KR20100067826A - Conductive electrode paste - Google Patents

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KR20100067826A
KR20100067826A KR1020080126386A KR20080126386A KR20100067826A KR 20100067826 A KR20100067826 A KR 20100067826A KR 1020080126386 A KR1020080126386 A KR 1020080126386A KR 20080126386 A KR20080126386 A KR 20080126386A KR 20100067826 A KR20100067826 A KR 20100067826A
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이근수
나형민
강정호
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엘지전자 주식회사
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Abstract

PURPOSE: A conductive electrode paste is provided to reduce line resistance of the electrode, to improve the conductivity of the electrode, to reduce a manufacturing cost of a panel, and to reduce problems of edge curl which is generated when the electrode is plasticized. CONSTITUTION: A conductive electrode paste(120) includes organic binder 5-30 wt%, photopolymerizable monomer 3-20 wt%, glass frit 2-10 wt%, solvent 5-30 wt%, spherical silver powder 40-80 wt%, and copper powder coated with silver 1-20 wt%. The electrode conductive paste includes a photopolymerization initiator, a leveling agent, an antifoaming agent, or a coupling agent. The mean size of the copper powder is 0.1-2 microns and the average thickness is 0.03-1 microns.

Description

도전성 전극 페이스트{Conductive electrode paste}Conductive electrode paste

본 발명은 도전성 전극 페이스트에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 구형의 은 분말과 은이 코팅된 판상형 구리 분말을 혼합 사용하는 도전성 전극 페이스트에 관한 것이다.The present invention relates to a conductive electrode paste, and more particularly, to a conductive electrode paste using a mixture of spherical silver powder and plate-like copper powder coated with silver.

일반적으로 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma display panal, PDP)은 격벽으로 분리된 방전셀에 방전가스를 주입하고, 플라즈마 발광시에 발생하는 자외선이 형광체를 여기시켜 바닥상태로 돌아갈 때의 에너지 차에 의해 발생하는 가시광선의 발광현상을 이용한 표시소자이다.In general, a plasma display panel (PDP) injects a discharge gas into a discharge cell separated by a partition wall, and is caused by an energy difference when ultraviolet rays generated during plasma emission excite phosphors and return to a ground state. A display device using a light emission phenomenon of visible light.

플라즈마 디스플레이 패널은 화상이 디스플레이 되는 표시면인 상부 패널과 그와 평행하게 결합된 하부 패널로 구성되며, 상부패널은 상부 기판 상에 스캔 전극 및 서스테인 전극이 쌍을 이뤄 형성된 복수의 유지 전극 쌍을 포함하고, 하부 패널에는 하부 기판 상에 상부 패널에 형성된 복수의 유지 전극 쌍과 교차되도록 복수의 어드레스 전극이 배열된다.The plasma display panel includes an upper panel, which is a display surface on which an image is displayed, and a lower panel coupled in parallel thereto, and the upper panel includes a plurality of sustain electrode pairs formed by pairing a scan electrode and a sustain electrode on the upper substrate. In the lower panel, a plurality of address electrodes are arranged on the lower substrate to intersect a plurality of pairs of sustain electrodes formed in the upper panel.

일반적으로 상부 패널 및 하부 패널에 형성되는 복수의 전극은 포토리소그래피 기술을 이용한 도전체 패턴의 형성 방법에 의해 형성된다.In general, the plurality of electrodes formed on the upper panel and the lower panel are formed by a method of forming a conductor pattern using photolithography technology.

이러한 플라즈마 디스플레이 패널의 전극은 미세형상 형성이 가능해야 고화질 플라즈마 디스플레이 패널 구현이 가능하고, 무엇보다 낮은 구동 전압을 얻을 수 있도록 전기 선저항이 낮아야 한다. The electrodes of the plasma display panel should be finely formed to realize high quality plasma display panels, and above all, the electric line resistance should be low to obtain a low driving voltage.

한편, 포토리소그래피 방법에 의해 형성되는 전극은 소성단계에서 수축에 의한 에지컬이 발생할 수 있다.On the other hand, the electrode formed by the photolithography method may generate edge curl by shrinkage in the firing step.

본 발명의 목적은 전극의 선저항을 감소시키고 전극의 소성단계에서 발생하는 에지컬의 문제를 감소시킬 수 있으며, 패널의 제조비용을 감소시킬 수 있는 도전성 전극 페이스트의 제공에 있다.An object of the present invention is to provide a conductive electrode paste that can reduce the line resistance of the electrode, reduce the problem of edge curl occurring in the firing step of the electrode, and can reduce the manufacturing cost of the panel.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 도전성 전극 페이스트는, 유기 바인더 5 내지 30 wt%, 광 중합성 모노머 3 내지 20 wt%, 유리 프릿 2 내지 10 wt%, 용매 5 내지 30 wt%, 구형 은 분말 40 내지 80 wt% 및 은이 코팅된 판상형 구리 분말 1 내지 20 wt%을 포함한다.Conductive electrode paste according to the present invention for achieving the above object, 5 to 30 wt% of organic binder, 3 to 20 wt% of photopolymerizable monomer, 2 to 10 wt% of glass frit, 5 to 30 wt% of solvent, spherical 40 to 80 wt% silver powder and 1 to 20 wt% silver plated copper powder.

또한, 상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 도전성 전극 페이스트는, 은이 코팅된 판상형 구리 분말의 평균 크기는 0.1 내지 2㎛ 이며, 은이 코팅된 판상형 구리 분말의 평균 두께는 0.01 내지 0.5㎛ 이다.In addition, the conductive electrode paste according to the present invention for achieving the above object, the average size of the silver-coated plate-shaped copper powder is 0.1 to 2㎛, the average thickness of the silver-coated plate-shaped copper powder is 0.01 to 0.5㎛.

본 발명에 따르면, 도전성 전극 페이스트가 은이 코팅된 판상형 구리 분말을 더 포함함으로써, 전극의 전기 전도성이 향상됨과 동시에 패널의 제조 비용이 감소하며, 전극의 소성시 발생하는 에지컬의 문제를 감소시킬 수 있다.According to the present invention, the conductive electrode paste further includes a plate-like copper powder coated with silver, thereby improving the electrical conductivity of the electrode and at the same time reducing the manufacturing cost of the panel and reducing the problem of edge curl occurring during firing of the electrode. have.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, with reference to the drawings will be described the present invention in more detail.

본 발명의 일 실시예에 따른 도전성 전극 페이스트는 유기 바인더 5 내지 30 wt%, 광 중합성 모노머 3 내지 20 wt%, 유리 프릿 2 내지 10 wt%, 용매 5 내지 30 wt%, 구형 은 분말 40 내지 80 wt% 및 은이 코팅된 판상형 구리 분말 1 내지 20 wt%을 포함할 수 있다.Conductive electrode paste according to an embodiment of the present invention is 5 to 30 wt% of the organic binder, 3 to 20 wt% of the photopolymerizable monomer, 2 to 10 wt% of the glass frit, 5 to 30 wt% of the solvent, 40 to spherical silver powder 80 wt% and silver coated plate-shaped copper powder 1 to 20 wt%.

먼저 유기 바인더는 소성 전에서의 각 성분의 결합재로서 기능하는 것으로, 균일성을 위해 현탁중합에 의해 제조하는 것이 바람직하다. 이 유기 바인더로는, 카르복실기를 포함하는 수지, 구체적으로는 그 자체가 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 카르복실기 함유 감광성 수지 및 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖지 않는 카르복실기 함유 수지를 포함할 수 있다.First, the organic binder functions as a binder of each component before firing, and is preferably prepared by suspension polymerization for uniformity. The organic binder may include a resin containing a carboxyl group, specifically, a carboxyl group-containing photosensitive resin having an ethylenically unsaturated double bond and a carboxyl group-containing resin not having an ethylenically unsaturated double bond.

