KR20090084778A - 기판 탑재 기구, 기판 주고받음 방법, 기판 처리 장치 및 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 피처리 기판이 대형이어도, 승강 핀에 의해 피처리 기판을 확실하게 지지하면서 피처리 기판의 변형을 효과적으로 억지하는 것이 가능한 기판 탑재 기구에 관한 것이다. 기판 탑재 기구는, 가요성을 갖는 기판(G)을 탑재하는 탑재대로서의 서셉터(4)와, 서셉터(4)의 탑재면에 대하여 돌몰 가능하게 마련되고, 기판(G)의 주연부 및 중앙부를 각각 지지해서 서셉터(4)의 상방의 주고받음을 실행하는 주고받음 위치와 서셉터(4)상의 탑재 위치 사이에서 승강시키는 리프터 핀(8a, 8b)과, 리프터 핀(8a, 8b)을 구동시키는 구동 기구로서의 구동부(9a, 9b)를 구비하고, 구동부(9a, 9b)는, 기판(G)을 승강시킬 때에, 리프터 핀(8a)을 리프터 핀(8b)보다도 높게 돌출시켜서, 기판(G)이 아래로 볼록형상으로 휜 상태에서 리프터 핀(8a, 8b)에 의해 안정적으로 지지되도록 한다.

Description

기판 탑재 기구, 기판 주고받음 방법, 기판 처리 장치 및 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체{SUBSTRATE LOADING MECHANISM, SUBSTRATE TRANSFER METHOD, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND COMPUTER READABLE STORAGE MEDIUM}
본 발명은, 평판 디스플레이(Flat-Panel Display; FPD)용 유리 기판 등의 가요성을 갖는 피처리 기판을, 탑재대의 탑재면에 대하여 돌몰(突沒)하는 승강 핀에 의해 지지해서 탑재대의 상방의 기판의 주고받음을 실행하는 주고받음 위치와 탑재대에 탑재된 탑재 위치 사이에서 승강시키는 기판 탑재 기구 및 기판 주고받음 방법에 관한 것이다.
FPD의 제조 프로세스에 있어서는, 피처리 기판인 FPD용의 유리 기판에 대하여, 드라이 에칭이나 스퍼터링(sputtering), CVD(화학 기상 성장) 등의 각종 처리가 실시된다. 이러한 처리는 통상, 챔버내에 마련된 탑재대에 유리 기판을 탑재한 상태에서 실행되고, 탑재대에 대한 기판의 로딩(loading) 및 언로딩(unloading)은 일반적으로 탑재대의 탑재면에 대하여 돌몰 가능하게 마련된 복수의 승강 핀에 의해 행해진다. 기판을 로딩할 때에는, 승강 핀을 상승시켜서 탑재대의 탑재면으로 부터 돌출시켜, 반송 아암 등의 반송 부재에 의해 반송된 기판을 승강 핀상에 옮긴 후, 승강 핀을 하강시켜서 탑재대의 탑재면에 몰입(沒入)시킨다. 또한, 기판을 언로딩할 때에는, 승강 핀을 상승시켜서 탑재대의 탑재면으로부터 돌출시켜, 기판을 탑재대로부터 이격시킨 후, 승강 핀상의 기판을 반송 부재에 옮긴다.
승강 핀은, 처리 품질에의 영향을 고려해서 유리 기판의 주연부 위치에 마련하는 것이 바람직하지만, 최근 FPD의 대형화가 지향되어, 1변이 2m를 넘는 것과 같은 거대한 유리 기판도 출현하는데 이르고 있어, 주연부 위치의 승강 핀만으로는, 이러한 대형의 유리 기판을 지지하는 것이 곤란하게 되어 가고 있다.
이 때문에, 유리 기판이 대형의 경우에는, 유리 기판을 확실하게 지지할 수 있도록 중앙부 위치에도 승강 핀을 마련하는 것이 행하여지고 있지만(예를 들어 특허문헌 1 참조), 전술한 바와 같이 처리 품질에의 영향을 고려하면, 유리 기판의 중앙부 위치에 마련되는 승강 핀은 소수로 제한하지 않을 수 없다. 이 결과, 도 9(a)에 도시하는 바와 같이, 유리 기판(A)이 주연부 위치 및 중앙부 위치의 승강 핀(B, C)에 의해 지지되면, 유리 기판(A)은 승강 핀(B, C) 사이 부분이 우묵하게 되도록 휘어서, 중앙부가 솟아오르도록 변형하여 버려서, 도 9(b)에 도시하는 바와 같이, 유리 기판(A)이 탑재대(D)에 탑재되었을 때에는, 변형한 유리 기판(A)의 중앙부가 탑재대(D)로부터 떠올라 버릴 우려가 있다. 탑재대는, 처리시의 유리 기판의 온도를 조정하는 온도 조절 기능을 갖고 있을 경우가 많고, 예를 들면 플라즈마 에칭 장치에서는, 탑재대가 플라즈마 에칭 처리시의 유리 기판을 냉각하는 역할을 하기 때문에, 유리 기판의 일부가 탑재대로부터 떠올라 있으면, 유리 기판의 온도 가 면내에서 불균일하게 되어서 처리 불균일, 예를 들면 에칭 불균일의 발생 요인이 된다.
[특허문헌 1] 일본 공개 특허 제 2002-246450 호 공보
본 발명은, 이러한 사정에 비추어 이루어진 것으로, 피처리 기판이 대형이어도, 승강 핀에 의해 피처리 기판을 확실하게 지지하면서 피처리 기판의 변형을 효과적으로 억지하는 것이 가능한 기판 탑재 기구 및 기판 주고받음 방법, 이러한 기판 탑재 기구를 구비한 기판 처리 장치, 및 이러한 기판 주고받음 방법을 실행시키기 위한 제어 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명의 제 1 관점에서는, 가요성을 갖는 피처리 기판을 탑재하는 탑재대와, 상기 탑재대의 탑재면에 대하여 돌몰 가능하게 마련되고, 피처리 기판을 지지해서 상기 탑재대의 상방의 기판의 주고받음을 실행하는 주고받음 위치와 상기 탑재대상의 탑재 위치 사이에서 승강시키는 복수의 승강 핀과, 상기 승강 핀을 구동시키는 구동 기구를 구비하는 기판 탑재 기구에 있어서, 상기 복수의 승강 핀은, 피처리 기판의 주연부를 지지하는 제 1 승강 핀과, 피처리 기판의 중앙부를 지지하는 제 2 승강 핀을 갖고, 상기 구동 기구는, 피처리 기판을 승강시킬 때에, 상기 제 1 승강 핀을 상기 제 2 승강 핀보다도 높게 돌출시켜서, 피처리 기판이 아래로 볼록형상으로 휜 상태에서 안정적으로 지지되도록 하는 것을 특징으로 하는 기판 탑재 기구를 제공한다.
본 발명의 제 1 관점에 있어서, 상기 구동 기구는 상기 제 1 승강 핀과 상기 제 2 승강 핀을 독립적으로 구동시키는 것이 바람직하다.
또, 이상의 본 발명의 제 1 관점에 있어서, 상기 구동부에 의한 상기 제 1 및 제 2 승강 핀의 구동을 제어하는 제어부를 구비하고, 상기 제어부는, 상기 탑재 위치의 피처리 기판을 상기 주고받음 위치를 향해서 상승시키고 있는 도중에, 피처리 기판이 상기 탑재대와의 접촉을 유지한 채 아래로 볼록형상으로 휜 상태일 때에 상기 제 1 및 제 2 승강 핀의 돌출방향으로의 구동을 일단 정지시키는 것이 바람직하다. 혹은, 상기 구동부에 의한 상기 제 1 및 제 2 승강 핀의 구동을 제어하는 제어부를 구비하고, 상기 제어부는, 상기 탑재 위치의 피처리 기판을 상기 주고받음 위치를 향해서 상승시키고 있는 도중에, 피처리 기판이 상기 탑재대와의 접촉을 유지한 채 아래로 볼록형상으로 휜 상태일 때에 상기 제 1 및 제 2 승강 핀의 돌출방향으로의 구동을 일단 정지시키고, 이 구동을 재개시켜서 피처리 기판을 상기 탑재대로부터 이격시킨 후, 상기 제 1 및 제 2 승강 핀을 몰입방향으로 구동시켜, 피처리 기판이 아래로 볼록형상으로 휜 채로 상기 탑재대에 접촉한 상태일 때에 이 구동을 정지시키고, 그 후 상기 제 1 및 제 2 승강 핀을 다시 돌출방향으로 구동시키는 것이 바람직하다.
또한, 이상의 본 발명의 제 1 관점에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 승강 핀은, 반송 부재에 의해 하방으로부터 지지되어서 상기 주고받음 위치에 반송된 피처리 기판을 수취하도록 구성되어 있고, 상기 제어부는, 상기 제 1 및 제 2 승강 핀이 상기 주고받음 위치를 향해서 돌출방향으로 구동하고 있는 도중에, 피처리 기판이 상기 반송 부재와의 접촉을 유지한 채 아래로 볼록형상으로 휜 상태일 때에 상기 제 1 및 제 2 승강 핀의 돌출방향으로의 구동을 일단 정지시키는 것이 바람직하다. 혹은, 상기 제 1 및 제 2 승강 핀은, 반송 부재에 의해 하방으로부터 지지되어서 상기 주고받음 위치에 반송된 피처리 기판을 수취하도록 구성되어 있고, 상기 제어부는, 상기 제 1 및 제 2 승강 핀이 상기 주고받음 위치를 향해서 돌출방향으로 구동하고 있는 도중에, 피처리 기판이 상기 반송 부재와의 접촉을 유지한 채 아래로 볼록형상으로 휜 상태일 때에 상기 제 1 및 제 2 승강 핀의 돌출방향으로의 구동을 일단 정지시키고, 이 구동을 재개시켜서 피처리 기판을 상기 반송 부재로부터 이격시킨 후, 상기 제 1 및 제 2 승강 핀을 몰입방향으로 구동시키고, 피처리 기판이 아래로 볼록형상으로 휜 채로 상기 반송 부재에 접촉한 상태일 때에 이 구동을 정지시키고, 그 후 상기 제 1 및 제 2 승강 핀을 다시 돌출방향으로 구동시키는 것이 바람직하다.
또, 본 발명의 제 2 관점에서는, 피처리 기판을 수용하는 처리 용기와, 상기 처리 용기내에 마련되고, 피처리 기판을 탑재하는 탑재대를 갖는 기판 탑재 기구와, 상기 탑재대에 탑재된 피처리 기판에 대하여 소정의 처리를 실시하는 처리 기구를 구비하고, 상기 기판 탑재 기구는 상기 제 1 관점의 구성을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치를 제공한다.
본 발명의 제 2 관점에 있어서, 상기 처리 기구는, 상기 처리 용기내에 처리 가스를 공급하는 가스 공급 기구와, 상기 처리 용기내를 배기하는 배기 기구와, 상기 처리 용기내에 상기 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 플라즈마 생성 기구를 갖 고, 피처리 기판에 대하여 플라즈마 처리를 실시하는 것이 호적이다.
또, 본 발명의 제 3 관점에서는, 가요성을 갖는 피처리 기판을 탑재하는 탑재대의 탑재면에 대하여 돌몰하는 복수의 승강 핀에 의해 피처리 기판을 지지해서 상기 탑재대의 상방의 기판의 주고받음을 실행하는 주고받음 위치와 상기 탑재대상의 탑재 위치 사이에서 승강시키는 기판 주고받음 방법에 있어서, 상기 복수의 승강 핀을, 피처리 기판의 주연부를 지지하는 제 1 승강 핀과, 피처리 기판의 중앙부를 지지하는 제 2 승강 핀으로 구성하고, 피처리 기판을 승강시킬 때에, 상기 제 1 승강 핀을 상기 제 2 승강 핀보다도 높게 돌출시켜서, 피처리 기판이 아래로 볼록형상으로 휜 상태에서 안정적으로 지지되도록 하는 것을 특징으로 하는 기판 주고받음 방법을 제공한다.
본 발명의 제 3 관점에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 승강 핀 각각에 피처리 기판의 하중을 검출하는 하중 검출부를 마련하고, 상기 각 하중 검출부의 검출 결과에 근거하여, 상기 제 1 승강 핀과 상기 제 2 승강 핀의 돌출 높이의 차이를 조정할 수 있다.
또, 이상의 본 발명의 제 3 관점에 있어서, 상기 탑재 위치의 피처리 기판을 상기 주고받음 위치를 향해서 상승시키고 있는 도중에, 피처리 기판이 상기 탑재대와의 접촉을 유지한 채 아래로 볼록형상으로 휜 상태일 때에 상기 제 1 및 제 2 승강 핀의 돌출방향으로의 구동을 일단 정지시키는 것이 바람직하다. 혹은, 상기 탑재 위치의 피처리 기판을 상기 주고받음 위치를 향해서 상승시키고 있는 도중에, 피처리 기판이 상기 탑재대와의 접촉을 유지한 채 아래로 볼록형상으로 휜 상태일 때에 상기 제 1 및 제 2 승강 핀의 돌출방향으로의 구동을 일단 정지시키고, 이 구동을 재개시켜서 피처리 기판을 상기 탑재대로부터 이격시킨 후, 상기 제 1 및 제 2 승강 핀을 몰입방향으로 구동시키고, 피처리 기판이 아래로 볼록형상으로 휜 채로 상기 탑재대에 접촉한 상태일 때에 이 구동을 정지시키고, 그 후 상기 제 1 및 제 2 승강 핀을 다시 돌출방향으로 구동시키는 것이 바람직하다.
