KR20090117418A - 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법 - Google Patents

플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법은 복수의 서브필드(Subfield) 중 적어도 하나의 서브필드의 어드레스 기간에서 복수의 어드레스 전극 중 적어도 하나에 데이터 신호가 공급되는 과정과, 어드레스 기간 이전의 리셋 기간에서 복수의 어드레스 전극 중 데이터 신호가 공급되는 적어도 하나의 어드레스 전극에 데이터 신호와 역극성인 제 1 신호가 공급되는 과정을 포함할 수 있다.

Description

플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법{Method for Driving of Plasma Display Panel}
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법에 관한 것이다.
플라즈마 디스플레이 패널에는 격벽으로 구획된 방전 셀(Cell) 내에 형광체 층이 형성되고, 아울러 복수의 전극(Electrode)이 형성된다.
플라즈마 디스플레이 패널의 전극에 구동 신호를 공급하면, 방전 셀 내에서는 공급되는 구동 신호에 의해 방전이 발생한다. 여기서, 방전 셀 내에서 구동 신호에 의해 방전이 될 때, 방전 셀 내에 충진 되어 있는 방전 가스가 진공자외선(Vacuum Ultraviolet rays)을 발생하고, 이러한 진공 자외선이 방전 셀 내에 형성된 형광체를 발광시켜 가시 광을 발생시킨다. 이러한 가시 광에 의해 플라즈마 디스플레이 패널의 화면상에 영상이 표시된다.
본 발명의 일면은 서브필드의 리셋 기간에서의 구동파형을 개선하여 암휘도를 저감시키는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법을 제공하는데 그 목적이 있 다.
본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법은 복수의 서브필드(Subfield) 중 적어도 하나의 서브필드의 어드레스 기간에서 복수의 어드레스 전극 중 적어도 하나에 데이터 신호가 공급되는 과정과, 어드레스 기간 이전의 리셋 기간에서 복수의 어드레스 전극 중 데이터 신호가 공급되는 적어도 하나의 어드레스 전극에 데이터 신호와 역극성인 제 1 신호가 공급되는 과정을 포함할 수 있다.
또한, 제 1 신호의 전압의 크기는 데이터 신호의 전압의 크기와 동일할 수 있다.
또한, 리셋 기간에서 복수의 어드레스 전극에는 그라운드 레벨(GND)의 전압보다 높은 제 1 바이어스 전압이 공급되고, 제 1 신호는 제 1 바이어스 전압으로부터 공급될 수 있다.
또한, 제 1 바이어스 전압은 데이터 신호의 최대 전압과 동일할 수 있다.
또한, 복수의 어드레스 전극 중 데이터 신호가 공급되지 않는 적어도 하나의 어드레스 전극에는 제 1 신호가 공급되지 않을 수 있다.
또한, 어드레스 기간에서 복수의 스캔 전극에 데이터 신호와 대응되는 스캔 신호가 공급되는 과정과, 리셋 기간에서 복수의 스캔 전극에 제 1 신호와 대응되며 스캔 신호와 역극성인 제 2 신호가 공급되는 과정을 더 포함할 수 있다.
또한, 리셋 기간에서 복수의 스캔 전극에는 그라운드 레벨(GND)의 전압보다 높은 제 2 바이어스 전압이 공급되고, 제 2 신호는 제 2 바이어스 전압으로부터 공 급될 수 있다.
또한, 제 2 바이어스 전압은 어드레스 기간 이후의 서스테인 기간에서 스캔 전극 및 서스테인 전극 중 적어도 하나에 공급되는 서스테인 신호의 최대 전압과 동일할 수 있다.
또한, 제 2 신호의 전압의 크기는 스캔 신호의 전압의 크기와 동일할 수 있다.
또한, 복수의 스캔 전극은 제 1 스캔 전극, 제 2 스캔 전극 및 제 3 스캔 전극을 포함하고, 제 1 스캔 전극에 공급되는 제 2 신호의 공급 시점, 제 2 스캔 전극에 공급되는 제 2 신호의 공급 시점 및 제 3 스캔 전극에 공급되는 제 2 신호의 공급시점은 각각 서로 다를 수 있다.
또한, 제 1, 2, 3 스캔 전극에는 순차적으로 제 2 신호가 공급되고, 제 1 스캔 전극에 공급되는 제 2 신호의 공급시점과 제 2 스캔 전극에 공급되는 제 2 신호의 공급시점간의 시간 차이는 제 2 스캔 전극에 공급되는 제 2 신호의 공급시점과 제 3 스캔 전극에 공급되는 제 2 신호의 공급시점간의 시간 차이와 동일할 수 있다.
또한, 제 1 스캔 전극에 공급되는 제 2 신호와 스캔 신호의 공급시점간의 차이는, 제 2 스캔 전극에 공급되는 제 2 신호와 스캔 신호의 공급시점간의 차이 및 제 3 스캔 전극에 공급되는 제 2 신호와 스캔 신호의 공급시점간의 차이와 각각 동일할 수 있다.
또한, 복수의 스캔 전극 중 스캔 순서가 연속된 두 개의 스캔 전극에 공급되 는 제 2 신호는 일부가 서로 중첩(Overlap)될 수 있다.
또한, 복수의 스캔 전극 중 스캔 순서가 연속된 두 개의 스캔 전극에 공급되는 제 2 신호는 시간적으로 서로 이격될 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 다른 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법은 복수의 서브필드(Subfield) 중 적어도 하나의 서브필드의 어드레스 기간에서 복수의 스캔 전극에 스캔 신호가 공급되는 과정과, 어드레스 기간 이전의 리셋 기간에서 복수의 스캔 전극에 스캔 신호와 역극성인 제 2 신호가 공급되는 과정을 포함하고, 복수의 스캔 전극 중 인접하지 않은 두 개의 스캔 전극에 스캔 신호가 순차적으로 공급되고, 복수의 스캔 전극 중 인접하지 않은 두 개의 스캔 전극에 제 2 신호가 순차적으로 공급될 수 있다.
또한, 복수의 스캔 전극은 제 1, 2, 3 스캔 전극을 포함하고, 제 2 스캔 전극은 제 1 스캔 전극과 제 3 스캔 전극의 사이에 배치되고, 제 1 스캔 전극과 제 3 스캔 전극에는 순차적으로 스캔 신호가 공급되고, 제 1 스캔 전극에 공급되는 제 2 신호의 공급시점과 스캔 신호의 공급시점간의 차이는, 제 2 스캔 전극에 공급되는 제 2 신호의 공급시점과 스캔 신호의 공급시점간의 차이 및 제 3 스캔 전극에 공급되는 제 2 신호의 공급시점과 스캔 신호의 공급시점간의 차이와 동일할 수 있다.
또한, 복수의 어드레스 전극 중 적어도 하나에 스캔 신호와 대응되는 데이터 신호가 공급되는 과정과, 리셋 기간에서 복수의 어드레스 전극 중 상기 데이터 신호가 공급되는 적어도 하나의 어드레스 전극에 제 1 신호와 대응되는 제 2 신호가 공급되는 과정을 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 또 다른 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법은 프레임(Frame)의 복수의 서브필드(Subfield) 중 적어도 하나의 서브필드는 선택적 쓰기 서브필드(Selective Writing Sub-Field)이고, 나머지 서브필드 중 적어도 하나는 선택적 소거 서브필드(Selective Erasing Sub-Field)이고, 적어도 하나의 선택적 쓰기 서브필드에서는 어드레스 기간에서 복수의 스캔 전극에 스캔 신호가 공급되고, 복수의 어드레스 전극 중 적어도 하나에 스캔 신호에 대응되는 데이터 신호가 공급되고, 어드레스 기간 이전의 리셋 기간에서 복수의 어드레스 전극 중 데이터 신호가 공급되는 적어도 하나의 어드레스 전극에 데이터 신호와 역극성인 제 1 신호가 공급되고, 리셋 기간에서 복수의 스캔 전극에 스캔 신호와 역극성인 제 2 신호가 공급될 수 있다.
또한, 선택적 쓰기 서브필드는 프레임의 복수의 서브필드 중 배치된 순서로 첫 번째 서브필드부터 세 번째 서브필드까지 중 적어도 하나의 서브필드일 수 있다.
또한, 선택적 쓰기 서브필드의 어드레스 기간에서 스캔 전극으로 공급되는 스캔 신호의 전압의 크기 또는 펄스폭 중 적어도 하나는 선택적 소거 서브필드의 어드레스 기간에서 스캔 전극으로 공급되는 스캔 신호보다 크거나 넓을 수 있다.
본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법은 암휘도를 저감시킴으로써 콘트라스트(Contrast) 특성을 개선하여 영상의 화질을 향상시키는 효과가 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법을 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 플라즈마 디스플레이 장치의 구성에 대해 설명하기 위한 도면이다.
도 1을 살펴보면, 플라즈마 디스플레이 장치는 플라즈마 디스플레이 패널(100)과 구동부(110)를 포함한다.
플라즈마 디스플레이 패널(100)은 서로 나란한 스캔 전극(Y1~Yn)과 서스테인 전극(Z1~Zn)을 포함하고, 아울러 스캔 전극 및 서스테인 전극과 교차하는 어드레스 전극(X1~Xm)을 포함할 수 있다.
구동부(110)는 플라즈마 디스플레이 패널(100)의 스캔 전극, 서스테인 전극 또는 어드레스 전극 중 적어도 하나로 구동신호를 공급하여, 플라즈마 디스플레이 패널(100)의 화면에 영상이 구현되도록 할 수 있다.
여기, 도 1에서는 구동부(110)가 하나의 보드(Board) 형태로 이루어지는 경우만 도시하고 있지만, 본 발명에서 구동부(110)는 플라즈마 디스플레이 패널(100)에 형성된 전극에 따라 복수개의 보드 형태로 나누어지는 것도 가능하다. 예를 들면, 구동부(110)는 플라즈마 디스플레이 패널(100)의 스캔 전극을 구동시키는 제 1 구동부(미도시)와, 서스테인 전극을 구동시키는 제 2 구동부와, 어드레스 전극을 구동시키는 제 3 구동부(미도시)로 나누어질 수 있는 것이다.
도 2는 플라즈마 디스플레이 패널의 구조의 일례에 대해 설명하기 위한 도면이다.
도 2를 살펴보면, 플라즈마 디스플레이 패널(100)은 서로 나란한 스캔 전극(202, Y)과 서스테인 전극(203, Z)이 형성되는 전면 기판(201)과, 스캔 전극(202, Y) 및 서스테인 전극(203, Z)과 교차하는 어드레스 전극(213, X)이 형성되는 후면 기판(211)을 포함할 수 있다.
스캔 전극(202, Y)과 서스테인 전극(203, Z)의 상부에는 스캔 전극(202, Y) 및 서스테인 전극(203, Z)의 방전 전류를 제한하며 스캔 전극(202, Y)과 서스테인 전극(203, Z) 간을 절연시키는 상부 유전체 층(204)이 배치될 수 있다.
상부 유전체 층(204)의 상부에는 방전 조건을 용이하게 하기 위한 보호 층(205)이 형성될 수 있다. 이러한 보호 층(205)은 2차 전자 방출 계수가 높은 재질, 예컨대 산화마그네슘(MgO) 재질을 포함할 수 있다.
후면 기판(211) 상에는 어드레스 전극(213, X)이 형성되고, 이러한 어드레스 전극(213, X)의 상부에는 어드레스 전극(213, X)을 절연시키는 하부 유전체 층(215)이 형성될 수 있다.
하부 유전체 층(215)의 상부에는 방전 공간 즉, 방전 셀을 구획하기 위한 스트라이프 타입(Stripe Type), 웰 타입(Well Type), 델타 타입(Delta Type), 벌집 타입 등의 격벽(212)이 형성될 수 있다. 이에 따라, 전면 기판(201)과 후면 기판(211)의 사이에서 적색(Red : R)광을 방출하는 제 1 방전 셀, 청색(Blue : B)광을 방출하는 제 2 방전 셀 및 녹색(Green : G)광을 방출하는 제 3 방전 셀 등이 형성될 수 있다.
또한, 제 1, 2, 3 방전 셀 이외에 백색(White : W) 또는 황색(Yellow : Y) 광을 방출하는 제 4 방전 셀이 더 형성되는 것도 가능하다.
한편, 제 1, 2, 3 방전 셀의 폭은 실질적으로 동일할 수도 있지만, 제 1 방전 셀, 제 2 방전 셀 및 제 3 방전 셀 중 적어도 하나의 폭이 다른 방전 셀의 폭과 다르게 할 수도 있다.
예컨대, 적색(R)광을 방출하는 제 1 방전 셀의 폭이 가장 작고, 녹색(G)광을 방출하는 제 3 방전 셀 및 청색(B)광을 방출하는 제 2 방전 셀의 폭을 제 1 방전 셀의 폭보다 크게 할 수 있다. 그러면, 구현되는 영상의 색온도 특성이 향상될 수 있다. 제 2 방전 셀의 폭은 제 3 방전 셀의 폭과 실질적으로 동일하거나 상이할 수 있다.
또한, 도 2에 도시된 격벽(212)의 구조뿐만 아니라, 다양한 형상의 격벽의 구조도 가능할 것이다. 예컨대, 격벽(212)은 서로 교차하는 제 1 격벽과 제 2 격벽을 포함하고, 여기서, 제 1 격벽의 높이와 제 2 격벽의 높이가 서로 다른 차등형 격벽 구조, 제 1 격벽 또는 제 2 격벽 중 하나 이상에 배기 통로로 사용 가능한 채널(Channel)이 형성된 채널형 격벽 구조, 제 1 격벽 또는 제 2 격벽 중 하나 이상에 홈(Hollow)이 형성된 홈형 격벽 구조 등이 가능할 것이다.
또한, 제 1, 2, 3 방전 셀 각각이 동일한 선상에 배열되는 것으로 도시 및 설명되고 있지만, 다른 형상으로 배열되는 것도 가능할 것이다. 예컨대, 제 1, 2, 3 방전 셀이 삼각형 형상으로 배열되는 델타(Delta) 타입의 배열도 가능할 것이다. 또한, 방전 셀의 형상도 사각형상뿐만 아니라 오각형, 육각형 등의 다양한 다각 형상도 가능할 것이다.
격벽(212)에 의해 구획된 방전 셀 내에는 방전 가스가 채워질 수 있다. 방전 가스에는 크세논(Xe), 네온(Ne)이 포함될 수 있고, 아르곤(Ar) 및 헬륨(He) 중 적어도 하나가 더 포함되는 것도 가능하다.
아울러, 격벽(212)에 의해 구획된 방전 셀 내에는 어드레스 방전 시 화상표시를 위한 가시 광을 방출하는 형광체 층(214)이 형성될 수 있다. 예를 들면, 적색 광을 발생시키는 제 1 형광체 층, 청색 광을 발생시키는 제 2 형광체 층 및 녹색 광을 발생시키는 제 3 형광체 층이 형성될 수 있다.
또한, 제 1, 2, 3 형광체 이외에 백색(White : W) 및/또는 황색(Yellow : Y) 광을 발생시키는 제 4 형광체 층이 더 형성되는 것도 가능하다.
또한, 제 1, 2, 3 형광체 층의 두께가 다른 형광체 층과 상이할 수 있다. 예를 들면, 제 2 형광체 층 또는 제 3 형광체 층의 두께가 제 1 형광체 층의 두께보다 더 두꺼울 수 있다. 여기서, 제 2 형광체 층의 두께는 제 3 형광체 층의 두께와 실질적으로 동일하거나 상이할 수 있다.
또한, 이상의 설명에서는 상부 유전체 층(204) 및 하부 유전체 층(215)이 각각 하나의 층(Layer)인 경우만을 도시하고 있지만, 이러한 상부 유전체 층(204) 및 하부 유전체 층(215) 중 하나 이상은 복수의 층으로 이루지는 것도 가능한 것이다.
아울러, 격벽(212)으로 인한 외부 광의 반사를 방지하기 위해 격벽(212)의 상부에 외부 광을 흡수할 수 있는 블랙 층(미도시)을 더 배치하는 것도 가능하다.
또한, 격벽(212)과 대응되는 전면 기판(201) 상의 특정 위치에 또 다른 블랙 층(미도시)이 더 형성되는 것도 가능하다.
또한, 후면 기판(211) 상에 형성되는 어드레스 전극(213)은 폭이나 두께가 실질적으로 일정할 수도 있지만, 방전 셀 내부에서의 폭이나 두께가 방전 셀 외부에서의 폭이나 두께와 다를 수도 있을 것이다. 예컨대, 방전 셀 내부에서의 폭이나 두께가 방전 셀 외부에서의 그것보다 더 넓거나 두꺼울 수 있을 것이다.
도 3은 영상의 계조를 구현하기 위한 프레임(Frame)에 대해 설명하기 위한 도면이다.
도 3을 살펴보면 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 장치에서 영상의 계조(Gray Level)를 구현하기 위한 프레임은 발광횟수가 다른 복수의 서브필드로 나누어질 수 있다.
아울러, 도시하지는 않았지만 복수의 서브필드 중 하나 이상의 서브필드는 다시 방전 셀을 초기화시키기 위한 리셋 기간(Reset Period), 방전될 방전 셀을 선택하기 위한 어드레스 기간(Address Period) 및 방전횟수에 따라 계조를 구현하는 서스테인 기간(Sustain Period)으로 나누어 질 수 있다.
예를 들어, 256 계조로 영상을 표시하고자 하는 경우에 예컨대 하나의 영상 프레임은, 도 3과 같이 8개의 서브필드들(SF1 내지 SF8)로 나누어지고, 8개의 서브 필드들(SF1 내지 SF8) 각각은 리셋 기간, 어드레스 기간 및 서스테인 기간으로 다시 나누어질 수 있다.
한편, 서스테인 기간에 공급되는 서스테인 신호의 개수를 조절하여 해당 서브필드의 계조 가중치를 설정할 수 있다. 즉, 서스테인 기간을 이용하여 각각의 서브필드에 소정의 계조 가중치를 부여할 수 있다. 예를 들면, 제 1 서브필드의 계조 가중치를 20 으로 설정하고, 제 2 서브필드의 계조 가중치를 21 으로 설정하는 방법으로 각 서브필드의 계조 가중치가 2n(단, n = 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7)의 비율로 증가되도록 각 서브필드의 계조 가중치를 결정할 수 있다. 이와 같이 각 서브필드에서 계조 가중치에 따라 각 서브필드의 서스테인 기간에서 공급되는 서스테인 신호의 개수를 조절함으로써, 다양한 영상의 계조를 구현할 수 있다.
여기, 도 3에서는 하나의 영상 프레임이 8개의 서브필드로 이루어진 경우만으로 도시하고 설명하였지만, 이와는 다르게 하나의 영상 프레임을 이루는 서브필드의 개수는 다양하게 변경될 수 있다. 예를 들면, 제 1 서브필드부터 제 12 서브필드까지의 12개의 서브필드로 하나의 영상 프레임을 구성할 수도 있고, 10개의 서브필드로 하나의 영상 프레임을 구성할 수도 있는 것이다.
또한, 여기 도 3에서는 하나의 영상 프레임에서 계조 가중치의 크기가 증가하는 순서에 따라 서브필드들이 배열되었지만, 이와는 다르게 하나의 영상 프레임에서 서브필드들이 계조 가중치가 감소하는 순서에 따라 배열될 수도 있고, 또는 계조 가중치에 관계없이 서브필드들이 배열될 수도 있는 것이다.
도 4는 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법을 설명하기 위한 도면이다.
또한, 도 5 내지 도 7은 리셋 기간에서의 구동방법을 보다 상세히 설명하기 위한 도면이다.
먼저, 도 4를 살펴보면, 프레임(Frame)의 복수의 서브필드(Sub-Field) 중 적 어도 하나의 서브필드의 초기화를 위한 리셋 기간(RP)에서는 스캔 전극(Y)에 제 2 신호(S2)가 공급되고, 어드레스 전극(X)에는 제 2 신호(S2)에 대응되는 제 1 신호(S1)가 공급될 수 있다. 바람직하게는 제 1 신호(S1)는 제 2 신호(S2)와 중첩(Overlap)될 수 있다.
이와 같이, 스캔 전극에 제 2 신호(S2)가 공급되고, 어드레스 전극에 제 1 신호가 공급되면, 방전 셀 내에는 리셋 방전이 발생할 수 있다. 이러한 리셋 방전에 의해 턴-온(Turn-On)되는 방전셀들 내에서는 벽 전하(Wall Charge)의 분포가 균일해질 수 있다. 즉, 어드레스 전극에 제 1 신호(S1)가 공급되는 방전셀들 내에는 리셋 방전에 의해 벽 전하의 분포가 균일해질 수 있는 것이다.
이러한 리셋 기간에서의 구동방법은 이하에서 보다 상세히 설명하기로 한다.
리셋 기간 이후의 어드레스 기간(AP)에서는 스캔 신호(Scan)가 스캔 전극에 공급될 수 있다. 여기서, 스캔 신호는 리셋 기간에서 공급되는 제 2 신호(S2)와 역극성인 것이 바람직할 수 있다.
아울러, 어드레스 전극에는 스캔 신호에 대응되는 데이터 신호(Data)가 공급될 수 있다. 여기서, 데이터 신호는 리셋 기간에서 공급되는 제 1 신호(S1)와 역극성일 수 있다.
이러한 스캔 신호와 데이터 신호가 공급되면, 스캔 신호와 데이터 신호 간의 전압 차이에 의해 데이터 신호가 공급되는 방전 셀 내에는 어드레스 방전이 발생될 수 있다.
어드레스 기간에서 서스테인 전극(Z)에 의해 어드레스 방전이 불안정해지는 것을 억제하기 위해 서스테인 전극에 제 3 바이어스 전압(Vb3)을 공급할 수 있다.
한편, 적어도 하나의 서브필드의 어드레스 기간에서 스캔 전극으로 공급되는 스캔 신호의 펄스폭은 다른 서브필드의 부극성 신호의 펄스폭과 다를 수 있다. 예컨대, 시간상 뒤에 위치하는 서브필드에서의 스캔 신호의 폭이 앞에 위치하는 서브필드에서의 스캔 신호의 폭보다 작을 수 있다. 또한, 서브필드의 배열 순서에 따른 스캔 신호 폭의 감소는 2.6㎲(마이크로초), 2.3㎲, 2.1㎲, 1.9㎲ 등과 같이 점진적으로 이루어질 수 있거나 2.6㎲, 2.3㎲, 2.3㎲, 2.1㎲......1.9㎲, 1.9㎲ 등과 같이 이루어질 수도 있다.
어드레스 기간 이후의 서스테인 기간(SP)에서는 스캔 전극 또는 서스테인 전극 중 적어도 하나에 서스테인 신호(SUS)가 공급될 수 있다. 예를 들면, 스캔 전극과 서스테인 전극에 교번적으로 서스테인 신호가 공급될 수 있다.
이러한 서스테인 신호가 공급되면, 어드레스 방전에 의해 선택된 방전 셀은 방전 셀 내의 벽 전압과 서스테인 신호의 서스테인 전압(Vs)이 더해지면서 서스테인 신호가 공급될 때 스캔 전극과 서스테인 전극 사이에 서스테인 방전 즉, 표시방전이 발생될 수 있다.
리셋 기간에서의 구동방법을 보다 상세히 살펴보면 아래와 같을 수 있다.
복수의 스캔 전극(Y1~Yn)에 복수의 제 2 신호(S2)가 공급될 수 있다. 예를 들어, 도 5와 같이 제 1 스캔 전극(Y1)부터 제 n 스캔 전극(Yn)까지 순차적으로 제 2 신호(S2)가 공급되는 것이 가능하다.
여기서, 스캔 전극에 공급되는 제 2 신호(S2)의 인가시점은 서로 다를 수 있 다. 예를 들어, 복수의 스캔 전극이 제 1 스캔 전극(Y1), 제 2 스캔 전극(Y2) 및 제 3 스캔 전극(Y3)을 포함하는 것으로 가정하자. 이러한 경우, 제 1 스캔 전극(Y1)에 공급되는 제 2 신호(S2)의 공급 시점, 제 2 스캔 전극(Y2)에 공급되는 제 2 신호(S2)의 공급 시점 및 제 3 스캔 전극(Y3)에 공급되는 제 2 신호(S2)의 공급시점은 각각 서로 다를 수 있다.
제 2 신호(S2)에 대응되어 복수의 어드레스 전극(X)에는 실질적으로 동일한 시점에서 제 1 신호(S1)가 공급될 수 있다. 예를 들어, 제 1 스캔 전극(Y1)에 제 2 신호(S2)가 공급될 때 복수의 어드레스 전극(X)에는 제 1 신호(S1)가 공급될 수 있고, 아울러 제 n 스캔 전극(Yn)에 제 2 신호(S2)가 공급될 때 복수의 어드레스 전극(X)에 제 1 신호(S1)가 공급될 수 있는 것이다.
이때, 제 1 신호(S1)는 데이터 신호가 공급되는 방전셀에 선택적으로 공급될 수 있다. 즉, 어드레싱(Addressing)을 하는 방식으로 리셋을 수행할 수 있는 것이다.
예를 들어, 도 6의 (a)의 경우와 같이 어드레스 기간에서 어드레스 전극(X)에 데이터 신호가 공급되는 경우에는, 어드레스 기간 이전의 리셋 기간에서 제 1 신호(S1)도 공급될 수 있다.
반면에, 도 6의 (b)의 경우와 같이 데이터 신호가 공급되지 않는 경우, 즉 어드레스 방전이 발생하지 않는 경우에는 제 1 신호(S1)도 공급되지 않을 수 있다.
결국, 어드레스 방전이 발생하는 방전셀에서는 제 1 신호(S1)와 제 2 신호(S2)에 의해 리셋 방전이 발생할 수 있으며, 반면에 어드레스 방전이 발생하지 않는 방전셀에서는 제 1 신호(S1)가 공급되지 않음으로써 리셋 방전이 발생하지 않을 수 있는 것이다.
이와 같이, 어드레스 방전이 발생하는 방전셀에 선택적으로 제 1 신호(S1)를 공급하면, 리셋 기간에서의 리셋 방전에 의해 발생하는 광의 양을 저감시킬 수 있다. 이에 따라 암휘도가 저감됨으로써 영상의 콘트라스트(Contrast) 특성을 향상시킬 수 있다.
도 7에는 리셋 기간에서 전압이 점진적으로 상승하는 상승 램프 신호(RS)와 전압이 점진적으로 하강하는 하강 램프 신호(FS)가 복수의 스캔 전극(Y)에 공급되는 경우가 도시되어 있다.
이러한 경우에는, 어드레스 방전이 발생하거나 혹은 발생하지 않거나 하는 것에는 관계없이 실질적으로 모든 방전셀에서 상승 램프 신호(RS) 또는 하강 램프 신호(FS)에 의해 리셋 방전이 발생할 수 있다. 이에 따라, 모든 방전셀에서의 벽 전하의 분포를 균일하게 하는 것이 가능하다.
한편, 도 7과 같이 어드레스 방전의 발생 유무와 관계없이 모든 방전셀에서 리셋 방전이 발생하는 경우에는, 리셋 기간에서 발생하는 광의 양이 과도하게 증가함으로써 암휘도가 과도하게 높아지고, 이에 따라 영상의 콘트라스트 특성이 악화될 수 있다.
반면에, 도 4 내지 도 6의 경우와 같이 어드레스 방전이 발생하는 방전셀에만 선택적으로 제 1 신호(S1)를 공급함으로써 선택적으로 리셋 방전을 발생시키는 경우에는 암휘도를 현저히 감소시킬 수 있기 때문에 영상의 콘트라스트 특성을 향 상시킬 수 있는 것이다.
한편, 제 1 신호(S1)의 전압의 크기(△V1)는 데이터 신호(Data)의 전압의 크기(△V2)와 실질적으로 동일할 수 있다. 이러한 경우에는, 데이터 신호(Data)의 전압을 발생시키는 전압 회로를 사용하여 제 1 신호(S1)를 발생시킬 수 있기 때문에 또 다른 전압 회로의 추가가 필요가 없어질 수 있다. 이에 따라 회로의 단순화 및 제조 단가를 낮출 수 있다.
아울러, 리셋 기간에서 복수의 어드레스 전극(X)에는 그라운드 레벨(GND)의 전압보다 높은 제 1 바이어스 전압(Vb1)이 공급될 수 있다. 또한, 제 1 신호(S1)는 제 1 바이어스 전압(Vb1)으로부터 공급될 수 있다.
이와 같이, 리셋 기간에서 어드레스 전극에 제 1 바이어스 전압(Vb1)을 공급하고, 이러한 제 1 바이어스 전압(Vb1)으로부터 제 1 신호(S1)를 공급하게 되면, 리셋 기간에서 스캔 전극과 어드레스 전극 간의 전압 차이를 리셋 방전에 유리하도록 설정하는 것이 용이할 수 있다. 이에 따라 리셋 방전을 안정시킬 수 있다.
아울러, 제 1 바이어스 전압(Vb1)은 데이터 신호(Data)의 최대 전압(Vd)과 실질적으로 동일할 수 있다. 그러면, 데이터 신호(Data)의 전압을 발생시키는 전압 회로를 이용하여 제 1 바이어스 전압(Vb1)을 발생시키는 것이 가능하다.
또한, 제 2 신호(S2)의 전압의 크기(△V3)는 스캔 신호(Scan)의 전압의 크기(△V4)와 실질적으로 동일할 수 있다. 이러한 경우에는, 스캔 신호(Scan)의 전압을 발생시키는 전압 회로를 사용하여 제 2 신호(S2)를 발생시킬 수 있기 때문에 또 다른 전압 회로의 추가가 필요가 없어질 수 있다. 이에 따라 회로의 단순화 및 제 조 단가를 낮출 수 있다.
아울러, 리셋 기간에서 복수의 스캔 전극(Y)에는 그라운드 레벨(GND)의 전압보다 높은 제 2 바이어스 전압(Vb2)이 공급될 수 있다. 또한, 제 2 신호(S2)는 제 2 바이어스 전압(Vb2)으로부터 공급될 수 있다.
이와 같이, 리셋 기간에서 스캔 전극에 제 2 바이어스 전압(Vb2)을 공급하고, 이러한 제 2 바이어스 전압(Vb2)으로부터 제 2 신호(S2)를 공급하게 되면, 리셋 기간에서 스캔 전극과 어드레스 전극 간의 전압 차이를 상대적으로 크게 함으로써 리셋 방전에 유리하도록 할 수 있다. 이에 따라 리셋 방전을 안정시킬 수 있다.
아울러, 제 2 바이어스 전압(Vb2)은 어드레스 기간 이후의 서스테인 기간에서 스캔 전극 및 서스테인 전극 중 적어도 하나에 공급되는 서스테인 신호(SUS)의 최대 전압(Vs)과 실질적으로 동일할 수 있다. 그러면, 서스테인 신호(SUS)의 전압을 발생시키는 전압 회로를 이용하여 제 2 바이어스 전압(Vb2)을 발생시키는 것이 가능하다.
도 8 내지 도 10은 제 1 신호의 또 다른 형태에 대해 설명하기 위한 도면이다.
먼저, 도 8을 살펴보면, 제 1 신호(S1)의 전압의 크기(△V1)는 데이터 신호의 전압의 크기(△V2)보다 더 클 수 있다. 이러한 경우는, 제 1 바이어스 전압(Vb1)이 데이터 신호의 최대 전압(Vd)보다 더 높을 수 있다.
이러한 경우에는, 리셋 기간에서 스캔 전극과 어드레스 전극 사이에서 발생하는 리셋 방전의 세기를 더욱 강하게 함으로써 리셋을 더욱 확실하게 할 수 있다.
또한, 제 1 신호(S1)의 펄스폭(W1)은 데이터 신호의 펄스폭(W2)과 실질적으로 동일한 것도 가능하다. 또는, 제 1 신호(S1)의 펄스폭(W1)은 데이터 신호의 펄스폭(W2)과 서로 다른 것도 가능하다.
또는, 도 9와 같이 제 1 바이어스 전압(Vb1)이 데이터 신호의 최대 전압(Vd)보다 더 낮은 것이 가능하다. 이 경우에는, 제 1 신호(S1)의 최저 전압(V1)이 그라운드 레벨(GND)의 전압보다 더 낮을 수 있다.
또는, 도 10과 같이 제 1 신호(S1)는 그라운드 레벨(GND)의 전압으로부터 공급될 수 있다. 즉, 리셋 기간에서 제 1 바이어스 전압(Vb1)의 공급이 생략될 수 있는 것이다.
도 11 내지 도 13은 제 2 신호의 또 다른 형태에 대해 설명하기 위한 도면이다.
먼저, 도 11을 살펴보면, 제 2 바이어스 전압(Vb2)은 서스테인 신호(SUS)의 최대 전압(Vs)보다 더 높을 수 있다. 이러한 경우에는, 제 2 신호(S2)의 전압의 크기(△V3)는 스캔 신호의 전압의 크기(△V4)보다 더 작을 수 있다. 또는, 제 2 신호(S2)의 전압의 크기(△V3)는 서스테인 신호(SUS)의 전압의 크기보다 더 작은 것도 가능하다.
또한, 제 2 신호(S2)의 펄스폭(W3)은 스캔 신호의 펄스폭(W4)과 실질적으로 동일한 것도 가능하다. 또는, 제 2 신호(S2)의 펄스폭(W3)은 스캔 신호의 펄스폭(W4)과 서로 다른 것도 가능하다.
또는, 도 12와 같이 제 2 바이어스 전압(Vb2)이 서스테인 신호(SUS)의 최대 전압(Vs)보다 더 낮은 것이 가능하다.
또는, 도 13과 같이 제 2 신호(S2)는 그라운드 레벨(GND)의 전압으로부터 공급될 수 있다. 즉, 리셋 기간에서 제 2 바이어스 전압(Vb2)의 공급이 생략될 수 있는 것이다. 이러한 경우에는, 제 2 신호(S2)의 전압의 크기(△V3)는 스캔 신호의 전압의 크기(△V4)보다 큰 것이 가능하다. 또는, 제 2 신호(S2)의 전압의 크기(△V3)는 서스테인 신호(SUS)의 전압의 크기보다 큰 것이 가능하다.
도 14 내지 도 15는 연속된 두 개의 제 2 신호의 관계를 설명하기 위한 도면이다.
먼저, 도 14를 살펴보면 복수의 스캔 전극 중 스캔 순서가 연속된 두 개의 스캔 전극에 공급되는 제 2 신호(S2)는 일부가 서로 중첩(Overlap)될 수 있다.
예를 들어, 복수의 스캔 전극이 제 1 스캔 전극(Y1), 제 2 스캔 전극(Y2) 및 제 3 스캔 전극(Y3)을 포함하는 경우, 제 1 스캔 전극(Y1)에 공급되는 제 2 신호(S2)와 제 2 스캔 전극(Y2)에 공급되는 제 2 신호(S2)는 A1 영역만큼 중첩되고, 제 2 스캔 전극(Y2)에 공급되는 제 2 신호(S2)와 제 3 스캔 전극(Y3)에 공급되는 제 2 신호(S2)는 A2 영역만큼 중첩될 수 있다. 여기서, A1과 A2는 실질적으로 동일할 수 있고, 서로 상이한 것도 가능하다.
또한, 복수의 스캔 전극 중 인접하는 두 개의 스캔 전극에 공급되는 제 2 신호(S2)의 공급시점간의 차이는 실질적으로 동일할 수 있다.
예를 들어, 제 1, 2, 3 스캔 전극(Y1, Y2, Y3)에는 순차적으로 제 2 신호(S2)가 공급된다고 가정하면, 제 1 스캔 전극(Y1)에 공급되는 제 2 신호(S2)의 공급시점과 제 2 스캔 전극(Y2)에 공급되는 제 2 신호(S2)의 공급시점간의 시간 차이(t1)는 제 2 스캔 전극(Y2)에 공급되는 제 2 신호(S2)의 공급시점과 제 3 스캔 전극(Y3)에 공급되는 제 2 신호(S2)의 공급시점간의 시간 차이(t1)와 실질적으로 동일할 수 있다.
또는, 도 15와 같이 복수의 스캔 전극 중 스캔 순서가 연속된 두 개의 스캔 전극에 공급되는 제 2 신호(S2)는 시간적으로 서로 이격될 수 있다.
예를 들어, 제 1 스캔 전극(Y1)에 공급되는 제 2 신호(S2)와 제 2 스캔 전극(Y2)에 공급되는 제 2 신호(S2)는 A3 영역만큼 이격될 수 있다. 즉, 제 1 스캔 전극(Y1)에 공급되는 제 2 신호(S2)의 종료시점은 제 2 스캔 전극(Y2)에 공급되는 제 2 신호(S2)의 공급시점보다 A3 만큼 빠를 수 있다. 또한, 제 2 스캔 전극(Y2)에 공급되는 제 2 신호(S2)와 제 3 스캔 전극(Y3)에 공급되는 제 2 신호(S2)는 A4 영역만큼 이격될 수 있다. 여기서, A3과 A4는 실질적으로 동일할 수 있고, 서로 상이한 것도 가능하다.
아울러, 제 1, 2, 3 스캔 전극(Y1, Y2, Y3)에는 순차적으로 제 2 신호(S2)가 공급된다고 가정하면, 제 1 스캔 전극(Y1)에 공급되는 제 2 신호(S2)의 공급시점과 제 2 스캔 전극(Y2)에 공급되는 제 2 신호(S2)의 공급시점간의 시간 차이(t2)는 제 2 스캔 전극(Y2)에 공급되는 제 2 신호(S2)의 공급시점과 제 3 스캔 전극(Y3)에 공급되는 제 2 신호(S2)의 공급시점간의 시간 차이(t2)와 실질적으로 동일한 것이 가능하다.
도 16 내지 도 17은 제 2 신호와 스캔 신호의 관계에 대해 설명하기 위한 도 면이다.
먼저, 도 16을 살펴보면, 복수의 스캔 전극 중 임의의 두 개의 스캔 전극에 공급되는 제 2 신호(S2)와 스캔 신호의 공급시점간의 차이는 실질적으로 동일할 수 있다.
예를 들어, 복수의 스캔 전극 중 제 1 스캔 전극(Y1)에 공급되는 제 2 신호(S2)와 스캔 신호의 공급시점간의 차이(T1)는, 제 2 스캔 전극(Y2)에 공급되는 제 2 신호(S2)와 스캔 신호의 공급시점간의 차이(T2) 및 제 n 스캔 전극(Yn)에 공급되는 제 2 신호(S2)와 스캔 신호의 공급시점간의 차이(Tn)와 각각 동일할 수 있다.
이와 같이, 복수의 스캔 전극 중 임의의 두 개의 스캔 전극에 공급되는 제 2 신호(S2)와 스캔 신호의 공급시점간의 차이를 실질적으로 동일하게 하면, 리셋 방전 이후에 어드레스 방전이 개시되는 시점까지의 벽전하 분포의 변화 정도를 실질적으로 동일하게 할 수 있다. 이에 따라, 어드레스 방전을 균일하게 발생시키는 것이 가능할 수 있다.
다음, 도 17을 살펴보면 복수의 스캔 전극(Y1~Yn)으로 제 2 신호(S2)가 공급되는 순서는 제 n 스캔 전극(Yn), 제 n-1 스캔 전극(Yn-1)......제 2 스캔 전극(Y2), 제 1 스캔 전극(Y1)의 순서일 수 있다. 즉, 복수의 스캔 전극의 배치된 순서의 역순으로 제 2 신호(S2)가 공급되는 것이 가능하다.
이러한 경우에도, 제 1 스캔 전극(Y1)에 공급되는 제 2 신호(S2)와 스캔 신호의 공급시점간의 차이(T10)는, 제 2 스캔 전극(Y2)에 공급되는 제 2 신호(S2)와 스캔 신호의 공급시점간의 차이(T11) 및 제 n 스캔 전극(Yn)에 공급되는 제 2 신호(S2)와 스캔 신호의 공급시점간의 차이(T12)와 각각 동일할 수 있다.
도 18은 제 2 신호의 공급 순서를 조절하는 방법의 일례를 설명하기 위한 도면이다.
도 18을 살펴보면, 복수의 스캔 전극 중 인접하지 않은 임의의 두 개의 스캔 전극에 순차적으로 제 2 신호가 공급되는 것이 가능할 수 있다.
예를 들면, 복수의 스캔 전극(Y1~Y6) 중 Y1, Y3, Y5, Y2, Y4, Y6의 순서로 제 2 신호(S2)를 공급할 수 있다. 도면 18에서 숫자로 표시된 것이 제 2 신호(S2)의 공급순서 또는 스캔 신호의 공급순서이다.
이와 같이, 제 2 신호(S2)의 공급순서를 조절하게 되면, 스위칭 소자의 스위칭 횟수를 줄일 수 있고, 이에 따라 노이즈(Noise) 및 전자파 장애(Electro Magnetic Interference, EMI)를 저감시킬 수 있으며, 아울러 스위칭 소자의 전기적 손상을 방지할 수 있다.
예를 들어, 스캔 전극(Y1~Y6)의 배열 방향으로 제 1, 2, 3, 4, 5, 6 방전셀이 배치되며, 제 1, 3, 5 방전셀은 턴-온되고, 제 2, 4, 6 방전셀은 턴-오프된다고 가정하자.
이러한 경우에, 제 2 신호(S2)를 Y1, Y2, Y3, Y4, Y5, Y6의 순서로 공급한다면, 데이터 신호를 공급하기 위한 스위칭 소자는 온-오프 스위칭 동작을 6번 수행해야 한다.
반면에, 제 2 신호(S2)를 Y1, Y3, Y5, Y2, Y4, Y6의 순서로 공급한다면, 데 이터 신호를 공급하기 위한 스위칭 소자는 온-오프 스위칭 동작을 2번만 수행하면 된다.
한편, 스캔 전극(Y1~Y6)의 배열 방향으로 제 1, 2, 3, 4, 5, 6 방전셀이 배치되며, 제 1, 2, 3 방전셀은 턴-온되고, 제 4, 5, 6 방전셀은 턴-오프된다고 가정하자.
이러한 경우에는, 제 2 신호(S2)를 Y1, Y2, Y3, Y4, Y5, Y6의 순서로 공급하여 데이터 신호를 공급하기 위한 스위칭 소자의 스위칭 횟수를 저감시키는 것이 가능하다.
이와 같이, 스위칭 소자의 스위칭 횟수가 감소함으로써 노이즈 및 전자파 장애를 저감시킬 수 있고, 이에 따라 스위칭 소자의 전기적 손상도 방지할 수 있는 것이다.
여기, 도 18에서는 복수의 스캔 전극 중 홀수 번째 스캔 전극에 순차적으로 제 2 신호(S2)를 공급하고, 아울러 짝수 번째 스캔 전극들에 순차적으로 제 2 신호(S2)를 공급하는 경우만을 도시하고 있지만, 3n번째(n은 0이상의 정수) 스캔 전극들에 순차적으로 제 2 신호(S2)를 공급하고, 아울러 3n+1 번째 스캔 전극들에 순차적으로 제 2 신호(S2)를 공급하며, 3n+2 번째 스캔 전극들에 순차적으로 제 2 신호(S2)를 공급하는 것도 가능하다.
이러한 경우에도, 앞선 도 16 내지 도 17의 경우와 같이 복수의 스캔 전극 중 임의의 두 개의 스캔 전극에 공급되는 제 2 신호(S2)와 스캔 신호의 공급시점간의 차이는 실질적으로 동일할 수 있다.
도 19 내지 도 23은 선택적 쓰기 서브필드와 선택적 소거 서브필드에 대해 설명하기 위한 도면이다.
먼저, 도 19를 살펴보면, 복수의 서브필드(Sub-Field) 중 적어도 하나의 서브필드는 선택적 쓰기 서브필드(Selective Writing Sub-Field)이고, 나머지 서브필드 중 적어도 하나는 선택적 소거 서브필드(Selective Erasing Sub-Field)일 수 있다.
예를 들어, 하나의 프레임이 총 8개의 서브필드(SF1~SF8)로 구성되는 경우에, 제 1 서브필드(SF1)부터 제 3 서브필드(SF3)까지를 제 1 부분이라 하고, 제 4 서브필드(SF4)부터 제 8 서브필드(SF8)까지를 제 2 부분이라 할 때, 제 1 부분은 적어도 하나의 선택적 쓰기 서브필드를 포함하고, 제 2 부분은 적어도 하나의 선택적 소거 서브필드를 포함하는 것이 가능하다.
바람직하게는, 하나의 프레임 내에서 모든 선택적 소거 서브필드는 적어도 하나의 선택적 쓰기 서브필드 이후에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제 3 서브필드(SF3)가 선택적 쓰기 서브필드라고 가정하면, 제 4 서브필드(SF4)부터 제 8 서브필드(SF8)까지는 선택적 소거 서브필드일 수 있다.
아울러, 선택적 쓰기 서브필드는 프레임의 복수의 서브필드 중 배치된 순서로 첫 번째 서브필드부터 세 번째 서브필드까지 중 적어도 하나의 서브필드인 것이 바람직할 수 있다.
아울러, 적어도 하나의 선택적 쓰기 서브필드에서는 리셋 기간에서 복수의 어드레스 전극 중 데이터 신호가 공급되는 적어도 하나의 어드레스 전극에 데이터 신호와 역극성인 제 1 신호(S1)가 공급되고, 리셋 기간에서 복수의 스캔 전극에 스캔 신호와 역극성인 제 2 신호(S2)가 공급될 수 있다.
예를 들면, 도 21의 경우와 같이 선택적 쓰기 서브필드(SW)의 리셋 기간에서는 스캔 전극에 제 2 신호(S2)가 공급되고, 어드레스 전극에 제 1 신호(S1)가 공급됨으로써 리셋 방전이 발생할 수 있다. 또한, 선택적 소거 서브필드(SE)에서는 리셋 기간에 생략됨으로써, 제 1 신호(S1)와 제 2 신호(S2)의 공급이 생략될 수 있다.
이와 같이, 적어도 하나의 선택적 쓰기 서브필드에서 제 1 신호(S1)와 제 2 신호(S2)를 이용하여 리셋을 수행하고, 선택적 소거 서브필드에서는 제 1 신호(S1)와 제 2 신호(S2)의 공급을 생략하게 되면, 암휘도를 낮춤으로써 콘트라스트 특성을 향상시키면서도, 제 1 신호(S1)와 제 2 신호(S2)의 사용에 따른 구동시간의 부족을 보상할 수 있다.
여기서, 선택적 쓰기 서브필드는 어드레스 기간에서 스캔 전극에 스캔 신호가 공급된 방전셀을 어드레스 기간 이후의 서스테인 기간에서 온(On)시키는 서브필드이다. 자세하게는, 선택적 쓰기 서브필드에서는 리셋 기간에서 모든 방전셀을 오프(Off) 시킨 이후에, 어드레스 기간에서 선택된 방전셀들을 온시킨다. 이어서, 서스테인 기간에는 어드레스 방전에 의해 선택된 방전셀들을 서스테인 방전시킴으로서 영상을 표시할 수 있다.
선택적 소거 서브필드는 어드레스 기간에서 스캔 전극에 스캔 신호가 공급된 방전셀을 어드레스 기간 이후의 서스테인 기간에서 오프(Off)시키는 서브필드일 수 있다. 자세하게는, 선택적 소거 서브필드에서는 리셋 기간에서 모든 방전셀을 온(On) 시킨 이후에, 어드레스 기간에서 선택된 방전셀들을 오프시킨다. 이어서 서스테인 기간에는 어드레스 방전에 의해 선택되지 않은 방전셀들을 서스테인 방전시킴으로써 영상을 표시할 수 있다.
선택적 쓰기 서브필드와 선택적 소거 서브필드의 어드레스 기간을 비교하면, 선택적 쓰기 서브필드의 어드레스 기간에서는 서스테인 기간에서 온되는 방전셀을 선택해야 하므로, 어드레스 방전 시 충분한 양의 벽전하들이 형성되어야 한다. 따라서, 선택적 쓰기 서브필드의 어드레스 기간에서 스캔 전극으로 공급되는 스캔 신호의 펄스폭은 충분히 넓은 것이 바람직할 수 있다.
반면에, 선택적 소거 서브필드의 어드레스 기간에서는 서스테인 기간에서 오프되는 방전셀을 선택해야 하므로, 어드레스 방전 시 충분한 양의 벽전하들이 소거되어야 한다. 따라서 선택적 소거 서브필드의 어드레스 기간에서 스캔 전극으로 공급되는 스캔 신호의 펄스폭은 충분히 작은 것이 바람직할 수 있다.
이에 따라, 도 21 및 도 22의 경우와 같이 선택적 소거 서브필드의 어드레스 기간에서 스캔 전극으로 공급되는 스캔 신호(Scan2)의 펄스폭(W6)은 선택적 쓰기 서브필드의 어드레스 기간에서 스캔 전극으로 공급되는 스캔 신호(Scan1)의 펄스폭(W5)보다 작은 것이 바람직할 수 있는 것이다.
또는, 도 23의 경우와 같이 선택적 소거 서브필드의 어드레스 기간에서 스캔 전극으로 공급되는 스캔 신호(Scan2)의 전압의 크기(△V11)는 선택적 쓰기 서브필드의 어드레스 기간에서 스캔 전극으로 공급되는 스캔 신호(Scan1)의 전압의 크기 (△V10)보다 작을 수 있다.
또한, 도시하지는 않았지만, 선택적 소거 서브필드의 어드레스 기간에서 어드레스 전극으로 공급되는 데이터 신호의 전압의 크기 및 펄스폭 중 적어도 하나는 선택적 쓰기 서브필드의 어드레스 기간에서 어드레스 전극으로 공급되는 데이터 신호의 전압의 크기 및 펄스폭보다 작을 수 있다.
또한, 선택적 소거 서브필드는 오프될 방전셀을 선택해야 하기 때문에 임의의 선택적 소거 서브필드가 온되기 위해서는 그 이전 서브필드가 온되어야 한다. 그리고, 임의의 선택적 소거 서브필드에서는 단순히 그 이전 서브필드에서 온되었던 방전셀 중 오프된 방전셀을 선택하기 때문에 초기화를 위한 리셋 기간이 생략될 수 있다. 즉, 선택적 소거 서브필드에서는 제 1 신호(S1)와 제 2 신호(S2)가 생략되는 것이다.
도 20에는 선택적 쓰기 서브필드와 선택적 소거 서브필드를 이용한 계조 구현방법의 일례가 도시되어 있다.
도 20과 같이, 제 1 서브필드의 계조 가중치는 20 으로 설정하고, 제 2 서브필드의 계조 가중치를 21 으로 설정하는 방법으로 각 서브필드의 계조 가중치가 2n(단, n = 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7)의 비율로 증가되도록 각 서브필드의 계조 가중치를 결정하는 것으로 가정하자.
또한, 제 1, 2, 3 서브필드는 선택적 쓰기 서브필드이고, 제 4, 5, 6, 7, 8 서브필드는 선택적 소거 서브필드인 것으로 가정하자.
여기, 도 20에서는 하나의 프레임이 8개의 서브필드로 이루어진 경우만으로 도시하고 설명하였지만, 이와는 다르게 하나의 프레임을 이루는 서브필드의 개수는 다양하게 변경될 수 있다. 예를 들면, 제 1 서브필드부터 제 12 서브필드까지의 12개의 서브필드로 하나의 프레임을 구성할 수도 있고, 10개의 서브필드로 하나의 프레임을 구성할 수도 있는 것이다.
계조 1을 구현하기 위해서는 제 1 서브필드를 온시키고, 나머지 서브필드를 오프시키면 된다.
또한, 제 2를 구현하기 위해서는 제 2 서브필드를 온시키고, 계조 5를 구현하기 위해서는 제 1 서브필드와 제 3 서브필드를 온시키고, 계조 8을 구현하기 위해서는 제 4 서브필드를 온시키면 된다.
또한, 계조 15를 구현하기 위해서는 제 1, 2, 3, 4 서브필드를 온시키고, 계조 24를 구현하기 위해서는 제 4, 5 서브필드를 온시키면 된다.
이러한 방식으로 계조 255까지를 구현하는 것이 가능하다.
또한, 선택적 쓰기 서브필드인 제 1, 2, 3 서브필드는 임의로 하나 이상을 선택하여 가중치를 조합하는 바이너리 코딩(Binary Coding) 방식으로 코딩이 가능하고, 선택적 소거 서브필드인 제 4, 5, 6, 7, 8 서브필드는 배치된 순서대로 차례로 선택하는 증분 코딩 방식으로 코딩이 가능하다.
