JP2020001081A - Laser processing method of substrate, and laser processing device - Google Patents

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崇昭 今出
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崇昭 今出
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Abstract

To reduce areas where laser processing is not possible, on the end surface of a substrate.SOLUTION: A laser processing method of a substrate W includes a first laser beam irradiation step for irradiating a first end surface 31 of the substrate W with a laser beam L, in the state where an optical axis of the laser beam L is tilted so as to face to the substrate outside from the substrate inside, and a second laser beam irradiation step for irradiating a site of the substrate W away from the end surface 31 with the laser beam L vertically.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、基板のレーザ加工方法及びレーザ加工装置に関する。   The present invention relates to a laser processing method and a laser processing apparatus for a substrate.

ガラス基板をスクライブ加工する方法として、レーザ加工が知られている。レーザ加工では、例えば、赤外線ピコ秒レーザが用いられている。この場合、レーザパルスによる内部加工を平面方向に断続的に行って複数のレーザフィラメントを形成することで、スクライブラインを形成する方法が知られている（例えば、特許文献１を参照）。
特許文献１に示す技術では、収束レーザビームは、基板内で自己収束を引き起こし、結果としてフィラメントを作り出すように選択されたエネルギー及びパルス持続時間を有するパルスで構成される。そして、複数のフィラメントによって、スクライブラインが形成される。 As a method for scribing a glass substrate, laser processing is known. In laser processing, for example, an infrared picosecond laser is used. In this case, a method of forming a scribe line by intermittently performing internal processing by a laser pulse in a planar direction to form a plurality of laser filaments is known (for example, see Patent Document 1).
In the technique shown in US Pat. No. 6,037,097, a focused laser beam is composed of pulses having selected energies and pulse durations to cause self-focusing within the substrate, resulting in the creation of a filament. Then, a scribe line is formed by the plurality of filaments.

特表２０１３−５３６０８１号公報JP-T-2013-536081

基板の一方の端面から他方の端面までレーザ加工を行う場合、基板の端面では空気とガラスの屈折率が異なることに起因して、基板の端面においてレーザ光の集光点が端面の外側と内側で一致しないことがある。この場合、基板の端面付近を十分にて加工できない問題がある。
図５を用いて、従来の技術をさらに具体的に説明する。図５は、従来の基板をレーザ加工する動作を示す基板の模式的断面図である。この場合、レーザ光Ｌは基板Ｗの第１端面３１において集光点が基板内外で一致していない。そのため、第１端面３１において十分にレーザ加工をすることができない領域Ｎができてしまう。
本発明の目的は、基板の端面においてレーザ加工できない領域を減らすことにある。 When laser processing is performed from one end surface of the substrate to the other end surface, due to the difference in the refractive indices of air and glass at the end surface of the substrate, the focal point of the laser light at the end surface of the substrate is outside and inside the end surface. May not match. In this case, there is a problem that the vicinity of the end face of the substrate cannot be sufficiently processed.
The conventional technique will be described more specifically with reference to FIG. FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of a substrate showing an operation of laser processing a conventional substrate. In this case, the condensing points of the laser light L on the first end face 31 of the substrate W do not coincide with each other inside and outside the substrate. Therefore, a region N where laser processing cannot be sufficiently performed on the first end surface 31 is created.
An object of the present invention is to reduce an area where laser processing cannot be performed on an end face of a substrate.

以下に、課題を解決するための手段として複数の態様を説明する。これら態様は、必要に応じて任意に組み合せることができる。   Hereinafter, a plurality of modes will be described as means for solving the problems. These embodiments can be arbitrarily combined as needed.

