여 도시한 것이다. 도 4 내지 5B의 단면도들에 묘사된 구조적 특징들은 달리 표시하지 않는 한 일치한다. 도 4 내지 5B에서 상기 태양전지의 단면도들은 위쪽을 향하는 전면 (태양광면)과 아래쪽을 향하는 후면 (비-태양광/접촉면)을 가진 전지를 보여주고 있다.
도 4-5B는 또 다른 TFSS-기반 후면-접촉 태양전지에 대한 개략도들을 설명하고 있다. 도 4는 후막 베이스 전극들(92), 후막 이미터 전극들(90), 연장형 이미터 부스바(100), 연장형 베이스 부스바(98), 및 선택사항으로서 절연 접착제 및 밀봉재 층(96)을 포함하는 다중선형 후막 금속층에 결합/장착된, 백플레인 플레이트라고도 부르는, 백플레인(94)을 포함하는 백 플레이트 부위를 도시하고 있다. 도 4에서의 태양전지 구조는 백플레인 상의 금속 부스바들이 상기 전지와 백플레인 경계부 위로 뻗어 있어서, 상기 백플레인 후면 쪽으로 휘어지고 상기 백플레인 가장자리부들을 감싸고, 후면 전지 베이스 및 이미터 접촉 전극들을 광전 모듈 어셈블리 내 상기 전지와 전지-상호 전기 상호연결에 제공하는 것을 제외하면 도 2에서의 구조와 유사하다. 본 실시예에서, 상기 백플레인 상의 금속 전극들은 상기 태양전지 상의 금속 전극들에 평행하게 배열된다.
도 4는 결합된 다중선형 금속층을 갖는 또 다른 백플레인 실시예 부분에 대해 도시하고 있다. 이때, 상기 백플레인 상의 다중선형 금속 그리드들은 상기 태양전지 및 상기 이미터 상의 금속 그리드들과 평행하고, 베이스 금속 부스바들은 상기 백플레인 가장자리들에 뻗어나와 있다. 상기 금속 부스바들이 가장자리에 연장되는 길이는 바람직하게는 상기 백플레인 가장자리를 덮고, 상기 가장자리부 측벽을 따라서든지 상기 백플레인 후면 상에 접촉 공간을 제공할 만큼 충분히 길다. 상기 부스바들이 가장자리에 연장된 부분은 약 2mm 내지 15mm 범위일 수도 있다. 그리고 상기 백플레인 상 금속층의 두께는 25 ㎛ 내지 150 ㎛ 범위로, 상기 태양전지 상 금속 전극 층의 두께보다 두껍다. 예를 들면, 상기 백플레인 상의 패턴 금속층은 하기 방법들 중 하나에 의해 형성될 수도 있다: (i) 패턴 금속층을 사전 가공하고 절연 접착제 층에 부착하고 나서, 상기 백플레인 위에서와 같이 라미네이트할 수도 있다; (ii) EVA, PV 실리콘 또는 Z68 등, 절연 접착제 & 밀봉재 층을 먼저 상기 백플레인 표면에 적용하고 라미네이트할 수도 있다. 그리고 나서, Al 또는 Al 합금 호일 등의 금속 호일을 상기 절연 접착제 층 상단에 라미네이트시킬 수도 있다. 다음 단계에서, 하기 방법들 중 하나에 의해서 상기 금속 호일에 패턴을 형성한다: (i) 금속 조각을 제거하기 위한 레이저 스크라이빙(scribing) 후 세정; (ii) 패턴을 가진 마스킹 층으로 화학 식각; (iii) 기계 스탬핑(stamping) 또는 다이-커팅(die-cutting). 상기 패터닝 공정 중에, 상기 백플레인 가장자리부와 동일 높이에 장착되는 가장자리 스페이서들로 상기 금속 부스바들의 연장된 가장자리부들과 노출된 부위들을 일시적으로 지지시킬 수도 있다. 이에 따라, 상기 연장된 부스바들은 상기 금속 패터닝 공정 중에 돌출하고 있지 않다. 상기 금속 전극들의 인접한 손가락 크기 공간은 0.5mm 내지 4mm 범위로, 상기 태양전지 상 박막 금속 전극들에 비교할 만하다. 패터닝 및 상기 금속층에 결합 후, 상기 패터닝된 금속 그리드들 사이 공간을 전체 또는 부분적으로 채우기 위해서, 상기 백플레인 어셈블리를 가열해서 녹이고 상기 절연 접착제 층을 재유동(reflow)시킬 수도 있다.
도 5a는 도 1a에서의 태양전지와 결합시킨 도 4에서의 백플레인 부분을 도시하고 있다. 도 3a에서 나타나고 설명된 것처럼, 접착된 템플릿을 갖는 태양전지를 먼저 상기 백플레인 상단에 놓고, 상기 백플레인 상 금속 패턴을 상기 태양전지 상 금속 패턴에 평행하게 배치한다. 라미네이션 결합은 진공 환경에서 실시해서, 상기 백플레인과 상기 태양전지 사이에 기포가 모이는 것을 제거하는 것이 바람직하며, 완전한 표면 접촉을 위해서 상기 결합 중에 제어 환경을 채택할 수도 있다. 초기 결합 후에, 선택적으로 상기 어셈블리를 핫플레이트 접촉이나 적외선 램프에 의해 약간 가열한다. 그 결과, 도 5a에서 베이스 접촉(104) 및 이미터 접촉(102) 처럼, 상기 전도성 포스트들이 상기 금속층들에 대해 완전한 전기 접촉을 만들 것이고, 상기 용융 및 재-유동된 접착제 유전 층이 상기 두 개의 플레이트를 함께 결합시킬 것이다.
도 5b는 상기 백플레인 가장자리들 주위를 덮은 휘어진 이미터 부스바(116)와 휘어진 베이스 부스바(114)를 갖는 가공된 태양전지 부분을 도시하고 있다. 도 5b에서 보여지는 것처럼, 상기 가공된 태양전지는 그것의 전면 표면에 금속 그리드가 없다. 상기 연장된 부스바들은 휘어진 것으로 보이고, 상기 백플레인 가장자리들 주위를 덮는다. 공정-호환 가능 절연 접착제들, 예컨대 적정 밀봉재 (예, EVA 또는 Z68)를 상기 리본 가장자리들을 상기 백플레인 가장자리 표면들에 결합하고, 또한 상기 금속 리본들의 노출된 표면들을 덮어서, 이어지는 습식 및 플라즈마 공정 단계들을 가능하게 하는 데 사용한다. 상기 가장자리-씰링 절연 접착제들은 상기 밀봉재 원료 중 은을 분무(dispensing), 침지, 또는 분사, 또는 직접 사용 및 라미네이션에 의해 적용될 수도 있다. 상기 가장자리-씰링 절연 접착제들에는 EVA, Z68, 또는 PV 실리콘이 해당된다. 잠재적으로 금속 교차 오염을 없애기 위해서, 상기 금속 표면이 상기 실리콘 습식 식각 및 PECVD 공정에서 노출을 막는 데에 밀봉재 접착제를 갖는 노출된 금속 표면들의 보호가 사용된다.
다음 단계에서, 상기 접착된 재사용 가능한 템플릿을 TFSS(122)로부터 제거한다. 상기 전지/백플레인 어셈블리를 상기 호스트 템플릿에서 제거한 후, 제어된 실리콘 식각 공정, 이를 테면, 희석된 KOH 또는 TMAH 또는 HF+HNO3 기반 실리콘 식각에 의하여 상기 TFSS와 템플릿 경계면에서 다공성 실리콘 조각 및 준-단결정질 실리콘(QMS) 층을 세정 및 제거한다. 상기 세정된 실리콘 템플릿은 다공질 실리콘층을 형성하고 에피택시얼 실리콘층을 성장시키는 다음 사이클에서 다시 사용할 것이다.
상기 태양전지의 노출된 실리콘 표면은 이후 (1) 효율적인 광 포획 및 광 반사 손실 저감을 위한 텍스쳐를 생성하는 표면 텍스쳐링 공정; (2) 박막 표면 부동태화 및 반사방지 코팅(ARC)을 거친다. 상기 실리콘 습식 식각 세정 및 텍스쳐링 공정은 인-라인 공정 툴 또는 배치식 담금 공정 툴에서 단일 측에서 수행될 수도 있다. 상기 표면 부동태화 및 ARC 층은 실리콘 질화물 박막층을 침전시켜서 PECVD 공정에서 침전시켜서, 도 5b에 나타난 것과 같이, 텍스쳐링되고 부동태화되고 ARC 코팅된, 상기 태양전지 TFSS(112) 상의 실리콘 표면(110)을 생성한다. 상기 태양전지는 이제 추가 공정, 예컨대 추가적인 태양전지 및 모듈 어셈블리를 갖는 상호연결부 형성을 위한 준비가 된다.
도 6a 내지 6e는, 주요 가공 공정 단계 이후의 상기 태양전지를, 상기 백플레인을 강조하여 도시한 것이다. 상기 도 6a 내지 6e의 단면도에 도시된 구조적 특징은 다른 언급이 없는 한 일치한다. 도 6a 내지 6e에서 상기 태양전지의 단면도는, 위를 향하는 전면(태양광면) 및 아래를 향하는 후면(비-태양광/접촉면)을 포함하는 전지를 나타낸다.
도 6a-e는 패터닝된 박막 금속 전극들 (예, 스퍼터링되거나 증발된 알루미늄)을 갖는 TFSS 기반 후면접촉 태양전지, 패터닝된 후막 금속 전극들을 갖는 백플레인, 및 백플레인 지지부들을 갖는 완전히 가공된 후면접촉 태양전지를 만들기 위한 그들의 연결/결합 공정의 도시이다. 이 실시예에서, 상기 백플레인 상의 금속 전극들은 상기 태양전지 상의 금속 전극들에 직교하게 배열된다. 더욱이, 상기 백플레인 상 및 상기 태양전지 상 금속 전극들은 결합된 구조와 상기 절연 밀봉재 안에 완전히 매립되고 밀봉되어서, 상기 포스트-템플릿-제거 공정 단계들, 예컨대 표면 텍스쳐링, 및 부동태화 & 반사방지 코팅이 완결될 수 있게 한다.
도 6a는 선택사항으로 절연 및 밀봉재 층(124)에 의해서 후막 베이스 전극(122) 후막 이미터 전극(120)에 결합/장착된, 백플레인 플레이트라고도 불리는, 백플레인(126)을 포함하는 백 플레인 부위를 도시하고 있다.
상기 백플레인 상의 다중선형 금속 그리드들, 후막 베이스 전극(122) 후막 이미터 전극(120)은 도 1a에 보이는 태양전지 상의 다중선형 금속 패턴에 직교하고 그 보다 넓고, 도 6a에 보이는 백플레인에 결합될 것이라는 점을 주의한다. 이에 따라, 상기 전극들의 직교 겹침으로 인해, 도 1a에서의 태양전지 상의 유전 절연층은 잠재적인 역 전극 단락을 없애기 위해 강건해야 한다. 상기 유전층은 겨우 10um 두께의 라미네이트, 스크린-인쇄, 또는 잉크젯-인쇄된 절연층이 바람직하다. 결과적으로, 상기 전도성 포스트들 또한 도 1a에서 설명된 것보다 커서, 상기 전도성 포스트들이 상기 절연 표면으로부터 연장되어서 상기 백플레인에 대한 효과적인 전도성 결합을 가능하게 할 필요가 있다.
도 6a의 백플레인(126)은 전기적으로 절연성이고 기계적으로 강한 재료로 만들어지는 것이 바람직하다. 또한 상대적으로 낮은 열팽창계수(CTE), 저비용, 높은 화학 저항성, 및 높은 열 안정성을 갖는 것이 바람직하다. 백플레인 재료의 예시에는 소다라임 유리 및 임의의 플라스틱을 포함하나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 백플레인의 두께는 결합되는 상기 실리콘 태양전지와 유사한 측면 규격에 의하여, 바람직하게는 약 0.25mm 내지 3mm 범위에 있고, 보다 바람직하게는 0.25mm 내지 0.75mm 범위에 있다. 상기 백플레인 상 금속층의 두께는 바람직하게는 25㎛ 내지 150㎛의 범위일 수 있고, 이는 상기 태양전지 상 금속 전극층 보다 더 두껍다. 상기 백플레인 상의 패터닝된 금속층은 하기 방법들 중 하나로 형성될 수 있다: (1) 패터닝된 금속층을 선-가공하고 절연 접착제 및 밀봉재 층에 부착하고 나서, 상기 백플레인 위에서와 같이 라미네이트할 수도 있다. (2) EVA, PV 실리콘 또는 Z68 등, 절연 접착제 층을 먼저 상기 백플레인 표면에 라미네이트하고 나서, Al 또는 Al 합금 호일 등의 금속 호일을 상기 접착제 층 상단에 라미네이트시킬 수도 있다. 다음 단계에서, 하기 방법들 중 하나에 의해서 상기 금속 호일에 패터닝하고 가장자리를 다듬을 수 있다: (i) 금속 조각을 제거하기 위한 레이저 스크라이빙(scribing) 후 세정; (ii) 패터닝된 마스킹 층으로 화학 식각; (iii) 기계 스탬핑(stamping) 또는 다이-커팅(die-cutting). (3) 상기 금속 그리드들은 평행 배열된 박막 금속 리본들을 상기 절연 접착제 층 위에 직접 라미네이트시켜서 형성시킬 수도 있다. 상기 박막 금속 리본들의 예로는 알루미늄(Al) 또는 Al 합금 호일에서 잘라낸 알루미늄 또는 알루미늄 합금 리본들, 또는 주석(Sn)-도금 구리(Cu) 리본 (또는 주석-코팅 Al 또는 주석-코팅 Al 합금)이 포함된다. 상기 금속 전극들, 후막 베이스 전극(122) 후막 이미터 전극(120)의 너비는1mm 내지 10mm 범위로, 상기 태양전지 상 박막 금속 전극들보다 넓다. 패터닝 및 상기 금속층에 결합 후, 상기 패터닝된 금속 그리드들 사이 공간을 전체 또는 부분적으로 채우기 위해서, 상기 백플레인 어셈블리를 가열해서 부분적으로 녹이고 상기 접착제 층을 재유동(reflow)시킬 수도 있다.
도 6b는 도 6a의 결합된 백플레인 및 도 1a의 태양전지 부위를 도시하고 있으며, 상기 설명된 결합 과정은 상기 백플레인 상 금속 전극들이 상기 태양전지 상 금속 전극들에 직교 배열한다는 점을 제외하고 도 3a에서와 유사하다. 접착된 템플릿을 갖는 태양전지를 먼저 상기 백플레인 상단에 놓고, 상기 백플레인 상 금속 패턴을 상기 태양전지 상 금속 패턴에 직교하게 배치한다. 다시 말해, 상기 태양전지 상 다중선형 전극들, 베이스 금속 전극(10) 및 이미터 금속 전극(12)을 상기 백플레인 상 다중선형 전극들, 후막 베이스 전극(122) 후막 이미터 전극(120)에 직교하게 배치하고, 결합해서 상기 백플레인 상의 공간적으로 변형된 전지 상호연결부를 형성시킨다.
상기 결합은 진공 환경에서 실시해서, 상기 백플레인과 상기 태양전지 사이에 기포가 모이는 것을 제거하는 것이 바람직하며, 완전한 표면 접촉을 위해서 상기 결합 중에 제어 환경을 채택할 수도 있다. 초기 결합 후에, 상기 어셈블리를 핫플레이트 접촉이나 적외선 램프 열 방사에 의해 약간 가열할 수도 있다. 결과적으로, 상기 전도성 포스트들이 상기 금속층들에 대해 완전한 전기 접촉을 만들 것이고, 상기 녹고 재-유동된 접착제 유전 층이 상기 두 개의 플레이트를 함께 결합시킬 것이다. 상기 두 개의 금속층의 직교 배열 결합으로 인해 상기 태양전지 상의 상대적으로 작은 금속 그리드 피치로부터 상기 백플레인 상의 큰 금속 피치로 공간 변형을 제공한다. 이에 따라, 태양전지들 간의 상호연결 뿐만 아니라 백플레인-전지 배열이 상대적으로 큰 내성의 비정밀 배열로 보다 편리하게 일어날 수도 있다.
