KR20080109788A - Laser irradiation device - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 레이저 조사 장치에 관한 것이며, 더욱 상세하게는 띠 형상 조사 영역을 장축 방향으로 고속으로 움직이는 위치 제어를 용이하게 행할 수 있는 레이저 조사 장치에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to a laser irradiation apparatus, and more particularly, to a laser irradiation apparatus capable of easily performing position control of moving a strip-shaped irradiation region at high speed in the major axis direction.
종래, 띠 형상 조사 영역을 가지는 광선 빔을 피처리기판에 조사(照射)할 때에, 띠 형상 조사 영역의 단축 방향으로 광선 빔을 주사(走査)적으로 이동하는 동시에 띠 형상 조사 영역의 장축 방향으로 띠 형상 조사 영역을 진동시키는 반도체 장치의 제조 방법이 알려져 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).Conventionally, when irradiating a light beam having a band-shaped irradiation area to a substrate to be processed, the beam beam is scanned in a short axis direction of the band-shaped irradiation area while being in the long axis direction of the band-shaped irradiation area. The manufacturing method of the semiconductor device which vibrates a strip | belt-shaped irradiation area is known (for example, refer patent document 1).
특허문헌 1: 일본국 특허 공개 평04-10216호 공보Patent Document 1: Japanese Patent Application Laid-Open No. 04-10216
상기 종래 기술에서는, 띠 형상 조사 영역을 장축 방향으로 진동시키기 위해서, 피처리기판을 보호 유지하는 XY스테이지 또는 카본·히터를 움직이고 있다.In the above prior art, in order to vibrate the strip-shaped irradiation area in the major axis direction, the XY stage or the carbon heater holding and holding the substrate to be processed is moved.
그러나, XY스테이지 또는 카본·히터는 질량이 크기 때문에, 응답이 늦고, 고속으로 위치 제어하는 것이 어려운 문제점이 있다.However, since the XY stage or the carbon heater has a large mass, there is a problem that the response is slow and it is difficult to control the position at high speed.
그래서, 본 발명의 목적은, 띠 형상 조사 영역을 장축 방향으로 고속으로 움직이는 위치 제어를 용이하게 행할 수 있는 레이저 조사 장치를 제공하는 것에 있다.Then, the objective of this invention is providing the laser irradiation apparatus which can perform the position control which moves a strip | belt-shaped irradiation area | region at high speed in a long axis direction easily.
제 1의 관점에서는, 본 발명은 레이저 빔(B1)을 펄스 출력하는 레이저 발진기(1)와, 상기 레이저 빔(B1)을 반사하는 반사기(2)와, 상기 레이저 빔(B1)이 입사(立射)하는 상기 반사기(2)의 반사면(2b)의 상기 레이저 빔(B1)에 대한 각도(θ) 또는 위치의 변화에 의해 반사 빔(B2)이 움직이는 방향을 장축 방향으로 하는 띠 형상 조사 영역(4)에 상기 반사 빔(B2)을 정형하여 반도체 기판(S)에 조사하는 광학계(3)와, 상기 반도체 기판(S)을 보호 유지하여 상기 띠 형상 조사 영역(4)의 단축 방향으로 이동할 수 있는 이동대(5)와, 상기 반사기(2)의 각도 또는 위치를 바꾸는 반사기 구동 수단(6)과, 띠 형상 조사 영역의 장축 방향의 소정 범위 내에서 띠 형상 조사 영역의 위치를 바꾸기 위해서 상기 레이저 발진기(1)로 레이저 빔(B1)을 펄스 출력하는 타이밍과 상기 반시기 구동 수단(6)으로 상기 반사기(2)의 각도 또는 위치를 바꾸는 타이밍의 조정을 행하는 타이밍 제어 수단(8)을 구비하는 것을 특징으로 하는 레이저 조사 장치(1)를 제공한다.In a first aspect, the present invention provides a laser oscillator 1 that pulses a laser beam B1, a
상기 제 1의 관점에 의한 레이저 조사 장치(100)에서는, 반사기(2)를 움직이지만, 종래 기술에 있어서의 XY스테이지에 상당하는 이동대(5) 또는 종래 기술에 있어서의 카본·히터에 상당하는 레이저 발진기(1)나 광학계(3)에 비해 반사기(2)의 질량이 작기 때문에, 고속으로 움직이는 위치 제어가 용이하다. 그리고 레이저 발진기(1)로 레이저 빔(B1)을 펄스 출력하는 타이밍과 반사기 구동 수단(6)으로 반사기(2)의 각도 또는 위치를 바꾸는 타이밍의 조정을 타이밍 제어 수단(8)으로 행함으로써, 띠 형상 조사 영역의 장축 방향의 소정 범위 내에서 띠 형상 조사 영역의 위치를 바꿀 수 있다.In the laser irradiation apparatus 100 according to the first aspect, the
제 2의 관점에서는, 본 발명은, 트리거(G)에 따라서 레이저 빔(B1)을 펄스 출력하는 레이저 발진기(1)와, 상기 레이저 빔(B1)을 반사하는 회전 다각형 미러(2)와, 상기 레이저 빔(B1)이 입사하는 상기 회전 다각형 미러(2)의 반사면(2b)에서의 상기 레이저 빔(B1)의 입사각(θ)의 변화에 의해 반사 빔(B2)이 흔들리는 방향을 장축 방향으로 하는 띠 형상 조사 영역(4)에 상기 반사 빔(B2)을 정형하여 반도체 기판(S)에 조사하는 광학계와, 상기 반도체 기판(S)을 보호 유지하여 상기 띠 형상 조사 영역(4)의 단축 방향으로 이동할 수 있는 이동대(5)와, 상기 회전 다각형 미러(2)를 일정 속도로 회전시키는 회전 구동 수단(6)과, 상기 회전 다각형 미러(2)의 회전 위상 정보(Q)를 출력하는 회전 위상 검출 수단(7)과, 상기 회전 위상 정보(Q)에 근거하여 상기 트리거(G)의 출력 타이밍을 소정의 시간 범위 내에서 변화시켜 상기 입사각(θ)을 소정 각도 범위 내에서 변화시키는 타이밍 제어 수단(8)을 구비하는 것을 특징으로 하는 레이저 조사 장치(100)를 제공한다.From a 2nd viewpoint, this invention is the laser oscillator 1 which pulses the laser beam B1 according to the trigger G, the
상기 제 2의 관점에 의한 레이저 조사 장치(100)에서는, 미러의 각도를 바꾸고 싶은 속도의 미러 수분(數分)의 1의 속도로, 또한 일정한 속도로 회전 다각형 미러(2)를 회전시키면 되기 때문에, 실시가 용이하다. 그리고, 레이저 발진기(1)로 레이저 빔(B1)을 펄스 출력하는 타이밍을 회전 다각형 미러(2)의 회전 위상에 맞춰서 바꾸기 위해 타이밍 조정도 실시가 용이하다. 따라서, 띠 형상 조사 영역의 장축 방향의 소정 범위 내에서 띠 형상 조사 영역의 위치를 고속으로 용이하게 바꿀 수 있다.In the laser irradiation apparatus 100 according to the second aspect, the
본 발명의 레이저 조사 장치에 의하면, 띠 형상 조사 영역을 장축 방향으로 고속으로 움직이는 위치 제어를 용이하게 행할 수 있으므로, 띠 형상 조사 영역의 장축 방향의 레이저 빔의 강도의 변화(variation)나 피처리 기판의 미소한 요철(凹凸)에 기인하는 띠 형상 조사 영역의 길이 방향의 조사의 변화를 적절히 제어할 수 있다.According to the laser irradiation apparatus of the present invention, since the position control of moving the strip-shaped irradiation area at high speed in the major axis direction can be easily performed, the variation of the intensity of the laser beam in the major axis direction of the band-shaped irradiation area or the substrate to be processed is achieved. The change of irradiation of the longitudinal direction of the strip | belt-shaped irradiation area | region resulting from the minute unevenness | corrugation can be suitably controlled.
도 1은, 실시예 1에 관한 레이저 조사 장치의 구성 설명도이다.1 is a diagram for explaining the configuration of a laser irradiation apparatus according to a first embodiment.
도 2는, 실시예 1에 관한 타이밍 제어 회로의 동작을 도시하는 타이밍 챠트이다.2 is a timing chart showing the operation of the timing control circuit according to the first embodiment.
도 3은, 띠 형상 조사 영역의 장축 방향의 위치를 도시하는 상면도이다.3 is a top view illustrating a position in the major axis direction of the strip-shaped irradiation area.
※ 부호의 설명 ※※ Explanation of code ※
1…레이저 발진기One… Laser oscillator
2…회전 다각형 미러2… Rotating polygon mirror
3a…호모지나이저(homogenizer)3a... Homogenizer
3b…미러(mirror)3b... Mirror
3c…렌즈3c... lens
4…띠 형상 조사 영역4… Strip Shape Irradiation Area
5…이동대5... Mobile
6…모터6... motor
7…엔코더(encoder)7... Encoder
8…타이밍 제어 회로8… Timing control circuit
100…레이저 조사 장치100... Laser irradiation device
이하, 도면에 도시하는 실시의 형태에 의해 본 발명을 더욱 상세히 설명한다. 또한 이것에 의해 본 발명이 한정되는 것이 아니다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, this invention is demonstrated further in detail by embodiment shown to drawing. In addition, this invention is not limited by this.
(실시예 1)(Example 1)
도 1은, 실시예 1에 관한 레이저 조사 장치(100)를 도시하는 구성 설명도이다.FIG. 1: is a structural explanatory drawing which shows the laser irradiation apparatus 100 which concerns on Example 1. FIG.
이 레이저 조사 장치(100)는, 트리거(G)에 따라서 레이저 빔(B1)을 펄스 출력하는 레이저 발진기(1)와, 레이저 빔(B1)을 반사하는 회전 다각형 미러(2)와, 레이저 빔(B2)이 입사하는 회전 다각형 미러(2)의 반사면(2b)에서의 레이저 빔(B1)의 입사각(θ)의 변화에 의해 반사 빔(B2)이 흔들리는 방향을 장축 방향으로 하는 띠 형상 조사 영역(4)에 반사 빔(B2)을 정형하여 반도체 기판(S)에 조사하기 위한 호모지나이저(3a), 미러(3b) 및 렌즈(3c)와, 반도체 기판(S)을 보호 유지하여 띠 형상 조사 영역(4)의 단축 방향으로 이동할 수 있는 이동대(5)와, 회전 다각형 미러(2)를 일정 속도로 회전시키는 모터(6)와, 회전 다각형 미러(2)의 회전 위상 정보(Q)를 출력하는 엔코더(7)와, 회전 위상 정보(Q)에 근거하여 트리거(G)의 출력 타이밍을 소정의 시간 범위 내에서 변화시키는 타이밍 제어 회로(8)를 구비하고 있다.The laser irradiation apparatus 100 includes a laser oscillator 1 that pulses the laser beam B1 in response to the trigger G, a rotating
회전 다각형 미러(2)의 회전축(2a)은 연직 방향이고, 회전 다각형 미러(2)는 수평면 내에서 회전한다. 레이저 빔(B1) 및 반사 빔(B2)은 수평 방향이다. 한편, 반도체 기판(S)은 수평하게 놓여져 있다. 이 때문에, 호모지나이저(3a)로 장축 방향 및 단축 방향으로 강도를 균일화한 반사 빔(B1)의 방향을 미러(3b)에 의해 수평 방향에서 연직 방향으로 바꾸고 있다. 그리고 반달형 렌즈(3c)로 단축 방향에 대해 집광하여 반도체 기판(S)에 조사하고 있다.The
도 2는, 타이밍 제어 회로(8)의 동작을 설명하는 타이밍 챠트이다.2 is a timing chart illustrating the operation of the
타이밍 제어 회로(8)는, 회전 위상 정보(Q)에 근거하여, 입사각(θ)이 45°가 되는 타이밍을 나타내는 45°펄스(Q')를 생성한다.The
이 45°펄스(Q')의 주기 τ는 회전 다각형 미러(2)의 1회전 시간을 회전 다각형 미러(2)의 미러 수로 나눈 값이 된다.The period τ of this 45 ° pulse Q 'is a value obtained by dividing one rotation time of the
또한, 주기 τ는 레이저 발진기(1)로 레이저 빔(B1)을 펄스 출력하는 평균 시간 간격에 상당한다. 또 레이저 발진기(1)가 레이저 빔(B1)을 펄스 출력하는 시 간, 즉 펄스 폭은 주기 τ보다 짧다.In addition, the period τ corresponds to an average time interval at which the laser oscillator 1 pulses the laser beam B1. The time when the laser oscillator 1 pulses the laser beam B1, that is, the pulse width is shorter than the period τ.
띠 형상 조사 영역(4)을 장축 방향으로 움직이고 싶은 위치의 수를 「M+1」로 할 때, 타이밍 제어 회로(8)는 0에서 M까지의 정수의 하나(m)를 랜덤으로 발생하고, 45°펄스(Q')보다「τ+(m-M/2)δ/(M/2)」경과시에 트리거(G)를 출력한다.When the number of positions where the band-shaped
시간 δ의 사이에 반사면(2b)이 회전하는 각도를 α로 할 때, 입사각(θ)은 「45°-(m-M/2)α/(M/2)」가 된다.When the angle at which the reflecting
도 2는 M=8의 예이고, 45°펄스(Q')보다「τ+(m-4)δ/4」경과시에 트리거(G)를 출력하고, 입사각(θ)은 「45°-(m-4)α/4」가 된다.2 is an example of M = 8, and outputs the trigger G when "τ + (m-4) δ / 4" elapses from 45 ° pulse Q ', and the incident angle θ is "45 °- (m-4) α / 4 ".
