KR20110089354A - 유리 상에 도전성 필름 형성 - Google Patents

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Abstract

유리 기판의 코팅 방법이 기재되어 있다. 이러한 코팅은 투명한 도전성 금속 산화물 코팅이다. 상기 도전성 박막 코팅된 유리 기판은, 예를 들면 디스플레이 디바이스, 태양전지 적용 및 많은 빠르게 성장하는 산업 및 적용에서 사용될 수 있다. 상기 방법은 금속 할라이드, 예를 들면 SnCl4, SnCl2, SnBr4 또는 ZnCl2의 용액의 에어로졸을 뜨거운 유리 표면에 스프레이 코팅하는 방법을 포함한다.

Description

유리 상에 도전성 필름 형성{CONDUCTIVE FILM FORMATION ON GLASS}
본 출원은 2008년 11월 21일에 출원된 미국 특허 출원 12/275328의 우선권의 이익을 주장한다.
본 발명은 기판을 코팅하는 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로 도전성 박막을 갖는 유리 기판의 코팅 방법에 관한 것이다.
투명한 및 도전성 박막 코팅 유리는 많은 적용, 예를 들면 디스플레이 디바이스, 예를 들면 액정 디스플레이(LCD), 및 휴대폰 유기 발광 다이오드(OLED)의 이면구조와 같은 디스플레이 적용에서 유용하다. 투명한 및 도전성 박막 코팅 유리는 태양 전지 적용, 예를 들면 일부 형태의 광발전 전지의 투명한 전극으로서 유용하고 많은 다른 빠르게 성장하는 산업 및 적용에 유용하다.
종래의 유리 기판의 코팅 방법은 일반적으로 물질의 진공 펌핑, 코팅 전에 유리 표면의 세정, 코팅 전에 유리 기판의 가열 후 특정한 코팅 물질의 증착을 포함한다.
일반적으로 투명한 도전성 박막의 증착은 진공 챔버내에서 스퍼터링 또는 화학증착법(CVD), 예를 들면 플라즈마 화학증착법(PECVD), 스프레이 코팅 또는 금속 증착 후 산화에 의해 실시된다. 스프레이 코팅을 제외하고, 이들 코팅 방법은 고가이다. 이들은 일반적으로 진공에서 조작하거나 고가의 전구체를 사용한다. 스프레이 코팅은 비용 효율적이지만, 일반적으로 코팅 필름에 결함 부위를 갖는 비균일한 코팅을 형성한다.
유리에 투명한 도전성 박막의 스퍼터링, 예를 들면 유리에 인듐 도프된 주석 산화물의 스프터링 증착은 하나 이상의 불리한 점을 갖는다: 대면적 스퍼터링은 어렵고, 시간이 걸리고, 일반적으로 유리 기판, 특히 증가된 크기의 유리 기판, 예를 들면 텔레비젼 디스플레이 유리 상에 비균일 필름을 형성한다.
여러 종래의 코팅 방법에서 코팅 전에 유리 세정 단계는 복잡함 및 추가의 비용을 발생한다. 또한, 여러 종래의 코팅 방법은 일반적으로 곤란하고 추가의 처리 단계를 도입하는 코팅의 도핑을 필요로 한다.
종래의 코팅방법에서 명확한 코팅 밀도를 증가시키고 및/또는 모폴로지 변화를 최소화하면서 제조비용 및 제조시간을 감소시키는 투명한 도전성 박막을 갖는 유리 기판의 코팅 방법을 개발하는 것이 유리하다. 진공에서 도전성 필름을 형성하는 것에 비해 대기압에서 도전성 필름을 형성하는 것이 유리하다.
본원에 기재된 도전성 박막을 갖는 유리 기판의 코팅 방법은 특히 코팅이 금속 산화물을 포함할 때에 종래의 코팅 방법의 상술한 하나 이상의 불리한 점에 대처한다.
