KR20090037443A

KR20090037443A - 광 투과성 전자파 실드재의 제조 방법, 광 투과성 전자파 실드재 및 디스플레이용 필터

Info

Publication number: KR20090037443A
Application number: KR1020097002122A
Authority: KR
Inventors: 히데후미 고쯔보; 다쯔야 후나끼; 기요미 사사끼
Original assignee: 가부시키가이샤 브리지스톤
Priority date: 2006-08-03
Filing date: 2007-08-03
Publication date: 2009-04-15
Also published as: US7931518B2; WO2008016142A1; EP2048930A4; EP2048930A1; US20100003474A1

Abstract

광 투과성, 전자파 실드성, 외관성 및 시인성이 우수하고, 고정밀도의 메쉬 패턴을 갖는 광 투과성 전자파 실드재를, 간이한 방법으로 제조할 수 있는 제조 방법을 제공한다. 실란 커플링제와 아졸계 화합물의 혼합물 또는 반응 생성물 및 귀금속 화합물을 포함하는 무전해 도금 전처리제를, 투명 기판(11) 상에 메쉬 형상으로 인쇄함으로써, 상기 투명 기판(11) 상에 메쉬 형상의 전처리층(12)을 형성하는 공정(A1) 및 상기 전처리층(12) 상에 무전해 도금 처리에 의해 메쉬 형상의 금속 도전층(13)을 형성하는 공정(A2)을 포함하는 광 투과성 전자파 실드재의 제조 방법이다.

광 투과성 전자파 실드재, 실란 커플링제, 아졸계 화합물, 투명 기판, 전처리층

Description

광 투과성 전자파 실드재의 제조 방법, 광 투과성 전자파 실드재 및 디스플레이용 필터 {PROCESS FOR PRODUCING LIGHT-TRANSMITTING ELECTROMAGNETIC-SHIELDING MATERIAL, LIGHT-TRANSMITTING ELECTROMAGNETIC-SHIELDING MATERIAL, AND FILTER FOR DISPLAY}

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널(PDP)의 전방면 필터나, 병원 등의 전자파 실드를 필요로 하는 건축물의 창에 사용될 수 있는 점착용 시트 등으로서 유용한 광 투과성 전자파 실드재의 제조 방법, 상기 제조 방법에 의해 제조된 광 투과성 전자파 실드재 및 상기 광 투과성 전자파 실드재를 포함하는 디스플레이용 패널에 관한 것이다.

최근, OA 기기나 통신 기기 등의 보급에 따라서, 이들 기기로부터 발생하는 전자파에 의해 초래되는 인체로의 영향이 우려되고 있다. 또한, 휴대 전화 등의 전자파에 의해 정밀 기기의 오작동 등을 일으키는 경우도 있어, 전자파는 문제시되고 있다.

그래서, OA 기기의 PDP의 전방면 필터로서, 전자파 실드성 및 광 투과성을 갖는 광 투과성 전자파 실드재가 개발되어 실용에 제공되고 있다. 이와 같은 광 투과성 전자파 실드재는 또한, 전자파로부터 정밀 기기를 보호하기 위해, 병원이나 연구실 등의 정밀 기기 설치 장소의 창재(窓材)로서도 이용되고 있다.

이 광 투과성 전자파 실드재에서는 광 투과성과 전자파 실드성을 양립하는 것이 필요하다. 그로 인해, 광 투과성 전자파 실드재에는, 예를 들어 (1) 투명 기판의 한쪽 면에, 금속선 또는 도전성 섬유를 메쉬 형상으로 한 도전 메쉬로 이루어지는 전자파 실드층이 설치된 것이 사용된다. 이 도전성의 메쉬의 부분에 의해 전자파가 실드되고, 개구부에 의해 광의 투과가 확보된다.

이 밖에도, 광 투과성 전자파 실드재에는 전자 디스플레이용 필터로서 다양한 것이 제안되어 있다. 예를 들어, (2) 금속 은을 포함하는 투명 도전 박막이 설치된 투명 기판, (3) 투명 기판 상의 동박 등의 층을 메쉬 형상으로 에칭 가공하여 개구부를 형성한 것, (4) 투명 기판 상에 도전성 분말을 포함하는 도전성 잉크를 메쉬 형상으로 인쇄한 것 등이 일반적으로 알려져 있다.

이와 같이 전자파 실드층에 있어서, 우수한 광 투과성과 전자파 실드성을 양립시키기 위해서는, 메쉬 형상의 투명 도전층을 사용하여, 선 폭을 매우 가늘게 하여, 매우 미세한 패턴으로 할 필요가 있다. 그러나, 상기한 종래의 광 투과성 전자파 실드재에서는 광 투과성과 전자파 실드성을 충분히 양립시키는 것이 곤란했다. 즉, (1)의 광 투과성 전자파 실드재에서는 세선화에 한계가 있어, 미세한 메쉬 패턴을 얻는 것이 곤란하고, 또한 눈금 어긋남이나 눈금 굴곡 등의 섬유의 배열이 어지러워지는 문제가 있다. (2)의 광 투과성 전자파 실드재의 경우, 전자파 실드성이 충분하지 않고, 금속 특유의 반사 광택이 강한 것 등의 문제가 있다. (3)의 광 투과성 전자파 실드재에서는 제조 공정이 길어, 비용이 상승하고, 또한 투명 기판과 동박 등의 층과의 사이에 접착제층이 개재되므로 광 투과성이 낮은 것 등의 문제가 있다. 또한, (4)의 광 투과성 전자파 실드재에서는 충분한 전자파 실드성을 얻는 것이 곤란하고, 전자파 실드성을 향상시키기 위해 패턴을 두껍게 하여 도전성 분말의 양을 많게 하면, 광 투과성이 저하되는 등의 문제를 갖고 있다.

그러나, 상기 (4)의 광 투과성 전자파 실드재의 제조는, 예를 들어 금속 분말이나 카본 분말 등의 도전성 분말과 수지를 포함하는 도전성 잉크를 사용하여, 투명 기판 상에 요판 오프셋 인쇄법에 의해 인쇄 패턴을 형성하는 방법을 사용하여 행해진다. 따라서, 상기 (4)의 광 투과성 전자파 실드재에서는 에칭 가공 등을 필요로 하지 않고, 간이한 방법으로, 또한 저비용으로 제조할 수 있다는 이점을 갖고 있다.

그래서, 상기 (4)의 기술을 개량한 것으로서, 특허 문헌 1 내지 6에서는 도전성 잉크를 요판 오프셋 인쇄법에 의해 투명 기판 상에 인쇄 패턴을 형성한 후, 또한 전자파 실드성을 향상시키기 위해, 무전해 도금 또는 전해 도금 등에 의해 상기 인쇄 패턴 상에 금속층을 선택적으로 형성하는 방법이 개시되어 있다.

또한, 특허 문헌 7에서는 투명 기체에 귀금속 초미립자 촉매와 반대의 표면 전하를 가진 입자에 상기 귀금속 초미립자 촉매를 담지시켜 제작한 담지체를 함유하는 페이스트로 패턴 인쇄를 행하고, 이 패턴 인쇄된 귀금속 초미립자 촉매 상에 무전해 도금 처리를 실시하여, 패턴 인쇄부에만 도전성의 금속층을 형성시키는 광 투과성 전자파 실드재의 제조 방법이 개시되어 있다.

특허 문헌 1 : 일본 특허 제3017987호 명세서

특허 문헌 2 : 일본 특허 제3017988호 명세서

특허 문헌 3 : 일본 특허 제3241348호 명세서

특허 문헌 4 : 일본 특허 제3425400호 명세서

특허 문헌 5 : 일본 특허 제3544498호 명세서

특허 문헌 6 : 일본 특허 제3532146호 명세서

특허 문헌 7 : 일본 특허 제3363083호 명세서

그러나, 상술한 특허 문헌 1 내지 7에 의한 광 투과성 전자파 실드재에서는, 도전성 잉크 또는 페이스트를 고정밀도로 인쇄하여 미세한 패턴을 형성하는 것이 곤란하므로, 광 투과성과 전자파 실드성과의 양립에 여전히 개선의 여지를 남기고 있다. 또한, 광 투과성 전자파 실드재에서는 인쇄에 의한 특유의 문제인 줄무늬(streak)이나 흐림(fog)이 형성되어, 전자 디스플레이의 외관성의 저하뿐만 아니라, 시인성의 저하도 초래하는 문제가 있었다.

