KR20100069105A - 나노입자/블록공중합체 복합체의 제조방법 - Google Patents

나노입자/블록공중합체 복합체의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 나노입자/블록공중합체 복합체의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 유기리간드(L)를 포함하는 나노입자; 및 용해도 변수가 서로 상이한 블록 반복단위(A,B)를 포함하는 블록공중합체(A-b-B)를 용매(S)에 넣고 혼합하여, 자기 조립에 의해 미셀(micelle)을 형성하는 공정을 포함하고, 상기 유기리간드(L); 블록 반복단위(A,B)를 포함하는 블록공중합체(A-b-B); 및 용매(S)의 용해도 변수(δ)가 하기 수학식 1 내지 3을 만족하는 나노입자/블록공중합체 복합체의 제조방법을 제공함으로써, 나노입자의 표면개질 없이 나노입자의 전기적, 자기적, 광학적, 화학적, 기계적 특성을 유지 또는 향상시킬 수 있다.
[수학식 1]
29 ≤ δS - δA
[수학식 2]
δS - δB ≤ 29
[수학식 3]
|δL - δA| ≤ 5, 또는 |δL - δB| ≤ 5
(상기 수학식 1 내지 3에서, δS는 용매의 용해도 변수이고, δA는 블록 반복단위 A의 용해도 변수이고, δB는 블록 반복단위 B의 용해도 변수이고, δL는 리 간드의 용해도 변수이다.)
나노입자, 블록공중합체, 미셀, 용해도 변수

Description

나노입자/블록공중합체 복합체의 제조방법{MANUFACTURING METHOD OF NANO PARTICLES/BLOCK COPOLYMER COMPLEX}
본 발명의 구현예들은 나노입자/블록공중합체 복합체의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 나노입자의 표면개질 없이 나노입자의 전기적, 자기적, 광학적, 화학적, 기계적 특성 등을 우수하게 유지하거나 향상시킬 수 있는 나노입자/블록공중합체 복합체의 제조방법에 관한 것이다.
나노 입자의 대표적인 예로 화합물 반도체 나노 입자인 양자점(Quantum dot, QD)을 들 수 있다. 양자점(Quantum Dot, Semiconductor Nanocrystal, "반도체 나노결정"이라고도 함)은 수 나노 크기의 결정 구조를 가진 물질로, 수백에서 수천 개 정도의 원자로 구성되어 있다. 이렇게 작은 크기의 물질은 단위 부피 당 표면적이 넓어 대부분의 원자들이 표면에 존재하게 되고, 양자 구속(quantum confinement) 효과 등을 나타내게 되어, 물질 자체의 고유한 특성과는 다른 독특한 전기적, 자기적, 광학적, 화학적, 기계적 특성 등을 가지게 된다.
이러한 양자점은 여기원(excitation source)으로부터 빛을 흡수하여 에너지 여기 상태에 이르면, 자체적으로 양자점의 에너지 밴드 갭(band gap)에 해당하는 에너지를 방출하게 된다. 따라서, 이러한 양자점은 가시광 및 적외선 영역의 발광 소재로의 응용가능성이 높고, 반대로 이러한 영역의 빛을 흡수하여 전류를 흘릴 수 있어 광소재로서의 응용가능성이 높아, 차세대 전자 소재 부품으로 주목을 받고 있다.
이러한 양자점(QD)을 발광물질로 사용하는 발광다이오드(Light Emitting Diode, LED) 등의 전자소자 또는 양자점(QD)에 연결제(linking agent) 및 친화성 물질(affinity molecule)을 차례로 결합하여 특정 바이오 물질을 측정하는 프로브(probe) 등 양자점을 이용한 다양한 기술들이 연구되고 있다.
그러나 아직까지는 양자점의 고유한 특성을 이용하고 있으므로 그 응용분야에 제한이 되고 있는 실정이다. 특히, 바이오 분석 등에 응용하기 위해서는 양자점의 표면에 존재하는 유기리간드를 제거하고, 연결제, 및 친화성 물질와 같은 여러 연결물질을 결합시켜야 되는데, 이러한 치환 과정을 위한 공정 자체가 매우 복잡하고, 상기 치환 과정에서 양자점의 반응성이 저하된다.
따라서, 유기리간드의 치환공정과 같은 부가적인 공정이 없는 간단한 공정만으로 나노입자의 반응성은 유지시키면서, 균일한 크기로 원하는 위치에 나노입자를 담지할 수 있는 새로운 방법의 나노입자/블록공중합체 복합체의 제조방법이 요구된다.
본 발명의 일 구현예는 나노입자의 전기적, 자기적, 광학적, 화학적, 기계적 특성 등을 유지하거나 향상시킬 수 있는 나노입자/블록공중합체 복합체의 제조방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 다른 일 구현예는 나노입자/블록공중합체 복합체의 제조방법에 의하여 제조된 나노입자/블록공중합체 복합체를 포함하는 소자를 제공하기 위한 것이다.
다만, 본 발명이 해결하고자 하는 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 구현예는 유기리간드(L)를 포함하는 나노입자; 및 용해도 변수가 서로 상이한 블록 반복단위(A,B)를 포함하는 블록공중합체(A-b-B)를 용매(S)에 넣고 혼합하여, 자기 조립에 의해 미셀(micelle)을 형성하는 공정을 포함하고, 상기 유기리간드(L); 블록 반복단위(A,B)를 포함하는 블록공중합체(A-b-B); 및 용매(S)의 용해도 변수(δ)가 하기 수학식 1 내지 3을 만족하는 나노입자/블록공중합체 복합체의 제조방법을 제공한다.
[수학식 1]
29 ≤ δS - δA
[수학식 2]
δS - δB ≤ 29
[수학식 3]
|δL - δA| ≤ 5, 또는 |δL - δB| ≤ 5
(상기 수학식 1 내지 3에서, δS는 용매의 용해도 변수이고, δA는 블록 반복단위 A의 용해도 변수이고, δB는 블록 반복단위 B의 용해도 변수이고, δL는 리간드의 용해도 변수이다.)
본 발명의 다른 일 구현예는 상기 나노입자/블록공중합체 복합체의 제조방법에 의하여 제조된 나노입자/블록공중합체 복합체를 포함하는 소자를 제공한다.
기타 본 발명의 구현예들의 구체적인 사항은 이하의 상세한 설명에 포함되어 있다.
본 발명의 일 구현예에 따른 나노입자/블록공중합체 복합체의 제조방법은 용매(S); 블록 반복단위(A,B)를 포함하는 블록공중합체(A-b-B); 및 유기리간드(L)의 용해도 변수 차이를 이용하여 블록공중합체 미셀의 선택적인 위치에 나노입자를 담지시킬 수 있다. 또한, 균일한 입자 크기의 나노입자/블록공중합체 복합체를 얻을 수 있다. 이로써, 다양한 기능을 지니는 나노입자의 표면을 개질하는 공정의 추가없이 나노입자의 전기적, 자기적, 광학적, 화학적, 기계적 특성 등을 우수하게 유지하거나 향상시킬 수 있어, 생체 발광표지소자의 발광 재료, 발광 다이오드 등의 디스플레이용 발광 재료, 메모리 등의 반도체 재료, 또는 완충 재료 등으로 매우 유용하게 사용될 수 있다.
특히, 상기 나노입자/블록공중합체 복합체를 포함하는 광전소자로서 매우 유용하게 사용될 수 있다.
이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다. 　다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구범위의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명의 일 구현예는 유기리간드(L)를 포함하는 나노입자; 및 용해도 변수가 서로 상이한 블록 반복단위(A,B)를 포함하는 블록공중합체(A-b-B)를 용매(S)에 넣고 혼합하여, 자기 조립에 의해 미셀을 형성하는 공정을 포함하고, 상기 유기리간드(L); 블록 반복단위(A,B)를 포함하는 블록공중합체(A-b-B); 및 용매(S)의 용해도 변수(δ)가 하기 수학식 1 내지 3을 만족하는 나노입자/블록공중합체 복합체의 제조방법을 제공한다.
[수학식 1]
29 ≤ δS - δA
[수학식 2]
δS - δB ≤ 29
[수학식 3]
|δL - δA| ≤ 5, 또는 |δL - δB| ≤ 5
(상기 수학식 1 내지 3에서, δS는 용매의 용해도 변수이고, δA는 블록 반복단위 A의 용해도 변수이고, δB는 블록 반복단위 B의 용해도 변수이고, δL는 리간드의 용해도 변수이다.)
용해도 변수(solubility parameter; δ는 물질의 구성 요소 간의 응집 정도와 관련하여 그 척도를 나타낸다. 용질이 용매에 녹기 위해서는 용매 분자간 인력을 이기고 용질의 분자를 허용함으로써 용질이 용매에 녹게 된다. Hildebrand 는 양성 편차가 각 구성 성분의 분자들의 응집력의 차이 때문이라고 제안하였다. 이에 따르면 증발열은 액체가 분자 간의 인력을 끊고 기체가 될 때 흡수되는 열량이므로 분자간의 응집력을 나타내는 지표라 할 수 있다. 이 때 액체의 몰 부피 당 분자에너지 값, △U/V(단위 부피 당 증발 에너지)를 응집 에너지 밀도(c, cohesive energy density)라 한다. 이로부터 용해도 변수는 다음의 수학식 4로 정의될 수 있다(by Hildebrand and Scatchard).
[수학식 4]
Figure 112008086315645-PAT00001
용질이 용매에 녹을 때 Gibbs Free Energy 변화는 다음의 수학식 5로 표시되는 Flory-Huggines 식으로 알 수 있다.
[수학식 5]
Figure 112008086315645-PAT00002
상기 수학식 5에서
Figure 112008086315645-PAT00003
는 용매와 용질 간의 상호작용계수(interaction parameter)를 나타내는 것이고,
Figure 112008086315645-PAT00004
는 용매의 몰부피를 나타내는 것이고,
Figure 112008086315645-PAT00005
는 각각 용매 및 용질의 용해도 변수를 나타내는 것이고,
Figure 112008086315645-PAT00006
은 각각 혼합물 내 용매 및 용질의 부피 분율을 나타내는 것이다.
상기 수학식 5에 따르면, 두 물질은 혼합물에서 용질과 용매의 조성과 상관없이 두 물질 간의 용해도 변수의 차이가 작을수록 잘 섞인다. 즉, 어떠한 용질과 용매가 잘 녹기 위해서는 용매와 용질 사이의 용해도 변수 값의 차이가 작아야 하는 것을 의미한다.
용해도 변수가 서로 상이한 블록 반복단위(A,B)를 포함하는 블록공중합체(A-b-B)의 경우, 특정 용매에 잘 녹는, 즉, 친용매부의 블록 반복단위는 용매와 인접한 부분에 위치하려는 경향이 있다. 반면, 잘 녹지 않는, 즉, 소용매부의 블록 반복단위는 자기들끼리 응집하려는 경향이 있다. 이로써, 상기 용해도 변수가 서로 상이한 블록 반복단위(A,B)를 포함하는 블록공중합체(A-b-B)는 자기 조립에 의해 미셀을 형성할 수 있는 것이다. 이 때, 특정 용매에 잘 녹지 않는 블록 반복단위가 이루는 미셀의 내부를 코어(core)라고 하고, 잘 녹는 반복단위가 이루는 미셀의 외부를 코로나(corona)라 한다.
블록공중합체(A-b-B)가 형성하는 미셀의 내부 또는 표면에 나노입자를 위치시키기 위하여, 나노입자 표면의 유기리간드와 코어 또는 코로나를 이루는 블록 반복단위 간의 상호작용 또는 물리적 결합력이 존재해야 한다. 이러한 상호작용 및 물리적 결합력은 용해도 변수 값의 차이에 의해 결정되는 것이다.
따라서 본 발명의 일 구현예에 따른 나노입자/블록공중합체 복합체를 구성하는 유기리간드(L); 블록 반복단위(A, B)를 포함하는 블록공중합체(A-b-B); 및 용매(S)의 용해도 변수(δ)가 상기 수학식 1 내지 3을 만족하도록 한다.
먼저, 상기 수학식 1로 표시되는 바와 같이 용매의 용해도 변수 및 블록 반복단위 A와의 용해도 변수의 차이는 29 이상이고, 그 차이는 클수록 좋다. 상기 용매의 용해도 변수 및 블록 반복단위 A와의 용해도 변수의 차이가 클수록 용매 및 블록 반복단위 A와의 반발력이 커지게 되어, 블록 반복단위 A가 코어로서 작용하기 용이해져 미셀의 형성도 보다 용이해지므로, 상기 범위의 용해도 변수의 차이를 가지는 것이 좋다.
또한, 상기 수학식 2로 표시되는 바와 같이 용매의 용해도 변수 및 블록 반복단위 B와의 용해도 변수의 차이는 29 이하이고, 그 차이는 작을수록 좋다. 상기 용매의 용해도 변수 및 블록 반복단위 B와의 용해도 변수의 차이가 작을수록 용매 및 블록 반복단위 B와의 친화력이 커지게 되어, 블록 반복단위 B는 코로나로 작용하기 용이해져 미셀의 형성도 보다 용이해지므로, 상기 범위의 용해도 변수의 차이를 가지는 것이 좋다. 보다 바람직하게는 5 내지 29 범위인 것이 좋다.
또한, 상기 수학식 3으로 표시되는 바와 같이 나노입자의 표면에 부착되어 있는 리간드의 용해도 변수 및 블록 반복단위 A 또는 B와의 용해도 변수의 차이는 5 이하이고, 그 차이는 작을수록 좋다. 이 때, 상기 리간드의 용해도 변수 및 블록 반복단위 A와의 용해도 변수의 차이가 5 이하인 경우, 상기 나노입자는 자기 조립에 의해 형성된 미셀의 내부에 존재하게 된다. 한편, 상기 리간드의 용해도 변수 및 블록 반복단위 B와의 용해도 변수의 차이가 5 이하인 경우, 상기 나노입자는 자기 조립에 의해 형성된 미셀의 표면에 존재하게 된다. 보다 바람직하게는 상기 리간드의 용해도 변수 및 블록 반복단위 A 또는 B와의 용해도 변수의 차이는 0.01 내지 5 범위인 것이 좋다.
또한, 용매의 용해도 변수 및 나노입자의 표면에 부착되어 있는 리간드의 용해도 변수의 차이(δS - δL)는 용매의 용해도 변수 및 블록 반복단위 A와의 용해도 변수의 차이(δS - δA)보다 크거나 같은 것이 좋다. 바람직하게는 상기 용매의 용해도 변수 및 나노입자의 표면에 부착되어 있는 리간드의 용해도 변수의 차이(δS - δL)는 29 이상인 것이 좋다.
이로써, 본 발명의 일 구현예는 나노입자의 표면을 치환하는 공정을 적용하지 않고, 합성시부터 존재하는 나노입자 표면의 유기리간드(L); 블록 반복단 위(A,B)를 포함하는 블록공중합체(A-b-B) 및 용매(S) 간의 용해도 변수 차이를 이용하여 블록공중합체 미셀의 선택적인 위치에 나노입자를 담지할 수 있는 나노입자/블록공중합체 복합체의 제조방법을 제공할 수 있는 것이다.
즉, 본 발명의 1종 또는 2종 이상의 다수의 나노입자는 나노입자/블록공중합체 복합체 내부 또는 표면에서 각각 원하는 부분에 위치할 수 있다. 이러한 본 발명의 일 구현예에 따른 나노입자/블록공중합체 복합체를 나타내는 모식도를 도 2 및 도 3에 도시하였다. 상기 나노입자는 블록공중합체 미셀 내에 선택적으로 한 위치에 다수가 존재할 수 있고, 각각 따로 위치할 수도 있다.
예를 들면, 본 발명의 일 구현예에 따른 나노입자/블록공중합체 복합체가 발광 나노입자, 자성 나노입자, 및 금속 나노입자를 포함하는 경우, 상기 나노입자는 모두 블록공중합체 미셀의 코어에 존재할 수도 있고, 발광 나노입자는 미셀 표면(코로나)에 존재하고, 자성 나노입자 및 금속 나노입자는 미셀 코어에 존재할 수도 있다.
상기 나노입자는 금속 나노입자, 반도체 나노입자, 자성 나노입자, 발광 나노입자 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것으로, 그 종류를 특별히 한정하지는 않으나, 보다 구체적으로 하기 나열되는 나노입자를 사용할 수 있다.
상기 나노입자는 금속 및 전이 금속; 상기 금속 및 전이 금속의 산화물; 상기 금속 및 전이 금속의 황화물; II-VI족 화합물; III-V족 화합물; IV-VI족 화합물; IV족 원소 또는 화합물; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 사용할 수 있다.
상기 금속 및 전이 금속은 Pd, Pt, Ni, Co, Rh, Ir, Fe, Ru, Fe, Au, Ag, Cu 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 사용할 수 있다.
또한, Pd, Pt, Ni, Co, Rh, Ir, Fe, Ru, Fe, Au, Ag, Cu 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 금속 및 전이 금속의 산화물, 황화물 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 사용할 수 있다.
