KR20100050457A - 핀 인터페이스를 갖는 다층의 배선 요소 - Google Patents
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Abstract
상호연결 요소(10)를 위한 콘택을 형성하는 방법을 제공한다. 본 방법은, (a)다수의 배선 층을 갖는 상호연결 요소(10)에 도전성 요소(16)를 접합하는 단계; (b) 도전성 요소(16)를 패터닝하여 도전성 핀(20)을 형성하는 단계; 및 (c)상호연결 요소(10)의 도전성 부분과 도전성 핀(20)을 전기적으로 상호연결하는 단계를 포함한다. 다수의 배선층 상호연결 요소(10)는 노출된 핀 인터페이스를 구비하며, 하나 이상의 유전성 층(24)에 의해 분리된 다수의 배선층을 구비하는 상호연결 요소를 포함하며, 배선층은 상호연결 요소(10)의 제1 면에 노출된 다수의 도전성 부분을 포함한다. 배선층은, 제1 면으로부터 멀어지는 방향으로 돌출된 다수의 도전성 핀(20)과, 도전성 핀(20)과 도전성 부분을 전기적으로 상호연결하는 금속 부분(22)을 포함한다.
Description
본 발명은 마이크로 전자 소자의 상호연결(interconnect)과 상호연결 소자를 지지하는 것에 관한 것으로서, 더 구체적으로는 다층의 배선 요소에 관한 것이다.
본 출원은 "MULTILAYER WIRING ELEMENT HAVING PIN INTERFACE"란 명칭으로 2007년 6월 29일 출원된 출원번호 11.825,484호의 우선권을 주장하며, 상기 출원의 전체 내용을 본 명세서에서 참조에 의해 원용한다.
플립칩(flip-chip) 장착 기술에서, 마이크로 전자 소자(microelectronic device)의 정면 또는 콘택 베어링 면(contact-bearing surace)이 칩 캐리어 또는 그외 다른 상호연결 요소, 예컨대 기판(substrate)과 같은 상호연결 요소에 페이스-다운(face-down) 방식으로 장착된다. 소자 상의 각각의 콘택(contact)은 기판상의 대응하는 콘택 패드(contact pad)에 솔더 본드(solder bond)에 의해, 솔더 볼(solder ball)을 기판 또는 소자 상에 위치설정(positioning)하고, 소자를 기판과 프론트 페이스-다운(front face-down) 방향으로 병치(juxtaposing)하며, 솔더를 순간적으로 리플로우(reflow)함으로써, 접합(join)된다. 플립칩 기술에 의하면, 콤팩트한 어셈블리를 제공할 수 있으며, 칩 자체의 면적보다 크지 않은 기판의 면적을 차지하게 된다.
그러나, 열 응력(thermal stress)에 의해, 플립칩 어셈블리의 설계에 중요한 문제가 생긴다. 소자 콘택과 지지용 기판 사이의 솔더 본드는 실질적으로 딱딱(rigid)하다. 사용중 열 팽창 및 수축에 기인한 소자와 지지용 기판의 상대적인 크기 변형에 의해, 이러한 딱딱한 본드에 실질적인 응력이 생기게 되어, 본드의 피로 파괴(fatigue failure)가 생길 수 있다. 또한, 칩을 기판에 부착하기 전에 칩을 검사하는 것이 어려워서, 완성된 어셈블리, 특히 많은 칩을 포함하는 어셈블리에서 요구되는 출검 품질(outgoing quality) 수준을 유지하는 것이 어렵다.
마이크로 전자 소자에 대한 상호연결 소자의 수가 증가함에 따라, 상호연결 소자의 평면성(planarity)의 문제가 증가한다. 상호연결 소자가 서로에 대해 평면성을 갖지 못하면, 많은 상호연결 소자가, 표준 인쇄 배선 기판 등의 지지용 기판상의 병치된 콘택 패드와 전기적으로 접촉하지 않게 될 가능성이 크다. 따라서, 기존의 다층 상호연결 요소 상에 공면(coplanar)의 핀을 제조하는 방법이 요구된다.
