KR20110139188A

KR20110139188A - Glass substrate and method for manufacturing same

Info

Publication number: KR20110139188A
Application number: KR1020117014792A
Authority: KR
Inventors: 코이찌 시모쯔; 히로유키 나카쯔; 타이키 미나리; 유지 타카하시; 미치하루 에타; 히사토시 아이바
Original assignee: 니폰 덴키 가라스 가부시키가이샤
Priority date: 2009-03-10
Filing date: 2010-03-08
Publication date: 2011-12-28
Also published as: KR101707056B1; CN102341214B; TW201034798A; TWI480127B; CN102341214A

Abstract

표면(2a) 및 이면(2b)과, 그 양면(2a, 2b)의 외주단 상호간에 존재하는 끝면(3b)을 갖는 유리 기판(1)에 있어서 표면(2a) 및 이면(2b)의 적어도 한쪽 면과 끝면(3b) 사이의 경계부에 모따기면(4)이 형성되고, 모따기면(4)의 10점 평균 거칠기(Rz₂)를 끝면(3b)의 10점 평균 거칠기(Rz₁)보다 작고, 또한 모따기면(4)의 거칠기 곡선 요소의 평균 길이(RSm₂)를 끝면의 거칠기 곡선 요소의 평균 길이(RSm₁)보다 길게 한다. 바람직하게는 모따기면(4)의 10점 평균 거칠기(Rz₂) 및 끝면(3b)의 10점 평균 거칠기(Rz₁)를, Rz₁≤1.5로 하고, 또한 1.5≤Rz₁/Rz₂≤10.0의 관계를 만족하도록 한다.In the glass substrate 1 which has the surface 2a and the back surface 2b, and the end surface 3b which exists between the outer peripheral ends of the both surfaces 2a and 2b, at least one of the surface 2a and the back surface 2b. The chamfered surface 4 is formed in the boundary part between the surface and the end surface 3b, 10 point average roughness Rz ₂ of the chamfered surface 4 is smaller than 10 point average roughness Rz ₁ of the end surface 3b, Moreover, the average length RSm ₂ of the roughness curve element of the chamfered surface 4 is made longer than the average length RSm ₁ of the roughness curve element of the end surface. Preferably, the ten-point average roughness (Rz ₁₎ of the chamfered surface 4 of the ten-point average roughness (Rz ₂₎ and the end face (3b), and a Rz ₁ ≤1.5, also 1.5≤Rz ₁ / Rz ₂ ≤10.0 To satisfy the relationship.

Description

유리 기판 및 그 제조 방법{GLASS SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME}Glass substrate and its manufacturing method {GLASS SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME}

본 발명은 표면 및 이면과, 이들 양면의 외주단 상호간에 존재하는 끝면 사이의 경계부에 대해서 그 면성상(面性狀)을 적정화해서 이루어지는 유리 기판 및 그 제조 방법에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD This invention relates to the glass substrate formed by optimizing the planar shape with respect to the boundary part between the front surface and the back surface, and the end surface which exists between these outer peripheral edges of these both surfaces, and its manufacturing method.

이미 알고 있는 바와 같이, 최근에 있어서의 화상(영상) 표시 장치는 액정 디스플레이(LCD), 플라즈마 디스플레이(PDP), 전계 방출 디스플레이(FED), 유기 EL 디스플레이(OLED) 등에 대표되는 플랫 패널 디스플레이(FPD)가 주류로 되어 있다. 또한, 유기 EL은 OLED와 같이 미세한 삼원색을 TFT에 의해 명멸시키지 않고 단색(예컨대 백색)만으로 발광시켜 LCD의 백라이트나 옥내 조명의 광원 등의 평면 광원으로서도 이용되고 있다.As is already known, a recent image (video) display device is a flat panel display (FPD) represented by a liquid crystal display (LCD), a plasma display (PDP), a field emission display (FED), an organic EL display (OLED), or the like. ) Is mainstream. In addition, organic EL is used as a planar light source such as an LCD backlight or a light source for indoor lighting by emitting light with only a single color (for example, white) without causing the three primary colors to be flickered by the TFT like the OLED.

이들 FPD나 조명은 모두 유리 기판의 표면에 각각의 소자나 배선을 포함하는 여러가지의 구성물을 부착 등을 하고 또한 조합함으로써 구성된다. 특히, FPD는 생산성 효율화의 관점으로부터 1장의 대형의 유리 기판 상에 복수개의 FPD용 패널 소자 등을 형성하고, 최종적으로 이들을 적절히 분할해서 개개의 FPD용 유리 패널로 하는 소위 멀티 채택이 행해지고 있다. 이 멀티 채택은 유리 기판이 대형화됨에 따라 효율이 향상되는 것이므로 한 변의 길이가 3m를 초과하는 유리 기판이 사용되는 것에 이르고 있다. 또한, 최근에 있어서는 FPD 자체의 대형화가 추진되고 있으므로 그 중량 증가를 저지하는 요청에 따르기 위해서 유리 기판으로서는 보다 박육의 것이 필요하게 되어 있다. 또한, 이 종류의 유리 기판은 상술한 FPD나 유기 EL 조명 이외에 태양 전지의 유리 기판으로서도 이용되는 것에 이르고 있다.All of these FPDs and illuminations are configured by attaching and combining various components including respective elements and wirings on the surface of the glass substrate. In particular, FPD forms a plurality of FPD panel elements or the like on a single large glass substrate from the viewpoint of productivity efficiency, and finally, so-called multi-adoption is performed in which the FPDs are appropriately divided into individual glass panels for FPDs. Since this multi-adoption improves efficiency as a glass substrate becomes large, it has led to the use of the glass substrate in which one side length exceeds 3 m. Moreover, in recent years, since the FPD itself has been enlarged in size, in order to comply with the request for preventing the weight increase, a thinner substrate is required as the glass substrate. Moreover, this kind of glass substrate leads to being used also as a glass substrate of a solar cell other than FPD mentioned above and organic electroluminescent illumination.

그리고, 이들 FPD, 유기 EL 조명, 및 태양 전지의 제조 공정에 있어서는 유리 기판을 예컨대 정반으로부터 들어 올리는 공정이나 열처리하는 공정이 존재하고 있고, 이들 공정에서 유리 기판을 들어 올리는 때에는 다음에 나타내는 바와 같은 문제가 발생된다.And in the manufacturing process of these FPD, organic electroluminescent illumination, and a solar cell, there exists a process of lifting a glass substrate from a surface plate, for example, and heat-processing, and when raising a glass substrate in these processes, the following problems are shown. Is generated.

즉, 유리 기판은 그 사이즈가 대형화되고 또한 박육화가 진행되면 들어 올릴 때에 매우 큰 휨이 생기고, 그 휨에 기인해서 볼록하게 되는 면에는 인장응력이 작용함과 아울러 오목하게 되는 면에는 압축응력이 작용한다. 그 경우, 유리 기판은 표면 및 이면과, 이들 양면의 외주단 상호간에 존재하는 끝면이 각각 경계부를 통해서 연이어지는 형태를 갖지만, 유리 기판이 휘었을 경우에는 상술한 경계부에 상기 응력이 집중된다. 따라서, 유리 기판이 휘었을 때에는 볼록하게 되는 표면 또는 이면과 그 면에 연접된 끝면의 경계부 주변에 큰 인장응력이 생긴다. 그 때문에, 유리 기판의 표리 양면과 끝면의 각각의 경계부 주변에 흠집이나 크랙 또는 이물 등의 미소 결함이 존재하고 있으면 유리 기판이 휘었을 때에 상기 결함 부근에 큰 인장응력이 생김과 아울러 상기 결함에 응력집중이 발생하고, 미소 결함이 확대되어 일거에 유리 기판을 파손에 이르게 한다.That is, when the glass substrate becomes larger in size and becomes thinner, a very large warp occurs when lifting, and a tensile stress acts on the convex surface due to the warp, and a compressive stress acts on the concave surface. do. In this case, the glass substrate has a form in which the front and rear surfaces and the end surfaces existing between the outer peripheral ends of these two surfaces are connected through the boundary portions, respectively, but when the glass substrate is bent, the stress is concentrated at the boundary portions described above. Therefore, when the glass substrate is bent, a large tensile stress is generated around the boundary surface of the convex surface or the rear surface and the end surface connected to the surface. Therefore, if there are small defects such as scratches, cracks or foreign matters around each boundary between the front and back surfaces and the end surfaces of the glass substrate, when the glass substrate is bent, a large tensile stress is generated near the defect and the stress is caused to the defects. Concentration occurs, and microscopic defects are magnified, leading to breakage of the glass substrate at once.

상술한 유리 기판의 열처리 공정에 있어서도 이것과 같은 문제가 생긴다. 즉, 유리 기판은 온도 상승에 따라 팽창함과 아울러 온도 저하에 따라 수축하지만, 열처리 공정에서 유리 기판에 부당한 온도 분포가 생기면 1장의 유리 기판 내에 팽창과 수축이 생겨서 인장응력과 압축응력이 혼재하게 된다. 그 경우에 유리 기판의 표리 양면과 끝면의 경계부 주변에 미소 결함이 존재하고 또한 상기 경계부에 인장응력이 생기면 그 미소 결함에 응력집중이 발생되어 유리 기판을 파손에 이르게 한다.The same problem arises also in the heat processing process of the glass substrate mentioned above. That is, the glass substrate expands with temperature and shrinks as the temperature decreases. However, if an undesired temperature distribution occurs in the glass substrate during the heat treatment, the glass substrate expands and contracts in one glass substrate, and thus the tensile stress and the compressive stress are mixed. . In such a case, when a small defect exists around the boundary between the front and back surfaces and the end surface of the glass substrate, and tensile stress occurs at the boundary, stress concentration is generated on the small defect, which causes the glass substrate to be broken.

그런데, 이 종류의 유리 기판은 분할함으로써 원하는 크기로 되지만, 그 분할 방법으로서는 유리 기판의 표면에 다이아몬드 칩 등으로 스크라이브 라인을 각설(刻設)하고, 그 스크라이브 라인에 인장응력이 작용하도록 힘을 가해서 유리 기판을 할단하는 소위 절할(切割)이 일반적으로 채용되어 있다. 이러한 분할 방법에서는 분할 후의 유리 기판의 표리 양면과 끝면의 경계부에 무수한 미소 결함이 생기게 되므로 상술한 바와 같이 유리 기판의 휨시나 열처리시에 상기 유리 기판이 파손될 확률이 높아진다.By the way, this kind of glass substrate becomes a desired size by dividing, but as the division method, a scribe line is laid out on the surface of a glass substrate with a diamond chip, etc., and a force is applied so that tensile stress may act on the scribe line. So-called cutting off which cuts a glass substrate is generally employ | adopted. In this division method, a myriad of microscopic defects are generated at the boundary between the front and back surfaces and the end surfaces of the glass substrate after the division, so that the glass substrate is damaged at the time of bending or heat treatment of the glass substrate as described above.

이러한 문제에 대처하기 위해서, 특허문헌 1, 2에 의하면, 유리 기판의 표리 양면과 끝면의 경계부에 연마 처리를 실시해서 모따기면을 형성함과 아울러, 끝면보다 연마 후의 모따기면을 매끄럽게 하는 것이 개시되어 있다. 상세하게는, 특허문헌 1에 의하면, 유리 기판의 끝면은 표리 양면에 대해서 직각이며, 그 끝면의 표면 최대 요철이 0.05㎜ 이하이고 또한 모따기면의 표면 최대 요철이 0.007㎜ 이하인 것이 바람직하다고 기재되어 있다. 또한, 특허문헌 2에 의하면, 유리 기판의 끝면이 표리 양면의 외주단으로부터 만곡해서 외측으로 돌출되어 있고, 그 끝면의 표면 최대 요철이 0.04㎜ 이하이고 또한 모따기면의 표면 최대 요철이 0.007㎜ 이하인 것이 바람직하다고 기재되어 있다.In order to cope with such a problem, according to Patent Documents 1 and 2, it is disclosed that a chamfered surface is formed by performing a polishing treatment on the boundary between the front and back surfaces and the end surface of the glass substrate, and smoothing the chamfered surface after polishing than the end surface. have. In detail, according to patent document 1, it is described that the end surface of a glass substrate is perpendicular to both sides of front and back, and it is preferable that the surface maximum unevenness of the end surface is 0.05 mm or less, and the surface maximum unevenness of the chamfered surface is 0.007 mm or less. . In addition, according to Patent Document 2, the end face of the glass substrate is bent from the outer circumferential end of both sides of the front and back and protrudes to the outside, and the maximum surface unevenness of the end face is 0.04 mm or less, and the maximum surface unevenness of the chamfered surface is 0.007 mm or less. It is described as being preferred.

일본 특허 공개 평9-278466호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 9-278466 일본 특허 공개 평9-278467호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 9-278467

그러나, 특허문헌 1, 2에 개시된 유리 기판은 강화 유리이기 때문에 강화 처리를 실시하지 않은 유리 기판에 동 각 문헌과 마찬가지로 모따기면을 형성하는 처리를 행하여도 유리 기판에 휨이나 부당한 온도 분포가 생겼을 경우에 유리 기판의 파손의 초래를 확실하게 회피할 수는 없다. 즉, 동 각 문헌에 기재된 모따기면은 상기 열거한 용도에 사용되는 유리 기판을 포함하여 어떠한 유리 기판이여도 적합하게 적용할 수 있는 면성상은 아닌 것으로 말할 수 있다.However, since the glass substrates disclosed in Patent Literatures 1 and 2 are tempered glass, even when the glass substrates not subjected to the reinforcement treatment are subjected to the treatment of forming the chamfering surface in the same manner as in the respective literatures, the warp and the improper temperature distribution in the glass substrates are generated. It is not possible to reliably avoid the occurrence of breakage of the glass substrate. That is, it can be said that the chamfered surface described in each said document is not the planar shape which can be suitably applied to any glass substrate including the glass substrate used for the use enumerated above.

또한, 동 각 문헌에 기재된 유리 기판의 모따기면의 면성상은 표면 최대 요철을 파라미터로서 규정한 것이며, 이러한 규정에 의거한 면성상에서는 상술한 바와 같이 유리 기판의 파손을 확실하게 저지할 수는 없다. 즉, 표면 최대 요철을 파라미터로 하는 것 자체가 최적이라고는 말할 수 없으므로 모따기면의 면성상이 동 각 문헌에 기재된 규정을 만족하고 있었더라도 기판의 휨이나 부당한 온도 분포에 기인하는 유리 기판의 파손에 대해서는 적확하게 대처할 수 없게 된다.In addition, the surface property of the chamfered surface of the glass substrate described in each said document prescribed | regulated the surface maximum unevenness | corrugation as a parameter, and, as mentioned above, the surface property based on such a prescription cannot reliably prevent damage of a glass substrate. . In other words, it cannot be said that it is optimal to use the surface maximum unevenness as a parameter, even if the surface properties of the chamfered surface satisfy the requirements described in the respective documents, so as not to damage the glass substrate due to the warpage of the substrate or the improper temperature distribution. You will not be able to cope with it correctly.

또한, 동 각 문헌에서 규정된 모따기면의 면성상이면 끝면의 연마시에 발생되어 유리 기판의 표면에 부착된 유리 미립자 등이 세정 공정에 있어서 모따기면에 체류하기 쉽다는 문제도 초래할 수 있다. 그리고, 이것이 원인이 되어 건조 공정에 있어서 유리 미립자 등이 유리 기판의 표면에 부착된 상태가 되어 유리 기판의 품위 저하라는 치명적인 결함도 초래한다.In addition, if it is the planar shape of the chamfered surface prescribed in each document, it may also cause a problem that glass fine particles or the like generated on polishing of the end surface tend to stay on the chamfered surface in the cleaning process. And this becomes a cause, and in a drying process, glass microparticles | fine-particles etc. adhere to the surface of a glass substrate, and also cause the fatal defect that the quality of a glass substrate falls.

또한, 이상과 같은 문제는 유리 기판의 분할이 이미 서술한 절할에 의한 것 이외에, 예컨대 레이저 할단 등과 같이 레이저를 사용해서 분할된 유리 기판에 대해서 그 경계부에 연마에 의한 모따기면을 형성했을 경우에 있어서도 마찬가지로 하여 생길 수 있다.In addition, the above-mentioned problem is not only due to the above-mentioned cutoff of the glass substrate, but also in the case where a chamfered surface by polishing is formed at the boundary of the glass substrate divided by using a laser such as, for example, laser cutting. It can happen as well.

그리고, 이상과 같은 문제 도래의 우려를 부정하지 않을 수 없는데도 불구하고 종래에 있어서는 그 면성상을 적절하게 규정하기 위한 구체적 수단에 대해서는 최적의 것이 찾아내져 있지 않은 것이 실정이다.In spite of the necessity to deny the above-mentioned concerns, there is no situation in the prior art that the optimum means for properly defining the area is not found.

본 발명은 상기 사정을 감안하여 유리 기판의 표면 및 이면으로부터 끝면에 걸치는 경계면(모따기면)의 면성상을 적정화시킴으로써 강화 처리가 실시되어 있는지의 여부에 상관 없이 유리 기판의 휨이나 부당한 온도 분포에 기인하는 파손의 발생을 확실하게 방지함과 아울러 유리 미립자의 문제도 해소하는 것을 기술적 과제로 한다.In view of the above circumstances, the present invention is due to the warpage of the glass substrate and the unreasonable temperature distribution regardless of whether or not the reinforcing treatment is performed by optimizing the surface properties of the interface (chamfered surface) from the front surface and the back surface to the end surface of the glass substrate. The technical problem is to reliably prevent the occurrence of breakage and to solve the problem of glass fine particles.

상기 기술적 과제를 해결하기 위해서 창안된 제 1 발명은 표면 및 이면과, 그 양면의 외주단 상호간에 존재하는 끝면을 갖는 유리 기판에 있어서 상기 표면 및 이면의 적어도 한쪽 면과 상기 끝면 사이의 경계부에 모따기면이 형성되고, 상기 모따기면의 10점 평균 거칠기(Rz₂)가 상기 끝면의 10점 평균 거칠기(Rz₁)보다 작고, 또한 상기 모따기면의 거칠기 곡선 요소의 평균 길이(RSm₂)가 상기 끝면의 거칠기 곡선 요소의 평균 길이(RSm₁)보다 큰 것을 특징으로 한다. 또한, 표면 거칠기에 대해서는 도쿄 세이미쯔사 제작 서프콤 590A를 이용해서 측정을 행하는 것으로 한다(이하, 마찬가지임). 또한, 여기서는 10점 평균 거칠기[Rzjis(Rz_1,Rz₂)] 및 거칠기 곡선 요소의 평균 길이[RSm(RSm_1,RSm₂)]는 JIS B0601:2001에 준거하고 있다(이하, 마찬가지임). 또한, 「모따기면」이란 상기 경계부에 모따기 가공을 실시해서 얻어지는 모따기부의 표면을 의미한다(이하, 마찬가지임).In order to solve the above technical problem, a first invention of the present invention provides a glass substrate having a front surface and a rear surface and end surfaces existing between the outer peripheral ends of both surfaces thereof, and at least one surface of the front surface and the rear surface and a boundary portion between the end surfaces. A surface is formed, and the 10-point average roughness Rz _{2 of} the chamfered surface is smaller than the 10-point average roughness Rz ₁ of the end surface, and the average length RSm ₂ of the roughness curve element of the chamfered surface is the end surface. It is characterized in that it is larger than the average length RSm ₁ of the roughness curve element of. In addition, surface roughness shall be measured using SURFCOM 590A by Tokyo Seimitsu Co., Ltd. (it is the same hereafter). Further, in this case 10-point average roughness _{_{[Rzjis (Rz 1, Rz 2}} )] and the average length of the curved elements _{_{[RSm (RSm 1, RSm 2}} )] roughness of JIS B0601: it conforms to the 2001 (hereinafter referred to as being the same). In addition, a "chamfer surface" means the surface of a chamfer part obtained by giving a chamfering process to the said boundary part (it is the same below).

이와 같은 구성에 의하면, 유리 기판의 표면 및 이면의 적어도 한쪽 면과 끝면 사이의 경계부에 형성된 모따기면의 10점 평균 거칠기가 끝면의 10점 평균 거칠기보다 작을 뿐만 아니라, 그 모따기면의 거칠기 곡선 요소의 평균 길이가 끝면의 거칠기 곡선 요소의 평균 길이보다 크게 되어 있다. 이와 같이, 10점 평균 거칠기(Rzjis) 및 거칠기 곡선 요소의 평균 길이(RSm)를 파라미터로 해서 모따기면의 면성상과 끝면의 면성상의 관계를 규정한 것에 의해 상기 경계부를 기점으로 해서 깨짐이나 크랙이 발생되어 유리 기판이 결손 또는 파손되는 것, 상기 경계부로부터 유리 편이나 유리 미립자가 박리 제거하는 것, 세정 공정에서 상기 경계부에 유리 미립자 등이 체류하는 것, 및, 건조 공정에서 유리 미립자 등이 유리 기판의 표면에 부착되어 품위 저하를 초래하는 것 등의 문제가 효과적으로 회피된다. 그리고, 이 제 1 발명에 의한 유리 기판은 강화 처리(열강화 처리)가 실시되어 있지 않거나 실시되어 있어도 상기와 같은 이점을 얻을 수 있다.According to such a structure, not only the 10-point average roughness of the chamfered surface formed in the boundary part between the front surface and the back surface of the glass substrate, but also the end surface is smaller than the 10-point average roughness of the end surface, and the roughness curve element of the chamfered surface The average length is larger than the average length of the roughness curve element of the end face. In this way, the relationship between the surface properties of the chamfered surface and the end surface of the chamfered surface is defined by using the ten-point average roughness Rzjis and the average length RSm of the roughness curved element as parameters. Is generated, the glass substrate is missing or broken, glass pieces and glass fine particles are peeled off from the boundary portion, glass fine particles and the like remain in the boundary portion in the cleaning step, and glass fine particles and the like are dried in the drying step. Problems such as adhesion to the surface of the substrate and deterioration of quality are effectively avoided. And the glass substrate by this 1st invention can obtain the above advantages, even if it does not carry out a strengthening process (thermal strengthening process) or is performed.

이 제 1 발명에 있어서 상기 모따기면의 10점 평균 거칠기(Rz₂) 및 상기 끝면의 10점 평균 거칠기(Rz₁)는 Rz₂≤1.5㎛이고, 또한 1.5≤Rz₁/Rz₂≤10.0의 관계를 만족하는 것이 바람직하다.In this first invention, the ten-point average roughness Rz ₂ of the chamfered surface and the ten-point average roughness Rz ₁ of the end surface are Rz ₂ ≤1.5 µm, and 1.5≤Rz ₁ / Rz ₂ ≤10.0. It is desirable to satisfy.

