KR20090048920A - 카메라 모듈 및 이를 구비한 전자 기기 - Google Patents
카메라 모듈 및 이를 구비한 전자 기기 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20090048920A KR20090048920A KR1020070115032A KR20070115032A KR20090048920A KR 20090048920 A KR20090048920 A KR 20090048920A KR 1020070115032 A KR1020070115032 A KR 1020070115032A KR 20070115032 A KR20070115032 A KR 20070115032A KR 20090048920 A KR20090048920 A KR 20090048920A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- image sensor
- sensor chip
- light
- disposed
- transparent substrate
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 122
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 54
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 51
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 18
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 7
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 4
- 239000002981 blocking agent Substances 0.000 claims description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14618—Containers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B17/00—Details of cameras or camera bodies; Accessories therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/50—Constructional details
- H04N23/54—Mounting of pick-up tubes, electronic image sensors, deviation or focusing coils
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/50—Constructional details
- H04N23/55—Optical parts specially adapted for electronic image sensors; Mounting thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/57—Mechanical or electrical details of cameras or camera modules specially adapted for being embedded in other devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N7/00—Television systems
- H04N7/14—Systems for two-way working
- H04N7/141—Systems for two-way working between two video terminals, e.g. videophone
- H04N7/142—Constructional details of the terminal equipment, e.g. arrangements of the camera and the display
- H04N2007/145—Handheld terminals
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
본 발명은 카메라 모듈을 제공한다. 이 모듈은 수광 영역 및 회로 영역를 갖는 이미지 센서칩과, 이미지 센서 칩 상에 배치되어 이미지 센서칩으로의 빛의 진입을 허용하는 렌즈 구조체와, 이미지 센서칩과 렌즈 구조체 사이에 배치되어 수광 영역으로의 빛의 진입을 허용하는 투명 기판과, 그리고 이미지 센서칩과 투명 기판을 접착시켜며 회로 영역을 선택적으로 덮는 접착부와, 투명 기판에 부착되어, 회로 영역으로 진입되는 불필요한 빛을 선택적으로 차단시키는 차광막을 포함한다.
카메라, 이미지 센서, 렌즈
Description
본 발명은 카메라 모듈 및 이를 구비한 전자 기기에 관한 것이다.
디지털 카메라를 구비하는 핸드폰이 대중화되고 있다. 대부분의 핸드폰에 사용되는 카메라 모듈은 광학 렌즈 및 광학 렌즈로부터 입사된 빛을 전기적 신호로 변환시키는 이미지 센서를 구비한다. 이미지 센서에서 변환된 전기적 신호는 이미지 신호 처리부(image signal processing unit: ISP)로 전달되어, 영상 신호로 출력된다.
이미지 센서에서, 광학 렌즈로부터 입사된 빛은 마이크로 렌즈 및 RGB 필터를 거쳐, 포토 다이오드로 입사된다. 포토 다이오드에서는, 입사된 빛의 세기에 대응되는 전하들이 생성된 후, 이미지 신호 처리부에 전기적 신호의 형태로 전달된다. 이때, 이미지 센서 칩으로 불필요한 빛이 진입하는 경우 카메라의 화질이 열화될 수 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이미지 센서에 진입하는 불필요한 빛을 차단하여 선명한 화상을 얻을 수 있는 카메라 모듈을 제공하는 데 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은 수광 영역 및 회로 영역를 갖는 이미지 센서칩과; 상기 이미지 센서 칩 상에 배치되어 상기 이미지 센서칩으로의 빛의 진입을 허용하는 렌즈 구조체와; 상기 이미지 센서칩과 상기 렌즈 구조체 사이에 배치되어 상기 수광 영역으로의 빛의 진입을 허용하는 투명 기판과; 상기 이미지 센서칩과 상기 투명 기판을 접착시켜며 상기 회로 영역을 선택적으로 덮는 접착부와; 상기 투명 기판에 부착되어, 상기 회로 영역으로 진입되는 불필요한 빛을 선택적으로 차단시키는 차광막을 포함한다.
본 발명의 제 1 실시예에 따르면, 상기 차광막은 상기 투명 기판과 상기 접착부 사이에 배치되어, 상기 회로 영역을 선택적으로 덮을 수 있다.
본 발명의 제 2 실시예에 따르면, 상기 차광막은 상기 투명 기판과 상기 렌즈 구조체 사이에 배치되어, 상기 회로 영역을 선택적으로 덮을 수 있다.
본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에 따르면, 상기 차광막은 금속 또는 카본계 유기물을 포함할 수 있다.
본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에 따르면, 상기 이미지 센서칩은 상기 접착부와의 사이에 배치되어 상기 수광 영역 및 상기 회로 영역을 덮는 절연층을 더 포 함할 수 있다. 상기 절연층은 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막을 포함할 수 있다.
본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에 따르면, 상기 접착부는 폴리이미드계 또는 에폭시계 접착제를 포함할 수 있다. 상기 이미지 센서칩은, 상기 수광 영역 상에 한정 배치되어 상기 회로 영역의 이미지 센서칩과 상기 접착부 사이에 배치되지 않는 폴리머층으로 둘러싸인 칼라 필터층을 포함할 수 있다.
본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에 따르면, 상기 접착부는 상기 이미지 센서칩과 상기 투명 기판과의 사이를 이격시켜 상기 수광 영역을 개방시키는 공동을 배치할 수 있다. 상기 이미지 센서칩은, 상기 공동에 한정 배치되어 상기 접착부와 상기 회로 영역의 이미지 센서칩 사이에 삽입되지 아니하는 폴리머층으로 둘러싸인 컬러 필터층을 포함할 수 있다.
본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에 따르면, 상기 이미지 센서칩은 상기 회로 영역에 배치되어 외부와 전기적으로 연결되는 전극을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에 따르면, 상기 렌즈 구조체는: 렌즈 기판과; 상기 투명 기판 상에 배치되어 상기 렌즈 기판을 지지하며, 상기 수광 영역을 선택적으로 개방시키는 지지 기판과; 상기 렌즈 기판의 상하면 각각에 배치된 제 1 및 제 2 렌즈와; 그리고 상기 렌즈 기판의 상면에서 상기 제 1 렌즈의 양측면에 배치되어 상기 수광 영역 이외로의 빛의 진입을 차단하는 차광막을 포함할 수 있다.
본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에 따르면, 상기 렌즈 구조체와 상기 투명 기판과 상기 이미지 센서칩 각각의 양측면을 덮는 하우징을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 제 3 실시예에 따르면, 본 발명은 수광 영역 및 회로 영역를 갖는 이미지 센서칩과; 상기 이미지 센서 칩 상에 배치되어 상기 이미지 센서칩으로의 빛의 진입을 허용하는 렌즈 구조체와; 상기 이미지 센서칩과 상기 렌즈 구조체 사이에 배치되어 상기 수광 영역으로의 빛의 진입을 허용하는 투명 기판과; 그리고 상기 이미지 센서칩과 상기 투명 기판을 접착시켜며 상기 회로 영역을 선택적으로 덮는 접착부를; 포함하되, 상기 접착부는 상기 수광 영역 이외로 진입되는 불필요한 빛을 선택적으로 차단시키는 차광제를 갖는다.
본 발명의 제 3 실시예에 따르면, 상기 접착부는 폴리이미드계 또는 에폭시계 접착제를 포함할 수 있다. 상기 차광제는 금속 또는 카본계 유기물을 포함할 수 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은 본 발명의 제 1 내지 제 3 실시예들에 따른 카메라 모듈을 구비하는 전기 기기를 제공한다.
본 발명에 따르면, 이미지 센서에 진입하는 불필요한 빛을 차단하여 선명한 화상을 얻을 수 있는 카메라 모듈 및 이를 구비한 전기 기기를 제공할 수 있다.
첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 또한, 바람직한 실시예에 따른 것이기 때문에, 설명의 순서에 따라 제시되는 참조 부호는 그 순서에 반드시 한정되지는 않는다. 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 명확성을 기하기 위하여 과장된 것이다. 또한, 막이 다른 막 또는 기판 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 막 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 막이 개재될 수도 있다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 카메라 모듈을 설명하기 위한 단면도이다. 도 2는 도 1의 A-A'선을 따라 절단한 평면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 카메라 모듈은 이미지 센서칩(100b), 이미지 센서칩(100b) 상의 렌즈 구조체(400b), 이미지 센서칩(100b)과 렌즈 구조체(400b) 사이에 배치된 투명 기판(200), 이미지 센서칩(100b)과 투명 기판(200)을 접착시키는 접착부(130)를 포함한다.
이미지 센서칩(100b)은 수광 영역(100S) 및 회로 영역(100C)을 포함한다. 이미지 센서칩(100b)은 수광 영역(100S) 및 회로 영역(100C) 상에 절연층(110)을 갖는다. 절연층(110)은 가령, 실리콘 질화막 또는 실리콘 산화막을 포함할 수 있다. 이미지 센서칩(100b)은 수광 영역(100S)의 절연층(110) 상에 배치되는 칼라 필터층(112) 및 마이크로 렌즈(114)를 포함한다. 칼라 필터층(112)은 가령, 염색된 포토레지스트를 포함할 수 있다. 폴리머 층(113)이 칼라 필터층(112)을 둘러싼다. 폴리머 층(113)은 수광 영역(100S) 상에 한정 배치되어 투명 기판(200)과 접착부(130) 사이에 배치되지 않을 수 있다. 폴리머 층(113) 상에 마이크로 렌즈(114)가 제공된다. 마이크로 렌즈(114)는 폴리이미드 계열의 수지 또는 저온 산화막(Low Temperature Oxide: LTO)을 포함할 수 있다.
이미지 센서칩(100b)은 회로 영역(100C)에 배치되어 외부 회로와 전기적으로 연결되는 전극을 갖는다. 전극은 출력 패드(120)들 및 지주형 범프(122)를 포함한다. 출력 패드(120)들은 이미지 센서칩(100b)의 가장자리에 배열된다. 출력 패드(120)들은 마이크로 렌즈(114) 아래에 형성되는 이미지 센서 어레이들(도시하지 않음)에 전기적으로 연결된다. 지주형 범프(122)들은 출력 패드(120)들의 하부의 이미지 센서칩(100b)을 관통하는 관통 비아홀(121)들에 채워진다. 지주형 범프(122)들은 출력 패드(120)들과 전기적으로 접촉하며 이미지 센서칩(100b)과 외부 회로 사이의 전기적 연결 경로로 사용된다. 외부 회로와 전기적으로 연결되기 위해, 노출된 지주형 범프(122)들과 전기적으로 연결되는 재배선 패턴(미도시) 및 재배선 패턴 상의 솔더 범프들(미도시)이 제공될 수 있다. 재배선 패턴은 외부회로와 접속하기 위해 다양한 형태로 배치될 수 있다.
