JP2009238416A - 透明導電膜付き基板及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板の少なくとも一方の面に透明導電膜を備える透明導電膜付き基板であって、該透明導電膜が前記基板側から順に酸化亜鉛からなる第1の薄膜層とスズを含むインジウム酸化物からなる第2の薄膜層とを備えることを特徴とする透明導電膜付き基板とした。また、基板上に酸化亜鉛からなる第1の薄膜層をマグネトロンスパッタリング法により形成する工程と、該第1の薄膜層上にスズを含むインジウム酸化物からなる第2の薄膜層をマグネトロンスパッタリング法により形成する工程とを順に備えることを特徴とする透明導電膜付き基板の製造方法とした。
【選択図】図1
Description
ノンアルカリガラス(コーニング1737)にGaドープZnOターゲット(5.7wt%Ga2O3)を用い、マグネトロンスパッタ法にて膜厚120nmのGaドープZnOを形成した。スパッタ条件として、Ar流量を100sccm、全圧0.4Pa、投入電力を2.5(W/cm2)、ターゲットに対して平行な磁束密度1000Gaussとした。続けてITOターゲット(10wt%SnO2)を用い、同様のスパッタ条件にて膜厚30nmのITOの成膜をおこなった。膜厚は触針式表面形状測定器(Dektak 6M、JIS R 1636)で測定をおこなった。
これを成膜後150℃30分アニールすることで、XRD(X線回折)においてITO由来の(222)と(400)のピークを示し、得られた膜が結晶化していることを確認した。
このサンプルをNaOH(2wt%)に5分漬けてその耐性を確認したところ、四探針法測定(ロレスタHP、JIS R 1637)によるシート抵抗の値では、アルカリ耐性試験の前後で91Ω/□から94Ω/□とほとんどシート抵抗値の上昇を示さなかった。
ノンアルカリガラス(コーニング1737)にAlドープZnOターゲット(3wt%Al2O3)を用い、マグネトロンスパッタ法にて膜厚120nmのAlドープZnOを形成した。スパッタ条件として、Ar流量を100sccm、全圧0.4Pa、投入電力を2.5(W/cm2)、ターゲットに対して平行な磁束密度1000Gaussとした。続けてITO(10wt%SnO2)ターゲットを用い、同様のスパッタ条件にて膜厚30nmのITOの成膜を行った。膜厚は触針式表面形状測定器(Dektak 6M、JIS R 1636)で測定をおこなった。
これを成膜後150℃30分アニールすることで、XRDにおいてITO由来の(222)と(400)のピークを示し、得られた膜が結晶化していることを確認した。
このサンプルをNaOH(2wt%)に5分漬けてその耐性を確認したところ、四探針法測定(ロレスタHP、JIS R 1637)によるシート抵抗の値では、アルカリ耐性試験の前後で102Ω/□から106Ω/□とほとんどシート抵抗値の上昇を示さなかった。
ノンアルカリガラス(コーニング1737)にGaドープZnOターゲット(5.7wt%Ga2O3)を用い、マグネトロンスパッタ法にて膜厚150nmのGaドープZnOのみを形成した。スパッタ条件は実施例1と同様である。膜厚は触針式表面形状測定器(Dektak 6M、JIS R 1636)で測定をおこなった。
得られたサンプルをNaOH(2wt%)に5分漬けてその耐性を確認したところ、四探針法測定(ロレスタHP、JIS R 1637)によるシート抵抗の値では、アルカリ耐性試験前では106Ω/□を示したが、アルカリ耐性試験後では膜が溶けてしまい測定が不可能であった。
ノンアルカリガラス(コーニング1737)にAlドープZnOターゲット(3wt%Al2O3)を用い、マグネトロンスパッタ法にて膜厚150nmのAlドープZnOのみを形成した。スパッタ条件は実施例2と同様である。膜厚は触針式表面形状測定器(Dektak 6M、JIS R 1636)で測定を行った。得られたサンプルをNaOH(2wt%)に5分漬けてその耐性を確認したところ、四探針法測定(ロレスタHP、JIS R1637)によるシート抵抗の値では、アルカリ耐性試験前では125Ω/□を示したが、アルカリ耐性試験後では膜が溶けてしまい測定が不可能であった。
1´ 透明道電膜付き基板/カラーフィルター
11 基板
11´ ガラス基板
12 透明導電膜
12A 第1の薄膜層
12B 第2の薄膜層
13 ブラックマトリックス
14A 着色層
14B 着色層
14C 着色層
15 フォトスペーサー
16 配向制御用突起
Claims (10)
- 基板の少なくとも一方の面に透明導電膜を備える透明導電膜付き基板であって、
該透明導電膜が前記基板側から順に酸化亜鉛からなる第1の薄膜層とスズを含むインジウム酸化物からなる第2の薄膜層とを備えることを特徴とする透明導電膜付き基板。 - 前記酸化亜鉛からなる第1の薄膜層が、アルミニウムもしくはガリウムの少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項1記載の透明導電膜付き基板。
- 前記スズを含むインジウム酸化物からなる第2の薄膜層が、結晶化していることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の透明導電膜付き基板。
- 前記スズを含むインジウム酸化物からなる第2の薄膜層の膜厚が10nm以上100nm以下の範囲内であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の透明導電膜付き基板。
- 前記透明導電膜付き基板の透明導電膜形成面の比抵抗が1×10−3Ω・cm以下の範囲内であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の透明導電膜付き基板。
- 前記スズを含むインジウム酸化物からなる第2の薄膜層上に樹脂パターンを備えることを特徴とする請求項1乃至5のいずれに記載の透明導電膜付き基板。
- 前記基板が樹脂層を備え、該樹脂層上に前記第1の薄膜層と前記第2の薄膜層を備えることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の透明導電膜付き基板。
- 基板上に酸化亜鉛からなる第1の薄膜層をマグネトロンスパッタリング法により形成する工程と、
該第1の薄膜層上にスズを含むインジウム酸化物からなる第2の薄膜層をマグネトロンスパッタリング法により形成する工程と
を順に備えることを特徴とする透明導電膜付き基板の製造方法。 - 前記酸化亜鉛からなる第1の薄膜層を形成する工程と、スズを含むインジウム酸化物からなる第2の薄膜層を形成する工程が前記基板を加熱することなくおこなわれ、
前記第2の薄膜層を形成する工程の後にアニール工程を備えることを特徴とする請求項8記載の透明導電膜付き基板の製造方法。 - 前記マグネトロンスパッタリング法による第1の薄膜層の形成工程及び第2の薄膜層の形成工程が、ターゲットに対して平行な磁束密度が500Gauss以上1500Gauss以下であることを特徴と請求項8または請求項9記載の透明導電膜付き基板の製造方法。
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