이와 같이 하면, 상기의 경계부에 형성된 모따기면의 10점 평균 거칠기(Rz₂)를 1.5㎛ 이하와 함으로써 상기 경계부를 기점으로 하는 유리 기판의 파손 등이 보다 확실하게 억제되어 끝면 주변의 파괴강도가 상승함과 아울러, 상기 경계부에서의 유리 미립자의 발생이나 체류 등의 문제도 보다 한층 효과적으로 회피된다. 그리고, 끝면의 10점 평균 거칠기(Rz₁)를 모따기면의 10점 평균 거칠기로 나눈 값(Rz₁/Rz₂)이 1.5 미만이면 모따기면을 형성한 것에 의한 끝면 주변의 파괴강도의 상승 효과가 적어진다. 이에 대해서 Rz₁/Rz₂가 10.0을 초과하면 모따기면과 끝면의 거칠기의 차가 커져 이 양면의 경계에 새로운 응력집중에 의한 파손이 일어날 우려가 있다. 따라서, Rz₁/Rz₂는 상기의 수치 범위 내에 있는 것이 바람직하다.In this case, by setting the 10-point average roughness Rz ₂ of the chamfered surface formed at the boundary portion to 1.5 µm or less, breakage of the glass substrate starting at the boundary portion is more reliably suppressed, and the fracture strength around the end surface is increased. In addition, problems such as generation and retention of glass fine particles at the boundary portion can be more effectively avoided. If the value obtained by dividing the 10-point average roughness (Rz ₁ ) of the end face by the 10-point average roughness of the chamfer (Rz ₁ / Rz ₂ ) is less than 1.5, the effect of increasing the fracture strength around the end face by forming the chamfered surface is increased. Less. Thus if for Rz ₁ / Rz ₂ is more than 10.0 may cause the difference between the chamfered surface and the end surface roughness lead to increased damage by the stress concentration at the boundary of the new duplex. Therefore, Rz ₁ / Rz ₂ is preferably in the above numerical range.

또한, 이 제 1 발명에 있어서 상기 특정 연마면의 거칠기 곡선 요소의 평균 길이(RSm₂)는 RSm₂≥100㎛의 관계를 만족하는 것이 바람직하다.Further, in the first aspect of the invention an average length (RSm ₂₎ of the roughness curve element of the particular polished surface preferably satisfies the relationship of RSm ₂ ≥100㎛.

이와 같이 하면, 상기 경계부를 기점으로 하는 유리 기판의 파손 등, 및 상기 경계부에서의 유리 미립자의 발생이나 체류 등의 문제가 보다 한층 효과적으로 회피된다. 특히, RSm₂≥100㎛인 것에 의해 모따기면의 구불구불한 요철의 간격(주기)이 커지고 표면적을 억제되므로 유리 미립자가 유효면(표면)에 부착된다는 문제가 효과적으로 회피된다. 이 경우, 거칠기 곡선 요소의 평균 길이의 비 즉 RSm₁/RSm₂는 0.1 이상이고 또한 0.7 이하인 것이 바람직하다. 즉, RSm₁/RSm₂가 0.1 미만이면 끝면과 모따기면의 구불구불한 요철의 간격의 차가 커져서 그 양자의 경계에서 면성상이 급격하게 변화되므로 그 경계에 새로운 파손 기점이 발생된다. 이에 대해서 RSm₁/RSm₂가 0.7을 초과하면 끝면과 모따기부 사이에서 구불구불한 요철의 간격의 차가 작아지고, 결론적으로는 모따기면의 형성에 의해 요철이 효율 좋게 제거되어 있지 않게 되어 파괴강도의 상승 효과가 불충분하게 된다. 따라서, RSm₁/RSm₂는 상기의 수치 범위 내에 있는 것이 바람직하다.By doing in this way, problems, such as damage of the glass substrate which originated in the said boundary part, and generation | occurrence | production or retention of glass microparticles | fine-particles in the said boundary part are avoided more effectively. In particular, since the interval (period) of the tortuous irregularities on the chamfered surface is increased and the surface area is suppressed by RSm _2? 100 µm, the problem that glass fine particles adhere to the effective surface (surface) is effectively avoided. In this case, the ratio of the average lengths of the roughness curve elements, that is, RSm ₁ / RSm ₂ , is preferably 0.1 or more and 0.7 or less. That is, if RSm ₁ / RSm ₂ is less than 0.1, the difference in the gap between the tortuous and irregularities between the end face and the chamfer surface becomes large, and the surface properties change rapidly at the boundary between both, resulting in a new breakdown point at the boundary. On the other hand, if RSm ₁ / RSm ₂ exceeds 0.7, the difference in the gap between the tortuous and irregularities between the end face and the chamfer becomes small, and consequently, the irregularities are not removed efficiently due to the formation of the chamfered surface. The synergistic effect is insufficient. Therefore, RSm ₁ / RSm ₂ is preferably in the above numerical range.

상기 기술적 과제를 해결하기 위해서 창안된 제 2 발명은 표면 및 이면과, 그 양면의 외주단 상호간에 존재하는 끝면을 갖는 유리 기판에 있어서 상기 표면 및 이면의 적어도 한쪽 면과 상기 끝면 사이의 경계부에 모따기면이 형성되고, 상기 모따기면에 있어서의 돌출 곡부(谷部) 깊이(Rvk)가 Rvk≤0.95㎛의 관계를 만족하는 것을 특징으로 한다. 여기서, 돌출 곡부 깊이(Rvk)는 JIS B0671-2:2002에 준거하고 있다(이하, 마찬가지임).According to a second aspect of the present invention, a glass substrate having a front surface and a rear surface and an end surface existing between the outer circumferential ends of both surfaces thereof is chamfered at a boundary between the at least one surface of the front surface and the rear surface and the end surface. A surface is formed, and the protruding curved portion depth Rvk on the chamfered surface satisfies a relationship of Rvk ≦ 0.95 μm. Here, the protruding curved portion depth Rvk is based on JIS B0671-2: 2002 (hereinafter, the same applies).

이와 같은 구성에 의하면, 유리 기판의 경계부에 형성된 모따기면의 면성상이 돌출 곡부 깊이(Rvk)를 파라미터로서 사용해서 규정되어 있는 것에 추가해서, 그 Rvk가 0.95㎛ 이하로 규정된 모따기면을 갖는 유리 기판이므로 상기 유리 기판의 휨이나 부당한 온도 분포에 기인하는 파손 및 유리 미립자에 기인하는 품위 저하의 문제가 가급적 억제된다. 즉, 돌출 곡부 깊이(Rvk)는 면의 평균적인 요철보다 깊은 부분이 어느 정도인지를 나타내는 지표가 되는 값으로서, 이 값이 크면 매우 깊은 곡부분이 존재하게 된다. 그리고, 경계부가 이러한 이상 곡부분을 갖는 면성상이면 휨이나 부당한 온도 분포에 기인해서 상기 경계부에 인장응력이 발생된 경우에 매우 깊은 곡부분에 응력집중이 생기므로 파손을 도래하기 쉬워짐과 아울러 그 매우 깊은 곡부분에 유리 미립자가 잔존 체류하기 쉬워진다. 그러나, 상기와 같이 경계부에 형성된 모따기면의 돌출 곡부 깊이(Rvk)가 0.95㎛ 이하이면 경계부에는 매우 깊은 곡부분이 존재하지 않으므로 경계부에 인장응력이 작용해도 응력집중이 생기기 어려워짐과 아울러 유리 미립자가 잔존 체류하기 어려워진다. 또한, 이러한 관점으로부터, 경계부에 형성된 모따기면의 돌출 곡부 깊이(Rvk)는 0.20㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다. 또한, 유리 기판의 경계부에 있어서의 돌출 곡부 깊이(Rvk)는 이 경계부의 모따기면에 연접하는 끝면의 돌출 곡부 깊이(Rvk)보다 작은 것이 유효하다. 즉, 유리 기판의 휨이나 부당한 온도 분포에 기인해서 상기 유리 기판의 내부에 응력이 발생된 경우에는 이들 응력은 경계부 부근에 가장 강하게 생기기 쉬운 것이 판명되어 있다. 그 때문에, 경계부의 돌출 곡부 깊이(Rvk)를 끝면의 돌출 곡부 깊이(Rvk)보다 작게 하면 응력집중이 생기기 쉬운 경계부에서는 그 응력집중의 원인이 되는 매우 깊은 곡부분이 저감되어 있게 된다. 그 결과로서, 유리 기판의 휨이나 부당한 온도 분포에 기인하는 파손을 가급적 저감시킬 수 있고, 이것에 추가해서 유리 미립자의 잔존 체류의 문제도 회피된다. 또한, 유리 기판의 끝면에 있어서의 돌출 곡부 깊이(Rvk)가 경계부의 모따기면의 돌출 곡부 깊이(Rvk)보다 작아도 면성상의 관점으로부터는 과잉 품질로 되지만 파손이나 유리 미립자의 문제에 지장이 생길 일은 없다. 그리고, 이 제 2 발명에 의한 유리 기판에 있어서도 강화 처리(열강화 처리)가 실시되어 있지 않거나 실시되어 있어도 상기와 같은 이점을 얻을 수 있다.According to such a structure, in addition to the surface shape of the chamfered surface formed in the boundary part of a glass substrate being prescribed | regulated using the protrusion depth Rvk as a parameter, the glass which has the chamfered surface whose Rvk was prescribed | regulated to 0.95 micrometer or less Since it is a board | substrate, the problem of the damage | deterioration resulting from the curvature of the said glass substrate and an unreasonable temperature distribution, and the fall of quality resulting from glass fine particles is suppressed as much as possible. That is, the protruding curved portion depth Rvk is an index indicating how deep the portion is deeper than the average concave-convex surface, and when this value is large, a very deep curved portion exists. If the boundary portion has a planar shape having such an abnormal curved portion, stress concentration occurs in a very deep curved portion when tensile stress is generated at the boundary portion due to warpage or improper temperature distribution. Glass fine particles tend to remain in very deep curved portions. However, if the protruding bend depth Rvk of the chamfered surface formed at the boundary portion is 0.95 μm or less, there is no very deep curved portion at the boundary portion, so stress concentration is difficult to occur even when tensile stress is applied to the boundary portion, and glass fine particles It is difficult to remain. Moreover, it is more preferable from this viewpoint that the protruding curved depth Rvk of the chamfered surface formed in the boundary part is 0.20 micrometer or less. Moreover, it is effective that the protruding curved depth Rvk at the boundary of the glass substrate is smaller than the protruding curved depth Rvk of the end face that is in contact with the chamfered surface of the boundary. That is, when stress generate | occur | produces in the inside of the said glass substrate due to the curvature of a glass substrate or an improper temperature distribution, it turns out that these stresses are most likely to generate | occur | produce most in the vicinity of a boundary part. Therefore, if the protrusion curved depth Rvk of the boundary portion is smaller than the protrusion curved depth Rvk of the end face, the very deep curved portion that causes the stress concentration is reduced in the boundary portion where stress concentration is likely to occur. As a result, the damage caused by the warpage of the glass substrate and the improper temperature distribution can be reduced as much as possible, and in addition to this, the problem of the remaining retention of the glass fine particles is also avoided. In addition, even if the protruding curved depth Rvk at the end surface of the glass substrate is smaller than the protruding curved depth Rvk of the chamfered surface of the boundary portion, the quality is excessive from the viewpoint of the planarity, but it is not likely to cause damage or problems of glass fine particles. none. And also in the glass substrate which concerns on this 2nd invention, the above-mentioned advantage can be acquired even if it does not carry out or is enforced.

상기 기술적 과제를 해결하기 위해서 창안된 제 3 발명은 표면 및 이면과, 그 양면의 외주단 상호간에 존재하는 끝면을 갖는 유리 기판에 있어서 상기 표면 및 이면의 적어도 한쪽 면과 상기 끝면 사이의 경계부에 모따기면이 형성되고, 상기 모따기면에 있어서의 거칠기 곡선의 자승 평균 평방근 경사(RΔq)가 RΔq≤0.10의 관계를 만족하는 것을 특징으로 한다. 여기서, 거칠기 곡선의 자승 평균 평방근 경사(RΔq)는 JIS B0601-2001에 준거하고 있다(이하, 마찬가지임).According to a third aspect of the present invention, a glass substrate having a front surface and a rear surface and end surfaces existing between the outer circumferential ends of both surfaces thereof are chamfered at a boundary between at least one surface of the front surface and the rear surface and the end surface. A plane is formed, and the square-average square root inclination RΔq of the roughness curve on the chamfered surface satisfies the relationship of RΔq ≦ 0.10. Here, the square root mean square (RΔq) of the roughness curve is based on JIS B0601-2001 (hereinafter, the same applies).

이와 같은 구성에 의하면, 유리 기판의 경계부에 형성된 모따기면의 면성상이 거칠기 곡선의 자승 평균 평방근 경사(RΔq)를 파라미터로서 사용해서 규정되어 있는 것에 추가해서, 그 RΔq가 0.10 이하로 규정된 모따기면을 갖는 유리 기판이므로 상기 유리 기판의 휨이나 부당한 온도 분포에 기인하는 파손 및 유리 미립자에 기인하는 품위 저하의 문제가 가급적 억제된다. 즉, 거칠기 곡선의 자승 평균 평방근 경사(RΔq)는 거칠기 곡선에 있어서의 각 오목부 및 각 볼록부에 있어서의 해당 면의 법선에 대한 경사의 평균값이므로 이 값이 크면 요철의 경사가 급한 것, 즉 곡 바닥이 예리한 형상을 하는 오목부가 많은 것을 의미하고 있다. 그리고, 경계부가 이러한 성상의 모따기면이면 휨이나 부당한 온도 분포에 기인해서 상기 경계부에 인장응력이 발생된 경우에 곡 바닥이 예리한 형상을 하는 오목부에 응력집중이 생기기 때문에 파손이 도래되기 쉬워짐과 아울러, 그 오목부에 유리 미립자가 잔존 체류하기 쉬워진다. 그러나, 상기와 같이 경계부에 형성된 모따기면에 있어서의 거칠기 곡선의 자승 평균 평방근 경사(RΔq)가 0.10 이하이면 경계부에는 예리한 곡 바닥을 갖는 오목부가 문제가 되지 않을 정도로 적으므로 경계부에 인장응력이 작용해도 응력집중이 생기기 어려워짐과 아울러 유리 미립자가 잔존 체류하기 어려워진다. 또한, 이러한 관점으로부터, 경계부에 형성된 모따기면에 있어서의 거칠기 곡선의 자승 평균 평방근 경사(RΔq)는 0.05 이하인 것이 보다 바람직하다. 또한, 유리 기판의 경계면에 있어서의 거칠기 곡선의 자승 평균 평방근 경사(RΔq)는 이 경계면에 연접하는 끝면의 거칠기 곡선의 자승 평균 평방근 경사(RΔq)보다 작은 것이 유효하다. 즉, 유리 기판의 휨이나 부당한 온도 분포에 기인해서 상기 유리 기판의 내부에 응력이 발생된 경우에는 이들 응력은 경계부 부근에 가장 강하게 생기기 쉬운 것이 판명되어 있다. 그 때문에, 경계부의 거칠기 곡선의 자승 평균 평방근 경사(RΔq)를 끝면의 거칠기 곡선의 자승 평균 평방근 경사(RΔq)보다 작게 하면 응력집중이 생기기 쉬운 경계부로부터는 그 응력집중의 원인이 되는 곡 바닥이 예리하게 된 오목부가 저감되어 있게 된다. 그 결과로서, 유리 기판의 휨이나 부당한 온도 분포에 기인하는 파손을 가급적 저감시킬 수 있고, 이것에 추가해서 유리 미립자의 잔존 체류의 문제도 회피된다. 또한, 유리 기판의 끝면에 있어서의 거칠기 곡선의 자승 평균 평방근 경사(RΔq)가 경계부의 모따기면에 있어서의 거칠기 곡선의 자승 평균 평방근 경사(RΔq)보다 작아도 면성상의 관점으로부터는 과잉 품질이 되지만 파손이나 유리 미립자의 문제에 지장이 생길 일은 없다. 그리고, 이 제 3 발명에 의한 유리 기판에 있어서도 강화 처리(열강화 처리)가 실시되어 있지 않거나 실시되어 있어도 상기와 같은 이점을 얻을 수 있다.According to such a structure, the chamfered surface in which the chamfered surface formed in the boundary part of a glass substrate is prescribed | regulated using the square root mean square inclination (R (DELTA) q) of a roughness curve as a parameter, and the chamfered surface in which R (DELTA) q was prescribed | regulated to 0.10 or less. Since it is a glass substrate which has a glass substrate, the problem of the damage caused by the curvature of the said glass substrate, the improper temperature distribution, and the quality deterioration resulting from glass fine particles is suppressed as much as possible. That is, the square root mean square inclination RΔq of the roughness curve is an average value of the inclination with respect to the normal of the plane of the concave and convex portions of the roughness curve. It means that the recessed part which has a sharp shape of a curved bottom is many. In the case where the boundary portion is a chamfered surface of such a property, when the tensile stress is generated at the boundary portion due to warpage or improper temperature distribution, stress concentration occurs at the concave portion having a sharp shape of the curved bottom. Moreover, glass microparticles | fine-particles remain easily in the recessed part. However, if the root mean square inclination (RΔq) of the roughness curve at the chamfered surface formed at the boundary portion is 0.10 or less, the concave portion having a sharp curved bottom at the boundary portion is small enough so that the tensile stress acts on the boundary portion. Stress concentration becomes less likely to occur, and glass fine particles hardly remain. Moreover, it is more preferable from this viewpoint that the root mean square inclination R (DELTA) q of the roughness curve in the chamfer surface formed in the boundary part is 0.05 or less. Moreover, it is effective that the square root mean square inclination R (DELTA) q of the roughness curve in the interface of a glass substrate is smaller than the square root mean square inclination R (DELTA) q of the roughness curve of the end surface connected to this interface. That is, when stress generate | occur | produces in the inside of the said glass substrate due to the curvature of a glass substrate or an improper temperature distribution, it turns out that these stresses are most likely to generate | occur | produce most in the vicinity of a boundary part. Therefore, if the square root mean square inclination RΔq of the roughness curve of the boundary is smaller than the square root mean square inclination RΔq of the roughness curve of the end surface, the curved bottom that causes stress concentration is sharp from the boundary where stress concentration is likely to occur. The recessed portion is reduced. As a result, the damage caused by the warpage of the glass substrate and the improper temperature distribution can be reduced as much as possible, and in addition to this, the problem of the remaining retention of the glass fine particles is also avoided. Moreover, even if the square root mean square inclination RΔq of the roughness curve at the end surface of the glass substrate is smaller than the square root mean square inclination RΔq of the roughness curve at the chamfered surface of the boundary portion, the quality is excessive from the viewpoint of surface properties, but it is broken. However, there is no problem in the problem of glass fine particles. And also in the glass substrate which concerns on this 3rd invention, the above-mentioned advantage can be acquired even if it does not carry out or is enforced.

상기 기술적 과제를 해결하기 위해서 창안된 제 4 발명은 표면 및 이면과, 그 양면의 외주단 상호간에 존재하는 끝면을 갖는 유리 기판에 있어서 상기 표면 및 이면의 적어도 한쪽 면과 상기 끝면 사이의 경계부에 모따기면이 형성되고, 상기 모따기면에 있어서의 최대 곡(谷) 깊이(Rv)는 Rv≤2.0㎛의 관계를 만족하는 것을 특징으로 한다. 여기서, 최대 곡 깊이(Rv)는 JIS B0601-2001에 준거하고 있다(이하, 마찬가지임).In order to solve the above technical problem, a fourth invention is a glass substrate having a front surface and a rear surface and an end surface existing between the outer circumferential ends of both surfaces thereof, and chamfered at a boundary between the at least one surface of the front surface and the rear surface and the end surface. A surface is formed, and the maximum curved depth Rv on the chamfered surface satisfies a relationship of Rv ≦ 2.0 μm. Here, the maximum grain depth Rv is based on JIS B0601-2001 (hereinafter, the same applies).

이와 같은 구성에 의하면, 유리 기판의 경계부에 형성된 모따기면의 면성상이 최대 곡 깊이(Rv)를 파라미터로서 사용해서 규정되어 있는 것에 추가해서, 그 Rv가 2.0㎛ 이하로 규정된 모따기면을 갖는 유리 기판이므로 상기 유리 기판의 휨이나 부당한 온도 분포에 기인하는 파손 및 유리 미립자에 기인하는 품위 저하의 문제가 가급적 억제된다. 즉, 상기의 모따기면의 성상을 나타내는 거칠기 곡선에는 산부와 곡부가 존재하고 있지만 곡부가 깊을 경우에 왜곡이나 열에 의한 인장응력이 모따기면에 작용하면 곡부를 인장파열하도록 그 곡 바닥에 응력집중이 생기고, 이것에 기인해서 곡부의 인장파열이 진전됨으로써 유리 기판을 파손에 이르게 한다. 그러나, 상기와 같이 모따기면의 최대 곡 깊이(Rv)가 2.0㎛ 이하이면 모따기면에는 열이나 왜곡에 의한 인장응력에 기인해서 인장파열이 진전되는 깊이의 곡부가 존재하고 있지 않게 되고, 유리 기판의 파손이 도래되기 어려워질 뿐만 아니라 곡부에 유리 미립자가 잔존 체류하기 어려워진다. 또한, 이러한 관점으로부터, 경계부에 형성된 모따기면의 최대 곡 깊이(Rv)는 1.5㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다. 또한, 유리 기판의 모따기면에 있어서의 최대 곡 깊이(Rv)는 이 모따기면에 연접하는 끝면의 최대 곡 깊이(Rv)보다 작은 것이 유효하다. 즉, 유리 기판의 휨이나 부당한 온도 분포에 기인해서 상기 유리 기판의 내부에 응력이 발생된 경우에는 이들 응력은 경계부 부근에 가장 강하게 생기기 쉬운 것이 판명되어 있다. 그 때문에, 경계부(모따기면)의 최대 곡 깊이(Rv)를 끝면의 최대 곡 깊이(Rv)보다 작게 하면 응력집중이 생기기 쉬운 경계부로부터는 그 응력집중의 원인이 되는 깊은 곡부가 저감 또는 소실되어 있게 된다. 그 결과로서, 유리 기판의 휨이나 부당한 온도 분포에 기인하는 파손을 가급적 저감시킬 수 있고, 이것에 추가해서 유리 미립자의 잔존 체류의 문제도 회피된다. 또한, 유리 기판의 끝면에 있어서의 최대 곡 깊이(Rv)가 경계부의 모따기면에 있어서의 최대 곡 깊이(Rv)보다 작아도 면성상의 관점으로부터는 과잉 품질이 되지만 파손이나 유리 미립자의 문제에 지장이 생길 일은 없다. 그리고, 이 제 4 발명에 의한 유리 기판에 있어서도 강화 처리(열강화 처리)가 실시되어 있지 않거나 실시되어 있어도 상기와 같은 이점을 얻을 수 있다.According to such a structure, in addition to the surface shape of the chamfered surface formed in the boundary part of a glass substrate being prescribed | regulated using the maximum grain depth Rv as a parameter, the glass which has the chamfered surface whose Rv was prescribed | regulated to 2.0 micrometers or less Since it is a board | substrate, the problem of the damage | deterioration resulting from the curvature of the said glass substrate and an unreasonable temperature distribution, and the fall of quality resulting from glass fine particles is suppressed as much as possible. That is, in the roughness curve showing the properties of the chamfered surface, the peak and the curved part exist, but when the curved part is deep, if the tensile stress due to distortion or heat acts on the chamfered surface, stress concentration is generated at the bottom of the curved part to rupture the curved part. Due to this, the tensile rupture of the curved portion develops, leading to breakage of the glass substrate. However, as described above, when the maximum grain depth Rv of the chamfered surface is 2.0 µm or less, the curved portion of the depth at which the tensile rupture is advanced due to the tensile stress due to heat or distortion does not exist on the chamfered surface. Not only the breakage is difficult to come, but also the glass fine particles are hard to remain in the curved portion. Moreover, it is more preferable from this viewpoint that the maximum grain depth Rv of the chamfer surface formed in the boundary part is 1.5 micrometers or less. Moreover, it is effective that the largest grain depth Rv in the chamfered surface of a glass substrate is smaller than the largest grain depth Rv of the end surface connected to this chamfered surface. That is, when stress generate | occur | produces in the inside of the said glass substrate due to the curvature of a glass substrate or an improper temperature distribution, it turns out that these stresses are most likely to generate | occur | produce most in the vicinity of a boundary part. Therefore, if the maximum curved depth Rv of the boundary portion (chamfered surface) is smaller than the maximum curved depth Rv of the end surface, the deep curved portion that causes stress concentration is reduced or disappeared from the boundary portion where stress concentration is likely to occur. do. As a result, the damage caused by the warpage of the glass substrate and the improper temperature distribution can be reduced as much as possible, and in addition to this, the problem of the remaining retention of the glass fine particles is also avoided. In addition, even if the maximum grain depth Rv at the end surface of the glass substrate is smaller than the maximum grain depth Rv at the chamfered surface of the boundary portion, it is excessively quality from the viewpoint of surface properties, but it does not interfere with the problem of breakage or glass fine particles. There is nothing to happen. And also in the glass substrate which concerns on this 4th invention, the above-mentioned advantages can be acquired even if it does not carry out or is performed.

