JP4629396B2

JP4629396B2 - Mask blank manufacturing method and transfer mask manufacturing method

Info

Publication number: JP4629396B2
Application number: JP2004281672A
Authority: JP
Inventors: 英雄小林; 孝雄樋口
Original assignee: Hoya Corp
Current assignee: Hoya Corp
Priority date: 2003-09-29
Filing date: 2004-09-28
Publication date: 2011-02-09
Anticipated expiration: 2024-09-28
Also published as: JP2005128516A

Description

本発明は、四角形状のマスクブランク用基板上にレジスト液を均一に回転塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布工程を有するマスクブランクの製造方法、及び転写マスクの製造方法、並びに基板上にレジスト膜が形成されたマスクブランクに関する。 The present invention relates to a mask blank manufacturing method, a transfer mask manufacturing method, and a resist mask on a substrate, each of which includes a resist coating step in which a resist solution is uniformly spin-coated on a square mask blank substrate to form a resist film. The present invention relates to a mask blank on which a film is formed.

従来、四角形状の基板と、この基板上、または、この基板上に成膜された各種薄膜の単体或いは積層膜を有するマスクブランク上にレジスト膜を形成する場合、基板を回転させてレジスト液を塗布する基板塗布装置を利用したレジスト回転塗布方法が一般に用いられる。この回転塗布方法の代表例として、特に基板四隅に厚膜が形成されることなく均一なレジスト膜を形成するために、特許文献１にあるレジスト回転塗布方法がある。
このレジスト回転塗布方法は、基板の回転数及び回転時間との積が２４０００（ｒｐｍ・秒）以下になるように選定すると共に、回転時間を２０秒以下に選定することにより、設定回転数及び設定回転時間を定め、レジスト液を基板に滴下した後、前記設定回転数で前記設定回転時間、基板を回転させ、レジスト膜の膜厚を主に均一化させる膜厚均一化工程と、その後、膜厚均一化工程の設定回転数よりも低い回転数で基板を回転させて、膜厚均一化工程により得られたレジスト膜の膜厚の均一性を保持しながら、当該レジスト膜を主に乾燥させる乾燥工程とを含むレジスト回転塗布方法である。
この特許文献１では、クロムマスク基板（１２７ｍｍ×１２７ｍｍ）上に、粘度３０ｃｐのポリブデン−１−スルホンや、粘度１５ｃｐのポリグリシジルメタアクリレートの比較的高粘度な高分子樹脂からなる主鎖切断型レジストと溶剤を含むレジスト液を、上記の回転条件の範囲内で設定して塗布し、所定の加熱乾燥処理を行った後、基板中央部の被転写体に転写される実パターンが形成される１０７ｍｍ×１０７ｍｍの実パターン形成領域内でのレジスト膜厚の面内均一性を９０Å、５０Åに抑えた例が記載されている。 Conventionally, when a resist film is formed on a rectangular blank and a mask blank having a single film or a laminated film of various thin films formed on this substrate or on this substrate, the substrate is rotated to remove the resist solution. A resist spin coating method using a substrate coating apparatus for coating is generally used. As a typical example of this spin coating method, there is a resist spin coating method disclosed in Patent Document 1 in order to form a uniform resist film without forming a thick film particularly at the four corners of the substrate.
In this resist spin coating method, the product of the rotation speed and rotation time of the substrate is selected to be 24000 (rpm · sec) or less, and the rotation time is set to 20 seconds or less, so that the set rotation speed and setting are set. A film thickness equalizing step for determining a rotation time and dropping the resist solution onto the substrate, and then rotating the substrate at the set rotation speed for the set rotation time to mainly uniform the film thickness of the resist film, and then the film The resist film is mainly dried while maintaining the uniformity of the film thickness of the resist film obtained by rotating the substrate at a rotation speed lower than the set rotation speed of the thickness uniformization process. And a resist spin coating method including a drying step.
In this Patent Document 1, a main chain cutting type resist comprising a relatively high viscosity polymer resin of polybuden-1-sulfone having a viscosity of 30 cp and polyglycidyl methacrylate having a viscosity of 15 cp on a chromium mask substrate (127 mm × 127 mm). A resist solution containing a solvent and a solvent is set and applied within the range of the above rotation conditions, and after carrying out a predetermined heat drying treatment, an actual pattern to be transferred to the transfer target at the center of the substrate is formed 107 mm. An example in which the in-plane uniformity of the resist film thickness within the actual pattern formation region of × 107 mm is suppressed to 90 mm and 50 mm is described.

近年、ステップ・アンド・リピート方式の縮小投影露光装置（ステッパー）の露光面積の拡大や、ステップ・アンド・スキャン方式の縮小投影露光装置（スキャナー）の登場により、転写マスク及びその原版であるマスクブランクは、１２７ｍｍ×１２７ｍｍ角から、１５２．４ｍｍ×１５２．４ｍｍ角へと基板サイズが拡大された。これにともない、被転写体に転写される実パターンが形成された実パターン形成領域が１３２ｍｍ×１３２ｍｍに拡大され、さらにはまた、実パターン形成領域の長辺（上記スキャナーの走査方向）が１４０ｍｍまで拡大されつつある。
また、近年、上述したマスクブランクから製造される転写マスクにより半導体基板等へ転写されるパターンの微細化に伴うＣＤばらつき（寸法精度）の向上要求により、マスクブランクに形成されるレジスト膜厚の面内均一性への要求も厳しくなってきており、上述した実パターン形成領域内でレジスト膜厚の面内均一性（レジスト膜厚の一基板内における最大値と最小値との差）で１００Å以下、さらには５０Å以下が要求されてきている。
また、転写マスクにおいては、実パターン以外にアライメントマーク、バーコード、品質保証パターンなどの補助パターンが、転写マスクの基板中央部の実パターン形成領域の周辺部（外周部）に形成されるが、これらの補助パターンは、実パターン形成領域の拡大から、基板主表面の周辺部ぎりぎりの領域にまで形成されるようになった。 In recent years, with the expansion of the exposure area of a step-and-repeat type reduction projection exposure apparatus (stepper) and the appearance of a step-and-scan reduction projection exposure apparatus (scanner), a transfer mask and its original mask blank The substrate size was increased from 127 mm × 127 mm square to 152.4 mm × 152.4 mm square. Along with this, the actual pattern forming area on which the actual pattern to be transferred to the transfer object is formed is enlarged to 132 mm × 132 mm, and the long side (scanning direction of the scanner) of the actual pattern forming area is up to 140 mm. It is being expanded.
Also, in recent years, due to the demand for improvement in CD variation (dimensional accuracy) accompanying the miniaturization of a pattern transferred to a semiconductor substrate or the like by a transfer mask manufactured from the mask blank described above, the resist film thickness surface formed on the mask blank The demand for internal uniformity is becoming stricter, and the in-plane uniformity of the resist film thickness (the difference between the maximum value and the minimum value of the resist film thickness within the substrate) within the actual pattern formation region described above is 100 mm or less. Furthermore, 50 mm or less has been required.
In addition, in the transfer mask, auxiliary patterns such as alignment marks, barcodes, quality assurance patterns, etc. in addition to the actual pattern are formed in the peripheral part (outer peripheral part) of the actual pattern formation region in the central part of the substrate of the transfer mask. These auxiliary patterns have been formed from the enlargement of the actual pattern formation region to the marginal region of the main surface of the substrate.

さらに、またレジスト材料も、パターンの微細化にともない、例えばポジ型レジストでは、従来の高分子量樹脂からなる主鎖切断型レジスト或いはノボラック樹脂と溶解阻害剤等からなる溶解阻害型レジストから、例えばポリヒドロキシスチレン（ＰＨＳ）系樹脂と酸発生剤等からなる、より高解像度とより高い感度が得られる化学増幅型レジストへと移行しつつある。
また、基板上に形成されたレジスト膜のうち、基板周縁部に形成されたレジスト膜は、基板を取り扱う際に、剥離・脱落などが発生して塵埃となり、製品の欠陥の原因になるだけでなく、後工程において基板を精度よく支持する際の妨げとなる可能性も有る。そのため、基板に形成されたレジスト膜のうち、基板周縁部に形成された不要部分を除去する要求がある。
特公平４−２９２１５号公報 Further, as the resist material is also miniaturized, for example, in the case of a positive resist, a conventional main chain cutting resist made of a high molecular weight resin or a dissolution inhibiting resist made of a novolak resin and a dissolution inhibitor or the like is used. A shift to a chemically amplified resist comprising a hydroxystyrene (PHS) resin, an acid generator, and the like, which can obtain higher resolution and higher sensitivity.
In addition, among the resist films formed on the substrate, the resist film formed on the peripheral edge of the substrate can cause peeling and dropping when handling the substrate, resulting in dust and product defects. In addition, there is a possibility that it becomes an obstacle when the substrate is accurately supported in the subsequent process. For this reason, there is a need to remove unnecessary portions formed on the peripheral edge of the substrate from the resist film formed on the substrate.
Japanese Patent Publication No. 4-29215

マスク作製用途には現在さまざまなレジスト種が提案されているが、マスクブランク製造における従来のレジスト回転塗布方法では、それらのレジストにおいて、上述したパターン領域の拡大により実パターン形成領域内でのレジスト膜の面内膜厚均一性を１００Å以下、さらには５０Å以下に抑えることが困難になってきた。
特に、近年注目されている化学増幅型レジストは、例えばポリヒドロキシスチレン系樹脂と酸発生剤等からなるレジスト材料と、一般に、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、メチルイソアミルケトン（ＭＡＫ）、乳酸エチル（ＥＬ）の何れか、又は何れかを主成分とする溶剤を含む溶液では、平均分子量が１０万未満でレジスト液の粘性が一般に低く（１０ｍＰａ・ｓ未満）、乾燥しやすい。そのため回転塗布方法により四角形状の基板上にレジスト膜を形成する場合、均一化工程において一旦均一に形成されたレジスト膜が、基板外周部（特に四隅）に溜まったレジスト液が均一化工程や、均一化工程に続く乾燥工程の基板の回転中においても基板の中心方向に引き戻され易く、また引き戻される過程で乾燥されやすい。
それにより、上述のように実パターン形成領域が拡大し、マスクブランクにおけるレジスト膜の面内膜厚均一性の保証エリアが拡大した状況下（例えば、基板中央の１３２ｍｍ×１３２ｍｍ角エリア）では、１００Å以下、さらには５０Å以下といった所望のレジスト膜の面内膜厚均一性を得ることできないという問題が発生するようになった。
また、上述のように、転写マスクに形成される補助パターンが、実パターン形成領域の拡大から、基板周辺部ぎりぎりの領域にまで形成されるようになり、従来のレジスト回転塗布方法では、補助パターンが形成される領域に形成されるレジスト膜の膜厚が極度に厚くなり、場合によっては、極度に薄くなり、補助パターンのパターンが設計の寸法或いは形状どおりに形成されない（パターン不良）といった問題が発生するようになった。 Various resist types are currently proposed for mask fabrication, but in the conventional resist spin coating method in mask blank manufacturing, the resist film in the actual pattern formation region is expanded by expanding the pattern region described above. It has become difficult to suppress the in-plane film thickness uniformity to 100 mm or less, and further to 50 mm or less.
In particular, chemically amplified resists that have attracted attention in recent years include resist materials composed of, for example, polyhydroxystyrene resins and acid generators, and generally propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), propylene glycol monomethyl ether (PGME), methyl In a solution containing a solvent mainly composed of either isoamyl ketone (MAK) or ethyl lactate (EL), the average molecular weight is less than 100,000, and the viscosity of the resist solution is generally low (less than 10 mPa · s). Easy to dry. Therefore, when a resist film is formed on a quadrangular substrate by a spin coating method, the resist film once formed uniformly in the homogenizing step is a step of homogenizing the resist solution accumulated on the outer peripheral portion of the substrate (particularly at the four corners), Even during rotation of the substrate in the drying step following the homogenization step, the substrate is easily pulled back toward the center of the substrate, and is easily dried in the process of being pulled back.
Thereby, as described above, the actual pattern formation region is enlarged, and the area for guaranteeing the in-plane film thickness uniformity of the resist film in the mask blank is enlarged (for example, a 132 mm × 132 mm square area at the center of the substrate). In the following, there arises a problem that the desired in-plane film thickness uniformity of the resist film, such as 50 mm or less, cannot be obtained.
In addition, as described above, the auxiliary pattern formed on the transfer mask is formed from the enlargement of the actual pattern formation area to the area just around the periphery of the substrate. In the conventional resist spin coating method, the auxiliary pattern is formed. The film thickness of the resist film formed in the region where the film is formed becomes extremely thick, and in some cases extremely thin, and there is a problem that the pattern of the auxiliary pattern is not formed according to the design dimension or shape (pattern defect). It came to occur.

また、例えば、ポリヒドロキシスチレン系樹脂と酸発生剤等からなる化学増幅型レジストは、レジスト塗布膜形成後に加熱乾燥してレジスト膜にしたとき、一般に、従来の高分子量樹脂からなる主鎖切断型レジスト或いは架橋型レジストに比べて脆く、基板周縁部（主表面端部）に形成されたレジスト膜が除去されていない場合は、保管容器或いは搬送容器或いは各種処理装置等との接触あるいは衝撃により剥離・脱落などが発生して塵埃となり、マスクブランク（製品）の欠陥が多くなるという問題が発生した。
そこで本発明は、第一に、レジスト膜の面内膜厚均一性の保証エリア（実パターン形成領域）が拡大されても、所定の保証エリアで所望のレジスト膜の面内膜厚均一性（１００Å以下）を得るマスクブランクの製造方法を提供することを目的とする。
第二に、レジスト膜の面内膜厚均一性の保証エリア（実パターン形成領域）が拡大されても、基板中心の実パターン形成領域の外周部の補助パターン形成領域に形成されるレジスト膜の膜厚が極度に変化することを抑止し、補助パターンにパターン不良が発生しないマスクブランクを提供することを目的とする。
第三に、基板周縁部に著しく厚く形成されたレジスト膜が剥離・脱落することによる塵埃の発生を防止し、さらには、基板周縁部のレジスト膜が除去された後でも、その除去端からの塵埃の発生を抑制・防止できるマスクブランク及びその製造方法を提供することを目的とする。 In addition, for example, a chemically amplified resist composed of a polyhydroxystyrene resin and an acid generator is generally a main chain cutting type composed of a conventional high molecular weight resin when heated and dried to form a resist film after forming a resist coating film. If the resist film formed on the peripheral edge of the substrate (main surface edge) is not removed, it is peeled off by contact or impact with a storage container, a transport container, or various processing devices.・ Dropping occurred and became dust, and the mask blank (product) had many defects.
In view of this, the present invention firstly, even if the guaranteed area (actual pattern formation region) of the in-plane film thickness uniformity of the resist film is enlarged, the in-plane film thickness uniformity ( An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a mask blank that obtains 100 mm or less.
Second, even if the in-plane film thickness uniformity guarantee area (actual pattern formation region) of the resist film is enlarged, the resist film formed in the auxiliary pattern formation region at the outer periphery of the actual pattern formation region at the center of the substrate An object of the present invention is to provide a mask blank that suppresses an extreme change in film thickness and does not cause a pattern defect in an auxiliary pattern.
Thirdly, it prevents the generation of dust due to peeling and dropping of the resist film formed on the peripheral edge of the substrate. Further, even after the resist film on the peripheral edge of the substrate is removed, An object of the present invention is to provide a mask blank that can suppress and prevent the generation of dust and a method for manufacturing the same.

本発明者らは、上述したマスクブランクにおけるレジスト膜厚の保証エリア拡大にともない、従来特には問題視されていなかった基板外周部（特に基板に内接する円の外側に位置する基板四隅の領域）におけるレジスト液の挙動を観察し、塗布されたレジスト液が基板の回転数、回転時間の変化とともにどのように変化していくか、数多くの実験を重ねた結果、以下のことが判った。
以降、上述の「前段」は、例えば、滴下されたレジスト液を基板上に広げて、主に均一な膜厚のレジスト膜とさせる第１工程（均一化工程）とし、さらに、第１工程（均一化工程）における基板の回転数を主回転数、基板の回転時間を主回転時間とし、上述の「後段」は、例えば、上述の均一な膜厚のレジスト膜を主に乾燥させる第２工程（乾燥工程）とし、さらに、第２工程（乾燥工程）における基板の回転数を乾燥回転数とする場合として説明する。尚、本発明において「前段」は、第１工程（均一化工程）、「後段」は、第２工程（乾燥工程）をそれぞれ含んでいれば良く、同じでも良い。
上述の第１工程（均一化工程）において：
まず、上述の第２工程（乾燥工程）での乾燥回転数が小さい（例えば５０ｒｐｍ）場合、
（１）主回転数が小さく、主回転時間が短い場合は、塗布ノズルから滴下されたレジスト液を均一に広げるための遠心力が不十分で、塗布ノズルから滴下されたレジスト液が基板外周部まで均一に広げられず、基板面内（保証エリア内）のレジスト膜の膜厚分布は基板中央部の膜厚が大きく、基板外周部の膜厚が小さい凸状の形状となる。
（２）主回転数が小さく、主回転時間が長い場合も上述の（１）と同様で、レジスト液を基板外周部まで均一に広げられず、全体としては、レジスト膜の膜厚分布は基板中央部の膜厚が大きく、基板外周部の膜厚が小さい凸形状（台地型）となる。その一方で、主回転時間が長いことにより、基板四隅にはレジスト液の液溜まりを生じ、また、基板中央方向への戻りも生じて、基板面内（保証エリア内）の四隅のレジスト膜厚が基板中央部に比べてやや厚くなる。
（３）主回転数が大きく、主回転時間が短い場合、（２）の場合と同様に、全体としては、レジスト膜の膜厚分布は基板中央部の膜厚が大きく、基板外周部の膜厚が小さい僅かに凸型の形状となる。その一方で、主回転数が大きいことにより、基板四隅ではレジスト液の液溜まりを生じ、また、基板中央方向への戻りも生じて、基板面内（保証エリア内）の四隅のレジスト膜厚が基板中央部に比べてやや厚くなる。
（４）主回転数が大きく、主回転時間が長い場合は、（３）に比較して、より強く長い時間作用する遠心力により、全体としては、基板中央部でより平坦なレジスト膜の膜厚分布が得られる。その一方で、主回転時間が長く主回転速度が速いことにより、基板四隅では、レジスト液の液溜まりが基板中央側に戻りきることなく乾燥し、基板面内（保証エリア内）の四隅のレジスト膜厚が基板中央部に比べて極端に厚くなり、結果として、基板面内のレジスト膜厚均一性は著しく劣化する。 With the expansion of the resist film thickness guarantee area in the above-described mask blank, the present inventors have not been particularly regarded as a problem in the prior art on the outer periphery of the substrate (particularly, the regions at the four corners of the substrate located outside the circle inscribed in the substrate). As a result of observing the behavior of the resist solution in, and by conducting many experiments on how the applied resist solution changes with changes in the rotation speed and rotation time of the substrate, the following was found.
Hereinafter, the above-mentioned “previous stage” is, for example, a first process (uniformization process) in which a dropped resist solution is spread on a substrate to mainly form a resist film having a uniform film thickness. In the homogenization step), the rotation speed of the substrate is the main rotation speed, the rotation time of the substrate is the main rotation time, and the above-mentioned “second stage” is, for example, the second process of mainly drying the resist film having the uniform film thickness. (Drying process) and the case where the rotation speed of the substrate in the second process (drying process) is the drying rotation speed will be described. In the present invention, the “front stage” may include the first process (homogenization process) and the “back stage” may include the second process (drying process).
In the first step (homogenization step) described above:
First, when the drying rotational speed in the second step (drying step) is small (for example, 50 rpm),
(1) When the main rotation speed is small and the main rotation time is short, the centrifugal force for spreading the resist solution dripped from the coating nozzle is insufficient, and the resist solution dripped from the coating nozzle is outside the substrate The film thickness distribution of the resist film within the substrate surface (guaranteed area) becomes a convex shape with a large film thickness at the central part of the substrate and a small film thickness at the outer peripheral part of the substrate.
(2) Even when the main rotation speed is small and the main rotation time is long, the resist solution cannot be uniformly spread to the outer peripheral portion of the substrate as in the case of the above (1). The film has a convex shape (a plateau type) with a large thickness at the center and a small thickness at the outer periphery of the substrate. On the other hand, due to the long main rotation time, the resist liquid pools at the four corners of the substrate, and also returns to the center of the substrate, resulting in resist film thickness at the four corners in the substrate surface (in the guarantee area). Is slightly thicker than the central part of the substrate.
(3) When the main rotation speed is large and the main rotation time is short, as in the case of (2), as a whole, the film thickness distribution of the resist film is large at the central portion of the substrate, and the film at the outer peripheral portion of the substrate. It becomes a slightly convex shape with a small thickness. On the other hand, because the main rotation speed is large, the resist solution pools at the four corners of the substrate, and also returns toward the center of the substrate, so that the resist film thickness at the four corners in the substrate surface (in the guarantee area) It is slightly thicker than the central part of the substrate.
(4) When the main rotation speed is large and the main rotation time is long, the resist film is more flat at the central portion of the substrate as a whole due to the centrifugal force acting for a longer time than in (3). A thickness distribution is obtained. On the other hand, because the main rotation time is long and the main rotation speed is high, the resist liquid pool is dried without returning to the center of the substrate at the four corners of the substrate, and the resist at the four corners in the substrate surface (in the guarantee area) is dried. The film thickness becomes extremely thick as compared with the central part of the substrate, and as a result, the resist film thickness uniformity in the substrate surface is remarkably deteriorated.

