KR20100111447A - 그래핀의 제조 방법 - Google Patents

그래핀의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20100111447A
KR20100111447A KR1020090029882A KR20090029882A KR20100111447A KR 20100111447 A KR20100111447 A KR 20100111447A KR 1020090029882 A KR1020090029882 A KR 1020090029882A KR 20090029882 A KR20090029882 A KR 20090029882A KR 20100111447 A KR20100111447 A KR 20100111447A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
griffin
carbon
sic
carbon nanotubes
Prior art date
Application number
KR1020090029882A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101611410B1 (ko
Inventor
선우문욱
마동준
이정현
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020090029882A priority Critical patent/KR101611410B1/ko
Priority to US12/656,823 priority patent/US8632855B2/en
Priority to JP2010087688A priority patent/JP5763302B2/ja
Publication of KR20100111447A publication Critical patent/KR20100111447A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101611410B1 publication Critical patent/KR101611410B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/10—Heater elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
    • H05B3/12—Heater elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material
    • H05B3/14—Heater elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material the material being non-metallic
    • H05B3/145—Carbon only, e.g. carbon black, graphite
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15—Nano-sized carbon materials
    • C01B32/182—Graphene
    • C01B32/184—Preparation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
    • B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
    • B82B3/0061—Methods for manipulating nanostructures
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15—Nano-sized carbon materials
    • C01B32/158—Carbon nanotubes
    • C01B32/168—After-treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B2214/00—Aspects relating to resistive heating, induction heating and heating using microwaves, covered by groups H05B3/00, H05B6/00
    • H05B2214/04—Heating means manufactured by using nanotechnology

Abstract

그리핀의 제조 방법에 대해 개시된다. 개시된 그리핀의 제조 방법은 기판 상에 탄소 함유 물질을 정렬시키고, 어닐링을 실시하여 그리핀을 제조할 수 있으며, 매우 간단한 공정으로 대면적 고품질의 그리핀을 제공할 수 있다.