일 실시형태에서, 도전성 필름을 제조하는 방법이 기재되어 있다. 상기 방법은 금속 할라이드 및 용매를 포함하는 용액을 제공하는 단계,
상기 용액의 에어로졸 액적을 제조하는 단계, 및
상기 에어로졸 액적을 가열된 유리 기판에 도포하고 금속 할라이드를 각각의 산화물로 변환시켜서 유리 기판에 도전성 필름을 형성하는 단계를 포함한다.
또 다른 실시형태는 도전성 필름을 제조하는 방법이다. 상기 방법은 금속 할라이드 및 용매를 포함하는 용액을 제공하는 단계,
상기 용액의 에어로졸 액적을 제조하는 단계,
상기 에어로졸 액적의 층류를 가열된 유리 기판의 표면 전체에 도포하고 상기 금속 할라이드를 각각의 산화물로 변환시켜서 유리 기판에 도전성 필름을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 추가의 특징 및 이점은 후술한 상세한 설명에서 기재되고, 일부분은 설명으로부터 당업자에게 명백하고 기재된 설명 및 청구범위, 또한 수반된 도면에서 기재된 바와 같이 본 발명을 실시함으로써 인지될 것이다.
상기 일반적인 설명 및 후술한 상세한 설명은 단지 본 발명의 예시이고 주장된 바와 같은 본 발명의 특성 및 특징을 이해하기 위해서 고찰 또는 구성을 제공하는 것으로 의도되는 것이 이해된다.
수반된 도면은 본 발명을 더욱 이해하기 위해서 포함되어 있고 본 명세서의 일부에 포함되고 그 일부를 구성한다. 도면은 본 발명의 하나 이상의 실시형태를 설명하고 이러한 설명과 함께 본 발명의 원리 및 조작을 설명한다.
유리 기판의 코팅 방법이 기재되어 있다. 이러한 코팅은 투명한 도전성 금속 산화물 코팅이다. 상기 도전성 박막 코팅된 유리 기판은, 예를 들면 디스플레이 디바이스, 태양전지 적용 및 많은 빠르게 성장하는 산업 및 적용에서 사용될 수 있다. 상기 방법은 금속 할라이드, 예를 들면 SnCl4, SnCl2, SnBr4 또는 ZnCl2의 용액의 에어로졸을 뜨거운 유리 표면에 스프레이 코팅하는 방법을 포함한다.
본 발명은 수반된 도면만 또는 도면과 함께 하기의 상세한 설명으로부터 이해될 수 있다.
도 1a는 예시의 에어로졸 액적 크기 분포의 그래프이다.
도 1b는 예시의 건조된 입자 크기 분포의 그래프이다.
도 2a는 일 실시형태에 따라서 형성된 도전성 필름의 주사형 전자현미경(SEM) 이미지이다.
도 2b는 일 실시형태에 따라서 형성된 도전성 필름의 단면 SEM 이미지이다.
도 3a는 일 실시형태에 따라서 형성된 도전성 필름의 SEM 이미지이다.
도 3b는 일 실시형태에 따라서 형성된 도전성 필름의 단면 SEM 이미지이다.
도 4a는 일 실시형태에 따라서 형성된 도전성 필름의 SEM 이미지이다.
도 4b는 일 실시형태에 따라서 형성된 도전성 필름의 단면 SEM 이미지이다.
본 발명의 다양한 실시형태에 대해서 상세하게 기재하고, 그 실시예는 수반된 도면에서 도시된다.
일 실시형태에서, 도전성 필름 제조하는 방법이 기재되어 있다. 상기 방법은 금속 할라이드 및 용매를 포함하는 용액을 제공하는 단계,
상기 용액의 에어로졸 액적을 제조하는 단계, 및
상기 에어로졸 액적을 가열된 유리 기판에 도포하고 금속 할라이드를 각각의 산화물로 변환시켜서 유리 기판에 도전성 필름을 형성하는 단계를 포함한다.
또 다른 실시형태는 도전성 필름을 제조하는 방법을 포함한다. 상기 방법은 금속 할라이드 및 용매를 포함하는 용액을 제공하는 단계,
상기 용액의 에어로졸 액적을 제조하는 단계, 및
상기 에어로졸 액적의 층류를 가열된 유리 기판의 표면 전체에 도포하고 금속 할라이드를 각각의 산화물로 변환시켜서 유리 기판에 도전성 필름을 형성하는 단계를 포함한다.
가수분해 반응은 용매가 물을 포함하면 가능하다. 이들 반응에서, 금속 할라이드는 물과 반응하고 그 각각의 산화물로 변환한다. 상기 용매가 알콜만을 포함하면, 알콜을 증발시키고 및/또는 연소시키는 산소의 존재하에서 플래시 반응이 발생할 수 있다. 금속 할라이드가 산화 반응에서 산소와 반응하여 그 각각의 산화물을 형성한다. 일 실시형태에서, 산화물이 소결하여 도전성 필름을 형성한다. 일부 실시형태에서 도전성 필름은 투명하다.
일 실시형태에 따라서, 용매는 물, 알콜, 케톤 및 이들의 조합으로부터 선택된 물질을 포함한다. 일부 실시형태에서, 용매는 에탄올, 프로판올, 아세톤 및 이들의 조합으로부터 선택된다. 다른 유용한 용매는 금속할라이드가 용해성을 갖는 용매이다.
일 실시형태에서, 금속 할라이드는 SnCl4, SnCl2, SnBr4, ZnCl2 및 이들의 조합으로부터 선택된다. 금속 할라이드는 상기 용액의 5 내지 20중량% 일 수 있고, 예를 들면 상기 용액의 13중량% 이상이다.
일부 실시형태에서, 상기 용액은 도펀트 전구체를 더욱 포함한다. 도펀트 전구체는, 예를 들면 HF, NH4F, SbCl3 및 이들의 조합으로부터 선택될 수 있다.
일 실시형태에 따라서, 에어로졸 액적을 제조하는 단계는 상기 용액을 아토마이징(atomizing)하는 단계를 포함한다. 일 실시형태에 따라서, 상기 용액을 아토마이징하는 단계는 아르곤, 헬륨, 질소, 일산화탄소, 질소 내 수소 및 산소로부터 선택된 기체를 아토마이저(atomizer)에서 상기 용액을 통해서 흘려 주는 단계를 포함한다. 다른 실시형태에 따르면, 상기 용액을 아토마이징하는 단계는 아토마이저를 통해서 주위의 공기를 흘려주는 단계를 포함한다. 일부 실시형태에서, 아토마이징된 용액의 속도는 2L/min과 7L/min사이, 예를 들면 3L/min일 수 있다. 일 실시형태에서, 에어로졸 액적은 직경 4000 nm이하의 액적 크기를 갖고, 예를 들면 액적 크기가 10nm 내지 1000nm, 예를 들면 50nm 내지 450nm일 수 있다.
일 실시형태에 따라서, 에어로졸 액적을 도포하는 단계는 아토마이저로부터 에어로졸 액적을 수용하기 위해서 적용되고 유리 기판 근방에 위치된 하나 이상의 분무기로부터 에어로졸 액적을 분무하는 단계를 포함한다.
에어로졸 분무기는 도포될 유리 기판의 형상 및 도포될 유리 기판의 영역에 따라서 임의의 형상일 수 있다. 에어로졸 액적을 분무하는 단계는 분무기를 유리 기판에 대해서 하나 이상의 방향, 예를 들면, 3차원 카티슨 좌표계에서 X방향, Y 방향, Z방향 또는 이들의 조합으로 이동하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시형태에서, 유리 기판은 유리 시트, 유리 슬라이드, 조직화 유리 기판, 유리 구, 유리 큐브, 유리 튜브, 허니컴, 및 이들의 조합으로부터 선택된 형태이다.
