KR20120034341A - Cleaning method for substrate processing apparatus - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A cleaning method for a substrate processing apparatus is provided to efficiently eliminate a particle piled in a processing chamber by cleaning a processing chamber by combining RPG cleansing with direct cleansing. CONSTITUTION: A processing chamber(110) forms a process space(S). The processing chamber includes a chamber body(112) and a lid(111) which is combined with the chamber body to be attachable and detachable. A gas supply part(150) supplies gas to a process space while being installed in the processing chamber. A substrate support part(130) supports a substrate(10) while being arranged in the processing chamber. A remote plasma generator(160) sprays a cleaning gas to a process space through the gas supply part by radicalizing the cleaning gas.

Description

기판처리장치의 세정방법 {Cleaning Method for substrate processing apparatus}Cleaning method for substrate processing apparatus

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판처리를 수행하는 기판처리장치를 세정하는 기판처리장치의 세정방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a cleaning method of a substrate processing apparatus for cleaning a substrate processing apparatus that performs substrate processing.

기판처리장치는 식각, 증착 등 소정의 기판처리를 수행하는 장치로서, 밀폐된 처리공간을 형성하는 공정챔버와, 공정챔버 내에 설치되어 처리공간 내에 처리가스를 공급하는 가스공급부와, 공정챔버 내에 설치되어 기판이 안착되는 기판지지부를 포함하여 구성됨이 일반적이다.The substrate treating apparatus is a device for performing a predetermined substrate treatment such as etching and deposition, and includes: a process chamber forming an enclosed processing space, a gas supply unit installed in the processing chamber and supplying processing gas into the processing space, and installed in the processing chamber. It is generally configured to include a substrate support on which the substrate is seated.

한편 기판처리장치는 기판처리 공정을 반복하면서 부산물인 폴리머 등의 파티클이 공정챔버 내에 쌓이거나 퇴적되는데, 이러한 파티클은 공정 수행시 공정챔버의 내벽에서 박리되어 기판에 얼룩을 형성하는 문제점을 야기한다.Meanwhile, in the substrate treating apparatus, particles such as by-product polymers are accumulated or deposited in the process chamber while repeating the substrate treating process, and these particles peel off from the inner wall of the process chamber when the process is performed, thereby causing a problem of forming a stain on the substrate.

따라서 종래의 기판처리장치는 공정챔버 내에 퇴적된 파티클을 제거하는 세정공정을 주기적으로 수행하고 있다.Therefore, the conventional substrate processing apparatus periodically performs a cleaning process for removing particles deposited in the process chamber.

그런데 공정챔버에 퇴적되는 파티클은 그 물질의 종류에 따라서 공정챔버의 내벽 등에 견고하게 퇴적됨에 따라서 종래의 세정공정에 의한 경우 파티클이 충분히 제거되지 않아 기판처리에 영향을 미치거나, 충분한 파티클 제거를 위한 세정공정을 위한 시간이 증가하여 전체 공정시간을 증가시키는 문제점을 야기하고 있다.However, the particles deposited in the process chamber are firmly deposited on the inner wall of the process chamber according to the type of the material, so that the particles are not sufficiently removed in the conventional cleaning process, thereby affecting the substrate treatment or removing the sufficient particles. As the time for the cleaning process increases, it causes a problem of increasing the overall process time.

특히 종래의 기판처리장치가 LF전원을 사용하여 증착공정을 수행하는 경우 HF전원 또는 VHF전원을 사용하는 공정에 비하여 공정챔버의 내벽 등에 파티클이 보다 견고하게 형성되는바 종래의 세정방법으로는 충분히 제거하지 못하는 문제점을 가지고 있다.Particularly, when the conventional substrate processing apparatus performs the deposition process using the LF power source, particles are more firmly formed on the inner wall of the process chamber than the process using the HF power source or the VHF power source. I have a problem that I can't do.

본 발명에 따른 기판처리장치의 세정방법은 RPG세정 및 직접세정을 조합하여 공정챔버를 세정함으로써 공정챔버 내의 파티클을 충분히 제거할 수 있는 기판처리장치의 세정방법을 제공하는 데 있다.The cleaning method of the substrate processing apparatus according to the present invention is to provide a cleaning method of the substrate processing apparatus capable of sufficiently removing particles in the process chamber by cleaning the process chamber by combining RPG cleaning and direct cleaning.

본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은 공정챔버의 내부를 세정하는 기판처리장치의 세정방법으로서, 상기 공정챔버와 연결된 원격플라즈마발생장치에서 세정가스를 라디칼화하여 상기 공정챔버의 내부로 분사하여 상기 공정챔버를 세정하는 RPG세정단계와; 가스공급부를 통하여 처리공간으로 세정가스를 분사하면서 상기 처리공간에 분사된 세정가스를 플라즈마화하여 공정챔버를 세정하는 직접세정단계를 포함하며, 상기 RPG세정단계 및 상기 직접세정단계가 조합되어 수행되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 세정방법을 개시한다.The present invention was created to achieve the object of the present invention as described above, the present invention is a cleaning method of a substrate processing apparatus for cleaning the interior of the process chamber, the cleaning gas radicals in the remote plasma generating device connected to the process chamber RPG cleaning step of cleaning the process chamber by spraying the liquid into the process chamber; Including a direct cleaning step of cleaning the process chamber by plasma-forming the cleaning gas injected into the processing space while injecting the cleaning gas to the processing space through a gas supply unit, the RPG cleaning step and the direct cleaning step is performed in combination Disclosed is a cleaning method for a substrate treating apparatus.