이미지 센서칩(100b) 상에 수광 영역(100S)으로의 빛의 진입을 허용하는 투명 기판(200)이 제공된다. 투명 기판(200)은 빛 투과율이 우수한 소재인 유리 기판일 수 있다. 바람직하게는 투명 기판(200)은 소다 석회 유리(soda-lime glass) 또는 붕규산 유리(boro-silicate glass) 중에서 선택된 하나를 포함할 수 있다. 투명 기판(200)은 수광 영역(100S)이외의 영역, 가령 회로 영역(100S)으로 진입되는 불필요한 빛(44)을 선택적으로 차단하는 차광막(210a)을 포함할 수 있다. 본 발명의 제 1 실시예에 따르면, 차광막(210a)은 회로 영역(100C)을 덮으며 투명 기판(200)과 접착부(130) 사이에 배치될 수 있다. 차광막(210a)은 가령, 크롬(Cr)등의 금속 이나 카본(carbon)계 유기물를 포함할 수 있다. 차광막(210a)의 빛 투과율은 30%이하 일 수 있다. 차광막(210a)에 대향하는 투명 기판(200)의 이면에는 적외선 필터(미도시)가 제공될 수 있다. 이는 이미지 센서에 입사하는 빛의 적외선 영역을 차단하기 위한 것이다.
접착부(130)가 투명 기판(200)과 이미지 센서칩(100b)를 접착시키며 회로 영역(100C)을 선택적으로 덮는다. 접착부(130)는 가령, 폴리이미드계 접착제 또는 에폭시계 접착제를 포함할 수 있다. 접착부(130)는 이미지 센서칩(100b)과 투명 기판(200) 사이를 이격시켜 수광 영역(100S)을 개방시키는 공동(cavity, A)을 제공한다.
한편, 폴리머 층(113)이 접착부(130)와 절연층(110) 사이에 개재되는 경우,접착부(130)와 이미지 센서칩 기판(100b)과의 접착 특성이 불량할 수 있다. 본 발명에 따르면, 폴리머 층(113)은 수광 영역(100S)의 절연층(110) 상에 배치되고, 접착부(130)는 회로 영역(100C)의 절연층(110) 상에 배치된다. 즉, 폴리머 층(113)은 회로 영역(100C)까지 연장되지 않고, 수광 영역(100S) 상에 한정되어 배치된다. 이에 따라, 접착부(130)와 이미지 센서칩 기판(100b)과의 접착 특성이 양호해진다. 접착부(130)는 수광 영역(100S) 상의 폴리머 층(113)과 측면과 접촉하여 형성될 수 있다.
이미지 센서칩(100b) 상에 렌즈 구조체(400b)가 제공된다. 렌즈 구조체(400b)는 렌즈 기판(410), 지지 기판(420), 렌즈 기판(410)의 상하면 각각에 배치된 제 1 및 제 2 렌즈(412, 414), 및 렌즈 기판(410)의 상면에서 제 1 렌즈(412) 의 양측면에 배치된 차광막(411)을 포함한다. 렌즈 기판(410)은 가령, 투명 기판(200)과 동일한 종류의 유리 기판일 수 있다. 지지 기판(420)은 투명 기판(200) 상에 배치되어 렌즈 기판(410)을 지지한다. 지지 기판(420)은 수광 영역(100S)을 선택적으로 개방시킨다. 제 1 및 제 2 렌즈(412, 414)는 수광 영역(100S)에 정렬되어 배치된다. 제 1 및 제 2 렌즈(412, 414)는 가령, 유리 또는 폴리머를 포함할 수 있다. 차광막(411)은 수광 영역(100S) 이외로의 빛의 진입을 차단한다. 렌즈 구조체(400b)는 복수개의 렌즈 기판(410)들 및 복수개의 제 1 및 제 2 렌즈(412, 414)을 구비하는 다층구조로 제공될 수 있다.
하우징(450)이 렌즈 구조체(400b), 투명 기판(200), 및 이미지 센서칩(100b) 각각의 측면을 덮을 수 있다. 하우징(450)은 측면으로 투과되어 입사하는 빛을 억제할 수 있다.
도 3a 내지 도 3g는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 카메라 모듈의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 3a를 참조하면, 수광 영역(100S) 및 회로 영역(100C)을 포함하는 이미지 센서칩 기판(100a)을 형성한다. 수광 영역(100S)과 회로 영역(100C)을 칩 영역(100SC)이라 정의한다. 이미지 센서칩 기판(100a)은 칩 영역(100SC) 상에 절연층(110)을 갖는다. 절연층(110)은 실리콘 질화막 또는 실리콘 산화막을 포함할 수 있다. 실리콘 질화막 또는 실리콘 산화막은 후속으로 형성될 접착부(도3b의 130)의 접착제와 양호한 접촉 특성을 갖는다. 수광 영역(100S)의 절연층(110) 상에는 칼라 필터층(112) 및 마이크로 렌즈(114)이 형성된다. 칼라 필터층(112)은 가령, 염색된 포토레지스트를 사용해서 형성될 수 있다. 칼라 필터층(112)은 폴리머 층(113)에 둘러싸여 형성될 수 있다. 폴리머 층(113)은 회로 영역(100C)까지 연장되지 않고, 수광 영역(100S) 상에 한정된다. 마이크로 렌즈(114)는 폴리이미드 계열의 수지 또는 저온 산화막(Low Temperature Oxide: LTO)의 패터닝 및 리플로우 공정을 이용하여 형성할 수 있다. 칩 영역(100SC)의 가장자리에 출력 패드(120)들이 형성된다. 출력 패드(120)들은 마이크로 렌즈(114)의 하부에 형성되는 이미지 센서 어레이들(도시하지 않음)에 전기적으로 연결된다.
