KR20120049679A - 전단응력을 이용한 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액 - Google Patents

전단응력을 이용한 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액 Download PDF

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Abstract

본 발명은 대면적/저결함 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액에 관한 것으로서, 분말상태의 그래파이트 플레이크(flake)로부터 분말상태의 산화 그래파이트 플레이크를 합성하는 제1단계와; 상기 제 1단계의 산화 그래파이트 플레이크를 용매 내에 분산시켜 산화 그래파이트 분산용액을 제조하는 제2단계와; 상기 산화 그래파이트 분산용액에 물리적 전단응력을 인가하여 산화 그래파이트의 박리를 통하여 분산용액 내에 단일층 산화 그래핀을 형성하여 단일층 산화 그래핀 분산용액을 제조하는 제3단계와; 상기 단일층 산화 그래핀 분산용액을 습식공정을 이용하여 환원시켜 단일층 산화 그래핀 환원물을 형성하여 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액을 제조하는 제4단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전단응력을 이용한 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액을 기술적 요지로 한다. 또한 산화 그래핀 시트 분산용액을 형성시키는 과정에서, 상기 전단응력을 인가시킬 수 있는 호모게나이저를 이용한 단일층 산화 그래핀 분산용액 및 그 환원물의 제조방법을 기술적 요지로 한다. 이에 따라, 대면적과 저결함을 갖는 고품질 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액을 제조할 수 있으며, 이를 이용하여 필름을 제작할 경우 스프레이, 딥코팅, 스핀코팅, 스크린프린팅, 잉크젯프린팅, 패드프린팅, 나이프코팅, 키스코팅 및 그라비아 코팅 기법과 같은 습식공정에 직접 적용될 수 있는 그래핀기반 분산용액을 제조할 수 있으며, 필름을 제작할 경우 투명도 및 전기전도도가 우수하여 투명전도성 필름으로 적용이 가능한 이점이 있다.

Description

전단응력을 이용한 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액{manufacturing method of single-layered reduced graphene oxide dispersion solution using shear stress and the single-layered reduced graphene oxide dispersion solution thereby}
본 발명은 대면적/저결함 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액에 관한 것으로서, 전단응력을 이용하여 산화 그래파이트를 용매 내에서 박리 및 분산시킴으로서 대면적 및 저결함을 갖는 단일층 산화 그래핀을 형성 한 후, 상기 단일층 산화 그래핀을 습식공정을 이용한 환원과정을 통하여 산화 그래핀의 환원물 분산용액을 제조하는 방법 및 이에 의해 제조된 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액에 관한 것이다.
일반적으로 그래핀은 탄소원자들이 2차원 상에서 sp2 결합에 의한 6각형 모양으로 연결된 배열을 이루면서 원자 한층의 두께를 가지는 반 금속성 물질이다. 최근 그래파이트로부터 한층의 그래핀 시트를 박리시켜 특성을 평가한 결과 전자의 이동도가 50,000 cm2/Vs 이상으로서 전자가 이동할 경우 마치 질량이 제로인 것처럼 흐르는 광속과 같은 속도를 나타내었다.
또한, 그래핀은 구조적 화학적 안정성 및 뛰어난 열 전도도의 특징을 가지고 있다. 뿐만 아니라 상대적으로 가벼운 원소인 탄소만으로 이루어져 1차원 혹은 2차원 나노패턴을 가공하기가 용이하다. 무엇보다도 상기 그래핀 시트는 값싼 재료로서 기존의 나노재료와 비교할 경우 우수한 가격경쟁력을 갖고 있다.
이러한 전기적, 구조적, 화학적, 경제적 특성으로 인하여 그래핀은 향후 실리콘 기반 반도체 기술 및 투명전극을 대체할 수 있을 것으로 예측되며, 특히 우수한 기계적 물성으로 유연 전자소자 분야에 응용이 가능할 것으로 기대된다.
그러나, 이러한 뛰어난 특성에도 불구하고 그 동안 고품질 그래핀의 대량 합성법이 개발되지 못했기 때문에 실제 적용 가능한 기술에 대한 연구는 매우 제한적이었다.
예를 들면 첫째, 기존 습식 공정법인 휴머스법(W. Hummers 외 1명, J. Am. Chem. Soc., 80, 1339, 1958), 브로디법(B. C. Brodie, Ann. Chim. Phys., 59, 466-472, 1860), 스타우덴마이어법(L. Staudenmaier, Ber. Dtsch. Chem. Ges., 31, 1481-1499, 1898) 등을 이용하여 그래파이트 결정을 화학/기계적으로 처리하여 얻는 그래핀 필름은 상업적으로 응용 가능한 공정으로서 스프레이, 딥코팅, 스핀코팅, 스크린프린팅, 잉크젯프린팅, 패드프린팅, 나이프코팅, 키스코팅 및 그라비아 코팅 기법에 직접적으로 적용 가능한 방법이지만, 기계적/전기적 성질이 기대에 미치지 못하고 있다.
일반적으로, 그래핀의 제조방법은 산화그래파이트 형성 후 수용액에 분산 시키는 과정, 산화그래핀을 환원시키는 과정을 포함한다. 이때, 산화 그래핀의 형성은 초음파분쇄기를 이용한 박리를 통하여 형성된다. 그러나, 산처리 및 초음파분쇄과정 중 형성되는 다양한 결함과 산소를 함유한 관능기들이 그래핀의 표면에 존재하기 때문에 부도체 성질을 띄게 된다.
이를 해결하기 위해서 화학적 및 열적 환원을 통하여 산화 그래핀의 환원물 (Reduced Graphene Oxide)을 제조하게된다. 또한, 그래핀의 박리 시 얻어지는 필름의 크기가 수 마이크로미터 정도이기 때문에 형성되는 면저항의 증가가 전극응용의 저해요인이 되고 있다.
이와 같은 산화작용기의 최소화 및 대면적 그래핀의 제조를 통한 기계적/광전기적 특성향상을 위한 연구가 최근 활발히 진행되고 있으며 특히, 미국의 Texas Austin 대학의 Rod Rouoff 교수 연구팀에서 습식공정을 통한 그래핀 형성에 관한 연구를 진행하고 있다.
그리고, 건식공정법으로서 화학기상증착법(대한민국특허청 공개특허 공보 공개번호: 10-2007-0132682)을 이용한 단결정 그래핀 합성, 트랜스퍼 및 패터닝 방법을 개발하여 그래핀의 전기적특성을 개선하고자 하였다. 위 방법은 촉매를 실리콘 기판에 박막증착한 후 화학기상증착법을 이용하여 단결정 그래핀을 합성하는 방법이다(MIT의 J. Kong 그룹, 성균관대 홍병희 교수 그룹). 합성된 그래핀 필름은 ITO와 비슷한 투명도와 전기전도도를 가지면서도 유연한 특성을 지니고 있다.
그러나, 그래핀 성장 시 형성되는 그래핀 표면의 도메인(domain)으로 인한 결함 형성으로 인하여 전기적 특성이 저하되는 현상을 보이며, 제한된 크기의 챔버 내에서 그래핀을 성장시켜야 하는 점 및 기판 위에 성장된 그래핀의 트랜스퍼 시 형성되는 크랙(crack)을 최소화 하기 위한 방법을 찾아내기 위한 연구가 필요한 실정이다.
본 발명은 상기한 종래기술들의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 전단응력을 이용하여 산화 그래파이트를 용매 내에서 박리 및 분산시킴으로서 대면적 및 저결함을 갖는 단일층 산화 그래핀을 형성 한 후, 상기 단일층 산화 그래핀을 습식공정을 이용한 환원과정을 통하여 산화 그래핀의 환원물 분산용액을 제조하기 위한 전단응력을 이용한 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액의 제공을 그 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 분말상태의 그래파이트 플레이크(flake)로부터 분말상태의 산화 그래파이트 플레이크를 합성하는 제1단계와; 상기 제 1단계의 산화 그래파이트 플레이크를 용매 내에 분산시켜 산화 그래파이트 분산용액을 제조하는 제2단계와; 상기 산화 그래파이트 분산용액에 물리적 전단응력을 인가하여 산화 그래파이트의 박리를 통하여 분산용액 내에 단일층 산화 그래핀을 형성하여 단일층 산화 그래핀 분산용액을 제조하는 제3단계와; 상기 단일층 산화 그래핀 분산용액을 습식공정을 이용하여 환원시켜 단일층 산화 그래핀 환원물을 형성하여 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액을 제조하는 제4단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전단응력을 이용한 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액을 기술적 요지로 한다.
또한, 상기 제1단계의 산화 그래파이트 플레이크의 합성은, 분말상태의 그래파이트 플레이크(flake)를 산처리를 통해 합성하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 제2단계의 용매는, 수산화나트륨(NaOH), 수산화칼륨(KOH), 수산화암모늄(NH4OH), 수산화리튬(LiOH), 수산화칼슘(Ca(OH)2) 수용액 및 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸알콜, 에틸알콜, 이소프로필알콜, 부틸알콜, 에틸렌글라이콜, 폴리에틸렌글라이콜, 테트라하이드로푸란, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아마이드, N-메틸-2-피롤리돈, 헥산, 사이클로헥사논, 톨루엔, 클로로포름, 증류수, 디클로로벤젠, 디메틸벤젠, 트리메틸벤젠, 피리딘, 메틸나프탈렌, 니트로메탄, 아크릴로니트릴, 옥타데실아민, 아닐린, 디메틸설폭사이드 유기용매 중 어느 하나를 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 제3단계의 물리적 전단응력 인가는 호모게나이저 또는 고압균질기를 사용하여 산화 그래파이트를 박리시키는 것이 바람직하다.
또한, 상기 제4단계의 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액은, 용매에 중화시킨 후 환원제를 사용하여 환원시켜 형성하는 것이 바람직하다.
여기에서, 상기 환원제는 수산화나트륨(NaOH), 수산화칼륨(KOH), 수산화 암모늄(NH4OH), 수소화붕소나트륨(NaBH4), 히드라진(N2H4), 히드리오딘(HI), 비타민씨(Vitamin C) 중 어느 하나가 사용되는 것이 바람직하며, 또한, 상기 용매는, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸알콜, 에틸알콜, 이소프로필알콜, 부틸알콜, 에틸렌글라이콜, 폴리에틸렌글라이콜, 테트라하이드로푸란, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아마이드, N-메틸-2-피롤리돈, 헥산, 사이클로헥사논, 톨루엔, 클로로포름, 증류수, 디클로로벤젠, 디메틸벤젠, 트리메틸벤젠, 피리딘, 메틸나프탈렌, 니트로메탄, 아크릴로니트릴, 옥타데실아민, 아닐린, 디메틸설폭사이드 중 선택된 하나 이상이 사용되는 것이 바람직하다.
상기 과제 해결 수단에 의해 대면적과 저결함을 갖는 고품질 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액을 제조할 수 있으며, 이를 이용하여 필름을 제작할 경우 스프레이, 딥코팅, 스핀코팅, 스크린프린팅, 잉크젯프린팅, 패드프린팅, 나이프코팅, 키스코팅 및 그라비아 코팅 기법과 같은 습식공정에 직접 적용될 수 있는 그래핀 기반 분산용액을 제조할 수 있어 투명도 및 전기전도도가 우수하여 투명전도성 필름으로 적용이 가능한 효과가 있다.
도 1 - 본 발명의 실시예에 따른 전단응력을 이용한 이차원 구조의 대면적 단일층 산화 그래핀 및 산화 그래핀 환원물의 제조방법에 대한 모식도.
도 2 - 본 발명의 실시예에 따라 호모게나이저를 이용하여 제작된 단일층 산화 그래핀 및 기존의 초음파 분쇄에 의해 제작된 산화 그래핀에 대한 결함의 정도 및 단일층 산화 그래핀의 유무를 관찰하기 위한 라만 분광기를 이용하여 측정한 스펙트럼 데이타를 나타낸 도.
도 3 - 본 발명의 실시예에 따라 호모게나이저를 이용하여 제작된 단일층 산화 그래핀 환원물및 기존의 초음파 분쇄에 의해 제작된 산화 그래핀 환원물을 이용한 그래핀 시트의 투명전도성 필름 제작시 나타나는 광전기적 특성 차이를 나타낸 도.
도 4 - 본 발명의 실시예에 따른 호모게나이저의 회전속도에 따른 산화 그래파이트의 박리 및 용매 내에서의 분산도 차이를 나타낸 도.
도 5 - 본 발명의 실시예에 따른 호모게나이저의 회전속도에 따른 박리 및 분산도의 차이를 흡광도의 비교를 총해 최적 조건을 나타낸 도.
이하 첨부된 도면을 참조로 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.
본 발명은 대면적/저결함 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액을 제조함에 있어, 산화 그래핀을 환원하기 전에 물리적 전단응력을 이용하여 용매 내에서 산화 그래파이트의 박리 및 분산시킴으로써, 단일층이면서 대면적 및 저결함을 갖는 산화 그래핀을 형성한 후, 상기 단일층 산화 그래핀을 습식공정을 이용한 환원과정을 통하여 산화 그래핀의 환원물 분산용액을 제조하는 것이다.
보다 구체적으로 본 발명은, 분말상태의 그래파이트 플레이크(flake)로부터 분말상태의 산화 그래파이트 플레이크를 합성하는 제1단계와; 상기 제 1단계의 산화 그래파이트 플레이크를 용매 내에 분산시켜 산화 그래파이트 분산용액을 제조하는 제2단계와; 물리적 전단응력을 이용한 산화 그래파이트의 박리를 통하여 용매 내에 단일층 산화 그래핀을 형성하여 단일층 산화 그래핀 분산용액을 제조하는 제3단계와; 상기 단일층 산화 그래핀 분산용액을 습식공정을 이용하여 환원시켜 단일층 산화 그래핀 환원물을 형성하여 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액을 제조하는 제4단계;를 포함하여 이루어진다.
상기 제1단계에서의 산화 그래파이트 플레이크의 합성은, 분말상태의 그래파이트 플레이크(flake)를 산처리를 통해 합성된다. 상기 산처리는 스타우덴마이어법(L. Staudenmaier, Ber. Dtsch. Chem. Ges., 31, 1481-1499, 1898), 험머스법(W. Hummers 외 1명, J. Am. Chem. Soc., 80, 1339, 1958), 브로디법(B. C. Brodie, Ann. Chim. Phys., 59, 466-472, 1860) 등에 알려져 있고 인용에 의해 본 발명 또한 상기 방법들을 이용한다.
그리고, 상기 제2단계는 상기 산화 그래파이트 플레이크를 용매 내에 분산시켜 산화 그래파이트 분산용액을 제조하는 것이다.
여기서 상기 분산 용매는 수산화나트륨(NaOH), 수산화칼륨(KOH), 수산화암모늄(NH4OH), 수산화리튬(LiOH), 수산화칼슘(Ca(OH)2) 수용액 및 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸알콜, 에틸알콜, 이소프로필알콜, 부틸알콜, 에틸렌글라이콜, 폴리에틸렌글라이콜, 테트라하이드로푸란, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아마이드, N-메틸-2-피롤리돈, 헥산, 사이클로헥사논, 톨루엔, 클로로포름, 증류수, 디클로로벤젠, 디메틸벤젠, 트리메틸벤젠, 피리딘, 메틸나프탈렌, 니트로메탄, 아크릴로니트릴, 옥타데실아민, 아닐린, 디메틸설폭사이드 유기용매 중 하나 이상이 사용될 수 있으며, 상기 수용액의 pH는 10 이상이 바람직하다.
그리고, 상기 제3단계는 상기 산화 그래파이트 분산용액 내의 산화 그래파이트에 물리적 전단응력을 인가시키는 박리법을 통하여 용매 내에서 산화 그래파이트의 박리 및 분산이 이루어지도록 하여, 대면적이면서 저결함을 갖는 단일층 산화 그래핀 분산용액을 제조하는 것이다. 여기에서, 상기 물리적 전단응력 인가 방법으로 전단응력이 주로 가해지는 호모게나이저(homogenizer) 또는 고압균질기(high pressure homogenizer)를 이용한다.
이는 일반적으로 그래핀은 이차원 판상 구조를 이루고 있는 점을 착안하여, 전단응력을 이용한 산화 그래파이트의 박리법은 기존의 초음파 분쇄를 이용한 박리법에 비해 비파괴적으로 그래파이트로부터 그래핀을 분리시킬 수 있는 것이다. 이때 박리되는 단일층 산화 그래핀은 대면적이면서, 상대적으로 그래핀의 sp2 영역에서 보다 적은 결함을 형성시킬 수 있는 이점이 있다.
본 발명에서 제조된 단일층 산화 그래핀의 경우 공명라만분광법을 이용한 물리적 특성 분석 시 결함의 정도가 기존의 초음파 분쇄법에 비해 매우 적게 나타남을 알 수 있다. 또한 2460cm-1 근처에 나타나는 2D 피크의 위치와 모양이 매우 대칭성을 이루고 있는 점을 분석해 볼 때 이는 단일층의 그래핀이라고 할 수 있다.
또한, 상기 전단응력을 이용한 산화 그래파이트의 박리 조건은 호모게나이저의 회전 rpm에 의해 조절될 수 있다.
그 다음, 상기 제4단계는 상기 단일층 산화 그래핀의 환원물을 제조하기 위한 공정으로서, 상기 단일층 산화 그래핀 분산용액을 습식공정을 이용하여 환원시켜 단일층 산화 그래핀 분산용액 내에 단일층 산화 그래핀 환원물을 형성하여 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액을 제조하는 것이다. 여기에서, 상기 단일층 산화 그래핀 분산용액은 용매에 중화시킨 후 제조된 용액에 환원제를 첨가하여 환원시킨다. 상기 환원제는 수산화나트륨(NaOH), 수산화칼륨(KOH), 수산화 암모늄(NH4OH), 수소화붕소나트륨(NaBH4), 히드라진(N2H4), 히드리오딘(HI), 비타민씨(Vitamin C) 중 어느 하나가 사용되는 것이 바람직하며, 상기 용매는, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸알콜, 에틸알콜, 이소프로필알콜, 부틸알콜, 에틸렌글라이콜, 폴리에틸렌글라이콜, 테트라하이드로푸란, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아마이드, N-메틸-2-피롤리돈, 헥산, 사이클로헥사논, 톨루엔, 클로로포름, 증류수, 디클로로벤젠, 디메틸벤젠, 트리메틸벤젠, 피리딘, 메틸나프탈렌, 니트로메탄, 아크릴로니트릴, 옥타데실아민, 아닐린, 디메틸설폭사이드 중 선택된 하나 이상이 사용되는 것이 바람직하다.
이하에서는 본 발명의 실시예에 대해 설명하고자 한다.
먼저, 순수 그래파이트(순도 99.9995%, -200메쉬, Alfar Aesar 제조) 10g, 발열질산 350㎖ 및 소듐 클로라이드 옥사이드 74g을 실온에서 순차적으로 37g씩 나누어 혼합하였다. 이 혼합물을 48시간 동안 교반한 후, 중화 과정과 세척, 여과 및 클리닝, 건조과정을 거쳐 산화 그래파이트 분말을 제조하였다.
제조된 산화 그래파이트는 XRD 측정장비를 통해 산화 그래파이트 간의 간격이 얼마나 벌어졌는지 확인하였다. 이때 합성된 산화 그래파이트 층간 회절 각도는 X선 회절법으로 측정시 10~15° 벌어졌다.
상기의 과정을 통해 만들어진 산화 그래파이트는 2g/L 농도로 pH 10의 수산화 나트륨 수용액에 원심분리를 1000rpm에서 10분 처리하여 분산성이 확보된 산화 그래파이트 분산용액을 제조하였다.
그리고, 상기 산화 그래파이트 분산용액에 물리적 전단응력을 인가하기 위하여 호모게나이저를 이용하여 산화 그래파이트의 박리를 수행하였다. 이때 호모게나이저는 500rpm, 1000rpm, 1500rpm으로 각각 30분, 60분, 90분 동안 산화 그래파이트에 판상의 전단응력이 인가되도록 하였으며, 이에 의해 산화 그래파이트가 단일층의 산화 그래핀으로 박리되게 되며, 대면적, 저결함의 산화 그래핀이 용액 내에 균일하게 분산된 단일층 산화 그래핀 분산용액을 제조하였다.
그리고, 디메틸포름아미드 용매로 10배 희석하여 200mg/L 농도의 상기 단일층 산화 그래핀 분산용액에 히드라진(N2H4) 170㎕를 넣고 100℃로 16시간 동안 400rpm으로 교반하여 환원시켜 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액을 제조하였다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 전단응력을 이용한 이차원 구조의 대면적 단일층 산화 그래핀 및 산화 그래핀 환원물의 제조방법에 대한 모식도를 나타낸 것으로서, 도시된 바와 같이 산화 그래파이트에 호모게나이저를 이용하여 전단응력을 인가하여 단일층의 산화 그래핀을 얻고, 이를 습식환원함으로서 단일층 산화 그래핀 환원물을 얻을 수 있게 되는 것이다. 이때 형성되는 산화 그래핀 환원물의 면적은 수십~수백 마이크로미터의 대면적을 형성하게 되며, 이는 광학현미경 및 원자힘 현미경 사진을 통해 확인할 수 있었으며, 단일층 산화 그래핀 환원물의 면적은 초음파 분쇄기를 이용한 경우와 비교시 면적의 크기가 10~20배 이상 크게 나타나는 것을 확인할 수 있었다. 이러한 단일층 산화 그래핀 환원물이 용액 내에 균일하게 분산된 상태로 유지되어 있는 것이 본 발명에 따른 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액인 것이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따라 호모게나이저를 이용하여 제작된 단일층 산화 그래핀 및 기존의 초음파 분쇄에 의해 제작된 산화 그래핀에 대한 결함의 정도 및 단일층 산화 그래핀의 유무를 관찰하기 위한 라만 분광기를 이용하여 측정한 스펙트럼 데이타를 나타낸 것이다. 도시된 바와 같이, 라만스펙트럼 측정시 산화 그래핀의 경우 대략 1594cm-1 전후에서 G피크를 나타내며, 이를 통해 산화 그래핀의 형성을 확인할 수 있었다. 산화 그래핀의 결정화도는 D밴드/G밴드의 피크비를 통하여 확인할 수 있었다. 초음파 분쇄기의 경우 호모게나이저에 비해서 0.6 이상 높은 값을 가지며, 이는 전단응력을 이용한 산화 그래핀의 박리법이 저결함을 갖는 그래핀을 형성한다는 것을 확인할 수 있는 것이다. 또한, 단일층 산화 그래핀의 형성 유무는 2645cm-1 근처의 2D 피크의 위치와 스펙트럼의 라인 형태가 대칭을 이루고 있는 경우를 통하여 확인할 수 있다. 이를 통하여 호모게나이저를 이용한 방법이 단일층 산화 그래핀을 형성하는 것을 확인할 수 있었다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따라 호모게나이저를 이용하여 제작된 단일층 산화 그래핀 환원물및 기존의 초음파 분쇄에 의해 제작된 산화 그래핀 환원물을 이용한 그래핀 시트의 투명전도성 필름 제작시 나타나는 광전기적 특성 차이를 나타낸 도면이다. 도시된 바와 같이, 균일한 그래핀 투명전도성 필름이 형성됨을 알 수 있으며, 호모게나이저를 이용한 경우(This work) 보다 낮은 면저항과 높은 투과도를 갖는 투명전도성 필름의 특성을 나타내었다. 도 3의 그래핀 투명전도성 필름은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액 다공성 알루미나 멤브레인(0.2㎛)에 필터링을 거친 후 100℃에서 약 24시간 동안 건조한 후, 멤브레인 필터 위의 단일층 산화 그래핀 환원물을 피디엠에스 몰더에 컨텍 프린팅하여 옮긴 후 이를 다시 PET 필름에 80℃에서 다시 프린팅하는 방법으로 그래핀 투명전도성 필름을 제작하였다.
도 3의 I는 80%의 투과도에서 초음파 분쇄법(SRGO)과 호모게나이저(HRGO)에 의한 산화 그래핀 환원물 제작 후 형성된 투명전도성 필름의 비교를 나타낸 결과이며, 이때의 면저항의 차이는 약 10배 이상 호모게나이저가 낮은 값을 보임을 확인할 수 있었다. 이는 저결함의 단일층 산화 그래핀 형성 후 전기전도도의 향상으로 인한 결과임을 알 수 있다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 호모게나이저의 회전속도에 따른 산화 그래파이트의 박리 및 용매 내에서의 분산도 차이를 나타낸 도이다. 도시된 바와 같이, 호모게나이저의 스핀속도(rpm)와 처리시간(min)에 따라서 분산도가 변화함을 알 수 있다. 이는 전단응력을 가해줄 시 용매 내에서 산화 그래핀의 분산이 선형함수를 그리는 것이 아니라 산화 그래파이트의 박리를 위한 호모게나이저 회전속도 조건의 최적화가 필요하다는 것을 알 수 있다. 본 발명의 실시예에 따른 호모게나이저 분산 시 최대 분산도를 얻을 수 있는 결과는 100rpm, 60min이었다. 이는 호모게나이저의 회전속도의 감소는 산화 그래파이트의 박리를 저하시키며, 증가는 대면적의 산화 그래핀이 다시 뭉치는 효과를 보이기 때문에 예를 들어 1500rpm, 90min의 경우 처리 후 많은 양의 검은 입자가 아래로 침전되는 현상을 보이는 것을 유추할 수 있다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 호모게나이저의 회전속도에 따른 박리 및 분산도의 차이를 흡광도의 비교를 총해 최적 조건을 나타낸 도이다. 도시된 바와 같이, 호모게나이저 처리 조건 100rpm, 60min에서 최대의 흡수도 값(0.24)을 나타내었다. 이는 본 발명의 실시예에서는 습식공정의 산화 그래파이트 박리 시 호모게나이저를 이용한 전단응력을 가해줌으로서 보다 대면적의 산화 그래핀 환원물 분산용액을 제조할 수 있었으며, 호모게나이저의 최적 rpm과 시간에 따라서 그래핀 분산액의 농도가 증가되는 경향성을 보였다.

Claims (14)

  1. 분말상태의 그래파이트 플레이크(flake)로부터 분말상태의 산화 그래파이트 플레이크를 합성하는 제1단계와;
    상기 제 1단계의 산화 그래파이트 플레이크를 용매 내에 분산시켜 산화 그래파이트 분산용액을 제조하는 제2단계와;
    상기 산화 그래파이트 분산용액에 물리적 전단응력을 인가하여 산화 그래파이트의 박리를 통하여 분산용액 내에 단일층 산화 그래핀을 형성하여 단일층 산화 그래핀 분산용액을 제조하는 제3단계와;
    상기 단일층 산화 그래핀 분산용액을 습식공정을 이용하여 환원시켜 단일층 산화 그래핀 환원물을 형성하여 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액을 제조하는 제4단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전단응력을 이용한 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액의 제조방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 제1단계의 산화 그래파이트 플레이크의 합성은,
    분말상태의 그래파이트 플레이크(flake)를 산처리를 통해 합성하는 것을 특징으로 하는 전단응력을 이용한 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액의 제조방법.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 제2단계의 용매는, 수산화나트륨(NaOH), 수산화칼륨(KOH), 수산화암모늄(NH4OH), 수산화리튬(LiOH), 수산화칼슘(Ca(OH)2) 수용액, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸알콜, 에틸알콜, 이소프로필알콜, 부틸알콜, 에틸렌글라이콜, 폴리에틸렌글라이콜, 테트라하이드로푸란, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아마이드, N-메틸-2-피롤리돈, 헥산, 사이클로헥사논, 톨루엔, 클로로포름, 증류수, 디클로로벤젠, 디메틸벤젠, 트리메틸벤젠, 피리딘, 메틸나프탈렌, 니트로메탄, 아크릴로니트릴, 옥타데실아민, 아닐린, 디메틸설폭사이드 유기용매 중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 전단응력을 이용한 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액의 제조방법.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 제3단계의 물리적 전단응력 인가는 호모게나이저 또는 고압균질기를 사용하여 산화 그래파이트를 박리시키는 것을 특징으로 하는 전단응력을 이용한 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액의 제조방법.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 제4단계의 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액은,
    용매에 중화시킨 후 환원제를 사용하여 환원시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 전단응력을 이용한 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액의 제조방법.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 환원제는 수산화나트륨(NaOH), 수산화칼륨(KOH), 수산화 암모늄(NH4OH), 수소화붕소나트륨(NaBH4), 히드라진(N2H4), 히드리오딘(HI), 비타민씨(Vitamin C) 중 어느 하나가 사용되는 것을 특징으로 하는 전단응력을 이용한 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액의 제조방법.
  7. 제 5항에 있어서, 상기 용매는,
    아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸알콜, 에틸알콜, 이소프로필알콜, 부틸알콜, 에틸렌글라이콜, 폴리에틸렌글라이콜, 테트라하이드로푸란, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아마이드, N-메틸-2-피롤리돈, 헥산, 사이클로헥사논, 톨루엔, 클로로포름, 증류수, 디클로로벤젠, 디메틸벤젠, 트리메틸벤젠, 피리딘, 메틸나프탈렌, 니트로메탄, 아크릴로니트릴, 옥타데실아민, 아닐린, 디메틸설폭사이드 중 선택된 하나 이상이 사용되는 것을 특징으로 하는 전단응력을 이용한 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액의 제조방법.
  8. 산화 그래파이트 플레이크를 합성하여 용매 내에 분산시키고 물리적 전단응력을 이용한 산화 그래파이트의 박리를 통하여 단일층 산화 그래핀을 형성하고, 이를 환원시켜 형성된 것을 특징으로 하는 전단응력을 이용한 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액.
  9. 제 8항에 있어서, 상기 산화 그래파이트 플레이크의 합성은,
    분말상태의 그래파이트 플레이크(flake)를 산처리를 통해 합성하는 것을 특징으로 하는 전단응력을 이용한 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액.
  10. 제 8항에 있어서, 상기 용매는 수산화나트륨(NaOH), 수산화칼륨(KOH), 수산화암모늄(NH4OH), 수산화리튬(LiOH), 수산화칼슘(Ca(OH)2) 수용액 및 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸알콜, 에틸알콜, 이소프로필알콜, 부틸알콜, 에틸렌글라이콜, 폴리에틸렌글라이콜, 테트라하이드로푸란, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아마이드, N-메틸-2-피롤리돈, 헥산, 사이클로헥사논, 톨루엔, 클로로포름, 증류수, 디클로로벤젠, 디메틸벤젠, 트리메틸벤젠, 피리딘, 메틸나프탈렌, 니트로메탄, 아크릴로니트릴, 옥타데실아민, 아닐린, 디메틸설폭사이드 유기용매 중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 전단응력을 이용한 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액.
  11. 제 8항에 있어서, 상기 산화 그래파이트에 물리적 전단응력 인가는 호모게나이저 또는 고압균질기를 사용하여 산화 그래파이트를 박리시키는 것을 특징으로 하는 전단응력을 이용한 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액.
  12. 제 8항에 있어서, 상기 단일층 산화 그래핀의 환원은, 용매에 중화시킨 후 환원제를 사용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전단응력을 이용한 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액.
  13. 제 12항에 있어서, 상기 환원제는 수산화나트륨(NaOH), 수산화칼륨(KOH), 수산화 암모늄(NH4OH), 수소화붕소나트륨(NaBH4), 히드라진(N2H4), 히드리오딘(HI), 비타민씨(Vitamin C) 중 어느 하나가 사용되는 것을 특징으로 하는 전단응력을 이용한 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액.
  14. 제 12항에 있어서, 상기 용매는,
    아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸알콜, 에틸알콜, 이소프로필알콜, 부틸알콜, 에틸렌글라이콜, 폴리에틸렌글라이콜, 테트라하이드로푸란, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아마이드, N-메틸-2-피롤리돈, 헥산, 사이클로헥사논, 톨루엔, 클로로포름, 증류수, 디클로로벤젠, 디메틸벤젠, 트리메틸벤젠, 피리딘, 메틸나프탈렌, 니트로메탄, 아크릴로니트릴, 옥타데실아민, 아닐린, 디메틸설폭사이드 중 선택된 하나 이상이 사용되는 것을 특징으로 하는 전단응력을 이용한 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액.
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Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104129781A (zh) * 2014-07-25 2014-11-05 深圳新宙邦科技股份有限公司 一种原位氮掺杂多孔石墨烯及其制备方法
CN104406513A (zh) * 2014-10-29 2015-03-11 同济大学 一种石墨烯基表面应变传感器的制备方法
WO2015099378A1 (ko) * 2013-12-26 2015-07-02 주식회사 엘지화학 그래핀의 제조 방법과, 그래핀의 분산 조성물
WO2015099457A1 (ko) * 2013-12-26 2015-07-02 주식회사 엘지화학 그래핀의 제조 방법
KR20150079419A (ko) 2013-12-30 2015-07-08 솔브레인 주식회사 그래핀 필름 및 이의 제조 방법
KR20150078676A (ko) * 2013-12-31 2015-07-08 한국세라믹기술원 양쪽성 용매 함유 흑연산화물 코팅액 제조 방법 및 흑연산화물 코팅물 제조 방법
KR20150078677A (ko) * 2013-12-31 2015-07-08 한국세라믹기술원 유계 용매 함유 흑연산화물 코팅액 제조 방법 및 흑연산화물 코팅물 제조 방법
KR101537953B1 (ko) * 2014-09-30 2015-07-20 한국세라믹기술원 슈퍼커패시터 전극의 제조방법
KR20150118625A (ko) * 2014-04-14 2015-10-23 한국세라믹기술원 비수계 그래핀 코팅액 제조 방법
WO2016104910A1 (ko) * 2014-12-26 2016-06-30 솔브레인 주식회사 용매 정제용 그래핀 멤브레인 필름과 그 제조방법 및 이를 이용한 용매 정제 시스템
KR20160101556A (ko) * 2015-02-17 2016-08-25 주식회사 엘지화학 고농도 그래핀 분산액의 제조 방법
WO2016175484A1 (ko) * 2015-04-27 2016-11-03 전자부품연구원 층상 구조의 2차원 물질의 반응성 증가방법 및 이를 이용한 산화그래핀 제조방법
KR20160131454A (ko) * 2015-05-07 2016-11-16 주식회사 엘지화학 염료를 이용한 그래핀의 제조 방법
WO2016208884A1 (ko) * 2015-06-24 2016-12-29 가천대학교 산학협력단 전단 유동을 이용한 고품질 그래핀 제조 방법 및 장치
US9950930B2 (en) 2013-12-26 2018-04-24 Lg Chem, Ltd. Preparation method of graphene
US10131803B2 (en) 2013-12-26 2018-11-20 Lg Chem, Ltd. Preparation method of graphene and dispersed composition of graphene
KR101963447B1 (ko) * 2018-06-20 2019-03-28 이의열 환원 그래핀 산화물의 제조 및 코팅 방법
WO2019145378A1 (en) * 2018-01-23 2019-08-01 Repsol, S.A. A reduced graphene oxide mixture, polymer matrix containing the same and a process for the preparation thereof
US11099669B2 (en) 2016-06-10 2021-08-24 Iucf-Hyu (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) Conductive structure, method of manufacturing the same, touch sensor including the conductive structure, method of manufacturing the touch sensor, and touch sensing method
WO2022260315A1 (ko) * 2021-06-11 2022-12-15 주식회사 네오엔프라 그래핀이 함유된 폴리아미드용 마스터 배치 조성물 및 그 조성물이 함유된 그래핀 폴리아미드 원사
WO2023080290A1 (ko) * 2021-11-02 2023-05-11 한국전기연구원 이차전지용 산화그래핀환원물, 그 제조방법, 이를 이용한 전극 및 이차전지
US11981570B2 (en) 2018-01-23 2024-05-14 Graphenea S.A. Reduced graphene oxide mixture, polymer matrix containing the same and a process for the preparation thereof

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101507065B1 (ko) * 2013-07-15 2015-03-31 한국과학기술원 높은 분산 안정성을 지니는 부분적으로 환원된 그래핀 용액 및 이를 이용하여 제조된 코팅잉크
KR101818703B1 (ko) 2014-12-11 2018-01-16 주식회사 엘지화학 고속 균질화 전처리 및 고압 균질화를 이용한 그래핀의 제조 방법
KR101750935B1 (ko) 2014-12-12 2017-06-27 주식회사 엘지화학 블록 공중합체, 및 이를 이용한 그래핀의 제조 방법
KR20170029395A (ko) * 2015-09-07 2017-03-15 주식회사 엘지화학 판상 물질의 박리 장치
CN107921440B (zh) * 2015-09-25 2019-11-01 株式会社Lg化学 包括优化出口的片材剥离装置
EP3312141A1 (en) * 2015-09-25 2018-04-25 LG Chem, Ltd. Plate-shaped-material exfoliating apparatus comprising microchannel
KR102079141B1 (ko) * 2016-05-11 2020-02-19 주식회사 엘지화학 고압 균질화 장치 및 이를 이용한 그래핀의 제조방법

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8501318B2 (en) * 2008-09-03 2013-08-06 Nanotek Instruments, Inc. Dispersible and conductive nano graphene platelets

Cited By (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9950930B2 (en) 2013-12-26 2018-04-24 Lg Chem, Ltd. Preparation method of graphene
US10131803B2 (en) 2013-12-26 2018-11-20 Lg Chem, Ltd. Preparation method of graphene and dispersed composition of graphene
WO2015099378A1 (ko) * 2013-12-26 2015-07-02 주식회사 엘지화학 그래핀의 제조 방법과, 그래핀의 분산 조성물
WO2015099457A1 (ko) * 2013-12-26 2015-07-02 주식회사 엘지화학 그래핀의 제조 방법
KR20150079419A (ko) 2013-12-30 2015-07-08 솔브레인 주식회사 그래핀 필름 및 이의 제조 방법
KR20150078677A (ko) * 2013-12-31 2015-07-08 한국세라믹기술원 유계 용매 함유 흑연산화물 코팅액 제조 방법 및 흑연산화물 코팅물 제조 방법
KR20150078676A (ko) * 2013-12-31 2015-07-08 한국세라믹기술원 양쪽성 용매 함유 흑연산화물 코팅액 제조 방법 및 흑연산화물 코팅물 제조 방법
KR20150118625A (ko) * 2014-04-14 2015-10-23 한국세라믹기술원 비수계 그래핀 코팅액 제조 방법
CN104129781A (zh) * 2014-07-25 2014-11-05 深圳新宙邦科技股份有限公司 一种原位氮掺杂多孔石墨烯及其制备方法
KR101537953B1 (ko) * 2014-09-30 2015-07-20 한국세라믹기술원 슈퍼커패시터 전극의 제조방법
CN104406513A (zh) * 2014-10-29 2015-03-11 同济大学 一种石墨烯基表面应变传感器的制备方法
WO2016104910A1 (ko) * 2014-12-26 2016-06-30 솔브레인 주식회사 용매 정제용 그래핀 멤브레인 필름과 그 제조방법 및 이를 이용한 용매 정제 시스템
KR20160079228A (ko) 2014-12-26 2016-07-06 솔브레인 주식회사 용매 정제용 그래핀 멤브레인 필름과 그 제조방법 및 이를 이용한 용매 정제 시스템
US10500547B2 (en) 2014-12-26 2019-12-10 Soulbrain Co., Ltd. Graphene membrane film for solvent purification, method for producing same, and solvent purification system using same
KR20160101556A (ko) * 2015-02-17 2016-08-25 주식회사 엘지화학 고농도 그래핀 분산액의 제조 방법
WO2016175484A1 (ko) * 2015-04-27 2016-11-03 전자부품연구원 층상 구조의 2차원 물질의 반응성 증가방법 및 이를 이용한 산화그래핀 제조방법
KR20160131454A (ko) * 2015-05-07 2016-11-16 주식회사 엘지화학 염료를 이용한 그래핀의 제조 방법
WO2016208884A1 (ko) * 2015-06-24 2016-12-29 가천대학교 산학협력단 전단 유동을 이용한 고품질 그래핀 제조 방법 및 장치
US11099669B2 (en) 2016-06-10 2021-08-24 Iucf-Hyu (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) Conductive structure, method of manufacturing the same, touch sensor including the conductive structure, method of manufacturing the touch sensor, and touch sensing method
WO2019145378A1 (en) * 2018-01-23 2019-08-01 Repsol, S.A. A reduced graphene oxide mixture, polymer matrix containing the same and a process for the preparation thereof
ES2803957R1 (es) * 2018-01-23 2021-09-20 Graphenea S A Una mezcla de oxido de grafeno reducido, matriz polimerica que contiene el mismo y un procedimiento para su preparacion
US11981570B2 (en) 2018-01-23 2024-05-14 Graphenea S.A. Reduced graphene oxide mixture, polymer matrix containing the same and a process for the preparation thereof
KR101963447B1 (ko) * 2018-06-20 2019-03-28 이의열 환원 그래핀 산화물의 제조 및 코팅 방법
WO2022260315A1 (ko) * 2021-06-11 2022-12-15 주식회사 네오엔프라 그래핀이 함유된 폴리아미드용 마스터 배치 조성물 및 그 조성물이 함유된 그래핀 폴리아미드 원사
KR20220166944A (ko) * 2021-06-11 2022-12-20 주식회사 네오엔프라 그래핀이 함유된 폴리아미드용 마스터 배치 조성물 및 그 조성물이 함유된 그래핀 폴리아미드 원사
WO2023080290A1 (ko) * 2021-11-02 2023-05-11 한국전기연구원 이차전지용 산화그래핀환원물, 그 제조방법, 이를 이용한 전극 및 이차전지

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