KR20110043911A - 발광소자 패키지 및 그 제조방법 - Google Patents
발광소자 패키지 및 그 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20110043911A KR20110043911A KR1020090100655A KR20090100655A KR20110043911A KR 20110043911 A KR20110043911 A KR 20110043911A KR 1020090100655 A KR1020090100655 A KR 1020090100655A KR 20090100655 A KR20090100655 A KR 20090100655A KR 20110043911 A KR20110043911 A KR 20110043911A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting device
- wire
- encapsulant
- device chip
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 15
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 27
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 claims description 34
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 15
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 YAG Chemical compound 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01015—Phosphorus [P]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01047—Silver [Ag]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1203—Rectifying Diode
- H01L2924/12035—Zener diode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
실시예는 발광소자 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다.
실시예에 따른 발광소자 패키지는 발광소자 칩; 상기 발광소자 칩 상에 복수의 와이어; 및 상기 와이어 사이의 발광소자 칩 상에 형광체를 포함하는 봉지재;를 포함할 수 있다.
발광소자, 발광소자 패키지
Description
실시예는 발광소자 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다.
발광소자(Light Emitting Device)는 전기에너지가 빛에너지로 변환되는 특성의 p-n 접합 다이오드를 주기율표상에서 Ⅲ족과 Ⅴ족의 원소가 화합하여 생성될 수 있다. 발광소자는 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 색상구현이 가능하다.
발광소자는 순방향전압 인가 시 n층의 전자와 p층의 정공(hole)이 결합하여 전도대(Conduction band)와 가전대(Valance band)의 에너지 갭에 해당하는 만큼의 에너지를 발산하는데, 이 에너지는 주로 열이나 빛의 형태로 방출되며, 빛의 형태로 발산되면 발광소자가 되는 것이다.
예를 들어, 질화물 반도체는 높은 열적 안정성과 폭넓은 밴드갭 에너지에 의해 광소자 및 고출력 전자소자 개발 분야에서 큰 관심을 받고 있다. 특히, 질화물 반도체를 이용한 청색(Blue) 발광소자, 녹색(Green) 발광소자, 자외선(UV) 발광소자 등은 상용화되어 널리 사용되고 있다.
한편, 백색(White) 발광소자 패키지를 구현하기 위해서는 빛의 삼원색인 적색, 녹색, 청색 발광소자를 조합하거나, 청색 발광소자에 황색 형광체(YAG, TAG 등의 형광체를 사용)를 더하거나, UV 발광소자에 적/녹/청 삼색 형광체를 사용할 수 있다.
그런데, 종래기술에 의하면 형광체를 이용한 백색 발광소자 패키지에 있어서 봉지재 안의 형광체가 몰딩후 시간이 지남에 따라 발광소자 패키지의 바닥으로 침전되어 발광소자 칩 주위로 형광체가 일정하게 분포하지 않음으로써 색온도 분포가 넓게 형성되는 문제가 있다.
또한, 종래기술에 의하면 형광체의 분포면적이 발광소자의 면적에 비해 상대적으로 큼으로써 형광체가 발광소자 주위에 고르게 분포하지 않을 수 있어 역시 색온도 분포가 넓게 형성되는 문제가 있다.
실시예는 발광소자 주위에 형광체의 분포가 균일한 발광소자 패키지 및 그 제조방법을 제공하고자 한다.
실시예에 따른 발광소자 패키지는 발광소자 칩; 상기 발광소자 칩 상에 복수의 와이어; 및 상기 와이어 사이의 발광소자 칩 상에 형광체를 포함하는 봉지재;를 포함할 수 있다.
또한, 실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조방법은 서브마운트를 준비하는 단계; 상기 서브마운트 상에 발광소자 칩을 부착하는 단계; 상기 발광소자 칩 상에 복수의 와이어를 본딩하는 단계; 및 상기 와이어 사이의 발광소자 칩 상에 형광체를 포함하는 봉지재를 형성하는 단계;를 포함할 수 있다.
실시예에 따른 발광소자 패키지 및 그 제조방법에 의하면, 와이어를 이용하여 발광소자 주위의 형광체 분포를 균일하게 할 수 있다.
실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함 한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
(실시예)
도 1은 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도이다.
