KR20090035384A - 플라즈마 디스플레이 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 플라즈마 디스플레이 장치에 관한 것으로, 서로 나란한 스캔 전극과 서스테인 전극이 배치되는 플라즈마 디스플레이 패널과, 프레임(Frame)의 제 1 서브필드(Sub-Field)의 서스테인 기간에서 스캔 전극 또는 서스테인 전극 중 적어도 하나에 서스테인 신호를 공급하지 않거나 서스테인 기간을 생략하고, 제 1 서브필드와 연속되고 시간적으로 늦은 제 2 서브필드의 리셋 기간에서 스캔 전극으로 리셋 신호를 공급하기 이전에 전압이 점진적으로 상승하는 제 1 소거 신호를 공급하는 구동부를 포함할 수 있다.

Description

플라즈마 디스플레이 장치{Plasma Display Apparatus}
본 발명은 플라즈마 디스플레이 장치에 관한 것이다.
플라즈마 디스플레이 장치는 플라즈마 디스플레이 패널을 포함한다.
플라즈마 디스플레이 패널에는 격벽으로 구획된 방전 셀(Cell) 내에 형광체 층이 형성되고, 아울러 복수의 전극(Electrode)이 형성된다.
플라즈마 디스플레이 패널의 전극에 구동 신호를 공급하면, 방전 셀 내에서는 공급되는 구동 신호에 의해 방전이 발생한다. 여기서, 방전 셀 내에서 구동 신호에 의해 방전이 될 때, 방전 셀 내에 충진 되어 있는 방전 가스가 진공자외선(Vacuum Ultraviolet rays)을 발생하고, 이러한 진공 자외선이 방전 셀 내에 형성된 형광체를 발광시켜 가시 광을 발생시킨다. 이러한 가시 광에 의해 플라즈마 디스플레이 패널의 화면상에 영상이 표시된다.
본 발명의 일면은 오방전의 발생을 방지하는 플라즈마 디스플레이 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 장치는 서로 나란한 스캔 전극과 서스테인 전극이 배치되는 플라즈마 디스플레이 패널과, 프레임(Frame)의 제 1 서브필드(Sub-Field)의 서스테인 기간에서 스캔 전극 또는 서스테인 전극 중 적어도 하나에 서스테인 신호를 공급하지 않거나 서스테인 기간을 생략하고, 제 1 서브필드와 연속되고 시간적으로 늦은 제 2 서브필드의 리셋 기간에서 스캔 전극으로 리셋 신호를 공급하기 이전에 전압이 점진적으로 상승하는 제 1 소거 신호를 공급하는 구동부를 포함할 수 있다.
또한, 구동부는 제 1 소거 신호와 대응되는 제 2 소거 신호를 서스테인 전극으로 더 공급할 수 있다.
또한, 제 1 소거 신호의 공급시점은 제 2 소거 신호의 공급시점보다 앞서고, 제 1 소거 신호의 종료시점은 제 2 소거 신호의 종료시점보다 늦을 수 있다.
또한, 제 2 소거 신호의 펄스폭은 제 2 서브필드의 스캔 전극 또는 서스테인 전극 중 적어도 하나로 공급되는 서스테인 신호의 최소 펄스폭보다 작을 수 있다.
또한, 제 1 소거 신호의 상승 기울기는 리셋 신호의 상승 기울기보다 클 수 있다.
또한, 제 1 소거 신호의 펄스폭은 제 2 서브필드의 스캔 전극 또는 서스테인 전극 중 적어도 하나로 공급되는 서스테인 신호의 최소 펄스폭보다 클 수 있다.
또한, 제 2 서브필드의 리셋 기간에서는 복수개의 리셋 신호가 공급될 수 있다.
또한, 구동부는 제 1 서브필드의 어드레스 기간에 서스테인 전극으로 제 1 서스테인 바이어스 신호를 공급하고, 제 2 서브필드의 어드레스 기간에는 서스테인 전극으로 제 2 서스테인 바이어스 신호를 공급하고, 제 1 서스테인 바이어스 신호의 전압의 크기는 제 2 서스테인 바이어스 신호의 전압의 크기보다 클 수 있다.
또한, 구동부는 제 1 서브필드의 어드레스 기간에 스캔 전극으로 제 1 스캔 바이어스 신호를 공급하고, 제 2 서브필드의 어드레스 기간에는 스캔 전극으로 제 2 스캔 바이어스 신호를 공급하고, 제 1 스캔 바이어스 신호의 전압 레벨은 제 2 스캔 바이어스 신호의 전압 레벨보다 낮을 수 있다.
또한, 구동부는 제 1 서브필드의 어드레스 기간에 스캔 전극으로 제 1 스캔 신호를 공급하고, 제 2 서브필드의 어드레스 기간에는 스캔 전극으로 제 2 스캔 신호를 공급하고, 제 1 스캔 신호의 전압의 크기는 제 2 스캔 신호의 전압의 크기보다 작을 수 있다.
또한, 제 1 소거 신호의 전압의 크기는 제 1 서브필드 또는 제 2 서브필드 중 적어도 하나의 어드레스 기간에 스캔 전극으로 공급되는 스캔 신호의 전압의 크기보다 크거나 같을 수 있다.
본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 장치는 오방전의 발생을 방지하여 영상의 화질을 개선하는 효과가 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 장치의 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 장치의 구성에 대해 설명하기 위한 도면이다.
도 1을 살펴보면, 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 장치는 플라즈마 디스플레이 패널(100)과 구동부(110)를 포함한다.
플라즈마 디스플레이 패널(100)은 서로 나란한 스캔 전극(Y1~Yn)과 서스테인 전극(Z1~Zn)을 포함하고, 아울러 스캔 전극 및 서스테인 전극과 교차하는 어드레스 전극(X1~Xm)을 포함할 수 있다.
구동부(110)는 플라즈마 디스플레이 패널(100)의 스캔 전극, 서스테인 전극 또는 어드레스 전극 중 적어도 하나로 구동신호를 공급하여, 플라즈마 디스플레이 패널(100)의 화면에 영상이 구현되도록 할 수 있다.
여기, 도 1에서는 구동부(110)가 하나의 보드(Board) 형태로 이루어지는 경우만 도시하고 있지만, 본 발명에서 구동부(110)는 플라즈마 디스플레이 패널(100)에 형성된 전극에 따라 복수개의 보드 형태로 나누어지는 것도 가능하다. 예를 들면, 구동부(110)는 플라즈마 디스플레이 패널(100)의 스캔 전극을 구동시키는 제 1 구동부(미도시)와, 서스테인 전극을 구동시키는 제 2 구동부와, 어드레스 전극을 구동시키는 제 3 구동부(미도시)로 나누어질 수 있는 것이다.
