JP2009508327A - 光学撮像特性設定方法および投影露光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】投影対物レンズ34の光学軸32に対して横方向に段階的に基板36を移動させることができる方法であって、液浸媒体を、所定の圧力下および/または所定の流量で、第1隙間50に導入するステップと、所定の圧力および/または所定の流量からの偏差について、液浸媒体の実圧力および/または実流量をモニターするステップとを含む。前記第1隙間50は、光学軸32に沿って見ると、照明システム12および/または投影対物レンズ34および/または照明システム12とマスク22との間および/またはマスク22と投影対物レンズ34との間および/または投影対物レンズ34と基板36との間に配置される。
【選択図】図1
Description
本発明は、さらにこの種のマイクロリソグラフィ投影露光装置に関する。
この目的のために、基板は、例えばステッパモータを用いて段階的に移動させることができるテーブル上に配置される。
開口数を増加させるために、基板の感光面と、該面に面する投影対物レンズの終端素子の端面との間の隙間に浸漬液を導入することが、例えば下記特許文献1、特許文献2または特許文献3から公知である。浸漬液、例えば水は、空気より屈折率が大きく、それによってシステムの開口数が増加される。浸漬液を用いるリソグラフィ製造方法の分野は、液浸リソグラフィとも呼ばれる。
浸漬液は、投影対物レンズの終端素子の端面および基板の表面と接触しているので、これら二つの領域での浸漬液の付着のため、隙間内の浸漬液の圧力および流量条件は、基板が投影対物レンズに対して移動する場合に変化する。基板の投影対物レンズに対する段階的移動中の浸漬液のこれらの状態変化は、終端素子の端面に対する浸漬液のポンピングをもたらし、ひいては撮像収差、特に球面収差を生じる終端素子の位置の極めて小さいものではあるが、変化をもたらす。基板の段階的な移動に従って、このような撮像収差がポンプ状またはパルス形式で確定される。
下記特許文献5は、リソグラフィ法および該リソグラフィ法で用いるための装置を開示している。該装置は、光学ビーム経路に関して、マスクの後ろに配置されるレンズシステムを有し、かつ屈折率が1より大きい媒体は、マスクとレンズシステムとの間にある領域に設けられる。
本発明のさらなる目的は、撮像収差を、基板の投影対物レンズに対する段階的移動のため、できる限り避けるまたは少なくとも低下させるマイクロリソグラフィ投影露光装置を特定することである。
液浸媒体を、所定の圧力下および/または所定の流量で、少なくとも1つの第1隙間に導入するステップであって、少なくとも1つの第1隙間は、光学軸に沿って見ると、照明システムおよび/または投影対物レンズ内および/または照明システムとマスクとの間および/またはマスクと投影対物レンズとの間および/または投影対物レンズと基板との間に配置されるステップと、
所定の圧力および/または所定の流量からの偏差について、液浸媒体の実圧力および/または実流量をモニターするステップとを含む方法を提供する。
投影マイクロリソグラフィ装置において、該1つの第1隙間と並んで、またさらなる隙間を、光学軸に沿って配置されるように設ける対策が講じられ、両隙間は、異なる幾何学的形状を有していてもよい。この場合、隙間の形態を、照明システムおよび/または投影対物レンズのそれぞれ隣接する光学部品の形態に有利に適合させることができる。
隣接する光学部品への隙間に、両側から同じまたは異なる液浸媒体を充填してもよい。この目的のために、それぞれの光学部品のそれぞれの表面の構成は、これと整合しなければならない。
本方法の一つの好ましい構成では、少なくとも1つの第1隙間は、感光面と該面に面する投影対物レンズの表面と間に配置されている。
そのような対策は、好ましくは、露光工程中に所定の圧力および/または所定の流量をできるだけ一定に保つために、浸漬液の実圧力および/または実流量を、実圧力および/または実流量の所定の圧力および/または所定の流量に対する検出された偏差によっては、少なくとも1つの設定ユニットを用いて設定または再調整することであってもよい。
本方法のさらなる好ましい構成は、基板の段階的移動中に実施される、液浸媒体の実圧力および/実流量のモニタリングを提供する。
よって、これらの対策の場合には、基板の段階的移動によって生じる液浸媒体の状態変化は、液浸媒体そのものに作用することによって処理される。したがって、一例として、例えば光学軸の方向の投影対物レンズの終端素子または端面の位置の変化ができるだけ小さく保たれる、または回避もされるように、圧力を増減または流量を増減させることができる。
投影露光装置が液浸媒体の圧力および/または流量を設定するための設定ユニットを有する構成に関連して、圧力計および/または流量計は、設定ユニットに結合されることが好ましく、それによって、手動介入を好都合にも必要としない自動制御ループが提供される。
本対策は、液浸媒体自体に作用することによって基板と投影対物レンズとの間の隙間内の実圧力および/または実流量の変化に反応することは含んでおらず、むしろ基板の段階的移動によって生じる撮像特性のパルス変化ができるだけ小さく保たれる、または回避もされるように、端面を有する投影対物レンズの端面または終端素子は、例えば圧電アクチュエータを用いて、位置固定されたままになっている。
第1の変形では、基板の段階的移動中に生じる圧力および/または流量の変化を、投影露光装置のそれぞれの露光動作中に改めて検出することができる。
本手順は、露光動作によって変化するシステムパラメータが、実圧力および/または実流量のモニタリングにおいて常に同時に考慮されるという利点を有している。したがって、投影露光装置ができる限り、動作される動作条件が変化しないことを保証する必要がない。
そして電子メモリに記憶されたデータは、投影露光装置の各露光動作中にメモリから取り出すことができ、そして各露光動作中に液浸媒体の実圧力および/または実流量のそれぞれの現在のモニタリングの手間を省くことが可能である。
投影露光装置に対するさらなる好ましい対策は、浸漬液に関してはじく被膜を有する投影対物レンズの端面を設けることにある。
浸漬液、例えば水の付着、ひいては基板と投影対物レンズとの間の隙間内の結果として生じる圧力および流量変化は、端面を例えば疎水性物質で被覆することによって減少する。
液浸媒体を、少なくとも1つの第1隙間に導入するステップであって、少なくとも一つの第1隙間は、光学軸に沿って見ると、照明システムおよび/または投影対物レンズ内および/または照明システムとマスクとの間および/またはマスクと投影対物レンズとの間および/または投影対物レンズと基板との間に常に配置され、ならびに/または感光面と該面に面する投影対物レンズの端面との間に配置される、ステップと
液浸媒体の圧力および/または流量を、光学撮像特性が所望の撮像特性にできる限り近づくように設定するステップとを含む方法を提供する。
上述の方法および上述の投影露光装置において、少なくとも一つの第1隙間内の液浸媒体の圧力および/または流量の設定可能性は、投影露光装置、特に投影対物レンズにおける光学撮像特性を目標とするように変化させるために有利に用いられる。特に、基板と投影対物レンズとの間の隙間における圧力および/または流量の変化を、すなわち、投影対物レンズの特定の光学撮像特性を設定するために、例えば球面収差等の確認される回転対称撮像収差を修正するために、目標とするように光学軸の方向に投影対物レンズの終端素子または端面を設定するために用いられる。
上記パラメータを目標とするように設定するための上記装置は、例えば、添加剤を導入する温度規制装置または計量装置等の標準装置を一般に含んでいるので、本明細書では具体的には論じない。
さらなる利点および特徴は、次の説明および添付の図面から明らかとなろう。
全体として一般参照符号10が付されるマイクロリソグラフィ投影露光装置を、図1に略模式的に図示する。
投影露光装置10は、光ビーム16を発生する例えばレーザである露光源14、照明光学アセンブリ18および絞り20を有する照明システム12を有し、照明光学アセンブリ18および絞り20は、照明システム12の非常に簡略化されかつ例示的な構成を表しているにすぎない。
投影対物レンズ34を用いて、マスク22、より正確には、パターニング24は、その後、基板36上に塗布される例えばフォトレジストによって形成される感光面38を有する基板36上に撮像される。基板36の感光面38は、投影対物レンズ34の端面40に面している。
両側矢印46に従って、光学軸32に対して横方向にベース44上を投影対物レンズ34に対して移動できるテーブル42上に基板36が配置される。
図2は、隙間50を有する投影露光装置の例示的な実施形態を示している。液浸媒体、本明細書における浸漬液は、隙間50内に充填される。しかしながら、浸漬ガスまたは浸漬液および/または浸漬ガスの混合物、ならびに異なる浸漬液および/または浸漬ガスの組合せが含まれることもある。本明細書では1つの隙間50を一例として図示するが、互いに分離されている複数の隙間が含まれることもある。
電子部品、例えば集積回路のマイクロリソグラフィ製造において、基板36は、ウエハとも呼ばれる。
図2は、隙間50が投影対物レンズ34の端部空間40と基板36の感光面38との間に存在し、該隙間は、図示した例示的な実施形態では、基板36の表面38の方へ円錐状に先細りする壁要素52によって横方向に境界を定められていることをさらに示している。液浸媒体、本明細書においては例えば水である浸漬液54、隙間50内に導入することができる。隙間50の光学軸32の方向の延長は、2〜3mmの範囲である。浸漬液54は、投影対物レンズ34の端面40および基板36の感光面38の両方に接触する。
本構成によって、終端素子56は、両側矢印の方向に、少なくともごくわずかに移動することができるように、例えば弾性的に吊るされている。
リザーバ61では、浸漬液54の温度を、上記特許文献4に記載されているように調節することができる。