실시예에 따른 발광소자 패키지는 발광소자 칩(200)과, 상기 발광소자 칩(200) 상에 형성된 복수의 와이어(300) 및 상기 와이어(300) 사이의 발광소자 칩(200) 상에 형성된 형광체(미도시)를 포함하는 봉지재(400)를 포함할 수 있다. 상기 발광소자 칩(200)은 서브마운트(110) 상에 형성될 수 있다.
실시예에서 상기 봉지재(400)의 상면이 평면일 수 있고, 이에 따라 면발광을 통해 광학설계가 용이할 수 있다.
또한, 상기 봉지재(400)의 상부 표면에 요철(미도시)을 형성함으로써 광추출 효율을 증대시킬 수 있다.
또한, 상기 봉지재(400)는 상기 와이어(300) 높이 이하로 형성되고, 또한, 상기 와이어(300)는 상기 발광소자 칩(200)의 외곽 둘레에 형성될 수 있다.
이에 따라 실시예에 의하면 와이어(300) 사이의 발광소자 칩(200) 상에 형광체를 포함하는 봉지재가 형성됨으로써 발광소자 칩 주위의 형광체 분포를 균일하게 할 수 있고, 색온도 분포를 좁게할 수 있다.
도 2는 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지의 발광소자 칩 상단에 대한 부분 평면도이다.
제1 실시예에 의하면 와이어(300)는 제1 와이어(310), 제2 와이어(320)를 포함할 수 있고, 이러한 와이어는 실제 패드에 연결되는 와이어일 수 있다. 도 2의 도시된 예는 수평형 발광소자 칩에 대한 예이나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
도 3 내지 도 5는 제2 실시예에 따른 발광소자 패키지의 부분 평면도이다.
제2 실시예에 의하면 상기 와이어는 적어도 하나 이상의 더미 와이어(340)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 실제 패드(미도시) 상에 형성된 리얼 와이어(330)와 제1 내지 제3 더미 와이어(341, 342, 343)를 포함하는 더미 와이어(340)를 포함할 수 있다. 제2 실시예는 수직형 발광소자 칩에 적용될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
도 3은 와이어들이 발광소자 칩의 상면 모서리에 형성된 예이나 이에 한정되는 것이 아니며, 도 4와 같이 발광소자 칩의 모서리가 아닌 영역에 리얼 와이어(330)과 제1 내지 제3 더미 와이어(351, 352, 353)를 포함하는 더미 와이어(350)가 형성될 수 있다.
도 5는 1개의 더미 와이어(360)가 형성된 예이나 이에 한정되는 것은 아니다.
실시예에 의하면 와이어(300) 사이의 발광소자 칩(200) 상에 형광체를 포함하는 봉지재가 형성됨으로써 발광소자 칩 주위의 형광체 분포를 균일하게 할 수 있고, 색온도 분포를 좁게할 수 있다.
이하, 도 6 내지 도 8을 참조하여 실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조방법을 설명한다.
우선, 도 6과 같이 서브마운트(submount)(110)를 준비한다.
상기 서브마운트(110)는 열팽창계수가 발광소자 칩 재료의 열팽창계수와 유사하고, 열전도도가 우수한 재질일 수 있다. 예들 들어, 실시예에서 서브마운트(110)로 실리콘(Si)을 채용할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 상기 서브마운트(110)는 반사기 컵(reflector cup)(미도시)을 포함할 수 있으며, 상기 서브마운트(110) 내에 제너 다이오드 형태의 정전기(ESD) 방지를 위한 소자를 포함할 수 있다.
또한, 상기 서브마운트(110) 상에는 제1 리드프레임(120), 제2 리드프레임(130)이 형성될 수 있으나 개수와 종류에 한정되는 것은 아니다. 또한, 상기 리드프레임 중 적어도 하나는 더미 리드프레임일 수 있다. 또한, 상기 리드프레임은 서브마운트(110)와 전기적으로 절연될 수 있다.
다음으로, 상기 서브마운트(110) 상에 발광소자 칩(200)을 부착한다.
상기 발광소자 칩(200)은 GaN, GaAs, GaAsP, GaP 등의 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, Green~Blue LED는 GaN(InGaN), Yellow~Red LED는 InGaAIP, AIGaAs를 사용할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
도 6에 도시된 발광소자 칩(200)은 수직형 발광소자 칩 또는 수평형 발광소자 칩일 수 있으나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 상기 발광소자 칩(200)이 수직형인 경우 제2 전극(미도시) 상에 형성된 발광구조물(미도시)을 포함할 수 있다. 상기 제2 전극은 오믹층, 반사층, 결합층, 전도성 기판 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 상기 발광구조물은 제2 도전형 반도체층, 활성층, 제1 도전형 반도체층을 포함할 수 있다.
