JP2013509352A - 導電性金属酸化物膜および光起電装置 - Google Patents
導電性金属酸化物膜および光起電装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013509352A JP2013509352A JP2012536949A JP2012536949A JP2013509352A JP 2013509352 A JP2013509352 A JP 2013509352A JP 2012536949 A JP2012536949 A JP 2012536949A JP 2012536949 A JP2012536949 A JP 2012536949A JP 2013509352 A JP2013509352 A JP 2013509352A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal oxide
- conductive metal
- oxide film
- film
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 53
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 title claims abstract description 53
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 49
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 26
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 14
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 claims description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 82
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 39
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 39
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 description 24
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 20
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 16
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 13
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 12
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 9
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 7
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 6
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N hydrofluoric acid Substances F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000005309 metal halides Chemical group 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012702 metal oxide precursor Substances 0.000 description 4
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- 229910017855 NH 4 F Inorganic materials 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical compound Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003570 air Substances 0.000 description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 2
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N cadmium oxide Inorganic materials [Cd]=O CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Cd+2] CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000005315 distribution function Methods 0.000 description 2
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 2
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108091006149 Electron carriers Proteins 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100371143 Pseudomonas aeruginosa (strain ATCC 15692 / DSM 22644 / CIP 104116 / JCM 14847 / LMG 12228 / 1C / PRS 101 / PAO1) tsi6 gene Proteins 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021627 Tin(IV) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Se].[Se].[In] Chemical compound [Cu].[Se].[Se].[In] KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000002156 adsorbate Substances 0.000 description 1