도 3b를 참조하면, 이미지 센서칩 기판(100a) 상에 수광 영역(100S)을 개방하는 개구부를 갖는 접착부(130)를 형성한다. 접착부(130)의 형성 공정은 가령, 스크린 프린팅(screen printing) 공정일 수 있다. 접착부(130)는 가령, 폴리이미드계 접착제 또는 에폭시계 접착제로 형성될 수 있다. 접착부(130)는 회로 영역(100C)을 선택적으로 덮는다. 본 발명에 따르면, 접착부(130)는 회로 영역(100C)의 절연층(110) 상에 형성되고, 폴리머 층(113)은 수광 영역(100S)의 절연층(110) 상에 형성된다. 즉, 폴리머 층(113)은 회로 영역(100C)까지 연장되지 않고, 수광 영역(100S) 상에 한정된다. 이에 따라, 접착부(130)는 이미지 센서칩 기판(100b)과의 접착 특성이 양호할 수 있다. 접착부(130)는 수광 영역(100S) 상의 폴리머 층(113)의 측면과 접촉하여 형성될 수 있다.
접착부(130)를 갖는 이미지 센서칩 기판(100a) 상에 투명 기판(200)이 제공된다. 투명 기판(200)은 빛 투과율이 우수한 소재인 유리 기판일 수 있다. 바람직하게는 투명 기판(200)은 소다 석회 유리(soda-lime glass) 또는 붕규산 유 리(boro-silicate glass) 중에서 선택된 하나를 포함할 수 있다. 투명 기판(200)의 소정 영역 상에 차광막(210a)을 형성한다. 차광막(210a)은 가령, 크롬(Cr)등의 금속이나 카본(carbon)계 유기물를 사용하여 형성될 수 있다. 차광막(210a)은 회로 영역(100C)으로 진입되는 불필요한 빛을 선택적으로 차단한다. 차광막(210a)은 빛 투과율이 30%이하 일 수 있다.
차광막(210a)이 회로 영역(100C)를 덮도록, 이미지 센서칩 기판(100a) 상에 투명 기판(200)을 정렬한다.
도 3c를 참조하면, 이미지 센서 칩 기판(100a)과 투명 기판(200)을 부착한다. 상기 부착 공정은 가령, 열 압착(thermo compression) 공정일 수 있다. 이에 따라, 접착부(130)는 수광 영역(100S)을 둘러싸며 이미지 센서칩 기판(100a)과 투명 기판(200)을 접착시킨다. 이에 따라, 이미지 센서칩 기판(100a)의 수광 영역(100S)과 투명 기판(200) 사이에 공동(A)이 형성된다. 상기 공동(A)으로 인해, 후속으로 진행되는 공정에서 파티클들로 인한 생산 수율의 저하는 방지될 수 있다. 접착부(130)는 출력 패드(120)들을 덮는다.
이미지 센서칩 기판(100a)과 투명 기판(200)을 부착한 후, 연마 공정으로 이미지 센서칩 기판(100a)을 연마할 수 있다. 투명 기판(200)은 지지 기판으로 사용될 수 있다. 연마 공정은 후면 연마(backside grinding) 공정 또는 화학적 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing) 공정을 포함할 수 있다. 연마 공정으로 인해 이미지 센서칩 기판(100b)의 두께가 얇아진다. 또한, 차광막(210a)에 대향하는 투명 기판(200)의 이면에는 적외선 필터(미도시)가 형성될 수 있다. 이는 이미지 센 서에 입사하는 빛의 적외선 영역을 차단하기 위한 것이다.
도 3d를 참조하면, 이미지 센서칩 기판(100b)을 패터닝하여 칩 영역(100SC)의 가장 자리를 관통하여 출력 패드(120)들을 노출하는 관통 비아홀들(through via holes, 121)을 형성한다. 관통 비아홀(121)들을 형성하는 단계는 레이저 드릴링(laser drilling) 또는 반응성 이온 식각(reactive ion etching) 기술 중의 한가지 방법이 사용될 수 있다.
관통 비아홀(121)들을 채우는 지주형 범프(122)들을 형성한다. 지주형 범프(122)들은 이미지 센서 칩과 외부 회로 사이의 전기적 연결 경로로 사용된다. 지주형 범프(122)들은 금속성 물질들 중의 적어도 한가지로 형성될 수 있다. 지주형 범프(122)들은 복수개의 출력 패드(120)들과 외부 회로가 서로 접속되도록 하는 역할을 한다. 지주형 범프(122)들의 노출된 표면에는 외부 회로와의 접속을 용이하게 하는 재배선 패턴(미도시) 및 상기 재배선 패턴 상의 솔더 범프들(미도시)이 형성될 수 있다.
도 3e를 참조하면, 이미지 센서 칩 기판(100b) 상에 렌즈 구조체 기판(400a)를 제공한다. 렌즈 구조체 기판(400a)는 렌즈 기판(410), 지지 기판(420), 렌즈 기판(410)의 상하면 각각에 배치된 제 1 및 제 2 렌즈(412, 414), 및 렌즈 기판(410)의 상면에서 제 1 렌즈(412)의 양측면에 배치된 차광막(411)을 포함한다. 렌즈 기판(410)은 가령, 투명 기판(200)과 동일한 종류의 유리 기판일 수 있다. 지지 기판(420)은 투명 기판(200) 상에 배치되어 렌즈 기판(410)을 지지한다. 지지 기판(420)은 가령, 투명 기판(200)과 동일한 종류의 유리 기판일 수 있다. 지지 기 판(420)은 수광 영역(100S)을 선택적으로 개방시킨다. 제 1 및 제 2 렌즈(412, 414)은 수광 영역(100S)에 정렬되어 배치된다. 제 1 및 제 2 렌즈들(412, 414)은 가령, 유리 또는 폴리머층으로 형성될 수 있다. 차광막(411)은 수광 영역(100S) 이외로의 빛의 진입을 차단한다. 렌즈 구조체 기판(400a)는 복수개의 렌즈 기판(410)들 및 복수개의 제 1 및 제 2 렌즈(412, 414)을 구비하는 다층구조로 형성될 수 있다.