이상의 제 1~제 4 중 어느 하나의 발명에 있어서 상기 모따기면은 연마 처리에 의해 형성되어 있는 것이 바람직하다.In the invention of any one of the first to fourth aspects described above, the chamfered surface is preferably formed by polishing.

즉, 유리 기판의 상기 경계부에 연마 처리에 의한 모따기면을 형성하도록 하면 동일한 연마 처리를 행함으로써 그 모따기면에 있어서의 면성상(제 1 발명에서는 Rzjis 및 RSm, 제 2 발명에서는 Rvk, 제 3 발명에서는 RΔq, 제 4 발명에서는 Rv)을 균일화할 수 있게 되므로 단일의 유리 기판의 경계부에 길이 방향 전체 길이에 걸쳐서 균일한 면성상을 갖는 모따기면을 형성할 수 있다. 아울러, 복수의 유리 기판에 대해서도 유리 기판이 각각 다른 것에 상관 없이 각각의 경계부에 동등한 면성상을 갖는 모따기면을 형성할 수 있게 되어 품질의 불균형을 저감시키는 것이 가능하게 된다.That is, when the chamfered surface by polishing process is formed in the said boundary part of a glass substrate, the same polishing process is performed, and the surface property in the chamfered surface (Rzjis and RSm in 1st invention, Rvk in 2nd invention, 3rd invention) Since R? Q and Rv) in the fourth invention can be made uniform, a chamfered surface having a uniform planar shape over the entire length of the longitudinal direction can be formed at the boundary of a single glass substrate. In addition, a plurality of glass substrates can also be provided with chamfered surfaces having the same planar shape at each boundary irrespective of whether the glass substrates are different from each other, thereby making it possible to reduce an imbalance in quality.

또한, 상기 모따기면은 상기 끝면의 연마 처리 후에 있어서의 연마 처리에 의해 형성되어 있는 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that the said chamfer surface is formed by the grinding | polishing process after the grinding | polishing process of the said end surface.

즉, 우선 유리 기판의 끝면을 연마함으로써 상기 끝면의 면성상을 적절한 정도로 좋게 해 두고(제 1 발명에서는 Rzjis를 작게 또한 RSm을 크게 하고, 제 2 발명에서는 Rvk를 작게 하고, 제 3 발명에서는 RΔq를 작게 하며, 제 4 발명에서는 Rv를 작게 하고), 그 후에 연마에 의해 모따기면을 형성함으로써 상기 모따기면의 면성상을 상기 끝면의 면성상보다 좋게 하면 효율적으로 유리 기판의 파손이나 미립자의 문제를 해소할 수 있는 면성상으로 할 수 있다. 따라서, 면성상의 관점으로부터는 효율적인 처리가 된다.That is, first, the end face of the glass substrate is polished to make the end face of the end face moderately suitable (in the first invention, Rzjis is made small and RSm is made large, in the second invention, Rvk is made small, and in the third invention, RΔq is In the fourth aspect of the invention, Rv is made small), and then the chamfered surface is formed by polishing, thereby making the chamfered surface better than that of the end surface. I can do it in the aspect that I can do. Therefore, it becomes an efficient process from a surface aspect.

상기 구성에 있어서 상기 끝면은 상기 표면 및 이면의 외주단 상호간에 평탄면으로서 형성할 수 있다.In the above configuration, the end surface may be formed as a flat surface between the outer circumferential ends of the front surface and the rear surface.

이와 같이 하면, 표면 및 이면 쌍방의 면과 끝면 사이의 각각의 경계부가 모난 상태로 되므로, 인장응력의 완화의 관점으로부터, 상기 경계부에 모따기면을 형성하는 의의는 커진다. 이 경우, 유리 기판의 끝면은 연마 처리가 실시되어 있는 것이여도 좋고, 또는, 유리 기판의 분할을 레이저 할단 등과 같이 레이저를 사용해 행한 것에 대해서는 연마 처리가 실시되어 있지 않아도 좋다. 즉, 유리 기판의 분할을 레이저 할단 등으로 행했을 경우에는 평탄면으로서 형성되는 유리 기판의 끝면의 면성상이 표면 및 이면과 대략 동등한 면에 가까워지므로 끝면에 연마를 행하지 않고 경계부에 연마에 의한 모따기면을 형성하는 것만으로 충분하게 된다.In this case, the respective boundary portions between the surfaces and the end surfaces of both the front surface and the rear surface become angular, so that the meaning of forming the chamfered surface at the boundary portion becomes large from the viewpoint of relaxation of the tensile stress. In this case, the end surface of the glass substrate may be subjected to polishing treatment, or the polishing treatment may not be performed for the division of the glass substrate using a laser such as laser cutting. That is, when the glass substrate is divided by laser cutting or the like, the surface properties of the end faces of the glass substrates formed as flat surfaces are close to those of the front and back surfaces, so that the chamfers by polishing at the boundary portions are not polished at the end surfaces. It is enough just to form a face.

또한, 상기 끝면은 상기 표면 및 이면의 외주단으로부터 판 두께 중앙부에 걸쳐 외측으로 점차 돌출되는 만곡면으로서 형성할 수도 있다.Further, the end face may be formed as a curved face that gradually protrudes outward from the outer peripheral ends of the front and rear surfaces to the plate thickness center portion.

이와 같이 하면, 모따기면과 끝면의 연접부, 및 모따기면과 표면(또는 이면)의 연접부를 완만한 굴곡부를 통해 연이어지게 하는 것이 가능하게 되므로 모따기면 주변에 생기는 인장응력 또는 응력집중을 작게 함에 있어서 유리하게 된다.In this way, the connection between the chamfered surface and the end surface, and the connection between the chamfered surface and the surface (or the back surface) can be connected through a gentle bend, so that the tensile stress or stress concentration around the chamfered surface can be reduced. Is advantageous.

이러한 끝면 형상의 경우, 상기 끝면의 길이 방향과 직교하고 또한 상기 표면 및 이면과 직교하는 단면에 있어서 표면측의 경계부에 형성되는 상기 모따기면의 표면측으로의 접선과 상기 표면이 이루는 각도(α), 및 이면측의 경계부에 형성되는 상기 모따기면의 이면측으로의 접선과 상기 이면이 이루는 각도(β)는 각각 10°≤α≤30° 및 10°≤β≤30°의 관계를 만족하고 있는 것이 바람직하다.In the case of such an end face shape, an angle α between the tangent to the front side of the chamfered surface formed at the boundary portion on the front side in the cross section perpendicular to the longitudinal direction of the end face and perpendicular to the front and back surfaces, And the angle? Formed between the tangent to the rear face side of the chamfered surface formed at the boundary portion on the rear face side satisfies the relationship of 10 ° ≤α≤30 ° and 10 ° ≤β≤30 °, respectively. Do.

즉, 예컨대, 도 7에 평면으로 바라봐서 나타내는 바와 같이, 판 두께 중앙부에 걸쳐 외측으로 점차 돌출되는 단면 원호 형상의 끝면(3b1)만을 연마한 후에 있어서는 상기 끝면(3b1)과 표면(또는 이면)(2a1)의 경계부(z1)가 요철 형상으로 됨과 아울러, 이 경계부(z1)는 본래이면 직선(zx)으로 나타내는 위치에 존재하는 것이지만 실제로는 표면(또는 이면)(2a1)의 중앙측에 편의해서 존재하게 된다. 이러한 현상은 유리 기판(11)의 끝면(3b1)의 연마시에 숫돌의 지립이 본래의 경계가 되어야 할 직선(zx)보다 표면(또는 이면)(2a1)측으로 파들어가는 것, 및 숫돌의 지립이 표면(또는 이면)(2a1)측 부분을 박리시키는 것 등에 의해 생기는 것이다. 그런데, 도 8에 종단면으로 나타내는 바와 같이, 유리 기판(11)의 표면(또는 이면)(2a1)과 끝면(3b1)의 본래적으로 경계가 되어야 할 상기의 직선(zx) 부근에 숫돌의 숫돌면(6b1)이 45°정도의 경사를 가지고 접촉한 것으로는 실제의 경계부(z1)에 숫돌의 숫돌면(6b1)이 비접촉으로 된다. 그 때문에, 숫돌이 이 요철 형상의 경계부(z1)를 연마할 수 없거나 또는 경계부(z1)의 일부만을 연마할 수 있게 되어 결과적으로는 요철 형상의 경계부(z)가 완전히 연마되지 않고 이 경계부에 특정한 연마면으로 이루어지는 모따기면을 형성할 수 없다는 사태를 초래한다. 그래서, 상기의 각도(α,β)를 45°이하로 하는 것이 바람직하지만, 이 각도(α,β)가 10°보다 작으면 모따기면을 연마에 의해 형성할 경우에 있어서의 끝면측의 연마 영역이 좁아지고, 상기 끝면과 표면(또는 이면)의 각각의 경계부에 잔존하고 있는 유리 치핑(chipping) 또는 깨짐이나 크랙 등의 제거가 불충분하게 되므로 이것을 회피하기 위해서는 연마 영역을 표면측(또는 이면측)으로 넓힐 필요성이 생겨 경계부로서 바람직하지 못한 형태가 된다. 이것에 대해서 상기의 각도(α,β)가 30°를 초과하면 모따기면을 연마에 의해 형성할 경우에 있어서의 끝면측의 연마 영역을 부당하게 넓게 하지 않으면 상기 모따기면을 형성할 수 없게 되고 생산성의 악화를 초래한다. 따라서, 이 각도(α,β)가 상기의 수치 범위 내에 있으면 이들 문제는 생기지 않는다. 이러한 관점으로부터, 보다 바람직하게는 상기의 각도(α,β)의 하한값이 15°로 되고 상한값이 20°로 된다.That is, for example, as shown in a plan view in FIG. 7, after polishing only the end face 3b1 of the circular arc-shaped cross section gradually projecting outward over the center portion of the sheet thickness, the end face 3b1 and the surface (or back surface) ( While the boundary portion z1 of 2a1 becomes uneven, the boundary portion z1 is originally located at a position indicated by a straight line zx, but in reality is conveniently located at the center side of the surface (or back surface) 2a1. Done. This phenomenon causes the grinding of the abrasive grains to the surface (or back side) 2a1 side rather than the straight line zx which should be the original boundary when polishing the end surface 3b1 of the glass substrate 11, and the abrasive grains It arises by peeling a part of surface (or back surface) 2a1 side. By the way, as shown by the longitudinal cross section in FIG. 8, the grindstone surface of a grindstone in the vicinity of the said straight line zx which should be originally bounded by the surface (or back surface) 2a1 of the glass substrate 11, and the end surface 3b1. When 6b1 comes in contact with an inclination of about 45 °, the whetstone surface 6b1 of the grindstone is brought into non-contact with the actual boundary portion z1. Therefore, the grindstone cannot polish this uneven boundary portion z1 or only part of the boundary portion z1 can be polished, so that the uneven boundary portion z is not completely polished, and therefore, it is difficult to grind it. This results in a situation in which the chamfered surface formed of the polished surface cannot be formed. Therefore, it is preferable to set the above angles α and β to 45 degrees or less. However, if the angles α and β are smaller than 10 degrees, the polishing region on the end face side in the case of forming the chamfer surface by polishing This becomes narrower, and removal of glass chipping or cracks, cracks, etc. remaining at each boundary between the end face and the surface (or back face) is insufficient. The necessity of widening is created, resulting in an undesirable shape as the boundary. On the other hand, when said angle (alpha), (beta) exceeds 30 degrees, when the chamfering surface is formed by grinding | polishing, unless the grinding | polishing area | region of the end surface side is unfairly widened, the said chamfering surface will not be formed, and productivity Leads to deterioration. Therefore, these problems do not occur if the angles α and β are in the above numerical range. From such a viewpoint, More preferably, the lower limit of said angles (alpha), (beta) becomes 15 degrees, and an upper limit becomes 20 degrees.

이상의 구성에 있어서 판 두께(T)는 0.05㎜≤T≤1.1㎜의 관계를 만족하는 것이 바람직하다.In the above configuration, the sheet thickness T preferably satisfies a relationship of 0.05 mm ≤ T ≤ 1.1 mm.

즉, 유리 기판의 판 두께(T)가 1.1㎜를 초과하면 상기 유리 기판의 강도에 대한 유리 기판의 판 두께(T)의 영향이 커져 상술한 유리 기판의 파손으로 이어지는 휨이나 부당한 온도 분포에 의한 응력에 대항하기 위한 본 발명(제 1 ~제 4 발명) 특유의 효과를 충분히 발휘할 수 없게 될 우려가 있다. 이에 대해서 유리 기판의 판 두께(T)가 0.05㎜ 미만이면 표면 및 이면 쌍방의 면과 끝면의 각각의 사이의 경계부에 적정한 연마 처리를 실시하는 것이 곤란하게 될 수 있다. 따라서, 유리 기판의 판 두께(T)가 상기의 수치 범위 내에 있으면 이러한 문제를 회피할 수 있다. 또한, 이들의 관점으로부터, 보다 바람직하게는 유리 기판의 판 두께(T)의 하한값이 0.1㎜로 되고 상한값이 0.7㎜로 된다.That is, when the plate | board thickness T of a glass substrate exceeds 1.1 mm, the influence of the plate | board thickness T of a glass substrate on the strength of the said glass substrate becomes large, and by the warpage which leads to breakage of the glass substrate mentioned above, or unfair temperature distribution There exists a possibility that it may become impossible to fully exhibit the effect peculiar to this invention (1st-4th invention) for countering a stress. On the other hand, when the plate | board thickness T of a glass substrate is less than 0.05 mm, it may become difficult to apply appropriate grinding | polishing process to the boundary part between each of the surface and the end surface of both a surface and a back surface. Therefore, if the plate | board thickness T of a glass substrate is in said numerical range, such a problem can be avoided. Moreover, from these viewpoints, More preferably, the lower limit of the plate | board thickness T of a glass substrate will be 0.1 mm, and an upper limit will be 0.7 mm.

또한, 판 두께(T)와 상기 모따기면의 길이 방향과 직교하는 방향의 폭(W)이 0.07≤W/T≤0.30의 관계를 만족하는 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that the plate | board thickness T and the width | variety W of the direction orthogonal to the longitudinal direction of the chamfer surface satisfy | fill the relationship of 0.07 <= W / T <= 0.30.

즉, W/T가 0.07 미만이면 모따기면의 형성 영역이 불충분하게 되고, 모따기면의 존재에 의한 끝면 강도의 상승 효과가 적어진다. 이에 대해서, W/T가 0.30을 초과하면 모따기면의 형성에 요하는 시간이 장기화되어 생산성이 저하된다. 따라서, W/T가 상기의 수치 범위 내에 있으면 이러한 문제를 회피할 수 있다. 또한, 이들의 관점으로부터, 보다 바람직하게는 0.10≤W/T≤0.20의 관계를 만족하는 것이다.That is, when W / T is less than 0.07, the formation area of a chamfer surface becomes inadequate, and the synergistic effect of the end surface strength by the presence of a chamfer surface becomes small. On the other hand, when the W / T exceeds 0.30, the time required for the formation of the chamfered surface is prolonged and productivity is lowered. Therefore, this problem can be avoided if W / T is within the above numerical range. From these viewpoints, more preferably, the relationship of 0.10 ≦ W / T ≦ 0.20 is satisfied.

또한, 이상의 구성을 구비한 유리 기판은 모따기면이 변의 전체 길이에 걸쳐서 형성되어 있는 것이 바람직하지만, 판 두께가 얇은 유리 기판 등에 대해서는 모따기면의 연마에 의한 형성의 곤란성을 고려해서 평면으로 바라봐서의 코너부 근방을 모따기면의 형성 개소로부터 제외해도 좋다.Moreover, although it is preferable that the chamfered surface is formed over the full length of the edge | side, the glass substrate provided with the above structure is considered to be flat in consideration of the difficulty of the formation by grinding | polishing of a chamfered surface with respect to the glass substrate etc. with a thin plate thickness. You may remove the vicinity of a corner part from the formation location of a chamfering surface.

한편, 상기 기술적 과제를 해결하기 위해서 창안된 방법의 발명은 상술한 모따기면을 형성하여 이루어지는 유리 기판을 제조하는 방법으로서, 상기 모따기면을 연마하는 연마구로서 회전축과 직교하는 연마면을 갖는 회전 연마구를 사용하고, 또한 상기 연마면의 외주부의 거칠기를 내주부의 거칠기보다 작게 형성함과 아울러, 유리 기판의 표면 및 이면의 적어도 한쪽 면과 연마 처리 후의 끝면 사이의 경계부에 대해서 상기 회전 연마구가 그 길이 방향으로 상대적으로 직선 이동하면서 상기 회전축 둘레로 회전함으로써 상기 연마면의 외주부 및 내주부 쌍방에 의해 상기 모따기면을 형성하는 것을 특징으로 한다.On the other hand, the invention of the method devised in order to solve the above technical problem is a method of manufacturing a glass substrate formed by forming the chamfered surface described above, a rotary lead having a polishing surface orthogonal to the rotation axis as a polishing tool for polishing the chamfered surface By using a harness and forming the roughness of the outer peripheral portion of the polishing surface to be smaller than the roughness of the inner peripheral portion, the rotating polishing tool is provided with respect to the boundary between at least one surface of the front and rear surfaces of the glass substrate and the end surface after the polishing treatment. The chamfered surface is formed by both the outer circumferential portion and the inner circumferential portion of the polishing surface by rotating around the rotation axis while moving relatively linearly in the longitudinal direction thereof.

이와 같은 방법에 의하면, 회전 연마구의 연마면(숫돌면)이 회전축과 직교하고 또한 상기 연마면의 외주부의 거칠기가 내주부의 거칠기보다 작게 되어 있으므로, 이 회전 연마구를 상술한 유리 기판의 경계부에 대해서 그 길이 방향으로 상대적으로 직선 이동시키면서 회전축 둘레로 회전시켜 상기 경계부의 연마 처리를 행하는 경우에는 우선 연마면에 있어서의 거칠기가 작은 외주부에 의해 상기 경계부의 미세 커팅(미세 연마)이 행해져서 소위 「길들이기」효과가 얻어진다. 이에 따라, 유리 기판의 경계부에 대한 모따기면 형성의 초기 단계에 있어서 부당한 응력집중이 억제되고, 또한 유리 기판의 요동에 기인하는 깨짐(초기 치핑)이나 크랙 등의 발생이 억제되는데다가 상기 경계부에 초기 단계에 상당하는 모따기면이 형성된다. 다음 단계로서, 회전 연마구가 상대적으로 직선 이동함으로써 연마면에 있어서의 거칠기가 큰 내주부가 상기의 초기 단계에 상당하는 모따기면에 접촉해서 상대적인 조연마(粗硏磨)가 행해진다. 이 상대적 조연마에 의해 연마의 진행 속도가 높여지므로 모따기면 형성 시간이 단축됨과 아울러, 상대적 조연마의 개시시에는 상기 경계부가 미세 연마되어 상술한 「길들이기」가 행해져 있으므로 깨짐이나 크랙 등의 발생 또는 이들의 진전을 초래하지 않고 원활하게 상대적 조연마가 개시되어 진행되어 간다. 최종 단계로서, 회전 연마구가 더욱 상대적으로 직선 이동함으로써 연마면에 있어서의 상술한 거칠기가 작은 외주부가 상대적 조연마가 실시된 모따기면에 접촉해서 마무리 연마가 행해진다. 이에 따라, 회전 연마구의 진동이 연마면의 이동 방향 후단으로부터 모따기면에 작용하는 것에 의한 상기 모따기면의 후단으로의 깨짐이나 크랙 등의 발생이 억제됨과 아울러, 상대적 조연마에 기인해서 모따기면에 잔존한 미소한 연삭분 또는 유리분이 제거되게 된다. 이와 같이, 단일의 회전 연마구의 상대적인 직선 이동에 따라 미세 연마(길들이기)와 상대적 조연마와 마무리 연마로 이루어지는 일련의 연마 처리가 유리 기판의 경계부에 대해서 순차적으로 실시됨으로써 깨짐이나 크랙 등의 발생을 억제하면서 단시간에 모따기면의 형성 처리를 행하는 것이 가능하게 되므로 장치의 간소화 및 모따기면 주변의 양호한 품위를 확보하는데다가 대폭적인 생산성의 향상이 도모된다. 또한, 회전 연마구와 유리 기판은 어느 일방 또는 쌍방이 직선 이동하면 좋지만 유리 기판의 경계부의 길이 방향의 치수가 1000㎜ 이상이라는 대형의 유리 기판인 경우에는 유리 기판을 작업대 위 등에 고정한 상태에서 회전 연마구를 그 경계부의 길이 방향으로 이동시키는 것이 유리하며, 그 반대의 소형의 유리 기판인 경우에는 회전 연마구를 정치(定置) 설치해서 유리 기판이 연마면을 가로 지르도록 직선 이동시키는 것이 유리하다. 그리고, 바람직하게는 회전 연마구를 스프링 등의 탄성체를 이용해서 탄성 지지한 상태에서 상술한 유리 기판의 경계부에 압접시킴으로써 모따기면의 면성상을 바람직한 것으로 할 수 있다.According to this method, since the polishing surface (grind surface) of the rotating polishing tool is orthogonal to the rotation axis and the roughness of the outer peripheral part of the polishing surface is smaller than that of the inner peripheral part, the rotating polishing tool is placed at the boundary of the glass substrate described above. In the case where the boundary portion is polished while being rotated around the axis of rotation while moving relatively linearly in the longitudinal direction, fine cutting (fine polishing) of the boundary portion is first performed by an outer peripheral portion having a small roughness on the polishing surface. Taming effect is obtained. As a result, undue stress concentration is suppressed in the initial stage of the chamfer surface formation with respect to the boundary portion of the glass substrate, and the occurrence of cracking (initial chipping) or cracking due to fluctuation of the glass substrate is suppressed, A chamfered surface corresponding to the step is formed. As a next step, the rotating polishing tool moves relatively linearly so that the inner circumferential portion having a large roughness on the polished surface comes into contact with the chamfered surface corresponding to the initial stage, so that relative polishing is performed. As the relative speed of polishing increases, the progress of polishing increases, so that the formation time of the chamfer is shortened, and at the start of the relative polishing, the boundary portion is finely polished and the above-mentioned "taming" is performed, so that the occurrence of cracks or cracks, or Relative polishing is started and progressed smoothly without causing these advances. As a final step, the rotary polishing tool moves more linearly so that the outer peripheral portion of the above-described roughness on the polished surface is brought into contact with the chamfered surface on which the relative roughened surface has been subjected to finish polishing. As a result, the occurrence of cracks or cracks from the rear end of the chamfered surface caused by the vibration of the rotary polishing tool acting on the chamfered surface from the rear end of the movement direction of the polished surface is suppressed, and also remains on the chamfered surface due to the relative polishing. One minute grinding or free powder will be removed. As described above, a series of polishing treatments consisting of fine polishing (taking), relative rough polishing, and finish polishing are sequentially performed on the boundary of the glass substrate in accordance with the relative linear movement of the single rotating polishing tool, thereby suppressing the occurrence of cracks or cracks. While the chamfering surface can be formed in a short time, the simplification of the apparatus and the securing of good quality around the chamfering surface can be achieved, and the productivity can be greatly improved. In addition, although one or both of a rotating grinding | polishing tool and a glass substrate should move linearly, in the case of the large glass substrate whose dimension of the longitudinal direction of a glass substrate is 1000 mm or more, a rotating grinding | polishing tool is fixed in the state which fixed the glass substrate on the work bench etc. Is advantageously moved in the longitudinal direction of the boundary portion, and in the case of a small glass substrate on the contrary, it is advantageous to set the rotary polishing tool to stand and linearly move the glass substrate to cross the polishing surface. And preferably, the surface property of a chamfered surface can be made preferable by making a rotary polishing tool press-contact by the boundary part of the glass substrate mentioned above in the state which elastically supported using elastic bodies, such as a spring.