일 실시형태에 따라서, 상기 방법은 상기 에어로졸 액적을 295℃ 내지 600℃, 예를 들면 350℃ 내지 420℃인 유리 기판에 도포하는 단계를 포함한다. 일부 적용에서, 온도 범위의 상한은 유리 기판의 연화점에 따라 다르다. 도전성 필름은 일반적으로 유리 기판의 연화점 미만의 온도에서 적용된다. 일 실시형태에 따라서, 도전성 필름은 대기압에서 형성된다.
일 실시형태에서, 도전성 필름은 Cl 도프된 SnO2, F 및 Cl 도프된 SnO2, F 도프된 SnO2, Sn 도프된 In2O3, Al 도프된 ZnO, Cd 도프된 SnO2, 또는 이들의 조합을 포함한다.
일 실시형태에서, 도전성 박막은 2000nm 이하, 예를 들면 10 nm 내지 1000nm, 예를 들면 10nm 내지 500nm의 두께를 갖는다.
광발전 디바이스, 디스플레이 디바이스, 또는 유기 발광 다이오드는 기재된 방법에 따라서 제조된 도전성 박막을 포함할 수 있다.
에어로졸 액적에서 용매의 증발은 기판에 에어로졸 액적의 이동 및/또는 증착중에 발생할 수 있다. 일부 실시형태에서 용매의 증발은 에어로졸 액적이 기판에 증착된 후에 발생할 수 있다. 여러 반응 메카니즘은 기재된 방법에 의해서 실현될 수 있고, 예를 들면 에어로졸 액적에서 금속 할라이드와 용매 사이에서 균질화 반응, 형성된 또는 형성한 산화물에서 산화물과 함께 용매 및/또는 기체 사이에서 비균질화 반응, 및/또는 기판 표면에 산화물 핵 결합 및 결정화이다.
에어로졸 이동 온도를 제어함으로써, 에어로졸 액적으로부터 용매의 증발이 제어되므로, 평균 에어로졸 액적 크기를 제어하여 증착물을 효율적으로 및/또는 균일하게 제조할 수 있다. 이동온도의 제어는 용매와 금속 할라이드 사이의 반응을 향상시키고 액적 내측에 고체 핵의 형성을 향상시킨다.
유리 기판의 가열은 산화물 형성을 위해서 충분한 활성 에너지를 제공할 수 있다. 잔류하는 용매가 가열된 유리 기판으로부터 증발한다. 가열은 증착된 작은 입자에 에너지를 제공하여 결정화하고 더 큰 결정을 형성한다.
일 실시형태에서, 상기 용액을 제공하는 단계는 산화물 및/또는 도펀트의 전구체를 용매에 용해하는 단계를 포함한다. 예를 들면, SnO2계 투명한 도전성 산화물(TCO) 필름을 제조하기 위해서, SnCl4, 및 SnCl2는 Sn 전구체로서 사용될 수 있다. HF, NH4F, SbCl3, 등은 F 및 Sb 도펀트 전구체로서 사용될 수 있다. 이들 전구체의 용매는 물 또는 알콜, 예를 들면 에탄올, 프로판올 등, 또는 이들 전구체를 용해할 수 있는 임의의 용매 또는 이들 용매의 조합일 수 있다. 다른 용매는 다른 표면 접착 속도, 다른 증발 속도 및 다른 화학반응을 일으킬 수 있다. 물을 용매로서 사용하고, SnO2를 제조하기 위한 전구체로서 SnCl2 또는 SnCl4을 사용하면, SnCl2 또는 SnCl4는 물에 의해서 가수분해되고 이러한 반응은 용액, 액적 및 증착된 표면에서 발생한다. 생성된 HCl은 물에 의해서 Sn의 충분한 산화를 증진시킨다. 도펀트(예를 들면 F 및 Sb)는 증착 공정동안 SnO2 격자에 첨가될 수 있다. Sn에 잔류하는 Cl은 격자에 존재하고 Cl 도핑을 형성할 수 있다.