상기 처리공간으로 퍼지가스를 공급하여 상기 공정챔버 내부에 발생된 부산물들을 배기관을 통하여 제거하는 부산물제거단계가 상기 RPG세정단계 후 및 상기 직접세정단계 후 중 적어도 어느 하나의 단계 후에 수행될 수 있다.The by-product removal step of removing the by-products generated in the process chamber through the exhaust pipe by supplying a purge gas to the processing space may be performed after at least one of the steps after the RPG cleaning step and after the direct cleaning step.

상기 RPG세정단계는 상기 가스공급부를 통하여 불활성가스를 상기 처리공간에 분사하는 안정화단계를 추가로 포함할 수 있다.The RPG cleaning step may further include a stabilization step of injecting an inert gas into the processing space through the gas supply unit.

상기 RPG세정단계 및 상기 직접세정단계 중 어느 하나 또는 모두는 상기 공정챔버 내부의 압력을 변화시키면서 수행될 수 있다.Any one or both of the RPG cleaning step and the direct cleaning step may be performed while varying the pressure inside the process chamber.

상기 RPG세정단계 및 상기 직접세정단계 중 어느 하나 또는 모두는 상기 공정챔버의 내부압력을 일정하게 유지하여 세정하는 정압단계 및 상기 공정챔버의 내부압력을 변화시키면서 세정하는 변압단계를 조합하여 수행될 수 있다.Any one or both of the RPG cleaning step and the direct cleaning step may be performed by combining a positive pressure step for cleaning by keeping the internal pressure of the process chamber constant and a transformer step for cleaning while changing the internal pressure of the process chamber. have.

상기 RPG세정단계 후에는 상기 직접세정단계 수행 전에 상기 공정챔버 내부의 압력을 강하시키는 압력강하단계가 수행될 수 있다.After the RPG cleaning step, a pressure drop step of lowering the pressure inside the process chamber may be performed before performing the direct cleaning step.

상기 직접세정단계에서는 기판을 지지하는 기판지지부를 상승시켜 수행될 수 있다.The direct cleaning step may be performed by raising the substrate support for supporting the substrate.

상기 기판처리장치는 LF전원을 사용하여 기판의 표면에 증착공정을 수행할 수 있다.The substrate processing apparatus may perform a deposition process on the surface of the substrate using the LF power supply.

상기 기판은 태양전지기판일 수 있다.The substrate may be a solar cell substrate.

또한 상기 기판처리장치는 다수개의 기판들이 적재된 트레이에 의하여 이송되면서 기판처리를 수행하며, 상기 RPG세정단계 및 상기 직접세정단계 수행시 상기 트레이는 기판지지부 상에 적재된 상태로 세정될 수 있다.In addition, the substrate processing apparatus performs substrate processing while being transported by a tray on which a plurality of substrates are stacked, and when the RPG cleaning step and the direct cleaning step are performed, the tray may be cleaned while being loaded on a substrate support.

상기 RPG세정단계 및 상기 직접세정단계는 각각 1회 이상 수행될 수 있다.The RPG cleaning step and the direct cleaning step may be performed one or more times, respectively.

상기 RPG세정단계, 상기 직접세정단계 및 상기 RPG세정단계 순으로 수행되거나, 상기 직접세정단계, 상기 RPG세정단계 및 상기 직접세정단계 순으로 수행될 수 있다.The RPG cleaning step, the direct cleaning step and the RPG cleaning step may be performed in the order, or may be performed in the order of the direct cleaning step, the RPG cleaning step and the direct cleaning step.

상기 RPG세정단계 및 상기 직접세정단계는 전체 세정시간 중 전부 또는 일부 시간 동안 동시에 수행되거나, 상기 RPG세정단계 및 상기 직접세정단계는 전체 세정시간 동안 서로 번갈아 수행될 수 있다.The RPG cleaning step and the direct cleaning step may be performed simultaneously for all or part of the entire cleaning time, or the RPG cleaning step and the direct cleaning step may be alternately performed for the entire cleaning time.

본 발명에 따른 기판처리장치의 세정방법은 RPG를 이용하여 공정챔버의 내부를 RPG세정을 수행함과 아울러, RPG세정 후 또는 RPG세정과 함께 공정챔버 내에 전원을 인가하여 처리공간에 플라즈마를 형성하여 공정챔버의 내부를 세정하는 직접세정을 조합함으로써 공정챔버 내의 파티클을 충분히 제거할 수 있다.In the cleaning method of the substrate treating apparatus according to the present invention, RPG cleaning is performed inside the process chamber using RPG, and plasma is formed in the processing chamber after RPG cleaning or by applying power in the process chamber together with RPG cleaning. By combining direct cleaning to clean the inside of the chamber, particles in the process chamber can be sufficiently removed.

특히 본 발명에 따른 기판처리장치의 세정방법은 LF전원을 사용하는 증착공정과 같이 공정챔버의 내벽 등에 견고하게 파티클이 퇴적, 예를 들면 SiN층이 형성되는 경우, 1차로 RPG세정을 수행하고 2차로 단독으로 또는 RPG세정과 함께 직접세정을 수행함으로써 공정챔버 내에 퇴적된 파티클을 효과적으로 제거할 수 있다.In particular, the cleaning method of the substrate processing apparatus according to the present invention performs the first RPG cleaning when particles are deposited firmly on the inner wall of the process chamber, for example, a SiN layer is formed, such as a deposition process using an LF power source. Particles deposited in the process chamber can be effectively removed by performing direct cleaning alone or in combination with RPG cleaning.