본 발명의 실시예에서, 상호연결 요소(interconnection element)를 위한 콘택(contacts)을 형성하는 방법은, (a) 다수의 배선 층(wiring layer)을 갖는 상호연결 요소에 도전성(conductive) 요소를 접합(join)하는 단계; (b) 도전성 요소를 패터닝하여 도전성 핀(conductive pin)을 형성하는 단계; 및 (c) 상호연결 요소의 도전성 부분과 도전성 핀을 전기적으로 상호연결하는 단계를 포함한다.
본 발명의 다른 실시예에서, 노출된 핀 인터페이스를 구비하는 다수의 배선층 상호연결 요소는, 하나 이상의 유전성 층에 의해 분리된 다수의 배선층을 구비하는 상호연결 요소를 포함하며, 배선층은 상호연결 요소의 제1 면에 노출된 다수의 도전성 부분을 포함한다. 배선층은, 제1 면으로부터 멀어지는 방향으로 돌출된 다수의 도전성 핀과, 도전성 핀과 도전성 부분을 전기적으로 상호연결하는 금속 부분을 포함한다.
도 1의 (a)~(e)는 본 발명의 전자 연결을 어셈블링하는 방법의 실시예를 나타낸다.
도 2의 (a)~(e)는 본 발명의 전자 연결을 어셈블링하는 방법의 다른 실시예를 나타낸다.
도 3은 마이크로 전자 핀의 측면을 개략적으로 나타낸다.
도 4는 마이크로 전자 핀의 상면을 개략적으로 나타낸다.
도 5의 (a) 및 (b)는 마이크로 전자 핀의 측면을 개략적으로 나타낸다.
도 6의 (a)~(e)는 본 발명의 전자 연결을 어셈블링하는 방법의 다른 실시예를 나타낸다.
도 7의 (a)~(c)는 다른 전자 구조체에 접합된 본 발명의 어셈블리에 관한 실시예를 나타낸다.
도 2의 (a)~(e)는 본 발명의 전자 연결을 어셈블링하는 방법의 다른 실시예를 나타낸다.
도 3은 마이크로 전자 핀의 측면을 개략적으로 나타낸다.
도 4는 마이크로 전자 핀의 상면을 개략적으로 나타낸다.
도 5의 (a) 및 (b)는 마이크로 전자 핀의 측면을 개략적으로 나타낸다.
도 6의 (a)~(e)는 본 발명의 전자 연결을 어셈블링하는 방법의 다른 실시예를 나타낸다.
도 7의 (a)~(c)는 다른 전자 구조체에 접합된 본 발명의 어셈블리에 관한 실시예를 나타낸다.
기존의 다층 상호연결 요소(multilayer interconnection elements)에 공면 핀(coplanar pins)을 제조하는 방법에 대하여 설명한다. 도 1에 나타낸 다층 상호연결 요소(10)는 유전성(dielectric) 부분(12)과 도전성(conductive) 부분(14)을 포함한다. 도전성 부분은 배선이나 본드 패드 등의 형태로 될 수 있다.
다층 상호연결 요소(10)는 폴리이미드, 세라믹, RF4, BT 레진 등과 같은 유전체(dielectric)를 갖는 단일의 금속 기판 또는 다층의 기판의 형태로 될 수 있다. 다층 상호연결 요소(10)는 다수의 배선 층 등을 갖는 상호연결 요소가 될 수 있다. 미국특허 6,528,784호를 보면, 다층 상호연결 요소의 제조에 대하여 언급되어 있는데, 이 특허문헌의 내용을 본 명세서에서 참조에 의해 원용한다.
본 발명의 일실시예로서, 다층 상호연결 요소(10) 상에 접착제(18)를 사용해서 도 1의 (b)에 나타낸 것과 같이 금속 층(16)을 적층한다. 이 금속 층(16)은 본 기술분야에 공지된 어떠한 적절한 금속도 가능하다. 예를 들어, 이러한 금속에는 구리(copper)와 같은 도전성 금속이 될 수 있다. 이하, 금속 층(16)은 도 1의 (c)에 나타낸 것과 같이 마이크로 전자 콘택 또는 핀을 형성하는 데에 사용될 수 있다.
마이크로 전자 핀(20)은 본 분야의 공지된 기술로 형성될 수 있다. 예를 들어, 마이크로 전자 핀(20)은 금속 층(16) 상에 레지스트 층(resist layer)을 포토리소그래픽 패터닝(photolithographically patterning)하고, 레지스트 패턴을 금속 층(16)으로 에칭(etching)에 의해 전사(transfer)함으로써 형성될 수 있다.
마이크로 전자 핀(20)이 형성되면, 접착제 층(18)은 에칭 중지 층(etch stop layer)으로서 작용하고, 접착제 층(18)은, 다층 상호연결 요소(10)의 도전성 부분(14)과 마이크로 전자 핀(20) 사이에 전기 커넥션(electrical connection)을 형성하기 위해, 도 1의 (d)에 도시된 바와 같이, 제거할 부분을 포함해도 된다. 접착제 층(18)은 본 분야에 잘 알려진 포토리소그래픽 기술 등을 사용해서 선택적으로 제거될 수 있다.
다음으로, 도 1의 (e)에 나타낸 바와 같이, 접착제 층(18)으로부터 제거된 부분에 인접해서, 전기 커넥션(22)을 형성한다. 예를 들어, 커넥션의 위치를 정하기 위해,
물리적 증착(physical vapor deposition)으로도 알려진 스퍼터링(sputtering) 또는 무전해 도금(electroless plating)을 행한 후에, 포토리소그래픽 패터닝 또는 레이저 드릴링(laser drilling)이 행해질 수 있다. 전기 커넥션(22)이 형성되면, 전기 커넥션의 두께를 원하는 값까지 증가시키기 위해 전기도금할 수 있다. 이에 의하면, 전기 커넥션(22)이 다층 상호연결 요소(10)와 마이크로 전자 핀(20) 사이에 형성된다. 마지막으로, 다층 상호연결 요소(10) 상에 전기 커넥션(22)과 마이크로 전자 핀(20)의 하부를 덮는 보호 절연체 층 또는 막(24)[도 1의 (e) 참조]을 형성하여, 어셈블리(50)가 손상되지 않도록 한다. 이 보호 층(24)은 마이크로 전자 핀(20)의 상단 면(40)의 공면성(co-planarity)을 유지하는 데에 도움을 주는데, 이는 보호용 유전성 층(24)이, 어셈블리(50)가 조작될 때에 휨(flexure)을 감소시키고, 마이크로 전자 핀(20)이 고정된 형태로 유지되도록 하기 때문이다. 이러한 보호 층의 예로는 솔더 마스크(solder mask) 등이 있다.
본 발명의 다른 실시예로서, 도 2의 (a)에 다층 상호연결 요소(10)가 도시되어 있다. 도 2의 (b)에 도시된 바와 같이, 계층화된 금속 구조체(26)가 다층 상호연결 요소(10)에 접착제(18)를 사용해서 접합된다. 계층화된 금속 구조체(26)는, 제1 금속 층(28), 에칭 중지 층(30), 및 제2 금속 층(32)을 포함할 수 있다. 제1 금속 층(28)은 제2 금속 층(32)보다 두께가 큰 것이 바람직하다. 트리메탈(trimetal) 구조를 도시하고 있지만, 계층화된 금속 구조체(26)는 임의의 개수의 층을 포함해도 된다.
마이크로 전자 핀(20)은, 도 2의 (c)에 도시된 바와 같이, 포토리소그래픽 패터닝 등과 같은 기술을 사용해서, 제1 금속 층(28)으로 형성될 수 있지만, 에칭 중지 층은 남는다.
마이크로 전자 핀(20)을 제조하는 방법에 대하여, 도면을 참조하여 설명한다. 도 3에 나타낸 바와 같이, 연속하는 금속 배선 층(210)의 표면 위로 돌출되도록, 다수의 도전성 핀(200)을 형성한다. 이 도전성 핀(200)은 여러 가지 공정에 의해 형성될 수 있다. 이러한 공정의 예로는, 2007년 1월 11일에 출원된, "Chip Capacitor Embedded PWB"라는 명칭을 가진 미국 특허 6,884,709(미국 가특허 출원번호 60/875,730)에 개시되어 있으며, 상기 특허문헌의 내용을 본 명세서에서 참조에 의해 원용한다.