- 239000012080 ambient air Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000000572 ellipsometry Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000006199 nebulizer Substances 0.000 description 1
- 238000013082 photovoltaic technology Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- -1 tin chloride Chemical class 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/1204—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
- C23C18/1208—Oxides, e.g. ceramics
- C23C18/1216—Metal oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
- C03C17/23—Oxides
- C03C17/25—Oxides by deposition from the liquid phase
- C03C17/253—Coating containing SnO2
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/36—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/36—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
- C03C17/3602—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer
- C03C17/3668—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer the multilayer coating having electrical properties
- C03C17/3678—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer the multilayer coating having electrical properties specially adapted for use in solar cells
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/125—Process of deposition of the inorganic material
- C23C18/1258—Spray pyrolysis
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/125—Process of deposition of the inorganic material
- C23C18/1291—Process of deposition of the inorganic material by heating of the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/90—Other aspects of coatings
- C03C2217/94—Transparent conductive oxide layers [TCO] being part of a multilayer coating
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
- Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
- Y10T428/264—Up to 3 mils
- Y10T428/265—1 mil or less
Abstract
基板と、該基板の表面に隣接した、35以上の電子移動度(cm2/V−s)を有する導電性金属酸化物膜とを備える物品が説明される。導電性金属酸化物膜を備える光起電装置も説明される。
Description
本願は、2009年10月28日に出願された米国特許仮出願第61/255583号、および2010年9月22日に出願された米国特許出願第12/887761号による優先権を主張する。
複数の実施形態は、導電性金属酸化物膜、この導電性金属酸化物膜を有する物品に関し、より具体的には、この導電性金属酸化物膜を有する光起電装置に関する。
透明且つ/または導電性の膜がコーティングされたガラスは、例えば、ディスプレイ装置(例えば、液晶ディスプレイ(LCD)、および携帯電話用の有機発光ダイオード(OLED))のバックプレーンアーキテクチャ等のディスプレイ用途等といった多くの用途に有用である。透明且つ/または導電性の膜がコーティングされたガラスは、太陽電池用途(例えば、幾つかのタイプの光起電セルの電極として)および他の急速に成長している工業および用途にも有用である。
透明導電性酸化物(TCO)は、LCDディスプレイパネル、Low−E窓、最も最近では光起電(PV)セル、電子ペーパー、および他の多くの工業用途に広く用いられている。酸化カドミウム(CdO)は1907頃に発見された歴史的に最初のTCOであるが、今日では、最も用いられているTCOは、様々なディスプレイパネルおよびLow−E窓に見られるインジウム酸化スズ(ITO)およびフッ素ドープ酸化スズ(FTO)である。
TCOは本質的に広帯域半導体であり(よって、可視光透過性および導電性)、その大半はn型であり、伝導帯の最小値のすぐ下にフェルミ準位を有する(ΔΕ〜kT)。最初の有用なp型TCO(即ち、CuAlO2)は、後の1997に実現され、それ以来、次世代「透明電子部品」の分野が出現した。しかし、最近多くの注目を集めている薄膜PV技術において、透明電極としての高性能TCOの需要がある。
この点に関して、最も最近の発展の1つは薄膜シリコンタンデムPVセルであり、これは、電池効率を高めるために、微晶質シリコン層における太陽光吸収を向上させるための光トラップ機能を有する用途特化型TCOを必要とする。市販のテクスチャのあるソーダライムガラス上FTOは、PVセルで現在用いられているFTOの一例である。
