KR20120028674A - Method of fabricating anodic aluminium oxide - Google Patents

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KR20120028674A
KR20120028674A KR1020100090667A KR20100090667A KR20120028674A KR 20120028674 A KR20120028674 A KR 20120028674A KR 1020100090667 A KR1020100090667 A KR 1020100090667A KR 20100090667 A KR20100090667 A KR 20100090667A KR 20120028674 A KR20120028674 A KR 20120028674A
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손형빈
이준환
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삼성전자주식회사
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Abstract

PURPOSE: An AAO(Anodic Aluminum Oxide) manufacturing method is provided to secure AAO with regular arrangement and uniform pores. CONSTITUTION: An AAO manufacturing method comprises the steps of: preparing an aluminum substrate(20), forming a first anodized aluminum(24) on the surface of the aluminum substrate through mild anodization, removing the first anodized aluminum from the aluminum substrate, and forming a second anodized aluminum on the surface of the aluminum substrate through hard anodization.

Description

양극 산화 알루미늄의 제조 방법 {Method of fabricating anodic aluminium oxide}Method of manufacturing anodized aluminum oxide {Method of fabricating anodic aluminum oxide}

양극 산화 알루미늄의 제조 방법을 개시한다. 더욱 상세하게는, 두 단계에 걸친 혼성 양극산화방식(hybrid anodization)을 이용하여 양질의 양극 산화 알루미늄을 상대적으로 빠르게 성장시킬 수 있는 양극 산화 알루미늄의 제조 방법을 개시한다.A method for producing anodized aluminum is disclosed. More specifically, a method for producing anodized aluminum, which can grow high quality anodized aluminum relatively rapidly by using hybrid anodization in two steps, is disclosed.

양극 산화 알루미늄(anodic aluminium oxide; AAO)은 규칙적으로 배열되어 있는 다수의 미세한 기공(pore)들이 표면에 형성되어 있는 알루미늄 산화물이다. 이러한 다공성의 양극 산화 알루미늄은 최근 응용 범위의 확대 때문에 많은 관심을 끌고 있다. 예를 들어, 양극 산화 알루미늄은 나노와이어, 나노튜브, 나노 스탬프 또는 나노 전자회로 등과 같은 나노 구조물을 제조하기 위한 템플릿(template)으로 사용될 수 있다. 또한, 탈염(desalination) 필터와 같은 무기 분리막, 바이오/화학 센서, 광결정(photonic crystals), 태양전지의 전극, 약물 담지체 등과 같은 다양한 분야에서 양극 산화 알루미늄을 이용하기 위한 시도가 이루어지고 있다.Anodized aluminum oxide (AAO) is an aluminum oxide in which a number of fine pores arranged regularly are formed on the surface. Such porous anodic aluminum oxide has attracted much attention in recent years due to the expansion of its application range. For example, anodized aluminum oxide may be used as a template for manufacturing nanostructures such as nanowires, nanotubes, nano stamps or nanoelectronic circuits. In addition, attempts have been made to use anodized aluminum in various fields such as inorganic separators such as desalination filters, bio / chemical sensors, photonic crystals, solar cell electrodes, drug carriers, and the like.

다공성을 갖는 양극 산화 알루미늄(AAO)을 제조하는 기본 원리는 산성 용액 내에서 알루미늄을 양극 산화시키는 것이다. 양극산화기술(anodization)은 일반적으로 금속의 표면처리 기술 중 하나로서, 금속표면의 부식반응을 억제하여 금속을 보호하거나 금속 표면에 다양한 종류의 색을 나타내기 위하여 통상 사용된다. 양극 산화 알루미늄(AAO)은 이러한 양극산화기술을 이용하여 알루미늄의 표면을 양극 산화시킴으로써 알루미늄의 표현에 형성될 수 있다.The basic principle of producing anodized aluminum oxide (AAO) with porosity is to anodize aluminum in an acidic solution. Anodization is generally one of the surface treatment techniques for metals, and is commonly used to protect metals by suppressing corrosion reactions on metal surfaces or to display various kinds of colors on metal surfaces. Anodized aluminum (AAO) can be formed in the representation of aluminum by anodizing the surface of aluminum using this anodization technique.

양극 산화 알루미늄을 얻기 위한 양극산화기술에는 일반적으로 마일드 양극산화방식(mild anodization)과 하드 양극산화방식(hard anodization)이 있다. 마일드 양극산화방식은 산성 용액 내에서 통상 약 50mA/cm2 정도의 비교적 낮은 전류밀도로 양극 산화가 이루어지며, 하드 양극산화방식은 통상 약 100mA/cm2 이상의 비교적 높은 전류밀도로 양극 산화가 이루어진다. 하드 양극산화방식의 경우, 양극 산화 알루미늄을 매우 빠르고 저렴하게 성장시킬 수 있다. 그러나 하드 양극산화방식으로 생산된 양극 산화 알루미늄의 경우, 기공들의 배열이 불규칙하고 그 크기도 역시 불균일한 단점이 있다. 반면, 마일드 양극산화방식의 경우, 양극 산화 알루미늄의 성장 속도가 느린 단점이 있지만, 매우 규칙적이고 균일한 기공들을 얻을 수 있다는 장점이 있다.Anodization techniques for obtaining anodized aluminum are generally mild anodization and hard anodization. Mild anodization is usually anodized at a relatively low current density of about 50 mA / cm 2 in an acidic solution, and hard anodization is usually anodized at a relatively high current density of about 100 mA / cm 2 or more. In the case of hard anodization, anodized aluminum can be grown very quickly and inexpensively. However, in the case of anodized aluminum produced by hard anodization, the arrangement of pores is irregular and its size is also nonuniform. On the other hand, in the case of mild anodization, although the growth rate of the anodized aluminum is slow, there is an advantage that very regular and uniform pores can be obtained.