도 6c는 그것의 태양광면 실리콘 표면을 가공한 후 태양전지 부위를 도시하고 있으며, 따라서 설명되는 공정은 도 3b의 것과 유사하다. 부착된 재사용 가능한 템플릿에 의하여 상기 백플레인 및 상기 태양전지를 결합한 이후, 상기 템플릿은 상기 결합된 백플레인/전지 어셈블리로부터 제거된다. 제거 이후, 상기 TFSS 및 템플릿 경계면(interface)에서 다공질 실리콘 조각 및 준-단결정질 실리콘(quasi-monocrystalline silicon, QMS)층이 제어된 실리콘 식각 공정, 이를 테면, 희석된 KOH 또는 TMAH 또는 HF+HNO3 기반 실리콘 식각에 의하여 세정 및 제거된다. 상기 세정된 실리콘 템플릿은 다공질 실리콘층을 형성하고 에피택시얼 실리콘층을 성장시키는 다음 사이클에 다시 사용될 수도 있다. 상기 태양전지의 노출된 실리콘 표면은 이후 (1) 효율적인 광 포획 및 광 반사 손실 저감을 위한 텍스쳐를 생성하는 표면 텍스쳐링 공정 및 (2) 박막 표면 부동태화 및 반사방지 코팅(ARC)을 거친다- 텍스쳐링되고 부동태화되고 ARC 코팅된 실리콘 표면(128)으로 나타난 것과 같다. 이 경우에 상기 상호연결 금속층이 상기 결합된 어셈블리 내에 완전히 매립되고 밀봉되고, 상기 후속 공정 단계들이 교차 오염 걱정없이 수행될 수도 있다. 상기 실리콘 습식 식각 세정 및 텍스쳐링 공정은 단일 측 인-라인 공정 툴 또는 배치식 담금 공정 툴에서 수행될 수도 있다. 상기 표면 부동태화 및 ARC 층 코팅은 실리콘 질화물 박막층을 침전시켜서 PECVD 툴에서 수행해서, 상기 텍스쳐링된 실리콘 표면을 덮을 수도 있다. 상기 상호연결 금속층이 상기 결합된 어셈블리의 가장자리들 위로 연장되는 경우, 상기 연장된 금속 표면들은 절연 접착제 층으로 보호되어 상기 금속 표면들이 상기 실리콘 습식 식각 및 PECVD 공정에 노출되는 것을 방지함으로써 잠재적인 금속 교차 오염 문제를 제거할 필요가 있다.
도 6d는 상기 전지 후면으로부터 구멍들, 베이스 관통 구멍들(132) 및 이미터 관통 구멍들(130),을 통해 백플레인을 형성한 이후의 상기 태양전지의 부위를 도시하고 있다. 상기 관통 구멍들은 하기 방법들 중 하나에 의해 만들어 질 수도 있다: (1) 조각 제거 후 레이저 드릴링; (2) 기계적 드릴링, 예컨대 초음속 유리 드릴링; (3) 제어된 화학 식각. 이와 달리, 상기 관통-구멍들은 적층 결합 및 라미네이션 전에 선-드릴링 될 수도 있다. 또한, 상기 백플레인 관통구멍들은 바람직하게는 테이퍼형(tapered)이다. 예를 들어, 상기 백플레인 표면 상의 개구부는 1mm 내지 5mm의 범위일 수 있고, 상기 금속 경계면에서 상기 개구부는 외부 개구부보다 10% 내지 50% 더 작을 수 있다.
도 6e는 상기 백플레인 관통 구멍을 전도성 재료, 이를 테면 전기 전도성 페이스트로 충전한 후, 완전히 가공된 태양전지 상의 베이스 전극(134) 및 이미터 전극(136)을 도시하고 있다. 하기의 방법들 중 하나가 상기 관통 구멍을 충전하는데 이용될 수 있다: (1) 금속 입자를 함유하는 전도성 페이스트를 스크린 인쇄한 다음 건조시키는 공정; (2) 금속 입자를 함유하는 액상을 상기 구멍들 속으로 위치/장소 제어 분무한 다음 건조시키는 공정; (3) 금속 플러그를 전기도금하여 상기 구멍들을 충전하는 공정. 상기 태양전지 간의 상호연결부들 및 태양전지의 모듈 어셈블리는 하기 단락들에서 설명될 것이다.
도 7a 내지 7c는, 주요 가공 공정 단계 이후의 상기 태양전지 및 또 다른 백플레인을 도시한 것이다. 상기 도 7a 내지 7c 의 단면도에 도시된 구조적 특징은 다른 언급이 없는 한 일치한다.
도 7c에서의 태양전지 구조는 상기 백플레인 상 금속 전극들이 연장되고, 휘고, 상기 백플레인 가장자리들 주위를 감싸서 광전 모듈 어셈블리 내에 베이스 및 이미터 전기 접촉과, 전지간 전기 상호연결을 제공한다는 점을 제외하고, 도 6에서 설명한 태양전지와 유사하다. 상기 백플레인 상 금속 전극들은 상기 전지 상호연결부들의 공간 변형을 위해서 상기 태양전지 상 금속 전극들에 직교 배열되어 있다.
도 6a에서 설명한 또 다른 백플레인 디자인에서처럼, 도 7a는 선택사항으로 절연 접착제(142)에 의해 가장자리 연장부(144)을 갖는 다중선형 금속 리본들에 결합된 백플레인(140)(상기 백플레인 플레이트로도 불림)을 포함하는 백플레인 부위를 도시하고 있다. 상기 백플레인 상 다중선형 금속 그리드들은 도 1a에서 나타낸 태양전지 상 다중선형 금속 패턴에 직교하고, 도 7b에서 7a의 백플레인에 결합된 것으로 나타나고 있다.
상기 백플레인 상 금속층의 두께는 25㎛ 내지 150㎛의 범위이고, 이는 상기 태양전지 상 금속 전극층 보다 훨씬 두껍다. 상기 가장자리-연장 길이는 바람직하게는 상기 백플레인 가장자리를 덮고, 상기 가장자리부 측벽을 따라서든지 상기 백플레인 후면 상에 접촉 공간을 제공할 만큼 충분히 길다. 상기 금속 리본의 가장자리-연장 길이는 바람직하게는 2mm 내지 15mm 범위이다. 상기 백플레인 상의 패터닝된 금속층은 하기 방법들 중 하나에 의해 형성될 수도 있다: (1) 패터닝된 금속층을 선-가공하고 절연 접착제 층에 부착하고 나서, 상기 백플레인 위에서와 같이 라미네이트할 수도 있다. (2) EVA, PV 실리콘 또는 Z68 등, 절연 접착제 층을 먼저 상기 백플레인 표면에 라미네이트할 수도 있다. 그리고 나서, Al 또는 Al 합금 호일 등의 금속 호일을 상기 절연 접착제 층 상단에 라미네이트시킬 수도 있다. 다음 단계에서, 하기 방법들 중 하나에 의해서 상기 금속 호일을 패터닝하고 가장자리를 다듬는다: (i) 금속 조각을 제거하기 위한 레이저 스크라이빙(scribing) 후 세정; (ii) 패터닝된 마스킹 층으로 화학 식각; (iii) 기계 스탬핑(stamping) 또는 다이-커팅(die-cutting). 상기 패터닝 공정 중에, 상기 백플레인 가장자리부와 동일 높이에 장착되는 가장자리 스페이서들로 상기 금속층의 연장된 가장자리부들을 일시적으로 지지시킬 수도 있다. (3) 상기 금속 그리드들은 평행 배열된 박막 금속 리본들을 상기 절연 접착제 층 위에 직접 라미네이트시켜서 형성시킬 수도 있다. 상기 박막 금속 리본들의 예로는 알루미늄(Al) 또는 Al 합금 호일에서 잘라낸 알루미늄 또는 알루미늄 합금 리본들, 또는 주석(Sn)-도금 구리(Cu) 리본 (또는 주석-코팅 Al 또는 주석-코팅 Al 합금)이 포함된다. 상기 금속 전극들의 너비는1mm 내지 10mm 범위로, 상기 태양전지 상 박막 금속 전극들보다 넓다. 패터닝 및 상기 금속층에 결합 후, 상기 패터닝된 금속 그리드들 사이 공간을 전체 또는 부분적으로 채우기 위해서, 상기 백플레인 어셈블리를 가열해서 녹이고 상기 절연 접착제 층을 재유동(reflow)시킬 수도 있다.
도 7b는 도 7a의 결합된 백플레인 및 도 1a의 태양전지 부위를 도시하고 있다. 접착된 템플릿을 갖는 태양전지를 상기 백플레인 상단에 놓고, 상기 백플레인 상 금속 패턴을 상기 태양전지 상 금속 패턴에 직교하게 배치한다. 상기 백플레인 라미네이션 및 결합은 진공 환경에서 실시해서, 상기 백플레인과 상기 태양전지 사이에 기포가 모이는 것을 제거하는 것이 바람직하며, 완전한 표면 접촉을 위해서 상기 결합 중에 제어 환경을 채택할 수도 있다. 초기 결합 후에, 상기 어셈블리를 핫플레이트 접촉이나 적외선 램프에 의해 약간 가열할 수도 있다. 결과적으로, 상기 전도성 포스트들이 상기 금속층들에 대해 완전한 전기 접촉을 만들 것이고, 상기 녹고 재-유동된 접착제 유전 층이 베이스 전극(146) 및 이미터 전극(148)을 형성하면서 상기 두 개의 플레이트를 함께 결합시킬 것이다. 상기 두 개의 금속층의 직교 배열 결합으로 인해 상기 태양전지 상의 상대적으로 작은 금속 그리드 피치로부터 상기 백플레인 상의 더 큰 금속 피치로 공간 변형을 제공한다. 이에 따라, 상대적으로 큰 내성의 비정밀 배열로 보다 편리하게 모듈 어셈블리 내 태양전지들의 상호연결 뿐만 아니라 백플레인-전지 배열 및 접착이 일어날 수도 있다.
도 7c는 상기 백플레인 가장자리들 주위로 휘고 감싸는 휘어진 이미터 전극(150)와 휘어진 베이스 전극(152)를 갖는 가공된 태양전지 부분을 도시하고 있다. 공정-호환 가능 보호 밀봉 접착제들을 상기 리본 가장자리들을 상기 백플레인 가장자리 표면들에 결합하고, 또한 상기 금속 리본들의 노출된 표면들을 덮어서, 이어지는 습식 및 플라즈마 공정 단계들을 가능하게 하는 데 사용한다. 가장자리-씰링 절연 접착제들은 상기 밀봉재 원료 중 은을 분배(dispensing), 침지, 또는 분사, 또는 직접 사용 및 라미네이션에 의해 적용될 수도 있다. 가장자리-씰링 절연 접착제들의 예에는 EVA, Z68, 또는 PV 실리콘 밀봉재들이 해당된다. 잠재적으로 금속 교차 오염을 없애기 위해서, 상기 금속 표면이 상기 실리콘 습식 식각 및 PECVD 공정에 노출되는 것을 막는 데에 노출된 금속 표면으로 된 보호성 덮개가 사용된다.
다음 단계에서, 상기 부착된 재사용 가능한 템플릿이 제거된다. 상기 템플릿 제거 후, 상기 TFSS 및 템플릿 경계면(interface)에서 다공질 실리콘 조각 및 준-단결정질 실리콘(quasi-monocrystalline silicon, QMS)층이 제어된 실리콘 식각 공정, 이를 테면, 희석된 KOH 또는 TMAH 또는 HF+HNO3 기반 실리콘 식각에 의하여 세정 및 제거된다. 상기 세정된 실리콘 템플릿은 다공질 실리콘층을 형성하고 에피택시얼 실리콘층을 성장시키는 다음 사이클에 다시 사용될 수도 있다. 상기 태양전지의 노출된 실리콘 표면은 이후 (1) 효율적인 광 포획을 위한 텍스쳐를 생성하는 표면 텍스쳐링 공정; (2) 박막 표면 부동태화 및 반사방지 코팅(ARC)을 거쳐서, 텍스쳐링되고 부동태화되고 ARC 코팅된 실리콘 표면(152)을 갖는 태양전지 전면 (태양광면)을 형성한다. 실리콘 습식 식각 세정 및 텍스쳐링 공정이 단일 측 인-라인 공정 툴 또는 배치식 담금 공정 툴에서 수행될 수도 있고, 상기 표면 부동태화 및 ARC 층 코팅은 PECVD 툴에서 실리콘 질화물 박막층을 침전시켜서 수행해서, 상기 텍스쳐링된 실리콘 표면을 덮을 수도 있다. 도 7c에서 보여지듯이, 상기 가공된 태양전지는 그것의 태양광면인 상단면에 금속 그리드가 없다.
도 8a 내지 8c는, 주요 가공 공정 단계 이후의 상기 태양전지 및 또 다른 백플레인을 도시한 것이다. 상기 도 8a 내지 8c 의 단면도에 도시된 구조적 특징은 다른 언급이 없는 한 일치한다.
도 8a-8c는 또 다른 TFSS 기반 후면접촉 태양전지의 개략도들이다. 도 8a는 선택사항인 절연 접착제(164)에 의해 금속 가장자리 크로스바(162)(후속 가공 단계에서 다듬어질 것임)를 갖는 가장자리 연장부(160)를 갖는 패터닝된 금속 호일에 결합된 백플레인(168)(백플레인 플레이트로도 불림)을 포함하는 백플레인 부위를 도시하고 있다. 도 8에서 설명된 태양전지 구조 및 공정은 상기 백플레인 가장자리 상의 연장된 금속 그리드들이 일시적으로 크로스바들에 연결된다는 점을 제외하고 도 7에서의 구조와 공정과 유사하다. 상기 백플레인 상의 금속 전극들은 상기 태양전지 상 금속 전극들에 직교 배열되고 결합되어 있다.
도 8b는 도 8a에서 결합된 백플레인과 도 1a에서 태양전지의 부위를 도시하고 있다. 도 8c는 상기 백플레인 가장자리 주위로 휘어지고 감싼 휘어진 이미터 전극(170)과 휘어진 베이스 전극(172)을 갖는 가공된 태양전지 부위를 도시하고 있다. 상기 태양전지의 전면은 가공되어서, 텍스쳐링되고 부동태화되고 ARC 코팅된 실리콘 표면(174)를 형성하였다. 도 8a에서 금속 가장자리 크로스-바(162)로 나타난, 금속층의 금속 가장자리 크로스-바들은 상기 금속층 라미네이션, 패터닝 및 가장자리-휨 공정들 중에 상기 금속 전극 가장자리들을 지지하는 데에 사용된다. 상기 전지의 장착 또는 가장자리 휨 후에 상기 금속 가장자리 크로스-바들은 다듬어서 없어지거나 스크라이빙되어서, 인접한 전극들을 분리시킬 수도 있으며, 상기 전지의 가공은 도 7c에서 설명한 것과 유사할 수도 있다.
도 9a 내지 9e는 도 7a에 나타난 백플레인과 도 1a에 나타난 태양전지의 결합을 도시하고 있으며, 이 경우 상기 백플레인 상 금속 전극들은 도 7a 내지 7c의 각도의 또 다른 각도로부터의 주요 공정 단계들 후에 상기 태양전지 상 금속 전극들에 대해 직교 배열되고 결합된다. 도 9a 내지 9e 의 단면도에 도시된 구조적 특징은 다른 언급이 없는 한 일치한다.
