KR20080079283A - 미세전자기계 컴포넌트를 제조하는 방법 및 미세전자기계컴포넌트 - Google Patents

미세전자기계 컴포넌트를 제조하는 방법 및 미세전자기계컴포넌트 Download PDF

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Abstract

본 발명은 예컨대, 가속도, 각속도 또는 다른 물리적인 양을 측정하는데 사용되는 미세전자기계 계량기와 같은 미세전자기계 컴포넌트에 관한 것이다. 본 발명에 따른 미세전자기계 컴포넌트는 커버 부분(24,28,33,41,47,48)에 의해 차폐된 미세전자기계 칩 부분(46) 및 전기 회로 부분(64,74)을 포함하는데, 서로 적절하게 결합된다. 본 발명의 목적은 미세전자기계 컴포넌트를 제조하는 개선된 방법을 제공하는 것이고, 소형 미세전자기계 센서 솔루션에서 특히 사용하기에 적합한 미세전자기계 컴포넌트를 제공하는 것이다.
미세전자기계 컴포넌트, 커버 부분, 전기 회로 부분

Description

미세전자기계 컴포넌트를 제조하는 방법 및 미세전자기계 컴포넌트{METHOD FOR MANUFACTURING A MICROELECTROMECHANICAL COMPONENT, AND A MICROELECTROMECHANICAL COMPONENT}
본 발명은 예를 들어, 가속도, 각가속도, 각속도 또는 다른 물리적인 양을 측정하는데 사용되는 미세전자기계 계량기(microelectromechanical gauge), 미세전자기계 공진기, 진동 주파수를 안정시키거나 전기 신호를 필터링하는데 사용되는 필터, 및 다른 미세전자기계 장치와 같은 미세전자기계 컴포넌트에 관한 것인데, 캡슐화된 미세전자기계 부분들 및 초소형회로의 조합이 바람직하다. 본 발명의 목적은 미세전자기계 컴포넌트를 제조하는 방법 및 소형 미세전자기계 센서 솔루션에서 특히 사용할 수 있는 미세전자기계 컴포넌트를 제공하는데, 솔루션은 진동 주파수를 안정시키거나 전기 신호를 필터링하기 위한 것이다.
예컨대, 가속도, 각속도 또는 압력과 같은 여러 물리적인 양을 측정하는 센서 기술에서 미세전자기계 컴포넌트(Microelectromechanical System: MEMS, 미세전자기계 시스템)의 사용은 단순한 원리의 신뢰할 수 있는 방법으로 입증되었다. 미세전자기계 센서에서, 측정은 예를 들어, 용량성 원리에 기초하는데, 센서의 운동 상태의 변화는 스프링 정지 큰 질량(spring suspended seismic mass)의 변위를 야 기한다. 질량의 포지션은 한 쌍의 전극 사이의 커패시턴스, 이들의 표면 영역에 따른 표면들 사이의 커패시턴스 및 표면들 사이의 거리에 의해 검출된다. 미세전자기계 센서에 기초하는 측정은 여러 물리적인 양의 다소 작은 계량 범위에서조차 사용될 수 있다.
데이터 통신 및 데이터 처리를 위한 장치에서, 대부분 기능의 통합은 하나 이상의, 또는 많아야, 몇몇 실리콘 칩 내에서 성취된다. 그러나 이들의 기술적인 호환성으로 인해, 데이터 처리의 동기화, 무선 주파수의 안정화, 전기 신호의 필터링, 전기 임피던스의 정합 및 전기 신호의 스위칭의 원인이 되는 기능의 통합이 항상 가능한 것은 아니다. 실리콘 기술에 기초한 MEMS 공진기 및 MEMS 필터에서, 정전기력에 의해서 실리콘 컴포넌트는 역학적인 진동 움직임으로 설정되고, 실리콘 컴포넌트의 형태 및 치수는 커넥터들 사이의 전기 음향적인 결합 또는 커넥터들 사이의 신호 전파로 인한 임피던스를 제어하도록 제공된다. MEMS 스위치에서, 신호 경로는 MEMS 기술로 제작된 움직일 수 있는 컴포넌트에 의해서 개방되거나 폐쇄되는데, 상기 컴포넌트는 예컨대, 정전기력에 의해 제어된다. 임피던스 정합 장치에 대해서, 코일 또는 커패시터와 같은 소형의 수동 컴포넌트가 MEMS 기술로 제조된다. 커패시터는 조정 가능한 공기 차단 MEMS 구조(air isolated MEMS structure)일 수 있다.
통상적으로, 집적 회로는 기술에 의해 차폐되어, 예컨대, 금속 리드 프레임(leadframe) 상에 장착된다. 회로의 연결 지점에서, 연결 와이어들이 접합되고, 이들의 다른 단부는 리드 프레임의 접합 영역에 연결된다. 그 후에, 리드 프레임 및 회로는 플라스틱으로 성형되고, 마지막으로 외부 접속 영역 또는 연결 와이어는 컴포넌트가 회로 보드에 연결되는 것에 의해, 절단, 구부림 또는 일부 다른 방법으로 형성된다.
전자 컴포넌트의 제조시, 실리콘 칩 및 유사한 전자 컴포넌트에 대한 새로운 캡슐화 방법은 웨이퍼-레벨 패키징(WLP)인데, 모든 캡슐화 단계는 다이싱(dicing) 전에 실리콘 웨이퍼 표면 상에서 수행된다. 이로써, 크기 및 비용이 상당히 절약된다. 이러한 종래 기술 방법의 예는 Amkor Corpation에 의한 울트라 CSP-기술(CSP, Chip Scale Packaging)인데, 여기서 폴리머로 된 두꺼운 층이 실리콘 웨이퍼의 표면에 펼쳐지고, 구리 리드들이 놓여지고, 범프(bump)를 납땜함으로써, 칩이 회로 보드 상에 직접 연결될 수 있고, 장착되거나 놓여진다.
전기기계적인 구조(electromechanical structure)가 움직일 수 있는 개방 공간이 있는 조건 하에, 컴포넌트는 역학적인 보호, 커버를 필요로 하는데, 미세전자기계 컴포넌트는 납 물질에 의한 패시베이션(passivation) 대신, 예컨대, 질화물 패시베이션이라는 점에서 집적회로와 같은 전자 컴포넌트와 상이하다. 웨이퍼-레벨 패키징을 미세전자기계 컴포넌트에 적용하는 것은 특히 매력적인 일인데, 상기 컴포넌트는 크기가 크고, 특히 두께가 두꺼운 것을 특징으로 하기 때문에, 종래 방법으로 캡슐화되어 더 커질 것이고, 특히 대응하는 방법으로 캡슐화된 초소형회로보다 두꺼울 것이다. 반면, 미세전자기계 컴포넌트의 캡슐화는 필수적인 커버로 인해 문제가 있다.
미세전자기계 컴포넌트는 밀봉으로 차폐되어야만 해서, 움직이는 부분들이 주변 환경으로부터 폐쇄된 챔버에 존재한다. 차폐는 미세전자기계 웨이퍼를 소위 커버 웨이퍼라 불리는 다른 웨이퍼에 결합함으로써 행해질 수 있다. 미세전자기계 컴포넌트와 커버 웨이퍼의 이용은 널리 공지되었다.
미세전자기계 센서 컴포넌트에서의 다른 본질적인 문제는 미세전자기계 컴포넌트에 관한 전기 기능의 통합이다. 이는 캡슐 레벨 통합에 의해 공지된 방법으로 성취될 수 있는데, 유전체 및 도전성 부분들을 포함하는 외부 캡슐을 갖는다. 캡슐 레벨 통합에서, 부분들 간의 도전성 와이어 접속은 부분을 유닛에 통합시킨다.
아래에서, 종래 기술은 첨부된 도면을 참조하여 설명된다:
도1은 모놀리식 통합에 의해 미세전자기계 컴포넌트를 제조하기 위한 종래 기술에 따른 방법을 도시한다,
도2는 플라스틱 성형 캡슐에서 구현되는 통합에 의해 미세전자기계 컴포넌트를 제조하기 위한 종래 기술에 따른 방법을 도시한다,
도3은 플라스틱 성형 캡슐에 적층함으로써 구현되는 통합에 의해 미세전자기계 컴포넌트를 제조하기 위한 종래 기술에 따른 방법을 도시한다.
도1은 모놀리식 통합에 의해 미세전자기계 컴포넌트를 제조하기 위한 종래 기술에 따른 방법을 도시한다. 모놀리식 통합에 의해 미세전자기계 컴포넌트를 제조하기 위한 종래 기술에 따른 방법에서, 미세전자기계 칩 부분(1) 및 전자 회로 부분(2)은 동일한 실리콘 웨이퍼(3) 상에 제조되고, 이들 사이의 전기 접속은 금속으로 된 얇은 필름에 의해 생성된다. 미세전자기계 칩 부분(1) 및 전자 회로 부분(2)이 공통 커버 부분(4)에 의해 보호되고, 이들은 와이어 접속(5)에 의해 연결 되며, 또한 플라스틱 성형 캡슐(6)에서 성형된다. 종래 기술의 미세전자기계 컴포넌트는 또한 금속 리드 프레임(7)을 포함한다.
도2는 플라스틱 성형 캡슐에서 구현되는 통합에 의해 미세전자기계 컴포넌트를 제조하기 위한 종래 기술에 따른 방법을 도시한다. 플라스틱 성형 캡슐에서 통합에 의해 미세전자기계 컴포넌트를 제조하기 위한 종래 기술에 따른 방법에서, 미세전자기계 칩 부분(8) 및 전자 회로 부분(9)이 동일한 실리콘 웨이퍼 소자(10) 상에서 별도로 제조된다. 미세전자기계 칩 부분(8)은 별도의 커버 부분(11)에 의해 보호된다. 미세전자기계 칩 부분(8)와 전자 회로 부분(9) 사이의 전기 접속은 와이어 접속(12)에 의해 구현된다. 전자 회로 부분(9)은 와이어 접속(13)에 의해 연결된다. 그 후에, 미세전자기계 칩 부분(8) 및 전자 회로 부분(9)으로 구성된 전체가 플라스틱 성형 캡슐(14)에서 성형된다. 종래 기술의 미세전자기계 컴포넌트는 또한, 금속 리드 프레임(15)을 포함한다.
도3은 플라스틱 성형 캡슐에서 적층함으로써 구현되는 통합에 의해 마이크로전기기계 컴포넌트를 제조하기 위한 종래 기술에 따른 방법을 도시한다. 플라스틱 성형 캡슐에서 적층함으로써 구현되는 통합에 의해 마이크로전기기계 컴포넌트를 제조하기 위한 종래 기술에 따른 방법에서, 미세전자기계 칩 부분(16)은 실리콘 웨이퍼(17) 상에서 제조된다. 전기기계 칩 부분(16)은 별도의 커버 부분(18)에 의해 보호된다. 전자 회로 부분(19)은 커버 부분의 최상부에서 제조된다. 미세전자기계 칩 부분(16)와 전자 회로 부분(19) 사이의 전기 접속은 와이어 접속(20)에 의해 구현된다. 미세전자기계 칩 부분(16)은 와이어 접속(21)에 의해 연결된다. 그 후에, 미세전자기계 칩 부분(16) 및 전자 회로 부분(19)으로 구성된 전체가 플라스틱 성형 캡슐(22)에서 성형된다. 종래 기술의 미세전자기계 컴포넌트가 또한 금속 리드 프레임(23)을 포함한다.
미세전자기계 컴포넌트와 미세전자기계 컴포넌트의 전기 기능을 통합하기 위한 종래 기술에 따른 솔루션의 핵심적인 문제는 커버 웨이퍼 및 두 개의 부분, 미세전자기계 칩 부분 및 전자 회로 부분에 의해 크기가 크다는 것이다. 컴포넌트들이 필드에서 전형적으로 사용되는 유형의 플라스틱 캡슐에서 성형될 때, 솔루션의 크기가 커진다.
부가적으로, 미세전자기계 컴포넌트와 미세전자기계 컴포넌트의 전기 기능을 통합하기 위한 종래 기술에 따른 솔루션의 문제는 또한 결합 영역에 대한 회로 솔루션 표면 영역의 낭비이다.
그러므로 숙련자 및 소비자 일렉트로닉스의 제조에서, 소형 미세전자기계 컴포넌트에 대한 요구가 명확히 증가하고 있는데, 미세전자기계와 전기 기능의 통합이 해결되고, 소형 미세전자기계 센서 솔루션, 진동 주파수 안정화 솔루션, 전기 신호 필터링 솔루션 및 전기 임피던스 정합 솔루션에서 사용하기에 특히 적합하다.
본 발명의 목적은 미세전자기계 컴포넌트의 제조를 위한 개선된 방법 및 개선된 미세전자기계 컴포넌트이다. 이러한 발명에 의해, 미세전자기계 컴포넌트 솔루션이 성취되고, 전기 기능은 바람직한 방법으로 미세전자기계 컴포넌트와 통합되고, 또한 특히 소형 미시역학적 움직임 센서 솔루션, 압력 센서 솔루션, 진동 주파수 안정화 솔루션, 전기 신호 필터링 솔루션, 전기 신호 스위칭 솔루션 및 전기 임피던스 정합 솔루션에서 사용하기에 적합하다.
본 발명은 예를 들어, 가속도, 각가속도, 각속도 또는 다른 물리적인 양을 측정하는데 사용되는 미세전자기계 계량기, 또는 진동 주파수의 안정화, 전기 신호 필터링, 전기 신호 스위칭 또는 전기 임피던스 정합을 위해 사용되는 미세전자기계 장치에 관한 것인데, 캡슐화된 미세전자기계 부분 및 초소형회로의 조합이 바람직하다. 본 발명의 목적은 또한 미세전자기계 컴포넌트를 제조하는 개선된 방법 및 소형 미세전자기계 센서 솔루션, 진동 주파수 안정화 솔루션, 전기 신호 필터링 솔루션, 전기 신호 스위칭 솔루션, 및 전기 임피던스 정합 솔루션에서 특히 사용할 수 있는 미세전자기계 컴포넌트를 제공하는 것이다.
본 발명의 제1 특징에 따르면, 미세전자기계 컴포넌트를 제조하는 방법이 제공되는데, 상기 방법에서, 미세전자기계 칩 부분은 커버 부분에 의해 차폐되고, 상기 커버 부분은 커버 부분을 통한 전기 접속을 가져오기 위한 리드-인 구조가 제공되어, 상기 발명에서, 제1 부분은:
- 커버 부분에 의해 차폐된 상기 미세전자기계 칩 부분, 또는
- 전자 회로 부분 중 하나이고,
제2 부분은 제1 부분과는 다른, 상기 부분들 중 하나이므로,
- 제1 부분은 제1 결합 부재에 의해 제2 부분에 결합되고,
- 제2 부분은 제1 부분보다 크며, 미세전자기계 컴포넌트의 외부 접속을 위해 제2 결합 부재는 제2 부분의 표면 상에서 제1 부분과 근접하게 제조된다.