예를 들어, i) 불포화 카르복실산과 불포화 이중 결합을 갖는 화합물을 공중합시킴으로써 얻어지는 카르복실기 함유 수지, ii) 불포화 카르복실산과 불포화 이중 결합을 갖는 화합물의 공중합체에 에틸렌성 불포화기를 팬던트로서 부가시킴으로써 얻어지는 카르복실기 함유 감광성 수지, iii)불포화 이중 결합을 갖는 산 무수물과 불포화 이중 결합을 갖는 화합물의 공중합체에, 수산기와 불포화 이중 결합을 갖는 화합물을 반응시켜 얻어지는 카르복실기 함유 감광성 수지를 포함할 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.For example, i) carboxyl group-containing resin obtained by copolymerizing an unsaturated carboxylic acid and a compound having an unsaturated double bond, and ii) a carboxyl group obtained by adding an ethylenically unsaturated group as a pendant to a copolymer of an unsaturated carboxylic acid and a compound having an unsaturated double bond. Containing photosensitive resin, iii) a carboxyl group-containing photosensitive resin obtained by reacting a copolymer of an acid anhydride having an unsaturated double bond with a compound having an unsaturated double bond, with a hydroxyl group and a compound having an unsaturated double bond, and the like. It is not.

유기 바인더는 상술한 다양한 카르복실기 함유 수지 단독으로 또는 혼합하여 사용할 수 있으며, 5 내지 30 wt% 포함될 수 있다.The organic binder may be used alone or in combination with the various carboxyl group-containing resins described above, and may be included in an amount of 5 to 30 wt%.

유기 바인더가 5 wt% 미만으로 포함된 경우는 형성되는 도막 중의 유기 바인더의 분포가 불균일해질 수 있어, 선택적 노광, 현상에 의한 패터닝이 곤란해질 수 있다.When the organic binder is contained in less than 5 wt%, the distribution of the organic binder in the coating film to be formed may become uneven, and patterning by selective exposure and development may be difficult.

반면에, 30 wt% 를 초과하는 경우는 전극의 소성시 패턴 붕괴나 선폭 수축을 일으키기 쉬워 바람직하지 않다.On the other hand, when it exceeds 30 wt%, it is not easy to cause pattern collapse or line width shrinkage during firing of the electrode.

광 중합성 모노머는 도전성 전극 페이스트의 광경화성을 촉진시키고 현상성을 향상시키기 위해 사용한다. The photopolymerizable monomer is used to promote photocurability of the conductive electrode paste and to improve developability.

광 중합성 모노머로서는 2-히드록시에틸아크릴레이트, 2-히드록시프로필아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 폴리우레탄디아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 펜타에리스리틀트리아크릴레이트, 펜타에리스리틀테트라아크릴레이트, 트리메틸올프로판에틸렌옥사이드 변성 트리아크릴레이트, 트리 메틸올프로판프로필렌옥사이드 변성 트리아크릴레이트, 디펜타에리스리틀펜타아크릴레이트, 디펜타에리스리틀헥사아크릴레이트 및 상기 아크릴레이트에 대응하는 각 메타크릴레이트류; 프탈산, 아디프산, 말레산, 아타콘산, 숙신산, 트리멜리트산, 테레프탈산 등의 다염기산과 히드록시알킬(메타)아크릴레이트와의 모노-, 디-, 트리- 또는 그 이상의 폴리에스테르 등을 들 수 있지만, 특정한 것으로 한정되지 않고, 이들을 단독 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. As the photopolymerizable monomer, 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, diethylene glycol diacrylate, triethylene glycol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, polyurethane diacrylate, trimethylol propane Triacrylate, pentaerythrite triacrylate, pentaerythrite tetraacrylate, trimethylolpropane ethylene oxide modified triacrylate, trimethylolpropanepropylene oxide modified triacrylate, dipentaery little pentaacrylate, dipentaeryse Little hexaacrylate and each methacrylate corresponding to the said acrylate; Mono-, di-, tri- or more polyesters of polybasic acids such as phthalic acid, adipic acid, maleic acid, ataconic acid, succinic acid, trimellitic acid and terephthalic acid with hydroxyalkyl (meth) acrylates. However, it is not limited to a specific thing, These can be used individually or in combination of 2 or more types.

광 중합성 모노머가 3 wt% 미만으로 포함된 경우는 충분한 광 경화성을 얻기 어려워질 수 있으며, 20 wt% 를 초과하는 경우는 광 경화가 너무 빨라지기 때문에 경화불균일이 발생할 수 있다. 따라서, 광 중합성 모노머는 3 내지 20 wt% 포함될 수 되는 것이 바람직하다. When the photopolymerizable monomer is included in less than 3 wt%, it may be difficult to obtain sufficient photocurability, and when it exceeds 20 wt%, curing unevenness may occur because the photocuring becomes too fast. Therefore, it is preferable that the photopolymerizable monomer may be included in 3 to 20 wt%.

또한, 유리 프릿은 2 내지 10 wt%로 포함될 수 있다. 유리 프릿이 2 wt% 미 만으로 포함된 경우는 기판에 대한 도전막의 접착 강도가 충분하지 않을 수 있으며, 반면에 10 wt%를 초과하여 첨가되는 경우는 도전막의 소결성이 저하되고, 생성된 전극의 저항이 증가할 수 있다.In addition, the glass frit may be included in 2 to 10 wt%. When the glass frit is included in less than 2 wt%, the adhesive strength of the conductive film to the substrate may not be sufficient, whereas when the glass frit is added in excess of 10 wt%, the sinterability of the conductive film is lowered and the resistance of the resulting electrode is reduced. This can increase.

유리 프릿의 조성으로서는, 특별히 제한되지 않지만, 유리 프릿의 유리 전이온도(Tg)는 350 내지 550℃ 인 것이 바람직하다. 유리 프릿의 유리 전이점(Tg)이 350℃ 이상인 경우는 기포, 팽창 등의 발생이 억제되며, 550℃ 기판과의 밀착성이 우수하고, 핀 홀의 발생이나 에지컬 등의 형상 불량이 효과적으로 억제될 수 있다.Although it does not restrict | limit especially as a composition of a glass frit, It is preferable that the glass transition temperature (Tg) of a glass frit is 350-550 degreeC. When the glass transition point (Tg) of the glass frit is 350 ° C. or higher, generation of bubbles, expansion, etc. is suppressed, and adhesion with the 550 ° C. substrate is excellent, and shape defects such as pinholes and edge curls can be effectively suppressed. have.

또한, 본 발명에 있어서 유리 프릿은 핀 홀이 없는 소성 패턴으로 효과적으로 만들기 위해 평균 입경(D50) 0.5 내지 2 ㎛의 범위에 있는 미세 분말이 바람직하다.In addition, in this invention, in order to make a glass frit effectively into the firing pattern without a pinhole, the fine powder which exists in the range of 0.5-2 micrometers of average particle diameters (D50) is preferable.

용매는 유기 바인더를 용해시킬 수 있고, 기타 첨가제와 잘 혼합되면서 비등점이 150도 이상인 것을 사용할 수 있다. 이에는 a-터피놀(a-Terpinol), 부틸 카비톨 아세테이트(buty cabitol acetate), 텍사놀(Texonol), 부틸 카비톨(butly cabitol), 디프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르(Di-propylene glycol) monomethyl ether)등 알데히드기를 포함하는 것 등이 있으나 이에 한정되지 않는다. The solvent may dissolve the organic binder, and may be used having a boiling point of 150 degrees or more while being well mixed with other additives. These include a-terpinol, buty cabitol acetate, texanol, buty cabitol, di-propylene glycol monomethyl ether And the like, including an aldehyde group, but are not limited thereto.

