JP5936810B2 - 発光装置 - Google Patents

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Description

本発明は、発光装置に関する。
図55は、従来の発光装置の一例を示す斜視図である(たとえば特許文献1参照)。図56は、図55に示した発光装置の要部断面図である。これらの図に示された発光装置9Aは、基板91、ダイボンド用導体パターン92、ボンディングワイヤ接合用導体パターン93、発光素子94、およびワイヤ95を備えている。
基板91の表面91a側には、凹部911、および凹部912が形成されている。凹部911は、凹部912の底面912aに形成されている。凹部911および凹部912はいずれも、倒立円錐台状である。凹部911の側面911bは、発光素子94の光を反射する反射面である。導体パターン92は、基板91の表面91aから凹部911の底面911aにまで延設されている。導体パターン93は、基板91の表面91aから、凹部912の底面912aにまで延設されている。発光素子94は、凹部911の底面911aに配置されており、導体パターン92の一端と導通している。ワイヤ95は、発光素子94および導体パターン93と接続されている。
近年、発光装置9Aの正面照射強度を向上させたい、そして指向角を狭くしたいといった要望がある。そのためには、光の反射面である側面911bの方向zにおける大きさを大きくすることが考えられる。しかしながら、凹部911は、凹部912の底面912aに形成されていることから、側面911bは、底面911aから底面912aに至る程度の大きさにならざるをえない。そのため、側面911bを十分に大きくすることができず、発光装置9Aでは、上記の要望を十分に満たすことができていない。
従来の反射型のLEDモジュールとしては、たとえば特許文献2に開示されたものがある。図57に示すように、この種のLEDモジュールX7は、LED素子781と、凹面状の反射面785を有するケース784と、反射面785の一部を覆う第1および第2のリード786,789とを備える。第1のリード786には、反射面785に対してLED素子781が対向した姿勢で接合されるダイパッド部787が設けられている。第2のリード789には、ワイヤ792を介してLED素子781と接続されるボンディングパッド部790が設けられている。ダイパッド部787は、平面視矩形状を呈しており、LED素子781は、その全ての角部782をダイパッド部787の角788に対応させた姿勢で導電性接着剤を介して接合される。第1および第2のリード786,789と反射面785との間には、一般的に透光性樹脂791が設けられる。LED素子781からの光は、ケース784の反射面785で反射し、その後、透光性樹脂791の表面を抜けてケース784の外方に照射される。
ダイパッド部787に導電性接着剤を介してLED素子781を接合する際には、LED素子781の角部782よりもその四辺783から導電性接着剤がはみ出しやすい。そのため、ダイパッド部787は、LED素子781の周り全体に十分な空きスペースを確保すべく、一辺の寸法が比較的大きくなっている。その一方、ダイパッド部787の面積が大きくなると、反射面785で反射してケース784の外方へと向かう光の多くがダイパッド部787に遮られる。そのため、従来のLEDモジュールX7は、遮光部分となるダイパッド部787の面積を余り小さくすることができず、チップ全体としての輝度をそれほど高めることができなかった。
従来の反射型のLEDモジュールには、たとえば特許文献3に開示されたものがある。図58に示すように、この種のLEDモジュールX5は、LED素子581と、主面583を有するケース582と、LED素子581が接合された第1のリード586と、LED素子581にワイヤ593を介して接続された第2のリード589とを備える。主面583には、凹面状の反射面584を有する凹部585が形成されている。第1のリード586のインナーリード部587は、ケース582の一側方から凹部585の中央付近まで延びている。インナーリード部587の先端には、反射面584に対向した姿勢でLED素子581が接合されている。第2のリード589のインナーリード部590は、ケース582の他側方から第1のリード586のインナーリード部587の近傍まで延びている。凹部585には、透光性樹脂592が充填されている。
LEDモジュールX5を製造する際、第1および第2のリード586,589は、リードフレームにフォーミング加工などを施すことによって形成される。インナーリード部587,590は、透光性樹脂592の硬化に伴い、この透光性樹脂592の表面に固着させられる。その余のアウターリード部588,591は、ケース582の主面583から側面、さらには底面に沿うようにフォーミング加工によって折り曲げられ、そのうちの底面に沿う部分が電極端子として用いられる。
LED素子581から出射した光は、凹部585の反射面584で反射し、その後、透光性樹脂592の表面を抜けてケース582の外方に照射される。その際、インナーリード部587,590は、ケース582の外方へと向かう光に対して遮光部分になる。そのため、インナーリード部587,590は、十分細い形状であることが望ましい。
しかしながら、上記従来のLEDモジュールX5では、以下に説明する難点がある。
すなわち、LEDモジュールX5においては、インナーリード部587,590が細くなると、透光性樹脂592に接する表面積が小さくなり、透光性樹脂592の表面におけるインナーリード部587,590の固着力が弱くなる。そうした場合、フォーミング加工によって折れ曲がったアウターリード部588,591の弾性復元力が相対的に大きくなり、インナーリード部587,590は、透光性樹脂592の表面から剥がれやすくなる。これにより、従来のLEDモジュールX5では、遮光部分を小さくするほど、第1および第2のリード586,589がケース582から剥がれやすくなるという難点があった。
特許第2914097号公報 特開2007−184377号公報 特開2007−184377号公報
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、少なくとも正面照射強度を向上させることが可能な発光装置を提供することを第1の課題とする。
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、遮光部分を比較的小さくし、ひいては高輝度化を容易に図ることができる反射型のLEDモジュールを提供することを第2の課題とする。
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、リードの剥離を確実に防止し、遮光部分をより小さくすることができるLEDモジュールを提供することを第3の課題とする。
第1の課題を解決するため、本発明によって提供される発光装置は、発光素子、上記発光素子に接続するワイヤ、並びに、上記発光素子が配置された第1の底面、および第1の側面を有する第1の凹部と、上記ワイヤがボンディングされた第2の底面、および第2の側面を有する第2の凹部とが表面に形成された基材、を備え、上記第1および第2の凹部の開口部は、いずれも少なくともその一部が上記表面に達しており、上記第2の底面が上記第1の底面よりも上記表面側に形成され、上記第1の側面のうち上記表面に達していない箇所を通じて上記第2の底面と上記第1の側面とが繋がっており、上記第1の側面のうち上記表面に達している箇所を通じて上記第2の側面と上記第1の側面とが繋がっており、上記第1の凹部の開口面積は、上記第2の凹部の開口面積よりも大きい。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記基材は、上記表面と反対側の裏面を有し、上記裏面の一部のみを覆う裏面導電体層をさらに備え、上記基材のうち上記裏面導電体層に覆われた裏面側被覆部と、上記裏面側における上記基材のうち上記裏面導電体層に覆われていない裏面側露出部とは、同一の材料からなる。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記発光素子と導通しており、且つ、上記表面の一部のみを覆う表面導電体層をさらに備え、上記基材のうち上記表面導電体層に覆われた表面側被覆部と、上記表面側における上記基材のうち上記表面電極層に覆われていない表面側露出部とは、同一の材料からなる。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記表面導電体層は、少なくとも一部が上記第1の側面に形成された第1表面電極を備え、上記第1表面電極は、上記第1の凹部の外部に形成され且つ上記第1の凹部の縁につながる枠状部を含む。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記枠状部の外側の端縁は、上記第1の凹部の上記縁に沿う形状である。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記表面は、上記第2の凹部よりも上記第1の凹部寄りの、上記第1の凹部および上記第2の凹部が並ぶ方向である第1の方向の一端において、上記第1の方向と交差する第2の方向に沿って延びる第1の側縁を有し、上記第1表面電極は、上記第1の側縁とつながり且つ上記第2の方向に沿って延びる第1帯状部を含む。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第1の凹部の縁と上記第1の側縁との距離は、上記第1の方向における上記第1帯状部の大きさより小さい。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記表面導電体層は、少なくとも上記第2の底面に形成され、且つ、上記第1表面電極と絶縁している第2表面電極を備え、上記表面側露出部は、上記第2の底面の上記第1の凹部側の一端に位置し、且つ、上記第1表面電極および上記第2表面電極に挟まれた底面露出領域を含む。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記基材は、上記第1の凹部および上記第2の凹部が並ぶ方向である第1の方向に交差する第2の方向を向く側面を有し、上記裏面導電体層は、上記側面が向く側と同一の側を向く端面を有し、上記端面は、上記側面から離間した部位を有する。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記端面は、上記裏面の上記第1の方向における一端に位置し且つ上記側面と面一である部位を有する。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第2表面電極には、上記第2の凹部から、上記第1の凹部とは反対側に延びる空隙部が形成されている。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第1の凹部が開口する方向に膨らみ且つ上記開口する方向視において上記第1の凹部と重なる凸面、を有するレンズを更に備える。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記レンズは、上記第1の凹部と上記凸面との間に位置し且つ上記第1の凹部を覆う板状部を含む。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記板状部は、上記第1の凹部に臨む平面状の第1面を有する。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記板状部は、上記第1の凹部に臨み且つ上記第1の凹部に向かって膨らむ第1面を有する。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記板状部は、上記第1の凹部および上記第2の凹部が並ぶ方向である第1の方向を向き且つ粗面であるレンズ側面を有する。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記板状部は、上記第1面と反対側を向き、且つ、粗面である第2面を有する。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記レンズは、上記凸面とつながり、且つ、上記第1の凹部が開口する方向視において上記凸面を囲むテーパ面を有する。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記テーパ面は、鏡面である。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記基材は、上記表面側に形成され且つ上記第1の凹部が開口する方向に***する***部を含む。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記レンズと上記基材との間に位置し、上記レンズを上記基材に対し固定する接着層を更に備える。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記接着層は、ボンディングシートからなる。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記接着層は、液体接着剤からなる。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記発光素子を覆う樹脂部を更に備える。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記樹脂部は、上記第1の凹部が開口する方向に膨らみ且つ上記発光素子からの光を出射する光出射面を有する。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第1の凹部の縁は、上記第1の凹部の深さ方向視において円形状であり、上記深さ方向視において、上記第1の凹部の中心と上記第1の凹部の上記縁との距離は、上記中心と上記底面露出領域との距離より大きい。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第2の底面と上記第1の凹部の上記第1の側面との境界は、C面またはR面である。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第1の凹部は、パラボラ状である。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第2の凹部は、四角錐台状である。
本発明の好ましい実施の形態においては、発光装置が直方体状である。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記基材の上記表面側部分における上記第1および第2の凹部の面積占有率が、70〜90%である。