마일드 양극산화방식과 하드 양극산화방식의 단점을 보완하여 양극 산화 알루미늄의 성장 속도를 향상시키는 동시에, 양극 산화 알루미늄의 기공들이 균일하게 형성될 수 있도록 하는 양극 산화 알루미늄의 제조 방법을 제공한다.The present invention provides a method for manufacturing anodized aluminum oxide, which improves the growth rate of anodized aluminum oxide and compensates for the disadvantages of the mild anodized and hard anodized methods, while allowing pores of the anodized aluminum to be uniformly formed.

본 발명의 일 유형에 따르면, 알루미늄 기판을 마련하는 단계; 마일드 양극산화방식으로 상기 알루미늄 기판의 표면 위에 제 1 양극 산화 알루미늄을 형성하는 단계; 상기 알루미늄 기판의 표면 위에 형성된 제 1 양극 산화 알루미늄을 제거하는 단계; 및 상기 제 1 양극 산화 알루미늄이 제거된 알루미늄 기판의 표면 위에 하드 양극산화방식으로 제 2 양극 산화 알루미늄을 형성하는 단계;를 포함하는 양극 산화 알루미늄 제조 방법이 제공된다.According to one type of the present invention, there is provided a method for manufacturing an aluminum substrate; Forming a first anodized aluminum oxide on a surface of the aluminum substrate by a mild anodization; Removing a first anodized aluminum oxide formed on a surface of the aluminum substrate; And forming a second anodized aluminum oxide by hard anodization on the surface of the aluminum substrate from which the first anodized aluminum oxide has been removed.

상기 알루미늄 기판을 마련하는 단계는 알루미늄 기판의 표면이 매끄럽도록 경면 처리하는 단계를 포함할 수 있다.The preparing of the aluminum substrate may include mirror-processing the surface of the aluminum substrate to be smooth.

상기 제 1 양극 산화 알루미늄을 형성하는 단계에서, 예를 들어, 인가 전압은 40V 내지 190V의 범위에 있으며 전류 밀도는 1mA/cm2 내지 50mA/cm2의 범위에 있다.In the step of forming the first anodized aluminum oxide, for example, the applied voltage is in the range of 40V to 190V and the current density is in the range of 1mA / cm 2 to 50mA / cm 2 .

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 알루미늄 기판의 표면 위에 제 1 양극 산화 알루미늄을 형성함으로써, 상기 제 1 양극 산화 알루미늄 하부의 알루미늄 기판의 표면에 다수의 오목 패턴들을 형성할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, by forming the first anodized aluminum on the surface of the aluminum substrate, a plurality of concave patterns may be formed on the surface of the aluminum substrate below the first anodized aluminum oxide.

상기 제 1 양극 산화 알루미늄을 형성하는 단계는 상기 알루미늄 기판의 표면에 다수의 오목 패턴들이 형성될 때까지 수행할 수 있다.The forming of the first anodized aluminum oxide may be performed until a plurality of concave patterns are formed on the surface of the aluminum substrate.

상기 제 2 양극 산화 알루미늄을 형성하는 단계에서, 예를 들어, 인가 전압은 80V 내지 600V의 범위에 있으며 전류 밀도는 50mA/cm2 내지 2000mA/cm2의 범위에 있다.In the step of forming the second anodized aluminum, for example, the applied voltage is in the range of 80V to 600V and the current density is in the range of 50mA / cm 2 to 2000mA / cm 2 .

상기 제 1 양극 산화 알루미늄을 제거하는 단계는, H3PO4와 H2CrO4 혼합 용액으로 알루미늄 기판 위의 제 1 양극 산화 알루미늄을 제거하는 단계 및 상기 제 1 양극 산화 알루미늄이 제거된 알루미늄 기판을 세척하는 단계를 포함할 수 있다.The removing of the first anodized aluminum oxide may include removing the first anodized aluminum oxide on the aluminum substrate with a H 3 PO 4 and H 2 CrO 4 mixed solution, and removing the aluminum substrate from which the first anodized aluminum oxide has been removed. Washing may be included.

상기 제 1 양극 산화 알루미늄을 형성하는 단계와 제 2 양극 산화 알루미늄을 형성하는 단계는 산성 용액 내에서 수행될 수 있다.Forming the first anodized aluminum and forming the second anodized aluminum oxide may be performed in an acidic solution.

예를 들어, 상기 산성 용액은 황산, 수산, 인산, 포름산, 시트르산, 말산, 락틱산, 및 아세트산 중 어느 하나의 수용액 또는 이들 중 적어도 두 개의 혼합 수용액일 수 있다.For example, the acidic solution may be an aqueous solution of any one of sulfuric acid, hydroxyl acid, phosphoric acid, formic acid, citric acid, malic acid, lactic acid, and acetic acid or a mixed aqueous solution of at least two of them.

상기 산성 용액 내에 에탄올이 더 첨가될 수 있다.Ethanol may be further added into the acidic solution.

예를 들어, 상기 산성 용액의 농도는 1M일 수 있다.For example, the concentration of the acidic solution may be 1M.

개시된 양극 산화 알루미늄의 제조 방법은 마일드 양극산화방식과 하드 양극산화방식을 혼성한 혼성 양극산화방식을 이용한다. 개시된 방법에 따르면, 양극 산화 알루미늄의 성장 속도가 마일드 양극산화방식에 비하여 크게 향상될 수 있다. 또한, 개시된 방법으로 제조된 양극 산화 알루미늄은 매우 규칙적으로 배열되어 있으며 크기가 균일한 기공들을 가질 수 있다.The method of manufacturing the disclosed anodized aluminum uses a hybrid anodizing method in which a mild anodizing method and a hard anodizing method are mixed. According to the disclosed method, the growth rate of the anodized aluminum can be greatly improved compared to the mild anodizing method. In addition, the anodized aluminum oxide produced by the disclosed method may have pores that are very regularly arranged and uniform in size.