수광 영역(100S) 상에 제 1 및 제 2 렌즈들(412, 414)이 배치되도록, 이미지 센서 칩 기판(100b) 상에 렌즈 구조체 기판(400a)을 정렬한다.
도 3f를 참조하면, 이미지 센서칩 기판(100b)과 렌즈 구조체 기판(400a)을 부착한다. 지지 기판(420)은 투명 기판(200)과 접착되어 렌즈 구조체 기판(400a)를 고정시킨다. 다이싱 공정을 실시하여, 렌즈 구조체(400b) 기판 (400a) 및 이미지 센서칩 기판(100b)을 B-B'선을 따라 쏘잉(sawing)함으로써, 개별적인 카메라 모듈들로 분리시킨다.
도 3g를 참조하면, 카메라 모듈의 렌즈 구조체(400b)의 측면, 투명 기판(200)의 측면, 및 접촉부(130)의 측면를 덮는 하우징(450)을 형성한다. 상기 하우징(450)은 하우징(450)은 측면으로 투과되어 입사하는 빛을 차단할 수 있다.
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 카메라 모듈을 설명하기 위한 단면도이다. 제 2 실시예는 앞서 설명한 제 1 실시예와 유사하다. 따라서, 설명의 간결함을 위해, 아래에서는 앞서 설명한 실시예와 중복되는 기술적 특징에 대한 설명은 생략한다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 카메라 모듈은 이미지 센서칩(100b), 이미지 센서칩(100b) 상의 렌즈 구조체(400b), 이미지 센서칩(100b)과 렌즈 구조체(400b) 사이에 배치된 투명 기판(200), 및 이미지 센서칩(100b)과 투명 기판(200)을 접착시키는 접착부(130)를 포함한다.
본 발명의 제 1 실시예와 달리, 차광막(210b)은 투명 기판(200)과 렌즈 구조체(400b) 사이에 배치될 수 있다. 차광막(210b)은 회로 영역(100C)을 선택적으로 덮어 회로 영역(100C)으로 진입되는 불필요한 빛을 선택적으로 차단시킨다.
도 5는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 카메라 모듈을 설명하기 위한 단면도이다. 제 3 실시예는 앞서 설명한 제 1 및 제 2 실시예와 유사하다. 따라서, 설명의 간결함을 위해, 아래에서는 앞서 설명한 실시예들과 중복되는 기술적 특징에 대한 설명은 생략한다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 카메라 모듈은 이미지 센서칩(100b), 이미지 센서칩(100b) 상의 렌즈 구조체(400b), 이미지 센서칩(100b)과 렌즈 구조체(400b) 사이에 배치된 투명 기판(200), 및 이미지 센서칩(100b)과 투명 기판(200)을 접착시키는 접착부(135)를 포함한다. 접착부(135)는 차광제를 포함한다. 차광제는 금속이나 카본(carbon)계 유기물을 포함한다. 차광제의 빛 투과율은 30% 이하일 수 있다.
본 발명의 제 1 및 제 2 실시예와 달리, 차광막 대신에 접착부(130)에 차광제를 포함시켜, 회로 영역(100C)으로 진입되는 불필요한 빛을 선택적으로 차단시킨다.
도 6은 본 발명의 실시예들을 따른 카메라 모듈를 구비한 전자 기기의 내부 블록 구성도이다. 도 7은 본 발명의 실시예들을 따른 카메라 모듈를 구비한 전자 기기를 도시한 사시도이다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 본 발명의 실시예들을 따른 전자 기기는 카메라 모듈부(600), 카메라 제어부(700), 표시 제어부(750), 및 표시부(800)를 포함할 수 있다. 카메라 모듈부(600)는 본 발명의 실시예들을 따른 케메라 모듈을 포함하고, 상기 카메라 모듈은 광신호를 촬상 영상 신호로 변환하여 출력한다. 카메라 모듈부(600)는 상관 더블 샘플링부(Correlated Double Sampling : CDS, 620) /자동 이득 조절부(Auto Gain Control : AGC, 620), 아날로그 디지털 컨버터부(Analog Digital Converter : ADC, 640), 및 디지털 신호 처리부(Digital Signal Process : DSP, 660)를 포함할 수 있다. 상관 더블 샘플링부/자동 이득 조절부(620)는 촬상 영상 신호를 상관 더블 샘플링하고 이득을 조절한다. 아날로그 디지털 컨버터부(640)는 이득이 조절된 촬상 영상 신호를 디지털 신호로 변환하여 디지털 신호 처리부(660)로 출력한다. 디지털 신호 처리부(660)는 디지털 변환된 촬상 신호를 화상 신호로 처리한다. 카메라 제어부(700)는 중앙처리장치(CPU)로 구현되며, 카메라 모듈부(600)의 전반적인 동작을 수행한다. 표시부(800)는 카메라가 촬영한 피사체의 영상을 화면에 출력한다. 표시 제어부(750)는 표시부(800)로 출력할 수 있도록 제어한다.
전자 기기는 가령, 카메라 모듈부(600)를 구비하는 핸드폰(1000), 카메라폰, 디지탈 카메라, PDA, 및 스마트디스플레이 등의 개인 휴대 정보 단말기일 수 있다. 본 발명에 따르면, 이미지 센서칩의 수광 영역에 진입하는 불필요한 빛을 차단하여, 선명한 화상을 얻을 수 있는 전자 기기를 제공할 수 있다.
상기한 실시예들의 설명은 본 발명의 더욱 철저한 이해를 제공하기 위하여 도면을 참조로 예를 든 것에 불과하므로, 본 발명을 한정하는 의미로 해석되어서는 안될 것이다. 그리고, 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명의 기본적 원리를 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화와 변경이 가능함은 물론이다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 카메라 모듈을 설명하기 위한 단면도이다.