第2の課題を解決するため、本発明によって提供される反射型LEDモジュールは、平面視矩形状のLED素子と、凹面状の反射面を有するケースと、上記反射面の一部を覆い、この反射面に対して上記LED素子を対向させる平面視矩形状のダイパッド部を有する第1のリードと、を備えたLEDモジュールであって、上記LED素子は、その全ての角部を上記ダイパッド部の側辺に向けた姿勢で接合されていることを特徴としている。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第1のリードは、上記ダイパッド部に続いて上記反射面の一部を覆うインナーリード部を有し、上記ダイパッド部の側辺は、上記インナーリード部に対して斜交している。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記反射面の一部を覆い、ワイヤを介して上記LED素子と接続されるボンディングパッド部を有する第2のリードを備え、上記ダイパッド部は、その一角が上記ボンディングパッド部に近接している。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第1のリードは、上記ダイパッド部に続いて上記反射面の一部を覆うインナーリード部を有し、上記ダイパッド部の側辺は、上記インナーリード部に対して平行あるいは直交している。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記反射面の一部を覆い、ワイヤを介して上記LED素子と接続されるボンディングパッド部を有する第2のリードを備え、上記ダイパッド部は、その一側辺が上記ボンディングパッド部に近接している。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第2のリードは、上記ボンディングパッド部に続いて上記反射面の一部を覆うインナーリード部を有し、上記第1および第2のリードのインナーリード部と上記反射面との間には、透光性樹脂が充填されている。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第1および第2のリードの少なくともいずれかにおける上記インナーリード部には、上記透光性樹脂の表面に対して傾斜し、上記透光性樹脂に没入する張り出し部が形成されている。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第1および第2のリードの少なくともいずれかにおける上記インナーリード部には、上記透光性樹脂に没入する凹部が形成されている。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第1および第2のリードの少なくともいずれかにおける上記インナーリード部には、上記透光性樹脂が浸入する孔が形成されている。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記ボンディングパッド部には、上記透光性樹脂の表面に対して傾斜し、上記透光性樹脂に没入する張り出し部が形成されている。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第1および第2のリードの少なくともいずれかは、上記インナーリード部に続き、上記ケースにおける上記反射面のその余の面に沿って延びるアウターリード部を有し、このアウターリード部は、二股状に形成されている。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記ケースは、上記反射面とは反対側に底面を有し、上記第1および第2のリードの少なくともいずれかにおける上記アウターリード部の先端部は、上記ケースの底面に沿っている。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記ケースは、上記反射面が臨む方向とは異なる方向に臨む側面を有し、上記第1および第2のリードの少なくともいずれかにおける上記アウターリード部の先端部は、上記ケースの側面に沿っている。
第3の課題を解決するため、本発明によって提供されるLEDモジュールは、LED素子と、主面を有するケースと、上記主面に沿って設けられ、上記LED素子が接合される第1のリードと、を備えたLEDモジュールであって、上記主面の一部と上記第1のリードの一部とは、互いに係合していることを特徴としている。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第1のリードから絶縁されるとともに、上記主面に沿って設けられ、上記LED素子にワイヤを介して接続される第2のリードを備え、上記主面の一部と上記第2のリードの一部とは、互いに係合している。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第1および第2のリードの係合部分には、上記主面の一部が入り込む孔が形成されている。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記ケースは、上記主面とは反対側に底面を有するとともに、この底面から上記主面へと抜けて上記第1および第2のリードのそれぞれに導通する第1および第2のスルーホールを有し、上記底面には、上記第1および第2のスルーホールのそれぞれに導通し、互いに絶縁された第1および第2の電極端子が設けられている。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記ケースは、上記主面が臨む方向とは異なる方向に臨む複数の側面を有し、上記複数の側面のうち互いに反対側に位置する2つの側面には、上記第1および第2のリードのそれぞれに導通する第1および第2の電極端子が設けられている。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記主面には、凹面状の反射面を有する凹部が形成され、上記第1のリードは、上記凹部の反射面に対向した姿勢で上記LED素子が接合されるダイパッド部を有するとともに、上記第2のリードは、上記ワイヤの一端が接合され、上記反射面の一部を覆うボンディングパッド部を有する。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記凹部には、上記LED素子および上記ワイヤを封止する透光性樹脂が充填されている。
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
本発明の第1実施形態にかかる発光装置の斜視図である。 図1に示した発光装置の平面図である。 図1、図2のIII−III線に沿った断面図である。 図1、図2のIV−IV線に沿った断面図である。 図1に示した発光装置の底面図である。 本発明の第1実施形態にかかる発光装置の製造方法の一工程を示す要部斜視図である。 図6のVII−VII線に沿う断面図である。 図6に示した工程に続く工程を示す図である。 図8のIX−IX線に沿う断面図である。 図8に示した工程に続く工程を示す図である。 図10のXI−XI線に沿う断面図である。 本発明の第2実施形態にかかる発光装置の平面図である。 図12に示した発光装置の正面図である。 図12に示した発光装置の右側面図である。 図12に示した発光装置の底面図である。 図12のXVI−XVI線に沿った断面図である。 図12のXVII−XVII線に沿った断面図である。 図12に示した発光装置からレンズを省略して示す平面図である。 本発明の第2実施形態にかかる発光装置の製造方法の一工程を示す要部断面図である。 図19に示した工程に続く工程を示す図である。 本発明の第2実施形態の第1変形例にかかる発光装置の平面図である。 図21に示した発光装置の正面図である。 図21に示した発光装置の右側面図である。 図21に示した発光装置の底面図である。 図21のXXV−XXV線に沿った断面図である。 図21のXXVI−XXVI線に沿った断面図である。 図21に示した発光装置からレンズを省略して示す平面図である。 図25の領域XXVIIIの部分拡大断面図である。 図26の領域XXIXの部分拡大断面図である。 本発明の第2実施形態の第2変形例にかかる発光装置の断面図である。 本発明の第2実施形態の第3変形例にかかる発光装置の断面図である。 本発明の第2実施形態の第4変形例にかかる発光装置の断面図である。 本発明の第3実施形態に基づくLEDモジュールを示す全体斜視図である。 図33に示すLEDモジュールの上面図である。 図34のXXXV−XXXV線に沿う断面図である。 図34のXXXVI−XXXVI線に沿う断面図である。 本発明の第4実施形態に基づくLEDモジュールを示す上面図である。 本発明の第5実施形態に基づくLEDモジュールを示す断面図である。 本発明の第6実施形態に基づくLEDモジュールを示す上面図である。 図39のXL−XL線に沿う断面図である。 本発明の第7実施形態に基づくLEDモジュールを示す断面図である。 本発明の第8実施形態に基づくLEDモジュールを示す上面図である。 本発明の第9実施形態に基づくLEDモジュールを示す全体斜視図である。 図43に示すLEDモジュールの上面図である。 図44のXLV−XLV線に沿う断面図である。 図44のXLVI−XLVI線に沿う断面図である。 図44のXLVII−XLVII線に沿う断面図である。 図43のLEDモジュールを構成するケースの上面図である。 要部の形成方法を説明するための説明図である。 本発明の第10実施形態に基づくLEDモジュールを示す全体斜視図である。 図50のLEDモジュールを構成するケースの上面図である。 図50のLII−LII線に沿う断面図である。 図50のLIII−LIII線に沿う断面図である。 本発明の第11実施形態に基づくLEDモジュールの要部を示す断面図である。 従来の発光装置の一例を示す斜視図である。 図55に示した発光装置の要部断面図である。 従来のLEDモジュールを示す上面図である。 従来のLEDモジュールを示す斜視図である。
以下、本発明の実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
図1〜図11を用いて、本発明の第1実施形態について説明する。図1は、第1実施形態にかかる発光装置の斜視図である。図2は、図1に示した発光装置の平面図である。図3は、図1、図2のIII−III線に沿った断面図である。図4は、図1、図2のIV−IV線に沿った断面図である。図5は、図1に示した発光装置の底面図である。
図1〜図5に示された発光装置A1は、たとえば携帯電話機に設けられ、赤外線を発光する光源として用いられる。発光装置A1は、基材1、表面導電体層2、側面導電体層3、裏面導電体層4、発光素子6、およびワイヤ7を備える。発光装置A1は、たとえば、方向xにおける大きさが約2.3mm、方向yにおける大きさが約2.1mm、方向zにおける大きさが約0.95mmである。
図1〜図5に示すように、基材1は、直方体形状であり、たとえば絶縁性のメッキ付着性樹脂からなる。このメッキ付着性樹脂としては、液晶ポリマーが挙げられる。図2〜図4によく表れているように、基材1は、表面1a、裏面1b、および側面1c,1d,1e,1fを有する。図1〜図5において、表面1aと側面1c,1d,1e,1fとの境界を、それぞれ側縁1ac,1ad,1ae,1afとしている。
図1〜図4に示すように、基材1の表面1aには、第1の凹部11と、第2の凹部12とが形成されている。第1の凹部11は、パラボラ形状である。第1の凹部11は、パラボラ形状が好ましいが、たとえば四角錐状などであってもよい。図2〜図4に示すように、第1の凹部11は、底面111と側面112とを有する。底面111は、たとえば直径が0.653mm程度の円形状である。図3、図4によく表れているように、側面112は、底面111から基材1の表面1aにまで至っている部分と、底面111から表面1aに至っていない、比較的高さが低い部分とを有している。図2に示すように、側面112と表面1aとの境界は、第1の凹部11の縁114とされる。縁114は、xy平面視において円形状を呈している。本実施形態においては、基材1の表面1a側部分における第1の凹部11および第2の凹部12の面積占有率が70〜90%とされている。
図1〜図3に示すように、第2の凹部12は、方向xに沿って第1の凹部11と並ぶように配置されている。第2の凹部12は、四角錐台状である。第2の凹部12は、四角錐状のものに限られずたとえば円錐状であってもよい。第2の凹部12は、底面121および側面122,123,124を有する。
底面121は、たとえば、方向xにおける大きさが0.32mm程度、方向yにおける大きさが0.26mm程度の長方形状である。底面121は、その面積が第1の底面111よりもかなり小さい。したがって、側面112と側面122,123,124の傾きとがほぼ同じである場合は、第1の凹部11の開口面積は、第2の凹部12の開口面積よりも大きい。図3、図4によく表れているように、底面121は、底面111よりも基材1の表面1a側(図の上側)に位置している。また、図3の領域Boに示す底面121と側面112との境界は、C面またはR面とされる。底面121と側面112との境界を、必ずしも、C面やR面にする必要はない。
図2、図4に示すように、側面122,123は、互いに対向している。側面122,123は、底面121の方向xに延びる縁から基材1の表面1aにまで至っている。図4に示すように、側面122,123は、底面121に対してたとえば120度の角をなしている。図2、図3に示すように、側面124は、底面121の方向yに延びる縁から基材1の表面1aにまで至っている。側面124は、側面122,123とつながっている。図3に示すように、側面124は、底面121に対してたとえば100度の角度をなしている。
図2〜図4に示すように、底面121は、第1の凹部11の側面112のうち表面1aに至っていない、比較的高さが低い部分を通して第1の側面112と繋がっている。また、側面122,123は、側面112のうち表面1aに至っている部分と繋がっている。これにより、第2の凹部12は、第1の凹部11と繋がっている。
図1〜3および図5に示すように、基材1には、***部13a,13bが形成されている。***部13aは、基材1の表面1a側に形成され、且つ、方向z(第1の凹部11が開口する方向)に***する形状である。図1および図2に示すように、***部13aは、平面視で半異型の円形状である。***部13bは、基材1の裏面1b側に形成され、且つ、方向zと反対方向に***する形状である。***部13bは、方向yに沿って延びる形状である。***部13a,13bは、たとえば後述する発光装置A1の製造過程において、発光素子6およびワイヤ7などを防塵するためのシートを適切に取り付けるための土台として用いられる。
図1〜図4に示すように、表面導電体層2は、基材1の表面1a側に形成されている。表面導電体層2は、Cu層、Ni層、およびAu層が順に基材1に積層された構造である。表面導電体層2は、第1表面電極21、および第2表面電極22を備える。第1表面電極21は図2の右側に配置されており、第2表面電極22は同図の左側に配置されている。第1表面電極21と第2表面電極22とは互いに絶縁されている。
第1表面電極21は、枠状部211、帯状部212、内面電極213、および底面電極214を含む。
図3、図4に示すように、底面電極214は、第1の凹部11の底面111に形成されている。内面電極213は、第1の凹部11の側面112に形成されている。内面電極213はまた、第2の凹部12の底面121、および側面122,123のうち第1の凹部11寄りの部分に形成されている。図2に示すように、枠状部211は、第1の凹部11の縁114を囲むように形成されている。枠状部211は、第1の凹部11の外部に形成され、且つ内面電極213とつながっている。枠状部211は、第1の凹部11の縁114を囲む略リング状を呈している。枠状部211の外側の端縁211aは、第1の凹部11の縁114に沿う形状である。
図2に示すように、帯状部212は、基材1の方向xにおける側縁1ac側の一端に形成されている。帯状部212は、側縁1afから側縁1adにわたって方向yに沿って延びる形状である。帯状部212は、内面電極213、および枠状部211とつながっている。帯状部212の幅L1(方向xにおける大きさ)は、側縁1acと第1の凹部11の縁114との距離L2よりも大きい。幅L1は、たとえば0.29mmであり、距離L2は、たとえば0.17mmである。
図1〜図4に示すように、第2表面電極22は、帯状部222、内面電極223、および底面電極224を含む。
図2、図3に示すように、底面電極224は、第2の凹部12の底面121に形成されている。底面電極224は、底面121のうち第1の凹部11近傍部分に至るまで形成されている。ただし底面電極224は、内面電極213とは離間している。内面電極223は、第2の凹部12の側面122,123,124に形成されている。内面電極223は、側面124の全面を覆っている。また、内面電極223は、側面122,123のうち第1の凹部11近傍部分に至るまで形成されている。ただし内面電極223は、内面電極213とは離間している。内面電極223は、底面電極224とつながっている。
図2に示すように、帯状部222は、基材1の方向xにおける側縁1ae側の一端に形成されている。帯状部222は、側縁1afから側縁1adにわたって方向yに沿って延びる形状である。帯状部222は、内面電極223とつながっている。
図2に示すように、基材1のうち表面導電体層2に覆われた部分は、表面側被覆部16である。また、表面1a側の基材1のうち表面導電体層2に覆われていない部分は、表面側露出部18である。表面側露出部18が形成されることにより、第1表面電極21と第2表面電極22とが絶縁されている。後述するように、基材1の所望の領域に表面導電体層2を形成するために、メッキ付着性樹脂と非メッキ付着性樹脂とから基材1を形成する方法を用いておらず、レーザパターニング法を用いている。そのため、表面側露出部18および表面側被覆部16は、同一の材料のメッキ付着性樹脂からなる。表面側露出部18は、表面露出領域181、内面露出領域182、および底面露出領域183を含む。
表面露出領域181は、基材1の表面1aにおける表面導電体層2に覆われていない領域である。表面露出領域181は、第1の凹部11および第2の凹部12の方向yにおける両側(図2の上側と下側)に位置する。表面露出領域181は、枠状部211、帯状部212、帯状部222、および、側縁1afまたは側縁1adに囲まれている。
内面露出領域182は、第2の凹部12の側面122,123における表面導電体層2に覆われていない領域である。内面露出領域182は、内面電極223と内面電極213とが離間していることにより、形成されている。内面露出領域182は、第1の凹部11および第2の凹部12が繋がっている部分に沿った形状であり、基材1の表面1aから底面121に至っている。
底面露出領域183は、第2の凹部12の底面121における表面導電体層2に覆われていない領域である。底面露出領域183は、第1の凹部11側の底面121の一端の位置している。底面露出領域183は、底面電極224と内面電極213とが離間していることにより形成されている。そのため、底面露出領域183は、底面電極224と内面電極213とに挟まれた領域であるといえる。底面露出領域183は、方向yに沿って延びる帯状である。底面露出領域183は、内面露出領域182とつながっている。また、図2に示すように、xy平面視において、底面露出領域183と第1の凹部11の縁114により形成される円の中心Pとの距離L3は、第1の凹部11の縁114と中心Pとの距離L4より小さい。
図1、図3に示すように、側面導電体層3は、第1側面電極31と第2側面電極32とを含む。第1側面電極31は、基材1の側面1cに形成されている。図1によく表れているように、第1側面電極31は、側面1cの全体を覆っている。第1側面電極31は、帯状部212と接続している。これにより、第1側面電極31は、第1表面電極21と電気的に接続している。
第2側面電極32は、基材1の側面1eに形成されている。第2側面電極32は、側面1eの全体を覆っている。第2側面電極32は、帯状部222と接続している。これにより、第2側面電極32は、第2表面電極22と電気的に接続している。
図1、図3、図5に示すように、裏面導電体層4は、基材1の裏面1bに形成されている。裏面導電体層4は、第1裏面電極41と第2裏面電極42とを含む。図5に示すように、第1裏面電極41、および第2裏面電極42はいずれも、基材1の裏面1bの方向yにおける全体にわたって帯状に延びる形状である。第1裏面電極41,および第2裏面電極42の幅は、太いほうが好ましく、たとえば0.5mm程度である。第1裏面電極41は、第1側面電極31と接続している。これにより、第1裏面電極41、第1側面電極31、および第1表面電極21どうしが導通している。一方、第2裏面電極42は、第2側面電極32と接続している。これにより、第2裏面電極42、第2側面電極32、および第2表面電極22どうしが導通している。
側面導電体層3、および裏面導電体層4はいずれも、表面導電体層2と同様の、Cu層、Ni層、およびAu層が積層された構造である。
図5に示すように、基材1のうち裏面導電体層4に覆われた部分は、裏面側被覆部17である。また、裏面1b側の基材1のうち裏面導電体層4に覆われていない部分は、裏面側露出部19である。後述するように、基材1の所望の領域に裏面導電体層4を形成するために、メッキ付着性樹脂と非メッキ付着性樹脂とから基材1を形成する方法を用いておらず、レーザパターニング法を用いている。そのため、裏面側露出部19および裏面側被覆部17は、同一の材料のメッキ付着性樹脂からなる。
図1〜図4に示すように、発光素子6は、第1の凹部11の底面111に配置されている。発光素子6は、たとえば赤外光を出射可能なLED素子である。用途によっては、発光素子6としてたとえば可視光などを出射可能なものを用いてもよい。本実施形態では、発光素子6のカソード端子が、底面電極214に接続されている。そのため本実施形態では、第1表面電極21、第1側面電極31、および第1裏面電極41は、カソード電極といえる。
ワイヤ7は、発光素子6に接続されている。本実施形態では、ワイヤ7は、発光素子6のアノード端子に接続されている。また、ワイヤ7は、底面電極224にボンディングされている。これにより、底面電極224と発光素子6のアノード端子が導通している。そのため本実施形態では、第2表面電極22、第2側面電極32、および第2裏面電極42は、アノード電極といえる。
第1の凹部11、および第2の凹部12には図示しない樹脂が充填されている。これにより、発光素子6およびワイヤ7が保護され、また固定されている。
次に、図6〜図11を用いて、本実施形態にかかる発光装置A1の製造方法について説明する。発光装置A1を製造するには、レーザパターニング法を用いている。以下具体的に説明する。
図6は、発光装置A1の製造方法の一工程を示す要部斜視図である。図7は、図6のVII−VII線に沿う断面図である。まず、図6、図7に示すように、方向yに延びる基材1’を用意する。基材1’には、互いにつながる第1の凹部11および第2の凹部12が、方向yに沿って複数形成されている。次に、メタライジング工程を行う。この工程においては、基材1’の表面1a’、裏面1b’、側面1c’,1e’、第1の凹部11、および第2の凹部12など、基材1’の全面に導電体膜8を形成する。導電体膜8は、たとえばCuからなる。
図8は、図6に示した工程に続く工程を示す要部斜視図である。図9は、図8のIX−IX線に沿う断面図である。図8、図9に示すように、基材1’の表面1a’および裏面1b’にレーザRを照射するパターニング工程を行う。レーザRを照射することにより、図1〜図5において示した表面導電体層2や裏面導電体層4の輪郭に沿うように、導電体膜8の一部を除去する。導電体膜8の一部が除去されることにより、導電体膜8は、図1〜図5に示した表面導電体層2、裏面導電体層4、もしくは側面導電体層3となる回路部81と、回路部81以外の非回路部82とに分離される。次に、電解Cuメッキを行って、回路部81のみにCuを析出させる。
図10は、図8に示した工程に続く工程を示す要部斜視図である。図11は、図10のXI−XI線に沿う断面図である。図10、図11に示すように、ソフトエッチング工程を行い、非回路部82を除去する。これにより、表面側露出部18および裏面側露出部19が形成される。続いて、回路部81にNiメッキ、Auメッキを行うことにより、Cuからなる回路部81には、Ni層およびAu層が積層される。これにより、図1〜5において示した表面導電体層2、側面導電体層3、および裏面導電体層4が形成される。次に、図1〜図4に示した発光素子6、およびワイヤ7などを形成する(図示略)。次に、図10のDc線に沿って、基材1’を切断する。これにより、発光装置A1の製造が完成する。
次に、本実施形態にかかる発光装置A1の作用について説明する。
発光装置A1においては、第2の底面12と繋がった部分を除き側面112は、基材1の表面1aにまで至っている。そのため、発光装置A1によれば、第2の底面12と繋がった部分以外の側面112の高さをより高くすることができるといえる。これにより、発光装置A1の正面照射強度を向上させることができる。また発光装置A1の指向角をより狭くすることもできる。
発光装置A1の製造方法の説明で述べたように、基材1’の所望の領域に導電体膜8を形成するために、レーザパターニング法を用いている。そのため、基材1’の裏面1b’の所望の領域に導電体膜8を形成するために、基材1’の裏面1b’が非メッキ付着性樹脂から構成されている必要がない。そのため、基材1’の裏面1b’に非メッキ付着性樹脂を形成するスペースを削減でき、基材1の方向zにおける大きさをより小さくできる。これにより、発光装置A1の薄型化を図ることができる。
図2に示したように、第1表面電極21は枠状部211を備える。枠状部211は、図8に示したようにレーザRを照射する際、第1の凹部11の外側にレーザRを照射した結果形成されたものである。第1の凹部11の外側にレーザRを照射することは、レーザRの照射位置がずれて第1の凹部11の側面112に誤ってレーザを照射してしまう不具合を回避するのに適する。
図2に示したように、底面露出領域183は、底面121の第1の凹部11側の一端に位置している。これは、ワイヤボンディングエリアである底面電極224の、方向xにおける大きさを大きくするのに適する。
また、底面露出領域183と第1の凹部11の縁114により形成される円の中心Pとの距離L3は、第1の凹部11の縁114と中心Pとの距離より小さい。そのため、側面112の大きさを広くしつつも、形成しなければならないワイヤ7の長さを短くできる。
帯状部212の幅L1は、側縁1acと第1の凹部11の縁114との距離L2よりも大きい。これは、第1の凹部11をより側縁1acに近づけるのに適している。これにより、xy平面視における発光装置A1の大きさを小さくできる。
図3の領域Boに示したように、第2の凹部12の底面121と第1の凹部11の側面112との境界は、C面またはR面である。これにより、ワイヤ7が内面電極213に接触する不具合を回避できる。
次に、図12〜図20を用いて、本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態およびその変形例において第1実施形態と同一または類似の要素には第1実施形態と同一の符号を付し、その説明を適宜省略する。図12は、本発明の第2実施形態にかかる発光装置の平面図である。図13は、図12に示した発光装置の正面図である。図14は、図12に示した発光装置の右側面図である。図15は、図12に示した発光装置の底面図である。図16は、図12のXVI−XVI線に沿った断面図である。図17は、図12のXVII−XVII線に沿った断面図である。
これらの図に示した発光装置A2は、基材1、表面導電体層2、側面導電体層3、裏面導電体層4、発光素子6、ワイヤ7、レンズ5、および接着層85を備える。図18は、図12に示した発光装置からレンズを省略して示す平面図である。発光装置A2における基材1、表面導電体層2、側面導電体層3、発光素子6、ワイヤ7の各構成は、発光装置A1と同様であるから、説明を省略する。ただし、発光装置A2における、基材1に形成された***部13aの形状は、発光装置A1における***部13aの形状と異なる。
図15に示すように、本実施形態において、裏面導電体層4における第1裏面電極41および第2裏面電極42は、それぞれ、基材1の裏面1bの中心に向かって突出する形状である。具体的に述べると、第1裏面電極41は、端面41a,41bを有する。端面41aは、基材1の側面1dが向く側と同一の側を向く。端面41aは、側面1dから離間した部位と、側面1dと面一である部位とを有する。端面41aのうち側面1dと面一である部位は、裏面1bの方向xにおける一端に位置する。
同様に、端面41bは、基材1の側面1fが向く側と同一の側を向く。端面41bは、側面1fから離間した部位と、側面1fと面一である部位とを有する。同様に、第2裏面電極42は、端面42a,42bを有する。端面42aは、基材1の側面1dの向く側と同一の側を向く。端面42aは、側面1dから離間した部位と、側面1dと面一である部位とを有する。端面42bは、基材1の側面1fの向く側と同一の側を向く。端面42bは、側面1fから離間した部位と、側面1fと面一である部位とを有する。
図16によく表れているように、レンズ5は、基材1の表面1a側に配置されている。レンズ5は、発光素子6から放たれる光の正面照射強度を向上させるためのものである。レンズ5は、たとえば、熱硬化性のエポキシ樹脂よりなる。レンズ5は、たとえば、可視光の透過を遮断する黒色の樹脂よりなる。本実施形態では、発光素子6は赤外線を照射する。レンズ5は、発光素子6からの光(本実施形態では赤外線)を透過可能である。レンズ5は、凸部51と、板状部53とを含む。