또한, 상기 II-VI족 화합물은 CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe 등의 이원소 화합물, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe 등의 삼원소 화합물, HgZnTe, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 등의 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있고; 상기 III-V족 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 등의 이원소 화합물, GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP 등의 삼원소 화합물, GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 등의 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있고; 상기 IV-VI족 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 등의 이원소 화합물 또는 SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 등의 삼원소 화합물 또는 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 등의 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있고; 상기 IV족 화합물은 Si, Ge 등의 단일 원소 또는 SiC, SiGe 등의 이원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
이 때, 상기 이원소 화합물, 삼원소 화합물 또는 사원소 화합물은 균일한 농도로 입자 내에 존재하거나, 농도 분포가 부분적으로 다른 상태로 나누어져 동일 입자 내에 존재하는 것일 수 있다.
또한, 상기 나노입자는 1 내지 100 nm의 입경, 보다 바람직하게는 10 내지 80 nm의 입경을 가지는 것을 사용하는 것이 좋다.
또한, 상기 나노입자의 형태는 당분야에서 일반적으로 사용하는 형태의 것으로 특별히 한정하지 않지만, 보다 구체적으로 구형의 나노입자, 나노튜브, 나노와이어, 나노섬유, 나노판상입자 등의 형태의 것을 사용하는 것이 좋다.
또한, 본 발명에서 적용되는 나노입자의 합성방법은 당분야에서 제공되는 일반적인 방법으로 특별히 한정하지 않으나, 예를 들어 하기 기술된 방법에 의해 합성될 수 있다. 이러한 나노입자의 합성방법은 하기 기술된 방법에 제한되지 않고 종래 기술로 공지된 모든 기술을 적용하는 것이 가능하다.
이중에서 나노크기의 양자점은 화학적 습식 방법(wet chemical process)을 통하여 합성될 수 있는데, 이는 유기용매에 전구체 물질을 넣어 입자들을 성장시키는 방법으로, 결정이 성장될 때 유기용매가 자연스럽게 양자점 결정의 표면에 배위되어 분산제 역할을 하게 됨으로써 결정의 성장을 조절하는 방법이다.
또한, 상기 합성된 나노입자는 표면에 유기리간드(L)를 포함한다. 종래에는 다양한 응용 분야에 적용시키기 위하여 상기 유기리간드를 제거하고 여러 연결물질을 결합시키는 공정을 거쳐야 했다. 그러나 본 발명의 일 구현예는 이러한 추가적 인 공정없이 나노입자의 표면에 존재하는 유기리간드를 그대로 사용한다.
상기 유기리간드(L)는 10 내지 1,000,000 범위의 중량평균 분자량, 보다 바람직하게는 500 내지 1,000,000 범위의 중량평균 분자량을 가지는 치환 또는 비치환된 알칸, 알켄, 알킨, 방향족 탄화수소 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 화합물일 수 있다. 상기 치환기로는 당분야에서 제공되는 나노입자의 표면에 잔존하는 유기리간드의 치환기로서, 특별히 한정하지 않지만, 예를 들어, 티올기, 아민기, 카르복실기, 포스핀기, 포스핀 옥사이드기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 치환기로 치환되어 있는 것을 사용할 수 있다. 이 때, 상기 유기리간드(L)는 PDI (수평균분자량 /중량평균분자량)가 2 미만인 것이 좋다.
본 발명의 일 구현예는 용해도 변수가 서로 상이한 블록 반복단위(A,B)를 포함하는 블록공중합체(A-b-B)를 적용하는 바, 상기 블록공중합체(A-b-B)는 이중 블록공중합체, 삼중 블록공중합체, 랜덤 블록공중합체, 그래프트 블록공중합체 및 이들의 조합으로 이루어진 군 중에서 선택되는 것을 사용할 수 있다.
상기 블록공중합체(A-b-B)는 폴리스티렌(polystyrene(PS)); 폴리이소프렌(polyisoprene(PI)); 폴리부타디엔(polybutadiene(PB)), 폴리에틸렌(polyethylene(PE)) 등과 같은 폴리알킬렌(polyalkylene); 폴리에틸렌옥사이드(polyethylene oxide(PEO)), 폴리프로필렌옥사이드(polypropylrene oxide(PPO)), 폴리부틸렌옥사이드(polybutyleneoxide(PBO)) 등과 같은 폴리알킬렌옥사이드(polyalkyleneoxide); 폴리메틸(메타)아크릴레이 트(polymetamethylacrylate(PMMA))와 같은 폴리알킬(메타)아크릴레이트(polyalkyl(meth)acrylate); 폴리 2-비닐피리딘(poly(2-vinylpyridine)(P2VP)); 폴리 4-비닐피리딘(poly(4-vinylpyridine)(P4VP)); 폴리(메타)아크릴산(polyacrylic acid(PAA)); 폴리메틸(메타)아크릴산(polymethylacrylic acid(PMA))과 같은 폴리알킬(메타)아크릴산(polyalkylacrylic acid); 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane(PDMS))과 같은 폴리디알킬실록산(polydialkylsiloxane); 폴리아크릴아미드(polyacrylamide(PAM)); 폴리카프로락톤(poly(ε-caprolactone)(PCL)); 폴리락틱산(polylactic acid(PLA)); 폴리락틱글리콜산(poly(lactic-co-glycolic acid)(PLGA)); 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 2 종 이상이 중합된 것을 사용하는 것이 좋다.
또한, 상기 블록공중합체는 블록간의 인력과 구성 블록 반복단위의 부피 변화에 따라서 직선형, 가지형, 원형 등의 당분야에서 일반적으로 적용할 수 있는 통상적인 분자모양으로 설계될 수 있다. 또한, 상기 블록 반복단위 중 어느 하나의 블록 반복단위와 용해도 변수 차이가 작은 용매에 블록공중합체를 녹여 다양한 미셀 구조로 구현할 수 있다. 또한, 상기 블록 반복단위 중 어느 하나의 블록 반복단위를 친수성으로 치환함으로써 생리학적인 용도로 매우 유용하게 적용할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따른 나노입자/블록공중합체 복합체의 제조방법은 유기리간드(L)를 포함하는 나노입자; 및 용해도 변수가 서로 상이한 블록 반복단위(A,B)를 포함하는 블록공중합체(A-b-B)를 용매(S)에 넣고 혼합하여, 자기 조립에 의해 미셀을 형성하는 공정을 포함한다. 상기 용매는 물, 탄소수 1 내지 10의 알코올,　및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 수성용매인 것을 보다 바람직하게 사용할 수 있다.