Description

그리핀의 제조 방법{Manufacturing method of graphene}
본 발명의 실시예는 그리핀의 제조 방법에 관한 것으로, 탄소 나노튜브 또는 플러린에 대해 어닐링 공정을 실시함으로써 그리핀을 제조하는 방법을 제공한다.
현재 탄소에 기반을 둔 재료들, 예를 들어 탄소 나노튜브(carbon nanotube), 다이아몬드(diamond), 그라파이트(graphite), 그리핀(graphene) 등이 다양한 분야의 나노 기술에서 연구되고 있다. 이러한 재료들은 FET(field effect transistor), 바이오 센서(biosensor), 나노 복합물(nanocomposite) 또는 양자 소자(quantum device) 등에 이용되거나 이용될 수 있다.
그리핀은 2차원 물질로서 밴드갭이 0(zero gap)인 반도체 물질이며, 최근 몇년간 그리핀의 전기적 특성에 관하여 다양한 연구들이 발표되고 있다. 이러한 그리핀의 전기적인 특성에는 양극성 수퍼 전류(biopolar supercurrent), 스핀이동(spin transport), 양자 홀 효과(quantum hole effect) 등이 포함된다. 현재 그리핀은 탄소를 기반으로 하는 나노 전자 소자의 집적화를 위한 기본 단위로 이용될 수 있는 물질로 각광을 받고 있다.
그리핀의 제조 방법으로 테이프(tape)를 이용하여 그라파이트로부터 그라핀 을 기판으로 전이하는 방법이 소개되었다. 그러나 고품질의 그리핀을 얻기 위해서는 고진공 및 섭씨 1150도 내지 1400도의 고온 공정을 진행해야 하기 때문에 그리핀의 대량 생산이 어려운 문제점이 있다.
본 발명의 실시예에서는 2차원 구조의 그리핀의 제조 방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 일실시예에 따른 그리핀 제조 방법은,
그리핀의 제조 방법에 있어서,
기판 상에 탄소 함유 물질을 정렬시키는 단계; 및
상기 탄소 함유 물질이 형성된 상기 기판에 대해 어닐링을 실시하여 상기 기판 상에 그리핀을 제조하는 단계;를 포함하는 그리핀의 제조 방법을 제공한다.
상기 탄소 함유 물질은 탄소 나노튜브 또는 플러린일 수 있다.
상기 어닐링은 상기 기판의 상기 탄소 함유 물질과 접촉한 면의 국부 용융 온도 또는 재결정 온도 이상의 온도로 가열함으로써 이루어질 수 있다.
상기 기판은 Si, SiC, SOI(silicon on insulator), a-Si(amorphous-Si), poly-Si, a-SiC 또는 글래스 기판일 수 있다.
상기 기판은 a-Si, poly-Si, a-SiC, Ge 또는 GeC 중 적어도 어느 하나가 형성된 글래스 기판 또는 쿼츠 기판일 수 있다.
상기 어닐링 공정은 레이저 또는 RTA 공정에 의한 것일 수 있다.
상기 어닐링 공정에 의해 상기 탄소 함유 물질 하부의 기판은 SiC로 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 기판 상에 정렬된 탄소 나노튜브 또는 플러린을 어닐링 공정을 실시함으로써 그리핀을 제조할 수 있다.
별도의 고진공, 고온 공정이 필요없으며, 고품질 대면적의 그리핀 제조가 가능하다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 그리핀의 제조 방법에 대해 상세히 설명하고자 한다. 참고로 도면에 나타낸 각 층의 두께 및 폭은 설명을 위하여 다소 과장되게 도시될 수 있다.
본 발명의 실시예에 의한 그리핀의 제조 방법에서는, 기판 상에 분산된 탄소 함유 물질, 예를 들어 탄소 나노튜브(carbon nanotube) 또는 플러린(fullerenes)을 레이저 또는 RTA 등을 이용하여 어닐링을 실시함으로써 매우 간단한 공정으로 그리핀을 제조할 수 있다.
도 1a, 도 1b, 도 2a, 도 2b 및 도 3은 본 발명의 실시예에 의한 그리핀의 제조 방법을 나타낸 도면이다. 여기서, 도 1a 및 도 1b는 탄소 나노튜브를 이용한 그리핀의 제조 방법을 나타낸 도면이다.
도 1a를 참조하면, 먼저, 기판(10) 상에 탄소 나노튜브(11, 12)를 원하는 위치에 정렬되도록 형성한다.
기판(10) 상에 정렬된 탄소 나노튜브(11, 12)는 아크릴 방전법(arc discharger), 레이저 증착법(laser ablation), 화학 기상 증착법(chemical vapor deposition : CVD) 등을 이용하여 형성할 수 있다. 금속 촉매 입자를 이용하여 기판(10) 상에 탄소 나노튜브(11, 12)를 형성하는 공정의 예를 들면 다음과 같다. 먼저 기판(10) 상의 원하는 위치에 금속 촉매 입자를 배열한다. 그리고, 아세틸렌이나 메탄과 같은 기체 탄소 소스들을 공급하면 열분해가 되면서 탄소 성분이 금속 촉매 입자와 결합하면서 탄소 나노튜브를 형성할 수 있다.
여기서 기판(10)은 Si, SiC, SOI(silicon on insulator), a-Si(amorphous-Si), poly-Si, a-SiC 또는 글래스 기판일 수 있다. 또한 기판(10)은 a-Si, poly-Si, a-SiC, Ge 또는 GeC 등 박막이 증착되어 있는 글래스 기판이나 쿼츠 기판 등 일 수 있다.
그리고, 도 1b를 참조하면, 탄소 나노튜브(11, 12)가 배열된 기판(10)에 대해 레이저 또는 RTA(rapid temperature annealing) 공정을 이용하여 어닐링을 실시한다. 어닐링 공정에 의해 기판(10)과 접촉하고 있는 부위의 탄소 나노튜브(11, 12)는 기판(10) 물질과 반응하여 화합물 등을 형성하게 되며, 기판(10) 상에는 2차원 구조의 그리핀이 잔류하게 된다.