도 1은 양극 산화 알루미늄을 제조하기 위한 일반적인 제조 장치를 개략적으로 나타내는 개념도이다.
도 2는 양극 산화 알루미늄을 제조하기 위한 다른 일반적인 제조 장치를 개략적으로 나타내는 개념도이다.
도 3a 내지 도 3c는 양극 산화 알루미늄이 형성되는 일반적인 원리를 개략적으로 보인다.
도 4 내지 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따라 양극 산화 알루미늄을 제조하는 과정을 순차적으로 나타내는 개념도이다.
도 7은 기존의 하드 양극산화방식으로 형성된 양극 산화 알루미늄의 표면에 대한 광학 현미경 사진이다.
도 8은 본 발명에 따른 양극 산화 알루미늄의 제조 방식으로 형성된 양극 산화 알루미늄의 표면에 대한 광학 현미경 사진이다.
도 9는 본 발명에 따른 양극 산화 알루미늄의 제조 방식으로 형성된 양극 산화 알루미늄의 표면에 대한 SEM(scanning electron microscope) 사진이다.1 is a conceptual diagram schematically showing a general manufacturing apparatus for producing anodized aluminum.
2 is a conceptual diagram schematically showing another general manufacturing apparatus for producing anodized aluminum.
3A-3C schematically show the general principle in which anodized aluminum is formed.
4 to 6 are conceptual views sequentially illustrating a process of manufacturing anodized aluminum according to an embodiment of the present invention.
7 is an optical micrograph of the surface of anodized aluminum oxide formed by the conventional hard anodization method.
8 is an optical micrograph of the surface of anodized aluminum oxide formed by the method of producing anodized aluminum according to the present invention.
9 is a scanning electron microscope (SEM) photograph of the surface of anodized aluminum oxide formed by a method of manufacturing anodized aluminum oxide according to the present invention.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여, 양극 산화 알루미늄의 제조 방법에 대해 상세하게 설명한다. 이하의 도면들에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭하며, 도면상에서 각 구성요소의 크기는 설명의 명료성과 편의상 과장되어 있을 수 있다.Hereinafter, a method of manufacturing anodized aluminum will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the drawings, like reference numerals refer to like elements, and the size of each element in the drawings may be exaggerated for clarity and convenience of description.

도 1은 양극 산화 알루미늄을 제조하기 위한 일반적인 제조 장치를 개략적으로 나타내는 개념도이다. 도 1을 참조하면, 양극 산화 알루미늄을 제조하기 위한 일반적인 제조 방식에서, 수조(11) 내에 산성 용액(12)을 채우고, 산성 용액(12) 내에 음극(13)과 알루미늄 기판(20)을 서로 대향하여 배치한다. 음극(13)으로는 예를 들어 탄소 기판을 사용할 수 있다. 그리고, 산성 용액(12)으로는 예를 들어 황산 용액을 사용할 수 있다. 그런 후, 음극(13)에 음의 전압을 인가하고 알루미늄 기판(20)에 양의 전압을 인가하면 산성 용액(12) 내에 담긴 알루미늄 기판(20)의 표면에 양극 산화 알루미늄이 성장되기 시작한다.1 is a conceptual diagram schematically showing a general manufacturing apparatus for producing anodized aluminum. Referring to FIG. 1, in a general manufacturing method for manufacturing anodized aluminum, an acid solution 12 is filled in a water tank 11, and a cathode 13 and an aluminum substrate 20 are placed on each other in an acid solution 12. To face. As the cathode 13, for example, a carbon substrate can be used. As the acidic solution 12, for example, a sulfuric acid solution can be used. Then, when a negative voltage is applied to the cathode 13 and a positive voltage is applied to the aluminum substrate 20, aluminum anodic oxide starts to grow on the surface of the aluminum substrate 20 contained in the acidic solution 12.

도 1에 도시된 경우에는, 음극(13)과 알루미늄 기판(20)이 부분적으로 산성 용액(12) 내에 담겨 있다. 그러나, 도 2에 도시된 바와 같이, 음극(13)과 알루미늄 기판(20)의 전체가 산성 용액(12) 내에 담길 수도 있다. 이 경우, 양극 산화 알루미늄이 형성될 알루미늄 기판(20)의 일부 표면을 제외하고, 알루미늄 기판(20)의 나머지 부분을 방수 부재(14)로 둘러쌀 수 있다. 이때, 양극 산화 알루미늄이 형성될 알루미늄 기판(20)의 표면이 음극(13)과 대향하도록 배치된다. 이는 알루미늄 기판(20)에 양의 전압을 인가하기 위한 전선 및 클램핑 부재(도시되지 않음)가 산성 용액(12)에 의해 부식되지 않도록 하기 위한 것이다.In the case shown in FIG. 1, the cathode 13 and the aluminum substrate 20 are partially contained in the acidic solution 12. However, as shown in FIG. 2, the entirety of the cathode 13 and the aluminum substrate 20 may be contained in the acidic solution 12. In this case, except for a part of the surface of the aluminum substrate 20 on which the anodized aluminum is to be formed, the remaining portion of the aluminum substrate 20 may be surrounded by the waterproof member 14. At this time, the surface of the aluminum substrate 20 on which the anodized aluminum is to be formed is disposed to face the cathode 13. This is to prevent the wire and clamping member (not shown) for applying a positive voltage to the aluminum substrate 20 from being corroded by the acidic solution 12.

도 3a 내지 도 3c는 양극 산화 알루미늄이 형성되는 일반적인 원리를 개략적으로 보이고 있다. 먼저, 도 3a에 도시된 바와 같이, 알루미늄 기판(20)에 양의 전압을 인가하면, 양이온을 띄고 있는 알루미늄 이온이 산성 용액(12)으로 용출되고, 산성 용액(12) 내에 있는 산소 이온이나 수산화 이온이 알루미늄 기판(20)의 표면으로 이동하게 된다. 그러면, 알루미늄 이온과 산소 이온 또는 수산화 이온의 결합으로 인해, 알루미늄 기판(20)의 표면에 알루미늄 산화막(Al2O3)(21)이 형성된다.3A-3C schematically illustrate the general principle in which anodized aluminum is formed. First, as shown in FIG. 3A, when a positive voltage is applied to the aluminum substrate 20, aluminum ions bearing cations are eluted into the acidic solution 12, and oxygen ions or hydroxides in the acidic solution 12 are dispersed. Ions migrate to the surface of the aluminum substrate 20. Then, due to the combination of aluminum ions and oxygen ions or hydroxide ions, an aluminum oxide film (Al 2 O 3 ) 21 is formed on the surface of the aluminum substrate 20.

