KR20070106834A - Apparatus for removing particles adhered onto upper side of chuck on which wafer is placed - Google Patents

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KR20070106834A
KR20070106834A KR1020060039165A KR20060039165A KR20070106834A KR 20070106834 A KR20070106834 A KR 20070106834A KR 1020060039165 A KR1020060039165 A KR 1020060039165A KR 20060039165 A KR20060039165 A KR 20060039165A KR 20070106834 A KR20070106834 A KR 20070106834A
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삼성전자주식회사
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Abstract

An apparatus for removing the particles on the upper surface of a chuck on which a wafer is placed is provided to remove the particles on the upper surface of a chuck and improve productivity by inducing static electricity on the upper surface of the chuck. A static electricity inducing part(20) is composed of an electrified member(16) and a static electricity generating unit(18) for supplying static electricity to the electrified member wherein the electrified member is installed on a chuck(10) on which a wafer having a photoresist layer is placed. The electrified member can be a circular plate covering the upper surface of the chuck or a bar shape longer than the diameter of the upper surface of the chuck. The static electricity inducing part supplies static electricity to the electrified member and induces static electricity to the upper surface of the chuck to electrostatically absorb the particles absorbed to the upper surface of the chuck to the electrified member. A static electricity removing part(30) is composed of a nozzle(22) installed over the chuck and an ion air blowing part(24) for supplying ion air to the nozzle. The static electricity removing part blows ion air to the chuck to remove static electricity induced to the chuck by the static electricity inducing part.

Description

웨이퍼를 안착시키는 척의 상면에 흡착된 파티클들을 제거하는 장치{apparatus for removing particles adhered onto upper side of chuck on which wafer is placed}Apparatus for removing particles adhered onto upper side of chuck on which wafer is placed}

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼를 안착시키는 척의 상면에 흡착된 파티클들을 제거하는 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.1 is a schematic configuration diagram illustrating an apparatus for removing particles adsorbed on an upper surface of a chuck for mounting a wafer according to an embodiment of the present invention.

도 2 내지 도 4는 도 1의 장치에 포함되는 대전부재의 형태와 그 작동 관계를 설명하기 위한 개략적인 구성도들이다. 2 to 4 are schematic configuration diagrams for explaining the shape and operation relationship of the charging member included in the apparatus of FIG.

도 5는 도 1에 도시된 장치의 사용방법을 설명하기 위한 개략적인 공정도이다.FIG. 5 is a schematic process diagram for explaining a method of using the apparatus shown in FIG. 1.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 * Explanation of symbols on the main parts of the drawings

10 : 척 12 : 제1 구동부10: chuck 12: first drive unit

14 : 제1 축 16 : 대전부재14: first axis 16: charging member

18 : 정전기 발생기 20 : 정전기 유도부 18: electrostatic generator 20: electrostatic induction part

22: 노즐 24: 이온 에어 송풍기22: nozzle 24: ion air blower

30: 정전기 제거부 32: 제2 구동부30: static electricity removing unit 32: second drive unit

34 : 제2 축 42: 제3 구동부34: 2nd axis 42: 3rd drive part

44: 제3 축 52: 제4 구동부44: third axis 52: fourth drive unit

54 : 제4 축 54: fourth axis

본 발명은 웨이퍼를 안착시키는 척의 상면에 흡착된 파티클들을 제거하는 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 척의 상면에 정전기를 유도하여 상기 척의 상면에 흡착된 파티클들을 제거하기 위한 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for removing particles adsorbed on an upper surface of a chuck on which a wafer is seated, and more particularly, to an apparatus for removing particles adsorbed on an upper surface of a chuck by inducing static electricity on an upper surface of the chuck.

근래에 컴퓨터와 같은 정보 매체의 급속한 보급에 따라 반도체 장치도 비약적으로 발전하고 있다. 그 기능 면에 있어서, 상기 반도체 장치는 고속으로 동작하는 동시에 대용량의 저장 능력을 가질 것이 요구된다. 이러한 요구에 부응하여 반도체 장치는 집적도, 신뢰도 및 응답 속도 등을 향상시키는 방향으로 제조 기술이 발전되고 있다. 이에 따라 상기 집적도 향상을 위한 주요한 기술로서 사진 공정 기술과 같은 미세 가공 기술에 대한 요구도 엄격해지고 있다.In recent years, with the rapid spread of information media such as computers, semiconductor devices are also rapidly developing. In terms of its function, the semiconductor device is required to operate at a high speed and to have a large storage capacity. In response to such demands, manufacturing techniques have been developed for semiconductor devices to improve the degree of integration, reliability, and response speed. Accordingly, the demand for micromachining techniques such as photographic processing techniques is becoming strict as a main technique for improving the degree of integration.