또한, 상기 기술적 과제를 해결하기 위해서 창안된 방법의 발명은 상술한 끝면의 연마 처리 후에 모따기면을 형성해서 이루어지는 유리 기판을 제조하는 방법으로서, 유리 기판의 끝면에 대해서 조연마 처리를 실시한 후에 마무리 연마 처리를 실시하고, 그 후, 유리 기판의 표면 및 이면의 적어도 한쪽 면과 상기 끝면 사이의 경계부에 상기 마무리 연마 처리보다 미세한 입도를 갖는 연마구를 이용해서 특정 연마 처리를 실시함으로써 상기 모따기면을 형성하는 것을 특징으로 한다.In addition, the invention of the method devised to solve the above technical problem is a method of manufacturing a glass substrate formed by forming a chamfered surface after the polishing treatment of the end surface described above, after finishing polishing on the end surface of the glass substrate finish polishing The chamfered surface is then formed by performing a specific polishing treatment using a polishing tool having a finer grain size than the finish polishing treatment at the boundary between at least one surface of the glass substrate and at least one surface of the glass substrate and the end surface. Characterized in that.

이와 같은 방법에 의하면, 유리 기판의 끝면을 조연마와 마무리 연마에 의해 효율적으로 단시간에 예컨대 단면 대략 원호 형상 등으로 연마할 수 있음과 아울러, 그 후의 연마로서, 더욱 그 끝면을 보다 미세한 입도의 연마구로 동일 형상으로 연마하는 것은 아니고, 상기 경계부에 보다 미세한 입도의 연마구로 모따기면을 형성하는 것이다. 그 때문에, 끝면과 모따기면과 표리면의 3종의 면성상을 최적의 것으로 해서 끝면 강도를 효율적으로 향상시킬 수 있다. 그리고, 바람직하게는 끝면의 조연마 처리를 행하는 연마구와, 끝면의 마무리 연마 처리를 행하는 연마구와, 특정 연마 처리를 행하는 연마구를 동일한 경로 상에 배치해 둠으로써 각 연마구가 연속해서 상대적으로 직선 이동하면서 각 연마 처리를 행하여 갈 수 있고, 각 처리를 각각 행하는 경우와 비교해서 처리 시간을 대폭적으로 단축해서 생산성의 향상을 도모하는 것이 가능하게 된다. 또한, 바람직하게는 특정 연마 처리를 행하는 연마구를 스프링 등의 탄성체를 이용해서 탄성 지지한 상태에서 상술한 유리 기판의 경계부에 압접시킴으로써 모따기면의 면성상을 바람직한 것으로 할 수 있다.According to such a method, the end face of the glass substrate can be polished efficiently by rough polishing and finish polishing in a short time, for example, in a substantially circular arc shape or the like, and as a subsequent polishing, the end face is further polished to a finer particle size. A chamfered surface is formed by grinding | polishing tool of finer particle size at the said boundary part, not grinding | polishing in the same shape with a sphere. Therefore, the end face strength can be efficiently improved by making three kinds of face shapes of an end face, a chamfer face, and a front and back surface as an optimal thing. Preferably, the polishing tool for roughening the end surface, the polishing tool for the finish polishing treatment of the end surface, and the polishing tool for performing the specific polishing treatment are arranged on the same path, so that each polishing tool is continuously straight. Each polishing treatment can be performed while moving, and the processing time can be drastically shortened as compared with the case where each treatment is performed individually, and the productivity can be improved. Moreover, the surface property of a chamfer can be made preferable by making it press-contact at the boundary part of the glass substrate mentioned above in the state which carried out the elastic support which carried out the specific grinding | polishing process elastically using elastic bodies, such as a spring.

<발명의 효과>Effect of the Invention

이상과 같이 본 발명에 의하면, 유리 기판의 표면 및 이면의 적어도 한쪽 면과 끝면 사이에 존재하는 경계부에 모따기면이 형성되고, 상기 모따기면의 면성상이 적절한 파라미터를 사용해서 최적값으로 규정되어 있으므로, 유리 기판의 휨이나 부당한 온도 분포에 기인해서 상기 모따기면에 인장응력이 발생했을 경우이여도 유리 기판의 균열이나 깨짐의 원인이 되는 응력집중이 생기기 어려워져 파손의 발생 확률이 격감됨과 아울러 유리 미립자가 잔존 체류하기 어려워져 제품의 품위향상이 도모된다.As described above, according to the present invention, the chamfered surface is formed at the boundary between the front and rear surfaces of the glass substrate and at least one side and the end surface, and the chamfered surface of the chamfered surface is defined as an optimal value using appropriate parameters. Even when tensile stress occurs on the chamfered surface due to the warp or improper temperature distribution of the glass substrate, stress concentration that causes cracking or cracking of the glass substrate is less likely to occur, and the probability of breakage is reduced. This makes it difficult to remain and improve the quality of the product.

도 1은 본 발명의 실시형태에 의한 유리 기판의 측 가장자리부의 길이 방향과 직교하는 방향으로 절단한 끝면의 요부 확대 종단면도이다.
도 2는 유리 원판을 절단해서 얻어진 유리 기판과, 그 유리 기판의 끝면부를 연마하는 연마구를 나타내는 개략도이다.
도 3은 끝면 연마 처리만을 행한 유리 기판의 요부를 나타내는 종단면도이다.
도 4는 끝면 처리 후의 유리 기판에 대해서 모따기면의 형성 처리를 행하고 있는 상태를 나타내는 개략 정면도이다.
도 5는 끝면 처리 후의 유리 기판에 대해서 모따기면의 형성 처리를 행하고 있는 상태를 나타내는 개략 평면도이다.
도 6은 모따기면의 형성 후에 있어서의 유리 기판의 요부를 나타내는 개략 평면도이다.
도 7은 종래의 문제점을 나타내는 유리 기판의 요부를 나타내는 개략 평면도이다.
도 8은 종래의 문제점을 나타내는 유리 기판의 요부를 나타내는 종단면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a principal part enlarged longitudinal cross-sectional view of the end surface cut | disconnected in the direction orthogonal to the longitudinal direction of the side edge part of the glass substrate which concerns on embodiment of this invention.
It is a schematic diagram which shows the glass substrate obtained by cut | disconnecting a glass original plate, and the grinding | polishing tool grind | polishing the end surface part of this glass substrate.
It is a longitudinal cross-sectional view which shows the principal part of the glass substrate which only performed the end surface grinding process.
It is a schematic front view which shows the state which is forming the chamfering surface with respect to the glass substrate after an end surface treatment.
It is a schematic plan view which shows the state which is forming the chamfering surface with respect to the glass substrate after an end surface treatment.
It is a schematic plan view which shows the principal part of the glass substrate after formation of a chamfering surface.
It is a schematic top view which shows the principal part of the glass substrate which shows a conventional problem.
It is a longitudinal cross-sectional view which shows the principal part of the glass substrate which shows a conventional problem.

이하, 본 발명의 실시형태를 첨부 도면을 참조해서 설명한다. 또한, 이하의 실시형태에 있어서는 LCD용으로 대표되는 FPD용의 유리 기판을 대상으로 한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described with reference to an accompanying drawing. In addition, in the following embodiment, it aims at the glass substrate for FPD represented by LCD.

도 1은 본 실시형태에 의한 유리 기판(1)의 요부를 확대한 종단면도이다. 또한, 동 도면은 유리 기판(1)의 표면(2a)측 부분의 형태만을 도시하고 있지만, 이면측 부분도 판 두께 방향 중심선(X)을 사이에 두고 대략 대칭이 되는 형태를 이루고 있다. 동 도면에 나타내는 바와 같이, 이 유리 기판(1)은 평면 형상의 표면(2a)과, 종단면이 볼록 형상의 원호 형상을 이루는 끝면(3)과, 표면(2a)과 끝면(3) 사이에 형성된 평면 형상의 모따기면(4)을 갖는다. 바꾸어 말하면, 유리 기판(1)은 표면(2a) 및 이면의 외주단 상호간에 존재하는 끝면(3)과, 표면(2a) 및 이면이 각각 모따기면(4)을 통해서 연이어져 있다. 또한, 이 유리 기판(1)은 강화 처리(열강화 처리 등)가 실시되어 있지 않지만 상기 처리가 실시되어 있어도 지장이 없다.FIG. 1: is a longitudinal cross-sectional view which expanded the principal part of the glass substrate 1 which concerns on this embodiment. In addition, although the figure shows only the form of the part of the surface 2a side of the glass substrate 1, the back side part also forms the form which becomes substantially symmetrical across the thickness direction center line X. As shown in this figure, this glass substrate 1 is formed between the planar surface 2a, the end surface 3 whose longitudinal section forms a convex circular arc shape, and the surface 2a and the end surface 3, respectively. It has a chamfered surface 4 of planar shape. In other words, the glass substrate 1 is connected to the end surface 3 which exists between the outer periphery end of the surface 2a and the back surface, and the surface 2a and the back surface are connected through the chamfered surface 4, respectively. In addition, although this glass substrate 1 is not given the strengthening process (heat strengthening process etc.), it does not interfere even if the said process is performed.

이 유리 기판(1)의 끝면(3)은 본 실시형태에서는 조연마 처리가 실시된 후에 마무리 연마 처리가 실시된 연마면임과 아울러, 표면(2a)은 성형면 즉 미연마면이고, 또한, 모따기면(4)은 끝면(3)의 마무리 연마 처리 후에 특정 연마 처리가 실시된 특정 연마면이다.In the present embodiment, the end face 3 of the glass substrate 1 is a polished surface subjected to a finish polishing treatment after the rough polishing treatment has been performed, and the surface 2a is a molded surface, that is, an unpolished surface. The surface 4 is a specific polishing surface to which a specific polishing treatment is performed after the finish polishing treatment of the end surface 3.

이 유리 기판(1)의 모따기면(4)의 10점 평균 거칠기(Rz₂)는 끝면(3)의 10점 평균 거칠기(Rz₁)보다 작고, 또한, 모따기면(4)의 거칠기 곡선 요소의 평균 길이(RSm₂)는 끝면(3)의 거칠기 곡선 요소의 평균 길이(RSm₁)보다 크게 되어 있다. 또한, 표면(2a)은 경면이므로 그 10점 평균 거칠기는 모따기면(4)의 10점 평균 거칠기(Rz₂)보다 작고, 또한, 그 거칠기 곡선 요소의 평균 길이는 모따기면(4)의 거칠기 곡선 요소의 평균 길이(RSm₂)보다 크다. 이 경우, 모따기면(4)의 10점 평균 거칠기(Rz₂)는 1.5㎛ 이하임과 아울러, 끝면(3)의 연마면의 10점 평균 거칠기(Rz₁)와의 비인 Rz₁/Rz₂는 1.5 이상이고 또한 10.0 이하이다. 또한, 모따기면(4)의 거칠기 곡선 요소의 평균 길이(RSm₂)는 100㎛ 이상임과 아울러, 끝면(3)의 거칠기 곡선 요소의 평균 길이(RSm₁)와의 비인 RSm₁/RSm₂는 0.1 이상이고 또한 0.7 이하이다.The 10-point average roughness Rz ₂ of the chamfered surface 4 of this glass substrate 1 is smaller than the 10-point average roughness Rz ₁ of the end surface 3, and the roughness curve element of the chamfered surface 4 is further reduced. The average length RSm ₂ is larger than the average length RSm ₁ of the roughness curve element of the end face 3. In addition, since the surface 2a is a mirror surface, its 10-point average roughness is smaller than the 10-point average roughness Rz ₂ of the chamfering surface 4, and the average length of the roughness curve element is the roughness curve of the chamfering surface 4. It is larger than the average length of the elements RSm ₂ . In this case, the 10-point average roughness Rz ₂ of the chamfered surface 4 is 1.5 µm or less, and Rz ₁ / Rz _{2, which} is a ratio with the 10-point average roughness Rz ₁ of the polished surface of the end surface 3, is 1.5. It is above and 10.0 or less. In addition, the average length RSm ₂ of the roughness curve element of the chamfered surface 4 is 100 μm or more, and RSm ₁ / RSm _{2, which} is a ratio with the average length RSm ₁ of the roughness curve element of the end face 3, is 0.1 or more. And 0.7 or less.

또한, 이 유리 기판(1)의 모따기면(4)의 돌출 곡부 깊이(Rvk)는 0.95 이하(바람직하게는 0.20 이하)로 되어 있다. 또한, 표면(2a)은 경면이므로 그 돌출 곡부 깊이(Rvk)는 모따기면(4)의 돌출 곡부 깊이(Rvk)보다 작다.In addition, the protrusion depth Rvk of the chamfered surface 4 of this glass substrate 1 is 0.95 or less (preferably 0.20 or less). In addition, since the surface 2a is a mirror surface, the protruding curved depth Rvk is smaller than the protruding curved depth Rvk of the chamfering surface 4.

또한, 이 유리 기판(1)의 모따기면(4)의 거칠기 곡선의 자승 평균 평방근 경사(RΔq)는 0.10 이하(바람직하게는 0.05 이하)로 되어 있다. 또한, 표면(2a)은 경면이므로 그 거칠기 곡선의 자승 평균 평방근 경사(RΔq)는 모따기면(4)의 거칠기 곡선의 자승 평균 평방근 경사(RΔq)보다 작다.In addition, the square-average square root inclination R (DELTA) q of the roughness curve of the chamfered surface 4 of this glass substrate 1 is 0.10 or less (preferably 0.05 or less). In addition, since the surface 2a is a mirror surface, the square root mean square slope RΔq of the roughness curve is smaller than the square root mean square slope RΔq of the roughness curve of the chamfer 4.

또한, 이 유리 기판(1)의 모따기면(4)의 최대 곡 깊이(Rv)는 2.0㎛ 이하(바람직하게는 1.5㎛ 이하)로 되어 있다. 또한, 표면(2a)은 경면이므로 그 최대 곡 깊이(Rv)는 모따기면(4)의 최대 곡 깊이(Rv)보다 작다.In addition, the maximum grain depth Rv of the chamfered surface 4 of this glass substrate 1 is 2.0 micrometers or less (preferably 1.5 micrometers or less). In addition, since the surface 2a is a mirror surface, its maximum grain depth Rv is smaller than the maximum grain depth Rv of the chamfering surface 4.

한편, 도 1에 나타내는 단면[끝면(3)의 길이 방향과 직교하고 또한 표면(2a) 및 이면과 직교하는 단면]에 있어서는 모따기면(4)의 표면(2a)측으로의 접선(A)과 표면(2a)이 이루는 각도(α)는 10° 이상이고 또한 30°이하(본 실시형태에서는 18°)임과 아울러, 도면에는 나타내지 않지만, 이면측의 모따기면도 그 이면측으로의 접선과 이면이 이루는 각도가 10° 이상이고 또한 30°이하(본 실시형태에서는 18°)이다.On the other hand, in the cross section (cross section orthogonal to the longitudinal direction of the end surface 3 and orthogonal to the surface 2a and the back surface) shown in FIG. 1, the tangent A and the surface toward the surface 2a side of the chamfered surface 4 are shown. The angle α formed by (2a) is not less than 10 ° and not more than 30 ° (18 ° in the present embodiment), and although not shown in the drawing, the angle between the tangent and the back of the back side is also formed. Is 10 degrees or more and 30 degrees or less (18 degrees in this embodiment).

이 경우, 모따기면(4)은 끝면(3)의 연마 처리가 행해진 것만의 상태에서의 표면(2a)과 끝면(3)의 파형을 이루는 원래의 경계부(z)의 주변(도 1에 파선으로 나타내는 부위의 주변)을 특정 연마 처리에 의해 제거하여 이루어지는 것이며, 그 제거부는 원래의 경계부(z)로부터 끝면(3)측으로의 폭(W1)이 70㎛이고 또한 원래의 경계부(z)로부터 표면(2a)측으로의 폭(W2)이 30㎛의 영역이다. 또한, 이 원래의 경계부(z)의 접선(B)과 표면(2a)이 이루는 각도(γ)는 본 실시형태에서는 25°이다.In this case, the chamfered surface 4 is a periphery (the dashed line in FIG. 1) around the original boundary z which forms the waveform of the surface 2a and the end surface 3 only in the state in which the polishing of the end surface 3 was performed. Periphery of the portion to be shown) by a specific polishing process, the removal portion having a width W1 from the original boundary portion z to the end surface 3 side of 70 µm, and the surface (from the original boundary portion z). The width W2 toward 2a) is an area of 30 mu m. In addition, in this embodiment, the angle (gamma) which the tangent B of this original boundary part z and the surface 2a make is 25 degrees.

또한, 이 유리 기판(1)은 그 판 두께(T)가 1.1㎜ 이하이고 또한 0.05㎜ 이상임과 아울러, 모따기면(4)의 폭(W)[모따기면(4)의 길이 방향(변을 따르는 방향)과 직교하고 또한 표면(2a) 및 이면과 평행한 방향의 치수]과 판 두께(T)의 비인 W/T는 0.07 이상이고 또한 0.30 이하가 되도록 설정되어 있다.The glass substrate 1 has a plate thickness T of 1.1 mm or less and 0.05 mm or more, and the width W of the chamfer 4 (the longitudinal direction of the chamfer 4). Direction] and W / T which is the ratio of the dimension in the direction parallel to the surface 2a and the back surface] and the plate | board thickness T is set to 0.07 or more and 0.30 or less.

이상과 같은 구성을 구비한 유리 기판(1)은 이하와 같이 해서 제조된다.The glass substrate 1 provided with the above structures is manufactured as follows.

도 2는 다운드로우법이나 플로트법 등에 의한 성형 후에 있어서의 유리 원판의 표면의 4개소에 대략 직사각형의 각설선(刻設線)이 그려진 영역이 얻어지도록 스크라이브를 넣고, 또한 그 스크라이브 자국을 기점으로 해서 유리 원판을 절할함으로써 대략 직사각형의 유리 기판(1)과, 그 유리 기판(1)의 절할된 끝면부(3a)를 연마 처리하는 연마구(5)를 예시하고 있다. 이 유리 기판(1)의 끝면부(3a)는 우선 제 1 연마구에 의해 조연마 처리가 행해지고, 이어서 제 2 연마구에 의해 마무리 연마 처리가 행해진다. 제 1 연마구는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 정면으로 바라봐서 오목 형상의 대략 원호 형상을 이루는 외주면에 메탈 본드에 의해 유지된 다이아몬드 지립층을 부착하여 이루어지는 조연마용 회전 숫돌 휠(메탈 본드 다이아몬드 휠)이다. 그리고, 이 제 1 연마구를 유리 기판(1)의 끝면부(3a)에 압박시킨 상태에서 제 1 연마구를 유리 기판(1)의 끝면부(3a)의 길이 방향(변을 따르는 방향)으로 상대 이동시킴으로써 조연마 처리를 행한다. 제 2 연마구는 제 1 연마구와 동일 형상을 이루고, 그 외주면에 탄화규소 등의 미세한 지립을 폴리우레탄 수지 등으로 결합한 마무리 연마용 회전 숫돌 휠(레진 본드 휠)이다. 이 제 2 연마구는 유리 기판(1)의 조연마 처리한 끝면부에 압박된 상태에서 상기와 마찬가지로 상대 이동함으로써 마무리 연마 처리가 행해지고, 그 결과로서 도 3에 나타내는 바와 같이, 유리 기판(1)에 10점 평균 거칠기(Rzjis)가 약 1~3㎛, 돌출 곡부 깊이(Rvk)가 약 1.0~1.5, 거칠기 곡선의 자승 평균 평방근 경사(RΔq)가 약 0.12~0.20, 최대 곡 깊이(Rv)가 약 3.0~5.0㎛의 단면 대략 원호 형상의 끝면(3b)이 형성된다. 또한, 유리 기판(1)의 끝면(3b)의 형성은 상기와 같이 2단계에 걸친 연마 처리에 한정되지 않고 3단계 이상에 걸친 연마 처리에 의해 행하도록 해도 좋다.Fig. 2 shows a scribe in which four areas of the surface of the glass disc after the molding by the downdraw method, the float method, or the like are obtained so as to obtain a region where a substantially rectangular angled line is drawn, and the scribe mark is started from the scribe mark. By cutting the glass master, the polishing tool 5 for polishing the substantially rectangular glass substrate 1 and the cut end surface portion 3a of the glass substrate 1 is illustrated. As for the end surface part 3a of this glass substrate 1, a rough polishing process is first performed by a 1st grinding | polishing tool, and a finish polishing process is performed by a 2nd grinding | polishing tool. As shown in Fig. 2, the first abrasive tool is a grinding wheel (for a metal bond diamond wheel), which is formed by attaching a diamond abrasive grain layer held by a metal bond to an outer circumferential surface of the concave shape, as viewed from the front. to be. And in the state which pressed this 1st grinding | polishing tool to the end surface part 3a of the glass substrate 1, a 1st grinding | polishing tool was made to the longitudinal direction (direction along a side) of the end surface part 3a of the glass substrate 1 The relative polishing is performed by relative movement. The second abrasive tool has the same shape as the first abrasive tool, and is a grinding wheel (resin bond wheel) for finishing polishing in which fine grains such as silicon carbide are bonded to the outer peripheral surface thereof with a polyurethane resin or the like. This second grinding | polishing tool performs a final polishing process by carrying out relative movement similarly to the above in the state pressed to the roughening edge surface part of the glass substrate 1, As a result, as shown in FIG. 10-point average roughness (Rzjis) is about 1 to 3㎛, protrusion bend depth (Rvk) is about 1.0 to 1.5, square root mean square slope (ΔΔq) of roughness curve is about 0.12 to 0.20, and maximum grain depth (Rv) is about An end face 3b having a substantially arc-shaped cross section of 3.0 to 5.0 µm is formed. In addition, formation of the end surface 3b of the glass substrate 1 may not be limited to the polishing process of two steps as mentioned above, but may be performed by the polishing process of three or more steps.

이상과 같이 해서 유리 기판(1)에 단면 대략 원호 형상의 끝면(3b)이 형성되었을 경우에는 그 끝면(3b)과 표면(2a)의 경계부(z), 및 끝면(3b)과 이면(2b)의 경계부(z)에 제 3 연마구(6)를 이용해서 특정 연마 처리를 실시함으로써 모따기면(4)을 형성한다. 이 제 3 연마구(6)는, 도 4에 나타내는 바와 같이, 회전축(6a)과 직교하는 평면 형상의 연마면(숫돌면)(6b)을 갖고, 이 연마면(6b)은 상기의 제 2 연마구보다 미세한 지립으로 형성되어 있다. 또한, 유리 기판(1)은 끝면(3b)의 주변이 밀어낸 상태에서 작업대(정반)(7)의 상면에 세트된다.When the end surface 3b of the substantially circular arc shape in cross section was formed in the glass substrate 1 as mentioned above, the boundary part z of the end surface 3b and the surface 2a, the end surface 3b, and the back surface 2b. The chamfered surface 4 is formed by performing a specific grinding | polishing process using the 3rd grinding | polishing tool 6 in the boundary part z of this. This 3rd grinding | polishing tool 6 has the planar grinding | polishing surface (grind surface) 6b orthogonal to the rotating shaft 6a, as shown in FIG. 4, and this grinding | polishing surface 6b is said 2nd grinding | polishing surface 6b. It is formed of finer abrasive grains than the polishing tool. In addition, the glass substrate 1 is set on the upper surface of the work table (platen) 7 in the state which the periphery of the end surface 3b pushed out.

그리고, 유리 기판(1)의 표면(2a)측의 경계부(z)와 이면(2b)측의 경계부(z)에 대해서 동시에 2개의 제 3 연마구(6)의 연마면(6b)을 압박하여 회전시키면서 제 3 연마구(6)를 유리 기판(1)의 경계부(z)의 길이 방향으로 상대적으로 이동시킴으로써 특정 연마 처리가 행해진다. 이에 따라, 유리 기판(1)의 경계부(z)에 잔존하고 있었던 다수의 유리 치핑 등이 제거된다. 이 경우, 2개의 제 3 연마구(6)의 연마면(6b)과, 유리 기판(1)의 표면(2a) 및 이면(2b)이 이루는 각도는 각각 10° 이상이고 또한 30°이하(본 실시형태에서는 18°)로 설정된다. 바람직하게는, 제 3 연마구(6)는, 도 5에 나타내는 바와 같이, 중앙부가 원형의 오목부이며, 그 오목부를 둘러싸여지도록 거칠기가 상대적으로 작은 내주측 연마부(6ba)와, 거칠기가 상대적으로 큰 외주측 연마부(6bb)가 배열되고, 이 쌍방의 연마부(6ba,6bb)에 의해 유리 기판(1)의 경계부(z)가 특정 연마 처리를 받는다. 또한, 2개의 제 3 연마구(6)는 상대 이동 방향에 대해서 이격해서 배치된다.The polishing surfaces 6b of the two third polishing tools 6 are simultaneously pressed against the boundary portion z on the front surface 2a side and the boundary portion z on the back surface 2b side of the glass substrate 1. The specific grinding | polishing process is performed by moving the 3rd grinding | polishing tool 6 relatively to the longitudinal direction of the boundary part z of the glass substrate 1, while rotating. Thereby, many glass chipping etc. which remained in the boundary part z of the glass substrate 1 are removed. In this case, the angles formed between the polishing surfaces 6b of the two third polishing tools 6 and the surface 2a and the rear surface 2b of the glass substrate 1 are each 10 ° or more and 30 ° or less. 18 °) in the embodiment. Preferably, as shown in FIG. 5, the 3rd grinding | polishing tool 6 is a circular recessed part, and the inner peripheral side grinding | polishing part 6ba whose roughness is relatively small so that the recessed part is enclosed, and the roughness is relative The large outer peripheral side polishing part 6bb is arranged, and the boundary part z of the glass substrate 1 receives specific grinding | polishing process by these polishing parts 6ba and 6bb. In addition, the two 3rd grinding | polishing tools 6 are arrange | positioned apart with respect to the relative movement direction.

그리고, 이 특정 연마 처리를 종료함으로써, 도 6(및 도 1)에 나타내는 바와 같이, 유리 기판(1)의 표면(2a)과 끝면(3) 사이에 경계부(z)를 완전히 제거해서 이루어지는 모따기면(4)이 형성된다. 이 모따기면(4)이 형성됨으로써 유리 기판(1)의 휨이나 부당한 온도 분포에 기인하는 인장응력이 상기 모따기면(4)에 작용해도 그 모따기면(4)에는 응력집중이 생기지 않고 끝면(3)[모따기면(4)을 포함함]의 파괴강도가 상승함과 아울러, 유리 미립자 또는 유리 치핑 등이 잔존 체류한다는 문제도 회피된다.Then, by completing this specific polishing process, as shown in FIG. 6 (and FIG. 1), a chamfered surface formed by completely removing the boundary portion z between the surface 2a and the end surface 3 of the glass substrate 1. (4) is formed. As the chamfered surface 4 is formed, even if a tensile stress due to the warpage of the glass substrate 1 or an improper temperature distribution acts on the chamfered surface 4, the chamfered surface 4 does not generate stress concentration and the end surface 3 In addition to the increase in the breaking strength of the (including the chamfered surface 4), the problem that the glass fine particles, the glass chippings, or the like remain.

또한, 상기 실시형태에서는 끝면(3)이 표면(2a) 및 이면(2b)의 외주단으로부터 외측으로 볼록 형상으로 만곡해서 이루어지는 유리 기판(1)에 본 발명을 적용했지만, 끝면(3)이 평탄면(바람직하게는 표리면과 직각인 평탄면)을 이루는 유리 기판에 대해서도 마찬가지로 본 발명을 적용하는 것이 가능하다.Moreover, in the said embodiment, although this invention was applied to the glass substrate 1 by which the end surface 3 is curved convexly outward from the outer peripheral end of the surface 2a and the back surface 2b, the end surface 3 is flat The present invention can be similarly applied to a glass substrate that forms a surface (preferably a flat surface perpendicular to the front and back surfaces).

또한, 상기 실시형태에서는 표면 및 이면의 외주단으로부터 판 두께 중앙부에 걸쳐 외측으로 점차 돌출되는 만곡면을 이루는 끝면이 형성된 유리 기판에 본 발명을 적용했지만, 표면 및 이면의 외주단 상호간에 그들 면과 직각인 평탄면을 이루는 끝면이 형성된 유리 기판에 대해서도 마찬가지로 본 발명을 적용할 수 있다.Moreover, in the said embodiment, although this invention was applied to the glass substrate in which the end surface which forms the curved surface which protrudes gradually outward from the outer peripheral end of the front surface and the back surface is formed, the surface and the outer peripheral end of the back surface and those surfaces mutually mutually. The present invention can be similarly applied to a glass substrate having an end surface constituting a perpendicular flat surface.

또한, 상기 실시형태에서는 유리 원판을 절할에 의해 분할해서 이루어지는 유리 기판에 본 발명을 적용했지만, 유리 원판을 레이저 할단 등과 같이 레이저 또는 열응력을 사용하여 분할해서 이루어지는 유리 기판에 대해서도 마찬가지로 본 발명을 적용할 수 있다. 이 경우에는, 평탄면을 이루는 끝면에 대해서 연마 처리가 행해지지 않고 경계부에 대해서만 연마 처리에 의한 모따기면이 형성된다.Moreover, in the said embodiment, although this invention was applied to the glass substrate which divides a glass original plate by cutting | disconnecting, this invention is similarly applied also to the glass substrate which divides a glass original plate using a laser or thermal stress, such as a laser cutting. can do. In this case, the grinding | polishing process is not performed about the end surface which comprises a flat surface, and the chamfering surface by grinding | polishing process is formed only in the boundary part.

또한, 상기 실시형태에서는 FPD용의 유리 기판에 본 발명을 적용했지만, 예컨대 유기 EL 조명용이나 태양 전지용의 유리 기판에 대해서도 마찬가지로 본 발명을 적용하는 것이 가능하다.Moreover, in the said embodiment, although this invention was applied to the glass substrate for FPD, it is possible to apply this invention similarly also to the glass substrate for organic EL illumination and a solar cell, for example.

실시예1Example 1

본 발명자들은 상술한 도 1에 예시한 유리 기판의 모따기면에 있어서의 10점 평균 거칠기(Rzjis) 및 거칠기 곡선 요소의 평균 길이(RSm)에 관한 효과를 확인하기 위해서 본 발명의 실시예1a~1e와 비교예1a~1c의 대비를 이하에 나타내는 바와 같이 해서 행하였다. 이들 실시예 및 비교예는 모두 유리 원판으로서 오버플로우 다운드로우법에 의해 성형된 니폰 덴키 가라스 가부시키가이샤 제작 OA-10을 이용했다.The inventors of the present invention, in order to confirm the effect on the average point roughness (Rzjis) and the average length (RSm) of the roughness curve element on the chamfered surface of the glass substrate illustrated in FIG. The contrast between Comparative Examples 1a and 1c was performed as shown below. These Examples and Comparative Examples used Nippon Denki Glass Co., Ltd. OA-10 manufactured by the overflow downdraw method as a glass original.

하기의 표 1에 나타내는 본 발명의 실시예1a~1c 및 비교예1a,1b에 대해서는 이용하는 시료로서 판 두께가 700㎛인 유리 원판을 스크라이브 자국을 따라 절할 분할함으로써 단변 치수가 1500㎜ 및 장변 치수가 1800㎜인 유리 기판을 얻었다. 또한, 마찬가지로, 실시예1d,1e 및 비교예1c에 대해서는 이용하는 시료로서 판 두께가 500㎛인 유리 원판을 스크라이브 자국을 따라 절할 분할함으로써 단변 치수가 550㎜ 및 장변 치수가 670㎜인 유리 기판을 얻었다. 그리고, 이들 유리 기판의 끝면부에 대해서 단면이 볼록 형상의 원호 형상을 이루는 끝면을 형성하기 위한 연마 처리와, 그 연마 후의 끝면과 표면 및 이면의 각각의 경계부에 모따기면을 형성하기 위한 특정 연마 처리를 이하에 나타내는 순서로 행하였다.In Examples 1a to 1c and Comparative Examples 1a and 1b of the present invention shown in Table 1 below, a glass plate having a plate thickness of 700 μm was cut and cut along a scribe mark as a sample to be used. A glass substrate of 1800 mm was obtained. In addition, similarly, Example 1d, 1e, and Comparative Example 1c were cut and divided along the scribe marks in a glass plate having a plate thickness of 500 µm as a sample to be used to obtain a glass substrate having a short side dimension of 550 mm and a long side dimension of 670 mm. . And polishing process for forming the end surface which makes a cross section the convex circular arc shape with respect to the end surface part of these glass substrates, and the specific grinding | polishing process for forming the chamfered surface in each boundary part of the end surface, the surface, and the back surface after the grinding | polishing. Was performed in the order shown below.

본 발명의 실시예1a~1c 및 비교예1a,1b에 대해서는 우선 유리 기판을 정반 상에 적재해서 흡착 고정한 상태에서 도 2에 나타내는 형태를 이루는 제 1 연마구로서의 조연마용 회전 숫돌(지립 #400)의 외주면을 유리 기판의 끝면부에 압접시킴과 아울러, 표 1에 나타내는 연삭 속도로 직선 이동시킴으로써 단면 대략 원호 형상의 조면인 끝면부를 형성했다. 이어서, 마찬가지로, 도 2에 나타내는 형태를 이루는 제 2 연마구로서의 마무리 연마용 회전 숫돌(지립 #1000)의 외주면을 유리 기판의 조연마 후의 끝면부에 압접시킴과 아울러, 표 1에 나타내는 연삭 속도로 직선 이동시킴으로써 단면 대략 원호 형상으로 마무리 연마된 끝면을 형성했다. 또한, 본 발명의 실시예1d,1e 및 비교예1c에 대해서는 우선 유리 기판을 표 2에 나타내는 연삭 속도로 직선 이동시키면서 정해진 위치에 고정 배치된 도 2에 나타내는 형태를 이루는 제 1 연마구로서의 조연마용 회전 숫돌(지립 #400)의 외주면을 유리 기판의 끝면부에 압접시킴으로써 단면 대략 원호 형상의 조면인 끝면부를 형성했다. 이어서, 마찬가지로, 유리 기판을 표 2에 나타내는 연삭 속도로 직선 이동시키면서 정해진 위치에 고정 설치된 도 2에 나타내는 형태를 이루는 제 2 연마구로서의 마무리 연마용 회전 숫돌(지립 #1000)의 외주면을 유리 기판의 조연마 후의 끝면부에 압접시킴으로써 단면 대략 원호 형상으로 마무리 연마된 끝면을 형성했다.For Examples 1a to 1c and Comparative Examples 1a and 1b of the present invention, first, a grinding wheel (grinding # 400) as a grinding wheel as a first polishing tool having the form shown in FIG. While pressing the outer peripheral surface to the end surface portion of the glass substrate, and linearly moved at the grinding speed shown in Table 1, the end surface portion that is roughly arc-shaped rough surface of the cross section was formed. Then, similarly, while pressing the outer peripheral surface of the grinding wheel (grinding # 1000) for finishing polishing as a 2nd grinding | polishing tool which forms the form shown in FIG. 2 to the end surface part after the rough grinding of a glass substrate, it presses at the grinding speed shown in Table 1 The end surface which was finish-polished to the cross section substantially circular arc shape was formed by linear movement. In addition, for Examples 1d, 1e and Comparative Example 1c of the present invention, firstly, the polishing substrate as the first polishing tool having the form shown in FIG. 2 fixedly positioned at a predetermined position while linearly moving at a grinding speed shown in Table 2 is used. The outer peripheral surface of the grinding wheel (grip # 400) was pressed against the end surface of the glass substrate to form an end surface portion that is a rough surface having an arc shape in section. Subsequently, similarly, the outer peripheral surface of the finishing grinding wheel (grip # 1000) as the second polishing tool forming the shape shown in FIG. 2 fixedly fixed at a predetermined position while linearly moving the glass substrate at the grinding speed shown in Table 2 is used. By press-contacting the end surface part after rough-polishing, the end surface which was finish-polished in the substantially circular arc shape of cross section was formed.

이 후, 유리 기판의 끝면과 표면 및 이면의 각각의 경계부에 대해서 제 3 연마구로 특정 연마 처리를 행하였다. 제 3 연마구로서는 원형의 기반 상에 수지 재료에 다이아몬드 지립을 분산시켜 이루어지는 평판 형상의 다이아몬드 연마판을 고정한 것을 사용했다. 또한, 상기의 지립의 크기 및 표 1, 2에 나타내는 지립의 크기는 JIS R6001:1998에 준거하고 있다.Then, the specific grinding | polishing process was performed with the 3rd grinding | polishing tool about each boundary part of the end surface, the front surface, and the back surface of a glass substrate. As a 3rd grinding | polishing tool, what fixed the diamond plate of the flat form formed by disperse | distributing a diamond abrasive grain to a resin material on a circular base was used. In addition, the magnitude | size of said abrasive grain and the magnitude | size of the abrasive grain shown in Table 1, 2 are based on JISR6001: 1998.

특정 연마 처리의 실행시에는 유리 기판의 표면 및 이면과 모따기면의 접선 각각이 이루는 각도[도 1의 각도(α): 이면측도 마찬가지임]가 18°~22°가 되도록 적절하게 제 3 연마구의 각도를 조정한 후에 제 3 연마구와 유리 기판의 접촉면에 연삭액[연삭수(硏削水)]을 공급했다. 그리고, 원하는 모따기 치수가 얻어지도록 제 3 연마구(연마판)를 둘레 속도 2000m/min으로 회전시키면서 표 1, 2에 나타내는 바와 같이 다른 연삭 속도로 직선 이동시키고, 코너부 근방을 제외한 유리 기판의 전체 외주에 걸쳐 특정 연마 처리를 행하였다. 이상과 같이 해서 실시예1a~1c 및 실시예1d,1e의 유리 기판을 얻었다.At the time of performing a specific grinding | polishing process, it is appropriate that the angle | corner (the angle (alpha) of FIG. 1: also the back side of FIG. 1) of each of the tangents of the front surface, the back surface, and the chamfer surface of a glass substrate becomes 18 degrees-22 degrees suitably, After adjusting the angle, the grinding liquid (grinding water) was supplied to the contact surface of a 3rd grinding | polishing tool and a glass substrate. Then, the third polishing tool (grinding plate) is linearly moved at different grinding speeds as shown in Tables 1 and 2 while rotating the third polishing tool (polishing plate) at a circumferential speed so as to obtain a desired chamfering dimension, and the entire glass substrate except the corner portion is removed. The specific grinding | polishing process was performed over the outer periphery. As described above, the glass substrates of Examples 1a to 1c and Examples 1d and 1e were obtained.

실시예1a,1b,1d에서는 제 3 연마구의 지립이 #3000, 실시예1c,1e에서는 제 3 연마구의 지립이 #2000인 것에 대해서 비교예1a~1c에서는 제 3 연마구에 의한 특정 연마 처리를 행하지 않고 유리 기판의 끝면부에 제 1 연마구에 의한 조연마 처리 및 제 2 연마구에 의한 마무리 연마 처리를 행하는 것으로 하였다. 또한, 모든 실시예에 있어서는 모따기 치수(모따기 폭)가 60~200㎛의 범위 내가 되도록 제 3 연마구의 이동 속도나 연삭 조건을 선정하고, 시료인 유리 기판의 모든 끝면의 표면 및 이면의 경계부에 대략 평탄한 모따기면을 형성했다.In Examples 1a, 1b, and 1d, the abrasive grains of the third abrasive tool were # 3000, and in Examples 1c and 1e, the abrasive grains of the third abrasive tool were # 2000. In Comparative Examples 1a to 1c, the specific polishing treatment was performed by the third abrasive tool. It was supposed that the rough polishing treatment by the first polishing tool and the finish polishing treatment by the second polishing tool were performed on the end face portion of the glass substrate without performing it. In addition, in all the Examples, the moving speed and grinding conditions of the third polishing tool are selected so that the chamfering dimension (chamfer width) is within a range of 60 to 200 µm, and the boundary portions of the front and rear surfaces of all the end faces of the glass substrate serving as the sample are roughly selected. A flat chamfered surface was formed.

또한, 이상의 실시예에서는 유리 기판의 끝면부에 대략 원호 형상의 연마면을 형성한 후에 제 3 연마구를 사용해서 끝면의 표면 및 이면의 경계부에 모따기면을 형성하는 방법을 이용했지만, 유리 기판을 정반 상에 흡착 고정한 상태에서 동일한 주행 레일 상에 제 1 연마구, 제 2 연마구 및 제 3 연마구를 설치하고, 그 주행 레일을 따라 동시에 3종의 연마구를 주행시킴으로써 연속적으로 연마 동작을 완료시키도록 해도 좋다. 이와 같이 하면, 보다 단시간에 모든 연마 처리가 완료되기 때문에 가공 효율을 현저하게 상승시킬 수 있고, 또한, 각 변의 치수가 1000㎜ 이상인 대형 사이즈의 유리 기판의 연마 처리 공정에 있어서 그 취급이 용이하게 된다. 또한, 사이즈가 작은 유리 기판에 대해서는 3종의 연마구를 유리 기판의 변과 평행하게 되도록 설치하고, 유리 기판을 반송 벨트 등의 반송 수단을 이용해서 반송시키면서 연속해서 각 연마 처리를 행하는 방법을 이용해도 된다.In the above embodiment, a method of forming a chamfered surface at the boundary between the front surface and the rear surface of the end surface by using a third polishing tool after forming a substantially arcuate polishing surface at the end surface of the glass substrate is used. The polishing operation is completed continuously by installing the first polishing tool, the second polishing tool, and the third polishing tool on the same traveling rail in the state of being fixed on the surface plate and running three kinds of polishing tools simultaneously along the traveling rail. You may be allowed to. In this case, since all polishing treatments are completed in a shorter time, the processing efficiency can be significantly increased, and the handling thereof becomes easy in the polishing treatment step of a large-sized glass substrate having a dimension of each side of 1000 mm or more. . In addition, about the small size glass substrate, three grinding | polishing tools are provided so that it may become parallel to the edge of a glass substrate, and each polishing process is performed continuously, conveying a glass substrate using conveyance means, such as a conveyance belt, using You may also

한쪽, 실시예1a~1e 및 비교예1a~1c의 각 유리 기판에 대해서는 도쿄 세이미쯔사 제작 서프콤 590A를 이용해서 측정 길이 5.0㎜로 거칠기 측정을 행하고, JIS B0601:2001에 의해 유리 기판의 끝면 및 모따기면의 10점 평균 거칠기[Rzjis(Rz_1,Rz₂)], 및 거칠기 곡선 요소의 평균 길이[RSm(RSm_1,RSm₂)] 값의 각 거칠기 파라미터를 산출했다. 이 10점 평균 거칠기(Rz_1,Rz₂) 및 거칠기 곡선 요소의 평균 길이(RSm_1,RSm₂)에 대해서는 동일한 조건에서 모따기 처리를 10장의 유리 기판에 실시한 후에 각각에 대해서 10회 측정하고, 그 평균값을 산출함으로써 평가했다. 그 결과를 하기의 표 1, 2에 나타낸다.For each of the glass substrates of Examples 1a to 1e and Comparative Examples 1a to 1c, roughness measurement was performed at a measuring length of 5.0 mm using a Surfcom 590A manufactured by Tokyo Seimitsu Co., Ltd., and the end surface of the glass substrate was JIS B0601: 2001. And the roughness parameters of the ten-point average roughness [Rzjis (Rz _1, Rz ₂ )] of the chamfered surface and the average length [RSm (RSm _1, RSm ₂ )] of the roughness curve element. About the 10-point average roughness Rz _{1 and} Rz ₂ and the average length RSm _{1 and} RSm ₂ of the roughness curve element, the chamfering treatment was performed on 10 glass substrates under the same conditions, and then measured 10 times for each. It evaluated by calculating an average value. The results are shown in Tables 1 and 2 below.