이렇게 형성되는 알루미늄 산화막(21)은 산성 용액(12)에 의해 표면이 부분적으로 용해되면서 표면이 거칠어 지게 된다. 그러면 알루미늄 산화막(21)의 두께가 일정하지 않고 상대적으로 두께가 두꺼운 부분과 얇은 부분이 생기게 되는데, 이때 알루미늄 산화막(21)의 얇은 부분에 전기장이 집중된다. 집중된 전기장은 알루미늄 산화막(21)의 용해를 더욱 촉진시켜 그 부분의 두께를 더 얇게 만든다. 그 결과, 도 3b에 도시된 바와 같이, 상술한 과정이 연속적으로 진행되면서 국부적인 산화 반응으로 알루미늄 산화막(21)의 전체 표면에 다수의 기공(22)이 형성 된다. 국부적으로 형성된 기공(22)은, 도 3c에 도시된 바와 같이, 양극 산화가 진행되는 동안 알루미늄 산화막(21)과 함께 성장하여 길이가 길어지게 된다. 이러한 방식으로 다수의 균일한 기공(22)들을 갖는 양극 산화 알루미늄(24)이 최종적으로 형성될 수 있다.The aluminum oxide film 21 thus formed is roughened as the surface is partially dissolved by the acid solution 12. Then, the thickness of the aluminum oxide film 21 is not constant and a relatively thick portion and a thin portion are formed. In this case, the electric field is concentrated on the thin portion of the aluminum oxide film 21. The concentrated electric field further promotes dissolution of the aluminum oxide film 21, making the thickness of the portion thinner. As a result, as shown in FIG. 3B, a plurality of pores 22 are formed on the entire surface of the aluminum oxide film 21 by a local oxidation reaction while the above-described process is continuously performed. The locally formed pores 22 grow together with the aluminum oxide film 21 during the anodic oxidation, as shown in FIG. In this way, anodized aluminum oxide 24 having a plurality of uniform pores 22 can be finally formed.

한편, 앞서 설명한 바와 같이, 양극 산화 알루미늄(24)을 형성하는 방식에는 비교적 낮은 전류 밀로를 이용하는 마일드 양극산화방식과 비교적 높은 전류 밀도를 이용하는 하드 양극산화방식이 있다. 마일드 양극산화방식의 경우에는, 양극 산화 알루미늄(24)의 성장 속도가 약 2~6㎛/h로 비교적 느린 반면, 매우 균일하게 형성된 기공(22)을 얻을 수 있다. 하드 양극산화방식의 경우에는, 양극 산화 알루미늄(24)의 성장 속도가 약 50~100㎛/h로 매우 빠른 반면, 고전압에 의해 발생하는 소위 "전기적 절연 파괴(electrical breakdown)"와 "버닝(burning)"으로 인하여 기공(22)의 균일도가 낮은 편이다.On the other hand, as described above, there are a mild anodization method using a relatively low current mill and a hard anodization method using a relatively high current density in the method of forming the anodized aluminum 24. In the case of the mild anodizing method, the growth rate of the anodized aluminum oxide 24 is relatively slow at about 2 to 6 µm / h, but a very uniformly formed pores 22 can be obtained. In the case of the hard anodization method, the growth rate of the anodized aluminum oxide 24 is very fast, about 50-100 μm / h, while the so-called "electrical breakdown" and "burning" generated by the high voltage are caused. Due to the uniformity of the pores 22 is low.

본 발명의 일 실시예는, 마일드 양극산화방식과 하드 양극산화방식의 단점을 보완하여 양극 산화 알루미늄의 성장 속도를 향상시키는 동시에, 양극 산화 알루미늄의 기공들이 균일하게 형성될 수 있도록 하는 방법을 제공한다. 도 4 내지 도 6은 이러한 본 발명의 일 실시예에 따라 양극 산화 알루미늄을 제조하는 과정을 순차적으로 나타내는 개념도이다.An embodiment of the present invention provides a method for improving the growth rate of anodized aluminum oxide and at the same time forming pores of the anodized aluminum oxide by supplementing the disadvantages of the mild anodizing method and the hard anodizing method. . 4 to 6 are conceptual views sequentially illustrating a process of manufacturing anodized aluminum oxide according to an embodiment of the present invention.

먼저, 도 4를 참조하면, 표면이 매끄럽도록 경면 처리된(mirror-finished) 알루미늄 기판(20)을 마련한다. 그런 후, 도 1 또는 도 2에 도시된 바와 같이, 알루미늄 기판(20)을 산성 용액(12) 내에 적어도 부분적으로 담근다. 이때, 산성 용액(12)은 예를 들어 황산 용액을 사용할 수도 있지만, 황산 이외에도 수산(oxalic acid), 인산(phosphoric acid), 포름산(formic acid), 시트르산(citric acid), 말산(malic acid), 락틱산(lactic acid), 아세트산(acetic acid) 중 어느 하나의 수용액 또는 이들 중 적어도 두 개의 혼합 수용액을 사용할 수 있다. 또한, 제조 과정에서 알루미늄 기판(20)의 과열을 방지하기 위하여 산성 용액(12) 내에 에탄올(ethyl alcohol)을 더 첨가할 수도 있다. 산성 용액(12)의 농도는 예를 들어 약 1M 정도일 수 있다.First, referring to FIG. 4, a mirror-finished aluminum substrate 20 is provided to smooth the surface. Then, as shown in FIG. 1 or FIG. 2, the aluminum substrate 20 is at least partially immersed in the acidic solution 12. In this case, the acid solution 12 may be a sulfuric acid solution, for example, but in addition to sulfuric acid, oxalic acid, phosphoric acid, formic acid, citric acid, malic acid, malic acid, An aqueous solution of any one of lactic acid and acetic acid or a mixed aqueous solution of at least two of them may be used. In addition, ethanol (ethyl alcohol) may be further added to the acid solution 12 in order to prevent overheating of the aluminum substrate 20 during the manufacturing process. The concentration of the acidic solution 12 may be, for example, about 1M.