도 2는 도 1의 A-A'선을 따라 절단한 평면도이다.
도 3a 내지 도 3g는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 카메라 모듈의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 카메라 모듈을 설명하기 위한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 카메라 모듈을 설명하기 위한 단면도이다.
도 6은 본 발명의 실시예들을 따른 카메라 모듈를 구비한 전자 기기의 내부 블록 구성도이다.
도 7은 본 발명의 실시예들을 따른 카메라 모듈을 구비한 전자 기기를 도시한 사시도이다.
Claims (17)
- 수광 영역 및 회로 영역를 갖는 이미지 센서칩과;상기 이미지 센서 칩 상에 배치되어 상기 이미지 센서칩으로의 빛의 진입을 허용하는 렌즈 구조체와;상기 이미지 센서칩과 상기 렌즈 구조체 사이에 배치되어 상기 수광 영역으로의 빛의 진입을 허용하는 투명 기판과;상기 이미지 센서칩과 상기 투명 기판을 접착시켜며 상기 회로 영역을 선택적으로 덮는 접착부와;상기 투명 기판에 부착되어, 상기 회로 영역으로 진입되는 불필요한 빛을 선택적으로 차단시키는 차광막을;포함하는 것을 특징으로 하는 카메라 모듈.
- 제 1 항에 있어서,상기 차광막은 상기 투명 기판과 상기 접착부 사이에 배치되어, 상기 회로 영역을 선택적으로 덮는 것을 특징으로 하는 카메라 모듈.
- 제 1 항에 있어서,상기 차광막은 상기 투명 기판과 상기 렌즈 구조체 사이에 배치되어, 상기 회로 영역을 선택적으로 덮는 것을 특징으로 하는 카메라 모듈.
- 제 1 항에 있어서,상기 차광막은 금속 또는 카본계 유기물을 포함하는 것을 특징으로 하는 카메라 모듈.
- 제 1 항에 있어서,상기 이미지 센서칩은 상기 접착부와의 사이에 배치되어 상기 수광 영역 및 상기 회로 영역을 덮는 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 카메라 모듈.
- 제 5 항에 있어서,상기 절연층은 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막을 포함하는 것을 특징으로 하는 카메라 모듈.
- 제 6 항에 있어서,상기 접착부는 폴리이미드계 또는 에폭시계 접착제를 포함하는 것을 특징으로 하는 카메라 모듈.
- 제 7 항에 있어서,상기 이미지 센서칩은, 상기 수광 영역 상에 한정 배치되어 상기 회로 영역의 이미지 센서칩과 상기 접착부 사이에 배치되지 않는 폴리머층으로 둘러싸인 칼 라 필터층을 포함하는 것을 특징으로 하는 카메라 모듈.
- 제 7 항에 있어서,상기 접착부는 상기 이미지 센서칩과 상기 투명 기판과의 사이를 이격시켜 상기 수광 영역을 개방시키는 공동을 배치되는 것을 특징으로 하는 카메라 모듈.
- 제 9 항에 있어서,상기 이미지 센서칩은, 상기 공동에 한정 배치되어 상기 접착부와 상기 회로 영역의 이미지 센서칩 사이에 삽입되지 아니하는 폴리머층으로 둘러싸인 컬러 필터층을 포함하는 것을 특징으로 하는 카메라 모듈.
- 제 10 항에 있어서,상기 이미지 센서칩은 상기 회로 영역에 배치되어 외부와 전기적으로 연결되는 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 카메라 모듈.
- 제 10 항에 있어서,상기 렌즈 구조체는:렌즈 기판과;상기 투명 기판 상에 배치되어 상기 렌즈 기판을 지지하며, 상기 수광 영역을 선택적으로 개방시키는 지지 기판과;상기 렌즈 기판의 상하면 각각에 배치된 제 1 및 제 2 렌즈와; 그리고상기 렌즈 기판의 상면에서 상기 제 1 렌즈의 양측면에 배치되어 상기 수광 영역 이외로의 빛의 진입을 차단하는 차광막을;포함하는 것을 특징을 하는 카메라 모듈.
- 제 12 항에 있어서,상기 렌즈 구조체와 상기 투명 기판과 상기 이미지 센서칩 각각의 양측면을 덮는 하우징을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 카메라 모듈.
- 수광 영역 및 회로 영역를 갖는 이미지 센서칩과;상기 이미지 센서 칩 상에 배치되어 상기 이미지 센서칩으로의 빛의 진입을 허용하는 렌즈 구조체와;상기 이미지 센서칩과 상기 렌즈 구조체 사이에 배치되어 상기 수광 영역으로의 빛의 진입을 허용하는 투명 기판과; 그리고상기 이미지 센서칩과 상기 투명 기판을 접착시켜며 상기 회로 영역을 선택적으로 덮는 접착부를; 포함하되,상기 접착부는 상기 수광 영역 이외로 진입되는 불필요한 빛을 선택적으로 차단시키는 차광제를 가지는 것을 특징으로 하는 카메라 모듈.
- 제 14 항에 있어서,상기 접착부는 폴리이미드계 또는 에폭시계 접착제를 포함하는 것을 특징으로 하는 카메라 모듈.
- 제 15 항에 있어서,상기 차광제는 금속 또는 카본계 유기물을 포함하는 것을 특징으로 하는 카메라 모듈.
