KR20110047308A - 산화인듐주석 스퍼터링 타겟 및 이를 이용하여 제조되는 투명전도막 - Google Patents

산화인듐주석 스퍼터링 타겟 및 이를 이용하여 제조되는 투명전도막 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 산화인듐(In2O3), 산화주석(SnO2) 및 갈륨을 포함하되, 주석원자의 함유율이 인듐원자 및 주석원자의 합계 대비 5 내지 15원자%이고, 갈륨원자의 함유율이 인듐원자, 주석원자 및 갈륨원자의 합계 대비 0.5 내지 7원자%인 것을 특징으로 하는 산화인듐주석 스퍼터링 타겟을 제공한다. 또한, 본 발명은 상기 스퍼터링 타겟을 스퍼터링하여 투명전도막을 증착하는 것을 특징으로 하는 산화인듐주석 투명전도막 제조방법을 제공한다. 제1온도에서 스퍼터링하여 비정질 투명전도막을 증착하고, 증착된 비정질 투명전도막을 약산으로 에칭하여 패터닝한 후, 패터닝된 비정질 투명전도막을 상기 제1온도보다 높은 제2온도 하에서 결정화시켜 고내구성의 산화인듐주석 투명전도막을 제조할 수 있다. 또한, 본 발명은, 결정화 온도가 150 내지 210℃ 또는 170 내지 210℃인 것을 특징으로 하는 산화인듐주석 투명전도막을 제공한다. 또한, 본 발명은 상기 산화인듐주석 투명전도막을 투명전극으로 갖는 것을 특징으로 하는 액정표시장치를 제공한다.

Description

산화인듐주석 스퍼터링 타겟 및 이를 이용하여 제조되는 투명전도막{INDIUM TIN OXIDE SPUTTERING TARGET AND TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM}
본 발명은 산화인듐주석 스퍼터링 타겟 및 이를 이용하여 제조되는 투명전도막에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 광학적, 전기적 특성이 우수하면서도, 에칭 가공성이 우수한 투명전도막 및 이를 얻기 위한 산화인듐주석 스퍼터링 타겟에 관한 것이다.
일반적으로 LCD, PDP, ELD, 등의 평면 디스플레이나 태양전지의 전극 재료로 사용되는 투명전도막으로는 산화인듐에 주석을 도핑한 산화인듐주석(ITO)막이 광범위하게 사용되고 있다. ITO막은 투명성, 전도성, 등이 우수할 뿐만 아니라, 에칭 가공이 가능하고 기판과의 밀착성이 우수한 이점이 있다.
ITO막은 성막 후 회로 패턴의 형성시, 강산, 왕수, 등으로 에칭 가공되나, 박막형 트랜지스터의 배선재료인 알루미늄이 부식될 우려가 큰 문제점이 있다. 이에, 상기 배선 재료에 악영향을 끼치지 않고 에칭 가공을 수행할 수 있는 투명전도막의 개발이 요구되고 있다.
이러한 요구에 따라, 에칭 특성이 우수한 비정질 ITO막을 형성하는 방안이 제안되었다. 성막시에 저온 분위기에서 투입가스에 수소나 물을 같이 투입하여 비정질 ITO막을 성막하고, 이 비정질 ITO막을 약산에 에칭하여 패터닝 특성을 향상시키고 하부 배선의 침식을 방지하는 것이 가능하게 되었다. 그러나, 이러한 방법은 스퍼터링 시에 투입된 수소 또는 물로 인하여 이상 방전이 야기되어 ITO 타겟 상에 노듈(Nodule)이라고 불리는 이상 돌기를 발생시키고, 막에 국부적인 고저항을 야기하는 불순물 응집체의 형성을 유발시키는 문제점을 가지고 있었다. 이 밖에도 기판과의 밀착성 저하, 접촉저항 증가, 에칭 후 잔사 문제, 등이 보고되고 있다.
또 다른 방안으로, 비정질막 형성용 타겟 재료로서 산화인듐아연(IZO)이 고안되어 있는데, 이 재료는 ITO 대비 비저항과 투과율 특성이 좋지 않으며 고가의 재료로 알려져 있다. 게다가 산화인듐아연은 알루미늄의 에칭제에서도 용해하는 성질이 있기 때문에, 투명 전극 상에 반사 전극을 구비하는 구성을 채용하는 경우에는 사용이 곤란한 한계가 있었다.
본 발명은 상기와 같은 배경하에서 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 에칭 가공성이 우수하여 하부 재료 및 기타 물질의 침식을 발생시키지 않고 잔사 등의 제반 문제를 야기시키지 않는 투명전도막과 이를 형성할 수 있는 스퍼터링 타겟을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명은 비저항이 낮고 투과율이 높아 우수한 전기적 및 광학적 특성을 나타내는 산화인듐주석 투명전도막 및 이를 형성할 수 있는 스퍼터링 타겟을 제공하는데 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 산화인듐(In2O3), 산화주석(SnO2) 및 갈륨을 포함하되, 주석원자의 함유율이 인듐원자 및 주석원자의 합계 대비 5 내지 15원자%이고, 갈륨원자의 함유율이 인듐원자, 주석원자 및 갈륨원자의 합계 대비 0.5 내지 7원자%인 것을 특징으로 하는 산화인듐주석 스퍼터링 타겟을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 스퍼터링 타겟을 스퍼터링하여 투명전도막을 증착하는 것을 특징으로 하는 산화인듐주석 투명전도막 제조방법을 제공한다. 제1온도에서 스퍼터링하여 비정질 투명전도막을 증착하고, 증착된 비정질 투명전도막을 약산으로 에칭하여 패터닝한 후, 패터닝된 비정질 투명전도막을 상기 제1온도보다 높은 제2온도 하에서 결정화시켜 고내구성의 산화인듐주석 투명전도막을 제조할 수 있다.
또한, 본 발명은, 결정화 온도가 150 내지 210℃ 또는 170 내지 210℃인 것을 특징으로 하는 산화인듐주석 투명전도막을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 산화인듐주석 투명전도막을 투명전극으로 갖는 것을 특징으로 하는 액정표시장치를 제공한다.