그런 다음, 음극(13)과 알루미늄 기판(20)에 각각 음의 전압과 양의 전압을 인가하여, 마일드 양극산화방식에 따라 알루미늄 기판(20)의 표면 위에 제 1 양극 산화 알루미늄(24)을 형성한다. 여기서, 알루미늄 기판(20)에 인가되는 전류 밀도는 예를 들어 약 1mA/cm2 내지 약 50mA/cm2의 범위 내에서 일정하게 유지될 수 있다. 일정한 전류 밀도가 유지될 수 있도록, 상기 음극(13)와 알루미늄 기판(20)에 인가되는 전압은 약 40V 내지 약 190V의 범위에서 조절될 수 있다. 그러면, 도 4에 도시된 바와 같이, 알루미늄 기판(20)의 표면 위에서 제 1 양극 산화 알루미늄(24)이 성장하기 시작한다.Then, a negative voltage and a positive voltage are applied to the cathode 13 and the aluminum substrate 20, respectively, to form the first anodized aluminum 24 on the surface of the aluminum substrate 20 according to the mild anodization method. do. Here, the current density applied to the aluminum substrate 20 may be kept constant in the range of, for example, about 1 mA / cm 2 to about 50 mA / cm 2 . In order to maintain a constant current density, the voltage applied to the cathode 13 and the aluminum substrate 20 may be adjusted in the range of about 40V to about 190V. Then, as shown in FIG. 4, the first anodized aluminum oxide 24 begins to grow on the surface of the aluminum substrate 20.

알루미늄 기판(20)이 산화되어 제 1 양극 산화 알루미늄(24)이 성장하게 되면, 성장하는 제 1 양극 산화 알루미늄(24)에 의해 나머지 알루미늄 기판(20)의 표면이 울퉁불퉁하게 된다. 제 1 양극 산화 알루미늄(24)의 성장이 더 진행되어 어느 정도 균일한 기공(22)들이 형성되면, 제 1 양극 산화 알루미늄(24) 하부의 알루미늄 기판(20)의 표면에도 비교적 규칙적인 오목 패턴(23)들이 형성될 수 있다. 이렇게 비교적 규칙적인 오목 패턴(23)들이 알루미늄 기판(20)의 표면에 형성되면, 마일드 양극산화방식으로 제 1 양극 산화 알루미늄(24)을 형성하는 단계를 중단한다.When the aluminum substrate 20 is oxidized and the first anodized aluminum 24 is grown, the surface of the remaining aluminum substrate 20 is uneven by the growing first anodized aluminum 24. When the growth of the first anodized aluminum 24 is further progressed to form uniform pores 22 to some extent, a relatively regular concave pattern may also be formed on the surface of the aluminum substrate 20 under the first anodized aluminum oxide 24. 23) can be formed. When the relatively regular concave patterns 23 are formed on the surface of the aluminum substrate 20, the step of forming the first anodized aluminum 24 by the mild anodization is stopped.

그런 후, 알루미늄 기판(20)의 표면에 위에 형성된 상기 제 1 양극 산화 알루미늄(24)을 제거한다. 알루미늄 기판(20) 위의 제 1 양극 산화 알루미늄(24)은 예를 들어, H3PO4와 H2CrO4 혼합 용액으로 제거될 수 있다. 이렇게 제 1 양극 산화 알루미늄(24)이 모두 제거되면, 도 5에 도시된 바와 같이, 알루미늄 기판(20)의 표면에는 제거된 제 1 양극 산화 알루미늄(24)의 모양대로 오목 패턴(23)들이 남게 된다. 이렇게 제 1 양극 산화 알루미늄(24)이 제거된 후에는, 알루미늄 기판(20)을 물 등으로 세척하여 잔류하는 H3PO4와 H2CrO4 혼합 용액을 제거할 수 있다.Then, the first anodized aluminum oxide 24 formed on the surface of the aluminum substrate 20 is removed. The first anodized aluminum oxide 24 on the aluminum substrate 20 may be removed, for example, with a H 3 PO 4 and H 2 CrO 4 mixed solution. When all of the first anodized aluminum 24 is removed as shown in FIG. 5, the concave patterns 23 remain on the surface of the aluminum substrate 20 in the shape of the removed first anodized aluminum 24. do. After the first anodized aluminum 24 is removed, the aluminum substrate 20 may be washed with water to remove the remaining H 3 PO 4 and H 2 CrO 4 mixed solution.

마지막으로, 상기 다수의 오목 패턴(23)들을 갖는 알루미늄 기판(20)을 다시 산성 용액(12) 내에 적어도 부분적으로 담그고, 도 6에 도시된 바와 같이, 하드 양극산화방식에 따라 알루미늄 기판(20)의 표면 위에 제 2 양극 산화 알루미늄(25)을 형성한다. 이때, 산성 용액(12)의 재료와 농도는 앞서 설명한 마일드 양극산화방식으로 제 1 양극 산화 알루미늄(24)을 형성할 때와 동일할 수 있다. 또한, 알루미늄 기판(20)에 인가되는 전류 밀도는 예를 들어 약 50mA/cm2 내지 약 2000mA/cm2의 범위 내에서 일정하게 유지될 수 있으며, 음극(13)와 알루미늄 기판(20)에 인가되는 전압은 약 80V 내지 약 600V의 범위에서 조절될 수 있다.Finally, the aluminum substrate 20 having the plurality of concave patterns 23 is again at least partially immersed in the acidic solution 12, and as shown in FIG. 6, the aluminum substrate 20 according to the hard anodization method. The second anodized aluminum oxide 25 is formed on the surface of the film. In this case, the material and the concentration of the acidic solution 12 may be the same as when the first anodized aluminum 24 is formed by the mild anodization method described above. In addition, the current density applied to the aluminum substrate 20 may be kept constant in the range of, for example, about 50 mA / cm 2 to about 2000 mA / cm 2 , and applied to the cathode 13 and the aluminum substrate 20. The voltage to be controlled can be regulated in the range of about 80V to about 600V.

상술한 실시예에서, 전류 밀도의 범위 50~2000mA/cm2는 일반적인 하드 양극산화방식에서 주로 요구되는 전류 밀도의 범위인 약 150~1000mA/cm2보다 넓은 것이다. 이는 알루미늄 기판(20)의 표면에 형성된 오목 패턴(23)들에 기인한다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 오목 패턴(23)을 따라 전기장이 효과적으로 분배되기 때문에, 제 2 양극 산화 알루미늄(25)의 표면에 다수의 기공(26)들이 더 용이하게 형성될 수 있으며, 또한 "전기적 절연 파괴"와 "버닝"을 방지할 수 있다. 만약 오목 패턴(23)들이 없었다면, 제 2 양극 산화 알루미늄(25)의 상대적으로 얇은 부분으로 고전압의 전기장이 집중되면서 버닝이나 전기적 절연 파괴가 일어날 수도 있다. 따라서 본 발명의 일 실시예에 따르면, 다수의 기공(26)들을 갖는 제 2 양극 산화 알루미늄(25)을 하드 양극산화방식으로 형성할 때, 필요한 전류 밀도의 범위가 더 증가할 수 있다. 특히, 고전압을 사용하더라도 "전기적 절연 파괴"와 "버닝"이 거의 발생하지 않기 때문에, 더욱 높은 전압을 사용하여 제 2 양극 산화 알루미늄(25)의 성장 속도를 더욱 증가시킬 수 있다.In the above-described embodiment, the range of current density 50 ~ 2000mA / cm 2 is wider than about 150 ~ 1000mA / cm 2 which is the range of current density mainly required in the general hard anodization. This is due to the concave patterns 23 formed on the surface of the aluminum substrate 20. According to an embodiment of the present invention, since the electric field is effectively distributed along the concave pattern 23, a plurality of pores 26 may be more easily formed on the surface of the second anodized aluminum 25. In addition, "electrical breakdown" and "burning" can be prevented. If the concave patterns 23 were not present, burning or electrical breakdown may occur as a high voltage electric field is concentrated in a relatively thin portion of the second anodized aluminum 25. Therefore, according to one embodiment of the present invention, when forming the second anodized aluminum oxide 25 having a plurality of pores 26 by hard anodization, the range of the required current density may be further increased. In particular, even when high voltage is used, since "electrical dielectric breakdown" and "burning" hardly occur, higher voltages can be used to further increase the growth rate of the second anodized aluminum oxide 25.

이렇게 최종적으로 형성된 제 2 양극 산화 알루미늄(25)은 일반적인 마일드 양극산화방식으로 형성될 때와 거의 유사한 정도로 균일한 기공(26)들을 가질 수 있다. 예를 들어, 도 7은 기존의 하드 양극산화방식으로 형성된 양극 산화 알루미늄의 표면에 대한 광학 현미경 사진이며, 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 양극 산화 알루미늄의 제조 방식으로 형성된 양극 산화 알루미늄의 표면에 대한 광학 현미경 사진이다. 도 7과 도 8의 사진을 비교해 보면, 본 발명의 일 실시예에 따른 방법으로 제조된 도 8의 양극 산화 알루미늄은 매우 매끄러운 표면을 갖는 반면, 도 7의 양극 산화 알루미늄은 매우 거친 표면을 갖는다는 것을 알 수 있다. 또한, 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 양극 산화 알루미늄의 제조 방식으로 형성된 양극 산화 알루미늄의 표면에 대한 SEM(scanning electron microscope) 사진이다. 도 9의 SEM 사진을 보면, 본 발명의 일 실시예에 따른 방법으로 제조된 양극 산화 알루미늄의 표면에 다수의 기공들이 매우 균일하게 분포되어 있음을 알 수 있다.The second anodic aluminum oxide 25 thus formed may have uniform pores 26 to a degree substantially similar to that when formed by a general mild anodization method. For example, FIG. 7 is an optical micrograph of the surface of anodized aluminum oxide formed by the conventional hard anodization method, and FIG. 8 is a diagram of anodized aluminum oxide formed by the method of manufacturing anodized aluminum according to an embodiment of the present invention. Optical micrograph of the surface. 7 and 8 show that the anodized aluminum oxide of FIG. 8 prepared by the method according to an embodiment of the present invention has a very smooth surface, whereas the anodized aluminum oxide of FIG. 7 has a very rough surface. It can be seen that. 9 is a scanning electron microscope (SEM) photograph of the surface of anodized aluminum oxide formed by a method of manufacturing anodized aluminum according to an embodiment of the present invention. 9, it can be seen that a plurality of pores are very uniformly distributed on the surface of the anodized aluminum oxide manufactured by the method according to the exemplary embodiment of the present invention.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 마일드 양극산화방식과 하드 양극산화방식을 결합함으로써, 상술한 바와 같이 향상된 품질을 갖는 양극 산화 알루미늄을 비교적 빠르게 형성시킬 수 있다. 예를 들어, 마일드 양극산화방식에서 양극 산화 알루미늄의 성장 속도가 5㎛/h이고, 하드 양극산화방식에서 양극 산화 알루미늄의 성장 속도가 100㎛/h이라고 할 때, 100㎛의 고품질 양극 산화 알루미늄을 얻기 위해서는 마일드 양극산화방식으로 20시간이 소요된다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 마일드 양극산화방식으로 제 1 양극 산화 알루미늄(24)을 형성하는 단계는 알루미늄 기판(20)의 표면에 오목 패턴(23)들이 형성될 때까지만 수행하면 된다. 예를 들어, 알루미늄 기판(20)의 표면에 오목 패턴(23)들을 형성하는 시간은 단지 1시간이면 충분하다. 따라서, 100㎛의 고품질 양극 산화 알루미늄을 얻기 위해서는 하드 양극산화방식으로 제 2 양극 산화 알루미늄(25)을 형성하기 위한 1시간을 포함하여 약 2시간이면 충분할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, by combining the mild anodization method and the hard anodization method, it is possible to form anodic aluminum oxide having improved quality as described above relatively quickly. For example, when the growth rate of anodized aluminum is 5 μm / h in the mild anodization method and the growth rate of anodized aluminum is 100 μm / h in the hard anodization method, 100 μm high quality anodized aluminum is used. It takes 20 hours by mild anodization. According to an embodiment of the present invention, the forming of the first anodized aluminum oxide 24 by mild anodization may be performed only until the concave patterns 23 are formed on the surface of the aluminum substrate 20. For example, the time for forming the concave patterns 23 on the surface of the aluminum substrate 20 is only 1 hour. Therefore, in order to obtain a high quality aluminum oxide of 100 μm, about 2 hours may be sufficient, including 1 hour for forming the second anodized aluminum 25 by hard anodization.

지금까지, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 양극 산화 알루미늄의 제조 방법에 대한 예시적인 실시예가 설명되고 첨부된 도면에 도시되었다. 그러나, 이러한 실시예는 단지 본 발명을 예시하기 위한 것이고 이를 제한하지 않는다는 점이 이해되어야 할 것이다. 그리고 본 발명은 도시되고 설명된 설명에 국한되지 않는다는 점이 이해되어야 할 것이다. 이는 다양한 다른 변형이 본 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 일어날 수 있기 때문이다.Thus far, exemplary embodiments of a method for producing anodized aluminum have been described and illustrated in the accompanying drawings in order to facilitate understanding of the present invention. However, it should be understood that such embodiments are merely illustrative of the invention and do not limit it. And it is to be understood that the invention is not limited to the details shown and described. This is because various other modifications may occur to those skilled in the art.

11.....수조(bath) 12.....산성 용액
13.....음극 14.....방수 부재
20.....알루미늄 기판 21.....알루미늄 산화막
22, 26.....기공 23.....오목 패턴
24, 25.....양극 산화 알루미늄11 ... bath 12 ... acid solution
13 ..... cathode 14 ..... waterproof
20 ..... Aluminum Substrate 21 ..... Aluminum Oxide
22, 26 ..... pore 23 ..... concave pattern
24, 25 ..... anodized aluminum oxide

Claims (11)

알루미늄 기판을 마련하는 단계;
마일드 양극산화방식으로 상기 알루미늄 기판의 표면 위에 제 1 양극 산화 알루미늄을 형성하는 단계;
상기 알루미늄 기판의 표면 위에 형성된 제 1 양극 산화 알루미늄을 제거하는 단계; 및
상기 제 1 양극 산화 알루미늄이 제거된 알루미늄 기판의 표면 위에 하드 양극산화방식으로 제 2 양극 산화 알루미늄을 형성하는 단계;를 포함하는 양극 산화 알루미늄 제조 방법.Preparing an aluminum substrate;
Forming a first anodized aluminum oxide on a surface of the aluminum substrate by a mild anodization;
Removing a first anodized aluminum oxide formed on a surface of the aluminum substrate; And
And forming a second anodized aluminum oxide on a surface of the aluminum substrate from which the first anodized aluminum oxide has been removed by hard anodization. 제 1 항에 있어서,
상기 알루미늄 기판을 마련하는 단계는 알루미늄 기판의 표면이 매끄럽도록 경면 처리하는 단계를 포함하는 양극 산화 알루미늄 제조 방법.The method of claim 1,
The preparing of the aluminum substrate may include mirror treating the surface of the aluminum substrate to a smooth surface. 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 양극 산화 알루미늄을 형성하는 단계에서, 인가 전압은 40V 내지 190V의 범위에 있으며 전류 밀도는 1mA/cm2 내지 50mA/cm2의 범위에 있는 양극 산화 알루미늄 제조 방법.The method of claim 1,
In the step of forming the first anodized aluminum oxide, the applied voltage is in the range of 40V to 190V and the current density is in the range of 1mA / cm 2 to 50mA / cm 2 manufacturing method. 제 1 항에 있어서,
상기 알루미늄 기판의 표면 위에 제 1 양극 산화 알루미늄을 형성함으로써, 상기 제 1 양극 산화 알루미늄 하부의 알루미늄 기판의 표면에 다수의 오목 패턴들을 형성하는 양극 산화 알루미늄 제조 방법.The method of claim 1,
Forming a plurality of concave patterns on the surface of the aluminum substrate under the first anodized aluminum by forming a first anodized aluminum oxide on the surface of the aluminum substrate. 제 4 항에 있어서,
상기 제 1 양극 산화 알루미늄을 형성하는 단계는 상기 알루미늄 기판의 표면에 다수의 오목 패턴들이 형성될 때까지 수행하는 양극 산화 알루미늄 제조 방법.The method of claim 4, wherein
The forming of the first anodized aluminum oxide is performed until a plurality of concave patterns are formed on the surface of the aluminum substrate. 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 양극 산화 알루미늄을 형성하는 단계에서, 인가 전압은 80V 내지 600V의 범위에 있으며 전류 밀도는 50mA/cm2 내지 2000mA/cm2의 범위에 있는 양극 산화 알루미늄 제조 방법.The method of claim 1,
In the step of forming the second anodized aluminum, the applied voltage is in the range of 80V to 600V and the current density is in the range of 50mA / cm 2 to 2000mA / cm 2 manufacturing method. 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 양극 산화 알루미늄을 제거하는 단계는, H3PO4와 H2CrO4 혼합 용액으로 알루미늄 기판 위의 제 1 양극 산화 알루미늄을 제거하는 단계 및 상기 제 1 양극 산화 알루미늄이 제거된 알루미늄 기판을 세척하는 단계를 포함하는 양극 산화 알루미늄 제조 방법.The method of claim 1,
The removing of the first anodized aluminum oxide may include removing the first anodized aluminum oxide on the aluminum substrate with a H 3 PO 4 and H 2 CrO 4 mixed solution, and removing the aluminum substrate from which the first anodized aluminum oxide has been removed. Method for producing anodized aluminum oxide comprising the step of washing. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 양극 산화 알루미늄을 형성하는 단계와 제 2 양극 산화 알루미늄을 형성하는 단계는 산성 용액 내에서 수행되는 양극 산화 알루미늄 제조 방법.The method according to any one of claims 1 to 7,
Forming the first anodized aluminum and forming the second anodized aluminum oxide are performed in an acidic solution. 제 8 항에 있어서,
상기 산성 용액은 황산, 수산, 인산, 포름산, 시트르산, 말산, 락틱산, 및 아세트산 중 어느 하나의 수용액 또는 이들 중 적어도 두 개의 혼합 수용액인 양극 산화 알루미늄 제조 방법.The method of claim 8,
Wherein said acidic solution is an aqueous solution of any one of sulfuric acid, hydroxyl, phosphoric acid, formic acid, citric acid, malic acid, lactic acid, and acetic acid or a mixed aqueous solution of at least two of them. 제 8 항에 있어서,
상기 산성 용액 내에 에탄올이 더 첨가된 양극 산화 알루미늄 제조 방법.The method of claim 8,
A method for producing anodized aluminum in which ethanol is further added to the acidic solution. 제 8 항에 있어서,
상기 산성 용액의 농도는 1M인 양극 산화 알루미늄 제조 방법.The method of claim 8,
The concentration of the acidic solution is 1M aluminum oxide manufacturing method.
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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140004612A (en) * 2013-12-13 2014-01-13 강원대학교산학협력단 Anodic aluminum oxidation apparatus using rotating electrode
KR101432709B1 (en) * 2013-03-14 2014-08-25 충북대학교 산학협력단 Metho of manufacturing a hollow carbon nanofibers using the anodized aluminum
KR101511734B1 (en) * 2014-07-18 2015-04-13 경희대학교 산학협력단 Surface modification method of ceramic materials
CN106544712A (en) * 2016-10-19 2017-03-29 陕西师范大学 A kind of orderly super large pitch of holes pellumina and preparation method thereof
KR102054589B1 (en) * 2018-08-03 2019-12-10 동의대학교 산학협력단 Controlling method of surface patterning of aluminum substrate
KR20200048733A (en) * 2018-10-30 2020-05-08 주식회사 엔브이티 surface treatment method for glass and surface-treated glass
KR20200065334A (en) * 2018-11-30 2020-06-09 지오네이션 주식회사 Heterojunction type resin-metal composite and manufacturing method thereof
KR20200097975A (en) * 2019-02-11 2020-08-20 동의대학교 산학협력단 Method of controlling surface of aluminum alloy outer panel or component for power generator or vehicle
KR20200097976A (en) * 2019-02-11 2020-08-20 동의대학교 산학협력단 Materials for member or component of equipment for patients or persons with disabilities
KR20200112376A (en) * 2019-03-22 2020-10-05 지오네이션 주식회사 Manufacturing method for heterojunction type resin-metal composite
KR102176791B1 (en) * 2019-08-12 2020-11-09 동의대학교 산학협력단 Method for manufacturing aluminum anodic oxide film having pillar-on-pore structure using phosphoric acid
KR20210099481A (en) * 2020-02-04 2021-08-12 순천대학교 산학협력단 Air-conditioning tube unit and its manufacturing method

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101432709B1 (en) * 2013-03-14 2014-08-25 충북대학교 산학협력단 Metho of manufacturing a hollow carbon nanofibers using the anodized aluminum
KR20140004612A (en) * 2013-12-13 2014-01-13 강원대학교산학협력단 Anodic aluminum oxidation apparatus using rotating electrode
KR101511734B1 (en) * 2014-07-18 2015-04-13 경희대학교 산학협력단 Surface modification method of ceramic materials
CN106544712A (en) * 2016-10-19 2017-03-29 陕西师范大学 A kind of orderly super large pitch of holes pellumina and preparation method thereof
CN106544712B (en) * 2016-10-19 2019-06-07 陕西师范大学 A kind of preparation method of orderly super large pitch of holes pellumina
KR102054589B1 (en) * 2018-08-03 2019-12-10 동의대학교 산학협력단 Controlling method of surface patterning of aluminum substrate
KR20200048733A (en) * 2018-10-30 2020-05-08 주식회사 엔브이티 surface treatment method for glass and surface-treated glass
KR20200065334A (en) * 2018-11-30 2020-06-09 지오네이션 주식회사 Heterojunction type resin-metal composite and manufacturing method thereof
KR20200097975A (en) * 2019-02-11 2020-08-20 동의대학교 산학협력단 Method of controlling surface of aluminum alloy outer panel or component for power generator or vehicle
KR20200097976A (en) * 2019-02-11 2020-08-20 동의대학교 산학협력단 Materials for member or component of equipment for patients or persons with disabilities
KR20200112376A (en) * 2019-03-22 2020-10-05 지오네이션 주식회사 Manufacturing method for heterojunction type resin-metal composite
KR102176791B1 (en) * 2019-08-12 2020-11-09 동의대학교 산학협력단 Method for manufacturing aluminum anodic oxide film having pillar-on-pore structure using phosphoric acid
WO2021029645A1 (en) * 2019-08-12 2021-02-18 동의대학교 산학협력단 Method for manufacturing aluminum anodized film having pillar-on-pore structure by using phosphoric acid
KR20210099481A (en) * 2020-02-04 2021-08-12 순천대학교 산학협력단 Air-conditioning tube unit and its manufacturing method

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