- 제 1 항 및 제 14 항 중의 어느 하나 항의 카메라 모듈을 포함하는 전기 기기.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070115032A KR20090048920A (ko) | 2007-11-12 | 2007-11-12 | 카메라 모듈 및 이를 구비한 전자 기기 |
US12/254,354 US7948555B2 (en) | 2007-11-12 | 2008-10-20 | Camera module and electronic apparatus having the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070115032A KR20090048920A (ko) | 2007-11-12 | 2007-11-12 | 카메라 모듈 및 이를 구비한 전자 기기 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20090048920A true KR20090048920A (ko) | 2009-05-15 |
Family
ID=40623345
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070115032A KR20090048920A (ko) | 2007-11-12 | 2007-11-12 | 카메라 모듈 및 이를 구비한 전자 기기 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7948555B2 (ko) |
KR (1) | KR20090048920A (ko) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102237378A (zh) * | 2010-04-29 | 2011-11-09 | 宏宝科技股份有限公司 | 影像感测装置 |
CN111034167A (zh) * | 2017-08-29 | 2020-04-17 | 索尼半导体解决方案公司 | 成像装置及成像装置的制造方法 |
Families Citing this family (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9118825B2 (en) * | 2008-02-22 | 2015-08-25 | Nan Chang O-Film Optoelectronics Technology Ltd. | Attachment of wafer level optics |
JP5317586B2 (ja) * | 2008-08-28 | 2013-10-16 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | カメラモジュール及びその製造方法 |
US9406709B2 (en) | 2010-06-22 | 2016-08-02 | President And Fellows Of Harvard College | Methods for fabricating and using nanowires |
US9478685B2 (en) | 2014-06-23 | 2016-10-25 | Zena Technologies, Inc. | Vertical pillar structured infrared detector and fabrication method for the same |
US8735797B2 (en) | 2009-12-08 | 2014-05-27 | Zena Technologies, Inc. | Nanowire photo-detector grown on a back-side illuminated image sensor |
US8835831B2 (en) | 2010-06-22 | 2014-09-16 | Zena Technologies, Inc. | Polarized light detecting device and fabrication methods of the same |
US8866065B2 (en) | 2010-12-13 | 2014-10-21 | Zena Technologies, Inc. | Nanowire arrays comprising fluorescent nanowires |
US8546742B2 (en) | 2009-06-04 | 2013-10-01 | Zena Technologies, Inc. | Array of nanowires in a single cavity with anti-reflective coating on substrate |
US9000353B2 (en) | 2010-06-22 | 2015-04-07 | President And Fellows Of Harvard College | Light absorption and filtering properties of vertically oriented semiconductor nano wires |
US8748799B2 (en) | 2010-12-14 | 2014-06-10 | Zena Technologies, Inc. | Full color single pixel including doublet or quadruplet si nanowires for image sensors |
US8890271B2 (en) * | 2010-06-30 | 2014-11-18 | Zena Technologies, Inc. | Silicon nitride light pipes for image sensors |
US8274039B2 (en) | 2008-11-13 | 2012-09-25 | Zena Technologies, Inc. | Vertical waveguides with various functionality on integrated circuits |
US8229255B2 (en) | 2008-09-04 | 2012-07-24 | Zena Technologies, Inc. | Optical waveguides in image sensors |
US9082673B2 (en) | 2009-10-05 | 2015-07-14 | Zena Technologies, Inc. | Passivated upstanding nanostructures and methods of making the same |
US9515218B2 (en) | 2008-09-04 | 2016-12-06 | Zena Technologies, Inc. | Vertical pillar structured photovoltaic devices with mirrors and optical claddings |
US9343490B2 (en) | 2013-08-09 | 2016-05-17 | Zena Technologies, Inc. | Nanowire structured color filter arrays and fabrication method of the same |
JP5385029B2 (ja) * | 2009-07-06 | 2014-01-08 | パナソニック株式会社 | カム枠、レンズ鏡筒、振れ補正装置および撮像素子ユニット |
WO2011011332A1 (en) * | 2009-07-21 | 2011-01-27 | Ultra Communications, Inc. | Patterned backside optical coating on transparent substrate |
CN101998034B (zh) * | 2009-08-21 | 2013-04-24 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 影像感测模组及相机模组 |
KR101608729B1 (ko) * | 2009-10-01 | 2016-04-20 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 모듈, 이의 제조방법, 이미지 센서 모듈을 구비하는 촬상소자 및 이의 제조방법 |
US20110133301A1 (en) * | 2009-12-03 | 2011-06-09 | Wisepal Technologies, Inc. | Wafer level optical imaging apparatus |
US8361830B2 (en) * | 2010-04-09 | 2013-01-29 | Himax Semiconductor, Inc. | Image sensor module and method of manufacturing the same |
US8953088B2 (en) * | 2011-02-24 | 2015-02-10 | Prebesh Pavithran | Low profile camera module packaging |
JP2013012506A (ja) * | 2011-06-28 | 2013-01-17 | Sony Corp | 固体撮像素子の製造方法、固体撮像素子、電子機器の製造方法、および電子機器。 |
KR20150118591A (ko) * | 2012-03-30 | 2015-10-23 | 삼성전기주식회사 | 카메라 모듈 |
US8513757B1 (en) | 2012-06-08 | 2013-08-20 | Apple Inc. | Cover for image sensor assembly with light absorbing layer and alignment features |
EP2876682B1 (en) | 2012-07-20 | 2023-03-01 | Nikon Corporation | Imaging unit, imaging device, and method for manufacturing imaging unit |
US9204025B1 (en) | 2013-08-30 | 2015-12-01 | Amazon Technologies, Inc. | Camera module with a molded enclosure contained in a flexible substrate |
US9241097B1 (en) | 2013-09-27 | 2016-01-19 | Amazon Technologies, Inc. | Camera module including image sensor die in molded cavity substrate |