次に、上述の第２工程（乾燥工程）での乾燥回転数が比較的大きい（高い）（例えば５００ｒｐｍ）場合は、
（５）主回転数が小さく、主回転時間が短い場合は、塗布ノズルから滴下されたレジスト液は、基板外周部まで均一に広げられないものの、高速な乾燥回転により乾燥工程初期の過程で（段階で）基板外周部に偏り、基板面内（保証エリア内）のレジスト膜の膜厚分布は、基板中央部の膜厚が小さく、基板外周部の膜厚が大きい、著しい凹型形状となる。
（６）主回転数が小さく、主回転時間が長い場合は、（５）に比較して、基板中央に僅かに凹部を残しながらも、全体としては、概ね平坦な膜厚分布となる。その一方で、基板四隅ではレジスト液の液溜まりが基板中央側に戻りきることなく乾燥し、基板面内（保証エリア内）の四隅のレジスト膜厚が基板中央部に比べて厚くなる。
（７）主回転数が大きく、主回転時間が短い場合、上述の（６）の場合と同様に、基板中央に凹部を残しながらも、全体としては、概ね平坦な膜厚分布となる。その一方で、基板四隅ではレジスト液の液溜まりが基板中央側に戻りきることなく乾燥し、基板面内（保証エリア内）の四隅のレジスト膜厚が基板中央部に比べてやや厚くなる。
（８）主回転数が大きく、主回転時間が長い場合は、（７）に比較して、全体としては、基板中央部ではより平坦なレジスト膜の膜厚分布が得られる。しかしながら、基板四隅ではレジスト液の液溜まりが基板中央側に戻りきることなく乾燥し、基板面内（保証エリア内）の四隅のレジスト膜厚が基板中央部に比べて極端に厚くなり、結果として、基板面内のレジスト膜厚均一性は劣化する。
ここで、上述の第２工程（乾燥工程）において、乾燥回転時間は、基板上に塗布されたレジスト液に含まれる溶剤が蒸発して乾燥するまでに要する時間である。即ち、レジストが熱的要因以外の外的要因により膜厚変動が実質的に起こらない状態になるまでに要する時間を言う。
上述の課題を解決するために、「保証エリア内でのレジスト膜厚分布と回転数、回転時間の関係」を考慮し、本発明は以下の構成を有する。 Next, when the drying rotational speed in the second step (drying step) is relatively large (high) (for example, 500 rpm),
(5) When the main rotation speed is small and the main rotation time is short, the resist solution dripped from the coating nozzle cannot be spread evenly to the outer peripheral portion of the substrate, but at the initial stage of the drying process due to high-speed drying rotation ( At the stage), the resist film thickness distribution is biased toward the outer periphery of the substrate, and the resist film thickness distribution in the substrate surface (within the guarantee area) becomes a significantly concave shape with a small thickness at the central portion of the substrate and a large thickness at the outer periphery of the substrate.
(6) When the main rotation speed is small and the main rotation time is long, the film thickness distribution is generally flat as a whole while leaving a slight recess at the center of the substrate as compared with (5). On the other hand, the resist solution pool is dried at the four corners of the substrate without returning to the center side of the substrate, and the resist film thickness at the four corners in the substrate surface (in the guarantee area) becomes thicker than that at the center of the substrate.
(7) When the main rotation speed is large and the main rotation time is short, as in the case of (6) described above, the film thickness distribution is generally flat as a whole while leaving the recess at the center of the substrate. On the other hand, the resist solution pool is dried at the four corners of the substrate without returning to the center side of the substrate, and the resist film thickness at the four corners in the substrate surface (in the guarantee area) becomes slightly thicker than that at the center of the substrate.
(8) When the main rotation speed is large and the main rotation time is long, as compared with (7), a flatter resist film thickness distribution can be obtained in the central portion of the substrate as a whole. However, at the four corners of the substrate, the resist liquid pool dries without returning to the center of the substrate, and the resist film thickness at the four corners in the substrate surface (in the guarantee area) becomes extremely thick compared to the center of the substrate. In addition, the resist film thickness uniformity in the substrate surface deteriorates.
Here, in the second step (drying step) described above, the drying rotation time is the time required for the solvent contained in the resist solution applied on the substrate to evaporate and dry. That is, it means the time required for the resist to be in a state in which the film thickness variation does not substantially occur due to external factors other than thermal factors.
In order to solve the above-described problems, the present invention has the following configuration in consideration of “a relationship between the resist film thickness distribution in the guaranteed area, the rotation speed, and the rotation time”.

（構成１）四角形状の基板上に、レジスト材料及び溶剤を含むレジスト液を滴下し、前記基板を回転させ、滴下されたレジスト液を前記基板上に広げるとともに、前記基板上のレジスト液を乾燥させて、前記基板上に前記レジスト材料からなるレジスト塗布膜を形成する工程を有するマスクブランクの製造方法であって、前記レジスト塗布膜を形成する工程において前記基板が回転している間、前記基板の上面に沿って基板の中央側から外周方向に気流を発生させ、基板の回転により基板周縁部に形成されるレジスト液の液溜まりが、基板中央方向へ移動するのを抑制することを特徴とするマスクブランクの製造方法。
構成１にあるように、レジスト塗布膜（以下、レジスト膜という）を形成する工程において基板が回転している間、前記基板の上面に沿って基板の中央側から外周方向に気流が流れるように気流を発生させる。このレジスト塗布膜を形成する工程は上述の第１工程（均一化工程）及び第２工程（乾燥工程）を含む。第１工程（均一化工程）では、上記基板の四隅や基板外周部（基板主表面端部）に生じるレジスト液の液溜まりを、基板の中央側から外周方向に流れる気流の発生によって、効果的に基板外方に飛散させることができ、又、基板の四隅や基板外周部に生じるレジスト液の液溜まりが基板中央部へと引き戻されるのを効果的に抑制できるので、基板の四隅及び周縁部に形成されるレジスト膜の厚膜領域を低減させる、或いはその領域の膜厚の盛り上がりを低減させる（厚膜化を抑制する）ことができる。また、第２工程（乾燥工程）では、上記気流の発生と乾燥回転数の条件により、基板中央部へと引き戻されるレジスト液を効果的に抑制し、レジスト膜の厚膜領域を低減させる、或いはその領域の膜厚の盛り上がりを低減させる（厚膜化を抑制する）ことができる。従って、レジスト膜の面内膜厚均一性の保証エリアが拡大されても、所定の保障エリア（例えば、基板中央の１３２ｍｍ×１３２ｍｍ角エリア）において、所望のレジスト膜の面内膜厚均一性（１００Å以下）を得ることができる。 (Configuration 1) A resist solution containing a resist material and a solvent is dropped on a rectangular substrate, the substrate is rotated, the dropped resist solution is spread on the substrate, and the resist solution on the substrate is dried. A method of manufacturing a mask blank having a step of forming a resist coating film made of the resist material on the substrate, wherein the substrate rotates while the substrate rotates in the step of forming the resist coating film. An air flow is generated from the center side of the substrate along the upper surface of the substrate in the outer peripheral direction, and the resist solution pool formed on the peripheral edge of the substrate by the rotation of the substrate is suppressed from moving toward the center of the substrate. A method for manufacturing a mask blank.
As in Configuration 1, while the substrate is rotating in the step of forming a resist coating film (hereinafter referred to as a resist film), an air current flows from the center side of the substrate to the outer peripheral direction along the upper surface of the substrate. Generate airflow. The step of forming the resist coating film includes the first step (homogenization step) and the second step (drying step) described above. In the first step (homogenization step), the resist solution pool generated at the four corners of the substrate and the outer periphery of the substrate (substrate main surface edge) is effectively generated by the generation of an airflow flowing from the center side of the substrate toward the outer periphery. The resist liquid pool generated at the four corners of the substrate and at the outer periphery of the substrate can be effectively prevented from being pulled back to the central portion of the substrate. Thus, it is possible to reduce the thick film region of the resist film to be formed, or to reduce the rise of the film thickness in the region (suppress the thickening). In the second step (drying step), the resist solution drawn back to the center of the substrate is effectively suppressed and the thick film region of the resist film is reduced depending on the conditions of the generation of the air flow and the drying rotation speed, or The rise of the film thickness in that region can be reduced (thickening of the film thickness can be suppressed). Therefore, even if the guarantee area for the in-plane film thickness uniformity of the resist film is expanded, the desired in-plane film thickness uniformity (for example, a 132 mm × 132 mm square area at the center of the substrate) in a predetermined guarantee area (for example, 100 Å or less) can be obtained.

（構成２）四角形状の基板上に、レジスト材料及び溶剤を含むレジスト液を滴下し、前記基板を回転させ、滴下されたレジスト液を前記基板上に広げるとともに、前記基板上のレジスト液を乾燥させて、前記基板上に前記レジスト材料からなるレジスト膜を形成する工程を有するマスクブランクの製造方法であって、前記レジスト膜を形成する工程において前記基板が回転している間、前記基板の上面に沿って基板の中央側から外周方向に気流を発生させるとともに、前記レジスト膜を形成する工程における基板の回転を途中で変更し、その前段と後段とで基板の回転を異ならしめ、前記レジスト液が、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、メチルイソアミルケトンのうちの何れかを溶剤とし、又は何れかを主成分とする溶剤を含み、前記前段の基板回転数を８５０〜１９００ｒｐｍ、前記前段の基板回転時間を１〜５秒、前記後段の基板回転数を１００〜４５０ｒｐｍとすることを特徴とするマスクブランクの製造方法。
ここで、上記前段は例えば上述の「第一工程（均一化工程）」に、上記後段は例えば上述の「第二工程（乾燥工程）」にそれぞれ対応させることが出来るので、本明細書では以降、上記前段は上述の「第一工程（均一化工程）」、上記後段は上述の「第二工程（乾燥工程）」とする場合を一例として説明することにする。
構成２にあるように、レジスト液が、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、メチルイソアミルケトン（ＭＡＫ）のうち何れかを溶剤とし、又は何れかを主成分とする溶剤を含む乾燥しやすいレジスト液であっても、第一工程（均一化工程）における基板回転数（以下、主回転数と称する）、第一工程（均一化工程）の基板回転時間（以下、主回転時間と称する）、第二工程（乾燥工程）における基板回転時間（以下、乾燥回転数と称する）を上述の範囲にすることにより、レジスト膜の面内膜厚均一性の保証エリアが拡大されても、所定の保障エリア（例えば、基板中央の１３２ｍｍ×１３２ｍｍ角エリア）において、所望のレジスト膜の面内膜厚均一性（１００Å以下）を維持することができる。 (Configuration 2) A resist solution containing a resist material and a solvent is dropped on a rectangular substrate, the substrate is rotated, the dropped resist solution is spread on the substrate, and the resist solution on the substrate is dried. A method of manufacturing a mask blank having a step of forming a resist film made of the resist material on the substrate, wherein the upper surface of the substrate is rotated while the substrate is rotated in the step of forming the resist film. And generating an air flow from the center side of the substrate along the outer periphery, changing the rotation of the substrate in the process of forming the resist film in the middle, and changing the rotation of the substrate in the former stage and the latter stage, Is any of propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, methyl isoamyl ketone Or a solvent containing either of them as a main component, the substrate rotation speed of the preceding stage is 850 to 1900 rpm, the substrate rotation time of the preceding stage is 1 to 5 seconds, and the substrate rotation speed of the subsequent stage is 100 to 450 rpm. A method for manufacturing a mask blank, comprising:
Here, the former stage can correspond to, for example, the above-mentioned “first process (homogenization process)”, and the latter stage can correspond to, for example, the above-mentioned “second process (drying process)”. The case where the preceding stage is the above-mentioned “first step (homogenizing step)” and the latter stage is the above-described “second step (drying step)” will be described as an example.
As in Configuration 2, the resist solution is one of propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), propylene glycol monomethyl ether (PGME), and methyl isoamyl ketone (MAK) as a solvent, or one of them as a main component. Even in a resist solution containing a solvent that is easy to dry, the substrate rotation speed in the first step (homogenization step) (hereinafter referred to as the main rotation number), the substrate rotation time in the first step (homogenization step) (hereinafter, By setting the substrate rotation time in the second process (drying process) (hereinafter referred to as “drying rotation speed”) within the above range, the guaranteed area of in-plane film thickness uniformity of the resist film is expanded. However, in a predetermined guarantee area (for example, a 132 mm × 132 mm square area at the center of the substrate), the desired in-plane film thickness uniformity of the resist film is obtained. It can be maintained sex (100 Å or less).

（構成３）四角形状の基板上に、レジスト材料及び溶剤を含むレジスト液を滴下し、前記基板を回転させ、滴下されたレジスト液を前記基板上に広げるとともに、前記基板上のレジスト液を乾燥させて、前記基板上に前記レジスト材料からなるレジスト膜を形成する工程を有するマスクブランクの製造方法であって、前記レジスト膜を形成する工程において前記基板が回転している間、前記基板の上面に沿って基板の中央側から外周方向に気流を発生させるとともに、前記レジスト膜を形成する工程における基板の回転を途中で変更し、その前段と後段とで基板の回転を異ならしめ、前記レジスト液が、乳酸エチルを溶剤とし、又は乳酸エチルを主成分とする溶剤を含み、前記前段の基板回転数を８５０〜２０００ｒｐｍ、前記前段の基板回転時間を１〜１０秒、前記後段の基板回転数を１００〜４５０ｒｐｍとすることを特徴とするマスクブランクの製造方法。
構成３にあるように、レジスト液が、乳酸エチルを溶剤とし、又は乳酸エチルを主成分とする溶剤を含む比較的乾燥しにくいレジスト液であっても、第一工程（均一化工程）における主回転数、主回転時間、第二工程（乾燥工程）における乾燥回転数を上述の範囲にすることにより、レジスト膜の面内膜厚均一性の保証エリアが拡大されても、所定の保障エリア（例えば、基板中央の１３２ｍｍ×１３２ｍｍ角エリア）において、所望のレジスト膜の面内膜厚均一性（１００Å以下）を維持することができる。 (Configuration 3) A resist solution containing a resist material and a solvent is dropped on a rectangular substrate, the substrate is rotated, the dropped resist solution is spread on the substrate, and the resist solution on the substrate is dried. A method of manufacturing a mask blank having a step of forming a resist film made of the resist material on the substrate, wherein the upper surface of the substrate is rotated while the substrate is rotated in the step of forming the resist film. And generating an air flow from the center side of the substrate along the outer periphery, changing the rotation of the substrate in the process of forming the resist film in the middle, and changing the rotation of the substrate in the former stage and the latter stage, Includes ethyl lactate as a solvent or a solvent containing ethyl lactate as a main component, the substrate rotation speed at the previous stage is 850 to 2000 rpm, and the substrate rotation at the previous stage is performed. Time to 10 seconds, the production method of the mask blank, characterized in that the 100~450rpm a substrate rotational speed of the subsequent stage.
Even if the resist solution is a resist solution containing ethyl lactate as a solvent or a solvent which is relatively difficult to dry and contains a solvent containing ethyl lactate as a main component as in Configuration 3, the resist solution is a main solution in the first step (homogenization step). By setting the rotation speed, the main rotation time, and the drying rotation speed in the second step (drying process) within the above range, even if the guarantee area for the in-plane film thickness uniformity of the resist film is expanded, a predetermined guarantee area ( For example, the desired in-plane film thickness uniformity (100 mm or less) of the resist film can be maintained in a 132 mm × 132 mm square area at the center of the substrate.

（構成４）四角形状の基板上に、レジスト材料及び溶剤を含むレジスト液を滴下し、前記基板を回転させ、滴下されたレジスト液を前記基板上に広げるとともに、前記基板上のレジスト液を乾燥させて、前記基板上に前記レジスト材料からなるレジスト膜を形成する工程を有するマスクブランクの製造方法であって、前記レジスト膜を形成する工程において前記基板が回転している間、前記基板の上面に沿って基板の中央側から外周方向に気流を発生させるとともに、前記レジスト膜を形成する工程における基板の回転を途中で変更し、その前段と後段とで基板の回転を異ならしめ、前記レジスト液が、ジエチレングリコールジメチルエーテル、アニソール、メチルセルソルブアセテート、シクロヘキサノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートのうちの何れかを溶剤とし、又は何れかを主成分とする溶剤を含み、前記前段の基板回転数を８５０〜２０００ｒｐｍ、前記前段の基板回転時間を２〜１５秒、前記後段の基板回転数を５０〜４５０ｒｐｍとすることを特徴とするマスクブランクの製造方法。
構成４にあるように、レジスト液が、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＹＧＬＹＭＥ）、アニソール（ＡＮＩＳＯＬＥ）、メチルセルソルブアセテート（ＭＣＡ）、シクロヘキサノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）のうちの何れかを溶剤とし、又は何れかを主成分とする溶剤を含むレジスト液であっても、第一工程（均一化工程）における主回転数、主回転時間、第二工程（乾燥工程）における乾燥回転数を上述の範囲にすることにより、レジスト膜の面内膜厚均一性の保証エリアが拡大されても、所定の保障エリア（例えば、基板中央の１３２ｍｍ×１３２ｍｍ角エリア）において、所望のレジスト膜の面内膜厚均一性（１００Å以下）を維持することができる。
（構成５）前記レジスト材料は、化学増幅型レジストであることを特徴とする構成１乃至３の何れかに記載のマスクブランクの製造方法。
構成５にあるように、例えば、ポリヒドロキシスチレン系樹脂と酸発生剤等からなる化学増幅型レジストのように一般に粘性が低く、乾き易い化学増幅型レジストであっても、レジスト膜の面内膜厚均一性の保証エリアが拡大されても、所定の保障エリア（例えば、基板中央の１３２ｍｍ×１３２ｍｍ角エリア）において、所望のレジスト膜の面内膜厚均一性（１００Å以下）を維持することができる。 (Configuration 4) A resist solution containing a resist material and a solvent is dropped on a rectangular substrate, the substrate is rotated, the dropped resist solution is spread on the substrate, and the resist solution on the substrate is dried. A method of manufacturing a mask blank having a step of forming a resist film made of the resist material on the substrate, wherein the upper surface of the substrate is rotated while the substrate is rotated in the step of forming the resist film. And generating an air flow from the center side of the substrate along the outer periphery, changing the rotation of the substrate in the process of forming the resist film in the middle, and changing the rotation of the substrate in the former stage and the latter stage, Diethylene glycol dimethyl ether, anisole, methyl cellosolve acetate, cyclohexanone, propylene glycol monomethyl One of the ether acetates is used as a solvent, or a solvent containing any of them as a main component, the substrate rotation speed at the preceding stage is 850 to 2000 rpm, the substrate rotation time at the preceding stage is 2 to 15 seconds, and the substrate at the subsequent stage The manufacturing method of the mask blank characterized by making a rotation speed into 50-450 rpm.
As described in Structure 4, the resist solution contains any one of diethylene glycol dimethyl ether (DYGLYME), anisole (ANISOLE), methyl cellosolve acetate (MCA), cyclohexanone, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), or Even in the case of a resist solution containing a solvent containing any one of the main components, the main rotation speed, the main rotation time in the first process (homogenization process), and the drying rotation speed in the second process (drying process) are within the above ranges. As a result, even if the guarantee area for the in-plane film thickness uniformity of the resist film is expanded, the in-plane film thickness uniformity of the desired resist film in a predetermined guarantee area (for example, a 132 mm × 132 mm square area at the center of the substrate) Property (100% or less) can be maintained.
(Structure 5) The mask blank manufacturing method according to any one of Structures 1 to 3, wherein the resist material is a chemically amplified resist.
As in Structure 5, for example, even in the case of a chemically amplified resist that is generally low in viscosity and easy to dry, such as a chemically amplified resist composed of a polyhydroxystyrene-based resin and an acid generator, an in-plane film of the resist film Even if the thickness uniformity guarantee area is expanded, a desired resist film in-plane film thickness uniformity (100 mm or less) can be maintained in a predetermined guarantee area (for example, a 132 mm × 132 mm square area in the center of the substrate). it can.

（構成６）前記前段の基板回転数による基板の回転の後、それに続き前記後段の基板回転数により基板を回転させることを特徴とする構成２乃至４の何れかに記載のマスクブランクの製造方法。
（構成７）前記基板上に形成されたレジスト膜のうち基板周縁部に形成されたパターン形成に関与しないレジスト膜を除去することを特徴とする構成１乃至６の何れかに記載のマスクブランクの製造方法。
構成７のように、基板周縁部に形成されたパターン形成に関与しないレジスト膜が擦れ等により剥離・脱落して塵埃を発生することを防止することができる。
（構成８）前記基板は、基板上にマスクパターンとなる薄膜を形成した薄膜付き基板であることを特徴とする構成１乃至７の何れかに記載のマスクブランクの製造方法。
（構成９）前記レジスト塗布膜を形成する前記薄膜は、クロムと、酸素及び／又は窒素を含む材料からなることを特徴とする構成８記載のマスクブランクの製造方法。
構成９のように、前記レジスト塗布膜を形成する前記薄膜を、クロムと、酸素及び／又は窒素を含む材料とすることにより、レジスト膜形成時の濡れ性、付着性が良いので、高い信頼性でレジスト膜の面内膜厚均一性が１００Å以下のマスクブランクが得られる。
（構成１０）構成１乃至９の何れかに記載の製造方法によって得られたマスクブランクの前記薄膜をパターニングして、前記基板上に実パターンと補助パターンを有するマスクパターンを形成することを特徴とする転写マスクの製造方法。
（構成１１）基板上に被転写体に転写される転写パターンと、被転写体に転写されない補助パターンとなる薄膜と、レジスト膜とが形成されたマスクブランクにおいて、前記レジスト膜における基板中央部の被転写体に転写される実パターンが形成される実パターン形成領域内での平均膜厚を基準にして、前記基板中央部の実パターン形成領域の周辺部にある補助パターン形成領域におけるレジスト膜の最大膜厚と前記平均膜厚との差が、前記平均膜厚の１／２以下であることを特徴とするマスクブランク。
構成１１のように、レジスト膜における基板中央部の被転写体に転写される実パターンが形成される実パターン形成領域内での平均膜厚を基準にして、前記基板中央部の実パターン形成領域の周辺部（外周部）にある補助パターン形成領域におけるレジスト膜の最大膜厚と前記平均膜厚との差が前記平均膜厚の１／２以下であることで、バーコード、品質保証パターン、アライメントマークなどの補助パターンのパターン不良を防止することができる。
（構成１２）基板上に実パターンと補助パターンを有するマスクパターンとなる薄膜と、レジスト塗布膜とが形成されたマスクブランクにおいて、前記レジスト塗布膜における基板中央部に配置される実パターンが形成される実パターン形成領域内での平均膜厚を基準にして、前記基板中央部の実パターン形成領域の周辺部にある補助パターン形成領域におけるレジスト塗布膜の最大膜厚と最小膜厚との差が、前記平均膜厚の１／２以下であることを特徴とするマスクブランク。
構成１２のように、レジスト膜における基板中央部の実パターンが形成される実パターン形成領域内での平均膜厚を基準にして、前記基板中央部の実パターン形成領域の周辺部（外周部）にある補助パターン形成領域におけるレジスト膜の最大膜厚と最小膜厚との差が前記平均膜厚の１／２以下であることで、バーコード、品質保証パターン、アライメントマークなどの補助パターンのパターン不良を防止することができる。 (Structure 6) The mask blank manufacturing method according to any one of Structures 2 to 4, wherein the substrate is rotated at the subsequent substrate rotation speed after the substrate rotation at the preceding substrate rotation speed. .
(Structure 7) The mask blank according to any one of Structures 1 to 6, wherein a resist film which is not involved in pattern formation formed on the peripheral edge of the substrate is removed from the resist film formed on the substrate. Production method.
As in Configuration 7, it is possible to prevent the resist film formed on the peripheral edge of the substrate from being peeled off or dropped due to rubbing or the like to generate dust.
(Structure 8) The method for manufacturing a mask blank according to any one of Structures 1 to 7, wherein the substrate is a substrate with a thin film in which a thin film to be a mask pattern is formed on the substrate.
(Structure 9) The mask blank manufacturing method according to Structure 8, wherein the thin film forming the resist coating film is made of a material containing chromium and oxygen and / or nitrogen.
Since the thin film for forming the resist coating film is made of a material containing chromium and oxygen and / or nitrogen as in the configuration 9, the wettability and adhesion at the time of forming the resist film are good, and thus high reliability. A mask blank having an in-plane film thickness uniformity of 100 mm or less can be obtained.
(Structure 10) The mask thin film obtained by the manufacturing method according to any one of structures 1 to 9 is patterned to form a mask pattern having an actual pattern and an auxiliary pattern on the substrate. A method for manufacturing a transfer mask.
(Configuration 11) In a mask blank in which a transfer pattern to be transferred to a transfer target on a substrate, a thin film to be an auxiliary pattern not transferred to the transfer target, and a resist film are formed, Based on the average film thickness in the actual pattern forming area where the actual pattern to be transferred to the transfer object is formed, the resist film in the auxiliary pattern forming area in the peripheral part of the actual pattern forming area in the center of the substrate A mask blank, wherein a difference between a maximum film thickness and the average film thickness is ½ or less of the average film thickness.
As in Configuration 11, the actual pattern forming region in the central portion of the substrate is based on the average film thickness in the actual pattern forming region in which the real pattern transferred to the transfer object in the central portion of the substrate in the resist film is formed. The difference between the maximum film thickness of the resist film and the average film thickness in the auxiliary pattern forming region in the peripheral part (peripheral part) of the average film thickness is 1/2 or less of the average film thickness, Pattern defects of auxiliary patterns such as alignment marks can be prevented.
(Configuration 12) In a mask blank in which a thin film serving as a mask pattern having an actual pattern and an auxiliary pattern on a substrate and a resist coating film are formed, an actual pattern arranged at the center of the substrate in the resist coating film is formed. The difference between the maximum film thickness and the minimum film thickness of the resist coating film in the auxiliary pattern formation region in the peripheral part of the actual pattern formation region in the central part of the substrate is based on the average film thickness in the actual pattern formation region. A mask blank, which is ½ or less of the average film thickness.
As in Configuration 12, the peripheral portion (outer peripheral portion) of the actual pattern forming region in the central portion of the substrate, based on the average film thickness in the actual pattern forming region in which the actual pattern in the central portion of the substrate is formed in the resist film. The difference between the maximum film thickness and the minimum film thickness of the resist film in the auxiliary pattern formation region in the above is 1/2 or less of the average film thickness, so that auxiliary pattern patterns such as barcodes, quality assurance patterns, alignment marks, etc. Defects can be prevented.

（構成１３）前記基板上に形成されたレジスト膜のうち基板周縁部に形成された前記補助パターン形成に関与しないレジスト膜が除去されていることを特徴とする構成１１又は１２記載のマスクブランク。
構成１３のように、補助パターンが形成される領域よりも外側の基板周縁部に著しく厚く形成されているレジスト膜の前記補助パターン形成に関与しない部位が除去されているので、収納ケースへのマスクブランクの収納による擦れや、マスクブランクを搬送する際の接触部との擦れに起因するレジスト膜からの発塵を抑制・防止することができる。
（構成１４）前記基板周縁部のレジスト膜が除去されて残ったレジスト膜の端部形状が、略直角または縁だれ形状であることを特徴とする構成１３記載のマスクブランク。
構成１４にあるように、基板周縁部のレジスト膜が除去されて残ったレジスト膜の端部形状（側壁の肩部）が略直角又は縁だれ形状とすることにより、基板周縁部に形成されたレジスト膜が剥離・脱落することによる塵埃の発生を抑制・防止することができる。また、マスク作製工程（マスクブランク使用工程）でのレジスト剥離の際に剥離残滓が発生することを防止できる。
（構成１５）前記基板周縁部のレジスト膜が除去されている領域の辺全体における基板端から除去端までの除去幅の標準偏差が０．２ｍｍ以下であることを特徴とする構成１３又は１４記載のマスクブランク。
構成１５にあるように、基板周縁部のレジスト膜が除去されている領域の辺全体における基板端から除去端までの除去幅の標準偏差を０．２ｍｍ以下とすることにより、除去残滓の発生を抑え、後工程での基板周縁部のレジスト膜が除去されて残ったレジスト膜の端部からのパーティクルの発生を抑制・防止できる。
（構成１６）前記レジスト膜を形成するレジスト材料は、化学増幅型レジストであることを特徴とする構成１１乃至１５の何れかに記載のマスクブランク。
構成１６にあるように、特にレジスト材料が、例えば、ポリヒドロキシスチレン系樹脂と酸発生剤等からなる化学増幅型レジストである場合には、形成されたレジスト膜が脆く、上述の構成１１乃至１５の効果が顕著になる。
（構成１７）構成１１乃至１６の何れかに記載のマスクブランクにおける前記薄膜をパターニングして、前記基板上に実パターンと補助パターンを有するマスクパターンを形成することを特徴とする転写マスクの製造方法。 (Structure 13) The mask blank according to Structure 11 or 12, wherein a resist film which is not involved in the formation of the auxiliary pattern formed on the peripheral edge of the substrate is removed from the resist film formed on the substrate.
As in the structure 13, since the portion not participating in the auxiliary pattern formation of the resist film formed on the outer periphery of the substrate outside the region where the auxiliary pattern is formed is significantly thicker, the mask for the storage case is removed. Dust generation from the resist film due to rubbing due to blank storage and rubbing with a contact portion when the mask blank is conveyed can be suppressed / prevented.
(Structure 14) The mask blank according to Structure 13, wherein an end shape of the resist film remaining after the resist film on the peripheral edge of the substrate is removed is a substantially right angle or a fringe shape.
As in Structure 14, the resist film at the peripheral edge of the substrate is removed, and the remaining resist film end shape (shoulder on the side wall) is formed at a substantially right angle or a fringe shape to form the peripheral edge of the substrate. It is possible to suppress / prevent generation of dust due to peeling / dropping of the resist film. Moreover, it is possible to prevent the occurrence of a peeling residue when the resist is peeled off in the mask manufacturing process (mask blank using process).
(Structure 15) The structure 13 or 14, wherein the standard deviation of the removal width from the substrate edge to the removal edge in the entire side of the region where the resist film on the peripheral edge of the substrate is removed is 0.2 mm or less. Mask blank.
As described in Structure 15, the generation of removal residue is caused by setting the standard deviation of the removal width from the substrate edge to the removal edge in the entire side of the region where the resist film on the peripheral edge of the substrate is removed to 0.2 mm or less. It is possible to suppress and prevent the generation of particles from the edge of the resist film remaining after the resist film at the peripheral edge of the substrate is removed in the subsequent process.
(Structure 16) The mask blank according to any one of Structures 11 to 15, wherein the resist material for forming the resist film is a chemically amplified resist.
As in Configuration 16, particularly when the resist material is a chemically amplified resist made of, for example, a polyhydroxystyrene resin and an acid generator, the formed resist film is fragile, and the above-described Configurations 11 to 15 are used. The effect becomes remarkable.
(Structure 17) A method of manufacturing a transfer mask, comprising patterning the thin film in the mask blank according to any one of Structures 11 to 16 to form a mask pattern having an actual pattern and an auxiliary pattern on the substrate. .

本発明によれば、基板上にレジスト膜を形成する工程において基板が回転している間、基板の上面に沿って基板の中央側から外周方向に気流が流れるように気流を発生させるので。基板の四隅や基板外周部に生じるレジスト液の液溜まりを効果的に基板外方に飛散させることができ、この液溜まりが基板中央方向へ引き戻されるように移動するのを抑制することができる。従って、レジスト膜の面内膜厚均一性の保証エリアが拡大されても、所定の保障エリア（例えば、基板中央の１３２ｍｍ×１３２ｍｍ角エリア）において、所望のレジスト膜の面内膜厚均一性（１００Å以下）を得ることができる。 According to the present invention, while the substrate is rotating in the step of forming the resist film on the substrate, the air current is generated so that the air current flows along the upper surface of the substrate from the center side of the substrate toward the outer periphery. It is possible to effectively disperse the liquid pool of the resist solution generated at the four corners of the substrate and the outer periphery of the substrate, and to prevent the liquid pool from moving back toward the center of the substrate. Therefore, even if the guarantee area for the in-plane film thickness uniformity of the resist film is expanded, the desired in-plane film thickness uniformity (for example, a 132 mm × 132 mm square area at the center of the substrate) in a predetermined guarantee area (for example, 100 Å or less) can be obtained.

本発明のマスクブランクの製造方法におけるレジスト塗布工程について、図１、図２を参照しながら説明する。図１はレジスト塗布工程に使用する回転塗布装置を示す構造図、図２はレジスト塗布工程における回転時間と回転数の関係を示す図である。
＜回転塗布装置の説明＞
回転塗布装置１は、図１に示すように、四角形状の基板２上に、例えば遮光膜３を形成した薄膜付き基板１１を載置し回転可能に保持するスピンナーチャック１２と、薄膜付き基板１１上にレジスト液１３を滴下するためのノズル１４と、滴下されたレジスト液１３が基板の回転により基板外方に飛散した後回転塗布装置の周辺に飛散するのを防止するためのカップ１５と、カップ１５の上方に、基板外方に飛散したレジスト液をカップ１５の外側下方へと誘導するインナーリング１７と、薄膜付き基板１１に向かう気流を生起させるように排気を行う排気手段１８を備えている。
上述のスピンナーチャック１２には、基板を回転させるためのモーター（図示せず）が接続されており、このモーターは後述する回転条件に基づいてスピンナーチャック１２を回転させる。
また、カップ１５の下方には、排気量を制御する排気量制御手段が備えられた排気手段１８と、回転中に基板外に飛散したレジスト液を回収し排液する排液手段が設けられている。
排気量は、第１工程（均一化工程）、第２工程（乾燥工程）において、基板が回転している間、基板の上面に沿って基板の中央側から外周方向に気流が流れるように気流１９を発生することにより、基板外周部（基板主表面端部）に生じるレジスト液の液溜まりを効果的に基板外に飛散させることができ、又、基板の四隅や基板外周部に生じるレジスト液の液溜まりが基板中央部へと引き戻されるのを効果的に抑制できるので、基板の四隅及び周縁部に形成されるレジスト膜の厚膜領域を低減させる、或いはその領域の膜厚の盛り上がりを低減させる（厚膜化を抑制する）ことができるように設定する。具体的には、基板の上面に当たる気流の速度が、０．５ｍ／秒以上５ｍ／秒以下となるように排気量を制御する。
さらに、基板上面とカップ上方に設けられたインナーリング（開口部）までの高さ（距離）と、インナーリングの開口径を制御することによって、基板上面から基板外周部に当たる気流の流速を制御することで、基板外周部（基板主表面端部）に生じるレジスト液の液溜まりを効果的に基板外に飛散させ、又、基板の四隅や基板外周部に生じるレジスト液の液溜まりが基板中央部へと引き戻されるのを効果的に抑制できるに必要な流速に維持することが可能である。 The resist coating process in the mask blank manufacturing method of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a structural diagram showing a spin coating apparatus used in the resist coating process, and FIG.
<Description of spin coating device>
As shown in FIG. 1, the spin coater 1 has a spinner chuck 12 on which a thin film-coated substrate 11 having a light-shielding film 3 formed, for example, is placed on a quadrangular substrate 2 and rotatably held, and the thin film-coated substrate 11. A nozzle 14 for dropping the resist solution 13 thereon, a cup 15 for preventing the dropped resist solution 13 from splashing out of the substrate due to rotation of the substrate and then splashing around the rotary coating apparatus; Above the cup 15, there are provided an inner ring 17 that guides the resist solution scattered outward from the substrate to the lower outside of the cup 15, and an exhaust means 18 that exhausts air so as to generate an air flow toward the substrate 11 with a thin film. Yes.
A motor (not shown) for rotating the substrate is connected to the spinner chuck 12 described above, and this motor rotates the spinner chuck 12 based on a rotation condition described later.
Below the cup 15, there are provided an exhaust means 18 provided with an exhaust amount control means for controlling the exhaust amount, and a drain means for collecting and draining the resist solution scattered outside the substrate during rotation. Yes.
In the first step (homogenization step) and the second step (drying step), the exhaust amount is such that the airflow flows from the center side of the substrate along the upper surface of the substrate toward the outer periphery while the substrate is rotating. 19, the liquid pool of the resist solution generated at the substrate outer peripheral portion (substrate main surface end portion) can be effectively scattered outside the substrate, and the resist solution generated at the four corners of the substrate and the substrate outer peripheral portion. As a result, it is possible to effectively prevent the liquid pool from being pulled back to the center of the substrate, thereby reducing the thick film region of the resist film formed at the four corners and the peripheral portion of the substrate, or reducing the increase in the film thickness of the region. It is set so that it can be made (thin film thickness can be suppressed). Specifically, the exhaust amount is controlled so that the velocity of the airflow hitting the upper surface of the substrate is 0.5 m / second or more and 5 m / second or less.
Further, by controlling the height (distance) between the upper surface of the substrate and the inner ring (opening) provided above the cup and the opening diameter of the inner ring, the flow velocity of the airflow hitting the outer peripheral portion of the substrate from the upper surface of the substrate is controlled. This effectively disperses the liquid pool of the resist solution generated at the substrate outer peripheral portion (substrate main surface edge) to the outside of the substrate, and the resist liquid pool generated at the four corners of the substrate and the substrate outer peripheral portion is the central portion of the substrate. It is possible to maintain the flow rate necessary to effectively suppress the pulling back.