이상에서와 같이, 하나의 프레임에 적어도 하나의 선택적 쓰기 서브필드와 적어도 하나의 선택적 소거 서브필드를 배치한 이유에 대해 살펴보면 다음과 같다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 선택적 소거 서브필드에서는 스캔 신호 의 펄스폭이 선택적 쓰기 서브필드에 비해 상대적으로 작을 수 있고, 아울러 초기화를 위한 리셋 기간이 생략될 수 있기 때문에 그 길이가 선택적 쓰기 서브필드에 비해 상대적으로 짧을 수 있다.
따라서, 하나의 프레임이 선택적 소거 서브필드들로 구성된다면, 하나의 프레임에 포함되는 서브필드의 개수를 증가시킬 수 있어서 의사윤곽 노이즈(False Contour Noise)를 개선할 수 있다.
반면에, 하나의 프레임이 선택적 소거 서브필드만으로 구성되는 경우에는 시간상 가장 먼저 배치되는 서브필드에서 모든 방전셀을 온시켜야 하기 때문에 블랙 휘도가 상승할 수 있고, 이에 따라 콘트라스트 특성이 악화될 수 있다.
또한, 선택적 쓰기 서브필드에서는 어드레스 기간에서 온되는 방전셀만을 선택하고, 어드레스 기간에서 선택한 방전셀만을 서스테인 기간에서 온시키는 것으로, 모든 방전셀을 오프시킨 상태에서 선택된 셀만을 온시키기 때문에 콘트라스트 특성은 충분히 높을 수 있다.
반면에, 하나의 프레임이 선택적 쓰기 서브필드만으로 구성되는 경우에는 모든 서브필드는 모든 방전셀을 초기화 시키는 리셋 기간을 포함하여야 하기 때문에 하나의 프레임에 포함되는 서브필드의 개수가 감소할 수 있고, 이에 따라 의사 윤곽 노이즈의 발생을 증가할 수 있다.
한편, 하나의 프레임이 선택적 쓰기 서브필드와 선택적 소거 서브필드를 함께 포함하는 경우에는, 선택적 쓰기 서브필드를 선택적 소거 서브필드보다 시간적으로 앞서도록 배치하고, 선택적 쓰기 서브필드에서 선택된 방전셀을 이후의 선택 적 소거 서브필드에서 선택적으로 오프하는 방식으로 영상을 구현할 수 있다.
이러한 경우에는, 모든 방전셀을 온 시킬 필요 없이, 선택적 쓰기 서브필드에서 선택적으로 온된 방전셀을 선택적 소거 서브필드에서 선택적으로 오프시키는 것이 가능하기 때문에, 한 프레임이 선택적 소거 서브필드로만 구성되는 경우에 비해 콘트라스트 특성이 더 우월할 수 있다. 아울러 선택적 소거 서브필드에서는 초기화를 위한 리셋 기간이 생략될 수 있기 때문에 한 프레임이 선택적 쓰기 서브필드로만 구성되는 경우에 비해 하나의 한 프레임에 포함되는 서브필드의 개수가 더 많을 수 있다.
즉, 하나의 프레임이 적어도 하나의 선택적 쓰기 서브필드와 적어도 하나의 선택적 소거 서브필드를 포함하도록 하면, 한 프레임에 포함되는 서브필드의 개수를 증가시켜 의사 윤곽 노이즈를 개선할 수 있고, 아울러 콘트라스트 특성을 향상시킴으로써 영상의 화질을 향상시킬 수 있다.
아울러, 적어도 하나의 선택적 쓰기 서브필드에서 상기와 같은 제 1 신호(S1)와 제 2 신호(S2)를 사용하고, 선택적 소거 서브필드에서는 제 1 신호(S1)와 제 2 신호(S2)를 생략하는 경우에는, 암휘도를 낮추어 영상의 콘트라스트 특성을 향상시킬 수 있으면서도, 제 1 신호(S1)와 제 2 신호(S2)의 사용에 따른 구동시간의 부족을 보상할 수 있다.
도 24는 제 4 바이어스 전압에 대해 설명하기 위한 도면이다.
도 24를 살펴보면, 리셋 기간 이후의 어드레스 기간에서 스캔 전극에는 그라운드 레벨(GND)의 전압보다 낮은 제 4 바이어스 전압(Vb4)이 공급될 수 있다. 아울 러, 스캔 신호는 제 4 바이어스 전압(Vb4)으로부터 공급될 수 있다.
이와 같이, 어드레스 기간에서 제 4 바이어스 전압(Vb4)을 공급하게 되면, 어드레스 기간에서 스캔 전극과 어드레스 전극 간의 전압 차이를 용이하게 증가시킬 수 있어서, 어드레스 방전을 더욱 안정시킬 수 있다.
도 25 내지 도 26은 제 1 신호와 제 2 신호의 다른 형태의 일례를 설명하기 위한 도면이다.
먼저, 도 25를 살펴보면 제 1 신호(S1)는 지수 함수 형태로 점진적으로 하강하는 형태를 가질 수 있고, 제 2 신호(S2)는 지수 함수 형태로 점진적으로 상승하는 형태를 가질 수 있다.
또는, 도 26과 같이 제 1 신호(S1)는 전압이 점진적으로 하강하는 하강 램프 형태일 수 있고, 제 2 신호(S2)는 전압이 점진적으로 상승하는 상승 램프 형태일 수 있다.
이러한 경우에는, 제 1 신호(S1)와 제 2 신호(S2)에 의해 발생하는 리셋 방전이 세기가 과도하게 커지는 것을 방지함으로써 콘트라스트 특성을 더욱 향상시킬 수 있다.
도 27은 리셋 기간과 어드레스 기간 사이에 공급되는 신호에 대해 설명하기 위한 도면이다.
도 27을 살펴보면, 리셋 기간과 어드레스 기간의 사이에서 스캔 전극에는 전압이 점진적으로 하강하는 제 3 신호(S3)가 공급될 수 있다.
이와 같이, 리셋 기간과 어드레스 기간의 사이에서 제 3 신호(S3)를 스캔 전 극에 공급하게 되면, 리셋 기간 동안 과도하게 많은 양의 벽전하가 형성된 경우, 이러한 과도한 벽전하를 일부 소거시킴으로써 이후의 어드레스 기간 및 서스테인 기간에서의 오방전의 발생을 방지할 수 있다.
한편, 여기 도 27에서는 리셋 기간과 어드레스 기간의 사이에서 스캔 전극에만 제 3 신호(S3)를 공급하는 경우만을 도시하고 있지만, 제 3 신호(S3)는 서스테인 전극 또는 어드레스 전극에도 공급될 수 있다.
도 28 내지 도 29는 리셋 기간 이전에 공급되는 구동신호에 대해 설명하기 위한 도면이다.
먼저, 도 28을 살펴보면, 리셋 기간 이전의 프리 리셋 기간(PRS)에서는 스캔 전극에 전압이 점진적으로 하강하는 제 4 신호(S4)가 공급되고, 서스테인 전극에는 제 4 신호(S4)에 대응되게 제 5 신호(S5)가 공급될 수 있다. 여기서, 제 5 신호(S5)는 제 10 전압(V10)을 실질적으로 일정하게 유지하는 것이 가능하다.
이와 같이, 프리 리셋 기간에서 제 4 신호(S4)와 제 5 신호(S5)를 공급하게 되면, 리셋 기간이전에 방전셀 내에 충분한 양의 벽전하를 미리 형성시킬 수 있고, 이에 따라 제 2 신호(S2) 또는 제 1 신호(S1)의 전압의 크기를 낮출 수 있다. 그러면, 구동 효율이 향상될 수 있고, 아울러 안정적인 리셋 방전을 발생시키면서도 리셋 방전의 세기를 저감시킴으로써 콘트라스트 특성을 향상시킬 수 있다.
또는, 도 29와 같이 리셋 기간 이전에 스캔 전극 및 서스테인 전극 중 적어도 하나에 소거신호(ES)가 공급될 수 있다. 예를 들면, A 서브필드의 리셋 기간에서 제 2 신호(S2)와 제 1 신호(S1)가 공급되는 경우에, A 서브필드의 이전 서브필 드의 마지막 서스테인 신호의 공급 이후에 스캔 전극 및 서스테인 전극 중 적어도 하나에 소거 신호가 공급되는 것이 가능하다. 그러면, 서스테인 기간의 끝단에서 벽전하를 균일하게 소거할 수 있고, 이에 따라 A 서브필드의 리셋 기간에서의 리셋 방전을 안정시킬 수 있다.
이와 같이, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 하고, 본 발명의 범위는 전술한 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
도 1은 플라즈마 디스플레이 장치의 구성에 대해 설명하기 위한 도면.
도 2는 플라즈마 디스플레이 패널의 구조의 일례에 대해 설명하기 위한 도면.
도 3은 영상의 계조를 구현하기 위한 프레임(Frame)에 대해 설명하기 위한 도면.
도 4는 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법을 설명하기 위한 도면.
도 5 내지 도 7은 리셋 기간에서의 구동방법을 보다 상세히 설명하기 위한 도면.
도 8 내지 도 10은 제 1 신호의 또 다른 형태에 대해 설명하기 위한 도면.
도 11 내지 도 13은 제 2 신호의 또 다른 형태에 대해 설명하기 위한 도면.
도 14 내지 도 15는 연속된 두 개의 제 2 신호의 관계를 설명하기 위한 도면.
도 16 내지 도 17은 제 2 신호와 스캔 신호의 관계에 대해 설명하기 위한 도면.
도 18은 제 2 신호의 공급 순서를 조절하는 방법의 일례를 설명하기 위한 도면.
도 19 내지 도 23은 선택적 쓰기 서브필드와 선택적 소거 서브필드에 대해 설명하기 위한 도면.
도 24는 제 4 바이어스 전압에 대해 설명하기 위한 도면.
도 25 내지 도 26은 제 1 신호와 제 2 신호의 다른 형태의 일례를 설명하기 위한 도면.
도 27은 리셋 기간과 어드레스 기간 사이에 공급되는 신호에 대해 설명하기 위한 도면.
도 28 내지 도 29는 리셋 기간 이전에 공급되는 구동신호에 대해 설명하기 위한 도면.
<도면의 주요 부분에 대한 번호의 설명>
201 : 전면 기판 202 : 스캔 전극
203 : 서스테인 전극 204 : 상부 유전체층
205 : 보호층 211 : 후면 기판
212 : 격벽 213 : 어드레스 전극
214 : 형광체층 215 : 하부 유전체층

Claims (20)

  1. 복수의 스캔 전극, 서스테인 전극 및 어드레스 전극들을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법에 있어서,
    복수의 서브필드(Subfield) 중 적어도 하나의 서브필드의 어드레스 기간에서 복수의 상기 어드레스 전극 중 적어도 하나에 데이터 신호가 공급되는 과정과,
    상기 어드레스 기간 이전의 리셋 기간에서 복수의 상기 어드레스 전극 중 상기 데이터 신호가 공급되는 적어도 하나의 어드레스 전극에 상기 데이터 신호와 역극성인 제 1 신호가 공급되는 과정을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 신호의 전압의 크기는 상기 데이터 신호의 전압의 크기와 동일한 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 리셋 기간에서 복수의 상기 어드레스 전극에는 그라운드 레벨(GND)의 전압보다 높은 제 1 바이어스 전압이 공급되고,
    상기 제 1 신호는 상기 제 1 바이어스 전압으로부터 공급되는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 바이어스 전압은 상기 데이터 신호의 최대 전압과 동일한 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    복수의 상기 어드레스 전극 중 상기 데이터 신호가 공급되지 않는 적어도 하나의 어드레스 전극에는 상기 제 1 신호가 공급되지 않는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 어드레스 기간에서 복수의 상기 스캔 전극에 상기 데이터 신호와 대응되는 스캔 신호가 공급되는 과정과,
    상기 리셋 기간에서 상기 복수의 상기 스캔 전극에 상기 제 1 신호와 대응되며 상기 스캔 신호와 역극성인 제 2 신호가 공급되는 과정을 더 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 리셋 기간에서 복수의 상기 스캔 전극에는 그라운드 레벨(GND)의 전압보다 높은 제 2 바이어스 전압이 공급되고,
    상기 제 2 신호는 상기 제 2 바이어스 전압으로부터 공급되는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 2 바이어스 전압은 상기 어드레스 기간 이후의 서스테인 기간에서 상기 스캔 전극 및 상기 서스테인 전극 중 적어도 하나에 공급되는 서스테인 신호의 최대 전압과 동일한 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 2 신호의 전압의 크기는 상기 스캔 신호의 전압의 크기와 동일한 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
  10. 제 6 항에 있어서,
    복수의 상기 스캔 전극은 제 1 스캔 전극, 제 2 스캔 전극 및 제 3 스캔 전극을 포함하고,
    상기 제 1 스캔 전극에 공급되는 제 2 신호의 공급 시점, 상기 제 2 스캔 전극에 공급되는 제 2 신호의 공급 시점 및 상기 제 3 스캔 전극에 공급되는 제 2 신호의 공급시점은 각각 서로 다른 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 1, 2, 3 스캔 전극에는 순차적으로 제 2 신호가 공급되고,
    상기 제 1 스캔 전극에 공급되는 제 2 신호의 공급시점과 상기 제 2 스캔 전극에 공급되는 제 2 신호의 공급시점간의 시간 차이는 상기 제 2 스캔 전극에 공급되는 제 2 신호의 공급시점과 상기 제 3 스캔 전극에 공급되는 제 2 신호의 공급시점간의 시간 차이와 동일한 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 1 스캔 전극에 공급되는 제 2 신호와 스캔 신호의 공급시점간의 차이는, 상기 제 2 스캔 전극에 공급되는 제 2 신호와 스캔 신호의 공급시점간의 차이 및 상기 제 3 스캔 전극에 공급되는 제 2 신호와 스캔 신호의 공급시점간의 차이와 각각 동일한 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
  13. 제 6 항에 있어서,
    복수의 상기 스캔 전극 중 스캔 순서가 연속된 두 개의 스캔 전극에 공급되는 제 2 신호는 일부가 서로 중첩(Overlap)되는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
  14. 제 6 항에 있어서,
    복수의 상기 스캔 전극 중 스캔 순서가 연속된 두 개의 스캔 전극에 공급되는 제 2 신호는 시간적으로 서로 이격된 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
  15. 복수의 스캔 전극, 서스테인 전극 및 어드레스 전극들을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법에 있어서,
    복수의 서브필드(Subfield) 중 적어도 하나의 서브필드의 어드레스 기간에서 복수의 상기 스캔 전극에 스캔 신호가 공급되는 과정과,
    상기 어드레스 기간 이전의 리셋 기간에서 상기 복수의 상기 스캔 전극에 상기 스캔 신호와 역극성인 제 2 신호가 공급되는 과정을 포함하고,
    상기 복수의 스캔 전극 중 인접하지 않은 두 개의 상기 스캔 전극에 상기 스캔 신호가 순차적으로 공급되고,
    상기 복수의 스캔 전극 중 인접하지 않은 두 개의 상기 스캔 전극에 상기 제 2 신호가 순차적으로 공급되는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    복수의 상기 스캔 전극은 제 1, 2, 3 스캔 전극을 포함하고,
    상기 제 2 스캔 전극은 상기 제 1 스캔 전극과 상기 제 3 스캔 전극의 사이에 배치되고,
    상기 제 1 스캔 전극과 상기 제 3 스캔 전극에는 순차적으로 상기 스캔 신호가 공급되고,
    상기 제 1 스캔 전극에 공급되는 제 2 신호의 공급시점과 스캔 신호의 공급시점간의 차이는, 상기 제 2 스캔 전극에 공급되는 제 2 신호의 공급시점과 스캔 신호의 공급시점간의 차이 및 상기 제 3 스캔 전극에 공급되는 제 2 신호의 공급시점과 스캔 신호의 공급시점간의 차이와 동일한 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
  17. 제 15 항에 있어서,
    복수의 상기 어드레스 전극 중 적어도 하나에 상기 스캔 신호와 대응되는 데이터 신호가 공급되는 과정과,
    상기 리셋 기간에서 복수의 상기 어드레스 전극 중 상기 데이터 신호가 공급되는 적어도 하나의 어드레스 전극에 상기 제 1 신호와 대응되는 제 2 신호가 공급되는 과정을 더 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
  18. 복수의 스캔 전극, 서스테인 전극 및 어드레스 전극들을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법에 있어서,
    프레임(Frame)의 복수의 서브필드(Subfield) 중 적어도 하나의 서브필드는 선택적 쓰기 서브필드(Selective Writing Sub-Field)이고, 나머지 서브필드 중 적어도 하나는 선택적 소거 서브필드(Selective Erasing Sub-Field)이고,
    적어도 하나의 상기 선택적 쓰기 서브필드에서는 어드레스 기간에서 복수의 상기 스캔 전극에 스캔 신호가 공급되고, 복수의 상기 어드레스 전극 중 적어도 하나에 상기 스캔 신호에 대응되는 데이터 신호가 공급되고, 상기 어드레스 기간 이전의 리셋 기간에서 복수의 상기 어드레스 전극 중 상기 데이터 신호가 공급되는 적어도 하나의 어드레스 전극에 상기 데이터 신호와 역극성인 제 1 신호가 공급되고, 상기 리셋 기간에서 상기 복수의 상기 스캔 전극에 상기 스캔 신호와 역극성인 제 2 신호가 공급되는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 선택적 쓰기 서브필드는 프레임의 복수의 서브필드 중 배치된 순서로 첫 번째 서브필드부터 세 번째 서브필드까지 중 적어도 하나의 서브필드인 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
  20. 제 18 항에 있어서,
    상기 선택적 쓰기 서브필드의 어드레스 기간에서 상기 스캔 전극으로 공급되는 스캔 신호의 전압의 크기 또는 펄스폭 중 적어도 하나는 상기 선택적 소거 서브필드의 어드레스 기간에서 상기 스캔 전극으로 공급되는 스캔 신호보다 크거나 넓은 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
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