따라서, 본 발명의 목적은 광 투과성, 전자파 실드성, 외관성 및 시인성이 우수하고, 고정밀도의 메쉬 패턴을 갖는 광 투과성 전자파 실드재를 간이한 방법으로 제조할 수 있는 제조 방법을 제공하는 것이다.

상술한 문제는, 종래의 광 투과성 전자파 실드재의 제조에 사용되는 도전성 잉크 또는 페이스트에서는 도전성 분말이나 귀금속 초미립자 촉매를 갖는 담지체의 존재에 의해 발생한다고 생각된다. 즉, 이들 도전성 분말이나 담지체는 접촉 저항을 낮게 하여 균일한 두께를 갖는 층을 형성하기 위해, 미세한 입자 직경을 갖는 분말이 사용되는 한편, 이와 같은 미세한 입자 직경을 갖는 분말은 응집을 초래하기 쉽다. 따라서, 도전성 잉크 또는 페이스트에 있어서, 도전성 분말이나 귀금속 초미립자 촉매가 응집함으로써 상술한 문제가 발생한다고 생각된다.

따라서, 본 발명자들은 상기 문제에 착안하여 다양한 검토를 행한 결과, 종래의 전자파 실드재에 사용되는 도전성 잉크나 페이스트 대신에, 실란 커플링제, 아졸계 화합물 및 귀금속 화합물을 포함하는 무전해 도금 전처리제를 사용하여 광 투과성 전자파 실드재를 제조함으로써 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 발견하였다.

즉, 본 발명은 실란 커플링제와 아졸계 화합물의 혼합물 또는 반응 생성물 및 귀금속 화합물을 포함하는 무전해 도금 전처리제를, 투명 기판 상에 메쉬 형상으로 인쇄함으로써, 상기 투명 기판 상에 메쉬 형상의 전처리층을 형성하는 공정 및

상기 전처리층 상에, 무전해 도금처리에 의해 메쉬 형상의 금속 도전층을 형성하는 공정을 포함하는 광 투과성 전자파 실드재의 제조 방법에 의해 상기 과제를 해결한다.

본 발명의 방법에 따르면, 실란 커플링제, 아졸계 화합물 및 귀금속 화합물을 포함하는 무전해 도금 전처리제를 사용하여 형성된 전처리층 상에 금속 도전층을 형성함으로써 미세한 패턴을 갖고, 균일한 두께로 고정밀도로 형성된 금속 도전층을 얻을 수 있다. 또한, 상기 전처리층에서는 실란 커플링제, 아졸계 화합물 및 귀금속 화합물이 원자 레벨로 분산됨으로써, 줄무늬나 흐림의 발생도 없다. 또한, 바람직하게는 상기 무전해 도금 전처리제가 합성 수지를 포함함으로써, 투명 기판과, 전처리층과, 금속 도전층과의 우수한 밀착성을 확보하는 것이 가능해지는 동시에, 전처리층의 우수한 밀착성에 의해 금속 도전층을 보다 높은 정밀도로 형성하는 것이 가능해진다.

따라서, 본 발명의 방법에 따르면, 광 투과성, 전자파 실드성, 외관성 및 시인성이 우수한 광 투과성 전자파 실드재를 제공하는 것이 가능해진다.

도1은 본원 발명에 의한 광 투과성 전자파 실드재의 제조 방법의 각 공정을, 단면도를 사용하여 설명한 도면이다.

도2는 전처리층의 패턴의 일례를 나타내는 모식도이다.

[부호의 설명]

11 : 투명 기판

12, 22 : 메쉬 형상의 전처리층

13 : 메쉬 형상의 금속 도전층

14 : 흑화 처리층

25 : 개구부

본 발명의 제조 방법의 각 공정을 설명하기 위한 개략적인 단면도의 일례를 도1에 도시한다.

본 발명의 방법에서는, 우선 실란 커플링제와 아졸계 화합물의 혼합물 또는 반응 생성물 및 귀금속 화합물을 포함하는 무전해 도금 전처리제를, 투명 기판(11) 상에 메쉬 형상으로 인쇄하여, 상기 투명 기판(11) 상에 메쉬 형상의 전처리층(12)을 형성한다[도1의 화살표(A1)].

상기 무전해 도금 전처리제에 따르면, 실란 커플링제, 아졸계 화합물 및 귀금속 화합물을, 전처리층에 있어서 원자 레벨로 분산시킬 수 있어, 종래, 이용되고 있던 미세한 금속 분말이나 도전성 분말 등을 포함하지 않는다. 따라서, 줄무늬나 흐림의 발생이 없는 미세한 패턴을 갖는 메쉬 형상의 전처리층을 고정밀도로 형성하는 것이 가능해진다. 또한, 상기 무전해 도금 전처리제를 사용하여 형성된 전처리층은 상기 실란 커플링제 및 상기 아졸계 화합물에 의해 투명 기판과 금속 도전층과의 밀착성이 발현되고, 상기 귀금속 화합물이 무전해 도금에 있어서 금속을 석출시키는데에도 촉매 효과를 보인다. 이에 의해, 후공정의 무전해 도금에 의해 상기 전처리층 상에 선택적으로 금속 도전층을 형성할 수 있어, 원하는 두께를 갖는 메쉬 형상의 금속 도전성을 얻는 것이 가능해진다.

다음에, 본 발명의 방법에서는 전해 도금 처리를 행함으로써, 상기 메쉬 형상의 전처리층(12) 상에 금속 도전층(13)을 형성한다[도1의 화살표(A2)].

이에 의해, 귀금속 화합물을 사용하여 형성된 전처리층 상에 미세한 금속 입자가 농밀하고 실질적인 연속 피막으로서 침적 형성되고, 상기 전처리층 상에 선택적으로 밀착하여 미세한 패턴을 갖는 금속 도전층을 얻는 것이 가능해진다.

이와 같이, 본 발명에 따르면, 간이한 방법에 의해 미세한 패턴을 갖는 금속 도전층을 형성할 수 있고, 광투과성 및 전자파 실드성이 모두 우수한 광 투과성 전 자파 실드재를 제공하는 것이 가능해진다. 또한, 상기 전처리제가 분말 형상의 입자를 포함하지 않으므로, 입자의 응집에 근거하는 줄무늬나 흐림의 형성도 없어, 외관성 및 시인성도 우수한 광 투과성 전자파 실드재를 제공하는 것이 가능해진다.

이하에, 본 발명의 전자기화 실드재의 제조 방법에 대해 순서에 따라서 더욱 상세하게 설명한다.

우선, 본 발명의 방법에서는 실란 커플링제와 아졸계 화합물의 혼합물 또는 반응 생성물 및 귀금속 화합물을 포함하는 무전해 도금 전처리제를, 투명 기판 상에 메쉬 형상으로 인쇄함으로써, 상기 투명 기판 상에 메쉬 형상의 전처리층을 형성하는 공정을 실시한다.

상기 무전해 도금 전처리제로 사용되는 상기 실란 커플링제는 1분자 중에 금속 보충능을 갖는 관능기를 갖는 것을 사용하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 무전해 도금 촉매인 귀금속 화합물의 활성을 효과적으로 발현하는 전자 상태, 배향으로 하는 것이 가능해져, 피도금재와의 높은 밀착성을 얻을 수 있다.

상기 실란 커플링제로서, 에폭시기 함유 실란 화합물을 들 수 있다. 상기 에폭시기 함유 실란 화합물로서는, 예를 들어 γ-글리시독시프로필트리알콕시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸디메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란 등을 들 수 있다. 이들은, 단독으로 사용되어도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다. 특히, 얻어지는 전처리층이 투명 기판 및 금속 도전층과 높은 밀착성을 띠는 점에서, γ-글리시독시프로필트리알콕시실란을 바람 직하게 들 수 있다.

다음에, 상기 무전해 도금 전처리제로 사용되는 상기 아졸계 화합물로서는, 이미다졸, 옥사졸, 티아졸, 셀레나졸(selenazol), 피라졸, 이소옥사졸, 이소티아졸, 트리아졸, 옥사디아졸, 티아디아졸, 테트라졸, 옥사트리아졸, 티아트리아졸, 벤다졸, 인다졸, 벤즈이미다졸, 벤조트리아졸, 인다졸 등을 들 수 있다. 이들로 제한되는 것은 아니지만, 실란 커플링제가 갖는 에폭시기 등의 관능기 및 귀금속 화합물과의 반응성이 우수하므로, 이미다졸이 특히 바람직하다.

상기 무전해 도금 전처리제에 있어서, 상기 실란 커플링제 및 상기 아졸계 화합물은 단순히 혼합되어 있는 것만으로도 좋지만, 이들을 미리 반응시켜 반응 생성물을 형성해도 좋다. 이에 의해, 귀금속 화합물을 전처리층 중에 원자 레벨로 더욱 고분산할 수 있는 동시에, 얻어지는 전처리층의 광 투과성을 향상시킬 수 있다.

상기 실란 커플링제와 상기 아졸계 화합물을 반응시키기 위해서는, 예를 들어 80 내지 200 ℃에서 아졸계 화합물 1몰에 대해 0.1 내지 10몰의 실란 커플링제를 혼합하여 5분 내지 2시간 반응시키는 것이 바람직하다. 그때, 용매는 특별히 필요하지 않지만, 물 외에, 클로로포름, 디옥산메탄올, 에탄올 등의 유기 용매를 사용해도 된다. 이와 같이 하여 얻어진 상기 실란 커플링제와 상기 아졸계 화합물의 반응 생성물에 귀금속 화합물을 혼합함으로써, 상기 무전해 도금 전처리제를 얻을 수 있다.

다음에, 상기 무전해 도금 전처리제로 사용되는 상기 귀금속 화합물은 무전 해 도금 처리에 있어서 구리나 알루미늄 등의 금속을 선택적으로 석출ㆍ성장시킬 수 있는 촉매 효과를 나타내는 것이다. 구체적으로는, 높은 촉매 활성을 얻을 수 있으므로, 팔라듐, 은, 백금 및 금 등의 금속 원자를 포함하는 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 상기 화합물로서는, 상기 금속 원자의 염화물, 수산화물, 산화물, 황산염, 암모늄염 등의 암민착체 등이 사용되나, 특히 파라듐 화합물, 그 중에서도 염화파라듐이 바람직하다.

상기 무전해 도금 전처리제는 상기 아졸계 화합물 및 상기 실란 커플링제에 대해, 상기 귀금속 화합물을, 바람직하게는 0.001 내지 50 mol％, 더욱 바람직하게는 0.1 내지 20 mol％ 포함하는 것이 좋다. 상기 귀금속 화합물의 농도가, 0.001 mol％ 미만에서는 충분한 촉매 활성을 얻을 수 없어 원하는 두께를 갖는 금속 도전층을 형성할 수 없을 우려가 있고, 50 mol％를 초과하면 첨가량의 증가에 적합한 귀금속 화합물에 의한 촉매 효과를 얻을 수 없을 우려가 있다.

본 발명의 무전해 도금 전처리제는, 또한 합성 수지를 함유하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 전처리층에 있어서의 투명 기판과 금속 도전층의 밀착성이 향상되어, 전처리층이 박리되기 어려워져, 금속 도전층을 더욱 고정밀도로 형성하는 것이 가능해진다.

상기 무전해 도금 전처리제로 사용되는 상기 합성 수지는 투명 기판 및 금속 도전층과의 밀착성을 확보할 수 있는 것이면, 특별히 제한되지 않는다. 상기 합성 수지로서, 바람직하게는 아크릴 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 염화비닐 수지 및 에틸렌아세트산비닐 공중합체 수지 등을 들 수 있다. 이들에 따르 면, 투명 기판 및 금속 도전층과의 높은 밀착성을 얻을 수 있어, 전처리층 상에 금속 도전층을 고정밀도로 형성할 수 있다. 또한, 이들 합성 수지는 1종 단독으로 사용되어도 좋은 것 외에, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 좋다.

상기 아크릴 수지로서는, 아크릴산메틸, 아크릴산에틸, 아크릴산부틸, 아크릴산헥실 등의 아크릴산알킬에스테르류, 메타크릴산메틸, 메타크릴산에틸, 메타크릴산부틸, 메타크릴산헥실 등의 메타아크릴산알킬에스테르류의 호모 폴리머를 사용할 수 있으나, 특히 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리에틸메타크릴레이트 또는 폴리부틸메타크릴레이트 등을 들 수 있다.

또한, 상기 폴리에스테르 수지로서, 구체적으로는 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리트리메틸렌테레프탈레이트, 2,6-폴리에틸렌나프탈레이트 등을 사용할 수 있다.

상기 폴리우레탄 수지로서는, 예를 들어 폴리에스테르계 우레탄 수지, 폴리에테르계 우레탄 수지, 폴리카보네이트계 우레탄 수지 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 폴리에스테르계 우레탄 수지를 바람직하게 들 수 있다.

상기 폴리우레탄 수지로서 구체적으로는, 폴리에스테르계 폴리올과 폴리이소시아네이트 화합물의 반응 생성물로 이루어지는 폴리에스테르계 우레탄 수지를 사용할 수 있다. 상기 폴리에스테르계 우레탄 수지의 평균 분자량은 일반적으로 1만 내지 50만이다.

상기 폴리에스테르계폴리올로서는, 저분자 디올과 디카르복시산을 반응시켜 얻어지는 축합 폴리에스테르디올이나, 락톤의 개환 중합에 의해 얻어지는 폴리락톤 디올, 폴리카보네이트디올 등을 들 수 있다. 또한, 상기 저분자 디올로서는, 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 부틸렌글리콜 등의 디올, 트리메티롤프로판, 트리메티롤에탄, 헥산트리올, 글리세린 등의 트리올, 소르비톨 등의 헥산올을 들 수 있다. 상기 디카르복시산으로서는, 호박산, 아디핀산, 세바신산, 글루타르산, 아제줄무늬산, 말레인산, 포마르산 등의 지방족 디카르복시산류, 테레프탈산, 이소프탈산 등의 방향족 디카르복시산류 등이 단독 사용 또는 2종 이상 사용된다. 또한, 상기 락톤에는 ε-카플로락톤 등이 사용된다.

그리고, 폴리에스테르계 폴리올의 구체예로서는, 폴리에틸렌아디페이트, 폴리부틸렌아디페이트, 폴리헥사메틸렌아디페이트, 폴리네오펜틸아디페이트, 폴리에틸렌부틸렌아디페이트, 폴리부틸렌헥사부틸렌아디페이트, 폴리디에틸렌아디페이트, 폴리(폴리테트라메틸렌에테르)아디페이트, 폴리에틸렌아제이트, 폴리에틸렌세바케이트, 폴리부틸렌아제이트, 폴리부틸렌세바케이트, 폴리헥사메틸렌카보네이트디올 등을 들 수 있고, 이들이 단독 사용 또는 2종 이상 사용된다.

상기 폴리이소시아네이트 화합물로서는, 방향족 디이소시아네이트(예를 들어, 4,4'-디페닐메탄디이소시아네이트, 2,4-톨리렌디이소시아네이트, 1,5-나프탈린디이소시아네이트, n-이소시아네이트페닐술포닐이소시아네이트, m-혹은 p-이소시아네이트페닐술포닐이소시아네이트 등) ; 지방족 디이소시아네이트(예를 들어, 1,6-헥사메틸렌디이소시아네이트 등) ; 지환식 디이소시아네이트(예를 들어, 이소포론디이소시아네이트, 수소 첨가 크실렌디이소시아네이트, 수소 첨가 디페닐메탄디이소시아네이트 등)의 폴리이소시아네이트, 혹은 또한 이들 각종 이소시아네이트의 부가체, 또는 다량체 등이 단독 사용 또는 2종 이상 사용된다.

폴리에스테르계 폴리올과 폴리이소시아네이트 화합물의 사용 비율은, 특별히 한정되지 않으나, 통상은 폴리에스테르계 폴리올 : 폴리이소시아네이트 화합물 ＝ 1 : 0.01 내지 0.5 정도(몰비)의 범위 내에 있어서, 사용하는 화합물의 종류 등에 따라서 적절하게 결정하면 된다.

상기 폴리에스테르계 우레탄 수지를 사용하는 경우, 무전해 도금 전처리제는 폴리이소시아네이트 경화제를 더 포함하는 것이 바람직하다. 상기 폴리이소시아네이트 경화제로서는, 상술한 폴리이소시아네이트 화합물이 사용된다. 상기 경화제의 함유량은 상기 폴리에스테르계 우레탄 수지 100 질량부에 대해, 0.1 내지 5 질량부, 특히 0.1 내지 1.0 질량부로 하는 것이 바람직하다.

상기 염화비닐 수지는 종래 공지의 염화비닐의 단독 중합물인 호모 폴리머 수지, 또는 종래 공지의 각종 코폴리머 수지이며, 특별히 한정되는 것은 아니다. 상기 코폴리머 수지로서는, 염화비닐-아세트산비닐코폴리머 수지, 염화비닐-프로피온산비닐코폴리머 수지 등의 염화비닐과 비닐에스테르류와의 코폴리머 수지, 염화비닐-아크릴산부틸코폴리머 수지, 염화비닐-아크릴산2에틸헥실코폴리머 수지 등의 염화비닐과 아크릴산에스테르류의 코폴리머 수지, 염화비닐-에틸렌코폴리머 수지, 염화비닐-프로필렌코폴리머 수지 등의 염화비닐과 올레핀류의 코폴리머 수지, 염화비닐-아크릴로니트릴코폴리머 수지 등이 대표적으로 예시된다. 특히 바람직하게는, 염화비닐 단독 수지, 에틸렌-염화비닐코폴리머 수지, 아세트산비닐-염화비닐코폴리머 수지 등을 사용하는 것이 좋다.

상기 합성 수지는 높은 밀착성을 얻을 수 있으므로, 활성 수소를 함유하는 관능기를 분자 말단에 갖는 것이 바람직하게 사용된다. 상기 활성 수소를 함유하는 관능기로서는, 활성 수소를 갖고 있으면 특별히 제한되지 않고, 1급 아미노기, 2급 아미노기, 이미노기, 아미드기, 히드라지드기, 히드록실기, 히드로페록시기, 카르복실기, 포르밀기, 카르바모일기, 술폰산기, 술핀산기, 술펜산기, 티올기, 티오포르밀기, 피로릴기, 이미다조릴기, 피페리딜기, 인다조릴기, 카르바조릴기 등을 들 수 있다. 바람직하게는 1급 아미노기, 2급 아미노기, 이미노기, 아미드기, 이미드기, 히드록실기, 포르밀기, 카르복실기, 술폰산기 또는 티올기이다. 특히 바람직하게는, 1급 아미노기, 2급 아미노기, 아미드기 또는 히드록실기이다. 또한, 이들의 기는 할로겐 원자나 탄소 원자 수 1 내지 20의 탄화수소기로 치환되어 있어도 좋다. 그 중에서도, 히드록실기, 카르보닐기 및 아미노기를 바람직하게 들 수 있다.

상기 무전해 도금 전처리제에 있어서의 합성 수지의 함유량은 무전해 도금 전처리제의 전체량에 대해, 1 내지 50 질량％, 특히 5 내지 20 질량％로 하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 높은 밀착성을 갖는 전처리층을 형성하는 것이 가능해진다.

또한, 상기 무전해 도금 전처리제는, 무기 미립자를 더 포함하고 있어도 좋다. 무기 미립자를 함유함으로써, 인쇄 정밀도를 향상시킬 수 있고, 보다 정밀도가 높은 금속 도전층을 형성하는 것이 가능해진다. 상기 무기 미립자로서는, 실리카, 탄산칼슘, 카본, 알루미나, 탈크, 마이카, 유리 조각, 금속 위스커, 세라믹 위 스커, 황산칼슘 위스커, 스멕타이트 등을 바람직하게 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로 사용되어도 좋은 것 외에, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 좋다.

상기 무기 미립자의 평균 입자 직경은 0.01 내지 5 ㎛, 특히 0.1 내지 3 ㎛로 하는 것이 바람직하다. 상기 무기 미립자의 평균 입자 직경이 0.01 ㎛ 미만이면 무기 미립자의 첨가에 의해 원하는 만큼의 인쇄 정밀도의 향상을 얻을 수 없을 우려가 있고, 5 ㎛를 초과하면 줄무늬나 흐림이 발생하기 쉬워질 우려가 있다.

상기 무전해 도금 전처리제에 있어서의 무기 미립자의 함유량은 상기 합성 수지 100 질량부에 대해, 0.01 내지 10 질량부, 특히 1 내지 5 질량부로 하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 높은 인쇄 적성을 가진 전처리제로 할 수 있다.

또한, 상기 무전해 도금 전처리제는, 또한 틱소트로픽제를 함유해도 좋다. 상기 틱소트로픽제에 따르면, 전처리제의 유동성을 조정함으로써 인쇄 정밀도를 향상시킬 수 있어, 보다 정밀도가 높은 금속 도전층을 형성하는 것이 가능해진다. 틱소트로픽제로서는, 종래 공지의 것이면 사용할 수 있다. 바람직하게는, 아마이드 왁스, 경화 피마자유, 밀랍, 갈바나 왁스, 스테아린산아미드, 히드록시스테아린산에틸렌비스아미드 등을 사용할 수 있다.

상기 무전해 도금 전처리제에 있어서의 틱소트로픽제의 함유량은 상기 합성 수지 100 질량부에 대해, 0.1 내지 10 질량부, 특히 1 내지 5 질량부로 하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 높은 인쇄 적성을 가진 전처리제로 할 수 있다.

본 발명의 무전해 도금 전처리제는 흑색 착색제를 더 함유해도 좋다. 이에 의해, 인쇄 정밀도의 향상과 함께, 얻어지는 광 투과성 전자파 실드재에 있어서 투 명 기판측에서 보았을 때의 방현 효과를 부여할 수 있다.

상기 흑색 착색제로서는, 카본블랙, 티탄블랙, 흑색 산화철, 흑연 및 활성탄 등을 바람직하게 들 수 있다. 이들은, 1종 단독으로 사용되어도 좋고, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 좋다. 그 중에서도, 카본블랙이 바람직하다. 카본블랙으로서는, 아세틸렌블랙, 채널블랙, 퍼니스블랙 등을 들 수 있다. 카본블랙의 평균 입경은, 바람직하게는 0.1 내지 1000 ㎚, 특히 바람직하게는 5 내지 500 ㎚이다.

상기 무전해 도금 전처리제에 있어서의 흑색 착색제의 함유량은 상기 합성 수지 100 질량부에 대해, 0.1 내지 10 질량부, 특히 1 내지 5 질량부로 하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 방현 효과를 갖는 전처리층을 고정밀도로 형성하는 것이 가능해진다.

흑색 착색제를 사용하는 경우, 시판되고 있는 먹물 잉크를 사용하여 무전해 도금 전처리제를 조제하는 것이 바람직하다. 이와 같은 먹물 잉크로서는, 도요 잉크 제조 주식회사제 SS8911, 쥬죠 케미컬 주식회사제 EXG-3590, 다이이치 세이카 공업 주식회사제 NT 하이라믹스 795R 먹물 등이 있다. 예를 들어, 도요 잉크 제조 주식회사제 SS8911의 경우, 용제 중에 카본블랙 외에, 염화비닐 및 아크릴 수지 등을 더 포함한다. 따라서, 상기한 시판품이면, 합성 수지 및 흑색 착색제를 포함하는 무전해 도금 전처리제의 조제를 용이하게 행할 수 있다.

또한, 상기 무전해 도금 전처리제는 적당한 용매를 함유하고 있어도 좋다. 상기 용매로서는, 물, 메틸알코올, 에탄올, 2-프로판올, 아세톤, 톨루엔, 에틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜, 디메틸포름아미드, 디메틸술폭시드, 디옥산 등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로 사용되어도 좋고, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 좋다.

상기 무전해 도금 전처리제에는 필요에 따라서 체질 안료, 계면활성제, 착색제 등의 각종 첨가제를 더 함유시켜도 좋다.

본 발명의 방법에 있어서, 상기 전처리제를 도포하는 투명 기판으로서는, 투명성 및 가요성을 구비하고, 그 후의 처리에 견딜 수 있는 것이면 특별히 제한은 없다. 투명 기판의 재질로서는, 예를 들어 유리, 폴리에스테르[예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트, (PET), 폴리부틸렌테레프탈레이트), 아크릴 수지[예를 들어, 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)], 폴리카보네이트(PC), 폴리스티렌, 셀룰로오스트리아세테이트, 폴리비닐알코올, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 폴리에틸렌, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 폴리비닐부티랄, 금속 이온 가교 에틸렌-메타크릴산 공중합체, 폴리우레탄, 셀로판 등을 들 수 있고, 이들 중에서 가공 처리(가열, 용제, 절곡)에 의한 열화가 적고, 투명성이 높은 재료인 PET, PC, PMMA가 바람직하다. 또한, 투명 기판은 이들의 재질로 이루어지는 시트, 필름, 또는 판으로서 사용된다.

투명 기판의 두께는 특별히 한정되지 않으나, 광 투과성 전자파 실드재의 광 투과성을 유지한다는 관점에서 보면 얇을수록 바람직하고, 통상은 사용 시의 형태나 필요로 하는 기계적 강도에 따라서 0.05 내지 5 ㎜의 범위에서 적절하게 두께가 설정된다.

본 발명의 방법에서는 상술한 무전해 도금 전처리제를, 투명 기판 상에 메쉬 형상으로 인쇄함으로써, 상기 투명 기판 상에 메쉬 형상의 전처리층을 형성한다. 이에 의해, 간이한 방법으로 원하는 미세한 패턴을 갖는 도금 보호층을 형성할 수 있다.

상기 무전해 도금 전처리제의 점도는, 인쇄에 의해 미세한 선 폭 및 간극(피치)을 갖는 전처리층을 얻기 위해서는, 25 ℃에 있어서, 바람직하게는 500 내지 5000 cps, 더욱 바람직하게는 1000 내지 3000 cps로 하는 것이 좋다.

상기 무전해 도금 전처리제를 투명 기판에 인쇄하기 위해서는, 그라비아 인쇄, 스크린 인쇄, 오프셋 인쇄, 잉크젯 인쇄, 정전 인쇄, 가요성 인쇄 등의 인쇄 방법을 사용할 수 있다. 특히, 세선화를 위해서는 그라비아 인쇄가 적합하다. 그라비아 인쇄를 사용하는 경우, 인쇄 속도는 5 내지 50 m/분으로 하는 것이 좋다.

또한, 상기 전처리층은 전사 방식에 의해 인쇄되어도 좋다. 전사 방식의 경우에는, 예를 들어 상기 투명 기판과는 다른 임의의 전사용 기재 시트에, 무전해 도금 전처리제를 상기와 동일한 인쇄 방법 등에 의해 인쇄하고, 열 라미네이트법, 드라이 라미네이트법, 또는 웨트 라미네이트법, 압출 라미네이트법 등에 의해 상기 투명 기판과 접합한 후에, 상기 전사용 기재 시트만을 박리하여, 무전해 도금 전처리제를 상기 투명 기판에 전사하는 방법 등을 사용할 수 있다.

이와 같이 상기 무전해 도금 전처리제를 인쇄한 후, 바람직하게는 80 내지 160 ℃, 더욱 바람직하게는 90 내지 130 ℃로 가열함으로써 건조시키는 것이 좋다. 건조 온도가 80 ℃ 미만에서는 용매의 증발 속도가 늦어 충분한 성막성을 얻을 수 없을 우려가 있고, 160 ℃를 초과하면 화합물의 열분해가 발생할 우려가 있다. 도 포 후에 열건조시키는 경우의 건조 시간은 5초 내지 5분이 바람직하다.

메쉬 형상의 전처리층에 있어서의 패턴의 형상에는 특별히 제한은 없고, 예를 들어 사각형의 구멍이 형성된 격자 형상이나, 원형, 육각형, 삼각형 또는 타원형의 구멍이 형성된 펀칭 메탈 형상 등을 들 수 있다. 또한, 구멍은 규칙적으로 배열된 것으로 한정되지 않고, 랜덤 패턴으로 해도 좋다.

금속 도전층에 높은 광 투과성 및 전자파 실드성을 부여하는 관점으로부터는, 전처리층에 있어서의 개구부는 등간격으로 규칙적으로 배열되어 있는 것이 바람직하다. 또한, 높은 광 투과성을 갖는 금속 도전층을 형성하기 위해서는, 상기 금속 도전층에 있어서, 개구부의 형상을 각진 형상, 특히 정사각형 또는 직사각형으로 하여 개구율을 높게 하는 것이 바람직하다. 따라서, 상기 전처리층에 있어서의 개구부의 크기는 미소한 것이 바람직하다. 예를 들어, 개구부(25)의 형상이 정사각형인 전처리층(22)의 패턴의 일례를 도2에 도시한다.

상기 전처리층에 있어서, 선 폭(W₁) 1 내지 50 ㎛, 개구율 50 내지 95 ％, 바람직하게는 선 폭(W₁) 5 내지 40 ㎛, 개구율 60 내지 95 ％로 하는 것이 좋다. 또한, 전처리층의 개구율이라 함은, 당해 전처리층(외곽선이 있는 경우에는 그것을 제외한 영역)의 투영 면적에 있어서의 개구 부분이 차지하는 면적 비율을 말한다. 또한, 상기 전처리층에 있어서, 선 간격(W₂)은 50 내지 1000 ㎛, 바람직하게는 100 내지 400 ㎛로 하는 것이 좋다. 이와 같이 본 발명에 따르면, 미세한 패턴을 갖는 전처리층을 고정밀도로 형성할 수 있다.

상기 전처리층은 투명 기판 상의 중앙부에서는 상술한 메쉬 형상의 패턴을 갖고, 상기 투명 기판 상의 중앙부를 제외한 주연부에 액자 형상의 패턴을 갖는 것이라도 좋다. 이와 같은 구성을 갖는 상기 전처리층 상에 금속 도전층을 형성하면, 상기 금속 도전층에 있어서, 액자 형상의 패턴을 갖는 부위가 메쉬 형상의 패턴을 갖는 부위를 보호할 수 있다.

상기 전처리층의 두께는 0.01 내지 5 ㎛, 바람직하게는 0.05 내지 2 ㎛, 특히 바람직하게는 0.05 내지 0.5 ㎛로 하는 것이 좋다. 이에 의해, 투명 기판 및 금속 도전층과의 높은 밀착성을 확보할 수 있다.

다음에, 본 발명의 방법에서는, 상술한 바와 같이 형성한 전처리층 상에, 무전해 도금 처리에 의해 메쉬 형상의 금속 도전층을 형성하는 공정을 실시한다. 무전해 도금 처리를 행함으로써, 미세한 금속 입자가 농밀하고 실질적인 연속 피막으로서 침적 형성되고, 전처리층 상에만 선택적으로 금속 도전층을 얻는 것이 가능해진다.

도금 금속은 도전성을 갖고 도금 가능한 금속이면 사용할 수 있고, 금속 단체, 합금, 도전성 금속 산화물 등이라도 좋고, 균일한 금속 박막 또는 똑같이 도포된 미세한 미립자 등으로 이루어지는 것이라도 좋다.

무전해 도금에 있어서의 도금 금속 중생을 제도로서는, 알루미늄, 니켈, 인듐, 크롬, 금, 바나듐, 주석, 카드뮴, 은, 백금, 구리, 티탄, 코발트, 납 등을 사용할 수 있다. 특히, 높은 전자파 실드성을 얻을 수 있는 금속 도전층을 얻을 수 있으므로, 은, 구리 또는 알루미늄이 바람직하게 사용된다. 이들 도금 금속을 사 용하여 형성되는 금속 도전층은 전처리층 및 도금 보호층과의 밀착성이 우수한 것 외에, 광 투과성과 전자파 실드성의 양립에 적합하다.

상기 무전해 도금은 무전해 도금욕을 사용하여 상법에 따라서 상온 또는 가온 하에서 행할 수 있다. 즉, 도금 금속염, 킬레이트제, pH 조정제, 환원제 등을 기본 조성으로서 포함하는 도금액을 건욕한 것에 도금 기재를 침지시켜 행하거나, 구성 도금액을 2액 이상으로 나누어 첨가하는 방식으로 도금 처리를 실시하는 등 적절하게 선택하면 된다.

무전해 도금으로서 일례를 들면, Cu로 이루어지는 금속 도전층을 형성하는 경우, 황산구리 등의 수용성 구리염 1 내지 100 g/L, 특히 5 내지 50 g/L, 포름알데히드 등의 환원제 0.5 내지 10 g/L, 특히 1 내지 5 g/L, EDTA 등의 착화제 20 내지 100 g/L, 특히 30 내지 70 g/L를 포함하고, pH12 내지 13.5, 특히 12.5 내지 13으로 조정한 용액에, 전처리층 및 복수의 도금 보호층이 형성된 투명 기판을 50 내지 90 ℃, 30초 내지 60분 침지시키는 방법을 채용할 수 있다.

무전해 도금을 할 때에, 도금되는 기판을 요동, 회전시키거나, 그 근방을 공기 교반시켜도 좋다.

본 발명의 방법에서는 상기 금속 도전층이 원하는 두께, 선 폭을 갖도록 전처리층이 형성된 투명 기판에 무전해 도금을 행한 후, 또한 전해 도금을 행해도 좋다.

전해 도금에 있어서의 도금 금속으로서는, 무전해 도금에 있어서 상술한 것과 동일한 것이 사용된다.

전해 도금은 특별히 제한되지 않고, 상법에 따라서 행하면 된다. 예를 들어, 메쉬 형상의 전처리층 및 금속 도전층이 형성된 투명 기판을 도금액에 침지시키고, 상기 투명 기판을 음극으로 하고 단체의 도금 금속을 양극으로 하여 도금액에 전류를 가하여 행하면 된다. 도금액의 조성은 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어 Cu로 이루어지는 금속 도전층을 형성하는 경우에는, 황산구리 수용액 등이 사용된다.

메쉬 형상의 금속 도전층에 있어서의 패턴의 형상에는 특별히 제한은 없고, 전처리층에 있어서 상술한 것과 마찬가지이다.

상기 금속 도전층에 있어서, 선 폭(W₁) 1 내지 50 ㎛, 개구율 50 내지 95 ％, 바람직하게는 선 폭(W₁) 5 내지 40 ㎛, 개구율 60 내지 95 ％로 하는 것이 좋다. 또한, 금속 도전층의 개구율이라 함은, 당해 금속 도전층(외곽선이 있는 경우에는 그것을 제외한 영역)의 투영 면적에 있어서의 개구 부분이 차지하는 면적 비율을 말한다. 또한, 금속 도전층에 있어서, 선 간격(W₂)은 50 내지 1000 ㎛, 바람직하게는 100 내지 400 ㎛로 하는 것이 좋다. 이와 같이 본 발명에 따르면, 미세한 패턴을 갖는 전처리층 상에 금속 도전층을 고정밀도로 형성할 수 있다.

또한, 전처리층의 설명에 있어서 기재한 바와 같이, 금속 도전층은 투명 기판 상의 중앙부에 상술한 메쉬 형상의 패턴을 갖고, 상기 투명 기판 상의 중앙부를 제외한 주연부에 액자 형상의 패턴을 갖는 것이라도 좋다.

상기 금속 도전층의 두께는 1 내지 200 ㎛, 바람직하게는 5 내지 100 ㎛, 특 히 바람직하게는 2 내지 10 ㎛로 하는 것이 좋다. 상기 금속 도전층의 두께가 지나치게 얇으면 충분한 전자파 실드성을 얻을 수 없을 우려가 있고, 지나치게 두꺼우면 광 투과성 전자파 실드재의 박형화의 관점에서 바람직하지 않다.

다음에, 본 발명의 방법에서는, 도1에 도시한 바와 같이 상기 금속 도전층(13)을 흑화 처리하고, 상기 금속 도전층(13)의 표면의 적어도 일부에 흑화 처리층(14)을 형성하는 공정[도1의 화살표(A3)]을 더 실시해도 좋다.

흑화 처리는 상기 금속 도전층의 금속의 산화 처리 또는 유화 처리에 의해 행하는 것이 바람직하다. 특히 산화 처리는 더욱 우수한 방현 효과를 얻을 수 있고, 또한 폐수 처리의 간이성 및 환경 안전성의 점으로부터 바람직하다.

상기 흑화 처리로서 산화 처리를 행하는 경우에는, 흑화 처리액으로서, 일반적으로는 차아염소산염과 수산화나트륨의 혼합 수용액, 아염소산염과 수산화나트륨의 혼합 수용액, 페르옥소이황산과 수산화나트륨의 혼합 수용액 등을 사용하는 것이 가능하고, 특히 경제성의 점으로부터, 차아염소산염과 수산화나트륨의 혼합 수용액, 또는 아염소산염과 수산화나트륨의 혼합 수용액을 사용하는 것이 바람직하다.

상기 흑화 처리로서 유화 처리를 행하는 경우에는, 흑화 처리액으로서, 일반적으로는 유화칼륨, 유화바륨 및 유화암모늄 등의 수용액을 사용하는 것이 가능하고, 바람직하게는 유화칼륨 및 유화암모늄이고, 특히 저온에서 사용 가능한 점으로부터, 유화암모늄을 사용하는 것이 바람직하다.

흑화 처리층의 두께는 특별히 제한되지 않으나, 0.01 내지 1 ㎛, 바람직하게 는 0.01 내지 0.5 ㎛로 하는 것이 좋다. 상기 두께가 0.01 ㎛ 미만이면, 광의 방현 효과가 충분하지 않을 우려가 있고, 1 ㎛를 초과하면 사시했을 때의 외관상의 개구율이 저하될 우려가 있다.

상술한 본 발명의 방법에 따르면, 입자 형상의 분말을 포함하지 않는 무전해 도금 전처리제를 사용함으로써, 미세한 패턴을 갖는 금속 도전층을 고정밀도로 제작할 수 있어, 광 투과성, 전자파 실드성, 외관성 및 시인성이 우수한 광 투과성 전자파 실드재를 제공하는 것이 가능해진다.

상기 광 투과성 전자파 실드재는 투명 기판, 상기 투명 기판 상에 설치된 메쉬 형상의 전처리층, 상기 전처리층 상에 설치된 메쉬 형상의 금속 도전층을 갖고, 상기 전처리층이 실란 커플링제와 아졸계 화합물의 혼합물 또는 반응 생성물 및 귀금속 화합물을 포함하는 무전해 도금 전처리제를 사용하여 형성된 것인 구성을 갖는다.

또한, 무전해 도금 전처리제가 합성 수지를 더 함유하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 전처리층에 있어서의 투명 기판과 금속 도전층의 밀착성이 향상되어, 전처리층이 박리되기 어려워져, 금속 도전층을 더욱 고정밀도로 형성하는 것이 가능해진다.

상기 광 투과성 전자파 실드재는 상기 금속 도전층에 방현성을 부여하기 위해, 상기 금속 도전층의 표면의 적어도 일부에 흑화 처리층을 갖고 있어도 좋다.

상기 광 투과성 전자파 실드재는 소정의 성분을 포함하는 무전해 도금 전처리제를 사용함으로써 전처리층이 높은 광 투과성을 갖는다. 따라서, 전처리층이 형성됨으로써 광 투과성 전자파 실드재의 광 투과성이 저하되는 경우가 없어, 상기 광 투과성 전자파 실드재는 75％ 이상, 특히 80 내지 90 ％로 높은 전체 광선 투과율을 갖는다.

또한, 상기 광 투과성 전자파 실드재의 전체 광선 투과율의 측정은 전자동 직독 헤이즈 컴퓨터-HGM-2DP(스가 시험기 주식 회사제) 등을 사용하여, 광투과성 전자파 실드재의 두께 방향의 전체 광선 투과율을 측정함으로써 행해진다.

또한, 상기 광 투과성 전자파 실드재에 있어서의 각 층에 대한 상세한 설명은 본 발명의 제조 방법에 있어서 상술한 바와 같으므로, 여기서는 생략한다.

본 발명에 의한 광 투과성 전자파 실드재는 광 투과성이 요구되는 용도, 예를 들어 전자파를 발생하는 각종 전기 기기의 LCD, PDP, CRT 등의 디스플레이 장치의 디스플레이면, 또는 시설이나 가옥의 투명 유리면이나 투명 패널면에 적절하게 적용된다. 상기 광 투과성 전자파 실드재는 높은 광 투과성 및 전자파 실드성을 갖고 있으므로, 전술한 디스플레이 장치의 디스플레이용 필터에 적절하게 사용된다.

본 발명의 디스플레이용 필터는 특별히 제한되지 않으나, 상기 방법에 의해 제조된 광 투과성 전자파 실드재를, 유리판 등의 투명 기판에 접착제층 등을 통해 접합하는 것 등을 함으로써 얻을 수 있다. 이와 같은 디스플레이용 필터에서는, 메쉬 형상의 전처리층 및 금속 도전층의 개구부는 접착제층에 의해 메워진다.

또한, 상기 전자 디스플레이용 필터는 투명 기판, 전자파 실드층 및 접착제층 외에, 반사 방지층, 색조 보정 필터층, 근적외선 컷트층 등을 더 갖고 있어도 좋다. 이 각 층의 적층의 순서는 목적에 띠라서 결정된다. 또한, 디스플레이용 필터에는 전자파 실드 기능을 향상시키기 위해, PDP 본체의 어스 전극과 접속하기 위한 전극을 설치해도 좋다.

(실시예)

이하, 본 발명을 실시예에 의해 설명한다. 본 발명은 이하의 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다.

(제1-1 실시예)

1. 전처리제의 조제

이미다졸에, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란을, 몰비로 1 : 1이 되도록 혼합하여, 1시간, 100분간 반응시킴으로써 얻어진 반응 생성물을 5 wt％ 포함하는 수용액에, 25 ℃에서 교반하면서 염화파라듐을 첨가하여, 염화파라듐 농도가 10 g/L인 용액을 조제하였다. 이것을 n-부탄올로 100 체적배로 희석하여, 염화파라듐 농도가 100 ㎎/L인 전처리제를 조제하였다.

2. 메쉬 형상의 전처리층의 제작

다음에, 상기 전처리제를, PET 필름(두께 100 ㎛) 상에 그라비아 인쇄에 의해 패터닝한 후, 120 ℃, 5분간 건조시킴으로써 상기 PET 필름 상에 메쉬 형상의 전처리층을 형성하였다. 또한, 상기 전처리층에 있어서, 선 폭을 20 ㎛, 선 간격을 235 ㎛, 개구율을 85 ％, 두께를 0.15 ㎛로 하였다.

3. 금속 도전층의 제작

이와 같이 하여 얻어진 전처리층이 형성된 PET 필름을, 무전해 구리 도금액 (메르텍스 주식회사제 메르플레이트 CU-5100)에 침지시켜, 50 ℃, 20분간 무전해 구리 도금 처리하여 메쉬 형상의 금속 도전층을 얻었다. 상기 금속 도전층에 있어서, 선 폭을 28 ㎛, 선 간격을 227 ㎛, 개구율을 79 ％, 두께를 4 ㎛로 하였다.

4. 금속 도전층의 흑화 처리

또한, 상기에서 얻어진 금속 도전층이 형성된 유리판에 대해, 하기 조성의 흑화 처리를 행하였다.

흑화 처리액 조성(수용액)

아염소산나트륨 : 10 질량％

수산화나트륨 : 4 질량％

흑화 처리 조건

욕온 : 약 60 ℃

시간 : 5분간

이 흑화 처리에 의해, 금속 도전층의 표면이 흑화 처리된 광 투과성 전자파 실드재를 얻었다. 얻어진 광 투과성 전자파 실드재의 표면의 흑화 처리된 두께는 평균 0.5 ㎛였다.

(제1-2 실시예)

제1-1 실시예와 마찬가지로 하여 제작한 전처리층이 형성된 PET 필름을, 무전해 구리 도금액(메르텍스 주식회사제 메르플레이트 CU-5100)에 침지시켜, 50 ℃, 5분간 무전해 구리 도금 처리를 행한 후, 또한 전기 도금용 황산구리 수용액에 침 지시켜, 정류기에 의해 발생시킨 2 A/dm²의 전류를 5분간 가함으로써 메쉬 형상의 금속 도전층을 얻었다. 상기 금속 도전층에 있어서, 선 폭을 28 ㎛, 선 간격을 227 ㎛, 개구율을 79 ％, 두께를 4 ㎛로 하였다.

다음에, 제1-1 실시예와 마찬가지로 하여, 상기에서 제작한 금속 도전층을 흑화 처리하여, 금속 도전층의 표면이 흑화 처리된 광 투과성 전자파 실드재를 얻었다.

(제1-3 실시예)

제1-1 실시예와 마찬가지로 하여 제작한 전처리층이 형성된 PET 필름을, 무전 니켈 도금-붕소 합금 도금액(오쿠노 제약 공업 주식회사제 톱케미얼로이 B-1)에 침지시켜, 60 ℃, 5분간 무전해 구리 도금 처리를 행한 후, 또한 전기 도금용 황산구리 수용액에 침지시켜, 정류기에 의해 발생시킨 2 A/dm²의 전류를 5분간 가함으로써 메쉬 형상의 금속 도전층을 얻었다. 상기 금속 도전층에 있어서, 선 폭을 28 ㎛, 선 간격을 227 ㎛, 개구율을 79 ％, 두께를 4 ㎛로 하였다.

(제2-1 실시예)

1. 전처리제의 조제

이미다졸에, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란을, 몰비로 1 : 1이 되도록 혼합하여, 1시간, 100분간 반응시킴으로써 얻어진 반응 생성물을 5 wt％ 포함하는 수용액에, 25 ℃에서 교반하면서 염화파라듐을 첨가하여, 염화파라듐 농도가 10 g/L인 용액을 조제하였다. 이것을 n-부탄올로 100 체적배로 희석하여 염화파라듐 농도가 100 ㎎/L인 촉매 용액을 조제하였다.

또한, 염화비닐 수지와 아크릴 수지의 혼합 수지 25 질량부 및 카본블랙 5 질량부를 포함하는 먹물 잉크(도요 잉크 제조 주식회사제 SS8911) 100 질량부에 대해, 상기 촉매 용액 30 질량부 및 톨루엔 20 질량부를 배합하여 전처리제를 조제하였다.

2. 메쉬 형상의 전처리층의 제작

다음에, 상기 전처리제를 PET 필름(두께 100 ㎛) 상에 그라비아 인쇄에 의해 패터닝한 후, 120 ℃, 5분간 건조시킴으로써, 상기 PET 필름 상에 메쉬 형상의 전처리층을 형성하였다. 또한, 상기 전처리층에 있어서, 선 폭을 20 ㎛, 선 간격을 235 ㎛로, 개구율을 85 ％로, 두께를 0.5 ㎛％로 하였다.