凸部51は凸面51aを有する。凸面51aは、方向zに向かって膨らむ。図12に示すように、凸面51aは、方向z視において第1の凹部11と重なる。本実施形態では、凸面51aは方向z視において円形状である。凸面51aは、発光素子6からの光が出射する面であるため、鏡面となっている。凸面51aが鏡面であることにより、凸面51aにて光が乱反射したり散乱したりすることが抑制される。凸部51の曲率は、第1の凹部11の形状に応じて所望の値に決定される。
図12〜図14、図16、図17に示すように、板状部53は、第1の凹部11を覆う板状の部位である。板状部53は、第1の凹部11と凸面51aとの間に位置する。板状部53は、第1面53aと、第2面53bと、レンズ側面53c,53d,53e,53fとを有する。
図16に示すように、第1面53aは、第1の凹部11に臨む。本実施形態では、第1面53aは平面状である。第1面53aは、発光素子6からの光が入射する面であるため、鏡面となっている。第1面53aが鏡面であることにより、凸面51aにて光が乱反射したり散乱したりすることが抑制される。
第2面53bは、第1面53aと反対側を向く。レンズ側面53cは、基材1の側面1cと同一方向を向く。レンズ側面53eは、基材1の側面1eと同一方向を向く。図14に示すように、レンズ側面53dは、基材1の側面1dと同一方向を向く。また、レンズ側面53dは側面1dと面一となっている。レンズ側面53fは、基材1の側面1fと同一方向を向く。また、レンズ側面53fは側面1fと面一となっている。第2面53b、および、レンズ側面53c,53eはいずれも、微細凹凸形状が形成された粗面(梨地加工などがされた面)である。レンズ側面53c,53eは粗面である必要はなく、たとえば、鏡面であってもよい。第2面53b、および、レンズ側面53c,53eが粗面であるのは、レンズ5になるレンズ5’(後述、図19、図20参照)を成型する際に、金型からレンズ5’を抜け易くするためである。各面における微細凹凸の高低差(十点平均粗さRz)は、たとえば1〜2μmである。側面53d,53fは、基材1となる基材1’とともにレンズ5’を切断する際に形成される切断面である。
接着層85は、レンズ5と基材1との間に位置する。接着層85は、レンズ5を基材1に対し固定するためのものである。より具体的には、接着層85は、レンズ5と表面導電体層2ないし***部13aとを接着している。接着層85は、たとえば、ボンディングシートもしくは液体接着剤からなる。ボンディングシートには、たとえばエポキシ系のものがある。ボンディングシートは、熱硬化型のものであってもよいし、熱可塑型のものであってもよい。液体接着剤は、たとえば、UV系のものや、アクリル系のものがある。
図16、図17に示すように、本実施形態において、第1の凹部11および第2の凹部12には、樹脂が充填されておらず、中空となっている。発光素子6およびワイヤ7は樹脂に覆われていない。第1の凹部11および第2の凹部12は、レンズ5により略封止されている。そのため、本実施形態においては、発光素子6は、樹脂に覆われていなくても劣化(たとえば、酸化ないし硫化)しにくい。発光素子6が劣化するのをさらに抑制するため、第1の凹部11および第2の凹部12に、アルゴンや窒素等の不活性ガスが封入されていてもよい。
発光装置A2を製造するには、図19に示すように、発光装置A1を製造する場合と同様の工程を経て、図10に示す製品と同様の製品を製造する。次に、図20に示すように、発光素子6およびワイヤ7を形成する。次に、レンズ5’を基材1’に対し固定する。レンズ5’は、後に複数のレンズ5になるものである。レンズ5’は、複数の凸部51’と板状部53’とを含む。板状部53’は、方向yに沿って延びる板状を呈する。板状部53’には凸部51’が方向yに沿って複数形成されている。次に、図20に示すDc2線に沿って、基材1’やレンズ5’を一括して、切断する。これにより、発光装置A2の製造が完成する。なお、基材1’やレンズ5’を切断することによって、基材1の側面1d,1f、および、板状部53のレンズ側面53d,53fが形成される。
次に、本実施形態にかかる発光装置A2の作用について説明する。
発光装置A2は、凸面51aを有するレンズ5を備える。そのため、発光素子6からの光を凸面51aにて屈折させることにより、方向zに向かって進む発光素子6からの光の量を増加させることができる。このような発光装置A2は、正面照射強度を向上させるのに適する。
発光装置A2においては、板状部53の第1面53aは平面状である。仮に第1面53aが凸面である場合には、第1面53aがワイヤ7に接触するおそれがある。第1面53aがワイヤ7に接触すると、発光素子6の姿勢がずれる不具合が生じうる。しかしながら、本実施形態では、第1面53aが平面状であるため、第1面53aがワイヤ7に接触しにくい。そのため、本実施形態では、発光素子6の姿勢がずれる不具合が生じにくい。
内面電極213が接着層85に覆われたならば、発光装置A2の正面照射強度が低下するおそれがある。接着層85がボンディングシートからなる場合には、ボンディングシートは一定の形を有するため、内面電極213に液状接着剤が垂れることにより接着層85が内面電極213の一部を覆ってしまう、といったことが生じにくい。そのため、接着層85がボンディングシートからなる場合には、発光装置A2の正面照射強度の低下を抑制しつつ、基材1にレンズ5を配置することができる。
発光装置A2は、完成後、配線基板などに実装するためリフロー工程に付される。リフロー工程は、約260度の高温の環境にて行われる。ボンディングシートが熱硬化型のものである場合、高温の環境にて行われる当該リフロー工程において、接着層85の接着力が弱まりにくい。そのため、ボンディングシートが熱硬化型のものである場合、リフロー工程においてレンズ5が基材1から分離してしまう不具合を抑制できる。
接着層85が液体接着剤からなる場合には、アンカー効果によって、表面導電体層2ないし***部13aとレンズ5とを、より密着させつつ接着することができる。
発光装置A2においては、側面1dは、基材1’を切断する際(図20参照)の切断面である。また、端面41aは、側面1dから離間した部位を有する。基材1を切断する際、端面41aのうち側面1dから離間した部位には、基材1を切断するために用いるダイシングブレードが接触しない。このため、端面41aのうち側面1dから離間した部位には、バリが発生しない。したがって、発光装置A2は、端面41aにおけるバリの発生を抑制するのに適する。同様の理由により、発光装置A2は、端面41b,42a,42bにおけるバリの発生を抑制するのに適する。
発光装置A2においては、端面41aは、裏面1bの方向xにおける一端に位置し、且つ、側面1dと面一である部位を有する。このような端面41aを有する第1裏面電極41(裏面導電体層4)を形成するには、レーザを基材1’の裏面1b’にのみ照射すればよく、基材1’の側面1c’にレーザを照射する必要がない。そのため、発光装置A2は、製造工程を簡素化するのに適する。
本実施形態で示したレンズ5を備える構成を、上述の発光装置A1に適用してもよい。
次に、図21〜図29を用いて、本実施形態の第1変形例について説明する。図21は、本発明の第2実施形態の第1変形例にかかる発光装置の平面図である。図22は、図21に示した発光装置の正面図である。図23は、図21に示した発光装置の右側面図である。図24は、図21に示した発光装置の底面図である。図25は、図21のXXV−XXV線に沿った断面図である。図26は、図21のXXVI−XXVI線に沿った断面図である。図27は、図21に示した発光装置からレンズを省略して示す平面図である。図28は、図25の領域XXVIIIの部分拡大断面図である。図29は、図26の領域XXIXの部分拡大断面図である。
これらの図に示す発光装置A21は、レンズ5がテーパ部52を有する点、および、帯状部222(すなわち表面導電体層2)に空隙部29が形成されている点、において、上述の発光装置A2と異なる。
図22〜図25に示すように、テーパ部52は、レンズ5において、凸部51と板状部53とにつながる部位である。テーパ部52は、レンズ5になるレンズ5’を成型する際に金型からレンズ5’を抜けやすくするため、形成されている。テーパ部52は、テーパ面52aを有する。テーパ面52aは、凸面51aとつながる。図21に示すように、テーパ面52aは、方向z視において、凸面51aを囲む形状である。すなわち、本実施形態では図22の下方に行くにつれて、テーパ面52aは、拡径する形状である。テーパ面52aは、たとえば、鏡面である。テーパ面52aが鏡面である場合には、レンズ5’を成型する金型を設計しやすい。テーパ面52aは、たとえば、第2面53bやレンズ側面53c,53eと同様に、微細凹凸形状が形成された粗面である。テーパ面52aが粗面である場合には、レンズ5’(本変形例では図示略、たとえば、図19、図20参照)を成型する際に、金型からレンズ5’が抜け易い。
図25〜図29に示す空隙部29は、第2の凹部12から、第1の凹部11と反対側に向かって延びている。空隙部29は、第1の凹部11および第2の凹部12と、発光装置A21の外部の空間と、を連通させるためのものである。空隙部29を介して、第1の凹部11および第2の凹部12と、発光装置A21の外部との間を、気体が流通可能になっている。
このような構成によると、リフロー工程などの高温の環境で行われる工程において、第1の凹部11および第2の凹部12内部の気体が熱膨張したとしても、熱膨張した気体は、空隙部29を通って発光装置A21の外部に流れる。そのため、発光装置A21によると、第1の凹部11および第2の凹部12内部の圧力が極端に上昇しにくい。したがって、発光装置A2は、第1の凹部11および第2の凹部12内部の圧力が上昇することによりレンズ5が基材1から分離してしまう不具合を、抑制するのに適する。
本変形例は発光装置A2の変形例として示したが、発光装置A1について適用してもよい。
次に、図30を用いて、本実施形態の第2変形例について説明する。
同図に示す発光装置A22は、第1の凹部11および第2の凹部12に充填された樹脂部87を備える点において、上述の発光装置A2と相違する。樹脂部87は、たとえば透明のエポキシ系またはシリコーン系の材料よりなる。樹脂部87は、発光素子6およびワイヤ7を覆っている。樹脂部87は、発光素子6およびワイヤ7を保護するためのものである。本実施形態においては、樹脂部87は、第1の凹部11および第2の凹部12の略全体を満たしており、レンズ5における第1面53aと当接している。
次に、図31を用いて、本実施形態の第3変形例について説明する。
同図に示す発光装置A23は、樹脂部87が第1の凹部11および第2の凹部12の全体を満たしておらず、樹脂部87と第1面53aとの間が中空となっている点において、上述の発光装置A22と相違する。樹脂部87は、第1の凹部11にのみ充填されている。樹脂部87は光出射面87aを有する。本実施形態では、光出射面87aは方向zに向かって膨らむ形状である。
発光装置A23によると、発光素子6から放たれた光を、方向zに向かって膨らむ光出射面87aにて屈折させることにより、方向zに向かって進む発光素子6からの光の量を増加させることができる。このような発光装置A23は、正面照射強度を向上させるのに適する。
本変形例にかかる構成は、上述の発光装置A21に適用してもよい。特に、本変形例にかかる構成を、帯状部222(すなわち表面導電体層2)に空隙部29が形成されている構成に適用するのが好ましい。この場合、第1の凹部11および第2の凹部12の内部には発光装置の外部の気体が入り込む。だが、発光素子6は樹脂部87に覆われているため、発光素子6に発光装置の外部の気体が直接接触しない。このような発光装置は、発光素子の劣化を抑制しつつ、正面照射強度を向上させるのに適する。
次に、図32を用いて、本実施形態の第4変形例について説明する。同図に示す発光装置A24は、第1面53aが、方向zと反対側(第1の凹部11の側)に向かって膨らむ凸面となっている点において、上述の発光装置A2と異なる。発光装置A24によると、発光素子6から放たれた光を、凸面である第1面53aにて屈折させることにより、方向zに向かって進む発光素子6からの光の量を増加させることができる。このような発光装置A24は、正面照射強度を向上させるのに適する。
本変形例にかかる構成は、上述の発光装置A21〜A23の各々に適用できる。
図33〜図36は、本発明の第3実施形態に基づくLEDモジュールを示している。本実施形態のLEDモジュールA71は、LED素子701の光を反射させて外方に導く反射型のLEDモジュールである。LEDモジュールA71は、LED素子701、ケース702、第1のリード703、第2のリード704、および透光性樹脂705を備える。
LED素子701は、たとえばn型およびp型の半導体層の間に赤外線を発する活性層を有する。LED素子701は、上面から見て平面視矩形状の半導体素子である。LED素子701は、側面および上面から多くの光を発する。LED素子701の一辺は、たとえば0.3mm程度である。LED素子701の上面には、ワイヤ6の一端を導通接続する部分電極が形成されている。LED素子701の底面には、第1のリード703に導通接続する全面電極が形成されている(図示略)。
ケース702は、たとえば非透光性のエポキシ樹脂あるいは液晶ポリマーを硬化させたものである。ケース702は、反射面720を有する。反射面720には、たとえば金メッキ処理により光を効率よく反射させるための光沢膜が形成されている。反射面720は、上面721の中央に平面視円形で凹面状を呈する。すなわち、ケース702は、上面721に凹部を有する。ケース702の凹部には、透光性樹脂705が充填されている。ケース702は、この凹部とは反対側に底面722を有する。ケース702は、上面721および底面722に連続した第1側面723aおよび第2側面723bを有する。
第1のリード703は、たとえばFe−Ni合金、あるいはCu合金といった金属からなる。第1のリード703は、底面722の端部から第1側面723aに沿って上面721へと回り込み、さらに反射面720の中央部上方まで延びている。第1のリード703は、ダイパッド部730、インナーリード部731、張り出し部732、およびアウターリード部733を有する。
ダイパッド部730は、概ね反射面720の中央部上方に位置する。図34によく示すように、ダイパッド部730は、平面視矩形状を呈しており、その対角線に沿う最大寸法Sがたとえば0.71mm程度である。ダイパッド部730の全ての側辺730Aは、インナーリード部731が長手状に延びる方向に対して斜交している。ダイパッド部730の一角は、後述する第2のリード704のボンディングパッド部740に近接する。ダイパッド部730には、反射面720に対してLED素子701が対向した姿勢で接合される。LED素子701は、その全ての角部710をダイパッド部730の側辺730Aに向けた姿勢をなす。LED素子701は、その底面が導電性接着剤を介してダイパッド部730に接合される。そのため、ダイパッド部730の角側には、比較的広い空きスペース730Bが形成される。
インナーリード部731は、反射面720の上方において、ダイパッド部730から上面721の方へと延びる部位である。インナーリード部731は、ダイパッド部730の最大寸法Sよりも小さい幅をもつ。図36によく示すように、インナーリード部731には、張り出し部732が形成されている。張り出し部732は、透光性樹脂705の表面から反射面720の方へと傾斜し、両側において透光性樹脂705に没入する形状である。
アウターリード部733は、インナーリード部731から第1側面723aの上端まで延びる。アウターリード部733は、第1側面723aに沿ってその下端まで延びる。アウターリード部733はさらに、その先端部が底面722の端部へと回り込む。アウターリード部733の先端部は、電極端子部734として図示しない基板に接合される。このアウターリード部733は、上面721に沿う部分で二股状に分かれている。これにより、電極端子部734は、2つで一対となっている。アウターリード部733において二股状に分かれた部分の幅寸法Wは、たとえば0.35mm程度である。これらの全幅寸法(2×W)は、ダイパッド部730の最大寸法Sよりも小さい。
第2のリード704は、たとえば第1のリード703と同様に、Fe−Ni合金、あるいはCu合金といった金属からなる。第2のリード704は、底面722の端部から第2側面723bに沿って上面721へと回り込む。第2のリード704はさらに、反射面720の上方においてダイパッド部730に近接する位置まで延びている。第2のリード704は、ボンディングパッド部740、張り出し部741、インナーリード部742、およびアウターリード部743を有する。
ボンディングパッド部740は、LED素子701の上面に形成された部分電極とボンディングワイヤ706を介して接続される部位である。ボンディングパッド部740は、ダイパッド部730の一角と所定の間隔を空けて近接している。図35によく示すように、ボンディングパッド部740には、ボンディングワイヤ706の一端が接合される。ボンディングワイヤ706の他端は、LED素子701の上面に形成された部分電極に接合される。図34によく示すように、ボンディングパッド部740には、張り出し部741が形成されている。張り出し部741は、透光性樹脂705の表面から反射面720の方へと傾斜し、両側において透光性樹脂705に没入する形状である。
インナーリード部742は、反射面720の上方において、ボンディングパッド部740から第1のリード703とは反対側の上面721へと延びる部位である。インナーリード部742は、第1のリード703のインナーリード部731と同程度の幅をもつ。
アウターリード部743は、インナーリード部742から第2側面723bの上端まで延びる。アウターリード部743は、第1側面723bに沿ってその下端まで延びる。アウターリード部743はさらに、その先端部が底面722の端部へと回り込む。アウターリード部743の先端部は、電極端子部744として図示しない基板に接合される。このアウターリード部743も、上面721に沿う部分で二股状に分かれている。電極端子部744は、2つで一対となっている。
透光性樹脂705は、たとえばエポキシ樹脂あるいはシリコーン樹脂をケース702の凹部に充填して硬化させたものである。透光性樹脂705は、LED素子701からの光を効率よく導くために好ましくは透明に形成されている。透光性樹脂705の表面には、第1および第2のリード703,704の一部(ダイパッド部730、インナーリード部731、ボンディングパッド部740、インナーリード部742)が固着する。LED素子701から発せられた光は、この透光性樹脂705内を通って反射面720で反射する。反射面720で反射した光は、再び透光性樹脂705内を通って透光性樹脂705の表面から出射する。そのため、ダイパッド部730、インナーリード部731、ボンディングパッド部740、インナーリード部742といった部分は、反射面720の上方においてその一部を覆い、遮光部分となる。
次に、LEDモジュールA71の作用について説明する。
ダイパッド部730にLED素子701を接合する際、導電性接着剤の余剰分は、LED素子701の角部710よりも四辺から多くはみ出る。これにより、導電性接着剤の余剰分は、ダイパッド部730の角側に広く確保された空きスペース730Bへと流出し、この空きスペース730Bによって確実に受け止められる。これにより、ダイパッド部730については、LED素子701の角部710に側辺730Aが一致する程度まで小さくすることができる。
ケース702の凹部に透光性樹脂705を充填して硬化させる際、張り出し部732,741は、透光性樹脂705の表面に対して傾斜した姿勢でこの透光性樹脂705内に没入する。透光性樹脂705が硬化すると、張り出し部732,741は、その周りに透光性樹脂705が固着するため、透光性樹脂705から引き抜き不可となる。これにより、インナーリード部731およびボンディングパッド部740、ならびにこれらに連続するダイパッド部730およびインナーリード部742は、アンカー効果によって透光性樹脂705の表面に確実に固定され、その表面からの剥離が防止される。
LEDモジュールA71を図示しない基板に実装する際には、2つで一対となった電極端子部734,744の間に電極接合用のハンダが入り込んで固着するので、実装時に安定した接合状態とすることができる。
このLEDモジュールA71においては、LED素子701の上面と側面から多くの光が発せられる。これらの光のほとんどは、透光性樹脂705内を通って反射面720に達し、この反射面720によって効率よく反射させられる。反射した光は、透光性樹脂705の表面を抜けてケース702の外方に照射される。
その際、外方へと向かう光の一部は、ダイパッド部730、インナーリード部731、ボンディングパッド部740、インナーリード部742といった遮光部分によって遮られ、あるいは再び反射面720の方へと反射させられる。これらの遮光部分は、張り出し部732,741のアンカー効果によって剥離が防止されるため、比較的小さく形成されている。
特にダイパッド部730は、LED素子701を接合する際に必要な空きスペース730Bを十分確保した上で、そのLED素子701の大きさに応じてより一層小さく形成されている。これにより、ケース702の外方へと向かう光は、遮光部分を除いて露出した透光性樹脂705の表面を抜け、より多くの光が外方へと導かれる。
したがって、本実施形態のLEDモジュールA71によれば、透光性樹脂705の表面のうち光が遮られない露出部分を比較的大きく形成することができるので、この露出部分を介して外方に十分な光量の光を照射することができ、チップ全体の高輝度化を容易に図ることができる。
遮光部分については、その面積をより小さくしつつもアンカー効果によって剥離を確実に防ぐことができる。
図37〜図42は、第4〜第8実施形態に基づくLEDモジュールを示している。なお、第3実施形態によるものと同一または類似の構成要素については、同一符号を付してその説明を省略する。
図37は、第4実施形態に基づくLEDモジュールA72を示している。同図に示すLEDモジュールA72は、第2のリード704におけるインナーリード部742の両側に傾斜状の張り出し部741を設けたものである。このLEDモジュールA72によっても、張り出し部741のアンカー効果によって透光性樹脂705の表面にインナーリード部742を固定することができ、その表面からの剥離を確実に防止することができる。
図38は、第5実施形態に基づくLEDモジュールA73を示している。同図に示すLEDモジュールA73は、インナーリード部731の一部に透光性樹脂705に没入する凹部735を設けたものである。この凹部735は、ケース702の凹部に透光性樹脂705を充填して硬化させる際、この透光性樹脂705内に完全に没入する。透光性樹脂705が硬化すると、凹部735は、その外表面に透光性樹脂705が固着するため、透光性樹脂705から引き抜き不可となる。したがって、LEDモジュールA73によっても、凹部735のアンカー効果によって透光性樹脂705の表面にダイパッド部730およびインナーリード部731を固定することができ、その表面からの剥離を確実に防止することができる。
図39および図40は、第6実施形態に基づくLEDモジュールA74を示している。同図に示すLEDモジュールA74は、インナーリード部731,742の一部に透光性樹脂705が浸入する孔736,746を設けたものである。ケース702の凹部に透光性樹脂705を充填して硬化させる際、孔736,746の内部には、透光性樹脂705が浸入した状態、あるいは孔736,746の外部まで透光性樹脂705が溢れた状態となる。透光性樹脂705が硬化すると、これらの孔736,746は、その内壁面に透光性樹脂705が固着するため、透光性樹脂705に係止された状態となる。したがって、LEDモジュールA74によっても、孔736,746のアンカー効果によって透光性樹脂705の表面にインナーリード部731,742を固定することができ、その表面からの剥離を確実に防止することができる。
図41は、第7実施形態に基づくLEDモジュールA75を示している。同図に示すLEDモジュールA75は、アウターリード部733,743の先端部を第1側面723aおよび第2側面723bの下端に一致させ、第1側面723aおよび第2側面723bに沿うアウターリード部733,743の部分を電極端子部734,744としたものである。電極端子部734,744は、側面電極として用いられ、ケース702の側方から電極接合用のハンダを付着させて図示しない基板に接合される。このLEDモジュールA75によっても、2つで一対となった電極端子部734,744の間に電極接合用のハンダが入り込んで固着するので、実装時に安定した接合状態とすることができる。
図42は、第8実施形態に基づくLEDモジュールA76を示している。同図に示すLEDモジュールA76は、インナーリード部731が長手状に延びる方向に対し、ダイパッド部730の対向する一組の側辺730Aを平行とし、その余の一組の側辺730Aを直交させたものである。ダイパッド部730の一側辺730Aは、第2のリード704のボンディングパッド部740に近接している。このLEDモジュールA76においても、LED素子701は、その全ての角部710をダイパッド部730の側辺730Aに向けた姿勢で接合される。そのため、ダイパッド部730の角側には、比較的広い空きスペース730Bが形成される。このような構成によっても、ダイパッド部730をより一層小さく形成することができ、より多くの光を外方に導くことができる。
LEDモジュールの各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。たとえば、アンカー効果をもたらす張り出し部や孔といった部位は、第1および第2のリードのいずれか一方にのみ設けるようにしてもよい。
図43〜図47は、本発明の第9実施形態に基づくLEDモジュールを示し、図48は、そのLEDモジュールを構成するケースを示している。本実施形態のLEDモジュールA51は、LED素子501の光を反射させて外方に導く反射型のLEDモジュールである。LEDモジュールA51は、LED素子501、ケース502、第1のリード503、第2のリード504、透光性樹脂505、および第1および第2の電極端子506A,506B(図45参照)を備える。
LED素子501は、n型およびp型の半導体層の間に活性層を有する半導体素子である。活性層はたとえば赤外線を発する。LED素子501は、外表面から多くの光を発する。LED素子501の一面には、ワイヤ507の一端を導通接続する部分電極が形成されている。LED素子501の底面には、第1のリード503に導通接続する全面電極が形成されている(図示略)。
図48によく示すように、ケース502は、たとえば非透光性のエポキシ樹脂あるいは液晶ポリマーを硬化させたものである。ケース502は、光を出射させる主面521を有する。主面521の縦横寸法は、たとえば2×2mm程度である。主面521の中央部には、平面視円形状の凹部523が形成されている。凹部523は、凹面状の反射面522(図45参照)を有する。反射面522には、たとえば金メッキ処理により光を効率よく反射させる光沢膜が形成されている。この凹部523には、透光性樹脂505が充填されている。
主面521のその余の部分には、第1および第2のリード503,504に対する係合突部521Aと、メッキ層521Bとが形成されている。係合突部521Aは、マッシュルーム状になっている(図46および図47参照)。メッキ層521Bは、たとえばCu、Ni、Auといった金属の積層構造からなる。メッキ層521Bは、第1および第2のリード503,504の厚みに比べて相当薄い層である。メッキ層521Bは、第1および第2のリード503,504に対応する2つの領域に離間して形成されており、第1および第2のリード503,504のそれぞれに接する。このケース502は、主面521とは反対側に底面524を有するとともに、主面521および底面524に対して略直角をなす4つの側面525を有する。
ケース502には、第1および第2のスルーホール526A,526Bが形成されている。スルーホール526A,526Bはそれぞれ、主面521から底面524へと厚み方向に貫通する。スルーホール526A,526Bの内周壁および開口周縁には、導電層527が形成されている。導電層527は、メッキ層521Bに続く形状である。導電層527は、たとえばメッキ層521Bと同じ金属の積層構造からなる。導電層527は、第1および第2のリード503,504の厚みに比べて相当薄い層である。これにより、第1のスルーホール526Aは、メッキ層521Bおよび導電層527を介して第1のリード503に導通し、第2のスルーホール526Bは、メッキ層521Bおよび導電層527を介して第2のリード504に導通している。なお、スルーホールは、その内部全体に導電性部材が充填されたものでもよい。
第1のリード503は、たとえばFe−Ni合金、あるいはCu合金といった金属からなる。第1のリード503は、主面521の半分程度となる所定の大きさにリードフレームを加工して形成される。第1のリード503は、全体的に薄片状を呈する。第1のリード503は、主面521の略半分に面して配置されている。第1のリード503は、インナーリード部531とアウターリード部532とを有する。
インナーリード部531は、凹部523の開口周縁からその中央部付近まで延び、反射面522の一部を覆っている。凹部523の中央部付近に位置するインナーリード部531の先端部は、ダイパッド部531Aとして用いられる。ダイパッド部531Aの下面には、反射面522に対向した姿勢でLED素子501が接合される。