例えば、光起電用途のTCO用途に有用な、導電性金属酸化物膜がコーティングされたガラスを開発することが有益である。
本明細書に記載される導電性金属酸化物膜は、特に、膜が酸化スズを含む場合の、導電性金属酸化物膜の上述の短所の1以上に対処するものである。
一実施形態は、基板と、該基板の表面に隣接した、35以上の電子移動度(cm2/V−s)を有する導電性金属酸化物膜とを備えた物品である。
別の実施形態は、基板と、該基板に隣接した、35以上の電子移動度(cm2/V−s)を有する導電性金属酸化物膜と、該導電性金属酸化物膜に隣接した活性光起電媒体とを備えた光起電装置である。
本発明の更なる特徴および長所は以下の詳細な説明で述べられ、部分的には、その説明から当業者に自明であり、或いは、明細書、特許請求の範囲および添付の図面に記載されているように本発明を実施することによって認識される。
上記の一般的な説明および以下の詳細な説明は、単に本発明を例示するものであり、特許請求される本発明の性質および特性を理解するための概観や骨組みの提供を意図するものであることを理解されたい。
添付の図面は、本発明の更なる理解を提供するものであり、本明細書に組み込まれてその一部を構成するものである。これらの図面は本発明の1以上の実施形態を示しており、本明細書と共に本発明の原理および作用を説明するものである。
本発明は、以下の詳細な説明を単独で参照することにより、または添付の図面と併せて参照することにより理解され得る。
次に、本発明の様々な実施形態を詳細に参照する。その一例が添付の図面に示されている。
本明細書で用いる「体積散乱」という用語は、光が通る材料の屈折率の不均一性によって生じる光路に対する影響として定義できる。
本明細書で用いる「表面散乱」という用語は、光起電セルの層間の界面の粗さによって生じる光路に対する影響として定義できる。
本明細書で用いる「基板」という用語は、光起電セルの構成に応じて、基板または表板のいずれかを記載するために用いられ得る。例えば、基板が光起電セルに組み込まれた際に、光起電セルの光入射側にあれば、基板は表板である。表板は、適切な波長の太陽スペクトルを透過させつつ、光起電材料を、衝撃および環境的劣化から保護し得る。更に、複数の光起電セルを1つの光起電モジュールとして構成できる。
本明細書で用いる「隣接」という用語は、極めて接近していることと定義できる。隣接する構造物は、互いに物理的に接触してもよく、接触しなくてもよい。隣接する構造物の間には、他の層および/または構造物が配置され得る。
本明細書で用いる「平面状」という用語は、形状的に略平坦な表面を有するものとして定義できる。
実施形態には例示的な数値範囲が記載されているが、各範囲は、その範囲の各端点を含む範囲内の小数点以下を含む数値を含み得る。
一実施形態は、基板と、該基板の表面に隣接した、35以上の電子移動度(cm2/V−s)を有する導電性金属酸化物膜とを備えた物品である。一実施形態では、導電性金属酸化物膜は、40以上(例えば、45以上、50以上、55以上)の電子移動度(cm2/V−s)を有する。別の実施形態では、導電性金属酸化物膜は、35〜60の範囲内の電子移動度(cm2/V−s)を有する。
一実施形態では、導電性金属酸化物膜は、9.00×1020以上のキャリア濃度(1/cm3)を有する。
一実施形態では、導電性金属酸化物膜は、5パーセント以上(例えば、5〜20パーセント)の気孔率中央値を有する。気孔率は、膜内の粒界の周囲の空隙率として説明できる。
一実施形態では、導電性金属酸化物膜は、塩素ドープ酸化スズ、フッ素および塩素をドープした酸化スズ、フッ素ドープ酸化スズ、カドミウムドープ酸化スズ、チタンドープ酸化スズ、インジウムドープ酸化スズ、アルミニウムドープ酸化スズ、ニオブドープ酸化スズ、タンタルドープ酸化スズ、バナジウムドープ酸化スズ、リンドープ酸化スズ、亜鉛ドープ酸化スズ、マグネシウムドープ酸化スズ、マンガンドープ酸化スズ、銅ドープ酸化スズ、コバルトドープ酸化スズ、ニッケルドープ酸化スズ、アルミニウムドープ酸化亜鉛、酸化亜鉛、またはそれらの組み合わせを含む。
一実施形態では、導電性金属酸化物膜は、3マイクロメートル以下(例えば、2マイクロメートル以下、1マイクロメートル以下、500ナノメートル以下、100ナノメートル以下、50ナノメートル以下)の厚さを有する。別の実施形態では、膜は、10ナノメートル〜1000ナノメートルの範囲内(例えば、10ナノメートル〜500ナノメートル)の厚さを有する。
幾つかの実施形態では、導電性金属酸化物膜は透明である。幾つかの実施形態では、導電性膜は、55パーセント以下(例えば、50パーセント以下、40パーセント以下)のヘイズ値を有する。導電性膜は、0より大きく55パーセントまでのヘイズ値を有し且つ高い透過率値を維持し得る。導電性金属酸化物膜は、可視スペクトルにおいて75%以上の透過率値を有し得る。
光起電装置、ディスプレイ装置、または有機発光ダイオードは、本発明の幾つかの実施形態に係る物品を含み得る。
一実施形態によれば、基板はガラス層を含む。別の実施形態では、基板はガラス基板である。
本明細書に開示される導電性金属酸化物膜は、例えば、金属酸化物前駆体および溶媒を含む溶液を設け、該溶液のエアロゾル液滴を調製し、該エアロゾル液滴を加熱されたガラス基板に塗布し、金属酸化物前駆体を金属酸化物に変換してガラス基板上に金属酸化物膜を形成することによって製造され得る。幾つかの実施形態では、金属酸化物前駆体はハロゲン化金属である。溶液は水を含んでもよく、または、幾つかの場合には溶液は水である。
溶媒が水を含む場合には、加水分解反応が生じ得る。これらの反応では、ハロゲン化金属が水と反応して、それぞれの酸化物に変わる。溶媒がアルコールのみを含む場合には、酸素の存在下で、アルコールが蒸発および/または燃焼する瞬間的な反応が生じ得る。ハロゲン化金属、例えば、塩化スズは、酸化反応において酸素と反応し、それぞれの酸化物を形成する。一実施形態では、酸化物が焼結して導電性金属酸化物膜を形成する。
一実施形態では、金属酸化物前駆体がスズ前駆体である場合には、スズ前駆体は、塩化スズ(SnCl2)、四塩化スズ(SnCl4)、およびそれらの組み合わせから選択される。スズ前駆体の量は、溶液の5〜20重量パーセント(例えば、溶液の13重量パーセント以上)であり得る。
溶液は、ドーパント前駆体を更に含み得る。ドーパント前駆体は、例えば、HF、NH4F、SbCl3、およびそれらの組み合わせから選択され得る。