또한, 상기 블록공중합체(A-b-B)와 유기리간드(L)를 포함하는 나노입자는 1: 0.5 내지 5의 중량비, 보다 바람직하게는 1: 0.5 내지 2의 중량비로 혼합되는 것이 좋다.
하기 표 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 대표적인 유기리간드, 블록공중합체(A-b-B)와 용매의 용해도 변수 값을 나타낸 것이다.
Figure 112008086315645-PAT00007
예를 들어, 나노입자 표면의 유기리간드가 옥탄-티올이고, 블록공중합체는 폴리스티렌-블록-폴리에틸렌옥사이드(PS-b-PEO)이며, 사용되는 용매가 물인 경우, 용해도 변수 차이에 의하여 블록공중합체와 나노입자가 응집이 일어나게 된다. 이 때, 상대적으로 물과 용해도 차이가 큰 폴리스티렌이 자신과 용해도 변수가 비슷한 나노입자를 담지하면서 코어를 이루고, 상대적으로 물과 용해도 변수 차이가 작은 폴리에틸렌옥사이드는 나노입자를 포함하지 않은 코로나를 이루게 되어 나노입자가 코어에 선택적으로 위치한 나노 복합체를 제조할 수 있게 되는 것이다. 이 경우, 나노입자의 표면에 존재하는 옥탄-티올을 그대로 유지하고 있으므로 나노입자의 물리적 특성이 그대로 유지될 수 있는 것이다.
본 발명의 일 구현예에 따른 나노입자/블록공중합체 복합체의 제조방법은 상기 나노입자/블록공중합체 복합체의 표면을 금속 산화물로 코팅하는 공정을 더 포함하여 이루어질 수 있다. 상기 금속 산화물로는 Si, Ti, Co, Sn, Al, Zn, In, Zr, Ni, Hf, V 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 금속의 산화물인 것을 보다 바람직하게 적용할 수 있다.
상기 금속 산화물은 표면을 보호하는 보호막으로 작용하는 바, 상기 금속산화물 이외에도 유, 무기 콜로이드, 유기고분자 등을 더 포함하여 이루어질 수 있다. 그러나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 보호막은 나노입자/블록공중합체 복합체의 표면에 상기한 물질들을 흡착, 중합, 졸-겔(sol-gel) 반응, 산-염기 반응 등을 통하여 형성될 수 있다.
상기 방법중 졸-겔 방법은 금속 산화물 전구체의 가수분해 반응에 의하여 금속 산화물을 형성하는 것으로, 이러한 금속 산화물 전구체로는 트리에톡시실란(triethoxy silane), 트리메톡시실란(trimethoxy silane), 트리부톡시실란(tributhoxy silane), 소듐 실리케이트(sodium silicate), 타이타늄 아이소프로폭사이드(titanium isopropoxide), 타이타늄부톡사이드(titanium butoxide), 틴부톡사이드(tin butoxide), 소듐 스탄네이트(sodium stannate), 코발트 카보네이트(cobalt carbonate), 알루미늄 클로라이드(aluminum chloride), 징크 클로라이드(zinc chloride), 인듐 클로라이드(indium chloride), 지르코늄 클로라이드(zirconium chloride), 니켈 클로라이드(nickel chloride), 헤프늄 클로라이드(hafmium chloride), 바나듐 클로라이드(vanadium chloride) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 사용할 수 있다.
상기 가수분해 반응시 계면활성제; 산촉매, 염기촉매와 같은 첨가제를 선택적으로 더 사용할 수 있다.
이로써, 다양한 기능을 지니는 나노입자를 블록공중합체 미셀 내에 담지하여, 나노입자의 특성을 유지 또는 향상시키면서도 새로운 특성을 부여하여 각종 분야에의 응용이 가능하게 된다. 예를 들면, 발광 나노입자를 포함하는 나노복합체는 블록 공중합체 내에 발광 나노입자를 담지하여 발광 나노입자의 발광 효율을 유지하면서도 발광 수명 등의 안정성을 향상시키고, 블록공중합체에 의해 용해도나 선택도 등을 부여하여 생체 발광표지소자 등의 생리학적 분야에도 응용할 수 있다. 또한, 각기 다른 색의 발광 나노입자를 블록 공중합체 내에 원하는 부분에 따로 담지함으로써 이러한 나노입자/블록공중합체 복합체를 사용할 경우, 각기 다른 색의 나노입자와 결합된 고분자와의 친화도, 결합 등의 간단한 조절만으로도 색의 배열을 조절할 수 있게 된다.
본 발명의 다른 일 구현예는 상기 나노입자/블록공중합체 복합체의 제조방법에 의하여 제조된 나노입자/블록공중합체 복합체를 포함하는 소자에 관계한다. 상기 소자라 함은 광전소자 및 메모리 소자를 포함할 수 있다. 또한, 본 발명의 일 구현예에 따른 나노입자/블록공중합체 복합체는 상기 복합체를 분산하거나, 유·무기 매트릭스에 배열하여 포함하는 소자에도 적용될 수 있다. 예를 들면, 생체 발광표시소자, 또는 발광다이오드 소자 등이 있다. 구체적으로 본 발명의 일 구현예에 의한 나노복합체는 생체 발광표지소자의 발광재료, 발광다이오드 등의 디스플레이용 발광재료, 메모리 등의 반도체재료, 또는 완충재료 등으로도 매우 유용하게 사용할 수 있다.
특히, 본 발명의 일 구현예에 따른 나노입자/블록공중합체 복합체의 제조방법에 의하여 제조된 나노입자/블록공중합체 복합체는 발광다이오드(Light Emitting Diode; LED)의 발광체로서 매우 용이하게 적용될 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 구현예에 따라 제조된 나노입자/블록공중합체 복합체를 포함하는 백색 발광다이오드의 단면도를 나타낸 것이다. 이러한 백색 발광 다이오드에서는 청색 발광다이오드(청색 LED)에서 방사되는 빛에 의해서 녹색 발광체 및 적색 발광체가 여기되어 녹색광 및 적색광을 방사하고, 이러한 광과 발광층을 투과하여 나온 청색광을 조합하여 백색을 구현할 수 있는 것이다. 또한, 자외선 발광다이오드(자외선 LED)에서 방사되는 빛에 의해서 녹색 발광체, 적색 발광체, 및 청색 발광체가 여기되어 녹색광, 적색광, 및 청색광을 방사하면 이들의 조합으로 백색을 구현할 수도 있는 것이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 구현예에 의한 발광 다이오드는 기판 상에 배치된 p-타입 반도체(125)와 n-타입 반도체(127)로 구성되는 청색 발광 다이오드 칩과 이러한 청색 발광 다이오드 칩을 커버하는 발광체를 포함하는 투명 수지 매트릭스(124)로 구성되는 혼합발광체층(129)을 포함한다. 상기 혼합발광체층(129)의 투명 수지 매트릭스(124)는 녹색 발광체(121) 및 적색 발광체(123)를 모두 포함한다. 청색 발광다이오드 칩의 p-타입 반도체(125)는 전선(126)에 의해 전극에 연결되고, n-타입 반도체(127)는 전선(128)에 의해 전극에 연결된다.
또한, 상기한 바와 같이 발광체층은 다양한 구조로 설계될 수 있다. 예를 들어, 상기 발광체층은 적색 발광체와 녹색 발광체의 혼합발광체층(129)으로 구성될 수 있다. 백색 발광 다이오드에서 발광체층은 무기형광체와 반도체 나노결정으로 구성된다. 따라서 적색 발광체와 녹색 발광체의 혼합발광체층(129)으로 구성되는 경우에, 이러한 혼합발광체층(129)은 하나의 종류의 무기형광체(녹색 무기형광체 또는 적색 무기형광체)와 하나의 종류의 반도체 나노결정(적색 발광 반도체 나노결정 또는 녹색 발광 반도체 나노결정)으로 구성되거나, 두 종류의 무기형광체(녹색 무기형광체 및 적색 무기형광체)와 하나의 종류의 반도체 나노결정(적색 발광 반도체 나노결정 또는 녹색 발광 반도체 나노결정)으로 구성될 수 있다. 대안으로 혼합발광체층(129)은 하나의 종류의 무기형광체와 두 종류의 반도체 나노결정으로 구성되거나, 두 종류의 무기형광체와 두 종류의 반도체 나노결정으로 구성될 수도 있다.
이 때, 상기 나노결정이 본 발명의 일 구현예에 따라 제조된 나노입자/블록공중합체 복합체일 경우, 나노결정의 전기적, 자기적, 광학적, 화학적, 기계적 특성을 우수하게 유지 또는 향상시킬 수 있다. 이러한 반도체 나노결정은 발광파장이 다양하게 조절될 수 있고, 색순도가 뛰어나므로 여러 응용이 가능하다. 특히, 발광다이오드의 발광체로서 광안정성을 향상시킬 수 있다.
이하에서는 본 발명의 구체적인 실시예들을 제시한다. 　다만, 하기에 기재된 실시예들은 본 발명을 구체적으로 예시하거나 설명하기 위한 것에 불과하며, 이로서 본 발명이 제한되어서는 아니된다.
또한, 여기에 기재되지 않은 내용은 이 기술 분야에서 숙련된 자이면 충분히 기술적으로 유추할 수 있는 것이므로 그 설명을 생략한다.
실시예 1
블록공중합체(PS-b-PEO) 0.5 mg과, 유기리간드로서 올레인산을 가지는 CdSe/CdS/ZnS 나노입자(입경= 5 nm) 0.5 mg을 클로로포름(CHCl3) 1 ml에 녹였다.
상기 용액에 다시 테트라하이드로퓨란(Tetrahydrofuran, THF) 20 ml를 첨가한 후, 교반하여 클로로포름을 증발시켜 제거하였다.
상기 블록공중합체(PS-b-PEO), CdSe/CdS/ZnS 나노입자, 및 테트라하이드로퓨란을 포함하는 용액이 0.5 ml 남았을 때, 증류수 5 ml를 천천히 첨가하면서 3 시간 동안 교반함으로써, 나노입자/블록공중합체 복합체를 얻었다. 얻어진 나노입자/블록공중합체 복합체의 투과전자현미경(TEM) 이미지는 도 4에 나타내었다.
또한, 증류수에 보관된 상기 실시예 1에서 얻어진 나노입자/블록공중합체(QD/BCM) 복합체와, 증류수에 보관된 상기 CdSe/CdS/ZnS 나노입자(QD)에 대하여 Photoluminance Spectroscopy를 측정하였다. 이로써 얻어진 나노입자/블록공중합체 복합체 및 나노입자의 광특성 측정결과는 도 5에 나타내었다.
도 5를 참고하면, 본 발명에 따른 나노입자/블록공중합체 복합체는 블록공중합체의 미셀 내부에 양자점인 나노입자를 담지시킴으로써, 증류수에 분산시킨 나노입자와 비교하여, 시간이 경과함에 따른 양자점으로서의 안정성이 매우 우수하게 유지되는 것을 확인할 수 있었다.
또한, 상기 실시예 1에서 얻어진 나노입자/블록공중합체 복합체와, 증류수에 존재하는 상기 CdSe/CdS/ZnS 나노입자(입경= 5 nm)에 대하여 UV를 365nm 조건으로 조사하였을 때의 이미지를 관찰하여 그 결과를 도 6에 나타내었다.
도 6을 참고하면, 본 발명에 따른 나노입자/블록공중합체 복합체는 블록공중합체의 미셀 내부에 양자점인 나노입자를 담지시킴으로써, 증류수에 분산시킨 나노입자와 비교하여, 보다 안정적인 빛을 발광하는 것을 확인할 수 있었다.
비교예 1
상기 블록공중합체(PS-b-PEO), CdSe/CdS/ZnS 나노입자(입경= 5 nm), 및 테트라하이드로퓨란을 포함하는 용액이 0.5 ml 남았을 때, 증류수를 대신하여 에탄올을 첨가하는 것을 제외한 다른 조건은 모두 상기 실시예 1과 동일하게 수행하였다.
얻어진 나노입자/블록공중합체 복합체의 전자현미경 이미지는 도 7에 나타내었다.
실시예 2
블록공중합체(PS-b-PEO) 0.5 mg과, 유기리간드로서 옥탄티올을 포함하는 CdSe/CdS/ZnS 나노입자(입경= 5 nm) 0.5 mg, 및 Fe2O3 0.5 mg을 클로로포름(CHCl3) 1 ml에 녹였다.
상기 용액에 다시 테트라하이드로퓨란(Tetrahydrofuran, THF) 20 ml를 첨가한 후, 교반하여 클로로포름을 증발시켜 제거하였다.
상기 블록공중합체(PS-b-PEO), CdSe/CdS/ZnS 나노입자(입경= 5 nm), 및 테트라하이드로퓨란을 포함하는 용액이 0.5 ml 남았을 때, 증류수 5 ml를 천천히 첨가하면서 3 시간 동안 교반함으로써, 나노입자/블록공중합체 복합체를 얻었다. 얻어진 나노복합체의 전자현미경 이미지는 도 8에 나타내었다.
실시예 3
상기 실시예 1에서 제조된 블록공중합체(PS-b-PEO), CdSe/CdS/ZnS 나노입자(입경= 5 nm), 및 테트라하이드로퓨란을 포함하는 용액에 염산을 넣어, pH 4가 되도록 조절하였다.
상기 용액 1 ml에 실리카 전구체로서 테트라에틸오르소실리케이트(Tetraethylorthosilicate, TEOS) 500 ㎕ 를 첨가하여 48 시간 동안 교반하였다.
상기 교반이 완료된 용액에 에탄올을 넣고 원심분리기를 이용하여 미반응된 실리카 전구체를 제거하였다. 이로써, 실리카 보호막을 형성한 나노입자/블록공중합체 복합체를 얻었다. 상기 얻어진 나노입자/블록공중합체 복합체의 전자현미경 이미지는 도 9에 나타내었다.
본 발명의 실시예에 의한 나노입자/블록공중합체 복합체의 전자 현미경 사진은 도 4, 도 8 및 도 9에 나타낸 바와 같다. 비교예에 의해 형성된 나노입자/블록공중합체 복합체의 전자 현미경 사진은 도 7에 나타낸 바와 같다. 도 4, 도 8 및 도 9를 통해 확인할 수 있듯이, 본 발명의 실시예에 의한 나노입자/블록공중합체 복합체는 각기 다른 나노입자를 블록공중합체 내에 원하는 부분에 따로 담지할 수 있는 것을 확인할 수 있었다. 이에 반해 비교예에 의해 형성된 나노입자/블록공중합체 복합체는 나노입자를 블록공중합체 내에 담지하지 못하여 나노입자 및 블록공중합체가 서로 분리되는 것을 확인 할 수 있었다.
이로써, 본 발명의 일 구현예에 의한 나노입자/블록공중합체 복합체는 나노입자의 표면개질 없이 나노입자의 특성을 유지 또는 향상시키면서도 새로운 특성을 부여하여 각종 분야에의 응용이 가능하게 될 것으로 기대된다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예를 참고로 본 발명에 대해서 상세하게 설명하였으나, 이들은 단지 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
도 1 내지 2는 본 발명의 일 구현예에 따른 나노입자/블록공중합체 복합체를 나타내는 모식도이다.
도 3은 본 발명의 일 구현예에 따라 제조된 나노입자/블록공중합체 복합체를 포함하는 백색 발광다이오드의 단면도를 나타낸 것이다.
도 4는 본 발명의 실시예 1에 따라서 제조된 나노입자가 블록공중합체 미셀의 코어부분에 위치하도록 제조한 나노입자/블록공중합체 복합체의 투과전자현미경 이미지를 나타낸 것이다.
도 5는 본 발명의 실시예 1에 따라서 제조된 나노입자가 블록공중합체 미셀의 코어부분에 위치하도록 제조한 나노입자/블록공중합체 복합체의 광특성과, 증류수에 존재하는 CdSe/CdS/ZnS 나노입자의 광특성의 비교 그래프를 나타낸 것이다.
도 6은 증류수에 존재하는 CdSe/CdS/ZnS 성분의 나노입자(입경= 5nm) (a)와 본 발명의 실시예 1에서 얻어진 나노입자/블록공중합체 복합체(b)에 대하여 UV를 조사하였을 때의 이미지를 나타낸 것이다.
도 7은 본 발명의 비교예 1에 따라서 제조된 나노입자가 블록공중합체 미셀과 결합하지 못한 전자현미경 이미지를 나타낸 것이다.
도 8은 본 발명의 실시예 2에 따라서 제조된 반도체 나노입자와 자성 나노입자가 동시에 블록공중합체 미셀의 코어부분에 위치하도록 제조한 나노입자/블록공중합체 복합체의 전자현미경 이미지를 나타낸 것이다.