실시예
용액은 0.27M SnCl4 및 탈이온수를 조합하여 제공되었다. SnCl4는 물에 의해서 가수분해되어 HCl을 형성하였다. 얻어진 용액은 대략 pH 0.5의 산성이었다. 용액은 TSI 9306 제트 아토마이저에 의해서 아토마이징되고 30pound/inch(psi)2의 압력을 갖는 질소 가스를 이용가능한 6개 제트 중 2개를 사용하여 흘려주어 에어로졸 액적을 형성하였다. 강한 산성 용액에 의한 아토마이저(atomizer)의 에칭을 최소화하기 위해서, 아토마이저 저장소 및 노즐에서 금속부는 플라스틱으로 대체되었다. 유리 기판은 튜브 퍼니스에서 3인치 석영 튜브의 중심에 수평하게 배치되었다. 이러한 디자인은 유리 기판의 표면 전체에 상기 에어로졸 액적의 층류를 가능하게 한다. 층류는 코팅 균일성을 향상시키고 코팅 속도를 증가시킨다고 생각된다. 튜브 퍼니스는 유리 기판 또한 아토마이저에 의해서 발생된 에어로졸 액적을 가열한다. SnO2 코팅에 대해서, 튜브 퍼니스의 온도는 350℃로 설정했다. 튜브 퍼니스의 온도가 370℃로 설정되었을 때에 추가의 유리 기판을 SnO2로 코팅했다. 유리 기판은, 예를 들면 15분 내지 90분 동안 코팅했다. 이러한 예에서, 350℃에서 코팅된 유리 기판은 30분동안 코팅하고 370℃에서 코팅된 유리 기판은 60분동안 코팅했다. 코팅된 유리 기판은 각각의 증착온도로 설정된 퍼니스에서 30분간 유지하고 질소가스를 30분간 흘려주었다. 얻어진 도전성 필름은 100 내지 1000nm 두께를 갖는다.
에어로졸 액적을 증착하는 동안, 하기의 가수분해 반응이 발생했다:
Figure pct00001
Cl은 SnO2 격자에 도프되었다. 다른 도펀트가 상기 용액, 예를 들면 HF, NH4F 또는 SbCl3, F 또는 Sb에 공존하면, 도펀트도 SnO2 격자에 포함될 수 있다. 이러한 도핑은 안정한 도전성 필름을 형성하게 한다.
예시의 에어로졸 액적 크기 분포는 도 1a에서 라인(10)에 의해서 도시되고 예시의 상응하는 건조된 입자크기 분포는 도 1b에서 라인(12)에서 도시된다. 입자크기 분포는 에어로졸 액적 크기 분포로부터 추정될 수 있다.
도 2a 및 2b는 350℃에서 튜브 퍼니스에서 유리 기판(16)에 형성된 Cl 도프된 SnO2 도전성 필름(14)의 SEM 이미지를 도시한다. 350℃은 SnO2의 결정화 온도보다 낮기 때문에, 필름내에 SnO2 입자는 에어로졸 액적내에서 입자를 반영한다.
도 3a 및 3b는 370℃에서 튜브 퍼니스에서 유리 기판(20)에 형성된 Cl 도프된 SnO2 도전성 필름(18)의 SEM 이미지를 나타낸다. 370℃에서 SnO2 입자가 결정화한다. 결정화는 기판 온도 및/또는 에어로졸 액적으로부터 잔류하는 액상에 영향을 미칠 수 있다.
도전성 필름은 X선 회절(XRD)를 분석했다. 이러한 측정은 도 2a 및 2b에서 도시된 도전성 필름과 도 3a 및 3b에서 도시된 도전성 필름 사이의 다른 결정 구조를 확인했다. XRD는 370℃ 증착된 필름이 높은 결정성 및 바람직한 [100]배향을 갖는 것을 나타낸다. 350℃ 증착 필름의 XRD 패턴 및 피크 세기는 SnO2 분말의 것과 유사하고 바람직한 배향을 갖지 않는다. 더 높은 결정성을 나타내는 필름이 더 양호한 도전성을 가질 수 있다.