도 9a는 도 7a의 결합된 백플레인 및 도 1a의 태양전지 어셈블리의 단면도를 도시하고 있다. 접착된 템플릿을 갖는 태양전지를 먼저 상기 백플레인 상단에 놓고, 상기 백플레인 상 금속 패턴을 상기 태양전지 상 금속 패턴에 직교하게 배치한다. 상기 결합은 진공 환경에서 실시해서, 상기 백플레인과 상기 태양전지 사이에 기포가 모이는 것을 제거하는 것이 바람직하며, 완전한 표면 접촉을 위해서 상기 결합 중에 제어 압력을 채택할 수도 있다. 초기 결합 후에, 상기 어셈블리를 핫플레이트 접촉이나 적외선 램프에 의해 약간 가열할 수도 있다. 결과적으로, 상기 전도성 포스트들이 상기 금속층들에 대해 완전한 전기 접촉, 이를 테면 이미터 접촉(180) 및 베이스 접촉(182),을 만들 것이고, 상기 용융 및 재-유동된 접착제 유전 층이 상기 두 플레이트를 함께 결합시킬 것이다. 상기 두 개의 금속층의 직교 배열 결합으로 인해 상기 태양전지 상의 상대적으로 작은 금속 그리드 피치로부터 상기 백플레인 상의 더 큰 금속 피치로 공간 변형을 제공한다. 이에 따라, 상대적으로 큰 내성의 비정밀 배열로 보다 편리하게 PV 모듈 어셈블리 내 태양전지들의 상호연결 뿐만 아니라 백플레인 상단 전지 배열 및 접착이 일어날 수도 있다.
상기 금속 리본들의 가장자리-연장 길이는 바람직하게는 상기 백플레인 가장자리 주위를 덮고, 상기 가장자리부 측벽을 따라서든지 상기 백플레인 후면 상에 접촉 공간을 제공할 만큼 충분히 길다. 상기 금속 리본의 가장자리-연장 길이는 바람직하게는 2mm 내지 15mm 범위이다. 이후 상기 돌출된 금속 리본들은 휘어지고 상기 백플레인 가장자리부들 주위로 감싸지는데, 도 7c에서 휘어진 이미터 전극(150) 또는 휘어진 베이스 전극(152)일 수 있는 금속 랩(186)으로 보여지고 있다.
공정-호환 가능 절연 접착제들을 상기 리본 가장자리들을 상기 백플레인 가장자리 표면들에 결합하고, 또한 상기 금속 리본들의 노출된 표면들을 덮어서, 이어지는 습식 및 플라즈마 공정 단계들을 가능하게 하는 데 사용하는데, 도 9a에서 184로 나타난다. 가장자리-씰링 절연 접착제들은 밀봉재 원료 중 은을 분배(dispensing), 침지, 또는 분사 코팅, 또는 적용 및 라미네이션에 의해 적용될 수도 있다. 가장자리-씰링 절연 접착제들의 예에는 EVA, Z68, 또는 PV 실리콘 밀봉재들이 해당된다. 잠재적인 금속 교차 오염을 없애기 위해서, 상기 금속 표면이 상기 실리콘 습식 식각 및 PECVD 공정에 노출되는 것을 막는 데에 노출된 금속 표면으로 된 보호성 덮개가 사용된다.
도 9b는 재사용 가능한 템플릿 제거 및 최상단면 처리에 의한 제거 이후 백플레인이 지지된 태양전지에 대한 단면도이다. 상기 템플릿 제거 이후, 상기 TFSS 및 템플릿 경계면(interface)에서 다공질 실리콘 조각 및 준-단결정질 실리콘(quasi-monocrystalline silicon, QMS)층이 제어된 실리콘 식각 공정, 이를 테면, 희석된 KOH 또는 TMAH 또는 HF+HNO3 기반 실리콘 식각에 의하여 세정 및 제거된다. 상기 세정된 실리콘 템플릿은 다공질 실리콘층을 형성하고 에피택시얼 실리콘층을 성장시키는 다음 사이클에 다시 사용될 수도 있다. 상기 태양전지의 노출된 실리콘 상단 표면은 이후 효율적인 광 포획 및 광 반사 손실 저감을 위해, 텍스쳐링된 태양전지 표면(182)로 나타난, 텍스쳐를 생성하는 표면 텍스쳐링 공정을 거치게 된다. 상기 실리콘 습식 식각 세정 및 텍스쳐링 공정은 단일 측 인-라인 공정 툴 또는 배치식 담금 공정 툴에서 수행될 수도 있다.
도 9c는 박막 표면 부동태화 및 반사방지 코팅(ARC) 형성 후 백플레인이 지지된 태양전지의 단면도이다. 상기 표면 부동태화 및 ARC 층 코팅은 실리콘 질화물 박막층을 침전시켜서 PECVD 툴에서 형성시켜서, 상기 텍스쳐링된 실리콘 표면을 덮을 수도 있다.
도 9d 및 9e는 가장자리-씰링 밀봉 접착제(186)를 선택적으로 제거한 후 백플레인이 지지된 태양전지의 또 다른 실시예들이다. 도 9d는 가장자리-씰링 밀봉 접착제(186)를 상기 백플레인의 바닥측으로부터 선택적으로 제거한 후 백플레인이 지지된 태양전지의 단면도이다. 상기 가장자리-씰링 절연 접착제를 국지적으로 제거하는 것은 하기의 방법들 중 하나에 의해 이루어질 수도 있다: (1) 연마재가 국지적으로 제거되고 금속 표면이 노출되는, 연마 테이프 래핑법; (2) 적정 강도, 형상 및 규격을 지닌 연마 입자를 선택해서, 집중적 블라스팅에 의해 접착제 층을 금속층의 상단 표면층으로부터 선택적으로 제거하는, 연마재 블라스팅법; (3) 드릴 비트 또는 밀링 팁이 접착제 층을 제거하고, 금속층이 부분적으로 금속 표면에 노출되는, 기계 드릴링/밀링법; (4) 레이저 빔을 제거대상 접착제 영역에 직접 위치시키고 초점을 맞추어서, 레이저 빔 에너지가 상기 접착제를 태우고 하부에 금속 표면을 노출시키는, 레이저 가열 또는 융삭(ablation)법. 상기 가장자리-씰링 밀봉 접착제(186)를 국지적으로 제거한 후, 상기 태양전지를 탈이온화수로 세정하고 압축 공기 건조할 수도 있다.
도 9e는 가장자리-씰링 밀봉 접착제(186)를 상기 백플레인의 측벽으로부터 선택적으로 제거한 후 백플레인이 지지된 태양전지의 단면도이다. 상기 가장자리-씰링 절연 접착제를 국지적으로 제거하는 것은 하기의 방법들 중 하나에 의해 이루어질 수도 있다: (1) 연마재가 국지적으로 제거되고 금속 표면이 노출되는, 연마 테이프 래핑법; (2) 적정 강도, 형상 및 규격을 지닌 연마 입자를 선택해서, 집중적 블라스팅에 의해 접착제 층과 금속층의 상단 표면층을 선택적으로 제거하는, 연마재 블라스팅법; (3) 드릴 비트 또는 밀링 팁이 접착제 층을 제거하고, 금속층이 부분적으로 금속 표면에 노출되는, 기계 드릴링/밀링법; (4) 레이저 빔을 제거대상 접착제 영역에 직접 위치시키고 초점을 맞추어서, 레이저 빔 에너지가 상기 접착제를 태우고 하부에 금속 표면을 노출시키는, 레이저 가열 또는 융삭(ablation)법. 가장자리-씰링 밀봉 접착제(186)를 국지적으로 제거한 후, 상기 태양전지를 탈이온화수로 세정하고 압축 공기 건조할 수도 있다.
도 10a 내지 10c는 상기 백플레인 상 금속 전극들이 상기 태양전지 상 금속 전극들에 직교 배치되고 결합되는 경우들에서 태양전지들을 상호연결시키는 또 다른 실시예들을 도시하고 있다. 도 10a 내지 10c 의 단면도에 도시된 구조적 특징은 다른 언급이 없는 한 일치한다.
도 10a는 전극들과 부스바들을 매립시키고 밀봉시킨 도 6e에 나타난 태양전지의 태양전지 매트릭스의 전기적 상호연결을 도시하고 있다. 나타난 것처럼, 전기적 상호연결부(192)로 나타난 바와 같이, 상반된 극부 전극들, 베이스 전극(134) 및 이미터 전극(136)을 연결시키는 것에 의해, 상기 두 개의 전지는 직렬로 상호연결된다. 전기적 상호연결부(192)는 예컨대 백플레인 바이어스에서 Sn-코팅된 Cu 리본 부분을 솔더링시켜서 형성되는, 솔더링, 용접, 또는 와이어-결합된 상호연결부일 수도 있다. 두 개의 연결된 전지들 간의 상호연결부 금속 부분들과 바이어스 개수는 10 내지 100 범위일 수도 있다. 가장자리 절연 접착제 및 밀봉재(190)가 각각의 태양전지를 보호하고 결합하는 것을 도와준다.
도 10b는 이미터 및 베이스 전극을 감싼 도 5b, 7c 또는 8c에 나타난 것들과 같은 태양전지를 사용해서 태양전지 매트릭스의 전기적 상호연결을 도시하고 있다. 이 경우에, 도 9d에서도 나타난 것처럼, 가장자리 절연 접착제 및 밀봉재(186)로부터 노출된, 전기적 상호연결을 위해 노출된 금속 표면을 상기 백플레인의 후면과 상기 백플레인 가장자리들에 근접하여 위치시킨다. 전기적 상호연결부(200)로 나타난 바와 같이, 두 개의 인접 전지들의 상반된 극부 전극들, 베이스 전극(196) 및 이미터 전극(198)을 연결시키는 것에 의해, 상기 두 개의 전지는 직렬로 상호연결된다. 전기적 상호연결부(200)는 솔더링, 용접, 또는 와이어-결합되거나, 적절한 백플레인 측벽 위치에서 전도성 에폭시를 처리하고 건조시켜서 형성되는 상호연결부로, 하나의 전지의 베이스 전극을 인접 전지의 대응하는 이미터 전극에 연결할 수도 있다. 이와 달리, 상기 접속은 하나의 전지의 베이스 전극과 인접 전지의 이미터 전극 간에 Sn-코팅된 Cu 리본 부분을 솔더링시켜서 형성시킬 수도 있다. 두 개의 연결된 전지들 간의 금속 접속부 개수는 10 내지 100 범위이다. 이와 달리, 상기 인접 전지들은 모듈 백시트(backsheet) 및 일체형 모듈 어셈블리 방법들을 이용해서 상호연결될 수도 있다.
도 10c는 이미터 및 베이스 전극을 감싼 도 5b, 7c 또는 8c에 나타난 것들과 같은 태양전지를 사용해서 태양전지 매트릭스의 전기적 상호연결을 도시하고 있다. 이 경우에, 도 9e에서도 나타난 것처럼, 가장자리 절연 접착제 및 밀봉재(186)로부터 노출된, 전기적 상호연결을 위해 노출된 금속 표면은 상기 백플레인의 측벽들에 있다. 상반된 극부 전극들, 베이스 전극(202) 및 이미터 전극(204) 로 나타난 바와 같이, 전기적 상호연결부(206)에 의해, 상기 두 개의 전지는 직렬로 상호연결된다. 전기적 상호연결부(206)는 솔더링, 용접, 또는 와이어-결합되거나, 적절한 백플레인 측벽 위치에서 전도성 에폭시를 처리하고 건조시켜서 형성되고, 하나의 전지의 베이스 전극을 인접 전지의 대응하는 이미터 전극에 연결할 수도 있다. 두 개의 연결된 전지들 간의 금속 접속부 개수는 10 내지 100 범위이다.
도 11은 직렬 연결된 두 개의 전지를 사용하는 태양전지 모듈의 단면도로, 36 직렬-연결된 전지를 가질 수 있는, 전지 매트릭스를 보여주고 있다. 도 11에 도시된 태양전지들은 도 10c에서의 것들과 동일하고, 도 10c 및 11 의 단면도에 도시된 구조적 특징은 다른 언급이 없는 한 일치한다. 도시된 것처럼, 좌측 전지의 베이스 전극(214)은 우측 전지의 이미터 전극(216)에 전기적으로 연결된다. 상기 두 개의 전지가 나타내는 상호연결 전지 매트릭스는 두 개의 EVA 밀봉재 층, 상단 EVA 밀봉재 층(212) 및 하단 EVA 밀봉재 층(218) 사이에 샌드위치되어 있다. 상기 EVA 시트를 라미네이트하고 나서, 상기 모듈 전면에는 유리 커버(210)으로 나타낸 것처럼 2mm 내지 3mm 두께의 후막 낮은 철 소다 라임 유리로, 상기 모듈 후면에는 백시트(220)로 나타낸 것처럼 복합재 플라스틱 시트로 덮는다.
도 12a 내지 도 12d는 절연성 접착제로 백플레인 상에 라미네이트된 박막 금속 호일로 금속전극 스트립(strip)을 제조하는 공정 및 장치를 나타낸다. 일반적으로, 이 장치는 슬리팅 동안 자유롭게 회전 가능한 정렬된 예리한 날의 군(group), 조절 가능한 압력, 위치 조정 유닛, 금속 슬리팅에 있어 접합재의 적절한 온도를 설정하기 위한 온도의 가열 또는 냉각 제어가 가능한 척(chuck)으로 구성된다. 즉, 상기 금속 호일 및 백플레인 사이의 접합재는 상온보다 낮은 온도로 유지되어 금속 슬리팅 동안 재료의 강도가 증가될 수 있고, 상온 보다 증가시켜 절연 접착 밀봉재를 용융 및 재유동시켜 슬릿 금속 간극을 채울 수 있다. 도 12a 내지 12d의 단면도가 묘사하는 구조적 특징은 달리 언급되지 않으면 일치한다.
도 12a는 백플레인 제조를 위한 설정(232) 상에서 적층된 금속 호일을 상호 접속된 스트립 또는 리본으로 슬리팅하는 금속 호일 슬리팅 장치(230)를 나타낸다. 금속호일(231), 예를 들어 25㎛ 내지 150㎛ 두께의 알루미늄 호일, 은 개재(sandwitched)되는 절연성 접착층(234, 예를 들어 200㎛ 내지 500㎛ 두께 범위의)을 통하여 백플레인 플레이트(236)상에 라미네이트된다. 상기 백플레인 플레이트는 0.2mm 내지 0.3mm 두께 범위의 유리 또는 플라스틱 시트 일수 있다. 절연 접착성 밀봉재 층은 예를 들어 Z68, EVA, 또는 PV 실리콘 일 수 있다. 온도 조절 진공 척(238,-20℃ 내지 150℃)은 금속호일(231)을 테이퍼형(246)의 예리한 원형 슬리팅날 배열 집합체를 포함하는 장치(230) 하단에 위치시킨다. 상기 날은 정밀한 베어링(244)를 통하여 횡방향 축(240)에 연결되고, 상기 날은 축이 금속 호일면과 평행하게 횡방향으로 이동할 때 자유롭게 회전할 수 있다. - 이 구성을 통하여, 상기 날이 슬리팅을 위해 금속 호일상에서 압력을 가할 때, 상기 날과 호일의 접점에서 횡방향 이동이 없다. 결과적으로, 특정 슬리팅 위치 및 시기에, 상기 금속 호일은 국부적으로 변형되고, 이후 상기 국부적인 호일의 수직적 변형이 임계의 깊이에 도달했을 때 인열 개방된다. 상기 축이 움직일 때, 인열되는 금속 호일의 전면부가 이를 따르며, 따라서 좁은 분리 간극을 가지는 금속 리본이 백플레인상에 형성된다. 개구부에서의 상기 금속 호일의 국부적 변형은 테이퍼형의 날 끝에 의해 영구적으로 되며, 상기 인접한 두개의 금속 리본은 슬리팅 이후 접촉하지 않는다.