도 2는 플라즈마 디스플레이 패널의 구조에 대해 설명하기 위한 도면이다.
도 2를 살펴보면, 플라즈마 디스플레이 패널은 서로 나란한 스캔 전극(202, Y)과 서스테인 전극(203, Z)이 형성되는 전면 기판(201)과, 전술한 스캔 전극(202, Y) 및 서스테인 전극(203, Z)과 교차하는 어드레스 전극(213, X)이 형성되는 후면 기판(211)을 포함할 수 있다.
스캔 전극(202, Y)과 서스테인 전극(203, Z)이 형성된 전면 기판(201)에는 스캔 전극(202, Y) 및 서스테인 전극(203, Z)의 방전 전류를 제한하며 스캔 전극(202, Y)과 서스테인 전극(203, Z) 간을 절연시키는 상부 유전체 층(204)이 배치될 수 있다.
상부 유전체 층(204)이 형성된 전면 기판(201)에는 방전 조건을 용이하게 하기 위한 보호 층(205)이 형성될 수 있다. 이러한 보호 층(205)은 2차 전자 방출 계수가 높은 재질, 예컨대 산화마그네슘(MgO) 재질을 포함할 수 있다.
후면 기판(211) 상에는 전극, 예컨대 어드레스 전극(213, X)이 형성되고, 이러한 어드레스 전극(213, X)이 형성된 후면 기판(211)의 상부에는 어드레스 전극(213, X)을 덮으며 어드레스 전극(213, X)을 절연시키는 하부 유전체 층(215)이 형성될 수 있다.
하부 유전체 층(215)의 상부에는 방전 공간 즉, 방전 셀을 구획하기 위한 스트라이프 타입(Stripe Type), 웰 타입(Well Type), 델타 타입(Delta Type), 벌집 타입 등의 격벽(212)이 형성될 수 있다. 이에 따라, 전면 기판(201)과 후면 기 판(211)의 사이에서 적색(Red : R), 녹색(Green : G), 청색(Blue : B) 방전 셀 등이 형성될 수 있다.
또한, 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 방전 셀 이외에 백색(White : W) 또는 황색(Yellow : Y) 방전 셀이 더 형성되는 것도 가능하다.
한편, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 방전 셀의 폭은 실질적으로 동일할 수도 있지만, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 방전 셀 중 적어도 하나의 폭이 다른 방전 셀의 폭과 다르게 할 수도 있다.
예컨대, 적색(R) 방전 셀의 폭이 가장 작고, 녹색(G) 및 청색(B) 방전 셀의 폭을 적색(R) 방전 셀의 폭보다 크게 할 수 있다. 그러면, 구현되는 영상의 색온도 특성이 향상될 수 있다. 녹색(G) 방전 셀의 폭은 청색(B) 방전 셀의 폭과 실질적으로 동일하거나 상이할 수 있다.
또한, 도 2에 도시된 격벽(212)의 구조뿐만 아니라, 다양한 형상의 격벽의 구조도 가능할 것이다. 예컨대, 격벽(212)은 제 1 격벽(212b)과 제 2 격벽(212a)을 포함하고, 여기서, 제 1 격벽(212b)의 높이와 제 2 격벽(212a)의 높이가 서로 다른 차등형 격벽 구조, 제 1 격벽(212b) 또는 제 2 격벽(212a) 중 하나 이상에 배기 통로로 사용 가능한 채널(Channel)이 형성된 채널형 격벽 구조, 제 1 격벽(212b) 또는 제 2 격벽(212a) 중 하나 이상에 홈(Hollow)이 형성된 홈형 격벽 구조 등이 가능할 것이다.
여기서, 차등형 격벽 구조인 경우에는 제 1 격벽(212b)의 높이가 제 2 격벽(212a)의 높이보다 더 낮을 수 있다. 아울러, 채널형 격벽 구조인 경우에는 제 1 격벽(212b)에 채널이 형성될 수 있다.
또한, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 방전 셀 각각이 동일한 선상에 배열되는 것으로 도시 및 설명되고 있지만, 다른 형상으로 배열되는 것도 가능할 것이다. 예컨대, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 방전 셀이 삼각형 형상으로 배열되는 델타(Delta) 타입의 배열도 가능할 것이다. 또한, 방전 셀의 형상도 사각형상뿐만 아니라 오각형, 육각형 등의 다양한 다각 형상도 가능할 것이다.
또한, 여기 도 2에서는 후면 기판(211)에 격벽(212)이 형성된 경우만을 도시하고 있지만, 격벽(212)은 전면 기판(201) 또는 후면 기판(211) 중 적어도 어느 하나에 형성될 수 있다.
격벽(212)에 의해 구획된 방전 셀 내에는 소정의 방전 가스가 채워질 수 있다.
아울러, 격벽(212)에 의해 구획된 방전 셀 내에는 어드레스 방전 시 화상표시를 위한 가시 광을 방출하는 형광체 층(214)이 형성될 수 있다. 예를 들면, 적색(Red : R), 녹색(Green : G), 청색(Blue : B) 형광체 층이 형성될 수 있다.
또한, 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 형광체 이외에 백색(White : W) 및/또는 황색(Yellow : Y) 형광체 층이 더 형성되는 것도 가능하다.
또한, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 방전 셀 중 적어도 어느 하나의 방전 셀에서의 형광체 층(214)의 두께가 다른 방전 셀과 상이할 수 있다. 예를 들면, 녹색(G) 방전 셀의 형광체 층, 즉 녹색(G) 형광체 층 또는 청색(B) 방전 셀에서의 형광체 층, 즉 청색(B) 형광체 층의 두께가 적색(R) 방전 셀에서의 형광체 층, 즉 적 색(R) 형광체 층의 두께보다 더 두꺼울 수 있다. 여기서, 녹색(G) 형광체 층의 두께는 청색(B) 형광체 층의 두께와 실질적으로 동일하거나 상이할 수 있다.
또한, 이상의 설명에서는 번호 204의 상부 유전체 층 및 번호 215의 하부 유전체 층이 각각 하나의 층(Layer)인 경우만을 도시하고 있지만, 이러한 상부 유전체 층 및 하부 유전체 층 중 하나 이상은 복수의 층으로 이루지는 것도 가능한 것이다.
아울러, 번호 212의 격벽으로 인한 외부 광의 반사를 방지하기 위해 격벽(212)의 상부에 외부 광을 흡수할 수 있는 블랙 층(미도시)을 더 배치하는 것도 가능하다.
또한, 격벽(212)과 대응되는 전면 기판(201) 상의 특정 위치에 또 다른 블랙 층(미도시)이 더 형성되는 것도 가능하다.