エアロゾル液滴は、溶液を霧状にすることによって調製され得る。ガス(例えば、アルゴン、ヘリウム、窒素、一酸化炭素、水素含有窒素、および/または酸素)を、アトマイザ内の溶液を通して流すことができる。ガスに加えてまたはガスの代わりに、周囲空気をアトマイザを通して流すこともできる。幾つかの実施形態では、噴霧される溶液の速度は2リットル/分(L/分)〜7L/分(例えば、3L/分)であり得る。一実施形態では、エアロゾル液滴の液滴サイズ中央値は、直径において1マイクロメートル未満である(例えば、10ナノメートル〜999ナノメートル、50ナノメートル〜450ナノメートルの液滴サイズ)。
エアロゾル液滴の噴霧は、アトマイザからエアロゾル液滴を受け取るよう構成され、ガラス基板の近傍に配置された1以上の噴霧器によって行われ得る。
エアロゾル噴霧器の形状は、コーティングされるガラス基板の形状およびコーティングされるガラス基板の面積に応じて任意の形状であり得る。エアロゾル液滴の噴霧は、噴霧器をガラス基板に対して1以上の方向(例えば、三次元デカルト座標系におけるX方向、Y方向、Z方向、またはそれらの組み合わせ)に平行移動させることを含み得る。
エアロゾル液滴の塗布は、エアロゾル液滴を炉内に流すことによって行われ得る。ガラス基板がエアロゾル液滴の流れを受け取って、液滴がガラス基板に付着するように、ガラス基板は炉内に配置され得る。
一実施形態では、基板は、ガラス、セラミック、ガラスセラミック、ポリマー、プラスチック、金属(例えば、ステンレス鋼およびアルミニウム)、またはそれらの組み合わせから選択される材料を含む。一実施形態では、基板は平面状、円形、管状、繊維状、またはそれらの組み合わせである。
一実施形態では、基板は、板ガラス、ガラススライド、テクスチャのあるガラス基板、ガラス球、ガラスキューブ、ガラス管、ハニカム、グラスファイバ、およびそれらの組み合わせから選択される形態である。別の実施形態では、ガラス基板は平面状であり、薄膜光起電装置の表板または基板として用いられ得る。
一実施形態によれば、上記方法は、エアロゾル液滴を300℃〜530℃の温度のガラス基板に塗布することを含む。幾つかの用途では、温度範囲の上端は、ガラス基板の軟化点に依存する。導電性膜は、一般的に、ガラス基板の軟化点より低い温度で塗布される。一実施形態によれば、導電性膜は雰囲気圧力下で形成される。
エアロゾル液滴の輸送中および/または基板への付着中に、エアロゾル液滴中の溶媒の蒸発が生じ得る。幾つかの実施形態では、溶媒の蒸発は、エアロゾル液滴が基板に付着した後に生じ得る。本明細書に開示される方法により、例えば、エアロゾル液滴中におけるハロゲン化金属と溶媒との均一反応、形成されたまたは形成中の酸化物中における溶媒および/またはガスと酸化物との不均一反応、並びに/または、基板表面との酸化物の核の結合および結晶化等といった、幾つかの反応機構が実現され得る。
エアロゾル輸送温度を制御することにより、エアロゾル液滴からの溶媒の蒸発を制御でき、それにより、エアロゾル液滴の平均サイズを制御して、より効率的および/またはより均一に付着させることができる。輸送温度を制御することにより、溶媒とハロゲン化金属との反応、および液滴中の固体の核の形成を高めることができる。
基板を加熱することにより、酸化物の形成のための十分な活性化エネルギーを提供できる。一方、残りの溶媒は加熱された基板から蒸発する。加熱は、付着した小さな粒子を結晶化させてより大きな結晶を形成させるためのエネルギーも提供できる。
溶液は、酸化物の前駆体および/またはドーパントの前駆体を溶媒に溶かすことによって作ることができる。例えば、SnO2系の透明導電性酸化物(TCO)膜を調製するには、Sn前駆体としてSnCl4およびSnCl2が用いられ得る。FおよびSbドーパント前駆体としては、HF、NH4F、SbCl3等が用いられ得る。これらの前駆体の溶媒は水であり得る。溶媒として水を用いると共に、SnO2を作るための前駆体としてSnCl2またはSnCl4を用いる場合には、SnCl2またはSnCl4は水によって加水分解され、この反応は溶液中、液滴中、および付着した表面上で生じる。生じたHClは、水によるSnの完全な酸化を高める。付着プロセスにおいて、SnO2格子にドーパント(例えばFおよびSb)が加えられ得る。Sn上の残りのClも、格子中に留まってClドープを構成し得る。
エアロゾル液滴の付着中、以下の加水分解反応が生じた。
ClもSnO2格子にドーピングした。溶液中に、HF、NH4FまたはSbCl3(FまたはSb)等の他のドーパントが同時に存在する場合には、それらのドーパントもSnO2格子に組み込むことができる。このドーピングは、安定な導電性金属酸化物膜を形成するための一助となる。
導電性膜の形成後、導電性膜は熱処理され得る。熱処理は、空気中において250℃未満(例えば150℃〜250℃、例えば200℃)の範囲の温度で行われ得る。熱処理は、例えば、250℃を越えるより高い熱処理温度(例えば、400℃)を可能にし得る不活性雰囲気中(例えば、窒素中)で行われ得る。
導電性膜の導電性は、後処理として熱処理を行うことにより更に向上され得る。この熱処理によって、粒界および粒子表面から吸着物を除去でき、トラップされた自由電子を解放する。処理が空気中で行われる場合には、後処理温度はSnO2の酸化温度より低い温度にすべきである。
別の実施形態は光起電装置であり、その特徴300が図3に示されている。光起電装置は、基板10と、基板に隣接した導電性金属酸化物膜12と、導電性金属酸化物膜に隣接した活性光起電媒体16とを備え、導電性金属酸化物膜は35以上の電子移動度(cm2/V−s)を有する。一実施形態では、導電性金属酸化物膜は、40以上(例えば、45以上、50以上、55以上)の電子移動度(cm2/V−s)を有する。別の実施形態では、導電性金属酸化物膜は、35〜60の範囲内の電子移動度(cm2/V−s)を有する。
一実施形態によれば、活性光起電媒体は、導電性金属酸化物膜と物理的に接触している。
別の実施形態では、光起電装置は、活性光起電媒体の導電性金属酸化物膜とは反対側の表面に配置された対電極18を更に備える。一実施形態では、対電極は活性光起電媒体と物理的に接触している。
活性光起電媒体は、複数の層(例えば、非晶質シリコン層および微晶質シリコン層)を含み得る。
一実施形態では、活性光起電媒体は、テルル化カドミウム、二セレン化銅インジウムガリウム、非晶質シリコン、結晶シリコン、微晶質シリコン、またはそれらの組み合わせを含む。
一実施形態では、基板はガラスである。
別の実施形態では、基板は平面状である。一実施形態では、基板は平面状板ガラスである。
一実施形態では、導電性金属酸化物膜は、9.00×1020以上のキャリア濃度(1/cm3)を有する。