상기 제어되는 금속 호일 슬로팅을 효과적으로 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따르면, 상기 슬리팅 장치는 하기의 실시예를 포함할 수 있다. (1) 상기 슬리팅 힘, 압력, 그리고 상기 금속 호일의 수직적 변형의 깊이는 정교하게 제어되어야만 한다. 도 12a에 나타난 것처럼, 상기 축 어셈블리는 날의 슬리팅 압력을 결정하는 제어가능한 압력의 압축 유체를 가지는 슬리팅 압력 및 깊이 제어 유닛(242)에 기계적으로 연결된다. 보여지는 두 압력 챔버는 공통의 압력원에 연결되어, 슬리팅 동안 상기 축의 횡방향 이동은 자가정렬(self-align)되고 백플레인의 측면에 평행하다. 상기 공압 제어 압력은 날이 백플레인 표면에 닿았을 때 날의 수직이동이 멈출 수 있도록 설정될 수 있다. (2) 상기 하단의 절연 접착제의 강도는 효과적인 금속 호일 슬리팅을 위해 역시 활발하게 제어될 수 있다. 예를 들어, 상기 하단의 절연 접착층이 부드러운 경우, 금속 호일은 최대한의 국부적 변형에 도달하고 백플레인의 상단표면과 접촉했더라도 슬리팅날에 의해 인열되지 않을 수 있다. 그러므로 상기 절연 접착 물질은 바람직하게는 강하고 단단하다. 일반적으로, 온도를 낮출수록, 상기 물질은 단단해진다. 따라서 상기 백플레인을 고정하는 진공 척은 특정 슬리팅 압력과 횡 방향 속도의 금속 호일 슬리팅을 용이하게 하기 위해, 예를 들어 영하와 같이, 가급적 주변 온도보다 낮도록 냉각된다. 게다가, 또 다른 고려사항은 낮은 온도에서 상기 금속 호일이 상온보다 용이하게 균열될 수 있다. 그러므로, 낮은 슬리팅 온도가 더 유리하다. 대안적인 방법에서, 상기 부착된 절연 접착제 및 백플레인과 함께 금속 호일은 슬리팅 이전에 낮은 온도로 냉각 될 수 있고, 슬리팅 공정은 상기 물질이 여전히 요구되는 낮은 슬리팅 온도에 있도록 백플레인이 진공으로 척(chucked)된 직후에 수행될 수 있다. (3) 상기 슬리팅 날은 특히 자기 정렬 방식으로 금속 리본의 가장자리를 영구적으로 구부리는데 사용되는 테이퍼형(tapered)으로 고안된 날 상단부를 가진다. 가장자리의 구부러짐 때문에, 인접한 금속리본 사이의 간극은 예리한 날 끝에 의해 인열된 것 보다 더 넓게 형성된다.
본 발명에 의한 금속 호일 슬리팅 방법은 하기와 같은 이점을 제공한다. 첫째, 날 슬리팅 앞면과 금속호일 사이에 횡측 방향상의 상대적인 이동이 없기 때문에, 금속 호일이 인열된다. 따라서, 이 금속 슬리팅 공정으로부터 발생하는 금속 잔해의 절삭이 일어나지 않고, 금속 잔해에 의해 발생하는 전기적 단락(shorting)의 가능성이 저감된다. 둘째, 상기 금속 리본은 국부적인 절삭 및 인열에 의해 형성되기 때문에, 슬리팅 공정으로부터의 금속호일 손실이 없다. 결과적으로, 원래의 금속 호일의 완전한 표면적과 부피는 전류를 추출하고 전도하기 위해 사용된다.
도 12b는 절연 접착제(234) 및 백플레인 플레이트(236) 상의, 도면 부호 252에 나타난 것처럼, 단부가 변형된 슬리팅 금속 리본(250)을 나타낸다. 인접하는 두 금속 리본 사이의 접착층이 절삭된 간극의 폭은 바람직하게는 50㎛ 내지 0.5mm의 범위이고, 깊이는 바람직하게는 접착층 속으로 100㎛에서 접착층의 전체 두께를 관통할 때까지의 범위이다. 금속리본의 단부는, 도면부호 252로 나타난 단부 변형처럼, 구부러지고 본 발명에 의한 테이퍼형의 날 상단부(blade shoulder) 디자인, 도 12a 도면부호 246, 에 의해서 서로 분리되어 있다.
도 12c는 접착제를 용융시키고 재유동시키는 공정 후의 백플레인 금속리본을 나타낸다. 이 단계에서는, 금속리본 하단의 절연 접착제, 절연 접착제(234), 는 예를 들어, 하단의 뜨거운 척(chuck) 또는 적외선 램프에 의해 가열된다. 융해된 후 곧, 절연 접착제는 흐르고, 도면부호 254에 나타난 것처럼, 인접한 금속 리본 사이의 간극을 채운다. 결과적으로, 금속리본의 가장자리부 역시 재유동된 절연 접착성 밀봉재 층에 의해 덮인다.
도 12d는 전도성의 접착성 포스트(260)를 통한 백플레인 어셈블리 및 태양전지(258) 접합 이후의 상호연결 금속리본 및 절연 접착 구조를 나타낸다. 접합 공정 동안, 절연 접착성 밀봉재는 재가열 될 수 있고, 예를 들어 뜨거운 척 또는 적외선 램프에 의해, 재유동 절연 접착제(256)로 나타난 것처럼, 이는 다시 용융시키고 재유동 시킨다. 재유동되는 동안, 용융된 접착제는 금속 리본 위로 끌어 올려지고, 이는 금속리본의 상부면(top surface)을 도전성의 접착성 포스트 영역을 제외한 태양전지상의 금속 표면과 분리시킨다. 본 두 번째 접착성 재유동이 용이하도록, 상기 백플레인 어셈블리(assembly) 및 태양전지 사이의 접합은 바람직하게는 진공 챔버 내에서 수행되고, 모세관력(capillary force)은 절연 접착층의 상면 및 측면 풀링에 기여한다. 또는 대안적으로, 예를 들어, 스크린-인쇄에 의한 증착, 잉크젯-인쇄 또는 위치, 또는 부피 제어 분무(dispensing)에 의해 다른 접착성의 절연 스페이서층이 도전성의 접착성 포스트 영역을 제외한 태양전지 표면에 도포될 수 있다.
도 13a 및 13b는 절연 접착제로 사전 가공된(pre-fabricated) 금속 리본을 백플레인상에 적층하는 장치 및 방법을 나타낸다. 이 적층 도구는 금속 스트립 간격 정렬을 위한 지그(jig), 장력 제어, 접착성의 절연 밀봉 재료를 용융 및 재유동 시키기 위한 온도 제어 가능 가열 척(chuck)으로 구성될 수 있다. 도 13a 및 13b의 단면도에 묘사된 상기 구조적 특징은 달리 언급되지 않으면 일치한다.
도 13a는 백플레인 플레이트(270) 및 절연 접착제(272, 예를 들어 Z68의 EVA와 같은 PV-그레이드 밀봉재)상에서 가동되고 있는 라미네이트 장치의 도시이다. 금속리본(276, 예를 들어 알루미늄 또는 알루미늄 합금)은 슬리팅 및 리와인딩(rewinding) 머신에 의해 미리 제조되고, 금속리본 롤은 인접한 롤 사이에 정교한 스페이서를 위치시켜 적절하게 배치되며, 금속 리본 롤 시트(278)을 형성한다. 예를 들어, 금속 리본은 폭 2mm 내지 15mm, 두께 01.mm 내지 0.5mm 및 측면 간극 0.5mm 내지 2mm을 가질 수 있다. 라미네이트 공정 동안 장력 제어 롤러(274, 280)에 의해 측방향 장력(lateral tension)이 금속 리본에 적용될 수 있고, 금속리본은 완전히 펴질 수 있도록 한다. 장력 제어 롤러(274, 280)는 스프링 하중식이거나, 결합된 엑츄에이터(actuator)와 근접센서에 의한 압력 제어, 변위 및 위치 제어를 위해 공압 실린더가 결합될 수 있다. 백플레인 가장자리부에 대한 더 많은 비정밀 정렬(coarse alignment)이 역시 요구되고, 따라서 리본은 접합될 때 태양 전지 상의 금속 전극과 직교 방향으로 배치될 것이다.
다음 단계에서, 금속 리본(276)은 적외선에 의해 잠시 가열되고, 하단 절연 접착제(272)는 용융 및 재유동 될 수 있으며, 도 13b의 재유동된 절연 접착제(282)로 나타난 것처럼, 인접한 금속리본 사이의 공간을 채운다. 재유동 된 접착제(282)가 주변 온도로 냉각되고 금속 리본이 단단하게 백플레인 상에 고정된 후, 금속리본의 돌출부는, 예를 들어 레이저 트리밍, 기계적 펀칭, 절삭 또는 슬리팅에 의해, 잘린다.
도 13b는 금속 리본 롤 시트(278)로부터 잘린 후, 접합된 금속리본 단편을 나타낸다. 나타난 것처럼, 상기 금속 리본은 백플레인의 가장자리부에서 뻗어 나와 있고, 도 7a에서 기술되고 보이는 것처럼, 전극 랩 어라운드형(wrap-around) 전기적 상호연결을 가능하게 한다. 따라서, 금속 리본의 돌출된 길이는 충분히 길게 잘려야 하고, 돌출부는 이후 공정에서 백플레인의 단부를 감쌀 수 있다.
도 14a 내지 14c는 재료의 열적 불일치로부터 발생한 금속 전극의 면외(out-of-plane) 응력의 방향성 제거(directional releasing)를 위한 변형된 영역을 가지는 금속 전극 제조 장치 및 제조 공정을 나타낸다. 일반적으로, 이 금속 성형 장치는 적층 된 금속 리본상에 방향성의 제어된 응력 저감을 위해 직교의 미세 홈(micro groove) 또는 물결 형상(wave-shaped) 패턴을 형성할 수 있고, 이는 실리콘 태양 전지 상의 금속 리본 및 금속 박막 사이에서 금속-금속간 직접 접촉(contact)의 역할을 수행할 수 있다. 게다가, 도 14a에 묘사된 백플레인 구조는 도 7a에 묘사된 백플레인 구조와 유사하다. 도 14a 내지 14c 및 도 7a 내지 7c의 단면도에 묘사된 구조적 특징은 달리 언급되지 않으면 변하지 않는다.
이전의 도면에서 묘사된 백플레인이 접합된 태양 전지에서, 절연 접착층 사이에 개재된 금속 리본은 평평하고, 전도성 접착 포스트를 통해 태양 전지의 금속막에 전기적 접촉을 만든다. 대개, 접합된 태양전지는 코팅, 적층 및 포장 공정을 거칠 때, 상온 보다 높은 온도의 공정이 이용될 수 있다. 그리고, 태양광 모듈은 그 자체가 보통 실제 사용에 있어서 온도의 변화를 겪는다. 금속 리본은 절연 접착제, 전도성 접착제, 실리콘 및 유리와는 다른 열팽창 계수를 가지기 때문에, 금속 호일에서 기계적응력은 온도의 변화를 겪을 때 때때로 증가할 수 있다. 응력이 임계값보다 높아졌을때, 평평한 금속 리본은 면외(out-of-plane) 좌굴(buckling) 및 변형(deformation)을 겪을 수 있다. 금속 리본의 변형을 유도하는 이러한 응력은 전도성의 접착 포스트 영역에 대한 전기적 접속의 분리를 초래할 수 있고, 또한 위쪽을 향한 리본의 변형으로 인해 반대 전극의 단락(shorting)을 초래할 수도 있다. 이러한 잠재적인 문제점들을 극복하기 위하여, 본 발명은 금속 호일상에 배열된 국부적 변형을 만드는 방법 및 장치를 제공한다. 상기 국부적으로 형성된 변형은 백플레인 쪽으로 변형된다. 금속 리본은 응력하에 있을 때, 오직 아래쪽을 향해 백플레인 쪽으로 휘어질 것이다. (접합된 태양전지 및 금속 접촉과 멀어지도록)
도 14a는 도 7a에 나타난 선택적인 절연 접착제(142)에 의해 가장자리부가 연장된(144) 다중선형 (interdigitated) 금속리본에 접합된 백플레인 플레이트(140)을 포함하는 백플레인 디자인에 있어서 금속 리본상에 홈 형상(groove-shape)의 영구적인 변형을 형성하는 금속 호일 성형(forming) 장치(298)을 나타낸다. 금속 리본(144), 예를 들어 25 ㎛ 내지 200 ㎛ 두께의 알루미늄 리본과 같은, 은 200 ㎛ 내지 500 ㎛ 두께의 개재된 절연 접착층(142)을 통하여 백플레인의 상부에 적층 될 수 있다. 절연 접착층의 예는 Z68, EVA 또는 PV 실리콘을 포함한다. 공지된 방법에 더하여, 금속리본을 제조하고 접합하는 방법은 도 12 및 13에 기술된다.
금속 리본 성형(forming) 장치(298)는 볼록한 윤곽(convex profile)을 가지는 원형 성형 휠(forming wheel) 배열집합체(294)를 포함한다. 성형 휠(294)은 정밀한 베어링(292)를 통하여 횡방향 축(290)에 연결되고, 상기 휠은 축이 금속 호일면과 평행하게 횡방향으로 이동할 때 자유롭게 회전할 수 있다. 횡방향 축(290)은 리본과 평행한 방향으로 위치하고, 축의 횡방향 성형 이동은 상기 금속 리본에 수직 방향이다. 이 구성을 통해, 성형 휠이 금속리본에 압력을 가할 때, 상기 휠과 리본의 접점에서 횡방향의 이동은 일어나지 않는다. 결과적으로, 특정 성형 위치 및 시기에, 상기 금속 리본은 국부적으로 변형되고, 변형이 임계의 깊이에 도달했을 때 영구적으로 변형된다. 횡방향 축(290)이 이동할 때, 금속 리본의 성형되는 전면부가 이를 따르며, 따라서 홈 형상(groove-shape)의 변형을 가지는 금속리본이 백플레인 상에 형성된다.
제어되는 금속 리본 변형의 효과적인 달성을 돕기 위해, 금속 리본 성형 장치는 하기의 실시예를 포함할 수 있다. (1) 성형 힘, 압력 및 금속 호일의 수직 변형 깊이는 정교하게 제어되어야만 하고, 도 14a에 나타난 것처럼, 축 어셈블리는 성형 휠의 압력을 결정할 수 있는 제어가능한 압력하의 압축 유체와 함께 기계적으로 성형 압력 및 깊이 제어 유닛(296)에 연결된다. 양쪽의 좌우 성형 압력 및 깊이 조절 유닛은 공통의 압력원에 연결된다. 따라서, 성형 공정 동안, 축의 횡방향 이동은 자기-정렬(self-align)되고 백플레인의 측면에 평행하다. 상기 공압 제어 압력은 휠이 백플레인 표면에 닿았을 때 상기 날의 수직이동이 멈출 수 있도록 설정될 수 있다. (2) 상기 하단의 절연 접착제의 강도는 효과적인 금속 호일 슬리팅을 위해 역시 활발하게 제어될 수 있다. 예를 들어, 상기 하단의 절연 접착층이 단단하다면, 변형이 어려울 수 있다. 그러므로, 개선된 성형 성능을 위해, 절연 접착 물질은 바람직하게는 부드럽다. 선택된 절연 접착 물질을 고려하면, 온도를 높일수록, 상기 물질은 부드러워 진다. 따라서, 상기 백플레인을 고정하는 진공 척은 특정 슬리팅 압력과 횡 방향 속도의 금속 리본 성형을 용이하게 하기 위해, 예를 들어 100℃ 미만과 같이, 가급적 주변 온도보다 높도록 가열된다. 대안적인 방법에서, 상기 부착된 절연 접착제 및 백플레인과 함께 금속 리본은 적외선 램프에 의해 가열될 수 있고, 또는 성형 이전에 높은 온도로 미리 가열될 수 있으며, 상기 물질이 아직 요구되는 높은 성형 온도에 있도록 백플레인이 진공으로 척(chucked)된 바로 직후에 수행될 수 있다. (3) 성형 휠은 다양한 윤곽을 가지도록 고안되고 기계로 만들어질 수 있으며, 최적화된 응력 저감 및 방향 성능과 함께 금속 리본 변형 형상을 형성한다.
도 14b는 직교의 면외(파형) 홈(300)을 형성한 후의 금속리본(302)를 나타낸다. 중요한 것은, 금속 리본의 최대한의 국부 변형은 0.5mm 미만인 절연 접착제 두께와 동일하기 때문에, 성형 후의 전체 리본 길이의 감소는 극소하다.
도 14c는 수직의 면외 파형(wave-form)으로 변형된 성형된 금속 리본을 가지는 태양 전지(304)에 접합된 백플레인을 나타낸다. 높은 공정 및 작동 온도에서 그리고 특정 온도가 변하는 동안, 금속 리본의 변형이 풀리도록 하는 응력이 백플레인을 향해 미리 윤곽이 형성된 변형을 뒤따른다. 동시에, 전도성 접착 포스트(또는 그 밖의 알려진 다른 태양 전지 접촉 디자인)를 통한 접촉을 하는 금속리본영역은 금속 리본 형상의 물결 패턴(wave-pattern)에서 기인하는 위쪽을 향한 국부적 압력을 겪을 것이다. 결과적으로, 접촉은 온도가 상승할 때 금속 리본으로부터 압축 하중을 겪을 것이다. 따라서 전기적 접촉 실패는 온도가 변할 때 방지된다. 추가적인 이점으로써, 상기 형성된 홈은 태양 전지가 더 신되도 높은 전기적 접촉을 달성하기 위해 장착되었을 때 부하식 스프링과 같은 역할을 한다.
도 15a 내지 15c는 백플레인 어셈블리부터 태양 전지까지 직접 금속-금속 접합을 하도록 교차되는 변형된(또 다른 변형된 형상이 성형 휠의 형상에 따라 가능함에도 불구하고, 구부러진 곡선 또는 물결 형태로 묘사되었다) 영역을 가지는 금속 전극 제조 장치 및 제조 공정을 나타낸다. 상기 장치, 통합된 슬리팅 날 및 성형 휠을 가지는 롤러,는 자기-정렬 슬리팅 및 성형 공정 양자 모두에 사용된다.
도 15a는 슬리팅 날과 성형 휠을 동일한 롤러, 통합 롤러(322),에 통합시켜 라미네이트된 금속 호일로 변형된 리본 전극을 제조하는 장치를 나타낸다. 금속 호일(316), 예를 들어 25 ㎛ 내지 200 ㎛ 두께의 알루미늄 호일,은 개재된 절연 접착층(312)을 통하여 백플레인(310)의 상부에 적층 된다. 상기 백플레인은 0.2mm 내지 3mm 범위의 두께를 가진 유리 또는 플라스틱 시트일 수 있다. 절연 접착층의 예는 200 ㎛ 내지 500 ㎛ 범위의 두께를 가지는 Z68, EVA 또는 PV 실리콘을 포함한다. 통합된 롤러는 교차되는 슬리팅 날(318) 및 성형 휠(320)을 포함하고, 하나의 단계로 이미터 및 베이스 전극을 형성한다.
인접한 이미터 및 베이스 휠은 90˚의 위상차를 가진 물결 패턴을 가지고, 자기-정렬 전기적 상호연결을 가능하게 한다. 롤러는 정교한 베어링을 통하여 횡방향 축(미표시)에 부착되어 있고, 상기 롤러는 축이 금속 호일면과 평행하게 횡방향으로 이동할 때 자유롭게 회전할 수 있다. 이 구성을 통해, 롤러가 슬리팅을 위해 금속리본에 압력을 가할 때, 상기 롤러와 호일의 접점에서 횡방향의 이동은 일어나지 않는다. 결과적으로, 특정 슬리팅 위치 및 시기에, 상기 금속 호일은 국부적으로 변형되고, 이후 상기 국부적인 호일의 수직적 변형이 임계의 깊이에 도달했을 때 인열된다. 상기 축이 움직일 때, 인열되는 금속 호일의 전면부가 이를 따르며, 따라서 좁은 분리 간극을 가지는 금속 리본이 백플레인 상에 형성된다. 개구부에서의 상기 금속 호일의 국부적 변형은 테이퍼형 날 끝에 의해 영구적이 되며, 상기 인접한 두 개의 금속 리본은 슬리팅 이후 접촉하지 않는다. 상기 제어되는 금속 호일 슬로팅 및 성형을 효과적으로 달성하기 위해, 상기 장치는 하기의 실시예를 포함할 수 있다. (1) 상기 슬리팅 및 성형의 힘, 압력, 그리고 상기 금속 호일의 수직적 변형의 깊이는 정교하게 제어되어야만 하고, 상기 축 어셈블리는 롤러의 슬리팅 및 포잉 압력을 결정하는 제어가능한 압력을 가지는 압축 유체에 연결된다. 슬리팅 동안 축의 횡방향 이동은 자가정렬(self-align)되고 백플레인의 측면에 평행하다. 공압 제어 압력은 롤러 표면이 백플레인 표면에 닿았을 때 롤러의 수직이동이 멈출 수 있도록 설정될 수 있다. (2) 하단의 절연 접착제의 강도는 최적화된 금속 호일의 슬리팅 및 성형 조건으로 활발하게 온도가 제어될 수 있다. 이전에 기술된 것처럼, 하단의 단단한 접착 물질은 슬리팅에 유리하고, 하단의 부드러운 접착 물질은 성형에 유리하다, 특정 두께의 특정 접착 물질을 고려하여, 압력 변수(예를 들어 온도, 롤러의 압력 및 속도와 같은) 및 롤러의 표면 윤곽이 디자인되고 최적화될 수 있다.
도 15b는 슬리팅 및 성형 이후의 금속 리본을 나타낸다. 금속 리본의 최대한의 국부 변형은 0.5mm 미만의, 절연 접착제 두께와 동일하기 때문에 슬리팅 및 성형 후의 전체 리본 길이의 감소는 극소하다. 보이는 것처럼, 물결-형상 이미터 전극(324) 및 베이스 전극(326)은 90˚의 위상차를 가지므로, 상기 전극들이 태양 전지상의 얇은 금속 전극에 직교하여 접합 되었을 때 베이스 물결 전극의 피크(peak)는 유일하게 태양 전지 상의 얇은 베이스 전극과 접촉하고, 이미터 물결 전극의 첨두는 유일하게 태양 전지 상의 얇은 이미터 전극과 접촉한다 - 효율적인 자기-정렬 공정. 슬리팅 및 성형 이후에, 백플레인은 가열되어 절연 접착제를 용융 및 재유동 시키며, 재유동된 접착제는 인접한 리본 전극 사이의 간극을 채울 것이다.
도 15c는 성형된 금속 리본을 가지는 백플레인이 접합된 태양 전지를 나타낸다. 이 위상차를 가지는 물결 형상의 이미터 전극(328) 및 베이스 전극(330)과 함께, 백플레인 어셈블리 및 태양전지가 접합되었을 때 금속 리본의 표면이 백플레인에 접촉된 구조적 디자인은 자가융기(self-raised)되고 권축(crimped) 금속 리본은 태양 전지 접촉 지점, 태양 전지(334) 상의 태양 전지 이미터 전극(332)과 같은, 으로 부하식 스프링 힘을 가한다. 그러므로, 이 3차원 금속 리본 디자인은 전도성 접착 포스트 물질 및 공정의 요구 없이 직접 금속-금속 접촉 및 접합을 위한 기회를 제공한다.
도 16a 및 16b는 본 발명에 따른 대안적인 태양 전지 및 지지 백플레인 디자인은 나타낸다. 도 16a 및 16b의 단면도에 묘사된 구조적인 특징은 달리 언급되지 않으면 변하지 않는다. 이 백플레인 디자인에서, 후막 금속 전극 및 후막 유전성 밀봉층은 태양 전지의 백플레인을 형성한다.
도 16a는 실질적으로 도 1a 태양 전지 디자인과 동일한 보이는 태양 전지 상에 유전성 접착층이 없는 태양 전지 디자인을 나타낸다. 따라서, 상기 제조 공정 및 물질의 실시예는 본 발명과 특히 도 1a 및 대응하는 해설에서 개시되었다. 애피택시얼-성장 박막 실리콘 태양 전지 기판(354)은 다공성의 실리콘 레이어(354)를 통해 재사용 가능한 실리콘 템플릿(350)에 부착된다. 도핑된 이미터 접촉 영역(364), 베이스 접촉 영역(372), 및 다중선형의 얇은 금속 전극(이미터 금속 전극(362) 및 베이스 금속 전극(360))은 태양 전지의 후면에 위치한다(도면 16 A의 태양 전지의 상단부로 보이는 것처럼). 도전성 접착 포스트, 이미터 도전성 접착 포스트(358) 및 베이스 도전성 이미터 포스트(356)는 후막 베이스 금속 전극(368) 및 후막 이미터 금속 전극(366)을 포함하는 후막 금속 전극층(374)에 전기적으로 연결하기 위해 얇은 금속 전극 표면의 상부에 스크린-인쇄 또는 잉크젯-인쇄될 수 있다. 후막 금속 전극(366, 368)은 실리콘 기판 표면상의 얇은 금속 전극(360,362)에 직교하는 평행한 리본 형상이다. 상기 후막 금속 전극은 바람직하게는 알루미늄 또는 0.1mm 내지 1mm 두께 범위의 알루미늄 합금 플레이트로부터 만들어진다. 후막 금속 전극 리본은 태양전지와의 접합 이후에 레이저 융삭 및 기계적 밀링에 의해 분리된 측면 연결들과 붙기 전 말단에서 측면 연결될 수 있다. 후막 유전성 밀봉층(370), EVA or Z68과 같은, 은 후막 베이스 금속 전극(386) 및 후막 이미터 금속 전극(366)의 후막 금속층 상단에 나타난다.
도 16b는 박막 실리콘 기판(378)이 템플릿(350)로부터 제거되고 접합된 후막 금속 전극층(374) 및 재유동된 유전성 밀봉층(376)에 의해 기계적으로 보강된 애피택시얼 성장 박막 실리콘 태양전지를 나타낸다. 후막 금속 전극은 얇은 금속 전극에 직교의 배열로 도전성 접착 포스트 상에 처음 위치한다. 유전성의 밀봉층(370)은 이후 진공 라미네이터에서 전지의 후면에 적층 된다. 적층 동안, 밀봉제는 가열되고, 용융 및 재유동되어 후막 금속전극 및 얇은 금속전극 사이를 완전히 채운다. 재사용 가능한 실리콘 템플릿은 이후 어셈블리로부터 제거되고, 뒤이어 태양 전지 실리콘 표면의 청소, 텍스쳐링(texturing), 부동태화(passivation) 및 반사방지막 코팅이 이어진다 - 이는 도 3에 기술된 것과 유사한 공정에 따라 수행될 수 있다. 태양광 모듈 조립 공정을 위한 전지의 상호연결을 만들기 위해, 후막 금속 전극 상단의 유전성의 밀봉 층은 레이저 드릴링, 기계적 드릴링 및 연마가공을 포함하는 방법에 의해 국부적으로 개방된다 - 이는 도 3에 기술된 것과 유사한 공정에 따라 수행될 수 있다.
작동에 있어서, 본 발명은 전지 전류를 추출하고, 따라서, 얇은 후면 태양전지의 제조 및 최종 묘듈 패키징을 가능하게 하는 상대적으로 후막 고전도성의 접합된 금속 상호연결부와 함께 기계적으로 지지하는 백플레인 구조를 제조하는 방법, 디자인 및 장치를 제공한다. 더욱이, 본 발명의 백플레인 실시예들은 1 ㎛ 미만 내지 100 ㎛ 넘는 반도체 기판의 두께를 가지는 태양 전지와 함께 사용될 수 있다. 더 전형적으로, 상기 태양전지 기판은 몇몇 ㎛에서 약 50 ㎛까지의 두께일 수 있다.
이미 살펴본 실시예의 기술은 당해 기술분야의 통상의 기술자가 청구된 본 발명을 제조하거나 사용할 수 있도록 제공된다. 이 실시예에 대한 다양한 변형이 통상의 기술자에게 손쉽게 명백하며, 본 발명에서 정의된 포괄적인 원리는 혁신적인 능력의 발휘 없이도 다른 실시예에 적용될 수 있다. 따라서, 청구된 발명은 여기서 보여지는 실시예에 한정하려는 것이 아니며, 여기에 개시된 원리 및 신규한 특징과 일치되는 가장 넓은 범위에 부합되도록 하였다.
본 상세한 설명에 포함된 모든 추가적인 시스템, 방법, 특징 및 이점은 청구항의 범위 내에 있는 것이다.

Claims (21)

  1. 이미터 및 베이스 접촉 형성용 광 포획 전면 및 후면을 포함하는 결정질 반도체 기판;
    상기 결정질 기판의 후면 상에 다중선형(interdigitated) 패턴으로 된 이미터 전극 및 베이스 전극을 가지고, 약 10 마이크론 미만의 두께를 가지는 제1 전기전도성 상호연결층;
    상기 이미터 및 베이스 전극에 대한 전기적 연결을 형성하는 전기전도성 이미터 플러그 및 베이스 플러그; 및
    상기 전기전도성 플러그에 의하여 상기 결정질 기판의 후면에 부착되고, 영구적 결정질 기판 보강 및 고전도성 태양전지 상호연결부를 제공하는 백플레인(backplane);을 포함하되,
    상기 백플레인은,
    상기 전기전도성 이미터 및 베이스 플러그에 의하여 상기 제1 전기전도성 상호연결층에 연결된 고전도성 전지 상호연결부를 제공하고, 다중선형 패턴의 이미터 전극 및 베이스 전극과, 약 25 내지 250 마이크론 범위 두께의 금속층을 가지는 제2 전기전도성 상호연결층; 및
    상기 제2 전기전도성 상호연결층에 부착되고, 상기 이미터 및 베이스 금속 접촉부를 노출시키고 상기 태양전지 상호연결을 위한 전기전도성 물질을 이용하여 상기 태양전지 베이스 및 이미터 영역에 상호연결부를 제공하는 관통 구멍을 가지는, 백플레인 플레이트(backplane plate);를 포함하는, 후면 접촉 결정질 반도체 태양전지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전기전도성 상호연결층을 덮고, 상기 전기전도성 이미터 플러그 및 베이스 플러그를 노출시키는, 유전성 접착제 층(dielectric adhesive layer)을 더 포함하는 것인, 후면 접촉 태양전지.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 결정질 반도체 기판은 100 마이크론 미만의 두께를 가지는 것인, 후면 접촉 태양전지.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전기전도성 상호연결층은 부스바(busbars), 이미터 전극 및 베이스 전극에 의한 다중선형 패턴을 가지는 것인, 후면 접촉 태양전지.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제2 전기전도성 상호연결층은 부스바(busbars), 이미터 전극 및 베이스 전극에 의한 다중선형 패턴을 가지는 것인, 후면 접촉 태양전지.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제2 전기전도성 상호연결층은 상기 태양전지 상에 랩 어라운드형(wrap-around) 후면 금속 상호연결부를 형성하도록 연장된 단부를 가지는 것인, 후면 접촉 태양전지.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제2 전기전도성 상호연결층은 상기 제1 전기전도성 상호연결층에 평행하게 배열된 것인, 후면 접촉 태양전지.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제2 전기전도성 상호연결층은 상기 제1 전기전도성 상호연결층에 직교하도록 배열된 것인, 후면 접촉 태양전지.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제2 전기전도성 상호연결층의 이미터 전극 및 베이스 전극은 변형된 영역을 가지는 것인, 후면 접촉 태양전지.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제2 전기전도성 상호연결층은 0.1 내지 1mm 범위의 두께를 가지고, 상기 후면 플레이트는 전기 절연 밀봉재 층인 것인, 후면 접촉 태양전지.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 제2 전기전도성 상호연결층은 알루미늄 호일인 것인, 후면 접촉 태양전지.
  12. 결정질 기판의 후면상에 다중선형(interdigitated) 패턴의 이미터 전극 및 베이스 전극을 가지고, 약 10마이크론 미만의 두께를 가지는, 제1 전기전도성 금속층을 증착하는 단계;
    상기 백플레인에 대한 연결을 위해 전기전도성 이미터 접촉부 및 베이스 접촉부를 제공하는, 전기전도성 이미터 플러그 및 베이스 플러그를 상기 제1 전기전도성 금속층 상에 형성하는 단계;
    다중선형(interdigitated) 패턴의 이미터 전극 및 베이스 전극을 가지고, 상기 전도성 이미터 플러그 및 베이스 플러그를 통해 상기 제1 전기전도성 금속층에 연결된 제 2 전기전도성 금속층을 포함하는, 전기적 상호연결부를 형성하는, 상기 백플레인을 상기 제1 전기전도성 금속층에 라미네이트시키고, 상기 전도성 이미터 플러그 및 베이스 플러그의 백플레인-전지간 전기적 연결을 가능하게 하되, 상기 제2 전기전도성 금속층은 약 25 내지 250 마이크론 범위의 두께를 가지며, 백플레인 플레이트가 상기 제2 전기전도성 금속층에 부착된 것인, 단계;를 포함하는, 후면 접촉 태양전지를 형성하는 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 백플레인 플레이트 상에 상기 이미터 및 베이스 금속 접속부를 노출시키는 관통 구멍을 형성하는 단계; 및
    태양전지 상호연결을 위해 적어도 부분적으로 상기 관통 구멍을 전기전도성 물질로 채우는 단계를 더 포함하는 것인, 방법.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 백플레인 플레이트 상에 25 내지 250 마이크론 범위의 두께를 가지는 상기 제2 전기전도성 금속층을 형성하는 단계; 및
    다중선형 패턴의 베이스 전극 및 이미터 전극에 상기 제2 전기전도성 금속층을 패터닝하는 단계로 이루어진, 상기 백플레인을 형성하는 단계를 더 포함하는, 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    다중선형 패턴의 베이스 전극 및 이미터 전극에 상기 제2 전기전도성 금속층을 패터닝하는 단계는 금속 호일 슬리팅 장치를 사용하는 것인, 방법.
  16. 제14항에 있어서,
    다중선형 패턴의 베이스 전극 및 이미터 전극에 상기 제2 전기전도성 금속층을 패터닝하는 단계는 금속 리본 라미네이트 장치를 사용하는 것인, 방법.
  17. 제14항에 있어서,
    다중선형 패턴의 베이스 전극 및 이미터 전극의 상기 제2 층 상에 국소적 및 수직적으로 변형된 영역을 형성하는 단계를 더 포함하되, 상기 변형된 영역은 전기전도성 이미터 접촉부 및 베이스 접촉부에 정렬된 것인, 방법.
  18. 결정질 실리콘 템플릿의 표면 상에 적어도 둘 이상의 상이한 다공성을 가지는 다공질 실리콘 시드 및 제거 층을 형성하는 단계;
    100 마이크론 미만의 두께와 인-시츄(in-situ) 도핑된 영역을 가지고, 도핑된 이미터 영역과, 상기 인-시츄 도핑된 베이스 영역 및 상기 도핑된 이미터 영역과의 이미터 및 베이스 접촉부를 형성하기 위한 후면을 포함하는, 애피택시얼 실리콘층을 상기 다공질 실리콘 시드 및 제거 층 상에 증착하는 단계;
    상기 애피택시얼 실리콘층의 표면 상에 다중선형 패턴의 베이스 전극 및 이미터 전극을 가지고, 2 마이크론 미만의 두께를 가지는, 제1 전기전도성 금속층을 증착하는 단계;
    백플레인을 위한 이미터 전기적 연결 및 베이스 전기적 연결을 제공하는 전기전도성 이미터 플러그 및 베이스 플러그를 상기 제1 전기전도성 금속층 상에 형성하는 단계;
    다중선형 패턴의 이미터 전극 및 베이스 전극을 가지는 제2 전기전도성 금속층을 가지며, 상기 전도성의 접착성 이미터 포스트 및 베이스 포스트에 의해 상기 제1 전기전도성 금속층에 연결된, 상기 백플레인을 상기 전도성의 접착성 이미터 포스트 및 베이스 포스트에 의해 상기 제1 전기전도성 금속층에 라미네이트하고, 전기적 상호연결부를 형성하되, 상기 제2 전기전도성 금속층은 약 25 내지 150 마이크론 범위의 두께를 가지며, 백플레인 플레이트가 상기 제2 전기전도성 금속층에 부착된 것인, 단계; 및,
    상기 다공질 실리콘 제거층을 따라서 상기 애피택시얼 실리콘층을 상기 실리콘 탬플릿으로부터 제거시키는 단계;를 포함하는, 후면 접촉 태양전지를 형성하는 방법.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 백플레인 플레이트 상의 상기 이미터 및 베이스 금속 접속부를 노출시키는 관통 구멍을 형성하는 단계; 및
    태양전지 상호연결을 위해 적어도 부분적으로 상기 관통 구멍을 전기전도성 물질로 채우는 단계를 더 포함하는 것인, 방법.
  20. 제18항에 있어서,
    상기 제1 전기전도성 상호연결층을 덮고, 상기 전기전도성 이미터 플러그 및 베이스 플러그를 노출시키는 유전성 접착층(dielectric adhesive layer)을 형성하는 단계를 더 포함하는 것인, 방법.
  21. 제18항에 있어서,
    다중선형 패턴의 상기 베이스 전극 및 이미터 전극의 제2 층 상에 국소적 및 수직적으로 변형된 영역을 형성하는 단계를 더 포함하되, 상기 변형된 영역은 전기전도성 이미터 플러그 및 베이스 플러그에 정렬된 것인, 방법.
KR1020137005704A 2010-08-05 2011-08-05 태양전지용 백플레인 보강 및 상호연결부 KR20140015247A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US37095610P 2010-08-05 2010-08-05
US61/370,956 2010-08-05
PCT/US2011/046873 WO2013055307A2 (en) 2010-08-05 2011-08-05 Backplane reinforcement and interconnects for solar cells

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20140015247A true KR20140015247A (ko) 2014-02-06

Family

ID=45995308

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020137005704A KR20140015247A (ko) 2010-08-05 2011-08-05 태양전지용 백플레인 보강 및 상호연결부

Country Status (5)

Country Link
US (2) US8946547B2 (ko)
EP (1) EP2601687A4 (ko)
KR (1) KR20140015247A (ko)
MY (1) MY158500A (ko)
WO (1) WO2013055307A2 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101658733B1 (ko) * 2015-07-08 2016-09-21 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈
KR20180055916A (ko) * 2015-10-16 2018-05-25 선파워 코포레이션 태양 전지의 포일 기반 금속배선을 위한 압입 방식
US10312386B2 (en) 2016-01-28 2019-06-04 Lg Electronics Inc. Solar cell and method of manufacturing the same

Families Citing this family (81)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8399331B2 (en) 2007-10-06 2013-03-19 Solexel Laser processing for high-efficiency thin crystalline silicon solar cell fabrication
US8193076B2 (en) 2006-10-09 2012-06-05 Solexel, Inc. Method for releasing a thin semiconductor substrate from a reusable template
DE102008038184A1 (de) * 2008-08-19 2010-02-25 Suss Microtec Test Systems Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur temporären elektrischen Kontaktierung einer Solarzelle
US8294026B2 (en) 2008-11-13 2012-10-23 Solexel, Inc. High-efficiency thin-film solar cells
US9076642B2 (en) 2009-01-15 2015-07-07 Solexel, Inc. High-Throughput batch porous silicon manufacturing equipment design and processing methods
US8906218B2 (en) 2010-05-05 2014-12-09 Solexel, Inc. Apparatus and methods for uniformly forming porous semiconductor on a substrate
US9318644B2 (en) 2009-05-05 2016-04-19 Solexel, Inc. Ion implantation and annealing for thin film crystalline solar cells
WO2011100647A2 (en) 2010-02-12 2011-08-18 Solexel, Inc. Double-sided reusable template for fabrication of semiconductor substrates for photovoltaic cell and microelectronics device manufacturing
US8263899B2 (en) * 2010-07-01 2012-09-11 Sunpower Corporation High throughput solar cell ablation system
US8561878B2 (en) * 2010-09-27 2013-10-22 Banyan Energy, Inc. Linear cell stringing
US9748414B2 (en) 2011-05-20 2017-08-29 Arthur R. Zingher Self-activated front surface bias for a solar cell
US9490376B2 (en) * 2011-09-29 2016-11-08 Lg Electronics Inc. Solar cell module
DE102012200485A1 (de) * 2012-01-13 2013-07-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organische lichtemittierende Vorrichtung und Verfahren zum Prozessieren einer organischen lichtemittierenden Vorrichtung
US8828784B2 (en) * 2012-04-23 2014-09-09 Solexel, Inc. Resistance component extraction for back contact back junction solar cells
FR2983643A1 (fr) * 2012-05-15 2013-06-07 Commissariat Energie Atomique Dispositif et procede d'interconnexion electrique de cellules photovoltaiques
KR101528447B1 (ko) * 2012-05-29 2015-06-11 솔렉셀, 인크. 고효율 후면 접촉 태양 전지의 인접 및 비인접 베이스 영역의 형성 방법 및 구조체
US9640676B2 (en) * 2012-06-29 2017-05-02 Sunpower Corporation Methods and structures for improving the structural integrity of solar cells
US9515217B2 (en) 2012-11-05 2016-12-06 Solexel, Inc. Monolithically isled back contact back junction solar cells
US10090430B2 (en) 2014-05-27 2018-10-02 Sunpower Corporation System for manufacturing a shingled solar cell module
US9812592B2 (en) * 2012-12-21 2017-11-07 Sunpower Corporation Metal-foil-assisted fabrication of thin-silicon solar cell
JP6211783B2 (ja) * 2013-03-29 2017-10-11 三井化学東セロ株式会社 太陽電池モジュール
US9911875B2 (en) * 2013-04-23 2018-03-06 Beamreach-Solexel Assets LLC Solar cell metallization
ITTV20130059A1 (it) * 2013-04-24 2014-10-25 Vismunda S R L Procedimento per la lavorazione di pannelli fotovoltaici con architettura back-contact.
ITTV20130060A1 (it) * 2013-04-24 2014-10-25 Vismunda S R L Procedimento per la lavorazione di pannelli fotovoltaici con architettura back-contact.
NL2010766C2 (en) * 2013-05-07 2014-11-10 Stichting Energie Solar panel and method for manufacturing such a solar panel.
NL2012558C2 (en) * 2013-05-07 2015-01-05 Stichting Energie Solar panel and method for manufacturing such a solar panel.
CN103346181B (zh) * 2013-05-30 2017-03-22 南京日托光伏科技有限公司 一种无焊带太阳能电池组件及其制备方法
US9502596B2 (en) * 2013-06-28 2016-11-22 Sunpower Corporation Patterned thin foil
US20150040983A1 (en) * 2013-08-07 2015-02-12 Solarworld Industries America, Inc. Acidic etching process for si wafers
US20150155398A1 (en) * 2013-08-30 2015-06-04 Mehrdad M. Moslehi Photovoltaic monolithic solar module connection and fabrication methods
US9437756B2 (en) 2013-09-27 2016-09-06 Sunpower Corporation Metallization of solar cells using metal foils
KR102319721B1 (ko) 2013-10-29 2021-11-01 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 태양 전지 모듈
KR102124520B1 (ko) 2013-10-29 2020-06-18 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈 및 그 제조 방법
US9653638B2 (en) 2013-12-20 2017-05-16 Sunpower Corporation Contacts for solar cells formed by directing a laser beam with a particular shape on a metal foil over a dielectric region
US9178104B2 (en) 2013-12-20 2015-11-03 Sunpower Corporation Single-step metal bond and contact formation for solar cells
US20150221792A1 (en) * 2013-12-23 2015-08-06 Solexel, Inc. Self Aligned Contacts for Solar Cells
US9231129B2 (en) 2014-03-28 2016-01-05 Sunpower Corporation Foil-based metallization of solar cells
US9947812B2 (en) 2014-03-28 2018-04-17 Sunpower Corporation Metallization of solar cells
US9818903B2 (en) 2014-04-30 2017-11-14 Sunpower Corporation Bonds for solar cell metallization
EP4105858A1 (en) * 2014-05-27 2022-12-21 Maxeon Solar Pte. Ltd. Shingled solar cell module
US11482639B2 (en) 2014-05-27 2022-10-25 Sunpower Corporation Shingled solar cell module
US11942561B2 (en) 2014-05-27 2024-03-26 Maxeon Solar Pte. Ltd. Shingled solar cell module
US20150349706A1 (en) * 2014-06-03 2015-12-03 Sunpower Corporation Solar module cleaner
CN104124287B (zh) * 2014-06-20 2016-11-16 中山大学 一种单晶硅太阳电池背表面栅线电极结构及单晶硅太阳电池
US20160190365A1 (en) * 2014-08-18 2016-06-30 Solexel, Inc. Photovoltaic solar module metallization and shade management connection and fabrication methods
KR20170092522A (ko) * 2014-09-08 2017-08-11 더 리서치 파운데이션 포 더 스테이트 유니버시티 오브 뉴욕 금속 격자 및 이의 측정 방법
US9735308B2 (en) * 2014-09-18 2017-08-15 Sunpower Corporation Foil-based metallization of solar cells using removable protection layer
US9257575B1 (en) * 2014-09-18 2016-02-09 Sunpower Corporation Foil trim approaches for foil-based metallization of solar cells
JP6338990B2 (ja) * 2014-09-19 2018-06-06 株式会社東芝 多接合型太陽電池
US9559233B2 (en) 2014-09-25 2017-01-31 Sunpower Corporation Solar cell interconnection
US9997651B2 (en) 2015-02-19 2018-06-12 Sunpower Corporation Damage buffer for solar cell metallization
US10861999B2 (en) 2015-04-21 2020-12-08 Sunpower Corporation Shingled solar cell module comprising hidden tap interconnects
US20160380127A1 (en) * 2015-06-26 2016-12-29 Richard Hamilton SEWELL Leave-In Etch Mask for Foil-Based Metallization of Solar Cells
KR101661859B1 (ko) 2015-09-09 2016-09-30 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈 및 그 제조 방법
US11195966B2 (en) * 2015-09-11 2021-12-07 Sunpower Corporation Bifacial solar cells with reflective back contacts
US9620655B1 (en) 2015-10-29 2017-04-11 Sunpower Corporation Laser foil trim approaches for foil-based metallization for solar cells
CN105679851B (zh) * 2016-02-23 2017-07-04 深圳市创益科技发展有限公司 精密加工背接触式太阳能电池成电池芯片及电极引出方法
WO2017164099A1 (ja) * 2016-03-23 2017-09-28 シャープ株式会社 光電変換装置、光電変換モジュールおよび太陽光発電システム
US11424373B2 (en) 2016-04-01 2022-08-23 Sunpower Corporation Thermocompression bonding approaches for foil-based metallization of non-metal surfaces of solar cells
US10290763B2 (en) 2016-05-13 2019-05-14 Sunpower Corporation Roll-to-roll metallization of solar cells
USD877060S1 (en) * 2016-05-20 2020-03-03 Solaria Corporation Solar module
US9882071B2 (en) 2016-07-01 2018-01-30 Sunpower Corporation Laser techniques for foil-based metallization of solar cells
US10115855B2 (en) 2016-09-30 2018-10-30 Sunpower Corporation Conductive foil based metallization of solar cells
US10120111B2 (en) * 2016-12-14 2018-11-06 Google Llc Thin ceramic imaging screen for camera systems
US11908958B2 (en) 2016-12-30 2024-02-20 Maxeon Solar Pte. Ltd. Metallization structures for solar cells
US10672919B2 (en) * 2017-09-19 2020-06-02 Tesla, Inc. Moisture-resistant solar cells for solar roof tiles
US11190128B2 (en) 2018-02-27 2021-11-30 Tesla, Inc. Parallel-connected solar roof tile modules
WO2019195804A1 (en) 2018-04-06 2019-10-10 Sunpower Corporation Laser assisted metallization process for solar cell circuit formation
WO2019195806A2 (en) 2018-04-06 2019-10-10 Sunpower Corporation Local patterning and metallization of semiconductor structures using a laser beam
US11276785B2 (en) 2018-04-06 2022-03-15 Sunpower Corporation Laser assisted metallization process for solar cell fabrication
CN112119508A (zh) * 2018-04-06 2020-12-22 太阳能公司 用于太阳能电池串接的激光辅助金属化工艺
US11664472B2 (en) 2018-04-06 2023-05-30 Maxeon Solar Pte. Ltd. Laser assisted metallization process for solar cell stringing
AU2019269021B2 (en) * 2018-05-16 2024-03-14 Exeger Operations Ab A photovoltaic device
JP7203546B2 (ja) * 2018-09-25 2023-01-13 シャープ株式会社 太陽電池モジュール
EP3671866A1 (en) * 2018-12-18 2020-06-24 Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Photovoltaic product and method of manufacturing the same
CN111725335A (zh) * 2019-03-18 2020-09-29 福建金石能源有限公司 Hbc高效太阳能电池背电极连接及封装一体化结构
CA3151660A1 (en) * 2019-06-14 2020-12-17 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Solar module with metal foil interconnection of back-contacted photovoltaic cells
US11454820B2 (en) * 2019-10-17 2022-09-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Multifunctional collimator for contact image sensors
CN111755640A (zh) * 2020-05-21 2020-10-09 深圳市炜烨丰电子科技有限公司 电池盒组及电池盒组的制造方法
EP4053920A1 (de) * 2021-03-02 2022-09-07 AZUR SPACE Solar Power GmbH Solarzellenkontaktanordnung
CN114709274B (zh) * 2022-03-04 2024-01-23 江苏日托光伏科技股份有限公司 一种集成绝缘层的mwt光伏组件导电芯板及其制造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000124341A (ja) * 1998-10-21 2000-04-28 Sony Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2000196116A (ja) * 1998-12-28 2000-07-14 Sony Corp 集積型薄膜素子およびその製造方法
JP2001119053A (ja) * 1999-10-14 2001-04-27 Sony Corp 半導体素子およびその製造方法

Family Cites Families (188)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4082570A (en) 1976-02-09 1978-04-04 Semicon, Inc. High intensity solar energy converter
US4043894A (en) 1976-05-20 1977-08-23 Burroughs Corporation Electrochemical anodization fixture for semiconductor wafers
US4070206A (en) 1976-05-20 1978-01-24 Rca Corporation Polycrystalline or amorphous semiconductor photovoltaic device having improved collection efficiency
US4165252A (en) 1976-08-30 1979-08-21 Burroughs Corporation Method for chemically treating a single side of a workpiece
US4348254A (en) 1978-12-27 1982-09-07 Solarex Corporation Method of making solar cell
US4251679A (en) 1979-03-16 1981-02-17 E-Cel Corporation Electromagnetic radiation transducer
US4249959A (en) 1979-11-28 1981-02-10 Rca Corporation Solar cell construction
US4361950A (en) 1980-03-24 1982-12-07 Exxon Research & Engineering Co. Method of making solar cell with wrap-around electrode
US4394529A (en) 1981-08-05 1983-07-19 Rca Corporation Solar cell array with lightweight support structure
US4427839A (en) 1981-11-09 1984-01-24 General Electric Company Faceted low absorptance solar cell
US4479847A (en) 1981-12-30 1984-10-30 California Institute Of Technology Equilibrium crystal growth from substrate confined liquid
US4409423A (en) 1982-03-09 1983-10-11 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Hole matrix vertical junction solar cell
US4430519A (en) 1982-05-28 1984-02-07 Amp Incorporated Electron beam welded photovoltaic cell interconnections
US4461922A (en) 1983-02-14 1984-07-24 Atlantic Richfield Company Solar cell module
US4626613A (en) 1983-12-23 1986-12-02 Unisearch Limited Laser grooved solar cell
US4672023A (en) 1985-10-21 1987-06-09 Avantek, Inc. Method for planarizing wafers
US5024953A (en) 1988-03-22 1991-06-18 Hitachi, Ltd. Method for producing opto-electric transducing element
US4922277A (en) 1988-11-28 1990-05-01 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Silicon wafer photoresist developer
US5208068A (en) 1989-04-17 1993-05-04 International Business Machines Corporation Lamination method for coating the sidewall or filling a cavity in a substrate
GB8927709D0 (en) 1989-12-07 1990-02-07 Secretary Of The State For Def Silicon quantum wires
US5073230A (en) 1990-04-17 1991-12-17 Arizona Board Of Regents Acting On Behalf Of Arizona State University Means and methods of lifting and relocating an epitaxial device layer
US5420067A (en) 1990-09-28 1995-05-30 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method of fabricatring sub-half-micron trenches and holes
US5248621A (en) 1990-10-23 1993-09-28 Canon Kabushiki Kaisha Method for producing solar cell devices of crystalline material
US5112453A (en) 1990-10-31 1992-05-12 Behr Omri M Method and apparatus for producing etched plates for graphic printing
JP2912496B2 (ja) 1991-09-30 1999-06-28 シャープ株式会社 太陽電池モジュール
JPH0690014A (ja) 1992-07-22 1994-03-29 Mitsubishi Electric Corp 薄型太陽電池及びその製造方法，エッチング方法及び自動エッチング装置，並びに半導体装置の製造方法
EP0597428B1 (en) 1992-11-09 1997-07-30 Canon Kabushiki Kaisha Anodization apparatus with supporting device for substrate to be treated
US5316593A (en) 1992-11-16 1994-05-31 Midwest Research Institute Heterojunction solar cell with passivated emitter surface
JPH088370B2 (ja) 1993-03-05 1996-01-29 株式会社日立製作所 太陽電池用光閉じ込め構造体
DE4310206C2 (de) 1993-03-29 1995-03-09 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle aus einer Substratscheibe
EP0742959B1 (de) 1993-07-29 2001-11-14 Gerhard Willeke Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle, sowie nach diesem verfahren hergestellte Solarzelle
US5645684A (en) 1994-03-07 1997-07-08 The Regents Of The University Of California Multilayer high vertical aspect ratio thin film structures
US5660680A (en) 1994-03-07 1997-08-26 The Regents Of The University Of California Method for fabrication of high vertical aspect ratio thin film structures
US5538564A (en) 1994-03-18 1996-07-23 Regents Of The University Of California Three dimensional amorphous silicon/microcrystalline silicon solar cells
JPH07302923A (ja) 1994-04-28 1995-11-14 Canon Inc 光起電力素子
US5899360A (en) 1995-06-09 1999-05-04 Colgate - Palmolive Company Multi-chamber refillable dispenser
US5882988A (en) 1995-08-16 1999-03-16 Philips Electronics North America Corporation Semiconductor chip-making without scribing
AU701213B2 (en) 1995-10-05 1999-01-21 Suniva, Inc. Self-aligned locally deep-diffused emitter solar cell
US5616185A (en) 1995-10-10 1997-04-01 Hughes Aircraft Company Solar cell with integrated bypass diode and method
US5681392A (en) 1995-12-21 1997-10-28 Xerox Corporation Fluid reservoir containing panels for reducing rate of fluid flow
US5935653A (en) 1996-01-18 1999-08-10 Micron Technology, Inc. Methods for coating a substrate
US6399143B1 (en) 1996-04-09 2002-06-04 Delsys Pharmaceutical Corporation Method for clamping and electrostatically coating a substrate
US6058945A (en) 1996-05-28 2000-05-09 Canon Kabushiki Kaisha Cleaning methods of porous surface and semiconductor surface
US6091021A (en) 1996-11-01 2000-07-18 Sandia Corporation Silicon cells made by self-aligned selective-emitter plasma-etchback process
AUPO347196A0 (en) 1996-11-06 1996-12-05 Pacific Solar Pty Limited Improved method of forming polycrystalline-silicon films on glass
US6054363A (en) 1996-11-15 2000-04-25 Canon Kabushiki Kaisha Method of manufacturing semiconductor article
US6756289B1 (en) 1996-12-27 2004-06-29 Canon Kabushiki Kaisha Method of producing semiconductor member and method of producing solar cell
US20030039843A1 (en) 1997-03-14 2003-02-27 Christopher Johnson Photoactive coating, coated article, and method of making same
US7176111B2 (en) 1997-03-28 2007-02-13 Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) Method for depositing polycrystalline SiGe suitable for micromachining and devices obtained thereof
DE19715788C1 (de) 1997-04-16 1998-10-08 Eurocopter Deutschland Solargenerator für Satelliten
JP3740251B2 (ja) 1997-06-09 2006-02-01 キヤノン株式会社 太陽電池モジュールの製造方法
WO1999001893A2 (de) 1997-06-30 1999-01-14 MAX-PLANCK-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Verfahren zur herstellung von schichtartigen gebilden auf einem substrat, substrat sowie mittels des verfahrens hergestellte halbleiterbauelemente
JP3889856B2 (ja) 1997-06-30 2007-03-07 松下電器産業株式会社 突起電極付きプリント配線基板の製造方法
US6114046A (en) 1997-07-24 2000-09-05 Evergreen Solar, Inc. Encapsulant material for solar cell module and laminated glass applications
JP3501642B2 (ja) 1997-12-26 2004-03-02 キヤノン株式会社 基板処理方法
US6441297B1 (en) 1998-03-13 2002-08-27 Steffen Keller Solar cell arrangement
DE19811878C2 (de) 1998-03-18 2002-09-19 Siemens Solar Gmbh Verfahren und Ätzlösung zum naßchemischen pyramidalen Texturätzen von Siliziumoberflächen
US6416647B1 (en) 1998-04-21 2002-07-09 Applied Materials, Inc. Electro-chemical deposition cell for face-up processing of single semiconductor substrates
US6331208B1 (en) 1998-05-15 2001-12-18 Canon Kabushiki Kaisha Process for producing solar cell, process for producing thin-film semiconductor, process for separating thin-film semiconductor, and process for forming semiconductor
AUPP437598A0 (en) 1998-06-29 1998-07-23 Unisearch Limited A self aligning method for forming a selective emitter and metallization in a solar cell
JP2000022185A (ja) 1998-07-03 2000-01-21 Sharp Corp 太陽電池セル及びその製造方法
US6096229A (en) 1998-07-30 2000-08-01 Lucent Technologies Inc. Method of making alignment grooves in an optical connector support member
CA2246087A1 (en) 1998-08-28 2000-02-28 Northern Telecom Limited Method of cleaving a semiconductor wafer
EP0996145A3 (en) 1998-09-04 2000-11-08 Canon Kabushiki Kaisha Process for producing semiconductor substrate
US6555443B1 (en) 1998-11-11 2003-04-29 Robert Bosch Gmbh Method for production of a thin film and a thin-film solar cell, in particular, on a carrier substrate
US6461932B1 (en) 1998-12-14 2002-10-08 National Semiconductor Corporation Semiconductor trench isolation process that utilizes smoothening layer
JP2000277478A (ja) 1999-03-25 2000-10-06 Canon Inc 陽極化成装置、陽極化成システム、基板の処理装置及び処理方法、並びに基板の製造方法
US6881644B2 (en) 1999-04-21 2005-04-19 Silicon Genesis Corporation Smoothing method for cleaved films made using a release layer
JP3619053B2 (ja) 1999-05-21 2005-02-09 キヤノン株式会社 光電変換装置の製造方法
US6664169B1 (en) 1999-06-08 2003-12-16 Canon Kabushiki Kaisha Process for producing semiconductor member, process for producing solar cell, and anodizing apparatus
JP2001007362A (ja) 1999-06-17 2001-01-12 Canon Inc 半導体基材および太陽電池の製造方法
EP1212788B1 (en) 1999-08-26 2014-06-11 Brewer Science Improved fill material for dual damascene processes
US6274402B1 (en) 1999-12-30 2001-08-14 Sunpower Corporation Method of fabricating a silicon solar cell
US6602767B2 (en) 2000-01-27 2003-08-05 Canon Kabushiki Kaisha Method for transferring porous layer, method for making semiconductor devices, and method for making solar battery
AU781761B2 (en) 2000-03-09 2005-06-09 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum (Imec) Method for the formation and lift-off of porous silicon layers
US6964732B2 (en) 2000-03-09 2005-11-15 Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) Method and apparatus for continuous formation and lift-off of porous silicon layers
US6294725B1 (en) 2000-03-31 2001-09-25 Trw Inc. Wireless solar cell array electrical interconnection scheme
JP2001284622A (ja) 2000-03-31 2001-10-12 Canon Inc 半導体部材の製造方法及び太陽電池の製造方法
DE10021440A1 (de) 2000-05-03 2001-11-15 Univ Konstanz Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle und nach diesem Verfahren hergestellte Solarzelle
US6518172B1 (en) 2000-08-29 2003-02-11 Micron Technology, Inc. Method for applying uniform pressurized film across wafer
US6551908B2 (en) 2000-10-02 2003-04-22 Canon Kabushiki Kaisha Method for producing semiconductor thin films on moving substrates
US7632434B2 (en) 2000-11-17 2009-12-15 Wayne O. Duescher Abrasive agglomerate coated raised island articles
NL1016779C2 (nl) 2000-12-02 2002-06-04 Cornelis Johannes Maria V Rijn Matrijs, werkwijze voor het vervaardigen van precisieproducten met behulp van een matrijs, alsmede precisieproducten, in het bijzonder microzeven en membraanfilters, vervaardigd met een dergelijke matrijs.
US6602760B2 (en) 2000-12-21 2003-08-05 Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) Method of producing a semiconductor layer on a substrate
JP4903314B2 (ja) 2001-03-30 2012-03-28 京セラ株式会社 薄膜結晶質Ｓｉ太陽電池
US6969472B2 (en) 2001-04-19 2005-11-29 Lsi Logic Corporation Method of fabricating sub-micron hemispherical and hemicylidrical structures from non-spherically shaped templates
US6524880B2 (en) 2001-04-23 2003-02-25 Samsung Sdi Co., Ltd. Solar cell and method for fabricating the same
JP2002353423A (ja) 2001-05-25 2002-12-06 Canon Inc 板部材の分離装置及び処理方法
JP2003052185A (ja) 2001-05-30 2003-02-21 Canon Inc 電力変換器およびそれを用いる光起電力素子モジュール並びに発電装置
DE10140589A1 (de) 2001-08-18 2003-02-27 Heraeus Gmbh W C Sputtertarget aus einer Siliziumlegierung und Verfahren zur Herstellung eines Sputtertargets
CN100569656C (zh) 2001-10-30 2009-12-16 日挥触媒化成株式会社 管状氧化钛颗粒及其制备方法和用途
JP2004055803A (ja) 2002-07-19 2004-02-19 Renesas Technology Corp 半導体装置
US6995032B2 (en) 2002-07-19 2006-02-07 Cree, Inc. Trench cut light emitting diodes and methods of fabricating same
EP1385199A1 (en) 2002-07-24 2004-01-28 IMEC vzw, Interuniversitair Microelectronica Centrum vzw Method for making thin film devices intended for solar cells or SOI application
US7332369B2 (en) 2002-08-06 2008-02-19 Merck Patent Gmbh Organic electronic devices
US6908846B2 (en) 2002-10-24 2005-06-21 Lam Research Corporation Method and apparatus for detecting endpoint during plasma etching of thin films
EP2251911B1 (en) 2002-10-25 2017-11-29 Nakajima Glass Co., Inc. Solar battery module manufacturing method
GB0227902D0 (en) 2002-11-29 2003-01-08 Ingenia Holdings Ltd Template
NL1022155C2 (nl) 2002-12-12 2004-06-22 Otb Group Bv Werkwijze, alsmede inrichting voor het behandelen van een oppervlak van ten minste één substraat.
US7312440B2 (en) 2003-01-14 2007-12-25 Georgia Tech Research Corporation Integrated micro fuel processor and flow delivery infrastructure
US7402448B2 (en) 2003-01-31 2008-07-22 Bp Corporation North America Inc. Photovoltaic cell and production thereof
US6911379B2 (en) 2003-03-05 2005-06-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of forming strained silicon on insulator substrate
US20040175893A1 (en) 2003-03-07 2004-09-09 Applied Materials, Inc. Apparatuses and methods for forming a substantially facet-free epitaxial film
US7388147B2 (en) 2003-04-10 2008-06-17 Sunpower Corporation Metal contact structure for solar cell and method of manufacture
US7170001B2 (en) 2003-06-26 2007-01-30 Advent Solar, Inc. Fabrication of back-contacted silicon solar cells using thermomigration to create conductive vias
JP4761706B2 (ja) 2003-12-25 2011-08-31 京セラ株式会社 光電変換装置の製造方法
JP3982502B2 (ja) 2004-01-15 2007-09-26 セイコーエプソン株式会社 描画装置
EP1560272B1 (en) 2004-01-29 2016-04-27 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Solar cell module
US7335555B2 (en) 2004-02-05 2008-02-26 Advent Solar, Inc. Buried-contact solar cells with self-doping contacts
US7144751B2 (en) 2004-02-05 2006-12-05 Advent Solar, Inc. Back-contact solar cells and methods for fabrication
US20070074755A1 (en) 2005-10-03 2007-04-05 Nanosolar, Inc. Photovoltaic module with rigidizing backplane
JP2005268719A (ja) 2004-03-22 2005-09-29 Sharp Corp 薄膜太陽電池
US7244682B2 (en) 2004-05-06 2007-07-17 Micron Technology, Inc. Methods of removing metal-containing materials
US7431795B2 (en) 2004-07-29 2008-10-07 Applied Materials, Inc. Cluster tool and method for process integration in manufacture of a gate structure of a field effect transistor
US20060021565A1 (en) 2004-07-30 2006-02-02 Aonex Technologies, Inc. GaInP / GaAs / Si triple junction solar cell enabled by wafer bonding and layer transfer
WO2006031798A2 (en) 2004-09-10 2006-03-23 Jx Crystals Inc. Solar photovoltaic mirror modules
JP4464240B2 (ja) 2004-10-06 2010-05-19 キヤノン株式会社 部材の処理装置及び処理方法
DE102004050269A1 (de) 2004-10-14 2006-04-20 Institut Für Solarenergieforschung Gmbh Verfahren zur Kontakttrennung elektrisch leitfähiger Schichten auf rückkontaktierten Solarzellen und Solarzelle
FR2877144B1 (fr) * 2004-10-22 2006-12-08 Solarforce Soc Par Actions Sim Structure multicouche monolithique pour la connexion de cellules a semi-conducteur
JP4334455B2 (ja) 2004-10-22 2009-09-30 シャープ株式会社 太陽電池モジュール
US7309658B2 (en) 2004-11-22 2007-12-18 Intermolecular, Inc. Molecular self-assembly in substrate processing
US20090107545A1 (en) 2006-10-09 2009-04-30 Soltaix, Inc. Template for pyramidal three-dimensional thin-film solar cell manufacturing and methods of use
US8420435B2 (en) 2009-05-05 2013-04-16 Solexel, Inc. Ion implantation fabrication process for thin-film crystalline silicon solar cells
US8129822B2 (en) 2006-10-09 2012-03-06 Solexel, Inc. Template for three-dimensional thin-film solar cell manufacturing and methods of use
US7700400B2 (en) 2004-12-27 2010-04-20 Naoetsu Electronics Co., Ltd. Back junction solar cell and process for producing the same
JP4340246B2 (ja) 2005-03-07 2009-10-07 シャープ株式会社 薄膜太陽電池およびその製造方法
US7402523B2 (en) 2005-03-31 2008-07-22 Tokyo Electron Limited Etching method
US7687372B2 (en) * 2005-04-08 2010-03-30 Versatilis Llc System and method for manufacturing thick and thin film devices using a donee layer cleaved from a crystalline donor
US20060266916A1 (en) 2005-05-25 2006-11-30 Molecular Imprints, Inc. Imprint lithography template having a coating to reflect and/or absorb actinic energy
US20060283495A1 (en) 2005-06-06 2006-12-21 Solaria Corporation Method and system for integrated solar cell using a plurality of photovoltaic regions
US7648927B2 (en) 2005-06-21 2010-01-19 Applied Materials, Inc. Method for forming silicon-containing materials during a photoexcitation deposition process
US20070077763A1 (en) 2005-09-30 2007-04-05 Molecular Imprints, Inc. Deposition technique to planarize a multi-layer structure
KR100699348B1 (ko) 2005-10-11 2007-03-23 삼성전자주식회사 포토레지스트 용액을 효율적으로 사용하는 분사식포토레지스트 코팅 장치 및 방법
CN101395722B (zh) 2006-03-01 2010-06-02 三洋电机株式会社 太阳能电池单元和使用该太阳能电池单元的太阳能电池模块
US7737357B2 (en) 2006-05-04 2010-06-15 Sunpower Corporation Solar cell having doped semiconductor heterojunction contacts
US20080006319A1 (en) 2006-06-05 2008-01-10 Martin Bettge Photovoltaic and photosensing devices based on arrays of aligned nanostructures
US7786376B2 (en) 2006-08-22 2010-08-31 Solexel, Inc. High efficiency solar cells and manufacturing methods
US8716594B2 (en) 2006-09-26 2014-05-06 Banpil Photonics, Inc. High efficiency photovoltaic cells with self concentrating effect
US7745313B2 (en) 2008-05-28 2010-06-29 Solexel, Inc. Substrate release methods and apparatuses
US8293558B2 (en) 2006-10-09 2012-10-23 Solexel, Inc. Method for releasing a thin-film substrate
US8193076B2 (en) 2006-10-09 2012-06-05 Solexel, Inc. Method for releasing a thin semiconductor substrate from a reusable template
US20100304521A1 (en) 2006-10-09 2010-12-02 Solexel, Inc. Shadow Mask Methods For Manufacturing Three-Dimensional Thin-Film Solar Cells
US8035028B2 (en) 2006-10-09 2011-10-11 Solexel, Inc. Pyramidal three-dimensional thin-film solar cells
US8512581B2 (en) 2006-10-09 2013-08-20 Solexel, Inc. Methods for liquid transfer coating of three-dimensional substrates
US7999174B2 (en) 2006-10-09 2011-08-16 Solexel, Inc. Solar module structures and assembly methods for three-dimensional thin-film solar cells
US20080264477A1 (en) 2006-10-09 2008-10-30 Soltaix, Inc. Methods for manufacturing three-dimensional thin-film solar cells
US20080128641A1 (en) 2006-11-08 2008-06-05 Silicon Genesis Corporation Apparatus and method for introducing particles using a radio frequency quadrupole linear accelerator for semiconductor materials
JP4846551B2 (ja) 2006-12-18 2011-12-28 シャープ株式会社 太陽電池およびその製造方法
WO2008080160A1 (en) 2006-12-22 2008-07-03 Advent Solar, Inc. Interconnect technologies for back contact solar cells and modules
WO2008136872A2 (en) 2006-12-22 2008-11-13 Adriani Paul M Structures for low cost, reliable solar modules
EP2264755A3 (en) 2007-01-24 2011-11-23 S.O.I.TEC Silicon on Insulator Technologies S.A. Method for manufacturing silicon on insulator wafers and corresponding wafer
CN101675531B (zh) 2007-02-16 2013-03-06 纳克公司 太阳能电池结构、光生伏打模块及对应的工艺
KR20100015622A (ko) 2007-03-16 2010-02-12 비피 코포레이션 노쓰 아메리카 인코포레이티드 태양 전지
FR2914501B1 (fr) 2007-03-28 2009-12-04 Commissariat Energie Atomique Dispositif photovoltaique a structure a heterojonctions interdigitee discontinue
WO2008157577A2 (en) * 2007-06-18 2008-12-24 E-Cube Technologies, Inc. Methods and apparatuses for improving power extraction from solar cells
JP5252472B2 (ja) * 2007-09-28 2013-07-31 シャープ株式会社 太陽電池、太陽電池の製造方法、太陽電池モジュールの製造方法および太陽電池モジュール
WO2009052511A2 (en) 2007-10-18 2009-04-23 Belano Holdings, Ltd. Mono-silicon solar cells
EP2220687A1 (en) 2007-11-19 2010-08-25 Applied Materials, Inc. Solar cell contact formation process using a patterned etchant material
US20100243028A1 (en) 2007-11-22 2010-09-30 Yasushi Sainoo Element interconnection member, photoelectric conversion element and a series of photoelectric conversion elements including the same, and photoelectric conversion module
JP2009135338A (ja) 2007-11-30 2009-06-18 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池及び太陽電池の製造方法
DE102007059486A1 (de) 2007-12-11 2009-06-18 Institut Für Solarenergieforschung Gmbh Rückkontaktsolarzelle mit länglichen, ineinander verschachtelten Emitter- und Basisbereichen an der Rückseite und Herstellungsverfahren hierfür
EP2071632B1 (en) 2007-12-14 2013-02-27 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Thin-film solar cell and process for its manufacture
DE102008013446A1 (de) 2008-02-15 2009-08-27 Ersol Solar Energy Ag Verfahren zur Herstellung monokristalliner n-Silizium-Solarzellen sowie Solarzelle, hergestellt nach einem derartigen Verfahren
KR101155343B1 (ko) 2008-02-25 2012-06-11 엘지전자 주식회사 백 콘택 태양전지의 제조 방법
US8049521B2 (en) 2008-04-14 2011-11-01 Applied Materials, Inc. Solar parametric testing module and processes
US20090301559A1 (en) 2008-05-13 2009-12-10 Georgia Tech Research Corporation Solar cell having a high quality rear surface spin-on dielectric layer
US20100144080A1 (en) 2008-06-02 2010-06-10 Solexel, Inc. Method and apparatus to transfer coat uneven surface
US7851698B2 (en) 2008-06-12 2010-12-14 Sunpower Corporation Trench process and structure for backside contact solar cells with polysilicon doped regions
DE102009014348A1 (de) 2008-06-12 2009-12-17 Bayer Materialscience Ag Leichtes, biegesteifes und selbsttragendes Solarmodul sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung
WO2010009295A2 (en) 2008-07-16 2010-01-21 Applied Materials, Inc. Hybrid heterojunction solar cell fabrication using a metal layer mask
CN102132423A (zh) * 2008-08-27 2011-07-20 应用材料股份有限公司 背接触式太阳能电池模块
US7999175B2 (en) 2008-09-09 2011-08-16 Palo Alto Research Center Incorporated Interdigitated back contact silicon solar cells with laser ablated grooves
US20100108130A1 (en) 2008-10-31 2010-05-06 Crystal Solar, Inc. Thin Interdigitated backside contact solar cell and manufacturing process thereof
US8288195B2 (en) 2008-11-13 2012-10-16 Solexel, Inc. Method for fabricating a three-dimensional thin-film semiconductor substrate from a template
US8294026B2 (en) 2008-11-13 2012-10-23 Solexel, Inc. High-efficiency thin-film solar cells
MY160251A (en) 2008-11-26 2017-02-28 Solexel Inc Truncated pyramid -structures for see-through solar cells
EP2395544A4 (en) 2009-02-05 2013-02-20 Sharp Kk METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE
MY162405A (en) 2009-02-06 2017-06-15 Solexel Inc Trench Formation Method For Releasing A Thin-Film Substrate From A Reusable Semiconductor Template
US8828517B2 (en) 2009-03-23 2014-09-09 Solexel, Inc. Structure and method for improving solar cell efficiency and mechanical strength
CN102428565A (zh) 2009-03-26 2012-04-25 Bp北美公司 用于在热扩散掺杂区域中带有激光烧结接触的太阳能电池的设备和方法
WO2010120850A1 (en) 2009-04-14 2010-10-21 Solexel, Inc. High efficiency epitaxial chemical vapor deposition (cvd) reactor
US20120048335A1 (en) 2009-04-23 2012-03-01 Sharp Kabushiki Kaisha Wiring sheet, wiring sheet-equipped solar cells, and solar cell module
US9099584B2 (en) 2009-04-24 2015-08-04 Solexel, Inc. Integrated three-dimensional and planar metallization structure for thin film solar cells
EP2427914A4 (en) 2009-05-05 2013-06-05 Solexel Inc HIGH PRODUCTION PLANT FOR THE PRODUCTION OF POROUS SEMICONDUCTORS
US8445314B2 (en) 2009-05-22 2013-05-21 Solexel, Inc. Method of creating reusable template for detachable thin film substrate
EP2436028B1 (en) 2009-05-29 2016-08-10 Solexel, Inc. See-through three-dimensional thin-film solar cell semiconductor substrate and methods of manufacturing
US8624436B2 (en) 2009-06-09 2014-01-07 Andre Poskatcheev Willis Power harvesting circuit and method for serially coupled DC power sources
EP2510551B1 (en) 2009-12-09 2017-08-02 Solexel, Inc. Method for manufacturing back contact back junction solar cells

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000124341A (ja) * 1998-10-21 2000-04-28 Sony Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2000196116A (ja) * 1998-12-28 2000-07-14 Sony Corp 集積型薄膜素子およびその製造方法
JP2001119053A (ja) * 1999-10-14 2001-04-27 Sony Corp 半導体素子およびその製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
일본 공개특허공보 특개2000-196116호(2000.07.14.) 1부. *

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101658733B1 (ko) * 2015-07-08 2016-09-21 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈
US10516070B2 (en) 2015-07-08 2019-12-24 Lg Electronics Inc. Solar cell module
KR20180055916A (ko) * 2015-10-16 2018-05-25 선파워 코포레이션 태양 전지의 포일 기반 금속배선을 위한 압입 방식
US10312386B2 (en) 2016-01-28 2019-06-04 Lg Electronics Inc. Solar cell and method of manufacturing the same
US10600926B2 (en) 2016-01-28 2020-03-24 Lg Electronics Inc. Solar cell and method of manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
US20150144190A1 (en) 2015-05-28
US8946547B2 (en) 2015-02-03
WO2013055307A3 (en) 2013-10-24
WO2013055307A2 (en) 2013-04-18
EP2601687A4 (en) 2018-03-07
US20120103408A1 (en) 2012-05-03
US10181535B2 (en) 2019-01-15
MY158500A (en) 2016-10-14
EP2601687A2 (en) 2013-06-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20140015247A (ko) 태양전지용 백플레인 보강 및 상호연결부
KR102015591B1 (ko) 박형 실리콘 태양 전지용 활성 후면판
US20160013335A1 (en) Active backplane for thin silicon solar cells
JP7186832B2 (ja) 光起電力電池及びラミネートの金属化
JP6328606B2 (ja) 背面接触型太陽光発電モジュールの半導体ウエハのセル及びモジュール処理
JP6250552B2 (ja) マルチレベルソーラーセルメタライゼーション
EP3050122B1 (en) Metallization of solar cells using metal foils
US20170278991A1 (en) Multi-level solar cell metallization
US9911875B2 (en) Solar cell metallization
JP2017195401A (ja) 薄い結晶半導体吸収体を使用する高効率ソーラー光発電セルおよびモジュール
US20150171230A1 (en) Fabrication methods for back contact solar cells
US20130228221A1 (en) Manufacturing methods and structures for large-area thin-film solar cells and other semiconductor devices
US20130213469A1 (en) High efficiency solar cell structures and manufacturing methods
US20170236954A1 (en) High efficiency solar cell structures and manufacturing methods
EP2915195A2 (en) Systems and methods for monolithically isled solar photovoltaic cells and modules
KR20150132281A (ko) 반도체들을 위한 독립 금속 물품
CN112136218A (zh) 用于太阳能电池电路形成的激光辅助金属化工艺
JP2008135573A (ja) 太陽電池素子、太陽電池モジュール及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application