KR20100032335A - 산화아연계 타깃 - Google Patents

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노리히코 미야시타
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Abstract

내환경성이 우수한 산화아연계 타깃을 제공하는 것을 과제로 한다.
산화아연을 주성분으로 하고, 티탄(Ti) 및 갈륨(Ga)의 양 원소를 함유하고, 양 원소가 티탄 1.1at% 이상 또는 갈륨 4.5at% 이상의 범위에서 함유되어 있다.
내환경성, 산화아연, 타깃, 티탄, 갈륨.

Description

산화아연계 타깃{ZINC OXIDE-BASED TARGET}
본 발명은 산화아연을 주성분으로 하는 산화아연계 타깃에 관한 것이다.
투명 도전막은 적외선 차폐판이나 정전 차폐판의 용도, 면 발열체나 터치 스위치 등의 도전막, 디스플레이 장치 등의 투명 전극의 수요가 높아지고 있다. 이러한 투명 도전막으로서는, 종래, 주석을 도핑한 산화인듐막(ITO)이 사용되고 있지만, ITO는 가격이 높기 때문에, 저렴한 투명 도전막의 출현이 요망되고 있다.
그래서, ITO보다 저렴한 막인 산화아연계 투명 도전막이 주목받아, 산화아연에 산화알루미늄을 첨가한 AZO나 산화갈륨을 첨가한 GZO 등이 시판되고 있다.
그렇지만, 이들 산화아연계 투명 도전막은 ITO와 비교하여 도전성이나 내구성이 뒤떨어지는 것으로, 고도전성이나 안정화를 찾아 각종 원소를 첨가한 것이 검토었다(특허문헌 1∼4 등 참조). 또, 특히, 첨가원소로서 Ga를 첨가한 것이 검토되었다(특허문헌 5∼7 등 참조).
그렇지만, 이러한 산화아연계 투명 도전막은, 이 막을 실용화하기 위해서는, 에칭 레이트가 지나치게 빨라, 패터닝하기 어렵다는 문제가 있고, 또, 내환경성이 뒤떨어진다고 하는 문제가 있다.
특허문헌 1: 일본 특개 소62-154411호 공보(특허청구범위)
특허문헌 2: 일본 특개 평9-45140호 공보(특허청구범위)
특허문헌 3: 일본 특개 2002-75061호 공보(특허청구범위)
특허문헌 4: 일본 특개 2002-75062호 공보(특허청구범위)
특허문헌 5: 일본 특개 평10-306367호 공보(특허청구범위)
특허문헌 6: 일본 특개 평11-256320호 공보(특허청구범위)
특허문헌 7: 일본 특개 평11-322332호 공보(특허청구범위)
본 발명은 상기한 사정을 감안하여, 내환경성이 우수한 산화아연계 투명 도전막을 형성할 수 있는 산화아연계 타깃을 제공하는 것을 과제로 한다.
상기 과제를 해결하는 본 발명의 제 1 태양은, 산화아연을 주성분으로 하고, 티탄(Ti) 및 갈륨(Ga)의 양 원소를 함유하고, 양 원소가 티탄 1.1at% 이상 또는 갈륨 4.5at% 이상의 범위에서 함유되어 있는 산화물 소결체를 구비하는 것을 특징으로 하는 산화아연계 타깃에 있다.
이러한 제 1 태양에서는, 티탄(Ti) 및 갈륨(Ga)의 양 원소를 소정 범위에서 함유함으로써, 내환경성이 우수한 막을 형성할 수 있는 산화아연계 타깃이 된다.
본 발명의 제 2 태양은, 제 1 태양에 기재된 산화아연계 타깃에 있어서, 갈륨의 함유량(y)(at%)이 티탄의 함유량(x)(at%)으로 표시되는 값 (-2x+10.4) 이하의 범위이고 또한 티탄의 함유량(x)(at%)으로 표시되는 값 (-0.5x+1.1) 이상의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 산화아연계 타깃에 있다
이러한 제 2 태양에서는, 티탄 및 갈륨을 원하는 범위로 함으로써, 막의 비저항이 보다 작고, 전기 도전성이 보다 양호한 산화아연계 투명 도전막을 형성할 수 있는 산화아연계 타깃으로 된다.