도 1은 본 발명에 따른 기판처리장치의 세정방법이 적용되는 기판처리장치의 일예를 보여주는 단면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 기판처리장치의 세정방법을 보여주는 흐름도이다.
도 3은 도 2의 기판처리장치의 세정방법의 세정과정을 보여주는 그래프이다.1 is a cross-sectional view showing an example of a substrate processing apparatus to which the cleaning method of the substrate processing apparatus according to the present invention is applied.
2 is a flowchart illustrating a cleaning method of a substrate processing apparatus according to the present invention.
3 is a graph illustrating a cleaning process of the cleaning method of the substrate processing apparatus of FIG. 2.

이하 본 발명에 따른 기판처리장치의 세정방법에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a method for cleaning a substrate processing apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 따른 기판처리장치의 세정방법이 적용되는 기판처리장치의 일예를 보여주는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing an example of a substrate processing apparatus to which the cleaning method of the substrate processing apparatus according to the present invention is applied.

먼저 본 발명에 따른 기판처리장치의 세정방법이 적용되는 기판처리장치는 증착공정, 식각공정 등 기판처리, 특히 LF전원을 사용하여 기판의 표면을 증착시키는 증착공정을 수행하는 장치로서, 다양한 구성이 가능하며 예를 들어 간단히 설명하면 다음과 같다.First, the substrate processing apparatus to which the cleaning method of the substrate processing apparatus according to the present invention is applied is a device for performing a substrate treatment such as a deposition process, an etching process, in particular, a deposition process for depositing the surface of a substrate using an LF power source. This is possible and briefly explained as follows.

상기 기판처리장치는 일 예로서, 도 1에 도시된 바와 같이, 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(110)와, 공정챔버(110)에 설치되어 처리공간(S)으로 가스를 공급하는 가스공급부(150)와, 공정챔버(110)에 설치되어 기판(10)을 지지하는 기판지지부(130)를 포함하여 구성될 수 있다. 여기서 기판처리의 대상인 기판(10)은 LCD패널용 유리기판, 반도체 웨이퍼, 태양전지기판 등이 될 수 있다.As an example, the substrate treating apparatus may include a process chamber 110 that forms a processing space S and a process chamber 110 that supplies gas to the processing space S, as illustrated in FIG. 1. It may be configured to include a gas supply unit 150, the substrate support 130 is installed in the process chamber 110 to support the substrate 10. In this case, the substrate 10, which is the object of substrate processing, may be a glass substrate for an LCD panel, a semiconductor wafer, or a solar cell substrate.

상기 공정챔버(110)는 처리공간(S)을 형성하기 위한 구성으로서, 다양한 구성이 가능하며, 도 1에 도시된 바와 같이, 상측이 개방되며 하나 이상의 게이트(113)가 형성된 챔버본체(112)와 챔버본체(112)와 탈착가능하게 결합되는 상부리드(111)를 포함하여 구성될 수 있다.The process chamber 110 is a configuration for forming the processing space (S), various configurations are possible, as shown in Figure 1, the chamber body 112, the upper side is opened and one or more gates 113 are formed And an upper lead 111 detachably coupled to the chamber body 112.

상기 가스공급부(150)는 공정을 수행할 수 있도록 처리공간(S)의 상측에 설치되어 가스공급장치(170)로부터 가스를 공급받아 처리공간(S)으로 공급하기 위한 구성으로서, 공정 및 가스공급방식에 따라서 다양한 구성이 가능하다.The gas supply unit 150 is installed on the upper side of the processing space (S) to perform the process and is configured to receive the gas from the gas supply device 170 to supply the processing space (S), process and gas supply Various configurations are possible depending on the method.

상기 기판지지부(130)는 기판(10)을 지지하기 위한 구성으로서, 설계조건 및 공정조건에 따라서 다양한 구성이 가능하다. 이때 기판(10)이 복수개로 트레이(20)에 적재되어 이송되는 경우 기판지지부(130)는 트레이(20)를 지지할 수 있다.The substrate support 130 is a configuration for supporting the substrate 10, and various configurations are possible according to design conditions and process conditions. At this time, when a plurality of substrates 10 are stacked and transported in the tray 20, the substrate support 130 may support the tray 20.

또한 상기 기판지지부(130)는 공정수행을 위하여 기판(10)을 가열하기 위한 히터(131)가 설치될 수 있으며, 히터로만 구성될 수 있다. 이때 기판지지부(130)를 구성하는 히터는 일체로 구성되거나 복수개로 히터들로 분할되어 설치될 수 있다.In addition, the substrate support unit 130 may be provided with a heater 131 for heating the substrate 10 for performing the process, it may be composed of only a heater. In this case, the heater constituting the substrate support 130 may be integrally formed or divided into a plurality of heaters.

한편 상기 기판처리장치는 공정수행을 위하여 전원이 인가될 수 있는데 이 경우 그 전원인가방식에 따라서 다양한 구성이 가능하며, 일 예로서, 상기 가스공급부(150)에 RF전원 또는 LF전원을 인가하여 상부전원을 구성하고, 기판지지부(130)를 접지시킴으로써 하부전원을 구성할 수 있다.On the other hand, the substrate processing apparatus may be applied with power to perform the process. In this case, various configurations are possible according to the power supply method. For example, the substrate processing apparatus may be configured by applying RF power or LF power to the gas supply unit 150. The lower power source may be configured by configuring a power source and grounding the substrate support unit 130.