바람직하게는, 커버 부분이 주로 유리로 만들어지고, 커버 부분에서, 유리 소자(glass element)를 통해 신장하는 도전성 영역이 실리콘으로 제조된다. 대안적으로는, 커버 부분이 주로 실리콘으로 만들어지고, 유리 절연체가 커버 부분 상에 제조되어, 유리 절연체를 통해 신장하는 도전성 영역이 실리콘으로 제조된다. 게다가, 대안적으로는, 커버 부분이 주로 실리콘으로 만들어지고, 상기 커버 부분 내에서, 유리 절연체가 제조되어, 커버 부분이 스트립-형 도전성 영역로 분할된다. 게다가, 대안적으로는, 커버 부분이 주로 실리콘으로 만들어지고, 상기 커버 부분 내에서, 유리 절연체가 제조되어, 커버 부분이 절연 도전성 영역로 분할된다. 게다가, 대안적으로는, 커버 부분 및/또는 유리 절연체가 유리 대신 일부 다른 공지된 유전체 물질로 제조된다. 게다가, 대안적으로, 커버 부분 및/또는 도전성 영역이 실리콘 대신 일부 다른 공지된 도전성 물질로 제조된다.
바람직하게는, 커버 부분의 도전 리드-인과 미세전자기계 칩 부분 사이의 전기 접속 형성이 직접적인 결합에 의해 구현된다. 대안적으로는, 커버 부분의 도전 리드-인과 미세전자기계 칩 부분 사이의 전기 접속 형성이 표면 상에 위치된 금속 층에 의해 구현된다. 게다가, 대안적으로, 커버 부분의 도전 리드-인과 미세전자기계 칩 부분 사이의 전기 접속 형성이 납땜 범프에 의해 구현된다.
바람직하게는, 미세전자기계 칩 부분에 커버 부분을 부착하기 전에, 재배선 층(redistribution layer)이 커버 부분의 표면 상에서 제조된다. 대안적으로, 미세전자기계 칩 부분에 커버 부분을 부착한 후에, 재배선 층은 커버 부분의 표면 상에서 제조된다.
바람직하게는, 재배선 층에 의해, 도전성 접속이 커버 부분의 도전성 영역과 제1 결합 부재 사이에서 생성된다. 대안적으로, 재배선 층에 의해, 도전성 접속이 제1 결합 부재와 제2 결합 부재 사이에 생성된다. 바람직하게는 재결합 층을 제조하기 전에, 유전 층이 커버 부분의 표면 상에서 제조된다. 바람직하게는 보호 층이 재배선 층의 최상부 상에서 제조된다.
바람직하게는, 제1 결합 부재가 환형 부분의 표면 상에서 제조된다. 대안적으로, 제1 결합 부재는 보호 층의 개구 내의 커버 부분의 재배선 층 상에서 제조된다. 게다가, 바람직하게는, 전자 회로 부분이 플립-플롭 결합 방법(flip-flop bonding method)에 의해 미세전자기계 칩 부분을 보호하는 커버 부분의 표면에 연결된다.
바람직하게는, 전자 회로 부분이 미세전자기계 칩 부분보다 작다. 바람직하게는, 전자 회로 부와 미세전자기계 칩 부의 커버 부 사이의 좁은 갭이 언더필(underfill)로 채워진다. 바람직하게는, 미세전자기계 컴포넌트의 제2 결합 부재가 와이어 접속에 의해 구현된다. 게다가, 바람직하게는, 플라스틱 성형 캡슐이 미세전자기계 컴포넌트 상에 성형된다.
바람직하게는, 미세전자기계 컴포넌트의 제2 결합 부재가 범프 커넥터에 의해 구현된다. 게다가, 바람직하게는, 범프 커넥터의 높이가 적어도 전자 회로 부분 및 제1 결합 부재의 총 높이와 동일하다.
바람직하게는, 범프 커넥터가 플립-플롭 결합 전에 위치된다. 대안적으로, 플립-플롭 결함의 제조와 함께 인터리빙되는 범프 커넥터가 위치된다. 바람직하게는, 미세전자기계 컴포넌트가 플립-플롭 결합 방법에 의해 회로 보드의 표면에 연결되어, 결합 범프가 회로 보드의 접속 영역와 일렬로 정렬될 것이다.
바람직하게는, 미세전자기계 컴포넌트의 제2 결합 부재가 접합 조인트에 의해 구현된다. 대안적으로, 미세전자기계 컴포넌트의 제2 결합 부재는 직접적인 납땜 조인트에 의해 구현된다. 게다가, 바람직하게는, 제2 결합 부재가 미세전자기계 컴포넌트의 캡슐 구조에 도전성 접속을 형성하는데, 캡슐 구조는 도전성 코팅이 제공된다. 바람직하게는, 미세전자기계 컴포넌트의 캡슐 구조가 미세전자기계 컴포넌트를 정합시키기에 적절하게 디자인된다.
바람직하게는, 제1 결합 부재는 전자 회로 부분의 표면 상에서 제조된다. 대안적으로, 제1 결합 부재는 보호 층의 개구 내의 미세전자기계 칩 부분을 보호하는 커버 부분의 재배선 층의 최상부 상에서 제조된다. 게다가, 바람직하게는, 미세전자기계 칩 부분이 플립-플롭 결합 방법에 의해 전자 회로 부분의 표면에 연결되는데, 커버 부분은 전자 회로 부분의 표면을 향한다.
바람직하게는, 미세전자기계 칩 부분이 전자 회로 부분보다 작다. 바람직하게는, 전자 회로 부와 미세전자기계 칩 부분의 커버 부분 사이의 좁은 갭이 언더필로 채워진다. 바람직하게는, 미세전자기계 컴포넌트의 제2 결합 부재가 와이어 접속에 의해 구현된다. 게다가, 바람직하게는, 플라스틱 성형 캡슐이 미세전자기계 컴포넌트 상에 성형된다.
바람직하게는, 미세전자기계 컴포넌트의 제2 결합 부재가 범프 커넥터에 의해 구현된다. 게다가, 바람직하게는, 범프 커넥터의 높이가 적어도 미세전자기계 칩 부분 및 제1 결합 부재의 총 높이와 동일하다.
바람직하게는, 범프 커넥터는 플립-플롭 결합 전에 제조된다. 대안적으로는, 플립-플롭 결합의 제조와 함께 인터리빙되는 범프 커넥터가 제조된다. 바람직하게는, 미세전자기계 컴포넌트가 플립-플롭 결합 방법에 의해 회로 보드의 표면에 부착되어, 결합 범프가 보드의 접속 영역와 일렬로 정렬된다.
바람직하게는, 미세전자기계 컴포넌트의 제2 결합 부재가 접합 조인트에 의해 구현된다. 대안적으로, 미세전자기계 컴포넌트의 제2 결합 부재가 직접적인 납땜 조인트에 의해 구현된다. 게다가, 바람직하게는, 제2 결합 부재가 미세전자기계 컴포넌트의 캡슐 구조에 도전성 접속을 형성하고, 상기 캡슐 구조는 도전성 코팅이 제공된다. 바람직하게는, 미세전자기계 컴포넌트의 캡슐 구조가 미세전자기계 컴포넌트와 정합시키기에 적절하게 디자인된다.
바람직하게는, 미세전자기계 컴포넌트의 전자 회로 부분이 전자적인 신호 처리 능력(capability)를 갖는다. 바람직하게는, 제2 부분의 세트를 포함하는 플레이트-형 보드가 제1 부분을 장착하기 위해서 베이스의 역할을 한다. 게다가, 바람직하게는, 제2 부분의 세트를 포함하는 플레이트-형 기판의 표면 상에 하나씩 제1 부분이 장착된다. 게다가, 바람직하게는, 테스트를 통과한 제1 부분만이 테스트를 통과한 제2 부분의 표면 상에 장착된다. 바람직하게는, 플레이트-형 기판이 장착 단계 이후에만 다이싱된다. 바람직하게, 플레이트-형 기판은 최종 테스트 후에만 다이싱된다.
본 발명의 제2 특징에 따르면, 미세전자기계 컴포넌트가 제공되는데, 이는:
- 커버 부분을 통해 전기 접속을 하는 리드-인 구조가 제공된 커버 부분에 의해 차폐된 미세전자기계 칩 부분;
- 전자 회로 부분을 포함하며,
제1 부분은:
- 커버 부분에 의해 차폐된 상기 미세전자기계 칩 부분, 또는
- 전자 회로 부분 중 하나이고,
제2 부분은 제1 부분과는 다른, 상기 부분들 중 하나이므로,
- 제1 부분은 제1 결합 부재에 의해 제2 부분에 결합되고,
- 제2 부분은 제1 부분보다 크며, 미세전자기계 컴포넌트의 외부 접속을 위해 제2 결합 부재는 제2 부분의 표면 상에서 제1 부분과 근접하게 제조된다.
바람직하게는, 커버 부분이 주로 유리로 만들어지고, 커버 부분에서, 유리 소자를 통해 신장하는 도전성 영역이 실리콘으로 제조된다. 대안적으로는, 커버 부분이 주로 실리콘으로 만들어지고, 유리 절연체가 커버 부분 상에 제조되어, 유리 절연체를 통해 신장하는 도전성 영역이 제조된다. 게다가, 대안적으로는, 커버 부분이 주로 실리콘으로 만들어지고, 상기 커버 부분 내에서, 유리 절연체가 제조되어, 커버 부분이 스트립-형 도전성 영역로 분할된다. 게다가, 바람직하게는, 커버 부분이 주로 실리콘으로 만들어지고, 상기 커버 부분 내에서, 유리 절연체가 제조되어, 커버 부분이 절연 도전성 영역로 분할된다. 게다가, 대안적으로는, 커버 부분 및/또는 유리 절연체가 유리 대신 일부 다른 공지된 유전체 물질로 제조된다. 게다가, 대안적으로, 커버 부분 및/또는 도전성 영역이 실리콘 대신 일부 다른 공지된 도전성 물질로 제조된다.
바람직하게는, 커버 부분의 도전 리드-인과 미세전자기계 칩 부분 사이의 전기 접속 형성이 직접적인 결합에 의해 구현된다. 대안적으로는, 커버 부분의 도전 리드-인과 미세전자기계 칩 부분 사이의 전기 접속 형성이 표면 상에 위치된 금속 층에 의해 구현된다. 게다가, 대안적으로, 커버 부분의 도전 리드-인과 미세전자기계 칩 부분 사이의 전기 접속 형성이 납땜 범프에 의해 구현된다.
바람직하게는, 재배선 층이 커버 부분의 표면 상에 제조된다. 게다가, 바람직하게는, 재배선 층에 의해, 도전성 접속이 커버 부분의 도전성 영역과 제1 결합 부재 사이에 생성된다. 대안적으로, 재배선 층에 의해, 도전성 접속이 제1 결합 부재와 제2 결합 부재 사이에 생성된다. 바람직하게는, 재배선 층을 제조하기 전에, 유전 층이 커버 부분의 표면 상에 제조된다. 바람직하게는, 보호 층이 재배선 층의 최상부 상에서 제조된다.
바람직하게는, 제1 결합 부재가 환형 부분의 표면 상에서 제조된다. 대안적으로, 제1 결합 부재는 보호 층의 개구 내의 커버 부분의 재배선 층 상에서 제조된다. 게다가, 바람직하게는, 전자 회로 부분이 미세전자기계 칩 부분을 보호하는 커버 부분의 표면에 연결된다.
바람직하게는, 전자 회로 부분이 미세전자기계 칩 부분보다 작다. 바람직하게는, 전자 회로 부와 미세전자기계 칩 부분 사이의 좁은 갭이 언더필(underfill)로 채워진다. 바람직하게는, 미세전자기계 컴포넌트의 제2 결합 부재가 와이어 접속에 의해 구현된다. 게다가, 바람직하게는, 플라스틱 성형 캡슐이 미세전자기계 컴포넌트 상에 성형된다.
바람직하게는, 미세전자기계 컴포넌트의 제2 결합 부재가 범프 커넥터에 의해 구현된다. 게다가, 바람직하게는, 범프 커넥터의 높이가 적어도 전자 회로 부분 및 제1 결합 부재의 총 높이와 동일하다. 바람직하게는, 미세전자기계 컴포넌트가 회로 보드의 표면에 연결되어, 결합 범프가 회로 보드의 접속 영역와 일렬로 정렬될 것이다.
바람직하게는, 미세전자기계 컴포넌트의 제2 결합 부재가 접합 조인트에 의해 구현된다. 대안적으로, 미세전자기계 컴포넌트의 제2 결합 부재는 직접적인 납땜 조인트에 의해 구현된다. 게다가, 바람직하게는, 제2 결합 부재가 미세전자기계 컴포넌트의 캡슐 구조에 도전성 접속을 형성하는데, 캡슐 구조는 도전성 코팅이 제공된다. 바람직하게는, 미세전자기계 컴포넌트의 캡슐 구조가 미세전자기계 컴포넌트를 정합시키기에 적절하게 디자인된다.
바람직하게는, 제1 결합 부재는 전자 회로 부분의 표면 상에서 제조된다. 대안적으로, 제1 결합 부재는 보호 층의 개구 내의 미세전자기계 칩 부분을 보호하는 커버 부분의 재배선 층의 최상부 상에서 제조된다. 게다가, 바람직하게는, 미세전자기계 칩 부분이 전자 회로 부분의 표면에 연결되는데, 커버 부분은 전자 회로 부분의 표면을 향한다.
바람직하게는, 미세전자기계 칩 부분이 전자 회로 부분보다 작다. 바람직하게는, 전자 회로 부와 미세전자기계 칩 부분의 커버 부분 사이의 좁은 갭이 언더필로 채워진다. 바람직하게는, 미세전자기계 컴포넌트의 제2 결합 부재가 와이어 접속에 의해 구현된다. 게다가, 바람직하게는, 플라스틱 성형 캡슐이 미세전자기계 컴포넌트 상에 성형된다.
바람직하게는, 미세전자기계 컴포넌트의 제2 결합 부재가 범프 커넥터에 의해 구현된다. 게다가, 바람직하게는, 범프 커넥터의 높이가 적어도 미세전자기계 칩 부분 및 제1 결합 부재의 총 높이와 동일하다. 바람직하게는, 미세전자기계 컴포넌트가 회로 보드의 표면에 연결되어, 결합 범프가 회로 보드의 접속 영역와 일렬로 정렬될 것이다.