전자적 측정은 350℃ 증착된 필름 및 370℃ 증착된 필름에서 실시되었다. 370℃ 증착된 필름은 350℃ 증착된 필름보다 높은 도전성을 갖는 것을 알 수 있었다. 400nm의 두께를 갖는 370℃ 증착된 필름은 50Ω/□의 시트 저항 및 2×10-3Ω.cm의 저항을 갖는 것을 알 수 있다.
Cl 도프된 SnO2 필름의 투명성은 투과율 분석에 의해서 측정되었다. 500nm의 두께를 갖는 예시의 Cl 도프된 SnO2 필름은 400 nm 내지 1000nm의 파장 범위에서 80% 투명성보다 컸다.
F 및 Cl 코-도프된(co-doped) SnO2 도전성 필름은 SnCl4 및 HF 을 전구체로서 사용하여 제조하였다. 용액은 0.27M SnCl4와 탈이온수 및 다른 양의 HF를 조합하여 제조하였다. 이러한 예에서, 0.7 내지 0.37의 F/Sn 몰비로 제조했다. 튜브 퍼니스는 370℃의 온도로 설정하였고 증착 시간은 15분이었다. 도 4a 및 4b는 유리 기판(24) 상에 0.22의 F/Sn 용액의 몰비로 제조된 F 및 Cl 코-도프된 SnO2 도전성 필름(22)의 SEM 이미지를 나타낸다. SnO2는 결정성인 것을 알 수 있었다. 필름 두께는 100nm 내지 200nm이었다.
F 및 Cl 코-도프된 SnO2 필름의 2차 이온 질량 분석(SIMS) 측정이 실시되고 SnO2 매트릭스 내의 F 및 Cl 도펀트를 확인했다.
F 및 Cl 코-도프된 SnO2 필름 시트 저항은 60Ω/□이었고 저항은 두께가 140nm인 필름에 대해서 8×10-4Ω.cm이었다. 가장 도전성 필름은 약 0.5M SnCl4 전구체 용액에서 3:2의 F/Sn 몰비를 사용하여 제조했다.
전구체 용액에서 0.30 및 0.37의 F/Sn 몰비를 사용하여 제조된 F 및 Cl 코-도프된 SnO2 필름은 VIS-NIR 투과율에 의해서 투명성을 측정했다. 150nm 두께의 F 및 Cl 코-도프된 SnO2 필름은 400 내지 700nm 파장에서 약 90%의 투명성을 가졌다.
일 실시형태에 따라서, 상기 방법은 도전성을 필름을 형성한 후 도전성 필름의 열처리 단계를 포함한다. 열처리 단계는 250℃ 미만의 온도에서 공기에서 실시되고, 예를 들면 150℃ 내지 250℃, 예를 들면 200℃이다. 가열 처리 단계는 비활성 분위기, 예를 들면 더 높은 열처리 온도, 예를 들면 250℃ 이상, 예를 들면 400℃을 허용할 수 있는 질소에서 실시될 수 있다.
도전성 필름의 도전성은 포스트 열처리에 의해서 더욱 향상될 수 있다. 이 열처리 단계는 입자 경계 및 입자 표면으로부터 흡착질을 제거하고 트랩핑된 자유 전자를 방출할 수 있다. 포스트 처리가 공기중에서 실시되면, 그 온도는 SnO2 산화 온도 미만일 필요가 있다. 200℃의 온도가 공기중에서 바람직한 포스트 처리 온도인 것을 알 수 있었다. 수 kΩ의 Cl-도프된 SnO2 필름은 포스트 처리 후에 수백 Ω으로 개선될 수 있다. 수백 Ω의 F 및 Cl-도프된 SnO2 필름은 수십 Ω으로 저하되고, 예를 들면 150nm 필름은 공기중에서 200℃에서 30분간 열처리된 후 60Ω/□의 시트 저항을 가졌다. 이것은 9×10-4Ω.cm의 저항을 갖는 필름을 생성했다.