그중 한가지 공정으로, 다층 금속 구조체의 노출된 금속 층을, 포토리소그래픽 패터닝에 의한 포토레지스트 층에 따라 에칭하여, 도전성 핀(200)을 형성하고, 구조체의 내부 금속 층(220) 상에서 에칭 공정을 중지한다. 내부 금속 층(220)은 노출된 금속 층과 상이한 하나 이상의 금속을 포함하며, 내부 금속 층(220)은 노출된 금속 층을 에칭하기 위해 사용되는 에칭제(etchant)에 의해 영향을 받지 않는 성분이 된다. 예를 들어, 도전성 핀(200)이 에칭되는 금속 층은 구리로 구성될 수 있으며, 연속하는 금속 층(210)도 마찬가지로 구리로 구성될 수 있다. 내부 금속 층(220)은 니켈(nickel)로 구성될 수 있다. 니켈은 구리에 비해 선택성(selectivity)이 양호하기 때문에, 도전성 핀(200)을 형성하기 위해 금속 층을 에칭할 때에, 니켈 층이 영향을 받지 않도록 할 수 있다.
도전성 핀(200)을 형성한 후, 하부 금속 층(210)에 대해 선택적인 공정으로, 노출된 내부 금속 층을 제거하기 위해, 다른 에칭제를 도포한다. 이와 선택적으로, 도전성 핀(200)을 형성할 수 있는 다른 방식으로서, 전기 도금을 사용해도 되고, 이 경우, 도전성 핀은, 포토레지스트 층과 같은 유전성 층으로 패턴화된 개구(openings)를 통해 하부의 금속 층(210) 상에 금속을 도금함으로써 형성된다.
도 4에 평면도로서 도시된 바와 같이, 핀은 다양한 형태와 크기를 가질 수 있다. 예를 들어, 위에서 보면, 핀은 원형(300), 정사각형 또는 직사각형(310), 또는 계란형(320)이 될 수 있다. 핀이 별 모양(star)이라면, 다른 형태보다 더 용이하게 또는 덜 용이하게 압축하는 것이 가능하다. 핀(200)의 하부 금속 층의 평면 위부터의 높이는 대략 15 미크론(㎛) 내지 대략 250 미크론(㎛)이며, 핀의 끝 부분(tip)에 해당하는 폭은 대략 30 미크론 이상이 되는 것이 일반적이다.
도 5의 (a) 및 (b)는 핀을 구비할 수 있는 다른 구조체를 나타낸다. 예를 들어, 도 5의 (a)에 나타낸 바와 같이, 핀(400)은 기저의 금속 층(400)을 덮는 에칭 중지 층(420)에 대해 선택적으로, 제1 금속 층을 에칭함으로써 형성된다. 핀(400)은 제2 금속 층(410)으로 피복된다. 제2 금속 층은 제1 금속 층과 동일한 금속을 포함할 수 있으며, 하나 이상의 다른 금속을 포함하거나, 제1 금속 층에 포함된 금속과 다른 금속을 조합해도 된다. 다른 실시예에서, 제2 금속 층(410)은 부식에 대해 내성을 가지며, 확산 결합(diffusion bond)의 형성을 용이하게 하는 금(gold)과 같은 금속을 포함한다. 확산 결합은 제2 금속 층과, 제2 금속 층과의 접촉 시에 다른 특징을 갖는 금속 층과의 사이에서 이루어진다. 다른 실시예로서, 제2 금속 층은 주석(tin)과 같은 저융점 금속(low melting temperature metal), 솔더(solder) 또는 공유 조성(eutectic composition)과 같은 저융점 금속 합금을 포함한다. 제2 금속 층으로 사용될 수 있는 다른 금속의 예로는, 니켈, 알루미늄 또는 니켈/금이 포함된다.
도 5의 (b)에 나타낸 바와 같이, 도전성 핀(450)의 끝 부분(tip)만 제2 금속 층(460)으로 코팅될 수 있으며, 이 도전성 핀의 주요 부분은, 에칭 중지 층을 통하지 않고, 접착제 층(470)과 직접 접촉할 수 있다.