다음으로, 상기 발광소자 칩(200)의 상기 서브마운트(110) 상에 부착은 고분자 접착체를 이용하여 발광소자 칩을 접착하는 방법 또는 발광소자 칩에 플레이팅된 우테틱 메탈을 이용하는 방법 등으로 진행될 수 있다.
예를 들어, 공정성이 우수한 실버 전도성 에폭시(Ag conductive epoxy)에 의한 솔더링(soldering)에 의해 발광소자 칩을 부착하거나, 고열전도성이 필요한 경우에는 유테틱 접합방식을 채용할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
다음으로, 도 7과 같이 발광소자 칩에 전류를 흘러줄 수 있도록 와이어(300) 접합공정을 진행할 수 있다. 예를 들어, 수직형 발광소자 칩은 1개의 와이어 접합공정이, 수평형 발광소자 칩은 2개의 와이어 접합공정이 진행될 수 있다. 와이어는 금 와이어, 구리 와이어, 알루미늄 와이어 중 어느 하나 이상의 와이어를 채용할 수 있으며, 와이어 접합은 볼 와이어 접합방법이나 에지 와이어 접합 등의 방법으로 진행할 수 있다.
제1 실시예에 의하면 와이어(300)는 제1 와이어(310), 제2 와이어(320)를 포함할 수 있고, 이러한 와이어는 실제 패드에 연결되는 와이어일 수 있다.
한편, 도 3 내지 도 5와 같이 제2 실시예에 따른 발광소자 패키지에 의하면 상기 와이어는 적어도 하나 이상의 더미 와이어(340, 350, 360)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 실제 패드(미도시) 상에 형성된 리얼 와이어(330)와 제1 내지 제3 더미 와이어(341, 342, 343)를 포함하는 더미 와이어(340)를 포함할 수 있다.
실시예에 의하면 와이어 사이의 발광소자 칩(200) 상에 형광체를 포함하는 봉지재가 형성됨으로써 발광소자 칩 주위의 형광체 분포를 균일하게 할 수 있고, 색온도 분포를 좁게할 수 있다.
다음으로, 도 8과 같이 상기 와이어(300) 사이의 발광소자 칩(200) 상에 형광체를 포함하는 봉지재(400)를 형성한다.
예를 들어, 발광소자 칩을 보호하고 광추출 효율을 증가시키기 위하여 상기 발광소자 칩(200) 상에 형광체(미도시)를 포함하는 봉지재(encapsulating material)(400)로 봉지한다.
상기 봉지재(400)는 상기 와이어(300) 높이 이하로 형성되고, 또한, 상기 와이어(300)는 상기 발광소자 칩(200)의 외곽 둘레에 형성될 수 있다.
이에 따라 실시예에 의하면 와이어(300) 사이의 발광소자 칩(200) 상에 형광체를 포함하는 봉지재가 형성됨으로써 발광소자 칩 주위의 형광체 분포를 균일하게 할 수 있고, 색온도 분포를 좁게할 수 있다.
상기 봉지재(400)는 에폭시 봉지재나 실리콘 봉지재 등을 이용할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
실시예에서 발광소자 칩은 Green~Blue LED, 혹은 Yellow~Red LED 또는 UV LED 등일 수 있으며, 형광체를 봉지재에 추가하여 백색광을 만들 수 있다.
예를 들어, 실시예는 청색 LED에 황색 형광체(YAG, TAG 등의 형광체를 사용)를 더하거나, UV LED에 적/녹/청 삼색 형광체를 사용할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 형광체는 호스트 물질과 활성물질을 포함할 수 있으며, 예를 들어, 이트륨 알루미늄 가넷(YAG)의 호스트물질에 세륨(Ce) 활성물질이, 실리게이트 계열의 호스트물질에 유로피움(Eu) 활성물질을 채용할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 봉지공정은 배합, 혼합, 토출, 경화의 순으로 진행될 수 있다. 상기 봉지재의 봉지방법으로는 디스펜싱, 캐스팅 몰딩, 트랜스퍼 몰딩방법, 진공프린팅 방법 등으로 진행될 수 있다.