본 발명의 제 3 태양은, 제 1 또는 제 2 태양에 기재된 산화아연계 타깃에 있어서, 갈륨의 함유량(y)(at%)이 티탄의 함유량(x)(at%)으로 표시되는 값 (- x+3.4) 이하, (x-0.9) 이하, 또는 (-2.3x+10.1) 이상의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 산화아연계 타깃에 있다.
이러한 제 3 태양에서는, 티탄 및 갈륨을 원하는 범위로 함으로써, 캐리어 밀도가 특히 작아져, 근적외 영역에 상당하는 장파장의 광의 투과성이 보다 향상되고, 특히 태양전지 용도에 적합한 막을 형성할 수 있는 산화아연계 타깃으로 된다.
본 발명의 산화아연계 타깃은, 티탄(Ti) 및 갈륨(Ga)의 양 원소를 소정 범위로 함유함으로써, 내환경성이 우수한 막을 형성할 수 있다는 효과를 얻을 수 있다.
(발명을 실시하기 위한 최선의 형태)
본 발명의 산화아연계 타깃은, 산화아연을 주성분으로 하고, 갈륨과 함께 티탄을 첨가한 소결체로 하면, 내환경성이 현저하게 향상되는 산화아연계 투명 도전막을 형성할 수 있다고 하는 지견에 기초하여 완성된 것이다.
본 발명의 산화아연계 타깃은, 티탄(Ti) 및 갈륨(Ga)의 양 원소를 첨가원소로서 함유하는 산화물 소결체를 구비하는 것이지만, 양 원소가 티탄 1.1at% 이상 또는 갈륨 4.5at% 이상의 범위, 즉, 티탄 1.1at% 미만 또한 갈륨 4.5at% 미만의 범위를 제외한 범위에서 함유되는 것이다. 이들 범위에서 양 원소가 함유되어 있으면, 내환경성이 향상된 막을 형성할 수 있고, 범위 밖에서는 내환경성이 향상된 막을 형성할 수 있다는 효과가 현저하게 얻어지지 않기 때문이다.
여기에서, 산화아연계 타깃이란 산화아연계 소결체를 구비하는 타깃으로, 스 퍼터링에 의한 투명 도전막의 성막에 사용되는 스퍼터링 타깃 이외에, 이온도금에 의한 투명 도전막의 성막에 사용되는 이온도금용 타깃(펠릿이라고도 함)을 포함하는 것이다.
즉, 본 발명의 범위에서는, 후술하는 바와 같이, 내환경 시험의 결과, 비저항의 변화가 7% 이하로 작아, 실용에 견딜 수 있는 내환경성을 갖는 막을 형성할 수 있는 타깃으로 된다.
또한, 본건 출원에서, 각 금속 원소의 함유량(at%)은 전체 금속 원소의 몰수 에 대한 Ti 및 Ga의 몰수의 비율(Ti/(Zn+Ti+Ga), Ga/(Zn+Ti+Ga))로 표시된다.
여기에서, 내환경 시험은 60℃, 상대습도 90%의 환경하에 250시간 방치했을 때의 전후의 비저항의 변화를 측정하는 것이다. 비저항의 변화(증가)가 7% 이내이면, 디바이스 설계상, 큰 문제를 일으키지 않고, 실용에 견딜 수 있는 것으로 판단된다.
여기에서, 비저항의 변화율(%)은 이하의 식으로 표시된다. 또한, 비저항이 감소하는 경우에는, 디바이스 설계상, 큰 문제는 되지 않으므로, 변화가 7% 이하의 조건을 만족하는 것으로 한다.
비저항의 변화율(%)=[(내환경 시험 후의 비저항/내환경 시험 전의 비저항)-1]×100
또, 특히, 갈륨의 함유량(y)(at%)이 티탄의 함유량(x)(at%)으로 표시되는 값 (-2x+10.4) 이하의 범위이고 또한 티탄의 함유량(x)(at%)으로 표시되는 값 (-0.5x+1.1) 이상의 범위에 있는 산화아연계 타깃으로 하는 것이 바람직하다.
또, 특히, 갈륨의 함유량(y)(at%)이 티탄의 함유량(x)(at%)으로 표시되는 값 (-2.5x+9.8) 이하이고 또한 (-0.5x+1.1) 이상의 범위에서 비저항 1.5×10-3Ωcm 이하가 되어, 더욱 양호한 막을 형성할 수 있는 타깃으로 된다.
이러한 범위에서 갈륨 및 티탄을 함유함으로써, 특히 비저항이 2.5×10-3Ωcm 이하 또는 1.5×10-3Ωcm 이하로 작아져, 전기도전성이 보다 우수한 막을 형성할 수 있는 타깃으로 되기 때문이다.
비저항이 2.5×10-3Ωcm 이하 또는 1.5×10-3Ωcm 이하가 바람직하다고 한 것은, 예를 들면, 액정 디스플레이의 어레이측 전극에서는 1×10-3Ωcm 정도이면 사용 가능하다고 하고 있기 때문으로, 실용상 바람직하기 때문이다.
또한, 특히, 갈륨의 함유량(y)(at%)이 티탄의 함유량(x)(at%)으로 표시되는 값 (-x+3.4) 이하, (x-0.9) 이하, 또는 (-2.3x+10.1) 이상의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 산화아연계 타깃으로 하는 것이 바람직하다.
이러한 범위에서 갈륨 및 티탄을 함유함으로써, 캐리어 밀도가 보다 작아져, 근적외 영역에 상당하는 장파장의 광을 투과시키기 쉬운 막이 되므로, 예를 들면, 태양전지 용도에 적합한 투명 도전막을 형성할 수 있는 것으로 된다.
상기한 적합한 범위로 하면, 캐리어 밀도는 4.0×1020cm-3 이하로 되어, 태양전지 용도에 바람직한 것으로 된다.
여기에서, 근적외 영역에 상당하는 장파장측의 투과율은 광의 흡수·반사를 일으키는 자유전자의 플라즈마 진동이 장파장측에 있는 쪽이 높아진다. 플라즈마 진동을 일으키는 플라즈마 파장은 이하의 식으로 표시되고, 캐리어 밀도가 적을수록 플라즈마 파장이 장파장측으로 된다.
Figure 112009056883968-PAT00001
여기에서, c: 광속 3.0×1010[cm/s], e: 전자 전하 4.8×10-10esu, ne: 캐리어 밀도 [cm-3], ε0=π/4, ε: 유전율(= 굴절율의 제곱, n2=2.02=4.0), m*: 산화아연의 전자의 유효 질량(0.28×9.1×10-28[g], μ: 이동도 [cm2/V·s]이다.
캐리어 밀도가 4×1020cm-3인 경우 플라즈마 파장은 1650nm 정도로, 장파장의 광도 충분히 투과하게 된다.
본 발명의 대상이 되는 산화아연계 타깃의 제조방법에 대하여 설명했는데, 이것은 단지 예시한 것으로, 제조방법은 특별히 한정되는 것은 아니다.
우선, 본 발명의 타깃을 구성하는 출발원료로서는 일반적으로 산화아연(ZnO), 산화갈륨(Ga2O3), 산화티탄(TiO2)의 분말인데, 이것들의 단체, 화합물, 복합산화물 등을 원료로 해도 된다. 단체, 화합물을 사용하는 경우에는 미리 산화물 로 하는 것과 같은 프로세스를 통하도록 한다.
이들 원료분말을 원하는 배합율로 혼합하고, 성형하는 방법은 특별히 한정되지 않으며, 종래부터 공지의 각종 습식법 또는 건식법을 사용할 수 있다.
건식법으로서는 콜드 프레스(Cold Press)법이나 핫 프레스(Hot Press)법 등을 들 수 있다. 콜드 프레스법에서는, 혼합분말을 성형형(成形型)에 충전하여 성형체를 제작하고 소성시킨다. 핫 프레스법에서는, 혼합분말을 성형형 내에서 소성, 소결시킨다.
습식법으로서는, 예를 들면, 여과식 성형법(일본 특개 평11-286002호 공보 참조)을 사용하는 것이 바람직하다. 이 여과식 성형법은, 세라믹스 원료 슬러리로부터 수분을 감압 배수하여 성형체를 얻기 위한 비수용성 재료로 이루어지는 여과식 성형형으로, 1개 이상의 수분제거 구멍을 갖는 성형용 하형과, 이 성형용 하형의 위에 재치한 통수성(通水性)을 갖는 필터와, 이 필터를 밀봉하기 위한 실링재를 통하여 상면측에서 끼워 지지하는 성형용 형틀로 이루어지고, 상기 성형용 하형, 성형용 형틀, 실링재, 및 필터를 각각 분해할 수 있게 조립되어 있고, 이 필터면측에서만 슬러리 중의 수분을 감압 배수하는 여과식 성형형을 사용하고, 혼합분말, 이온교환수와 유기 첨가제로 이루어지는 슬러리를 조제하고, 이 슬러리를 여과식 성형형에 주입하고, 이 필터면측으로부터만 슬러리 중의 수분을 감압 배수하여 성형체를 제작하고, 얻어진 세라믹스 성형체를 건조 탈지 후, 소성한다.
콜드 프레스법이나 습식법으로 성형한 것의 소성 온도는 1000∼1500℃가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 1000∼1300℃이며, 그 분위기는 대기 분위기, 산소 분위기, 비산화성 분위기, 또는 진공 분위기 등이다. 한편, 핫 프레스법의 경우에는, 900∼1300℃에서 소결시키는 것이 바람직하고, 그 분위기는, 비산화성 분위기나 진공 분위기 등이다. 또한, 각 방법에서 소성한 후에는, 소정 치수로 성형·가공을 위한 기계가공을 시행하여 타깃으로 한다.
(실시예)
이하, 본 발명을 스퍼터링 타깃을 예로 한 실시예에 기초하여 설명했는데, 이것에 한정되는 것은 아니다.
(스퍼터링 타깃 제조예 1∼50)
BET=3.59m2/g의 ZnO 분말, BET=7.10m2/g의 TiO2 분말 및 BET=13.45m2/g의 Ga2O3 분말을 전체 금속 원소의 몰수에 대한 Ti 및 Ga의 몰수의 비율(Ti/(Zn+Ti+Ga), Ga/(Zn+Ti+Ga))이 하기 표 1 및 표 2에 샘플 A1∼A50으로서 나타내는 몰비에 상당하는 것과 같은 비율로 전량 약 1.0kg 준비하고, 이것을 볼 밀로 혼합했다. 그 후, 바인더로서 4wt% 폴리비닐알코올 수용액을 혼합 분말에 대하여 6.6wt% 첨가하여 혼합하고, 콜드 프레스하여 성형체를 얻었다.
이 성형체를, 대기 중 60℃/h의 승온속도로 승온하고 600℃에서 10시간 탈지했다. 이어서, 대기 중에서 실온에서부터 1300℃까지 100℃/h로 승온한 후, 1300℃에서 8시간 소성하고, 그 후 실온까지 100℃/h로 냉각함으로써 소결체를 얻었다. 얻어진 소결체는 평면연삭을 시행하여, φ100mm×6mmt의 타깃을 얻었다.
또한, 얻어진 소결체를 ICP로 분석한 바 원료배합 조성과 거의 동일한 것이 확인되었다.
(AZO 스퍼터링 타깃 제조예)
BET=3.59m2/g의 ZnO 분말, BET=3.89m2/g의 Al2O3 분말을 전체 금속 원소의 몰수에 대한 Al의 몰수의 비율(Al/(Zn+Al))이 2.4at%에 상당하는 것과 같은 비율로 전량 약 1.0kg 준비하고, 이것을 볼밀로 혼합했다. 그 후, 바인더로서 4wt% 폴리비닐알코올 수용액을 혼합분말에 대하여 6.6wt% 첨가하여 혼합하고, 콜드프레스 하여 성형체를 얻었다.
이 성형체를 대기 중 60℃/h로 승온하고 600℃에서 10시간 탈지했다. 이어서, 대기 중에서 실온에서부터 1300℃까지 100℃/h로 승온한 후, 1300℃에서 8시간 소성하고, 그 후 실온까지 100℃/h로 냉각함으로써 소결체를 얻었다. 얻어진 소결체는 평면연삭을 시행하여 φ100mm×6mmt의 타깃을 얻었다.
(성막예)
4인치 캐소드의 DC 마그네트론 스퍼터 장치에 각 제조예의 스퍼터링 타깃 및 AZO 스퍼터링 타깃을 각각 장착하고, 기판온도 250℃, 산소분압을 0∼2.0sccm으로 0.5sccm 간격으로 변화시키면서(0∼6.6×10-3Pa에 상당) 투명 도전막을 얻었다.
이렇게 하여 얻어진 투명 도전막은 스퍼터링한 투명 도전막용 스퍼터링 타깃의 조성과 동일한 조성의 산화아연계 투명 도전막이다. 이러한 산화아연계 투명 도전막의 조성분석은 단막을 전량 용해하여 ICP로 분석해도 된다. 또, 막 자체가 소자구성을 하고 있는 경우 등은, 필요에 따라 FIB 등에 의해 해당되는 부분의 단 면을 잘라내고, SEM이나 TEM 등에 부속되어 있는 원소분석 장치(EDS나 WDS, 오제 분석 등)를 사용해도 특정하는 것이 가능하다.
스퍼터의 조건은 아래와 같이 하고, 두께 1200Å의 막을 얻었다.
타깃 치수: φ=100mm, t=6mm
스퍼터 방식: DC 마그네트론 스퍼터
배기 장치: 로터리 펌프+크라이오 펌프
도달 진공도: 3×10-5Pa 이하
Ar 압력: 4.0×10-1Pa
산소 압력: 0∼6.6×10-3Pa
기판온도: 250℃
스퍼터 전력: 130W(전력밀도 1.6W/cm2)
사용 기판: 코닝 #1737(액정 디스플레이용 유리)
50mm×50mm×0.8mmt
산소분압을 변화시켜 성막한 투명 도전막을 각각 10mm×10mm의 크기로 잘라내고, Van der Pauw법에 의해(도요테크니카제, 홀계수 측정 장치 ResiTest 8300) 비저항을 각각 측정했다.
도 1(b)에 비교예인 알루미늄(Al)을 2.4at% 도핑한 ZnO(AZO)막의 비저항의 산소분압 의존성을 나타낸다. 이와 같이, 비저항은 산소분압이 0인 경우에 비저항 이 가장 낮다. 또, Ti를 2at% 및 Ga를 1at% 도핑한 ZnO막(샘플 A24)의 비저항의 산소분압 의존성을 도 1(a)에 나타낸다. 샘플 A24의 산소분압 의존성은 AZO막과 동일한 특성을 나타낸다. 이 밖의 샘플 조성에서의 TiGa계 ZnO막도 모두 동일한 특성을 나타낸다. 그래서, 표 1 및 표 2에 나타낸 특성값은 모두 산소분압이 0일 때의 데이터로 했다.
시험예 1(내환경성 시험)
산소분압이 0에서 성막한 각 투명 도전막을, 각각 10mm×10mm의 크기로 잘라내고, 우선 비저항을 Van der Pauw법(도요테크니카제, 홀계수 측정 장치 ResiTest 8300)에 의해 측정하고, 그 후 항온항습기 내(ESPEC제 PR-2KP)에 봉입하고, 60℃ 90%RH 분위기 중에 250시간 방치한 후, 다시 비저항을 측정하고, 방치 전후에 있어서의 비저항의 변화율을 산출했다. 또한, 항온항습기 내를 승강온시킬 때, 온도와 습도를 컨트롤함으로써 샘플이 결로되지 않도록 했다.
이 결과를 표 1 및 표 2에 나타낸다.
이 결과, 티탄 1.1at% 미만이고 또한 갈륨 4.5at% 미만인 범위의 샘플 A1∼A10 및 갈륨이 0%인 샘플 A16, A22에서는, 비저항의 변화율이 7%를 초과했지만, 그 이외 범위의 샘플에서는, 변화율이 7% 이하였다. 즉, 표 1의 데이터로부터는 티탄이 1.2at% 이상에서는 비저항의 변화율이 7% 이하가 되는 것이 밝혀졌지만, 비저항의 변화율이 7% 이하로 되는 것이 티탄이 1.1at% 이상, 갈륨이 4.5at% 이상인 것은 표 1, 2에 나타낸 것 이외의 데이터의 경향에서 밝혀졌다.
도 2에는, 내환경성 시험 결과가 7% 이내인 샘플을 ○, 7%를 초과한 샘플을 ●로 니타낸다.
시험예 2(비저항 측정)
산소분압이 0에서 성막한 각 투명 도전막을, 각각 10mm×10mm의 크기로 잘라내고, 비저항을 Van der Pauw법(도요테크니카제, 홀계수 측정 장치 ResiTest 8300)에 의해 측정했다. 이 결과를 표 1 및 표 2에 나타낸다.
이 결과, 갈륨의 함유량(y)(at%)이 티탄의 함유량(x)(at%)으로 표시되는 값 (-2x+10.4) 이하의 범위이고 또한 티탄의 함유량(x)(at%)으로 표시되는 값 (-0.5x+1.1) 이상의 범위에 있는 투명 도전막에서, 비저항 2.5×10-3Ωcm 이하가 되는 것을 알 수 있었다. 한편, 이 범위를 벗어난 샘플에서는, 비저항이 2.5×10-3Ωcm 보다 큰 것을 알 수 있었다. 또한, 비저항 2.5×10-3Ωcm 이하가 되는 티탄의 함유량(x)(at%)으로 표시되는 값 (-2x+10.4) 이하가 되는 범위의 경계가, 갈륨의 함유량(y)(at%)이 티탄의 함유량(x)(at%)으로 표시되는 값 (-0.5x+1.1) 이상의 범위인 것은, 표 1, 2에 나타낸 것 이외의 데이터를 포함하여 종합적으로 판단한 결과 밝혀졌다.
도 3에는, 내환경성 시험 결과가 7% 이내인 것으로, 비저항이 2.5×10-3Ωcm 이하의 샘플을 □, 비저항이 2.5×10-3Ωcm를 초과하는 샘플을 ■, 내환경성 시험 결과가 7%를 초과하는 샘플을 ●로 나타낸다.
또, 특히, 갈륨의 함유량(y)(at%)이 티탄의 함유량(x)(at%)으로 표시되는 값 (-2.5x+9.8) 이하이고 또한 (-0.5x+1.1) 이상의 범위의 샘플에서 비저항이 1.5×10-3Ωcm 이하가 되는 것을 알 수 있었다. 또한, 비저항 1.5×10-3Ωcm 이하가 되는 티탄의 함유량(x)(at%)으로 표시되는 값 (-2x+10.4) 이하가 되는 범위의 경계가 갈륨의 함유량(y)(at%)이 티탄의 함유량(x)(at%)으로 표시되는 값 (-2.5x+9.8) 이하이고 또한 (-0.5x+1.1) 이상의 범위인 것은 표 1, 2에 나타낸 것 이외의 데이터를 포함하여 종합적으로 판단한 결과 밝혀졌다.
도 4에는, 도 3 중에서 비저항이 1.5×10-3Ωcm 이하가 되는 샘플을 ◇로서 나타낸다.
시험예 3(홀계수 측정)
산소분압이 0에서 성막한 각 투명 도전막을 잘라내고, Van der Pauw법에 의한 홀계수 측정(도요테크니카제, 홀계수 측정 장치 ResiTest 8300)으로부터, 각 막의 캐리어 밀도 및 캐리어 이동도를 각각 측정했다.
이 결과를 표 1 및 표 2에 나타낸다.
이 결과, 갈륨의 함유량(y)(at%)이 티탄의 함유량(x)(at%)으로 표시되는 값 (-x+3.4) 이하, (x-0.9) 이하, 또는 (-2.3x+10.1) 이상의 범위에 있는 샘플에서 캐리어 밀도는 4.0×1020cm-3 이하가 되는 것을 알 수 있었다. 한편, 이것을 이외의 범위에 있는 샘플에서는 캐리어 밀도가 4.0×1020cm-3보다 큰 것을 알 수 있었다. 또한, 캐리어 밀도가 4.0×1020cm-3 이하가 되는 범위가 갈륨의 함유량(y)(at%)이 티탄의 함유량(x)(at%)으로 표시되는 값 (-x+3.4) 이하, (x-0.9) 이하, 또는 (-2.3x+10.1) 이상의 범위인 것은 표 1, 2에 나타낸 것 이외의 데이터를 포함하여 종합적으로 판단한 결과 밝혀졌다.
도 5에는, 내환경성 시험 결과가 7% 이내의 것으로, 캐리어 밀도가 4.0×1020cm-3 이하의 샘플을 △, 캐리어 밀도가 4.0×1020cm-3을 초과하는 샘플을 ▲, 내환경성 시험결과가 7%를 초과한 샘플을 ●로 나타낸다.
Figure 112009056883968-PAT00002
Figure 112009056883968-PAT00003
도 1은 실시예 및 비교예에서 성막된 막의 비저항의 산소분압 의존성을 나타내는 그래프이다.
도 2는 내환경성 시험의 측정결과를 나타내는 그래프이다.
도 3은 내환경성 시험 및 비저항의 측정결과를 나타내는 그래프이다.
도 4는 내환경성 시험 및 비저항의 측정결과를 나타내는 그래프이다.
도 5는 내환경성 시험 및 캐리어 밀도의 측정결과를 나타내는 그래프이다.

Claims (3)

  1. 산화아연을 주성분으로 하고, 티탄(Ti) 및 갈륨(Ga)의 양 원소를 함유하고, 양 원소가 티탄 1.1at% 이상 또는 갈륨 4.5at% 이상의 범위에서 함유되어 있는 산화물 소결체를 구비하는 것을 특징으로 하는 산화아연계 타깃.
  2. 제 1 항에 있어서, 갈륨의 함유량(y)(at%)이 티탄의 함유량(x)(at%)으로 표시되는 값 (-2x+10.4) 이하의 범위이고 또한 티탄의 함유량(x)(at%)으로 표시되는 값 (-0.5x+1.1) 이상의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 산화아연계 타깃.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 갈륨의 함유량(y)(at%)이 티탄의 함유량(x)(at%)으로 표시되는 값 (-x+3.4) 이하, (x-0.9) 이하, 또는 (-2.3X+10.1) 이상의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 산화아연계 타깃.
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