또한 상기 기판처리장치는 가스공급장치(170)로부터 세정가스를 공급받아 세정가스를 라디칼화하여 가스공급부(150)를 통하여 처리공간(S)으로 분사할 수 있도록 가스공급부(150)와 연결되는 원격플라즈마발생장치(Remote Plasma Generator; RPG; 160)를 포함할 수 있다.In addition, the substrate processing apparatus is connected to the gas supply unit 150 to receive the cleaning gas from the gas supply device 170 to radicalize the cleaning gas to be injected into the processing space (S) through the gas supply unit 150. It may include a plasma generator (RPG) (160).

도 1에서 설명되지 않은 도면부호 180은 진공펌프와 연결되는 배기관을 가리킨다.Reference numeral 180 not described in FIG. 1 indicates an exhaust pipe connected to the vacuum pump.

도 2는 본 발명에 따른 기판처리장치의 세정방법을 보여주는 흐름도이고, 도 3은 도 2의 기판처리장치의 세정방법의 세정과정을 보여주는 그래프이다.2 is a flowchart illustrating a cleaning method of the substrate processing apparatus according to the present invention, and FIG. 3 is a graph showing a cleaning process of the cleaning method of the substrate processing apparatus of FIG. 2.

본 발명에 따른 기판처리장치의 세정방법은 도 2에 도시된 바와 같이, 공정챔버(110)의 내부를 세정하는 기판처리장치의 세정방법으로서, 공정챔버(110)와 연결된 원격플라즈마발생장치(160)에서 세정가스를 라디칼화하여 공정챔버(110)의 내부로 분사하여 공정챔버(110)를 세정하는 RPG세정단계(S10)와; RPG세정단계(S10)의 수행 중 또는 수행 후에 가스공급부(150)를 통하여 처리공간(S)으로 세정가스를 분사하면서 처리공간(S)에 분사된 세정가스를 플라즈마화하여 공정챔버(110)를 세정하는 직접세정단계(S20)를 포함하여 구성된다.The cleaning method of the substrate processing apparatus according to the present invention is a cleaning method of the substrate processing apparatus for cleaning the interior of the process chamber 110, as shown in Figure 2, the remote plasma generating device 160 connected to the process chamber 110 RPG cleaning step (S10) for cleaning the process chamber 110 by radicalizing the cleaning gas to the inside of the process chamber 110; During or after the RPG cleaning step S10, the cleaning gas injected into the processing space S is plasma-fired while the cleaning gas is injected into the processing space S through the gas supply unit 150 to process the process chamber 110. It comprises a direct washing step (S20) to clean.

상기 RPG세정단계(S10)는 1차 세정공정으로서, 원격플라즈마발생장치(160)를 이용하여 세정가스를 라디칼화하여 샤워헤드인 가스공급부(150)를 통하여 처리공간(S) 내로 세정가스를 분사하여 수행된다. 여기서 세정가스는 불소 또는 염소를 포함할 수 있으며, NF3 이외에 C2F6, CF4, F2, CHF3, SF6, Cl2 등을 포함할 수 있다.The RPG cleaning step (S10) is a first cleaning process, by using the remote plasma generating device 160 to radicalize the cleaning gas to spray the cleaning gas into the processing space (S) through the gas supply unit 150, which is a shower head Is performed. Here, the cleaning gas may include fluorine or chlorine, and may include C 2 F 6 , CF 4 , F 2 , CHF 3 , SF 6 , Cl 2, etc. in addition to NF 3 .

한편 상기 RPG세정단계(S10) 전에는 기판처리장치에 대한 안정적인 세정공정 수행을 위하여 가스공급부(150)를 통하여 불활성가스를 공정챔버(110)의 내부로 분사하는 안정화단계(S11)가 추가로 수행될 수 있다.Meanwhile, before the RPG cleaning step S10, a stabilization step S11 of injecting inert gas into the process chamber 110 through the gas supply unit 150 may be further performed to perform a stable cleaning process for the substrate processing apparatus. Can be.

상기 안정화단계(S11)는 RPG세정단계(S10) 및 직접세정(S20)의 수행 전에 공정챔버(110의 내부압력의 조절, 잔존가스의 배출 등을 목적으로 하며 공정챔버(110)에 영향을 주지 않는 Ar과 같은 불활성가스를 공정챔버(110) 내부로 주입한다. 이때 상기 안정화단계(S11)는 도 3에 도시된 바와 같이, 공정챔버(110) 내부압력을 1.0 Torr이하의 압력으로부터 수십 Torr의 압력으로 서서히 상승시킨다.The stabilization step (S11) is intended to control the internal pressure of the process chamber 110, discharge of residual gas, etc. before performing the RPG cleaning step (S10) and direct cleaning (S20) and does not affect the process chamber (110). Inert gas, such as Ar, is injected into the process chamber 110. At this time, the stabilization step (S11) is shown in Figure 3, the internal pressure of the process chamber 110 is several tens of Torr from a pressure of less than 1.0 Torr. Slowly rise with pressure.

상기 RPG세정단계(S10)는 원격플라즈마를 이용하여 1차 세정공정을 수행하는 단계로서, 세정가스를 원격플라즈마장치(160)로 라디칼화하여 처리공간(S)으로 분사한다. 여기서 상기 세정가스는 공정챔버(110) 내부압력이 수십 Torr의 압력을 유지하도록 분사되며 Ar과 같은 불활성가스와 혼합되어 분사될 수 있다.The RPG cleaning step (S10) is a step of performing a first cleaning process using a remote plasma, and radicalizes the cleaning gas to the remote plasma device 160 to spray the processing space (S). Here, the cleaning gas may be injected to maintain a pressure of several tens of torr of the internal pressure of the process chamber 110, and may be mixed with an inert gas such as Ar.

한편 상기 RPG세정단계(S10)는 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 공정챔버(110)의 내부압력을 변화시키면서 수행되는 것이 바람직하다.Meanwhile, as shown in FIGS. 2 and 3, the RPG cleaning step S10 may be performed while changing the internal pressure of the process chamber 110.

즉, 상기 RPG세정단계(S10)는 수초 단위로 공정챔버(110)의 내부압력을 변화시키면서 라디칼화된 세정가스가 공정챔버(110) 내부로 분사하여 수행될 수 있다. 여기서 공정챔버(110)의 내부압력은 분사되는 라디칼화된 세정가스의 분사량(sccm 단위), 배기관을 통한 배기량을 조절하는 등 다양한 방법에 의하여 변화될 수 있다.That is, the RPG cleaning step S10 may be performed by spraying the cleaning gas radicalized into the process chamber 110 while changing the internal pressure of the process chamber 110 by a few seconds. Here, the internal pressure of the process chamber 110 may be changed by various methods, such as the injection amount (sccm unit) of the radicalized cleaning gas to be injected, the amount of exhaust through the exhaust pipe.

상기 RPG세정단계(S10)를 수행할 때 공정챔버(110)의 내부압력을 변화시키면 라디칼화된 세정가스가 공정챔버(110) 내부 깊숙이 침투가 가능하여 세정효과를 증진시킬 수 있게 된다.When the internal pressure of the process chamber 110 is changed when the RPG cleaning step S10 is performed, the radicalized cleaning gas can penetrate deeply into the process chamber 110 to enhance the cleaning effect.

그리고 상기 RPG세정단계(S10)는 공정챔버(110)의 내부압력이 전체 시간을 통하여 수행하기보다는 공정챔버(110)의 내부압력을 일정하게 유지하여 가스공급부(150), 가스공급부(150)에 가까운 부재 등을 세정하는 정압단계 및 가스공급부(150)로부터 멀리 위치된 공정챔버(110)의 챔버본체(112) 등의 부재들을 세정하기 위하여 공정챔버(110)의 내부압력을 변화시키면서 세정하는 변압단계를 조합하여 수행함이 바람직하다.In the RPG cleaning step S10, the internal pressure of the process chamber 110 is maintained at a constant level rather than the internal pressure of the process chamber 110. A hydrostatic step for cleaning the close members and the like and a transformer for cleaning while changing the internal pressure of the process chamber 110 to clean the members such as the chamber body 112 of the process chamber 110 located far from the gas supply unit 150. It is preferred to carry out a combination of steps.

상기 정압단계 및 변압단계는 1회씩 수행하거나 그 순서를 바꾸어 수회 수행되는 등 다양한 조합에 의하여 수행될 수 있다.The constant pressure step and the transformer step may be performed by various combinations, such as one time or several times by changing the order thereof.

상기 직접세정단계(S20) 수행시 공정챔버(110)의 내부압력은 수 Torr에서 수행되는바, RPG세정단계(S10) 후 직접세정단계(S20)를 수행할 수 있도록 압력을 강하시키는 압력강하단계(S13)가 수행될 수 있다.When performing the direct cleaning step (S20) the internal pressure of the process chamber 110 is carried out at several Torr, the pressure drop step to drop the pressure to perform the direct cleaning step (S20) after the RPG cleaning step (S10) (S13) may be performed.

상기 압력강하단계(S13)는 세정가스의 분사량(sccm 단위)을 감소시킴으로써 수행되며 공정챔버(110)의 내부압력이 수 Torr에 이를 때까지 강하시킨다.The pressure drop step (S13) is carried out by reducing the injection amount (sccm unit) of the cleaning gas is lowered until the internal pressure of the process chamber 110 reaches several Torr.

상기 직접세정단계(S20)는 가스공급부(150)를 통하여 세정가스를 분사시키면서 기판처리장치에 전원을 인가, 즉 가스공급부(150)에 LF전원을 인가하고 공정챔버(110) 및 기판지지부(130)를 접지시켜 가스공급부(150) 및 기판지지부(130) 사이에 플라즈마를 형성함으로써 2차 세정공정을 수행하는 단계이다.In the direct cleaning step S20, power is supplied to the substrate processing apparatus while spraying the cleaning gas through the gas supply unit 150, that is, LF power is applied to the gas supply unit 150, and the process chamber 110 and the substrate support unit 130 are applied. ) To perform a secondary cleaning process by forming a plasma between the gas supply unit 150 and the substrate support 130 by grounding.

상기 직접세정단계(S20)는 도 3에 도시된 바와 같이, 안정적인 세정공정 수행을 위하여 수초 단위로 인가되는 전원의 크기를 서서히 증가시키는 것이 바람직하다.As illustrated in FIG. 3, the direct cleaning step S20 may gradually increase the size of the power applied in units of seconds to perform a stable cleaning process.

그리고 상기 직접세정단계(S20)는 그 수행시간이 수분 정도이며 그 압력은 수 Torr 정도로 유지되면서 수행될 수 있다.And the direct cleaning step (S20) may be performed while the execution time is about a few minutes and the pressure is maintained at several Torr.

그리고 상기 직접세정단계(S20)에 수행되는 세정가스는 RPG세정단계(S10)에서 사용되는 세정가스와 동일한 가스가 사용될 수 있다.The cleaning gas performed in the direct cleaning step S20 may be the same gas as the cleaning gas used in the RPG cleaning step S10.

한편 상기 직접세정단계(S20)에서는 기판(10)을 지지하는 기판지지부(130)를 상승시켜 수행될 수 있다.On the other hand, in the direct cleaning step (S20) may be performed by raising the substrate support 130 to support the substrate 10.

특히 상기 직접세정단계(S20)가 수행될 때 기판지지부(130)를 상승시키면 플라즈마의 강도를 강화시켜 세정효과를 증진시킬 수 있게 된다.In particular, when the direct cleaning step (S20) is carried out by raising the substrate support 130, it is possible to enhance the cleaning effect by enhancing the intensity of the plasma.

또한 상기 기판처리장치가 다수개의 기판(10)들이 적재된 트레이(20)에 의하여 이송되면서 기판처리를 수행하는 경우, RPG세정단계(S10) 및 직접세정단계(S20) 수행시 트레이(20)는 기판지지부(130) 상에 적재된 상태로 세정될 수 있다.In addition, when the substrate processing apparatus performs substrate processing while being transported by the tray 20 on which the plurality of substrates 10 are loaded, the tray 20 when the RPG cleaning step S10 and the direct cleaning step S20 are performed. It may be cleaned in a state loaded on the substrate support 130.

상기와 같이 기판처리장치의 세정 공정시 트레이(20)도 함께 세정되면 트레이(20)에 부착된 파티클에 의하여 영향을 최소화하여 보다 양호한 기판처리가 가능해지며, 트레이(20) 자체의 세정을 위한 세정주기를 감소시켜 전체 기판처리시간을 증가시킬 수 있다.As described above, when the tray 20 is also cleaned during the cleaning process of the substrate processing apparatus, the substrate 20 may have a better substrate treatment by minimizing the effects of particles attached to the tray 20, and the cleaning for the tray 20 itself may be performed. The cycle time can be reduced to increase the overall substrate processing time.

한편 상기 직접세정단계(S20) 후 불활성가스와 같은 퍼지가스를 처리공간(S)으로 공급하여 RPG세정단계(S10) 및 직접세정단계(S20)의 수행에 의하여 공정챔버(110) 내부에 발생된 부산물들을 배기관(180)을 통하여 제거하는 부산물제거단계(S30)가 수행된다.Meanwhile, after the direct cleaning step (S20), a purge gas such as an inert gas is supplied to the processing space (S) to generate the inside of the process chamber 110 by performing the RPG cleaning step (S10) and the direct cleaning step (S20). By-product removal step (S30) for removing the by-products through the exhaust pipe 180 is performed.

상기 부산물제거단계(S30)는 본 실시예에서 직접세정단계(S20) 후에 수행되는 것으로 예시하였으나 RPG세정단계(S10) 및 직접세정단계(S20) 중 적어도 어느 하나의 단계 후에 수행될 수 있음은 물론이다.The by-product removal step (S30) is illustrated as being performed after the direct cleaning step (S20) in this embodiment, but can be performed after at least one step of the RPG cleaning step (S10) and direct cleaning step (S20), of course. to be.

한편 본 발명은 RPG세정 및 직접세정를 조합하여 수행되는 것을 특징으로 하는바 그 순서 및 횟수가 다양한 형태로 조합되어 수행될 수 있다.Meanwhile, the present invention is characterized by being performed by combining RPG cleaning and direct cleaning, and the order and number thereof may be combined and performed in various forms.

즉, 상기 RPG세정단계(S10) 및 직접세정단계(S20)는 각각 1회 이상 수행될 수 있다.That is, the RPG cleaning step S10 and the direct cleaning step S20 may be performed one or more times, respectively.

또한 상기 RPG세정단계(S10), 직접세정단계(S20) 및 RPG세정단계(S10) 순으로 수행되거나, 직접세정단계(S20), RPG세정단계(S10) 및 직접세정단계(S20) 순으로 수행될 수 있다.In addition, the RPG cleaning step (S10), direct cleaning step (S20) and RPG cleaning step (S10) in the order, or direct cleaning step (S20), RPG cleaning step (S10) and direct cleaning step (S20) in order. Can be.

또한 상기 RPG세정단계(S10) 및 직접세정단계(S20)는 전체 세정시간 중 전부 또는 일부 시간 동안 동시에 수행되거나, 상기 RPG세정단계(S10) 및 직접세정단계(S20)는 전체 세정시간 동안 서로 번갈아 수행되는 등 다양한 조합에 의하여 수행될 수 있다.In addition, the RPG cleaning step (S10) and direct cleaning step (S20) is performed simultaneously for all or part of the entire cleaning time, or the RPG cleaning step (S10) and direct cleaning step (S20) alternately with each other during the entire cleaning time. May be performed by various combinations.

상기와 같이 상기 RPG세정단계(S10) 및 직접세정단계(S20)가 조합되어 공정챔버(110)에 대한 세정공정이 수행되는 경우 퇴적물에 균열을 유도하는데 유리한 RPG세정과 각 부재에 퇴적된 퇴적물을 박리하는데 유리한 직접세정의 효과가 서로 조합됨으로써 공정챔버(110) 내에 퇴적된 퇴적물들을 보다 효과적으로 제거할 수 있는 이점이 있다.As described above, when the cleaning process for the process chamber 110 is performed by combining the RPG cleaning step (S10) and the direct cleaning step (S20), RPG cleaning and sediment deposited on each member are advantageous. By combining the effects of direct cleaning, which is advantageous for peeling, there is an advantage that the deposits deposited in the process chamber 110 can be more effectively removed.

즉, 상기 RPG세정단계(S10) 및 직접세정단계(S20)가 조합하면 공정챔버(110)의 세정시간을 줄이는 한편 퇴적물을 제거효과를 높여 세정공정 후의 공정챔버(110)의 공정에 대한 신뢰성을 향상시킬 수 있다.That is, when the RPG cleaning step (S10) and the direct cleaning step (S20) is combined, the cleaning time of the process chamber 110 is reduced while the sediment removal effect is increased to increase the reliability of the process of the process chamber 110 after the cleaning process. Can be improved.

특히 태양전지소자의 수광면에 형성되는 SiNx막 같은 보호막을 형성하기 위하여 증착공정이 수행될 때 가스공급부(150), 공정챔버(110) 및 각종 부재의 표면에도 SiNx막로 이루어진 견고한 퇴적물이 형성된다.In particular, when the deposition process is performed to form a protective film such as a SiN x film formed on the light-receiving surface of the solar cell device, a solid deposit made of SiN x film is formed on the surfaces of the gas supply unit 150, the process chamber 110, and various members. do.

그런데 상기 RPG세정단계(S10) 및 직접세정단계(S20)가 조합하면 SiNx막과 같은 보호막을 형성하기 위하여 증착공정이 수행에 의하여 형성된 SiNx막과 같은 견고한 퇴적물을 효과적으로 제거할 수 있게 된다.However, the RPG washing step (S10) and if direct the cleaning step (S20) in combination it is possible to vapor deposition process to effectively remove solid deposits such as a SiN x film formed by carried out to form a protective film, such as SiN x film.

한편 상기 직접세정단계(S20)는 앞서 설명한 RPG세정단계(S10)와 유사하게 공정챔버(110)의 내부압력을 변화시키면서, 예를 들면 1회 이상의 정압단계 및 변압단계의 조합에 의하여 수행될 수 있다.Meanwhile, the direct cleaning step S20 may be performed by changing the internal pressure of the process chamber 110 similarly to the RPG cleaning step S10 described above, for example, by a combination of one or more constant pressure steps and a transformer step. have.

상기와 같이 상기 직접세정단계(S20) 또는 RPG세정단계(S10)에서 내부압력을 변화시키면서, 예를 들면 1회 이상의 정압단계 및 변압단계의 조합에 의하여 수행하는 이유는 다음과 같다.As described above, while changing the internal pressure in the direct cleaning step (S20) or the RPG cleaning step (S10), for example, the reason for performing by a combination of one or more static pressure steps and the transformer step is as follows.

먼저 가스공급부(150)의 경우 세정가스에 직접 노출되므로 압력변화 없이 직접세정단계(S20) 또는 RPG세정단계(S10)에 의하여 효과적으로 퇴적물을 제거할 수 있다.First, since the gas supply unit 150 is directly exposed to the cleaning gas, the sediment may be effectively removed by the direct washing step S20 or the RPG washing step S10 without a pressure change.

그러나 공정챔버(110)의 챔버본체(111), 챔버본체(111)의 측면 및 저면 등에 설치된 각종 부재들의 경우 돌출된 부분 또는 다른 부재에 의하여 세정가스의 흐름이 차단되거나 방해되어 부재에 대한 세정이 원활하지 않은 문제점이 있다.However, in the case of various members installed in the chamber body 111 of the process chamber 110, the side and the bottom of the chamber body 111, the flow of the cleaning gas is blocked or obstructed by the protruding portion or the other member so that the cleaning of the member is performed. There is a problem that is not smooth.

그런데 상기 직접세정단계(S20) 또는 RPG세정단계(S10)에서 내부압력을 변화시키게 되면 세정가스의 흐름에 대한 변화가 발생하여 챔버본체(111), 챔버본체(111)의 측면 및 저면 등에 설치된 각종 부재들 중 돌출된 부분 또는 다른 부재에 의하여 세정가스의 흐름이 차단되거나 방해되는 부분까지 세정가스가 도달하여 부재에 대한 세정을 원활하게 수행할 수 있다.
However, when the internal pressure is changed in the direct cleaning step (S20) or the RPG cleaning step (S10), a change in the flow of the cleaning gas occurs, and various kinds of the chamber body 111 and the side and the bottom of the chamber body 111 are installed. The cleaning gas may reach a portion where the flow of the cleaning gas is blocked or obstructed by the protruding portion or the other member of the members, thereby smoothly cleaning the member.

이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께 하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.
Since the above has been described only with respect to some of the preferred embodiments that can be implemented by the present invention, the scope of the present invention, as is well known, should not be construed as limited to the above embodiments, the present invention described above It will be said that both the technical idea and the technical idea which together with the base are included in the scope of the present invention.