상기 봉지재(400)는 상면이 평면으로 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 봉지재(400)가 평면으로 발광소자 칩(200) 상에 균일하게 형성됨으로써 발광소자 칩 주위의 형광체 분포를 균일하게 할 수 있고, 면발광을 통해 광학설계가 용이할 수 있다.
한편, 실시예는 상기 봉지재의 표면에 요철(미도시)을 형성하여 광추출 효율을 향상시킬 수 있다. 예를 들어, 봉지공정 후 습식식각공정을 일부 진행하여 봉지재(400) 상면에 일부 요철을 형성할 수 있다. 또는, 요철이 형성된 금형 등을 이용하여 트랜스퍼 몰딩을 진행하여 봉지재 상면에 요철을 형성할 수 있다.
이후, 상기 봉지재(400) 상에 광추출 효과 증대와 와이어(미도시)를 보호 등을 위해 반구 형상의 외부렌즈를 형성할 수 있다.
실시예에 의하면 와이어 사이의 발광소자 칩 상에 형광체를 포함하는 봉지재가 형성됨으로써 발광소자 칩 주위의 형광체 분포를 균일하게 할 수 있고, 색온도 분포를 좁게할 수 있다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
도 1은 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도.
도 2는 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지의 부분 평면도.
도 3 내지 도 5는 제2 실시예에 따른 발광소자 패키지의 부분 평면도.
도 6 내지 도 8은 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조방법에 대한 공정단면도.
Claims (12)
- 발광소자 칩;상기 발광소자 칩 상에 복수의 와이어; 및상기 와이어 사이의 발광소자 칩 상에 형광체를 포함하는 봉지재;를 포함하는 발광소자 패키지.
- 제1 항에 있어서,상기 봉지재의 상면이 평면인 발광소자 패키지.
- 제1 항에 있어서,상기 봉지재의 상부 표면에 요철을 포함하는 발광소자 패키지.
- 제1 항에 있어서,상기 봉지재는상기 와이어 높이 이하로 형성되는 발광소자 패키지.
- 제1 항에 있어서,상기 와이어는 적어도 하나 이상의 더미 와이어를 포함하는 발광소자 패키지.
- 제1 항에 있어서,상기 와이어는,상기 발광소자 칩의 외곽 둘레에 형성된 발광소자 패키지.
- 서브마운트를 준비하는 단계;상기 서브마운트 상에 발광소자 칩을 부착하는 단계;상기 발광소자 칩 상에 복수의 와이어를 본딩하는 단계; 및상기 와이어 사이의 발광소자 칩 상에 형광체를 포함하는 봉지재를 형성하는 단계;를 포함하는 발광소자 패키지의 제조방법.
- 제7 항에 있어서,상기 봉지재를 형성하는 단계는,상기 봉지재의 상면이 평면인 발광소자 패키지의 제조방법.
- 제7 항에 있어서,상기 봉지재의 상부 표면에 요철을 형성하는 단계를 포함하는 발광소자 패키지의 제조방법.
- 제7 항에 있어서,상기 봉지재는상기 와이어 높이 이하로 형성되는 발광소자 패키지의 제조방법.
- 제7 항에 있어서,상기 복수의 와이어를 본딩하는 단계에서,상기 와이어는 적어도 하나 이상의 더미 와이어를 포함하는 발광소자 패키지의 제조방법.