또한, 이상의 본 발명의 제 3 관점에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 승강 핀을, 반송 부재에 의해 하방으로부터 지지되어서 상기 주고받음 위치에 반송된 피처리 기판을 수취하도록 구성하고, 상기 제 1 및 제 2 승강 핀이 상기 주고받음 위치를 향해서 돌출방향으로 구동하고 있는 도중에, 피처리 기판이 상기 반송 부재와의 접촉을 유지한 채 아래로 볼록형상으로 휜 상태일 때에 상기 제 1 및 제 2 승강 핀의 돌출방향으로의 구동을 일단 정지시키는 것이 바람직하다. 혹은, 상기 제 1 및 제 2 승강 핀을, 반송 부재에 의해 하방으로부터 지지되어서 상기 주고받음 위치에 반송된 피처리 기판을 수취하도록 구성하고, 상기 제 1 및 제 2 승강 핀이 상기 주고받음 위치를 향해서 돌출방향으로 구동하고 있는 도중에, 피처리 기판이 상기 반송 부재와의 접촉을 유지한 채 아래로 볼록형상으로 휜 상태일 때에 상기 제 1 및 제 2 승강 핀의 돌출방향으로의 구동을 일단 정지시키고, 이 구동을 재개시켜서 피처리 기판을 상기 반송 부재로부터 이격시킨 후, 상기 제 1 및 제 2 승강 핀을 몰입방향으로 구동시키고, 피처리 기판이 아래로 볼록형상으로 휜 채로 상기 반송 부재에 접촉한 상태일 때에 이 구동을 정지시키고, 그 후 상기 제 1 및 제 2 승강 핀을 다시 돌출방향으로 구동시키는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 제 4 관점에서는, 컴퓨터상에서 동작하는 제어 프로그램이 기억된 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체에 있어서, 상기 제어 프로그램은 실행시에 상기 기판 주고받음 방법이 실행되도록 컴퓨터에 처리 장치를 제어시키는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체를 제공한다.
본 발명에 의하면, 복수의 승강 핀을, 피처리 기판의 주연부를 지지하는 제 1 승강 핀과, 피처리 기판의 중앙부를 지지하는 제 2 승강 핀으로 구성하고, 피처리 기판을 승강시킬 때에, 상기 제 1 승강 핀을 상기 제 2 승강 핀보다도 높게 돌출시켜서, 피처리 기판이 아래로 볼록형상으로 휜 상태에서 안정적으로 지지되도록 했기 때문에, 피처리 기판이 대형이어도, 제 1 및 제 2 승강 핀에 의해 피처리 기판을 확실하게 지지할 수 있는 동시에, 제 1 및 제 2 승강 핀 사이 부분의 자중에 의한 휨 및 제 2 승강 핀의 지지 반력에 기인하는 피처리 기판의 변형을 효과적으로 억지할 수 있다. 따라서, 탑재대에 대한 피처리 기판의 떠오름을 억제하여 처리 불균일의 발생을 억지하는 것이 가능해진다.
이하, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 실시형태에 대해서 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 기판 탑재 기구를 구비한 기판 처리 장치의 일 실시형태인 플라즈마 에칭 장치의 측면 방향의 개략 단면도이며, 도 2는 그 평면 방향 의 개략 단면도이다.
이 플라즈마 에칭 장치(1)는 FPD용의 유리 기판(이하, 단지 「기판」이라고 기재함)(G)에 대하여 에칭을 실행하는 용량 결합형 평행 평판 플라즈마 에칭 장치로서 구성되어 있다. FPD로서는, 액정 모니터(LCD), 전계 발광(Electro Luminescence; EL) 디스플레이, 플라즈마 디스플레이 패널(PDP) 등이 예시된다. 플라즈마 에칭 장치(1)는 기판(G)을 수용하는 처리 용기로서의 챔버(2)를 구비하고 있다. 챔버(2)는, 예컨대 표면이 알루마이트(almite) 처리(양극 산화 처리)된 알루미늄으로 이루어지고, 기판(G)의 형상에 대응하여 사각통 형상으로 형성되어 있다.
챔버(2)내의 바닥벽에는, 기판(G)을 탑재하는 탑재대로서의 서셉터(4)가 마련되어 있다. 서셉터(4)는, 기판(G)의 형상에 대응하여 사각판 형상 또는 기둥 형상으로 형성되어 있고, 금속 등의 도전성 재료로 이루어지는 기재(4a)와, 기재(4a)의 주연부를 덮는 절연 재료로 이루어지는 절연 부재(4b)와, 기재(4a) 및 절연 부재(4b)의 바닥부를 덮도록 마련되고 이들을 지지하는 절연 재료로 이루어지는 절연 부재(4c)를 갖고 있다. 기재(4a)에는, 고주파 전력을 공급하기 위한 급전선(23)이 접속되어 있고, 이 급전선(23)에는 정합기(24) 및 고주파 전원(25)이 접속되어 있다. 고주파 전원(25)으로부터는 예컨대 13.56MHz의 고주파 전력이 서셉터(4)에 인가되고, 이로써 서셉터(4)가 하부 전극으로서 기능하도록 구성되어 있다. 또한, 서셉터(4)에는, 탑재된 기판(G)을 흡착하기 위한 도시하지 않은 정전 흡착 기구가 내장되어 있다.
챔버(2)의 상부 또는 상측벽에는, 챔버(2)내에 처리 가스를 공급하는 동시에 상부 전극으로서 기능하는 샤워헤드(11)가 서셉터(4)와 대향하도록 마련되어 있다. 샤워헤드(11)는, 내부에 처리 가스를 확산시키는 가스 확산 공간(12)이 형성되어 있는 동시에, 하면 또는 서셉터(4)와의 대향면에 처리 가스를 토출하는 복수의 토출 구멍(13)이 형성되어 있다. 이 샤워헤드(11)는 접지되어 있어, 서셉터(4)와 함께 한쌍의 평행 평판 전극을 구성하고 있다.
샤워헤드(11)의 상면에는 가스 도입구(14)가 마련되고, 이 가스 도입구(14)에는, 처리 가스 공급관(15)이 접속되어 있고, 이 처리 가스 공급관(15)에는, 밸브(16) 및 매스플로우 콘트롤러(17)를 거쳐서 처리 가스 공급원(18)이 접속되어 있다. 처리 가스 공급원(18)으로부터는, 에칭을 위한 처리 가스가 공급된다. 처리 가스로서는, 할로겐계의 가스, O2 가스, Ar 가스 등, 통상 이 분야에서 사용되는 가스를 이용할 수 있다.
챔버(2)의 바닥벽에는 배기관(19)이 접속되어 있고, 이 배기관(19)에는 배기 장치(20)가 접속되어 있다. 배기 장치(20)는 터보 분자 펌프 등의 진공 펌프를 구비하고 있고, 이로써 챔버(2)내를 소정의 감압 분위기까지 진공 흡인 가능하도록 구성되어 있다. 챔버(2)의 측벽에는, 기판(G)을 반입출하기 위한 반입출구(21)가 형성되어 있는 동시에, 이 반입출구(21)를 개폐하는 게이트 밸브(22)가 마련되어 있어, 반입출구(21)의 개방시에, 기판(G)이, 반송 부재로서의 반송 아암(40)(도 2, 도 4의 가상선 참조)에 의해 하방으로부터 지지된 상태에서 인접하는 도시하지 않 은 로드록실과의 사이에서 반송되도록 구성되어 있다.
