KR20080091720A - Method for manufacturing mask blanks and method for manufacturing photomask - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은, 마스크 블랭크의 제조 방법 및 포토 마스크의 제조 방법에 관한 것이다.This invention relates to the manufacturing method of a mask blank, and the manufacturing method of a photo mask.
FPD(Flat Panel Display) 디바이스를 제조하기 위한 마스크 블랭크(FPD용의 마스크 블랭크)에서는, 차광성막, 반투광성막 등의 박막 위에, 레지스트막이 형성된다. 이 레지스트막은, 상기 박막의 에칭 시에 에칭 마스크로서 사용된다. 그러나, FPD용의 마스크 블랭크에서는, 레지스트막을 형성할 상기 박막 표면의 면적이 크기 때문에, 예를 들면 LSI용의 마스크 블랭크 등과 비교하여, 레지스트막의 도포 얼룩이나, 면내 막 두께 균일성의 악화가 생기기 쉽다.In the mask blank (mask blank for FPD) for manufacturing a flat panel display (FPD) device, a resist film is formed on thin films, such as a light shielding film and a semi-transmissive film. This resist film is used as an etching mask in the etching of the said thin film. However, in the mask blank for FPD, since the surface area of the said thin film surface which will form a resist film is large, compared with the mask blank for LSI etc., application | coating spot of a resist film and deterioration of in-plane film thickness uniformity are easy to occur, for example.
또한, FPD용의 포토 마스크 등에서는, 최근에, 형성되는 패턴이 고정밀도화하고 있기 때문에, 대형의 기판의 전체면에 걸쳐서 균일한 두께의 레지스트막을 형성할 수 있는 기술이 요망되고 있었다.Moreover, in the photomask for FPD etc., in recent years, since the pattern formed becomes high precision, the technique which can form the resist film of uniform thickness over the whole surface of a large board | substrate was desired.
이러한 실정을 감안하여, FPD용의 마스크 블랭크 및 포토 마스크의 제조 분야에서, 예를 들면, 「CAP 코터」라고 통칭되는 도포 장치의 사용이 검토되고 있 다. 이「CAP 코터」에서는, 액체 형상의 레지스트제가 저장된 액조에 모관 형상 간극을 갖는 도포 노즐을 가라앉혀 둔다. 한편, 피도포면을 하방을 향한 자세로 흡착판에 의해 기판을 유지해 두고, 다음으로, 도포 노즐을 레지스트제 내로부터 상승시켜서 이 도포 노즐의 상단부를 기판의 피도포면에 근접시킨다. 그렇게 하면, 액조에 저장된 액체 형상의 레지스트제가 도포 노즐에서의 모세관 현상에 의해 상승하고, 이 레지스트제가 도포 노즐의 상단부를 통하여 기판의 피도포면에 접액된다. 이와 같이 레지스트제가 피도포면에 접액한 상태에서, 액조 및 도포 노즐을 소정의 「도포 높이」의 위치(도포 갭 G의 위치)까지 하강시킨다. 이 상태에서, 도포 노즐 및 피도포면을 피도포면의 전체면에 걸쳐서 상대적으로 이동시킴으로써, 피도포면의 전체면에 걸쳐서 레지스트제의 도포막이 형성된다.In view of such a situation, the use of the coating apparatus collectively called "CAP coater", for example, in the manufacture field of the mask blank and photo mask for FPD is considered. In this "CAP coater", the application | coating nozzle which has a capillary clearance gap is submerged in the liquid tank in which the liquid resist agent was stored. On the other hand, the board | substrate is hold | maintained by an adsorption plate in the attitude | position facing downward, Next, an application | coating nozzle is raised from the inside of a resist agent, and the upper end part of this application | coating nozzle is made to be close to the application surface of a board | substrate. Then, the liquid resist agent stored in the liquid tank rises by the capillary phenomenon in the application nozzle, and the resist agent comes into contact with the surface to be coated of the substrate through the upper end of the application nozzle. Thus, in the state which contacted the to-be-coated surface with a resist agent, a liquid tank and an application | coating nozzle are lowered to the position (position of coating gap G) of a predetermined "coating height." In this state, the coating nozzle and the surface to be coated are relatively moved over the entire surface of the surface to be coated, whereby a coating film made of a resist is formed over the entire surface of the surface to be coated.
그런데, 상기한 바와 같은 CAP 코터를 이용한 경우에도, 한층 더 고정밀도 패턴에의 요구 등에 응하기 위해서는, 한층 더 막 두께의 균일성을 추구할 필요가 있다. 그 때문에, 도포 후의 건조 시에 있어서 면 내의 건조 얼룩의 발생을 방지하는 것도, 막 두께의 균일성을 향상시키는 점에서 중요한 요소로 된다.By the way, even when using the above-mentioned CAP coater, in order to meet the request | requirement of a high precision pattern, etc. further, it is necessary to pursue the uniformity of a film thickness further. Therefore, preventing occurrence of in-plane dry spots during drying after application is also an important factor in terms of improving the uniformity of the film thickness.
따라서, 본 출원인은, 클린 룸 내의 다운 플로우의 기류에 의한 건조 얼룩에 기인하는 레지스트막의 막 두께 얼룩을 방지하기 위해, 기판의 피도포면을 하향으로 유지한 상태에서, 기판을 일정 속도로 이동시키면서 건조하는 레지스트 도포 방법(특허 문헌 1: 일본 특개 2004-311884호 공보)이나, 피도포면의 하방으로부터 레지스트막을 향하여 청정 기체를 공급함으로써, 다운 플로우가 피도포면에 돌아 들어가는 것을 억제하는 레지스트 도포 방법(특허 문헌 2: 일본 특허 제3658355호 공 보)을 개발하여, 먼저 출원을 행하였다.Accordingly, the present inventors dry the substrate while moving the substrate at a constant speed while keeping the coated surface of the substrate downward in order to prevent the film thickness stain of the resist film caused by the dry stain caused by the airflow of the downflow in the clean room. A resist coating method (Patent Document 1: Japanese Patent Laid-Open No. 2004-311884) or a resist coating method for suppressing the downflow from returning to the surface to be coated by supplying a clean gas from below the surface to be coated to the resist film (Patent Document 1) 2: Japanese Patent No. 3658355) was developed and filed first.
그런데, 상기한 바와 같은 방법을, 이하에서 설명하는 구체적인 도포 장치에 적용한 경우에, 건조 얼룩이 발생하는 것을 알 수 있었다.By the way, when the above-mentioned method was applied to the specific coating apparatus demonstrated below, it turned out that dry unevenness generate | occur | produces.
자세하게는, 도 7에 도시하는 도포 장치는, 장치 전면(로더)측에 흡착판(3)에 대한 기판(10)의 흡착 및 이탈을 행하는 타입의 장치이며, 이하와 같은 흡착 및 이탈 기구를 갖는다. 즉, 흡착 및 이탈 기구는, 장치 전면측(도면 중 C의 위치)에서 흡착판(3)에 기판(10)을 흡착하고, 도면 중 우 방향으로 흡착판(3) 및 기판(10)을 이동시키면서, 도포 노즐(22)에 의해 기판(10)의 피도포면에 레지스트제의 도포를 행하여 레지스트제의 도포막(21a)을 형성한다(상세에 대해서는 후술함). 도포의 종료 후, 도면 중 우 방향으로 흡착판(3) 및 기판(10)을 조금 이동시킨 위치(도포 종료 위치라고 함)에서 흡착판(3) 및 기판(10)의 이동을 정지시킨다. 다음으로, 도면 중 좌 방향으로 흡착판(3) 및 기판(10)을 이동시키고, 장치 전면측(도면 중 C의 위치)에서 흡착판(3)으로부터 기판(10)의 이탈을 행한다. 이하에서는, 기판(10)의 도면 중 우단부를 도포 개시측, 도면 중 좌단부를 도포 종료측이라고 부른다.In detail, the coating device shown in FIG. 7 is an apparatus of the type which adsorbs and detaches the board |
도 7에 도시하는 도포 장치에서는, 도포가 종료한 기판(10)은 도면 중 A의 위치(도포 종료 위치)에서 일단 정지한다. 그 후, 기판(10)은 로더측으로 이동하지만, 도면 중 B의 위치의 하방에 설치된 클린 에어 유닛(31)에서, 레지스트 표면 이 건조되면서 로더측으로의 이동이 행해진다.In the coating device shown in FIG. 7, the board |
이 건조 방법의 문제점은, 도포 방향과 건조 방향이 역 방향이라는 것과, 균일한 건조 시간이, 충분히 취해지지 않는 것이다. 실제로 도면 중 B의 위치에서 하방의 에어 유닛(31)으로부터의 바람을 받은 것은, 도포 종료측이 먼저이며, 도포 개시측은 마지막으로 되게 된다.The problem with this drying method is that the application direction and the drying direction are in the reverse direction, and that uniform drying time is not sufficiently taken. In fact, the application end side first receives the wind from the
이 때문에, 도포 후 A→B→C로 이동하는 흡착판(3)의 이송 속도(도포 되돌아감 속도)가 너무 높으면, 위치 B에서의 건조가 충분하지 않아, 도 8에 도시한 바와 같은 세로 방향의 아지랭이 얼룩(아지랭이 형상의 얼룩)이 발생하게 된다. 반대로 도포 되돌아감 속도를 낮게 하면, 세로 방향의 아지랭이 얼룩이 저감되지만, 도포 시작 에리어(도포 개시측)가, 도면 중 B의 위치에 도달하기 전에 자연 건조되게 되기 때문에, 도 9에 도시한 바와 같은 랜덤한 아지랭이 얼룩이, 도포 시작 에리어를 중심으로 발생하게 된다. 도포 되돌아감 속도, 에어 유닛의 수, 높이, 풍량을 바꾸어서 수많은 테스트를 행하였지만, 세로 방향의 아지랭이 얼룩과 랜덤한 아지랭이 얼룩을 동시에 허용 레벨로 억제할 수는 없었다.For this reason, if the feed rate (coating return speed) of the
또한, 도면 중 C의 위치에서도 그 하방에 설치된 에어 유닛(32)에서 건조가 행해진다. 그러나, 여기서의 건조는, 로더에 기판을 두고, 다음의 공정으로 이어지는 레벨로 레지스트가 건조되는 것을 촉진하기 위해서이며, 후술하는 「충분한 건조 상태」에 이른 후의 건조이므로, 전술한 건조 얼룩에는 영향을 주지 않는 것을 해명하고 있다.In addition, drying is performed also in the
본 발명은, 상기 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 전술한 바와 같은 건조 얼룩이 발생하지 않도록, 도포된 레지스트제를 건조시킬 수 있는 공정을 갖는 마스크 블랭크의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.This invention is made | formed in view of the said subject, and an object of this invention is to provide the manufacturing method of the mask blank which has a process which can dry the apply | coated resist agent so that the above-mentioned dry spot may not generate | occur | produce.
본 발명은, 이하의 구성을 갖는다.This invention has the following structures.
[구성 1][Configuration 1]
한 방향으로 신장하는 레지스트액 공급구를 갖는 도포 노즐로부터 레지스트액을 토출시키면서, 상기 한 방향으로 교차하는 방향으로 상기 도포 노즐 및 기판의 피도포면을 상대적으로 이동시켜서, 상기 피도포면에 상기 레지스트제를 도포하는 레지스트제 도포 공정을 갖는 레지스트막을 갖는 마스크 블랭크의 제조 방법으로서,While discharging the resist liquid from the coating nozzle having the resist liquid supply port extending in one direction, the surface to be coated of the coating nozzle and the substrate is relatively moved in the direction crossing the one direction so that the resist is applied to the surface to be coated. As a manufacturing method of the mask blank which has a resist film which has a resist coating process apply | coated,
도포된 레지스트제의 건조는, 레지스트제의 도포막 표면에 대하여 평행한 방향으로부터 청정 기체를 공급하여, 건조시키는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크의 제조 방법.Drying of the apply | coated resist agent has a process of supplying and drying a clean gas from the direction parallel to the coating film surface of a resist agent, The manufacturing method of the mask blank characterized by the above-mentioned.
[구성 2][Configuration 2]
도포된 레지스트제의 건조는,Drying of the applied resist is
레지스트제의 도포막 표면에 대향하여 정류판을 설치하고,A rectifying plate is provided opposite to the coating film surface made of resist,
상기 레지스트제의 도포막 표면과 상기 정류판 사이에 청정 기체를 공급하여, 건조시키는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 구성 1에 기재된 마스크 블랭크의 제조 방법.The manufacturing method of the mask blank of the structure 1 characterized by having the process of supplying a clean gas between the coating film surface of the said resist agent, and the said rectification plate, and drying it.
[구성 3][Configuration 3]
상기 레지스트제의 도포막 표면에 대하여, 도포 개시측으로부터 도포 종료측을 향하여 청정 기체를 공급하는 것을 특징으로 하는 구성 1 또는 2에 기재된 마스크 블랭크의 제조 방법.A clean gas is supplied from the coating start side toward the coating end side with respect to the coating film surface of the said resist agent, The manufacturing method of the mask blank of the
[구성 4][Configuration 4]
액조에 저장된 액체 형상의 레지스트제를 도포 노즐에서의 모세관 현상에 의해 상승시키고, 기판의 피도포면을 하방을 향하여 상기 도포 노즐의 상단부에 근접시키고, 상기 도포 노즐에 의해 상승된 레지스트제를 그 도포 노즐의 상단부를 통하여 상기 피도포면에 접액시키고, 레지스트제가 기판의 피도포면에 접액된 상태에서, 액조 및 도포 노즐을 소정의 도포 높이의 위치까지 하강시키고, 이 상태에서 상기 도포 노즐 및 상기 피도포면을 상대적으로 이동시켜서, 상기 피도포면에 상기 레지스트제를 도포하는 레지스트제 도포 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 구성 1∼3 중 어느 하나에 기재된 마스크 블랭크의 제조 방법.The liquid resist agent stored in the liquid tank is raised by a capillary phenomenon in the coating nozzle, the surface to be coated is brought closer to the upper end of the coating nozzle downward, and the resist agent raised by the coating nozzle is applied to the coating nozzle. And the liquid bath and the application nozzle are lowered to a position of a predetermined application height in a state where the resist is in contact with the application surface of the substrate, and in this state, the application nozzle and the application surface are relatively It moves to and has a resist agent application process which apply | coats the said resist agent to the to-be-coated surface, The manufacturing method of the mask blank in any one of the structures 1-3 characterized by the above-mentioned.
[구성 5][Configuration 5]
구성 1 내지 4 중 어느 하나에 기재된 마스크 블랭크의 제조 방법에 의해 얻어지는 마스크 블랭크를 이용하여 포토 마스크를 제조하는 것을 특징으로 하는 포토 마스크의 제조 방법.The photomask is manufactured using the mask blank obtained by the manufacturing method of the mask blank in any one of the structures 1-4, The manufacturing method of the photomask characterized by the above-mentioned.
본 발명에 따르면, 전술한 바와 같은 건조 얼룩이 발생하지 않도록, 도포된 레지스트제를 건조시킬 수 있는 공정을 갖는 마스크 블랭크의 제조 방법을 제공할 수 있다.According to this invention, the manufacturing method of the mask blank which has the process which can dry the apply | coated resist agent so that dry stain as mentioned above does not generate | occur | produce can be provided.
이하, 본 발명을 더욱 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail.
본 발명의 마스크 블랭크의 제조 방법은, 한 방향으로 신장하는 레지스트액 공급구를 갖는 도포 노즐로부터 레지스트액을 토출시키면서, 상기 한 방향으로 교차하는 방향으로 상기 도포 노즐 및 기판의 피도포면을 상대적으로 이동시켜서, 상기 피도포면에 상기 레지스트제를 도포하는 레지스트제 도포 공정을 갖는 레지스트막을 갖는 마스크 블랭크의 제조 방법으로서,The method for producing a mask blank of the present invention relatively moves the coated surface of the coating nozzle and the substrate in a direction crossing the one direction while discharging the resist liquid from the coating nozzle having a resist liquid supply port extending in one direction. As a method for producing a mask blank having a resist film having a resist agent coating step of applying the resist agent to the surface to be coated,
도포된 레지스트제의 건조는, 레지스트제의 도포막 표면에 대하여 평행한 방향으로부터 청정 기체를 공급하여, 건조시키는 공정을 갖는 것을 특징으로 한다(구성 1).Drying of the apply | coated resist agent has a process of supplying a clean gas from the direction parallel to the coating film surface of a resist agent, and drying it (constitution 1).
상기 구성 1에 따른 발명에 따르면, 도포된 레지스트제의 건조는, 레지스트제의 도포막 표면(즉 도포된 레지스트제에 의해 형성된 도포막의 표면, 즉 레지스트막의 표면, 이하 마찬가지)에 대하여 평행한 방향으로부터 청정 기체를 공급하여, 건조시키는 공정을 가짐으로써, 레지스트제의 도포막 표면에 대하여 수직한 방향 등으로부터 청정 기체를 공급하는 등의 경우에 비해, 건조 기류의 흐름이 한 방향이어서, 건조 얼룩이 방지된다.According to the invention according to the above structure 1, drying of the applied resist is performed from a direction parallel to the surface of the coating film of the resist (that is, the surface of the coating film formed by the applied resist, ie, the surface of the resist film, hereinafter). By having a process of supplying a clean gas and drying, compared with the case of supplying a clean gas from the direction perpendicular | vertical with respect to the coating film surface made of resist, etc., the flow of dry air flow is one direction, and dry stain is prevented. .
또한, 상기 구성 1에 따른 발명에서는, 레지스트제의 도포막 표면을 따라, 상기 도포막 표면과 평행하게 청정 기체를 흘림으로써, 레지스트제의 도포막 표면으로부터 휘발하여 도포막 표면 부근에 체류하는 용매 증기를 도포막 표면으로부터 강제적으로 멀리하는 것이 가능하게 된다.In addition, in the invention according to the first aspect, the solvent vapor which volatilizes from the coating film surface of the resist and remains near the coating film surface by flowing a clean gas along the surface of the coating film made of resist and parallel to the coating film surface. It is possible to force away from the coating film surface.
본 발명에서, 청정 기체의 공급에 의한 강제 건조는, 강제 건조 부족 때문에 강제 건조 후에 자연 건조가 일어나고 이에 기인한 건조 얼룩이 발생하는 것을 방 지할 수 있는 상태(이하, 충분한 건조 상태라고 함)까지 건조시키는 것이 바람직하다.In the present invention, the forced drying by the supply of the clean gas is dried to a state (hereinafter referred to as a sufficient dry state) that can prevent the natural drying occurs after the forced drying due to the lack of forced drying and the resulting dry stains. It is preferable.
본 발명에서는, 후술하는 바와 같이, 청정 기체의 공급에 의한 강제 건조는, 강제 건조 전에 자연 건조에 기인한 건조 얼룩이 발생하는 것을 방지할 수 있고, 또한 충분한 건조 상태에 이르기까지 건조시키는 공정인 것이 바람직하다.In the present invention, as will be described later, the forced drying by the supply of the clean gas is a step of preventing the drying unevenness caused by natural drying before the forced drying and drying to a sufficient dry state. Do.
본 발명에서는, 도포된 레지스트제의 건조는, 레지스트제의 도포막 표면에 대향하여 정류판을 설치하고, 상기 도포막 표면과 상기 정류판 사이에 청정 기체를 공급하여, 건조시키는 공정을 갖는 것이 바람직하다(구성 2).In this invention, it is preferable that the drying of the apply | coated resist agent has a process which provides a rectifying plate opposite to the coating film surface of a resist agent, supplies a clean gas between the said coating film surface, and the said rectification plate, and makes it dry. (Configuration 2).
여기에서, 레지스트제의 도포막 표면에 대향하여 정류판을 설치하지 않으면, 레지스트제의 도포막 표면에 대하여 평행한 방향으로부터 공급된 청정 기체는, 상기 도포막 표면으로부터 멀어지는 방향으로 발산하게 된다.Here, unless a rectifying plate is provided opposite to the coating film surface of a resist agent, the clean gas supplied from the direction parallel to the coating film surface of a resist will diverge in the direction away from the said coating film surface.
상기 구성 2에 따른 발명에 따르면, 레지스트제의 도포막 표면에 대향하여 정류판을 설치하고 있으므로, 레지스트제의 도포막 표면에 대하여 평행한 방향으로부터 공급된 청정 기체가, 상기 도포막 표면으로부터 멀어지는 방향으로 발산하게 되는 일이 없다. 이 때문에, 레지스트제의 도포막 표면에 대한 균일한 송풍이 가능하게 된다.According to the invention according to the
또한, 상기 구성 2에 따른 발명에 따르면, 레지스트제의 도포막 표면에 대하여 수직한 방향 등으로부터 청정 기체를 공급하는 등의 경우에 비해, 건조 효율이 높다. 따라서, 충분한 건조 상태에 이르기까지 요하는 시간을 짧게 할 수 있다. 이에 대하여, 다른 건조 방법과 같이, 건조 효율이 낮고, 따라서, 충분한 건조 상 태에 이르기까지 요하는 시간이 길면, 송풍에 의한 강제 건조에 의해 충분한 건조 상태에 이르기까지의 동안에, 자연 건조에 기인한 건조 얼룩이 발생하는 것이 있다. 또한, 충분한 건조 상태에 이르기까지 요하는 시간이 길면, 스루풋의 면에서 불리하다. 스루풋을 우선하여 송풍에 의한 강제 건조 시간을 짧게 하면 강제 건조 부족 때문에 강제 건조 후에 자연 건조가 일어나서, 건조 얼룩이 발생한다.Moreover, according to the invention according to the above-described
본 발명에서, 레지스트제의 도포막 표면과 정류판 표면과의 간격은, 1∼2㎝로 하는 것이, 전술한 작용의 충분한 발휘의 관점으로부터, 바람직하다. 또한, 이 간격에 적절한 형상의 에어 노즐 등에 의해, 균일하게 청정 기체를 보내는 것이 더 바람직하다.In this invention, it is preferable that the space | interval between the coating film surface of a resist agent, and the rectifying plate surface shall be 1-2 cm from a viewpoint of sufficient exhibition of the above-mentioned effect | action. Moreover, it is more preferable to send a clean gas uniformly by the air nozzle etc. of a shape suitable for this space | interval.
본 발명에서, 상기 도포막 표면과 정류판 사이에 공급되어 통과하는 청정 기체의 유속은, 0.2∼1m/sec로 하는 것이, 전술한 작용의 충분한 발휘의 관점으로부터, 바람직하다.In the present invention, the flow rate of the clean gas supplied and passed between the coating film surface and the rectifying plate is preferably 0.2 to 1 m / sec from the viewpoint of sufficient exertion of the above-described action.
청정 기체의 유속(에어 강도)이 너무 높으면, 도 5에 도시한 바와 같은, 갈빗대 형상의 건조 얼룩이 발생한다.If the flow velocity (air strength) of the clean gas is too high, ribbed dry spots as shown in FIG. 5 occur.
청정 기체의 유속(에어 강도)이 너무 낮으면, 도 6에 도시한 바와 같이, 도포 종료 에리어(도포 종료측)가 충분한 건조 상태에 이르기 전에 자연 건조하고 이에 기인한 랜덤한 아지랭이 얼룩(아지랭이 형상의 얼룩)이 발생한다.If the flow rate (air strength) of the clean gas is too low, as shown in Fig. 6, it is naturally dried before the application completion area (the application end side) reaches a sufficient dry state, and random azidrome stains (arranged) Stains).
본 발명에서, 상기 정류판은, 레지스트제의 도포막 표면(따라서 기판 표면이나 흡착판 표면)에 대하여, 평행하게 배설하는 것이 바람직하다. 즉, 레지스트제의 도포막 표면과 정류판 표면과의 간격은, 레지스트제의 도포막 표면의 면 내의 어느 하나의 개소에서도 일정 간격으로 하는 것이 바람직하다.In this invention, it is preferable to arrange | position the said rectification plate in parallel with respect to the coating film surface (hence the surface of a board | substrate or an adsorption plate) made from resist. That is, it is preferable that the space | interval between the coating film surface of a resist agent, and the rectifying plate surface is made into a fixed space | interval at any place in the surface of the coating film surface of a resist agent.
본 발명에서, 상기 정류판의 면적은, 레지스트제의 도포막 표면의 면적보다도 큰 것이 바람직하고, 기판의 면적과 동일하거나 그보다도 큰(즉 기판을 덮는 사이즈인) 것이 더 바람직하고, 흡착판 표면의 면적과 동일하거나 그보다도 큰(즉 흡착판을 덮는 사이즈인) 것이 더 바람직하다.In the present invention, the area of the rectifying plate is preferably larger than the area of the surface of the coating film made of resist, more preferably the same as or larger than the area of the substrate (that is, the size covering the substrate). More preferably, it is the same as or larger than the area (that is, the size covering the suction plate).
본 발명에서는, 도포 개시측으로부터 도포 종료측을 향하여 청정 기체를 공급하는 것이 바람직하다(구성 3).In this invention, it is preferable to supply a clean gas from the application | coating start side toward the application | coating end side (structure 3).
상기 구성 3에 따른 발명에 따르면, 도포 개시 측으로부터 도포 종료측을 향하여 청정 기체를 공급함으로써, 도포 시작 에리어측(도포 개시측)으로부터 건조를 행할 수 있으므로, 도포 시작 에리어가, 청정 기체의 공급에 의한 강제 건조 전에 자연 건조에 기인한 건조 얼룩이 발생하는 일은 없다. 이는, 청정 기체를 공급하는 측에 가까운 에리어(즉 바람이 불어 오는 쪽측)의 쪽이 다른 에리어(즉 바람이 불어가는 쪽측)보다도 빨리(먼저) 건조되기 때문이다.According to the invention according to the above-described
본 발명에서는, 레지스트제의 도포막 표면에서의 도포 개시측의 변으로부터 도포 종료측의 변을 향하여 균일하게 청정 기체를 공급하는 것이 바람직하다.In this invention, it is preferable to supply a clean gas uniformly toward the side of the application | coating end side from the side of the application | coating start side in the coating film surface of resist.
본 발명에서는, 도포의 종료 후, 그 근변의 위치(도포 종료 위치)에서 기판의 이동을 정지시키고, 이 기판의 이동을 정지시킨 상태에서, 상기 본 발명에 따른 건조 공정을 실시할 수 있다(방법 1).In this invention, after completion | finish of application | coating, the drying process which concerns on the said invention can be performed in the state which stopped the movement of a board | substrate at the position (coating end position) of the near side, and stopped this movement. One).
또한, 본 발명에서는, 기판을 일정 속도로 이동시켜 도포를 행하면서, 상기 본 발명에 따른 건조 공정을 실시할 수 있다(방법 2). 예를 들면, 도포 개시 전 또는 도포 개시 직후부터 청정 기체를 공급하여 상기 본 발명에 따른 건조 공정을 실시할 수 있다. 또한, 도포 개시로부터 일정 면적을 도포한 단계부터 청정 기체를 공급하여 상기 본 발명에 따른 건조 공정을 실시할 수 있다. 또한, 도포 종료 직후부터 청정 기체를 공급하여 상기 본 발명에 따른 건조 공정을 실시할 수 있다.Moreover, in this invention, the drying process which concerns on the said invention can be implemented, moving and applying a board | substrate at a fixed speed (method 2). For example, the drying process according to the present invention can be carried out by supplying a clean gas before or immediately after the start of coating. In addition, it is possible to carry out the drying process according to the present invention by supplying a clean gas from the step of applying a predetermined area from the start of coating. In addition, a clean gas may be supplied immediately after the completion of the coating to perform the drying step according to the present invention.
또한, 도포 개시측은 도포 종료측에 비해, 도포되고 나서의 경과 시간이 길어, 청정 기체의 공급에 의한 강제 건조 전에 자연 건조에 기인한 건조 얼룩이 발생할 우려가 있지만, 상기 방법 1 또는 방법 2에 따르면, 청정 기체의 공급에 의한 강제 건조 개시까지의 시간을 짧게 할 수 있으므로, 이러한 우려를 방지할 수 있다.In addition, the application start side has a longer elapsed time after application than the application end side, and there is a concern that dry spots due to natural drying may occur before forced drying by supply of clean gas, but according to the
본 발명은, 한 방향으로 신장하는 레지스트액 공급구를 갖는 도포 노즐로부터 레지스트액을 토출시키면서, 상기 한 방향으로 교차하는 방향으로 상기 도포 노즐 및 기판의 피도포면을 상대적으로 이동시켜서, 상기 피도포면에 상기 레지스트제를 도포하는 슬릿 코터라고 통칭되는 도포 장치를 이용하는 경우에 적용할 수 있다. 슬릿 코터에서의, 도포 노즐과 기판의 위치 관계는, 특히 제한되지 않고, 바닥면에 대하여 수평으로 유지된 기판의 상방에 도포 노즐이 설치된 양태나, 도포 노즐과 기판의 쌍방이 바닥면에 대하여 수직으로 유지된 양태 등이 포함된다.The present invention relatively displaces the coating surface of the coating nozzle and the substrate in the direction crossing the one direction while discharging the resist liquid from the coating nozzle having the resist liquid supply port extending in one direction, It is applicable to the case of using the application apparatus called a slit coater which apply | coats the said resist agent. The positional relationship between the application nozzle and the substrate in the slit coater is not particularly limited, and the application nozzle is provided above the substrate held horizontally with respect to the bottom surface, or both the application nozzle and the substrate are perpendicular to the bottom surface. And the like are maintained.
본 발명은, 「CAP 코터」라고 통칭되는 도포 장치를 이용하는 경우에 적합하게 적용할 수 있다(구성 4).This invention can be applied suitably when using the coating device collectively called "CAP coater." (Configuration 4).
본 발명의 포토 마스크의 제조 방법은, 상기 본 발명에 따른 마스크 블랭크의 제조 방법에 의해 얻어지는 마스크 블랭크를 이용하여 포토 마스크를 제조하는 것을 특징으로 한다(구성 5).The manufacturing method of the photomask of this invention is characterized by manufacturing a photomask using the mask blank obtained by the manufacturing method of the mask blank which concerns on the said invention (Configuration 5).
본 발명의 마스크 블랭크는, 기판 상에 성막된 마스크 패턴을 형성하기 위한 박막과, 이 박막의 상방에 성막된 레지스트막을 구비하는 마스크 블랭크가 포함된다.The mask blank of this invention contains the mask blank provided with the thin film for forming the mask pattern formed into a film on the board | substrate, and the resist film formed into a film above this thin film.
본 발명에서, 마스크 블랭크에는, 포토 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크 블랭크, 반사형 마스크 블랭크, 임프린트용 전사 플레이트 기판도 포함된다. 또한, 마스크 블랭크에는, 레지스트막을 갖는 마스크 블랭크가 포함된다. 위상 시프트 마스크 블랭크에는, 하프톤막과, 차광성막을 갖는 경우를 포함한다. 또한, 이 경우, 마스크 패턴을 형성하기 위한 박막은, 하프톤막이나 차광성막을 가리킨다. 또한, 반사형 마스크 블랭크의 경우에는, 다층 반사막 위, 또는 다층 반사막 위에 형성된 버퍼층 위에, 전사 패턴으로 되는 탄탈계 재료나 크롬계 재료의 흡수체막이 형성되는 구성을 포함하고, 임프린트용 전사 플레이트의 경우에는, 전사 플레이트로 되는 기재 위에 크롬계 재료 등의 전사 패턴 형성용 박막이 형성되는 구성을 포함한다. 마스크에는, 포토 마스크, 위상 시프트 마스크, 반사형 마스크, 임프린트용 전사 플레이트가 포함된다. 마스크에는 레티클이 포함된다.In the present invention, the mask blank also includes a photo mask blank, a phase shift mask blank, a reflective mask blank, and an imprint transfer plate substrate. The mask blank includes a mask blank having a resist film. The phase shift mask blank includes a case having a halftone film and a light shielding film. In this case, the thin film for forming the mask pattern refers to a halftone film or a light shielding film. In the case of the reflective mask blank, a tantalum-based material or a chromium-based material as a transfer pattern is formed on the multilayer reflective film or on the buffer layer formed on the multilayer reflective film, and in the case of an imprint transfer plate, And a constitution in which a thin film for forming a transfer pattern, such as a chromium-based material, is formed on a substrate that is a transfer plate. The mask includes a photo mask, a phase shift mask, a reflective mask, and an imprint transfer plate. The mask includes a reticle.
본 발명에서, 마스크 패턴을 형성하기 위한 박막으로서는, 노광광 등을 차단하는 차광막, 노광광 등의 투과량을 조정·제어하는 반투광성막, 노광광 등의 반사율을 조정·제어하는 반사율 제어막(반사 방지막을 포함함), 노광광 등에 대한 위상을 변화시키는 위상 시프트막, 차광 기능과 위상 시프트 기능을 갖는 하프톤막 등이 포함된다.In the present invention, as a thin film for forming a mask pattern, a light shielding film for blocking exposure light and the like, a semi-transmissive film for adjusting and controlling the transmission amount of exposure light and the like, and a reflectance control film for adjusting and controlling the reflectance of exposure light and the like (reflection A protective film), a phase shift film for changing a phase with respect to exposure light, a halftone film having a light shielding function and a phase shift function, and the like.
본 발명의 마스크 블랭크에서, 상기 마스크 패턴을 형성하기 위한 박막으로서는, 금속막을 예로 들 수 있다. 금속막으로서는, 크롬, 탄탈, 몰리브덴, 티탄, 하프늄, 텅스텐이나, 이들 원소를 함유하는 합금, 또는 상기 원소나 상기 합금을 함유하는 재료로 이루어지는 막을 예로 들 수 있다.In the mask blank of this invention, a metal film is mentioned as a thin film for forming the said mask pattern. Examples of the metal film include chromium, tantalum, molybdenum, titanium, hafnium and tungsten, an alloy containing these elements, or a film made of the element or the material containing the alloy.
또한, 본 발명의 마스크 블랭크에서, 상기 마스크 패턴을 형성하기 위한 박막으로서는, 규소를 함유하는 규소 함유막을 예로 들 수 있다. 규소 함유막으로서는, 규소막이나, 규소와 크롬, 탄탈, 몰리브덴, 티탄, 하프늄, 텅스텐의 금속을 함유하는 금속 실리사이드막, 규소막이나 금속 실리사이드 막에, 산소, 질소, 탄소 중 적어도 하나를 더 함유하는 막으로 할 수 있다.Moreover, in the mask blank of this invention, the silicon containing film containing silicon is mentioned as a thin film for forming the said mask pattern. The silicon-containing film further contains at least one of oxygen, nitrogen, and carbon in a silicon film, a metal silicide film containing silicon and metals of chromium, tantalum, molybdenum, titanium, hafnium, and tungsten, a silicon film or a metal silicide film. I can do it.
본 발명에서, FPD용의 마스크 블랭크 및 마스크로서는, LCD(액정 디스플레이), 플라즈마 디스플레이, 유기 EL(일렉트로루미네센스) 디스플레이 등의 FPD 디바이스를 제조하기 위한 마스크 블랭크 및 마스크를 예로 들 수 있다.In the present invention, examples of mask blanks and masks for FPD include mask blanks and masks for manufacturing FPD devices such as LCD (liquid crystal display), plasma display, organic EL (electroluminescence) display, and the like.
LCD용 마스크에는, LCD의 제조에 필요한 모든 마스크가 포함되고, 예를 들면, TFT(박막 트랜지스터), 특히 TFT 채널부나 컨택트홀부, 저온 폴리실리콘 TFT, 컬러 필터, 반사판(블랙 매트릭스) 등을 형성하기 위한 마스크가 포함된다. 다른 표시 디바이스 제조용 마스크에는, 유기 EL(일렉트로루미네센스) 디스플레이, 플라즈마 디스플레이 등의 제조에 필요한 모든 마스크가 포함된다.The mask for LCD includes all masks necessary for the manufacture of the LCD, and for example, to form a TFT (thin film transistor), especially a TFT channel portion or a contact hole portion, a low temperature polysilicon TFT, a color filter, a reflector (black matrix), and the like. For the mask is included. Other masks for manufacturing display devices include all masks necessary for manufacturing organic EL (electroluminescence) displays, plasma displays and the like.
이하, 본 발명의 실시 형태를, 도면을 참조하면서 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described, referring drawings.
도 1은 본 발명의 실시 형태에 따른 「CAP 코터」라고 통칭되는 도포 장치 및 본 발명에서의 건조 공정의 일 양태를 설명하기 위한 모식적 측면도이며, 도 2는 도 1의 주요부의 평면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a typical side view for demonstrating one aspect of the application | coating apparatus collectively called "CAP coater" concerning embodiment of this invention, and the drying process in this invention, and FIG. 2 is a top view of the principal part of FIG.
도 1 및 도 2에 도시하는 도포 장치는, 장치 전면(로더)측에서 흡착판(3)에 대한 기판(10)의 흡착 및 이탈을 행하는 타입의 장치로서, 이하와 같은 흡착 및 이탈 기구를 갖는다. 즉, 흡착 및 이탈 기구는, 장치 전면측(도면 중 C의 위치)에서 흡착판(3)에 기판(10)을 흡착하고, 도면 중 우 방향으로 흡착판(3) 및 기판(10)을 이동시키면서, 도포 노즐(22)에 의해 기판(10)의 피도포면에 레지스트제의 도포를 행하여 레지스트제의 도포막(21a)을 형성한다(상세에 대해서는 후술함). 도포의 종료 후, 도면 중 우 방향으로 흡착판(3) 및 기판(10)을 조금 이동시킨 위치(도포 종료 위치라고 함)에서 흡착판(3) 및 기판(10)의 이동을 정지시킨다. 다음으로, 도면 중 좌 방향으로 흡착판(3) 및 기판(10)을 이동시키고, 장치 전면측(도면 중 C의 위치)에서 흡착판(3)으로부터 기판(10)의 이탈을 행한다. 이하에서는, 기판(10)의 도면 중 우단부를 도포 개시측, 도면 중 좌단부를 도포 종료측이라고 부른다.1 and 2 are apparatuses of the type which adsorb and detach the
도 1 및 도 2에 도시하는 도포 장치에서는, 레지스트제의 도포막 표면(즉 레지스트제의 도포막(21a)의 표면)에 대향하여 정류판(50)을 설치하고 있다. 정류판(50)은, 레지스트제의 도포막 표면에 대하여 일정 간격으로 수평하게 설치하고 있다. 또한, 정류판(50)은, 도 2에 도시한 바와 같이, 기판(10) 및 흡착판(3)을 덮는 사이즈로 하고 있다. 정류판(50)은, 도포 노즐(22)과 인접(근접)하여 설치되어 있다.In the coating apparatus shown in FIG. 1 and FIG. 2, the rectifying
도 1에 도시하는 도포 장치에서는, 도포 개시측으로부터 도포 종료측을 향하여 청정 기체를 공급하도록, 장치 전면측과는 반대측의 장치 배면측(도포 시의 기판의 이동 방향측)에 청정 기체의 공급 수단인 에어 유닛(60)이 설치되어 있다.In the coating device shown in FIG. 1, the supply means of the clean gas to the apparatus back side (the moving direction side of the board | substrate at the time of application) on the opposite side to an apparatus front side so that clean gas may be supplied from the application start side to the application | coating end side. The in-
에어 유닛(60)은, 레지스트제의 도포막 표면(즉 레지스트제의 도포막(21a)의 표면)에 대하여 평행한 방향으로부터 청정 기체를 공급하도록(도포막(21a)의 표면과 평행하게 불어내도록) 설치되어, 레지스트제의 도포막 표면과 정류판 사이에, 레지스트제의 도포막 표면을 따라, 또한 평행하게 청정 기체를 흘린다.The
에어 유닛(60)은, 도 2에 도시한 바와 같이, 레지스트제의 도포막 표면에서의 도포 개시측의 변을 따라 복수 설치되고, 이에 의해, 레지스트제의 도포막 표면에서의 도포 개시측의 변으로부터 도포 종료측의 변을 향하여 균일하게 청정 기체를 공급한다.As shown in FIG. 2, the
에어 유닛(60)은, 예를 들면, 기류를 발생시키는 팬과, 이 팬의 전방에 배치된 에어 필터를 구비하고, 에어 필터를 통하여 청정 기체를 공급한다. 여기에서, 에어 필터로서는, HEPA 필터(High Efficiency Particulate Air filter)를 이용하는 것이 바람직하다.The
도 3은 도포 노즐(22)에 의해 기판(10)의 피도포면에 레지스트제의 도포를 행하고 있는 상태를 설명하기 위한 단면도이며, 도 4는 도포 노즐(22) 등의 동작의 상세 내용을 설명하기 위한 단면도이다.FIG. 3 is a cross-sectional view for explaining a state in which a
「CAP 코터」 장치에서는, 우선, 기판(10)에서의 레지스트제의 도포 개시 개소와, 도포 유닛(2)의 도포 노즐(22)의 상단부와의 위치 정렬을 행한다(도시하지 않음). 기판(10)에서의 레지스트제의 도포 개시 개소는, 이 기판(10)의 일 측연부이다.In the "CAP coater" apparatus, first, position alignment with the application start point of the resist agent in the board |
또한, 이「CAP 코터」 장치는, 후술하는 바와 같이, 흡착판(3)을 수평 이동시키는 수평 구동 기구와, 액조, 도포 노즐을 각각 상하시키는 상하 구동 기구(도시하지 않음)와, 수평 구동 기구를 제어함과 함께, 상하 구동 기구를 제어하여 액조 및 도포 노즐의 높이 위치를 조정하는 제어부(도시하지 않음)를 갖고 있다.In addition, this "CAP coater" apparatus includes a horizontal drive mechanism for horizontally moving the
상기의 상태에서, 제어부는, 도 4에 도시한 바와 같이, 소정의 액면 위치까지 레지스트제(21)가 저장되어 있는 액조(20)와, 이 레지스트제(21) 내에 완전히 가라앉은 상태의 도포 노즐(22)을, 모두 상승시켜, 기판(10)의 피도포면(10a)에 하방측으로부터 접근시킨다.In the above state, as shown in FIG. 4, the control unit includes a
또한, 도포 노즐(22)은, 지지 막대(28)에 지지되어, 액조(20) 내에 수납되어 있다. 이 도포 노즐(22) 및 액조(20)는, 기판(10)의 가로 방향(도 3 중에서 지면에 직교하는 방향)의 한변의 길이에 상당하는 길이를 갖고 구성되어 있다. 도포 노즐(22)은, 그 길이 방향을 따라, 슬릿 형상의 모관 형상 간극(23)을 갖고 있다. 이 도포 노즐(22)은, 이 모관 형상 간극(23)을 사이에 두고, 상단측의 폭이 좁게 이루어져서 부리와 같이 끝이 뾰족한 단면 형상을 갖고 구성되어 있다. 모관 형상 간극(23)의 상단부는, 도포 노즐(22)의 상단부에서, 이 도포 노즐(22)의 대략 전체 길이에 걸친 슬릿 형상으로 개구하고 있다. 또한, 이 모관 형상 간극(23)은, 도포 노즐(22)의 하방측을 향해서도 개구되어 있다(도 3, 4 참조).In addition, the
다음으로, 제어부는, 액조(20)의 상승을 정지시켜, 도 3에 도시한 바와 같이 도포 노즐(22)의 상단측을 액조(20) 내의 레지스트제(21)의 액면으로부터 상방측으로 돌출시킨다. 이 때, 도포 노즐(22)은, 레지스트제(21) 내에 완전히 가라앉혀 있었던 상태(도 4 참조)로부터, 레지스트제(21)의 액면의 상방측으로 돌출되므로, 모관 형상 간극(23) 내에 레지스트제(21)가 채워진 상태로 되어 있다(도 3 참조). 또한, 지지 막대(28)는 액조(20)의 저부에 형성된 구멍(20b)을 상하 이동 가능한 상태에서 관통하고 있다. 그리고, 구멍(20b)과 지지 막대(28) 사이의 근소한 간극으로부터의 레지스트제(21)의 누설을 없애기 위해서, 도포 노즐(22)과 액조(20)의 구멍(20b)의 주위 사이에는, 지지 막대(28)의 일부를 내포하도록 신축 가능한 주름 호스(29)를 설치하고 있다.Next, the control unit stops the rising of the
또한, 제어부는, 도포 노즐(22)을 상승시키고, 도포 노즐(22)의 상단부의 레지스트제(21)를 기판(10)의 피도포면(10a)에 접액시킨다(도 3 참조).Moreover, the control part raises the application | coating
이 접액 시에, 도포 노즐(22)의 선단부와 피도포면(10a)과의 간격을, 상대적으로 작은 상태에서 접액을 개시시키고, 다음으로, 도포 노즐(22)의 선단부와 피도포면(10a)과의 간격을, 상대적으로 큰 상태로 넓혀서 접액을 완료시키는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 예를 들면, 접액 갭 g를 작은 상태에서 일순 유지하여 접액을 개시시키고, 즉시 거품 물기가 일어나지 않는 접액 속도로 되도록 접액 갭 g를 넓혀서 접액을 완료시키는 것이 바람직하다.At this liquid contact, the liquid contact is started in a relatively small state between the distal end of the
다음으로, 제어부는, 도포 노즐(22)의 상단부에서 레지스트제(21)가 기판(10)의 피도포면(10a)에 접액된 상태에서, 액조(20) 및 도포 노즐(22)을 소정의 「도포 높이」의 위치까지 하강시켜, 도포를 실시할 때의 도포 노즐(22)의 선단부 와 피도포면(10a)과의 간격(도포 갭 G)으로 설정한다(도 3 참조).Next, the control part controls the
여기에서, 도포 갭 G는, 일단 접액한 레지스트제(21)가 피도포면(10a)으로부터 이액하는 이액 간격 G'보다도 작은 범위에서, 되도록이면 크게 이루어진다. 즉, 도포 갭 G는, 이액 간격 G' 중 적어도 50% 이상으로 이루어지고, 바람직하게는, 이액 간격 G'의 70% 내지 95%로 이루어진다.Here, the coating gap G is made as large as possible in the range smaller than the liquid separation space G 'which the resist
상기의 상태에서, 제어부는, 기판(10)을 도포 노즐(22)의 상단부에서 모관 형상 간극(23)이 형성하는 슬릿에 직교하는 방향(도 3 중 화살표 V로 나타내는 방향)으로 이동시키고, 도포 노즐(22)의 상단부를 피도포면(10a)의 전체면에 걸쳐서 이동시키고, 이 피도포면(10a)의 전체면에 걸쳐서 레지스트제(21)의 도포막(21a)을 형성한다.In the above state, the control unit moves the
또한, 기판(10)과 도포 노즐(22)과의 상대 이동 속도는, 미리 설정되어 있는 노즐 간격, 레지스트제(21)의 점도, 액면 높이 및 도포 갭 G를 전제로 하여, 도포막(21a)이 원하는 막 두께로 되도록, 제어부에 의해 제어된다.In addition, the relative movement speed of the board |
이하, 실시예에 기초하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, this invention is demonstrated in detail based on an Example.
[실시예 1]Example 1
전술한 발명의 실시 형태에서 기재한 도 1∼도 4에 도시하는 구성을 갖는 도포 장치를 사용하여, 실시 형태에서 기재한 방법에 의해, 마스크 블랭크의 박막 위에 레지스트를 도포하고, 건조하여, 레지스트막을 갖는 마스크 블랭크를 형성했다.Using a coating apparatus having the structure shown in Figs. 1 to 4 described in the above-described embodiment of the invention, by the method described in the embodiment, a resist is applied onto the thin film of the mask blank and dried to form a resist film. The mask blank having was formed.
그 때, 도포의 조건은, 1㎛의 레지스트막을 형성하기 위한, 액면 높이, 도포 갭, 이동 속도 등을 설정했다.In that case, the conditions of application | coating set the liquid level, application | coating gap, the moving speed, etc. for forming a 1 micrometer resist film.
또한, 건조의 조건은, 도 1 및 도 2에 도시하는 도포 종료 위치(도면 중 A의 위치)에서 기판의 이동을 정지시키고, 이 기판의 이동을 정지시킨 상태에서, 에어 유닛(60)에 의해, 레지스트제의 도포막 표면과 평행하게 청정 기체를 흘렸다. 이 때 레지스트제의 도포막 표면과 정류판 표면과의 간격은, 1∼2㎝로 했다. 또한, 상기 도포막 표면과 정류판 사이에 공급되어 통과하는 청정 기체의 유속은, 0.5m/sec로 했다. 청정 기체의 공급 시간(건조 시간)은 10분으로 했다.In addition, the conditions of drying stop the movement of a board | substrate at the application | coating end position (position of A in drawing) shown in FIG. 1 and FIG. Clean gas was flowed in parallel with the coating film surface made of resist. At this time, the space | interval of the coating film surface of a resist agent and the rectifying plate surface was 1 to 2 cm. In addition, the flow velocity of the clean gas supplied and passed between the coating film surface and the rectifying plate was 0.5 m / sec. The supply time (drying time) of the clean gas was 10 minutes.
또한, 마스크 블랭크로서는, 대형 글래스 기판(합성 석영(QZ) 10㎜ 두께, 사이즈 850㎜×1200㎜) 위에, 마스크 패턴을 형성하기 위한 박막을 갖는 기판을 사용했다.As the mask blank, a substrate having a thin film for forming a mask pattern was used on a large glass substrate (synthetic quartz (QZ) 10 mm thick, size 850 mm x 1200 mm).
상기에서 얻어진 레지스트막을 갖는 마스크 블랭크에 대해서, 도포·건조된 레지스트막을 일정 시간 경과 후 검사한 결과, 도 8에 도시한 바와 같은 세로 방향의 아지랭이 얼룩(아지랭이 형상의 얼룩)이나, 도 9에 도시한 바와 같은 랜덤한 아지랭이 얼룩(아지랭이 형상의 얼룩)은 모두 보이지 않았다.As a result of inspecting the mask blank having the resist film obtained above, the coated and dried resist film after a certain period of time, the vertical azirconia stain (arranged stain) as shown in FIG. No random azidrome stains (stains of azirconia) were seen.
또한, 상기에서 얻어진 레지스트막을 갖는 마스크 블랭크를 이용하여 포토 마스크를 제작하고, 또한 이 포토 마스크를 이용하여 FPD를 제작했지만, 포토 마스크 및 FPD의 쌍방에 대하여 레지스트막의 상기의 건조 얼룩에 기인한다고 생각되는 이상은 보이지 않았다.Moreover, although the photomask was produced using the mask blank which has the resist film obtained above, and FPD was produced using this photomask, it is thought that it originates in said dry spot of a resist film with respect to both a photomask and FPD. No abnormality was seen.
[비교예 1]Comparative Example 1
도 7에 도시하는 도포 장치를 사용하여, 레지스트막을 갖는 마스크 블랭크를 형성했다. 또한, 도포의 조건 등은, 실시예 1과 마찬가지로 했다.The mask blank which has a resist film was formed using the coating device shown in FIG. In addition, the conditions of application | coating were made similarly to Example 1.
도포 후 A→B→C에로 이동하는 흡착판의 이송 속도(도포 되돌아감 속도)가 너무 높으면, 위치 B에서의 건조가 충분하지 않아, 도 8에 도시한 바와 같은 세로 방향의 아지랭이 얼룩(아지랭이 형상의 얼룩)이 발생했다.If the conveying speed (coating return speed) of the adsorption plate moving from A to B to C after application is too high, drying at position B is not sufficient, and vertical azirconia stains as shown in FIG. Stains).
반대로 도포 되돌아감 속도를 낮게 하면, 세로 방향의 아지랭이 얼룩이 저감되지만, 도포 시작 에리어가, 도면 중 B의 위치에 도달하기 전에 자연 건조되게 되기 때문에, 도 9에 도시한 바와 같은 랜덤한 아지랭이 얼룩(아지랭이 형상의 얼룩)이, 도포 시작 에리어를 중심으로 발생하였다.On the contrary, when the application rewinding speed is lowered, the vertical azirconia stain is reduced, but since the application start area is naturally dried before reaching the position B in the figure, random azidrome staining (azidine) is shown in FIG. Unevenness of shape) occurred centering on the coating start area.
도포 되돌아감 속도, 에어 유닛(31)의 수, 높이, 풍량을 바꾸어서 수많은 테스트를 행하였지만, 세로 방향의 아지랭이 얼룩과 랜덤한 아지랭이 얼룩을 동시에 허용 레벨로 억제할 수는 없었다.Numerous tests were carried out by varying the coating return speed, the number, the height, and the air volume of the
[참고예 1]Reference Example 1
도 7에 도시하는 도포 장치에서, 도면 중 B의 위치의 하방에 설치된 클린 에어 유닛(31)과 마찬가지로, 도면 중 A의 위치의 하방에 크린 에어 유닛(도시하지 않음)을 설치하고, 도포가 종료된 기판을 도면 중 A의 위치(도포 종료 위치)에서 정지시킨 상태에서, 하방에 설치된 크린 에어 유닛으로부터, 도포된 레지스트제의 도포막 표면을 향하여 청정 기체를 공급하여 건조를 행하였다. 그 결과, 도 8에 도시하는 건조 얼룩이 발생했다.In the coating device shown in FIG. 7, similarly to the
또한, 본 발명은, 전술한 실시예에만 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위 내에서 여러 가지의 변경 실시가 가능한 것은 물론이다.In addition, this invention is not limited only to the above-mentioned embodiment, Of course, various changes can be implemented within the range which does not deviate from the summary of this invention.
도 1은 본 발명에서의 건조 공정의 일 양태를 설명하기 위한 모식적 측면도.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The schematic side view for demonstrating one aspect of the drying process in this invention.
도 2는 도 1의 주요부의 평면도.2 is a plan view of the main part of FIG. 1;
도 3은 본 발명의 일 양태에 따른 도포 장치에서의 도포 수단이 도포를 행하고 있는 상태를 도시하는 단면도.3 is a cross-sectional view showing a state in which an application means is applied in an application device according to an aspect of the present invention.
도 4는 도 3의 도포 장치에서의 도포 수단의 주요부의 구성을 도시하는 단면도.4 is a cross-sectional view showing a configuration of main parts of the application means in the application device of FIG. 3.
도 5는 건조 조건에 의한 건조 얼룩의 일 양태를 설명하기 위한 모식도.It is a schematic diagram for demonstrating one aspect of the dry stain by drying conditions.
도 6은 건조 조건에 의한 건조 얼룩의 다른 양태를 설명하기 위한 모식도.It is a schematic diagram for demonstrating the other aspect of the dry stain by drying conditions.
도 7은 종전의 건조 공정의 일 양태를 설명하기 위한 모식적 측면도.7 is a schematic side view for explaining one aspect of a conventional drying step.
도 8은 종전의 건조 공정에 의한 건조 얼룩의 일 양태를 설명하기 위한 모식도.The schematic diagram for demonstrating one aspect of the dry stain by the conventional drying process.
도 9는 종전의 건조 공정에 의한 건조 얼룩의 일 양태를 설명하기 위한 모식도.It is a schematic diagram for demonstrating one aspect of the dry stain by the conventional drying process.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for main parts of the drawings>
2 : 도포 유닛2: coating unit
3 : 흡착판3: adsorption plate
10 : 기판10: substrate
10a : 피도포면10a: coated surface
20 : 액조20: liquid tank
20b : 구멍20b: hole
21 : 레지스트제21: resist
21a : 레지스트제의 도포막21a: coating film made of resist
22 : 도포 노즐22: application nozzle
23 : 모관 형상 간극23: capillary gap
28 : 지지 막대28: support bar
29 : 주름 호스29: crimped hose
50 : 정류판50: rectification plate
60 : 에어 유닛60: air unit
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