이러한 용매는 5 내지 30 wt%로 포함되는 것이 바람직하다. 용매의 포함량이 5 wt% 미만인 경우는, 기재상에 페이스트가 균일하게 도포되기 어려울 수 있으며, 반면에 30 wt% 보다 많이 포함되는 경우는, 도전체 패턴의 충분한 도전성이 얻어지지 않고, 기재와의 밀착성이 떨어지기 때문에 바람직하지 않다.Such solvents are preferably included in 5 to 30 wt%. When the content of the solvent is less than 5 wt%, it may be difficult to apply the paste uniformly on the substrate, whereas when it contains more than 30 wt%, sufficient conductivity of the conductor pattern is not obtained, and It is not preferable because the adhesion is poor.

한편, 은(Ag) 분말은 페이스트에 도전성을 부여하며, 본 발명에 따른 도전성 전극 페이스트는 구형의 은 분말 40 내지 80 wt% 와 은이 코팅된 판상형 구리 분말 1 내지 20 wt%를 혼합하여 포함할 수 있다.Meanwhile, silver (Ag) powder imparts conductivity to the paste, and the conductive electrode paste according to the present invention may include 40 to 80 wt% of spherical silver powder and 1 to 20 wt% of silver-coated plate-shaped copper powder. have.

우선 구형 은 분말이 40wt% 보다 적은 경우는, 페이스트로부터 얻어지는 도전체 패턴의 충분한 도전성이 얻어지지 않고, 한편, 80 wt%를 초과하여 포함되면, 전극의 점도가 너무 높아서 인쇄가 어려워질 수 있기 때문에 바람직하지 않다.First, if the spherical silver powder is less than 40wt%, sufficient conductivity of the conductor pattern obtained from the paste is not obtained, whereas if it is contained in excess of 80wt%, the viscosity of the electrode may be so high that printing may be difficult. Not desirable

또한, 본 발명에 따른 도전성 전극 페이스트는 구형의 은 분말 외에 은이 코팅된 판상형 구리 분말을 더 포함할 수 있다.In addition, the conductive electrode paste according to the present invention may further include a plate-like copper powder coated with silver in addition to the spherical silver powder.

은이 코팅된 판상형 구리 분말은 1 내지 20 wt%의 범위로 포함되는 것이 바람직하다. 은이 코팅된 판상형 구리 분말이 1 wt% 이상 첨가된 경우는 전극 소성시 치밀도가 향상되며 이에 따라 전극의 저항을 줄이고 동시에 에지컬을 감소시킬 수 있게 된다.Silver-coated plate-like copper powder is preferably included in the range of 1 to 20 wt%. When 1 wt% or more of silver-coated plate-shaped copper powder is added, the density of the electrode is improved, thereby reducing the resistance of the electrode and simultaneously reducing the edge curl.

반면에 판상형은 비표면적이 크기 때문에 은이 코팅된 판상형 구리 분말이 20 wt% 를 초과하여 포함된 경우는, 전극의 노광시 빛을 차단할 수 있으므로 충분한 노광이 이루어지지 않을 수 있다.On the other hand, since the plate-type copper has a large specific surface area, when the silver-coated plate-shaped copper powder is included in excess of 20 wt%, light may be blocked when the electrode is exposed, so sufficient exposure may not be achieved.

도 1a는 본 발명에 따른 도전성 전극 페이스트에 포함되는 은이 코팅된 판상형 구리 분말을 도시한 사시도이며, 도 1b는 도 1a의 은이 코팅된 판상형 구리 분말의 A-A'단면을 도시한 단면도이다.FIG. 1A is a perspective view illustrating a plate-like copper powder coated with silver included in the conductive electrode paste according to the present invention, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of the silver-coated plate-shaped copper powder of FIG. 1A.

도 1a에서 은이 코팅된 판상형 구리 분말(10)은 오각형의 형상을 가지는 것으로 도시되었으나, 이에 한정되지 아니하며, 원형, 삼각형 또는 다각형일 수 있다.In FIG. 1A, the plate-shaped copper powder 10 coated with silver is illustrated as having a pentagonal shape, but is not limited thereto, and may be circular, triangular, or polygonal.

한편, 은이 코팅된 판상형 구리 분말(10)의 평균 크기가 0.1㎛보다 작은 경우는 페이스트화가 어려우며, 2㎛ 보다 크면 소성시 충분히 치밀화되기 어렵고, 기공이 생기기 쉽기에 전기 비저항이 높아질 수 있어서, 은이 코팅된 판상형 구리 분말(10)의 평균 크기는 0.1㎛ 내지 2㎛ 가 바람직하다. On the other hand, when the average size of the silver-coated plate-shaped copper powder 10 is smaller than 0.1 μm, it is difficult to form a paste, and when the average size of the plate-shaped copper powder 10 is larger than 2 μm, it is difficult to densify sufficiently during firing, and pores are likely to be formed, so that electrical resistivity may be high, so that silver is coated. The average size of the plate-like copper powder 10 thus obtained is preferably 0.1 µm to 2 µm.

여기서 은이 코팅된 판상형 구리 분말(10)의 평균 크기는 도 1에 도시된 바와 같이 은이 코팅된 각 판상형 구리 분말(10)의 크기를 나타내는 값(S1,S2)중 최대 크기의 평균 값이다.Here, the average size of the silver-coated plate-shaped copper powder 10 is the average value of the maximum size among the values (S 1 , S 2 ) representing the size of each plate-shaped copper powder 10 coated with silver as shown in FIG. 1. .

또한, 은이 코팅된 판상형 구리 분말(10)의 두께(T)는 0.03 내지 1㎛ 인 것이 바람직하다. 은이 코팅된 판상형 구리 분말(10)의 두께(T)가 0.03㎛ 보다 작은 경우는 페이스트화가 어려우며, 1㎛ 보다 두꺼우면 노광시 빛을 차단할 수 있을 뿐 아니라, 소성시 충분히 치밀화되기 어렵기 때문이다.In addition, the thickness T of the plate-shaped copper powder 10 coated with silver is preferably 0.03 to 1 μm. If the thickness (T) of the silver-coated plate-shaped copper powder 10 is smaller than 0.03 μm, it is difficult to form a paste, and if the thickness T is larger than 1 μm, light may not only block light during exposure, but also may not be sufficiently compacted during firing.

도 1b를 참조하면, 본 발명에 따른 도전성 전극 페이스트에 포함되는 은이 코팅된 판상형 구리 분말(10)은 판상형 구리(11)의 표면이 은(12)으로 코팅이 될 수 있다. 구리(11)는 은(12)보다 가격이 낮으므로, 이와 같은 구조를 가지는 은이 코팅된 판상형 구리 분말(10)를 포함하여 도전성 전극 페이스트를 생성하는 경우 전극 형성 비용이 감소할 수 있다.Referring to FIG. 1B, the plate-shaped copper powder 10 coated with silver included in the conductive electrode paste according to the present invention may be coated with silver 12 on the surface of the plate-shaped copper 11. Since the copper 11 is lower than the silver 12, the cost of forming the electrode may be reduced when the conductive electrode paste is formed by including the plate-shaped copper powder 10 coated with silver having the above structure.

또한, 구리(11)가 은(12)에 비해 전기 전도성이 낮다고 하더라도 전기 전도성 입자의 경우 전류는 입자의 표면을 따라 흐르므로, 판상형 분말 전체를 은으로 구성하는 경우에 비해 판상형 분말 표면만을 은으로 구성하여도 입자의 전기 전도 성이 크게 떨어지지 않는다.In addition, even though copper 11 has a lower electrical conductivity than silver 12, in the case of the electrically conductive particles, the current flows along the surface of the particles, so that only the surface of the plate-shaped powder is composed of silver as compared with the case where the entire plate-shaped powder is composed of silver. Even if configured, the electrical conductivity of the particles does not drop significantly.