一実施形態では、導電性金属酸化物膜は、5パーセント以上(例えば、5〜20パーセント)の気孔率中央値を有する。気孔率は、膜内の粒界の周囲の空隙率として説明できる。図7は、例示的な膜のSEM画像である。膜46は、FおよびClが共にドープされた酸化スズである。一実施形態では、図7に示されるように、膜の気孔率は、基板と膜との界面44におけるより高い相対的気孔率から、より密度の高い膜の中間部42におけるより低い気孔率へと、更に膜の表面40におけるより高い相対的気孔率へと変化し得る。
幾つかの実施形態では、導電性金属酸化物膜は透明である。幾つかの実施形態では、導電性膜は、55パーセント以下(例えば、50パーセント以下、40パーセント以下)のヘイズ値を有する。導電性膜は、0より大きく55パーセントまでのヘイズ値を有し且つ高い透過率値を維持し得る。導電性金属酸化物膜は、可視スペクトルにおいて75%以上の透過率値を有し得る。
一実施形態では、活性光起電媒体は導電性金属酸化物膜と物理的に接触している。
一実施形態によれば、上記装置は対電極を更に備え、対電極は活性光起電媒体と物理的に接触し、活性光起電媒体の導電性金属酸化物膜とは反対側の表面に配置される。
一実施形態によれば、導電性金属酸化物膜は、塩素ドープ酸化スズ、フッ素および塩素をドープした酸化スズ、フッ素ドープ酸化スズ、カドミウムドープ酸化スズ、チタンドープ酸化スズ、インジウムドープ酸化スズ、アルミニウムドープ酸化スズ、ニオブドープ酸化スズ、タンタルドープ酸化スズ、バナジウムドープ酸化スズ、リンドープ酸化スズ、亜鉛ドープ酸化スズ、マグネシウムドープ酸化スズ、マンガンドープ酸化スズ、銅ドープ酸化スズ、コバルトドープ酸化スズ、ニッケルドープ酸化スズ、アルミニウムドープ酸化亜鉛、酸化亜鉛、またはそれらの組み合わせを含む。
2通りの濃度(一方が0.27M、他方が0.6M)のSnCl4水溶液を調製した。フッ素ドープのためにフッ化水素酸(HF)を添加し、F/Sn原子比は60:40であった。エアロゾル生成のために、TSI6ジェットアトマイザを2つのジェットを開いて用いた。エアロゾル生成のためおよびキャリアガスとして窒素(N2)を用いた。エアロゾル生成およびキャリアガスの目的でN2圧を30psi(206.9kPa)に設定した。生成したエアロゾル液滴の直径は0.4〜4マイクロメートルであった。350℃〜600℃の範囲の異なる温度で15分間にわたりFTO膜を付着させた。0.27M溶液を用いて作られた膜20の断面のSEM画像が図1A〜図1Cに示されている。付着温度はそれぞれ360℃、380℃、および530℃であった。0.6M溶液を用いて作られた膜20の断面のSEM画像が図2A〜図2Bに示されている。付着温度はそれぞれ380℃、および530℃であった。例示的な膜20の断面のSEM画像が図2Cに示されている。図2Dは、例示的な膜20の上から見たSEM画像である。これらの2つの図面は、一実施形態に係るFTO膜上に付着された非晶質シリコン膜を示している。
図1A〜図1Cに示されるように、0.27MのSnCl4溶液の付着については、膜20の表面粗さは、膜を構成する粒子のサイズに対して一貫性がある。(粒子サイズは付着温度が低いほど小さい)。膜厚は、360℃でコーティングされた200nmから、380℃でコーティングされた250nmまで、コーティング温度と共に増加する。前駆体濃度が高いほど、粒子サイズが大きくなる。
図4は、例示的な物品についての、線22で示される全透過率値および線24で示される拡散透過率値のグラフである。この例の導電性膜は、フッ素ドープ酸化スズである。
図5は、2つの例示的な物品についての、全透過率および拡散透過率の値のグラフである。線26および線32は、1つの例示的な物品の全透過率および拡散透過率の値をそれぞれ示す。線28および線30は、1つの例示的な物品の全透過率および拡散透過率の値をそれぞれ示す。
図6は、例示的な物品の二方向光透過(反射)分布関数(BTDF)のグラフである。
膜の導電性は、シート抵抗として測定された。コーティング温度が高いほど、膜の電気抵抗の増加が見られた。
例示的な物品(例えば、上述のナノ化学液相成長(NCLD)法によって作られたフッ素ドープ酸化スズ(FTO)膜)を用いて、光起電セルのサンプルを作った。サンプルのサイズは1インチ(2.54 センチメートル)×1インチ(2.54 センチメートル)であった。表1に示されている特性が測定された。NCLD−FTOは、高いキャリア濃度において高い電子移動度を有する幾つかの従来入手可能なITO膜よりも有利である可能性を示している。この導電性金属酸化物膜を用いて非晶質シリコンPVセルを作ったところ、量子効率(QE)は7.2%であった。更に、このFTOの抵抗率は約1.7×10−4Ω・cmであり、これは従来入手可能なインジウムドープ酸化スズ(ITO)膜に近い。透過率は、可視スペクトルにおいて80%〜85%の範囲であった。
導電性金属酸化物膜は、部分的に膜の透明性および/または導電性により、光起電装置に有用である。光起電用途では、膜は導電性であるだけでなく、光子エネルギーが光起電装置の活性吸光剤(活性光起電材料)層のバンドギャップよりも高い特定の波長範囲内において透明であることが有利である。
透明導電性酸化物において、電気特性および光学特性は共に、金属の熱特性、並びに電気特性および光学特性を自由電子および結合電子の動きによって説明するドルーデモデルによって記述できる。導電性金属酸化物の導電性およびプラズマ周波数は、それぞれ以下の式によって記述される。
式中、σは導電性であり、ωpはプラズマ周波数であり、m*は電子の有効質量であり、μは自由電子の光学移動度であり、eは電子電荷であり、τは電子の緩和時間であり、Nは自由電子の密度である。
導電性が高く且つ透明性が高い、広い透明性の範囲を有する導電性酸化物については、材料の自由電子はより少なく、電子の有効質量はより重く、自由キャリアの移動度はより高くすべきである。
NCLD法によって作った導電性FドープSnO2膜、ClドープSnO2膜の光学スペクトル、エリプソメトリおよび反射IRスペクトルを測定したところ、そのデータは、ClドープSnO2膜における電子の有効質量が、FドープSnO2膜(約0.28me)より重い約0.34meであることを示唆している。すると、両者の膜の自由電子キャリア密度が同レベルである場合、ClドープSnO2膜のプラズマ周波数は、FドープSnO2膜のプラズマ周波数よりも更に赤外領域へと動く。これにより、ClドープSnO2膜の透明性の範囲はFドープSnO2膜より広くなり得る。
表2は、本明細書に記載したNCLD法によって作られた例示的なClドープSnO2膜、フッ素ドープSnO2膜、並びにフッ素および塩素をドープしたSnO2膜の、電子の有効質量、自由電子の密度、および光学移動度を示している。
可能な限り高い導電性を得ることに関心を持つことがしばしばある。導電性は、以下の式によって定義できる。