도 3은, 띠 형상 조사 영역(4)의 장축 방향의 움직임을 도시하는 상면도이다.3 is a top view illustrating the movement in the major axis direction of the strip-shaped
(a) ~ (i)는, M=8로 한 경우의 m=0~m=8에 대응하고 있다.(a) to (i) correspond to m = 0 to m = 8 when M = 8.
띠 형상 조사 영역(4)은, 장축 방향 조사 범위(R) 내의 9개소의 위치에 랜덤으로 이동하게 된다.The strip | belt-shaped irradiation area |
띠 형상 조사 영역(4)의 장축 방향의 길이를 L로 할 때, 띠 형상 조사 영역(4)을「(R-L)/2」만 움직이는 입사각(θ)의 변화분이 α에 상당한다.When the length in the major axis direction of the strip-shaped
실시예 1의 레이저 조사 장치(100)에 의하면, 주기 τ의 미러 수배의 시간으로 회전 다각형 미러(2)를 1회전 시키면 되기 때문에, 실시가 용이하다. 또 레이저 발진기(1)로 레이저 빔(B1)을 펄스 출력하는 시간 간격은 최단 「τ-δ」가 되지만, 가동부분이 없어지기 때문에, 이것도 실시가 용이하다. 따라서, 띠 형상 조사 영역(4)의 장축 방향의 소정 범위(R) 내에서 띠 형상 조사 영역(4)의 위치를 고 속으로 움직일 수 있다.According to the laser irradiation apparatus 100 of Example 1, since the
(실시예 2)(Example 2)
45°펄스(Q')보다 「τ-δ」경과후부터「τ+δ」경과 후까지의 시간 범위 내에서 랜덤으로 트리거(G)를 출력해도 된다.The trigger G may be randomly output within the time range from the elapse of "τ-δ" to the elapse of "τ + δ" after the 45 ° pulse Q '.
(실시예 3)(Example 3)
회전 다각형 미러(2) 대신에, 레이저 빔(B1)의 방향으로 왕복 진동하는 미러를 이용하여도 된다. 이 경우, 진동 위상에 맞춰서 트리거(G)의 출력 타이밍을 변화시킨다.Instead of the
(실시예 4)(Example 4)
회전 다각형 미러(2) 대신에, 소정 각도 범위에서 요동 진동하는 갈버노 미러(galvano-mirro)를 이용하여도 된다. 이 경우, 갈바노 미러의 요동 위상에 맞춰서 트리거(G)의 출력 타이밍을 변화시킨다.Instead of the
(실시예 5)(Example 5)
회전 다각형 미러(2) 대신에 갈바노 미러를 이용하고, 트리거(G)를 일정 주기로 출력하고, 트리거(G) 마다 갈바노 미러의 각도를 소정 각도 범위에서 랜덤으로 변화시켜도 된다.Instead of the
본 발명의 레이저 조사 방법 및 레이저 조사 장치는, 예를 들면, 반도체층의 제작이나 활성화 처리에 이용할 수 있다.The laser irradiation method and the laser irradiation apparatus of the present invention can be used, for example, for fabrication or activation processing of a semiconductor layer.
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20180011453A (en) * | 2016-07-22 | 2018-02-01 | 전자부품연구원 | Scanning lidar for controlling horizontal resolution and image acquisition frame |
US10103180B2 (en) | 2011-11-24 | 2018-10-16 | Samsung Display Co., Ltd. | Crystallization apparatus, crystallizing method, and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI619573B (en) * | 2011-10-27 | 2018-04-01 | 應用材料股份有限公司 | Apparatuses and methods of thermal processing semiconductor substrates |
WO2020152796A1 (en) * | 2019-01-23 | 2020-07-30 | ギガフォトン株式会社 | Laser processing device and method for processing workpiece |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52143755A (en) * | 1976-05-26 | 1977-11-30 | Hitachi Ltd | Laser, zone melting device |
JPH0410216A (en) | 1990-04-26 | 1992-01-14 | Fuji Photo Film Co Ltd | Magnetic recording medium and its production |
JP3825515B2 (en) * | 1996-01-17 | 2006-09-27 | 株式会社東芝 | Manufacturing method of liquid crystal display device |
WO2004042806A1 (en) * | 2002-11-05 | 2004-05-21 | Sony Corporation | Light irradiator and light irradiating method |
JP4583004B2 (en) * | 2003-05-21 | 2010-11-17 | 株式会社 日立ディスプレイズ | Manufacturing method of active matrix substrate |
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