＜回転塗布装置を用いたレジスト塗布方法の説明＞
次に、上述の回転塗布装置１を用いたレジスト塗布方法について図２を用いて説明する。
まず始めに薄膜付き基板１１を基板搬送手段によって回転塗布装置１のスピンチャック１２上に載置する。
次に、レジスト液１３をノズル１４より薄膜付き基板１１上に滴下した後、後述する回転条件に従って回転塗布し、薄膜付き基板１１上にレジスト膜４を均一に形成する。
本発明のレジスト塗布方法の塗布対象である基板は、四角形状であるため、少なくとも以下の２つの工程を経由しなければ、四角形状基板（マスクブランク）の内接円の外側の領域まで広がる矩形なパターン領域において、均一なレジスト膜を形成することができない。
まず、第一工程は、基板（薄膜付き基板）上にレジスト液を滴下し、所定の主回転数と所定の主回転時間とで基板を回転させ、主に、レジスト膜厚を均一化させる第１工程（均一化工程）であり、次に、前記第１工程（均一化工程）の後、前記主回転数より小さい所定の乾燥回転数で基板を回転させ、均一化されたレジスト膜を主に乾燥させる第２工程（乾燥工程）である。
そして、本発明の特徴は、第１工程（均一化工程）及び第２工程（乾燥工程）において、基板が回転している間、基板の上面に沿って基板の中央側から外周方向に気流が流れるように気流を発生させ、基板の回転により基板外周部（基板主表面端部）に生じるレジスト液の液溜まりを効果的に基板外に飛散させ、又、基板の四隅や基板外周部に生じるレジスト液の液溜まりが基板中央部へと引き戻されるのを効果的に抑制させ、基板の四隅及び周縁部に形成されるレジスト膜の厚膜領域を低減させる、或いはその領域の膜厚の盛り上がりを低減させる（厚膜化を抑制する）ことを特徴とする。 <Description of resist coating method using spin coater>
Next, a resist coating method using the above-described spin coating apparatus 1 will be described with reference to FIG.
First, the thin film-coated substrate 11 is placed on the spin chuck 12 of the spin coater 1 by the substrate transport means.
Next, after dripping the resist solution 13 onto the thin film-coated substrate 11 from the nozzle 14, spin coating is performed according to the rotation conditions described later, and the resist film 4 is uniformly formed on the thin film-coated substrate 11.
Since the substrate to be coated by the resist coating method of the present invention has a quadrangular shape, a rectangle that extends to an area outside the inscribed circle of the quadrangular substrate (mask blank) unless at least the following two steps are performed. A uniform resist film cannot be formed in a simple pattern region.
First, in the first step, a resist solution is dropped onto a substrate (a substrate with a thin film), and the substrate is rotated at a predetermined main rotation speed and a predetermined main rotation time, mainly to make the resist film thickness uniform. 1 step (homogenization step), and then, after the first step (homogenization step), the substrate is rotated at a predetermined drying rotation number smaller than the main rotation number, and the uniformed resist film is mainly formed. It is the 2nd process (drying process) to dry.
The feature of the present invention is that, in the first step (homogenization step) and the second step (drying step), while the substrate is rotating, an air flow is generated from the center side of the substrate to the outer peripheral direction along the upper surface of the substrate. An air flow is generated to flow, and the resist solution pool generated at the substrate outer peripheral portion (substrate main surface edge portion) by the rotation of the substrate is effectively scattered outside the substrate, and also generated at the four corners of the substrate and the substrate outer peripheral portion. Effectively restrains the resist liquid pool from being pulled back to the center of the substrate, reduces the thick film region of the resist film formed at the four corners and the peripheral edge of the substrate, or increases the thickness of the region. It is reduced (suppresses thickening).

本発明の実施の形態において使用するレジストは、特に限定されない。レジスト塗布する際のレジスト液の粘度が１０ｍＰａ・ｓを超える例えば、平均分子量が１０万以上である高分子量樹脂からなる主鎖切断型レジスト或いは架橋型レジスト（高分子量レジスト）や、レジスト塗布する際のレジスト液の粘度が１０ｍＰａ・ｓ未満の例えば、平均分子量が１０万未満であるノボラック樹脂と溶解阻害剤等からなる溶解阻害型レジスト（ノボラック系レジスト）や、例えば、ポリヒドロキシスチレン系樹脂と酸発生剤等からなる化学増幅型レジストなどであっても良い。中でも特に効果があるのは、化学増幅型レジスト等の乾燥しやすい（乾燥が速い）レジスト種である。
化学増幅型レジストでは、さらに、ベースポリマー毎に分類すると、ＰＨＳ（ポリヒドロキシスチレン）系、ノボラック系等がある。また、ＰＨＳ系の化学増幅型レジストとしては、例えば、ＦＥＰ１７１、ＦＥＮ２７０：富士フィルムアーチ社製、ＮＥＢ２２：住友化学工業社製、ＯＥＢＲ−ＣＡＰ２０９：東京応化工業社製などがある。
上述の化学増幅型レジストに使われる溶剤としては、一般に、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、乳酸エチル（ＥＬ）、メチルイソアミルケトン（ＭＡＫ）のうち何れかの溶剤、或いは何れかを主成分とする溶剤が使用される。
これらの化学増幅型レジストのレジスト液は、一般に平均分子量が１０万未満であり、上記溶剤に溶解してレジスト液にしたときの粘度が１〜１０ｍＰａ・ｓと低く、乾燥しやすいために、均一化工程において均一に塗布されたレジスト液が、均一化工程や、均一化工程に続く乾燥工程において基板外周部に溜まったレジスト液が基板の中心方向に引き戻されやすく、また、引き戻される過程で乾燥しやすい。そのため、レジスト膜の厚膜領域が拡大し、基板面内のレジスト膜の膜厚分布は悪化する傾向にある。
また、上述のノボラック系レジストに使われる溶剤としては、一般に、平均分子量が１０万未満であり、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、メチルイソアミルケトン（ＭＡＫ）、乳酸エチル（ＥＬ）のうち何れか、或いは何れかを主成分とする溶剤が使用される。これらの溶剤を含むノボラック系レジストのレジスト液も一般に粘度が１〜１０ｍＰａ・ｓと低いために、上述の化学増幅型レジストと同様の傾向となる。
また、上述の高分子量型レジストに使われる溶剤としては、一般に、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＩＧＬＹＭＥ）、アニソール、メチルセルソルブアセテート（ＭＣＡ）、シクロヘキサノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）の何れか、或いは何れかを主成分とする溶剤が使用される。これら高分子量型レジストのレジスト液は、一般に平均分子量が１０万以上であり、上記溶剤に溶解してレジスト液にしたときの粘度が１０ｍＰａ・ｓ超と高く、比較的乾燥されにくい。 The resist used in the embodiment of the present invention is not particularly limited. When the resist solution has a viscosity exceeding 10 mPa · s, for example, a main-chain-breaking resist or a cross-linking resist (high molecular weight resist) made of a high molecular weight resin having an average molecular weight of 100,000 or more, or when applying a resist A resist solution having a viscosity of less than 10 mPa · s, for example, a novolak resin having an average molecular weight of less than 100,000 and a dissolution inhibitor or the like (a novolak resist), for example, a polyhydroxystyrene resin and an acid It may be a chemically amplified resist made of a generator or the like. Among these, resist types that are particularly effective are resist types such as chemically amplified resists that are easy to dry (fast drying).
Chemically amplified resists are further classified into base polymers such as PHS (polyhydroxystyrene) and novolak. Examples of the PHS-based chemically amplified resist include FEP171, FEN270: manufactured by Fuji Film Arch, NEB22: manufactured by Sumitomo Chemical, and OEBR-CAP209: manufactured by Tokyo Ohka Kogyo.
As a solvent used for the above-mentioned chemically amplified resist, generally, any one of propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), propylene glycol monomethyl ether (PGME), ethyl lactate (EL), and methyl isoamyl ketone (MAK) is used. Alternatively, a solvent containing either of them as a main component is used.
The resist solutions of these chemically amplified resists generally have an average molecular weight of less than 100,000, have a low viscosity of 1 to 10 mPa · s when dissolved in the above solvent to form a resist solution, and are easy to dry. The resist solution uniformly applied in the forming step is easily pulled back toward the center of the substrate in the uniforming step and the drying step following the homogenizing step, and is dried in the process of being pulled back. It's easy to do. For this reason, the thick film region of the resist film is enlarged, and the film thickness distribution of the resist film in the substrate surface tends to deteriorate.
Moreover, as a solvent used for the above-mentioned novolak resist, generally, the average molecular weight is less than 100,000, and propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), propylene glycol monomethyl ether (PGME), methyl isoamyl ketone (MAK), lactic acid. Any of ethyl (EL) or a solvent containing either one as a main component is used. Since the viscosity of a novolac resist solution containing these solvents is generally as low as 1 to 10 mPa · s, the same tendency as the above-mentioned chemically amplified resist is obtained.
In addition, as a solvent used in the above-described high molecular weight resist, generally, either or any of diethylene glycol dimethyl ether (DIGLYME), anisole, methyl cellosolve acetate (MCA), cyclohexanone, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) is used. Is used as a main component. The resist solutions of these high molecular weight resists generally have an average molecular weight of 100,000 or more, have a viscosity of more than 10 mPa · s when dissolved in the above solvent to form a resist solution, and are relatively difficult to dry.

上述の「保証エリア内でのレジスト膜厚分布・面内膜厚均一性と回転数、回転時間の関係」の考察から、レジストに使用する溶剤、さらにレジスト種に応じて以下の回転条件の範囲から設定する。
（ａ）レジスト塗布する際のレジスト液の粘度が１０ｍＰａ・ｓ超（好ましくは１０ｍＰａ・ｓ超５０ｍＰａ・ｓ以下）のレジスト種（例えば、上記溶剤を含む高分子量型レジスト）
主回転数：８５０〜２０００ｒｐｍ
主回転時間：２〜１５秒
乾燥回転数：５０〜４５０ｒｐｍ
（ｂ）レジスト塗布する際のレジスト液の粘度が１０ｍＰａ・ｓ以下のレジスト種（例えば、上記溶剤を含む化学増幅型レジストやノボラック系レジスト）
主回転数：８５０〜２０００ｒｐｍ
主回転時間：１〜１０秒
乾燥回転数：１００〜４５０ｒｐｍ
（ｂ１）レジスト塗布する際のレジスト液の粘度が１０ｍＰａ・ｓ以下のレジスト種であって、溶剤が、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、メチルイソアミルケトン（ＭＡＫ）のうち何れか、或いは何れかを主成分とする場合、
主回転数：８５０〜１９００ｒｐｍ
主回転時間：１〜５秒
乾燥回転数：１００〜４５０ｒｐｍ
（ｂ２）レジスト塗布する際のレジスト液の粘度が１０ｍＰａ・ｓ以下のレジスト種であって、溶剤が、乳酸エチル（ＥＬ）か、それを主成分とする場合、
主回転数：８５０〜２０００ｒｐｍ
主回転時間：１〜１０秒
乾燥回転数：１００〜４５０ｒｐｍ
尚、乾燥回転時間は、レジスト膜が完全に乾燥するまでに（それ以上乾燥回転を続けてもレジスト塗布膜厚が減少しなくなるまでに）要する時間で設定する。
尚、本発明における粘度は、ＪＩＳＺ８８０３（１９９１）「液体の粘度−測定方法」内で規定されている毛細管粘度計（キャノン−フェンスケ粘度計）により、室温にて測定した粘度とする。 From the consideration of the above-mentioned “Relation between resist film thickness distribution / in-plane film thickness uniformity within the guaranteed area, rotation speed, and rotation time”, the range of the following rotation conditions depends on the solvent used for the resist and the resist type. Set from.
(A) Resist type (for example, a high molecular weight resist containing the above-mentioned solvent) having a viscosity of a resist solution of more than 10 mPa · s (preferably more than 10 mPa · s and 50 mPa · s or less) during resist coating
Main rotation speed: 850 to 2000 rpm
Main rotation time: 2 to 15 seconds Drying rotation speed: 50 to 450 rpm
(B) Resist type having a resist solution viscosity of 10 mPa · s or less when the resist is applied (for example, chemically amplified resists and novolak resists containing the above solvents)
Main rotation speed: 850 to 2000 rpm
Main rotation time: 1 to 10 seconds Drying rotation speed: 100 to 450 rpm
(B1) Resist type having a resist solution viscosity of 10 mPa · s or less when resist is applied, and the solvent is propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), propylene glycol monomethyl ether (PGME), methyl isoamyl ketone (MAK) Or any one of them as a main component,
Main rotation speed: 850-1900rpm
Main rotation time: 1 to 5 seconds Drying rotation speed: 100 to 450 rpm
(B2) When the resist type has a viscosity of 10 mPa · s or less and the solvent is ethyl lactate (EL) or a main component thereof,
Main rotation speed: 850 to 2000 rpm
Main rotation time: 1 to 10 seconds Drying rotation speed: 100 to 450 rpm
The drying rotation time is set as the time required until the resist film is completely dried (until the resist coating film thickness does not decrease even if the drying rotation continues further).
The viscosity in the present invention is a viscosity measured at room temperature with a capillary viscometer (Canon-Fenske viscometer) defined in JISZ8803 (1991) “Viscosity of liquid—Measurement method”.

尚、上述の（ａ）において、例えばレジストがポジ型高分子量型レジスト（高分子量樹脂からなる主鎖切断型レジスト）：ＺＥＰ７０００（日本ゼオン社製）の場合、主回転数を８５０〜２０００ｒｐｍ、主回転時間を５〜１５秒、乾燥回転数を５０〜４５０ｒｐｍとすることにより、所定（基板中央の１３２ｍｍ×１３２ｍｍ角）エリアにおいて、確実にレジスト膜の面内膜厚均一性を１００Å以下にすることができる。好ましくは、主回転数を１０００〜１７００ｒｐｍ、主回転時間を７〜１３秒、乾燥回転数を１５０〜３００ｒｐｍとすることにより、面内膜厚均一性を５０Å以下にすることができる。
また、上述の（ｂ）において、例えばレジストがポジ型化学増幅型レジスト（ポリヒドロキシスチレン系樹脂と酸化剤とを含む化学増幅型レジスト）：ＦＥＰ１７１（富士フィルムアーチ社製）の場合、主回転数を１２００〜１９００ｒｐｍ、主回転時間を１〜５秒、乾燥回転数を１００〜４５０ｒｐｍとすることにより、所定（基板中央の１３２ｍｍ×１３２ｍｍ角）エリアにおいて、確実にレジスト膜の面内膜厚均一性を１００Å以下にするができる。好ましくは、主回転数を１３５０〜１７５０ｒｐｍｍ、主回転時間を１．５〜２．５秒、乾燥回転数を１５０〜３００ｒｐｍとすることにより、面内膜厚均一性を５０Å以下にすることができる。 In the above (a), for example, when the resist is a positive high molecular weight resist (main chain cutting resist made of high molecular weight resin): ZEP7000 (manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd.), the main rotational speed is 850 to 2000 rpm, By setting the rotation time to 5 to 15 seconds and the drying rotation speed to 50 to 450 rpm, the in-plane film thickness uniformity of the resist film is surely made 100 mm or less in a predetermined (132 mm × 132 mm square in the center of the substrate) area. Can do. Preferably, the in-plane film thickness uniformity can be reduced to 50 mm or less by setting the main rotation speed to 1000 to 1700 rpm, the main rotation time to 7 to 13 seconds, and the drying rotation speed to 150 to 300 rpm.
In (b) above, for example, when the resist is a positive chemically amplified resist (chemically amplified resist containing a polyhydroxystyrene-based resin and an oxidizing agent): FEP171 (manufactured by Fuji Film Arch), the main rotational speed Is 1200 to 1900 rpm, the main rotation time is 1 to 5 seconds, and the drying rotation speed is 100 to 450 rpm, so that the in-plane film thickness uniformity of the resist film is ensured in a predetermined (132 mm × 132 mm square in the center of the substrate) area. Can be reduced to 100 mm or less. Preferably, the in-plane film thickness uniformity can be reduced to 50 mm or less by setting the main rotation speed to 1350 to 1750 rpmm, the main rotation time to 1.5 to 2.5 seconds, and the drying rotation speed to 150 to 300 rpm. .