アウターリード部532は、凹部523を除く主面521の一方側略半分の部分に面する。アウターリード部532は、その一方側略半分を占めるメッキ層521Bに接している。これにより、アウターリード部532は、第1のスルーホール526Aに導通している。係合突部521Aに対応するアウターリード部532の適部には、複数の孔533が設けられている。孔533には、熱かしめにより係合突部521Aが係合されている。これにより、アウターリード部532は、主面521に固定されている。
第2のリード504は、第1のリード503と同様に主面521の半分程度となる所定の大きさにリードフレームを加工して形成される。第2のリード504は、全体的に薄片状を呈する。第2のリード504は、第1のリード503と絶縁され、主面521の略半分に面して配置されている。第2のリード504は、インナーリード部541とアウターリード部542とを有する。
インナーリード部541は、凹部523の開口周縁から第1のリード503のダイパッド部531Aに対して近づく方向に延び、反射面522の一部を覆っている。ダイパッド部531Aに近接するインナーリード部541の先端部は、ボンディングパッド部541Aとして用いられる。ボンディングパッド部541Aの下面には、LED素子501に接続されたワイヤ507の他端が接合される。
アウターリード部542は、第1のリード503に面する部分と凹部523とを除く主面521の他方側略半分の部分に面する。アウターリード部542は、その他方側略半分を占めるメッキ層521Bに接している。これにより、アウターリード部542は、第2のスルーホール526Bに導通している。係合突部521Aに対応するアウターリード部542の適部には、複数の孔543が設けられている。これらの孔543には、熱かしめにより係合突部521Aが係合されている。これにより、アウターリード部542は、主面521に固定されている。
上記第1および第2のリード503,504を主面521に対して固定する際、主面521における係合突部521Aは、図49(a)に示すように当初は単純な柱状を呈している。アウターリード部532,542の孔533,543は、単純な柱状の係合突部521Aに嵌め合わされる。
その後、図49(b)に示すように、係合突部521Aの頭部は、押圧部材508によって押しつぶされる。このとき、押圧部材508は、図示しないヒータによって加熱される。これにより、係合突部521Aは、熱かしめによって孔533,543の開口周縁の外方に拡がるまで変形させられ、その頭部がマッシュルーム状となって孔533,543に係合させられる。これにより、アウターリード部532,542は、確実に主面521に固定される。
透光性樹脂505は、たとえばエポキシ樹脂あるいはシリコーン樹脂を凹部523に充填して硬化させたものである。この透光性樹脂505は、LED素子501からの光を効率よく導くために好ましくは透明に形成されている。透光性樹脂505の表面には、インナーリード部531,541が固着させられる。LED素子501から発せられた光は、この透光性樹脂505内を通って反射面522で反射する。反射面522で反射した光は、再び透光性樹脂505内を通って透光性樹脂505の表面から出射する。つまり、インナーリード部531,541は、反射面522から外方へと向かう光に対して遮光部分となる。
第1および第2の電極端子506A,506Bは、図示しない基板にLEDモジュールA51を実装する際に導通接続部分となるものである。第1および第2の電極端子506A,506Bは、たとえばメッキ層521Bや導電層527と同じ金属の積層構造からなる。第1電極端子506Aは、底面524の両端部において、第1のスルーホール526Aに導通している。これにより、第1電極端子506Aは、第1のリード503に導通している。第2の電極端子506Bは、底面524の両端部において、第2のスルーホール526Bに導通している。これにより、第2電極端子506Bは、第2のリード504に導通している。
次に、LEDモジュールA51の作用について説明する。
熱かしめによって係合突部521Aを孔533,543に係合させ、アウターリード部532,542を主面521に固定した後、凹部523には、透光性樹脂505が充填される。この透光性樹脂505が硬化すると、インナーリード部531,541は、透光性樹脂505の表面に固着させられる。このとき、インナーリード部531,541は、これに連続するアウターリード部532,542と同一面内にある。そのため、インナーリード部531,541は、固着の妨げとなるような弾性力をアウターリード部532,542から受けることもなく、透光性樹脂505の表面に対して強固に固着させられる。
上記のようにして製作されたLEDモジュールA51において、第1および第2のリード503,504は、スルーホール526A,526Bを介して第1および第2の電極端子506A,506Bに接続される。すなわち、LEDモジュールA51の製造工程には、第1および第2のリード503,504をケース502の底面524や側面525に沿って折り曲げるといったフォーミング加工が不要である。これにより、原形部材となるリードフレームからは、より多くのリードを部品取りすることができ、LEDモジュールA51を容易に製作することができる。
このLEDモジュールA51においては、LED素子501から出射した光のほとんどは、透光性樹脂505内を通って反射面522に達し、この反射面522によって効率よく反射させられる。反射した光は、透光性樹脂505の表面を抜けてケース502の外方に照射される。
その際、外方へと向かう光の一部は、インナーリード部531,541によって遮られ、あるいは再び反射面522の方へと反射させられる。これらのインナーリード部531,541は、先述したようにアウターリード部532,542と同一面内にあって剥離しにくいため、比較的容易に細く形成することができる。
したがって、本実施形態のLEDモジュールA51によれば、主面521に固定された第1および第2のリード503,504は、折れ曲がった部分が全く無く、弾性復元力も生じ得ないので、ケース502からの剥離が確実に防止される。これにより、遮光部分となるインナーリード部531,541をより細く形成することができ、ひいてはケース502の外方に十分な光量の光を照射することができる。
図50および図52,図53は、本発明の第10実施形態に基づくLEDモジュールを示し、図51は、そのLEDモジュールを構成するケースを示している。なお、先述した第9実施形態によるものと同一または類似の構成要素については、同一符号を付してその説明を省略する。
図50および図52によく示すように、第10実施形態のLEDモジュールA52は、ケース502において互いに反対側に位置する2つの側面525に、第1および第2の電極端子506A,506Bに連続するメッキ層528を設けたものである。メッキ層528は、第1および第2の電極端子506A,506Bと同じ金属のメッキ層からなり、第1および第2の電極端子506A,506Bの一部として用いられる。このメッキ層528は、主面521側のメッキ層521Bに連続している。これにより、第1および第2の電極端子506A,506Bは、第1および第2のリード503,504に導通している。
上記LEDモジュールA52においても、係合突部521Aに孔533,543が係合されることによってアウターリード部532,542が主面521に対して確実に固定されている。アウターリード部532,542は、インナーリード部531,541と同一面内にあり、主面521にのみ面しており、折れ曲がった部分を有さない。そのため、原形部材となるリードフレームからは、より多くのリードを部品取りすることができるとともに、第1および第2のリード503,504は、ケース502からの剥離が確実に防止される。したがって、本実施形態のLEDモジュールA52によっても、遮光部分となるインナーリード部531,541をより細く形成することができ、ひいてはケース502の外方に十分な光量の光を照射することができる。
図54に示すように、係合突部521Aは、その頭部が孔533,543の開口面に一致するまで押しつぶされたものでもよい。係合突部521Aを押しつぶす際には、孔533,543の内周面と係合突部521Aとが熱によって固着させられる。これにより、アウターリード部532,542は、孔533,543に係合突部521Aが係合されることによって確実に主面521に固定される。
LEDモジュールは、外方に臨むリードの上面にLED素子を搭載し、そのLED素子からの光を反射させずに直接外方に向けて照射するものであってもよい。
第3〜第11実施形態のまとめとして、これらの実施形態にかかる構成およびそのバリエーションを以下に付記として列挙する。
(付記1)
平面視矩形状のLED素子と、
凹面状の反射面を有するケースと、
上記反射面の一部を覆い、この反射面に対して上記LED素子を対向させる平面視矩形状のダイパッド部を有する第1のリードと、
を備えたLEDモジュールであって、
上記LED素子は、その全ての角部を上記ダイパッド部の側辺に向けた姿勢で接合されていることを特徴とする、LEDモジュール。
(付記2)
上記第1のリードは、上記ダイパッド部に続いて上記反射面の一部を覆うインナーリード部を有し、上記ダイパッド部の側辺は、上記インナーリード部に対して斜交している、付記1に記載のLEDモジュール。
(付記3)
上記反射面の一部を覆い、ワイヤを介して上記LED素子と接続されるボンディングパッド部を有する第2のリードを備え、上記ダイパッド部は、その一角が上記ボンディングパッド部に近接している、付記2に記載のLEDモジュール。
(付記4)
上記第1のリードは、上記ダイパッド部に続いて上記反射面の一部を覆うインナーリード部を有し、上記ダイパッド部の側辺は、上記インナーリード部に対して平行あるいは直交している、付記1に記載のLEDモジュール。
(付記5)
上記反射面の一部を覆い、ワイヤを介して上記LED素子と接続されるボンディングパッド部を有する第2のリードを備え、上記ダイパッド部は、その一側辺が上記ボンディングパッド部に近接している、付記4に記載のLEDモジュール。
(付記6)
上記第2のリードは、上記ボンディングパッド部に続いて上記反射面の一部を覆うインナーリード部を有し、上記第1および第2のリードのインナーリード部と上記反射面との間には、透光性樹脂が充填されている、付記3または5に記載のLEDモジュール。
(付記7)
上記第1および第2のリードの少なくともいずれかにおける上記インナーリード部には、上記透光性樹脂の表面に対して傾斜し、上記透光性樹脂に没入する張り出し部が形成されている、付記6に記載のLEDモジュール。
(付記8)
上記第1および第2のリードの少なくともいずれかにおける上記インナーリード部には、上記透光性樹脂に没入する凹部が形成されている、付記6に記載のLEDモジュール。
(付記9)
上記第1および第2のリードの少なくともいずれかにおける上記インナーリード部には、上記透光性樹脂が浸入する孔が形成されている、付記6に記載のLEDモジュール。
(付記10)
上記ボンディングパッド部には、上記透光性樹脂の表面に対して傾斜し、上記透光性樹脂に没入する張り出し部が形成されている、付記6ないし9のいずれかに記載のLEDモジュール。
(付記11)
上記第1および第2のリードの少なくともいずれかは、上記インナーリード部に続き、上記ケースにおける上記反射面のその余の面に沿って延びるアウターリード部を有し、このアウターリード部は、二股状に形成されている、付記6ないし10のいずれかに記載のLEDモジュール。
(付記12)
上記ケースは、上記反射面とは反対側に底面を有し、上記第1および第2のリードの少なくともいずれかにおける上記アウターリード部の先端部は、上記ケースの底面に沿っている、付記11に記載のLEDモジュール。
(付記13)
上記ケースは、上記反射面が臨む方向とは異なる方向に臨む側面を有し、上記第1および第2のリードの少なくともいずれかにおける上記アウターリード部の先端部は、上記ケースの側面に沿っている、付記11に記載のLEDモジュール。
(付記14)
LED素子と、
主面を有するケースと、
上記主面に沿って設けられ、上記LED素子が接合される第1のリードと、
を備えたLEDモジュールであって、
上記主面の一部と上記第1のリードの一部とは、互いに係合していることを特徴とする、LEDモジュール。
(付記15)
上記第1のリードから絶縁されるとともに、上記主面に沿って設けられ、上記LED素子にワイヤを介して接続される第2のリードを備え、
上記主面の一部と上記第2のリードの一部とは、互いに係合している、付記14に記載のLEDモジュール。
(付記16)
上記第1および第2のリードの係合部分には、上記主面の一部が入り込む孔が形成されている、付記15に記載のLEDモジュール。
(付記17)
上記ケースは、上記主面とは反対側に底面を有するとともに、この底面から上記主面へと抜けて上記第1および第2のリードのそれぞれに導通する第1および第2のスルーホールを有し、
上記底面には、上記第1および第2のスルーホールのそれぞれに導通し、互いに絶縁された第1および第2の電極端子が設けられている、付記16に記載のLEDモジュール。
(付記18)
上記ケースは、上記主面が臨む方向とは異なる方向に臨む複数の側面を有し、
上記複数の側面のうち互いに反対側に位置する2つの側面には、上記第1および第2のリードのそれぞれに導通する第1および第2の電極端子が設けられている、付記16に記載のLEDモジュール。
(付記19)
上記主面には、凹面状の反射面を有する凹部が形成され、
上記第1のリードは、上記凹部の反射面に対向した姿勢で上記LED素子が接合されるダイパッド部を有するとともに、
上記第2のリードは、上記ワイヤの一端が接合され、上記反射面の一部を覆うボンディングパッド部を有する、付記15ないし18のいずれかに記載のLEDモジュール。
(付記20)
上記凹部には、上記LED素子および上記ワイヤを封止する透光性樹脂が充填されている、付記19に記載のLEDモジュール。
A1,A2,A21〜A24 発光装置
1 基材
1a 表面
1ac (第1の)側縁
1ac,1ad,1af 側縁
1b 裏面
1c,1d,1e,1f 側面
11 第1の凹部
111 (第1の)底面
112 側面
114 縁
12 第2の凹部
121 (第2の)底面
122,123,124 側面
13a,13b ***部
16 表面側被覆部
17 裏面側被覆部
18 表面側露出部
181 表面露出領域
182 内面露出領域
183 底面露出領域
19 裏面側露出部
2 表面導電体層
21 第1表面電極
211 枠状部
211a 端縁
212 帯状部
213 内面電極
214 底面電極
22 第2表面電極
222 帯状部
223 内面電極
224 底面電極
29 空隙部
3 側面導電体層
31 第1側面電極