本発明一見地に係る基板のレーザ加工方法は、下記のステップを備えている。
◎基板の端面に対して、レーザ光の光軸を基板内側から基板外側に向くように傾けた状態でレーザ光を照射する第１レーザ光照射ステップ
◎基板の端面から離れた位置に対して、レーザ光を垂直に照射する第２レーザ光照射ステップ
この方法では、レーザ光は傾けられた状態で基板端面に照射される。したがって、基板の端面において集光点が一致している。その結果、基板の端面及びその近傍においても所望のレーザ加工が実現される。 A laser processing method for a substrate according to an aspect of the present invention includes the following steps.
◎ The first laser beam irradiation step of irradiating the laser beam in a state where the optical axis of the laser beam is inclined from the inside of the substrate to the outside of the substrate with respect to the end surface of the substrate. Second laser light irradiation step of vertically irradiating laser light In this method, the laser light is irradiated on the end face of the substrate in an inclined state. Therefore, the light converging points coincide on the end face of the substrate. As a result, desired laser processing is realized also on the end face of the substrate and in the vicinity thereof.

第１レーザ光照射ステップにおいてレーザ光の光軸を傾ける動作は、レーザ光を集光レンズに入射する位置を変更することで行われてもよい。   The operation of tilting the optical axis of the laser light in the first laser light irradiation step may be performed by changing the position at which the laser light enters the condenser lens.

第１レーザ光照射ステップにおいてレーザ光の光軸を傾ける動作は、レーザ光を照射する光学系を傾けることで行われてもよい。   The operation of tilting the optical axis of the laser light in the first laser light irradiation step may be performed by tilting an optical system that irradiates the laser light.

第１レーザ光照射ステップにおいてレーザ光の光軸を傾ける動作は、空間光位相変調によって行われてもよい。   The operation of tilting the optical axis of the laser light in the first laser light irradiation step may be performed by spatial light phase modulation.

本発明の他の見地に係る基板のレーザ加工装置は、基板が載置されるテーブルと、レーザ光を発振するレーザ装置と、レーザ装置で発振されたレーザ光を集光して基板に照射する伝送光学系と、伝送光学系から基板に照射されるレーザ光の光軸の傾きを変更する駆動機構と、テーブルを伝送光学系に対して相対移動させるテーブル駆動部と、レーザ装置、駆動機構及びテーブル駆動部を制御する制御部とを備えている。
制御部は、基板の端面に対して、レーザ光の光軸を基板内側から基板外側に向くように傾けた状態でレーザ光を照射し、基板の端面から離れた位置に対して、レーザ光を垂直に照射するように制御する。
この装置では、上記と同様の効果が得られる。 A substrate laser processing apparatus according to another aspect of the present invention includes a table on which a substrate is placed, a laser device that oscillates a laser beam, and a laser device that oscillates the laser beam and irradiates the substrate with the laser beam. A transmission optical system, a driving mechanism for changing the inclination of the optical axis of the laser light emitted from the transmission optical system to the substrate, a table driving unit for moving the table relative to the transmission optical system, a laser device, a driving mechanism, A control unit for controlling the table driving unit.
The control unit irradiates the laser light with the optical axis of the laser light being inclined from the inside of the substrate to the outside of the substrate with respect to the end surface of the substrate, and emits the laser light to a position distant from the end surface of the substrate. Control to irradiate vertically.
In this device, the same effects as above can be obtained.

本発明に係る基板のレーザ加工方法では、基板の端面においてレーザ加工できない領域が減る。   In the laser processing method for a substrate according to the present invention, a region where laser processing cannot be performed on the end surface of the substrate is reduced.

第１実施形態のレーザ加工装置の模式図。FIG. 1 is a schematic diagram of a laser processing apparatus according to a first embodiment. 第１実施形態の基板をレーザ加工する動作を示す基板の模式的断面図。FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of the substrate showing an operation of laser processing the substrate of the first embodiment. 第２実施形態の基板をレーザ加工する動作を示す基板の模式的断面図。FIG. 9 is a schematic cross-sectional view of a substrate showing an operation of laser processing the substrate of the second embodiment. 第３実施形態のレーザ加工装置の模式図。FIG. 9 is a schematic view of a laser processing apparatus according to a third embodiment. 従来の基板をレーザ加工する動作を示す基板の模式的断面図。FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of a substrate showing an operation of laser processing a conventional substrate.