도 9는 본 발명의 실시예 3에 따라서 제조된 나노입자가 블록공중합체 미셀 의 코어부분에 위치한 나노입자/블록공중합체 복합체의 표면에 실리카 보호막을 형성한 전자현미경 이미지를 나타낸 것이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1, 2: 나노입자/블록공중합체 복합체
11, 21: 블록공중합체의 코어부
12, 22: 블록공중합체의 코로나부
13, 23: 나노입자
121: 녹색 발광체 123: 적색 발광체
124: 투명 수지 매트릭스 125: p-타입 반도체
126, 128: 전선 127: n-타입 반도체
129: 혼합발광체층

Claims (15)

  1. 유기리간드(L)를 포함하는 나노입자; 및 용해도 변수가 서로 상이한 블록 반복단위(A,B)를 포함하는 블록공중합체(A-b-B)를 용매(S)에 넣고 혼합하여, 자기 조립에 의해 미셀을 형성하는 공정을 포함하고,
    상기 유기리간드(L); 블록 반복단위(A, B)를 포함하는 블록공중합체(A-b-B); 및 용매(S)의 용해도 변수(δ)가 하기 수학식 1 내지 3을 만족하는 나노입자/블록공중합체 복합체의 제조방법.
    [수학식 1]
    29 ≤ δS - δA
    [수학식 2]
    δS - δB ≤ 29
    [수학식 3]
    |δL - δA| ≤ 5, 또는 |δL - δB| ≤ 5
    (상기 수학식 1 내지 3에서, δS는 용매의 용해도 변수이고, δA는 블록 반복단위 A의 용해도 변수이고, δB는 블록 반복단위 B의 용해도 변수이고, δL는 리간드의 용해도 변수임.)
    　
  2. 제1항에 있어서,
    상기 미셀의 내부 또는 표면에 나노입자가 존재하는 것인 나노입자/블록공중합체 복합체의 제조방법.
    　
  3. 제1항에 있어서,
    상기 나노입자/블록공중합체 복합체의 표면을 금속 산화물로 코팅하는 공정을 더 포함하는 것인 나노입자/블록공중합체 복합체의 제조방법.
    　
  4. 제3항에 있어서,
    상기 금속 산화물은 Si, Ti, Co, Sn, Al, Zn, In, Zr, Ni, Hf, V 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 금속의 산화물인 것인 나노입자/블록공중합체 복합체의 제조방법.
    　
  5. 제1항에 있어서,
    상기 유기리간드(L)는 10 내지 1,000,000 범위의 중량평균 분자량을 가지는 치환 또는 비치환된 알칸, 알켄, 알킨, 방향족 탄화수소, 및 이들의 조합으로 이루 어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 화합물인 것인 나노입자/블록공중합체 복합체의 제조방법.
    　
  6. 제1항에 있어서,
    상기 나노입자는 금속 및 전이 금속; 상기 금속 및 전이 금속의 산화물; 상기 금속 및 전이 금속의 황화물; II-VI족 화합물; III-V족 화합물; IV-VI족 화합물; IV족 화합물; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것인 나노입자/블록공중합체 복합체의 제조방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 금속 및 전이 금속은 Pd, Pt, Ni, Co, Rh, Ir, Fe, Ru, Fe, Au, Ag, Cu 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것인 나노입자/블록공중합체 복합체의 제조방법.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 II-VI족 화합물은 CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 HggZnTe, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 것이고; 상기 III-V족 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 것이고; 상기 IV-VI족 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 것이고; 상기 IV족 화합물은 Si, Ge, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 원소 화합물; 및 SiC, SiGe, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 것인 나노입자/블록공중합체 복합체의 제조방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 이원소 화합물, 삼원소 화합물 또는 사원소 화합물은 균일한 농도로 입자 내에 존재하거나, 농도 분포가 부분적으로 다른 상태로 나누어져 동일 입자 내에 존재하는 것인 나노입자/블록공중합체 복합체의 제조방법.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 나노입자는 1 내지 100 nm 범위의 입경을 가지는 것인 나노입자/블록공중합체 복합체의 제조방법.
    　
  11. 제1항에 있어서,
    상기 블록공중합체(A-b-B)는 이중 블록공중합체, 삼중 블록공중합체, 랜덤 블록공중합체, 그래프트 블록공중합체 및 이들의 조합으로 이루어진 군 중에서 선택되는 것인 나노입자/블록공중합체 복합체의 제조방법.
    　
  12. 제1항에 있어서,
    상기 블록공중합체(A-b-B)는 폴리스티렌(polystyrene(PS)); 폴리이소프렌(polyisoprene(PI)); 폴리알킬렌(polyalkylene); 폴리알킬렌옥사이드(polyalkyleneoxide); 폴리알킬(메타)아크릴레이트(polyalkyl(meth)acrylate); 폴리 2-비닐피리딘(poly(2-vinylpyridine)(P2VP)); 폴리 4-비닐피리딘(poly(4-vinylpyridine)(P4VP)); 폴리(메타)아크릴산(polyacrylic acid(PAA)); 폴리알킬(메타)아크릴산(polyalkylacrylic acid); 폴리디알킬실록산(polydialkylsiloxane); 폴리아크릴아미드(polyacrylamide(PAM)); 폴리카프로락톤(poly(ε-caprolactone)(PCL)); 폴리락틱산(polylactic acid(PLA)); 폴리락틱글리콜산(poly(lactic-co-glycolic acid)(PLGA)); 및 이들의 조합으로 이루어진 군(여기서, 알킬렌 또는 알킬은 각각 탄소수 1내지 20의 알킬렌 또는 알킬을 의미하는 것임)에서 선택된 2 종 이상이 중합된 것인 나노입자/블록공중합체 복합체의 제조방법.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 용매는 물, 탄소수 1 내지 10의 알코올,　및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 수성 용매인 것인 나노입자/블록공중합체 복합체의 제조방법.
    　
  14. 제1항에 있어서,
    상기 블록공중합체(A-b-B)와 유기리간드(L)를 포함하는 나노입자는 1: 0.5 내지 5의 중량비로 혼합되는 것인 나노입자/블록공중합체 복합체의 제조방법.
  15. 제1항 내지 제14항 중에서 선택된 어느 한 항의 나노입자/블록공중합체 복합체의 제조방법에 의하여 제조된 나노입자/블록공중합체 복합체를 포함하는 소자.
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