서셉터(4)의 기판 탑재면에는, 플라즈마 에칭 처리시에 서셉터(4)에 탑재되어서 흡착된 기판(G)을 냉각하는 He 가스 등의 온도 조절 가스가 충전되는 도시하지 않은 냉각 공간이 형성되어 있고, 서셉터(4)내를 통과해서 챔버(2)의 바닥벽을 관통하도록, 이 냉각 공간에 온도 조절 가스를 공급하기 위한 온도 조절 가스 공급 라인(41)이 마련되어 있다. 온도 조절 가스 공급 라인(41)에는, 온도 조절 가스 공급원(42)이 접속되어 있는 동시에, 온도 조절 가스의 공급압을 조정하기 위한 압력 제어 밸브(43)가 마련되어 있다.
챔버(2)의 바닥벽 및 서셉터(4)에는, 이들을 관통하는 관통 삽입 구멍(7a, 7b)이 서셉터(4)의 주연부 위치 및 중앙부 위치(주연부 위치보다도 내측 또는 중앙 근처 위치)에 각각 형성되어 있다. 관통 삽입 구멍(7a)은, 예컨대 각 변부에 소정의 간격을 두고서 2개소씩의 계 8개소 형성되고, 관통 삽입 구멍(7b)은, 예컨대 서셉터(4)의 대향하는 한쌍의 변과 평행하게 배열되도록 소정의 간격을 두고서 2개소 형성되어 있다. 관통 삽입 구멍(7a, 7b)에는 각각 기판(G)을 하방으로부터 지지해서 승강시키는 리프터 핀(8a, 8b)(제 1 및 제 2 승강 핀)이 서셉터(4)의 기판 탑재면에 대하여 돌몰 가능하게 삽입되어 있다. 리프터 핀(8a, 8b)은 각각 돌출시에 기판(G)의 주연부 및 중앙부에 접촉하도록 마련되어 있고, 도시하지 않은 위치결정용 부시(bush)에 의해 직경방향 또는 폭방향으로 위치결정되어서 관통 삽입 구멍(7a, 7b)내에 삽입되어 있다.
도 3은 기판 탑재 기구의 개략도이다.
리프터 핀(8a, 8b)은 각각 도 3에 도시하는 바와 같이 하부가 챔버(2)의 외측으로 돌출하여 있고, 하단부가 구동부(9a, 9b)에 접속되고, 이 구동부(9a, 9b)의 구동에 의해 승강함으로써 서셉터(4)의 기판 탑재면에 대하여 돌출 및 몰입하도록 구성되어 있다. 구동부(9a, 9b)는 각각 예를 들어 스텝핑 모터를 이용하여 구성된다.
리프터 핀(8a, 8b)의 하부에는 각각 플랜지(26)가 형성되어 있고, 각 플랜지(26)에는, 리프터 핀(8a, 8b)을 둘러싸도록 마련된 신축가능한 벨로우즈(27)의 일단부(하단부)가 접속되고, 이 벨로우즈(27)의 타단부(상단부)는 챔버(2)의 바닥벽에 접속되어 있다. 이로써, 벨로우즈(27)는, 리프터 핀(8a, 8b)의 승강에 추종하여 신축하는 동시에, 관통 삽입 구멍(7a, 7b)과 리프터 핀(8a, 8b)의 간극을 밀봉하고 있다.
구동부(9a, 9b)의 구동은 마이크로프로세서(컴퓨터)를 구비한 콘트롤러(31)에 의해 별개로 제어되는 구성으로 되어 있고, 이로써 리프터 핀(8a)과 리프터 핀(8b)은 독립적으로 승강 가능하게 구성되어 있다. 콘트롤러(31)에는, 공정 관리자가 구동부(9a, 9b)의 구동을 관리하기 위해서 명령의 입력 조작 등을 실행하는 키보드나, 구동부(9a, 9b)의 구동 상황을 가시화해서 표시하는 디스플레이 등으로 이루어지는 유저 인터페이스(user interface)(32)와, 구동부(9a, 9b)의 구동을 콘트롤러(31)의 제어에 의해 실현하기 위한 제어 프로그램이나 구동 조건 데이터 등이 기록된 레시피(recipe)가 저장된 기억부(33)가 접속되어 있다. 그리고, 필요에 따라서 유저 인터페이스(32)로부터의 지시 등에 의해 임의의 레시피를 기억부(33) 로부터 호출해서 콘트롤러(31)에 실행시킴으로써, 콘트롤러(31)의 제어하에서 구동부(9a, 9b)의 구동 및 정지가 실행된다. 상기 레시피는, 예컨대 CD-ROM, 하드 디스크, 플래시 메모리(flash memory) 등의 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체에 저장된 상태의 것을 이용하거나, 또는 다른 장치로부터, 예컨대 전용 회선을 거쳐서 수시로 전송시켜서 이용하는 것도 가능하다.
콘트롤러(31), 유저 인터페이스(32) 및 기억부(33)는 구동부(9a, 9b)에 의한 리프터 핀(8a, 8b)의 승강을 제어하는 제어부를 구성하고, 서셉터(4), 리프터 핀(8a, 8b), 구동부(9a, 9b) 및 제어부는 기판 탑재 기구를 구성한다.
이와 같이 구성된 플라즈마 에칭 장치(1)에 있어서는, 우선 게이트 밸브(22)에 의해 반입출구(21)가 개방된 상태에서, 기판(G)이 반송 아암(40)(도 2, 도 4의 가상선 참조)에 의해 반입출구(21)로부터 반입되어서 서셉터(4)의 상방까지 반송되면, 각 리프터 핀(8a, 8b)을 상승시켜서 반송 아암(40)보다도 높게 돌출시킨다. 또, 각 리프터 핀(8a, 8b)과 반송 아암(40)은 서로 접촉하지 않도록 마련되어 있다. 이로써, 기판(G)이 반송 아암(40)상으로부터 리프터 핀(8a, 8b)상으로 옮겨진다. 이때에, 상기와 같이 , 기판(G)의 하중이 각 리프터 핀(8a, 8b)에 분산되도록, 리프터 핀(8a)을 리프터 핀(8b)보다도 소정량 높게 위치시켜, 기판(G)을 아래로 볼록형상으로 휜 상태에서 각 리프터 핀(8a, 8b)에 의해 지지시킨다. 반송 아암(40)이 반입출구(21)로부터 챔버(2) 외부로 퇴출하면, 게이트 밸브(22)에 의해 반입출구(21)를 폐색하는 동시에, 리프터 핀(8a)을 리프터 핀(8b)보다도 소정량 높은 위치에 유지하면서 리프터 핀(8a, 8b)을 하강시킨다. 그리고, 리프터 핀(8b), 리프터 핀(8a)의 순서로 서셉터(4)의 탑재면에 몰입시켜, 기판(G)을 서셉터(4)에 탑재시킨다. 기판(G)의 하중은 각 리프터 핀(8a, 8b)에 균형있게 분산되어 있기 때문에, 기판(G)은 리프터 핀(8a, 8b)의 지지 반력에 의한 변형, 특히 리프터 핀(8b)에 의한 중앙부의 변형이 억지되어, 전체면 또는 거의 전체면에 걸쳐서 서셉터(4)의 탑재면에 접촉할 수 있다.
게이트 밸브(22)에 의해 반입출구(21)를 폐색하고, 서셉터(4)에 기판(G)을 탑재하면, 배기 장치(20)에 의해 챔버(2)내를 소정의 진공도까지 진공 흡인한다. 다음에, 처리 가스 공급원(18)으로부터 처리 가스를, 매스플로우 콘트롤러(17)에 의해 유량 조정하면서, 처리 가스 공급관(15), 가스 도입구(14) 및 샤워헤드(11)를 거쳐서 챔버(2)내에 공급하고, 이 상태에서 정전 흡착 기구에 직류 전압을 인가해서 기판(G)을 서셉터(4)에 흡착시킨다.
그리고, 고주파 전원(25)으로부터 정합기(24)를 거쳐서 서셉터(4)에 고주파 전력을 인가하여, 하부 전극으로서의 서셉터(4)와 상부 전극으로서의 샤워헤드(11) 사이에 고주파 전계를 발생시켜서 챔버(2)내의 처리 가스를 플라즈마화시키는 동시에, 기판(G)의 온도 변화, 예를 들어 온도 상승을 회피하기 위해서, 온도 조절 가스 공급원(42)으로부터의 온도 조절 가스를, 압력 제어 밸브(43)에 의해 소정의 압력으로 조정하면서, 온도 조절 가스 공급 라인(41)을 거쳐서 서셉터(4)에 흡착된 기판(G)의 이면측의 냉각 공간에 도입한다. 이 상태에서, 처리 가스의 플라즈마에 의해 기판(G)에 에칭 처리가 실시된다.
기판(G)에 에칭 처리를 실시하면, 고주파 전원(25)으로부터의 고주파 전력의 인가를 정지하는 동시에, 처리 가스 및 온도 조절 가스의 도입을 정지하고, 또한 정전 흡착 기구에 의한 기판(G)의 흡착을 해제한다. 다음에, 게이트 밸브(22)에 의해 반입출구(21)를 개방하는 동시에, 반송 아암(40)으로부터의 기판(G)의 수취시와 마찬가지로, 리프터 핀(8a, 8b)을 상승시키고, 기판(G)을 아래로 볼록형상으로 휘게 해서 서셉터(4)로부터 상방으로 이격시킨다. 그 후, 반송 아암(40)이 반입출구(21)로부터 챔버(2)내로 진입하여 오면, 리프터 핀(8a, 8b)을 하강시킨다. 이로써, 기판(G)이 리프터 핀(8a, 8b)상으로부터 반송 아암(40)상으로 옮겨진다. 그리고, 기판(G)은 반송 아암(40)에 의해 반입출구(21)로부터 챔버(2) 외부로 반출되게 된다.
본 실시형태에서는, 리프터 핀(8a)을 리프터 핀(8b)보다도 소정량 높게 배치해서 기판(G)을 아래로 볼록형상으로 휘게 한 상태에서 지지함으로써, 리프터 핀(8a, 8b) 사이 부분의 휨 및 리프터 핀(8b)의 지지 반력에 의한 기판(G)의 변형을 억지하여, 하부 전극으로서 기능하는 서셉터(4)에 대한 기판(G)의 떠오름을 억지할 수 있으므로, 플라즈마 에칭 처리시에 서셉터(4)로부터 공급되는 온도 조절 가스에 의해 기판(G)을 전체면에 걸쳐서 거의 균등하게 냉각할 수 있고, 이로써 에칭 불균일의 발생을 효과적으로 억지하는 것이 가능해진다. 또한, 에칭 처리후에도 동일하게, 리프터 핀(8a)을 리프터 핀(8b)보다도 소정량 높게 배치해서 기판(G)을 아래로 볼록형상으로 휘게 한 상태에서 지지함으로써, 리프터 핀(8b)의 지지 반력에 의한 기판(G)의 변형을 억지할 수 있으므로, 에칭의 후처리의 품질도 높이는 것이 가능해진다.
다음에, 리프터 핀(8a, 8b)에 의한 반송 아암(40) 및 서셉터(4)로부터의 기판(G)의 수취의 일례에 대해서 설명한다.
도 5는 리프터 핀(8a, 8b)에 의한 반송 아암(40)으로부터의 기판(G)의 수취 태양을 설명하기 위한 도면이다.
반송 아암(40)에 의해 반송된 기판(G)은 이 반송 아암(40)에 흡착되어 있는 경우가 있다. 이 경우에, 리프터 핀(8a, 8b)을 단번에 상승시켜서 반송 아암(40)으로부터 기판(G)을 수취하려고 하면, 기판(G)이 흡착되어 있던 반송 아암(40)으로부터 벗겨졌을 때에 충격을 받아서 크게 진동하여, 위치 어긋남을 일으키거나 파손할 우려가 있다. 여기에서, 리프터 핀(8a, 8b)에 의해 반송 아암(40)으로부터 기판(G)을 수취할 때에는, 우선 도 5(a)에 도시하는 바와 같이 리프터 핀(8a)이 리프터 핀(8b)보다도 소정량 높게 배치되도록 리프터 핀(8a, 8b)을 상승시키고, 도 5(b)에 도시하는 바와 같이 기판(G)이 반송 아암(40)과의 접촉을 유지한 채 리프터 핀(8a)에 접촉해서 아래로 볼록형상으로 휜 상태, 보다 바람직하게는 기판(G)이 반송 아암(40)으로부터 떨어지기 직전의 상태일 때에, 리프터 핀(8a, 8b)의 상승을 일단 정지시킨다. 이로써, 기판(G)이 반송 아암(40)에 흡착되어 있는 경우에 있어서도, 서서히 기판(G)을 반송 아암(40)으로부터 벗기기 위해서, 기판(G)의 진동을 억제할 수 있다. 그리고, 도 5(c)에 도시하는 바와 같이, 리프터 핀(8a, 8b)의 상승을 재개시켜, 기판(G)을 반송 아암(40)으로부터 이격시킨다. 이로써, 기판(G)을 반송 아암(40)상으로부터 리프터 핀(8a, 8b)상으로 안전하게 옮기는 것이 가능해진다.
또, 도 5(c)에 도시하는 바와 같이, 리프터 핀(8a, 8b)의 상승을 재개시켜, 기판(G)을 반송 아암(40)으로부터 이격시켰을 때에, 예컨대 중앙부가 반송 아암(40)에 흡착되어 있는 것에 의해 기판(G)에 진동이 생겼을 경우에는, 도 5(d)에 도시하는 바와 같이, 리프터 핀(8a, 8b)을 하강시킨다. 그리고, 도 5(e)에 도시하는 바와 같이, 기판(G)이 아래로 볼록형상으로 휜 채로 반송 아암(40)에 다시 접촉한 상태, 보다 바람직하게는 기판(G)이 반송 아암(40)에 접촉한 직후의 상태일 때에, 리프터 핀(8a, 8b)의 하강을 정지시킨다. 이 상태에서는, 기판(G)과 반송 아암(40)의 접촉 부분이 작아서, 기판(G)이 반송 아암(40)에 다시 흡착해버릴 우려는 없기 때문에, 기판(G)의 진동을 보다 확실하게 억제할 수 있다. 그 후, 도 5(f)에 도시하는 바와 같이, 리프터 핀(8a, 8b)을 다시 상승시키고, 기판(G)을 반송 아암(40)으로부터 이격시킴으로써, 기판(G)을 반송 아암(40)상으로부터 리프터 핀(8a, 8b)상으로 보다 안전하게 옮기는 것이 가능해진다.
도 6은 리프터 핀(8a, 8b)에 의한 서셉터(4)로부터의 기판(G)의 수취 태양을 설명하기 위한 도면이다.
에칭 처리후의 기판(G)은, 정전 흡착 기구에 의한 흡착을 해제해도, 하부 전극으로서 기능하는 서셉터(4)에 흡착되어 있을 경우가 있기 때문에, 리프터 핀(8a, 8b)에 의한 서셉터(4)로부터의 기판(G)의 수취도, 반송 아암(40)으로부터의 수취와 동일하게 실행하는 것이 바람직하다. 우선, 도 6(a)에 도시하는 바와 같이, 리프터 핀(8a)이 리프터 핀(8b)보다도 소정량 높게 배치되도록, 리프터 핀(8a, 8b)을 상승시키고[리프터 핀(8a)만을 상승시켜도 좋음), 도 6(b)에 도시하는 바와 같이, 기판(G)이 반송 아암(40)과의 접촉을 유지한 채 리프터 핀(8a)에 접촉해서 아래로 볼록형상으로 휜 상태, 보다 바람직하게는 기판(G)이 서셉터(4)로부터 떨어지기 직전의 상태일 때에, 리프터 핀(8a, 8b)의 상승을 일단 정지시킨다. 그리고, 도 6(c)에 도시하는 바와 같이, 리프터 핀(8a, 8b)의 상승을 재개시켜, 기판(G)을 반송 아암(40)으로부터 이격시킨다. 이로써, 기판(G)의 진동을 억제하여, 기판(G)을 서셉터(4)상으로부터 리프터 핀(8a, 8b)상으로 안전하게 옮기는 것이 가능해진다.
또, 도 6(c)에 도시하는 바와 같이, 리프터 핀(8a, 8b)의 상승을 재개시켜, 기판(G)을 서셉터(4)로부터 이격시켰을 때에, 예컨대 중앙부가 서셉터(4)에 흡착되어 있는 것에 의해 기판(G)에 진동이 생겼을 경우에는, 도 6(d)에 도시하는 바와 같이 리프터 핀(8a, 8b)을 하강시켜, 도 6(e)에 도시하는 바와 같이 기판(G)이 아래로 볼록형상으로 휜 채로 서셉터(4)에 다시 접촉한 상태, 보다 바람직하게는 기판(G)이 서셉터(4)에 접촉한 직후의 상태일 때에, 리프터 핀(8a, 8b)의 하강을 정지시킨다. 그 후, 도 6(f)에 도시하는 바와 같이, 리프터 핀(8a, 8b)을 다시 상승시켜, 기판(G)을 반송 아암(40)으로부터 이격시킨다. 이로써, 기판(G)의 진동을 보다 확실하게 억제하여, 기판(G)을 서셉터(4)상으로부터 리프터 핀(8a, 8b)상으로 보다 안전하게 옮기는 것이 가능해진다.
다음에, 리프터 핀(8a)과 리프터 핀(8b)의 돌출 높이의 차이를 조정하면서, 기판(G)을 지지했을 때의 각 리프터 핀(8a, 8b)에 작용하는 기판(G)의 하중을 측정했다. 기판(G)의 사이즈(세로×가로)는 1800㎜×1500㎜로 하고, 각 리프터 핀(8a, 8b)에 작용하는 기판(G)의 하중 측정은 도 7에 도시하는 바와 같이 각 리프터 핀(8a, 8b)의 선단부에 마련한 하중 검출부로서의 하중 센서(50)에 의해 실행했다. 결과를 도 8에 나타낸다. 또, 도 8에서는, 세로축을 [각 하중 센서(50)에 의한 측정값]으로 하고, 가로축을 [리프터 핀(8b)의 높이-리프터 핀(8a)의 높이]로 했다.
도 8에 도시하는 바와 같이, 리프터 핀(8a)을 리프터 핀(8b)보다도 약간 높게 배치했을 경우에는, 각 하중 센서(50)에 의한 측정값에 큰 편차가 생기고 있지만, 리프터 핀(8a)과 리프터 핀(8b)의 높이의 차이가 커짐에 따라서, 각 하중 센서(50)에 의한 측정값의 편차가 작아지고, 리프터 핀(8a)을 리프터 핀(8b)보다도 소정량, 여기에서는 20㎜정도 높게 배치했을 경우에는, 리프터 핀(8a)을 리프터 핀(8b)과 동일한 높이에 배치했을 경우, 또는 리프터 핀(8a)을 리프터 핀(8b)보다도 낮은 높이에 배치했을 경우보다도, 각 하중 센서(50)에 의한 측정값의 편차가 작아지고 있다. 즉, 본 실시형태와 같이 리프터 핀(8a)을 리프터 핀(8b)보다도 소정량 높게 배치함으로써, 기판(G)의 하중을 각 리프터 핀(8a, 8b)에 균형있게 분산할 수 있는 것이 확인되었다. 따라서, 본 실시형태에 의하면, 기판(G)의 변형을 억지할 수 있는 동시에, 기판(G)을 안정적으로 지지할 수 있는 것으로 생각된다.
이상, 본 발명의 바람직한 실시형태를 설명했지만, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것은 아니고, 여러가지 변경이 가능하다. 상기 실시형태에서는, 기판의 중앙부를 지지하는 리프터 핀을 복수개, 예를 들면 2개라도 좋다. 이 리프터 핀은 1개라도 좋다. 또한, 상기 실시형태에서는, 기판의 주연부를 지지하는 리프터 핀이 기판의 중앙부를 지지하는 리프터 핀보다도 소정량 높게 배치되도록 독립된 구동부를 채용했지만, 이것에 한정하지 않고, 각 리프터 핀의 길이를 미리 바꾸 어 두고, 각 리프터 핀을 동일한 구동부에 의해 구동시키는 것도 가능하고, 각 리프터 핀의 길이를 미리 바꾸어 두고, 또한 독립된 구동부를 사용하는 것도 가능하다. 더욱이, 상기 실시형태에서는, 하부 전극에 고주파 전력을 인가하는 RIE 타입의 용량 결합형 평행 평판 플라즈마 에칭 장치에 적용한 예에 대해서 설명했지만, 이것에 한정하지 않고, 애싱, CVD 성막 등의 다른 플라즈마 처리 장치에 적용 가능하고, 기판을 탑재대에 탑재하여 처리하는, 플라즈마 처리 장치 이외의 기판 처리 장치 전반에도 적용 가능하다. 더욱이, 상기 실시형태에서는 FPD용의 유리 기판에 적용한 예에 대해서 설명했지만, FPD용의 유리 기판 이외의 가요성을 갖는 기판 전반에 적용 가능하다.
도 1은 본 발명에 따른 기판 탑재 기구를 구비한 기판 처리 장치의 일 실시형태인 플라즈마 에칭 장치의 측면 방향의 개략 단면도,
도 2는 플라즈마 에칭 장치의 평면 방향의 개략 단면도,
도 3은 기판 탑재 기구의 개략도,
도 4는 기판 탑재 기구의 구성요소인 리프터 핀에 의한 기판의 지지 태양을 설명하기 위한 도면,
도 5는 리프터 핀에 의한 반송 아암으로부터의 기판의 수취 태양을 설명하기 위한 도면,
도 6은 리프터 핀에 의한 서셉터로부터의 기판의 수취 태양을 설명하기 위한 도면,
도 7은 리프터 핀에 작용하는 기판의 하중 측정 방법을 설명하기 위한 도면,
도 8은 도 7에 도시한 측정 방법에 의한 측정 결과를 도시한 도면,
도 9는 종래의 기판 탑재 기구의 개략도.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
1 : 플라즈마 에칭 장치(기판 처리 장치 : 플라즈마 처리 장치)
2 : 챔버(처리 용기) 4 : 서셉터(탑재대)
8a : 리프터 핀(제 1 승강 핀) 8b : 리프터 핀(제 2 승강 핀)
9a, 9b : 구동부(구동 기구) 15 : 처리 가스 공급관
18 : 처리 가스 공급원 19 : 배기관
20 : 배기 장치 25 : 고주파 전원
31 : 콘트롤러 32 : 유저 인터페이스
33 : 기억부 4O : 반송 아암(반송 부재)
50 : 하중 센서(하중 검출부) G : 유리 기판(피처리 기판)

Claims (15)

  1. 정전흡착기구를 구비하고, 가요성을 갖는 피처리 기판을 탑재하는 탑재대와,
    상기 탑재대의 탑재면에 대하여 돌몰 가능하게 마련되고, 피처리 기판을 지지해서 상기 탑재대의 상방의 기판의 주고받음을 실행하는 주고받음 위치와 상기 탑재대상의 탑재 위치 사이에서 승강시키는 복수의 승강 핀과,
    상기 승강 핀을 구동시키는 구동 기구를 구비하는 기판 탑재 기구에 있어서,
    상기 복수의 승강 핀은, 피처리 기판의 주연부를 지지하는 제 1 승강 핀과, 피처리 기판의 중앙부를 지지하는 제 2 승강 핀을 갖고,
    상기 구동 기구는, 피처리 기판을 승강시킬 때에, 상기 제 1 승강 핀을 상기 제 2 승강 핀보다도 높게 돌출시켜서, 피처리 기판이 아래로 볼록형상으로 휜 상태에서 안정적으로 지지되도록 하며,
    상기 구동 기구에 의한 상기 제 1 및 제 2 승강 핀의 구동을 제어하는 제어부를 구비하고,
    상기 제어부는, 상기 탑재대에 정전흡착되어 있는 상기 탑재 위치의 피처리 기판을 상기 주고받음 위치를 향해서 상승시키고 있는 도중에, 피처리 기판이 상기 탑재대와의 접촉을 유지한 채 아래로 볼록형상으로 휜 상태일 때에 상기 제 1 및 제 2 승강 핀의 돌출방향으로의 구동을 일단 정지시키는 것을 특징으로 하는
    기판 탑재 기구.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 구동 기구는 상기 제 1 승강 핀과 상기 제 2 승강 핀을 독립적으로 구동시키는 것이 가능한 것을 특징으로 하는
    기판 탑재 기구.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 승강 핀과 기판의 주고받음을 행하는 반송 부재의 길이방향에 있어서, 상기 피처리 기판이 아래로 볼록하게 휜 상태의 휘어진 양은 동일한 것을 특징으로 하는
    기판 탑재 기구.
  4. 가요성을 갖는 피처리 기판을 탑재하는 탑재대와,
    상기 탑재대의 탑재면에 대하여 돌몰 가능하게 마련되고, 피처리 기판을 지지해서 상기 탑재대의 상방의 기판의 주고받음을 실행하는 주고받음 위치와 상기 탑재대상의 탑재 위치 사이에서 승강시키는 복수의 승강 핀과,
    상기 승강 핀을 구동시키는 구동 기구를 구비하는 기판 탑재 기구에 있어서,
    상기 복수의 승강 핀은, 피처리 기판의 주연부를 지지하는 제 1 승강 핀과, 피처리 기판의 중앙부를 지지하는 제 2 승강 핀을 갖고,
    상기 구동 기구는, 피처리 기판을 승강시킬 때에, 상기 제 1 승강 핀을 상기 제 2 승강 핀보다도 높게 돌출시켜서, 피처리 기판이 아래로 볼록형상으로 휜 상태 에서 안정적으로 지지되도록 하며,
    상기 구동 기구에 의한 상기 제 1 및 제 2 승강 핀의 구동을 제어하는 제어부를 구비하고,
    상기 제어부는, 상기 탑재 위치의 피처리 기판을 상기 주고받음 위치를 향해서 상승시키고 있는 도중에, 피처리 기판이 상기 탑재대와의 접촉을 유지한 채 아래로 볼록형상으로 휜 상태일 때에 상기 제 1 및 제 2 승강 핀의 돌출방향으로의 구동을 일단 정지시키고, 이 구동을 재개시켜서 피처리 기판을 상기 탑재대로부터 이격시킨 후, 상기 제 1 및 제 2 승강 핀을 몰입방향으로 구동시키고, 피처리 기판이 아래로 볼록형상으로 휜 채로 상기 탑재대에 접촉한 상태일 때에 이 구동을 정지시키고, 그 후 상기 제 1 및 제 2 승강 핀을 다시 돌출방향으로 구동시키는 것을 특징으로 하는
    기판 탑재 기구.
  5. 제 1 항 또는 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 승강 핀은 반송 부재에 의해 하방으로부터 지지되어서 상기 주고받음 위치에 반송된 피처리 기판을 수취하도록 구성되어 있고,
    상기 제어부는, 상기 제 1 및 제 2 승강 핀이 상기 주고받음 위치를 향해서 돌출방향으로 구동하고 있는 도중에, 피처리 기판이 상기 반송 부재와의 접촉을 유지한 채 아래로 볼록형상으로 휜 상태일 때에 상기 제 1 및 제 2 승강 핀의 돌출방향으로의 구동을 일단 정지시키는 것을 특징으로 하는
    기판 탑재 기구.
  6. 제 1 항 또는 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 승강 핀은 반송 부재에 의해 하방으로부터 지지되어서 상기 주고받음 위치에 반송된 피처리 기판을 수취하도록 구성되어 있고,
    상기 제어부는, 상기 제 1 및 제 2 승강 핀이 상기 주고받음 위치를 향해서 돌출방향으로 구동하고 있는 도중에, 피처리 기판이 상기 반송 부재와의 접촉을 유지한 채 아래로 볼록형상으로 휜 상태일 때에 상기 제 1 및 제 2 승강 핀의 돌출방향으로의 구동을 일단 정지시키고, 이 구동을 재개시켜서 피처리 기판을 상기 반송 부재로부터 이격시킨 후, 상기 제 1 및 제 2 승강 핀을 몰입방향으로 구동시키고, 피처리 기판이 아래로 볼록형상으로 휜 채로 상기 반송 부재에 접촉한 상태일 때에 이 구동을 정지시키고, 그 후 상기 제 1 및 제 2 승강 핀을 다시 돌출방향으로 구동시키는 것을 특징으로 하는
    기판 탑재 기구.
  7. 피처리 기판을 수용하는 처리 용기와,
    상기 처리 용기내에 마련되고, 피처리 기판을 탑재하는 탑재대를 갖는 기판 탑재 기구와,
    상기 탑재대에 탑재된 피처리 기판에 대하여 소정의 처리를 실시하는 처리 기구를 구비하고,
    상기 기판 탑재 기구는 제 1 항 내지 제 4 항중 어느 한 항에 기재된 구성을 갖는 것을 특징으로 하는
    기판 처리 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 처리 기구는, 상기 처리 용기내에 처리 가스를 공급하는 가스 공급 기구와, 상기 처리 용기내를 배기하는 배기 기구와, 상기 처리 용기내에 상기 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 플라즈마 생성 기구를 갖고, 피처리 기판에 대하여 플라즈마 처리를 실시하는 것을 특징으로 하는
    기판 처리 장치.
  9. 정전흡착기구를 구비하고, 가요성을 갖는 피처리 기판을 탑재하는 탑재대의 탑재면에 대하여 돌몰하는 복수의 승강 핀에 의해 피처리 기판을 지지해서 상기 탑재대의 상방의 기판의 주고받음을 실행하는 주고받음 위치와 상기 탑재대상의 탑재 위치 사이에서 승강시키는 기판 주고받음 방법에 있어서,
    상기 복수의 승강 핀을, 피처리 기판의 주연부를 지지하는 제 1 승강 핀과, 피처리 기판의 중앙부를 지지하는 제 2 승강 핀으로 구성하고,
    피처리 기판을 승강시킬 때에, 상기 제 1 승강 핀을 상기 제 2 승강 핀보다도 높게 돌출시켜서, 피처리 기판이 아래로 볼록형상으로 휜 상태에서 안정적으로 지지되도록 하며,
    상기 탑재대에 정전흡착되어 있는 상기 탑재 위치의 피처리 기판을 상기 주고받음 위치를 향해서 상승시키고 있는 도중에, 피처리 기판이 상기 탑재대와의 접촉을 유지한 채 아래로 볼록형상으로 휜 상태일 때에 상기 제 1 및 제 2 승강 핀의 돌출방향으로의 구동을 일단 정지시키는 것을 특징으로 하는
    기판 주고받음 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 승강 핀 각각에 피처리 기판의 하중을 검출하는 하중 검출부를 마련하고, 상기 각 하중 검출부의 검출 결과에 근거하여, 상기 제 1 승강 핀과 상기 제 2 승강 핀의 돌출 높이의 차이를 조정하는 것을 특징으로 하는
    기판 주고받음 방법.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 복수의 승강 핀과 기판의 주고받음을 행하는 반송 부재의 길이방향에 있어서, 상기 피처리 기판이 아래로 볼록하게 휜 상태의 휘어진 양은 동일한 것을 특징으로 하는
    기판 주고받음 방법.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 탑재 위치의 피처리 기판을 상기 주고받음 위치를 향해서 상승시키고 있는 도중에, 피처리 기판이 상기 탑재대와의 접촉을 유지한 채 아래로 볼록형상으로 휜 상태일 때에 상기 제 1 및 제 2 승강 핀의 돌출방향으로의 구동을 일단 정지시키고, 이 구동을 재개시켜서 피처리 기판을 상기 탑재대로부터 이격시킨 후, 상기 제 1 및 제 2 승강 핀을 몰입방향으로 구동시키고, 피처리 기판이 아래로 볼록형상으로 휜 채로 상기 탑재대에 접촉한 상태일 때에 이 구동을 정지시키고, 그 후 상기 제 1 및 제 2 승강 핀을 다시 돌출방향으로 구동시키는 것을 특징으로 하는
    기판 주고받음 방법.
  13. 제 9 항 내지 제 12 항중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 승강 핀을, 반송 부재에 의해 하방으로부터 지지되어서 상기 주고받음 위치에 반송된 피처리 기판을 수취하도록 구성하고,
    상기 제 1 및 제 2 승강 핀이 상기 주고받음 위치를 향해서 돌출방향으로 구동하고 있는 도중에, 피처리 기판이 상기 반송 부재와의 접촉을 유지한 채 아래로 볼록형상으로 휜 상태일 때에 상기 제 1 및 제 2 승강 핀의 돌출방향으로의 구동을 일단 정지시키는 것을 특징으로 하는
    기판 주고받음 방법.
  14. 제 9 항 내지 제 12 항중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 승강 핀을, 반송 부재에 의해 하방으로부터 지지되어서 상기 주고받음 위치에 반송된 피처리 기판을 수취하도록 구성하고,
    상기 제 1 및 제 2 승강 핀이 상기 주고받음 위치를 향해서 돌출방향으로 구동하고 있는 도중에, 피처리 기판이 상기 반송 부재와의 접촉을 유지한 채 아래로 볼록형상으로 휜 상태일 때에 상기 제 1 및 제 2 승강 핀의 돌출방향으로의 구동을 일단 정지시키고, 이 구동을 재개시켜서 피처리 기판을 상기 반송 부재로부터 이격시킨 후, 상기 제 1 및 제 2 승강 핀을 몰입방향으로 구동시키고, 피처리 기판이 아래로 볼록형상으로 휜 채로 상기 반송 부재에 접촉한 상태일 때에 이 구동을 정지시키고, 그 후 상기 제 1 및 제 2 승강 핀을 다시 돌출방향으로 구동시키는 것을 특징으로 하는
    기판 주고받음 방법.
  15. 컴퓨터상에서 동작하는 제어 프로그램이 기억된 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체에 있어서,
    상기 제어 프로그램은, 실행시에 제 9 항 내지 제 12 항중 어느 한 항에 기재된 기판 주고받음 방법이 행해지도록, 컴퓨터에 처리 장치를 제어시키는 것을 특징으로 하는
    컴퓨터 판독 가능한 기억 매체.
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