상기한 구성에 따르면, 본 발명의 투명전도막은 약산에서 에칭이 가능하여, 종래의 타겟에서 강산 에칭에 의해 일어날 수 밖에 없었던 하부 배선의 침식 발생 및 에칭 후 잔사의 발생을 방지할 수 잇다. 또한 본 발명의 투명전도막은 비저항이 낮고 광투과율이 우수하다.
LCD의 TFT-array 공정중 에칭공정까지는 비정질막을 유지하여 에칭성이 우수한 특성을 나타내며, 후공정의 열처리를 통해 결정화되면서 저저항, 고내구성을 가지게 된다. 따라서 본 발명의 투명전도막은 고내구성, 저저항이 요구되는 액정 표시소자 등의 각종 표시장치의 투명전극으로 사용될 수 있다.
본 발명의 산화인듐주석 스퍼터링 타겟는, 산화인듐(In2O3), 산화주석(SnO2) 및 갈륨을 포함한다.
주석원자의 함유율은 바람직하게는 인듐원자 및 주석원자의 합계 대비 5 ~ 15 원자%이고, 더욱 바람직하게는 7 ~ 10 원자%이고, 더더욱 바람직하게는 9 ~ 10 원자%이다.
갈륨은 갈륨 또는 갈륨 화합물(예컨대 갈륨 산화물)의 형태로 산화인듐주석에 도핑되는데, 이때, 갈륨원자의 함유율은 바람직하게는 인듐원자, 주석원자 및 갈륨원자의 합계 대비 0.5 내지 7원자%이고, 더욱 바람직하게는 3 ~ 6.5 원자%이다.
일 실시예에 따르면, 본 발명의 스퍼터링 타겟은 슬러리 혼합물을 준비하는 단계, 슬러리 혼합물을 습식 밀링하고 건조하여 과립분말을 만드는 단계, 과립분말을 성형하여 성형체를 만드는 단계 및 성형체를 소결하는 단계를 통하여 제조될 수 있다.
상기 스퍼터링 타겟을 사용하여 증착된 투명전도막은 비정질 상태에서 에칭성이 우수하고, 바람직하게는 150 ~ 210℃ 또는 170 ~ 210℃의 온도구간에서 비정질에서 결정질로 상변화가 발생하여 도메인 구조가 형성되는 특징을 갖는다. 즉, 본 발명의 투명전도막의 결정화 온도는 150 ~ 210℃ 또는 170 ~ 210℃인 것이 바람직하다.
[실시예]
본 실시예의 스퍼터링 타겟은 산화인듐, 산화주석 및 갈륨으로 이루어진 스퍼터링 타겟으로서, 주석원자의 함유율이 인듐원자 및 주석원자의 합계 대비 9원자%이고, 갈륨원자의 함유율이 인듐원자, 주석원자 및 갈륨원자의 합계 대비 3 ~ 6원자%인 스퍼터링 타겟이다.
상기 스퍼터링 타겟을 DC 마그네트론 스퍼터링 장치에 장착하여, 유리기판 상에 투명전도막을 형성시켰다. 이때의 스퍼터링 조건은 아르곤 가스에 소량의 산소 가스를 혼입한 혼합가스의 분위기 하에서 기판온도 100℃에서 진행하였다. 그 결과 약 800Å의 두께를 가지는 투명전도막을 얻을 수 있었다.
실시예 2를 도 1에서와 같이 XRD 분석한 결과 결정성 peak가 나타나지 않았다.
또한 기판온도 100℃에서 증착한 박막을 각각 대기중에서 170℃, 210℃로 열처리하였다. 그 결과 170℃에서 열처리한 박막에서는 결정성 peak가 나타나지 않은 반면에 210℃에서 열처리한 박막에서는 결정성 peak가 관찰되었으며, 이때의 박막 비저항은 2.6×10-4Ω㎝로 측정되었다.
[비교예 1]
비교예 1의 스퍼터링 타겟은 산화인듐 및 산화주석으로 이루어진 스퍼터링 타겟으로서, 주석원자의 함유율이 인듐원자 및 주석원자의 합계 대비 9원자%인 스퍼터링 타겟이다.
전술한 실시예와 동일한 조건으로 투명전도막을 제조 및 열처리하였다. 이를 도 2에서와 같이 XRD 분석한 결과 170℃ 및 210℃ 열처리한 박막뿐 아니라 100℃에서 증착한 박막에서도 결정성 peak가 관찰되었다.
[비교예 2]
비교예 2의 스퍼터링 타겟은 산화인듐 및 산화아연으로 이루어진 스퍼터링 타겟으로서, 아연원자의 함유율이 인듐원자 및 아연원자의 합계 대비 17원자%인 스퍼터링 타겟이다.
전술한 실시예와 동일한 조건으로 투명전도막을 제조 및 열처리하였다. 이를 도 3에서와 같이 XRD 분석한 결과 170℃ 및 210℃ 열처리한 박막뿐 아니라 100℃에서 증착한 박막에서도 결정성 peak가 전혀 관찰되지 않은 것을 확인할 수 있었다.
아래 표 1은 상기 실시예 및 비교예의 광투과율, 비저항 및 막결정화 온도를 측정한 결과를 보여준다.
dopant 종류 및 함량 (at%) 광투과율(%) 비저항(×10-4Ω·㎝)
 막결정화
온도
(℃)
100℃ 성막 210℃ 열처리 100℃ 성막 210℃ 열처리
실시예 1 Ga 3.5 81.3 86.5 9.64E-04 2.82E-04 170℃~ 210℃