3. 금속 도전층의 제작

이와 같이 하여 얻어진 전처리층이 형성된 PET 필름을, 무전해 구리 도금액(메르텍스 주식회사제 메르플레이트 CU-5100)에 침지시켜, 50 ℃, 20분간 무전해 구리 도금 처리하여 메쉬 형상의 금속 도전층을 얻었다. 상기 금속 도전층에 있어서, 선 폭을 28 ㎛, 선 간격을 227 ㎛, 개구율을 79 ％, 두께를 4 ㎛로 하였다.

4. 금속 도전층의 흑화 처리

흑화 처리액 조성(수용액)

아염소산나트륨 : 10 질량 ％

수산화나트륨 : 4 질량％

흑화 처리 조건

욕온 : 약 60 ℃

시간 : 5분간

(제2-2 실시예)

제2-1 실시예와 마찬가지로 하여 제작한 전처리층이 형성된 PET 필름을, 무전해 구리 도금액(메르텍스 주식회사제 메르플레이트 CU-5100)에 침지시켜, 50 ℃, 5분간 무전해 구리 도금 처리를 행한 후, 또한 전기 도금용 황산구리 수용액에 침지시켜, 정류기에 의해 발생시킨 2 A/dm²의 전류를 5분간 가함으로써 메쉬 형상의 금속 도전층을 얻었다. 상기 금속 도전층에 있어서, 선 폭을 28 ㎛, 선 간격을 227 ㎛, 개구율을 79 ％, 두께를 4 ㎛로 하였다.

다음에, 제2-1 실시예와 마찬가지로 하여, 상기에서 제작한 금속 도전층을 흑화 처리하여 금속 도전층의 표면이 흑화 처리된 광 투과성 전자파 실드재를 얻었 다.

(제2-3 실시예)

제2-1 실시예와 마찬가지로 하여 제작한 전처리층이 형성된 PET 필름을, 무전 니켈 도금-붕소 합금 도금액(오쿠노 제약 공업 주식회사제 톱케미얼로이 B-1)에 침지시켜, 60 ℃, 5분간 무전해 구리 도금 처리를 행한 후, 또한 전기 도금용 황산구리 수용액에 침지시켜, 정류기에 의해 발생시킨 2 A/dm²의 전류를 5분간 가함으로써 메쉬 형상의 금속 도전층을 얻었다. 상기 금속 도전층에 있어서, 선 폭을 28 ㎛, 선 간격을 227 ㎛, 개구율을 79 ％, 두께를 4 ㎛로 하였다.

다음에, 제2-1 실시예와 마찬가지로 하여, 상기에서 제작한 금속 도전층을 흑화 처리하여 금속 도전층의 표면이 흑화 처리된 광 투과성 전자파 실드재를 얻었다.

(평가)

상기 각 실시예에 있어서, 전처리제를 줄무늬, 흐림 등이 없도록 인쇄할 수 있고, 또한 전처리층은 무전해 도금 중에 박리되는 경우도 없었다. 따라서, 상기 각 실시예에 있어서 얻어진 각광 투과성 전자파 실드재는 외관 및 수율이 매우 우수했다.

또한, 상기 제2-1 내지 제2-3 실시예에 있어서 제작한 광 투과성 전자파 실드재의 금속 도전층이 형성된 면에 셀로판 테이프를 부착하고, 박리함으로써, 투명 기판, 전처리층 및 금속 도전층의 밀착성을 평가하였으나, 어느 광 투과성 전자파 실드재도 이들의 층이 박리되지 않았다.

Claims

실란 커플링제와 아졸계 화합물의 혼합물 또는 반응 생성물 및 귀금속 화합물을 포함하는 무전해 도금 전처리제를, 투명 기판 상에 메쉬 형상으로 인쇄함으로써, 상기 투명 기판 상에 메쉬 형상의 전처리층을 형성하는 공정 및

상기 전처리층 상에, 무전해 도금 처리에 의해 메쉬 형상의 금속 도전층을 형성하는 공정을 포함하는 광 투과성 전자파 실드재의 제조 방법.
제1항에 있어서, 상기 실란 커플링제가 에폭시기 함유 실란 화합물인 광 투과성 전자파 실드재의 제조 방법.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 실란 커플링제가 γ-글리시독시프로필트리알콕시실란인 광 투과성 전자파 실드재의 제조 방법.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 아졸계 화합물이 이미다졸인 광 투과성 전자파 실드재의 제조 방법.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 귀금속 화합물이 팔라듐, 은, 백금 및 금으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속 원자를 포함하는 화합물인 광 투과성 전자파 실드재의 제조 방법.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 무전해 도금 전처리제가 합성 수지를 더 함유하는 광 투과성 전자파 실드재의 제조 방법.
제6항에 있어서, 상기 합성 수지가 아크릴 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 염화비닐 수지 및 에틸렌 아세트산비닐 공중합체 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 광 투과성 전자파 실드재의 제조 방법.
제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 합성 수지가 활성 수소를 함유하는 관능기를 분자 말단에 갖는 광 투과성 전자파 실드재의 제조 방법.
제8항에 있어서, 상기 활성 수소를 함유하는 관능기가 히드록실기, 카르보닐기 및 아미노기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 광 투과성 전자파 실드재의 제조 방법.
제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 무전해 도금 전처리제가 무기 미립자를 더 함유하는 광 투과성 전자파 실드재의 제조 방법.
제10항에 있어서, 상기 무기 미립자가 실리카, 탄산칼슘, 카본, 알루미나, 탈크, 마이카, 유리 조각, 금속 위스커, 세라믹 위스커, 황산칼슘 위스커 및 스멕 타이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 미립자인 광 투과성 전자파 실드재의 제조 방법.
제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 무전해 도금 전처리제가 틱소트로픽제를 더 함유하는 광 투과성 전자파 실드재의 제조 방법.
제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 무전해 도금 전처리제가 흑색 착색제를 더 함유하는 광 투과성 전자파 실드재의 제조 방법.
제13항에 있어서, 상기 흑색 착색제가 카본블랙, 티탄블랙, 흑색 산화철, 흑연 및 활성탄으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 광 투과성 전자파 실드재의 제조 방법.
제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 무전해 도금 전처리제를 상기 투명 기판 상에 메쉬 형상으로 인쇄한 후, 80 내지 160 ℃에서 건조시키는 광 투과성 전자파 실드재의 제조 방법.
제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 무전해 도금에 의한 도금 금속이 은, 구리, 또는 알루미늄인 광 투과성 전자파 실드재의 제조 방법.
제1항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 무전해 도금을 행한 후, 또한 전해 도금을 행하는 광 투과성 전자파 실드재의 제조 방법.
제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속 도전층을 흑화 처리하고, 상기 금속 도전층의 표면의 적어도 일부에 흑화 처리층을 형성하는 공정을 더 갖는 광 투과성 전자파 실드재의 제조 방법.
제18항에 있어서, 상기 흑화 처리가 상기 금속 도전층을 산화 처리 또는 유화 처리함으로써 행해지는 광 투과성 전자파 실드재의 제조 방법.
제1항 내지 제19항 중 어느 한 항에 기재된 제조 방법에 의해 제조된 광 투과성 전자파 실드재.
투명 기판, 상기 투명 기판 상에 설치된 메쉬 형상의 전처리층, 상기 전처리층 상에 설치된 메쉬 형상의 금속 도전층을 갖고,

상기 전처리층이 실란 커플링제와 아졸계 화합물의 혼합물 또는 반응 생성물 및 귀금속 화합물을 포함하는 무전해 도금 전처리제를 사용하여 형성된 것인 광 투과성 전자파 실드재.
제21항에 있어서, 상기 무전해 도금 전처리제가 합성 수지를 더 함유하는 광 투과성 전자파 실드재.
제21항 또는 제22항에 있어서, 상기 금속 도전층의 표면의 적어도 일부에 흑화 처리층을 갖는 광 투과성 전자파 실드재.
제21항 내지 제23항 중 어느 한 항에 기재된 광 투과성 전자파 실드재를 갖는 디스플레이용 필터.