110 : 공정챔버 130 : 기판지지부
150 : 가스공급부 160 : 원격플라즈마장치110: process chamber 130: substrate support
150: gas supply unit 160: remote plasma device

Claims (13)

공정챔버의 내부를 세정하는 기판처리장치의 세정방법으로서,
상기 공정챔버와 연결된 원격플라즈마발생장치에서 세정가스를 라디칼화하여 상기 공정챔버의 내부로 분사하여 상기 공정챔버를 세정하는 RPG세정단계와; 가스공급부를 통하여 처리공간으로 세정가스를 분사하면서 상기 처리공간에 분사된 세정가스를 플라즈마화하여 공정챔버를 세정하는 직접세정단계를 포함하며,
상기 RPG세정단계 및 상기 직접세정단계가 조합되어 수행되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 세정방법.A cleaning method of a substrate processing apparatus for cleaning an interior of a process chamber,
A RPG cleaning step of cleaning the process chamber by radicalizing the cleaning gas in the remote plasma generating apparatus connected to the process chamber and spraying the cleaning gas into the process chamber; And a direct cleaning step of cleaning the process chamber by converting the cleaning gas injected into the processing space into a plasma while injecting the cleaning gas into the processing space through a gas supply unit.
And the RPG cleaning step and the direct cleaning step are performed in combination. 청구항 1에 있어서,
상기 처리공간으로 퍼지가스를 공급하여 상기 공정챔버 내부에 발생된 부산물들을 배기관을 통하여 제거하는 부산물제거단계가 상기 RPG세정단계 후 및 상기 직접세정단계 후 중 적어도 어느 하나의 단계 후에 수행되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 세정방법.The method according to claim 1,
The by-product removal step of removing the by-products generated in the process chamber through the exhaust pipe by supplying a purge gas to the processing space is performed after at least one of the steps after the RPG cleaning step and after the direct cleaning step. The cleaning method of a substrate processing apparatus. 청구항 1에 있어서,
상기 RPG세정단계는 상기 가스공급부를 통하여 불활성가스를 상기 처리공간에 분사하는 안정화단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 세정방법.The method according to claim 1,
The RPG cleaning step further comprises a stabilizing step of injecting an inert gas into the processing space through the gas supply unit. 청구항 1에 있어서,
상기 RPG세정단계 및 상기 직접세정단계 중 어느 하나 또는 모두는 상기 공정챔버 내부의 압력을 변화시키면서 수행되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 세정방법.The method according to claim 1,
Any one or both of the RPG cleaning step and the direct cleaning step is performed while varying the pressure inside the process chamber. 청구항 1에 있어서,
상기 RPG세정단계 및 상기 직접세정단계 중 어느 하나 또는 모두는 상기 공정챔버의 내부압력을 일정하게 유지하여 세정하는 정압단계 및 상기 공정챔버의 내부압력을 변화시키면서 세정하는 변압단계를 조합하여 수행되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 세정방법.The method according to claim 1,
Any one or both of the RPG cleaning step and the direct cleaning step may be performed by combining a positive pressure step for cleaning by keeping the internal pressure of the process chamber constant and a transformer step for cleaning while changing the internal pressure of the process chamber. A method for cleaning a substrate processing apparatus, characterized in that. 청구항 1에 있어서,
상기 RPG세정단계 후에는 상기 직접세정단계 수행 전에 상기 공정챔버 내부의 압력을 강하시키는 압력강하단계가 수행되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 세정방법.The method according to claim 1,
And after the RPG cleaning step, a pressure drop step of lowering a pressure inside the process chamber before the direct cleaning step is performed. 청구항 1에 있어서,
상기 직접세정단계에서는 기판을 지지하는 기판지지부를 상승시켜 수행되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 세정방법.The method according to claim 1,
The direct cleaning step is a cleaning method of the substrate processing apparatus, characterized in that performed by raising the substrate support for supporting the substrate. 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 기판처리장치는 LF전원을 사용하여 기판의 표면에 증착공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 세정방법.The method according to any one of claims 1 to 7,
And the substrate treating apparatus performs a deposition process on the surface of the substrate using an LF power supply. 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 기판은 태양전지기판인 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 세정방법.The method according to any one of claims 1 to 7,
The substrate is a cleaning method of the substrate processing apparatus, characterized in that the solar cell substrate. 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 기판처리장치는 다수개의 기판들이 적재된 트레이에 의하여 이송되면서 기판처리를 수행하며,
상기 RPG세정단계 및 상기 직접세정단계 수행시 상기 트레이는 기판지지부 상에 적재된 상태로 세정되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 세정방법.The method according to any one of claims 1 to 7,
The substrate processing apparatus performs substrate processing while being transported by a tray having a plurality of substrates loaded thereon,
And the tray is cleaned in a state where the tray is loaded on a substrate support when the RPG cleaning step and the direct cleaning step are performed. 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 RPG세정단계 및 상기 직접세정단계는 각각 1회 이상 수행되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 세정방법.The method according to any one of claims 1 to 7,
And the RPG cleaning step and the direct cleaning step are performed one or more times, respectively. 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 RPG세정단계, 상기 직접세정단계 및 상기 RPG세정단계 순으로 수행되거나, 상기 직접세정단계, 상기 RPG세정단계 및 상기 직접세정단계 순으로 수행되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 세정방법.The method according to any one of claims 1 to 7,
And the RPG cleaning step, the direct cleaning step, and the RPG cleaning step, or the direct cleaning step, the RPG cleaning step, and the direct cleaning step. 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 RPG세정단계 및 상기 직접세정단계는 전체 세정시간 중 전부 또는 일부 시간 동안 동시에 수행되거나,
상기 RPG세정단계 및 상기 직접세정단계는 전체 세정시간 동안 서로 번갈아 수행되는 기판처리장치의 세정방법.The method according to any one of claims 1 to 7,
The RPG cleaning step and the direct cleaning step may be performed simultaneously for all or part of the entire cleaning time,
And the RPG cleaning step and the direct cleaning step are alternately performed for the entire cleaning time.
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