실시예 2		 Ga 4 81.7 86.3 9.42E-04 2.65E-04 170℃~ 210℃

실시예 3		 Ga 4.5 80.8 86.1 9.71E-04 2.83E-04 170℃~ 210℃

비교예 1		 없음 84.4 87.1 4.94E-04 2.79E-04 100℃ 이하

비교예 2		 없음 84.2 84.2 3.50E-04 3.45E-04 210℃ 이상
실시예와 대비하여 비교예 1의 ITO 투명전도막은 막결정화 온도가 매우 낮아 에칭성이 불량한 결과를 보여준다. 또한, 비교예 2의 IZO 투명전도막은 막결정화 온도가 낮지는 않으나 광투과율 및 비저항 특성이 좋지 못한 결과를 보여준다.
반면 본 발명의 실시예에 따른 투명전도막은, 210℃ 열처리를 행한 경우 100℃에서 성막된 투명전도막에 비하여 광투과율은 향상되고 비저항은 낮아짐을 알 수 있다.
본 발명에 의한 스퍼터링 타겟을 이용하여 제작된 투명전도막은 다양한 분야에서 활용될 수 있으나, 특히 액정표시장치의 투명전극으로 사용되기에 적합한 특성을 보여준다.
도 4는 산화인듐주석 스퍼터링 타겟의 갈륨의 함유율에 따른 제조된 투명전도막의 비저항의 변화를 보여주는 도면이고, 도 5는 갈륨의 함유율이 3원자%인 타겟으로부터 제조된 투명전도막의 XRD 분석 결과를 보여주는 도면이며, 도 6은 갈륨의 함유율이 6.5원자%인 타겟으로부터 제조된 투명전도막의 XRD 분석 결과를 보여주는 도면이다.
도시한 바와 같이, 갈륨 함유율이 3원자% 미만인 경우에는 결정화 온도가 170℃ 이하로 낮아져 170℃에서도 결정성 피크가 검출되며(도 5), 갈륨 함유율이 6.5원자%를 초과하는 경우, 210℃에서도 결정화가 되지 않아(도 6) 높은 비저항 값을 가짐을 알 수 있다.
일반적으로 액정표시장치는 도 7에 도시한 바와 같이, TFT 어레이 공정 및 컬러필터 공정과 액정 공정과 모듈 공정을 거쳐 제조된다.
TFT 어레이 공정에서는 투명전극의 증착 및 패터닝이 이루어지는데, 통상적으로 150℃ 미만 또는 170℃ 미만에서 TFT 어레이 공정이 이루어진다. TFT 어레이 기판 및 컬러필터 기판의 제작이 완료되면, 계속해서 액정공정과 같은 후공정이 이루어지는데, 통상적으로 후공정은 150 ~ 210℃ 또는 170 ~ 210℃에서 적어도 공정 일부가 수행된다.
따라서, 상기 TFT 어레이 공정이 수행되는 온도를 제1온도(예컨대, 170℃ 미만)라 하고, 후공정이 수행되는 온도를 제2온도(예컨대, 170 ~ 210℃)라 할 때, 제1온도에서는 투명전극이 비정질 상태를 유지하고, 제2온도에서 비로소 결정질 상태로 상변화가 된다면 패터닝 가공성, 광학적 특성, 전기적 특성, 등에서 매우 이점을 가질 수 있다.
즉, TFT 어레이 공정에서는 비정질 상태를 유지하여 에칭 가공성을 극대화시키고, 에칭이 완료된 후공정에서는 결정질 상태로 상변화를 야기시켜, 광투과성, 전도성 및 내구성을 극대화시킬 수 있게 된다.
구체적으로 살펴보면, 제1온도에서 스퍼터링하여 비정질 투명전도막을 증착한 후, 증착된 비정질 투명전도막을 약산으로 에칭하여 패터닝함으로써 TFT 어레이 기판을 제조하고, 계속되는 후공정에서 패터닝된 비정질 투명전도막이 상기 제1온도보다 높은 제2온도 하에서 결정화된다.
액정표시장치의 제조 공정에서는 제2온도가 전술한 후공정으로부터 얻어질 수 있지만, 실시예에 따라서는 결정화만을 위한 별도의 열처리를 수행할 수도 있음은 물론이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 투명전도막의 XRD 분석 결과를 보여주는 도면이다.
도 2는 비교예 1의 투명전도막의 XRD 분석 결과를 보여주는 도면이다.
도 3은 비교예 2의 투명전도막의 XRD 분석 결과를 보여주는 도면이다.
도 4는 산화인듐주석 스퍼터링 타겟의 갈륨의 함유율에 따른 제조된 투명전도막의 비저항의 변화를 보여주는 도면이다.
도 5는 갈륨의 함유율이 3원자%인 타겟으로부터 제조된 투명전도막의 XRD 분석 결과를 보여주는 도면이다.
도 6은 갈륨의 함유율이 6.5원자%인 타겟으로부터 제조된 투명전도막의 XRD 분석 결과를 보여주는 도면이다.
도 7은 본 발명의 투명전도막을 투명전극으로 갖는 액정표시장치의 제조 공정을 개략적으로 보여주는 도면이다.

Claims (13)