구리(11)에 은(12)을 코팅하는 방법으로는 CVD(Chamical Vapor Deposition) 또는 PVD(Physical Vapor Deposition) 등의 여러 박막 기술을 이용될 수 있다.As a method of coating the silver 12 on the copper 11, various thin film technologies such as chemical vapor deposition (CVD) or physical vapor deposition (PVD) may be used.

CVD는 화학기상증착 방법으로 증착될 물질의 원자를 포함하고 있는 기체 상태의 화합물을 상기 기체가 반응을 일으킬 수 있는 환경을 가지는 반응실로 유입하여, 화학적 반응에 의해 기판의 표면 위에서 박막을 형성하는 것이며, PVD는 화합물들을 소결하거나 녹여서 고체 상태의 타겟(target)으로 제조한 후, 열이나 전자빔으로 휘발시켜서 기판에 증착시키는 것이다.CVD is a chemical vapor deposition method in which a gaseous compound containing atoms of a substance to be deposited is introduced into a reaction chamber having an environment in which the gas can react, and a chemical reaction forms a thin film on the surface of the substrate. PVD is prepared by sintering or melting the compounds to produce a target in the solid state, and then vaporizing them with heat or an electron beam to deposit them on the substrate.

한편, 은이 코팅된 판상형 구리 분말(10)의 전기 전도성이 떨어지는 것을 방지함과 동시에 페이스트의 제조 비용을 고려하면, 코팅층인 은(12)의 두께(T2)는 10 내지 300㎚인 것이 바람직하다.On the other hand, when the electrical conductivity of the plate-like copper powder 10 coated with silver is prevented from being degraded and the manufacturing cost of the paste is considered, the thickness T 2 of the silver 12, which is the coating layer, is preferably 10 to 300 nm. .

또한, 본 발명의 도전성 전극 페이스트는 광 중합 개시제로서, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르 등의 벤조인과 벤조인알킬에테르류; 아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시-2-페닐아세토페논, 1,1-디클로로아세토페논 등의 아세토페논류; 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노프로판-1-온, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부타논-1,2-(디메틸아미노)-2-[(4-메틸페닐)메틸]-1-[4-(4-모르폴리닐)페닐]-1-부타논 등의 아미노아세토페논류; 2-메틸안트라퀴논, 2-에틸안트라퀴논, 2-t-부틸안트라퀴논, 1-클로로안트라퀴논 등의 안트라퀴논류; 2,4-디메틸티오크산톤,2,4-디에틸티오 크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2,4-디이소프로필티오크산톤 등의 티오크산톤류; 아세토페논디메틸케탈, 벤질디메틸케탈 등의 케탈류; 벤조페논 등의 벤조페논류; 또는 크산톤류; (2,6-디메톡시벤조일)-2,4,4-펜틸포스핀옥시드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥시드, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥시드, 에틸-2,4,6-트리메틸벤조일페닐포스피네이트 등의 포스핀옥시드류; 각종 퍼옥시드류 등을 들 수 있고, 이들 공지 관용의 광 중합 개시제를 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.Moreover, the electroconductive electrode paste of this invention is benzoin and benzoin alkyl ether, such as benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, as a photoinitiator; Acetophenones such as acetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxy-2-phenylacetophenone, and 1,1-dichloroacetophenone; 2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholinopropane-1-one, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butanone- Aminoacetophenones such as 1,2- (dimethylamino) -2-[(4-methylphenyl) methyl] -1- [4- (4-morpholinyl) phenyl] -1-butanone; Anthraquinones such as 2-methylanthraquinone, 2-ethylanthraquinone, 2-t-butylanthraquinone and 1-chloroanthraquinone; Thioxanthones, such as 2, 4- dimethyl thioxanthone, 2, 4- diethyl thioxanthone, 2-chloro thioxanthone, and 2, 4- diisopropyl thioxanthone; Ketals such as acetophenone dimethyl ketal and benzyl dimethyl ketal; Benzophenones such as benzophenone; Or xanthones; (2,6-dimethoxybenzoyl) -2,4,4-pentylphosphineoxide, bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) -phenylphosphine oxide, 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine jade Phosphine oxides such as seeds and ethyl-2,4,6-trimethylbenzoylphenylphosphinate; Various peroxides etc. are mentioned, These known conventional photoinitiators can be used individually or in combination of 2 or more types.

또한, 본 발명에 따른 도전성 전극 페이스트는 필요에 따라서 실리콘계, 아크릴계 등의 소포ㆍ레벨링제, 피막의 밀착성 향상을 위한 실란 커플링제 등의 다른 첨가제를 배합할 수도 있다. In addition, the electrically conductive electrode paste which concerns on this invention can mix | blend other additives, such as a defoaming and leveling agent, such as a silicone type and an acryl type, and a silane coupling agent for improving the adhesiveness of a film.

그 외에 필요에 따라서 도전성 금속 분말의 산화를 방지하기 위한 공지 관용의 산화 방지제나, 보존시의 열적 안정성을 향상시키기 위한 열 중합 금지제, 소성시에 있어서의 기판과의 결합 성분으로서의 금속 산화물, 규소 산화물, 붕소 산화물, 저융점 유리 등의 미립자를 더 첨가할 수도 있으며, 소성 수축을 조정할 목적으로 실리카, 산화비스무스, 산화알루미늄, 산화티탄 등의 무기 분말, 유기 금속 화합물, 금속 유기산염, 금속 알콕시드 등을 첨가할 수도 있다.In addition, a known conventional antioxidant for preventing oxidation of the conductive metal powder, a thermal polymerization inhibitor for improving thermal stability during storage, a metal oxide as a bonding component with a substrate during firing, and silicon, if necessary Fine particles such as oxides, boron oxides and low melting glass may be further added, and inorganic powders such as silica, bismuth oxide, aluminum oxide and titanium oxide, organometallic compounds, metal organic acid salts and metal alkoxides for the purpose of adjusting plastic shrinkage. Etc. can also be added.

도 2는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 제조공정을 도시한 단면도이며, 도 3는 본 발명의 일 실시예에 따른 전극의 에지컬을 나타내는 단면도이다.2 is a cross-sectional view illustrating an electrode manufacturing process of a plasma display panel, and FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating edge curl of an electrode according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2 및 도 3을 참조하여 설명하면, 우선 도 2 (a)에 도시된 바와 같이, 기판(110)에 상술한 조성을 가지는 도전성 전극 페이스트(120)를 스크린 인쇄법, 바 코터, 블레이드 코터 등 적절한 방법으로 도포한다. 이어서 열풍 순환식 건조로나 원적외선 건조로에서 건조시켜 유기 용매를 증발시킨다.Referring to FIGS. 2 and 3, first, as illustrated in FIG. 2A, the conductive electrode paste 120 having the above-described composition on the substrate 110 may be appropriately used for screen printing, bar coater, blade coater, and the like. Apply by the method. The organic solvent is then evaporated by drying in a hot air circulation drying furnace or a far infrared drying furnace.

다음에, (b)와 같이 페이스트(120)가 도포된 기판(110)에 일정한 패턴이 형성된 네가티브 마스크(130)를 위치시킨다. 이때, 마스크(130)는 전극(124)이 형성될 위치와 대응되는 위치에 개구(132)가 형성되어 있다. Next, as shown in (b), the negative mask 130 having a predetermined pattern is positioned on the substrate 110 to which the paste 120 is applied. In this case, the mask 130 has an opening 132 formed at a position corresponding to the position where the electrode 124 is to be formed.