式中、qは単一の電子の電荷であり、μは移動度であり、nはキャリア濃度である。移動度を高めることにより、またはキャリア濃度を高めることにより、導電性を高めることができる。しかし、キャリア濃度を高めることは必ずしも容易ではない。更に、キャリア濃度を高めると、材料を通る透過性(特に近IR)が低下し得る。このことは、透過性ができるだけ大きい方が有利な薄膜太陽電池において重要であり得ると同時に、導電性はできるだけ大きい方が、透明な導電性酸化物が太陽電池の電力変換効率を劣化させ得る大きな直列抵抗を持たないことが確実になるので、有利である。従って、移動度はできるだけ大きい方が有利である。
表3は、例示的な膜であるサンプル1〜サンプル10の移動度を示している。これらの例示的な膜は、フッ素ドープ酸化スズ膜であった。
移動度およびキャリア密度の測定値は、一般的なホール測定システムを用いて得たものである。磁界の強さは0.2テスラであり、ファン・デル・ポー形状を用いた。測定は室温で行った。単一のホール散乱因子を仮定した。一般的に、ホール散乱因子は1〜2の間で変化し、材料中の散乱機構に依存する。ホール散乱因子が単一であると仮定して、ホール移動度を報告することは一般的である。
本発明の範囲および精神から逸脱することなく本発明に様々な修正や変更がなされ得ることは、当業者には自明である。従って、本発明は、添付の特許請求の範囲およびその均等物に含まれる本発明の修正や変更を網羅することが意図される。
10 基板
12 導電性金属酸化物膜
16 活性光起電媒体
18 対電極
300 光起電装置
12 導電性金属酸化物膜
16 活性光起電媒体
18 対電極
300 光起電装置
Claims (10)
- 基板と、
前記基板の表面に隣接した、35以上の電子移動度(cm2/V−s)を有する導電性金属酸化物膜と、
を備えることを特徴とする物品。 - 前記導電性金属酸化物膜が、9.00×1020以上のキャリア濃度(1/cm3)を有することを特徴とする請求項1記載の物品。
- 前記導電性金属酸化物膜が、5パーセント以上の気孔率中央値を有することを特徴とする請求項1記載の物品。
- 前記導電性金属酸化物膜が、可視スペクトルにおいて75%以上の透過率を有することを特徴とする請求項1記載の物品。
- 請求項1記載の物品を含むことを特徴とする光起電装置、ディスプレイ装置または有機発光ダイオード。
- 基板と、
前記基板の表面に隣接した、35以上の電子移動度(cm2/V−s)を有する導電性金属酸化物膜と、
前記導電性金属酸化物膜に隣接した活性光起電媒体と、
を備えることを特徴とする光起電装置。 - 前記基板がガラスであることを特徴とする請求項6記載の装置。
- 前記導電性金属酸化物膜が、9.00×1020以上のキャリア濃度(1/cm3)を有することを特徴とする請求項6記載の装置。
- 前記導電性金属酸化物膜が、可視スペクトルにおいて75%以上の透過率を有することを特徴とする請求項6記載の装置。
- 前記導電性金属酸化物膜が、5パーセント以上の気孔率中央値を有することを特徴とする請求項6記載の装置。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US25558309P | 2009-10-28 | 2009-10-28 | |
US61/255,583 | 2009-10-28 | ||
US12/887,761 US20110094577A1 (en) | 2009-10-28 | 2010-09-22 | Conductive metal oxide films and photovoltaic devices |
US12/887,761 | 2010-09-22 | ||
PCT/US2010/054093 WO2011056570A2 (en) | 2009-10-28 | 2010-10-26 | Conductive metal oxide films and photovoltaic devices |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013509352A true JP2013509352A (ja) | 2013-03-14 |
Family
ID=43897355
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012536949A Withdrawn JP2013509352A (ja) | 2009-10-28 | 2010-10-26 | 導電性金属酸化物膜および光起電装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110094577A1 (ja) |
EP (1) | EP2494093A2 (ja) |
JP (1) | JP2013509352A (ja) |
KR (1) | KR20120087958A (ja) |
CN (1) | CN102892923A (ja) |
TW (1) | TW201131790A (ja) |
WO (1) | WO2011056570A2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017511587A (ja) * | 2014-04-16 | 2017-04-20 | メルク パテント ゲーエムベーハー | 混合金属酸化物の多孔質薄層をもつ電子素子 |
JP2018509766A (ja) * | 2015-03-12 | 2018-04-05 | ビトロ、エセ.ア.ベ. デ セ.ウベ. | 光電子素子及びその製造方法 |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10060180B2 (en) | 2010-01-16 | 2018-08-28 | Cardinal Cg Company | Flash-treated indium tin oxide coatings, production methods, and insulating glass unit transparent conductive coating technology |
US10000411B2 (en) | 2010-01-16 | 2018-06-19 | Cardinal Cg Company | Insulating glass unit transparent conductivity and low emissivity coating technology |