  1. 산화인듐(In2O3), 산화주석(SnO2) 및 갈륨을 포함하되,
    주석원자의 함유율이 인듐원자 및 주석원자의 합계 대비 5 내지 15원자%이고,
    갈륨원자의 함유율이 인듐원자, 주석원자 및 갈륨원자의 합계 대비 0.5 내지 7원자%인 것을 특징으로 하는 산화인듐주석 스퍼터링 타겟.
  2. 제1항에 있어서,
    주석원자의 함유율이 인듐원자 및 주석원자의 합계 대비 7 내지 10원자%인 것을 특징으로 하는 산화인듐주석 스퍼터링 타겟.
  3. 제2항에 있어서,
    주석원자의 함유율이 인듐원자 및 주석원자의 합계 대비 9 내지 10원자%인 것을 특징으로 하는 산화인듐주석 스퍼터링 타겟.
  4. 제1항에 있어서,
    갈륨원자의 함유율이 인듐원자, 주석원자 및 갈륨원자의 합계 대비 3 내지 6.5원자%인 것을 특징으로 하는 산화인듐주석 스퍼터링 타겟.
  5. 제1항에 있어서,
    액정표시장치의 투명전극 증착용 스퍼터링 타겟인 것을 특징으로 하는 산화인듐주석 스퍼터링 타겟.
  6. 제1항의 스퍼터링 타겟을 스퍼터링하여 투명전도막을 증착하는 것을 특징으로 하는 산화인듐주석 투명전도막 제조방법.
  7. 제6항에 있어서,
    제1온도에서 스퍼터링하여 비정질 투명전도막을 증착하는 것을 특징으로 하는 산화인듐주석 투명전도막 제조방법.
  8. 제7항에 있어서,
    증착된 비정질 투명전도막을 약산으로 에칭하여 패터닝하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화인듐주석 투명전도막 제조방법.
  9. 제8항에 있어서,
    패터닝된 비정질 투명전도막이 상기 제1온도보다 높은 제2온도 하에서 결정화되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화인듐주석 투명전도막 제조방법.
  10. 제1항의 스퍼터링 타겟을 스퍼터링하여 증착되되,
    결정화 온도가 150 내지 210℃인 것을 특징으로 하는 산화인듐주석 투명전도막.
  11. 제10항에 있어서,
    결정화 온도가 170 내지 210℃인 것을 특징으로 하는 산화인듐주석 투명전도막.
  12. 제10항에 있어서,
    액정표시장치의 투명전극인 것을 특징으로 하는 산화인듐주석 투명전도막.
  13. 제12항의 산화인듐주석 투명전도막을 투명전극으로 갖는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2013027391A1 (ja) * 2011-08-22 2013-02-28 出光興産株式会社 Ｉｎ－Ｇａ－Ｓｎ系酸化物焼結体
CN104508761A (zh) * 2012-05-15 2015-04-08 旭硝子株式会社 导电膜用原料、导电膜层积体、电子设备、以及导电膜用原料和导电膜层积体的制造方法
CN103205708B (zh) * 2013-04-24 2015-07-01 研创应用材料（赣州）有限公司 一种制备新型导电氧化铟靶材及氧化铟薄膜的方法
CN104951169B (zh) * 2015-07-10 2019-03-15 张家港康得新光电材料有限公司 透明导电膜与包含其的电容式触摸屏
CN104951163B (zh) * 2015-07-10 2019-03-15 张家港康得新光电材料有限公司 透明导电膜与包含其的电容式触摸屏
CN104951167B (zh) * 2015-07-10 2019-03-22 张家港康得新光电材料有限公司 透明导电膜与包含其的电容式触摸屏
US11728390B2 (en) 2017-02-01 2023-08-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Oxide semiconductor film, thin film transistor, oxide sintered body, and sputtering target
CN110447093B (zh) 2017-02-22 2023-04-25 出光兴产株式会社 氧化物半导体膜、薄膜晶体管、氧化物烧结体以及溅射靶

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4403591B2 (ja) * 1998-10-29 2010-01-27 東ソー株式会社 導電性金属酸化物焼結体およびその用途
EP2280092A1 (en) * 2001-08-02 2011-02-02 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Sputtering target, transparent conductive film, and their manufacturing method
KR100787635B1 (ko) * 2007-01-22 2007-12-21 삼성코닝 주식회사 산화인듐주석 타겟, 이의 제조 방법 및 이로부터 제조된산화인듐주석 투명 전극
KR101627491B1 (ko) * 2007-07-06 2016-06-07 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 산화물 소결물체와 그 제조 방법, 타겟, 및 그것을 이용해 얻어지는 투명 도전막 및 투명 도전성 기재
WO2009128424A1 (ja) * 2008-04-16 2009-10-22 住友金属鉱山株式会社 薄膜トランジスタ型基板、薄膜トランジスタ型液晶表示装置および薄膜トランジスタ型基板の製造方法
JP5375536B2 (ja) * 2008-12-26 2013-12-25 住友金属鉱山株式会社 静電容量式タッチパネルとその製造方法及び該タッチパネルを備えた液晶表示装置

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