다양한 변경 및 변동은 본 발명의 정신 또는 범위를 벗어나는 일없이 본 발명에 대해서 실시될 수 있는 것이 당업자에게 명백할 것이다. 따라서, 본 발명은 수반된 청구범위 및 그 상응하는 범위에서 있는 것이면 본 발명의 변경 및 변동을 포함하는 것을 의도한다.

Claims (24)

  1. 금속 할라이드 및 용매를 포함하는 용액을 제공하는 단계;
    상기 용액의 에어로졸 액적을 제조하는 단계; 및
    상기 에어로졸 액적을 가열된 유리 기판에 도포하고, 상기 금속 할라이드를 각각의 산화물로 변환시켜서 상기 유리 기판에 도전성 필름을 형성시키는 단계를 포함하는 도전성 필름의 제조 방법.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 용매는 물, 알콜, 케톤 및 이들의 조합으로부터 선택된 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 청구항 2에 있어서, 상기 용매는 에탄올, 프로판올, 아세톤 및 이들의 조합으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 도전성 필름은 투명한 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 금속 할라이드는 SnCl4, SnCl2, SnBr4, ZnCl2 및 이들의 조합으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 청구항 1에 있어서, 상기 용액은 도펀트 전구체를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 청구항 6에 있어서, 상기 도펀트 전구체는 HF, NH4F, SbCl3 및 이들의 조합으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 청구항 1에 있어서, 상기 용액은 상기 금속 할라이드를 상기 용액의 5 내지 20중량%의 양으로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 청구항 1에 있어서, 상기 용액은 상기 금속 할라이드를 상기 용액의 13 중량% 이상의 양으로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 청구항 1에 있어서, 상기 에어로젤 액적은 직경 4000 nm 이하의 액적 크기 를 갖는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 청구항 1에 있어서, 상기 에어로젤 액적을 제조하는 단계는 상기 용액을 아토마이징하는(atomizing) 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 청구항 11에 있어서, 상기 에어로졸 액적을 도포하는 단계는 상기 아토마이저로부터 에어로졸 액적을 수용하기 위해서 적용되고 상기 유리 기판 근방에 위치된 하나 이상의 분무기로부터 에어로졸 액적을 분무시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 청구항 12에 있어서, 상기 방법은 하나 이상의 분무기를 상기 유리 기판에 대해서 하나 이상의 방향으로 이동하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 청구항 12에 있어서, 상기 용액을 아토마이징하는 단계는 아르곤, 헬륨, 질소, 일산화탄소, 질소 내 수소 및 산소로부터 선택된 기체를 아토마이저를 통해서 흘려주는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 청구항 1에 있어서, 상기 유리 기판은 유리 시트, 유리 슬라이드, 조직화 유리 기판, 유리구(glass sphere), 유리 큐브(glass cube), 유리 튜브(glass tube), 허니컴(honeycomb) 및 이들의 조합으로부터 선택된 형태인 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 청구항 1에 있어서, 상기 방법은 상기 에어로졸 액적을 295℃ 내지 600℃의 온도인 유리 기판에 도포하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  17. 청구항 16에 있어서, 상기 방법은 상기 에어로졸 액적을 350℃ 내지 420℃의 온도인 유리 기판에 도포하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  18. 청구항 1에 있어서, 상기 도전성 필름은 Cl 도프된 SnO2, F 및 Cl 도프된 SnO2, F 도프된 SnO2, Sn 도프된 In2O3, Al 도프된 ZnO, Cd 도프된 SnO2, 또는 이들의 조합을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  19. 청구항 1에 따라서 형성된 도전성 박막을 포함하는 광발전 디바이스, 디스플레이 디바이스 또는 유기 발광 다이오드.
  20. 청구항 1에 있어서, 상기 도전성 박막은 2000nm 이하의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 방법.
  21. 청구항 1에 있어서, 상기 방법은 도전성 필름을 형성한 후 도전성 필름을 열처리하는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  22. 청구항 1에 있어서, 상기 도전성 필름은 대기압에서 형성된 것을 특징으로 하는 방법.
  23. 청구항 1에 있어서, 상기 에어로졸 액적은 50nm 내지 450 nm의 액적 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 방법.
  24. 금속 할라이드 및 용매를 포함하는 용액을 제공하는 단계;
    상기 용액의 에어로졸 액적을 제조하는 단계; 및
    상기 에어로졸 액적의 층류를 가열된 유리 기판의 표면 전체에 도포하고, 상기 금속 할라이드를 각각의 산화물로 변환시켜서 유리 기판에 도전성 필름을 형성하는 단계를 포함하는 도전성 필름의 제조 방법.
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8337943B2 (en) * 2009-08-31 2012-12-25 Corning Incorporated Nano-whisker growth and films
TW201123479A (en) * 2009-12-29 2011-07-01 Chung Shan Inst Of Science Method of fabricating a transparent conducting thin film with regular pattern.
TWI420542B (zh) * 2010-10-29 2013-12-21 Win Optical Co Ltd A surface treatment method and structure of a transparent conductive film
GB201106553D0 (en) * 2011-04-19 2011-06-01 Pilkington Glass Ltd Mthod for coating substrates
KR101362467B1 (ko) * 2012-07-10 2014-02-12 연세대학교 산학협력단 투명 전자파 차폐재 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
JP5949395B2 (ja) * 2012-09-27 2016-07-06 三菱マテリアル株式会社 Ｉｔｏ粉末の製造方法
CN111646708A (zh) * 2020-07-07 2020-09-11 浙江山蒲照明电器有限公司 一种玻璃管内壁喷涂机构

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2566346A (en) * 1948-09-08 1951-09-04 Pittsburgh Plate Glass Co Electroconductive products and production thereof
US2703949A (en) * 1949-11-10 1955-03-15 Libbey Owens Ford Glass Co Method of producing filmed and strengthened glass sheets
US2777044A (en) * 1951-12-15 1957-01-08 Pittsburgh Plate Glass Co Electrical heating device
DE1082017B (de) * 1958-03-05 1960-05-19 Pittsburgh Plate Glass Co Verfahren und Vorrichtung zum Aufbringen hydrolysierbarer Metallverbindungen auf waermebestaendige Koerper, z. B. Glasscheiben
US3561940A (en) * 1967-10-02 1971-02-09 Ball Corp Method and apparatus for preparing glass articles
FR2059657B1 (ko) * 1969-08-25 1976-02-06 Ppg Ind Inc Us
US3819346A (en) * 1972-05-08 1974-06-25 Glass Container Mfg Inst Inc Method for applying an inorganic tin coating to a glass surface
GB1517341A (en) 1975-01-02 1978-07-12 Day Specialties Coating solutions for dielectric materials
US4240816A (en) * 1979-02-09 1980-12-23 Mcmaster Harold Method and apparatus for forming tempered sheet glass with a pyrolytic film in a continuous process
IT1143300B (it) * 1980-01-31 1986-10-22 Bfg Glassgroup Procedimento e dispositivo per ricoprire il vetro
GB8630791D0 (en) * 1986-12-23 1987-02-04 Glaverbel Coating glass
JP2004026554A (ja) * 2002-06-25 2004-01-29 Nippon Soda Co Ltd 透明導電膜形成液及びそれを用いた透明導電膜付基体の製法
JP2005183346A (ja) * 2003-12-24 2005-07-07 Konica Minolta Holdings Inc 電気光学素子及び透明導電膜の形成方法
JP4358251B2 (ja) * 2007-03-23 2009-11-04 日本曹達株式会社 高抵抗化スズドープ酸化インジウム膜の成膜方法
US20090214770A1 (en) * 2008-02-21 2009-08-27 Dilip Kumar Chatterjee Conductive film formation during glass draw
US8337943B2 (en) * 2009-08-31 2012-12-25 Corning Incorporated Nano-whisker growth and films

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