次に、上述のレジスト塗布方法を利用したマスクブランクの製造方法について説明する。
本発明のマスクブランクの製造方法は、上述のレジスト塗布方法を利用したレジスト塗布工程を有する。従って、本発明の実施の形態は大きく分けて以下の６つの形態からなる。
（第１の実施の形態）
四角形状の基板上に、レジスト材料及び溶剤を含むレジスト液を滴下し、前記基板を回転させ、滴下されたレジスト液を前記基板上に広げるとともに、前記基板上のレジスト液を乾燥させて、前記基板上に前記レジスト材料からなるレジスト塗布膜を形成する工程を有するマスクブランクの製造方法であって、前記レジスト塗布膜を形成する工程において前記基板が回転している間、前記基板の上面に沿って基板の中央側から外周方向に気流を発生させ、基板の回転により基板周縁部に形成されるレジスト液の液溜まりが、基板中央方向へ移動するのを抑制することを特徴とするマスクブランクの製造方法。
（第２の実施の形態）
四角形状の基板上に、レジスト材料及び溶剤を含むレジスト液を滴下し、前記基板を回転させ、滴下されたレジスト液を前記基板上に広げるとともに、前記基板上のレジスト液を乾燥させて、前記基板上に前記レジスト材料からなるレジスト塗布膜を形成する工程を有するマスクブランクの製造方法であって、前記レジスト塗布膜を形成する工程において前記基板が回転している間、前記基板の上面に沿って基板の中央側から外周方向に気流を発生させるとともに、前記レジスト塗布膜を形成する工程における基板の回転を途中で変更し、その前段と後段とで基板の回転を異ならしめ、前記レジスト液が、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、メチルイソアミルケトンのうちの何れかを溶剤とし、又は何れかを主成分とする溶剤を含み、前記前段の基板回転数を８５０〜１９００ｒｐｍ、前記前段の基板回転時間を１〜５秒、前記後段の基板回転数を１００〜４５０ｒｐｍとすることを特徴とするマスクブランクの製造方法。 Next, a method for manufacturing a mask blank using the above-described resist coating method will be described.
The manufacturing method of the mask blank of this invention has a resist coating process using the above-mentioned resist coating method. Therefore, the embodiment of the present invention is roughly divided into the following six forms.
(First embodiment)
A resist solution containing a resist material and a solvent is dropped on a rectangular substrate, the substrate is rotated, the dropped resist solution is spread on the substrate, and the resist solution on the substrate is dried. A mask blank manufacturing method comprising a step of forming a resist coating film made of the resist material on a substrate, wherein the substrate is rotated along the upper surface of the substrate while the substrate is rotating in the step of forming the resist coating film. The mask blank is characterized in that an air flow is generated from the center side of the substrate in the outer peripheral direction, and the liquid pool of the resist solution formed on the peripheral edge portion of the substrate by the rotation of the substrate is prevented from moving toward the center of the substrate. Production method.
(Second Embodiment)
A resist solution containing a resist material and a solvent is dropped on a rectangular substrate, the substrate is rotated, the dropped resist solution is spread on the substrate, and the resist solution on the substrate is dried. A mask blank manufacturing method comprising a step of forming a resist coating film made of the resist material on a substrate, wherein the substrate is rotated along the upper surface of the substrate while the substrate is rotating in the step of forming the resist coating film. In the process of forming the resist coating film, the rotation of the substrate is changed in the middle, the rotation of the substrate is made different between the former stage and the latter stage, and the resist solution is generated. What is propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, methyl isoamyl ketone Or a solvent containing any of them as a main component, the substrate rotation speed of the preceding stage is 850 to 1900 rpm, the substrate rotation time of the preceding stage is 1 to 5 seconds, and the substrate rotation speed of the subsequent stage is 100 to 450 rpm. A method for producing a mask blank, characterized in that

（第３の実施の形態）
四角形状の基板上に、レジスト材料及び溶剤を含むレジスト液を滴下し、前記基板を回転させ、滴下されたレジスト液を前記基板上に広げるとともに、前記基板上のレジスト液を乾燥させて、前記基板上に前記レジスト材料からなるレジスト塗布膜を形成する工程を有するマスクブランクの製造方法であって、前記レジスト塗布膜を形成する工程において前記基板が回転している間、前記基板の上面に沿って基板の中央側から外周方向に気流を発生させるとともに、前記レジスト塗布膜を形成する工程における基板の回転を途中で変更し、その前段と後段とで基板の回転を異ならしめ、前記レジスト液が、乳酸エチルを溶剤とし、又は乳酸エチルを主成分とする溶剤を含み、前記前段の基板回転数を８５０〜２０００ｒｐｍ、前記前段の基板回転時間を１〜１０秒、前記後段の基板回転数を１００〜４５０ｒｐｍとすることを特徴とするマスクブランクの製造方法。
（第４の実施の形態）
四角形状の基板上に、レジスト材料及び溶剤を含むレジスト液を滴下し、前記基板を回転させ、滴下されたレジスト液を前記基板上に広げるとともに、前記基板上のレジスト液を乾燥させて、前記基板上に前記レジスト材料からなるレジスト塗布膜を形成する工程を有するマスクブランクの製造方法であって、前記レジスト塗布膜を形成する工程において前記基板が回転している間、前記基板の上面に沿って基板の中央側から外周方向に気流を発生させるとともに、前記レジスト塗布膜を形成する工程における基板の回転を途中で変更し、その前段と後段とで基板の回転を異ならしめ、前記レジスト液の粘度が１〜１０ｍＰａ・ｓであって、前記前段の基板回転数を８５０〜２０００ｒｐｍ、前記前段の基板回転時間を１〜１０秒、前記後段の基板回転数を１００〜４５０ｒｐｍとすることを特徴とするマスクブランクの製造方法。 (Third embodiment)
A resist solution containing a resist material and a solvent is dropped on a rectangular substrate, the substrate is rotated, the dropped resist solution is spread on the substrate, and the resist solution on the substrate is dried. A mask blank manufacturing method comprising a step of forming a resist coating film made of the resist material on a substrate, wherein the substrate is rotated along the upper surface of the substrate while the substrate is rotating in the step of forming the resist coating film. In the process of forming the resist coating film, the rotation of the substrate is changed in the middle, the rotation of the substrate is made different between the former stage and the latter stage, and the resist solution is generated. , Containing ethyl lactate as a solvent or a solvent containing ethyl lactate as a main component, the substrate rotation speed of the previous stage is 850 to 2000 rpm, and the substrate of the previous stage Rolling time from 1 to 10 seconds, the production method of the mask blank, characterized in that the 100~450rpm a substrate rotational speed of the subsequent stage.
(Fourth embodiment)
A resist solution containing a resist material and a solvent is dropped on a rectangular substrate, the substrate is rotated, the dropped resist solution is spread on the substrate, and the resist solution on the substrate is dried. A mask blank manufacturing method comprising a step of forming a resist coating film made of the resist material on a substrate, wherein the substrate is rotated along the upper surface of the substrate while the substrate is rotating in the step of forming the resist coating film. In the process of forming the resist coating film, the rotation of the substrate is changed halfway in the process of forming the resist coating film, and the rotation of the substrate is made different between the former stage and the latter stage. The viscosity is 1 to 10 mPa · s, the substrate rotation speed of the previous stage is 850 to 2000 rpm, the substrate rotation time of the previous stage is 1 to 10 seconds, and the latter stage Method for producing a mask blank, which comprises a substrate speed and 100～450Rpm.

（第５の実施の形態）
四角形状の基板上に、レジスト材料及び溶剤を含むレジスト液を滴下し、前記基板を回転させ、滴下されたレジスト液を前記基板上に広げるとともに、前記基板上のレジスト液を乾燥させて、前記基板上に前記レジスト材料からなるレジスト塗布膜を形成する工程を有するマスクブランクの製造方法であって、前記レジスト塗布膜を形成する工程において前記基板が回転している間、前記基板の上面に沿って基板の中央側から外周方向に気流を発生させるとともに、前記レジスト塗布膜を形成する工程における基板の回転を途中で変更し、その前段と後段とで基板の回転を異ならしめ、前記レジスト液が、ジエチレングリコールジメチルエーテル、アニソール、メチルセルソルブアセテート、シクロヘキサノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートのうちの何れかを溶剤とし、又は何れかを主成分とする溶剤を含み、前記前段の基板回転数を８５０〜２０００ｒｐｍ、前記前段の基板回転時間を２〜１５秒、前記後段の基板回転数を５０〜４５０ｒｐｍとすることを特徴とするマスクブランクの製造方法。
（第６の実施の形態）
四角形状の基板上に、レジスト材料及び溶剤を含むレジスト液を滴下し、前記基板を回転させ、滴下されたレジスト液を前記基板上に広げるとともに、前記基板上のレジスト液を乾燥させて、前記基板上に前記レジスト材料からなるレジスト塗布膜を形成する工程を有するマスクブランクの製造方法であって、前記レジスト塗布膜を形成する工程において前記基板が回転している間、前記基板の上面に沿って基板の中央側から外周方向に気流を発生させるとともに、前記レジスト塗布膜を形成する工程における基板の回転を途中で変更し、その前段と後段とで基板の回転を異ならしめ、前記レジスト液の粘度が１０ｍＰａ・ｓ超であって、前記前段の基板回転数を８５０〜２０００ｒｐｍ、前記前段の基板回転時間を２〜１５秒、前記後段の基板回転数を５０〜４５０ｒｐｍとすることを特徴とするマスクブランクの製造方法。
前述したように、ここで、上記前段は例えば前述の「第一工程（均一化工程）」、上記後段は例えば前述の「第二工程（乾燥工程）」をそれぞれ含んでいれば良く、同じでもよい。
尚、本発明の実施の形態において、本発明の効果を逸脱しない範囲内で、第一工程（均一化工程）の主回転数や、第二工程（乾燥工程）の主回転数を段階的又は連続的に変化させてもよい。 (Fifth embodiment)
A resist solution containing a resist material and a solvent is dropped on a rectangular substrate, the substrate is rotated, the dropped resist solution is spread on the substrate, and the resist solution on the substrate is dried. A mask blank manufacturing method comprising a step of forming a resist coating film made of the resist material on a substrate, wherein the substrate is rotated along the upper surface of the substrate while the substrate is rotating in the step of forming the resist coating film. In the process of forming the resist coating film, the rotation of the substrate is changed in the middle, the rotation of the substrate is made different between the former stage and the latter stage, and the resist solution is generated. , Diethylene glycol dimethyl ether, anisole, methyl cellosolve acetate, cyclohexanone, propylene glycol monomer One of the ruether acetates is used as a solvent, or a solvent containing any of them as a main component, the substrate rotation speed at the preceding stage is 850 to 2000 rpm, the substrate rotation time at the preceding stage is 2 to 15 seconds, and the substrate at the subsequent stage The manufacturing method of the mask blank characterized by making a rotation speed into 50-450 rpm.
(Sixth embodiment)
A resist solution containing a resist material and a solvent is dropped on a rectangular substrate, the substrate is rotated, the dropped resist solution is spread on the substrate, and the resist solution on the substrate is dried. A mask blank manufacturing method comprising a step of forming a resist coating film made of the resist material on a substrate, wherein the substrate is rotated along the upper surface of the substrate while the substrate is rotating in the step of forming the resist coating film. In the process of forming the resist coating film, the rotation of the substrate is changed halfway in the process of forming the resist coating film, and the rotation of the substrate is made different between the former stage and the latter stage. The viscosity is more than 10 mPa · s, the substrate rotation speed of the previous stage is 850 to 2000 rpm, the substrate rotation time of the previous stage is 2 to 15 seconds, Method for producing a mask blank, which comprises a plate speed and 50～450Rpm.
As described above, here, the preceding stage may include, for example, the above-described “first process (homogenization process)”, and the subsequent stage may include, for example, the above-described “second process (drying process)”. Good.
In the embodiment of the present invention, the main rotation speed of the first process (homogenization process) and the main rotation speed of the second process (drying process) are stepwise or within a range not departing from the effects of the present invention. It may be changed continuously.

さらに、本発明のマスクブランクの製造方法においては、上述のレジスト塗布方法によりレジスト膜を基板上に形成するレジスト塗布工程の後、形成されたレジスト膜に含まれる溶剤を蒸発させるために基板上に形成されたレジスト膜を加熱乾燥処理する加熱乾燥処理工程を有しても良い。レジスト塗布工程の後、加熱乾燥処理等を行って薄膜付き基板１１上にレジスト液に含まれる溶剤を蒸発させ、レジスト膜４を形成したマスクブランク１０を得る。
尚、基板は、被転写体に転写すべく転写パターンとなる薄膜が形成された薄膜付き基板や、被転写体に転写すべく転写パターンとなる薄膜のパターンが形成された薄膜パターン付き基板、或いは、単に基板であってもよい。単に基板の場合、基板を掘り込んで基板に凹凸の段差を有するクロムレスの位相シフトマスク用原版のマスクブランクとなる。さらに、基板は、基板を掘り込んで基板に凹凸の段差とパターンが形成された薄膜の両者を有するものであってもよい。
薄膜付き基板は、基板上に露光光に対し光学的変化をもたらして被転写体に転写すべく転写パターンとなる薄膜をスパッタリング法や、蒸着法、ＣＶＤ法などによって形成する工程を含む。
加熱乾燥処理工程は、基板上に形成されたレジスト膜に含まれる溶剤を蒸発させて被膜にする工程である。加熱乾燥処理工程は、通常、基板を加熱する加熱プレート等により加熱する加熱工程と、基板を冷却プレート等により冷却する冷却工程とを含む。加熱工程における加熱温度及び加熱時間、冷却工程における冷却温度及び冷却時間は、レジスト種に応じて適宜調整される。 Further, in the mask blank manufacturing method of the present invention, after the resist coating step of forming a resist film on the substrate by the above-described resist coating method, the solvent contained in the formed resist film is evaporated on the substrate. You may have the heat drying process process which heat-drys the formed resist film. After the resist coating process, a heat-drying process or the like is performed to evaporate the solvent contained in the resist solution on the thin film-coated substrate 11 to obtain the mask blank 10 on which the resist film 4 is formed.
The substrate may be a substrate with a thin film on which a thin film serving as a transfer pattern is formed to be transferred to the transfer target, a substrate with a thin film pattern on which a thin film pattern serving as a transfer pattern is formed on the transfer target, or Or simply a substrate. In the case of a simple substrate, a mask blank of a master plate for a chromeless phase shift mask having a concavo-convex step formed on the substrate by digging the substrate is obtained. Furthermore, the substrate may have both of a thin film in which an uneven step and a pattern are formed on the substrate by digging the substrate.
The substrate with a thin film includes a step of forming a thin film to be a transfer pattern on the substrate, which causes an optical change with respect to exposure light and is transferred to a transfer target, by sputtering, vapor deposition, CVD, or the like.
The heat drying process is a process in which the solvent contained in the resist film formed on the substrate is evaporated to form a film. The heating and drying treatment step usually includes a heating step for heating with a heating plate or the like for heating the substrate, and a cooling step for cooling the substrate with a cooling plate or the like. The heating temperature and heating time in the heating step and the cooling temperature and cooling time in the cooling step are appropriately adjusted according to the resist type.

また、必要に応じて、レジスト塗布工程の後に、基板周縁部に形成された補助パターンの形成されない領域の不要なレジスト膜を除去するレジスト不要膜除去工程を行っても良い。
レジスト不要膜除去工程で使用する不要膜除去装置としては、例えば、特開２００１−２５９５０２号公報に記載されているような、基板周縁部に形成されている不要な膜部分にレジスト膜が可溶な溶媒を供給して除去する方法が良い。特に、レジスト膜がポジ型のレジストである場合は、上記加熱乾燥処理工程の前或いは後に、基板周縁部に形成された不要な膜部分に露光処理を行い、露光領域と未露光領域との間で現像液による溶解速度差が得られるようにし、上記露光領域に選択的に現像液を供給することにより不要なレジスト膜を除去することも可能である。露光処理と現像処理による不要膜除去は、基板周縁部のレジスト膜が除去されて残ったレジスト膜の端部形状（除去端の肩部）に著しく厚膜な部分が形成されずに、除去部の端（除去部の側壁部）の肩部（上端部）は概ね垂直となり、また、除去部の側壁部はおおむね直角となり、縁だれ形状となる。また、レジスト膜が除去されている領域の辺全体における基板端から除去端までの除去幅バラツキも殆どなく直線状になるので好ましい。
以下、本発明のマスクブランクについて図３、４を用いて説明する。図３は基板周縁部のレジスト膜を除去しないマスクブランクを示す断面図、図４は基板周縁部の不要なレジスト膜を除去したマスクブランクを示す断面図である。 If necessary, a resist unnecessary film removing step for removing an unnecessary resist film in a region where the auxiliary pattern formed on the peripheral edge of the substrate is not formed may be performed after the resist coating step.
As an unnecessary film removing apparatus used in the resist unnecessary film removing step, for example, as described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-259502, a resist film is soluble in an unnecessary film portion formed on the peripheral edge of the substrate. A method of supplying and removing an appropriate solvent is preferable. In particular, when the resist film is a positive type resist, an unnecessary film portion formed on the peripheral edge of the substrate is subjected to an exposure process before or after the heat drying process step, so that an exposure area is not exposed to an unexposed area. Thus, it is possible to obtain a difference in dissolution rate due to the developer, and to remove an unnecessary resist film by selectively supplying the developer to the exposure region. Unnecessary film removal by exposure processing and development processing is performed by removing the resist film at the periphery of the substrate without removing a remarkably thick part in the end shape of the resist film (shoulder at the removal end). The shoulder (upper end portion) of the end (side wall portion of the removal portion) is substantially vertical, and the side wall portion of the removal portion is generally perpendicular and has a fringe shape. Further, it is preferable because there is almost no variation in the removal width from the substrate end to the removal end in the entire side of the region where the resist film is removed.
Hereinafter, the mask blank of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 3 is a cross-sectional view showing a mask blank without removing the resist film on the peripheral edge of the substrate, and FIG. 4 is a cross-sectional view showing the mask blank after removing an unnecessary resist film on the peripheral edge of the substrate.

図３、４に示すように本発明のマスクブランクは、四角形状の基板２上に、露光光に対し光学的変化をもたらして被転写体に転写すべく転写パターンとなる薄膜（例えば、遮光膜３）と、遮光膜３上にレジスト膜４が形成されている。
マスクブランクには、転写マスクにしたときに、基板主表面上の中心部の領域に、半導体基板等の被転写体に回路パターン（デバイスパターン）として転写される実パターンが形成される実パターン形成領域と、該実パターン形成領域の外側に、バーコード、品質保証パターン、アライメントマーク等の補助パターン形成領域がある。実パターン形成領域と、補助パターン形成領域は、マスクブランクの基板サイズや転写マスクの設計で異なるが、例えば、大きさが６インチ×６インチの場合、実パターン形成領域は、例えば、基板主表面上の中心部１３２ｍｍ×１３２ｍｍの領域、補助パターン形成領域は、１３２ｍｍ×１３２ｍｍの領域より外側から１５０ｍｍ×１５０ｍｍの領域で設定される。
そして本発明におけるマスクブランクは、バーコード、品質保証パターン、アライメントマークなどの補助パターンが形成される、前記基板中央部の実パターン形成領域の周辺部（外周部）にある補助パターン形成領域におけるレジスト膜の最大膜厚と前記平均膜厚との差が前記平均膜厚の１／２以下であることを特徴とする。
例えば、実パターン形成領域におけるレジスト膜の平均膜厚が３０００Åの場合、遮光膜表面から平均膜厚３０００Åを基準面として、バーコード、品質保証パターン、アライメントマークなどの補助パターンが形成される、前記基板中央部の実パターン形成領域の周辺部（外周部）にある補助パターン形成領域におけるレジスト膜の最大膜厚は、該基準面から１５００Å以下（遮光膜表面から４５００Å以下）に形成される。このようにすることで、転写マスク製造工程における露光・現像処理により形成される補助パターンのパターン不良を防止することができる。好ましくは補助パターン形成領域におけるレジスト膜の最大膜厚と基板中央部の実パターン形成領域の平均膜厚の差が、前記平均膜厚の１／５以下、さらに好ましくは１／１０以下とすることが望ましい。 As shown in FIGS. 3 and 4, the mask blank of the present invention is a thin film (for example, a light-shielding film) that forms a transfer pattern on the rectangular substrate 2 so as to cause an optical change with respect to the exposure light and transfer it to the transfer target. 3) and a resist film 4 is formed on the light shielding film 3.
On the mask blank, when a transfer mask is used, an actual pattern is formed in which a real pattern transferred as a circuit pattern (device pattern) is formed on a transferred object such as a semiconductor substrate in the central region on the main surface of the substrate There are auxiliary pattern formation regions such as barcodes, quality assurance patterns, alignment marks, and the like outside the region and the actual pattern formation region. The actual pattern formation region and the auxiliary pattern formation region differ depending on the substrate size of the mask blank and the design of the transfer mask. For example, when the size is 6 inches × 6 inches, the actual pattern formation region is, for example, the substrate main surface The upper central portion 132 mm × 132 mm region and auxiliary pattern formation region are set in a region 150 mm × 150 mm from the outside of the 132 mm × 132 mm region.
The mask blank according to the present invention is a resist in the auxiliary pattern forming region in the peripheral portion (outer peripheral portion) of the actual pattern forming region in the central portion of the substrate on which auxiliary patterns such as barcodes, quality assurance patterns, and alignment marks are formed. The difference between the maximum film thickness and the average film thickness is ½ or less of the average film thickness.
For example, when the average film thickness of the resist film in the actual pattern formation region is 3000 mm, auxiliary patterns such as barcodes, quality assurance patterns, alignment marks, etc. are formed from the light shielding film surface with the average film thickness of 3000 mm as the reference plane. The maximum film thickness of the resist film in the auxiliary pattern formation region in the periphery (outer periphery) of the actual pattern formation region in the center of the substrate is formed to be 1500 mm or less from the reference plane (4500 mm or less from the surface of the light shielding film). By doing in this way, the pattern defect of the auxiliary pattern formed by the exposure / development process in the transfer mask manufacturing process can be prevented. Preferably, the difference between the maximum film thickness of the resist film in the auxiliary pattern formation region and the average film thickness of the actual pattern formation region at the center of the substrate is 1/5 or less, more preferably 1/10 or less of the average film thickness. Is desirable.

図４に示すように、前記バーコード、品質保証パターン、アライメントマークが形成される補助パターン形成領域よりも外側に形成されている基板周縁部の不要なレジスト膜が溶媒等により除去されている方が、塵埃の発生防止の点で好ましい。さらに好ましくは、基板周縁部の不要なレジスト膜が除去されて残ったレジスト膜の端部形状が略直角又は縁だれ形状が好ましい。また、好ましくは、基板周縁部のレジスト膜が除去されている領域の辺全体における基板端から除去端までの除去幅の標準偏差が０．２ｍｍ以下とする方が、後工程での塵埃発生防止の点で好ましい。
本発明でいうマスクブランクは、透過型マスクブランク、反射型マスクブランクの何れも指し、これらの構造は、基板上に露光光に対し光学的変化をもたらして被転写体に転写すべく転写パターンとなる薄膜と、レジスト膜を有する。
透過型マスクブランクは、基板として透光性基板を使用する。露光光に対し光学的変化をもたらすとは、露光光を遮断する遮光膜や、露光光の位相を変化させる位相シフト膜（位相シフト膜には、遮光機能と位相シフト機能を有するハーフトーン膜を含む）などを指す。
従って、透過型マスクブランクは、遮光膜が形成されたフォトマスクブランク、位相シフト膜（ハーフトーン膜を含む）が形成された位相シフトマスクブランクなどを含む。
また、反射型マスクブランクは、基板として熱膨張係数の小さいものを使用し、この基板上に光反射多層膜、転写パターンとなる光吸収体膜とを有するマスクブランクである。この場合における露光光に対し光学的変化をもたらすとは、露光光を反射する多層反射膜と露光光を遮断する光吸収体膜などを指す。
また、本発明のマスクブランクには、上述の膜以外に、レジスト下地反射防止膜（ＢＡＲＣ：ＢｏｔｔｏｍＡｎｔｉ−ＲｅｆｌｅｃｔｉｖｅＣｏａｔｉｎｇ）、レジスト上層反射防止膜（ＴＡＲＬ：ＴｏｐＡｎｔｉ−ＲｅｆｌｅｃｔｉｖｅＬａｙｅｒ）、レジスト上層保護膜、導電性膜等の膜が形成されていても良い。
また、本発明におけるレジスト膜は、平均膜厚で５０００Å以下、好ましくは５００Å〜５０００Åの範囲で形成される。 As shown in FIG. 4, an unnecessary resist film formed on the outer periphery of the substrate formed outside the auxiliary pattern forming region where the bar code, quality assurance pattern, and alignment mark are formed is removed with a solvent or the like. Is preferable from the viewpoint of preventing the generation of dust. More preferably, the shape of the edge of the resist film remaining after the unnecessary resist film on the peripheral edge of the substrate is removed is preferably a substantially right angle or a fringe shape. In addition, it is preferable that the standard deviation of the removal width from the substrate edge to the removal edge in the entire side of the region where the resist film on the peripheral edge of the substrate is removed be 0.2 mm or less to prevent dust generation in the subsequent process. This is preferable.
The mask blank referred to in the present invention refers to both a transmissive mask blank and a reflective mask blank, and these structures have a transfer pattern on the substrate to cause an optical change with respect to the exposure light and to be transferred to a transfer object. And a resist film.
The transmissive mask blank uses a translucent substrate as the substrate. An optical change with respect to exposure light means that a light shielding film that blocks exposure light or a phase shift film that changes the phase of exposure light (a halftone film having a light shielding function and a phase shift function is included in the phase shift film). Including).
Accordingly, the transmissive mask blank includes a photomask blank on which a light shielding film is formed, a phase shift mask blank on which a phase shift film (including a halftone film) is formed, and the like.
The reflective mask blank is a mask blank having a low thermal expansion coefficient as a substrate, and having a light reflecting multilayer film and a light absorber film serving as a transfer pattern on the substrate. In this case, causing an optical change to the exposure light refers to a multilayer reflective film that reflects the exposure light, a light absorber film that blocks the exposure light, and the like.
In addition to the above-described films, the mask blank of the present invention includes a resist underlayer antireflection film (BARC), a resist upper layer antireflection film (TARL), and a resist upper layer protection film. A film such as a conductive film may be formed.
In addition, the resist film in the present invention is formed with an average film thickness of 5000 mm or less, preferably 500 to 5000 mm.

以下、第１の実施の形態における本発明のマスクブランクの製造方法を実施例により詳細に説明する。
＜実施例１、比較例１〜３＞
基板サイズが１５２．４ｍｍ×１５２．４ｍｍの合成石英ガラス基板上に、スパッタリング法によりクロム膜と酸化クロム膜を順次積層し、遮光膜と反射防止膜が形成された薄膜付きガラス基板を得た。
得られた薄膜付き基板に、上述の回転塗布装置を用いて、以下の塗布条件でレジスト液を回転塗布し、レジスト膜を形成した。尚、均一化工程と乾燥工程の両方で基板が回転している間、常時連続して強制排気を行い、基板の上面に沿って基板の中央側から外周方向に気流を発生させた場合を実施例１、均一化工程での強制排気を行わず、乾燥工程のみ基板が回転している間、強制排気を行い上記気流を発生させた場合を比較例１、均一化工程のみ強制排気を行い上記気流を発生させ、乾燥工程では強制排気をしなかった場合を比較例２、均一化工程及び乾燥工程で基板が回転している間、強制排気を行わず上記気流を発生させなかった場合を比較例３とした。また、乾燥工程は、均一化工程の後、それに続いて連続して行った。
レジスト：ポジ型化学増幅型レジストＦＥＰ１７１（富士フィルムアーチ社製）
溶剤：ＰＧＭＥＡとＰＧＭＥの混合溶剤
主回転数：１５００ｒｐｍ
主回転時間：２秒
乾燥回転数：２５０ｒｐｍ
レジスト平均膜厚：２０００Å
基板上面に当たる気流の速度：２ｍ／秒
その後、加熱乾燥装置及び冷却装置に基板を搬送し、所定の加熱乾燥処理を行ってレジスト膜付きフォトマスクブランクを作製した。
得られたフォトマスクブランクのレジスト膜について、レジスト膜の膜厚分布を測定した。その結果を、図５に示す。 Hereinafter, the manufacturing method of the mask blank of the present invention in the first embodiment will be described in detail by way of examples.
<Example 1, Comparative Examples 1-3>
A chromium film and a chromium oxide film were sequentially laminated on a synthetic quartz glass substrate having a substrate size of 152.4 mm × 152.4 mm by a sputtering method to obtain a glass substrate with a thin film on which a light shielding film and an antireflection film were formed.
A resist solution was spin-coated on the obtained thin film-coated substrate using the above-described spin coating apparatus under the following coating conditions to form a resist film. In addition, while the substrate is rotating in both the homogenization process and the drying process, forced exhaust is continuously performed continuously, and the case where an air flow is generated from the center side of the substrate to the outer peripheral direction along the upper surface of the substrate is performed. Example 1, when forced exhausting is not performed in the homogenizing process, and forced air is generated while the substrate is rotating only during the drying process, and the above air flow is generated. Comparative example 1, forced exhausting is performed only in the uniformizing process. Compared to the case where the air flow is generated and the forced exhaust is not performed in the drying process, Comparative Example 2, the case where the above air stream is not generated without performing the forced exhaust while the substrate is rotating in the homogenizing process and the drying process is compared. Example 3 was used. Moreover, the drying process was continuously performed after the homogenization process.
Resist: Positive chemically amplified resist FEP171 (Fuji Film Arch)
Solvent: Mixed solvent of PGMEA and PGME Main rotation speed: 1500rpm
Main rotation time: 2 seconds Drying rotation speed: 250 rpm
Average resist thickness: 2000 mm
Velocity of airflow hitting the upper surface of the substrate: 2 m / sec Thereafter, the substrate was transported to a heat drying device and a cooling device, and a predetermined heat drying treatment was performed to produce a photomask blank with a resist film.
About the resist film of the obtained photomask blank, the film thickness distribution of the resist film was measured. The result is shown in FIG.

尚、レジスト膜の膜厚分布は、基板中央のエリア１４０ｍｍ×１４０ｍｍ角エリア（実パターン形成領域）の全体に均等に配置した２９×２９＝８４１点で分光反射型膜厚計（ナノメトリックスジャパン社製：ＡＦＴ６１００Ｍ）を用いて膜厚測定した。尚、面内膜厚分布は、各測定点における膜厚データを求め、この膜厚データから「（膜厚の最大値）−（膜厚の最小値）＝（面内膜厚均一性）」とした。
図５に示すように、均一化工程及び乾燥工程において、基板が回転している間、常時強制排気を行い、基板の上面に沿って基板の中央側から外周方向に気流が流れるように気流を発生させることで、面内膜厚均一性は５２Åとなり、かつ基板の四隅に極端に膜厚が厚い領域は形成されていない。一方、均一化工程、乾燥工程の何れか一方、又は両方の工程において、強制排気を行わず、上記気流を発生させなかった場合は、基板の四隅に極端に膜厚が厚い領域が形成され、面内膜厚均一性も４００Åを超え悪化していることが判る。
尚、因みに、従来の実パターン形成領域（１１０ｍｍ×１１０ｍｍ）での面内膜厚均一性を図５に示した。従来の実パターン形成領域では、基板の四隅に形成されている極端に膜厚が厚い領域は形成されておらず、面内膜厚均一性は、それぞれ１６Å（実施例１）、２６Å（比較例１）、４１Å（比較例２）、３５Å（比較例３）と全て５０Å以下となり、何れの回転条件であっても良好な結果となっている。
よって、基板の面内膜厚均一性の有効エリアが拡大した状況において、所望の面内膜厚均一性（１００Å以下）にするためには、均一化工程及び乾燥工程において、基板が回転している間、常時連続して強制排気を行い、基板の上面に沿って基板の中央側から外周方向に気流が流れるように気流を発生させなければならないことが言える。 The film thickness distribution of the resist film is a spectral reflection type film thickness meter (Nanometrics Japan Co., Ltd.) with 29 × 29 = 841 points arranged uniformly over the entire 140 mm × 140 mm square area (actual pattern formation region) in the center of the substrate. The film thickness was measured using AFT6100M. For the in-plane film thickness distribution, film thickness data at each measurement point is obtained, and from this film thickness data, “(maximum value of film thickness) − (minimum value of film thickness) = (in-plane film thickness uniformity)”. It was.
As shown in FIG. 5, in the homogenization process and the drying process, forced exhaust is always performed while the substrate is rotating, and the air current is flown from the center side of the substrate toward the outer periphery along the upper surface of the substrate. When generated, the in-plane film thickness uniformity is 52 mm, and no extremely thick regions are formed at the four corners of the substrate. On the other hand, in one or both of the homogenization process and the drying process, if forced air exhaust is not performed and the above airflow is not generated, extremely thick regions are formed at the four corners of the substrate, It can be seen that the in-plane film thickness uniformity has also deteriorated by exceeding 400 mm.
Incidentally, the in-plane film thickness uniformity in the conventional actual pattern formation region (110 mm × 110 mm) is shown in FIG. In the conventional actual pattern formation region, the extremely thick regions formed at the four corners of the substrate are not formed, and the in-plane film thickness uniformity is 16 mm (Example 1) and 26 mm (Comparative Example), respectively. 1), 41 Å (Comparative Example 2), and 35 Å (Comparative Example 3) are all 50 Å or less, and good results are obtained under any rotation conditions.
Therefore, in the situation where the effective area of the in-plane film thickness uniformity of the substrate is expanded, in order to obtain a desired in-plane film thickness uniformity (100 mm or less), the substrate rotates in the homogenization process and the drying process. It can be said that the forced exhaust is continuously performed while the air is flowing, and the airflow must be generated so that the airflow flows from the center side of the substrate toward the outer periphery along the upper surface of the substrate.

以下、第２、第３及び第４の実施の形態における本発明のマスクブランクの製造方法を実施例により詳細に説明する。
＜実施例２＞
基板サイズが１５２．４ｍｍ×１５２．４ｍｍの合成石英ガラス基板上に、スパッタリング法によりクロム膜と酸化クロム膜を順次積層し、遮光膜と反射防止膜が形成された薄膜付きガラス基板を得た。
得られた薄膜付き基板に、上述の回転塗布装置を用いて、以下の塗布条件でレジスト液を回転塗布し、レジスト膜を形成した。
レジスト：ポジ型化学増幅型レジストＦＥＰ１７１（富士フィルムアーチ社製）
溶剤：ＰＧＭＥＡとＰＧＭＥの混合溶剤
レジスト液の粘度：３ｍＰａ・ｓ
主回転数：１５００ｒｐｍ
主回転時間：２秒
乾燥回転数：２５０ｒｐｍ
乾燥回転時間：２０秒
レジスト平均膜厚：４０００Å
基板上面に当たる気流の速度：２ｍ／秒
尚、排気は、均一化工程と乾燥工程が行われている基板が回転している間、常時連続して行った。
その後、加熱乾燥装置及び冷却装置に基板を搬送し、所定の加熱乾燥処理を行ってレジスト膜付きフォトマスクブランクを作製した。 Hereinafter, the manufacturing method of the mask blank of this invention in 2nd, 3rd and 4th embodiment is demonstrated in detail by an Example.
<Example 2>
A chromium film and a chromium oxide film were sequentially laminated on a synthetic quartz glass substrate having a substrate size of 152.4 mm × 152.4 mm by a sputtering method to obtain a glass substrate with a thin film on which a light shielding film and an antireflection film were formed.
A resist solution was spin-coated on the obtained thin film-coated substrate using the above-described spin coating apparatus under the following coating conditions to form a resist film.
Resist: Positive chemically amplified resist FEP171 (Fuji Film Arch)
Solvent: Mixed solvent of PGMEA and PGME Resist viscosity: 3 mPa · s
Main rotation speed: 1500rpm
Main rotation time: 2 seconds Drying rotation speed: 250 rpm
Drying rotation time: 20 seconds Resist average film thickness: 4000 mm
Velocity of airflow hitting the upper surface of the substrate: 2 m / sec. Exhaust was continuously performed continuously while the substrate on which the homogenization step and the drying step were performed was rotating.
Then, the board | substrate was conveyed to the heat drying apparatus and the cooling device, the predetermined heat drying process was performed, and the photomask blank with a resist film was produced.

得られたフォトマスクブランクのレジスト膜について、レジスト膜の面内膜厚均一性を測定した。
その結果、面内膜厚均一性は３５Åであった。尚、レジスト膜の面内膜厚均一性は、基板中央の保証エリア１３２ｍｍ×１３２ｍｍ（実パターン形成領域）内の全体に均等に配置した（１１×１１＝１２１点）で分光反射型膜厚計（ナノメトリックスジャパン社製：ＡＦＴ６１００Ｍ）を用いて膜厚測定し、面内膜厚分布（各測定点における膜厚データ）を求め、この面内膜厚分布データから「（膜厚の最大値）−（膜厚の最小値）＝（面内膜厚均一性）」とした。
また、実パターン形成領域より外側に形成されているレジスト膜厚（補助パターン形成領域）をさらに０．１ｍｍピッチで分光反射型膜厚計にて測定したところ、最大膜厚は４３８０Åであり、補助パターン形成領域におけるレジスト膜の最大膜厚と平均膜厚との差が３８０Åで、平均膜厚の約１／１０であった。 About the resist film of the obtained photomask blank, the in-plane film thickness uniformity of the resist film was measured.
As a result, the in-plane film thickness uniformity was 35 mm. The in-plane film thickness uniformity of the resist film is uniformly arranged (11 × 11 = 121 points) in the entire guarantee area 132 mm × 132 mm (actual pattern formation region) in the center of the substrate. (Nanometrics Japan Co., Ltd .: AFT6100M) is used to measure the film thickness to determine the in-plane film thickness distribution (film thickness data at each measurement point). − (Minimum value of film thickness) = (In-plane film thickness uniformity) ”.
Further, when the resist film thickness (auxiliary pattern formation region) formed outside the actual pattern formation region was further measured with a spectral reflection type film thickness meter at a pitch of 0.1 mm, the maximum film thickness was 4380 mm. The difference between the maximum film thickness and the average film thickness of the resist film in the pattern formation region was 380 mm, which was about 1/10 of the average film thickness.

＜実施例３〜７、比較例４〜５＞
上述の実施例１において、主回転数、主回転時間は固定にして、乾燥回転数を５０〜５００ｒｐｍの範囲で変化させて、面内膜厚均一性を評価したところ、乾燥回転数が２５０ｒｐｍのときに最も良好な面内膜厚均一性が得られた。乾燥回転時間は適宜調整して行った。（表１）
また、乾燥回転数が５０ｒｐｍ、５００ｒｐｍの場合、レジスト膜の面内膜厚均一性は１００Åを超え悪化した。乾燥回転数が５０ｒｐｍの場合、乾燥工程においてレジスト膜が完全に乾燥するまでに時間を要し（乾燥回転時間を長く要し）、基板外周部に溜まったレジスト液が基板の中心方向に引き戻されつつ乾燥されるので、レジスト膜の厚膜領域が拡大して、レジスト膜の膜厚分布が悪化し、面内均一性が１００Åを超えたと考えられる。また、乾燥回転数が５００ｒｐｍの場合、乾燥工程において、基板四隅ではレジスト液の液溜まりが基板中央側に戻りきることなく乾燥し、基板面内（保証エリア内）の四隅のレジスト膜厚が基板中央部に比べて極端に厚くなり、結果として、レジスト膜の膜厚分布が悪化し、面内均一性が１００Åを超えたと考えられる。 <Examples 3-7, Comparative Examples 4-5>
In Example 1 described above, when the main rotation speed and the main rotation time were fixed and the drying rotation speed was changed in the range of 50 to 500 rpm, and the in-plane film thickness uniformity was evaluated, the drying rotation speed was 250 rpm. Sometimes the best in-plane film thickness uniformity was obtained. The drying rotation time was appropriately adjusted. (Table 1)
In addition, when the drying rotation speed was 50 rpm or 500 rpm, the in-plane film thickness uniformity of the resist film deteriorated by exceeding 100 mm. When the drying rotation speed is 50 rpm, it takes time until the resist film is completely dried in the drying process (long drying rotation time is required), and the resist solution accumulated on the outer periphery of the substrate is drawn back toward the center of the substrate. It is considered that the thick film region of the resist film is enlarged, the film thickness distribution of the resist film is deteriorated, and the in-plane uniformity exceeds 100 mm. In addition, when the drying speed is 500 rpm, in the drying process, the resist solution pool is dried without returning to the center side of the substrate at the four corners of the substrate, and the resist film thickness at the four corners in the substrate surface (in the guarantee area) is the substrate. It is considered that the thickness of the resist film is deteriorated and the in-plane uniformity exceeds 100 mm as a result.

上述のように、面内膜厚均一性１００Å以下とするためには、乾燥回転数は、１００〜４５０ｒｐｍ、さらに、面内膜厚均一性５０Å以下とするためには、乾燥回転数は、１５０〜３００ｒｐｍでなければならないことが判った。

As described above, in order to set the in-plane film thickness uniformity to 100 mm or less, the drying rotation speed is 100 to 450 rpm, and in order to set the in-plane film thickness uniformity to 50 mm or less, the drying rotation speed is 150 mm. It was found that it should be ~ 300 rpm.

＜実施例８〜１１、比較例６〜９＞
次に、乾燥回転数を面内膜厚均一性が最も良い結果となった２５０ｒｐｍに固定し、均一化工程における主回転数、主回転時間を以下のようにした以外は実施例２と同様にしてレジスト膜付きフォトマスクブランクを作製した。得られたレジスト膜の面内膜厚均一性は以下の通りになった。（表２） <Examples 8 to 11 and Comparative Examples 6 to 9>
Next, the drying rotation speed was fixed at 250 rpm where the in-plane film thickness uniformity was the best, and the main rotation speed and the main rotation time in the homogenization step were as follows. Thus, a photomask blank with a resist film was produced. The in-plane film thickness uniformity of the obtained resist film was as follows. (Table 2)

以上の結果から、上述のポジ型化学増幅型レジストＦＥＰ１７１（富士フィルムアーチ社製）において、拡大された保証エリア内（１３２ｍｍ×１３２ｍｍ）で面内膜厚均一性１００Å以下を維持するためには、主回転数を１２００〜１９００ｒｐｍ、主回転時間を１〜５秒、乾燥回転数を１００〜４５０ｒｐｍとし、さらに面内膜厚均一性５０Å以下を維持するためには、主回転数を１４００〜１７５０ｒｐｍ、主回転時間を１．５〜２．５秒、乾燥回転数を１５０〜３００ｒｐｍとすれば良いことが判った。

From the above results, in order to maintain the in-plane film thickness uniformity of 100 mm or less in the expanded guaranteed area (132 mm × 132 mm) in the above-described positive chemically amplified resist FEP171 (manufactured by Fuji Film Arch), In order to maintain a main rotation speed of 1200 to 1900 rpm, a main rotation time of 1 to 5 seconds, a drying rotation speed of 100 to 450 rpm, and to maintain an in-plane film thickness uniformity of 50 mm or less, the main rotation speed is 1400 to 1750 rpm, It has been found that the main rotation time may be 1.5 to 2.5 seconds and the drying rotation speed may be 150 to 300 rpm.

＜実施例１２＞
次ぎに、レジストをポジ型化学増幅型レジストＯＥＢＲ−ＣＡＰ２０９（東京応化工業社製）にし、以下の条件にてレジスト膜付きフォトマスクブランクを作製した。
溶剤：ＥＬ
レジスト液の粘度：３．８ｍＰａ・ｓ
主回転数：１２５０ｒｐｍ
主回転時間：１０秒
乾燥回転数：３００ｒｐｍ
乾燥回転時間：６０秒
レジスト平均膜厚：３５００Å
基板上面に当たる気流の速度：２ｍ／秒
面内膜厚均一性：９６Å
尚、排気は、均一化工程と乾燥工程が行われている基板が回転している間、常時連続して行った。
＜実施例１３＞
次ぎに、レジストをポジ型化学増幅型レジストＮＥＢ２２（住友化学工業社製）にし、以下の条件にてレジスト膜付きフォトマスクブランクを作製した。
溶剤：ＰＧＭＥＡ
レジスト液の粘度：１．８ｍＰａ・ｓ
主回転数：８５０ｒｐｍ
主回転時間：４秒
乾燥回転数：３００ｒｐｍ
乾燥回転時間：６０秒
レジスト平均膜厚：４０００Å
基板上面に当たる気流の速度：３ｍ／秒
面内膜厚均一性：９１Å
尚、排気は、均一化工程と乾燥工程が行われている基板が回転している間、常時連続して行った。 <Example 12>
Next, a positive chemically amplified resist OEBR-CAP209 (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) was used as a resist, and a photomask blank with a resist film was produced under the following conditions.
Solvent: EL
Resist solution viscosity: 3.8 mPa · s
Main rotation speed: 1250 rpm
Main rotation time: 10 seconds Drying rotation speed: 300 rpm
Drying rotation time: 60 seconds Resist average film thickness: 3500 mm
Airflow velocity hitting the top surface of the substrate: 2 m / sec In-plane film thickness uniformity: 96 mm
Exhaust was continuously performed continuously while the substrate on which the homogenization process and the drying process were performed was rotating.
<Example 13>
Next, the resist was changed to a positive chemically amplified resist NEB22 (manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.), and a photomask blank with a resist film was produced under the following conditions.
Solvent: PGMEA
Resist solution viscosity: 1.8 mPa · s
Main rotation speed: 850rpm
Main rotation time: 4 seconds Drying rotation speed: 300 rpm
Drying rotation time: 60 seconds Resist average film thickness: 4000 mm
Air velocity hitting the top surface of the substrate: 3 m / sec In-plane film thickness uniformity: 91 mm
Exhaust was continuously performed continuously while the substrate on which the homogenization process and the drying process were performed was rotating.

＜実施例１４＞
次ぎに、レジストをポジ型ノボラック系レジストＴＨＭＲ−ｉＰ３６００（東京応化工業社製）にし、以下の条件にてレジスト膜付きフォトマスクブランクを作製した。
溶剤：ＭＡＫ
レジスト液の粘度：２．１ｍＰａ・ｓ
主回転数：１２００ｒｐｍ
主回転時間：３秒
乾燥回転数：２５０ｒｐｍ
乾燥回転時間：３０秒
レジスト平均膜厚：５５００Å
基板上面に当たる気流の速度：０．８ｍ／秒
面内膜厚均一性：９３Å
尚、排気は、均一化工程と乾燥工程が行われている基板が回転している間、常時連続して行った。
以上、上述の実施例２〜１４までの結果から、レジスト液が、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、メチルイソアミルケトン（ＭＡＫ）、乳酸メチル（ＥＬ）のうちの何れかを溶剤とし、又は何れかを主成分とする溶剤を含むレジスト液及び／又はレジスト液の粘度が１〜１０ｍＰａ・ｓであって、均一化工程における主回転数を８５０〜２０００ｒｐｍ、主回転時間を１〜１０秒、乾燥工程における乾燥回転数を１００〜４５０ｒｐｍとすることにより、レジスト膜の面内膜厚均一性の保証エリアが１３２ｍｍ×１３２ｍｍに拡大されても、所望のレジスト膜の面内膜厚均一性（１００Å以下）を維持することができることが判った。 <Example 14>
Next, a resist was used as a positive novolak resist THMR-iP3600 (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.), and a photomask blank with a resist film was produced under the following conditions.
Solvent: MAK
Resist solution viscosity: 2.1 mPa · s
Main rotation speed: 1200rpm
Main rotation time: 3 seconds Drying rotation speed: 250 rpm
Drying rotation time: 30 seconds Resist average film thickness: 5500 mm
Airflow velocity hitting the upper surface of the substrate: 0.8 m / sec In-plane film thickness uniformity: 93 mm
Exhaust was continuously performed continuously while the substrate on which the homogenization process and the drying process were performed was rotating.
As described above, from the results of Examples 2 to 14 above, the resist solution is selected from propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), propylene glycol monomethyl ether (PGME), methyl isoamyl ketone (MAK), and methyl lactate (EL). The viscosity of the resist solution and / or the resist solution containing either or the solvent as a main component is 1 to 10 mPa · s, and the main rotation speed in the homogenization step is 850 to 2000 rpm, the main rotation Even if the guaranteed area of the in-plane film thickness uniformity of the resist film is expanded to 132 mm × 132 mm by setting the time to 1 to 10 seconds and the drying rotation speed in the drying process to 100 to 450 rpm, the surface of the desired resist film It was found that the inner film thickness uniformity (100 mm or less) can be maintained.

＜実施例１５＞
実施例２において、レジスト回転塗布後加熱乾燥前のレジスト膜に対し、以下に示す不要膜除去工程を行い、補助パターン形成領域より外側の基板周縁部に形成されたレジスト膜を除去した。
まず、焦点距離１０ｍｍの集光レンズを先端に装着した石英ファイバー製ライトガイド（１０ｍｍφ）を備えた水銀ランプ（ＨＯＹＡ−ＳＨＯＴＴ社製ＵＬ５００Ｌ）を露光光源とし、焦点部に３ｍｍ×３ｍｍの正方形の開口部を持つステンシルマスクを取りつけ、当該ステンシルマスク（露光窓）のうち約１．５ｍｍが基板端から基板中心方向に重なるように、かつ、上記基板の上面３ｍｍの位置に設置した。次いで、上記露光光源を点灯すると同時に、走査手段によって基板周縁部の辺に沿って毎秒約１０ｍｍの速度で上記露光窓を移動させた。一辺１５２ｍｍの露光を終了した後、基板を９０度回転させて次ぎの辺を露光し、同様に基板の四辺全てを露光して、基板周縁部の不要なレジスト膜を露光処理した。
次ぎに、特開２０００−２５９５０２号公報に記載の装置を用いて、上記の選択的に露光された部位に選択的に現像液が供給されるよう適宜調整して、基板を５００ｒｐｍに回転させながら、標準現像液２．３８％ＴＭＡＨ（東京応化工業社製ＮＭＤ−３）を用い、流量毎分１００ｃｃで３０秒間処理を行った。その後直ちに現像液に変えて超純水を供給し、現像除去処理部をリンスし、次いで、基板を２０００ｒｐｍで回転させて回転乾燥を行い、基板周縁部の不要なレジスト膜の除去処理を終えた。
最後に、上記処理を終えた基板を１５０℃に設定したホットプレート（プロキシミティーギャップ：０．２ｍｍ）を用いて１０分間、レジスト膜の加熱乾燥処理を行ってマスクブランクを作製した。 <Example 15>
In Example 2, the following unnecessary film removal process was performed on the resist film after spin-coating and before heating and drying, and the resist film formed on the peripheral edge of the substrate outside the auxiliary pattern formation region was removed.
First, a mercury lamp (UL500L manufactured by HOYA-SHOTTT) equipped with a quartz fiber light guide (10 mmφ) with a condenser lens with a focal length of 10 mm attached to the tip is used as an exposure light source, and a 3 mm × 3 mm square opening is formed at the focal point. A stencil mask having a portion was attached, and the stencil mask (exposure window) was installed at a position of 3 mm above the substrate so that about 1.5 mm overlapped from the substrate end toward the substrate center. Subsequently, the exposure light source was turned on, and at the same time, the exposure window was moved at a speed of about 10 mm per second along the edge of the substrate by the scanning means. After the exposure of 152 mm on one side was completed, the substrate was rotated 90 degrees to expose the next side. Similarly, all four sides of the substrate were exposed, and an unnecessary resist film on the peripheral edge of the substrate was exposed.
Next, using the apparatus described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-259502, while appropriately adjusting so that the developer is selectively supplied to the selectively exposed portion, while rotating the substrate to 500 rpm Using a standard developer 2.38% TMAH (NMD-3 manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.), processing was performed at a flow rate of 100 cc / min for 30 seconds. Immediately after that, ultrapure water was supplied in place of the developer, the development removal processing section was rinsed, and then the substrate was rotated at 2000 rpm to perform rotational drying, and the unnecessary resist film removal processing on the peripheral edge of the substrate was completed. .
Finally, a resist blank was heat-dried for 10 minutes using a hot plate (proximity gap: 0.2 mm) set at 150 ° C. for the substrate after the above-described treatment, thereby producing a mask blank.

基板周縁部のレジスト膜を除去した部位（除去端）の断面を触針式段差（膜厚）測定機で計測した結果、除去端部の著しい盛りあがりはまったく認められず、除去部の側壁部は概ね垂直であり、端部形状は縁だれ形状となっていた。
また、基板周縁部のレジスト膜を除去した部位の除去幅（基板端から除去端までの距離）を各辺の全体に渡って測定した。測定には、レジスト膜厚計（ナノメトリックスジャパン社製ＡＦＴ６１００Ｍ）を用い、基板の一辺について１０ｍｍ間隔で除去幅を測定し、その標準偏差を求めた。その結果、０．１ｍｍと良好であった。
この得られたマスクブランクを使って転写マスクを作製したが、実施例２に記載しているように、補助パターン形成領域におけるレジスト膜の最大膜厚と平均膜厚との差が、平均膜厚の約１／１０であったので、バーコード、品質保証パターン、アライメントマーク等の補助パターンのパターン不良や、基板周縁部の不要なレジスト膜の剥離・脱落による塵埃を原因とするパターン欠陥等もない転写マスクが得られた。 As a result of measuring the cross section of the substrate peripheral portion where the resist film was removed (removal end) with a stylus type step (film thickness) measuring machine, no significant rise of the removal end was observed, and the side wall of the removal portion was It was almost vertical and the end shape was a fringe shape.
Further, the removal width (distance from the substrate edge to the removal edge) of the portion where the resist film was removed from the peripheral edge of the substrate was measured over the entire side. For the measurement, a resist film thickness meter (AFT6100M manufactured by Nanometrics Japan) was used, the removal width was measured at intervals of 10 mm for one side of the substrate, and the standard deviation was obtained. As a result, it was as good as 0.1 mm.
A transfer mask was produced using the obtained mask blank. As described in Example 2, the difference between the maximum film thickness and the average film thickness of the resist film in the auxiliary pattern formation region was the average film thickness. As a result, pattern defects such as barcodes, quality assurance patterns, auxiliary pattern patterns such as alignment marks, and dust caused by peeling and dropping of unnecessary resist films on the periphery of the substrate are also present. No transfer mask was obtained.

＜参考例＞
実施例２において、レジスト回転塗布後加熱乾燥前のレジスト膜に対し、特開２０００−２５９５０２号公報に記載の装置を用い、補助パターン形成領域より外側の基板外周部に形成されたレジスト膜をアセトンにより除去した。その後、実施例１３と同様に１５０℃に設定したホットプレート（プロキシミティーギャップ：０．２ｍｍ）を用いて１０分間、塗布後ベーク処理を行ってマスクブランクを作製した。
基板周縁部のレジスト膜を除去した部位（除去端）の断面を触針式段差（膜厚）測定機で計測した結果、除去端部に高さ約１．５μｍの著しく厚膜な部分が形成されていた。
また、基板周縁部のレジスト膜を除去した部位の除去幅（基板端から除去端までの距離）を各辺の全体に渡って測定した。測定には、レジスト膜厚計（ナノメトリックスジャパン社製ＡＦＴ６１００Ｍ）を用い、基板の一辺について１０ｍｍ間隔で除去幅を測定し、その標準偏差を求めた。その結果、０．２４ｍｍと悪化した。
この得られたマスクブランクを使って転写マスクを作製したところ、除去端部の厚膜領域にかかったアライメントマークのパターン不良（解像不良）が確認され、また、除去端部から発生したと思われる塵埃によるパターン不良が一部確認された。
以下、第５及び第６の実施の形態における本発明のマスクブランクの製造方法を実施例により詳細に説明する。 <Reference example>
In Example 2, the resist film formed on the outer peripheral portion of the substrate outside the auxiliary pattern formation region is made of acetone using the apparatus described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-259502 for the resist film after spin coating and before heating and drying. Removed. Thereafter, using a hot plate (proximity gap: 0.2 mm) set at 150 ° C. in the same manner as in Example 13, baking was performed after application for 10 minutes to prepare a mask blank.
As a result of measuring the cross section of the substrate peripheral portion where the resist film was removed (removal edge) with a stylus type step (film thickness) measuring machine, a remarkably thick film portion with a height of about 1.5 μm was formed at the removal edge. It had been.
Further, the removal width (distance from the substrate edge to the removal edge) of the portion where the resist film was removed from the peripheral edge of the substrate was measured over the entire side. For the measurement, a resist film thickness meter (AFT6100M manufactured by Nanometrics Japan) was used, the removal width was measured at intervals of 10 mm for one side of the substrate, and the standard deviation was obtained. As a result, it deteriorated to 0.24 mm.
When a transfer mask was produced using the obtained mask blank, a pattern defect (resolution defect) of the alignment mark over the thick film region at the removal end was confirmed, and it was thought that it occurred at the removal end. Some pattern defects due to dust were observed.
Hereinafter, the mask blank manufacturing method of the present invention in the fifth and sixth embodiments will be described in detail by way of examples.