상기 사진 공정 기술은 잘 알려져 있는 바와 같이, 유기적인 포토레지스트를 사용하여 포토레지스트층을 형성한 후, 상기 포토레지스트층을 포토레지스트 패턴으로 형성하는 기술이다. 구체적으로는 먼저, 웨이퍼 상에 자외선이나 X선과 같은 광을 조사하면 알칼리성 용액에 대해 용해도 변화가 일어나게 되는 유기층인 포토레지스트층을 형성한다. 그리고 상기 포토레지스트층의 상부에 소정 부분만을 선택적으로 노광할 수 있도록 패터닝된 패턴 마스크를 개재하여 상기 포토레지스트층에 선택적으로 광을 조사한 다음, 현상하여 용해도가 큰 부분(포지티브형 포토레지스 트의 경우, 노광된 부분)은 제거하고 용해도가 작은 부분은 남겨 포토레지스트 패턴을 형성한다.The photolithography technique is a technique of forming a photoresist layer using an organic photoresist and then forming the photoresist layer into a photoresist pattern, as is well known. Specifically, first, a photoresist layer is formed, which is an organic layer in which solubility change occurs in an alkaline solution when light such as ultraviolet rays or X-rays are irradiated onto the wafer. The photoresist layer is selectively irradiated with light through a pattern mask patterned to selectively expose only a predetermined portion on the photoresist layer, and then developed to develop a high solubility (positive photoresist). The exposed portion) is removed and the portion having a low solubility is left to form a photoresist pattern.

그러나 상기 사진 공정 기술을 수행하는 과정 중에 노광을 위한 척의 상면에 파티클들이 흡착됨으로서 분해능 등에 영향을 끼치는 로컬 디포커스(local defocus)와 같은 불량이 빈번하게 발생한다. 상기 파티클들은 상기 웨이퍼를 이송하는 도중에 흡착되거나, 또는 상기 웨이퍼의 이면에 형성되는 포토레지스트층에 의해 발생한다.However, since the particles are adsorbed on the upper surface of the chuck for exposure during the process of performing the photographic process technology, defects such as local defocus affecting the resolution and the like frequently occur. The particles are adsorbed during the transfer of the wafer or are generated by a photoresist layer formed on the back surface of the wafer.

상기 로컬 디포커스와 같은 불량이 발생되면, 상기 사진 공정 기술에서는 25매의 웨이퍼들을 공정 단위(소위‘런’으로 명명됨)로 구성하는데, 상기 불량은 공정 단위로 발생하기 때문에 상기 런을 리워크하여 해결한다. If a defect such as the local defocus occurs, the photolithography process consists of 25 wafers in process units (called 'runs'), which are reworked because the defects occur in process units. Solve it.

그리고 상기 불량의 재발을 방지하기 위하여 상기 척의 상면에 흡착된 파티클들을 세라믹 스톤(ceramic stone)이라고 불리는 기구를 사용하여 제거한다. 상기 제거는 상기 척의 상면을 상기 세라믹 스톤을 사용하여 매뉴얼로 문지름으로 이루어진다. In order to prevent the recurrence of the defect, the particles adsorbed on the upper surface of the chuck are removed using a mechanism called ceramic stone. The removal consists of rubbing the upper surface of the chuck manually using the ceramic stone.

그러나 상기 제거는 소요되는 시간이 길며, 미세한 파티클들의 경우에는 제거되지 않을 수도 있다. 그리고 제거되지 않은 미세한 파티클들의 경우, 반도체 장치의 고집적화에 따라서는 반도체 장치를 불량하게 만드는 소스로 작용될 수 있다. However, the removal takes a long time and may not be removed in the case of fine particles. In the case of fine particles that are not removed, high integration of the semiconductor device may serve as a source of making the semiconductor device poor.

본 발명의 목적은, 척의 상면에 흡착된 파티클들을 제거하는 데 소요되는 시간이 짧고, 미세한 파티클들까지도 제거되는 웨이퍼를 안착시키는 척의 상면에 흡 착된 파티클들을 제거하는 장치를 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an apparatus for removing particles adsorbed on the upper surface of a chuck which has a short time taken to remove the particles adsorbed on the upper surface of the chuck, and even the fine particles.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 웨이퍼를 안착시키는 척의 상면에 흡착된 파티클들을 제거하는 장치는, 포토레지스트층이 형성된 웨이퍼를 안착시키는 척의 상부에 설치되는 대전부재와 상기 대전부재에 정전기를 제공하는 정전기 발생기로 구성되고, 상기 대전부재에 정전기를 제공하고 상기 척의 상면에 정전기를 유도하여 상기 척의 상면에 흡착된 파티클들을 상기 대전부재에 정전 흡착시키는 정전기 유도부를 구비한다. 그리고 상기 척의 상부에 설치되는 노즐과 상기 노즐에 이온 에어를 제공하는 이온 에어 송풍기로 구성되고, 상기 척에 상기 이온 에어를 불어서 상기 정전기 유도부에 의하여 상기 척에 유도된 정전기를 제거하는 정전기 제거부를 구비한다. The apparatus for removing the particles adsorbed on the upper surface of the chuck for seating the wafer of the present invention for achieving the above object is to provide static electricity to the charging member and the charging member is installed on the top of the chuck to seat the wafer on which the photoresist layer is formed; And an electrostatic induction part configured to provide static electricity to the charging member and induce static electricity to the upper surface of the chuck to electrostatically adsorb particles on the upper surface of the chuck to the charging member. And an ion air blower configured to supply an ion air to the nozzle and a nozzle installed at an upper portion of the chuck, and including an electrostatic remover to remove static electricity induced in the chuck by the electrostatic induction part by blowing the ion air to the chuck. do.

여기서 상기 대전부재는 상기 척의 상면을 덮는 원형 타입의 플레이트이거나, 또는 상기 척의 상면의 직경보다 긴 막대 타입의 바 인 것이 바람직하다. Here, the charging member is preferably a plate of a circular type covering the upper surface of the chuck, or a bar type bar longer than the diameter of the upper surface of the chuck.

이에 따라 상기 척의 상면에 흡착된 파티클들을 제거하는데 소요되는 시간을 짧게 하여 생산성을 향상시키고, 미세한 파티클들까지도 제거됨으로 반도체 장치의 고집적화에 따른 반도체 장치의 불량을 줄일 수 있다. Accordingly, the time required for removing the particles adsorbed on the upper surface of the chuck is shortened to improve productivity, and even fine particles are removed, thereby reducing defects of the semiconductor device due to high integration of the semiconductor device.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면에 따라서 더욱 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼를 안착시키는 척의 상면에 흡착 된 파티클들을 제거하는 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.1 is a schematic configuration diagram illustrating an apparatus for removing particles adsorbed on an upper surface of a chuck for seating a wafer according to an embodiment of the present invention.

예컨대, 웨이퍼를 안착시키는 척의 상면에 흡착된 파티클들을 제거하는 장치는 사진 공정 기술에서 상기 웨이퍼 상에 형성된 포토레지스트층에 자외선이나 X선과 같은 광(light)을 조사하여 알칼리성 용액에 대해 용해도 변화가 일어나게 되도록 노광하는 노광설비에서 사용되는 것이 바람직하다. For example, an apparatus for removing particles adsorbed on an upper surface of a chuck for seating a wafer may irradiate a photoresist layer formed on the wafer with light such as ultraviolet rays or X-rays to cause a change in solubility in an alkaline solution. It is preferable to use in the exposure apparatus which exposes as much as possible.

도 1을 참조하면, 노광을 수행할 때 웨이퍼(도시하지 않음)를 안착시키는 척(10)이 구비되어 있다. 상기 척(10)은 회전이 가능한 스핀척(spin chuck)으로서, 상기 척(10)에 상기 웨이퍼를 안착시킨 다음 상기 척(10)을 회전시켜 상기 노광을 위한 정렬을 행하는 구성을 갖는다. 이때 상기 회전은 상기 척(10)과 연결되는 모터(moter)를 포함하는 제1 구동부(12)에 의해 이루어진다. 그리고 상기 척(10)에는 상기 제1 구동부(32)의 구동력을 상기 척(10)에 전달하기 위한 제1 축(14)이 연결되어 있다. 그리고 상기 웨이퍼는 최상층에 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 포토레지스트층이 형성된다.Referring to FIG. 1, a chuck 10 is provided for seating a wafer (not shown) when performing exposure. The chuck 10 is a spin chuck that can be rotated. The chuck 10 has a configuration in which the wafer is seated on the chuck 10 and then the chuck 10 is rotated to align the exposure. In this case, the rotation is performed by the first driving unit 12 including a motor connected to the chuck 10. A first shaft 14 is connected to the chuck 10 to transmit the driving force of the first driving unit 32 to the chuck 10. The wafer is formed with a photoresist layer for forming a photoresist pattern on the uppermost layer.

상기 척의 상면에 웨이퍼를 안착시키고 노광 공정을 반복적으로 사용하다보면, 상기 척(10)의 상면에 파티클들이 흡착됨으로서 분해능 등에 영향을 끼치는 로컬 디포커스와 같은 불량이 빈번하게 발생한다. 그리고 상기 파티클들은 상기 웨이퍼를 이송하는 도중에 흡착되거나, 상기 웨이퍼의 이면에 형성되는 포토레지스트층에 의해 발생한다. When the wafer is seated on the upper surface of the chuck and the exposure process is repeatedly used, defects such as local defocus that frequently affect the resolution due to adsorption of particles on the upper surface of the chuck 10 occur frequently. In addition, the particles are adsorbed during the transfer of the wafer, or are generated by a photoresist layer formed on the back surface of the wafer.

상기 파티클들을 제거하기 위하여 종래에는 세라믹 스톤으로 불리는 기구를 사용하였는데, 상기 방법을 사용하면, 소요 시간이 길고 미세한 파티클들이 제거되 지 않는다. In order to remove the particles, a device called a ceramic stone is conventionally used. With this method, the time required is long and fine particles are not removed.

따라서 상기 문제들을 해결하기 위하여 상기 노광설비에는 본 발명의 실시예에 따른 상기 웨이퍼를 안착시키는 척의 상면에 흡착된 파티클들을 제거하는 장치(100)가 구비된다. Therefore, in order to solve the above problems, the exposure apparatus is provided with an apparatus 100 for removing particles adsorbed on the upper surface of the chuck seating the wafer according to the embodiment of the present invention.

상기 장치(100)는 미 도시되었지만, 상기 노광설비에 일체로 설치되는 것이 바람직하다. 그리고 척(10)의 상부에 설치되는 것이 더욱 바람직하다. 그리고 상기 척(10)의 이동 거리 내의 상부에 설치되는 것은 더 더욱 바람직하다. 상기 장치(100)는 대전부재(16) 및 상기 대전부재(16)에 정전기를 제공하는 정전기 발생기(18)로 구성되는 정전기 유도부(20)를 포함한다. 그리고 상기 정전기 유도부(20)에 의하여 상기 척에 유도된 정전기를 제거하기 위하여 상기 척의 상부에 설치되는 노즐(22)과 상기 노즐에 이온 에어를 제공하는 이온 에어 송풍기(24)로 구성되는 정전기 제거부(30)를 포함한다. Although the apparatus 100 is not shown, it is preferable that the apparatus 100 be integrally installed in the exposure apparatus. And it is more preferably installed on top of the chuck (10). And it is more preferable to be installed in the upper portion within the moving distance of the chuck 10. The apparatus 100 includes an electrostatic induction part 20 composed of a charging member 16 and an electrostatic generator 18 for providing static electricity to the charging member 16. And a static electricity removing unit including a nozzle 22 installed at an upper portion of the chuck to remove static electricity induced by the electrostatic induction unit 20 and an ion air blower 24 providing ion air to the nozzle. (30).

먼저, 상기 대전부재(16)는 척의 상부에 설치되는 것이 바람직하다. 그리고 상기 대전부재(16)는 척의 이동 거리 상부에 설치되는 것이 더욱 바람직하다. 그리고 상기 대전부재(16)는 상기 척(14)의 상면에 대향하는 위치에 설치되는 것은 더 더욱 바람직하다. 그리고 상기 대전부재(16)는 카본 섬유 또는 금속 섬유로 구성된다. 이는 상기 카본 섬유 또는 금속 섬유가 상기 정전기를 유도하기 위한 대전 효율이 우수하기 때문이다.First, the charging member 16 is preferably installed on the top of the chuck. And the charging member 16 is more preferably installed above the movement distance of the chuck. And the charging member 16 is more preferably installed at a position opposite to the upper surface of the chuck 14. And the charging member 16 is composed of carbon fiber or metal fiber. This is because the carbon fiber or the metal fiber is excellent in charging efficiency for inducing the static electricity.

상기 정전기 발생기(18)는 상기 대전부재(16)에 정전기를 제공하기 위하여 구비된다. 그리고 상기 정전기 발생기(18)는 윔스르스트 장치(Wimshurst machine) 또는 밴더그래프 정전발전기(Van de Graaff electrostatic generator) 인 것이 바람직하다. 구체적으로, 상기 윔스르스트 장치는 1883년 영국의 윔스르스트가 개발한 정전기유도장치이다. 그리고 밴더그래프 정전발전기는 1931년 미국의 물리학자 R.J.밴더그래프가 발명한 것으로 정전고압발생기 또는 밴더그래프 정전고압발생장치라고도 한다.The static electricity generator 18 is provided to provide static electricity to the charging member 16. In addition, the electrostatic generator 18 may be a Wimshurst machine or a Van de Graaff electrostatic generator. Specifically, the Foolstre device is an electrostatic induction device developed by Feckstre, UK, in 1883. Vandergraph electrostatic generators were invented by American physicist R.J.Vandergraph in 1931 and are also called electrostatic high voltage generators or vandergraph electrostatic high voltage generators.

이렇게 구성된 정전기 유도부(20)에 의하여 상기 척에 정전기를 유도하여 상기 척의 상면에 흡착된 파티클들을 상기 대전부재(16)에 정전 흡착시켜 상기 척의 상면에 흡착된 파티클들을 제거한다. The electrostatic induction unit 20 configured to induce static electricity to the chuck to electrostatically adsorb the particles adsorbed on the upper surface of the chuck to the charging member 16 to remove the particles adsorbed on the upper surface of the chuck.

이로써, 종래의 기술에 비하여 본 발명에서는 상기 정전기 유도부(20)를 구비함으로 상기 척(10)의 상면에 흡착된 파티클들을 제거하는데 소요되는 시간을 짧게 하여 생산성을 향상시키고, 미세한 파티클들까지도 제거됨으로 반도체 장치의 고집적화에 따른 반도체 장치의 불량을 줄일 수 있다.As a result, in the present invention, the electrostatic induction part 20 includes the electrostatic induction part 20 to shorten the time required to remove particles adsorbed on the upper surface of the chuck 10, thereby improving productivity and removing even fine particles. The defect of the semiconductor device due to the high integration of the semiconductor device can be reduced.

그러나, 상기 척(10)의 상면으로부터 상기 파티클들을 제거하는 과정 중에 상기 척(10)에 정전기가 유도된다. 이는 후속의 노광 공정이 수행되는 웨이퍼에 상기 정전기에 의한 불량을 유발시킬 수 있다. 따라서 상기 정전기 유도부(20)에 의하여 상기 척(10)에 유도된 정전기를 제거하기 위하여 정전기 제거부(30)가 구비되는 것이 바람직하다.However, static electricity is induced in the chuck 10 during the removal of the particles from the upper surface of the chuck 10. This may cause defects caused by the static electricity on the wafer on which the subsequent exposure process is performed. Therefore, in order to remove the static electricity induced in the chuck 10 by the electrostatic induction unit 20 is preferably provided with an electrostatic removing unit 30.

구체적으로, 상기 정전기 제거부(30)는 노즐(22)과 이온 에어 송풍기(24)를 포함한다. 그리고 상기 노즐(22)은 상기 척(10)의 상부에 상기 척을 향하도록 설치되는 것이 바람직하다. 그리고 상기 노즐(22)은 척의 이동 거리 내의 상부에 상기 척을 향하도록 설치되는 것이 더 바람직하다. 그리고 상기 노즐(22)은 척을 대향하여 설치되는 것은 더 더욱 바람직하다. 그리고 상기 이온 에어 송풍기(24)는 상기 노즐(22)에 이온 에어를 제공하도록 구비된다. In detail, the static eliminator 30 includes a nozzle 22 and an ion air blower 24. And the nozzle 22 is preferably installed to face the chuck on top of the chuck (10). And it is more preferable that the nozzle 22 is installed to face the chuck in the upper portion within the moving distance of the chuck. The nozzle 22 is more preferably installed opposite the chuck. The ion air blower 24 is provided to provide ion air to the nozzle 22.

이렇게 구성된 정전기 제거부(30)를 이용하여 상기 척에 유도된 정전기를 제거함으로 후속의 노광 공정을 위하여 안착되는 웨이퍼를 정전기로부터 보호할 수 있다. By using the static elimination unit 30 configured as described above, the static electricity induced in the chuck may be removed to protect the wafer seated for the subsequent exposure process from static electricity.

도 2 내지 도 4는 도 1의 장치에 포함되는 대전부재의 형태와 그 작동 관계를 설명하기 위한 개략적인 구성도들이다.  2 to 4 are schematic configuration diagrams for explaining the shape and operation relationship of the charging member included in the apparatus of FIG.

도 2를 참조하면, 상기 척(10)의 상면을 덮는 원형 타입의 플레이트 인 대전부재(16)를 나타낸다. 그리고 상기 대전부재(16)에는 상기 대전부재(16)를 상기 척의 상면에 대향하도록 위치시키기 위하여 상기 대전부재(16)를 좌, 우, 상, 하로 이동시키는 제2 구동부(32)가 연결된다. 그리고 상기 대전부재(16)에는 상기 제2 구동부(32)의 구동력을 상기 대전부재(16)에 전달하기 위한 제2 축(34)이 연결된다. Referring to FIG. 2, the plate-in charging member 16 of the circular type covering the upper surface of the chuck 10 is shown. In addition, the charging member 16 is connected to the second driving unit 32 for moving the charging member 16 to the left, right, up, down in order to position the charging member 16 to face the upper surface of the chuck. A second shaft 34 is connected to the charging member 16 to transfer the driving force of the second driving part 32 to the charging member 16.

도 3을 참조하면, 상기 척(10)의 상면의 직경보다 적어도 긴 막대 타입의 바 인 대전부재(16)를 나타낸다. 상기 대전부재(16)에는 상기 대전부재(16)를 상기 척의 상면에 위치하면서 상기 척의 상면을 스캐닝할 수 있도록 상기 대전부재(16)를 상, 하로 이동시키고 상기 대전부재(16)를 회전시키는 제3 구동부(42)가 연결된다. 그리고 상기 대전부재(16)에 구동력을 전달하기 위한 제3 축(44)이 연결된다. Referring to FIG. 3, there is shown a bar-type charging member 16 that is at least longer than the diameter of the upper surface of the chuck 10. The charging member 16 moves the charging member 16 up and down and rotates the charging member 16 so that the charging member 16 is located on the upper surface of the chuck and the upper surface of the chuck can be scanned. Three drive units 42 are connected. And a third shaft 44 for transmitting a driving force to the charging member 16 is connected.

도 4를 참조하면, 도시된 도 3과 유사하나, 상기 대전부재(16)가 좌, 우로 이동하면서 상기 척(10)의 상면을 스캐닝하는 차이점이 있다. 따라서 상기 대전부재(16)를 좌, 우, 상, 하로 이동시키는 제4 구동부(52)가 연결된다. 그리고 상기 대전부재(14)에 구동력을 전달하기 위한 제4 축(54)이 연결된다. Referring to FIG. 4, it is similar to FIG. 3, except that the charging member 16 moves left and right to scan the top surface of the chuck 10. Therefore, the fourth driving unit 52 for moving the charging member 16 to the left, right, up and down is connected. And a fourth shaft 54 for transmitting a driving force to the charging member 14 is connected.

이와 같이, 상기 대전부재(16)는 다양한 형태로 구성할 수 있고, 전술한 구성 이외의 형태로도 구성할 수 있다. 즉, 상기 제전 효율 및 설치적 측면을 고려한 형태로 작업자가 임의로 구비할 수 있다.As described above, the charging member 16 may be configured in various forms, and may be configured in forms other than those described above. That is, the worker may be provided arbitrarily in the form in consideration of the efficiency of the static elimination and the installation side.

이하, 이렇게 구성된 상기 웨이퍼를 안착시키는 척의 상면에 흡착된 파티클들을 제거하는 장치(100)의 사용 방법을 서술한다. Hereinafter, a method of using the apparatus 100 for removing particles adsorbed on the upper surface of the chuck for mounting the wafer thus configured will be described.

도 5는 도 1에 도시된 장치의 사용방법을 설명하기 위한 개략적인 공정도이다.FIG. 5 is a schematic process diagram for explaining a method of using the apparatus shown in FIG. 1.

상기 도 1에 도시된 장치의 사용방법은 상기 대전부재(16)의 형태에 따라 차이가 발생할 수 있다. 여기서는 원형 타입의 바인 대전부재를 구비시켜 설명한다. 그리고 다른 형태의 대전부재를 구비하는 상기 장치의 사용방법은 생략한다. In the method of using the apparatus illustrated in FIG. 1, a difference may occur depending on the shape of the charging member 16. Here, description will be made by providing a charging member which is a circular bar. And the method of using the apparatus provided with the other type of charging member is omitted.

도 5를 참조하면, 먼저, 상기 대전부재(16)를 파티클들이 흡착된 상기 척(10)의 상면에 근접시킨다.(S10)Referring to FIG. 5, first, the charging member 16 is brought close to the upper surface of the chuck 10 to which particles are adsorbed.

이어서, 상기 정전기 발생기(18)는 상기 대전부재(16)에 정전기를 제공한다. 이와 동시에 상기 척(10)에 정전기가 유도되고, 상기 척(10)의 상면으로부터 상기 파티클들이 제거되기 시작하고, 상기 대전부재(16)에 상기 파티클들이 정전 흡착되기 시작한다.(S20)Subsequently, the static electricity generator 18 provides static electricity to the charging member 16. At the same time, static electricity is induced to the chuck 10, the particles are removed from the upper surface of the chuck 10, and the particles are electrostatically adsorbed to the charging member 16 (S20).

계속하여, 상기 척(10)의 상면으로부터 상기 파티클들이 모두 제거되면, 상 기 대전부재(16)를 상기 척(10)의 상면으로부터 이격시킨다.(S30)Subsequently, when all the particles are removed from the upper surface of the chuck 10, the charging member 16 is spaced apart from the upper surface of the chuck 10.

다음에, 상기 정전기 제거부(30)를 이용하여 상기 척(10)에 유도된 정전기를 제거한다. 상기 이온 에어 송풍기를 이용하여 상기 이온 에어를 노즐(22)로 공급하고 상기 노즐(22)은 상기 척(10)을 향하여 분다. 이로써 상기 척에 유도된 정전기가 제거된다.(S40)Next, the static electricity induced in the chuck 10 is removed by using the static electricity removing unit 30. The ion air blower is supplied to the nozzle 22 using the ion air blower, and the nozzle 22 blows toward the chuck 10. This eliminates static electricity induced in the chuck.

이로써, 상기 척(10)의 상면에 흡착된 파티클들을 제거하는데 소요되는 시간을 짧게 하여 생산성을 향상시키고, 미세한 파티클들까지도 제거됨으로 반도체 장치의 고집적화에 따른 반도체 장치의 불량을 줄일 수 있다. 그리고 상기 정전기 유도부(20)를 사용함으로 발생되는 상기 척(10)에 유도된 정전기를 상기 정전기 제거부(30)를 사용하여 제거함으로 후속의 노광 공정을 위하여 안착되는 웨이퍼를 정전기로부터 보호할 수 있다. As a result, the time required to remove particles adsorbed on the upper surface of the chuck 10 may be shortened to improve productivity, and even fine particles may be removed, thereby reducing defects of the semiconductor device due to high integration of the semiconductor device. In addition, the static electricity induced in the chuck 10 generated by using the electrostatic induction part 20 may be removed using the electrostatic removal part 30 to protect the wafer seated for the subsequent exposure process from static electricity. .

이하, 상기 대전부재(16)에 정전 흡착된 파티클들을 제거하는 방법을 설명한다.Hereinafter, a method of removing particles electrostatically adsorbed on the charging member 16 will be described.

미 도시하였지만, 상기 방법은 세정액을 포함하는 세정조에 상기 대전부재(16)를 담그고, 일정한 시간 동안 기다리거나, 또는 상기 대전부재(16)를 회전시키는 것이다. 이로써, 상기 대전부재(16)에 흡착된 파티클들이 제거될 수 있다. Although not shown, the method is to immerse the charging member 16 in a cleaning tank containing a cleaning liquid, wait for a predetermined time, or rotate the charging member 16. As a result, particles adsorbed on the charging member 16 may be removed.

그리고 다른 방법으로 상기 파티클들이 흡착된 대전부재(16)에 세정 가스를 제공하는 것이다. 이로써, 상기 대전부재(16)에 흡착된 파티클들이 제거될 수 있다.Another method is to provide a cleaning gas to the charging member 16 to which the particles are adsorbed. As a result, particles adsorbed on the charging member 16 may be removed.

따라서, 웨이퍼가 안착되는 척의 상면에 흡착된 파티클들을 제거하는 장치를 사용함으로 척의 상면에 흡착된 파티클들을 제거하는데 소요되는 시간을 짧게 하여 생산성을 향상시키고, 미세한 파티클들까지도 제거됨으로 반도체 장치의 고집적화에 따른 반도체 장치의 불량을 줄일 수 있다.Therefore, by using a device that removes particles adsorbed on the upper surface of the chuck on which the wafer is seated, the time required to remove the particles adsorbed on the upper surface of the chuck is shortened to improve productivity, and even fine particles are removed, resulting in high integration of semiconductor devices. This can reduce the defect of the semiconductor device.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the above has been described with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be variously modified and changed within the scope of the present invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below. I can understand that you can.

Claims (3)

포토레지스트층이 형성된 웨이퍼를 안착시키는 척의 상부에 설치되는 대전부재와 상기 대전부재에 정전기를 제공하는 정전기 발생기로 구성되고, 상기 대전부재에 정전기를 제공하고 상기 척의 상면에 정전기를 유도하여 상기 척의 상면에 흡착된 파티클들을 상기 대전부재에 정전 흡착시키는 정전기 유도부; 및 It consists of a charging member which is installed on top of the chuck seating the wafer on which the photoresist layer is formed and an electrostatic generator that provides static electricity to the charging member, provides static electricity to the charging member and induces static electricity on the upper surface of the chuck, the upper surface of the chuck An electrostatic induction part for electrostatically adsorbing particles adsorbed on the charging member; And 상기 척의 상부에 설치되는 노즐과 상기 노즐에 이온 에어를 제공하는 이온 에어 송풍기로 구성되고, 상기 척에 상기 이온 에어를 불어서 상기 정전기 유도부에 의하여 상기 척에 유도된 정전기를 제거하는 정전기 제거부를 구비하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼를 안착시키는 척의 상면에 흡착된 파티클들을 제거하는 장치.And an electrostatic removing unit configured to remove the static electricity induced in the chuck by the electrostatic induction unit by blowing the ion air to the chuck, the nozzle being installed on top of the chuck and the ion air blower providing the ion air to the nozzle. An apparatus for removing particles adsorbed on an upper surface of a chuck for seating a wafer. 제1 항에 있어서, 상기 대전부재는 상기 척의 상면을 덮는 원형 타입의 플레이트 인 것을 특징으로 하는 웨이퍼를 안착시키는 척의 상면에 흡착된 파티클들을 제거하는 장치.2. The apparatus of claim 1, wherein the charging member is a plate of a circular type covering an upper surface of the chuck. 제1 항에 있어서, 상기 대전부재는 상기 척의 상면의 직경보다 긴 막대 타입의 바 인 것을 특징으로 하는 웨이퍼를 안착시키는 척의 상면에 흡착된 파티클들을 제거하는 장치.2. The apparatus of claim 1, wherein the charging member is a bar-type bar that is longer than the diameter of the top surface of the chuck.
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