연마 후의 유리 기판의 강도에 대해서는 Orientec사 제작 Tensilon RTA-250을 이용한 3점 굽힘 시험법에 의해 파괴강도를 측정했다. 굽힘 시험의 샘플에는 유리 기판의 끝면부의 변의 중앙부를 80×15㎜의 사이즈로 잘라낸 시험편을 이용하고, 또한, 끝면부의 정점(단면 대략 원호의 정점)을 위로 해서 하중을 부하하여 그 파손시의 하중을 측정하고, 하기의 수 1에서 나타내어지는 식으로 계산함으로써 파괴응력(끝면 강도)(σ)을 측정했다.About the strength of the glass substrate after grinding | polishing, the fracture strength was measured by the 3-point bending test method using Tensilon RTA-250 by Orientec. For the sample of the bending test, the test piece which cut out the center part of the edge part of the glass substrate in the size of 80x15 mm was used, and also loads the load with the vertex (end surface roughly the vertex of a cross section) facing up, and the load at the time of the damage Was measured and the fracture stress (end surface strength) (σ) was measured by calculating with the formula shown in the following number 1.

[수 1][1]

또한, 상기의 수 1에서 나타내어지는 식 중 P는 파괴하중, L은 지점간 거리, B는 샘플 폭, h는 유리 두께이다.In addition, P is a fracture load, L is a distance between points, B is a sample width, h is glass thickness in the formula shown by said number 1.

하기의 표 1, 2에는 유리 기판의 파괴응력을 기재하고 있지만, 이들은 각 실시예 및 각 비교예 각각의 파괴응력을 10장 측정하여 그 최소값(가장 강도가 작은 것)을 나타내는 것이다. 또한, 유리 기판의 표면에 부착되거나 또는 잔존한 유리 미립자의 부착 특성을 평가하기 위해서 각 실시예 및 각 비교예 각각의 유리 기판을 세정 및 건조시킨 후에 유리 기판의 표면에 잔존한 유리 시트당의 표면의 미립자 값을 측정했다. 미립자 값은 히타치 하이테크놀러지즈사 제작 미립자 측정 장치 GI-7200을 이용해서 1㎛ 이상의 입자수의 측정을 행하고, 그 수치를 1평방미터당의 개수로 환산했다. 그 결과를 하기의 표 1, 2에 나타낸다. 또한, 각 실시예 및 각 비교예 각각의 유리 기판에 대해서 끝면의 표면 및 이면의 경계 부분에 있어서의 치핑에 의한 단차의 잔존 상태를 현미경으로 확대 관찰했다. 그 결과를 하기의 표 1, 2에 나타낸다. 이 경우, 표 1, 2 중 『○』는 치핑 단차의 존재가 확인되지 않는 것을 나타내고, 『△』는 미소의 단차의 잔존이 관찰되는 것을 나타내며, 『×』는 큰 단차의 잔존이 관찰되는 것을 나타내고 있다.Tables 1 and 2 below describe the breakdown stresses of the glass substrates, but they measure 10 breakdown stresses of each of Examples and Comparative Examples and show the minimum value (the smallest strength). In addition, in order to evaluate the adhesion characteristics of the glass fine particles adhering to the surface of the glass substrate or remaining, after cleaning and drying the glass substrates of each of Examples and Comparative Examples, the surface per glass sheet remaining on the surface of the glass substrate was Particulate values were measured. The microparticles | fine-particles value measured the number of particle | grains of 1 micrometer or more using the Hitachi High-Technologies microparticle measuring apparatus GI-7200, and converted the numerical value into the number per square meter. The results are shown in Tables 1 and 2 below. Moreover, about the glass substrate of each Example and each comparative example, the residual state of the step | step difference by the chipping in the boundary part of the front surface and the back surface of the end surface was observed with the microscope. The results are shown in Tables 1 and 2 below. In this case, in Tables 1 and 2, "○" indicates that the presence of the chipping step is not confirmed, "△" indicates that the residual of the minute step is observed, and "×" indicates that the residual of the big step is observed. It is shown.

또한, 모따기면의 특정 연마 처리시에 있어서의 유리 기판의 표면과 이것에 인접하는 모따기면의 표면측으로의 접선이 이루는 각도(α)(도 1 참조), 및 유리 기판의 이면과 이것에 인접하는 모따기면의 이면측으로의 접선이 이루는 각도(β)의 실측값과, 모따기면의 폭(W)의 측정값을 하기의 표 3에 나타낸다.Moreover, the angle (alpha) (refer FIG. 1) which the tangent to the surface side of the glass substrate at the time of the specific grinding | polishing process of a chamfering surface, and the surface side of the chamfering surface adjacent to this, and the back surface and adjacent to this are The measured value of the angle (beta) which the tangent to the back surface side of a chamfer surface makes, and the measured value of the width W of a chamfer surface are shown in following Table 3.

상기의 표 1, 2에 의하면, 본 발명의 실시예1a~1e 모두가 유리 기판의 끝면의 표면 및 이면의 경계부에 10점 평균 거칠기가 작아 경면에 가까운 것은 물론, 충분한 폭을 갖는 모따기면이 형성되어 있고, 비교예1a~1c의 경우와 같이 모따기면이 형성되어 있지 않은 유리 기판에 비해서 현저하게 높은 파괴강도(즉 끝면 강도가 160㎫ 초과)를 갖는 것이 확인되었다. 또한, 각 실시예의 모따기면에 있어서는 치핑에 의한 연마 경계부의 단차나 미소 크랙이 확인되지 않고, 또한 유리 미립자의 부착 등의 어느 것에 있어서 양호하거나 또는 매우 양호한 결과를 나타내는 것이 확인되었다. According to the above Tables 1 and 2, all of Examples 1a to 1e of the present invention have a small ten point average roughness at the boundary between the front and rear surfaces of the glass substrate, so that the chamfered surface having a sufficient width is formed as well as being close to the mirror surface. It was confirmed that it had a remarkably high breaking strength (that is, the end surface strength exceeded 160 Mpa) compared with the glass substrate in which the chamfered surface was not formed like the comparative example 1a-1c. Moreover, in the chamfering surface of each Example, the step | step and microcracks of the grinding | polishing boundary part by chipping were not recognized, and it was confirmed that it showed a favorable or very favorable result in all, such as adhesion of glass fine particles.

따라서, 본 발명의 각 실시예에 따른 유리 기판은 후공정에서의 파손을 일으키기 어렵고, 매우 고강도의 것으로 됨과 아울러, 끝면에 기인하는 유리 미립자의 발생이 매우 적고, 액정 디스플레이나 플라즈마 디스플레이 또한 유기 EL 등과 같이 고해상도의 표시 디스플레이에 사용되는 경우에도 유리 기판 상에 표시 소자나 디바이스를 형성할 때에 발생되는 단선 불량 등을 효과적으로 억제할 수 있다.Therefore, the glass substrates according to the embodiments of the present invention are less likely to cause breakage in the post-process, are very high in strength, generate very little glass particles due to the end faces, and the liquid crystal display, the plasma display, the organic EL and the like. Similarly, even when used for a high resolution display display, the disconnection defect which arises when forming a display element or a device on a glass substrate can be suppressed effectively.

또한, 본 발명의 각 실시예의 경우, 연삭 속도를 100㎜/min으로부터 400㎜/min까지 증대시켜도 적절한 연마구의 연마판을 선택해서 연삭 조건을 설정하면 마찬가지의 모따기면을 효율적으로 얻을 수 있어 공정의 고효율화가 가능하게 된다.In addition, in each embodiment of the present invention, even if the grinding speed is increased from 100 mm / min to 400 mm / min, the same chamfered surface can be efficiently obtained by selecting the grinding plate of the appropriate grinding tool and setting the grinding conditions. High efficiency can be achieved.

한편, 각 비교예에서는 연마구의 이동 속도가 200㎜/sec이나 400㎜/sec인 경우 뿐만 아니라 100㎜/sec까지 저속으로 하더라도 끝면부의 최저 파괴강도는 비교적 낮아 강도가 낮은 끝면부로의 반송 수단의 접촉이나 열응력집중에 기인해서 파손이 유발될 우려가 있다. 또한, 어느 비교예에 대해서도 미립자 값은 비교적 높고, 또한 경계부의 치핑 단차가 크므로, 예컨대 세정시 및 건조시나 반송시 및 곤포시 등의 공정에 있어서 경계부의 치핑부로부터 유리 미립자가 유리 기판 상에 박리 부착되어 표시 소자나 디바이스를 형성할 때에 단선 불량을 일으킬 우려가 있다. 따라서, 본 발명의 각 실시예에 따른 유리 기판은 이들 비교예에 의한 유리 기판에 비해서 파괴강도와 유리 미립자의 어느 점에 있어서도 매우 우수한 것이 확인되었다.On the other hand, in each of the comparative examples, even if the moving speed of the polishing tool is 200 mm / sec or 400 mm / sec as well as the low speed up to 100 mm / sec, the minimum breaking strength of the end face portion is relatively low, and the conveyance means is brought into contact with the low end face portion. However, there is a risk of breakage due to heat stress concentration. In addition, since the microparticles | fine-particles value is comparatively high and the chipping step of a boundary part is large also about any comparative example, glass microparticles | fine-particles are carried out from the chipping part of a boundary part in processes, such as cleaning, drying, conveyance, and packing, for example. When peeling is attached and a display element or a device is formed, there exists a possibility of causing disconnection defect. Therefore, it was confirmed that the glass substrate which concerns on each Example of this invention was very excellent also in any point of fracture strength and glass fine particles compared with the glass substrate by these comparative examples.

실시예2Example 2

본 발명자들은 상술한 도 1에 예시한 유리 기판의 모따기면에 있어서의 돌출 곡부 깊이(Rvk)에 관한 효과를 확인하기 위해서 본 발명의 실시예2a~2d와 비교예의 대비를 이하에 나타내는 바와 같이 해서 행하였다. 이들 실시예 및 비교예는 모두 유리 원판으로서 오버플로우 다운드로우법에 의해 성형된 니폰 덴키 가라스 가부시키가이샤 제작 OA-10(강화 처리는 실시되어 있지 않음)을 이용했다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM The present inventors show the contrast of Example 2a-2d of this invention and a comparative example below, in order to confirm the effect regarding protrusion depth Rvk in the chamfered surface of the glass substrate illustrated in FIG. 1 mentioned above. It was done. All of these Examples and Comparative Examples used Nippon Denki Glass Co., Ltd. OA-10 (not reinforced) manufactured by the overflow downdraw method as a glass original plate.

하기의 표 4에 나타내는 본 발명의 실시예2a~2d 및 비교예에 대해서는 이용하는 시료로서 판 두께가 700㎛인 유리 원판에 스크라이브를 넣어서 절할 분할함으로써 단변 치수가 1500㎜ 및 장변 치수가 1800㎜인 유리 기판을 얻었다. 구체적인 유리 원판의 분할 방법은 다이아몬드 칩으로 유리 원판의 표면에 스크라이브를 넣고, 그 스크라이브 라인에 인장응력이 생기도록 유리 원판에 휨 모멘트를 작용시킴으로써 절할 분할을 행하였다. 또한, 그 외의 분할 방법으로서 유리 원판의 일부에 다이아몬드 휠 등으로 초기 흠집[이니셜 크랙(initial crack)]을 형성하고, 이 부위에 레이저를 조사해서 국부 가열을 행한 후, 냉매를 분사해서 급격하게 냉각을 함으로써 이니셜 크랙을 진전시키고, 이것에 의해 유리 원판을 할단시키도록 해도 좋다. 단, 이러한 레이저 할단에 의한 경우에는 유리 기판의 끝면은 평탄면으로 되기 때문에 이 실시예 및 비교예에 의한 유리 기판과는 다른 끝면 형상이 된다.For Examples 2a to 2d and Comparative Examples of the present invention shown in Table 4 below, a glass having a short side dimension of 1500 mm and a long side dimension of 1800 mm was obtained by dividing a scribe into a glass disc having a plate thickness of 700 μm as a sample to be used. A substrate was obtained. In the specific method of dividing the glass disc, a scribe was put on the surface of the glass disc with a diamond chip, and division was cut by acting a bending moment on the glass disc so that tensile stress occurred on the scribe line. As another division method, an initial crack (initial crack) is formed on a part of a glass disc by a diamond wheel, etc., and a local irradiation is performed by irradiating a laser to this part, and then a refrigerant is sprayed and cooled rapidly. The initial crack may be advanced by cutting the glass disc thereby. However, in the case of such laser cutting, the end surface of the glass substrate is a flat surface, and thus has an end surface shape different from that of the glass substrate according to this example and the comparative example.

이와 같이 하여 얻어진 유리 기판의 끝면에 대해서는 외주면이 원통면(이 실시예 및 비교예에서는 외주면이 대략 원호 형상으로 오목하게 되어 있음)으로 이루어지는 원기둥 형상의 숫돌을 그 회전축이 유리 기판의 표면의 법선 방향과 평행해지도록 배열시킨 상태에서 회전시키면서 압박하면서 그 끝면의 길이 방향으로 상대적으로 직선 이동시킴으로써 상기 끝면의 연마 처리를 행한다. 이 경우, 유리 기판의 끝면을 연마하는 숫돌로서는 지립이나 바인더의 다른 복수종의 숫돌을 준비해 두고, 우선 지립이 거칠고 바인더가 단단한 숫돌로부터 점차로 지립이 미세하며 바인더가 연한 숫돌로 변경했다.As for the end surface of the glass substrate obtained in this way, the cylindrical grinding wheel which consists of a cylindrical surface (outer peripheral surface becomes concave in substantially circular arc shape in this Example and a comparative example) in the cylindrical surface whose rotation axis is the normal direction of the surface of a glass substrate The end surface is polished by relatively linear movement in the longitudinal direction of the end face while pressing while rotating while being arranged in parallel with the end face. In this case, as a grindstone for polishing the end surface of the glass substrate, abrasive grains or other plural kinds of grindstones of a binder were prepared, and first, the grindstone was roughly grained and the binder was gradually changed into a fine grindstone with a fine grain gradually.

이어서, 끝면의 연마 처리를 종료한 유리 기판에 대해서 끝면과 표면(이면)의 경계부에 대략 평면 형상의 모따기면을 연마에 의해 형성했다. 이 경우, 모따기면의 연마에 사용되는 숫돌은 상술한 끝면의 연마용 숫돌과 비교해서 지립이 미세하고 바인더가 연한 것이 필수적인 요건으로 된다. 모따기면의 연마용 숫돌은 모따기면에 압박하는 면이 원통면이나 원추면이여도 좋고, 또한 대략 평면 형상의 원형 끝면이나 원환 끝면이여도 좋고, 또한 벨트에 지립을 고정한 연마포의 표면이여도 좋다. 그리고, 이들 숫돌(또는 연마포)은 유리 기판의 모따기면의 길이 방향에 대해서 상대적으로 직선 이동한다.Subsequently, about the glass substrate which finished the grinding | polishing process of the end surface, the substantially planar chamfered surface was formed by grinding | polishing at the boundary part of an end surface and a surface (rear surface). In this case, the grindstone used for polishing the chamfered surface is an essential requirement that the abrasive grains are finer and the binder is softer than the polishing grindstone on the end surface described above. The grinding wheel of the chamfered surface may be a cylindrical surface or a conical surface which is pressed against the chamfered surface, may be an approximately flat circular end surface or an annular end surface, or may be a surface of an abrasive cloth in which abrasive grains are fixed to the belt. And these grindstones (or abrasive cloth) linearly move with respect to the longitudinal direction of the chamfering surface of a glass substrate.

하기의 표 4에 나타내는 실시예2a에 대해서 구체적으로 설명을 하면 우선 분할 후의 유리 기판을 정반 상에 적재해서 흡착 고정한 상태에서 도 2에 나타내는 형태를 이루는 제 1 연마구로서의 조연마용 회전 숫돌(#400의 지립이 메탈 본드에 의해 고정됨)의 외주면을 유리 기판의 끝면부에 압박하면서 직선 이동시킴으로써 단면 대략 원호 형상의 조면인 끝면부를 형성했다. 이어서, 마찬가지로, 도 2에 나타내는 형태를 이루는 제 2 연마구로서의 마무리 연마용 회전 숫돌(#1000의 지립이 레진 본드에 의해 고정됨)의 외주면을 유리 기판의 조연마 후의 끝면부에 압박하면서 직선 이동시킴으로써 단면 대략 원호 형상으로 마무리 연마된 끝면을 형성했다. 이 후, 유리 기판의 끝면과 표면 및 이면의 각각의 경계부에 대해서 제 3 연마구로 특정 연마 처리를 행하였다. 제 3 연마구로서는 원형의 기반 상에 수지 재료에 다이아몬드 지립(#3000의 지립)을 분산시켜 이루어지는 평판 형상의 다이아몬드 연마판을 고정한 것을 사용했다. 특정 연마 처리의 실행시에는 유리 기판의 표면 및 이면과 모따기면의 접선 각각이 이루는 각도[도 1의 각도(α): 이면측도 마찬가지임]가 18°~22°가 되도록 적절하게 제 3 연마구의 각도를 조정한 후, 제 3 연마구와 유리 기판의 접촉면에 연삭액(연삭수)을 공급했다. 그리고, 원하는 모따기면의 폭 치수가 얻어지도록 제 3 연마구(연마판)를 둘레 속도 2000m/min으로 회전시키면서 유리 기판의 평면으로 바라본 코너부 근방을 제외한 전체 외주에 걸쳐 특정 연마 처리를 행하였다. 이상과 같이 해서 실시예2a의 유리 기판을 얻었다. 또한, 상기의 지립의 크기는 JIS R6001:1998에 준거하고 있다. 이 경우, 실시예2b,2c,2d 및 비교예에 대해서는 제 1, 제 2, 제 3 연마구의 지립이 각각 실시예2a와 상위하고 있다.Referring specifically to Example 2a shown in Table 4 below, first, a grinding wheel (# 400) for rough grinding as a first polishing tool having the form shown in FIG. The abrasive grain is fixed by a metal bond), and is pressed linearly while pressing the outer peripheral surface of the glass substrate to the end surface portion, thereby forming an end surface portion that is a rough surface having an approximately arc-shaped cross section. Then, similarly, by linearly moving the outer peripheral surface of the grinding wheel for finishing polishing (the abrasive grain of # 1000 is fixed by the resin bond) as the second polishing tool having the form shown in FIG. The end surface was finished and polished to the cross section substantially circular arc shape. Then, the specific grinding | polishing process was performed with the 3rd grinding | polishing tool about each boundary part of the end surface, the front surface, and the back surface of a glass substrate. As a 3rd grinding | polishing tool, what fixed the flat diamond-shaped abrasive plate formed by disperse | distributing a diamond abrasive grain (grip of # 3000) to a resin base on the circular base was used. At the time of performing a specific grinding | polishing process, it is appropriate that the angle | corner (the angle (alpha) of FIG. 1: also the back side of FIG. 1) of each of the tangents of the front surface, the back surface, and the chamfer surface of a glass substrate becomes 18 degrees-22 degrees suitably, After adjusting an angle, the grinding liquid (grinding water) was supplied to the contact surface of a 3rd grinding | polishing tool and a glass substrate. And the specific grinding | polishing process was performed over the whole outer periphery except the vicinity of the corner part viewed from the plane of a glass substrate, rotating the 3rd grinding | polishing tool (polishing board) at the circumferential speed 2000m / min so that the width dimension of a chamfered surface may be obtained. The glass substrate of Example 2a was obtained as mentioned above. In addition, the size of said abrasive grain is based on JISR6001: 1998. In this case, the abrasive grains of the first, second and third abrasive tools differ from those of Example 2a in Examples 2b, 2c and 2d and Comparative Examples, respectively.

하기의 표 4에 나타내는 유리 기판의 모따기면의 돌출 곡부 깊이(Rvk), 및 끝면의 돌출 곡부 깊이(Rvk)는 도쿄 세이미쯔사 제작 서프콤 590A를 이용해서 측정 길이 5.0㎜에 걸쳐 거칠기 측정을 행하고, JIS B0601:2001에 의해 각 Rvk의 값을 산출했다. 이 2종의 돌출 곡부 깊이(Rvk)는 모두 각각에 대해서 동일한 조건에서 모따기면을 10장의 유리 기판에 실시한 후, 그들에 대해서 10회 측정하고, 그 평균값을 산출함으로써 평가했다. 또한, 이들과 동시에, 유리 기판의 끝면의 최대 단면 높이(Pt)와 모따기면의 최대 단면 높이(Pt)를 구했다. 아울러, 유리 기판의 휨이나 열응력에 의한 파손되기 쉬움의 기준으로서 유리 기판의 끝면 강도를 구했다. 유리 기판의 끝면 강도에 대해서는 Orientec사 제작 Tensilon RTA-250을 이용한 3점 굽힘 시험법에 의해 파괴강도를 측정하여 이것을 끝면 강도로 했다. 굽힘 시험의 샘플에는 유리 기판의 끝면부의 변의 중앙부를 80×15㎜의 사이즈로 잘라낸 시험편을 이용하고, 또한 끝면부의 정점(단면 대략 원호의 정점)을 위로 해서 하중을 부하하여 그 파손시의 하중을 측정하며, 이미 서술한 수 1에서 나타내어지는 식으로 계산함으로써 파괴응력(끝면 강도)(σ)을 측정했다.The protruding curved depth Rvk of the chamfered surface of the glass substrate shown in Table 4 below, and the protruding curved depth Rvk of the end surface were subjected to roughness measurement over 5.0 mm of measurement length using a Surfcom 590A manufactured by Tokyo Seimitsu Co., Ltd. And the value of each Rvk were computed according to JISB0601: 2001. These two types of projecting bend depths (Rvk) were evaluated by measuring ten times of them and calculating the average value after performing the chamfered surfaces on ten glass substrates under the same conditions. Moreover, simultaneously with these, the largest cross-sectional height Pt of the end surface of a glass substrate, and the largest cross-sectional height Pt of the chamfered surface were calculated | required. In addition, the end surface strength of the glass substrate was calculated | required as a reference of the fragility of a glass substrate, and the fragility by a thermal stress. As for the end surface strength of the glass substrate, the fracture strength was measured by a three-point bending test method using Tensilon RTA-250 manufactured by Orientec, which was defined as the end surface strength. For the sample of the bending test, the test piece which cut out the center part of the edge part of the glass substrate in the size of 80x15 mm was used, and also loads the load with the vertex of the end surface (a cross section roughly the arc of a circular arc) upwards, and loads it at the time of the damage. The fracture stress (end surface strength) (σ) was measured by calculating by the formula shown by the number 1 described above.

이상과 같이 해서 구한 모따기면의 돌출 곡부 깊이(Rvk), 끝면 강도, 모따기면의 최대 단면 높이(Pt), 및 끝면의 최대 단면 높이(Pt)를 하기의 표 4에 나타낸다.The protruding curved depth Rvk of the chamfered surface, the end surface strength, the maximum cross-sectional height Pt of the chamfered surface, and the maximum cross-sectional height Pt of the end surface obtained as mentioned above are shown in Table 4 below.

상기의 표 4 중 끝면의 최대 단면 높이(Pt) 및 모따기면의 최대 단면 높이(Pt)는 JIS B0601:1982에서의 최대 높이(Rmax)에 상당하므로, 이미 서술한 특허문헌 1, 2의 표면 최대 요철에 상당하는 것이라고 생각할 수 있다. 그리고, 비교예의 유리 기판은 그 모따기면의 최대 높이(Pt)는 5.57㎛로서 7㎛(0.007㎜) 이하이며, 또한 끝면의 최대 높이(Pt)는 7.44㎛로서 40㎛(0.04㎜) 이하이므로, 이미 서술한 특허문헌 1, 2에 기재된 수치 범위의 조건을 만족하고 있다. 그러나, 이 비교예에 의한 유리 기판은 FPD, 유기 EL, 및 태양 전지 등의 제조 공정에 있어서 파손이 빈번히 일어나고 있는 것을 본 발명자들은 확인하였다. 이것은, 비교예에 의한 유리 기판은 끝면 강도가 불충분했던 것을 의미하고 있다. 이것을 감안하면, 끝면 강도는 160㎫가 필요한 것으로 파악할 수 있다. 그리고, 본 발명의 실시예2a~2d는 모따기면의 돌출 곡부 깊이(Rvk)가 0.95 이하인 것에 의해 끝면 강도가 160㎫를 초과하고 있어 충분한 끝면 강도를 갖고 있는 것을 파악할 수 있다. 따라서, 유리 기판의 모따기면의 돌출 곡부 깊이(Rvk)를 0.95 이하로 규정하는 것은 유리 기판의 휨이나 부당한 온도 분포에 기인하는 인장응력의 발생을 억제해서 응력집중을 가급적 저감시켜 유리 기판의 파손을 방지함에 있어서 큰 의의가 있는 것을 확인할 수 있었다.In Table 4, the maximum cross-sectional height Pt of the end face and the maximum cross-sectional height Pt of the chamfer surface correspond to the maximum height Rmax in JIS B0601: 1982, so that the surface maximums of Patent Documents 1 and 2 described above It can be considered that it corresponds to unevenness. In the glass substrate of the comparative example, the maximum height Pt of the chamfered surface is 5.57 µm and 7 µm (0.007 mm) or less, and the maximum height Pt of the end surface is 7.44 µm and 40 µm (0.04 mm) or less, The conditions of the numerical range described in patent documents 1 and 2 mentioned above are satisfied. However, the present inventors confirmed that the glass substrate according to this comparative example frequently causes breakage in manufacturing processes such as FPD, organic EL, and solar cells. This means that the end surface strength of the glass substrate by a comparative example was inadequate. In consideration of this, it can be understood that the end face strength is required to be 160 MPa. Incidentally, in Examples 2a to 2d of the present invention, when the protruding curved depth Rvk of the chamfered surface is 0.95 or less, the end face strength exceeds 160 MPa and it can be understood that the end face strength is sufficient. Therefore, defining the protruding bend depth Rvk of the chamfered surface of the glass substrate to 0.95 or less suppresses the occurrence of tensile stress due to the warpage of the glass substrate or the improper temperature distribution, thereby reducing the stress concentration as much as possible, thereby reducing the breakage of the glass substrate. It was confirmed that there is great significance in preventing.

또한, 유리 원판을 레이저 할단해서 분할된 유리 기판은 그 평탄면을 이루는 끝면의 면성상이 표리면과 마찬가지로 경면에 가까우므로, 이 유리 기판의 상기 경계부에 상기와 마찬가지로 모따기면을 형성했을 경우이여도 그 모따기면의 돌출 곡부 깊이(Rvk)가 0.95 이하이면 상기의 표 4에 나타내는 좋은 결과와 동등하거나 또는 그 이상의 결과가 얻어지는 것으로 추인(추인)할 수 있다.In addition, the glass substrate divided by laser cutting the glass disc is similar to the front and back surface of the end surface constituting the flat surface, so that even when the chamfered surface is formed at the boundary of the glass substrate as described above. If the protruding bend depth Rvk of the chamfered surface is 0.95 or less, it can be estimated (estimated) that a result equivalent to or better than that shown in Table 4 above is obtained.

실시예3Example 3

본 발명자들은 상술한 도 1에 예시한 유리 기판의 모따기면에 있어서의 거칠기 곡선의 자승 평균 평방근 경사(RΔq)에 관한 효과를 확인하기 위해서 본 발명의 실시예3a~3d와 비교예의 대비를 이하에 나타내는 바와 같이 해서 행하였다. 이들 실시예 및 비교예는 모두 유리 원판으로서 오버플로우 다운드로우법에 의해 성형된 니폰 덴키 가라스 가부시키가이샤 제작 OA-10(강화 처리는 실시되어 있지 않음)을 이용했다.The inventors of the present invention compare the examples 3a to 3d and the comparative example of the present invention in order to confirm the effect of the square root mean slope (RΔq) of the roughness curve on the chamfered surface of the glass substrate illustrated in FIG. It performed as shown. All of these Examples and Comparative Examples used Nippon Denki Glass Co., Ltd. OA-10 (not reinforced) manufactured by the overflow downdraw method as a glass original plate.

하기의 표 5에 나타내는 본 발명의 실시예3a~3d 및 비교예에 대해서는 이용하는 시료로서 판 두께가 700㎛인 유리 원판에 스크라이브를 넣어 절할 분할함으로써 단변 치수가 1500㎜ 및 장변 치수가 1800㎜인 유리 기판을 얻었다. 구체적인 유리 원판의 분할 방법은 다이아몬드 칩으로 유리 원판의 표면에 스크라이브를 넣고, 그 스크라이브 라인에 인장응력이 생기도록 유리 원판에 휨 모멘트를 작용시킴으로써 절할 분할을 행하였다. 또한, 그 외의 분할 방법으로서 유리 원판의 일부에 다이아몬드 휠 등으로 초기 흠집(이니셜 크랙)을 형성하고, 이 부위에 레이저를 조사해서 국부 가열을 행한 후, 냉매를 분사해서 급격하게 냉각을 함으로써 이니셜 크랙을 진전시키고, 이것에 의해 유리 원판을 할단시키도록 해도 좋다. 단, 이러한 레이저 할단에 의한 경우에는 유리 기판의 끝면은 평탄면이 되므로 이 실시예 및 비교예에 의한 유리 기판과는 다른 끝면 형상이 된다.For Examples 3a to 3d and Comparative Examples of the present invention shown in Table 5 below, glass having a short side dimension of 1500 mm and a long side dimension of 1800 mm was obtained by dividing a scribe into a glass disc having a plate thickness of 700 μm as a sample to be used. A substrate was obtained. In the specific method of dividing the glass disc, a scribe was put on the surface of the glass disc with a diamond chip, and division was cut by acting a bending moment on the glass disc so that tensile stress occurred on the scribe line. In addition, as another division method, initial scratches (initial cracks) are formed on a part of a glass disc with a diamond wheel, etc., local heating is performed by irradiating a laser to this portion, and then initial jets are cooled by spraying a coolant. The glass original plate may be cut by this. However, in the case of such laser cutting, the end surface of the glass substrate is a flat surface, and thus the end surface of the glass substrate is different from the glass substrate according to this example and the comparative example.

이와 같이 하여 얻어진 유리 기판의 끝면에 대해서는 외주면이 원통면(이 실시예 및 비교예에서는 외주면이 대략 원호 형상으로 오목하게 되어 있음)으로 이루어지는 원기둥 형상의 숫돌을 그 회전축이 유리 기판의 표면의 법선 방향과 평행해지도록 배열시킨 상태에서 회전시키면서 압박하면서 그 끝면의 길이 방향으로 상대적으로 직선 이동시킴으로써 상기 끝면의 연마 처리를 행한다. 이 경우, 유리 기판의 끝면을 연마하는 숫돌로서는 지립이나 바인더가 다른 복수종의 숫돌을 준비해 두고, 우선 지립이 거칠고 바인더가 단단한 숫돌로부터 점차로 지립이 미세하고 바인더가 연한 숫돌로 변경했다.As for the end surface of the glass substrate obtained in this way, the cylindrical grinding wheel which consists of a cylindrical surface (outer peripheral surface becomes concave in substantially circular arc shape in this Example and a comparative example) in the cylindrical surface whose rotation axis is the normal direction of the surface of a glass substrate The end surface is polished by relatively linear movement in the longitudinal direction of the end face while pressing while rotating while being arranged in parallel with the end face. In this case, as a grindstone for polishing the end surface of the glass substrate, a plurality of grindstones having different abrasive grains and binders were prepared, and first, grindstones having rough abrasive grains and hard binders were gradually changed to grindstones having fine grains and soft binders.

하기의 표 5에 나타내는 실시예3a에 대해서 구체적으로 설명을 하면 우선 분할 후의 유리 기판을 정반 상에 적재해서 흡착 고정한 상태에서 도 2에 나타내는 형태를 이루는 제 1 연마구로서의 조연마용 회전 숫돌(#400의 지립이 메탈 본드에 의해 고정됨)의 외주면을 유리 기판의 끝면부에 압박하면서 직선 이동시킴으로써 단면 대략 원호 형상의 조면인 끝면부를 형성했다. 이어서, 마찬가지로, 도 2에 나타내는 형태를 이루는 제 2 연마구로서의 마무리 연마용 회전 숫돌(#1000의 지립이 레진 본드에 의해 고정됨)의 외주면을 유리 기판의 조연마 후의 끝면부에 압박하면서 직선 이동시킴으로써 단면 대략 원호 형상으로 마무리 연마된 끝면을 형성했다. 이 후, 유리 기판의 끝면과 표면 및 이면의 각각의 경계부에 대해서 제 3 연마구로 특정 연마 처리를 행하였다. 제 3 연마구로서는 원형의 기반 상에 수지 재료에 다이아몬드 지립(#3000의 지립)을 분산시켜 이루어지는 평판 형상의 다이아몬드 연마판을 고정한 것을 사용했다. 특정 연마 처리의 실행시에는 유리 기판의 표면 및 이면과 모따기면의 접선 각각이 이루는 각도[도 1의 각도(α): 이면측도 마찬가지임]가 18°~22°가 되도록 적절하게 제 3 연마구의 각도를 조정한 후, 제 3 연마구와 유리 기판의 접촉면에 연삭액(연삭수)을 공급했다. 그리고, 원하는 모따기면의 폭 치수가 얻어지도록 제 3 연마구(연마판)를 둘레 속도 2000m/min으로 회전시키면서 유리 기판의 평면으로 바라본 코너부 근방을 제외한 전체 외주에 걸쳐 특정 연마 처리를 행하였다. 이상과 같이 해서 실시예3a의 유리 기판을 얻었다. 또한, 상기의 지립의 크기는 JIS R6001:1998에 준거하고 있다. 이 경우, 실시예3b,3c,3d 및 비교예에 대해서는 제 1, 제 2, 제 3 연마구의 지립이 각각 실시예3a와 상위하고 있다.Referring specifically to Example 3a shown in Table 5 below, first, a grinding wheel (# 400) for rough grinding as a first polishing tool having the form shown in FIG. The abrasive grain is fixed by a metal bond), and is pressed linearly while pressing the outer peripheral surface of the glass substrate to the end surface portion, thereby forming an end surface portion that is a rough surface having an approximately arc-shaped cross section. Then, similarly, by linearly moving the outer peripheral surface of the grinding wheel for finishing polishing (the abrasive grain of # 1000 is fixed by the resin bond) as the second polishing tool having the form shown in FIG. The end surface was finished and polished to the cross section substantially circular arc shape. Then, the specific grinding | polishing process was performed with the 3rd grinding | polishing tool about each boundary part of the end surface, the front surface, and the back surface of a glass substrate. As a 3rd grinding | polishing tool, what fixed the flat diamond-shaped abrasive plate formed by disperse | distributing a diamond abrasive grain (grip of # 3000) to a resin base on the circular base was used. At the time of performing a specific grinding | polishing process, it is appropriate that the angle | corner (the angle (alpha) of FIG. 1: also the back side of FIG. 1) of each of the tangents of the front surface, the back surface, and the chamfer surface of a glass substrate becomes 18 degrees-22 degrees suitably, After adjusting an angle, the grinding liquid (grinding water) was supplied to the contact surface of a 3rd grinding | polishing tool and a glass substrate. And the specific grinding | polishing process was performed over the whole outer periphery except the vicinity of the corner part viewed from the plane of a glass substrate, rotating the 3rd grinding | polishing tool (polishing board) at the circumferential speed 2000m / min so that the width dimension of a chamfered surface may be obtained. The glass substrate of Example 3a was obtained as mentioned above. In addition, the size of said abrasive grain is based on JISR6001: 1998. In this case, with respect to Examples 3b, 3c, 3d and Comparative Examples, the abrasive grains of the first, second, and third polishing tools differ from Example 3a, respectively.

하기의 표 5에 나타내는 유리 기판에 있어서의 모따기면의 거칠기 곡선의 자승 평균 평방근 경사(RΔq), 및 끝면의 거칠기 곡선의 자승 평균 평방근 경사(RΔq)는 도쿄 세이미쯔사 제작 서프콤 590A를 이용해서 측정 길이 5.0㎜에 걸쳐 거칠기 측정을 행하고, JIS BO601:2001에 의해 각 RΔq의 값을 산출했다. 이 2종의 자승 평균 평방근 경사(RΔq)는 모두 각각에 대해서 동일한 조건에서 모따기면을 10장의 유리 기판에 실시한 후, 그들에 대해서 10회 측정하고, 그 평균값을 산출함으로써 평가했다. 또한, 이들과 동시에, 유리 기판의 끝면의 최대 단면 높이(Pt)와 모따기면의 최대 단면 높이(Pt)를 구했다. 아울러, 유리 기판의 휨이나 열응력에 의한 파손되기 쉬움의 기준으로서 유리 기판의 끝면 강도를 구했다. 유리 기판의 끝면 강도에 대해서는 Orientec사 제작 Tensilon RTA-250을 이용한 3점 굽힘 시험법에 의해 파괴강도를 측정하여 이것을 끝면 강도로 했다. 굽힘 시험의 샘플에는 유리 기판의 끝면부의 변의 중앙부를 80×15㎜의 사이즈로 잘라낸 시험편을 이용하고, 또한 끝면부의 정점(단면 대략 원호의 정점)을 위로 해서 하중을 부하하여 그 파손시의 하중을 측정하고, 이미 서술한 수 1에서 나타내어지는 식으로 계산함으로써 파괴응력(끝면 강도)(σ)을 측정했다.The square root mean square inclination (RΔq) of the roughness curve of the chamfered surface in the glass substrate shown in Table 5 below, and the square root mean square slope (RΔq) of the roughness curve of the end surface are obtained by using the SUFICOM 590A manufactured by Tokyo Seimitsu Co., Ltd. Roughness measurement was performed over 5.0 mm of measurement length, and the value of each R (DELTA) q was computed by JIS BO601: 2001. These two types of square mean square root inclinations (RΔq) were evaluated by measuring ten times and calculating the average value for each of them after performing ten chamfered surfaces on each glass substrate under the same conditions. Moreover, simultaneously with these, the largest cross-sectional height Pt of the end surface of a glass substrate, and the largest cross-sectional height Pt of the chamfered surface were calculated | required. In addition, the end surface strength of the glass substrate was calculated | required as a reference of the fragility of a glass substrate, and the fragility by a thermal stress. As for the end surface strength of the glass substrate, the fracture strength was measured by a three-point bending test method using Tensilon RTA-250 manufactured by Orientec, which was defined as the end surface strength. For the sample of the bending test, the test piece which cut out the center part of the edge part of the glass substrate in the size of 80x15 mm was used, and also loads the load with the vertex of the end surface (a cross section roughly the arc of a circular arc) upwards, and loads it at the time of the damage. The fracture stress (end surface strength) (σ) was measured by calculating and calculating by the formula shown by the above-mentioned number 1.

이상과 같이 해서 구한 모따기면의 자승 평균 평방근 경사(RΔq), 끝면 강도, 모따기면의 최대 단면 높이(Pt), 및 끝면의 최대 단면 높이(Pt)를 하기의 표 5에 나타낸다.The square mean square inclination RΔq of the chamfered surface, the end surface strength, the maximum cross-sectional height Pt of the chamfered surface, and the maximum cross-sectional height Pt of the end surface obtained as described above are shown in Table 5 below.

상기의 표 5 중 끝면의 최대 단면 높이(Pt) 및 모따기면의 최대 단면 높이(Pt)는 JIS B0601:1982에서의 최대 높이(Rmax)에 상당하므로 이미 서술한 특허문헌 1, 2의 표면 최대 요철에 상당하는 것이라고 생각할 수 있다. 그리고, 비교예의 유리 기판은, 그 모따기면의 최대 높이(Pt)는 5.57㎛로서 7㎛(0.007㎜) 이하이며, 또한 끝면의 최대 높이(Pt)는 7.44㎛로서 40㎛(0.04㎜) 이하이므로, 이미 서술한 특허문헌 1, 2에 기재된 수치 범위의 조건을 만족하고 있다. 그러나, 이 비교예에 의한 유리 기판은 FPD, 유기 EL, 및 태양 전지 등의 제조 공정에 있어서 파손이 빈번히 일어나고 있는 것을 본 발명자들은 확인하였다. 이것은, 비교예에 의한 유리 기판은 끝면 강도가 불충분했던 것을 의미하고 있다. 이것을 감안하면, 끝면 강도는 160㎫가 필요한 것으로 파악할 수 있다. 그리고, 본 발명의 실시예3a~3d는 모따기면의 자승 평균 평방근 경사(RΔq)가 0.10 이하인 것에 의해 끝면 강도가 160㎫를 초과하고 있어 충분한 끝면 강도를 갖고 있는 것을 파악할 수 있다. 따라서, 유리 기판의 모따기면의 자승 평균 평방근 경사(RΔq)를 0.10 이하로 규정하는 것은 유리 기판의 휨이나 부당한 온도 분포에 기인하는 인장응력의 발생을 억제해서 응력집중을 가급적 저감시켜 유리 기판의 파손을 방지함에 있어서 큰 의의가 있는 것을 확인할 수 있었다.In Table 5, the maximum cross-sectional height Pt of the end face and the maximum cross-sectional height Pt of the chamfer surface correspond to the maximum height Rmax in JIS B0601: 1982, so that the surface maximum unevenness of Patent Documents 1 and 2 described above It can be considered as equivalent. In the glass substrate of the comparative example, the maximum height Pt of the chamfered surface was 5.57 μm and 7 μm (0.007 mm) or less, and the maximum height Pt of the end face was 7.44 μm and 40 μm (0.04 mm) or less. , The conditions of the numerical range described in Patent Documents 1 and 2 described above are satisfied. However, the present inventors confirmed that the glass substrate according to this comparative example frequently causes breakage in manufacturing processes such as FPD, organic EL, and solar cells. This means that the end surface strength of the glass substrate by a comparative example was inadequate. In consideration of this, it can be understood that the end face strength is required to be 160 MPa. Incidentally, in Examples 3a to 3d of the present invention, when the square root mean square inclination RΔq of the chamfered surface is 0.10 or less, the end face strength exceeds 160 MPa and it can be understood that the end face strength is sufficient. Therefore, specifying the square root mean square inclination (RΔq) of the chamfered surface of the glass substrate to 0.10 or less suppresses the occurrence of tensile stress due to the warpage of the glass substrate or an unsuitable temperature distribution, thereby reducing the stress concentration as much as possible, resulting in a breakage of the glass substrate. It could be confirmed that there is great significance in preventing.

또한, 유리 원판을 레이저 할단해서 분할된 유리 기판은 그 평탄면을 이루는 끝면의 면성상이 표리면과 마찬가지로 경면에 가까우므로, 이 유리 기판의 상기 경계부에 상기와 마찬가지로 모따기면을 형성했을 경우이여도 그 모따기면의 자승 평균 평방근 경사(RΔq)가 0.10 이하이면 상기의 표 5에 나타내는 좋은 결과와 동등하거나 또는 그 이상의 결과가 얻어지는 것으로 추인할 수 있다.In addition, the glass substrate divided by laser cutting the glass disc is similar to the front and back surface of the end surface constituting the flat surface, so that even when the chamfered surface is formed at the boundary of the glass substrate as described above. If the square root mean square (RΔq) of the chamfered surface is 0.10 or less, it can be estimated that a result equivalent to or better than that shown in Table 5 above is obtained.

실시예4Example 4

본 발명자들은 상술한 도 1에 예시한 유리 기판의 모따기면에 있어서의 최대 곡 깊이(Rv)에 관한 효과를 확인하기 위해서 본 발명의 실시예4a~4d와 비교예의 대비를 이하에 나타내는 바와 같이 해서 행하였다. 이들 실시예 및 비교예는 모두 유리 원판으로서 오버플로우 다운드로우법에 의해 성형된 니폰 덴키 가라스 가부시키가이샤 제작 OA-10(강화 처리는 실시되어 있지 않음)을 이용했다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM In order to confirm the effect regarding the maximum curvature depth Rv in the chamfering surface of the glass substrate illustrated in FIG. 1 mentioned above, this inventor shows the contrast of Examples 4a-4d of this invention and a comparative example below. It was done. All of these Examples and Comparative Examples used Nippon Denki Glass Co., Ltd. OA-10 (not reinforced) manufactured by the overflow downdraw method as a glass original plate.

하기의 표 6에 나타내는 본 발명의 실시예4a~4d 및 비교예에 대해서는 이용하는 시료로서 판 두께가 700㎛인 유리 원판에 스크라이브를 넣어 절할 분할함으로써 단변 치수가 1500㎜ 및 장변 치수가 1800㎜인 유리 기판을 얻었다. 구체적인 유리 원판의 분할 방법은 다이아몬드 칩으로 유리 원판의 표면에 스크라이브를 넣고, 그 스크라이브 라인에 인장응력이 생기도록 유리 원판에 휨 모멘트를 작용시킴으로써 절할 분할을 행하였다. 또한, 그 외의 분할 방법으로서 유리 원판의 일부에 다이아몬드 휠 등으로 초기 흠집(이니셜 크랙)을 형성하고, 이 부위에 레이저를 조사해서 국부 가열을 행한 후, 냉매를 분사해서 급격하게 냉각을 함으로써 이니셜 크랙을 진전시키고, 이것에 의해 유리 원판을 할단시키도록 해도 좋다. 단, 이러한 레이저 할단에 의한 경우에는 유리 기판의 끝면은 평탄면이 되므로 이 실시예 및 비교예에 의한 유리 기판과는 다른 끝면 형상이 된다.In Examples 4a to 4d and Comparative Examples of the present invention shown in Table 6 below, glass having a short side dimension of 1500 mm and a long side dimension of 1800 mm was obtained by dividing a scribe into a glass disc having a plate thickness of 700 μm as a sample to be used. A substrate was obtained. In the specific method of dividing the glass disc, a scribe was put on the surface of the glass disc with a diamond chip, and division was cut by acting a bending moment on the glass disc so that tensile stress occurred on the scribe line. In addition, as another division method, initial scratches (initial cracks) are formed on a part of a glass disc with a diamond wheel, etc., local heating is performed by irradiating a laser to this portion, and then initial jets are cooled by spraying a coolant. The glass original plate may be cut by this. However, in the case of such laser cutting, the end surface of the glass substrate is a flat surface, and thus the end surface of the glass substrate is different from the glass substrate according to this example and the comparative example.