32 第2側面電極
4 裏面導電体層
41 第1裏面電極
41a,41b 端面
42 第2裏面電極
42a,41b 端面
5 レンズ
51 凸部
51a 凸面
52 テーパ部
52a テーパ面
53 板状部
53a 第1面
53b 第2面
53c,53d,53e,53f レンズ側面
6 発光素子
7 ワイヤ
8 導電体膜
81 回路部
82 非回路部
85 接着層
87 樹脂部
87a 光出射面
x (第1の)方向
y (第2の)方向
z 方向

A71〜A76 LEDモジュール
701 LED素子
710 角部
702 ケース
720 反射面
721 上面
722 底面
723a 第1側面
723b 第2側面
703 第1のリード
730 ダイパッド部
730A 側辺
731 インナーリード部
732 張り出し部
733 アウターリード部
735 凹部
736 孔
704 第2のリード
740 ボンディングパッド部
741 張り出し部
742 インナーリード部
743 アウターリード部
746 孔
705 透光性樹脂
706 ボンディングワイヤ

A51,A52 LEDモジュール
501 LED素子
502 ケース
521 主面
521A 係合突部
522 反射面
523 凹部
524 底面
525 側面
526A 第1のスルーホール
526B 第2のスルーホール
503 第1のリード
531 インナーリード部
531A ダイパッド部
532 アウターリード部
533 孔
504 第2のリード
541 インナーリード部
541A ボンディングパッド部
542 アウターリード部
543 孔
505 透光性樹脂
506A 第1の電極端子
506B 第2の電極端子
507 ワイヤ

Claims (24)

  1. 発光素子、
    上記発光素子に接続するワイヤ、並びに、
    上記発光素子が配置された第1の底面、および第1の側面を有する第1の凹部と、上記ワイヤがボンディングされた第2の底面、および第2の側面を有する第2の凹部とが表面に形成された基材、を備え、
    上記第1および第2の凹部の開口部は、いずれも少なくともその一部が上記表面に達しており、
    上記第2の底面が上記第1の底面よりも上記表面側に形成され、
    上記第1の側面のうち上記表面に達していない箇所を通じて上記第2の底面と上記第1の側面とが繋がっており、
    上記第1の側面のうち上記表面に達している箇所を通じて上記第2の側面と上記第1の側面とが繋がっており、
    上記第1の凹部の開口面積は、上記第2の凹部の開口面積よりも大きく、
    上記発光素子と導通しており、且つ、上記表面の一部のみを覆う表面導電体層をさらに備え、
    上記基材のうち上記表面導電体層に覆われた表面側被覆部と、上記表面側における上記基材のうち上記表面導電体層に覆われていない表面側露出部とは、同一の材料からなり、
    上記表面導電体層は、少なくとも一部が上記第1の側面に形成された第1表面電極と、上記第2の側面に形成された内面電極および上記第2の底面に形成された底面電極を少なくとも有し、且つ、上記第1表面電極と絶縁している第2表面電極を備え、
    上記表面は、上記第2の凹部よりも上記第1の凹部寄りの、上記第1の凹部および上記第2の凹部が並ぶ方向である第1の方向の一端において、上記第1の方向と交差する第2の方向に沿って延びる第1の側縁と、上記第1の側縁と反対側の第2の側縁とを有し、
    上記第1表面電極は、上記第1の側縁とつながり且つ上記第2の方向に沿って延びる第1帯状部を含み、
    上記第2表面電極は、上記第2の側縁とつながり且つ上記第2の方向に沿って延びる第2帯状部を含み、
    上記第1の凹部の縁と上記第1の側縁との距離は、上記第1の方向における上記第1帯状部の大きさより小さく、
    上記第1の方向における上記第2の凹部の縁と上記第2の側縁との距離は、上記第1の方向における上記第2帯状部の大きさより小さく、
    上記第1の方向における上記底面電極の上記第1の側縁側の端縁と上記第2の側縁との距離は、上記第1の方向における上記第2帯状部の大きさより大であり、
    上記表面側露出部は、上記第2の底面の上記第1の凹部側の一端に位置し、且つ、上記第1表面電極および上記第2表面電極に挟まれた底面露出領域と、上記第2の側面の上記第1の凹部側の一端に位置し、且つ、上記第1表面電極および上記第2表面電極に挟まれた内面露出領域と、を含み、
    上記底面露出領域と上記内面露出領域とを合わせた領域は、平面視において上記第1の方向の上記第1の側縁側に凸である形状とされており、
    上記第1の凹部の上記第1の側面と上記表面との境界、上記第1の凹部の上記第1の側面と上記第2の凹部の上記第2の側面との境界、および上記第1の凹部の上記第1の側面と上記第2の凹部の上記第2の底面との境界からなる上記第1の凹部の縁は、平面視において上記第2の底面および上記第2の側面が没入した凹部を有する円形状とされており、
    上記表面側被覆部のうち上記第1帯状部に覆われた部位と、上記表面側露出部とは、同一の材料からなる、発光装置。
  2. 発光素子、
    上記発光素子に接続するワイヤ、並びに、
    上記発光素子が配置された第1の底面、および第1の側面を有する第1の凹部と、上記ワイヤがボンディングされた第2の底面、および第2の側面を有する第2の凹部とが表面に形成された基材、を備え、
    上記第1および第2の凹部の開口部は、いずれも少なくともその一部が上記表面に達しており、
    上記第2の底面が上記第1の底面よりも上記表面側に形成され、
    上記第1の側面のうち上記表面に達していない箇所を通じて上記第2の底面と上記第1の側面とが繋がっており、
    上記第1の側面のうち上記表面に達している箇所を通じて上記第2の側面と上記第1の側面とが繋がっており、
    上記第1の凹部の開口面積は、上記第2の凹部の開口面積よりも大きく、
    上記発光素子と導通しており、且つ、上記表面の一部のみを覆う表面導電体層をさらに備え、
    上記基材のうち上記表面導電体層に覆われた表面側被覆部と、上記表面側における上記基材のうち上記表面導電体層に覆われていない表面側露出部とは、同一の材料からなり、
    上記表面導電体層は、少なくとも一部が上記第1の側面に形成された第1表面電極と、上記第2の側面に形成された内面電極および上記第2の底面に形成された底面電極を少なくとも有し、且つ、上記第1表面電極と絶縁している第2表面電極を備え、
    上記第1表面電極は、上記第1の凹部の外部に形成され且つ上記第1の凹部の縁につながる枠状部を含み、
    上記表面は、上記第2の凹部よりも上記第1の凹部寄りの、上記第1の凹部および上記第2の凹部が並ぶ方向である第1の方向の一端において、上記第1の方向と交差する第2の方向に沿って延びる第1の側縁と、上記第1の側縁と反対側の第2の側縁とを有し、
    上記第1表面電極は、上記第1の側縁とつながり且つ上記第2の方向に沿って延びる第1帯状部を含み、
    上記第2表面電極は、上記第2の側縁とつながり且つ上記第2の方向に沿って延びる第2帯状部を含み、
    上記第1の凹部の縁と上記第1の側縁との距離は、上記第1の方向における上記第1帯状部の大きさより小さく、
    上記第1の方向における上記第2の凹部の縁と上記第2の側縁との距離は、上記第1の方向における上記第2帯状部の大きさより小さく、
    上記第1の方向における上記底面電極の上記第1の側縁側の端縁と上記第2の側縁との距離は、上記第1の方向における上記第2帯状部の大きさより大であり、
    上記表面側露出部は、上記第2の底面の上記第1の凹部側の一端に位置し、且つ、上記第1表面電極および上記第2表面電極に挟まれた底面露出領域と、上記第2の側面の上記第1の凹部側の一端に位置し、且つ、上記第1表面電極および上記第2表面電極に挟まれた内面露出領域と、を含み、
    上記底面露出領域と上記内面露出領域とを合わせた領域は、平面視において上記第1の方向の上記第1の側縁側に凸である形状とされており、
    上記第1の凹部の上記第1の側面と上記表面との境界、上記第1の凹部の上記第1の側面と上記第2の凹部の上記第2の側面との境界、および上記第1の凹部の上記第1の側面と上記第2の凹部の上記第2の底面との境界からなる上記第1の凹部の縁は、平面視において上記第2の底面および上記第2の側面が没入した凹部を有する円形状とされており、
    上記表面側被覆部のうち上記第1帯状部に覆われた部位と、上記表面側露出部とは、同一の材料からなる、発光装置。
  3. 上記枠状部の外側の端縁は、上記第1の凹部の上記縁に沿う形状である、請求項2に記載の発光装置。
  4. 上記第2表面電極には、上記第2の凹部から、上記第1の凹部とは反対側に延びる空隙部が形成されている、請求項3に記載の発光装置。
  5. 上記第1の凹部が開口する方向に膨らみ且つ上記開口する方向視において上記第1の凹部と重なる凸面、を有するレンズを更に備える、請求項1ないし4のいずれかに記載の発光装置。
  6. 上記レンズは、上記第1の凹部と上記凸面との間に位置し且つ上記第1の凹部を覆う板状部を含む、請求項5に記載の発光装置。
  7. 上記板状部は、上記第1の凹部に臨む平面状の第1面を有する、請求項6に記載の発光装置。
  8. 上記板状部は、上記第1の凹部に臨み且つ上記第1の凹部に向かって膨らむ第1面を有する、請求項6に記載の発光装置。
  9. 上記板状部は、上記第1の凹部および上記第2の凹部が並ぶ方向である上記第1の方向を向き且つ粗面であるレンズ側面を有する、請求項6ないし8のいずれかに記載の発光装置。
  10. 上記板状部は、上記第1面と反対側を向き、且つ、粗面である第2面を有する、請求項8に記載の発光装置。
  11. 上記レンズは、上記凸面とつながり、且つ、上記第1の凹部が開口する方向視において上記凸面を囲むテーパ面を有する、請求項5ないし10のいずれかに記載の発光装置。
  12. 上記テーパ面は、鏡面である、請求項11に記載の発光装置。
  13. 上記基材は、上記表面側に形成され且つ上記第1の凹部が開口する方向に***する***部を含む、請求項5ないし12のいずれかに記載の発光装置。
  14. 上記レンズと上記基材との間に位置し、上記レンズを上記基材に対し固定する接着層を更に備える、請求項5ないし13のいずれかに記載の発光装置。
  15. 上記接着層は、ボンディングシートからなる、請求項14に記載の発光装置。
  16. 上記接着層は、液体接着剤からなる、請求項14に記載の発光装置。
  17. 上記発光素子を覆う樹脂部を更に備える、請求項1ないし16のいずれかに記載の発光装置。
  18. 上記樹脂部は、上記第1の凹部が開口する方向に膨らみ且つ上記発光素子からの光を出射する光出射面を有する、請求項17に記載の発光装置。
  19. 上記深さ方向視において、上記第1の凹部の中心と上記第1の凹部の上記縁との距離は、上記中心と上記底面露出領域との距離より大きい、請求項1または2に記載の発光装置。
  20. 上記第2の底面と上記第1の凹部の上記第1の側面との境界は、C面またはR面である、請求項19に記載の発光装置。
  21. 上記第1の凹部は、パラボラ状である、請求項1ないし20のいずれかに記載の発光装置。
  22. 上記第2の凹部は、四角錐台状である、請求項1ないし21のいずれかに記載の発光装置。
  23. 上記発光装置は、直方体状である、請求項1ないし22のいずれかに記載の発光装置。
  24. 上記基材の上記表面側部分における上記第1および第2の凹部の面積占有率が、70〜90%である、請求項1ないし23のいずれかに記載の発光装置。
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Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101034054B1 (ko) * 2009-10-22 2011-05-12 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
US9130109B2 (en) 2011-01-20 2015-09-08 Rohm Co., Ltd. Optical apparatus
JP5767550B2 (ja) * 2011-10-04 2015-08-19 株式会社カネカ Ledモジュール用樹脂成形体
JP2013149771A (ja) * 2012-01-19 2013-08-01 Stanley Electric Co Ltd 光半導体装置の製造方法
WO2014183801A1 (de) * 2013-05-17 2014-11-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauelement und verfahren zu seiner herstellung
TWI565100B (zh) * 2014-01-28 2017-01-01 Jun-Ming Lin An electronic component bracket with a roughened surface
JP2015149448A (ja) * 2014-02-07 2015-08-20 ローム株式会社 発光モジュール、発光装置および発光モジュールの製造方法
US10090448B2 (en) 2014-02-07 2018-10-02 Rohm Co., Ltd. Light-emitting module, light-emitting device and method of making light-emitting module
USD757665S1 (en) * 2014-09-30 2016-05-31 Lite-On Opto Technology (Changzhou) Co., Ltd. Light emitting diode
KR20160038568A (ko) * 2014-09-30 2016-04-07 (주)포인트엔지니어링 복수의 곡면 캐비티를 포함하는 칩 기판
USD750579S1 (en) * 2014-09-30 2016-03-01 Lite-On Opto Technology (Changzhou) Co., Ltd. Light emitting diode
USD757664S1 (en) * 2014-09-30 2016-05-31 Lite-On Opto Technology (Changzhou) Co., Ltd. Light emitting diode
USD750578S1 (en) * 2014-09-30 2016-03-01 Lite-On Opto Technology (Changzhou) Co., Ltd. Light emitting diode
JP6831624B2 (ja) * 2015-11-27 2021-02-17 ローム株式会社 Led発光装置