바람직하게는, 미세전자기계 컴포넌트의 제2 결합 부재는 접착 조인트에 의해 구현된다. 게다가, 바람직하게는, 접착 조인트가 미세전자기계 컴포넌트의 캡슐 구조에 도전성 접속을 형성하고, 캡슐 구조는 도전성 코팅이 제공된다. 바람직하게는, 미세전자기계 컴포넌트의 캡슐 구조가 미세전자기계 컴포넌트에 정합시키기에 적절하게 디자인된다.
바람직하게는, 미세전자기계 컴포넌트의 제2 결합 부재가 직접적인 납땜 조인트에 의해 구현된다. 바람직하게는, 미세전자기계 컴포넌트의 전자 회로 부분이 전자적인 신호 처리 능력을 갖는다.
본 발명의 제3 특징에 따르면, 미세전자기계 가속도 센서가 제공되는데, 이는:
- 커버 부분을 통해 전기 접속을 하는 리드-인 구조가 제공된 커버 부분에 의해 차폐된 미세전자기계 칩 부분;
- 전자 회로 부분을 포함하며,
제1 부분은:
- 커버 부분에 의해 차폐된 상기 미세전자기계 칩 부분, 또는
- 전자 회로 부분 중 하나이고,
제2 부분은 제1 부분과는 다른, 상기 부분들 중 하나이므로,
- 제1 부분은 제1 결합 부재에 의해 제2 부분에 결합되고,
- 제2 부분은 제1 부분보다 크며, 미세전자기계 가속도 센서의 외부 접속을 위해 제2 결합 부재는 제2 부분의 표면 상에서 제1 부분과 근접하게 제조된다.
본 발명의 제4 특징에 따르면, 미세전자기계 각가속도 센서가 제공되는데, 이는:
- 커버 부분을 통해 전기 접속을 하는 리드-인 구조가 제공된 커버 부분에 의해 차폐된 미세전자기계 칩 부분;
- 전자 회로 부분을 포함하며,
제1 부분은:
- 커버 부분에 의해 차폐된 상기 미세전자기계 칩 부분, 또는
- 전자 회로 부분 중 하나이고,
제2 부분은 제1 부분과는 다른, 상기 부분들 중 하나이므로,
- 제1 부분은 제1 결합 부재에 의해 제2 부분에 결합되고,
- 제2 부분은 제1 부분보다 크며, 미세전자기계 각가속도 센서의 외부 접속을 위해 제2 결합 부재는 제2 부분의 표면 상에서 제1 부분과 근접하게 제조된다.
본 발명의 제5 특징에 따르면, 미세전자기계 각속도 센서가 제공되는데, 이는:
- 커버 부분을 통해 전기 접속을 하는 리드-인 구조가 제공된 커버 부분에 의해 차폐된 미세전자기계 칩 부분;
- 전자 회로 부분을 포함하며,
제1 부분은:
- 커버 부분에 의해 차폐된 상기 미세전자기계 칩 부분, 또는
- 전자 회로 부분 중 하나이고,
제2 부분은 제1 부분과는 다른, 상기 부분들 중 하나이므로,
- 제1 부분은 제1 결합 부재에 의해 제2 부분에 결합되고,
- 제2 부분은 제1 부분보다 크며, 미세전자기계 각속도 센서의 외부 접속을 위해 제2 결합 부재는 제2 부분의 표면 상에서 제1 부분과 근접하게 제조된다.
본 발명의 제6 특징에 따르면, 미세전자기계 압력 센서가 제공되는데, 이는:
- 커버 부분을 통해 전기 접속을 하는 리드-인 구조가 제공된 커버 부분에 의해 차폐된 미세전자기계 칩 부분;
- 전자 회로 부분을 포함하며,
제1 부분은:
- 커버 부분에 의해 차폐된 상기 미세전자기계 칩 부분, 또는
- 전자 회로 부분 중 하나이고,
제2 부분은 제1 부분과는 다른, 상기 부분들 중 하나이므로,
- 제1 부분은 제1 결합 부재에 의해 제2 부분에 결합되고,
- 제2 부분은 제1 부분보다 크며, 미세전자기계 압력 센서의 외부 접속을 위해 제2 결합 부재는 제2 부분의 표면 상에서 제1 부분과 근접하게 제조된다.
본 발명의 제7 특징에 따르면, 진동 주파수의 미세전자기계 안정기가 제공되는데, 이는:
- 커버 부분을 통해 전기 접속을 하는 리드-인 구조가 제공된 커버 부분에 의해 차폐된 미세전자기계 칩 부분;
- 전자 회로 부분을 포함하며,
제1 부분은:
- 커버 부분에 의해 차폐된 상기 미세전자기계 칩 부분, 또는
- 전자 회로 부분 중 하나이고,
제2 부분은 제1 부분과는 다른, 상기 부분들 중 하나이므로,
- 제1 부분은 제1 결합 부재에 의해 제2 부분에 결합되고,
- 제2 부분은 제1 부분보다 크며, 진동 주파수의 미세전자기계 안정기의 외부 접속을 위해 제2 결합 부재는 제2 부분의 표면 상에서 제1 부분과 근접하게 제조된다.
본 발명의 제8 특징에 따르면, 미세전자기계 전기 신호 필터가 제공되는데, 이는:
- 커버 부분을 통해 전기 접속을 하는 리드-인 구조가 제공된 커버 부분에 의해 차폐된 미세전자기계 칩 부분;
- 전자 회로 부분을 포함하며,
제1 부분은:
- 커버 부분에 의해 차폐된 상기 미세전자기계 칩 부분, 또는
- 전자 회로 부분 중 하나이고,
제2 부분은 제1 부분과는 다른, 상기 부분들 중 하나이므로,
- 제1 부분은 제1 결합 부재에 의해 제2 부분에 결합되고,
- 제2 부분은 제1 부분보다 크며, 미세전자기계 전기 신호 필터의 외부 접속을 위해 제2 결합 부재는 제2 부분의 표면 상에서 제1 부분과 근접하게 제조된다.
본 발명의 제9 특징에 따르면, 미세전자기계 전자적인 신호 스위칭 컴포넌트가 제공되는데, 이는:
- 커버 부분을 통해 전기 접속을 하는 리드-인 구조가 제공된 커버 부분에 의해 차폐된 미세전자기계 칩 부분;
- 전자 회로 부분을 포함하며,
제1 부분은:
- 커버 부분에 의해 차폐된 상기 미세전자기계 칩 부분, 또는
- 전자 회로 부분 중 하나이고,
제2 부분은 제1 부분과는 다른, 상기 부분들 중 하나이므로,
- 제1 부분은 제1 결합 부재에 의해 제2 부분에 결합되고,
- 제2 부분은 제1 부분보다 크며, 미세전자기계 전자적인 신호 스위칭 컴포넌트의 외부 접속을 위해 제2 결합 부재는 제2 부분의 표면 상에서 제1 부분과 근접하게 제조된다.
본 발명의 제10 특징에 따르면, 미세전자기계 전기 임피던스 정합 장치가 제공되는데, 이는:
- 커버 부분을 통해 전기 접속을 하는 리드-인 구조가 제공된 커버 부분에 의해 차폐된 미세전자기계 칩 부분;
- 전자 회로 부분을 포함하며,
제1 부분은:
- 커버 부분에 의해 차폐된 상기 미세전자기계 칩 부분, 또는
- 전자 회로 부분 중 하나이고,
제2 부분은 제1 부분과는 다른, 상기 부분들 중 하나이므로,
- 제1 부분은 제1 결합 부재에 의해 제2 부분에 결합되고,
- 제2 부분은 제1 부분보다 크며, 미세전자기계 전기 임피던스 정합 장치의 외부 접속을 위해 제2 결합 부재는 제2 부분의 표면 상에서 제1 부분과 근접하게 제조된다.
아래에서, 본 발명 및 이의 바람직한 실시예가 첨부된 도면에 대한 참조를 예로 하여 상세히 설명된다.
도1은 모놀리식 통합에 의해 미세전자기계 컴포넌트를 제조하기 위한, 종래 기술에 따른 방법을 도시하는 도면,
도2는 플라스틱 성형 캡슐에서 구현되는 통합에 의해 미세전자기계 컴포넌트를 제조하기 위한, 종래 기술에 따른 방법을 도시하는 도면,
도3은 플라스틱 성형 캡슐에서 적층함으로써 구현되는 통합에 의해 미세전자기계 컴포넌트를 제조하기 위한, 종래 기술에 따른 방법을 도시하는 도면,
도4는 본 발명에 따른 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 커버 부분에 대한 부분적인 평면도,
도5는 본 발명에 따른 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 대안적인 커버 부분에 대한 단면도 및 평면도,
도6은 본 발명에 따른 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 제2 대안적인 커버 부분에 대한 단면도 및 평면도,
도7은 본 발명에 따른 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 제3 대안적인 커버 부분에 대한 단면도 및 평면도,
도8은 본 발명에 따라 초소형전기기게 컴포넌트 솔루션의 커버 부분을 미세전자기계 칩 부분에 결합하는 단면도,
도9는 본 발명에 따른 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 커버 부분의 예시적인 재배선 층 솔루션의 평면도,
도10은 본 발명에 따른 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 커버 부분의 예시적인 재배선 층 솔루션의 단면도,
도11은 본 발명에 따른 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 커버 부분의 대안적인 재배선 층 솔루션의 단면도,
도12는 본 발명에 따른 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 커버 부분의 제2 대안적인 재배선 층 솔루션의 단면도,
도13은 본 발명에 따른 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 커버 부분의 제3 대안적인 재배선 층 솔루션의 단면도,
도14는 본 발명에 따른 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 커버 부분에 대한 예시적인 보호 층의 단면도,
도15는 전자 회로 부분이 초소형 칩 부분의 최상부에 부착된, 본 발명에 따른 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 구현의 단면도,
도16은 전자 회로 부분이 미세전자기계 칩 부분의 최상부에 부착된, 본 발명에 따른 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 구현의 평면도,
도17은 본 발명에 따른 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 전자 회로 부분의 언더필 솔루션의 단면도,
도18은 본 발명에 따른 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 외부 접속의 예시적인 구현 솔루션의 단면도,
도19은 본 발명에 따른 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 범프 커넥터 솔루션의 단면도,
도20은 본 발명에 따라 미세전자기계 컴포넌트 솔루션을 범프 커넥터 솔루션에 의해 회로 보드에 부착하는 단면도,
도21은 미세전자기계 칩 부분이 전자 회로 부분의 최상부에 부착된, 본 발명에 따른 대안적인 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 구현의 단면도,
도22는 미세전자기계 칩 부분이 전자 회로 부분의 최상부에 부착된, 본 발명에 따른 대안적인 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 구현의 평면도,
도23은 본 발명에 따른 대안적인 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 예시적인 외부 접속 구현 솔루션의 단면도,
도24는 본 발명에 따른 대안적인 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 범프 커넥터 솔루션의 단면도, 및
도25는 본 발명에 따른 대안적인 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 접착 조인트 솔루션의 단면도.
도1 내지 도3은 위에서 설명되었다. 아래에서는, 본 발명 및 그의 바람직한 실시예가 도4 내지 도25를 참조하여 설명된다.
도4는 본 발명에 따른 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 커버 부분을 단면도 및 평면도로 도시한다. 본 발명에 따른 미세전자기계 컴포넌트 솔루션은 24로 병기되는데, 이는 주로 유리로 만들어지는 것이 전형적이다. 커버 부분(24)은 유리 소자를 통해 신장하는 도전성 영역(25-27)를 포함하는데, 상기 도전성 영역(25-27)는 실리콘으로 만들어지는 것이 전형적이다. 도전성 영역(25-27)는 좁고 높을 수 있다.
도5는 본 발명에 따른 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 대안적인 커버 부분을 단면도 및 평면도로 도시한다. 본 발명에 따른 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 대안적인 커버 부분은 28로 병기되는데, 이는 주로 실리콘으로 만들어진다. 대안적인 커버 부분(28)은 소자를 통해 신장하는 도전성 영역(29-31)를 포함하는데, 상기 도전성 영역(29-31)는 실리콘으로 만들어지는 것이 전형적이다. 대안적인 커버 부 분(28)의 도전성 영역(29-31)는 유리 절연체(32)에 의해 커버 부분(28)의 몸체와 절연되는데, 상기 유리 절연체(32)는 또한 커버 부분(28)의 최하부를 절연시킨다. 도전성 영역(29-31)는 좁고 높을 수 있다.
도6은 본 발명에 따른 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 제2 대안적인 커버 부분을 단면도 및 평면도로 도시한다. 본 발명에 따른 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 제2 대안적인 커버 부분은 33으로 병기되는데, 이는 주로 실리콘으로 만들어진다. 제2 대안적인 커버 부분(33)은 좁은 유리 절연체(37-40)에 의해 스트립-형 도전성 영역(34-36)로 분할된다. 도전성 영역(34-36)는 실리콘으로 만들어지는 것이 전형적이다. 제2 대안적인 커버 부분(33)의 유리 절연체(37-40)는 또한 커버 부분(33)의 최하부를 절연시킨다.
도7은 본 발명에 따른 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 제3 대안적인 커버 부분을 단면도 및 평면도로 도시한다. 본 발명에 따른 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 제3 대안적인 커버 부분은 41로 병기되는데, 이는 주로 실리콘으로 만들어진다. 제3 대안적인 커버 부분(41)은 좁은 유리 절연체(45)에 의해 절연 도전성 영역(42-44)로 분할된다. 도전성 영역(42-44)는 실리콘으로 만들어지는 것이 전형적이다. 제3 대안적인 커버 부분(41)의 유리 절연체(45)는 또한 커버 부분(41)의 최하부를 절연시킨다.
본 발명에 따른 솔루션에서, 여러 종류의 커버 부분이 사용될 수 있는데, 여기서 상호 절연된 전기 접속이 필수적으로는 커버 부분에 수직으로, 하나의 평면 표면으로부터 다른 평면 표면으로 커버 부분을 통해 형성된다.
도8은 본 발명에 따라 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 커버 부분을 미세전자기계 칩 부분에 결합하는 단면도를 도시한다. 본 발명에 따른 솔루션에서, 미세전자기계 칩 부분(46)은 커버 부분(47)에 의해 차폐되는데, 커버 부분(47)을 통해 전기 접속을 가져오는 리드-인 구조를 갖는다. 본 발명에 따른 솔루션에서, 전기 접속은 최하부에서 미세전자기계 칩 부분(46)으로부터 유리 커버 부분(47)의 평면 표면으로 실리콘 리드-인에 의한 것이다.
미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 커버 부분(47)의 도전성 리드-인과 미세전자기계 칩 부분(46) 사이의 조인트의 형성은 표면 상에서 금속 층에 의해, 납땜 범프에 의해, 다른 결합 수단, 또는 다른 수단에 의해 직접 발생할 수 있다.
도9는 본 발명에 따른 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 커버 부분의 예시적인 재배선 층의 평면도를 도시한다. 본 발명에 따른 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 커버 부분(48)의 표면 상에서, 도전성 접촉 영역(49-52)는 재배선 층(49-52)에 의해 제조되는데, 상기 도전성 영역은 이후에 표면 상에 장착될 납땜 범프와 리드-인 사이에 전기 도전성 접속을 제공한다. 이러한 상기 접촉 영역(49-52)는 전기 회로 부분에 대한 접촉 영역 및 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 외부 접속을 위한 접촉 영역 둘 다이다.
재배선 층(49-52)은 미세전자기계 칩 부분에 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 커버 부분(48)을 부착하기 전이나 후에 제조된다. 본 발명에 따른 도전성 재배선 층(49-52)은 다른 위치에 독립적인 리드-인 및 범프 둘 다에 대한 가능한 바람직한 위치를 지정할 수 있다. 도전성 재배선 층(49-52)에 의해서, 연결은 리드-인 과 범프 사이에, 또한 여러 목적을 만족시키는 납땜 범프들 사이에 생성될 수 있다.
도10은 본 발명에 따른 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 커버 부분의 예시적인 재배선 층 솔루션의 단면도를 도시한다. 본 발명에 따른 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 커버 부분의 예시적인 재배선 층은 24로 병기되는데, 이는 주로 유리로 만들어지는 것이 전형적이다. 커버 부분(24)은 유리 소자를 통해 신장하는 도전성 영역(25-27)를 포함하는데, 도전성 영역(25-27)는 실리콘으로 만들어지는 것이 전형적이다.
본 발명에 따른 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 예시적인 커버 부분(24)의 표면 상에서, 도전성 재배선 층(53)이 제조되는데, 이는 이후에 표면 상에 장착될 납땜 범프와 리드-인 사이에 전기 도전성 접속을 제공한다. 예시적인 커버 부분(24)이 주로 유전체 물질로 만들어지기 때문에, 도전성 재배선 층(53)은 커버 부분(24)의 표면 상에 직접 위치될 수 있다.
도11은 본 발명에 따른 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 커버 부분의 대안적인 재배선 층 솔루션의 단면도를 도시한다. 본 발명에 따른 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 커버 부분은 24로 병기되는데, 이는 주로 유리로 만들어지는 것이 전형적이다. 커버 부분(24)은 유리 소자를 통해 신장하는 도전성 영역을 포함하는데, 상기 도전성 영역은 실리콘으로 만들어지는 것이 전형적이다.
우선, 본 발명에 따른 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 커버 부분(24)의 표면 상에서, 유전 층(54)이 제조된다. 본 발명에 따른 커버 부분(24)의 유전 층(54) 에 의해서, 커버 부분(24)의 표면의 최적 길이가 예컨대, 성취될 수 있다. 그 후에, 본 발명에 따른 커버 부분(24)의 표면 상에서, 도전성 재배선 층(55)이 제조되는데, 이는 이후에 표면 상에 장착될 납땜 범프와 리드-인 사이에 전기 도전성 접속을 제공한다. 재배선 층(55)의 구조 및 상기 층의 여러 영역의 기능은 리드-인 웨이퍼 표면 상에 직접 제조된 재배선 층에 대한 도9의 평면도에 도시된 바와 동일하다.
도12는 본 발명에 따른 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 커버 부분의 제2 대안적인 재배선 층의 단면도를 도시한다. 본 발명에 따른 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 커버 부분은 28이라 병기되는데, 이는 주로 실리콘으로 만들어진다. 커버 부분(28)은 실리콘 소자를 통해 신장하는 도전성 영역을 포함하는데, 상기 도전성 영역은 실리콘으로 만들어지는 것이 전형적이다. 커버 부분(28)의 도전성 영역은 유리 절연체에 의해 커버 부분(28)의 몸체로부터 절연되는데, 또한 커버 부분(28)의 최하부를 절연시킨다.
우선, 본 발명에 따른 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 커버 부분(28)의 표면 상에서, 유전 층(56)이 제조된다. 본 발명에 따른 커버 부분(28)의 유전 층(56)에 의해서, 커버 부분(28)의 표면의 최적의 세기가 예컨대 성취될 수 있다. 유전 층은 또한 커버 부분을 위한 물질의 선택에 의해 필요로 된다. 그 후에, 본 발명에 따른 커버 부분(28)의 표면 상에서, 도전 재배선 층(57)이 제조되는데, 이는 이후에 표면 상에 장착될 납땜 범프와 리드-인 사이에 전기 도전성 접속을 제공한다.
도13은 본 발명에 따른 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 커버 부분의 제3 대 안적인 재배선 층의 단면도를 도시한다. 본 발명에 따른 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 커버 부분은 33으로 병기되는데, 이는 주로 실리콘으로 만들어진다. 커버 부분(33)은 좁은 유리 절연체에 의해 스트립-형 도전성 영역로 분할된다. 도전성 영역은 실리콘으로 만들어지는 것이 전형적이다. 제3 대안적인 커버 부분(33)의 유리 절연체는 또한 커버 부분(33)의 최하부를 절연시킨다.
우선, 본 발명에 따른 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 커버 부분(33)의 표면 상에서, 유전 층(58)이 제조된다. 본 발명에 따른 커버 부분(33)의 유전 층(58)에 의해서, 커버 부분(33)의 표면의 최적의 세기가 예컨대 성취될 수 있다. 유전 층은 또한 커버 부분을 위한 물질의 선택에 의해 필요로 된다. 그 후에, 본 발명에 따른 커버 부분(33)의 표면 상에서, 도전 재배선 층(59)이 제조되는데, 이는 이후에 표면 상에 장착될 납땜 범프와 리드-인 사이에 전기 도전성 접속을 제공한다.
도14는 본 발명에 따른 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 커버 부분을 위한 예시적인 보호 층의 단면도를 도시한다. 본 발명에 따른 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 커버 부분은 24로 병기되는데, 이는 주로 유리로 만들어지는 것이 전형적이다. 커버 부분(24)은 유리 소자를 통해 신장하는 도전성 영역을 포함하는데, 상기 도전성 영역은 실리콘으로 만들어지는 것이 전형적이다. 우선, 커버 부분(24)의 표면 상에서, 유전 층(54)이 제조되고, 그 후에 도전성 재배선 층(55)이 제조되는데, 이는 이후에 표면 상에 장착될 납땜 범프와 리드-인 사이에 전기 도전성 접속을 제공한다.
본 발명에 따라 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 커버 부분(24)의 재배선 층(55)의 최상부에서 보호 층(60)이 부가적으로 제조되는데, 이는 유전 물질로 만들어진다. 보호 층(60)은 개구를 제외하고, 범프, 와이어, 접착, 납땜 또는 다른 연결과 같은 연결이 이후에 행해지기를 희망하는 전체 표면을 커버한다. 이러한 상기 개구는 전기 회로 부분에 대한 접촉 영역 및 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 외부 접속을 위한 접촉 영역 둘 다이다. 보호 층(60)의 목적은 환경적인 영향으로부터 금속 층을 보호하고, 납땜 범프 조인트가 용해될 때, 납땜 범프 조인트의 표면 영역을 제한하는 것이다.
보호 층(60)과 유사한 보호 층이 동등하고 양호하게 도10, 도12 및 도13의 재배선 층 솔루션과 관련하여 사용될 수 있다.
도15는 전기 회로 부분이 미세전자기계 칩 부분의 최상부에 부착된, 본 발명에 따른 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 구현의 단면도를 도시한다. 본 발명에 따른 솔루션에서, 미세전자기계 칩 부분(46)은 커버 부분(24)에 의해 차폐되는데, 이는 커버 부분(24)을 통해 전기 접속을 하기 이한 리드-인 구조를 포함한다. 우선, 유전 층(54)이 커버 부분(24)의 표면에 제조되고, 그 후에, 도전 재배선 층(55)이 제조되며, 또한 유전 물질로 만들어진 보호 층(60)이 제조된다.
플립-플롭 결합 방법을 적용하는데 일반적으로 사용되는 방법에 의해, 결합 범프(61-63)가 본 발명에 따른 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 회로 부분(64)의 표면 상에 제조된다. 범프는 회로 부분의 신호 처리 회로와 도전성 접속을 형성한다. 본 발명에 따른 솔루션에서, 회로 부분은 미세전자기계 칩 부분(46)을 보호하는 커버 부분(24)의 표면 상에 플립-플롭 결합 방법에 의해 부착되어, 범프(61-63) 가 보호 층(60)의 개구와 일렬로 정렬되고, 재배선 층(55)의 도전성 영역와 도전성 접속을 형성하고, 또한 미세전자기계 칩 부분(46)의 표면의 최상부 또는 유전 층 상에 위치된 재배선 층의 영역에 커버 부분(24)을 통과하는 리드-인 구조를 통해 도전성 접속을 형성한다. 본 발명에 따른 솔루션에서, 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 커버 부분(24)의 도전성 리드-인과 미세전자기계 칩 부분(46) 사이의 조인트의 형성은 표면 상의 금속 층에 의해, 납땜 범프에 의해, 또는 일부 다른 연결 수단을 통해서 또는 일부 다른 방법에 의해 직접 발생할 수 있다.
대안적으로, 본 발명에 따른 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 미세전자기계 칩 부분(46)은 커버 부분(24)에 의해 보호되는데, 상기 커버 부분(24)의 재배선 층(55)의 최상부 상에서, 보호 층(60)의 개구 내에, 결합 범프(61-63)가 제조된다. 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 커버 부분(24)의 표면 상에 제조된 결합 범프(61-63)는 재배선 층(55)을 통해 도전성 접속을 형성하고, 또한 미세전자기계 칩 부분(46)의 표면 또는 유전 층 상에 위치된 도전성 층의 영역로 커버 부분(24)을 통화하는 리드-인 구조를 통해 도전성 접속을 형성한다. 본 발명에 따른 솔루션에서, 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 커버 부분(24)의 도전성 리드-인과 미세전자기계 칩 부분(46) 사이의 조인트의 형성은 표면 상의 금속 층에 의해, 납땜 범프를 통해, 또는 일부 다른 연결 수단을 통해, 또는 일부 다른 방법으로 직접 발생할 수 있다.
게다가, 바람직하게는, 본 발명에 따른 솔루션에서, 전기 회로 부분(64)이 미세전자기계 칩 부분(46)을 보호하는 커버 부분(24)의 표면 상에서 플립-플롭 결 합 방법에 의해 결합된다. 미세전자기계 컴포넌트의 커버 부분(24)의 표면 상에 제조된 결합 범프(61-63)는 미세전자기계 칩 부분(46)과 전기 회로 부분(64) 사이에 도전성 접속을 형성한다.
도16은 전기 회로 부분이 미세전자기계 칩 부분의 최상부 상에 부착된, 본 발명에 따른 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 구현의 평면도를 도시한다. 본 발명에 따른 솔루션에서, 전기 회로 부분(64)은 미세전자기계 칩 부분을 보호하는 커버 부분(24)의 표면 상의 플립-플롭 결합 방법에 의해 결합된다. 본 발명에 따른 솔루션에서, 전기 회로 부분(64)은 미세전자기계 칩 부분보다 작아서, 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 외부 접속을 위한 필수적인 접촉 영역이 미세전자기계 칩 부분을 보호하는 커버 부분(24)의 표면 상에 존재한다.
도17은 본 발명에 따른 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 전기 회로 부분의 언더필 솔루션의 단면도이다. 본 발명에 따른 솔루션에서, 커버 부분(24)은 미세전자기계 컴포넌트의 미세전자기계 칩 부분(46)을 보호하는데, 상기 커버 부분(24)의 재배선 층(55) 상에서, 보호 층(60)의 개구 내에, 결합 범프(61-63)가 정렬되거나, 대안적으로는 제조된다. 미세전자기계 컴포넌트의 전기 회로 부분(64)은 플립-플롭 방법에 의해 미세전자기계 칩 부분(46)을 보호하는 커버 부분(24)의 표면에 결합된다.
본 발명에 따른 솔루션에서, 플립-플롭 방법에 의해 결합된 전기 회로 부분(64)와 미세전자기계 칩 부분(46)의 커버 부분(24) 사이의 좁은 갭이 언더필(65)로 채워진다. 일렉트로닉스에서, 언더필(65)로 채우는 것은 일반적으로 사용되는 기술인데, 이는 회로 솔루션의 신뢰성을 개선하기 위한 좋은 방법을 입증한다. 본 발명에 따른 솔루션에서, 언더필(65)은 습기와 같은 환경으로부터 여러 해로운 물질로부터 보호하는 역할을 한다. 전기 회로 부분(64) 및 미세전자기계 칩 부분(46)의 전기적으로 민감한 영역이 서로 마주보며, 이들 사이의 공간이 언더필(65)로 차폐되기 때문에, 미세전자기계 컴포넌트가 플라스틱 성형 캡슐없이 사용될 수 있고, 이는 바람직해야만 한다.
도18은 본 발명에 따른 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 외부 접속의 예시적인 구현 솔루션의 단면도를 도시한다. 본 발명에 따른 솔루션에서, 커버 부분(24)은 미세전자기계 컴포넌트의 미세전자기계 칩 부분(46)을 보호한다. 미세전자기계 컴포넌트의 전기 회로 부분(64)은 플립-플롭 방법에 의해, 미세전자기계 칩 부분(46)을 보호하는 커버 부분(24)의 표면에 결합된다. 미세전자기계 컴포넌트의 전기 회로 부분(64)와 미세전자기계 칩 부분(46)의 커버 부분(24) 사이의 좁은 갭이 언더필(65)로 채워진다.
본 발명에 따른 예시적인 외부 접속 솔루션에서, 미세전자기계 칩 부분(46) 및 전기 회로 부분(64)을 포함하는 미세전자기계 컴포넌트 컴포넌트의 외부 접속이 와이어 접속(66,67)에 의해 구현된다. 도면은 또한 미세전자기계 컴포넌트에 의해 형성된 유닛 상에 성형될 플라스틱 성형 캡슐(68)을 나타낸다.
미세전자기계 칩 부분(46) 및 전기 회로 부분(64)을 포함하는 미세전자기계 컴포넌트는 임의의 공지된 연결 솔루션에 의해 외부와 연결될 수 있다. 이러한 연결 솔루션은 와이어 접속(66,67) 외에도, 범프 커넥터, 도전 접착 조인 트(conducting adhesive joint) 또는 직접적인 납땜 솔루션을 포함한다.
도19는 본 발명에 따른 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 범프 커넥터 솔루션의 단면도를 도시한다. 본 발명의 솔루션에서, 커버 부분(24)은 미세전자기계 컴포넌트의 미세전자기계 칩 부분(46)을 보호한다. 우선, 유전 층(54)이 커버 부분(24)의 표면 상에서 제조되고, 그 후에 도전 재배선 층(55)이 제조되며, 또한 유전 물질로 만들어진 보호 층(60)이 제조된다. 미세전자기계 컴포넌트의 전기 회로 부분(64)은 플립-플롭 방법에 의해, 미세전자기계 칩 부분을 보호하는 커버 부분(24)의 표면에 결합된다.
커버 부분(24)은 본 발명에 따른 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 미세전자기계 칩 부분(46)을 보호하는데, 상기 커버 부분(24)의 재배선 층(55) 상에서, 보호 층(60)의 개구 내에, 결합 범프(69,70)가 미세전자기계 컴포넌트의 외부 접속을 위해 제조된다. 본 발명에 따른 미세전자기계 컴포넌트의 범프 커넥터 솔루션에서, 미세전자기계 칩 부분(46) 및 전기 회로 부분(64)을 포함하는 미세전자기계 컴포넌트의 외부 커넥터가 범프 커넥터(69,70)에 의해 구현된다. 범프 커넥터(69,70)의 높이는 적어도 전기 회로 부분(64) 및 플립-플롭 결합 범프(61-63)의 총 높이와 동일하다. 범프 커넥터(69,70)는 또한 플립-플롭 결합 전에 위치되거나 장착될 수 있고, 또는 플립-플롭 결합의 제조와 함께 인터리빙될 수 있다.
본 발명에 따른 솔루션에서, 범프 커넥터(69,70)가 미세전자기계 컴포넌트 상에서 제조될 때, 임의의 별도의 캡슐화없이 납땜 처리에 적절한 미세전자기계 컴포넌트가 획득된다.
도20은 본 발명에 따라 미세전자기계 컴포넌트 솔루션을 범프 커넥터 솔루션에 의해 회로 보드에 부착하는 단면도를 도시한다. 본 발명에 따른 솔루션에서, 커버 부분(24)은 미세전자기계 컴포넌트의 미세전자기계 칩 부분(46)을 보호한다. 미세전자기계 컴포넌트의 전기 회로 부분(64)은 예컨대, 플립-플롭 방법에 의해서 미세전자기계 칩 부분(46)을 보호하는 커버 부분(24)의 표면에 결합된다.
범프 커넥터(69,70)가 회로 보드에 미세전자기계 컴포넌트를 연결시키기 위해, 본 발명에 따른 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 커버 부분(24)의 표면 상에서 제조된다. 범프 커넥터(69,70)의 높이는 적어도 전기 회로 부분(64) 및 플립-플롭 결합 범프(61-63)의 총 높이와 동일하다. 본 발명에 따른 솔루션에서, 미세전자기계 컴포넌트 솔루션은 플립-플롭 방법에 의해 회로 보드(71)의 표면에 연결되어, 예컨대, 적합한 방법으로 결합 범프(69,70)가 회로 보드(71)의 접속 영역(72,73)와 일렬로 정렬된다.
도21은 미세전자기계 칩 부분이 전기 회로 부분의 최상부에 부착된, 본 발명에 따른 대안적인 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 구현의 단면도를 도시한다. 본 발명에 따른 솔루션에서, 미세전자기계 칩 부분(46)은 커버 부분(24)을 통해 전기 접속을 하기 위한 리드-인 구조를 갖는 커버 부분(24)에 의해 차폐된다. 커버 부분(24)의 표면 상에서, 유전체 층(54)이 제조되고, 그 후에 도전 재배선 층(55)이 제조되며, 또한 유전 물질로 만들어진 보호 층(60)이 제조된다.
본 발명에 따른 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 전기 회로 부분(74)의 표면의 적절한 지점에서, 결합 범프(75-79)가 제조되거나, 대안적으로, 결합 범프(75- 79)가 보호 층(60)의 개구 내의 재배선 층(55) 상에서 미세전자기계 칩 부분(46)을 보호하는 커버 부분(24)의 표면 상에서 제조된다. 본 발명에 따른 솔루션에서, 미세전자기계 칩 부분(46)은 플립-플롭 방법에 의해, 전기 회로 부분(74)의 표면에 결합되고, 커버 부분(24)은 전기 회로 부분(74)의 표면을 향한다. 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 결합 범프(75-79)는 미세전자기계 칩 부분(46)와 전기 회로 부분(74) 사이에 도전성 접속을 형성한다. 전기 회로 부분(74)와 미세전자기계 칩 부분(46)의 커버 부분(24) 사이의 좁은 갭은 언더필(80)로 채워진다.
도22는 미세전자기계 칩 부분이 전기 회로 부분의 최상부에 부착된, 본 발명에 따른 대안적인 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 구현의 평면도를 도시한다. 본 발명에 따른 솔루션에서, 미세전자기계 칩 부분(46)은 플립-플롭 방법에 의해 전기 회로 부분(74)의 표면에 결합된다. 본 발명에 따른 솔루션에서, 미세전자기계 칩 부분(46)은 전기 회로 부분(74)보다 작아야만 해서, 필수적인 접촉 영역이 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 외부 접속을 위해 전기 회로 부분(74)의 표면 상에 존재한다.
도23은 본 발명에 따른 대안적인 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 예시적인 외부 접속 구현 솔루션의 단면도를 도시한다. 본 발명에 따른 솔루션에서, 미세전자기계 컴포넌트의 미세전자기계 칩 부분(46)이 플립-플롭 방법에 의해 전기 회로 부분(74)의 표면에 결합된다. 전기 회로 부분(74)와 미세전자기계 칩 부분(46)의 커버 부분 사이의 좁은 갭은 언더필(80)로 채워진다.
본 발명에 따른 예시적인 외부 접속 구현 솔루션에서, 미세전자기계 칩 부 분(46) 및 전기 회로 부분(74)을 포함하는 미세전자기계 컴포넌트의 외부 접속이 와이어 접속(81,82)에 의해 구현된다. 도면에서, 또한 성형 플라스틱 캡슐(83)이 미세전자기계 컴포넌트에 의해 형성된 유닛 상에서 성형된다.
미세전자기계 칩 부분(46) 및 전기 회로 부분(74)을 포함하는 미세전자기계 컴포넌트는 임의의 공지된 연결 솔루션에 의해 외부와 연결될 수 있다. 이러한 연결 솔루션은, 와이어 접속(81,82) 외에도, 범프 커넥터, 도전 접착 조인트, 또는 직접적인 납땜 솔루션을 포함한다.
도24는 본 발명에 따른 대안적인 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 범프 커넥터 솔루션의 단면도를 도시한다. 본 발명에 따른 솔루션에서, 미세전자기계 칩 부분(46)은 플립-플롭 방법에 의해 전기 회로 부분(74)의 표면에 결합된다. 본 발명에 따른 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 전기 회로 부분(74)의 표면 상의 적절한 지점에서, 범프 커넥터(84,85)가 미세전자기계 컴포넌트의 외부 접속을 위해 제조된다.
본 발명에 따른 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 대안적인 범프 커넥터 솔루션에서, 미세전자기계 칩 부분(46) 및 전기 회로 부분(74)을 포함하는 미세전자기계 컴포넌트의 외부 접속은 범프 커넥터(84,85)에 의해 구현된다. 범프 커넥터(84,85)의 높이는 적어도 미세전자기계 칩 부분(46) 및 플립-플롭 결합 범프(75-79)의 총 높이와 동일하다. 범퍼 커넥터(84,85)는 또한 플립-플롭 결합 전에 위치되거나 장착될 수 있고, 또는 플립-플롭 결합의 제조와 함께 인터리빙될 수 있다.
본 발명에 따른 솔루션에서, 범프 커넥터(84,85)가 미세전자기계 컴포넌트 상에서 제조될 때, 임의의 별도의 캡슐화없이 납땜 처리에 적절한 미세전자기계 컴포넌트가 획득된다.
도25는 본 발명에 따른 대안적인 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 접착 조인트 솔루션의 단면도를 도시한다. 본 발명에 따른 솔루션에서, 미세전자기계 컴포넌트의 미세전자기계 칩 부분(46)은 플립-플롭 방법에 의해 전기 회로 부분(74)의 표면에 결합된다. 본 발명에 따른 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 전기 회로 부분(74)의 표면 상에서, 접착 조인트(86,87)는 미세전자기계 컴포넌트의 외부 접속을 위해 적절한 지점에서 제조된다.
본 발명에 따른 미세전자기계 컴포넌트 솔루션의 대안적인 접착 조인트 솔루션에서, 미세전자기계 칩 부분(46) 및 전기 회로 부분(74)을 포함하는 미세전자기계 컴포넌트의 외부 접속은 접착 조인트(86,87)에 의해 구현된다. 미세전자기계 컴포넌트의 접착 조인트(86,87)는 미세전자기계 컴포넌트의 캡슐 구조(88)에 도전성 접속을 형성하는데, 상기 구조는 도전성 코팅(89,90)이 제공된다. 미세전자기계 컴포넌트의 캡슐 구조(88)는 미세전자기계 칩 부분(46) 및 전기 회로 부분(74)을 포함하는 미세전자기계 컴포넌트를 정합시키기에 적절하게 디자인된다.
본 발명에 따른 방법에 의해 제조되는 미세전자기계 컴포넌트는 또한 신호 처리 능력을 처리한다. 본 발명에 의해, 미세전자기계 컴포넌트 솔루션이 제공되는데, 여기서 전기 기능은 바람직한 방법으로 미세전자기계 컴포넌트에 통합되고, 또한 소형 미세전자기계 움직임 센서 솔루션, 압력 센서 솔루션, 다른 센서 솔루션, 진동 주파수 안정화를 위한 솔루션, 전기 신호 필터링 솔루션, 전기 신호 스위칭 솔루션 및 전기 임피던스 정합 솔루션에 특히 사용 가능하다.
본 발명은 예컨대, 가속도, 각가속도, 각속도, 압력 또는 다른 물리적인 양을 측정하는데 사용하기 위한 미세전자기계 계량기, 진동 주파수를 생성하여 안정화시키는데 사용되는 오실레이터 및 주파수 동조기, 그리고 공진기, 필터, 스위치 또는 임피던스 정합 소자와 같은 미세전자기계 부분, 무선 장치의 고주파수 또는 중간 주파수 부분과 같은 전기 회로에 의해 구현되는 기능에 부가하기를 희망하는 컴포넌트, 및 초소형회로에 의해 구현되는 부분과 차폐된 공간에 위치되는 미세전자기계 부분을 결합시키는데 필요로 되는 다른 미세전자기계 장치에 특히 적합하다. 본 발명에 의해, 개선된 방법은 미세전자기계 컴포넌트를 제조하는데 제공되고, 특히 소형 미세전자기계 센서 솔루션, 진동 주파수 안정화 솔루션, 전기 신호 필터링 솔루션, 전기 신호 스위칭 솔루션, 및 전기 임피던스 정합 솔루션에서 사용하기에 특히 적합하다.
본 발명에 의해 제조된 미세전자기계 컴포넌트에서, 미세전자기계 칩 부분 및 전기 회로 부분의 서로에 대한 기계적이고 전기 결합이 특정한 유형의 커버 웨이퍼를 사용함으로써 바람직한 방법으로 구현되어, 제조시, 미세전자기계 웨이퍼 또는 회로 부분 웨이퍼가 다른 칩(회로 부분 또는 미세전자기계 칩)을 장착하기 위한 기판의 역할을 하고, 부분들 사이의 연결은 외부로부터 보호된다.
본 발명에 따른 방법에서, 전기 회로 부분은, 예컨대, 커버가 있는 미세전자기계 웨이퍼의 표면 상에서 하나씩 장착될 수 있다. 그러므로 테스트를 통과한 전기 회로 부분만이 테스트를 통과한 미세전자기계 칩을 포함하는 위치에서만 장착된 다는 것을 보장한다. 본 발명에 따른 방법에서, 미세전자기계 웨이퍼가 장착 단계 및 최종적인 테스트 이후에만 다이싱된다.

Claims (106)

  1. 미세전자기계 칩 부분(46)은 커버 부분(24,28,33,41,47,48)에 의해 차폐되고, 커버 부분(24,28,33,41,47,48)은 커버 부분(24,28,33,41,47,48)을 통해 전기 접속들을 가져오기 위한 리드-인 구조들(lead-in structures)을 포함하는, 미세전자기계 컴포넌트를 제조하는 방법에 있어서,
    제1 부분은:
    - 커버 부분(24,28,33,41,47,48)에 의해 차폐된 상기 미세전자기계 칩 부분(46), 또는
    - 전자 회로 부분(64, 74) 중 하나이고,
    제2 부분은 제1 부분과 다른, 상기 부분들 중 하나이므로,
    - 제1 부분은 제1 결합 부재들(61-63, 75-79)에 의해 제2 부분에 결합되고,
    - 제2 부분은 제1 부분보다 크고, 제1 부분과 근접하게, 제2 결합 부재들(66-67, 69-70, 81-82, 84-85, 86-87)은 미세전자기계 컴포넌트의 외부 접속들을 위해 제2 부분의 표면 상에서 제조되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트를 제조하는 방법.
  2. 제 1항에 있어서, 커버 부분(24)은 주로 유리로 만들어지고, 커버 부분(24) 내에서, 유리 소자를 통해 신장하는 도전성 영역들(25-27)은 실리콘으로 제조되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트를 제조하는 방법.
  3. 제 1항에 있어서, 커버 부분(28)은 주로 실리콘으로 만들어지고, 커버 부분(28) 내에서, 유리 절연체(32)가 제조되어, 커버 부분(28) 내에서, 유리 절연체(32)를 통해 신장하는 도전성 영역들(28-31)은 실리콘으로 제조되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트를 제조하는 방법.
  4. 제 1항에 있어서, 커버 부분(33)은 주로 실리콘으로 만들어지고, 커버 부분(33) 내에서, 유리 절연체들(37-40)이 제조되어, 커버 부분(33)은 스트립-형 도전성 영역들(strip-like conducting areas; 34-36)로 분할되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트를 제조하는 방법.
  5. 제 1항에 있어서, 커버 부분(41)은 주로 실리콘으로 만들어지고, 커버 부분(41) 내에서, 유리 절연체(45)가 제조되어, 커버 부분(41)은 절연 도전성 영역들(42-44)로 분할되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트를 제조하는 방법.
  6. 제 2항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서, 커버 부분(24) 및/또는 유리 절연체들(32,37-40,45)은 유리 대신 몇몇의 다른 공지된 유전체 물질로 만들어지는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트를 제조하는 방법.
  7. 제 2항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서, 커버 부분(28,33,41) 및/또는 도전성 영역들(25-27,29-31,34-36,42-44)은 실리콘 대신 몇몇의 다른 공지된 도전성 물질로 만들어지는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트를 제조하는 방법.
  8. 제 1항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 있어서, 커버 부분(24,28,33,41, 47,48)의 도전성 리드-인과 미세전자기계 칩 부분(46) 사이의 전기 접속의 형성은 직접적인 결합에 의해 구현되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트를 제조하는 방법.
  9. 제 1항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 있어서, 커버 부분(24,28,33,41, 47,48)의 도전성 리드-인과 미세전자기계 칩 부분(46) 사이의 전기 접속의 형성은 표면 상에 위치된 금속 층들에 의해 구현되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트를 제조하는 방법.
  10. 제 1항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 있어서, 커버 부분(24,28,33,41, 47,48)의 도전성 리드-인과 미세전자기계 칩 부분(46) 사이의 전기 접속의 형성은 납땜 범프에 의해 구현되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트를 제조하는 방법.
  11. 제 1항 내지 제 10항 중 어느 한 항에 있어서, 커버 부분(24,28,33,41, 47,48)을 미세전자기계 칩 부분(46)에 결합시키기 전에, 재배선 층(49-52, 53,55,57,59)은 커버 부분(24,28,33,41,47,48)의 표면 상에서 제조되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트를 제조하는 방법.
  12. 제 1항 내지 제 10항 중 어느 한 항에 있어서, 커버 부분(24,28,33,41, 47,48)을 미세전자기계 칩 부분(46)에 결합시킨 후에, 재배선 층(49-52, 53,55,57,59)은 커버 부분(24,28,33,41,47,48)의 표면 상에서 제조되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트를 제조하는 방법.
  13. 제 11항 또는 제 12항에 있어서, 도전성 접속은 재배선 층(49-52,53, 55,57,59)에 의해 커버 부분의 도전성 영역들(25-27, 29-31, 34-36, 42-44)과 제1 결합 부재들(61-63, 71-79) 사이에 생성되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트를 제조하는 방법.
  14. 제 11항 또는 제 12항에 있어서, 도전성 접속은 재배선 층(49-52,53, 55,57,59)에 의해 제1 결합 부재들(61-63, 71-79)과 제2 결합 부재들(66-67, 69-70, 81-82, 84-85, 86-87) 사이에 생성되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트를 제조하는 방법.
  15. 제 11항 내지 제 14항 중 어느 한 항에 있어서, 재배선 층(49-52,53, 55,57,59)을 제조하기 전에, 유전체 층(54,56,58)은 커버 부분(24,28,33,41, 47,48)의 표면 상에서 제조되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트를 제조하는 방법.
  16. 제 11항 내지 제 15항 중 어느 한 항에 있어서, 보호 층(60)은 재배선 층(49-52,53,55,57,59)의 최상부 상에서 제조되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트를 제조하는 방법.
  17. 제 1항 내지 제 16항 중 어느 한 항에 있어서, 제1 결합 부재들(61-63)은 회로 부분(64)의 표면 상에서 제조되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트를 제조하는 방법.
  18. 제 1항 내지 제 16항 중 어느 한 항에 있어서, 제1 결합 부재들(61-63)은 보호 층(60)의 개구들 내에서 커버 부분(24,28,33,41,47,48)의 재배선 층(49-52,53,55,57,59)의 최상부 상에서 제조되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트를 제조하는 방법.
  19. 제 17항 또는 제 18항에 있어서, 전기 회로 부분(64)은 미세전자기계 칩 부분(46)을 보호하는 커버 부분(24,28,33,41,47,48)의 표면에 플립-플롭 방법에 의해 결합되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트를 제조하는 방법.
  20. 제 17항 내지 제 19항 중 어느 한 항에 있어서, 전기 회로 부분(64)은 미세전자기계 칩 부분(46)보다 작은 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트를 제조하는 방법.
  21. 제 17항 내지 제 20항 중 어느 한 항에 있어서, 전기 회로 부분(64)과 미세전자기계 칩 부분(46)의 커버 부분(24,28,33,41,47,48) 사이의 좁은 갭(gap)은 언더필(underfill; 65)로 채워지는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트를 제조하는 방법.
  22. 제 17항 내지 제 21항 중 어느 한 항에 있어서, 미세전자기계 컴포넌트의 제2 결합 부재들(66-67)은 와이어 접속들(66-67)에 의해 구현되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트를 제조하는 방법.
  23. 제 22항에 있어서, 플라스틱 성형 캡슐(68)은 미세전자기계 컴포넌트 상에 성형되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트를 제조하는 방법.
  24. 제 17항 내지 제 21항 중 어느 한 항에 있어서, 미세전자기계 컴포넌트의 제2 결합 부재들(69-70)은 범프 커넥터들(bump connectors; 69-70)에 의해 구현되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트를 제조하는 방법.
  25. 제 24항에 있어서, 범프 커넥터들(69-70)의 높이는 적어도 전기 회로 부분(64) 및 제1 결합 부재들(61-63)의 총 높이와 동일한 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트를 제조하는 방법.
  26. 제 24항 또는 제 25항에 있어서, 범프 커넥터들(69-70)은 플립-플롭 결합 전에 제조되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트를 제조하는 방법.
  27. 제 24항 또는 제 25항에 있어서, 범프 커넥터들(69-70)은 플립-플롭 결합의 제조와 함께 인터리빙되어 제조되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트를 제조하는 방법.
  28. 제 24항 내지 제 27항 중 어느 한 항에 있어서, 미세전자기계 컴포넌트는 플립-플롭 방법에 의해 회로 보드(71)의 표면에 부착되어, 접속 범프들(69-70)은 회로 보드(71)의 접속 영역들(72,73)과 일렬로 정렬되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트를 제조하는 방법.
  29. 제 17항 내지 제 21항 중 어느 한 항에 있어서, 미세전자기계 컴포넌트의 제2 결합 부재들은 접착 조인트들(adhesive joints)에 의해 구현되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트를 제조하는 방법.
  30. 제 17항 내지 21항 중 어느 한 항에 있어서, 미세전자기계 컴포넌트의 제2 결합 부재들은 직접적인 납땜 조인트들에 의해 구현되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트를 제조하는 방법.
  31. 제 29항 또는 제 30항에 있어서, 제2 결합 부재들은 미세전자기계 컴포넌트의 캡슐 구조로의 도전성 접속을 형성하고, 캡슐 구조에는 도전성 코팅들이 제공되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트를 제조하는 방법.
  32. 제 29항 내지 제 31항 중 어느 한 항에 있어서, 미세전자기계 컴포넌트의 캡슐 구조는 미세전자기계 컴포넌트에 정합(match)시키기에 적절하게 디자인되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트를 제조하는 방법.
  33. 제 1항 내지 제 16항 중 어느 한 항에 있어서, 제1 결합 부재들(75-79)은 전기 회로 부분(74)의 표면 상에서 제조되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트를 제조하는 방법.
  34. 제 1항 내지 제 16항 중 어느 한 항에 있어서, 제1 결합 부재들(75-79)은 보호 층(60)의 개구들 내에서 커버 부분(24,28,33,41,47,48)의 재배선 층(49- 52,53,55,57,59) 상에 제조되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트를 제조하는 방법.
  35. 제 33항 또는 제 34항에 있어서, 미세전자기계 칩 부분(46)은 플립-플롭 방법에 의해 전기 회로 부분(74)의 표면에 결합되고, 커버 부분(24)은 전기 회로 부분(74)의 표면을 향하는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트를 제조하는 방법.
  36. 제 33항 내지 제 35항 중 어느 한 항에 있어서, 미세전자기계 칩 부분(46)은 전기 회로 부분(74)보다 작은 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트를 제조하는 방법.
  37. 제 33항 내지 제 36항 중 어느 한 항에 있어서, 전기 회로 부분(74)과 미세전자기계 칩 부분(46)의 커버 부분(24) 사이의 좁은 갭은 언더필(80)로 채워지는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트를 제조하는 방법.
  38. 제 33항 내지 제 37항 중 어느 한 항에 있어서, 미세전자기계 컴포넌트의 제2 결합 부재들(81-82)은 와이어 접속들에 의해 구현되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트를 제조하는 방법.
  39. 제 38항에 있어서, 플라스틱 성형 캡슐(83)은 미세전자기계 컴포넌트 상에서 성형되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트를 제조하는 방법.
  40. 제 33항 내지 제 37항 중 어느 한 항에 있어서, 미세전자기계 컴포넌트의 제2 결합 부재들(84-85)은 범프 커넥터들(84-85)에 의해 구현되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트를 제조하는 방법.
  41. 제 40항에 있어서, 범프 커넥터들(84-85)의 높이는 적어도 미세전자기계 칩 부분(46) 및 제1 결합 부재(75-79)의 총 높이와 동일한 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트를 제조하는 방법.
  42. 제 40항 또는 제 41항에 있어서, 범프 커넥터들(84-85)은 플립-플롭 결합 전에 제조되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트를 제조하는 방법.
  43. 제 40항 또는 제 41항에 있어서, 범프 커넥터들(84-85)은 플립-플롭 결합의 제조와 인터리빙되어 제조되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트를 제조하는 방법.
  44. 제 40항 내지 제 43항 중 어느 한 항에 있어서, 미세전자기계 컴포넌트는 플립-플롭 방법에 의해 회로 보드의 표면에 부착되어, 접속 범프들(69-70)은 회로 보 드의 접속 영역들과 일렬로 정렬되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트를 제조하는 방법.
  45. 제 33항 내지 제 37항 중 어느 한 항에 있어서, 미세전자기계 컴포넌트의 제2 결합 부재들(86-87)은 접착 조인트들(86-87)에 의해 구현되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트를 제조하는 방법.
  46. 제 33항 내지 제 37항 중 어느 한 항에 있어서, 미세전자기계 컴포넌트의 제2 결합 부재들은 직접적인 납땜 조인트들에 의해 구현되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트를 제조하는 방법.
  47. 제 45항 또는 제 46항에 있어서, 제2 결합 부재들(86-87)은 미세전자기계 컴포넌트의 캡슐 구조(88)에 도전성 접속을 형성하고, 캡슐 구조(88)에는 도전성 코팅들(89-90)이 제공되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트를 제조하는 방법.
  48. 제 45항 내지 제 47항 중 어느 한 항에 있어서, 미세전자기계 컴포넌트의 캡슐 구조(88)는 미세전자기계 컴포넌트에 정합시키기에 적절하게 디자인되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트를 제조하는 방법.
  49. 제 1항 내지 제 48항 중 어느 한 항에 있어서, 미세전자기계 컴포넌트의 전기 회로 부분(64,74)은 전기 신호 처리 능력을 갖는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트를 제조하는 방법.
  50. 제 1항 내지 제 49항 중 어느 한 항에 있어서, 제2 부분들의 세트를 포함하는 플레이트-형 기판(plate-like substrate)은 제1 부분을 장착하기 위한 기판의 역할을 하는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트를 제조하는 방법.
  51. 제 50항에 있어서, 제1 부분들의 세트는 상기 제2 부분들의 세트를 포함하는 플레이트-형 기판의 표면 상에 하나씩 장착되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트를 제조하는 방법.
  52. 제 51항에 있어서, 테스트를 통과한 제1 부분들만이 테스트를 통과한 제2 부분들의 표면 상에 장착되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트를 제조하는 방법.
  53. 제 50항 내지 제 52항 중 어느 한 항에 있어서, 제2 부분을 포함하는 플레이트-형 기판은 장착 단계들 이후에만 다이싱(dice)되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트를 제조하는 방법.
  54. 제 50항 내지 제 53항 중 어느 한 항에 있어서, 제2 부분을 포함하는 플레이트-형 기판은 최종 테스트 이후에만 다이싱되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트를 제조하는 방법.
  55. - 커버 부분(24,28,33,41,47,48)을 통해 전기 접속들을 가져오기 위한 리드-인 구조들을 포함하는 커버 부분(24,28,33,41,47,48)에 의해 차폐된 미세전자기계 칩 부분(46); 및
    - 전자 회로 부분(64,74)을 포함하는, 미세전자기계 컴포넌트에 있어서,
    제1 부분은:
    - 커버 부분(24,28,33,41,47,48)에 의해 차폐된 상기 미세전자기계 칩 부분(46), 또는
    - 상기 전자 회로 부분(64,74) 중 하나이고,
    제2 부분은 제1 부분과는 다른, 상기 부분들 중 하나이므로,
    - 제1 부분은 제1 결합 부재들(61-63, 75-79)에 의해 제2 부분에 결합되고,
    - 제2 부분은 제1 부분보다 크며, 제1 부분과 근접하게, 제2 결합 부재들(66-67, 69-70, 81-82, 84-85, 86-87)은 미세전자기계 컴포넌트의 외부 접속들을 위해 제2 부분의 표면 상에서 제조되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트.
  56. 제 55항에 있어서, 커버 부분(24)은 주로 유리로 만들어지고, 커버 부분(24) 내에서, 유리 소자를 통해 신장하는 도전성 영역들(25-27)은 실리콘으로 만들어지는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트.
  57. 제 55항에 있어서, 커버 부분(28)은 주로 실리콘으로 만들어지고, 커버 부분(28) 내에서, 유리 절연체(32)가 제조되어, 커버 부분(28) 내에서, 유리 절연체(32)를 통해 신장하는 도전성 영역들(28-31)은 실리콘으로 제조되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트.
  58. 제 55항에 있어서, 커버 부분(33)은 주로 실리콘으로 만들어지고, 커버 부분(33) 내에서, 유리 절연체들(37-40)이 제조되어, 커버 부분(33)은 스트립-형 도전성 영역들(34-36)로 분할되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트.
  59. 제 55항에 있어서, 커버 부분(41)은 주로 실리콘으로 만들어지고, 커버 부분(41) 내에서, 유리 절연체(45)가 제조되어, 커버 부분(41)은 절연 도전성 영역들(42-44)로 분할되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트.
  60. 제 56항 내지 제 59항 중 어느 한 항에 있어서, 커버 부분(24) 및/또는 유리 절연체들(32,37-40,45)은 유리 대신 몇몇의 다른 공지된 유전체 물질로 만들어지는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트.
  61. 제 56항 내지 제 60항 중 어느 한 항에 있어서, 커버 부분(28,33,41) 및/또는 도전성 영역들(25-27,29-31,34-36,42-44)은 실리콘 대신 몇몇의 다른 공지된 도전성 물질로 만들어지는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트.
  62. 제 55항 내지 제 61항 중 어느 한 항에 있어서, 커버 부분(24,28,33, 41,47,48)의 도전성 리드-인과 미세전자기계 칩 부분(46) 사이의 전기 접속의 형성은 직접적인 결합에 의해 구현되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트.
  63. 제 55항 내지 제 61항 중 어느 한 항에 있어서, 커버 부분(24,28,33, 41,47,48)의 도전성 리드-인과 미세전자기계 칩 부분(46) 사이의 전기 접속의 형성은 표면 상에 위치된 금속 층들에 의해 구현되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트.
  64. 제 55항 내지 제 61항 중 어느 한 항에 있어서, 커버 부분(24,28,33, 41,47,48)의 도전성 리드-인과 미세전자기계 칩 부분(46) 사이의 전기 접속의 형성은 납땜 범프에 의해 구현되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트.
  65. 제 55항 내지 제 64항 중 어느 한 항에 있어서, 재배선 층(49-52,53,55, 57,59)은 커버 부분(24,28,33,41,47,48)의 표면 상에서 제조되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트.
  66. 제 65항에 있어서, 도전성 접속은 재배선 층(49-52,53,55,57,59)에 의해 커버 부분의 도전성 영역들(25-27, 29-31, 34-36, 42-44)과 제1 결합 부재들(61-63, 71-79) 사이에 생성되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트.
  67. 제 65항에 있어서, 도전성 접속은 재배선 층(49-52,53,55,57,59)에 의해 제1 결합 부재들(61-63, 71-79)과 제2 결합 부재들(66-67, 69-70, 81-82, 84-85, 86-87) 사이에 생성되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트.
  68. 제 65항 내지 제 67항 중 어느 한 항에 있어서, 재배선 층(49-52,53, 55,57,59)을 제조하기 전에, 유전체 층(54,56,58)은 커버 부분(24,28,33,41, 47,48)의 표면 상에서 제조되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트.
  69. 제 65항 내지 제 68항 중 어느 한 항에 있어서, 보호 층(60)은 재배선 층(49-52,53,55,57,59)의 최상부 상에서 제조되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트.
  70. 제 55항 내지 제 69항 중 어느 한 항에 있어서, 제1 결합 부재들(61-63)은 회로 부분(64)의 표면 상에서 제조되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트.
  71. 제 55항 내지 제 69항 중 어느 한 항에 있어서, 제1 결합 부재들(61-63)은 보호 층(60)의 개구들 내에서 커버 부분(24,28,33,41,47,48)의 재배선 층(49-52,53,55,57,59)의 최상부 상에서 제조되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트.
  72. 제 70항 또는 제 71항에 있어서, 전기 회로 부분(64)은 미세전자기계 칩 부분(46)을 보호하는 커버 부분(24,28,33,41,47,48)의 표면에 결합되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트.
  73. 제 70항 내지 제 72항 중 어느 한 항에 있어서, 전기 회로 부분(64)은 미세전자기계 칩 부분(46)보다 작은 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트.
  74. 제 70항 내지 제 73항 중 어느 한 항에 있어서, 전기 회로 부분(64)과 미세전자기계 칩 부분(46)의 커버 부분(24,28,33,41,47,48) 사이의 좁은 갭은 언더필(65)로 채워지는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트.
  75. 제 70항 내지 제 74항 중 어느 한 항에 있어서, 미세전자기계 컴포넌트의 제2 결합 부재들(66-67)은 와이어 접속들(66-67)에 의해 구현되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트.
  76. 제 75항에 있어서, 플라스틱 성형 캡슐(68)은 미세전자기계 컴포넌트 상에서 성형되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트.
  77. 제 70항 내지 제 74항 중 어느 한 항에 있어서, 미세전자기계 컴포넌트의 제2 결합 부재들(69-70)은 범프 커넥터들(69-70)에 의해 구현되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트.
  78. 제 77항에 있어서, 범프 커넥터들(69-70)의 높이는 적어도 전기 회로 부분(64) 및 제1 결합 부재들(61-63)의 총 높이와 동일한 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트.
  79. 제 77항 또는 제 78항에 있어서, 미세전자기계 컴포넌트는 회로 보드(71)의 표면에 부착되어, 접속 범프들(69-70)은 회로 보드(71)의 접속 영역들(72,73)과 일렬로 정렬되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트.
  80. 제 70항 내지 제 74항 중 어느 한 항에 있어서, 미세전자기계 컴포넌트의 제2 결합 부재들은 접착 조인트들에 의해 구현되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트.
  81. 제 70항 내지 제 74항 중 어느 한 항에 있어서, 미세전자기계 컴포넌트의 제2 결합 부재들은 직접적인 납땜 조인트들에 의해 구현되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트.
  82. 제 80항 또는 제 81항에 있어서, 제2 결합 부재들은 미세전자기계 컴포넌트의 캡슐 구조에 도전성 접속을 형성하고, 캡슐 구조에는 도전성 코팅들이 제공되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트.
  83. 제 80항 내지 제 82항 중 어느 한 항에 있어서, 미세전자기계 컴포넌트의 캡슐 구조는 미세전자기계 컴포넌트에 정합시키기에 적절하게 디자인되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트.
  84. 제 55항 내지 제 69항 중 어느 한 항에 있어서, 제1 결합 부재들(75-79)은 전기 회로 부분(74)의 표면 상에서 제조되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트.
  85. 제 55항 내지 제 69항 중 어느 한 항에 있어서, 제1 결합 부재들(75-79)은 보호 층(60)의 개구들 내에서 커버 부분(24,28,33,41,47,48)의 재배선 층(49-52,53,55,57,59) 상에 제조되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트.
  86. 제 84항 또는 제 85항에 있어서, 미세전자기계 칩 부분(46)은 전기 회로 부분(74)의 표면에 결합되고, 커버 부분(24)은 전기 회로 부분(74)의 표면을 향하는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트.
  87. 제 84항 내지 제 86항 중 어느 한 항에 있어서, 미세전자기계 칩 부분(46)은 전기 회로 부분(74)보다 작은 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트.
  88. 제 84항 내지 제 87항 중 어느 한 항에 있어서, 전기 회로 부분(74)과 미세전자기계 칩 부분(46)의 커버 부분(24) 사이의 좁은 갭은 언더필(80)로 채워지는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트.
  89. 제 84항 내지 제 88항 중 어느 한 항에 있어서, 미세전자기계 컴포넌트의 제2 결합 부재들(81-82)은 와이어 접속들에 의해 구현되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트.
  90. 제 89항에 있어서, 플라스틱 성형 캡슐(83)은 미세전자기계 컴포넌트 상에 성형되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트.
  91. 제 84항 내지 제 88항 중 어느 한 항에 있어서, 미세전자기계 컴포넌트의 제2 결합 부재들(84-85)은 범프 커넥터들(84-85)에 의해 구현되는 것을 특징으로 하 는, 미세전자기계 컴포넌트.
  92. 제 91항에 있어서, 범프 커넥터들(84-85)의 높이는 적어도 미세전자기계 칩 부분(46) 및 제1 결합 부재(75-79)의 총 높이와 동일한 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트.
  93. 제 91항 또는 제 92항에 있어서, 미세전자기계 컴포넌트는 회로 보드의 표면에 부착되어, 접속 범프들(69-70)은 회로 보드의 접속 영역들과 일렬로 정렬되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트.
  94. 제 84항 내지 제 88항 중 어느 한 항에 있어서, 미세전자기계 컴포넌트의 제2 결합 부재들(86-87)은 접착 조인트들(86-87)에 의해 구현되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트.
  95. 제 84항 내지 제 88항 중 어느 한 항에 있어서, 미세전자기계 컴포넌트의 제2 결합 부재들은 직접적인 납땜 조인트들에 의해 구현되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트.
  96. 제 94항 또는 제 95항에 있어서, 제2 결합 부재들(86-87)은 미세전자기계 컴포넌트의 캡슐 구조(88)에 도전성 접속을 형성하고, 캡슐 구조(88)에는 도전성 코 팅들(89-90)이 제공되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트.
  97. 제 94항 내지 제 96항 중 어느 한 항에 있어서, 미세전자기계 컴포넌트의 캡슐 구조(88)는 상기 미세전자기계 컴포넌트에 정합시키기에 적절하게 디자인되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트.
  98. 제 55항 내지 제 97항 중 어느 한 항에 있어서, 미세전자기계 컴포넌트의 전기 회로 부분(64,74)은 전기 신호 처리 능력을 갖는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 컴포넌트.
  99. - 커버 부분(24,28,33,41,47,48)을 통해 전기 접속들을 가져오기 위한 리드-인 구조들을 포함하는 커버 부분(24,28,33,41,47,48)에 의해 차폐된 미세전자기계 칩 부분(46); 및
    - 전자 회로 부분(64,74)을 포함하는, 미세전자기계 가속 센서에 있어서,
    제1 부분은:
    - 커버 부분(24,28,33,41,47,48)에 의해 차폐된 상기 미세전자기계 칩 부분(46), 또는
    - 상기 전자 회로 부분(64,74) 중 하나이고,
    제2 부분은 제1 부분과는 다른, 상기 부분들 중 하나이므로,
    - 제1 부분은 제1 결합 부재들(61-63, 75-79)에 의해 제2 부분에 결합되고,
    - 제2 부분은 제1 부분보다 크며, 제1 부분과 근접하게, 제2 결합 부재들(66-67, 69-70, 81-82, 84-85, 86-87)은 미세전자기계 가속 센서의 외부 접속들을 위해 제2 부분의 표면 상에서 제조되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 가속 센서.
  100. - 커버 부분(24,28,33,41,47,48)을 통해 전기 접속들을 가져오기 위한 리드-인 구조들을 포함하는 커버 부분(24,28,33,41,47,48)에 의해 차폐된 미세전자기계 칩 부분(46); 및
    - 전자 회로 부분(64,74)을 포함하는, 미세전자기계 각가속 센서에 있어서,
    제1 부분은:
    - 커버 부분(24,28,33,41,47,48)에 의해 차폐된 상기 미세전자기계 칩 부분(46), 또는
    - 상기 전자 회로 부분(64,74) 중 하나이고,
    제2 부분은 제1 부분과는 다른, 상기 부분들 중 하나이므로,
    - 제1 부분은 제1 결합 부재들(61-63, 75-79)에 의해 제2 부분에 결합되고,
    - 제2 부분은 제1 부분보다 크며, 제1 부분과 근접하게, 제2 결합 부재들(66-67, 69-70, 81-82, 84-85, 86-87)은 미세전자기계 각가속 센서의 외부 접속들을 위해 제2 부분의 표면 상에서 제조되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 각가속 센서.
  101. - 커버 부분(24,28,33,41,47,48)을 통해 전기 접속들을 가져오기 위한 리드-인 구조들을 포함하는 커버 부분(24,28,33,41,47,48)에 의해 차폐된 미세전자기계 칩 부분(46); 및
    - 전자 회로 부분(64,74)을 포함하는, 미세전자기계 각속도 센서에 있어서,
    제1 부분은:
    - 커버 부분(24,28,33,41,47,48)에 의해 차폐된 상기 미세전자기계 칩 부분(46), 또는
    - 상기 전자 회로 부분(64,74) 중 하나이고,
    제2 부분은 제1 부분과는 다른, 상기 부분들 중 하나이므로,
    - 제1 부분은 제1 결합 부재들(61-63, 75-79)에 의해 제2 부분에 결합되고,
    - 제2 부분은 제1 부분보다 크며, 제1 부분과 근접하게, 제2 결합 부재들(66-67, 69-70, 81-82, 84-85, 86-87)은 미세전자기계 각속도 센서의 외부 접속들을 위해 제2 부분의 표면 상에서 제조되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 각속도 센서.
  102. - 커버 부분(24,28,33,41,47,48)을 통해 전기 접속들을 가져오기 위한 리드-인 구조들을 포함하는 커버 부분(24,28,33,41,47,48)에 의해 차폐된 미세전자기계 칩 부분(46); 및
    - 전자 회로 부분(64,74)을 포함하는, 미세전자기계 압력 센서에 있어서,
    제1 부분은:
    - 커버 부분(24,28,33,41,47,48)에 의해 차폐된 상기 미세전자기계 칩 부분(46), 또는
    - 상기 전자 회로 부분(64,74) 중 하나이고,
    제2 부분은 제1 부분과는 다른, 상기 부분들 중 하나이므로,
    - 제1 부분은 제1 결합 부재들(61-63, 75-79)에 의해 제2 부분에 결합되고,
    - 제2 부분은 제1 부분보다 크며, 제1 부분과 근접하게, 제2 결합 부재들(66-67, 69-70, 81-82, 84-85, 86-87)은 미세전자기계 압력 센서의 외부 접속들을 위해 제2 부분의 표면 상에서 제조되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 압력 센서.
  103. - 커버 부분(24,28,33,41,47,48)을 통해 전기 접속들을 가져오기 위한 리드-인 구조들을 포함하는 커버 부분(24,28,33,41,47,48)에 의해 차폐된 미세전자기계 칩 부분(46); 및
    - 전자 회로 부분(64,74)을 포함하는, 미세전자기계 진동 주파수 안정기에 있어서,
    제1 부분은:
    - 커버 부분(24,28,33,41,47,48)에 의해 차폐된 상기 미세전자기계 칩 부분(46), 또는
    - 상기 전자 회로 부분(64,74) 중 하나이고,
    제2 부분은 제1 부분과는 다른, 상기 부분들 중 하나이므로,
    - 제1 부분은 제1 결합 부재들(61-63, 75-79)에 의해 제2 부분에 결합되고,
    - 제2 부분은 제1 부분보다 크며, 제1 부분과 근접하게, 제2 결합 부재들(66-67, 69-70, 81-82, 84-85, 86-87)은 미세전자기계 진동 주파수 안정기의 외부 접속들을 위해 제2 부분의 표면 상에서 제조되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 진동 주파수 안정기.
  104. - 커버 부분(24,28,33,41,47,48)을 통해 전기 접속들을 가져오기 위한 리드-인 구조들을 포함하는 커버 부분(24,28,33,41,47,48)에 의해 차폐된 미세전자기계 칩 부분(46); 및
    - 전자 회로 부분(64,74)을 포함하는, 미세전자기계 전기 신호 필터에 있어서,
    제1 부분은:
    - 커버 부분(24,28,33,41,47,48)에 의해 차폐된 상기 미세전자기계 칩 부분(46), 또는
    - 상기 전자 회로 부분(64,74) 중 하나이고,
    제2 부분은 제1 부분과는 다른, 상기 부분들 중 하나이므로,
    - 제1 부분은 제1 결합 부재들(61-63, 75-79)에 의해 제2 부분에 결합되고,
    - 제2 부분은 제1 부분보다 크며, 제1 부분과 근접하게, 제2 결합 부재들(66-67, 69-70, 81-82, 84-85, 86-87)은 미세전자기계 전기 신호 필터의 외부 접속들을 위해 제2 부분의 표면 상에서 제조되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 전기 신호 필터.
  105. - 커버 부분(24,28,33,41,47,48)을 통해 전기 접속들을 가져오기 위한 리드-인 구조들을 포함하는 커버 부분(24,28,33,41,47,48)에 의해 차폐된 미세전자기계 칩 부분(46); 및
    - 전자 회로 부분(64,74)을 포함하는, 미세전자기계 스위칭 컴포넌트에 있어서,
    제1 부분은:
    - 커버 부분(24,28,33,41,47,48)에 의해 차폐된 상기 미세전자기계 칩 부분(46), 또는
    - 상기 전자 회로 부분(64,74) 중 하나이고,
    제2 부분은 제1 부분과는 다른, 상기 부분들 중 하나이므로,
    - 제1 부분은 제1 결합 부재들(61-63, 75-79)에 의해 제2 부분에 결합되고,
    - 제2 부분은 제1 부분보다 크며, 제1 부분과 근접하게, 제2 결합 부재들(66-67, 69-70, 81-82, 84-85, 86-87)은 미세전자기계 스위칭 컴포넌트의 외부 접속들을 위해 제2 부분의 표면 상에서 제조되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 스위칭 컴포넌트.
  106. - 커버 부분(24,28,33,41,47,48)을 통해 전기 접속들을 가져오기 위한 리드-인 구조들을 포함하는 커버 부분(24,28,33,41,47,48)에 의해 차폐된 미세전자기계 칩 부분(46); 및
    - 전자 회로 부분(64,74)을 포함하는, 미세전자기계 전기 임피던스(impedance) 정합 디바이스에 있어서,
    제1 부분은:
    - 커버 부분(24,28,33,41,47,48)에 의해 차폐된 상기 미세전자기계 칩 부분(46), 또는
    - 상기 전자 회로 부분(64,74) 중 하나이고,
    제2 부분은 제1 부분과는 다른, 상기 부분들 중 하나이므로,
    - 제1 부분은 제1 결합 부재들(61-63, 75-79)에 의해 제2 부분에 결합되고,
    - 제2 부분은 제1 부분보다 크며, 제1 부분과 근접하게, 제2 결합 부재들(66-67, 69-70, 81-82, 84-85, 86-87)은 미세전자기계 전기 임피던스 정합 디바이스의 외부 접속들을 위해 제2 부분의 표면 상에서 제조되는 것을 특징으로 하는, 미세전자기계 전기 임피던스 정합 디바이스.
KR1020087015262A 2005-11-23 2006-11-21 마이크로전자기계 컴포넌트를 제조하는 방법 및 마이크로전자기계 컴포넌트 KR101434321B1 (ko)

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Families Citing this family (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4967537B2 (ja) * 2006-08-29 2012-07-04 大日本印刷株式会社 センサーユニットおよびその製造方法
US8643127B2 (en) 2008-08-21 2014-02-04 S3C, Inc. Sensor device packaging
US7775119B1 (en) * 2009-03-03 2010-08-17 S3C, Inc. Media-compatible electrically isolated pressure sensor for high temperature applications
US8430255B2 (en) * 2009-03-19 2013-04-30 Robert Bosch Gmbh Method of accurately spacing Z-axis electrode
TWI388038B (zh) * 2009-07-23 2013-03-01 Ind Tech Res Inst 感測元件結構與製造方法
US8707734B2 (en) * 2009-10-19 2014-04-29 The Regents Of The University Of Michigan Method of embedding material in a glass substrate
US8217474B2 (en) * 2009-12-28 2012-07-10 Solid State System Co., Ltd. Hermetic MEMS device and method for fabricating hermetic MEMS device and package structure of MEMS device
FR2958451B1 (fr) * 2010-04-02 2013-11-15 Thales Sa Boitier d'encapsulation sous vide de microsysteme electromecanique, ensemble associe, et procede de detection d'un probleme de brasure dans un tel ensemble.
CN102270975B (zh) * 2010-06-04 2013-10-09 上海丽恒光微电子科技有限公司 晶振及其制作方法
DE102010063471B4 (de) * 2010-12-20 2019-01-24 Robert Bosch Gmbh Mikroelektromechanisches Element
US20120193781A1 (en) * 2011-01-27 2012-08-02 Rf Micro Devices, Inc. Customized rf mems capacitor array using redistribution layer
WO2013001171A1 (en) * 2011-06-30 2013-01-03 Murata Electronics Oy A method of making a system-in-package device, and a system-in-package device
US20130054159A1 (en) * 2011-08-31 2013-02-28 E. Strode Pennebaker Wireless tank level monitoring system
ITTO20110875A1 (it) * 2011-09-30 2013-03-31 Stmicroelectronics Malta Ltd Metodo per il test in striscia di dispositivi mems, striscia di test di dispositivi mems e relativo dispositivo mems
CN102431951B (zh) * 2011-12-31 2015-05-27 天水华天科技股份有限公司 一种双载体双mems器件封装件及其生产方法
CN102706369B (zh) * 2012-06-27 2015-02-18 清华大学 三维集成悬空传感器及其制造方法
US9040355B2 (en) 2012-07-11 2015-05-26 Freescale Semiconductor, Inc. Sensor package and method of forming same
US8709868B2 (en) 2012-08-23 2014-04-29 Freescale Semiconductor, Inc. Sensor packages and method of packaging dies of differing sizes
US8659167B1 (en) 2012-08-29 2014-02-25 Freescale Semiconductor, Inc. Sensor packaging method and sensor packages
US9452920B2 (en) * 2013-01-30 2016-09-27 Invensense, Inc. Microelectromechanical system device with internal direct electric coupling
US8564076B1 (en) 2013-01-30 2013-10-22 Invensense, Inc. Internal electrical contact for enclosed MEMS devices
FR3005648B1 (fr) 2013-05-15 2016-02-12 Commissariat Energie Atomique Procede d'encapsulation d'un dispositif microelectronique comprenant une injection de gaz noble a travers un materiau permeable a ce gaz noble
JP6339669B2 (ja) 2013-07-08 2018-06-06 モーション・エンジン・インコーポレーテッド Ｍｅｍｓデバイスおよび製造する方法
US10273147B2 (en) 2013-07-08 2019-04-30 Motion Engine Inc. MEMS components and method of wafer-level manufacturing thereof
US9423578B2 (en) * 2013-08-01 2016-08-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing
EP3028007A4 (en) 2013-08-02 2017-07-12 Motion Engine Inc. Mems motion sensor and method of manufacturing
US10125012B2 (en) * 2013-08-27 2018-11-13 Infineon Technologies Ag MEMS device
DE102013222616B4 (de) 2013-11-07 2024-06-06 Robert Bosch Gmbh Mikromechanische Sensorvorrichtung
WO2015103688A1 (en) 2014-01-09 2015-07-16 Motion Engine Inc. Integrated mems system
US9527723B2 (en) 2014-03-13 2016-12-27 STATS ChipPAC Pte. Ltd. Semiconductor device and method of forming microelectromechanical systems (MEMS) package
WO2015154173A1 (en) 2014-04-10 2015-10-15 Motion Engine Inc. Mems pressure sensor
JP6237440B2 (ja) * 2014-04-23 2017-11-29 株式会社デンソー 物理量センサおよびその製造方法
WO2015184531A1 (en) 2014-06-02 2015-12-10 Motion Engine Inc. Multi-mass mems motion sensor
CN104236628A (zh) * 2014-09-16 2014-12-24 武汉大学 一种四自由度组合传感器
WO2016090467A1 (en) 2014-12-09 2016-06-16 Motion Engine Inc. 3d mems magnetometer and associated methods
US9899236B2 (en) * 2014-12-24 2018-02-20 Stmicroelectronics, Inc. Semiconductor package with cantilever pads
US10407299B2 (en) 2015-01-15 2019-09-10 Motion Engine Inc. 3D MEMS device with hermetic cavity
CN104977027B (zh) * 2015-05-29 2017-06-13 江阴苏阳电子股份有限公司 基于mcm‑3d封装的微型智能传感器
JP6775110B2 (ja) * 2015-07-15 2020-10-28 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 配線埋め込みガラス基板と、それを用いた慣性センサ素子および慣性センサ
WO2017011267A1 (en) * 2015-07-15 2017-01-19 Dueweke Michael J Tunable reactance devices, and methods of making and using the same
KR20170026701A (ko) * 2015-08-26 2017-03-09 삼성전자주식회사 반도체 칩, 이의 제조방법, 및 이를 포함하는 반도체 패키지
CN105621348B (zh) * 2015-12-29 2018-01-05 苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司 一种mems惯性传感器件及其制造方法
DE102016206607B4 (de) 2016-04-19 2021-09-16 Robert Bosch Gmbh Elektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelements
US10491159B2 (en) 2016-09-07 2019-11-26 Michael J. Dueweke Self-tuning microelectromechanical impedance matching circuits and methods of fabrication
US10023010B2 (en) * 2016-12-13 2018-07-17 Ford Global Technologies, Llc Micro-electromechanical system for use in vehicle doors to increase sound quality vehicle performance of the vehicle doors
JP7129599B2 (ja) 2017-01-17 2022-09-02 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 センサ
CN109470228B (zh) * 2018-10-30 2020-12-08 北京时代民芯科技有限公司 一种基于内嵌式差分电极的mems碟形陀螺及其制备方法
US11148935B2 (en) * 2019-02-22 2021-10-19 Menlo Microsystems, Inc. Full symmetric multi-throw switch using conformal pinched through via
CN111818440B (zh) * 2020-09-01 2020-12-04 隔空（上海）智能科技有限公司 一种电感式压力检测芯片封装结构、装配方法及一种耳机

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5462622A (en) * 1994-06-09 1995-10-31 Illinois Tool Works Inc. Molding an electrical element within a premold element and an overmold element to provide a one-piece component
JP3704864B2 (ja) * 1997-02-12 2005-10-12 株式会社デンソー 半導体素子の実装構造
DE19964218C2 (de) 1999-10-08 2003-04-10 Hahn Schickard Ges Elektromechanisches Bauelement mit einem Polymerkörper und Verfahren zur Herstellung desselben
DE19962231A1 (de) 1999-12-22 2001-07-12 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung mikromechanischer Strukturen
AU2001234750A1 (en) * 2000-02-02 2001-08-14 Raytheon Company Vacuum package fabrication of microelectromechanical system devices with integrated circuit components
JP2001227902A (ja) * 2000-02-16 2001-08-24 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
DE10017422A1 (de) * 2000-04-07 2001-10-11 Bosch Gmbh Robert Mikromechanisches Bauelement und entsprechendes Herstellungverfahren
DE10017976A1 (de) 2000-04-11 2001-10-18 Bosch Gmbh Robert Mikromechanisches Bauelement und entsprechendes Herstellungsverfahren
JP2001357374A (ja) * 2000-06-12 2001-12-26 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Ｉｃカード
US6214644B1 (en) * 2000-06-30 2001-04-10 Amkor Technology, Inc. Flip-chip micromachine package fabrication method
US6522015B1 (en) * 2000-09-26 2003-02-18 Amkor Technology, Inc. Micromachine stacked wirebonded package
US6630725B1 (en) * 2000-10-06 2003-10-07 Motorola, Inc. Electronic component and method of manufacture
JP4505983B2 (ja) * 2000-12-01 2010-07-21 日本電気株式会社 半導体装置
US6512300B2 (en) * 2001-01-10 2003-01-28 Raytheon Company Water level interconnection
DE10241390B3 (de) * 2001-04-14 2004-04-01 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Strukturierung eines aus glasartigem Material bestehenden Flächensubstrats, glasartiges Flächensubstrat und Verwendung des glasartigen Flächensubstrats
TW544901B (en) * 2001-06-13 2003-08-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor device and manufacture thereof
US6559530B2 (en) * 2001-09-19 2003-05-06 Raytheon Company Method of integrating MEMS device with low-resistivity silicon substrates
US6992399B2 (en) * 2002-05-24 2006-01-31 Northrop Grumman Corporation Die connected with integrated circuit component for electrical signal passing therebetween
CN1250445C (zh) * 2002-06-25 2006-04-12 祥群科技股份有限公司 微机电元件的晶圆级封装装置
WO2004006382A1 (de) 2002-07-02 2004-01-15 Robert Bosch Gmbh Elektrisches bauelement, insbesondere mikroelektronisches oder mikrroelektromechanisches hochfrequenzbauelement.
JP3575478B2 (ja) * 2002-07-03 2004-10-13 ソニー株式会社 モジュール基板装置の製造方法、高周波モジュール及びその製造方法
AU2003286572A1 (en) 2002-10-23 2004-05-13 Rutgers, The State University Of New Jersey Processes for hermetically packaging wafer level microscopic structures
JP4342174B2 (ja) * 2002-12-27 2009-10-14 新光電気工業株式会社 電子デバイス及びその製造方法
FR2856844B1 (fr) 2003-06-24 2006-02-17 Commissariat Energie Atomique Circuit integre sur puce de hautes performances
TWI223422B (en) * 2003-07-24 2004-11-01 Advanced Semiconductor Eng Micromachine package and method for manufacturing the same
US20050054133A1 (en) * 2003-09-08 2005-03-10 Felton Lawrence E. Wafer level capped sensor
JP4539155B2 (ja) * 2003-10-03 2010-09-08 パナソニック電工株式会社 センサシステムの製造方法
US6936918B2 (en) * 2003-12-15 2005-08-30 Analog Devices, Inc. MEMS device with conductive path through substrate
CN100485911C (zh) * 2004-04-22 2009-05-06 松下电工株式会社 传感器器件、传感器***及其制造方法
KR100622372B1 (ko) * 2004-06-01 2006-09-19 삼성전자주식회사 복수개의 구성유닛을 포함하는 자이로센서 및 그 제조방법

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