基板36が静止している露光動作の段階では、隙間50内の浸漬液54の圧力および流量条件は、所定の圧力および所定の流量に関しては変化しない。
投影対物レンズ34の光学撮像特性に対する、基板36の段階的移動の上述の悪影響を防止するために、投影露光装置10において次の対策がとられる。
この目的のために、投影露光装置は、隙間50内の浸漬液54の実圧力および/または実流量をモニターする少なくとも1つのモニター装置72を有している。
さらに、投影露光装置10は、一方ではモニター装置72に結合され、かつ他方では信号ラインを経てポンプ68に結合される、浸漬液54の圧力および/または流量を設定するための設定ユニット78を有している。
しかしながら、さらなる対策に従って、設定ユニット78を用いて、投影対物レンズ34の所望の撮像特性を得るために、圧力および/または流量を増減することによって、光学撮像特性を目標とするように設定することが可能である。この目的のために、設定ユニット78には、希望する所望の撮像特性ができる限り達成されるように、隙間50内の浸漬液54の所定の圧力および/または所定の流量を設定するために、設定ユニット78に結合される外部操作装置82が設けられる。具体的には、圧力および/または流量設定を用いて、光学軸32の方向に、所望の撮像特性が達成される、例えば終端素子56を位置決めすることによって球面収差が修正されるように、光学軸32の方向に終端素子56の位置を位置決めすることが可能である。
本例示的な実施形態も、隙間50内の浸漬液54の実圧力および/実流量をモニターするモニター装置72を備え、該モニター装置は、基板36の段階的移動中に生じる、隙間50内の浸漬液54の実圧力および/または実流量の、変化を検出する。
光学終端素子56は、第1光学素子94および第2光学素子96に再分割されている。第2隙間90は、終端素子56の第1素子94と第2素子96との間に配置され、かつ第3隙間92は、上方に、すなわち照明ユニットの方向に見ると、光学軸32に沿って配置されている。
図には、一般に出口および入口を有する、略してフラッシング回路と呼ばれる液浸媒体フラッシング回路は示していない。図示した隙間50、90および92のそれぞれは、個別のフラッシング回路を有している。特に、フラッシング回路は、異なる液浸媒体が混ざらないようにするために密閉されている。
この場合、例えば表面張力および/または屈折率に影響を及ぼすように、例えば浸漬液に、異なる化学組成を持つ添加剤を付加する対策が同様に講じられる。液浸媒体に隣接する表面を保護するための添加剤を与える対策が同様に講じられる。
洗浄ユニット、例えばフィルター、および超音波ユニットを、同様にフラッシング回路に設けることができる。
幾何学的形状、すなわち隙間50、90および92の形態は、図4にのみ模式的に図示し、特に光学素子の表面に構成される異なる幾何学的形状を、隙間について付与することができる。
第2に、例えば照明ユニット12に1つの隙間を設けること、および基板36の感光性上層部と該基板に面する最後の光学部品56のその表面との間に第2隙間を配置することが可能である。
終端素子56を分割することは、固有複屈折をこのように補正することができるので、特に有利である。
隙間50、90および92ならびに関連するフラッシング回路のすべては、隙間内の液浸媒体を確実に保つため、かつ異なる液浸媒体が混ざらないようにするために密閉されることが好ましい。
Claims (43)
- マイクロリソグラフィ投影露光装置を用いてマスクを、感光面を有する基板上に撮像するための光学撮像特性を設定する方法であって、横方向に段階的に投影対物レンズの光学軸に対して前記基板を移動させることができ、
液浸媒体を、所定の圧力下および/または所定の流量で、少なくとも1つの第1隙間に導入するステップであって、前記少なくとも1つの第1隙間を、前記光学軸に沿って見ると、照明システムおよび/または前記投影対物レンズ内および/または前記照明システムと前記マスクとの間および/または前記マスクと前記投影対物レンズとの間および/または前記投影対物レンズと前記基板との間に配置するステップと、
前記所定の圧力および/または前記所定の流量からの偏差について、前記液浸媒体の実圧力および/または実流量をモニターするステップとを含む方法。 - 前記少なくとも1つの第1隙間は、前記感光面と前記面に面する前記投影対物レンズの端面との間に配置されている、請求項1に記載の方法。
- 前記実圧力および/または前記実流量の結果として生じる偏差は、前記投影露光装置のそれぞれの露光動作中に改めて検出される、請求項1または2に記載の方法。
- 前記実圧力および/または前記実流量の結果として生じる偏差は、前記投影露光装置の較正動作中に検出され、かつ前記基板の前記段階的移動の位置および速度データに割り当てられて電子メモリ内に記憶される、請求項1または2に記載の方法。
- 前記露光工程中に前記所定の圧力および/または前記所定の流量をできるだけ一定に保つために、前記液浸媒体の前記実圧力および/または前記実流量を、前記実圧力および/または前記実流量の前記所定の圧力および/または前記所定の流量への前記検出された偏差によっては少なくとも1つの設定ユニットを用いて設定するステップをさらに含む、請求項1〜4のいずれか1項に記載の方法。
- 前記光学軸の方向の前記投影対物レンズの前記端面を、前記圧力および/または前記流量の前記検出された偏差によっては少なくとも1つのアクチュエータを用いて、前記所定の圧力および/または前記所定の流量に割り当てられる前記端面の所望の位置にできる限り近づく位置に位置調整するステップをさらに含む、請求項1〜4のいずれか1項に記載の方法。
- 前記設定ユニットは、前記電子メモリに記憶されている前記位置および速度データに基づいて、それぞれの露光動作中に前記実圧力および/または前記実流量を設定する、請求項4または5に記載の方法。
- 前記少なくとも1つのアクチュエータは、前記電子メモリに記憶されている前記位置および速度データに基づいて、それぞれの露光動作中に前記投影対物レンズの前記端面を設定する、請求項4〜6のいずれか1項に記載の方法。
- マイクロリソグラフィの投影露光装置を用いてマスクを、感光面を有する基板上に撮像するための光学撮像特性を設定する方法であって、横方向に段階的に投影対物レンズの光学軸に対して前記基板を移動させることができ、
液浸媒体を、前記投影露光装置の少なくとも1つの第1隙間に導入するステップであって、前記少なくとも1つの第1隙間を、前記光学軸に沿って見ると、照明システムおよび/または前記投影対物レンズ内および/または前記照明システムと前記マスクとの間および/または前記マスクと前記投影対物レンズとの間および/または前記投影対物レンズと前記基板との間に配置するステップと、
前記液浸媒体の圧力および/または流量を、前記光学撮像特性が所望の撮像特性にできる限り近づくように設定するステップとを含む、方法。 - 前記液浸媒体は、閉液浸媒体回路が前記隙間のそれぞれについて存在するように、入口および出口を用いて前記隙間に導入されかつ該隙間から排出される、請求項1〜9のいずれか1項に記載の方法。
- 前記圧力および/または流量は、前記液浸媒体回路のそれぞれに別々に設定される、請求項10に記載の方法。
- 少なくとも1つの浸漬液および/または少なくとも1つの浸漬ガスが、液浸媒体として提供される、請求項1〜11のいずれか1項に記載の方法。
- 少なくとも1つの第2隙間が、前記投影露光装置内に配置されている、請求項1〜12のいずれか1項に記載の方法。
- さらなる隙間が、少なくとも1つの浸漬液および/または少なくとも1つの浸漬ガスが導入される前記投影露光装置に配置されている、請求項13に記載の方法。
- 前記隙間は、前記光学軸に沿って隣接しかつ/またはある距離をおいて配置される前記照明ユニットおよび/または前記投影対物レンズの光学部品に配置されている、請求項1〜14のいずれか1項に記載の方法。
- 前記液浸媒体の前記実圧力および/または前記実流量の前記モニタリングは、前記基板の前記段階的移動中に行われる、請求項1〜15のいずれか1項に記載の方法。
- マスクを、感光面を有する基板上に撮像するためのマイクロリソグラフィ投影露光装置であって、照明ユニットと、投影対物レンズと、前記投影対物レンズの端面に面する前記感光面を有する前記基板をその上に配置することができるテーブルと、前記投影対物レンズの光学軸に対して横方向の前記テーブルの段階的移動のためのステッパ駆動装置と、前記照明ユニットおよび/または前記投影対物レンズ内および/または前記照明ユニットと前記マスクとの間および/または前記マスクと前記投影対物レンズとの間および/または前記投影対物レンズと前記基板との間に配置することができる少なくとも1つの第1隙間とを備え、液浸媒体を前記少なくとも1つの第1隙間に導入することができ、かつ前記少なくとも1つの第1隙間内の前記液浸媒体の実圧力および/または実流量をモニターするための少なくとも1つのモニター装置が設けられている、マイクロリソグラフィ投影露光装置。
- 前記モニター装置は、圧力計および/または流量計を有している、請求項17に記載の投影露光装置。
- 前記圧力計および/または前記流量計は、前記少なくとも1つの第1隙間内への前記液浸媒体のフィードラインに配置されている、請求項18に記載の投影露光装置。
- 前記液浸媒体の前記圧力および/または前記流量を設定するための設定装置を備える、請求項18または19に記載の投影露光装置。
- 前記圧力計および/または前記流量計は、前記設定装置に結合されている、請求項17〜20のいずれか1項に記載の投影露光装置。
- 前記少なくとも1つの第1隙間が、前記基板の前記感光面と前記投影対物レンズの前記端面との間に配置されている、請求項17に記載の投影露光装置。
- 少なくとも1つの第2隙間が設けられている、請求項17〜22のいずれか1項に記載の投影露光装置。
- さらなる隙間が設けられている、請求項23に記載の投影露光装置。
- 隙間を、いずれの場合にも、前記照明ユニットおよび/または前記投影対物レンズの光学素子の基板対向側および/または基板遠隔側に配置することができる、請求項17〜24のいずれか1項に記載の投影露光装置。
- 隙間は、いずれの場合にも、前記光学軸に沿って見ると、前記照明ユニットおよび/または前記投影対物レンズの光学部品の両側に隣接するように配置されている、請求項17〜25のいずれか1項に記載の投影露光装置。
- 前記隙間は、前記照明ユニットおよび/または前記投影対物レンズの異なる光学部品に隣接するように両側に配置される、請求項17〜26のいずれか1項に記載の投影露光装置。
- 前記投影対物レンズの前記端面を有する前記投影対物レンズの終端素子を前記光学軸の方向に移動させることができ、かつ前記終端素子には前記モニター装置に結合されている少なくとも1つのアクチュエータが割り当てられている、請求項17〜27のいずれか1項に記載の投影露光装置。
- 所定の圧力および/または所定の流量から、前記投影露光装置の較正動作中に検出される前記実圧力および/または前記実流量の偏差が、前記基板の前記段階的移動の位置および速度データに割り当てられて記憶されている電子メモリを備える、請求項17〜28のいずれか1項に記載の投影露光装置。
- 前記電子メモリは前記ステッパ駆動装置に結合されている、請求項29に記載の投影露光装置。
- 前記ステッパ駆動装置は前記設定ユニットに結合されている、請求項17〜20のいずれか1項に記載の投影露光装置。
- 前記ステッパ駆動装置は前記少なくとも1つのアクチュエータに結合されている、請求項17〜28のいずれか1項に記載の投影露光装置。
- マスクを、感光面を有する基板上に撮像するためのマイクロリソグラフィ投影露光装置であって、照明ユニットと、投影対物レンズと、前記投影対物レンズの端面に面する前記感光面を有する前記基板をその上に配置することができるテーブルと、前記投影対物レンズの光学軸に対して横方向の前記テーブルの段階的移動のためのステッパ駆動装置と、前記照明ユニットおよび/または前記投影対物レンズの光学部品間および/または前記マスクと前記照明ユニットとの間および/または前記マスクと前記投影対物レンズとの間および/または前記基板の前記感光面と前記投影対物レンズの前記端面との間に配置することができる少なくとも1つの第1隙間とを備え、液浸媒体を前記少なくとも1つの第1隙間に導入することができ、かつ前記投影露光装置内の光学撮像特性を所望の撮像特性に設定するために、前記液浸媒体の圧力および/または流量を設定するための設定ユニットが設けられている、マイクロリソグラフィ投影露光装置。
- 前記光学撮像特性は球面収差の大きさである、請求項33に記載の投影露光装置。
- 前記投影対物レンズの前記端面には、前記液浸媒体をはじく被膜が設けられている、請求項17〜34のいずれか1項に記載の投影露光装置。
- 少なくとも1つの第2隙間が設けられている、請求項33〜35のいずれか1項に投影露光装置。
- さらなる隙間が設けられている、請求項36に記載の投影露光装置。
- 前記液浸媒体は少なくとも1つの浸漬液および/または少なくとも1つの浸漬ガスを有している、請求項17〜37のいずれか1項に記載の投影露光装置。
- 前記隙間は異なる幾何学的形状を有している、請求項17〜38のいずれか1項に記載の投影露光装置。
- 前記隙間のそれぞれは、閉液浸媒体回路をそれぞれ形成する前記それぞれの液浸媒体用の個別の入口および個別の出口を有する、請求項17〜39のいずれか1項に記載の投影露光装置。
- 前記液浸媒体回路のそれぞれを、個別に制御しかつ規制することができる、請求項40に記載の投影露光装置。
- 前記隙間および/または液浸媒体回路のそれぞれは、密閉されている、請求項40または41に記載の投影露光装置。
- 前記段階的移動によって前記実圧力および/または前記実流量の偏差が生じる、請求項17〜42のいずれか1項に記載の投影露光装置。
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Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07220990A (ja) * | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | パターン形成方法及びその露光装置 |
WO2004053955A1 (ja) * | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2004289118A (ja) * | 2002-11-18 | 2004-10-14 | Infineon Technologies Ag | 半導体装置の製造に適した、リソグラフィー法に用いられる光学装置、および、光リソグラフィー法 |
WO2004107048A2 (de) * | 2003-05-30 | 2004-12-09 | Carl Zeiss Smt Ag | Mikrolithographische projektionsbelichtungsanlage |
WO2005054953A2 (en) * | 2003-11-24 | 2005-06-16 | Carl-Zeiss Smt Ag | Holding device for an optical element in an objective |
JP2005236121A (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-02 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
WO2006009573A1 (en) * | 2004-06-17 | 2006-01-26 | Nikon Corporation | Fluid pressure compensation for immersion lithography lens |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2753930B2 (ja) * | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
US6542302B2 (en) * | 1999-12-01 | 2003-04-01 | Bushnell Corporation | Lens coating to reduce external fogging of scope lenses |
JP2001345263A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-12-14 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP3862678B2 (ja) * | 2003-06-27 | 2006-12-27 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
SG109000A1 (en) * | 2003-07-16 | 2005-02-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1524558A1 (en) * | 2003-10-15 | 2005-04-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE602004027162D1 (de) * | 2004-01-05 | 2010-06-24 | Nippon Kogaku Kk | Belichtungsvorrichtung, belichtungsverfahren und bauelementeherstellungsverfahren |
EP1761822A4 (en) * | 2004-07-01 | 2009-09-09 | Nikon Corp | DYNAMIC FLUID CONTROL SYSTEM FOR IMMERSION LITHOGRAPHY |
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07220990A (ja) * | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | パターン形成方法及びその露光装置 |
JP2004289118A (ja) * | 2002-11-18 | 2004-10-14 | Infineon Technologies Ag | 半導体装置の製造に適した、リソグラフィー法に用いられる光学装置、および、光リソグラフィー法 |
WO2004053955A1 (ja) * | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
WO2004107048A2 (de) * | 2003-05-30 | 2004-12-09 | Carl Zeiss Smt Ag | Mikrolithographische projektionsbelichtungsanlage |
WO2005054953A2 (en) * | 2003-11-24 | 2005-06-16 | Carl-Zeiss Smt Ag | Holding device for an optical element in an objective |
JP2005236121A (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-02 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
WO2006009573A1 (en) * | 2004-06-17 | 2006-01-26 | Nikon Corporation | Fluid pressure compensation for immersion lithography lens |
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