마스크(130)를 위치시킨 후, 마스크(130)의 상부에서 일정시간 노광한다. 노광량으로서는 50 내지 1000 mJ/cm2 정도가 바람직하다. 이때 사용되는 활성 광원은, 예를 들어, 가시광선, 근적외선, 자외선, 전자선, X선 밍 레이저 광 등이 있으며, 바람직하게는 자외선을 사용한다.After the mask 130 is positioned, the mask 130 is exposed to light for a predetermined time. As an exposure amount, about 50-1000 mJ / cm <2> is preferable. The active light source used at this time includes, for example, visible light, near infrared ray, ultraviolet ray, electron beam, X-ray dimming laser light, and preferably ultraviolet ray.

자외선 광원으로는 예를 들어, 저압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등, 할로겐 램프 및 살균등 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.As the ultraviolet light source, for example, a low pressure mercury lamp, a high pressure mercury lamp, an ultra high pressure mercury lamp, a halogen lamp, a germicidal lamp, etc. may be used, but is not limited thereto.

노광 공정 단계에서 UV 램프를 조사하는 경우, 페이스트(120)는 상기 UV 램프에 감응하여 경화된다. 이때, 개구들(132)의 하부에 위치한 페이스트(120)는 상기 UV 램프가 조사되어 경화되고, 개구들(132)이 형성되지 않은 부분의 하부에 위치한 페이스트(120)는 상기 UV 램프가 투과하지 못하여 경화되지 않는다.When irradiating the UV lamp in the exposure process step, the paste 120 is cured in response to the UV lamp. At this time, the paste 120 positioned below the openings 132 is irradiated and cured by the UV lamp, and the paste 120 positioned below the portion where the openings 132 are not formed does not pass through the UV lamp. It does not harden.

이어서, 마스크(132)를 제거한 후, 상부기판(110)을 현상액으로 현상한다. 현상 공정으로서는 분무법, 침지법 등이 이용된다. 현상액으로서는, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 규산나트륨 등의 금속 알칼리 수용액이나, 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민 등의 아민수용액 등이 이용되지만, 조성물 중의 카르복실기함유 수지의 카르복실기가 비누화되며 미노광부가 제거될 수 있으면 되고 상술한 것과 같은 현상액으로 한정되는 것은 아니다. 또한, 현상 후에 불필요한 현상액의 제거를 위해서, 수세나 산 중화를 행하는 것이 바람직하다.Then, after removing the mask 132, the upper substrate 110 is developed with a developer. As the developing step, a spraying method, a dipping method, or the like is used. As a developing solution, aqueous metal alkali solutions, such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, potassium carbonate, and sodium silicate, amine aqueous solutions, such as monoethanolamine, diethanolamine, and triethanolamine, are used, but the carboxyl group of the carboxyl group-containing resin in the composition is used. The saponified and unexposed portions can be removed and are not limited to the developer as described above. In addition, it is preferable to perform washing with water or acid neutralization in order to remove unnecessary developer after development.

그 결과, (c)에 도시된 바와 같이, 상기 UV 램프에 감응하여 경화된 부분만 남고, 나머지 부분의 페이스트(120)는 제거된다. 이어서, 소성공정을 수행하여 전극(124)의 형성을 완료한다. 이때, 도 3에 도시된 바와 같이, 소성공정시에는 전극(124)의 양 끝단(140)이 말려 올라가는 현상인 에지컬이 일반적으로 나타난다. As a result, as shown in (c), only the part hardened in response to the UV lamp remains, and the paste 120 in the remaining part is removed. Subsequently, the firing process is performed to complete formation of the electrode 124. In this case, as shown in FIG. 3, an edge curl, which is a phenomenon in which both ends 140 of the electrode 124 are rolled up during the firing process, generally appears.

한편, 전극(124)을 형성한 후, 전극(124) 상에 유전체를 형성한다. 이 경우, 전극(124)에 에지컬 현상이 심한 경우는 유전체가 전극(124) 끝단(140)의 말림 부분 하부에는 침투하지 못하게 되며, 이 부분에 기포가 발생할 가능성이 있다. 유전체 내부에 생긴 기포는 유전체층의 소결시 팽창하여 유전체층에 균열이 생기게 하는 등 PDP의 불량을 초래하게 된다. On the other hand, after the electrode 124 is formed, a dielectric is formed on the electrode 124. In this case, in the case where the edge curl phenomenon is severe in the electrode 124, the dielectric material does not penetrate under the curled portion of the end 140 of the electrode 124, and there is a possibility that bubbles are generated in this portion. Bubbles generated inside the dielectric will expand during sintering of the dielectric layer causing cracks in the dielectric layer, resulting in defects in the PDP.

이하에는 실시예를 나타내어 본 발명에 대하여 구체적으로 설명하지만, 본 발명이 하기 실시예로 한정되지 않는다.EXAMPLES Hereinafter, although an Example is shown and this invention is demonstrated concretely, this invention is not limited to the following Example.

본 발명의 도전성 전극 페이스트는 상술한 바와 같은 필수 성분과 임의 성분을 소정의 비율로 배합하고, 3개 롤이나 블렌더 등의 혼련기에서 균일하게 분산시켜 얻어진다. 이렇게 하여 얻어진 도전성 전극 페이스트는, 도 2에서 상술한 바와 같은 공정에 의해 전극의 패턴으로서 형성된다.The electroconductive electrode paste of this invention is obtained by mix | blending the above-mentioned essential component and arbitrary components in predetermined ratio, and disperse | distributing uniformly in kneading machines, such as three rolls and a blender. The conductive electrode paste thus obtained is formed as a pattern of the electrodes by the process as described above in FIG. 2.

하기의 표 1은 본 발명에 따른 실시예와 비교예를 나타낸다. 여기서 특별히 언급이 없는 한 단위는 전부 wt% 기준이다.Table 1 below shows Examples and Comparative Examples according to the present invention. All units are by weight% unless otherwise stated.

하기의 표 1에서 도전성 전극 페이스트는 유기 Binder는 MMA와 MAA를 현탁중합하여 제조하였으며, 용매는 Butyl Carbitol Acetate와 Di-propylene glycol monomethyl ether를 혼합사용하였다. 또한, 광 중합성 모노머는 Trimethylopropane Triacrylate를 사용하였으며, 그 외 광개시제로 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)부탄-1-온, 레벨링제로 BYK-352를 포함한다.In Table 1 below, the conductive electrode paste was prepared by suspension polymerization of MMA and MAA in an organic binder, and a mixture of butyl carbitol acetate and di-propylene glycol monomethyl ether was used as a solvent. As the photopolymerizable monomer, Trimethylopropane Triacrylate was used. Other photoinitiators include 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) butan-1-one and BYK-352 as a leveling agent. .

또한, 평균 크기가 0.5㎛인 은이 코팅된 판상형 구리 분말을 구형 은 분말과 혼합 사용하였다.In addition, a plate-like copper powder coated with silver having an average size of 0.5 µm was used mixed with a spherical silver powder.

실시예1Example 1 실시예2Example 2 실시예3Example 3 비교예1Comparative Example 1 비교예2Comparative Example 2 유기BinderOrganic Binder 13.013.0 13.013.0 13.013.0 13.013.0 13.013.0 Butyl Carbitol AcetateButyl Carbitol Acetate 8.08.0 8.08.0 8.08.0 8.08.0 8.08.0 Di-propylene glycol monomethyl etherDi-propylene glycol monomethyl ether 10.010.0 10.010.0 10.010.0 10.010.0 10.010.0 Trimethylolpropane TriacrylateTrimethylolpropane Triacrylate 7.67.6 7.67.6 7.67.6 7.67.6 7.67.6 광개시제Photoinitiator 1.01.0 1.01.0 1.01.0 1.01.0 1.01.0 구형 Ag PowderSpherical Ag Powder 49.049.0 43.043.0 39.039.0 55.055.0 29.029.0 은이 코팅된 판상형 Cu Powder
(D50 0.5㎛)
Silver Coated Plate Cu Powder
(D50 0.5 μm)
6.06.0 12.012.0 16.016.0 26.026.0
유리 프릿Glass frit 5.05.0 5.05.0 5.05.0 5.05.0 5.05.0 BYK-352BYK-352 0.40.4 0.40.4 0.40.4 0.40.4 0.40.4 TotalTotal 100 100 100 100 100 100 100100 100 100

상기 표 1의 실시예 1 내지 실시예 3는 구형 은 분말의 첨가량을 차츰 줄이는 반면 은이 코팅된 판상형 구리 분말의 첨가량은 점차 증가시켜서 실험을 한 것이다. 비교예 1은 구형의 은 분말만을 포함하는 도전성 전극 페이스트를 나타낸다. 또한, 비교예 2는 판상형의 은 분말을 혼합 사용하였으나 바람직한 첨가범위를 초과하여 첨가한 것을 나타낸다.In Examples 1 to 3 of Table 1, the addition amount of the spherical silver powder was gradually reduced while the addition amount of the silver-coated plate-shaped copper powder was gradually increased. Comparative Example 1 represents a conductive electrode paste containing only spherical silver powder. In addition, Comparative Example 2 shows that the plate-shaped silver powder was mixed and used, but was added beyond the preferred range.

하기 표 2는 상기 표 1에 의해 제조된 도전성 전극 페이스트를 이용하여 도 1에서 상술한 방법에 의해 전극의 패턴을 형성하고 물성을 평가한 결과이다. 여기서 기재는 PD200 유리를 사용하였고, 노광 mask 폭 라인은 90㎛를 사용하였다.Table 2 below is a result of forming a pattern of the electrode by the method described above in Figure 1 using the conductive electrode paste prepared in Table 1 and evaluating the physical properties. The substrate used was PD200 glass, and the exposure mask width line was 90 μm.

건조조건은 110℃ 에서 20분간 건조하였으며, 현상은 30℃/0.2MPa, 20초 현상, 소성은 Box로 570℃에서 1시간(승온 30℃/분) 소성하였다.Drying conditions were dried at 110 ℃ for 20 minutes, development was 30 ℃ / 0.2MPa, 20 seconds development, firing was carried out at 570 ℃ for 1 hour (temperature 30 ℃ / min) by Box.

한편, 감도(단)은 1 에서 명암 14 단계를 설정하고 단계가 높을 수록 노광량이 많게 하는 그라데이션 마스크를 사용하여 노광하고 에칭했을 때 몇 단계까지 현상이 되는지를 측정한 것이다. On the other hand, the sensitivity (stage) is a measure of how many stages of development occur when exposure and etching are performed using a gradation mask in which 14 levels of contrast are set from 1 to a higher exposure amount as the level is higher.

특성 평가Property evaluation 실시예1Example 1 실시예2Example 2 실시예3Example 3 비교예1Comparative Example 1 비교예2Comparative Example 2 노광량 mJ/20.0mWExposure amount mJ / 20.0mW 100100 100100 100100 100100 100100 감도(단)Sensitivity (single) 8.08.0 7.97.9 7.77.7 8.28.2 6.26.2 해상성(㎛)Resolution (μm) 3030 3030 3030 3030 8080 현상 후 막두께(㎛)Film thickness after development (㎛) 10.910.9 10.710.7 10.410.4 11.011.0 10.110.1 형상 후 선폭(㎛)Line width after shape (㎛) 106.5106.5 105.2105.2 105.8105.8 106.8106.8 측정불가Not measurable 소성 후 패턴 선폭Pattern line width after firing 86.586.5 84.484.4 83.183.1 87.687.6 측정불가Not measurable 소성 후 패턴 두께Pattern thickness after firing 3.33.3 3.23.2 2.92.9 3.63.6 2.12.1 XY 수축률(%)XY shrinkage (%) -18.8-18.8 -19.8-19.8 -21.5-21.5 -18.0-18.0 측정불가Not measurable Z 수축률(%)Z shrinkage (%) -69.7-69.7 -70.1-70.1 -72.1-72.1 -67.3-67.3 -79.2-79.2 소성 후 상태State after firing ×× 라인 저항(Ω/10㎝)Line resistance (Ω / 10㎝) 10.510.5 10.110.1 10.610.6 11.211.2 측정불가Not measurable 비저항Resistivity 3.75E-63.75E-6 3.41E-63.41E-6 3.19E-63.19E-6 4.42E-64.42E-6 측정불가Not measurable E/curlE / curl 1.051.05 0.850.85 0.980.98 2.232.23 2.572.57

실시예 1 내지 3, 비교예 1 및 2는 동일한 노광량으로 노광하고, 산수 용액에 15분씩 동일하게 에칭을 하였다.Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 and 2 were exposed at the same exposure dose and etched in the arithmetic solution in 15 minutes.

상기 표 2에 나타난 바와 같이, 비교예 1에서 전극의 저항은 11.2Ω/10㎝ 임에 비해, 실시예 1 내지 3은 10.1 내지 10.6Ω/10㎝로 최대 6% 이상 줄어드는 것을 알 수 있다. 이는 은이 코팅된 판상형 구리 분말을 첨가한 경우가 그렇지 않은 경우보다 생성된 전극의 치밀도가 향상되어 저항이 감소한 것이다.As shown in Table 2, in Comparative Example 1, the resistance of the electrode is 11.2Ω / 10cm, it can be seen that Examples 1 to 3 is reduced by at least 6% to 10.1 to 10.6Ω / 10cm. This is because the density of the resulting electrode is improved compared to the case where the silver-coated plate-shaped copper powder is not added, thereby reducing the resistance.

뿐만 아니라, 비교예 1은 에지컬이 2.23㎛ 임에 비해 실시예 1 내지 3은 0.85 내지 1.05㎛로 그 값이 약 53 내지 61.9% 줄어든 것을 알 수 있다.In addition, it can be seen that in Comparative Example 1, the edge curl is 2.23 μm, whereas Examples 1 to 3 are 0.85 to 1.05 μm, which is about 53 to 61.9% reduced.

따라서, 에지컬의 현상이 감소되어 글래스 기판 전극과 유전체막이 만나는 곳에서의 기포 발생을 방지하고 최종 패널이 완성된 후 인가되는 전압에 의해 절연 파괴가 발생되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.Therefore, the phenomenon of the edge curl is reduced to prevent the occurrence of bubbles at the intersection of the glass substrate electrode and the dielectric film, and effectively prevent the occurrence of dielectric breakdown by the voltage applied after the final panel is completed.

한편, 이러한 은이 코팅된 판상형 구리 분말은 상술한 바와 같이 1 내지 20 wt%로 포함되는 것이 바람직하다. 상기 표 2에서 비교예 2는 은이 코팅된 판상형 구리 분말을 상술한 바람직한 범위를 초과한 약 26wt% 포함한 결과로 전극의 소성 후 비틀림이나 결실이 발생한 경우이다.On the other hand, the silver-coated plate-like copper powder is preferably contained in 1 to 20 wt% as described above. Comparative Example 2 in Table 2 is a case where the twist or deletion occurred after firing of the electrode as a result of containing about 26wt% of the plate-like copper powder coated with silver exceeding the above-mentioned preferred range.