도 2의 (d)에 도시한 바와 같이, 에칭 중지 층(30)의 일부, 제2 금속 층(32), 및 접착제 층(18)을 제거할 수 있다. 에칭 중지 층(30), 제2 금속 층(32), 및 접착제 층(18)은, 필요에 따라, 동시에 아니면 순차적으로 제거해도 된다. 이들 층을 제거함으로써, 이하 설명하는 바와 같이, 다층 상호연결 요소(10)이 도전성 부분(14)과 마이크로 전자 핀(20)의 전기적 연결이 가능하게 된다. 마지막으로, 앞서 설명한 것과 같은 보호용 유전성 층(24)[도 1의 (e) 참조]을 완성된 구조체의 상단에 형성할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예로서, 도 6의 (a)~(e)에 도시된 바와 같이, 계층화된 금속 구조체(26)를 접착제(18)를 사용해서 다층 상호연결 요소(10)에 접합시킬 수 있다. 그러나, 이 공정을 행하기 전에, 제2 금속 층의 일부를 제거해서, 계층화된 금속 구조체(26)를 접착제를 사용해서 다층 상호연결 요소(10)에 부착할 때에, 접착제의 일부가, 도 6의 (b) 및 (c)에 도시된 바와 같이, 제2 금속 층(32)의 제거된 부분으로 상승하도록 할 수 있다. 따라서, 제2 금속 층(32)은 계층화된 금속 구조체(26)를 다층 상호연결 요소(10)에 부착하기 전에 미리 패턴화해도 된다.
이후, 앞서 설명한 방식으로, 마이크로 전자 핀(20)을 형성한다. 다음으로, 에칭 중지 층(30) 및 접착제 층(18)의 일부를, 도 6의 (d)에 도시한 바와 같이, 제거한다. 이후, 다층 상호연결 요소(10)의 도전성 부분(14)과 마이크로 전자 핀(20)을 전기적으로 상호연결하는 전기 커넥션(22)을 형성한다. 마지막으로, 보호 층(24)을 형성하여 어셈블리(50)를 만든다.
본 명세서에 개시한 방법과 구조는, 도 7의 (a)에 나타낸 것과 같은 노출된 핀 인터페이스(interface)에, 랜드 그리드 어레이("LGA") 또는 볼 그리드 어레이("BGA")를 갖는 칩을 플립칩으로 장착하는 것에 효과적이다. 칩은 또한 도 7의 (b)에 나타낸 바와 같이, 마이크로 전자 핀(20)의 반대편 상의 어셈블리(50)에 장착해도 된다. 또한, 본 발명의 방법과 구조는 도 7의 (c)에 도시된 것과 같은 와이어 본드 마이크로콘택 또는 플립 칩에 효과적이다. 완성된 어셈블리는 회로 패널이 되거나, 칩에 접합된 회로 패널이 될 수 있다. 또한, 완성된 어셈블리는 다른 회로 패널이나 칩에 상호연결될 수 있다.
본 발명을 특정의 실시예를 들어 설명하였지만, 이들 실시예는 본 발명의 원리와 응용의 예시에 불과하다는 것을 알 수 있을 것이다. 따라서, 예시한 실시예에 대해 다양한 변형이 가능하며, 본 발명의 범위를 벗어남이 없이 다양한 구성이 가능하다.