JP6732477B2 (ja) * 2016-03-02 2020-07-29 ローム株式会社 Led発光装置
JP2017157684A (ja) * 2016-03-02 2017-09-07 ローム株式会社 発光装置およびその製造方法
USD845917S1 (en) * 2016-04-18 2019-04-16 Citizen Electronics Co., Ltd. Light emitting diode
USD845918S1 (en) 2016-04-18 2019-04-16 Citizen Electronics Co., Ltd. Light emitting diode
JP1567062S (ja) * 2016-04-18 2017-01-16
TWI713239B (zh) * 2016-12-01 2020-12-11 晶元光電股份有限公司 發光裝置
JP1581164S (ja) 2016-12-15 2017-07-10
JP7102675B2 (ja) * 2017-05-09 2022-07-20 ローム株式会社 光学装置
JP2019164210A (ja) * 2018-03-19 2019-09-26 株式会社東芝 光半導体モジュール
DE112018007604T5 (de) 2018-05-14 2021-01-28 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronische vorrichtung und verfahren zur herstellung derselben
JP2020027824A (ja) * 2018-08-09 2020-02-20 ローム株式会社 発光装置および表示装置
KR102163662B1 (ko) * 2018-12-05 2020-10-08 현대오트론 주식회사 양면 냉각 파워 모듈 및 이의 제조방법
CN110406460B (zh) * 2019-07-02 2023-05-16 重庆长安汽车股份有限公司 一种出风口氛围灯结构
JP7337590B2 (ja) * 2019-08-05 2023-09-04 ローム株式会社 半導体発光装置
CN110531554A (zh) * 2019-08-29 2019-12-03 合肥工业大学智能制造技术研究院 促进视网膜细胞与视神经元生长与修复的显示器光源模组、显示屏及应用
US11508706B2 (en) * 2019-09-25 2022-11-22 Nichia Corporation Light-emitting module
US11751298B2 (en) * 2022-01-07 2023-09-05 Nichia Corporation Light-emitting device

Family Cites Families (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63151632A (ja) 1986-12-15 1988-06-24 Hoya Corp ガラスレンズ成形型
JPH07109898B2 (ja) 1988-10-06 1995-11-22 富士電機株式会社 透明樹脂封止形半導体装置
JPH0585749A (ja) 1991-09-27 1993-04-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学素子の成形方法及び光学素子
JP2802411B2 (ja) 1992-05-26 1998-09-24 シャープ株式会社 光学装置
JP2914097B2 (ja) 1993-06-25 1999-06-28 松下電工株式会社 射出成形プリント基板
JPH07254623A (ja) 1994-03-16 1995-10-03 Sony Corp 光電変換装置及びその製造方法
JP3133674B2 (ja) 1996-05-17 2001-02-13 松下電器産業株式会社 フレームレート検出変換装置
US5947592A (en) * 1996-06-19 1999-09-07 Mikohn Gaming Corporation Incandescent visual display system
JP3900613B2 (ja) * 1997-08-28 2007-04-04 シチズン電子株式会社 表面実装型チップ部品及びその製造方法
DE19755734A1 (de) * 1997-12-15 1999-06-24 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelementes
JP3958864B2 (ja) 1998-05-21 2007-08-15 浜松ホトニクス株式会社 透明樹脂封止光半導体装置
JP2000068531A (ja) 1998-08-26 2000-03-03 Sanyo Electric Co Ltd 光半導体装置
JP2000077689A (ja) * 1998-08-31 2000-03-14 Sanyo Electric Co Ltd 光半導体装置および光半導体モジュール
JP3922834B2 (ja) 1999-06-24 2007-05-30 Hoya株式会社 ガラス光学素子用成形型及び該成形型を用いたガラス光学素子の製造方法
JP3696021B2 (ja) 2000-01-20 2005-09-14 三洋電機株式会社 光照射装置
JP2002152226A (ja) 2000-11-14 2002-05-24 Nec Eng Ltd シェーピングアルゴリズム自己監視方式
DE10117889A1 (de) * 2001-04-10 2002-10-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leiterrahmen und Gehäuse für ein strahlungsemittierendes Bauelement, strahlungsemittierendes Bauelement sowie Verfahren zu dessen Herstellung
JP2003046137A (ja) 2001-07-27 2003-02-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置
JP3948650B2 (ja) 2001-10-09 2007-07-25 アバゴ・テクノロジーズ・イーシービーユー・アイピー(シンガポール)プライベート・リミテッド 発光ダイオード及びその製造方法
JP2003163378A (ja) 2001-11-26 2003-06-06 Citizen Electronics Co Ltd 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
DE10158395B4 (de) 2001-11-28 2011-07-07 OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 LED-Beleuchtungssystem
JP2003218398A (ja) 2002-01-18 2003-07-31 Citizen Electronics Co Ltd 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
JP2003324217A (ja) 2002-04-26 2003-11-14 Sharp Corp 面実装型半導体装置
JP4241184B2 (ja) * 2002-07-25 2009-03-18 パナソニック電工株式会社 光電素子部品
KR100567559B1 (ko) * 2002-07-25 2006-04-05 마츠시다 덴코 가부시키가이샤 광전소자부품
US7718451B2 (en) * 2003-02-28 2010-05-18 Osram Opto Semiconductor Gmbh Method for producing an optoelectronic device with patterned-metallized package body and method for the patterned metalization of a plastic-containing body
EP1597764A1 (de) 2003-02-28 2005-11-23 Osram Opto Semiconductors GmbH Optoelektronisches bauteil mit strukturiert metallisiertem gehäusekörper, verfahren zur herstellung eines derartigen bauteils und verfahren zur strukturierten metallisierung eines kunststoff enthaltenden körpers
JP4504662B2 (ja) * 2003-04-09 2010-07-14 シチズン電子株式会社 Ledランプ
WO2004105142A1 (en) * 2003-05-26 2004-12-02 Matsushita Electric Works, Ltd. Light-emitting device
JP4180537B2 (ja) * 2003-10-31 2008-11-12 シャープ株式会社 光学素子の封止構造体および光結合器ならびに光学素子の封止方法
US7355284B2 (en) * 2004-03-29 2008-04-08 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including flexible film having therein an optical element
JP4398781B2 (ja) * 2004-05-06 2010-01-13 ローム株式会社 発光装置
JP2006012868A (ja) * 2004-06-22 2006-01-12 Toshiba Corp 半導体発光素子用パッケージおよびそれを用いた半導体発光装置
DE102005047170A1 (de) * 2004-10-05 2006-07-20 Sharp K.K. Optische Vorrichtung, optischer Verbinder und damit ausgerüstete elektronische Einrichtung
US20060097385A1 (en) * 2004-10-25 2006-05-11 Negley Gerald H Solid metal block semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and heat sinks, and methods of packaging same
US7858408B2 (en) * 2004-11-15 2010-12-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with phosphor tile and overmolded phosphor in lens
JP4926421B2 (ja) * 2005-07-25 2012-05-09 ローム株式会社 光通信モジュールおよびその製造方法
JP4711715B2 (ja) * 2005-03-30 2011-06-29 株式会社東芝 半導体発光装置及び半導体発光ユニット
CN100487934C (zh) * 2005-04-08 2009-05-13 日亚化学工业株式会社 具有由丝网印刷形成的有机硅树脂层的发光器件
JP4557824B2 (ja) 2005-07-04 2010-10-06 株式会社東芝 発光装置およびその製造方法
JP2007081063A (ja) 2005-09-13 2007-03-29 Citizen Electronics Co Ltd 発光装置
JP2007142044A (ja) * 2005-11-16 2007-06-07 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置及びそれを用いた面光源
KR100653645B1 (ko) * 2005-12-27 2006-12-05 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법
JP4881001B2 (ja) * 2005-12-29 2012-02-22 シチズン電子株式会社 発光装置
JP2007184377A (ja) 2006-01-05 2007-07-19 Opto Device Kenkyusho:Kk 高出力反射型発光ダイオード及び製造方法
US20100177519A1 (en) * 2006-01-23 2010-07-15 Schlitz Daniel J Electro-hydrodynamic gas flow led cooling system
US8735920B2 (en) * 2006-07-31 2014-05-27 Cree, Inc. Light emitting diode package with optical element
JP2008053290A (ja) * 2006-08-22 2008-03-06 Rohm Co Ltd 光半導体装置およびその製造方法
JP3133674U (ja) 2007-05-09 2007-07-19 蔡樺欣 発光素子用マスク
JP5346448B2 (ja) * 2007-06-07 2013-11-20 シャープ株式会社 発光装置およびそれを搭載したカメラ付き携帯電話
TW201036504A (en) * 2009-03-18 2010-10-01 Everlight Electronics Co Ltd Photoelectric transmitting or receiving device and manufacturing method thereof
WO2011066421A2 (en) * 2009-11-25 2011-06-03 Cooper Technologies Company Systems, methods, and devices for sealing led light sources in a light module
JP2012109475A (ja) * 2010-11-19 2012-06-07 Rohm Co Ltd 発光装置、発光装置の製造方法、および光学装置
CN104662680B (zh) * 2012-09-13 2017-07-14 3M创新有限公司 具有宽颜色范围的高效照明***

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