US10000965B2 (en) | 2010-01-16 | 2018-06-19 | Cardinal Cg Company | Insulating glass unit transparent conductive coating technology |
EP2646895B1 (en) * | 2010-11-30 | 2017-01-04 | Corning Incorporated | Display device with light diffusive glass panel |
US9052456B2 (en) * | 2013-03-12 | 2015-06-09 | Intermolecular, Inc. | Low-E glazing performance by seed structure optimization |
KR101359681B1 (ko) * | 2012-08-13 | 2014-02-07 | 삼성코닝정밀소재 주식회사 | 금속산화물 박막 기판, 그 제조방법, 이를 포함하는 광전지 및 유기발광소자 |
US20140170422A1 (en) * | 2012-12-14 | 2014-06-19 | Intermolecular Inc. | Low emissivity coating with optimal base layer material and layer stack |
EP2932268A4 (en) | 2012-12-17 | 2016-10-19 | Leukodx Ltd | SYSTEMS AND METHOD FOR RECOGNIZING A BIOLOGICAL CONDITION |
US10610861B2 (en) | 2012-12-17 | 2020-04-07 | Accellix Ltd. | Systems, compositions and methods for detecting a biological condition |
TWI579240B (zh) * | 2012-12-28 | 2017-04-21 | 財團法人工業技術研究院 | 氧化錫膜及其製造方法 |
CN104736740B (zh) * | 2012-12-28 | 2016-10-19 | 财团法人工业技术研究院 | 氧化锡膜及其制造方法 |
JP6234128B2 (ja) * | 2013-09-11 | 2017-11-22 | 株式会社マキタ | 電動工具 |
EP3188908B1 (en) * | 2014-09-04 | 2019-12-04 | BYD Company Limited | Polymer product, method for selectively metallizing polymer substrate |
CN107533883B (zh) * | 2015-09-30 | 2021-09-28 | 积水化学工业株式会社 | 透光性导电膜、及经退火处理的透光性导电膜的制造方法 |
US11028012B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-06-08 | Cardinal Cg Company | Low solar heat gain coatings, laminated glass assemblies, and methods of producing same |
WO2021141812A1 (en) * | 2020-01-10 | 2021-07-15 | Cardinal Cg Company | Alloy oxide overcoat indium tin oxide coatings, coated glazings, and production methods |
CN111705306A (zh) * | 2020-07-21 | 2020-09-25 | 深圳扑浪创新科技有限公司 | 一种锌掺杂氧化锡透明导电薄膜及其制备方法和用途 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001036103A (ja) * | 1999-07-15 | 2001-02-09 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | アモルファスシリコン系薄膜光電変換装置 |
WO2002091483A2 (en) * | 2001-05-08 | 2002-11-14 | Bp Corporation North America Inc. | Improved photovoltaic device |
WO2003036657A1 (fr) * | 2001-10-19 | 2003-05-01 | Asahi Glass Company, Limited | Substrat a couche d'oxyde conductrice transparente, son procede de production et element de conversion photoelectrique |
JP4607767B2 (ja) * | 2003-08-29 | 2011-01-05 | 独立行政法人科学技術振興機構 | Ito薄膜およびその製造方法 |
AR069169A1 (es) * | 2007-11-02 | 2010-01-06 | Agc Flat Glass Europe Sa | Metodo para fabricar un recubrimiento transparente de un oxido conductor para aplicaciones fotovoltaicas en peliculas finas |
DE102008058040A1 (de) * | 2008-11-18 | 2010-05-27 | Evonik Degussa Gmbh | Formulierungen enthaltend ein Gemisch von ZnO-Cubanen und sie einsetzendes Verfahren zur Herstellung halbleitender ZnO-Schichten |
-
2010
- 2010-09-22 US US12/887,761 patent/US20110094577A1/en not_active Abandoned
- 2010-10-21 TW TW099135862A patent/TW201131790A/zh unknown
- 2010-10-26 KR KR1020127013335A patent/KR20120087958A/ko not_active Application Discontinuation