Claims (34)
- 상호연결 요소(interconnection element)를 위한 콘택(contacts)을 형성하는 방법에 있어서,
(a) 다수의 배선 층(wiring layer)을 갖는 상호연결 요소에 도전성(conductive) 요소를 접합(join)하는 단계;
(b) 상기 도전성 요소를 패터닝하여 도전성 핀(conductive pin)을 형성하는 단계; 및
(c) 상기 상호연결 요소의 도전성 부분과 상기 도전성 핀을 전기적으로 상호연결하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 콘택 형성 방법. - 제1항에 있어서,
상기 단계 (a)는, 상기 도전성 요소를, 유전성(dielectric) 층을 구비하는 상기 상호연결 요소에 접합하는 단계를 포함하는, 콘택 형성 방법. - 제2항에 있어서,
상기 유전성 층은 접착제(adhesive)를 포함하는, 콘택 형성 방법. - 제2항에 있어서,
상기 단계 (c)는, 상기 유전성 층에 개구(openings)를 형성하고, 상기 도전성 부분을 상기 도전성 핀과 연결하는 트레이스(traces)를 형성하는 단계를 포함하는, 콘택 형성 방법. - 제1항에 있어서,
상기 도전성 요소는 단일의 금속 시트(metal sheet)를 포함하여 이루어진, 콘택 형성 방법. - 제1항에 있어서,
상기 도전성 요소는 계층화된(layered) 금속 구조체를 포함하여 이루어진, 콘택 형성 방법. - 제6항에 있어서,
상기 계층화된 금속 구조체는, 외측(outer) 금속 층, 상기 상호연결 요소와 마주보는 내측(inner) 금속 층, 및 상기 외측 금속 층과 상기 내측 금속 층 사이에 위치하는 제3 금속 층을 포함하며,
상기 단계 (b)는 상기 외측 금속 층을 상기 제3 금속 층에 대하여 선택적으로 에칭하는 단계를 더 포함하며,
상기 단계 (c)는 상기 내측 금속 층의 일부와 상기 도전성 부분을 상호연결하는 단계를 더 포함하는, 콘택 형성 방법. - 제7항에 있어서,
상기 단계 (c)는 상기 제3 금속 층과 상기 내측 금속 층에 개구를 형성하는 단계를 더 포함하며,
상기 개구는 상기 도전성 부분과 정렬(align)되어 있는, 콘택 형성 방법. - 제7항에 있어서,
상기 내측 금속 층은 제1 개구를 포함하며,
상기 단계 (c)는 상기 제3 금속에 관통 개구(through openings)를 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 관통 개구는 상기 제1 개구 및 상기 도전성 부분과 정렬되어 있는, 콘택 형성 방법. - 제1항에 개시된, 상호연결 요소를 위한 콘택 형성 방법을 포함하는, 패키지 칩을 형성하는 방법으로서,
(d) 마이크로 전자 요소(microelectronic element)의 콘택을 도전성 핀과 전기적으로 상호연결하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 패키지 칩 형성 방법. - 제1항에 개시된, 상호연결 요소를 위한 콘택 형성 방법을 포함하는, 패키지 칩을 형성하는 방법으로서,
상기 도전성 핀은 상기 상호연결 요소의 제1 면으로부터 돌출되어 있고,
상기 패키지 칩을 형성하는 방법은,
(d) 마이크로 전자 요소의 콘택을 상기 상호연결 요소의 제2 도전성 요소와 전기적으로 상호연결하는 단계를 포함하며,
상기 상호연결 요소의 상기 제2 도전성 요소는 상기 상호연결 요소의 제2 면에 노출되어 있고, 상기 제2 면은 상기 제1 면으로부터 이격되어 있는 것을 특징으로 하는 패키지 칩 형성 방법. - 노출된 핀 인터페이스(interface)를 구비하는 다수의 배선층 상호연결 요소로서,
하나 이상의 유전성 층에 의해 분리된 다수의 배선층을 구비하는 상호연결 요소를 포함하며,
상기 배선층은, 상기 상호연결 요소의 제1 면에 노출된 다수의 도전성 부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 배선층 상호연결 요소. - 제12항에 있어서,
상기 상호연결 요소는 접착제를 사용하여 상기 도전성 핀에 접합되는 것인, 배선층 상호연결 요소. - 제13항에 있어서,
상기 접착제는 금속 부분이 연장되는 개구를 포함하는 것인, 배선층 상호연결 요소. - 제12항에 있어서,