１．第１実施形態
（１）全体構成
図１を用いて、本発明の一実施形態によるガラス基板切断用のレーザ加工装置１の全体構成を説明する。図１は、第１実施形態のレーザ加工装置の模式図である。
レーザ加工装置１は、基板Ｗをフルカット加工するための装置である。
基板Ｗは、例えば、ソーダガラスであり、厚みが例えば１．８ｍｍであり、１．１〜３ｍｍの範囲にある。 1. First Embodiment (1) Overall Configuration The overall configuration of a laser processing apparatus 1 for cutting a glass substrate according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a schematic view of the laser processing apparatus according to the first embodiment.
The laser processing device 1 is a device for performing full cut processing of the substrate W.
The substrate W is, for example, soda glass, has a thickness of, for example, 1.8 mm, and is in a range of 1.1 to 3 mm.

レーザ加工装置１は、レーザ装置３を備えている。レーザ装置３は、基板Ｗにレーザ光Ｌを照射するためのレーザ光を発振するレーザ発振器１５と、レーザ制御部１７とを有している。レーザ発振器１５は、例えば、波長３４０〜１１００ｎｍのピコ秒レーザである。レーザ制御部１７はレーザ発振器１５の駆動及びレーザパワーを制御できる。
レーザ加工装置１は、レーザ装置３で発振されたレーザ光を集光して基板Ｗに照射する伝送光学系５を有している。伝送光学系５は、例えば、集光レンズ１９、複数のミラー（図示せず）、プリズム（図示せず）等を有する。
レーザ加工装置１は、伝送光学系５全体又はその一部である光学部材（レンズ、ミラー等）の位置や姿勢を変更させることによって、基板Ｗに照射されるレーザ光の光軸の傾きを変更する駆動機構１１を有している。 The laser processing device 1 includes a laser device 3. The laser device 3 includes a laser oscillator 15 that oscillates a laser beam for irradiating the substrate W with the laser beam L, and a laser controller 17. The laser oscillator 15 is, for example, a picosecond laser having a wavelength of 340 to 1100 nm. The laser control unit 17 can control the driving of the laser oscillator 15 and the laser power.
The laser processing apparatus 1 has a transmission optical system 5 that collects the laser light oscillated by the laser apparatus 3 and irradiates the substrate W with the laser light. The transmission optical system 5 includes, for example, a condenser lens 19, a plurality of mirrors (not shown), a prism (not shown), and the like.
The laser processing apparatus 1 changes the tilt of the optical axis of the laser beam applied to the substrate W by changing the position or attitude of the optical member (lens, mirror, etc.) that is the entire transmission optical system 5 or a part thereof. It has a drive mechanism 11 that performs the operation.

レーザ加工装置１は、基板Ｗが載置される加工テーブル７を有している。加工テーブル７は、テーブル駆動部１３によって移動される。テーブル駆動部１３は、加工テーブル７をベッド（図示せず）に対して水平方向に移動させる移動装置（図示せず）を有している。移動装置は、ガイドレール、モータ等を有する公知の機構である。   The laser processing apparatus 1 has a processing table 7 on which the substrate W is placed. The processing table 7 is moved by the table driving unit 13. The table drive unit 13 has a moving device (not shown) for moving the processing table 7 in a horizontal direction with respect to a bed (not shown). The moving device is a known mechanism having a guide rail, a motor, and the like.

レーザ加工装置１は、制御部９を備えている。制御部９は、プロセッサ（例えば、ＣＰＵ）と、記憶装置（例えば、ＲＯＭ、ＲＡＭ、ＨＤＤ、ＳＳＤなど）と、各種インターフェース（例えば、Ａ／Ｄコンバータ、Ｄ／Ａコンバータ、通信インターフェースなど）を有するコンピュータシステムである。制御部９は、記憶部（記憶装置の記憶領域の一部又は全部に対応）に保存されたプログラムを実行することで、各種制御動作を行う。
制御部９は、単一のプロセッサで構成されていてもよいが、各制御のために独立した複数のプロセッサから構成されていてもよい。 The laser processing device 1 includes a control unit 9. The control unit 9 has a processor (for example, CPU), a storage device (for example, ROM, RAM, HDD, SSD, etc.), and various interfaces (for example, A / D converter, D / A converter, communication interface, etc.). It is a computer system. The control unit 9 performs various control operations by executing a program stored in the storage unit (corresponding to part or all of the storage area of the storage device).
The control unit 9 may be configured by a single processor, or may be configured by a plurality of independent processors for each control.

制御部９は、レーザ制御部１７、駆動機構１１、及びテーブル駆動部１３を制御できる。
制御部９には、図示しないが、基板Ｗの大きさ、形状及び位置を検出するセンサ、各装置の状態を検出するためのセンサ及びスイッチ、並びに情報入力装置が接続されている。 The control unit 9 can control the laser control unit 17, the driving mechanism 11, and the table driving unit 13.
Although not shown, a sensor for detecting the size, shape and position of the substrate W, sensors and switches for detecting the state of each device, and an information input device are connected to the control unit 9.

（２）レーザ加工方法
図２を用いて、基板Ｗのレーザ加工方法を説明する。図２は、第１実施形態の基板をレーザ加工する動作を示す基板の模式的断面図である。
レーザ加工方法は、基板Ｗの内部のレーザ加工を平面方向に断続的に行い、たとえばスクライブラインを形成する。具体的には、基板Ｗの第１端面３１から第２端面３３まで、平面方向に連続してレーザ光Ｌが照射される（レーザ光照射ステップ）。 (2) Laser Processing Method A laser processing method for the substrate W will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the substrate illustrating an operation of laser processing the substrate of the first embodiment.
In the laser processing method, laser processing inside the substrate W is performed intermittently in a planar direction, for example, to form a scribe line. Specifically, the laser light L is continuously irradiated in a planar direction from the first end face 31 to the second end face 33 of the substrate W (laser light irradiation step).

上記の動作において、第１端面３１及びその近傍の加工並びに第２端面３３及びその近傍の加工時には、レーザ光Ｌが傾けられることで、基板Ｗの第１端面３１及び第２端面３３において集光点が一致している。その結果、基板Ｗの第１端面３１及び第２端面３３においても所望のレーザ加工が実現される。   In the above operation, during the processing of the first end face 31 and the vicinity thereof and the processing of the second end face 33 and the vicinity thereof, the laser light L is inclined so that the laser light L is condensed on the first end face 31 and the second end face 33 of the substrate W. Points match. As a result, desired laser processing is realized also on the first end face 31 and the second end face 33 of the substrate W.

具体的には、集光レンズ１９に入射されるレーザ光Ｌの位置が適宜変更されることで、上記動作が実現される。レーザ光Ｌの位置を変更するために、ミラー（図示せず）等の位置が変更される。つまり、光軸傾けステップは、レーザ光Ｌを集光レンズ１９に入射する位置を変更することで行われる。
さらに、具体的には、基板Ｗの第１端面３１及びその近傍に対して、レーザ光Ｌの光軸を基板内側から基板外側に向くように傾けた状態でレーザ光を照射する第１レーザ光照射ステップが行われる。
次に、基板Ｗの第１端面３１から離れた位置に対して、レーザ光Ｌを垂直に照射する第２レーザ光照射ステップが行われる。 Specifically, the above operation is realized by appropriately changing the position of the laser beam L incident on the condenser lens 19. In order to change the position of the laser beam L, the position of a mirror (not shown) or the like is changed. That is, the optical axis tilting step is performed by changing the position where the laser light L is incident on the condenser lens 19.
More specifically, the first laser beam is applied to the first end face 31 of the substrate W and the vicinity thereof in a state where the optical axis of the laser beam L is inclined from the inside of the substrate to the outside of the substrate. An irradiation step is performed.
Next, a second laser light irradiation step of vertically irradiating the laser light L to a position away from the first end face 31 of the substrate W is performed.

最後に、基板Ｗの第２端面３３及びその近傍に対して、レーザ光Ｌの光軸を基板内側から基板外側に向くように傾けた状態でレーザ光を照射する第３レーザ光照射ステップが行われる。
この方法では、レーザ光Ｌは傾けられた状態で基板Ｗの第１端面３１又は第２端面３３に照射されるので、基板Ｗの第１端面３１又は第２端面３３において集光点が基板内外で一致している。その結果、基板Ｗの第１端面３１又は第２端面３３においても所望のレーザ加工が実現される。 Lastly, a third laser light irradiation step of irradiating the second end face 33 of the substrate W and the vicinity thereof with the laser light while inclining the optical axis of the laser light L from the inside of the substrate to the outside of the substrate is performed. Is
In this method, the laser beam L is irradiated on the first end face 31 or the second end face 33 of the substrate W in a tilted state, so that the condensing point on the first end face 31 or the second end face 33 of the substrate W is shifted inside and outside the substrate. Matches. As a result, desired laser processing is realized also on the first end face 31 or the second end face 33 of the substrate W.

２．第２実施形態
前記実施形態ではレーザ光を傾けるために集光レンズに対するレーザ光入射角度を変更したが、光軸傾けは他の手段によって実現してもよい。たとえば、光軸傾けステップは、レーザ光を照射する光学系を傾けることで行われてもよい。
図３を用いて、そのような実施形態を第２実施形態として説明する。図３は、第２実施形態の基板をレーザ加工する動作を示す基板の模式的断面図である。 2. Second Embodiment In the above embodiment, the angle of incidence of the laser beam with respect to the condenser lens is changed in order to tilt the laser beam. However, the tilt of the optical axis may be realized by other means. For example, the optical axis tilting step may be performed by tilting an optical system that emits laser light.
Such an embodiment will be described as a second embodiment with reference to FIG. FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of a substrate illustrating an operation of laser processing the substrate of the second embodiment.

レーザ加工方法は、具体的には、レーザ光Ｌによる基板Ｗの内部加工を平面方向に断続的に行うことで、スクライブラインを形成する。具体的には、基板Ｗの第１端面３１から第２端面３３まで、平面方向に連続してレーザ光Ｌが照射される（レーザ光照射ステップ）。
上記の動作において、第１端面３１及びその近傍の加工並びに第２端面３３及びその近傍の加工時には、レーザ光Ｌが傾けられることで、基板Ｗの第１端面３１及び第２端面３３において基板内外で集光点が一致している。その結果、基板Ｗの第１端面３１及び第２端面３３においても所望のレーザ加工が実現される。 Specifically, the laser processing method forms a scribe line by performing internal processing of the substrate W with the laser light L intermittently in a planar direction. Specifically, the laser light L is continuously irradiated in a planar direction from the first end face 31 to the second end face 33 of the substrate W (laser light irradiation step).
In the above operation, the laser light L is tilted during the processing of the first end face 31 and the vicinity thereof and the processing of the second end face 33 and the vicinity thereof, so that the inside and outside of the substrate are formed at the first end face 31 and the second end face 33 of the substrate W. And the light converging points coincide. As a result, desired laser processing is realized also on the first end face 31 and the second end face 33 of the substrate W.

具体的には、集光レンズ１９及びそこに入射されるレーザ光Ｌの角度が適宜変更されることで、上記動作が実現される。上記の変更をするために、集光レンズ１９及びミラー（図示せず）等の光学系又は伝送光学系５全体の位置又は姿勢が変更される。   Specifically, the above operation is realized by appropriately changing the angle of the condenser lens 19 and the laser beam L incident thereon. In order to make the above change, the position or attitude of the optical system such as the condenser lens 19 and the mirror (not shown) or the entire transmission optical system 5 is changed.

３．第３実施形態
光軸傾けステップは、空間光位相変調によって行われてもよい。図４を用いて、そのような実施形態を説明する。図４は、第３実施形態のレーザ加工装置の模式図である。 3. Third Embodiment The optical axis tilting step may be performed by spatial light phase modulation. Such an embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a schematic view of a laser processing apparatus according to the third embodiment.

レーザ加工装置１Ａは、レーザ装置３から出射されたレーザ光を変調する空間光位相変調器２１を有している。空間光位相変調器２１は、例えば反射型であり、反射型液晶（ＬＣＯＳ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ ｏｎ Ｓｉｌｉｃｏｎ）の空間光位相変調器（ＳＬＭ：Ｓｐａｔｉａｌ Ｌｉｇｈｔ Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ）であってもよい。空間光位相変調器２１は、水平方向から入射するレーザ光を変調すると共に、下方に反射する。   The laser processing device 1A has a spatial light phase modulator 21 that modulates the laser light emitted from the laser device 3. The spatial light phase modulator 21 is, for example, a reflection type, and may be a reflection type liquid crystal (LCOS: Liquid Crystal on Silicon) spatial light phase modulator (SLM: Spatial Light Modulator). The spatial light phase modulator 21 modulates the laser light incident from the horizontal direction and reflects the laser light downward.

レーザ加工装置１Ａは、駆動部２３を有している。駆動部２３は、空間光位相変調器２１における各画素電極に所定電圧を印加し、液晶層に所定の変調パターンを表示させ、これにより、レーザ光を空間光位相変調器２１で変調させる。ここで、液晶層に表示される変調パターンは、例えば、加工痕を形成しようとする位置、照射するレーザ光の波長、加工対象物の材料、及び伝送光学系５や加工対象物の屈折率等に基づいて予め導出され、制御部９に記憶されている。   The laser processing apparatus 1A has a drive unit 23. The driving unit 23 applies a predetermined voltage to each pixel electrode in the spatial light phase modulator 21 to display a predetermined modulation pattern on the liquid crystal layer, thereby modulating the laser light with the spatial light phase modulator 21. Here, the modulation pattern displayed on the liquid crystal layer includes, for example, a position where a processing mark is to be formed, a wavelength of a laser beam to be irradiated, a material of a processing target, and a refractive index of the transmission optical system 5 and the processing target. And is stored in the control unit 9 in advance.

レーザ加工方法は、具体的には、レーザ光Ｌによる基板Ｗの内部加工を平面方向に断続的に行うことで、スクライブラインを形成する。具体的には、図示しないが、基板Ｗの第１端面３１から第２端面３３まで、平面方向に連続してレーザ光Ｌが照射される（レーザ光照射ステップ）。
上記の動作において、第１端面３１及びその近傍の加工並びに第２端面３３及びその近傍の加工時には、レーザ光Ｌが傾けられることで、基板Ｗの第１端面３１及び第２端面３３において集光点が一致している。その結果、基板Ｗの第１端面３１及び第２端面３３においても所望のレーザ加工が実現される。 Specifically, the laser processing method forms a scribe line by performing internal processing of the substrate W with the laser light L intermittently in a planar direction. Specifically, although not shown, the laser light L is continuously irradiated in a planar direction from the first end face 31 to the second end face 33 of the substrate W (laser light irradiation step).
In the above operation, during the processing of the first end face 31 and the vicinity thereof and the processing of the second end face 33 and the vicinity thereof, the laser light L is tilted, and condensed on the first end face 31 and the second end face 33 of the substrate W. Points match. As a result, desired laser processing is realized also on the first end face 31 and the second end face 33 of the substrate W.

４．他の実施形態
以上、本発明の複数の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。特に、本明細書に書かれた複数の実施形態及び変形例は必要に応じて任意に組み合せ可能である。
基板は、ガラス、半導体ウェハ、セラミックス等の脆性材料基板であればよく、特に限定されない。 4. Other Embodiments A plurality of embodiments of the present invention have been described above, but the present invention is not limited to the above embodiments, and various changes can be made without departing from the spirit of the invention. In particular, a plurality of embodiments and modifications described in this specification can be arbitrarily combined as needed.
The substrate is not particularly limited as long as it is a substrate made of a brittle material such as glass, a semiconductor wafer, and ceramics.

本発明は、基板のレーザ加工方法に広く適用できる。   INDUSTRIAL APPLICATION This invention can be widely applied to the laser processing method of a board | substrate.

１ ：レーザ加工装置
３ ：レーザ装置
５ ：伝送光学系
７ ：加工テーブル
９ ：制御部
１１ ：駆動機構
１３ ：テーブル駆動部
１５ ：レーザ発振器
１７ ：レーザ制御部
１９ ：集光レンズ
２１ ：空間光位相変調器
２３ ：駆動部
３１ ：第１端面
３３ ：第２端面
Ｗ ：基板 1: laser processing device 3: laser device 5: transmission optical system 7: processing table 9: control unit 11: drive mechanism 13: table drive unit 15: laser oscillator 17: laser control unit 19: condenser lens 21: spatial light phase Modulator 23: drive unit 31: first end surface 33: second end surface W: substrate

Claims (5)

基板のレーザ加工方法であって、
前記基板の端面に対して、レーザ光の光軸を基板内側から基板外側に向くように傾けた状態でレーザ光を照射する第１レーザ光照射ステップと、
前記基板の端面から離れた位置に対してレーザ光を垂直に照射する第２レーザ光照射ステップと、
を備えた基板のレーザ加工方法。 A laser processing method for a substrate,
A first laser light irradiation step of irradiating the laser light in a state where the optical axis of the laser light is inclined from the inside of the substrate to the outside of the substrate with respect to the end surface of the substrate,
A second laser light irradiation step of vertically irradiating the laser light to a position distant from the end face of the substrate,
Laser processing method for a substrate comprising: 前記第１レーザ光照射ステップにおいて前記レーザ光の光軸を傾ける動作は、レーザ光を集光レンズに入射する位置を変更することで行われる、請求項１に記載の基板のレーザ加工方法。   2. The laser processing method for a substrate according to claim 1, wherein the operation of tilting the optical axis of the laser light in the first laser light irradiation step is performed by changing a position where the laser light is incident on a condenser lens. 3. 前記第１レーザ光照射ステップにおいて前記レーザ光の光軸を傾ける動作は、前記レーザ光を照射する光学系を傾けることで行われる、請求項１に記載の基板のレーザ加工方法。   2. The substrate laser processing method according to claim 1, wherein the operation of tilting the optical axis of the laser light in the first laser light irradiation step is performed by tilting an optical system that irradiates the laser light. 3. 前記第１レーザ光照射ステップにおいて前記レーザ光の光軸を傾ける動作は、空間光位相変調によって行われる、請求項１に記載の基板のレーザ加工方法。   2. The method according to claim 1, wherein the operation of tilting the optical axis of the laser light in the first laser light irradiation step is performed by spatial light phase modulation. 基板のレーザ加工装置であって、
基板が載置されるテーブルと、
レーザ光を発振するレーザ装置と、
前記レーザ装置で発振されたレーザ光を集光して前記基板に照射する伝送光学系と、
前記伝送光学系から前記基板に照射されるレーザ光の光軸の傾きを変更する駆動機構と、
前記テーブルを前記伝送光学系に対して相対移動させるテーブル駆動部と、
前記レーザ装置、前記駆動機構及び前記テーブル駆動部を制御する制御部とを備え、
前記制御部は、
前記基板の端面に対して、レーザ光の光軸を基板内側から基板外側に向くように傾けた状態でレーザ光を照射し、前記基板の端面から離れた位置に対してレーザ光を垂直に照射するように制御する、
レーザ加工装置。
A laser processing apparatus for a substrate,
A table on which the substrate is placed,
A laser device that oscillates laser light,
A transmission optical system that collects laser light oscillated by the laser device and irradiates the substrate with the laser light,
A drive mechanism that changes the inclination of the optical axis of the laser light emitted from the transmission optical system to the substrate,
A table driving unit that moves the table relative to the transmission optical system,
The laser device, comprising a control unit for controlling the drive mechanism and the table drive unit,
The control unit includes:
Irradiate the laser beam with the optical axis of the laser beam being inclined from the inside of the substrate to the outside of the substrate with respect to the end face of the substrate, and irradiate the laser beam vertically to a position distant from the end face of the substrate. Control to
Laser processing equipment.
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