이와 같은 공정 과정에서 기판(10)을 가열하거나, 진공 상태로 유지할 수 있으며, Ar 또는 N2 분위기 하에서 실시할 수 있다.
도 2a 및 도 2b는 플러린을 이용한 탄소 나노튜브의 제조 방법을 나타낸 도면이다.
도 2a 및 도 2b를 참조하면, 먼저, 기판(20) 상에 탄소로 형성된 구형 물질인 플러린(21, 22)을 소정 위치에 정렬시킨다. 기판(20)은 Si, SiC, SOI(silicon on insulator), a-Si(amorphous-Si), poly-Si, a-SiC 또는 글래스 기판일 수 있으며, 또한 a-Si, poly-Si, a-SiC, Ge 또는 GeC 등 박막이 증착되어 있는 글래스 기판이나 쿼츠 기판 등 일 수 있다. 정렬된 플러린(21, 22)에 대해 레이저 또는 RTA(rapid temperature annealing) 공정을 이용하여 어닐링 공정을 실시한다.
어닐링 공정에 의해 기판(20)과 접촉하고 있는 부위의 플러린(21, 22)은 기판(20) 물질과 반응하여 화합물 등을 형성하게 되며, 기판(20) 상에는 2차원 구조의 그리핀이 잔류하게 된다.
이와 같은 공정 과정에서 기판(20)을 가열하거나, 진공 상태로 유지할 수 있으며, Ar 또는 N2 분위기 하에서 실시할 수 있다.
탄소 나노튜브를 이용하여 그리핀을 제조하는 경우에는 나노스케일 그리핀 라인(nanoscale graphene line)을 형성할 수 있으며, 플러린을 이용하여 그리핀을 제조하는 경우에는 나노스케일 그리핀 도트(nanoscale graphene dot)를 형성할 수 있다.
도 3은 기판 상에 형성된 탄소 나노튜브 또는 플러린에 대해 어닐링을 실시하는 경우 그리핀이 형성되는 원리를 나타낸 도면이다.
도 3을 참조하면, 기판(30) 상에 탄소 함유 물질, 즉 탄소 나노튜브 또는 플러린(31)이 정렬되어 있다. 여기서, 탄소 나노튜브 또는 플러린(31)에 대해 레이저 또는 RTA 공정을 이용하여 어닐링을 실시한다. 어닐링은 기판(30)의 탄소 함유 물질과 접촉한 면의 국부 용융 온도 또는 재결정 온도 이상의 온도로 가열함으로써 이루어질 수 있다. 이 때, 탄소 나노튜브 또는 플러린(31)과 접하는 기판 영역(33) 이 용융(melting) 상태가 되면서 탄소 나노튜브 또는 플러린(31)의 하부 영역과 반응하게 된다.
예를 들어 기판(30)이 Si를 포함하는 경우, 탄소 나노튜브 또는 플러린(31)의 탄소(C)와 반응하여 SiC를 형성한다. 엑시머 레이저를 이용할 경우 기판 영역(33)이 용융 상태로 존재하는 시간이 수십 nsec 정도로 매우 짧으므로 순간적으로 반응하게된다. 탄소 나노튜브 또는 플러린(31)의 하부 영역이 용융된 Si와 반응하는 과정의 탄소 나노튜브 또는 플러린(32)의 기판(30)과 접촉한 반대 편의 모양은 자체 탄력에 의해 평탄화된다.
결과적으로 기판(30)과 접촉하지 않는 탄소 나노튜브 또는 플러린(31)의 상부 영역만이 잔류하여 기판(30) 상에 그리핀(34)으로 잔류하게 된다. 탄소 나노튜브 또는 플러린(31)은 기판(30)의 용융시키는 과정에서 레이저 등의 조사에 의한 열적 데미지가 거의 없으므로 결과적으로 SiC 상에 그리핀(34)이 형성된 구조가 된다. 따라서, 레이저 및 RTA에 의한 어닐링 온도는 기판(30)이 용융 또는 재결정 온도 이상의 온도로 가열할 수 있다.
탄소로 형성된 2차원 결정 구조를 지닌 그리핀이 두루말이 형태로 형성된 경우, 탄소 나노튜브 구조가 되며, 또한, 탄소 나노튜브를 펼치게 되면 나노 스케일(nanoscale)의 2차원 그리핀으로 형성될 수 있다. Si의 용융점(melting point)은 섭씨 1410도이며, 이 때 Si는 C와 반응하여 고용(solid solution)체인 SiC 구조가 될 수 있다.
그리핀은 특히 4H-SiC 또는 6H-SiC (0001)면에서 에피탁샬 성장이 가능하다. 본 발명의 실시예에 따르면 레이저 등에 의해 기판의 일부 영역에 대해서만 순간적인 어닐링 공정으로 그리핀을 제조하거나, Ge/기판 구조일 경우 Ge와 C의 반응 온도가 기판의 용융점보다 낮은 성능을 이용하여 제작할 수 있으므로, 공정 자체가 매우 간단하며, 추가적인 고진공, 고온 공정이 필요하지 않다.
상기한 설명에서 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나, 그들은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다, 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 따라서, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 의하여 정하여 질 것이 아니고 특허 청구범위에 기재된 기술적 사상에 의해 정하여져야 한다.
도 1a 및 도 1b는 탄소 나노튜브를 이용한 그리핀의 제조 방법을 나타낸 도면이다.
도 2a 및 도 2b는 플러린을 이용한 탄소 나노튜브의 제조 방법을 나타낸 도면이다.
도 3은 기판 상에 형성된 탄소 나노튜브 또는 플러린에 대해 어닐링을 실시하는 경우 그리핀이 형성되는 원리를 나타낸 도면이다.
<도면의 주요부호에 대한 간단한 설명>
10, 20, 30... 기판 11, 12... 탄소 나노튜브
21, 22... 플러린 31... 탄소 나노튜브 또는 플러린
34... 그리핀

Claims (7)

  1. 그리핀의 제조 방법에 있어서,
    기판 상에 탄소 함유 물질을 정렬시키는 단계; 및
    상기 탄소 함유 물질이 형성된 상기 기판에 대해 어닐링을 실시하여 상기 기판 상에 그리핀을 제조하는 단계;를 포함하는 그리핀의 제조 방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 탄소 함유 물질은 탄소 나노튜브 또는 플러린인 그리핀의 제조 방법.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 어닐링은 상기 기판의 상기 탄소 함유 물질과 접촉한 면의 국부 용융 온도 또는 재결정 온도 이상의 온도로 가열함으로써 이루어지는 그리핀의 제조 방법.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 기판은 Si, SiC, SOI(silicon on insulator), a-Si(amorphous-Si), poly-Si, a-SiC 또는 글래스 기판인 그리핀의 제조 방법.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 기판은 a-Si, poly-Si, a-SiC, Ge 또는 GeC 중 적어도 어느 하나가 형성된 글래스 기판 또는 쿼츠 기판인 그리핀의 제조 방법.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 어닐링 공정은 레이저 또는 RTA 공정에 의한 그리핀의 제조 방법.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 어닐링 공정에 의해 상기 탄소 함유 물질 하부의 기판은 SiC로 형성되는 그리핀의 제조 방법.
KR1020090029882A 2009-04-07 2009-04-07 그래핀의 제조 방법 KR101611410B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090029882A KR101611410B1 (ko) 2009-04-07 2009-04-07 그래핀의 제조 방법
US12/656,823 US8632855B2 (en) 2009-04-07 2010-02-17 Methods of preparing a graphene sheet
JP2010087688A JP5763302B2 (ja) 2009-04-07 2010-04-06 グラフェンの製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090029882A KR101611410B1 (ko) 2009-04-07 2009-04-07 그래핀의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100111447A true KR20100111447A (ko) 2010-10-15
KR101611410B1 KR101611410B1 (ko) 2016-04-11

Family

ID=42826413

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090029882A KR101611410B1 (ko) 2009-04-07 2009-04-07 그래핀의 제조 방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8632855B2 (ko)
JP (1) JP5763302B2 (ko)
KR (1) KR101611410B1 (ko)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012102574A2 (ko) * 2011-01-28 2012-08-02 국립대학법인 울산과학기술대학교 산학협력단 그라펜의 제조 방법, 이를 포함하는 투명 전극, 활성층, 이를 구비한 표시소자, 전자소자, 광전소자, 배터리, 태양전지 및 염료감응 태양전지
WO2012150761A1 (ko) * 2011-05-03 2012-11-08 한국과학기술원 그래핀의 제조 방법 및 그래핀의 제조 장치
KR20160106832A (ko) * 2015-03-02 2016-09-13 서울대학교산학협력단 그래핀의 제조 방법 및 제조 장치
KR20170123760A (ko) 2016-04-29 2017-11-09 솔브레인 주식회사 그래핀의 제조방법
US9892942B2 (en) 2014-02-24 2018-02-13 Nps Corporation Substrate processing apparatus
WO2022010201A1 (ko) * 2020-07-09 2022-01-13 주식회사 에프에스티 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법
KR102504698B1 (ko) * 2022-04-04 2023-02-28 주식회사 그래핀랩 펠리클 제조방법

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101758649B1 (ko) * 2010-03-31 2017-07-18 삼성전자주식회사 게르마늄층을 이용한 그래핀 제조방법
US8877340B2 (en) * 2010-07-27 2014-11-04 International Business Machines Corporation Graphene growth on a non-hexagonal lattice
US20120068161A1 (en) * 2010-09-16 2012-03-22 Lee Keon-Jae Method for forming graphene using laser beam, graphene semiconductor manufactured by the same, and graphene transistor having graphene semiconductor
US8796361B2 (en) 2010-11-19 2014-08-05 Ppg Industries Ohio, Inc. Adhesive compositions containing graphenic carbon particles
US20140150970A1 (en) 2010-11-19 2014-06-05 Ppg Industries Ohio, Inc. Structural adhesive compositions
US9761903B2 (en) 2011-09-30 2017-09-12 Ppg Industries Ohio, Inc. Lithium ion battery electrodes including graphenic carbon particles
US10240052B2 (en) 2011-09-30 2019-03-26 Ppg Industries Ohio, Inc. Supercapacitor electrodes including graphenic carbon particles
US10294375B2 (en) 2011-09-30 2019-05-21 Ppg Industries Ohio, Inc. Electrically conductive coatings containing graphenic carbon particles
US9938416B2 (en) 2011-09-30 2018-04-10 Ppg Industries Ohio, Inc. Absorptive pigments comprising graphenic carbon particles
US10763490B2 (en) 2011-09-30 2020-09-01 Ppg Industries Ohio, Inc. Methods of coating an electrically conductive substrate and related electrodepositable compositions including graphenic carbon particles
US9475946B2 (en) 2011-09-30 2016-10-25 Ppg Industries Ohio, Inc. Graphenic carbon particle co-dispersions and methods of making same
US8486363B2 (en) 2011-09-30 2013-07-16 Ppg Industries Ohio, Inc. Production of graphenic carbon particles utilizing hydrocarbon precursor materials
US9988551B2 (en) 2011-09-30 2018-06-05 Ppg Industries Ohio, Inc. Black pigments comprising graphenic carbon particles
US9832818B2 (en) 2011-09-30 2017-11-28 Ppg Industries Ohio, Inc. Resistive heating coatings containing graphenic carbon particles
US9574094B2 (en) 2013-12-09 2017-02-21 Ppg Industries Ohio, Inc. Graphenic carbon particle dispersions and methods of making same
JP6328870B2 (ja) * 2011-11-11 2018-05-23 株式会社Ihi ナノ構造物の製造方法
KR101941957B1 (ko) * 2011-11-18 2019-01-25 엘지디스플레이 주식회사 그래핀막의 제조방법, 이를 이용한 터치소자의 제조방법
CN102492922B (zh) * 2011-12-27 2013-07-03 哈尔滨工业大学 一种采用热蒸发GeC制备石墨烯的方法
TWI458678B (zh) 2011-12-30 2014-11-01 Ind Tech Res Inst 石墨烯層的形成方法
JP5867718B2 (ja) * 2012-03-02 2016-02-24 国立大学法人大阪大学 ＳｉＣ表面へのグラフェンの低温形成方法
KR101572066B1 (ko) 2013-12-30 2015-11-26 한국표준과학연구원 단결정 그래핀의 제조방법
US10449507B2 (en) * 2014-05-30 2019-10-22 Empire Technology Development, Llc Methods and systems for converting carbon dioxide into graphene
US9287359B1 (en) * 2014-09-15 2016-03-15 Wisconsin Alumni Research Foundation Oriented bottom-up growth of armchair graphene nanoribbons on germanium
CN105731426A (zh) * 2014-12-10 2016-07-06 黑龙江鑫达企业集团有限公司 一种采用热蒸发GeC制备石墨烯的方法
US10351661B2 (en) 2015-12-10 2019-07-16 Ppg Industries Ohio, Inc. Method for producing an aminimide
US10377928B2 (en) 2015-12-10 2019-08-13 Ppg Industries Ohio, Inc. Structural adhesive compositions
US11396696B2 (en) 2016-03-18 2022-07-26 Honda Motor Co., Ltd. Method for continuous coating of metal foils and wires by high-quality graphene
US10273574B2 (en) 2016-03-18 2019-04-30 Honda Motor Co., Ltd. Method for continuous production of high quality graphene
US9761669B1 (en) 2016-07-18 2017-09-12 Wisconsin Alumni Research Foundation Seed-mediated growth of patterned graphene nanoribbon arrays
WO2020226620A1 (en) * 2019-05-06 2020-11-12 Michael Kwabena Opoku Method of making nanomaterials from a renewable carbon source
US11433353B2 (en) 2019-06-06 2022-09-06 Savannah River Nuclear Solutions, Llc Hydrogen isotope separation methods and systems
WO2021212469A1 (zh) * 2020-04-24 2021-10-28 国家纳米科学中心 一种超快生长石墨烯的方法
JP7192171B2 (ja) 2020-10-04 2022-12-20 株式会社Exizzle-Line 自動車用ルームミラー
US11618681B2 (en) 2021-06-28 2023-04-04 Wisconsin Alumni Research Foundation Graphene nanoribbons grown from aromatic molecular seeds

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4434013A (en) * 1980-02-19 1984-02-28 Xerox Corporation Method of making a self-aligned Schottky metal semi-conductor field effect transistor with buried source and drain
KR900001825B1 (ko) * 1984-11-14 1990-03-24 가부시끼가이샤 히다찌세이사꾸쇼 성막 지향성을 고려한 스퍼터링장치
JP2626289B2 (ja) * 1990-03-27 1997-07-02 松下電器産業株式会社 半導体装置の製造方法
US5985452A (en) 1997-03-18 1999-11-16 Ucar Carbon Technology Corporation Flexible graphite composite sheet and method
JP3074170B1 (ja) 1999-05-27 2000-08-07 大澤 映二 ナノサイズ真球状黒鉛製造方法
JP2002348110A (ja) 2001-05-28 2002-12-04 Mitsui Mining Co Ltd 黒鉛粒子、及びその製造方法
JP4483152B2 (ja) 2001-11-27 2010-06-16 富士ゼロックス株式会社 中空グラフェンシート構造体及び電極構造体とそれら製造方法並びにデバイス
CN1301212C (zh) * 2002-09-17 2007-02-21 清华大学 一维纳米材料方向及形状调整方法
EP1434282A3 (en) * 2002-12-26 2007-06-27 Konica Minolta Holdings, Inc. Protective layer for an organic thin-film transistor
US7989067B2 (en) 2003-06-12 2011-08-02 Georgia Tech Research Corporation Incorporation of functionalizing molecules in nanopatterned epitaxial graphene electronics
US8039961B2 (en) * 2003-08-25 2011-10-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Composite carbon nanotube-based structures and methods for removing heat from solid-state devices
US7618300B2 (en) * 2003-12-24 2009-11-17 Duke University Method of synthesizing small-diameter carbon nanotubes with electron field emission properties
JP2007027505A (ja) * 2005-07-19 2007-02-01 Toshiba Corp 半導体装置およびその製造方法
JP4899368B2 (ja) * 2005-07-29 2012-03-21 ソニー株式会社 金属的単層カーボンナノチューブの破壊方法、半導体的単層カーボンナノチューブ集合体の製造方法、半導体的単層カーボンナノチューブ薄膜の製造方法、半導体的単層カーボンナノチューブの破壊方法、金属的単層カーボンナノチューブ集合体の製造方法、金属的単層カーボンナノチューブ薄膜の製造方法、電子素子の製造方法およびカーボンナノチューブｆｅｔの製造方法
US7566410B2 (en) 2006-01-11 2009-07-28 Nanotek Instruments, Inc. Highly conductive nano-scaled graphene plate nanocomposites
KR20060096413A (ko) 2006-02-28 2006-09-11 카네카 코포레이션 필름 형상 그라파이트와 그 제조 방법
KR100741762B1 (ko) 2006-03-28 2007-07-24 한국에너지기술연구원 그라파이트 박판 위에 탄소나노튜브를 합성하는 방법
US7550778B2 (en) * 2006-05-17 2009-06-23 Innovative Micro Technology System and method for providing access to an encapsulated device
US7416605B2 (en) * 2007-01-08 2008-08-26 Freescale Semiconductor, Inc. Anneal of epitaxial layer in a semiconductor device
US7824741B2 (en) * 2007-08-31 2010-11-02 Micron Technology, Inc. Method of forming a carbon-containing material
KR20090026568A (ko) * 2007-09-10 2009-03-13 삼성전자주식회사 그라펜 시트 및 그의 제조방법
JP5137066B2 (ja) * 2007-09-10 2013-02-06 国立大学法人福井大学 グラフェンシートの製造方法
JP5245385B2 (ja) * 2007-12-13 2013-07-24 富士通株式会社 グラフェンシートの製造方法、半導体装置の製造方法および半導体装置
US8133793B2 (en) * 2008-05-16 2012-03-13 Sandisk 3D Llc Carbon nano-film reversible resistance-switchable elements and methods of forming the same

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012102574A2 (ko) * 2011-01-28 2012-08-02 국립대학법인 울산과학기술대학교 산학협력단 그라펜의 제조 방법, 이를 포함하는 투명 전극, 활성층, 이를 구비한 표시소자, 전자소자, 광전소자, 배터리, 태양전지 및 염료감응 태양전지
WO2012102574A3 (ko) * 2011-01-28 2012-10-11 국립대학법인 울산과학기술대학교 산학협력단 그라펜의 제조 방법, 이를 포함하는 투명 전극, 활성층, 이를 구비한 표시소자, 전자소자, 광전소자, 배터리, 태양전지 및 염료감응 태양전지
WO2012150761A1 (ko) * 2011-05-03 2012-11-08 한국과학기술원 그래핀의 제조 방법 및 그래핀의 제조 장치
WO2012150763A3 (ko) * 2011-05-03 2013-01-03 한국과학기술원 연속적인 열처리 화학 기상 증착 방법을 이용한 고품질 그래핀 제조 방법
US9892942B2 (en) 2014-02-24 2018-02-13 Nps Corporation Substrate processing apparatus
KR20160106832A (ko) * 2015-03-02 2016-09-13 서울대학교산학협력단 그래핀의 제조 방법 및 제조 장치
KR20170123760A (ko) 2016-04-29 2017-11-09 솔브레인 주식회사 그래핀의 제조방법
WO2022010201A1 (ko) * 2020-07-09 2022-01-13 주식회사 에프에스티 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법
KR20220006887A (ko) * 2020-07-09 2022-01-18 주식회사 에프에스티 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법
KR102504698B1 (ko) * 2022-04-04 2023-02-28 주식회사 그래핀랩 펠리클 제조방법
KR20230143553A (ko) * 2022-04-04 2023-10-12 주식회사 그래핀랩 펠리클

Also Published As

Publication number Publication date
JP5763302B2 (ja) 2015-08-12
US20100255219A1 (en) 2010-10-07
US8632855B2 (en) 2014-01-21
KR101611410B1 (ko) 2016-04-11
JP2010241680A (ja) 2010-10-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101611410B1 (ko) 그래핀의 제조 방법
Wang et al. Direct CVD graphene growth on semiconductors and dielectrics for transfer‐free device fabrication
Zeng et al. Exploring two-dimensional materials toward the next-generation circuits: from monomer design to assembly control
Zhang et al. Strategies, status, and challenges in wafer scale single crystalline two-dimensional materials synthesis
Liu et al. Conformal hexagonal-boron nitride dielectric interface for tungsten diselenide devices with improved mobility and thermal dissipation
Khan et al. Direct CVD growth of graphene on technologically important dielectric and semiconducting substrates
Shen et al. CVD technology for 2-D materials
Chen et al. Chemical vapor deposition growth of single-walled carbon nanotubes with controlled structures for nanodevice applications
Xu et al. Growth of 2D materials at the wafer scale
Wu et al. Nitrogen and boron doped monolayer graphene by chemical vapor deposition using polystyrene, urea and boric acid
Kenry et al. AlN nanowires: synthesis, physical properties, and nanoelectronics applications
Liu et al. Aligned carbon nanotubes: from controlled synthesis to electronic applications
JP6754355B2 (ja) グラフェンおよび電子素子ならびにこれらの製造方法
Kitaura et al. Chemical vapor deposition growth of graphene and related materials
Wei et al. Monolayer MoS 2 epitaxy
WO2010122928A1 (ja) グラフェン膜の作製方法
Miyoshi et al. Transfer-free graphene synthesis on sapphire by catalyst metal agglomeration technique and demonstration of top-gate field-effect transistors
Fukidome et al. Site-selective epitaxy of graphene on Si wafers
Xue et al. Surface engineering of substrates for chemical vapor deposition growth of graphene and applications in electronic and spintronic devices
Wu et al. High-yield GaN nanowire synthesis and field-effect transistor fabrication
Dai et al. Spatial confinement approach using ni to modulate local carbon supply for the growth of uniform transfer-free graphene monolayers
Ma et al. Investigation of electronic properties of graphene/Si field-effect transistor
Park et al. Catalyst-free growth of readily detachable nanographene on alumina
Liang Transition from tubes to sheets—a comparison of the properties and applications of carbon nanotubes and graphene
Salazar et al. Synthesis of graphene and other two-dimensional materials

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190320

Year of fee payment: 4