＜実施例１６〜２３、比較例１０〜１３＞
基板サイズが１５２．４ｍｍ×１５２．４ｍｍの合成石英ガラス基板上に、スパッタリング法によりクロム膜と酸化窒化クロム膜を順次積層し、遮光膜と反射防止膜が形成された薄膜付きガラス基板を得た。
得られた薄膜付き基板に、上述の回転塗布装置を用いて、以下の塗布条件でレジスト液を回転塗布し、レジスト膜を形成した。
レジスト：ポジ型高分子量型レジストＺＥＰ７０００（日本ゼオン社製）
溶剤：ＤＩＧＬＹＭＥ
レジスト液の粘度：１７ｍＰａ・ｓ
レジスト平均膜厚：３０００Å
基板上面に当たる気流の速度：３ｍ／秒
尚、排気は、均一化工程と乾燥工程が行われている基板が回転している間、常時連続して行った。また、乾燥回転時間は、レジスト膜が完全に乾燥するまで（それ以上乾燥回転を続けてもレジスト塗布膜厚が減少しなくなるまで）回転させた。
得られたレジスト膜の面内膜厚均一性は以下の通りになった。（表３） <Examples 16 to 23, Comparative Examples 10 to 13>
A chromium film and a chromium oxynitride film were sequentially laminated on a synthetic quartz glass substrate having a substrate size of 152.4 mm × 152.4 mm by a sputtering method to obtain a glass substrate with a thin film in which a light shielding film and an antireflection film were formed. .
A resist solution was spin-coated on the obtained thin film-coated substrate using the above-described spin coating apparatus under the following coating conditions to form a resist film.
Resist: Positive high molecular weight resist ZEP7000 (manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd.)
Solvent: DIGLYME
Resist solution viscosity: 17 mPa · s
Average resist film thickness: 3000 mm
Velocity of airflow hitting the upper surface of the substrate: 3 m / sec Note that exhaust was continuously performed while the substrate on which the homogenization step and the drying step were performed was rotating. The drying rotation time was rotated until the resist film was completely dried (until the resist coating film thickness did not decrease even if drying rotation was continued further).
The in-plane film thickness uniformity of the obtained resist film was as follows. (Table 3)

＜実施例２４＞
次ぎに、レジストをポジ型高分子量型レジストＰＢＳ（ポリブテン−１−スルホン）（チッソ社製）にし、以下の条件にてレジスト膜付きフォトマスクブランクを作製した。
溶剤：ＭＣＡ
主回転数：１１００ｒｐｍ
主回転時間：１５秒
乾燥回転数：３００ｒｐｍ
乾燥回転時間：１００秒
レジスト平均膜厚：４０００Å
基板上面に当たる気流の速度：３ｍ／秒
面内膜厚均一性：９１Å
尚、排気は、均一化工程と乾燥工程が行われている基板が回転している間、常時連続して行った。
尚、実施例に示さないが、溶剤をアニソール、シクロヘキサノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートとしたレジスト液についても上述と同様の結果が得られた。
以上の結果から、レジスト液が、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＩＧＬＹＭＥ）、アニソール（ＡＮＩＳＯＬＥ）、メチルセルソルブアセテート（ＭＣＡ）、シクロヘキサノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）のうちの何れかを溶剤とし、又は何れかを主成分とする溶剤を含むレジスト液及び／又はレジスト液の粘度が１０ｍＰａ・ｓ超５０ｍＰａ・ｓ以下であって、拡大された保証エリア内（１３２ｍｍ×１３２ｍｍ）で面内膜厚均一性１００Å以下を維持するためには、主回転数を８５０〜２０００ｒｐｍ、主回転時間を２〜１５秒、乾燥回転数を５０〜４５０ｒｐｍとし、さらに面内膜厚均一性を５０Å以下とするためには、主回転数を１０００〜１７００ｒｐｍ、主回転時間を５〜１３秒、乾燥回転数を１５０〜３００ｒｐｍとすれば良いことが判った。 <Example 24>
Next, a positive high molecular weight type resist PBS (polybutene-1-sulfone) (manufactured by Chisso Corporation) was used as a resist, and a photomask blank with a resist film was produced under the following conditions.
Solvent: MCA
Main rotation speed: 1100rpm
Main rotation time: 15 seconds Drying rotation speed: 300 rpm
Drying rotation time: 100 seconds Resist average film thickness: 4000 mm
Air velocity hitting the top surface of the substrate: 3 m / sec In-plane film thickness uniformity: 91 mm
Exhaust was continuously performed continuously while the substrate on which the homogenization process and the drying process were performed was rotating.
Although not shown in the examples, the same results as described above were obtained for resist solutions in which the solvent was anisole, cyclohexanone, or propylene glycol monomethyl ether acetate.
From the above results, the resist solution is any one of diethylene glycol dimethyl ether (DIGLYME), anisole (ANISOLE), methyl cellosolve acetate (MCA), cyclohexanone, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), or either The viscosity of the resist solution and / or the resist solution containing a solvent containing as a main component is more than 10 mPa · s and not more than 50 mPa · s, and the in-plane film thickness uniformity is 100 mm or less within the expanded guaranteed area (132 mm × 132 mm). In order to maintain a main rotation speed of 850 to 2000 rpm, a main rotation time of 2 to 15 seconds, a drying rotation speed of 50 to 450 rpm, and an in-plane film thickness uniformity of 50 mm or less, Rotation speed is 1000-1700rpm, main rotation time is 5 3 seconds, the drying rotational speed was found that may be set to 150～300Rpm.

レジスト塗布工程に使用する回転塗布装置の構造図である。It is a block diagram of the spin coater used for a resist coating process. レジスト塗布工程における回転時間と回転数の関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the rotation time in a resist application | coating process, and rotation speed. 基板周縁部のレジスト膜を除去しないマスクブランクを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the mask blank which does not remove the resist film of a board | substrate peripheral part. 基板周縁部の不要なレジスト膜を除去したマスクブランクを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the mask blank which removed the unnecessary resist film of a board | substrate peripheral part. 実施例１及び比較例１乃至３で得られたマスクブランクのレジスト膜の膜厚分布を測定した結果を示す図である。It is a figure which shows the result of having measured the film thickness distribution of the resist film of the mask blank obtained in Example 1 and Comparative Examples 1 thru | or 3.

符号の説明Explanation of symbols

１回転塗布装置
２基板
３遮光膜
４レジスト膜
１１薄膜付き基板
１３レジスト液
１８排気手段
１９気流 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Spin coating apparatus 2 Substrate 3 Light-shielding film 4 Resist film 11 Substrate with thin film 13 Resist liquid 18 Exhaust means 19 Airflow

Claims

基板サイズが６インチ×６インチである四角形状の基板上に、レジスト材料及び溶剤を含むレジスト液を滴下し、前記基板を回転させ、滴下されたレジスト液を前記基板上に広げるとともに、前記基板上のレジスト液を乾燥させて、前記基板上に前記レジスト材料からなるレジスト塗布膜を形成する工程を有するマスクブランクの製造方法であって、
前記レジスト塗布膜を形成する工程において前記基板が回転している間、前記基板の上面に沿って基板の中央側から外周方向に気流を発生させ、基板の回転により基板周縁部に形成されるレジスト液の液溜まりが、基板中央方向へ移動するのを抑制し、
前記レジスト液を塗布する際のレジスト液の粘度が１０ｍＰａ・Ｓ以下であり、
前記レジスト塗布膜を形成する工程における基板の回転を途中で変更し、その前段と後段とで基板の回転を異ならしめ、
前記前段の基板回転数を８５０〜２０００ｒｐｍ、前記前段の基板回転時間を１〜１０秒、前記後段の基板回転数を１００〜４５０ｒｐｍとし、
前記レジスト塗布膜における基板中央の実パターンが形成される１３２ｍｍ×１３２ｍｍ領域におけるレジスト塗布膜の膜厚均一性を１００Å以下とし、
前記１３２ｍｍ×１３２ｍｍ領域の周辺部にある補助パターン形成領域におけるレジスト塗布膜の最大膜厚と、前記１３２ｍｍ×１３２ｍｍ領域におけるレジスト塗布膜の平均膜厚との差を、該平均膜厚の１／２以下となるように制御することを特徴とするマスクブランクの製造方法。 A resist solution containing a resist material and a solvent is dropped on a rectangular substrate having a substrate size of 6 inches × 6 inches, the substrate is rotated, the dropped resist solution is spread on the substrate, and the substrate A method for producing a mask blank, comprising: drying the resist solution on the substrate and forming a resist coating film made of the resist material on the substrate,
While the substrate is rotating in the step of forming the resist coating film, an air flow is generated from the center side of the substrate along the upper surface of the substrate in the outer peripheral direction, and the resist formed on the peripheral edge of the substrate by the rotation of the substrate Suppresses the liquid pool from moving toward the center of the substrate,
The viscosity of the resist solution when applying the resist solution is 10 mPa · S or less,
The rotation of the substrate in the process of forming the resist coating film is changed in the middle, and the rotation of the substrate is made different between the former stage and the latter stage,
The front substrate rotation speed is 850 to 2000 rpm, the front substrate rotation time is 1 to 10 seconds, the rear substrate rotation speed is 100 to 450 rpm,
The film thickness uniformity of the resist coating film in the 132 mm × 132 mm region where the actual pattern at the center of the substrate in the resist coating film is formed is 100 mm or less,
The difference between the maximum film thickness of the resist coating film in the auxiliary pattern forming region in the periphery of the 132 mm × 132 mm region and the average film thickness of the resist coating film in the 132 mm × 132 mm region is ½ of the average film thickness. The manufacturing method of the mask blank characterized by controlling so that it may become the following.

基板サイズが６インチ×６インチである四角形状の基板上に、レジスト材料及び溶剤を含むレジスト液を滴下し、前記基板を回転させ、滴下されたレジスト液を前記基板上に広げるとともに、前記基板上のレジスト液を乾燥させて、前記基板上に前記レジスト材料からなるレジスト塗布膜を形成する工程を有するマスクブランクの製造方法であって、
前記レジスト塗布膜を形成する工程において前記基板が回転している間、前記基板の上面に沿って基板の中央側から外周方向に気流を発生させるとともに、
前記レジスト塗布膜を形成する工程における基板の回転を途中で変更し、その前段と後段とで基板の回転を異ならしめ、
前記レジスト液が、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、メチルイソアミルケトンのうちの何れかを溶剤とし、又は何れかを主成分とする溶剤を含み、
前記前段の基板回転数を８５０〜１９００ｒｐｍ、前記前段の基板回転時間を１〜５秒、前記後段の基板回転数を１００〜４５０ｒｐｍとし、
前記レジスト塗布膜における基板中央の実パターンが形成される１３２ｍｍ×１３２ｍｍ領域におけるレジスト塗布膜の膜厚均一性を１００Å以下とし、
前記１３２ｍｍ×１３２ｍｍ領域の周辺部にある補助パターン形成領域におけるレジスト塗布膜の最大膜厚と、前記１３２ｍｍ×１３２ｍｍ領域におけるレジスト塗布膜の平均膜厚との差を、該平均膜厚の１／２以下となるように制御することを特徴とするマスクブランクの製造方法。 A resist solution containing a resist material and a solvent is dropped on a rectangular substrate having a substrate size of 6 inches × 6 inches, the substrate is rotated, the dropped resist solution is spread on the substrate, and the substrate A method for producing a mask blank, comprising: drying the resist solution on the substrate and forming a resist coating film made of the resist material on the substrate,
While the substrate is rotating in the step of forming the resist coating film, an air flow is generated in the outer peripheral direction from the center side of the substrate along the upper surface of the substrate, and
The rotation of the substrate in the process of forming the resist coating film is changed in the middle, and the rotation of the substrate is made different between the former stage and the latter stage,
The resist solution contains either a propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, or methyl isoamyl ketone as a solvent, or a solvent containing any of them as a main component,
The front substrate rotation speed is 850 to 1900 rpm, the front substrate rotation time is 1 to 5 seconds, and the rear substrate rotation speed is 100 to 450 rpm.
The film thickness uniformity of the resist coating film in the 132 mm × 132 mm region where the actual pattern at the center of the substrate in the resist coating film is formed is 100 mm or less,
The difference between the maximum film thickness of the resist coating film in the auxiliary pattern forming region in the periphery of the 132 mm × 132 mm region and the average film thickness of the resist coating film in the 132 mm × 132 mm region is ½ of the average film thickness. The manufacturing method of the mask blank characterized by controlling so that it may become the following.

基板サイズが６インチ×６インチである四角形状の基板上に、レジスト材料及び溶剤を含むレジスト液を滴下し、前記基板を回転させ、滴下されたレジスト液を前記基板上に広げるとともに、前記基板上のレジスト液を乾燥させて、前記基板上に前記レジスト材料からなるレジスト塗布膜を形成する工程を有するマスクブランクの製造方法であって、
前記レジスト塗布膜を形成する工程において前記基板が回転している間、前記基板の上面に沿って基板の中央側から外周方向に気流を発生させるとともに、
前記レジスト塗布膜を形成する工程における基板の回転を途中で変更し、その前段と後段とで基板の回転を異ならしめ、
前記レジスト液が、乳酸エチルを溶剤とし、又は乳酸エチルを主成分とする溶剤を含み、
前記前段の基板回転数を８５０〜２０００ｒｐｍ、前記前段の基板回転時間を１〜１０秒、前記後段の基板回転数を１００〜４５０ｒｐｍとし、
前記レジスト塗布膜における基板中央の実パターンが形成される１３２ｍｍ×１３２ｍｍ領域におけるレジスト塗布膜の膜厚均一性を１００Å以下とし、
前記１３２ｍｍ×１３２ｍｍ領域の周辺部にある補助パターン形成領域におけるレジスト塗布膜の最大膜厚と、前記１３２ｍｍ×１３２ｍｍ領域におけるレジスト塗布膜の平均膜厚との差を、該平均膜厚の１／２以下となるように制御することを特徴とするマスクブランクの製造方法。 A resist solution containing a resist material and a solvent is dropped on a rectangular substrate having a substrate size of 6 inches × 6 inches, the substrate is rotated, the dropped resist solution is spread on the substrate, and the substrate A method for producing a mask blank, comprising: drying the resist solution on the substrate and forming a resist coating film made of the resist material on the substrate,
While the substrate is rotating in the step of forming the resist coating film, an air flow is generated in the outer peripheral direction from the center side of the substrate along the upper surface of the substrate, and
The rotation of the substrate in the process of forming the resist coating film is changed in the middle, and the rotation of the substrate is made different between the former stage and the latter stage,
The resist solution contains ethyl lactate as a solvent, or a solvent containing ethyl lactate as a main component,
The front substrate rotation speed is 850 to 2000 rpm, the front substrate rotation time is 1 to 10 seconds, the rear substrate rotation speed is 100 to 450 rpm,
The film thickness uniformity of the resist coating film in the 132 mm × 132 mm region where the actual pattern at the center of the substrate in the resist coating film is formed is 100 mm or less,
The difference between the maximum film thickness of the resist coating film in the auxiliary pattern forming region in the periphery of the 132 mm × 132 mm region and the average film thickness of the resist coating film in the 132 mm × 132 mm region is ½ of the average film thickness. The manufacturing method of the mask blank characterized by controlling so that it may become the following.

前記レジスト材料は、化学増幅型レジストであることを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載のマスクブランクの製造方法。 The method for manufacturing a mask blank according to claim 1, wherein the resist material is a chemically amplified resist.

前記前段の基板回転数による基板の回転の後、それに続き前記後段の基板回転数により基板を回転させることを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載のマスクブランクの製造方法。 After the rotation of the substrate by the substrate rotation speed of the front, mask blank manufacturing method according to any one of claims 1 to 3, characterized in that rotating the substrate by the substrate rotation speed of more the subsequent stage.

前記レジスト塗布膜を形成する工程における基板の回転数を途中で変更し、その前段の基板回転数よりも後段の基板回転数を遅くし、
前記レジスト液の滴下後に、前記前段の基板回転数で基板を回転させることを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載のマスクブランクの製造方法。 The number of rotations of the substrate in the process of forming the resist coating film is changed in the middle, and the number of rotations of the subsequent stage is made slower than the number of rotations of the previous stage of the substrate,
The resist solution after dropping, the method for producing a mask blank according to any one of claims 1 to 5, characterized in that rotating the substrate at a substrate rotational speed of the front.

前記後段の基板回転数が１５０〜３００ｒｐｍであることを特徴とする請求項１乃至６の何れかに記載のマスクブランクの製造方法。 The method for manufacturing a mask blank according to any one of claims 1 to 6 , wherein the subsequent substrate rotation speed is 150 to 300 rpm.

前記レジスト液の粘度が１０ｍＰａ・Ｓ以下であることを特徴とする請求項２乃至７の何れかに記載のマスクブランクの製造方法。 The method of manufacturing a mask blank according to claim 2, wherein the resist solution has a viscosity of 10 mPa · S or less.

前記気流は、基板の上面に当たる気流の速度が０．５ｍ／秒以上５ｍ／秒以下であることを特徴とする請求項１乃至８の何れかに記載のマスクブランクの製造方法。 The method of manufacturing a mask blank according to any one of claims 1 to 8 , wherein a speed of the airflow hitting the upper surface of the substrate is 0.5 m / second or more and 5 m / second or less.

前記基板上に形成されたレジスト塗布膜のうち基板周縁部に形成されたパターン形成に関与しないレジスト塗布膜を除去することを特徴とする請求項１乃至９の何れかに記載のマスクブランクの製造方法。 Production of a mask blank according to any one of claims 1 to 9, characterized in that the removal of the resist coating film which is not involved in forming pattern formed on the substrate periphery of the resist coating film formed on the substrate Method.

前記基板は、基板上にマスクパターンとなる薄膜を形成した薄膜付き基板であることを特徴とする請求項１乃至１０の何れかに記載のマスクブランクの製造方法。 The method for manufacturing a mask blank according to any one of claims 1 to 10 , wherein the substrate is a substrate with a thin film in which a thin film serving as a mask pattern is formed on the substrate.

前記薄膜は、クロムと、酸素及び／又は窒素を含む材料からなることを特徴とする請求項１１記載のマスクブランクの製造方法。 12. The method of manufacturing a mask blank according to claim 11 , wherein the thin film is made of a material containing chromium and oxygen and / or nitrogen.

請求項１乃至１２の何れかに記載の製造方法によって得られたマスクブランクの前記薄膜をパターニングして、前記基板上に実パターンと補助パターンを有するマスクパターンを形成することを特徴とする転写マスクの製造方法。 By patterning the thin film of the mask blank obtained by the method according to any one of claims 1 to 12, transfer mask, which comprises forming a mask pattern having the actual pattern and the auxiliary pattern on the substrate Manufacturing method.