KR20080075212A - 질화 갈륨 반도체 발광 소자 - Google Patents

질화 갈륨 반도체 발광 소자 Download PDF

Info

Publication number
KR20080075212A
KR20080075212A KR1020087015914A KR20087015914A KR20080075212A KR 20080075212 A KR20080075212 A KR 20080075212A KR 1020087015914 A KR1020087015914 A KR 1020087015914A KR 20087015914 A KR20087015914 A KR 20087015914A KR 20080075212 A KR20080075212 A KR 20080075212A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
gan
gallium nitride
light emitting
semiconductor layer
Prior art date
Application number
KR1020087015914A
Other languages
English (en)
Inventor
겐 나카하라
Original Assignee
로무 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 로무 가부시키가이샤 filed Critical 로무 가부시키가이샤
Publication of KR20080075212A publication Critical patent/KR20080075212A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/34333—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer based on Ga(In)N or Ga(In)P, e.g. blue laser
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/0242—Crystalline insulating materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/02433—Crystal orientation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02538—Group 13/15 materials
    • H01L21/0254—Nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02609—Crystal orientation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
    • H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/16—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
    • H01S5/3202—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures grown on specifically orientated substrates, or using orientation dependent growth
    • H01S5/32025—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures grown on specifically orientated substrates, or using orientation dependent growth non-polar orientation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
    • H01S5/3211—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures characterised by special cladding layers, e.g. details on band-discontinuities
    • H01S5/3216—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures characterised by special cladding layers, e.g. details on band-discontinuities quantum well or superlattice cladding layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

AlGaN 반도체층과 GaN계 반도체층의 계면에 발생하는 자발 분극이나 피에조 분극에 의한 캐리어 공핍화를 저감시켜, 구동 전압을 안정시킬 수 있는 질화 갈륨 반도체 발광 소자를 제공한다.
사파이어 기판(1)의 R면상에, 발광 영역을 포함하는 질화 갈륨 반도체 결정(2)이 형성되어 있다. 또한, 다른 구성에서는, GaN 기판(3, 4)의 A면 또는 M면에 질화 갈륨 반도체 결정(2)이 형성된다. 이들 질화 갈륨 반도체 결정(2)은, 그 성장 표면이 N(질소) 극성면이나 Ga 극성면이 아니라, 무극성면이 되므로, p측의 GaN/AlGaN의 계면에서 발생하는 자발 분극이나 피에조 분극에 의한 전계의 크기를 작게 할 수 있어, 캐리어 공핍화를 회피할 수 있다.

Description

질화 갈륨 반도체 발광 소자{GALLIUM NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT}
본 발명은, GaN을 이용한 질화 갈륨 반도체 발광 소자에 관한 것이다.
청색, 또는 보라색의 광을 발하는 반도체 레이저 소자, 발광 다이오드 등의 반도체 발광 소자로서, 질화 갈륨 반도체 발광 소자가 있다. GaN계 반도체 소자의 제조시에는, GaN으로 이루어지는 기판의 제조가 곤란하므로, 사파이어, SiC, Si 등으로 이루어지는 기판상에 GaN계 반도체층을 에피텍셜(epitaxial) 성장시키고 있다.
예컨대, 사파이어 기판의 (0001)면상에 MOCVD(유기 금속 기상 성장법)를 이용하여, 언도프된 GaN 버퍼층, n-GaN 콘택트층, n-AlGaN 클래드층, n-GaN 광 가이드층, InGaN 다중 양자 우물(MQW) 활성층 등이 순서대로 형성되고, 활성층상에는, p-GaN 광 가이드층, p-AlGaN 클래드층, p-GaN 콘택트층 등이 순서대로 형성된다.
p-GaN 콘택트층으로부터 n-GaN 콘택트층의 일부 영역까지가 에칭에 의해 제거되어, n-GaN 콘택트층이 노출되고, n-GaN 콘택트층의 노출한 상면에 n 전극이 형 성되고, p-GaN 콘택트층의 상면에 p 전극이 형성된다.
도 9는 사파이어 단결정의 면 방위를 나타내는 유닛 셀 도면을 나타내고 있고, 사파이어의 결정 구조는, 도면과 같이 육방정계로 근사할 수 있다. 사파이어 기판상에 GaN계 반도체층을 적층하는 경우에는, 사파이어 기판의 C면 (0001)이 이용되고, (0001) 방위의 사파이어 기판상에 적층한 GaN계 반도체는, (0001) 방위의 섬유아연석(wurtzite) 형태의 결정 구조를 갖고, 도 7에 나타내는 바와 같이 Ga의 양이온(cation) 원소가 성장 표면 방향이 되는 결정 극성(C축 방향으로 성장)을 갖고 있다. 즉, 사파이어 기판에 수직 방향이 C축 [0001]로 적층되어 있다.
도 10은 전술한 사파이어 기판상에 GaN계 반도체층을 적층한 질화 갈륨 반도체 발광 소자에 있어서, n-AlGaN 클래드층(41), n-GaN 광 가이드층(42), MQW 활성층(43), p-GaN 광 가이드층(44), p-AlGaN 클래드층(45)의 적층 영역의 가전자대에 있어서의 밴드 갭 에너지를 나타낸다.
(특허 문헌 1) 일본 특허 공개 제 2000-216497 호 공보
(발명이 해결하고자 하는 과제)
상기 종래 기술과 같이, 사파이어 기판의 C면 (0001)에 적층된 GaN계 반도체층은, Ga 극성면이 성장 표면 방향이 되지만, 성장한 GaN계 반도체층의 GaN/AlGaN 헤테로 결합 계면에서는, C축 방향에 대칭성이 없고, C면 성장의 에피텍셜막에는 표리가 발생한다고 하는 섬유아연석 구조 때문에, 자발 분극과 계면 응력에 기인하는 피에조 분극이 일어나, 분극 전하가 발생하여, 헤테로 결합 계면에 전계가 발생한다. 이 전계는, n측에서는 활성층에 전자를 인입하는 형태로 되므로 문제는 작다.
그러나, p측에서는, 도 10에 나타내는 바와 같이 p-GaN 광 가이드층(44)으로부터 p-AlGaN 클래드층(45)을 향하여 전계 E가 발생하므로, 발생한 전계 E에 의해, p-AlGaN 클래드층(45)으로부터 p-GaN 광 가이드층(44)에 흘러들어가는 정공이 전기적인 반발을 받아 MQW 활성층(43)에 흘러들어갈 수 없게 되어, 캐리어 공핍화가 발생하여 구동 전압이 상승한다. 구동 전압의 상승은, 질화 갈륨 반도체 발광 소자의 수명을 짧게 하게 된다.
특히, p-AlGaN 클래드층(45)에 p형 불순물로서 Mg가 포함되어 있고, 이 Mg 농도가 1×1019㎝-3 이하가 되면, p-GaN 광 가이드층(44)과 p-AlGaN 클래드층(45)의 계면에서 일어나는 피에조 분극이 급격히 증대하여, 도 10에 표시되는 전계 E가 매우 커져 버리므로, 문제가 되고 있었다.
본 발명은, 상술한 과제를 해결하기 위해 창안된 것이며, AlGaN 반도체층과 GaN계 반도체층의 계면에 발생하는 자발 분극이나 피에조 분극에 의한 캐리어 공핍화를 저감시켜, 구동 전압을 안정시킬 수 있는 질화 갈륨 반도체 발광 소자를 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
(과제를 해결하기 위한 수단)
상기 목적을 달성하기 위해, 기판상에 적어도 n형 반도체층, 발광 영역, p형 반도체층을 순서대로 구비하고, 상기 p형 반도체층측에 형성됨과 아울러 1019㎝-3 이하의 Mg를 포함하는 AlGaN 반도체층과, 그 AlGaN 반도체층보다 n측에 위치하는 GaN 반도체층의 계면을 갖는 질화 갈륨 반도체 발광 소자로서, 상기 n형 반도체층으로부터 AlGaN 반도체층까지는, 성장 표면이 GaN의 질소 극성도 Ga 극성도 아닌 무극성 방향으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 질화 갈륨 반도체 발광 소자이다.
또한, 청구항 2 기재의 발명은, 기판상에 적어도 n형 반도체층, 발광 영역, p형 반도체층을 순서대로 구비하고, 상기 p형 반도체층측에 형성됨과 아울러 1019㎝-3 이하의 Mg를 포함하는 AlGaN 반도체층과, 그 AlGaN 반도체층보다 n측에 위치하는 InGaN 반도체층의 계면을 갖는 질화 갈륨 반도체 발광 소자로서, 상기 n형 반도체층으로부터 AlGaN 반도체층까지는, 성장 표면이 GaN의 질소 극성도 Ga 극성도 아닌 무극성 방향으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 질화 갈륨 반도체 발광 소자이다.
또한, 청구항 3 기재의 발명은, 기판상에 적어도 n형 반도체층, 발광 영역, p형 반도체층을 순서대로 구비하고, 상기 p형 반도체층측에 형성됨과 아울러 1019㎝-3 이하의 Mg를 포함하는 AlXGaN 반도체층과 그 p형 AlXGaN 반도체층보다 n측에 위치하는 AlYGaN 반도체층(X>Y)의 계면을 갖는 질화 갈륨 반도체 발광 소자로서, 상기 n형 반도체층으로부터 AlXGaN 반도체층까지는, 성장 표면이 GaN의 질소 극성도 Ga 극성도 아닌 무극성 방향으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 질화 갈륨 반도체 발광 소자이다.
(발명의 효과)
본 발명에 의하면, 기판상에 적층된 질화 갈륨 반도체의 성장 방향(기판에 대하여 수직 방향)이, GaN의 N(질소) 극성이나 Ga 극성과는 다른 무극성면, 즉, A면이나 M면에 형성되어 있으므로, p측의 AlGaN 반도체층과 GaN계 반도체층의 계면에, 자발 분극이나 피에조 분극에 의해 발생하는 전계를 매우 작게 할 수 있어, 캐리어 공핍화를 회피하여 구동 전압을 안정시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 질화 갈륨 반도체 발광 소자의 개략 구성을 나타내는 도면,
도 2는 질화 갈륨 반도체 발광 소자에 있어서의 LED 구조의 일례를 나타내는 단면도,
도 3은 도 2의 LED의 가전자대에 있어서의 밴드 갭 에너지를 나타내는 도면,
도 4는 질화 갈륨 반도체 발광 소자에 있어서의 LD 구조의 일례를 나타내는 단면도,
도 5는, 질화 갈륨 반도체 발광 소자 구조의 일례를 나타내는 단면도,
도 6은 도 5의 질화 갈륨 반도체 발광 소자의 가전자대에 있어서의 밴드 갭 에너지를 나타내는 도면,
도 7은 AlGaN/InGaN 계면 및 AlXGaN/AlYGaN(X>Y) 계면의 전계의 상태를 나타내는 도면,
도 8은 성장 표면이 Ga 극성면인 경우의 질화 갈륨 반도체 결정의 결정 구조를 모식적으로 나타내는 도면,
도 9는 육방정계의 면 방위를 나타내는 유닛 셀 도면,
도 10은 종래의 질화 갈륨 반도체 발광 소자의 가전자대에 있어서의 밴드 갭 에너지를 나타내는 도면이다.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
1 : 사파이어 기판 2 : 질화 갈륨 반도체 결정
3 : GaN 기판 4 : GaN 기판
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 일실시예를 설명한다. 도 1은 본 발명의 질화 갈륨 반도체 발광 소자의 개략 구성을 나타낸다. 도 1(a)의 질화 갈륨 반도 체 발광 소자는, 사파이어 기판(1)상에, 발광 영역을 포함하는 질화 갈륨 반도체 결정(2)이 형성되어 있다. 질화 갈륨 반도체 결정(2)은, 사파이어 기판(1)의 R면(1-102)상에, MOCVD법 등에 의해 형성되고, 그 성장 표면이 A면에서 성장한다. A면은, 도 8, 9를 참조하여 알 수 있듯이, Ga 극성면이나 N(질소) 극성면이 아니라, 무극성면이 된다.
또, 특허 문헌 1에서 나타낸 일본 특허 공개 제 2000-216497 호에는, 사파이어 기판의 A면이나 M면을 이용하여 GaN계 반도체층을 적층시키고, 성장 표면을 M면 또는 A면으로 할 수 있는 것이 기재되어 있지만, 통상, 사파이어 기판의 A면이나 M면을 이용한 경우는, 성장 방향이 C축이 되므로, GaN계 반도체층의 성장 표면이 M면 또는 A면이 되지 않는다고 생각할 수 있다.
또한, 도 1(b)의 질화 갈륨 반도체 발광 소자는, GaN 기판(3)상에, 발광 영역을 포함하는 질화 갈륨 반도체 결정(2)이 적층되어 있다. 질화 갈륨 반도체 결정(2)은, GaN 기판(3)의 A면(11-20)에, MOCVD법 등에 의해 형성되고, 그 성장 표면이 A면에서 성장한다. A면은, 상술한 바와 같이, Ga 극성면이나 N(질소) 극성면이 아니라, 무극성면이 된다.
또한, 도 1(c)의 질화 갈륨 반도체 발광 소자는, GaN 기판(3)상에, 발광 영역을 포함하는 질화 갈륨 반도체 결정(2)이 적층되어 있다. 질화 갈륨 반도체 결정(2)은, GaN 기판(3)의 M면(10-10)에, MOCVD법 등에 의해 형성되고, 그 성장 표면이 M면에서 성장한다. M면은, 도 8, 9로부터도 알 수 있듯이, Ga 극성면이나 N(질소) 극성면이 아니라, 무극성면이 된다.
이상과 같이, 질화 갈륨 반도체 결정(2)을 성장시킴으로써, 질화 갈륨 반도체 결정(2)의 성장 표면이, Ga 극성면이나 N(질소) 극성면이 아니라, 무극성면이 되므로, 성장한 질화 갈륨 반도체 결정(2)의 GaN/AlGaN 계면에서는, 종래의 도 10에 표시된 성장 표면이 Ga 극성면인 경우에 발생하는 전계 E의 강도보다 매우 약해지므로, 캐리어 공핍화를 회피할 수 있다. 특히, AlGaN 반도체층 중에 불순물로서 Mg가 도핑되어 있고, 이 Mg 농도가 1×1019㎝-3 이하인 경우에는, 종래와 같이 성장 표면이 질소 극성면이면, AlGaN 반도체층과 GaN계 반도체층의 계면에서 일어나는 피에조 분극이 급격히 증대하여 전계 E가 급격히 커지지만, 본 발명과 같이 무극성면으로 함으로써, 그 전계 E를 매우 작게 할 수 있으므로, 효과는 현저해진다.
사파이어 기판(1)의 R면상에 질화 갈륨 반도체 결정(2)을 성장시켜, 성장 표면이 A면이 된 질화 갈륨 반도체 발광 소자에 있어서의 LED의 일례를 도 2에 나타낸다. 사파이어 기판(11)상에, 버퍼층(12), n형 콘택트층(13), n형 초격자층(15), MQW 활성층(16), p형 전자 블록층(17), p형 콘택트층(18)이 형성된다. 또한, p형 콘택트층(18)상에 정전극(p 전극)(20)이, n형 콘택트층(13)상에 부전극(n 전극)(14)이 형성되어 있다. 버퍼층(12), n형 콘택트층(13), n형 초격자층(15), MQW 활성층(16), p형 전자 블록층(17), p형 콘택트층(18)은, 모두 성장 표면이 A면이 된다.
여기서, 버퍼층(12)은 언도프된 GaN, n형 콘택트층(13)은 n-GaN, n형 초격자층(15)은 n-GaN 박막과 n-InGaN 박막을 교대로 5∼10주기 적층한 초격자 구조, MQW 활성층(16)은 InGaN으로 이루어지는 우물층과 GaN 또는 InGaN으로 이루어지는 배리어층의 다중 양자 우물 구조, p형 전자 블록층(17)은 p형 불순물로서 Mg를 농도 1×1019㎝-3 이하로 도핑한 p-AlGaN, p형 콘택트층(18)은 p-GaN으로 구성한 경우의 가전자대에 있어서의 밴드 갭 에너지를 도 3에 나타낸다.
도 10에 나타내는 바와 같이, 종래 Ga 극성면이 성장 표면으로서 질화 갈륨 반도체 결정이 형성되어 있던 경우에는, p-GaN 광 가이드층과 p-AlGaN 클래드층의 계면에 있어서, GaN 반도체층으로부터 AlGaN 반도체층을 향하여 전계 E가 발생하고 있었지만, 성장 표면이 무극성면이 된 경우에는, 도 3에 나타내는 바와 같이, MQW 활성층(16)의 GaN 배리어층으로부터 p-AlGaN 전자 블록층(17)을 향하여 전계 E가 발생하지만, 이 전계의 크기는, 종래의 도 10에 표시된 전계의 강도보다 매우 작아지므로, 정전극(19)측으로부터 주입된 정공은, 발광 영역인 MQW 활성층(16)측에 주입되기 쉬워져, 캐리어 공핍화를 회피할 수 있다.
제조 방법으로서는, 잘 알려진 MOCVD법 등으로 성장시킨다. 예컨대, 사파이어 기판(11)의 R면상에, 언도프된 GaN으로 이루어지는 버퍼층(12)을 1∼3㎛ 정도, Si 도프된 GaN 콘택트층(13)을 1∼5㎛ 정도, Si 도프된 InGaN/GaN 초격자층(15), MQW 활성층(16), Mg 도프된 AlGaN 전자 블록층(17), Mg 도프된 GaN 콘택트층(18)을 0.2∼1㎛ 정도 순차 적층한다. MQW 활성층(16)은, 1∼3㎚의 In0 .17Ga0 .83N으로 이루어지는 우물층과 10∼20㎚의 InXGaN(0≤X≤0.05)으로 이루어지는 배리어층을 교대로 적층하여 3∼10주기의 다층 구조로 했다.
p형 콘택트층(18)을 형성한 후, p형 콘택트층(18), p형 전자 블록층(17), MQW 활성층(16), n형 초격자층(15), n형 콘택트층(13)의 일부를 반응성 이온 에칭 등에 의해 메사 에칭하여 제거한다. 그 후, n형 콘택트층(13)의 에칭된 면에 부전극(14)을 증착에 의해 형성하고, p형 콘택트층(18)의 위에 정전극(19)을 증착에 의해 형성한다.
다음으로, 사파이어 기판(1)의 R면상에 질화 갈륨 반도체 결정(2)을 성장시켜, 성장 표면이 A면이 된 질화 갈륨 반도체 발광 소자에 있어서의 LD의 일례를 도 4에 나타낸다. 제조 방법으로서는, 잘 알려진 MOCVD법 등으로 성장시킨다. 예컨대, 사파이어 기판(31)의 R면상에, 언도프된 GaN으로 이루어지는 버퍼층(32)을 1∼3㎛ 정도, Si 도프된 AlGaN/GaN 초격자층으로 이루어지는 n형 클래드층(34)을 1∼5㎛ 정도, Si 도프된 InGaN/GaN으로 이루어지는 n형 초격자층(35), MQW 활성층(36), Mg를 농도 1×1019㎝-3 이하로 도핑한 AlGaN으로 이루어지는 p형 전자 블록층(37), Mg 도프된 AlGaN/GaN 초격자층으로 이루어지는 p형 클래드층(38)을 0.2∼1㎛ 정도 순차 적층한다. MQW 활성층(36)은, 1∼3㎚의 In0 .17Ga0 .83N으로 이루어지는 우물층과 10∼20㎚의 InZGaN(0≤Z≤0.05)으로 이루어지는 배리어층을 교대로 적층하여 3∼10주기의 다층 구조로 했다.
p형 클래드층(38)을 에칭에 의해 패터닝하여 릿지부를 형성한 후, 릿지부 측면으로부터 p형 클래드층(38)의 평탄부까지를 절연층(39)으로 덮고, p형 클래드층(38)의 릿지부상에는 Mg 도프된 GaN으로 이루어지는 p형 콘택트층(40)을 적층한 다.
p형 콘택트층(40)을 형성한 후, p형 콘택트층(40), p형 클래드층(38), p형 전자 블록층(37), MQW 활성층(36), n형 초격자층(35), n형 클래드층(34), 버퍼층(32)의 일부를 반응성 이온 에칭 등에 의해 메사 에칭하여 제거한다. 그 후, 버퍼층(32)의 에칭된 면에 n 전극(33)을 증착에 의해 형성하고, p형 콘택트층(40)의 위에 p 전극(50)을 증착에 의해 형성한다.
도 4와 같이 구성된 LD에 대해서도, 버퍼층(32), n형 클래드층(34), n형 초격자층(35), MQW 활성층(36), p형 전자 블록층(37), p형 클래드층(38), p형 콘택트층(40)은, 모두 성장 표면이 A면이 된다. 여기서, p측의 AlGaN 전자 블록층(37)과 MQW 활성층(36)의 GaN 배리어층(Z=0)의 계면에서, 전계가 발생한다. 그러나, 성장 표면이 무극성면이 된 경우에는, 도 3의 경우와 같이, GaN 배리어층으로부터 p-AlGaN 전자 블록층(37)을 향하여 전계 E가 발생하지만, 이 전계의 크기는, 종래의 도 10에 표시된 전계의 강도보다 매우 작아지므로, p 전극(41)측으로부터 주입된 정공은, 발광 영역인 MQW 활성층(36)측에 주입되기 쉬워져, 캐리어 공핍화를 회피할 수 있다.
한편, GaN 기판(3, 4)의 A면 또는 M면상에 질화 갈륨 반도체 결정(2)을 성장시켜, 성장 표면이 A면 또는 M면이 된 질화 갈륨 반도체 발광 소자의 일례를 도 5에 나타낸다.
도 5의 구조로 LED를 형성하는 경우에는, 기지의 MOCVD법 등에 의해, 예컨대, GaN 기판(22)의 A면 또는 M면상에, n형 클래드층(23)으로서 Si가 도프된 AlGaN 을 0.8㎛ 정도, n형 광 가이드층(24)으로서 언도프된 GaN 또는 n 도프된 GaN을 0.1㎛ 정도, MQW 활성층(25), p형 광 가이드층(26)으로서 언도프된 GaN 또는 p 도프된 GaN을 0.1㎛ 정도, 전자 블록층(27)으로서 Mg가 농도 1×1019㎝-3 이하로 도핑된 AlGaN을 200Å 정도, p형 클래드층(28), p형 콘택트층(29)으로서 Mg가 도프된 GaN을 순서대로 적층한다.
또, MQW 활성층(25)은, 예컨대, 30Å의 In0 .08GaN으로 이루어지는 우물층과, 150Å의 In0 .01GaN으로 이루어지는 배리어층(장벽층)을 적층한 다중 양자 우물 구조로 하고, p형 클래드층(28)은, 20∼50Å의 언도프된 AlGaN과, Mg가 도프된 20∼50Å의 GaN이 교대로 적층된 초격자층으로 했다. 마지막으로 정전극(30)(p 전극)과 부전극(21)(n 전극)을 증착에 의해 형성한다. 이와 같이 적층한 질화 갈륨 반도체 LED의 n형 클래드층(23), n형 광 가이드층(24), MQW 활성층(25), p형 광 가이드층(26), 전자 블록층(27), p형 클래드층(28), p형 콘택트층(29)은 모두 성장 표면이 A면 또는 M면이 된다.
한편, 도 5의 구조로 LD를 형성하는 경우에는, 기지의 MOCVD법 등에 의해, 예컨대, GaN 기판(22)의 A면 또는 M면상에, n형 클래드층(23), n형 광 가이드층(24)으로서 언도프된 GaN 또는 n 도프된 GaN을 0.1㎛ 정도, MQW 활성층(25), p형 광 가이드층(26)으로서 언도프된 GaN 또는 p 도프된 GaN을 0.1㎛ 정도, 전자 블록층(27)으로서 Mg가 농도 1×1019㎝-3 이하로 도핑된 AlGaN을 200Å 정도, p형 클래드 층(28), p형 콘택트층(29)으로서 Mg가 도프된 GaN을 순서대로 적층한다.
그리고, MQW 활성층(25)은, 예컨대, 30Å의 In0 .08Ga0 .92N으로 이루어지는 우물층과, 150Å의 In0 .01GaN으로 이루어지는 배리어층(장벽층)을 적층한 다중 양자 우물 구조로 하고, n형 클래드층(23)은 20∼50Å의 언도프된 AlGaN과 Si가 도프된 20∼50Å의 GaN이 교대로 적층된 초격자층, p형 클래드층(28)은 20∼50Å의 언도프된 AlGaN과 Mg가 도프된 20∼50Å의 GaN이 교대로 적층된 초격자층으로 했다. 마지막으로 정전극(30)(p 전극)과 부전극(21)(n 전극)을 증착에 의해 형성한다. 이와 같이 적층한 질화 갈륨 반도체 LD의 n형 클래드층(23), n형 광 가이드층(24), MQW 활성층(25), p형 광 가이드층(26), 전자 블록층(27), p형 클래드층(28), p형 콘택트층(29)은 모두 성장 표면이 A면 또는 M면이 된다.
도 5의 구조를 상기한 바와 같이 LED 또는 LD로 구성한 경우의 가전자대에 있어서의 밴드 갭 에너지를 도 6에 나타낸다. GaN으로 이루어지는 p형 광 가이드층(26)과 AlGaN으로 이루어지는 전자 블록층(27)의 계면에서, p형 광 가이드층(26)으로부터 전자 블록층(27)을 향하여 전계 E가 발생하지만, 성장 표면이 무극성면으로 되어 있으므로, 도 6에 나타내는 바와 같이, 종래의 도 10에 표시된 전계의 강도보다 매우 작아지므로, 정전극(30)측으로부터 주입된 정공은, 발광 영역인 MQW 활성층(25)측에 주입되기 쉬워져, 캐리어 공핍화를 회피할 수 있다.
또한, AlGaN과 GaN의 초격자층으로 이루어지는 p형 클래드층(28)과 AlGaN으로 이루어지는 전자 블록층(27)의 계면에서, p형 클래드층(28)과 GaN으로 이루어지 는 p형 콘택트층의 계면에서도, 전계가 발생하지만, 성장 표면이 무극성면으로 되어 있으므로, 발생한 전계의 강도는 매우 작아져 있으므로, 전계의 방향에 관계없이, 그 영향은 작아져, 캐리어 공핍화를 회피할 수 있다.
그런데, 자발 분극과 계면 응력에 기인하는 피에조 분극에 의한 전계 E의 발생은, AlGaN/GaN의 계면뿐만이 아니라, AlGaN과 다른 GaN계 반도체층의 계면에서도 볼 수 있다. 특히, AlGaN/InGaN의 계면, AlXGaN/AlYGaN(X>Y)의 계면에 있어서, 동일한 전계가 발생한다. 즉, 기판상의 질화 갈륨 반도체 결정의 에피텍셜 성장 방향이 Ga 극성면이면, 도 10과 같이, AlGaN/InGaN의 계면에서는 InGaN 반도체층으로부터 AlGaN 반도체층 쪽을 향하여, AlXGaN/AlYGaN(X>Y) 계면에서는, AlYGaN 반도체층으로부터 AlXGaN 반도체층 쪽을 향하여 전계 E가 발생하여, p 전극측으로부터의 정공이 전기적인 반발을 받아 발광 영역에 흘러들어가기 어렵게 된다.
예컨대, 도 2 또는 도 4의 구성에서 MQW 활성층(16, 36)의 배리어층(Z≠0)을 InGaN으로 할 수 있고, 이와 같이 구성하면, AlGaN으로 이루어지는 p형 전자 블록층(17, 37)과 배리어층 사이에서 AlGaN/InGaN의 계면이 형성된다. 또한, 도 5의 구성에서는, AlGaN과 GaN의 초격자층으로 이루어지는 p형 클래드층(28)과 AlGaN으로 이루어지는 전자 블록층(27) 사이에서, AlXGaN/AlYGaN(X>Y) 계면을 형성하는 경우가 있다. 도 7(a)는 AlGaN/InGaN의 계면의 상태를, 도 7(b)는 AlXGaN/AlYGaN(X>Y)의 계면의 상태를 가전자대에 있어서의 밴드 갭 에너지와 함께 나타낸 것이다.
질화 갈륨 반도체 결정의 성장면이 Ga 극성면이면, 상기 각 계면에서도, p 전극측으로부터의 정공이 전기적인 반발을 받아 발광 영역에 주입되기 어렵게 되지만, 도 1에 나타내는 구성과 같이, 질화 갈륨 반도체 결정의 반도체층의 성장 방향을 무극성면으로 하면, 도 7(a)에 나타내는 바와 같이, AlGaN/InGaN의 계면에서는 InGaN 반도체층으로부터 AlGaN 반도체층을 향하여 발생하는 전계 E의 크기를 매우 작게 할 수 있어, p 전극측으로부터의 정공을 발광 영역에 주입시키기 쉽게 할 수 있다.
또한, 도 7(b)에 나타내는 바와 같이, AlXGaN/AlYGaN(X>Y) 계면에서도, AlYGaN 반도체층으로부터 AlXGaN 반도체층을 향하여 발생하는 전계 E의 크기를 매우 작게 할 수 있어, p 전극측으로부터의 정공을 발광 영역에 주입시키기 쉽게 할 수 있다. 이렇게 하여, 캐리어 공핍화를 막아, 구동 전압을 안정시킬 수 있다.
특히, AlGaN 반도체층이나 상술한 AlYGaN 반도체층에 있어서의 불순물 Mg의 도핑 농도가, 1×1019㎝-3 이하가 되면, 성장면이 Ga 극성면인 경우, AlGaN/InGaN 계면, AlGaN/GaN 계면, AlXGaN/AlYGaN(X>Y)의 각 계면에서 매우 강한 전계가 발생하지만, 본 발명의 경우에는, 성장 표면을 무극성면으로 하고 있으므로, 상기 각 계면에서의 전계의 크기를 현저히 저감시킬 수 있어, p 전극측으로부터의 정공을 발광 영역에 주입시키기 쉽게 할 수 있다.

Claims (3)

  1. 기판상에 적어도 n형 반도체층, 발광 영역, p형 반도체층을 순서대로 구비하고, 상기 p형 반도체층측에 형성됨과 아울러 1019㎝-3 이하의 Mg를 포함하는 AlGaN 반도체층과, 그 AlGaN 반도체층보다 n측에 위치하는 GaN 반도체층의 계면을 갖는 질화 갈륨 반도체 발광 소자로서,
    상기 n형 반도체층으로부터 AlGaN 반도체층까지는, 성장 표면이 GaN의 질소 극성도 Ga 극성도 아닌 무극성 방향으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 질화 갈륨 반도체 발광 소자.
  2. 기판상에 적어도 n형 반도체층, 발광 영역, p형 반도체층을 순서대로 구비하고, 상기 p형 반도체층측에 형성됨과 아울러 1019㎝-3 이하의 Mg를 포함하는 AlGaN 반도체층과, 그 AlGaN 반도체층보다 n측에 위치하는 InGaN 반도체층의 계면을 갖는 질화 갈륨 반도체 발광 소자로서,
    상기 n형 반도체층으로부터 AlGaN 반도체층까지는, 성장 표면이 GaN의 질소 극성도 Ga 극성도 아닌 무극성 방향으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 질화 갈륨 반도체 발광 소자.
  3. 기판상에 적어도 n형 반도체층, 발광 영역, p형 반도체층을 순서대로 구비하고, 상기 p형 반도체층측에 형성됨과 아울러 1019㎝-3 이하의 Mg를 포함하는 AlXGaN 반도체층과 그 p형 AlXGaN 반도체층보다 n측에 위치하는 AlYGaN 반도체층(X>Y)의 계면을 갖는 질화 갈륨 반도체 발광 소자로서,
    상기 n형 반도체층으로부터 AlXGaN 반도체층까지는, 성장 표면이 GaN의 질소극성도 Ga 극성도 아닌 무극성 방향으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 질화 갈륨 반도체 발광 소자.
KR1020087015914A 2005-11-30 2006-11-29 질화 갈륨 반도체 발광 소자 KR20080075212A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2005-00346845 2005-11-30
JP2005346845A JP5113330B2 (ja) 2005-11-30 2005-11-30 窒化ガリウム半導体発光素子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20080075212A true KR20080075212A (ko) 2008-08-14

Family

ID=38092254

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020087015914A KR20080075212A (ko) 2005-11-30 2006-11-29 질화 갈륨 반도체 발광 소자

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7872269B2 (ko)
EP (1) EP1959530A1 (ko)
JP (1) JP5113330B2 (ko)
KR (1) KR20080075212A (ko)
CN (1) CN101322292B (ko)
TW (1) TW200737632A (ko)
WO (1) WO2007063920A1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101012515B1 (ko) * 2007-08-20 2011-02-08 렌슬러 폴리테크닉 인스티튜트 질화물 반도체 발광소자
WO2024101774A1 (ko) * 2022-11-09 2024-05-16 웨이브로드 주식회사 그룹3족 질화물 반도체 템플릿의 제조 방법

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8809867B2 (en) 2002-04-15 2014-08-19 The Regents Of The University Of California Dislocation reduction in non-polar III-nitride thin films
WO2003089694A1 (en) * 2002-04-15 2003-10-30 The Regents Of The University Of California NON-POLAR (A1,B,In,Ga) QUANTUM WELL AND HETEROSTRUCTURE MATERIALS AND DEVICES
KR100920915B1 (ko) 2006-12-28 2009-10-12 서울옵토디바이스주식회사 초격자 구조의 장벽층을 갖는 발광 다이오드
EP1976031A3 (en) 2007-03-29 2010-09-08 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting diode having well and/or barrier layers with superlattice structure
JP2009004538A (ja) * 2007-06-21 2009-01-08 Panasonic Corp 半導体レーザ装置
JP2009021361A (ja) 2007-07-11 2009-01-29 Sumitomo Electric Ind Ltd 窒化物系半導体発光素子、および窒化物系半導体発光素子を作製する方法
JP5041902B2 (ja) * 2007-07-24 2012-10-03 三洋電機株式会社 半導体レーザ素子
JP4605193B2 (ja) 2007-07-27 2011-01-05 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子
JP5022136B2 (ja) * 2007-08-06 2012-09-12 三洋電機株式会社 半導体素子の製造方法および半導体素子
CN101364628B (zh) * 2007-08-06 2013-06-26 晶元光电股份有限公司 半导体发光装置及其制造方法
KR100877774B1 (ko) 2007-09-10 2009-01-16 서울옵토디바이스주식회사 개선된 구조의 발광다이오드
KR100889956B1 (ko) * 2007-09-27 2009-03-20 서울옵토디바이스주식회사 교류용 발광다이오드
US8144743B2 (en) 2008-03-05 2012-03-27 Rohm Co., Ltd. Nitride based semiconductor device and fabrication method for the same
JP5164641B2 (ja) * 2008-04-02 2013-03-21 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 電流狭窄型半導体発光素子の製造方法
JP2011517099A (ja) * 2008-04-04 2011-05-26 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア プレーナー半極性（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）Ｎベースの発光ダイオード向けＭＯＣＶＤ成長技術
US9048169B2 (en) 2008-05-23 2015-06-02 Soitec Formation of substantially pit free indium gallium nitride
KR100957750B1 (ko) * 2008-08-12 2010-05-13 우리엘에스티 주식회사 발광 소자
KR101507130B1 (ko) 2008-11-20 2015-03-30 서울바이오시스 주식회사 초격자층을 갖는 발광 다이오드
US20100123119A1 (en) * 2008-11-20 2010-05-20 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting diode having indium nitride
JP2010272593A (ja) * 2009-05-19 2010-12-02 Hamamatsu Photonics Kk 窒化物半導体発光素子及びその製造方法
JP5434573B2 (ja) * 2009-12-24 2014-03-05 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子
JP4929367B2 (ja) * 2010-03-08 2012-05-09 株式会社東芝 半導体発光素子及びその製造方法
US9178108B2 (en) * 2010-05-24 2015-11-03 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device and light emitting device package
JP2012064728A (ja) 2010-09-15 2012-03-29 Stanley Electric Co Ltd 光源装置
JP5744615B2 (ja) * 2011-04-28 2015-07-08 シャープ株式会社 窒化物半導体発光ダイオード素子
KR101883840B1 (ko) * 2011-08-31 2018-08-01 엘지이노텍 주식회사 발광소자
US8907319B2 (en) * 2011-12-12 2014-12-09 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package
JP5734250B2 (ja) * 2012-08-30 2015-06-17 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 電流狭窄型半導体発光素子
JP2015119171A (ja) * 2013-11-13 2015-06-25 スタンレー電気株式会社 多重量子井戸半導体発光素子
CN104835893B (zh) * 2015-05-29 2017-06-13 东南大学 基于金属氮化物半导体的氮极性面发光二极管及制备方法
JP2017143139A (ja) * 2016-02-09 2017-08-17 株式会社東芝 半導体装置およびその製造方法
CN107819058B (zh) * 2017-11-28 2019-07-23 厦门三安光电有限公司 发光二极管
JP7244745B2 (ja) * 2019-02-15 2023-03-23 日亜化学工業株式会社 発光装置、及び、光学装置
CN111599903B (zh) * 2020-06-23 2022-03-08 东南大学 一种具有极化掺杂复合极性面电子阻挡层的紫外led
EP4231365A1 (en) * 2022-02-18 2023-08-23 Epinovatech AB A device for emitting light and a method for producing a light-emitting device

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0772249B1 (en) * 1995-11-06 2006-05-03 Nichia Corporation Nitride semiconductor device
JP2000216497A (ja) 1999-01-22 2000-08-04 Sanyo Electric Co Ltd 半導体素子およびその製造方法
JP3646872B2 (ja) * 2000-07-31 2005-05-11 日本電信電話株式会社 窒化物半導体成長方法および窒化物半導体発光素子
JP2002076519A (ja) * 2000-08-30 2002-03-15 Fujitsu Ltd 半導体レーザ
JP2002164623A (ja) * 2000-11-24 2002-06-07 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 窒化物半導体レーザ及びその製造方法
US7186302B2 (en) * 2002-12-16 2007-03-06 The Regents Of The University Of California Fabrication of nonpolar indium gallium nitride thin films, heterostructures and devices by metalorganic chemical vapor deposition
JP2004335559A (ja) * 2003-04-30 2004-11-25 Nichia Chem Ind Ltd Ｉｉｉ族窒化物基板を用いる半導体素子
JP4140606B2 (ja) * 2005-01-11 2008-08-27 ソニー株式会社 ＧａＮ系半導体発光素子の製造方法
KR100835116B1 (ko) * 2007-04-16 2008-06-05 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광 소자

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101012515B1 (ko) * 2007-08-20 2011-02-08 렌슬러 폴리테크닉 인스티튜트 질화물 반도체 발광소자
KR101012514B1 (ko) * 2007-08-20 2011-02-08 렌슬러 폴리테크닉 인스티튜트 질화물 반도체 발광소자
US8502266B2 (en) 2007-08-20 2013-08-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Nitride semiconductor light emitting device
WO2024101774A1 (ko) * 2022-11-09 2024-05-16 웨이브로드 주식회사 그룹3족 질화물 반도체 템플릿의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
TW200737632A (en) 2007-10-01
EP1959530A1 (en) 2008-08-20
CN101322292B (zh) 2012-04-18
JP2007157766A (ja) 2007-06-21
JP5113330B2 (ja) 2013-01-09
US7872269B2 (en) 2011-01-18
WO2007063920A1 (ja) 2007-06-07
CN101322292A (zh) 2008-12-10
US20090146160A1 (en) 2009-06-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5113330B2 (ja) 窒化ガリウム半導体発光素子
KR100902109B1 (ko) 질화 갈륨계 화합물 반도체 소자
KR100267839B1 (ko) 질화물 반도체 장치
US6803596B2 (en) Light emitting device
JP3705047B2 (ja) 窒化物半導体発光素子
JP5036617B2 (ja) 窒化物系半導体発光素子
JP4924185B2 (ja) 窒化物半導体発光素子
US8835902B2 (en) Nano-structured light-emitting devices
US7312468B2 (en) Semiconductor light-emitting element and method of manufacturing the same
KR20030064629A (ko) 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
KR101231427B1 (ko) 질화물계 반도체 발광 소자
US20080283822A1 (en) Semiconductor light emitting device
JP2007157765A (ja) 窒化ガリウム半導体発光素子
JP4162560B2 (ja) 窒化物系半導体発光素子
KR101025971B1 (ko) 질화물 반도체 발광소자
JP4877294B2 (ja) 半導体発光素子の製造方法
JPH11191639A (ja) 窒化物半導体素子
KR20000069995A (ko) 질화물반도체소자
JP2003086903A (ja) 半導体発光素子およびその製造方法
JP2007329418A (ja) 窒化物半導体発光素子
JP3711020B2 (ja) 発光素子
US20230111268A1 (en) Laser element
KR100511530B1 (ko) 질화물반도체소자
KR20110007046A (ko) 질화물계 반도체 발광 소자
JP2012060023A (ja) 半導体発光素子およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid