JP4464240B2 - 部材の処理装置及び処理方法 - Google Patents
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Description
Volker Lehmann, Electrochemistry of Silicon, WILEY−VCH, Germany, 2002, p.p.107−108.
本発明の第2の側面は、第1面と、前記第1面の反対側の面である第2面と、を有する部材の前記第1面の一部を電気化学的に処理する処理方法に係り、前記処理方法は、前記第1面の第1部分に第1電極が対向し、前記第1面の第2部分に第2電極が対向し、前記第2電極と前記部材との距離が前記第1電極と前記部材との距離より小さく、かつ、前記部材に対して第3電極によって前記第2面側から電位が与えられるように、前記部材を配置する工程と、前記第1電極、前記第2電極及び前記第3電極に対して、前記第2電極と前記第3電極との間の電界強度が前記第1電極と前記第3電極との間の電界強度よりも小さくなるように、電位を与えながら前記部材を処理する工程とを含み、前記第1部分は円形状を有し、前記第2部分は前記第1部分の外側に配置され、リング形状を有する。
図1は、本発明の第1実施形態の処理装置の構成を示す図である。図1に示す処理装置100は、第1面10a及び第2面10bを有する部材としての基板(例えば、シリコン基板)10の第1面10aの一部を電気化学的に処理するように構成される。電気化学的な処理としては、例えば、化成、めっき、電界酸化等を挙げることができる。
半導体基板; P+シリコン基板、比抵抗 16mΩ・cm
化成液; HF:IPA = 42.5:9.2(wt.%)(フッ化水素酸とIPAを混合して調製)
化成液深; 半導体基板表面より20mm
電流条件(陰極=第1電極115、陽極=第3電極150); 5.12A、210秒
半導体基板(半径90mmから最外周までの領域)と第2電極との距離; 1mm
半導体基板と第2電極との間の電位差; 0(等電位)
図2は、本発明の第2実施形態の処理装置の構成を示す図である。図2に示す処理装置200は、第1面10a及び第2面10bを有する部材としての基板(例えば、シリコン基板)10の第1面10aの一部を電気化学的に処理するように構成される。電気化学的な処理としては、例えば、化成、めっき、電界酸化等を挙げることができる。
Claims (5)
- 第1面と、前記第1面の反対側の面である第2面と、を有する部材の前記第1面の一部を電気化学的に処理する処理装置であって、
前記第1面が露出するように前記部材を支持する支持体と、
前記第1面の第1部分に対向するように配置される第1電極と、
前記第1面の第2部分に対向するように配置される第2電極と、
前記部材に対して前記第2面側から電位を与える第3電極と、
前記第1電極及び前記第2電極と前記部材との間に処理液を満たすための処理槽と、
前記第2電極と前記第3電極との間の電界強度を前記第1電極と前記第3電極との間の電界強度よりも小さくするように前記第1電極、前記第2電極及び前記第3電極に電位を提供する電源装置とを備え、
前記第1部分は円形状を有し、前記第2部分は前記第1部分の外側に配置され、リング形状を有し、
前記第2電極と前記部材との距離が前記第1電極と前記部材との距離より小さくなるように前記第1電極及び前記第2電極が配置されていることを特徴とする処理装置。 - 前記第1電極及び前記第2電極は、前記部材に接触しない位置に配置されることを特徴とする請求項1に記載の処理装置。
- 前記電源装置は、前記第2の電極と前記第3の電極とを等電位とする回路を含むことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の処理装置。
- 前記第2電極と前記部材との距離は1mm以下であり、前記第1電極と前記部材との距離は5mm以上であることを特徴とする請求項1乃至3に記載の処理装置。
- 第1面と、前記第1面の反対側の面である第2面と、を有する部材の前記第1面の一部を電気化学的に処理する処理方法であって、
前記第1面の第1部分に第1電極が対向し、前記第1面の第2部分に第2電極が対向し、前記第2電極と前記部材との距離が前記第1電極と前記部材との距離より小さく、かつ、前記部材に対して第3電極によって前記第2面側から電位が与えられるように、前記部材を配置する工程と、
前記第1電極、前記第2電極及び前記第3電極に対して、前記第2電極と前記第3電極との間の電界強度が前記第1電極と前記第3電極との間の電界強度よりも小さくなるように、電位を与えながら前記部材を処理する工程とを含み、
前記第1部分は円形状を有し、前記第2部分は前記第1部分の外側に配置され、リング形状を有する、
ことを特徴とする処理方法。
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