- 제7 항에 있어서,상기 복수의 와이어를 본딩하는 단계에서,상기 와이어는 상기 발광소자 칩의 외곽 둘레에 형성되는 발광소자 패키지의 제조방법.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090100655A KR101034054B1 (ko) | 2009-10-22 | 2009-10-22 | 발광소자 패키지 및 그 제조방법 |
US12/900,126 US8395180B2 (en) | 2009-10-22 | 2010-10-07 | Light emitting device package |
EP10187184.6A EP2315278B1 (en) | 2009-10-22 | 2010-10-11 | Light emitting device package |
CN201010522663.1A CN102044618B (zh) | 2009-10-22 | 2010-10-20 | 发光器件封装和照明*** |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090100655A KR101034054B1 (ko) | 2009-10-22 | 2009-10-22 | 발광소자 패키지 및 그 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20110043911A true KR20110043911A (ko) | 2011-04-28 |
KR101034054B1 KR101034054B1 (ko) | 2011-05-12 |
Family
ID=43589689
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020090100655A KR101034054B1 (ko) | 2009-10-22 | 2009-10-22 | 발광소자 패키지 및 그 제조방법 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8395180B2 (ko) |
EP (1) | EP2315278B1 (ko) |
KR (1) | KR101034054B1 (ko) |
CN (1) | CN102044618B (ko) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8654064B2 (en) * | 2010-10-18 | 2014-02-18 | Samsung Display Co., Ltd. | Backlight having blue light emitting diodes and method of driving same |
KR20150096198A (ko) * | 2014-02-14 | 2015-08-24 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법 |
Family Cites Families (65)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5176310A (en) * | 1988-11-28 | 1993-01-05 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for wire bond |
JP3075912B2 (ja) * | 1994-03-30 | 2000-08-14 | ローム株式会社 | Ledアレイプリントヘッドに使用するledアレイ半導体チップの構造 |
DE19638667C2 (de) * | 1996-09-20 | 2001-05-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement |
JP3471220B2 (ja) * | 1998-05-27 | 2003-12-02 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置 |
DE19829197C2 (de) * | 1998-06-30 | 2002-06-20 | Siemens Ag | Strahlungsaussendendes und/oder -empfangendes Bauelement |
US5959316A (en) * | 1998-09-01 | 1999-09-28 | Hewlett-Packard Company | Multiple encapsulation of phosphor-LED devices |
JP2000208822A (ja) * | 1999-01-11 | 2000-07-28 | Matsushita Electronics Industry Corp | 半導体発光装置 |
EP1107321A4 (en) * | 1999-06-23 | 2006-08-30 | Citizen Electronics | LIGHT-EMITTING DIODE |
JP2001111109A (ja) * | 1999-10-07 | 2001-04-20 | Sharp Corp | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
JP4077170B2 (ja) * | 2000-09-21 | 2008-04-16 | シャープ株式会社 | 半導体発光装置 |
MY131962A (en) * | 2001-01-24 | 2007-09-28 | Nichia Corp | Light emitting diode, optical semiconductor device, epoxy resin composition suited for optical semiconductor device, and method for manufacturing the same |
US20040113168A1 (en) * | 2001-02-21 | 2004-06-17 | Ivan Eliashevich | Light extraction efficiency of gan based leds |
EP1387412B1 (en) * | 2001-04-12 | 2009-03-11 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Light source device using led, and method of producing same |
WO2003021691A1 (en) * | 2001-09-03 | 2003-03-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device, light emitting apparatus and production method for semiconductor light emitting device |
WO2003034508A1 (en) | 2001-10-12 | 2003-04-24 | Nichia Corporation | Light emitting device and method for manufacture thereof |
JP4009097B2 (ja) * | 2001-12-07 | 2007-11-14 | 日立電線株式会社 | 発光装置及びその製造方法、ならびに発光装置の製造に用いるリードフレーム |
KR101030068B1 (ko) * | 2002-07-08 | 2011-04-19 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 질화물 반도체 소자의 제조방법 및 질화물 반도체 소자 |
DE10237084A1 (de) * | 2002-08-05 | 2004-02-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Leiterrahmens und Verfahren zum Herstellen eines oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements |
US7078737B2 (en) * | 2002-09-02 | 2006-07-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light-emitting device |
KR100508682B1 (ko) * | 2002-11-20 | 2005-08-17 | 삼성전자주식회사 | 더미 와이어를 이용한 열방출형 적층 칩 패키지 |
JP4254266B2 (ja) * | 2003-02-20 | 2009-04-15 | 豊田合成株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
KR100609830B1 (ko) * | 2003-04-25 | 2006-08-09 | 럭스피아 주식회사 | 녹색 및 적색형광체를 이용하는 백색 반도체 발광장치 |
JP3841092B2 (ja) * | 2003-08-26 | 2006-11-01 | 住友電気工業株式会社 | 発光装置 |
JP2005079329A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Stanley Electric Co Ltd | 表面実装型発光ダイオード |
US7488432B2 (en) * | 2003-10-28 | 2009-02-10 | Nichia Corporation | Fluorescent material and light-emitting device |
JP4590905B2 (ja) * | 2003-10-31 | 2010-12-01 | 豊田合成株式会社 | 発光素子および発光装置 |
TWI286393B (en) * | 2004-03-24 | 2007-09-01 | Toshiba Lighting & Technology | Lighting apparatus |
JP4858867B2 (ja) * | 2004-08-09 | 2012-01-18 | スタンレー電気株式会社 | Led及びその製造方法 |
JP3904571B2 (ja) * | 2004-09-02 | 2007-04-11 | ローム株式会社 | 半導体発光装置 |
KR100630226B1 (ko) * | 2004-09-17 | 2006-09-29 | 엘지전자 주식회사 | 삼파장 백색 발광 다이오드 및 그의 제조 방법 |
JP2006237190A (ja) * | 2005-02-24 | 2006-09-07 | Toshiba Discrete Technology Kk | 半導体発光装置 |
JP2006286999A (ja) | 2005-04-01 | 2006-10-19 | Okaya Electric Ind Co Ltd | 発光ダイオード及びその製造方法 |
EP1895600A1 (en) * | 2005-06-20 | 2008-03-05 | Rohm Co., Ltd. | White semiconductor light emitting element and manufacturing method thereof |
WO2007004572A1 (ja) * | 2005-06-30 | 2007-01-11 | Matsushita Electric Works, Ltd. | 発光装置 |
JP2007027281A (ja) * | 2005-07-13 | 2007-02-01 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
US20070080636A1 (en) * | 2005-10-07 | 2007-04-12 | Taiwan Oasis Technology Co., Ltd. | White multi-wavelength LED & its manufacturing process |
KR100780176B1 (ko) * | 2005-11-25 | 2007-11-27 | 삼성전기주식회사 | 측면 방출 발광다이오드 패키지 |
JP2009530841A (ja) * | 2006-03-21 | 2009-08-27 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 発光ダイオードモジュール及びこのようなledモジュールの製造方法 |
US20090273004A1 (en) * | 2006-07-24 | 2009-11-05 | Hung-Yi Lin | Chip package structure and method of making the same |
KR100803730B1 (ko) | 2006-09-29 | 2008-02-15 | 서울반도체 주식회사 | 발광 다이오드 제조방법 |
JP2008159671A (ja) * | 2006-12-21 | 2008-07-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プリント配線基板および電子装置 |
JP5132960B2 (ja) * | 2007-03-19 | 2013-01-30 | シチズン電子株式会社 | 発光ダイオードの製造方法及び光源 |
JP5060172B2 (ja) * | 2007-05-29 | 2012-10-31 | 岩谷産業株式会社 | 半導体発光装置 |
CN101329043B (zh) | 2007-06-18 | 2010-09-01 | 南茂科技股份有限公司 | 光源组件及用于此光源组件的调整亮度的方法 |
JP5578597B2 (ja) * | 2007-09-03 | 2014-08-27 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 蛍光体及びその製造方法、並びにそれを用いた発光装置 |
JP4989614B2 (ja) * | 2007-12-28 | 2012-08-01 | サムソン エルイーディー カンパニーリミテッド. | 高出力ledパッケージの製造方法 |
JP5202042B2 (ja) * | 2008-03-10 | 2013-06-05 | シチズン電子株式会社 | Ledランプ |
US8193556B2 (en) * | 2008-03-25 | 2012-06-05 | Bridge Semiconductor Corporation | Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and cavity in post |
US20100181594A1 (en) * | 2008-03-25 | 2010-07-22 | Lin Charles W C | Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and cavity over post |
US8212279B2 (en) * | 2008-03-25 | 2012-07-03 | Bridge Semiconductor Corporation | Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader, signal post and cavity |
US8207553B2 (en) * | 2008-03-25 | 2012-06-26 | Bridge Semiconductor Corporation | Semiconductor chip assembly with base heat spreader and cavity in base |
JP5542660B2 (ja) * | 2008-04-17 | 2014-07-09 | 株式会社東芝 | 白色発光装置、バックライト、液晶表示装置および照明装置 |
WO2010002221A2 (ko) * | 2008-07-03 | 2010-01-07 | 삼성엘이디 주식회사 | 파장변환형 발광다이오드 칩 및 이를 구비한 발광장치 |