또한, 후면 기판(211) 상에 형성되는 어드레스 전극(213)은 폭이나 두께가 실질적으로 일정할 수도 있지만, 방전 셀 내부에서의 폭이나 두께가 방전 셀 외부에서의 폭이나 두께와 다를 수도 있을 것이다. 예컨대, 방전 셀 내부에서의 폭이나 두께가 방전 셀 외부에서의 그것보다 더 넓거나 두꺼울 수 있을 것이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 장치에서 영상의 계조를 구현하기 위한 영상 프레임(Frame)에 대해 설명하기 위한 도면이다.
도 3을 살펴보면 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 장치에서 영상의 계조(Gray Level)를 구현하기 위한 영상 프레임은 발광횟수가 다른 복수의 서브필드로 나누어질 수 있다.
아울러, 도시하지는 않았지만 복수의 서브필드 중 하나 이상의 서브필드는 다시 방전 셀을 초기화시키기 위한 리셋 기간(Reset Period), 방전될 방전 셀을 선택하기 위한 어드레스 기간(Address Period) 및 방전횟수에 따라 계조를 구현하는 서스테인 기간(Sustain Period)으로 나누어 질 수 있다.
예를 들어, 256 계조로 영상을 표시하고자 하는 경우에 예컨대 하나의 영상 프레임은, 도 3과 같이 8개의 서브필드들(SF1 내지 SF8)로 나누어지고, 8개의 서브 필드들(SF1 내지 SF8) 각각은 리셋 기간, 어드레스 기간 및 서스테인 기간으로 다시 나누어질 수 있다.
한편, 서스테인 기간에 공급되는 서스테인 신호의 개수를 조절하여 해당 서브필드의 계조 가중치를 설정할 수 있다. 즉, 서스테인 기간을 이용하여 각각의 서브필드에 소정의 계조 가중치를 부여할 수 있다. 예를 들면, 제 1 서브필드의 계조 가중치를 20 으로 설정하고, 제 2 서브필드의 계조 가중치를 21 으로 설정하는 방법으로 각 서브필드의 계조 가중치가 2n(단, n = 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7)의 비율로 증가되도록 각 서브필드의 계조 가중치를 결정할 수 있다. 이와 같이 각 서브필드에서 계조 가중치에 따라 각 서브필드의 서스테인 기간에서 공급되는 서스테인 신호의 개수를 조절함으로써, 다양한 영상의 계조를 구현하게 된다.
본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 장치는 영상을 구현하기 위해, 예컨대 1초의 영상을 표시하기 위해 복수의 영상 프레임을 사용한다. 예를 들면, 1초의 영상을 표시하기 위해 60개의 영상 프레임을 사용하는 것이다. 이러한 경우에 하나의 영상 프레임의 길이(T)는 1/60 초, 즉 16.67ms일 수 있다.
여기, 도 3에서는 하나의 영상 프레임이 8개의 서브필드로 이루어진 경우만으로 도시하고 설명하였지만, 이와는 다르게 하나의 영상 프레임을 이루는 서브필드의 개수는 다양하게 변경될 수 있다. 예를 들면, 제 1 서브필드부터 제 12 서브필드까지의 12개의 서브필드로 하나의 영상 프레임을 구성할 수도 있고, 10개의 서브필드로 하나의 영상 프레임을 구성할 수도 있는 것이다.
또한, 여기 도 3에서는 하나의 영상 프레임에서 계조 가중치의 크기가 증가하는 순서에 따라 서브필드들이 배열되었지만, 이와는 다르게 하나의 영상 프레임에서 서브필드들이 계조 가중치가 감소하는 순서에 따라 배열될 수도 있고, 또는 계조 가중치에 관계없이 서브필드들이 배열될 수도 있는 것이다.
이하에서는, 도 4a 내지 도 4b, 도 5a 내지 도 5c, 도 6, 도 7, 도 8 및 도 9를 참조하여 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 장치의 동작을 설명한다.
도 4a 내지 도 4b는 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 장치의 동작의 일례를 설명하기 위한 도면이다.
또한, 도 5a 내지 도 5c는 서스테인 신호를 공급하지 않는 이유에 대해 설명하기 위한 도면이다.
또한. 도 6은 서스테인 신호를 공급하지 않는 방법의 또 다른 일례를 설명하기 위한 도면이다.
또한, 도 7은 제 1 소거 신호와 제 2 소거 신호에 대해 설명하기 위한 도면 이다.
또한, 도 8은 제 1 소거 신호와 제 2 소거 신호의 펄스폭에 대해 설명하기 위한 도면이다.
또한, 도 9는 어드레스 기간에서의 스캔 전극과 서스테인 전극의 전압차이에 대해 설명하기 위한 도면이다.
도 4a 내지 도 4b에서의 제 1 서브필드(Sub-Field 1)와 제 2 서브필드(Sub-Field 2)는 프레임에서 시간상 가장 먼저 배치되는 두 개의 서브필드일 수 있다. 또는, 제 1 서브필드의 앞에 또 다른 서브필드가 배치되는 것도 가능한 것이다.
도 4a를 살펴보면 제 1 서브필드(Sub-Field 1)의 초기화를 위한 리셋 기간에서는 스캔 전극(Y)으로 리셋 신호(RS)가 공급될 수 있다. 리셋 신호는 상승 램프(RU) 신호와 하강 램프(RD) 신호를 포함할 수 있다.
예를 들어, 리셋 기간의 셋업(Set-Up) 기간에서는 스캔 전극으로 상승 램프 신호가 공급되고, 이후의 셋다운(Set-Down) 기간에서는 스캔 전극으로 하강 램프 신호가 공급될 수 있다.
그러면, 셋업 기간에서는 상승 램프 신호에 의해 방전 셀 내에는 약한 암방전(Dark Discharge), 즉 셋업 방전이 일어난다. 이 셋업 방전에 의해 방전 셀 내에는 어느 정도의 벽 전하(Wall Charge)가 쌓일 수 있다.
그리고 셋다운 기간에서는 방전 셀 내에서 미약한 소거 방전(Erase Discharge), 즉 셋다운 방전이 발생한다. 이 셋다운 방전에 의해 방전 셀 내에는 어드레스 방전이 안정되게 일어날 수 있을 정도의 벽전하가 균일하게 잔류될 수 있 다.
또한, 상승 램프 신호는 제 1 상승 램프 신호(RU1)와 제 2 상승 램프 신호(RU2)를 포함할 수 있다. 제 1 상승 램프 신호의 기울기는 제 2 상승 램프 신호의 기울기보다 더 클 수 있다. 그러면, 셋업 방전이 발생하기 이전에는 스캔 전극의 전압을 신속히 상승시키고, 셋업 방전이 발생하는 동안에는 스캔 전극의 전압을 상대적으로 천천히 상승시키는 효과를 획득할 수 있어서, 셋업 기간의 길이가 과도하게 증가하는 것을 방지하는 것이 가능하며, 아울러 셋업 방전을 더욱 안정시키는 것이 가능하다.
리셋 기간에서 스캔 전극에 리셋 신호가 공급되는 동안 서스테인 전극(Z)에는 스캔 전극과 서스테인 전극 사이에서 과도하게 강한 방전이 발생하는 것을 방지할 수 있는 제 1 돌출신호(Z IDC1)가 공급될 수 있다.
리셋 기간 이후의 어드레스 기간에서는 하강 램프 신호의 최저 전압보다는 높은 전압, 예컨대 -V1을 실질적으로 유지하는 제 1 스캔 바이어스 신호(Vsc1)가 스캔 전극에 공급될 수 있다.
또한, 제 1 스캔 바이어스 신호와 하강 램프 신호의 사이에서 제 1 상승 신호(rs1)가 스캔 전극에 공급될 수 있다. 제 1 상승 신호가 공급되면, 인접하는 전극들의 커플링(Coupling) 효과를 감소시켜 노이즈(Noise)의 발생을 저감시킬 수 있다.
또한, 어드레스 기간에서는 제 1 스캔 바이어스 신호로부터 하강하는 제 1 스캔 신호(Scan1)가 스캔 전극에 공급될 수 있다.
한편, 적어도 하나의 서브필드의 어드레스 기간에서 스캔 전극으로 공급되는 스캔 신호의 펄스폭은 다른 서브필드의 스캔 신호의 펄스폭과 다를 수 있다. 예컨대, 시간상 뒤에 위치하는 서브필드에서의 스캔 신호의 폭이 앞에 위치하는 서브필드에서의 스캔 신호의 폭보다 작을 수 있다. 또한, 서브필드의 배열 순서에 따른 스캔 신호 폭의 감소는 2.6㎲(마이크로초), 2.3㎲, 2.1㎲, 1.9㎲ 등과 같이 점진적으로 이루어질 수 있거나 2.6㎲, 2.3㎲, 2.3㎲, 2.1㎲......1.9㎲, 1.9㎲ 등과 같이 이루어질 수도 있다.
이와 같이, 스캔 신호가 스캔 전극으로 공급될 때, 스캔 신호에 대응되게 어드레스 전극(X)에 데이터 신호(Data)가 공급될 수 있다.
이러한 스캔 신호와 데이터 신호가 공급되면, 스캔 신호와 데이터 신호 간의 전압 차와 리셋 기간에 생성된 벽 전하들에 의한 벽 전압이 더해지면서 데이터 신호가 공급되는 방전 셀 내에는 어드레스 방전이 발생될 수 있다.
어드레스 기간에서 서스테인 전극의 간섭에 의해 어드레스 방전이 불안정해지는 것을 방지하기 위해 서스테인 전극(Z)에 제 1 서스테인 바이어스 신호(Vzb1)가 공급될 수 있다.
제 1 서스테인 바이어스 신호의 전압은 이후의 제 2 서브필드의 서스테인 기간에서 스캔 전극 또는 서스테인 전극 중 적어도 하나로 공급되는 서스테인 신호(SUS)의 전압과 실질적으로 동일할 수 있다.
이상에서 설명한 제 1 서브필드의 어드레스 기간 이후에는 서스테인 기간이 생략되고, 제 2 서브필드의 리셋 기간이 연속된다.
또는, 도 4b의 경우와 같이 제 1 서브필드의 어드레스 기간 이후에 서스테인 기간이 포함되지만, 제 1 서브필드의 서스테인 기간에서는 서스테인 신호가 공급되지 않을 수 있다.
이와 같이, 서스테인 기간에 서스테인 신호를 공급하지 않거나 서스테인 기간을 생략하는 이유에 대해 도 5a 내지 도 5c를 참조하여 살펴보면 다음과 같다.
도 5a에는 제 1 서브필드의 서스테인 기간에 스캔 전극과 서스테인 전극에 각각 하나씩 서스테인 신호가 공급되는 경우가 도시되어 있다. 이러한 경우에는, 리셋 기간, 어드레스 기간 및 서스테인 기간에서 발생하는 광이 합산됨으로써 계조가 구현될 수 있다.
여기서, 하나의 서스테인 신호에 의해 발생하는 광의 계조가 0.5계조이고, 데이터 신호와 스캔 신호에 의해 발생하는 광의 계조도 0.5계조라고 가정하자. 또한, 리셋 기간에서 발생하는 광은 무시한다. 이러한 가정은 설명의 편의를 위해 임의로 설정한 것이다.
이러한 경우에, 3×3 총 9개의 방전 셀로 이루어지는 영역에서 0.5계조 영상을 구현하고자 하면, 도 5b의 경우와 같이 9개의 방전 셀(a~i) 중 3개의 방전 셀(a, e, i)을 온 시킬 수 있다.
그러면, 9개의 방전 셀로 이루어지는 영역에서 발생하는 광의 계조가 총 1.5×3, 즉 4.5계조가 되고, 이에 따라 9개의 방전 셀 각각이 구현하는 영상의 계조는 0.5인 것으로 인식될 수 있다.
그러나 이러한 방법에서는 화면에 특정 패턴이 보이는 등 영상의 화질이 악 화될 수 있다.
한편, 도 4a 내지 도 4b의 경우와 같이 서스테인 기간을 생략하거나 서스테인 신호를 공급하지 않는 경우에는, 제 1 서브필드가 구현할 수 있는 영상의 계조는 0.5계조가 된다.
따라서 3×3 총 9개의 방전 셀로 이루어지는 영역에서 0.5계조 영상을 구현하고자 하면, 도 5c의 경우와 같이 9개의 방전 셀(a~i)을 모두 온 시키면 된다. 이에 따라, 도 5b에서의 특정 패턴 등이 발생하지 않아 영상의 화질이 향상될 수 있다.
다음, 도 6을 살펴보면 (a)와 같이 제 1 서브필드의 서스테인 기간에 스캔 전극에 하나의 서스테인 신호가 공급되고, 서스테인 전극에는 서스테인 신호가 공급되지 않는 경우도 가능하고, 또는 (b)와 같이 제 1 서브필드의 서스테인 기간에 서스테인 전극에 하나의 서스테인 신호가 공급되고, 스캔 전극에는 서스테인 신호가 공급되지 않는 경우도 가능하다.
이러한 경우에도, 서스테인 기간에서 스캔 전극 및 서스테인 전극에 각각 서스테인 신호가 공급되는 경우에 비해 영상의 화질이 향상될 수 있다.
이상에서 상세히 설명한 제 1 서브필드 이후에 연속되는 제 2 서브필드의 리셋 기간에서는 리셋 신호가 공급되기 이전에 스캔 전극으로 전압이 점진적으로 상승하는 제 1 소거 신호(ES1)가 공급된다.
이러한 제 1 소거 신호의 기능에 대해 살펴보면 다음과 같다.
제 1 서브필드에서는 서스테인 기간이 생략되거나 서스테인 신호가 공급되지 않기 때문에 제 1 서브필드의 끝단에서는 벽 전하의 분포 상태가 매우 불안정할 수 있다.
예를 들어, 제 1 서브필드에서 제 1 방전 셀에서는 어드레스 방전이 발생하고, 제 2 방전 셀에서는 어드레스 방전이 발생하지 않는 것을 가정하자.
이러한 경우에는, 제 1 방전 셀에는 서스테인 신호가 공급될 때 서스테인 방전이 발생할 수 있을 만큼의 벽 전하가 충분히 쌓이고, 제 2 방전 셀에는 서스테인 신호가 공급되더라도 서스테인 방전이 발생하지 않을 만큼 충분히 적은 양의 벽 전하가 남아있게 된다.
여기서, 서스테인 신호가 공급되어 서스테인 방전이 발생한다면 제 1 방전 셀에서의 벽 전하의 분포를 흔들어 주기 때문에 이후의 제 2 서브필드의 리셋 기간에서 원활한 리셋이 가능할 수 있다.
그러나 제 1 서브필드에서는 서스테인 신호가 공급되지 않기 때문에 어드레스 기간에서의 벽 전하의 분포 상태가 제 2 서브필드의 리셋 기간까지 유지될 수 있고, 이로 인해 제 2 서브필드의 리셋 방전이 불안정해질 수 있다.
한편, 제 2 서브필드의 리셋 기간에서 리셋 신호가 공급되기 이전에 제 1 소거 신호를 스캔 전극으로 공급하게 되면, 제 1 방전 셀의 벽 전하를 소거할 수 있다. 그러면, 제 1 방전 셀과 제 2 방전 셀의 벽 전하의 차이가 감소할 수 있고, 이에 따라 제 2 서브필드의 리셋 방전이 안정될 수 있다.
또한, 벽 전하의 원활한 소거를 위해 제 1 소거 신호의 상승 기울기는 리셋 기간에서 스캔 전극으로 공급되는 리셋 신호의 상승 기울기보다 큰 것이 바람직할 수 있다. 예를 들어, 제 1 서브필드에서 스캔 전극으로 공급되는 리셋 신호가 제 1 리셋 신호와 제 2 리셋 신호를 포함한다고 가정하면, 제 1 소거 신호의 상승 기울기는 제 1 리셋 신호의 상승 기울기 및 제 2 리셋 신호의 상승 기울기보다 더 크다. 만약, 제 1 소거 신호의 상승 기울기가 리셋 신호의 상승 기울기보다 작은 경우에는 벽 전하가 소거되지 못하고 오히려 더 증가할 가능성이 있다.
또한, 스캔 전극에 공급되는 제 1 소거 신호에 대응하여 서스테인 전극에는 제 2 소거 신호가 공급될 수 있다. 이러한 제 1 소거 신호와 제 2 소거 신호에 대해 첨부된 도 7을 참조하여 상세히 살펴보면 다음과 같다.
도 7을 살펴보면, 제 1 소거 신호의 공급시점(t0)은 제 2 소거 신호의 공급시점(t1)보다 △t1만큼 앞서고, 제 1 소거 신호의 종료시점(t3)은 제 2 소거 신호의 종료시점(t2)보다 △t2만큼 늦다. 즉, 제 2 소거 신호는 제 1 소거 신호와 중첩되고, 제 2 소거 신호의 펄스폭은 제 1 소거 신호의 펄스폭보다 작다.
제 1 서브필드의 어드레스 기간에서 스캔 전극과 어드레스 전극 사이에서 어드레스 방전이 발생하면 스캔 전극과 어드레스 전극 상에 벽 전하들이 쌓인다. 따라서, 제 1 서브필드의 어드레스 기간 이후에 벽 전하를 소거시키기 위해서는 스캔 전극에 제 1 소거 신호를 우선적으로 공급함으로써 스캔 전극 상의 벽 전하를 이용하여 소거 방전을 일으키는 것이 유리할 수 있는 것이다.
또한, 제 2 소거 신호의 펄스폭이 넓어지면 소거 방전 이후에 오히려 서스테인 전극 상에 벽 전하가 쌓일 수 있다. 따라서, 소거 방전 이후에 서스테인 전극 상에 벽 전하가 쌓이는 것을 방지하기 위해서는 제 2 소거 신호의 펄스폭을 제 1 소거 신호의 펄스폭보다 더 작게 하는 것이 유리할 수 있다.
한편, 어드레스 방전은 스캔 전극에 공급되는 스캔 전극에 의해 발생하기 때문에 제 1 서브필드의 어드레스 기간에서 어드레스 방전에 의해 형성된 벽 전하를 충분히 소거하기 위해서는 제 1 소거 신호의 전압의 크기를 스캔 신호의 전압의 크기보다는 크거나 같도록 하는 것이 바람직할 수 있다.
다음, 표 1을 참조하여 제 1 소거 신호의 전압의 크기(△V2)와 스캔 신호의 전압의 크기(△V1)에 대해 설명한다.
Figure 112007071804102-PAT00001
- 표 1 -
표 1의 A는 스캔 신호의 전압의 크기(△V1)를 대략 120V로 고정한 상태에서 제 1 소거 신호의 전압의 크기(△V2)를 변화시키는 방법으로 △V2/△V1을 0.8부터 2.5까지 변화시키면서 휘점의 발생을 관찰한 데이터이다. 휘점을 관찰할 때는 주위가 어두운 암실에서 특정 패턴의 영상을 화면상에 표시하는 상태에서 다수의 관찰 자가 휘점의 발생을 관능적으로 관찰한다.
또한, B는 제 1 소거 신호의 전압의 크기(△V2)를 대략 180V로 고정한 상태에서 스캔 신호의 전압의 크기(△V1)를 변화시키는 방법으로 △V2/△V1을 0.8부터 2.5까지 변화시키면서 어드레스 방전을 관찰한 데이터이다.
표 1에서 X 표시는 과도하게 휘점이 발생하거나 어드레스 방전의 세기가 과도하게 약해서 불량함을 나타내고, ○ 표시는 상대적으로 양호함을 나타내고, ◎ 표시는 휘점 발생이 방지되거나 어드레스 방전의 세기가 충분히 강해서 매우 양호함을 나타낸다.
A를 살펴보면, △V2/△V1이 0.8이상 0.9이하인 경우에는 제 1 소거 신호의 전압의 크기(△V2)가 스캔 신호의 전압의 크기(△V1=120V)에 비해 과도하게 작아서 제 1 소거 신호에 의해 발생하는 소거 방전의 세기가 과도하게 약해지거나 심지어는 소거 방전이 발생하지 않을 수 있다. 이에 따라, 어드레스 방전이 발생한 방전 셀에서는 과도하게 강한 리셋 방전이 발생함으로써 화면상에 휘점이 과도하게 보일 수 있다. 따라서 불량함을 알 수 있다.
또한, △V2/△V1이 1.0인 경우에는 휘점이 보일 수 있으나 그 정도가 미미하여 상대적으로 양호할 수 있다.
또한, △V2/△V1이 1.1이상인 경우에는 제 1 소거 신호의 전압의 크기(△V2)가 스캔 신호의 전압의 크기(△V1)에 비해 충분히 커서 소거 방전이 충분히 강해질 수 있고, 이에 따라 벽 전하가 충분히 소거되어 휘점 발생이 저감됨으로써 매우 양호할 수 있다.
B를 살펴보면, △V2/△V1이 0.8이상 1.7이하인 경우에는 스캔 신호의 전압의 크기(△V1)가 제 1 소거 신호의 전압의 크기(180V)에 비해 충분히 커서 어드레스 방전의 세기가 충분히 강할 수 있고, 이에 따라 매우 양호함을 알 수 있다.
또한, △V2/△V1이 1.8인 경우에는 어드레스 방전의 세기가 상대적으로 양호함을 알 수 있다.
반면에, △V2/△V1이 2.2이상 2.5이하인 경우에는 스캔 신호의 전압의 크기(△V1)가 제 1 소거 신호의 전압의 크기(180V)에 비해 과도하게 작아서 어드레스 방전의 세기가 과도하게 약해질 수 있다. 따라서 불량함을 알 수 있다.
이상의 표 1의 내용을 고려할 때, 소거 신호의 전압의 크기(V2)는 스캔 신호의 전압의 크기(△V1)의 1.0배 이상 1.8배 이하인 것이 바람직할 수 있고, 더욱 바람직하게는 1.1배 이상 1.7배 이하일 수 있다.
다음, 도 8을 참조하여 제 1 소거 신호, 제 2 소거 신호 및 서스테인 신호의 펄스폭에 대해 살펴보면 다음과 같다.
도 8을 살펴보면, (a)의 제 1 소거 신호의 펄스폭(W1)은 서스테인 기간에서 스캔 전극 또는 서스테인 전극 중 적어도 하나로 공급되는 (b)의 서스테인 신호의 펄스폭(W2)보다 클 수 있다.
또한, (c)의 제 2 소거 신호의 펄스폭(W3)은 (b)의 서스테인 신호의 펄스폭(W2)보다 작을 수 있다.
(b)의 서스테인 신호의 펄스폭은 서스테인 신호의 최소 펄스폭이다.
만약, (a)의 제 1 소거 신호의 펄스폭(W1)이 (b)의 서스테인 신호의 펄스 폭(W2)보다 작은 경우에는 스캔 전극 상에 쌓인 벽 전하를 충분히 소거할 수 없고, 또한 (c)의 제 2 소거 신호의 펄스폭(W3)이 (b)의 서스테인 신호의 펄스폭(W2)보다 큰 경우에는 소거 방전 이후에 오히려 서스테인 전극 상에 벽 전하가 과도하게 쌓일 수 있다. 따라서, 제 1 소거 신호의 펄스폭(W1)은 서스테인 신호의 펄스폭(W2)보다 크고, 제 2 소거 신호의 펄스폭(W3)은 서스테인 신호의 펄스폭(W2)보다 작은 것이 바람직할 수 있다.
다음, 표 2를 참조하여 제 1 소거 신호의 펄스폭과 서스테인 신호의 펄스폭의 관계에 대해 보다 상세히 살펴보면 다음과 같다.
표 2는 제 1 소거 신호의 펄스폭(W1)과 서스테인 신호의 펄스폭(W2)간의 비율(W1/W2)을 0.8부터 4.1까지 변화시키면서 휘점의 발생을 관찰하고 구동시간의 부족을 예측한 데이터이다. 휘점을 관찰할 때는 주위가 어두운 암실에서 특정 패턴의 영상을 화면상에 표시하는 상태에서 다수의 관찰자가 휘점의 발생을 관능적으로 관찰한다.
Figure 112007071804102-PAT00002
- 표 2 -
표 2에서 X 표시는 과도하게 휘점이 발생하거나 구동시간이 부족하여 불량함을 나타내고, ○ 표시는 상대적으로 양호함을 나타내고, ◎ 표시는 휘점 발생이 방지되거나 구동시간이 충분히 확보될 수 있어서 매우 양호함을 나타낸다.
휘점의 측면을 살펴보면, W1/W2가 0.8이상 0.9이하인 경우에는 제 1 소거 신호의 펄스폭(W1)이 서스테인 신호의 펄스폭(W2)에 비해 과도하게 작을 수 있다. 그러면, 제 1 소거 신호에 의해 방전 셀 내의 벽 전하가 충분히 소거되지 못함으로써 휘점이 과도하게 발생할 수 있어서 불량함을 알 수 있다.
반면에, W1/W2가 1.0이상 1.2이하인 경우에는 휘점이 발생할 수 있지만 그 정도가 미미하여 상대적으로 양호함을 알 수 있다.
또한, W1/W2가 1.5이상 3.3이하인 경우에는 제 1 소거 신호의 펄스폭이 충분히 넓어서 방전 셀 내의 벽 전하가 충분히 소거될 수 있고, 이에 따라 휘점 발생이 방지됨으로써 매우 양호함을 알 수 있다.
또한, W1/W2가 3.7이상인 경우에는 제 1 소거 신호의 펄스폭이 과도하게 넓어서 휘점이 발생할 수 있지만, 그 정도가 미미하여 상대적으로 양호함을 알 수 있다.
구동시간의 측면을 살펴보면, W1/W2가 0.8이상 2.9이하인 경우에는 제 1 소거 신호의 펄스폭이 충분히 작아서 제 1 소거 신호에 의해 구동시간이 과도하게 증가하지 않아서 매우 양호함을 알 수 있다.
또한, W1/W2가 3.3이상 3.7이하인 경우에는 제 1 소거 신호의 펄스폭이 상대적으로 넓어서 구동시간이 부족해질 수 있지만, 그 정도가 미미하여 상대적으로 양호함을 알 수 있다.
반면에, W1/W2가 4.1인 경우에는 제 1 소거 신호의 펄스폭이 과도하게 넓을 수 있다. 따라서, 제 1 소거 신호에 의해 구동시간이 부족해질 수 있어서 불량함을 알 수 있다.
이상의 표 2의 내용을 고려하면, 제 1 소거 신호의 펄스폭은 서스테인 신호의 펄스폭의 1.0배 이상 3.7배 이하인 것이 바람직할 수 있고, 더욱 바람직하게는 1.5배 이상 2.9배 이하일 수 있다.
이상에서 상세히 설명한 제 1 소거 신호가 공급되는 제 2 서브필드의 리셋 기간에서는 복수개의 리셋 신호가 공급될 수 있다.
즉, 서스테인 신호가 공급되지 않은 제 1 서브필드 이후에 방전 셀 내의 벽 전하의 분포를 고르게 하기 위해서 복수개의 리셋 신호, 예컨대 도 4a 내지 도 4b 의 경우와 같이 제 1 리셋 신호(RS1)와 제 2 리셋 신호(RS2)를 스캔 전극에 공급할 수 있다. 그러면, 제 2 서브필드의 리셋 기간에서 리셋 방전을 더욱 안정시킬 수 있다.
또한, 제 2 서브필드의 리셋 기간에서 제 1 리셋 신호가 스캔 전극에 공급되는 동안 서스테인 전극에는 스캔 전극과 서스테인 전극 사이에서 과도하게 강한 방전이 발생하는 것을 방지할 수 있는 제 2 돌출신호(Z IDC2)가 공급될 수 있다.
또한, 제 2 리셋 신호는 방전 셀 내의 벽 전하를 더욱 고르게 하기 위해 제 3, 4, 5 소거 신호(ES3, ES4, ES5)를 더 포함할 수 있다.
또한, 제 2 스캔 바이어스 신호와 제 2 리셋 신호의 사이에서 제 2 상승 신호(rs2)가 스캔 전극에 공급될 수 있다. 제 2 상승 신호가 공급되면, 인접하는 전극들의 커플링 효과를 감소시켜 노이즈의 발생을 저감시킬 수 있다.
또한, 제 2 상승 신호에 대응하여 서스테인 전극에는 제 3 상승 신호(rs3)가 공급될 수 있다. 그러면, 노이즈의 발생을 더욱 감소시킬 수 있다.
제 2 서브필드의 어드레스 기간 이후의 서스테인 기간에서는 스캔 전극 또는 서스테인 전극 중 적어도 하나에 서스테인 신호가 공급될 수 있다. 예를 들면, 스캔 전극과 서스테인 전극에 교번적으로 서스테인 신호가 공급될 수 있다.
이러한 서스테인 신호가 공급되면, 어드레스 방전에 의해 선택된 방전 셀은 방전 셀 내의 벽 전압과 서스테인 신호의 서스테인 전압(Vs)이 더해지면서 서스테인 신호가 공급될 때 스캔 전극과 서스테인 전극 사이에 서스테인 방전 즉, 표시방전이 발생될 수 있다.
한편, 적어도 하나의 서브필드에서는 서스테인 기간에서 복수의 서스테인 신호가 공급되고, 복수의 서스테인 신호 중 적어도 하나의 서스테인 신호의 펄스폭은 다른 서스테인 신호의 펄스폭과 다를 수 있다. 예를 들면, 복수의 서스테인 신호 중 가장 먼저 공급되는 서스테인 신호의 펄스폭이 다른 서스테인 신호의 펄스폭보다 클 수 있다. 그러면, 서스테인 방전이 더욱 안정될 수 있다.
다음, 도 9를 참조하여 어드레스 기간에서의 스캔 전극과 서스테인 전극간의 전압 차이에 대해 살펴보면 다음과 같다.
도 9를 살펴보면 (a)의 제 1 서브필드의 어드레스 기간에서 스캔 전극과 서스테인 전극 간의 전압 차이는 (b)의 제 2 서브필드의 어드레스 기간에서 스캔 전극과 서스테인 전극 간의 전압 차이보다 더 클 수 있다.
제 1 서브필드의 어드레스 기간에서의 스캔 전극과 서스테인 전극 간의 전압 차이를 제 2 서브필드보다 더 크게 하면, 서스테인 신호가 공급되지 않는 제 1 서브필드의 어드레스 방전을 더욱 안정시킬 수 있고, 제 1 서브필드의 계조를 보다 명확하게 설정할 수 있다.
예를 들어, 제 1 서브필드의 어드레스 방전에 의해 발생하는 광의 계조가 0.2계조라고 가정하자. 그러면, 제 1 서브필드에서는 서스테인 신호가 공급되지 않기 때문에 제 1 서브필드가 구현할 수 있는 계조는 대략 0.2계조라고 할 수 있다. 이러한 경우에는, 제 1 서브필드가 구현하는 계조가 과도하게 작아서 시청자는 0.2계조의 차이를 구별할 수 없으며, 따라서 오히려 영상의 화질이 악화되고 이로 인해 계조 구현력이 악화될 수 있다.
반면에, 제 1 서브필드의 어드레스 기간에서 스캔 전극과 서스테인 전극 간의 전압 차이를 증가시키게 되면, 어드레스 방전에 의해 발생하는 광량을 증가시킬 수 있다. 따라서 시청자가 구별할 수 있을 만큼의 계조를 구현할 수 있어서 계조 구현력을 더욱 향상시킬 수 있는 것이다.
이와 같이, 제 1 서브필드의 어드레스 기간에서 스캔 전극과 서스테인 전극 간의 전압 차이를 제 2 서브필드보다 크게 하기 위해, 제 1 서브필드에서 서스테인 전극으로 공급되는 제 1 서스테인 바이어스 신호(Vzb1)의 전압의 크기(△V3)를 제 2 서브필드에서 서스테인 전극으로 공급되는 제 2 서스테인 바이어스 신호(Vzb2)의 전압의 크기(△V4)보다 더 크게 할 수 있다.
또는, 제 1 서브필드에서 스캔 전극으로 공급되는 제 1 스캔 바이어스 신호(Vsc1)의 전압레벨(-V1)을 제 2 서브필드에서 스캔 전극으로 공급되는 제 2 스캔 바이어스 신호(Vsc2)의 전압레벨(-V2)보다 더 낮게 하는 것도 가능하다.
또한, 제 1 서브필드에서 스캔 전극으로 공급되는 제 1 스캔 신호(Scan1)의 전압의 크기(△V1)를 제 2 서브필드에서 스캔 전극으로 공급되는 제 2 스캔 신호(Vsc2)의 전압의 크기(△V1')보다 더 작게 하는 것도 가능하다.
도 10은 프리 리셋 기간에 대해 설명하기 위한 도면이다.
도 10을 살펴보면, 제 1 서브필드의 리셋 기간 이전에 프리 리셋 기간(Pre-Reset Period)이 더 포함될 수 있다. 이러한 프리 리셋 기간에서 스캔 전극에는 리셋 기간에서 스캔 전극에 공급되는 리셋 신호와 역극성인 제 1 신호가 공급될 수 있다.
또한, 스캔 전극에 제 1 신호가 공급되는 동안 제 1 신호와 역극성인 제 2 신호가 서스테인 전극에 공급될 수 있다.
제 2 신호의 전압의 크기는 서스테인 기간에서 공급되는 서스테인 신호의 전압, 즉 서스테인 전압(Vs)과 대략 동일할 수 있다.
이와 같이, 프리 리셋 기간에서 스캔 전극에 제 1 신호가 공급되고, 서스테인 전극에 제 2 신호가 공급되면 스캔 전극 상에 소정 극성의 벽 전하(Wall Charge)가 쌓이고, 서스테인 전극 상에는 스캔 전극과 반대 극성의 벽 전하들이 쌓인다. 예를 들면, 스캔 전극 상에는 양(+)의 벽 전하(Wall Charge)가 쌓이고, 서스테인 전극 상에는 음(-)의 벽 전하가 쌓일 수 있다.
이에 따라, 프리 리셋 기간 이후의 리셋 기간에서 충분한 세기의 셋업 방전을 발생시킬 수 있게 되고, 결국 초기화를 충분히 안정적으로 수행할 수 있게 된다.
아울러, 리셋 기간에서 스캔 전극으로 공급되는 상승 램프 신호의 전압이 더 작아지더라도 충분한 세기의 셋업 방전을 발생시킬 수 있게 된다.
구동 시간을 확보하는 관점에서 프레임의 서브필드 중에서 가장 먼저 배열되는 서브필드에서의 리셋 기간이전에 프리 리셋 기간이 포함되거나 2개 또는 3개의 서브필드에서 리셋 기간이전에 프리 리셋 기간이 포함되는 것도 가능하다.
이와 같이, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 하고, 본 발명의 범위는 전술한 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 장치의 구성에 대해 설명하기 위한 도면.
도 2는 플라즈마 디스플레이 패널의 구조에 대해 설명하기 위한 도면.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 장치에서 영상의 계조를 구현하기 위한 영상 프레임(Frame)에 대해 설명하기 위한 도면.
도 4a 내지 도 4b는 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 장치의 동작의 일례를 설명하기 위한 도면.
도 5a 내지 도 5c는 서스테인 신호를 공급하지 않는 이유에 대해 설명하기 위한 도면.
도 6은 서스테인 신호를 공급하지 않는 방법의 또 다른 일례를 설명하기 위한 도면.
도 7은 제 1 소거 신호와 제 2 소거 신호에 대해 설명하기 위한 도면.
도 8은 제 1 소거 신호와 제 2 소거 신호의 펄스폭에 대해 설명하기 위한 도면.
도 9는 어드레스 기간에서의 스캔 전극과 서스테인 전극의 전압차이에 대해 설명하기 위한 도면.
도 10은 프리 리셋 기간에 대해 설명하기 위한 도면.

Claims (11)

  1. 서로 나란한 스캔 전극과 서스테인 전극이 배치되는 플라즈마 디스플레이 패널과,
    프레임(Frame)의 제 1 서브필드(Sub-Field)의 서스테인 기간에서 상기 스캔 전극 또는 서스테인 전극 중 적어도 하나에 서스테인 신호를 공급하지 않거나 상기 서스테인 기간을 생략하고, 상기 제 1 서브필드와 연속되고 시간적으로 늦은 제 2 서브필드의 리셋 기간에서 상기 스캔 전극으로 리셋 신호를 공급하기 이전에 전압이 점진적으로 상승하는 제 1 소거 신호를 공급하는 구동부
    를 포함하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 구동부는
    상기 제 1 소거 신호와 대응되는 제 2 소거 신호를 상기 서스테인 전극으로 더 공급하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 소거 신호의 공급시점은 상기 제 2 소거 신호의 공급시점보다 앞서고, 상기 제 1 소거 신호의 종료시점은 상기 제 2 소거 신호의 종료시점보다 늦은 플라즈마 디스플레이 장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 소거 신호의 펄스폭은 상기 제 2 서브필드의 상기 스캔 전극 또는 서스테인 전극 중 적어도 하나로 공급되는 서스테인 신호의 최소 펄스폭보다 작은 플라즈마 디스플레이 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 소거 신호의 상승 기울기는 상기 리셋 신호의 상승 기울기보다 큰 플라즈마 디스플레이 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 소거 신호의 펄스폭은 상기 제 2 서브필드의 상기 스캔 전극 또는 서스테인 전극 중 적어도 하나로 공급되는 서스테인 신호의 최소 펄스폭보다 큰 플라즈마 디스플레이 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 서브필드의 리셋 기간에서는 복수개의 리셋 신호가 공급되는 플라즈마 디스플레이 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 구동부는
    상기 제 1 서브필드의 어드레스 기간에 상기 서스테인 전극으로 제 1 서스테인 바이어스 신호를 공급하고, 상기 제 2 서브필드의 어드레스 기간에는 상기 서스테인 전극으로 제 2 서스테인 바이어스 신호를 공급하고,
    상기 제 1 서스테인 바이어스 신호의 전압의 크기는 상기 제 2 서스테인 바이어스 신호의 전압의 크기보다 큰 플라즈마 디스플레이 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 구동부는
    상기 제 1 서브필드의 어드레스 기간에 상기 스캔 전극으로 제 1 스캔 바이어스 신호를 공급하고, 상기 제 2 서브필드의 어드레스 기간에는 상기 스캔 전극으로 제 2 스캔 바이어스 신호를 공급하고,
    상기 제 1 스캔 바이어스 신호의 전압 레벨은 상기 제 2 스캔 바이어스 신호의 전압 레벨보다 낮은 플라즈마 디스플레이 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 구동부는
    상기 제 1 서브필드의 어드레스 기간에 상기 스캔 전극으로 제 1 스캔 신호를 공급하고, 상기 제 2 서브필드의 어드레스 기간에는 상기 스캔 전극으로 제 2 스캔 신호를 공급하고,
    상기 제 1 스캔 신호의 전압의 크기는 상기 제 2 스캔 신호의 전압의 크기보다 작은 플라즈마 디스플레이 장치.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 소거 신호의 전압의 크기는 상기 제 1 서브필드 또는 제 2 서브필드 중 적어도 하나의 어드레스 기간에 상기 스캔 전극으로 공급되는 스캔 신호의 전압의 크기보다 크거나 같은 플라즈마 디스플레이 장치.
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