KR20090051520A - 기판 처리 방법 - Google Patents

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Abstract

약액을 이용하여 기판 표면을 처리하는 기판 처리 방법이 개시된다. 상기 기판 처리 방법은 스핀 헤드가 회전을 시작한 이후, 상기 스핀 헤드로 약액이 토출되기전에 상기 스핀 헤드 상에 기판이 존재여부를 감지한다. 감지된 결과에 따라 상기 약액의 토출이 결정된다. 만약 스핀 헤드가 회전을 시작한 이후, 상기 스핀 헤드 상에 기판이 존재하지 않는 것을 감지하면, 상기 약액이 토출되는 것을 차단한다. 따라서, 회전하는 상기 스핀 헤드 상부에 기판이 존재하지 않는 상태에서, 토출을 시작한 약액이 처리액 회수 부재로 회수되지 않고, 다른 설비장치로의 유입을 차단함으로써, 기타 내부 설비의 손상을 방지할 수 있다.

Description

기판 처리 방법{METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}
본 발명은 기판을 처리하는 기판 처리 방법에 관한 것으로, 더 상세하게는 기판상에 약액을 토출하여 기판표면을 처리하는 기판 처리 방법에 관한 것이다.
반도체 제조 공정은 일련의 단위 공정들을 연속적 및 반복적으로 수행함으로써 반도체 집적회로 칩을 생산하는 공정이다. 이러한 단위 공정들 중 식각 공정 및 세정 공정은 웨이퍼 상에 잔류하는 이물질을 제거하는 공정이다.
일반적으로 식각 공정 및 세정 공정은 건식 처리 장치와 습식 처리 장치로 나뉜다. 이 중 습식 처리 장치는 하우징, 기판 지지부재, 그리고 노즐부를 가진다. 하우징은 내부에 식각 및 세정 공정이 수행되는 공간을 제공한다. 기판 지지부재는 하우징 내부에서 설치되며, 웨이퍼는 상기 기판 지지부재에 안착되고, 기판 지지부재의 회전에 따라 회전한다. 그리고, 노즐부는 회전되는 웨이퍼의 처리면에 약액을 토출하여 웨이퍼 표면에 잔류하는 이물질을 제거한다.
그런데, 종래의 습식 기판 처리 장치에서는, 상기 기판 지지부재에 상기 웨이퍼의 안착 여부를 감지한 이후, 상기 기판 지지부재가 회전을 시작하게 된다. 즉, 종래의 습식 기판 처리 장치에서는, 상기 기판 지지부재의 회전이 시작된 이후 에는, 상기 기판 지지부재에 상기 웨이퍼의 안착 여부를 감지하지 않는다. 따라서, 상기 기판 지지부재가 회전을 시작하게 되면, 설령 상기 기판 지지부재에 웨이퍼가 안착되어 있지 않더라도 약액이 토출하게 된다. 토출된 약액은 기판 처리 장치의 내부 설비로 흘러들어가 상기 내부 설비를 손상시킨다.
상술한 바와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위해 본 발명은 약액으로부터 기판 처리 장치의 내부 설비를 보호할 수 있는 기판 처리 방법을 제공하는 것이다.
상기와 같은 기술적 과제를 해결하기 위해 본 발명의 기판 처리 방법은 스핀 헤드 상부에 상기 기판이 안착되는 과정과, 상기 기판이 회전되기 위해 상기 스핀 헤드가 회전되는 과정과, 회전하는 상기 스핀 헤드 상부에 상기 기판의 존재 여부를 감지하는 과정 및 상기 기판의 존재 여부가 감지된 감지결과에 따라서 상기 약액의 토출을 결정하는 과정을 포함한다.
본 발명의 기판 처리 방법에 의하면, 스핀 헤드가 회전을 시작한 이후, 스핀 헤드로 약액이 토출되기 전에 스핀 헤드 상에 기판의 존재여부를 감지한다. 이 감지된 결과에 따라 회전하는 스핀 헤드로 약액의 토출이 결정된다. 만약 스핀 헤드가 회전을 시작한 이후, 상기 스핀 헤드 상에 기판이 존재하지 않는 것을 감지하면, 상기 약액이 토출되는 것을 차단한다.
따라서, 회전하는 상기 스핀 헤드 상부에 기판이 존재하지 않는 상태에서, 토출을 시작한 약액이 처리액 회수 부재로 회수되지 않고, 다른 설비장치로의 유입되는 것을 차단함으로써, 기타 내부 설비의 손상을 방지할 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 본 명세서에서 제시하는 실시예에 의해 한정되지 않고 다른 방법로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
또한, 본 발명의 실시예에서는 세정 및 건조 공정을 수행하는 매엽식 기판 처리 장치를 예로 들어 설명한다. 그러나, 본 발명은 기판을 지지하는 기판 지지부재가 구비되는 모든 반도체 제조 장치에 적용될 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 방법을 수행하는 매엽식 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 1을 참조하면, 상기 매엽식 기판 처리 장치(100)는 하우징(110), 처리액 회수부재(120), 기판 지지부재(130), 노즐부(140), 노즐부 구동기(150), 약액 공급부재(160), 이탈 감지부(180) 및 제어부(190)를 포함한다.
하우징(110)는 내부에 세정 공정을 수행하는 공간을 제공한다. 하우징(110)은 상부가 개방된 원통형상을 가진다. 하우징(110)의 개방된 상부는 공정시 기판(W)의 출입이 이루어지는 출입구로 사용된다.
처리액 회수부재(120)는 공정시 기판(W)의 처리면으로 분사되는 처리액들을 회수한다. 처리액 회수부재(120)는 상하 적층되는 제 1 내지 제 3 회수통(122, 124, 126)을 가진다. 제 1 내지 제 3 회수통(122, 124, 126) 각각은 하우징(110)의 내측벽을 따라 환형으로 제공된다. 제 1 회수통(122)은 내부에 제 1 세정액을 회수 하는 공간(S1)을 가진다. 같은 방식으로 제 2 회수통(124)은 내부에 제 2 세정액을 회수하는 공간(S2)을 가지고, 제 3 회수통(126)은 내부에 린스액을 회수하는 공간(S3)을 가진다. 또한, 회수통들(122, 124, 126) 각각은 기판(W)의 처리면으로 공급되는 제 1 및 제 2 세정액, 그리고 린스액이 유입되도록 일부가 개방된다. 제 1 내지 제 3 회수통(122, 124, 126) 각각은 개방된 일부를 통해 제 1 및 제 2 세정액, 그리고 린스액을 유입시킨 후 각각의 공간(s1, s2, s3)에 처리액을 수용한다. 제 1 회수라인(122a)은 공간(s1)과 연결되어, 공간(s1) 내 제 1 세정액을 회수한다. <44> 같은 방식으로서, 제 2 회수라인(124a)은 공간(S2)과 연결되어, 공간(S2) 내 제 2 세정액을 회수하고, 제 3 회수라인(126a)은 공간(S3)과 연결되어, 공간(S3) 내 린스액을 회수한다. 여기서, 제 1 및 제 2 처리액은 서로 다른 종류의 세정액이고, 상기 제 3 처리액은 린스액일 수 있다. 예컨대, 제 1 세정액은 불산(HF) 용액이고, 제 2 세정액은 SC-1(Standard Clean-1) 용액이고, 린스액은 초순수이다.
기판 지지부재(130)는 공정시 기판(W)을 지지한다. 기판 지지부재(130)는 스핀 헤드(200), 회전축(134), 그리고 구동부(136)를 가진다. 스핀 헤드(200)는 상부에 기판을 지지한다. 스핀 헤드(200)는 몸체(210) 및 척킹핀(212)를 포함한다. 몸체(210)는 원통 형상으로 제작된다. 몸체(210)의 표면의 가장자리 부분에 상기 몸체의 표면으로부터 상향되어 연장된다. 척킹핀(212)들은 기판(W)을 지지한다. 각 척킹핀(212)들은 공정 진행시 기판(W)의 가장자리 일부를 척킹(chucking)하거나 언척킹(unchucking)한다. 회전축(134)은 하우징(110) 내부 중앙에서 회전가능하도록 설치된다. 회전축(134)은 일단이 스핀 헤드(200)의 중앙 하부에 결합되고, 타단은 구동부(136)에 결합된다. 구동부(136)는 회전축(134)을 회전시켜 스핀 헤드(200)를 회전시킨다. 또한, 구동부(136)는 회전축(134)을 승강시켜 스핀 헤드(200)의 높이를 조절한다. 특히, 구동부(136)는 세정 및 건조 공정시 사용되는 처리액들이 효과적으로 제 1 내지 제 3 회수통(122, 124, 126)으로 회수되도록 스핀 헤드(200)의 높이를 조절한다. 여기서, 스핀 헤드(200)에 대한 상세한 설명은 후술하겠다.
노즐부(140)는 기판(W)의 처리면으로 약액를 분사한다. 노즐부(140)는 적어도 하나의 노즐(nozzle)들을 가진다. 노즐부 구동기(150)는 노즐부(140)를 구동한다. 노즐부 구동기(150)는 공정 위치(a) 및 대기 위치(b) 상호간에 노즐부(140)를 이동시킨다. 공정 위치(a)는 노즐부(140)가 기판(W)의 처리면으로 약액를 분사하는 위치이고, 대기 위치(b)는 공정 위치(a)로 이동되기 전에 하우징(110) 외부에서 대기하는 위치이다. 노즐부 구동기(150)는 제 1 아암(152), 제 2 아암(154), 그리고 구동모터(156)를 가진다. 제 1 아암(152)은 용기(110)의 상부에서 수평으로 설치된다. 제 1 아암(152)의 일단은 노즐부(140)와 결합되고, 제 1 아암(152)의 타단은 제 2 아암(154)과 결합된다. 제 2 아암(154)은 제 1 아암(152)과 수직하게 설치된다. 구동모터(156)는 제 2 아암(154)을 회전 및 승강 운동한다. 따라서, 노즐부 구동기(150)는 노즐부(140)를 승강 운동 및 회전 운동시킨다.
약액 공급부재(160)는 노즐부(140)로 약액를 공급한다. 도면에 도시되지는 않았으나, 상기 약액 공급부재(160)는 세정액 공급부재, 린스액 공급부재 그리고 건조가스 공급부재를 포함한다. 세정액 공급부재는 노즐부(140)로 제 1 및 제 2 세 정액을 공급한다. 린스액 공급부재는 노즐부(140)로 린스액을 공급한다. 건조가스 공급부재는 건조가스 공급원(166a) 및 건조가스 공급라인(164b)을 가진다. 건조가스 공급부재는 노즐부(140)로 건조가스를 공급한다. 여기서, 건조가스로는 질소가스가 사용될 수 있다.
배기부재(170)는 하우징(110) 내 공기를 외부로 배출시킨다. 배기부재(170)는 배출라인(172) 및 흡입 부재(174)를 가진다. 배출라인(172)은 하우징(110)의 하측에서 하우징(110) 내 공간과 통한다. 배출라인(172)은 하우징(110)의 하부 영역 내 공기를 외부를 배출시킨다. 흡입 부재(174)는 배출라인(172) 상에 설치된다. 흡입 부재(174)는 배출라인(172)에 유동압을 제공하여, 하우징(110) 내 공기를 강제 흡입한다. 흡입 부재(174)로는 진공펌프(vacuum pump)가 사용될 수 있다.
이탈 감지부(180)는 상기 스핀 헤드(200)에 상기 기판(W)의 존재 여부를 판별한다. 상기 이탈 감지부(180)는 기판(W)의 상부와 하부 중 어느 위치에 설치된 발광부(182)와, 기판(W)의 상부와 하부 중 다른 위치에 설치된 수광부(182)를 포함하는 투과형 광센서일 수 있다. 상기 기판(W)의 하부에 설치되는 상기 발광부(182)와 상기 수광부(184) 중 어느 하나는 상기 스핀 헤드(200)의 몸체(210) 내부에 설치된다. 본 실시예에서는 상기 발광부(182)가 상기 기판(W)의 상부에 설치되고, 상기 수광부(184)가 상기 스핀 헤드(200)의 몸체(210) 내부에 설치되는 것으로 가정한다. 따라서, 본 실시예에서는, 상기 수광부(184)가 상기 기판(W)의 하부에 설치된다.
상기 이탈 감지부(180)가 투과형 광센서의 경우, 발광부(182)에서 조사된 빛 은 수광부(184)를 향하며, 수광부(184)는 발광부(182)에서 조사된 빛을 수광하였는지 여부에 따라 웨이퍼(W)의 존재 여부를 감지할 수 있다. 수광부(540)가 빛을 수광한 경우에는 웨이퍼(W)가 존재하지 않으며, 수광부(540)가 빛을 수광하지 못한 경우에는 웨이퍼(W)는 존재한다.
또한, 도면에 도시되지는 않았으나, 상기 이탈 감지부(180)는 웨이퍼(W)의 상부와 하부 중 어느 하나에 설치된 발광부(182)와, 발광부(182)와 인접하도록 설치된 수광부(184)를 포함하는 반사형 광센서일 수 있다.
상기 이탈 감지부(180)가 반사형 광센서의 경우, 발광부(182)에서 조사된 빛은 기판(W)의 표면에서 반사되며, 반사된 빛은 수광부(184)를 향한다. 수광부(184)는 발광부(182)에서 조사된 빛을 수광하였는지 여부에 따라 웨이퍼(W)의 존재 여부를 감지할 수 있다. 수광부(184)가 빛을 수광한 경우에는 웨이퍼(W)가 존재하며, 수광부(184)가 빛을 수광하지 못한 경우에는 기판(W)은 존재하지 않는다.
한편, 상기 이탈 감지부(500)에 의해 감지된 결과는 제어부(190)로 전송되며, 제어부(190)는 감지된 결과에 따라 처리액 공급부재(160)를 제어한다.
상기 제어부(190)는 상기 스핀 헤드(200)가 회전을 시작 이후, 상기 이탈 감지부(180)로부터 전송된 상기 감지된 결과에 따라 상기 처리액 공급부재(160)로부터의 약액의 토출 여부를 결정한다. 즉, 상기 이탈 감지부(180)에 의해 상기 스핀 헤드(200) 상에 기판(W)이 존재하지 않는 것으로 감지되면, 상기 제어부(190)는 상기 처리액 공급부재(160)를 제어하여 상기 약액의 토출을 차단한다. 반대로, 상기 이탈 감지부(180)에 의해 상기 스핀 헤드(200) 상에 기판(W)이 존재하는 것으로 감 지되면, 상기 제어부(190)는 상기 처리액 공급부재(160)를 제어하여 상기 약액의 토출을 시작한다.
도 2는 도 1에 도시된 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 이송 로봇 등과 같은 운송수단을 통해 기판(W)이 스핀 헤드(200) 상에 척킹된다(S310). 이후, 이탈 감지부(180)를 통해 상기 스핀 헤드(200) 상에 상기 기판(W)이 존재하는지의 여부를 1차적으로 감지한다(S320). 상기 스핀 헤드(200) 상에 기판(W)이 존재하는 것으로 감지되면, 상기 기판(W)을 회전시키기 위하여 상기 스핀 헤드(200)가 회전을 시작한다(S330). 만약, 상기 스핀 헤드(200) 상에 기판(W)이 존재하지 않는 것으로 감지되면, 이러한 감지된 결과는 제어부(190)를 통해 작업자에게 통보된다(S360). 작업자는 모든 공정을 중지시켜 다음 단계로 공정이 진행되는 것을 차단한다.
계속해서, 상기 스핀 헤드(200)가 회전을 시작한 시점 이후, 이탈 감지부(180)를 통해 상기 스핀 헤드(200) 상에 상기 기판(W)이 존재하는지의 여부를 2차적으로 감지한다(S340). 이 과정에서, 상기 스핀 헤드(200) 상에 기판(W)이 존재하는 것으로 감지되면, 제어부(190)는 노즐부(140)를 통해 상기 스핀헤드(200) 상에 안착된 기판(W)의 처리표면에 약액의 토출을 지시한다(S350). 약액의 토출이 완료되면, 기판 1매에 대한 처리공정이 종료된다(S370). 만약, 상기 스핀 헤드(200) 상에 기판(W)이 존재하지 않는 것으로 감지되면, 이러한 감지된 결과는 제어부(190)를 통해 작업자에게 통보된다(S360). 상기 작업자는 모든 공정을 중지시켜 다음 단계로 공정이 진행되는 것을 차단하고, 기판 1매에 대한 처리공정을 그대로 종료시킨다.
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 방법을 수행하기 위해 채용되는 매엽식 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 기판 처리 장치를 이용하여 본 발명에 따른 기판 처리 방법을 설명하기 위한 순서도이다.

Claims (2)

  1. 회전하는 기판의 표면에 약액을 토출하여 상기 기판의 표면에 잔류하는 이물질을 제거하는 기판 처리 방법에 있어서,
    스핀 헤드 상부에 상기 기판이 안착되는 과정과,
    상기 기판이 회전되기 위해 상기 스핀 헤드가 회전되는 과정과,
    회전하는 상기 스핀 헤드 상부에 상기 기판의 존재 여부를 감지하는 과정 및
    상기 기판의 존재 여부가 감지된 감지결과에 따라서 상기 약액의 토출을 결정하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  2. 상기 스핀 헤드 상부에 기판이 존재하지 않는 것으로 감지되면, 상기 약액의 토출이 차단되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
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