JP2010153861A (ja) * | 2008-12-15 | 2010-07-08 | Yiguang Electronic Ind Co Ltd | 発光ダイオードパッケージ構造 |
CN101752484B (zh) * | 2008-12-22 | 2012-05-16 | 富准精密工业(深圳)有限公司 | 发光二极管及其制造方法 |
CN101771025A (zh) * | 2008-12-26 | 2010-07-07 | 富准精密工业(深圳)有限公司 | 发光二极管 |
KR101172143B1 (ko) * | 2009-08-10 | 2012-08-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 백색 발광다이오드 소자용 시온계 산화질화물 형광체, 그의 제조방법 및 그를 이용한 백색 led 소자 |
US9909058B2 (en) * | 2009-09-02 | 2018-03-06 | Lg Innotek Co., Ltd. | Phosphor, phosphor manufacturing method, and white light emitting device |
KR101163902B1 (ko) * | 2010-08-10 | 2012-07-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
JP5936810B2 (ja) * | 2009-09-11 | 2016-06-22 | ローム株式会社 | 発光装置 |
JP5488881B2 (ja) * | 2009-09-30 | 2014-05-14 | ソニー株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
KR101565988B1 (ko) * | 2009-10-23 | 2015-11-05 | 삼성전자주식회사 | 적색형광체, 그 제조방법, 이를 이용한 발광소자 패키지, 조명장치 |
JP5383611B2 (ja) * | 2010-01-29 | 2014-01-08 | 株式会社東芝 | Ledパッケージ |
JP4951090B2 (ja) * | 2010-01-29 | 2012-06-13 | 株式会社東芝 | Ledパッケージ |
US8450770B2 (en) * | 2010-05-11 | 2013-05-28 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Light emitting package structure |
-
2009
- 2009-10-22 KR KR1020090100655A patent/KR101034054B1/ko active IP Right Grant
-
2010
- 2010-10-07 US US12/900,126 patent/US8395180B2/en active Active
- 2010-10-11 EP EP10187184.6A patent/EP2315278B1/en active Active
- 2010-10-20 CN CN201010522663.1A patent/CN102044618B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2315278A3 (en) | 2013-12-04 |
CN102044618B (zh) | 2014-06-25 |
US20110095329A1 (en) | 2011-04-28 |
EP2315278B1 (en) | 2015-12-16 |
US8395180B2 (en) | 2013-03-12 |
CN102044618A (zh) | 2011-05-04 |
EP2315278A2 (en) | 2011-04-27 |
KR101034054B1 (ko) | 2011-05-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9673363B2 (en) | Reflective mounting substrates for flip-chip mounted horizontal LEDs | |
JP4211359B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US9660153B2 (en) | Gap engineering for flip-chip mounted horizontal LEDs | |
KR100986571B1 (ko) | 발광소자 패키지 및 그 제조방법 | |
US7755099B2 (en) | Light emitting device package | |
KR100986336B1 (ko) | 발광소자, 발광소자 제조방법 및 발광소자 패키지 | |
US20110037083A1 (en) | Led package with contrasting face | |
US20150348906A1 (en) | Electronic device package | |
KR20080057876A (ko) | 발광 소자 패키지 및 그 제조방법 | |
US9293663B1 (en) | Light-emitting unit and semiconductor light-emitting device | |
US20120187862A1 (en) | Light emitting die (led) packages and related methods | |
KR101114794B1 (ko) | 발광소자 패키지 및 그 제조방법 | |
JP4239545B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
TWI646706B (zh) | 發光二極體晶片封裝體 | |
KR20180111941A (ko) | 발광 다이오드, 발광 다이오드의 제조 방법, 발광 다이오드 표시 장치 및 발광 다이오드 표시 장치의 제조 방법 | |
US11894499B2 (en) | Lens arrangements for light-emitting diode packages | |
KR101034054B1 (ko) | 발광소자 패키지 및 그 제조방법 | |
KR20110010296A (ko) | 발광소자 패키지 및 그 제조방법 | |
JP4254214B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
KR20120019697A (ko) | 발광소자 패키지 및 이를 채용한 멀티칩 조명모듈 | |
JP6978708B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
KR102201186B1 (ko) | 발광 장치 | |
KR102282944B1 (ko) | 발광 장치 | |
JP2022010198A (ja) | 半導体発光装置 | |
TWM606127U (zh) | 發光二極體封裝結構 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
A302 | Request for accelerated examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140407 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160412 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170405 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180409 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190411 Year of fee payment: 9 |