이와 같이 하여 얻어진 유리 기판의 끝면에 대해서는 외주면이 원통면(이 실시예 및 비교예에서는 외주면이 대략 원호 형상으로 오목하게 되어 있음)으로 이루어지는 원기둥 형상이 숫돌을 그 회전축이 유리 기판의 표면의 법선 방향과 평행해지도록 배열시킨 상태에서 회전시키면서 압박하면서 그 끝면의 길이 방향으로 상대적으로 직선 이동시킴으로써 상기 끝면의 연마 처리를 행한다. 이 경우, 유리 기판의 끝면을 연마하는 숫돌로서는 지립이나 바인더가 다른 복수종의 숫돌을 준비해 두고, 우선 지립이 거칠고 바인더가 단단한 숫돌로부터 점차로 지립이 미세하고 바인더가 연한 숫돌로 변경했다.As for the end surface of the glass substrate obtained in this way, the cylindrical shape which consists of a cylindrical surface (outer peripheral surface becomes concave in substantially arc shape in this Example and a comparative example) is a grindstone, and the rotation axis is a normal direction of the surface of a glass substrate. The end surface is polished by relatively linear movement in the longitudinal direction of the end face while pressing while rotating while being arranged in parallel with the end face. In this case, as a grindstone for polishing the end surface of the glass substrate, a plurality of grindstones having different abrasive grains and binders were prepared, and first, grindstones having rough abrasive grains and hard binders were gradually changed to grindstones having fine grains and soft binders.

하기의 표 6에 나타내는 실시예4a에 대해서 구체적으로 설명을 하면 우선 분할 후의 유리 기판을 정반 상에 적재해서 흡착 고정한 상태에서 도 2에 나타내는 형태를 이루는 제 1 연마구로서의 조연마용 회전 숫돌(#400의 지립이 메탈 본드에 의해 고정됨)의 외주면을 유리 기판의 끝면부에 압박하면서 직선 이동시킴으로써 단면 대략 원호 형상의 조면인 끝면부를 형성했다. 이어서, 마찬가지로, 도 2에 나타내는 형태를 이루는 제 2 연마구로서의 마무리 연마용 회전 숫돌(#1000의 지립이 레진 본드에 의해 고정됨)의 외주면을 유리 기판의 조연마 후의 끝면부에 압박하면서 직선 이동시킴으로써 단면 대략 원호 형상으로 마무리 연마된 끝면을 형성했다. 이 후, 유리 기판의 끝면과 표면 및 이면의 각각의 경계부에 대해서 제 3 연마구로 특정 연마 처리를 행하였다. 제 3 연마구로서는 원형의 기반 상에 수지 재료에 다이아몬드 지립(#3000의 지립)을 분산시켜 이루어지는 평판 형상의 다이아몬드 연마판을 고정한 것을 사용했다. 특정 연마 처리의 실행시에는 유리 기판의 표면 및 이면과 모따기면의 접선 각각이 이루는 각도[도 1의 각도(α): 이면측도 마찬가지임]가 18°~22°가 되도록 적절하게 제 3 연마구의 각도를 조정한 후, 제 3 연마구와 유리 기판의 접촉면에 연삭액(연삭수)을 공급했다. 그리고, 원하는 모따기면의 폭 치수가 얻어지도록 제 3 연마구(연마판)를 둘레 속도 2000m/min으로 회전시키면서 유리 기판의 평면으로 바라본 코너부 근방을 제외한 전체 외주에 걸쳐 특정 연마 처리를 행하였다. 이상과 같이 해서 실시예4a의 유리 기판을 얻었다. 또한, 상기의 지립의 크기는 JIS R6001:1998에 준거하고 있다. 이 경우, 실시예4b, 4c, 4d 및 비교예에 대해서는 제 1, 제 2, 제 3 연마구의 지립이 각각 실시예4a와 상위하고 있다.Referring specifically to Example 4a shown in Table 6 below, first, a grinding wheel (# 400) for rough polishing as a first polishing tool having the form shown in FIG. The abrasive grain is fixed by a metal bond), and is pressed linearly while pressing the outer peripheral surface of the glass substrate to the end surface portion, thereby forming an end surface portion that is a rough surface having an approximately arc-shaped cross section. Then, similarly, by linearly moving the outer peripheral surface of the grinding wheel for finishing polishing (the abrasive grain of # 1000 is fixed by the resin bond) as the second polishing tool having the form shown in FIG. The end surface was finished and polished to the cross section substantially circular arc shape. Then, the specific grinding | polishing process was performed with the 3rd grinding | polishing tool about each boundary part of the end surface, the front surface, and the back surface of a glass substrate. As a 3rd grinding | polishing tool, what fixed the flat diamond-shaped abrasive plate formed by disperse | distributing a diamond abrasive grain (grip of # 3000) to a resin base on the circular base was used. At the time of performing a specific grinding | polishing process, it is appropriate that the angle | corner (the angle (alpha) of FIG. 1: also the back side of FIG. 1) of each of the tangents of the front surface, the back surface, and the chamfer surface of a glass substrate becomes 18 degrees-22 degrees suitably, After adjusting an angle, the grinding liquid (grinding water) was supplied to the contact surface of a 3rd grinding | polishing tool and a glass substrate. And the specific grinding | polishing process was performed over the whole outer periphery except the vicinity of the corner part viewed from the plane of a glass substrate, rotating the 3rd grinding | polishing tool (polishing board) at the circumferential speed 2000m / min so that the width dimension of a chamfered surface may be obtained. As described above, the glass substrate of Example 4a was obtained. In addition, the size of said abrasive grain is based on JISR6001: 1998. In this case, with respect to Examples 4b, 4c, 4d and Comparative Examples, the abrasive grains of the first, second, and third polishing tools differ from Example 4a, respectively.

하기의 표 6에 나타내는 유리 기판에 있어서의 모따기면의 최대 곡 깊이(Rv)는 도쿄 세이미쯔사 제작 서프콤 590A를 이용해서 측정 길이 5.0㎜에 걸쳐 거칠기 측정을 행하고, JIS B0601:2001에 의해 그 값을 산출했다. 이 최대 곡 깊이(Rv)는 동일한 조건에서 모따기면을 10장의 유리 기판에 실시한 후, 그들에 대해서 10회 측정하고, 그 평균값을 산출함으로써 평가했다. 또한, 이들과 동시에, 유리 기판의 끝면의 최대 단면 높이(Pt)와 모따기면의 최대 단면 높이(Pt)를 구했다. 아울러, 유리 기판의 휨이나 열응력에 의한 파손되기 쉬움의 기준으로서 유리 기판의 끝면 강도를 구했다. 유리 기판의 끝면 강도에 대해서는 Orientec사 제작 Tensilon RTA-250을 이용한 3점 굽힘 시험법에 의해 파괴강도를 측정하여 이것을 끝면 강도로 했다. 굽힘 시험의 샘플에는 유리 기판의 끝면부의 변의 중앙부를 80×15㎜의 사이즈로 잘라낸 시험편을 이용하고, 또한 끝면부의 정점(단면 대략 원호의 정점)을 위로 해서 하중을 부하하여 그 파손시의 하중을 측정하고, 이미 서술한 수 1에서 나타내어지는 식으로 계산함으로써 파괴응력(끝면 강도)(σ)을 측정했다.The maximum grain depth (Rv) of the chamfered surface in the glass substrate shown in following Table 6 measures the roughness over 5.0 mm of measurement length using the Surfcom 590A by Tokyo Seimitsu Co., Ltd., and according to JIS B0601: 2001 The value was calculated. This maximum bending depth Rv was evaluated by measuring ten times of them after performing the chamfering surface on 10 glass substrates on the same conditions, and calculating the average value. Moreover, simultaneously with these, the largest cross-sectional height Pt of the end surface of a glass substrate, and the largest cross-sectional height Pt of the chamfered surface were calculated | required. In addition, the end surface strength of the glass substrate was calculated | required as a reference of the fragility of a glass substrate, and the fragility by a thermal stress. As for the end surface strength of the glass substrate, the fracture strength was measured by a three-point bending test method using Tensilon RTA-250 manufactured by Orientec, which was defined as the end surface strength. For the sample of the bending test, the test piece which cut out the center part of the edge part of the glass substrate in the size of 80x15 mm was used, and also loads the load with the vertex of the end surface (a cross section roughly the arc of a circular arc) upwards, and loads it at the time of the damage. The fracture stress (end surface strength) (σ) was measured by calculating and calculating by the formula shown by the above-mentioned number 1.

이상과 같이 해서 구한 모따기면의 최대 곡 깊이(Rv), 끝면 강도(σ), 모따기면의 최대 단면 높이(Pt), 및 끝면의 최대 단면 높이(Pt)를 하기의 표 6에 나타낸다.The maximum grain depth Rv of the chamfered surface, the end surface strength (sigma), the maximum cross-sectional height Pt of the chamfered surface, and the maximum cross-sectional height Pt of the end surface obtained as mentioned above are shown in Table 6 below.

상기의 표 6 중 끝면의 최대 단면 높이(Pt) 및 모따기면의 최대 단면 높이(Pt)는 JIS B0601:1982에서의 최대 높이(Rmax)에 상당하므로 이미 서술한 특허문헌 1, 2의 표면 최대 요철에 상당하는 것이라고 생각할 수 있다. 그리고, 비교예의 유리 기판은 그 모따기면의 최대 높이(Pt)가 5.57㎛로서 7㎛(0.007㎜) 이하이며, 또한 끝면의 최대 높이(Pt)는 7.44㎛로서 40㎛(0.04㎜) 이하이므로 이미 서술한 특허문헌 1, 2에 기재된 수치 범위의 조건을 만족하고 있다. 그러나, 이 비교예에 의한 유리 기판은 FPD, 유기 EL, 및 태양 전지 등의 제조 공정에 있어서 파손이 빈번히 일어나고 있는 것을 본 발명자들은 확인하였다. 이것은, 비교예에 의한 유리 기판은 끝면 강도가 불충분했던 것을 의미하고 있다. 이것을 감안하면, 끝면 강도는 160㎫가 필요한 것으로 파악할 수 있다. 그리고, 본 발명의 실시예4a~4d는 모따기면의 최대 곡 깊이(Rv)가 2.0㎛ 이하인 것에 의해 끝면 강도가 160㎫를 초과하고 있어 충분한 끝면 강도를 갖고 있는 것을 파악할 수 있다. 따라서, 유리 기판의 모따기면의 최대 곡 깊이(Rv)를 2.0㎛ 이하로 규정하는 것은 유리 기판의 휨이나 부당한 온도 분포에 기인하는 인장응력의 발생을 억제해서 응력집중을 가급적 저감시켜 유리 기판의 파손을 방지함에 있어서 큰 의의가 있는 것을 확인할 수 있었다.In Table 6, the maximum cross-sectional height Pt of the end face and the maximum cross-sectional height Pt of the chamfer surface correspond to the maximum height Rmax in JIS B0601: 1982, so that the surface maximum unevenness of Patent Documents 1 and 2 described above It can be considered as equivalent. In the glass substrate of the comparative example, the maximum height Pt of the chamfered surface was 5.57 µm and 7 µm (0.007 mm) or less, and the maximum height Pt of the end surface was 7.44 µm and 40 µm (0.04 mm) or less. The conditions of the numerical range described in patent documents 1 and 2 mentioned above are satisfied. However, the present inventors confirmed that the glass substrate according to this comparative example frequently causes breakage in manufacturing processes such as FPD, organic EL, and solar cells. This means that the end surface strength of the glass substrate by a comparative example was inadequate. In consideration of this, it can be understood that the end face strength is required to be 160 MPa. In Examples 4a to 4d of the present invention, when the maximum grain depth Rv of the chamfered surface is 2.0 µm or less, the end face strength exceeds 160 MPa and it can be understood that the end face strength is sufficient. Therefore, specifying the maximum curved depth Rv of the chamfered surface of the glass substrate to 2.0 μm or less suppresses the occurrence of tensile stress due to the warpage of the glass substrate or the improper temperature distribution, thereby reducing the stress concentration as much as possible, resulting in breakage of the glass substrate. It could be confirmed that there is great significance in preventing.

또한, 유리 원판을 레이저 할단해서 분할된 유리 기판은 그 평탄면을 이루는 끝면의 면성상이 표리면과 마찬가지로 경면에 가까우므로, 이 유리 기판의 상기 경계부에 상기와 마찬가지로 모따기면을 형성했을 경우이여도 그 모따기면의 최대 곡 깊이(Rv)가 2.0㎛ 이하이면 상기의 표 6에 나타내는 좋은 결과와 동등하거나 또는 그 이상의 결과가 얻어지는 것으로 추인할 수 있다.In addition, the glass substrate divided by laser cutting the glass disc is similar to the front and back surface of the end surface constituting the flat surface, so that even when the chamfered surface is formed at the boundary of the glass substrate as described above. If the maximum grain depth Rv of the chamfered surface is 2.0 µm or less, it can be assumed that a result equivalent to or better than that shown in Table 6 above is obtained.

1 : 유리 기판 2a : 표면
2b : 이면 3 : 끝면
4 : 모따기면 5 : 연마구(제 1, 제 2 연마구)
6 : 제 3 연마구 6a : 제 3 연마구의 회전축
6b : 제 3 연마구의 연마면(숫돌면)
6ba : 제 3 연마구의 연마면(숫돌면)의 내주부
6bb : 제 3 연마구의 연마면(숫돌면)의 외주부
A : 모따기면의 표면측으로의 접선
z : 경계부 α : 접선과 표면이 이루는 각도1: glass substrate 2a: surface
2b: back side 3: end face
4: chamfering surface 5: polishing tool (first, second polishing tool)
6: 3rd grinding | polishing tool 6a: rotation axis of a 3rd grinding | polishing tool
6b: polishing surface (grind face) of third polishing tool
6ba: inner circumference of the polishing surface (grind surface) of the third polishing tool
6bb: outer peripheral part of the polishing surface (grind surface) of the third polishing tool
A: tangent to the surface side of the chamfered surface
z: boundary α: angle between tangent and surface

Claims

표면 및 이면과, 그 양면의 외주단 상호간에 존재하는 끝면을 갖는 유리 기판에 있어서:
상기 표면 및 이면의 적어도 한쪽 면과 상기 끝면 사이의 경계부에 모따기면이 형성되고, 상기 모따기면의 10점 평균 거칠기(Rz₂)가 상기 끝면의 10점 평균 거칠기(Rz₁)보다 작고, 또한 상기 모따기면의 거칠기 곡선 요소의 평균 길이(RSm₂)가 상기 끝면의 거칠기 곡선 요소의 평균 길이(RSm₁)보다 큰 것을 특징으로 하는 유리 기판.In the glass substrate which has the front surface and the back surface, and the end surface which exists between the outer peripheral ends of the both surfaces:
A chamfered surface is formed at a boundary between at least one surface of the front and rear surfaces and the end surface, the ten-point average roughness Rz ₂ of the chamfered surface is smaller than the ten-point average roughness Rz ₁ of the end surface, and the A glass substrate, characterized in that the average length (RSm ₂ ) of the roughness curve element of the chamfered surface is larger than the average length (RSm ₁ ) of the roughness curve element of the end face.

제 1 항에 있어서,
상기 모따기면의 10점 평균 거칠기(Rz₂) 및 상기 끝면의 10점 평균 거칠기(Rz₁)는 Rz₂≤1.5㎛이고, 또한 1.5≤Rz₁/Rz₂≤10.0의 관계를 만족하는 것을 특징으로 하는 유리 기판.The method of claim 1,
The ten-point average roughness Rz ₂ of the chamfered surface and the ten-point average roughness Rz ₁ of the end surface are Rz ₂ ≤1.5 µm and satisfy a relationship of 1.5≤Rz ₁ / Rz ₂ ≤10.0. Glass substrate.

제 2 항에 있어서,
상기 모따기면의 거칠기 곡선 요소의 평균 길이(RSm₂)는 RSm₂≥100㎛의 관계를 만족하는 것을 특징으로 하는 유리 기판.The method of claim 2,
And the average length (RSm ₂ ) of the roughness curve element of the chamfered surface satisfies a relationship of RSm ₂ ?

표면 및 이면과, 그 양면의 외주단 상호간에 존재하는 끝면을 갖는 유리 기판에 있어서:
상기 표면 및 이면의 적어도 한쪽 면과 상기 끝면 사이의 경계부에 모따기면이 형성되고, 상기 모따기면에 있어서의 돌출 곡부 깊이(Rvk)는 Rvk≤0.95㎛의 관계를 만족하는 것을 특징으로 하는 유리 기판.In the glass substrate which has the front surface and the back surface, and the end surface which exists between the outer peripheral ends of the both surfaces:
A chamfered surface is formed at a boundary between at least one surface of the front and rear surfaces and the end surface, and the protruding curved depth Rvk at the chamfered surface satisfies a relationship of Rvk ≦ 0.95 μm.

표면 및 이면과, 그 양면의 외주단 상호간에 존재하는 끝면을 갖는 유리 기판에 있어서:
상기 표면 및 이면의 적어도 한쪽 면과 상기 끝면 사이의 경계부에 모따기면이 형성되고, 상기 모따기면에 있어서의 거칠기 곡선의 자승 평균 평방근 경사(RΔq)는 RΔq≤0.10의 관계를 만족하는 것을 특징으로 하는 유리 기판.In the glass substrate which has the front surface and the back surface, and the end surface which exists between the outer peripheral ends of the both surfaces:
A chamfered surface is formed at a boundary between at least one surface of the front and rear surfaces and the end surface, and the square root mean square slope RΔq of the roughness curve on the chamfered surface satisfies a relationship of RΔq ≦ 0.10. Glass substrate.

표면 및 이면과, 그 양면의 외주단 상호간에 존재하는 끝면을 갖는 유리 기판에 있어서:
상기 표면 및 이면의 적어도 한쪽 면과 상기 끝면 사이의 경계부에 모따기면이 형성되고, 상기 모따기면에 있어서의 최대 곡 깊이(Rv)는 Rv≤2.0㎛의 관계를 만족하는 것을 특징으로 하는 유리 기판.In the glass substrate which has the front surface and the back surface, and the end surface which exists between the outer peripheral ends of the both surfaces:
A chamfered surface is formed at a boundary between at least one surface of the front and rear surfaces and the end surface, and the maximum curved depth Rv at the chamfered surface satisfies a relationship of Rv ≦ 2.0 μm.

제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 모따기면은 연마 처리에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 유리 기판.The method according to any one of claims 1 to 6,
The chamfered surface is formed by polishing.

제 7 항에 있어서,
상기 모따기면은 상기 끝면의 연마 처리 후에 있어서의 연마 처리에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 유리 기판.The method of claim 7, wherein
The said chamfer surface is formed by the grinding | polishing process after the grinding | polishing process of the said end surface, The glass substrate characterized by the above-mentioned.

제 8 항에 있어서,
상기 끝면은 상기 표면 및 이면의 외주단 상호간에 평탄면으로서 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 유리 기판.The method of claim 8,
The end surface is formed as a flat surface between the outer circumferential end of the front surface and the rear surface.

제 8 항에 있어서,
상기 끝면은 상기 표면 및 이면의 외주단으로부터 판 두께 중앙부에 걸쳐 외측으로 점차 돌출되는 만곡면으로서 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 유리 기판.The method of claim 8,
The said end surface is formed as the curved surface which protrudes outwardly from the outer peripheral end of the said surface and back surface to the plate thickness center part, The glass substrate characterized by the above-mentioned.

제 10 항에 있어서,
상기 끝면의 길이 방향과 직교하고 또한 상기 표면 및 이면과 직교하는 단면에 있어서, 표면측의 경계부에 형성되는 상기 모따기면의 표면측으로의 접선과 상기 표면이 이루는 각도(α), 및 이면측의 경계부에 형성되는 상기 모따기면의 이면측으로의 접선과 상기 이면이 이루는 각도(β)는 각각 10°≤α≤30° 및 10°≤β≤30°의 관계를 만족하는 것을 특징으로 하는 유리 기판.The method of claim 10,
In a cross section orthogonal to the longitudinal direction of the end face and perpendicular to the front and back surfaces, an angle? Between the tangent to the front side of the chamfered surface formed on the front boundary side and the front surface and the boundary portion on the rear side And a tangent formed by the tangent to the back side of the chamfered surface formed on the back surface and satisfying the relationship of 10 ° ≦ α ≦ 30 ° and 10 ° ≦ β ≦ 30 °, respectively.

제 11 항에 있어서,
판 두께(T)는 0.05㎜≤T≤1.1㎜의 관계를 만족하는 것을 특징으로 하는 유리 기판.The method of claim 11,
The plate | board thickness T satisfies the relationship of 0.05 mm <= T <1.1mm. The glass substrate characterized by the above-mentioned.

제 12 항에 있어서,
상기 판 두께(T)와 상기 모따기면의 길이 방향과 직교하는 방향의 폭(W)은 0.07≤W/T≤0.30의 관계를 만족하는 것을 특징으로 하는 유리 기판.The method of claim 12,
The plate thickness (T) and the width (W) in the direction orthogonal to the longitudinal direction of the chamfered surface satisfy a relationship of 0.07 ≦ W / T ≦ 0.30.

제 7 항에 기재된 유리 기판을 제조하는 방법으로서:
상기 모따기면을 연마하는 연마구로서 회전축과 직교하는 연마면을 갖는 회전 연마구를 사용하고, 또한 상기 연마면의 외주부의 거칠기를 내주부의 거칠기보다 작게 형성함과 아울러, 유리 기판의 표면 및 이면의 적어도 한쪽 면과 연마 처리 후의 끝면 사이의 경계부에 대해서 상기 회전 연마구가 그 길이 방향으로 상대적으로 직선 이동하면서 상기 회전축 둘레로 회전함으로써 상기 연마면의 외주부 및 내주부 쌍방에 의해 상기 모따기면을 형성하는 것을 특징으로 하는 유리 기판의 제조 방법.As a method of manufacturing the glass substrate according to claim 7,
As a polishing tool for polishing the chamfered surface, a rotating polishing tool having a polishing surface orthogonal to the rotation axis is used, and the roughness of the outer peripheral portion of the polishing surface is made smaller than that of the inner peripheral portion, and the front and rear surfaces of the glass substrate are also used. The chamfered surface is formed by both the outer peripheral portion and the inner peripheral portion of the polishing surface by rotating the rotary polishing tool about the boundary between at least one surface of the polishing surface and the end surface after the polishing treatment and rotating about the rotation axis while moving relatively linearly in the longitudinal direction thereof. The manufacturing method of the glass substrate characterized by the above-mentioned.

제 8 항에 기재된 유리 기판을 제조하는 방법으로서:
유리 기판의 끝면에 대해서 조연마 처리를 실시한 후에 마무리 연마 처리를 실시하고, 그 후, 유리 기판의 표면 및 이면의 적어도 한쪽 면과 상기 끝면 사이의 경계부에 상기 마무리 연마 처리보다 미세한 입도를 갖는 연마구를 이용해서 특정 연마 처리를 실시함으로써 상기 모따기면을 형성하는 것을 특징으로 하는 유리 기판의 제조 방법.As a method of manufacturing the glass substrate according to claim 8:
Finish polishing treatment is performed on the end surface of the glass substrate, followed by finish polishing treatment, and then, a polishing tool having a finer particle size than the finish polishing treatment at the boundary between at least one surface of the glass substrate and the back surface and the end surface. The chamfering surface is formed by performing specific grinding | polishing process using the manufacturing method of the glass substrate characterized by the above-mentioned.