- 2010-10-26 EP EP10773215A patent/EP2494093A2/en not_active Withdrawn
- 2010-10-26 CN CN2010800498093A patent/CN102892923A/zh active Pending
- 2010-10-26 WO PCT/US2010/054093 patent/WO2011056570A2/en active Application Filing
- 2010-10-26 JP JP2012536949A patent/JP2013509352A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017511587A (ja) * | 2014-04-16 | 2017-04-20 | メルク パテント ゲーエムベーハー | 混合金属酸化物の多孔質薄層をもつ電子素子 |
JP2018509766A (ja) * | 2015-03-12 | 2018-04-05 | ビトロ、エセ.ア.ベ. デ セ.ウベ. | 光電子素子及びその製造方法 |
US10672920B2 (en) | 2015-03-12 | 2020-06-02 | Vitro Flat Glass Llc | Article with buffer layer |
US10672921B2 (en) | 2015-03-12 | 2020-06-02 | Vitro Flat Glass Llc | Article with transparent conductive layer and method of making the same |
US10680123B2 (en) | 2015-03-12 | 2020-06-09 | Vitro Flat Glass Llc | Article with transparent conductive oxide coating |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2494093A2 (en) | 2012-09-05 |
US20110094577A1 (en) | 2011-04-28 |
WO2011056570A2 (en) | 2011-05-12 |
KR20120087958A (ko) | 2012-08-07 |
TW201131790A (en) | 2011-09-16 |
WO2011056570A3 (en) | 2012-10-26 |
CN102892923A (zh) | 2013-01-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2013509352A (ja) | 導電性金属酸化物膜および光起電装置 | |
Bedia et al. | Morphological and optical properties of ZnO thin films prepared by spray pyrolysis on glass substrates at various temperatures for integration in solar cell | |
Koo et al. | Improvement of transparent conducting performance on oxygen-activated fluorine-doped tin oxide electrodes formed by horizontal ultrasonic spray pyrolysis deposition | |
US9694422B2 (en) | Deposition and post-processing techniques for transparent conductive films | |
US7846562B2 (en) | Transparent substrate with transparent conductive film, method of manufacturing the same, and photoelectric conversion element including the substrate | |
US20130309613A1 (en) | Liquid Based Films | |
CN104505149A (zh) | 一种叠层透明电极及其制备方法 | |
TWI440193B (zh) | 太陽能電池裝置 | |
WO2012143707A1 (en) | Method for coating substrates | |
KR20110089354A (ko) | 유리 상에 도전성 필름 형성 | |
TWI381537B (zh) | 太陽能電池裝置及其製造方法 | |
WO2006098185A1 (ja) | 薄膜光電変換装置用基板の製造方法、及び薄膜光電変換装置 | |
WO2014061612A1 (ja) | 導電性薄膜付きガラス基板、薄膜太陽電池、低放射ガラス基板、導電性薄膜付きガラス基板の製造方法 | |
US8337943B2 (en) | Nano-whisker growth and films | |
KR101135792B1 (ko) | 이중막 구조의 fto제조방법 | |
JPWO2008117605A1 (ja) | 大面積透明導電膜およびその製造方法 | |
EP2502246A1 (en) | Dye sensitized solar cells and methods of making | |
Mohd Napi et al. | Surface morphology and electrical properties of FTO (fluorine doped tin oxide) with different precursor solution for transparent conducting oxide | |
KR101337967B1 (ko) | 굽힘 가공성을 가지는 저저항 고투과율 fto 투명전도막 제조 방법 | |
Awodugba et al. | Effects of Water Concentration on the Structural and Optical Properties of FTO Thin Films Grown by Home made SISOM’S SPEED technique | |
CN101244894A (zh) | 优质氧化锡的形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20140107 |