상기 도전성 핀은 외측 금속 층, 상기 상호연결 요소와 마주보는 내측 금속 층, 및 상기 내측 금속 층과 상기 외측 금속 층 사이에 배치되는 제3 금속 층을 구비하는 계층화된 금속 구조체로 형성되는, 배선층 상호연결 요소. - 제15항에 있어서,
상기 도전성 핀은 상기 외측 금속 층으로 형성되는 것인, 배선층 상호연결 요소. - 제15항에 있어서,
상기 금속 부분은 상기 내측 금속 층의 부분과 상기 도전성 부분을 상호연결하는 것인, 배선층 상호연결 요소. - 제12항에 있어서,
상기 도전성 핀과 연결된 코택(contacts)을 구비하는 마이크로 전자 요소를 더 포함하는 배선층 상호연결 요소. - 제12항에 있어서,
상기 상호연결 요소의 도전성 부분과 상호연결된 콘택을 구비하는 마이크로 전자 요소를 더 포함하는 배선층 상호연결 요소. - 제19항에 있어서,
상기 도전성 부분은 상기 도전성 핀으로부터 이격된 제2 면(face)에 위치하는 것인, 배선층 상호연결 요소. - 다수의 도전성 패드를 구비하는 다층 기판;
다수의 포스트(post);
상기 다층 기판과 상기 다수의 포스트 사이에 위치하며, 제1 및 제2 면과 상기 제1 및 제2 면 사이로 연장하는 다수의 금속화된 비아(via)를 구비하는 접합 층(joining layer)
을 포함하며,
상기 다수의 금속화된 비아는, 상기 다수의 포스트를 상기 다수의 기판상에서 상기 다수의 도전성 포스트에 전기적으로 결합하도록 위치하는 것을 특징으로 하는 상호연결 요소. - 제21항에 있어서,
상기 포스트는 외측 금속 층, 상기 접합 층과 마주보는 내측 금속 층, 및 상기 내측 금속 층과 상기 외측 금속 층 사이에 배치되는 제3 금속 구속 층을 구비하는 계층화된 금속 구조체로 형성되는, 상호연결 요소. - 제22항에 있어서,
상기 포스트는 상기 외측 금속 층으로 형성되는 것인, 상호연결 요소. - 제21항에 있어서,
상기 포스트와 상호연결된 콘택을 구비하는 마이크로 전자 요소를 더 포함하는 상호연결 요소. - 제21항에 있어서,
상기 다층 기판의 제2 면에 노출된 상기 다층 기판의 제2 도전성 패드와 연결된 콘택을 구비하는 마이크로 전자 요소를 더 포함하는 상호연결 요소. - 제25항에 있어서,
상기 제2 도전성 패드는 상기 접합 층에 인접한 상기 다층 기판의 제1 면으로부터 이격된 제2 면에 위치하는, 상호연결 요소. - 제21항에 있어서,
상기 접합 층은 접착제를 포함하여 이루어진 것인, 상호연결 요소. - 상호연결 요소를 형성하는 방법으로서.
다수의 콘택 패드를 구비하는 다층 기판을 제공하는 단계;
접합 층을 구비하는 상기 다층 기판에 금속 층을 고정(secure)시키는 단계;
상기 금속 층으로부터 다수의 포스트를 형성하는 단계; 및
상기 접합 층 내에 다수의 금속화된 비아(via)를 형성하는 단계
를 포함하며,
상기 금속화된 비아는 상기 다층 기판의 콘택 패드를 상기 다수의 포스트와 전기적으로 결합시키는 것을 특징으로 하는 상호연결 요소의 형성 방법. - 제28항에 있어서,
상기 접합 층은 유전성 층을 포함하여 이루어진, 상호연결 요소의 형성 방법. - 제29항에 있어서,
상기 유전성 층은 접착제를 포함하여 이루어진, 상호연결 요소의 형성 방법. - 제28항에 있어서,
상기 금속 층은 단일의 금속 시트를 포함하여 이루어진, 상호연결 요소의 형성 방법. - 제28항에 있어서,
상기 금 속 층은 계층화된 금속 구조체를 포함하여 이루어진, 상호연결 요소의 형성 방법. - 제28항에 개시된, 상호연결 요소를 위한 콘택을 형성하는 방법을 포함하는, 패키지 칩을 형성하는 방법으로서,
마이크로 전자 요소(microelectronic element)의 콘택(contacts)을 상기 포스트와 상호연결하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 패키지 칩 형성 방법. - 제28항에 개시된, 상호연결 요소를 위한 콘택 형성 방법을 포함하는, 패키지 칩을 형성하는 방법으로서,
상기 포스트는 상기 상호연결 요소의 제1 면으로부터 돌출되어 있고,
상기 패키지 칩을 형성하는 방법은,
마이크로 전자 요소의 콘택을, 다층 기판의 제2 면에 노출된 다층 기판의 제2 도전성 패드와 전기적으로 상호연결하는 단계를 포함하며,
상기 제2 면은 상기 제1 면으로부터 이격되어 있는 것을 특징으로 하는 패키지 칩 형성 방법.
Applications Claiming Priority (3)
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