이는 은이 코팅된 판상형 구리 분말이 과도하게 포함되어 도전성 전극 페이스트 내에서 분산성이 떨어져 결과적으로 도전성 전극 페이스트 균일성이 저해된 경우이다. 그 결과 소성 시 전극의 부분에 따라 수축률이 달라지며 따라서 에지컬이 커져, 전극의 탈락이 발생한 결과를 나타낸다.This is a case where the plate-like copper powder coated with silver is excessively contained, so that the dispersibility is reduced in the conductive electrode paste, and as a result, the conductive electrode paste uniformity is impaired. As a result, the shrinkage rate varies depending on the part of the electrode during firing, and thus the edge curl is increased, resulting in dropout of the electrode.

도 4는 본 발명에 따른 도전성 전극 페이스트로 형성된 전극을 포함하는 PDP의 구조를 도시한 도이다.4 is a diagram illustrating a structure of a PDP including an electrode formed of a conductive electrode paste according to the present invention.

도면을 참조하면, 플라즈마 디스플레이 패널(300)은 상부기판(310) 상에 형성되는 유지 전극 쌍인 스캔 전극(311) 및 서스테인 전극(312), 하부기판(320) 상에 형성되는 어드레스 전극(322)을 포함한다.Referring to the drawings, the plasma display panel 300 includes a scan electrode 311 and a sustain electrode 312, which are pairs of sustain electrodes formed on the upper substrate 310, and an address electrode 322 formed on the lower substrate 320. It includes.

상기 유지 전극 쌍(311, 312)은 통상 인듐틴옥사이드(Indium-Tin-Oxide;ITO)로 형성된 투명전극(311a, 312a)과 버스 전극(311b, 312b)을 포함하며, 상기 버스 전극(311b, 312b)은 은(Ag), 크롬(Cr) 등의 금속 또는 크롬/구리/크롬(Cr/Cu/Cr)의 적층형이나 크롬/알루미늄/크롬(Cr/Al/Cr)의 적층형으로 형성될 수 있다. The sustain electrode pairs 311 and 312 generally include transparent electrodes 311a and 312a and bus electrodes 311b and 312b formed of indium tin oxide (ITO). 312b) may be formed of a metal such as silver (Ag) or chromium (Cr) or a stack of chromium / copper / chromium (Cr / Cu / Cr) or a stack of chromium / aluminum / chromium (Cr / Al / Cr). .

버스 전극(311b, 312b)은 투명전극(311a, 312a) 상에 형성되어, 저항이 높은 투명전극(311a, 312a)에 의한 전압 강하를 줄이는 역할을 한다.The bus electrodes 311b and 312b are formed on the transparent electrodes 311a and 312a to reduce the voltage drop caused by the transparent electrodes 311a and 312a having high resistance.

한편, 스캔 전극(311) 및 서스테인 전극(312)의 투명전극(311a, 312a)과 버스전극(311b, 311c)의 사이에는 상부 기판(310)의 외부에서 발생하는 외부광을 흡수하여 반사를 줄여주는 광차단의 기능과 상부 기판(310)의 퓨리티(Purity) 및 콘트라스트를 향상시키는 기능을 하는 블랙 매트릭스(Black Matrix, BM, 315)가 배열된다.On the other hand, between the transparent electrodes 311a and 312a and the bus electrodes 311b and 311c of the scan electrode 311 and the sustain electrode 312 absorbs external light generated from the outside of the upper substrate 310 to reduce reflection. The black matrix (Black Matrix, BM, 315) is arranged to serve as a light blocking function and to improve the purity and contrast of the upper substrate 310.

블랙 매트릭스(315)는 상부 기판(310)에 형성되는데, 격벽(321)과 중첩되는 위치에 형성되는 제1 블랙 매트릭스(315)와, 투명전극(311a, 312a)과 버스전극(311b, 312b)사이에 형성되는 제2 블랙 매트릭스(311c, 312c)로 구성될 수 있다. The black matrix 315 is formed on the upper substrate 310. The first black matrix 315, the transparent electrodes 311a and 312a and the bus electrodes 311b and 312b are formed at positions overlapping the partition wall 321. Second black matrices 311c and 312c formed therebetween.

여기서, 제 1 블랙 매트릭스(315)와 블랙층 또는 블랙 전극층이라고도 하는 제 2 블랙 매트릭스(311c, 312c)는 형성 과정에서 동시에 형성되어 물리적으로 연결될 수 있고, 동시에 형성되지 않아 물리적으로 연결되지 않을 수도 있다. Here, the first black matrix 315 and the second black matrices 311c and 312c, which are also called black layers or black electrode layers, may be simultaneously formed and physically connected in the formation process, or may not be simultaneously formed and thus not physically connected. .

또한, 물리적으로 연결되어 형성되는 경우, 제 1 블랙 매트릭스(315)와 제 2 블랙 매트릭스(311c, 312c)는 동일한 재질로 형성되지만, 물리적으로 분리되어 형성되는 경우에는 다른 재질로 형성될 수 있다.In addition, when physically connected and formed, the first black matrix 315 and the second black matrix 311c and 312c may be formed of the same material, but may be formed of another material when the physically separated material is formed.

스캔 전극(311)과 서스테인 전극(312)이 나란하게 형성된 상부기판(310)에는 상부 유전체층(313)과 보호막(314)이 적층된다. 상부 유전체층(313)에는 방전에 의하여 발생된 하전입자들이 축적되고, 유지 전극 쌍(311, 312)을 보호하는 기능을 수행할 수 있다. The upper dielectric layer 313 and the passivation layer 314 are stacked on the upper substrate 310 having the scan electrode 311 and the sustain electrode 312 side by side. Charged particles generated by the discharge are accumulated in the upper dielectric layer 313, and may function to protect the sustain electrode pairs 311 and 312.

보호막(314)은 가스 방전시 발생된 하전입자들의 스피터링으로부터 상부 유전체층(313)을 보호하고, 2차 전자의 방출 효율을 높이게 된다.The passivation layer 314 protects the upper dielectric layer 313 from sputtering of charged particles generated during gas discharge, and increases emission efficiency of secondary electrons.

어드레스 전극(322)은 스캔 전극(311) 및 서스테인 전극(312)과 교차되는 방향으로 형성된다. The address electrode 322 is formed in the direction crossing the scan electrode 311 and the sustain electrode 312.

여기서 상술한 스캔 전극(311), 서스테인 전극(312) 및 어드레스 전극(322)은, 유기 바인더 5 내지 30 wt%, 광 중합성 모노머 3 내지 20 wt%, 유리 프릿 2 내지 10 wt%, 용매 5 내지 30 wt%, 구형 은 분말 40 내지 80 wt% 및 은이 코팅된 판상형 구리 분말 1 내지 20 wt%을 포함하는 도전성 전극 페이스트로 형성될 수 있다.The scan electrode 311, the sustain electrode 312, and the address electrode 322 described above include an organic binder of 5 to 30 wt%, a photopolymerizable monomer 3 to 20 wt%, a glass frit 2 to 10 wt%, a solvent 5 To 30 wt%, spherical silver powder 40 to 80 wt% and 1-20 wt% of the plate-shaped copper powder coated with silver.

특히 은이 코팅된 판상형 구리 분말을 포함하는 도전성 전극 페이스트로 형성됨으로서, 전극의 전도성을 향상시키는 동시에 형성된 전극은 에지컬을 최소화할 수 있게 된다.In particular, by being formed of a conductive electrode paste containing a plate-like copper powder coated with silver, it is possible to minimize the edge curl of the electrode formed while improving the conductivity of the electrode.

따라서 에지컬의 현상이 감소되어 글래스 기판 전극과 유전체막이 만나는 곳에서의 기포 발생을 방지하고 최종 패널이 완성된 후 인가되는 전압에 의해 절연 파괴가 발생되는 것을 방지할 수 있게 된다.Therefore, the phenomenon of the edge curl is reduced to prevent bubbles from being generated where the glass substrate electrode and the dielectric film meet, and to prevent the occurrence of dielectric breakdown by the voltage applied after the final panel is completed.

어드레스 전극(222)이 형성된 하부기판(220) 상에는 하부 유전체층(224)과 격벽(221)이 형성된다.The lower dielectric layer 224 and the partition wall 221 are formed on the lower substrate 220 on which the address electrode 222 is formed.

하부 유전체층(224)은 어드레스 전극(222) 보호와 전기적으로는 콘덴서 역학을 하며, 방전광이 배면기판쪽으로 투과되는 것을 막기 위하여 백색으로 형성하고 있다.The lower dielectric layer 224 is electrically condensed to protect the address electrode 222 and is formed in white to prevent the discharge light from being transmitted to the rear substrate.

하부 유전체층(224)의 형성방법은 스크린 인쇄법이 주류를 이루고 있으나, green sheet laminate법, slot coater법, roll coater법 등 각종 coater에 의한 형성방법에 의해 형성할 수 있다.The method of forming the lower dielectric layer 224 is mainly used for screen printing, but may be formed by various coaters such as a green sheet laminate method, a slot coater method, and a roll coater method.

격벽(221)은 스크린 인쇄법, Sand blast법, Lift-off법, 감광성 페이스트법, Direct Etching법 등에 의해 형성할 수 있다.The partition wall 221 can be formed by a screen printing method, a sand blast method, a lift-off method, a photosensitive paste method, a direct etching method, or the like.

또한, 하부 유전체층(224)과 격벽(221)의 표면에는 형광체층(223)이 형성된다. 격벽(221)은 세로 격벽(221a)와 가로 격벽(221b)가 폐쇄형으로 형성되고, 방전셀을 물리적으로 구분하며, 방전에 의해 생성된 자외선과 가시광이 인접한 방전셀에 누설되는 것을 방지한다.In addition, the phosphor layer 223 is formed on the surfaces of the lower dielectric layer 224 and the partition wall 221. The partition wall 221 has a vertical partition wall 221a and a horizontal partition wall 221b formed in a closed shape, and physically distinguishes the discharge cells, and prevents ultraviolet rays and visible light generated by the discharge from leaking to the adjacent discharge cells.

이상 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어 져서는 안 될 것이다.While the preferred embodiments of the present invention have been shown and described, the present invention is not limited to the specific embodiments described above, and the present invention is not limited to the specific embodiments of the present invention, without departing from the spirit of the invention as claimed in the claims. Various modifications can be made by those skilled in the art, and these modifications should not be individually understood from the technical spirit or the prospect of the present invention.

도 1a는 본 발명에 따른 도전성 전극 페이스트에 포함되는 은이 코팅된 판상형 구리 분말을 도시한 사시도이다.1A is a perspective view illustrating a plate-like copper powder coated with silver included in a conductive electrode paste according to the present invention.

도 1b는 도 1a의 은이 코팅된 판상형 구리 분말의 A-A'단면을 도시한 단면도이다.FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line AA ′ of the silver-coated plate-shaped copper powder of FIG. 1A.

도 2는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 제조공정을 도시한 단면도이다.2 is a cross-sectional view illustrating an electrode manufacturing process of a plasma display panel.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전극의 소성시 발생하는 에지컬을 나타내는 단면도이다.3 is a cross-sectional view illustrating edge curl generated when firing an electrode according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명에 따른 도전성 전극 페이스트로 형성된 전극을 포함하는 PDP의 구조를 도시한 도이다.4 is a diagram illustrating a structure of a PDP including an electrode formed of a conductive electrode paste according to the present invention.

Claims (13)

유기 바인더 5 내지 30 wt%, 광 중합성 모노머 3 내지 20 wt%, 유리 프릿 2 내지 10 wt%, 용매 5 내지 30 wt%, 구형 은 분말 40 내지 80 wt% 및 은이 코팅된 구리 분말 1 내지 20 wt%을 포함하는 도전성 전극 페이스트.Organic binder 5-30 wt%, photopolymerizable monomer 3-20 wt%, glass frit 2-10 wt%, solvent 5-30 wt%, spherical silver powder 40-80 wt% and silver coated copper powder 1-20 A conductive electrode paste comprising wt%. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 은이 코팅된 구리 분말의 평균 크기는 0.1 내지 2㎛ 인 도전성 전극 페이스트.The average size of the silver-coated copper powder is 0.1 to 2㎛ conductive electrode paste. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 은이 코팅된 구리 분말의 평균 두께는 0.03 내지 1㎛ 인 도전성 전극 페이스트.The average thickness of the silver-coated copper powder is 0.03 to 1㎛ conductive electrode paste. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 구리 분말을 코팅하는 은의 두께는 10 내지 300㎚인 도전성 전극 페이스트.The thickness of the silver coating the copper powder is 10 to 300nm conductive electrode paste. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 구형 은 분말의 지름은 0.1 내지 5㎛인 도전성 전극 페이스트.The diameter of the spherical silver powder is 0.1 to 5㎛ conductive electrode paste. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 용매는 a-터피놀(a-Terpinol), 부틸 카비톨 아세테이트(buty cabitol acetate), 텍사놀(Texonol), 디프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르(Di-propylene glycol) monomethyl ether) 및 부틸 카비톨(butly cabitol) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 도전성 전극 페이스트.The solvent is a-terpinol, buty cabitol acetate, texanol, di-propylene glycol monomethyl ether and butyl carbitol. conductive electrode paste comprising at least one of cabitol). 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 광 중합성 모노머는 2-히드록시에틸아크릴레이트, 2-히드록시프로필아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 폴리우레탄디아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 펜타에리스리틀트리아크릴레이트, 펜타에리스리틀테트라아크릴레이트, 트리메틸올프로판에틸렌옥사이드 변성 트리아크릴레이트, 트리 메틸올프로판프로필렌옥사이드 변성 트리아크릴레이트, 디펜타에리스리틀펜타아크릴레이트, 디펜타에리스리틀헥사아크릴레이트 및 상기 아크릴레이트에 대응하는 각 메타크릴레이트류 중 적어도 어느 하나를 포함하는 도전성 전극 페이스트.The photopolymerizable monomer is 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, diethylene glycol diacrylate, triethylene glycol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, polyurethane diacrylate, trimethylol Propane triacrylate, pentaerythrite triacrylate, pentaerythrite tetraacrylate, trimethylolpropane ethylene oxide modified triacrylate, trimethylolpropanepropylene oxide modified triacrylate, dipentaery little pentaacrylate, dipenta Electroconductive electrode paste containing at least one of an erythrile hexaacrylate and each methacrylate corresponding to the said acrylate. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 유리 프릿의 평균 입도는 0.5 내지 2 ㎛인 도전성 전극 페이스트.The conductive particle paste of the average particle size of the glass frit is 0.5 to 2 ㎛. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 유리 프릿의 유리 전이온도(Tg)는 350 내지 550℃ 인 도전성 전극 페이스트.The glass transition temperature (Tg) of the glass frit is 350 to 550 ℃ conductive electrode paste. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 유기 바인더는 카르복실기를 포함하는 도전성 전극 페이스트.The organic binder is a conductive electrode paste containing a carboxyl group. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 광중합 개시제, 레벨링제, 소포제 및 커플링제 중 적어도 어느 하나를 더 포함하는 도전성 전극 페이스트.A conductive electrode paste further comprising at least one of a photopolymerization initiator, a leveling agent, an antifoaming agent, and a coupling agent. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항의 도전성 전극 페이스트의 소성물로 형성된 도전성 전극.A conductive electrode formed of a fired product of the conductive electrode paste of any one of claims 1 to 11. 제12항의 도전성 전극을 포함하는 플라즈마 디스플레이 장치.A plasma display device comprising the conductive electrode of claim 12.
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