US10186539B2 (en) * | 2014-10-13 | 2019-01-22 | Bio-Rad Laboratories, Inc. | Heated image sensor window |
US10790325B2 (en) | 2015-07-29 | 2020-09-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Imaging apparatus and image sensor including the same |
US11469265B2 (en) | 2015-07-29 | 2022-10-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Imaging apparatus and image sensor including the same |
US10403668B2 (en) * | 2015-07-29 | 2019-09-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Imaging apparatus and image sensor including the same |
US11089286B2 (en) | 2015-07-29 | 2021-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensor |
JP6191728B2 (ja) | 2015-08-10 | 2017-09-06 | 大日本印刷株式会社 | イメージセンサモジュール |
CN105244360B (zh) * | 2015-10-29 | 2019-02-26 | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 | 感光芯片封装结构及其封装方法 |
US10636714B2 (en) * | 2015-11-05 | 2020-04-28 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, and electronic apparatus |
US10925160B1 (en) | 2016-06-28 | 2021-02-16 | Amazon Technologies, Inc. | Electronic device with a display assembly and silicon circuit board substrate |
US11329083B2 (en) * | 2018-09-26 | 2022-05-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Wafer level image sensor package |
JP7519583B2 (ja) * | 2019-02-15 | 2024-07-22 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
US11543654B2 (en) * | 2020-09-16 | 2023-01-03 | Aac Optics Solutions Pte. Ltd. | Lens module and system for producing image having lens module |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6603510B1 (en) * | 1997-12-08 | 2003-08-05 | Intel Corporation | Formation of protective coatings for color filters |
US6137634A (en) * | 1999-02-01 | 2000-10-24 | Intel Corporation | Microlens array |
US6221687B1 (en) * | 1999-12-23 | 2001-04-24 | Tower Semiconductor Ltd. | Color image sensor with embedded microlens array |
JP3880278B2 (ja) | 2000-03-10 | 2007-02-14 | オリンパス株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP2002231918A (ja) * | 2001-02-06 | 2002-08-16 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP4446773B2 (ja) * | 2004-03-26 | 2010-04-07 | 富士フイルム株式会社 | 撮影装置 |
US7294827B2 (en) * | 2004-09-21 | 2007-11-13 | Delphi Technologies, Inc. | Electronic module with light-blocking features |
JP2006135741A (ja) | 2004-11-08 | 2006-05-25 | Seiko Precision Inc | 固体撮像装置及びこれを備えた電子機器 |
KR100692977B1 (ko) | 2005-09-15 | 2007-03-12 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
KR100770690B1 (ko) * | 2006-03-15 | 2007-10-29 | 삼성전기주식회사 | 카메라모듈 패키지 |
US8456560B2 (en) * | 2007-01-26 | 2013-06-04 | Digitaloptics Corporation | Wafer level camera module and method of manufacture |
-
2007
- 2007-11-12 KR KR1020070115032A patent/KR20090048920A/ko not_active Application Discontinuation
-
2008
- 2008-10-20 US US12/254,354 patent/US7948555B2/en active Active
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102237378A (zh) * | 2010-04-29 | 2011-11-09 | 宏宝科技股份有限公司 | 影像感测装置 |
CN111034167A (zh) * | 2017-08-29 | 2020-04-17 | 索尼半导体解决方案公司 | 成像装置及成像装置的制造方法 |
CN111034167B (zh) * | 2017-08-29 | 2021-12-14 | 索尼半导体解决方案公司 | 成像装置及成像装置的制造方法 |
US11296136B2 (en) | 2017-08-29 | 2022-04-05 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Imaging apparatus and manufacturing method for imaging apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7948555B2 (en) | 2011-05-24 |
US20090122178A1 (en) | 2009-05-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR20090048920A (ko) | 카메라 모듈 및 이를 구비한 전자 기기 | |
US9373660B2 (en) | Method of forming a low profile image sensor package with an image sensor substrate, a support substrate and a printed circuit board | |
US7988371B2 (en) | Camera module | |
KR101939413B1 (ko) | 광학 센서, 렌즈 모듈, 및 카메라 모듈 | |
KR100730726B1 (ko) | 카메라 모듈 | |
KR100809682B1 (ko) | 투명 커버가 부착되어 있는 광학 장치의 제조방법 및 이를이용한 광학 장치 모듈의 제조방법 | |
US20100044815A1 (en) | Cmos image sensor package and camera module using same | |
US7745834B2 (en) | Semiconductor image sensor and method for fabricating the same | |
JP6787378B2 (ja) | インターポーザ基板 | |
JP5498684B2 (ja) | 半導体モジュール及びその製造方法 | |
KR102249873B1 (ko) | 촬영 어셈블리 및 이의 패키징 방법, 렌즈 모듈, 전자 기기 | |
US20040256687A1 (en) | Optical module, method of manufacturing the same, and electronic instrument | |
JP2010045082A (ja) | 表示素子・電子素子モジュールおよびその製造方法、電子情報機器 | |
JP2012044091A (ja) | 撮像装置、撮像モジュール及びカメラ | |
JP2004233482A (ja) | カメラモジュールの製造方法 | |
KR100572487B1 (ko) | 이미지 센서 패키지 및 그 제조방법 | |
JP2004260357A (ja) | カメラモジュール | |
TWI434570B (zh) | 固態攝影裝置及電子機器 | |
JP2004260356A (ja) | カメラモジュール | |
KR100840153B1 (ko) | 카메라 모듈 | |
CN111200700B (zh) | 摄像组件及其封装方法、镜头模组、电子设备 | |
JP2009111130A (ja) | 撮像装置及びその製造方法 | |
US20100044553A1 (en) | Cmos image sensor package and camera module with same | |
JP2012090033A (ja) | 撮像モジュール | |
JP2004246220A (ja) | カメラモジュールとその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |