KR20070098842A - 발광장치 및 관련 제조 방법 - Google Patents

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KR20070098842A
KR20070098842A KR1020077015335A KR20077015335A KR20070098842A KR 20070098842 A KR20070098842 A KR 20070098842A KR 1020077015335 A KR1020077015335 A KR 1020077015335A KR 20077015335 A KR20077015335 A KR 20077015335A KR 20070098842 A KR20070098842 A KR 20070098842A
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스타리미르 포포비치
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텔레젠 코퍼레이션
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Abstract

발광장치는 표면부를 구비한 인클로저,상기 인클로저 내의 냉음극,상기 표면부의 내부면에 배치된 형광체 층, 상기 냉음극과 상기 형광체 층 사이의 추출 그리드, 및 상기 추출 그리드와 상기 형광체 층 사이의 디포커싱 그리드를 포함한다. 상기 냉음극으로부터의 전자들은 상기 냉음극, 추출 그리드, 디포커싱 그리드 및 형광체 층에서 인가된 전압에 의해 상기 냉음극과 상기 형광체 층 사이에서 전계가 생성될 때, 항기 형광체 층에 충격을 가함으로써 상기 디포커싱 그리드에 의해 디포커싱된다. 상기 형광체 층은 그에 입사하는 전자들에 응답하여 상기 표면부를 통해 광을 방출한다. 2차 전자 방출이 발생하여 형광체 층 상의 전자 충격을 증가시켜서 광 출력을 증가시킨다. 미러층은 발광장치의 표면부쪽으로 광을 반사하도록 포함된다. 미러층은 또한 저 에너지 전자들이 형광체에 충격을 가하는 것을 금지하여 발광장치의 깜박임율을 향상시킨다.
발광장치. 추출 그리드, 디포커싱 그리드

Description

발광장치 및 관련 제조 방법{LIGHT EMITTING DEVICE AND ASSOCIATED METHODS OF MANUFACTURE}
관련 출원들
이 출원은 2004년 12월 16일자 출원된 미국특허출원 제 60/637,069호에 우선권을 주장하며, 여기에서 참조하기로 한다.
광고, 신호계, 또는 비상 시그널링 등의 디스플레이를 위한 광을 크게 두 가지 타입 즉 백열 및 발광 다이오드(LED)로 나누어진다. 이들 광 타입의 각각은 임의의 활용에 있어서, 바람직하지 못하게 되는 결점을 갖는다. 예를 들어 백열광은 여러가지 색깔로 쉽게 활용가능하고, 실질적으로 임의의 각도에서 볼 수 있는 밝은 광을 발광할 수 있지만, 또한 발광되는 양에 비례하는 실질적인 량의 열을 발생한다. 따라서 백열광의 열 발생은 전력을 낭비한다.
또한, LED들은 발광된 광에 비해 비교적 적은 량의 열을 발생하므로 백열광에 비해 실질적으로 전력을 덜 사용한다. 그러나 LED들에는 여러 가지 제한이 있다. 예를 들어, LED들은 통상적으로 원형 또는 원통형이고, 그리고 특정 발광 응용을 위해 보다 적합한 다른 형상으로 제조되는 LED들 용(用)으로는 비경제적이다. 또한 백색 또는 다수의 컬러 LED들은 아직까지 경제적으로 제조되지 못하고 있다. LED들은 또한 비교적 느린 깜빡임 율을(예를 들어 5kHz) 가져서 64 또는 그 이상의 휘도 레벨의 비디오 디스플레이가 왜곡되어서 예를 들어, LED들의 배열에 의해 생생한 디스플레이를 생성하기 어렵거나 불가능하였다. 또한, LED들은 발광이 효과적으로 보여지는 발광 각도가 비교적 좁다. 통상적으로는 최대 120도 내지 130도이다.
도 1은 종래기술의 디스플레이의 픽셀(2)(예를 들어, 빌보드(billboard))를 도시하는데, 픽셀(2)은 9개의 각각의 LED들(4)의 클러스터를 갖는 것으로 도시되어 있다. 픽셀(2)은 통상적으로 큰 또는 밝음 픽셀들이 필요한 즉, 픽셀(2) 내의 LED들(4)을 클러스터링하고, 모든 LED들을 동시에 동작시킴으로써 증가된 루미노시티를 얻을 수 있다. 그러나 LED들(4)은 형상이 둥글므로, 픽셀(2)의 조명 영역(즉, LED들의 원형 방사 영역들의 합)은 픽셀(2)의 영역보다 작으므로, 최대 픽셀 휘도를 얻을 수 없다.
일 실시예에 있어서, 발광장치는 표면부를 갖는 인클로저, 상기 인클로저 내의 냉 음극, 상기 표면부의 내면 상에 배치된 형광층, 상기 냉 음극과 형광층 사이의 추출 그리드 및 상기 추출 그리드와 형광층 사이의 디포커싱 그리드를 구비한다. 냉음극으로부터 발광된 전자들은 디포커싱 그리드에 의해 디포커싱되고, 상기 냉음극, 추출 그리드, 디포커싱 그리드 및 형광 층에서 전압들에 인가된 냉 음극과 형광층 사이에서 전계가 생성되는 경우, 형광층과 부딪친다. 형광층은 그 위에 입사하는 전자들에 응답하여 표면부를 통해 발광한다.
다른 실시예에 있어서, 발광장치는 표면부를 갖는 인클로저, 상기 인클로저 내의 냉음극을 구비하고, 상기 냉음극은 요철 형상을 가지며, 상기 표면부의 내면 상에 배치된 형광층, 상기 냉 음극과 형광층 사이의 추출 그리드를 구비한다. 상기 추출 그리드는 요철 형상을 가지며, 상기 냉음극의 표면으로부터 균일한 거리를 갖도록 형성된다. 냉음극으로부터 방사된 전자들은 전계가 상기 냉음극, 추출 그리고 및 형광층에서 인가된 전압들로 인해 상기 냉음과 상기 형광층 사이에서 생성되는 경우, 형광층을 충격한다. 형광층은 그 위에 입사하는 전자들에 응답하여 표면부를 통해 발광한다.
다른 실시예에 있어서, 디스플레이 시스템은 발광장치들, 상기 발광장치들 각각에 전기적으로 접속된 디스플레이 제어기를 구비하고, 상기 디스플레이 제어기는 상기 발광장치 각각의 휘도를 제어한다. 각각의 발광장치는 표면부를 구비한 인클로저, 상기 인클로저 내의 냉음극, 상기 표면부의 내면상에 배치된 형광층, 상기 냉음극과 상기 형광층사이의 추출 그리드 및 상기 추출 그리드와 상기 형광층 사이의 디포커싱 그리드를 구비한다. 냉음극으로부터 발광된 전자들은 디포커싱 그리드에 의해 디포커싱되고, 상기 냉음극, 상기 추출 그리드 및 상기 형광층에 인가된 전압들에 의해 상기 냉음극과 상기 형광층 사이에서 전계가 생성되는 경우 상기 형광층을 충격한다. 형광층은 그위의 전자들의 충격에 응답하여 표면부를 통해 발광한다.
다른 실시예에 있어서, 디스플레이 시스템은 발광장치들의 배열을 가지며, 각각의 발광장치는 가변 컬러 및 휘도를 생성할 수 있으며, 상기 시스템은 상기 발광장치들 각각에 전기적으로 접속된 디스플레이 제어기를 포함한다. 디스플레이 제어기는 상기 발광장치의 컬러 및 휘도를 제어하도록 발광장치들 각각에 복수의 전기 전위를 제공한다. 각각의 발광장치는 표면부를 구비한 인클로저, 상기 인클로저 내의 냉음극, 상기 표면부의 내면상에 배치된 형광층, 상기 냉음극과 상기 형광층사이의 추출 그리드 및 상기 추출 그리드와 상기 형광층 사이의 디포커싱 그리드를 구비한다. 냉음극으로부터의 전자들은 디포커싱 그리드에 의해 디포커스되고, 상기 냉음극과 상기 형광층 상에 상기 냉음극, 추출 그리드, 디포커싱 그리드 및 형광층에 인가된 전압들에 의해 상기 냉음극과 상기 형광층 사이에 전계가 생성되는 경우, 형광층을 충격한다. 상기 형광층은 그 위에 전자들의 충격에 응답하여 상기 표면부를 통해 발광한다.
다른 실시예에 있어서, 광을 생성하는 방법은, 냉음극으로부터 전자빔의 형태의 전자들을 추출하도록 전계를 생성하고, 전자들이 그로부터 발광하도록 형광층을 고르게 충격하도록 전자 빔을 디포커싱하기 위해 전계를 변형하는 단계를 포함한다.
도 1은 빌보드 등의 디스플레이를 위한 9개의 각 LED들의 클러스터를 갖는 종래 기술의 픽셀을 도시하고,
도 2는 일 실시예에 따라 복수의 발광장치들 및 디스플레이 제어기를 구비한 디스플레이 시스템을 도시하고,
도 3은 발광장치의 일 실시예의 단면을 도시하고,
도 4는 디포커싱 그리드로부터 제 2 전자 발광을 나타내는 도 3의 발광장치내의 일례의 전자 동작을 나타내고,
도 5는 일 실시예에 따라 레드, 그린 및 블루 광을 생성한 3개의 다른 형광체를 갖는 일례의 멀터 컬러 발광장치를 도시하고,
도 6은 도 5의 발광장치의 일례의 페이스 온 뷰(face-on view)를 나타내고,
도 7은 다른 형광체 레이아웃을 나타내는 도 5의 발광장치의 일 실시예의 페이스 온 뷰를 나타내고,
도 8은 다른 형광체 레이아웃을 나타내는 도 5의 발광장치의 일 실시예의 페이스 온 뷰를 나타내고,
도 9는 다른 형솽체 레이아웃을 나타내는 도 5의 발광장치의 멀티 컬러의 일 실시예의 페이스 온 뷰를 나타내고,
도 10은 일 실시예에 따라 3개의 도체로 구성된 하나의 발광장치를 나타내고,
도 11은 일 실시예에 따라 3개의 도체, 추출 그리드, 디포커싱 그리드, 캐소드 및 튜브레이터(tubulator)로 구성된 하나의 발광장치를 나타내고,
도 12는 일 실시예에 따라 3개의 도체, 추출 그리드 및 볼록 캐소드로 구성된 하나의 발광장치를 나타내고,
도 13은 도 12의 볼록 캐소드 및 추출 그리드를 예시적으로 상세히 도시하고,
도 14는 일 실시예에 따라 4개의 도체로 구성된 하나의 발광장치를 도시하 고,
도 15는 일 실시예에 따라 3개의 도체, 캐소드, 추출 그리드, 디포커싱 그리드 및 미러층 으로 구성된 하나의 발광장치를 도시하고,
도 16은 일 실시예에 따라 오목 캐소드를 구비한 하나의 발광장치를 도시하고,
도 17은 도 16의 오목 캐소드 모듈의 예를 상세히 도시하고,
도 18은 복수의 발광 픽셀들을 갖는 발광 디스플레이이의 일례의 부분을 나타내고,
도 19는 일 실시예에 따라 하나의 발광장치를 구비한 일례의 하나의 픽셀을 나타내고,
도 20은 일 실시예에 따라 3개의 발광장치를 구비한 하나의 픽셀을 나타내고,
도 21은 일 실시예에 따라 하나의 발광장치를 구성하는 하나의 프로세스를 나타내는 흐름도이고,
도 22는 일 실시예에 따라 도 10의 발광장치에 전력을 공급하는 일례의 장치제어기를 도시하고,
도 23 및 도 24는 일 실시예에 따라 냉음극, 추출 그리드 및 디포커싱 그리드를 포함하는 일례의 부조립체 구성을 나타내고,
도 25는 냉음극 및 추출 그리드가 30 미크론만큼 이격되는 시험으로부터 얻어진 일례의 전류에 대한 전계 상관을 나타내는 그래프이고,
도 26은 60분 테스트에 걸쳐서 하나의 냉음극과 하나의 추출 그리드의 안정성을 나타내는 그래프이고,
도 27은 도 23, 24의 장치의 캐소드와 추출 그리드 사이의 4개의 다른 전압 차 각각에 대한 냉음극에서의 전류 안정성을 나타내고,
도 28은 도 23, 24의 장치의 형광체에서 니츠(nits)(Cd/m2) 대 대응 전류에서 측정된 하나의 발광장치에 대한 휘도 측정을 나타내고,
도 29는 120㎂의 형광체 전류를 갖는 도 23, 24의 발광장치의 휘도와 비교하여 각종 형광체 전류들에 대한 하나의 발광장치의 관련 휘도를 나타내고,
도 30은 도 23, 24의 장치들의 형광체 대 캐소드 전압의 휘도 및 전류를 나타내는 그래프이다.
도 2는 9개의 픽셀(7)과 디스플레이 제어기(11)로 예시적으로 도시한 발광 디스플레이(9)를 구비한 디스플레이 시스템(8)을 도시한다. 디스플레이(9)의 각 픽셀(7)은 픽셀(7)에 대한 조명을 제공하는 발광장치(6)를 구비한다. 디스플레이 제어기(11)는 각기 하나 이상의 발광장치들(6)을 제어하는 복수의 장치제어기들(15)(1-N)을 포함한다. 전원(13)은 각 제어기들(15)에 전력을 분배하는 디스플레이 제어기(11)에 전력을 제공한다. 각각의 발광장치(6)는 단일 컬러를 방사하도록 구성될수 있거나, 장치제어기(15)의 제어하에 복수의 컬러들을 방사하도록 구성될 수 있다. 이들 발광장치들은 다음 도면들에서 기술하는 발광장치의 구성을 갖는다.
도 3은 하나의 발광장치(10)를 도시하고, 발광장치(10)는 예를 들어 도 2의 발광장치(2)를 형성할 수 있다. 발광장치(10)는 전기도체들(16)을 제외하고, 발광장치의 전기 부품들을 포함하는 인클로저(14)를 포함하고, 도체들(16)은 도시한 바와 같이 각종 부품들에 전기 접속 가능성을 제공하도록 인클로저(14)를 통해 연장한다. 인클로저(14)는 광이 발광장치(10)로부터 방사하는 표면부(22)를 포함한다. 표면부(22)는 도 3에 있어서 평평한 것으로 도시하였지만, 그 대신 반구상, 또는 다른 3차원적으로 굴곡진 표면(예를 들어 도 10, 11, 12, 14, 15 및 16 참조)으로 형성될 수 있다. 형광체(18) 층은 표면부(22)의 안쪽(23)(즉, 인클로러(14) 내부 및 인접페이스부(22))에 증착된다. 형광체 층(18)은 상기 안쪽(23)과 미러층(26) 사이에 샌드위치될 수 있으며, 형광체(18)에 인접하고, 그에 가장 가까운 미러층(26)의 표면은 발광장치(10)의 동작 동안 형광체 층(18)에 의해 방사된 광을 반사한다. 발광장치(10)의 휘도는 예를 들어 미러층(26)에 의한 형광체 층(18)에 의해 방사된 광의 반사로 인해 200% 증가 될 수 있다. 미러층(26)은 알루미늄, 항루미늄 합금, 또는 다른 기능적으로 동일한 물질로 만들어질 수 있다.
발광장치(10)는 또한 형광체(18)를 여기(勵起) 시켜서 광을 방출케 하는 전자들의 소스를 제공하도록 동작하는 냉음극(30)을 포함하고, 냉음극(30)은 전자 방출 동안 순환 온도(통상적으로 순환 온도의 X도 내에서) 실질적으로 남아있는 전자 방사 원이고 열 발생의 중요한 소스는 아니다. 냉음극(30)은 예를 들어 화학기상성장법(CVD)으로 형성될 수 있으며, 여기서 탄소 재료는 이하 추가로 기술하는 바와 같이 도체막에 증착된다.
추출 그리드(34) 및 디포커싱 그리드(38)는 냉음극(30)과 미러층(26) 사이에 위치한다. 추출 그리드(34)는 이하 상세히 기술하는 바와 같이 냉음극(30)으로부터 형광체(18) 쪽으로 방사된 전자들을 가속시키는 전계를 제공한다. 디포커싱 그리드(38)는 도시한 바와 같이 추출 그리드(34)와 미러층(26) 사이에 위치하고, (미러층(26)을 통해 이동함으로써) 실질적으로 균일한 분포 또는 전자들의 밀도가 형광제(18)의 전제 영역을 충격하도록 전자빔을 팽창(즉, 디포커스)하도록 동작한다. 추출 그리드(34) 및 디포커싱 그리드(38)는 그들이 도체 경로(42)에 의해 핀(16(G))에 접속되어 있으므로 대략 동일 전압에 있어서 도 3의 실시예에 있어서 디포커싱 그리드(38) 쪽을 향해 추출 그리드(34)를 통해 이동하는 전자들은 실질적으로 디포커싱 그리드(38)에 의해 실질적으로 가속되지 않음을 지적한다.
발광장치(10)의 밀봉된 내부(24)는 대략 10-4 내지 10-6 Torr(또는 넓은 진공 범위 예를 들어, 10-2 내지 10-8)의 진공으로 진공된다. 발광장치(10)는 발광장치(10) 내에서 진공을 설정 및/또는 유지하도록 핀들(16(V))에 전기를 인가함으로써 동작한다. 흡착에 의해 가스를 제거하는 게터(getter) 물질(25)은 발광장치내에 진공을 유지하도록 발광장치(10) 내에 포함된다.
미러층(26) 및/또는 형광체(18)은 핀(16(P))에 접속 가능성을 제공하는 전기 전도 경로(12)를 갖는다. 도체(12)는 예를 들어, 원치않는 전자 흡인 및 상호작용을 방지하도록 절연될 수 있다.
장치(10)는 도 23 및 도 24와 관련하여 기술한 프로토타입 구성과 같은 여러 가지 기술들에 의해 구성될 수 있다.
전자들은 예를 들어 냉음극(30)과 추출 그리드(34) 사이에 전위차를 가함으로써 생성된 전계의 인가에 의해 냉음극(30)으로부터 유인된다. 따라서 전계 강도는 물리적 거리와 냉음극(30)과 추출 그리드(34) 사이의 전위차에 따른다. 냉음극
(30)으로부터 전자들을 추출하기 위한 이 전계에 대한 하한은 대략 2-10 volts/
micron이고 이는 실험적으로 결정된다.
일례의 동작에 있어서, 냉음극(30)과 추출 그리드(34) 사이의 대략 200V의 전위차가 냉음극(30)을 -200V에서 유지하고, 접지(즉, 0V)에서 추출 그리드(및 디포커싱 그리드(38))를 유지함으로써 생성된다.
다른 동작에 있어서, 핀(16(C))은 접지되고(즉, 0V가 냉음극(30)에 인가되고, +210볼트가 연속적으로 핀(16(G))에 인가되어 추출 그리드(34) 및 디포커싱 그리드(38)는 +210볼트로 유지된다. 이 후자의 구성에 있어서, 추출 그리드는 부분 흐름 통과(flow-through) 능력을 갖는 애노드이다.
그럼에도 캐소드(30)와 추출 그리드(34) 사이의 여러 전압 차들은 연산적으로 사용될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 캐소드(30)와 추출 그리드(34) 사이의 대략 500 볼트 전압차가 사용된다(예를 들어, 추출 그리드(34)는 +500볼트에서 유지되고 캐소드(30)는 접지되고, 또는 추출 그리드(34)는 접지되고, 캐소드(30)는 -500V에서 유지되거나, 추출 그리드(34)는 -250볼트에서 유지되고, 캐소드는 +250볼트에서 유지된다.) 다른 동작 예에 있어서, 캐소드(30)의 전압은 -100V에서 유지 되고, 추출 그리드(34)는 +300V 내지 +400V사이에서 유지된다. 다른 동작 예에 있어서, 캐소드(30)는 +100V의 전압에서 유지되고, 추출 그리드(34)는 +500V의 전압에서 유지된다.
전자들이 냉음극(30)으로부터 추출되면, 이들 전자들은 미러층(26) 및/또는 형광체(18)에 정(positive)의 전압(캐소드(30)에 인가된 전압에 비해서)을 인가함으로써 생성된 제 2 전계에 의해 형광체(18) 쪽으로 가속될 수 있다. 다른 동작에 있어서, +5kV 내지 15kV(예를 들어, +10kV가 잘 기능하도록 시험된다)의 범위의 연속의 고(高) 전기 전위가 핀(16(P))에 인가되어 따라서 미러층(26)과 형광체(18)에 인가되고, 이 고(高) 전위는 또한 형광체(18) 쪽으로 냉음극(30)에 의해 방사된 전자들을 더욱 가속시킨다.
도 4는 발광장치(10) 내의 일례의 전자 동작을 나타낸다. 인클로저(14)는 설명의 명료화를 위해 도 4에 도시되지 않는다. 라인(120)은 냉음극(30)으로부터 형광체(18)(미러층(26)을 통해)로의 일례의 전자 궤적을 나타내고, 전류(Ia)를 생성하는 일차 방사를 나타낸다. 일례의 전자 궤적(124)은 디포커싱 그리드(38)에 의해 흡수되어 전류(Ic)를 생성한다. 이러한 흡수의 결과, 디포커싱 그리드(38)는 2개의 추가의 전자을 방사하는데, 전자 궤적들(128)로 나타내고, 이들 라인들(128)은 디포커싱 그리드(38)로부터 형광체(18)로(미러층(126)을 통해)의 일례의 제 2 방사들을 나타내는데, 전류(Id)를 생성한다. 1차 전자들이 추출 그리드(34)에 의해 흡수되는 경우 일례의 전자 궤적(123)이 생성되어 전류(Ib)를 나타낸다.
일례의 동작에 있어서, 냉음극(30)은 60 마이크로암페어의 전류(Ie)를 제공 한다. 추출 그리드(34)는 생성 전자들을 흡수하여 20 마이크로암페어(Ib)의 전류를 생성한다. 디포커싱 그리드(38)는 13 마이크로암페어(Ic)의 전류를 생성하는 전자들을 흡수한다. 따라서 형광체(18)에 대한 1차 전류 흐름(Ia)은 60 - 20 - 13 = 27 마이크로암페어이다. 그러나 시험 결과는 형광체(18)가 80 마이크로암페어를 수신하는 것을 나타낸다. 따라서 53 마이크로암페어(Id)는 디포커싱 그리드(38)로부터의 제 2 전자 방사를 나타낸다. 따라서 디포커싱 그리드(38)는 13 마이크로암페어의 전자 전류를 흡수함으로써 형광체(38)에 53 마이크로암페어의 전자 전류를 방사하여, 대략 4:1(53:13)의 방사 비율을 제공한다. 제 2 방사 비율은 강력한 제 2 전자 방사 물질로 디포커싱 그리드(38)를 도금함으로써 증가될 수 있다.
특정 이론에 대한 경계가 되지 않고, 추출 그리드(34)와 디포커싱 그리드(38) 사이의 간격을 넓힘으로써 전자 빔의 확산을 증가시킬 수 있고, 형광체(18) 생성 광의 영역을 증가시킬 수 있다고 생각된다.
이 예에 있어서, 그리드(34 및 38)는 전기적으로 함께 접속되어 있으므로, 하나의 구동기 및 인클로저(14)를 통하는 하나의 도체가 추출 그리드(34) 및 디포커싱 그리드(38) 모두에서의 전압을 변화시키는데 필요하다. 더욱이 그리드들(34 및 38) 사이의 낮은 일정 전계가 냉음극(30)으로부터 탄소 입자들의 공격적인 제거를 방지한다. 이러한 캐소드(30)로부터의 탄소 입자들의 제거는 발광장치(10)의 동작에 역 영향(예를 들어 플라스틱 전자 방사를 생성함으로써)을 미칠 수 있다. 따라서 발광장치(10)는 예를 들어 대략 30,000 시간 수명 또는 그 이상의 긴 기대 수명을 갖는 것으로 예상된다.
동작에 있어서, 고 휘도 레벨이 발광장치(10)의 표면부에 전송되도록 형광체 및/또는 미러층(26)에 연속의 고전압(예를 들어 + 10kV)이 제공된다. 따라서 적어도 일부 실시예들에 있어서, 발광장치(10)는 적어도 10,000 내지 25,000 nits 범위의 휘도를 생성할 수 있으며, 임의의 실시예에 있어서, 최대 100,000 nits(또는 그 이상)까지 생성할 수 있다. 연속적인 고전압이 냉음극(30)으로부터의 1차 방사 뿐만아니라 형광체(18)를 충격하는 방사를 위한 고 전자 에너지를 제공한다. 그러나, 적어도 일부 실시예에 있어서, 형광층(18)의 전력밀도(형광체(18)가 평균 CRT 형광체를 가정할 경우) 형광체 층(18)의 전기전력밀도는 0.4W/cm2을 초과하지 않아야 하는데 이는 과포화 및 열적 억제로 인해 대략 10 내지 30 %의 소모된 전력 때문에 루미넌스에 있어서 효율 강하가 있을 수 있기 때문이다. 초과 전기 전력은 형광체(18)에서 추가의 열을 생성하여 그 전기 저항을 증가시킨다. 따라서 형광체 층(18)에서의 평균 전류밀도는 예를 들어 J = 0.4 W/cm2/10kV이고, 예를 들어 형광체 층(18)에서의 평균 전류밀도는 10 ㎂/cm2 내지 60 ㎂/cm2 까지 변할 수 있으며, 예를 들어 전기전력밀도는 0.1 W/cm2과 0.6 W/cm2 사이에서 변할 수 있다.
전술한 바와 같이, 미러층(26)은 발광장치(10)의 휘도를 변화시킨다. 그러나, 미러층(26)은 또한 저 에너지 레벨 전자들을 위한 전자 장벽으로서 동작하며, 대략 +6 kV이하의 에너지를 갖는 전자들이 미러층(26)을 침투하여 형광체(18)에 도달하고, 미러층(26)을 통과한 전자들은 예를 들어 + 10 kV 또는 그 이상의 에너지 를 갖는다.
고 전력 장치의 경우에, 40kV까지의 전압에서 동작하는 고전압 형광체가 사용될 수 있다. 예를 들어 36 kV를 갖는 고전압 형광체를 사용함으로써, 160 ㎂/cm2 의 전류밀도가 얻어진다. 이러한 실시예는 고온 글래스를 필요로 할 수 있으며, 다른 고온 부품들을 필요로 할 수 있다. 백색 형광체가 사용되는 경우, 실시예의 평균 휘도는 130,000 nits(즉, cd/m2)의 광 출력을 얻을 수 있다.
다(多)형광체 발광장치들
도 5는 각기 레드, 그린 및 블루 광을 생성하기 위한 3개의 다른 형광체들(18(R), 18(G) 및 18(B))를 갖는 일례의 발광장치(500)를 도시한다. 발광장치(500)는 예를 들어 도 2의 발광장치(6)를 나타낼 수 있다. 발광장치(500)의 일례의 페이스 온 뷰(face-on view)를 도 6에 도시한다. 일 실시예에 있어서, 형광체(G)는 비전도 절연체(118)에 의해 형광체(18(R))로부터 분리되고, 형광체(18(R))은 다른 비전도 절연체(118)에 의해서 형광체(18(R))로부터 분리된다. 다른 형광체들(18) 사이의 비전도 절연체(118)의 폭은 대략 0.01mm 내지 0.5mm 또는, 대략 0.02mm 내지 0.05mm일 수 있다. 일 실시예에 있어서, 각각의 이러한 절연체(118)는 발광장치(500)의 내부 진공 내에서 다른 형광체들(18) 사이의 공간 또는 갭이 대신할 수 있으며, 일 실시예에 있어서, 절연체 및/또는 공간(118)은 전기 분리를 확보하도록 다른 형광체들(118) 사이의 글래스의 에칭을 포함할 수 있다. 다른 실 시예들에 있어서, 절연체 및/또는 공간(118)은 세라믹, 산화 알루미늄 등과 같은 글래스 릿지 또는 다른 비 전도 물질을 포함할 수 있다.
각각의 형광체 층(18)은 형광체(18) 영역들 각각을 커버하는 각각의 미러층(26)이 서로 전기적으로 절연되도록 절연체들(118)과 정렬되는 절연 갭들(119)을 갖는 미러층(26)으로 코팅되어 있다. 갭(119)은 예를 들어 미러층(26)의 증착후 레이저 에칭될 수 있다.
각각의 형광체(18(R), 18(G), 18(B))는 제어 핀들(16(PR), 16(PG) 및 16(PB) 각각에 접속되는 다른 전기도체(12(R,G,B)))로 도시되어 각 형광체(18)의 전기 전위가 독립적으로 제어된다. 따라서 각 형광체(18)에서의 전압은 발광장치(500)로부터 다른 컬러의 광을 얻도록 변화될 수 있다. 예를 들어, 그린 광 만을 얻기 위해, 형광체(18G)는 제어 핀(16(PG)) 및 도체(12(G))를 통해 +10kV의 전기 전위를 갖게 되고, 그리고 형광체들(18R 및 18B)은 제어 핀들(16(PR),16(PB)) 및 도체들(12(R), 12(B)) 각각을 통해 예를 들어 -200V(각종 전압은 -50V 내지 -10kV 범위의 전압과 같이 여기에서 사용될 수 있다)음 전압 또는 제로 전압 전위를 갖는다. 또한, 전자 스트림(802)의 전자들(1차 및 2차 방출 포함)은 그린 광을 생성하도록 형광체(18(G))에 유인되고 레드 및 블루 광이 생성되지 않도록 형광체(18R 및 18B)로부터 반발된다. 순수 레드 또는 블루 광을 생성하는데 유사한 기술이 사용될 수 있다. 다른 동작 예에 있어서, 퍼플 광을 생성하기 위해, 형광체(18B) 및 형광체(18R)가 +10kV의 전위를 가지며, 형광체(18G)는 예를 들어 -200V의 전위를 갖는다. 따라서, 생성된 블루 및 레드 광은 퍼플 광을 생성하도록 합성된다. 다른 동작 예에 있어서, 백색광은 각각의 형광체(18G, 18R, 및 18B)에 +10kV의 전위를 공급함으로써 발광장치(500)로부터 획득되고, 따라서 각 형광체(18)에 의해 생성된 레드 그린 및 블루 광은 백색광을 생성하도록 합성된다. 주지하는 바와 같이, 다른 가시 컬러들은 형광체들(18)에 제공된 전기 전위들의 적합한 합성에 의해 발광장치(500)로부터 생성될 수 있다. 각각의 3가지 컬러들 레드, 그린, 블루(각각의 형광체(18R,18G 및 18B)에 의해 생성됨)에 대한 컬러의 농도들 각각은 컬러마다 15 비트로 인코드되는 경우 15 비트 컬러 값들의 각각이 컬러를 생성하는 형광체 상의 대응 전압에 매핑되어 멀티컬러 발광장치(500)에 의해 36+쿼드릴리온(quadrillion) 컬러가 생성될 수 있다. 형광체(18)에 의해 생성된 컬러들 레드 , 그린 및 블루의 다른 농도들을 나타내는데 큰 수의 비트(예를 들어 23 비트)가 사용되는 경우, 멀티 컬러 발광장치(500)에 의해 넓은 범위의 컬러들이 제공될 수 있다. 소정의 컬러의 농도는 발광장치(500)의 단위 시간당, 단위 입체각당, 그리고 표면부(22)의 투영 영역의 단위당 방사 에너지로서 정의될 수 있다. 형광체 전압은 발광장치(500)에 의해 생성된 광의 컬러 혼합을 제어하는 것으로 볼 수 있다.
일 실시예에 있어서, 발광장치(500)는 3개의 캐소드, 3개의 추출 그리드 및 3개의 디포커싱 그리드를 포함하고, 캐소드, 추출 그리드 및 디포커싱 그리드 각각의 그룹은 하나의 형광체 컬러와 관련하여 동작한다. 이 실시예에 있어서, 내부 글래스 분리기들은 발광장치들이 하나의 벌브(bulb) 외피내에서 캡슐화되도록 사용된다.
각각의 형광체(18(R,G,B))의 휘도는(동일한 전위로 제공되는 경우) 반드시 동일할 필요는 없으(즉, 형광체 컬러들의 특성 차이)므로, 생성된 광량은 각 형광체 컬러 사이의 형광체 영역비를 변화시킴으로써 조정될 수 있다. 예를 들어, 동일한 동작 조건하에서, 그린 형광체(18(G))는 레드 형광체(18(R))보다 밝고, 이 레드 형광체는 블루 형광체(18(B))보다 밝으므로, 각각의 형광체 컬러에 대해 균형된 광 출력을 제공하기 위해서, 블루 형광체(18(B))의 영역은 도 5 및 도 6에 도시한 바와 같이, 레드 형광체(18(R))의 영역보다 크고 이 레드 형광체 영역은 그린 형광체(18(G)) 영역보다 크다. 따라서 형광체들(18) 사이의 적합한 형광체 영역 비율로 발광장치(500)를 구성함으로써, 휘도 제어를 간략화할 수 있다.
도 7은 다른 형광체 레이아웃을 나타내는 발광장치(500)의 다른 일례의 실시예의 페이스 온 뷰를 도시한다. 이 실시예의 구성은 임의의 형광체(18) 쪽으로의 또는 그로부터의 도 5의 전자 스트림(802)의 최대 편향이 도 6 및 도 9에 도시된 실시예들에 비해서 감소되는 장점을 갖는다.
도 8은 다른 형광체 레이아웃을 나타내는 발광장치(500)의 다른 일례의 실시예의 페이스 온 뷰를 도시한다. 도 7의 실시예에서와 같이, 이 실시예는 또한, 임의의 형광체(18) 쪽으로의 또는 그로부터의 전자 스트림(도 5의 전자 스트림(802))의 최대 편향이 도 5 및 도 6에 도시된 실시예들에 비해서 감소되는 장점을 갖는다.
도 9는 형광체들(18)에 대한 다른 레이아웃을 나타내는 발광장치(500)의 다른 일례의 실시예의 페이스 온 뷰를 나타낸다. 이 예에 있어서, 각각의 형광체 컬러는 2개의 영역들을 가지며, 이는 발광장치(500)에 의해 생성된 광이 보다 혼합되 는 점에서 장점을 가질 수 있다.
도 3 내지 도 5를 참조하면, 인클로저(14)는 밀봉되고, 내부 진공은 10-2 내지 10-8 Torr로 될 수 있다. 게터링이 사용되면(예를 들어, 도 3의 게터(44)), 비 증발성 게터(non-evaporable getter;NEG)가 인클로저 밀봉후 플래시될(flashed) 수 있다. 또한 증발성 게터(EG)(즉, 도 3의 게터 물질)는 흡수 특성을 최대화시키고 발광장치(10,500)의 진공 처리 비용을 저감시키도록 발광장치(10,500)의 밀봉 동안 또는 밀봉후 플래시될 수 있다. 이러한 EG 및 NEG 게터 기술의 예들은 예를 들어 음극선 관(CRT) 및 진공 형광 디스플레이(VFD)의 제조에 있어 알려져 있다.
도 10은 3개의 접속점들(1916(P), 1916(G) 및 1916(C))로 구성된 일례의 발광장치(1900)를 도시한다. 발광장치(1900)는 예를 들어 도 2의 발광장치(6)를 나타낼 수 있다. 발광장치(1900)는 표면부(1922)를 갖는 인클로저(1914)를 갖는다. 인클로저(1914)의 표면부(1922)의 내부면(1923)은 먼저 형광체(1918)로 코팅된 다음 미러층(1926)으로 코팅된다. 인클로저(1914)는 또한 케소드(1930), 추출 그리드(1934) 및 디포커싱 그리드(1938)를 포함할 수 있다. 베이스 부분(1904)은 형광체(1918)를 (미러층(1926)을 통해) 그리드들(1934, 1938 및 캐소드(1930) 각각에 접속하는 전기 접속점들(1916(P), 1916(G) 및 1916(C))을 제공한다. 절연체(1902)는 상기 접속점들(1916(P), 1916(G) 및 1916(C))을 서로 전기적으로 절연한다. 도 10의 실시예에 있어서, 추출 그리드(1934) 및 디포커싱 그리드(1938)은 커넥터(1942)에 의해 전기적으로 접속되어 있다. 접속점(1916(P))은 전자 상호작용을 방지하도록 절연될 수 있는 커넥터(1912)를 통해 형광체(1918)(및 미러층(1926))에 접속된다.
일례의 동작에 있어서, 접속점(1916(G))은 그라운드(제로 볼트)에, 접속점(1916(C))은 음 공급전압(예를 들어, -250V)에 접속되고, 접속점(1916(P))은 양 공급전압(예를 들어, +10,000V)에 접속되어 있다. 캐소드(1930)와 추출 그리드(1934) 사이에서 생성된 전계에 의해 캐소드(1930)로부터 전자들이 추출 그리드(1934)를 통해 형광체(1918)를 향해 가속될 수 있다. 디포커싱 그리드(1938)는 사실상 이들 전자들을 더 가속하지 않으며, 전술한 바와 같이 전자들을 확산되게 한다. 베이스(1904) 내의 전기 접속점들의 위치는 그 영역을 일탈하지 않고 변경될 수 있다. 캐소드(1930)와 추출 그리드(1934) 사이의 전압 차는 발광장치(1900)로부터의 발광 강도를 변경하기 위해 변화될 수 있다(예를 들어, 접속점(1916(C)) 및/또는 접속점(1916(G))에 인가된 전압을 변화시킴으로써).
도 11은 3개의 접속점들(2016(P), 2016(G), 2016(C)), 추출 그리드(2034), 디포커싱 그리드(2038), 캐소드(2030) 및 튜브레이터(tubulator;2002)로 구성된 일례의 발광장치(2000)를 도시한다. 예를 들어 발광장치(2000)는 도 2의 발광장치(6)를 나타낸다. 발광장치(2000)는 표면부(2022)를 구비한 인클로저(2014)를 갖는다. 표면부(2022)의 내면은 형광체(2018)로 코팅된 다음 미러층(2026)으로 코팅된다. 미러층(2026)은 예를 들어 알루미늄이다. 베이스 부(2004)는 (커넥터(2012) 및 미러층(2026)을 통해) 형광체(2018)에, 그리드들(2034)에 그리고 캐소드(2030)에 각각 접속하는 3개의 접속점들(2016(P), 2016(G), 및 2016(C))을 제공한다. 절연 체(2001)는 접속점들(2016(P), 2016(G), 및 2016(C))을 전기적으로 서로 절연시킨다. 도 11의 일 실시예에 있어서, 추출 그리드(2034) 및 디포커싱 그리드(2038)는 커넥터(2042)에 의해 서로 전기적으로 접속되어 있다. 일예의 동작에 있어서, 접속점(2016(G))은 그라운드(제로 볼트)에, 접속점(2016(C))은 음(陰) 공급전압(예를 들어, -250V)에 접속되고, 접속점(2016(P))은 양(陽) 공급전압(예를 들어, +10,000V)에 접속되어 있다. 캐소드(2030)와 추출 그리드(2034) 사이에서 생성된 전계에 의해 캐소드(2030)로부터 전자들이 추출 그리드(2034)를 통해 형광체(2018)를 향해 가속될 수 있다. 디포커싱 그리드(2038)는 사실상 이들 전자들을 더 가속하지 않으며, 전술한 바와 같이 전자들을 확산되게 한다. 튜브레이터(2002)는 2차 전자 방출을 제공하는 광 코팅을 포함하는 글래스 또는 다른 물질로 만들어진다. 튜브레이터(2002)는 발광장치(2000)내의 전자 멀티플라이어로서 동작한다. 튜브레이터(2002)는 원통형(도 11에 도시한 바와 같이), 원추형으로 될 수 있으며 또는 기타 형상으로 형성된다.
일례의 동작에 있어서, 그리드(2034 및 2038)를 통한 캐소드(2030), 튜브레이터(2002) 및 미러층(2026)으로부터의 전자 경로 1차 전자 경로(2004)로 도시된다. 추출 그리드(2034)에 의해 전자들이 캐소드(2030)를 떠나서 형광체(2028)쪽으로 가속되고, 디포커싱 그리드(2038)는 1차 전자 경로로 도시한 바와 같이 전자 편향을 유도한다. 전자들이 내벽을 치는 튜브레이터(2002) 내에서 2차 전자 방출이 2차 전자 경로(2006)로 도시한 바와 같이 발생한다. 따라서 튜브레이터(2002)는 형광체(2018)쪽으로 이동하는 전자들의 수를 증가시키는 동작을 한다.
추가의 튜브레이터들은 추가의 2차 전자 방출을 제공하도록 튜브레이터(2002)에 인접하게 배치될 수 있다. 튜브레이터(2002)는 전기적으로 중성일 수 있으며, 전기 전도 물질로 만들어질 때 음 전하를 가질 수 있다. 튜브레이터(2002)에 음 전압을 인가함으로써 튜브레이터(2002)의 내벽 상에 전자들이 구속되는 것을방지할 수 있다. 베이스(2004) 내의 전지 접속부의 위치는 그 범위를 일탈하지 않고 변경될 수 있다.
캐소드(2030)와 추출 그리드(2034) 사이의 전압 차는 발광장치(2000)로부터의 광 출력 강도를 변경시키도록 변경될 수 있다(예를 들어, 접속점(2016(C), 및/또는 접속점(2016(G))에 인가된 전압을 변화시킴으로써).
도 12는 3개의 접속점들(2116(P), 2116(G), 2116(C)), 추출 그리드(2134), 디포커싱 그리드(2138), 및 볼록 캐소드(2030)로 구성된 일례의 발광장치(2110)를 도시한다. 발광장치(2110)는 예를 들어, 도 2의 발광장치(6)를 나타낼 수 있다. 발광장치(2110)은 표면부(2122)를 포함하는 인클로저(2114)를 구비한다. 표면부(2122)의 내면(2123)은 첫째로 형광체(2118)로 코팅된 다음 미러층(2126)으로 코팅된다. 미러층(2126)은 예를 들어, 알루미늄이다. 베이스 부(2104)는 (커넥터(2112) 및 미러층(2126)을 통해) 형광체(1018)를 추출 그리드(2034)에 그리고 캐소드(2030)에 각각 접속하는 3개의 접속점들(2116(P), 2116(G), 및 2116(C))을 제공한다. 도 12의 실시예에 있어서, 추출 그리드(2134) 및 디포커싱 그리드(2138)은 커넥터(2112)에 의해 전기적으로 접속되어 있다. 일례의 동작에 있어서, 접속 점(2116(G))은 그라운드(제로 볼트)에 접속되고, 접속점(2116(C))은 음 공급전압 (예를 들어 -250V)에 접속되고 그리고 접속점(2116(P))은 양 공급전압(예를 들어 +10,000V)에 접속되어 있다. 캐소드(2130)와 추출 그리드(2134) 사이에서 생성된 전계가 캐소드(2130)로부터의 전자들을 추출 그리드(2134)를 통해 형광체(2118)쪽을 가속시킨다.
도 13은 도 12의 볼록 캐소드(2130) 및 추출 그리드(2134)를 보다 예시적으로 상세하게 도시한다. 캐소드(2130)는 도 13에 도시되는데, 기판(2170)은 볼록 표면으로 형성되고(예를 들어, 반구상 표면) 그 위에 기판(2170)과 같은 표면 기하를 갖는 전자방출물질(2172)이 증착된다. 전자 방출 물질(2172)과 추출 그리드(2134) 사이의 간격이 균일한 경우, 전자 방출 물질(2172)로부터 방출된 전자들이 전자 방출 물질(2172)(전자 경로(2135)로 도시한 바와 같이)의 표면에 수직인 방향에서 방사하여 형광체(2118)(디포커싱 그리드를 갖지 않고)에 균일한 전자 분포를 제공한다. 형광체(2118)로부터의 비균일 광 분포가 바람직한 경우(예를 들어, 표면부(2122)의 중심에서의 하이라이트 빔의 경우에) 추출 그리드(2134와 전자 방출 물질(2172) 사이의 간격이 변화하여 소정의 전자 분포를 제공할 수 있다. 베이스(2014) 내의 전기 접속의 위치는 그 범위를 일탈하지 않고 변경될 수 있다.
도 12 및 13의 실시예에서 캐소드(2130)와 추출 그리드(2134) 사이의 전압 차는 발광장치(2110)로부터의 광 출력 강도를 변경시키도록 변화될 수 있다(예를 들어, 접속점(2116(C) 및/또는 접속점(2116(G))에 인가된 전압을 변경함으로써).
도 12 및 도 13의 실시예는 또한 이전의 실시예에 도시한 다른 특징들을 가질 수 있다. 예를 들어, 발광장치(2110)는 전술한 바와 같이 컬러 광의 출력을 활 성화시키도록 레드, 그린 및 불로 형광체 영역들로 구성될 수 있다.
도 14는 4개의 접속점들(2316(P), 2316(GE), 2316(GD) 및 2316(C)로 구성된 일례의 발광장치를 도시한다. 예를 들어 발광장치(2310)는 도 2의 발광장치(6)를 나타낼 수 있다. 발광장치(2310)는 표면부(2322)를 가진 인클로저(2314)를 포함한다. 표면부(2322)의 내면은 첫째로 형광체(2318)로 코팅된 다음 미러층(2326)으로 코팅된다. 인클로저(2314)는 또한 캐소드(2330), 추출 그리드(2334) 및 디포커싱 그리드(2338)를 포함한다. 베이스 부(2304)는 (미러층(2326)을 통해) 형광체(1018)를 추출 그리드(2334)에, 디포커싱 그리드(2338)에 그리고 캐소드(2330)에 각각 접속하는 4개의 접속점들(2316(P), 2316(GE), 2316(GD) 및 2316(C))을 제공한다. 절연체(2306)는 접속점들(2316(P)) 및 2316(GE)을 전기 접속한다. 절연체(2308)는 접속점들(2316(GE), 2316(GD) 및 2316(C)) 서로 전기적으로 절연시킨다. 접속점(2316(P))은 전자 상호작용을 방지하도록 절연될 수 있는 커넥터(2312)를 통해 형광체(2318)(및 미러층(2326))에 접속되어 있다.
도 14의 실시예에 있어서, 추출 그리드(2334) 및 디포커싱 그리드(2338)의 전위는 발광장치(2310)내의 전자들의 흐름을 개선하고 제어하도록 독립적으로 제어될 수 있어서(발광장치(2310)로부터의 광 출력의 강도를 제어할 수 있다). 베이스(1904) 내의 전기 접속의 위치는 그 범위를 일탈하지 않고 변경될 수 있다.
도 15는 3개의 접속점들(2416(P), 2416(G), 및 2416(C)), 캐소드(2430), 추출 그리드(2434), 디포커싱 그리드(2438), 및 미러층(2426)의 다른 구성으로 구성된 일례의 발광장치(2410)를 도시한다. 발광장치(2410)는 표면부(2422)를 가진 인 클로저(2414)를 포함한다. 표면부(2422)의 내면(2423)은 형광체(2418)로 코팅된다. 인클로저(2414)의 측벽들은 전술한 바와 같이 미러층(2426)으로 코팅된다. 베이스부(2404)는 형광체(2418), 그리드들(2434, 2438) 및 캐소드(2430)에 형광체(2418)를 접속하는 3개의 접속점들(2416(P), 2416(G) 및 2416(C)을 제공한다. 절연체(2402)는 전기적으로 접속점들(2416(P), 2416(G) 및 2416(C))을 서로 전기적으로 절연시킨다. 도 15의 실시예에 있어서, 추출 그리드(2434) 및 디포커싱 그리드(2438)은 전기적으로 도체(2442)에 의해 전기적으로 접속되어 있다. 접속 점(2416(P))은 도체(2412)를 통해 형광체(2418)에 접속하며, 이 도체(2412)는 예를 들어 전자 상호작용 및 미러층(2426)에 대한 접속을 방지하도록 절연된다.
도 15의 실시예에 있어서, 형광체(2418)은 미러층(2426)에 의해 커버되지 않아서 저 에너지를 갖는 전자들이 침투되어, 형광체(2418)를 활성화시켜서 발광장치(2410)의 광 출력을 증가시킨다. 미러층(2426)은 형광체(2418)의 내면(2419)로부터 방출된 광을 표면부(2422) 쪽으로 다시 반사시킨다. 베이스(2404) 내의 전기 접속 부의 위치는 그 범위를 일탈하지 않고 변경될 수 있다. 캐소드(2430)와 추출 그리드(2434) 사이의 전압 차는 발광장치(2410)로부터의 광 출력 강도를 변경시키도록 변화될 수 있다(예를 들어, 접속점(2416(C) 및/또는 접속점(2416(G))에 인가된 전압을 변경함으로써).
도 16은 볼록 캐소드 모듈(2802)를 구비한 일예의 발광장치(2810)를 도시한다. 캐소드 모듈(2802)은 도 17에서 추가적으로 상세히 도시된다. 도 16 및 도 17은 다음 설명과 함께 잘 알 수 있을 것이다. 발광장치(2810)는 예를 들어 도 2의 발광장치(6)를 나타낼 수 있다. 캐소드 모듈(2802)은 기판(2870), 전자 방출 물질(2872), 추출 그리드 및 스페이서(2850)를 포함한다. 스페이서(2850)는 추출 그리드(2834)를 적소에 유지하기 위한 제조 프로세스의 일부로서 구성된다. 발광장치(2810)는 도시된 바와 같이, 형광체(2818) 및 미러층(2826)으로 코팅된 표면부(2822)를 구비한 인클로저(2814)를 포함한다. 발광장치(2810)는 또한 형광체(2818)에 전자 방출 물질(2872), 및 추출 그리드(2834)를 각각 접속하는 베이스 부(2804)를 포함한다. 절연체(2806)는 전기적으로 접속점들(2816(P), 2816(C) 및 2816(G))을 서로 절연시키고, 전자들이 전자 방출 물질(2872)로부터 방출되고, 전자 경로(2852)로 도시한 바와 같이, 전자 방출 물질(2872)의 표면에 사실상 수직인 방향을 따른다.
전술한 바와 같이, 전자 방출 물질(2872)과 추출 그리드(2834) 사이의 전압 차는 발광장치(2810)로부터의 광 출력 강도를 변경시키도록 변화될 수 있다(예를 들어, 접속점(2816(C) 및/또는 접속점(2116(G))에 인가된 전압을 변경함으로써).
도 16 및 도 17은 이전 실시예에 도시한 다른 특징들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 발광장치(2810)는 전술한 바와 같이 컬러 광의 출력을 활성화시키도록 레드, 그린 및 블루 형광체 영역들로 구성될 수 있다.
발광장치들의 사용
발광장치들(6, 10, 500, 1900, 2000, 2110, 2310, 2410, 및 2810)은 이하에 기술하는 것들을 포함하는 각종 어플리케이션들, 시스템들 또는 장치들에 사용될 수 있다. 발광장치(6)는 15 mm 내지 100 mm 범위의 외경(즉 지름 면(22))과 20 mm에서 150 mm의 길이(즉, 이 길이는 와이어 도체(16)를 포함해서 표면(22)으로부터 장치(10)의 단말까지 측정되고, 그러나 와이어 도체(16)는 이 길이를 넘어 연장할 수 있다). 이 실시예에 있어서, 발광장치(10)의 크기는 직경에서 29 mm이고 길이가 65mm이다.
대 신호계 또는 메시징 디스플레이들
도 18은 복수의 발광 픽셀(1602)을 포함하는 발광장치의 일례의 부분(1600)을 나타낸다. 부분(1600)은 예를 들어, 도 2의 부분을 나타낼 수 있다. 부분(1600)은 예를 들어, 빌보드, 정기 항공, 또는 열차 도착/출발 스케쥴, 대규모 비디오 디스플레이 등에 사용될 수 있다. 각각의 픽셀(1602)은 전 컬러 스펙트럼의 단일 컬러 또는 디스플레이일 수 있다. 예를 들어 부분(1600)은 빌보드, 비디오 클립들, 애니메이션, 정보 신호계, 메시지들 스포팅 또는 오락 디스플레이들 등을 디스플레이하는 빌보드내에 사용될 수 있다.
부분(1600)의 각 픽셀(1602)은 하나 이상의 발광장치들(예를 들어, 도 2의 발광장치(6))로 형성될 수 있다. LED들로 조명된 종래 기술의 빌보드는 대략 5000 내지 7000 nits(cd/m2)의 범위의 휘도 레벨을 가지며, LED의 중심으로부터 대략 60 내지 70의 시야각을 갖는다. 그러나, 전술한 바와 같이, 발광장치(6)의 특징에 따르면, 발광장치들(6)로 구성된 부분(1600)은 넓은 시야각의 밝은 표시를 제공할 수 있다. 더욱이 부분(1600)이 밝은 경우에도, 부분은 예를 들어 백열광 또는 LED 광원을 이용하여 조명된 디스플레이들보다 직접 보기에 더 안전할 수 있다.
발광장치들(6)의 깜박임 율은 다른 광원들(예를 들어, 백열광, LED 및 형광등) 보다 크고, 그리고 완전 가시광 스펙트럼범위 예를 들어 36+ 쿼드릴리온 컬러 또는 전 범위의 디지털 컬러들이 비용면에서 유리하게 얻어질 수 있으므로, 발광장치들(6)로 형성된 발광 디스플레이는 고 해상도 컬러 및/또는 그레이 스케일 이미지들을 생성할 수 있다. 따라서 이러한 발광 디스플레이는 비용면에서 효과적인 것 보다 고 품질의 생생한 그리고/또는 움직임 픽쳐 표시를 제공할 수 있다.
발광 디스플레이들내에 사용된 발광장치들((6, 10, 500, 1900, 2000, 2110, 2310, 2410, 및 2810)(및 다른 유사한 대규모 실외 또는 실내 조명)은 형광체(18)(또는 미러(26))에 연속 + 1OkV(DC 또는 AC), 캐소드(30) 상에 -200V 또는 그라운드된 캐소드(30)를 갖는 전원을 이용할 수 있다. 캐소드(30)와 추출 그리드(34) 사이의 간격은 대략 30 미크론이다. 디포커싱 그리드(38)는 이 디포커싱 그리드가 전술하고 도 4에 도시한 바와 같이 2차 전자 방출을 향상시키도록 전자 방출 도금 물질로 도금된 것을 제외하고는 추출 그리드(34)와 유사하다. 추출 그리드(34)와 디포커싱 그리드(38) 사이의 간격은 대략 20 mm이다. 추출 그리드(34)와 형광체 층(18) 사이의 간격은 대략 10 mm일 수 있다. 각각의 이러한 발광장치(10)에 대한 전력 소모는 대략 100% 사용시 0.5W이다.
더욱이 발광장치들(6)로 형성된 발광 디스플레이(예를 들어, 빌보드) 및 소정의 디스플레이 레벨의 경우에, 디스플레이에 의한 전력의 소모는 LED 광으로 형 성된 비교가능한 디스플레이 보다 적다. 이는 대규모 발광 디스플레이들의 경우에 잇점을 갖는데 이는 유니트당(예를 들어 발광장치) 효율에서의 작은 증가도 포함된 큰 수의 발광장치들 또는 소스들로 인해 전력 소모에서의 큰 절감으로 변환될 수 있기 때문이다.
도 19 및 도 20은 발광 디스플레이에 사용을 위한 두 가지 일예의 픽셀 실시예들(예를 들어, 도 2의 디스플레이 9 및 도 18의 부분(1600))을 도시한다. 특히, 도 19는 하나의 발광장치를 갖는 픽셀(1700)의 페이스 온 뷰를 나타내고, 도 20은 3개의 발광장치들(R,G,B)를 갖는 픽셀(1800)의 페이스 온 뷰를 나타낸다. 도 19 및 도 20에 도시한 바와 같이, 발광장치들은 도 1의 LED 픽셀 클러스터에 비해 추가의 조명 영역을 제공한다. 더욱이 발광장치들은 용이하게(그리고 비용 절감적으로) 여러 가지 형상들로 제조되므로, 복수의 발광장치들을 사용하는 RGB 컬러 픽셀이 제공될 수 있다. 특히, 도 20은 3개의 발광장치들(6)을 갖는 단일 픽셀(1800)을 도시하는데, 여기서 각각의 발광장치(6)는 다른 컬러 형광체를 가지므로, 따라서 즉, R(레드), G(그린), 및 B(블루)로 라벨링된다. 단일 멀티 컬러 발광장치(6)(도 5-9에 도시한 바와 같이)는 예를 들어 각종 컬러들의 256 휘도 레벨을 생성하는데 사용될 수 있다. 도 19 및 도 20의 픽셀 각각에 있어서, 발광장치들(6)은 도 1의 대응 종래 기술의 LED 픽셀에 비해 각 픽셀 내에 큰 조명 영역을 제공할 수 있다.
통상적으로 1.5 인치 직경의 종래 기술의 LED 픽셀은 그 내부에 6 내지 9개의 LED들을 가지므로 이들 LED들에 전력을 제공하는데 12 내지 18 도체 연결 장치를 필요로 한다. 그러나 단일 발광장치(6)를 사용하는 비교 가능한 1.5 인치 직경 픽셀의 경우에, 그 픽셀에 대한 도체 연결 장치의 수는 하나의 컬러에 대해 3개 이다(예를 들어, 동작시 게터(44)에 연결 장치가 사용되지 않으므로 각기 3개의 접속 핀들(16)을 갖는 도 3 및 도 5의 실시예들 참조). 추가적으로 1.5 인치 발광장치(6)가 멀티 컬러 발광장치(도 5-9에 도시한 바와 같이)인 경우, 5개만의 도체 연결 장치가 상기 픽셀에 필요할 수 있다. 따라서, 단일 발광장치(6)가 픽셀로서 사용되는 경우, 도 18의 부분(1600)의 전기 지원 회로에 전기 커넥터들의 총수는 감소될 수 있다. 픽셀 크기가 커지므로(그리고 종래 기술의 장치에서는 대응적으로 픽셀 당 많은 LED들이 있으므로), 예를 들어, 대응적으로 큰 발광장치들(6)이 사용되어 다시 픽셀당 하나의 발광장치(6)(또는 3개 등의 소수)가 있는 경우 커넥터의 비교적인 감소가 나타날 수도 있다. 따라서 빌보드 등의 대규모의 발광 응용의 경우에, 다수의 광원들이 사용되는 경우(예를 들어, 40,000 내지 70,000), 장치들(6)의 전기 지원 회로는 덜 복잡해지고, 따라서 보다 신뢰할 수 있다. 그리고 단일 멀티 컬러 발광장치(6)가 각 컬러에 대해 농도 조정을 가질 수 있으므로, 여기서 컬러 스펙트럼이 풍부하고 예를 들어, 컬러당(예를 들어, 도 5를 참조하여 전술한 바와 같이, 레드, 그린, 블루) 256 레벨의 농도를 가정할 경우, 단일 발광장치(6)로부터 발광되는 다른 컬러들의 수는 대략 16,777,216(즉, 256×256×256)이다. 더욱이 전술한 바와 같이, 레드, 그린 및 블루의 컬러들의 농도들이 각기 예를 들어 15 또는 23 비트로 기술되는 경우, 큰 수의 컬러들도 발광장치(6)로 표시할 수 있다.
발광장치(6)는 작은 열(예를 들어, 동일 루미노시티에 대해 LED들로 생성된 열과 비슷한 량)을 생성하므로, 발광장치들(6)을 사용하는 빌보드 또는 다른 실외 발광장치는 고열 고장이 덜 나타날 수 있다.
더욱이, 발광장치들(6)의 배열들로 제공된 신호계 또는 광고는 백색을 포함하는 소정의 컬러에서 비용 절감적으로 제조될 수 있으며, 소모된 전력은 대응적으로 백열광 보다 작다(즉, 대략 대응 백열광의 90%).
신호 광들
컬러형 렌즈들로서 LED 또는 백열 발광장치를 이용하는 각종의 신호 등은 발광장치(들)(6)로 대체될 수 있다. 예를 들어 LED들에 비해 발광장치들(6)의 장점은 전술한 바와 같다. 그러나, 신호등 휘도의 경우에, 시야각 및 비용면에서 유리한 점이 특히 효과적이다. 발광장치들(6)은 열을 덜 생성하고 전력을 덜 사용하므로, 이들은 신호등에 대한 냉기, 열기 습도 등의 환경 변화의 내성이 양호하다. 특히 발광장치들(6)은 기후 제어를 하지 않고 섭씨 -30 내지 + 50도의 온도에서 그리고 기후 제어를 한 상태에서 섭씨 - 50 내지 + 100 도에서 동작할 수 있다. 이들 온도 범위는 발광장치들(6)의 배열을 사용하는 디스플레이(예를 들어, 빌보드)에 적용할 수 있다.
광 에미터들
발광장치들(6)은 예를 들어, 고 휘도로 외부 영역 환경을 조사하도록 광 에미터들로서 사용될 수 있다. 더욱이 발광장치들(6)은 각종 소정의 형상으로 생성될 수 있으므로, 발광장치들은 라이팅 응용에 맞게 형상화된다. 예를 들어, 다음의 광 에미터들은 발광장치(6)의 사용으로부터 이익을 얻을 수 있다. 즉, 형광 라이팅 응용에 사용되는 것과 같은 냉 발광 벌브, 정밀 디밍(dimming) 성능을 요하는 라이팅 응용(예를 들어, 사진 스튜디오, 극장 등), 고속 깜박임 율을 요하는 라이팅 응용(예들 들어, 보안 광, 극장/오락 플래시 라이트(strobe light), 전자 장치 등의 라이트 쇼잉 활성화/비활성화 사이클) 및 저 전기 전력 소모(예를 들어 5 와트 이하)를 요하는 라이팅 응용이다.
추가적으로, 발광장치들(6)은 수은이 없다. 수은은 상업적 사용에 바람직하지 않은 물질이고, 많은(대부분이 아니라면) 소비자 라이팅 제품의 경우에 앞으로 제거될 것이다. 이는 현재의 형광 등을 발광장치들(6)로 대체를 촉진할 것이다. 따라서, 발광장치들(6)은 조정을 위한 장비 및 절차들에서의 감소 및 처리 수은 및 결과의 수은 오염 부산물들로 인해 예를 들어 형광등이 비해 감소된 비용으로 제조될 수 있다. 추가적으로, 공공의 또는 환경적으로 민감한 장소들(예를 들어, 클린 룸들, 수실실 등의 의료 관련 룸들, 군사 전투 사령부, 잠수함, 항공기, 우주선 등의 폐쇄 공간)에서 내부에 수은을 갖지 않는 광원들 대신에 발광장치들(6)의 사용은 적합한 처리 또는 우연한 파손으로 인한 수은 중독의 위험을 감소시킬 수 있을 것이다.
도 21은 발광장치(예를 들어, 발광장치(6,10,500,1900,2000,2110,2319, 2410, 및 2810)을 구성하기 위한 일례의 프로세스(3100)를 도시하는 흐름도이다.
단계 3102에서 게터들을 포함한 글래스 단말 조립체가 형성된다. 단계 3102의 일례에 있어서, 커넥터들(1916)로 형성되는 경우, 도 10의 베이스 부(1904)이 다. 또한 도 3의 게터(44)가 형성된 글래스 단말 조립체내에 형성된다.
단계 3104에서 형성된 단말 조립체가 오븐에서 경화된다.
단계 3106에서 캐소드 지지 와이어들, 추출 그리드 및 디포커싱 그리드가 형성된다. 단계 3106의 일례에서 추출 그리드(1934), 디포커싱 그리드(1938) 및 캐소드(1930)용 지지 와이어들이 형성된다.
단계 3108에서 그리드 및 캐소드 어셈블리가 형성된다. 3108의 일례에 있어서, 도 3의 조립체(46)가 단계 3106의 결과를 이용하여 형성된다.
단계 3110에서 형광체가 글래스 상에 증착된다. 단계 3110의 일례에 있어서, 형광체(18(도 3))가 뷰 포션(44)에 대응하는 인클로저(14)의 내면(23) 상에 증착된다. 하나의 형광체 이상이 사용되는 경우(예를 들어, 도 5의 발광장치(500)), 각 형광체는 순서적으로 증착된다.
단계 3112에서 형광체가 오븐 내의 글래스 상에서 증착된다.
단계 3114에서 알루미늄이 단계 3110에서 증착된 형광체상에 증착된다. 단계 3114의 일례에 있어서, 알루미늄이 미러층(26)을 형성하도록 형광체(18(도 3))상에 증착된다.
단계 3116에서 글래스, 증착 및 경화된 형광체 및 증착된 알루미늄이 오븐애에서 경화된다.
단계 3102, 3104, 단계 3106, 3108 및 단계 3110, 3112, 3114, 3116은 병렬로 형성된다. 단계 3102, 3104, 단계 3106, 3108 및 단계 3110, 3112, 3114, 3116의 결과는 단계 3118 및 3120에서 합성된다.
단계 3118에서, 단계 3102, 3104, 단계 3106, 3108 및 단계 3110, 3112, 3114, 3116으로부터 파생하는 각 조립체가 조사 및 정화된다.
단계 3120에서 발광장치는 단계 3102, 3104, 단계 3106, 3108 및 단계 3110, 3112, 3114, 3116의 조립체들로부터 조립된다.
단계 3120의 일례에 있어서, 발광장치(1900)는 인클로저(1914)(형광체(1918), 미러층(1926), 캐소드(1930), 그리드(1934 및 1938) 그리고 접속 와이어(1912 및 1942)를 포함) 및 베이스 부(1904)(접속점(1916)을 가짐)로 조립된다.
단계 3122에서 3120에서 조립된 발광장치는 진공 오븐내에서 경화 및 밀봉된다.
단계 3124에서 발광장치는 정화 및 조사된다.
단계 3126에서, 발광장치내의 게터들이 구워진다. 단계 3126의 일례에 있어서, 발광장치내의 게터(44)가 인클로저(14)내의 진공을 증가시키도록 구워진다.
단계 3128에서 발광장치는 최종 테스트 및 조사를 포함한다. 이들 시험들 및 조사들이 통과되면, 발광장치가 사용을 위해 준비된다.
도 22는 발광장치(6)에 전력을 공급하는 일례의 장치제어기(3202)를 도시한다. 장치제어기(3202)는 예를 들어 도 2의 장치제어기(15)를 나타낼 수 있다. 외부 전원(13)(예를 들어, 배터리 또는 세대 전기 콘센트)은 장치제어기(3202)에 전력을 공급한다. 제어기(3202)는 발광장치의 캐소드와 추출 그리드 사이의 전압 전위차를 조정하도록 디머(3210)에 의해 제어되는 가변 전압 발생기(3206)를 갖는다. 전압 발생기(3208)는 전원(3204)으로부터 전력을 수신하고, 발광장치(6)의 미러층(예를 들어 도 10의 미러층(1926)) 그리고/또는 형광체(예를 들어 형광체(1918))용 전압을 생성하고, 디머(3210)는 예를 들어 디지털 제어기 장치이다. 일 실시예에 있어서, 장치제어기(3202)는 베이스 영역(예를 들어, 베이스 영역(1904)) 내에 통합될 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 다수의 발광장치들은 전원들 및 디밍 기능들이 공유되도록 하나의 고정부내에 통합될 수 있어서, 각각의 개별 발광장치들에 비해 상기 고정부 때문에 비용 절감을 제공한다.
테스트 구성
여기에 기술된 발광장치들의 구성을 용이하게 하기 위해, 냉음극들 및 그리드들은 도 23 및 도 24에 도시된 바와 같이, 하나의 조립체(46)로서 형성될 수 있고, 조립체(46)는 발광장치(10)를 시험하는데 사용되었다. 도 23 및 도 24는 다음 설명과 더불어 잘 이해될 것이다. 조립체(46)는 발광장치의 인클로저 내에 포함되기 이전에 내장된다. 어셈블리(46)는 캐소드(30) 및 그리드 부조립체(56)(그 양쪽면 상의 그리드(34, 38)를 가짐)에 세라믹 베이스(50)를 부착하는 스테인레스 스틸 패스너들(예를 들어, 스크류(도시 않음))을 수용하기 위한 홀들을 가진 세라믹 베이스(50)를 구비한다. 캐소드(30)는 홀(68A 및 68B)을 통해 연장하는 패스너들을 이용하여 세라믹 베이스(50)의 표면(58)에 직접적으로 고정된다. 두 개의 추가의 패스너들은 홀들(54A 및 54B) 및 세라믹 스페이서(66A 및 66B)를 이용하여 세라믹 베이스(50)에 그리드 부조립체(56)를 고정한다. 도 23 및 도 24의 실시예에 있어서, 캐소드(30)는 예를 들어, 세라믹 또는 니켈(또는 그들의 합금) 및 기판(70)의 센터에 증착된 전자 방출 물질(72)로 만들어진 리지드 장방형 기판(70)(그 내부에 홀들(68A 및 68B)를 포함)을 포함한다. 세라믹 스페이서(66A 및 66A)는 캐소드(30)와 그리드 어셈블리(56) 사이의 정확한 스페이싱(특히, 전자 발출 물질(72)과 추출 그리드(34) 사이)을 제공함을 지적한다. 그러나, 다른 실시예에 있어서, 세라믹 베이스(50), 캐소드(30), 스페이서(66) 및 그리드 어셈블리(56)는 함께 접착되는데, 접착제는 패스너(fastner) 대용으로서 작용한다.
전자 방출 물질(72)은 예를 들어, 2001년 3월 7일자로 제출된 미국특허 제 6,593,683호('683 특허)에 개시된 방법들 중 하나에 따라 기판에 증착될 수 있는데, 상기 특허를 여기에서 참조하기로 한다. '683 특허는 기판상에 탄소 막(예를 들어 전자 방출 물질(72))증착하는 단계를 포함하는데, 탄소막은 기판 표면에 상대적으로 직각으로 방위된 불규칙하게 위치한 탄소 마이크로- 및 나노-릿지 및/또는 마이크로- 및 나노 스레드(팁들)의 구조를 가진다. 스레드는 0.01 내지 1 미크론의 통상의 크기(즉, 기판(70)으로부터 멀어지는 방향에서의 거리)와 0.1 내지 10㎛-2의 분포 밀도를 가질 수 있다. 683 특허는 전자 방출 물질(72)이 두 가지 방법으로 제조되는 것을 개시한다. 제 1 방법에 있어서, 전자 방출 물질은 애노드 상에 위치한 기판(70)에 탄소 막의 증착을 통해 수소 및 탄소 포함 가스의 혼합물에서 DC 글로우 방전에서 생성된다. DC 글로우 방전은 0.15 내지 0.5 A/cm2의 전류밀도에서 연소되고, 증착은 50 내지 300 Torr의 총 압력과 600 내지 900C의 기판 온도에서 수소와 에틸 알콜 증기 또는 메탄의 혼합물로부터 수행되고, 증착중의 에틸 알콜의 농 도는 10% 내지 15%이고, 메탄의 농도는 15 내지 30%이다. '683 특허에 개시된 제 2 방법에 있어서, 전자 방출 물질(72)은 20 내지 100 Torr의 압력에서 0.8 내지 1.2의 비율로 이산화 탄소 및 메탄의 혼합물에서 5 내지 50 W/cm3의 입력 전력으로 마이프로파 방전에서 생성된다. 기판 상의 탄소의 증착은 500 내지 700 C의 기판 온도에서 수행된다.
캐소드 생성을 위한 기술은 다음 특허들 및 특허 출원들에 개시되어 있으며, 여기에서 그 각각 전체를 참고하기로 한다.
■ U.S. 5,646,474 entitled "Boron Nitride Cold Cathode", filed March 27, 1995; and
■ U.S. 6,388,366 entitled "Carbon Nitride Cold Cathode", filed May 8, 1995.
■ WO9944215A1 entitled "FIELD EMITTER AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME", filed Feb. 27, 1998;
■ WO0040508A1 entitled "NANOSTRUCTURED FILM-TYPE CARBON MATERIAL AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME", filed Dec. 30, 1998; and
■ WO03088308A1 entitled "CATHODOLUMINESCENT LIGHT SOURCE", filed April 17, 2002.
탄소 나노 튜브들이 전자 방출 물질(72)로서 작용하지만, 그 구조는 약하여 강한 전계하에서 파괴될 수 있어서, 내부에서 전기 쇼팅을 일으켜서 발광장치의 고 장을 일으킨다. 그럼에도 탄소 나노 튜브들은 도전 폴리머 물질내에서 캡슐화되어 강한 전계하에서 나노 튜브의 고장을 감소시킨다.
그러나 전자 방출 물질(72)은 CVD에 의해 기판(70) 상에 증착된 카본 크리스탈(예를 들어, 다이아몬드)로 형성될 수 있다. CVD 프로세스의 제한적 제어가 기판(70) 상의 나노 튜브 및/또는 헤어 류(類) 형성부의 형성을 방지하는데 사용될 수 있는데, 이는 이들 나노 튜브 및/또는 헤어 류 형성부에 의해 전자 방출 물질(72)과 추출 그리드 사이의 쇼팅을 일으키기 때문이다.
전자 방출 물질(72)은 그것이 발광장치(10)의 실시예 또는 응용에 따라 0.3 mm2 내지 144 mm2 의 범위를 가져도 대략 4 mm2의 표면적을 가질 수 있다.
조립체(46)는 넓은 범위의 발광장치(10) 형상들내에서 비용면에서 유리하게 제공될 수 있는데, 예를 들어, 발광장치의 페이스 온(face-on) 형상은 정방형, 장방형, 원형, 삼각형, 타원형, 환형, 또는 타원일 수 있다. 더욱이 이러한 다르게 형성된 발광장치들(10)에 대한 제조 비용에서의 차이는 작다. 즉, 일반적으로, LED들의 경우에 사실은 아니나, 원형과 다른 페이스 온 형상을 갖는 대형 LED(예를 들어, 0.5 인치 페이스 온 익스텐트(face-on extent)) 및 고른 분포의 광은 원형 페이스 온 LED에 비해 50%나 그 이상의 제조 비용의 상승을 가질 수 있다.
조립체(46)의 그리드 부조립체는 세라믹 장방형 플레이트(76)(그를 통과하는 홀(54A 및 54B)를 구비함)를 가지며, 추출 그리드(34)는 캐소드(30)에 나란하며, 그에 가장 가까운 (플레이트(76)의 측면(80)에 부착되고, 디포커싱 그리드는 플레 이트(76)의 측면(100)에 부착된다. 플레이트(76)의 두께 "t"는 대략 20 mm이다. 그러나 다른 실시예에 있어서, 단일 플레이트(76) 대신, 상기 플레이트(76)가 제공하는 바와 같은 그리드(34와 38) 사이의 간격을 생성하도록 사이에 대략 20mm의 스페이서들을 갖는 비교적 얇은(예를 들어, 0.5 내지 0.75 mm 두께) 병렬 플레이트가 있을 수 있다. 특히, 추출 그리드(34)는 이들 얇은 플레이트들 중 하나에 부착되고, 디포커싱 그리드는 이들 얇은 플레이트들중 다른 하나에 부착된다. 플레이트(76) 대신 두 개의 얇은 플레이트를 사용함으로써, 그리드 조립체(56)의 질량이 감소되고, 그러한 감소가 변화 및/또는 자링(jarring)이 있을 수 있는 환경에서 발광장치(10)의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
그러나, 추출 그리드(34) 및 디포커싱 그리드(38)가 이격되는 방법과 무관하게, 추출 그리드와 디포커싱 그리드 사이의 분리 간격은 10 내지 30 mm의 범위에 있을 수 있다.
그리드 조립체(56)은 플레이트(76)의 두께 "t"를 통해 연장하는 중앙의 전자 방출 채널(84)용 개구(83)를 형성한다. 이 개구(83)는 전자 방출 물질(72)의 중심과 정렬하는 중심 축(88)을 갖는다. 추출 그리드(34)는 몰리브덴 워셔(92)를 구비하며, 이 워셔는 그 워셔의 개구(83)에 걸쳐 제공되고 그에 용접된(융합된(fused)) 개구(83)에 걸쳐 제공된 몰리브덴 와이어 메시(96)를 포함한다. 와이어 메시(96)의 피치(즉, 와이어들 사이의 간격)은 대략 32 마이크로미터이다. 워셔(92)의 두께(캐소드 쪽 방향에서)는 대략 325 마이크로미터이다. 워셔(92)의 외경은 대략 6.5 mm이고, 내경은 대략 3.4 mm이다. 전술한 두 개의 라운드 세라믹 스페이서들(66A과 66B)은 정확하게 예를 들어 대략 30 미크론의 간격으로(이 간격은 전자 방출 물질(72)과 추출 그리드(34) 사이의 전압 차에 따라 대략 20 미크론 내지 60 미크론의 범위에 있을 수 있지만) 냉음극(30)으로부터 추출 그리드(34)를 이격시킴을 지적한다. 도 23의 실시예에 있어서 와이어 메시(96)은 와이어들의 병렬 배치이다. 그러나, 서로 90도의 두 개의 병령 배치의 다른 배치가 제공될 수 있다. 볼프람(즉, 텅스텐 또는 텅스텐 혼합물), 티타늄, 스테인레스 스틸 등의 몰리브덴 이외의 물질들이 추출 그리드 용으로 사용될 수 있다.
전술한 바와 같이, 디포커싱 그리드(38)는 플레이트(76)의 측면(100)에 부착될 수 있다. 디포커싱 그리드(38)는 워셔(92)와 유사한 워셔(104)를 포함한다. 디포커싱 그리드(38)는 또한 워셔(104)의 내경 개구에 걸쳐 제공된 와이어 메시(108)를 포함하고, 이 개구는 전자 방출 채널과 일치한다. 와이어 메시(108)의 경우에, 와이어 직경은 대략 20 마이크로미터이고, 피치는 대략 130 마이크로미터이다. 와이어 메시(108)는 볼프람으로 만들어지지만, 다른 물질 즉, 몰리브덴, 티타늄, 스테인레스 스틸 등의 다른 물질이 사용될 수 있다. 그리드(34 및 38)중 하나 또는 그 모두는 플레이트(76)에 용접, 납땜 또는 이와 달리 융합된다.
일례의 구성에 있어서, 디포커싱 그리드(38)는 미러층(26)으로부터 약 10 밀리미터 이격된다. 도 24에 도시한 바와 같이, 중앙 방출 채널(84)(플레이트(76)를 통해)은,
(ⅰ)제한된 직경의 개구를 가지는데, 이 개구는 추출 그리드(34)가 이 개구에 걸려 고정되도록 전자 방출 물질(72)에 가장 근접한다.
(ⅱ) 디포커싱 그리드(38)에 걸쳐 이 디포커싱 그리드를 위치 결정하기 위한 채널(84)의 대향 단부의 보다 넓은 개구를 가진다.
추출 그리드(34)는 전자 방출 물질(72)에 극히 가까이 위치하므로, 이 물질과 관련한 추출 그리드(34)의 정밀한 위치결정이 전자 방출 물질(72)과 추출 그리드(34) 사이의 쇼트 및 아싱(arcing)을 방지하는데 사용된다. 따라서 채널(84)의 확대 부분에 의해 레이저 용접 장비(또는 다른 용접 장비 예를 들어 초음파 용접)를 이용하여 추출 그리드(34)를 적소에 용접하여 웰드(들) 생성하도록 채널로 들어간다. 이어서 추출 그리드가 일단 적소에 고정되면, 디포커싱 그리드(38)가 또한 예를 들어 레이저 용접에 의해 적소에 고정될 수 있다. 레이저 용접은 추출 그리드(34)를 고정하기 위한 다른 기술에 비해 장점을 갖는데 이는 레이저 용접이 채널(84)용의 제한된 개구(83)내에 추출 그리드를 정밀하게 정렬하는 장비로 사용될 수 있다. 추가적으로 레이저 용접에 의해 다른 용접 기술에 비해 최종 웰드(들)의 질량 및 기하의 정밀 제어를 할 수 있다. 특히 소량의 용접 물질이 추출 그리드(34)를 적소에 고정하기 위해 보다 정확하게 증착될 수 있다. 이에 의해 발광장치(10)의 기체 배출 및 오염의 량을 줄일 수 있어서, 수명 및 신뢰성을 늘릴 수 있다. 웰드들(114)은 전자 방출 물질(72)로부터 이격되므로, 이 웰드들(114)을 캐소드(30)에 쇼팅하거나 아싱하는 위험을 줄일 수 있다.
다른 그리드 및/또는 캐소드 고정 기술이 소정의 동작 위치에서 캐소드(30), 및 그리드(34, 38)의 하나 이상을 고정하는데 사용될 수 있다. 예를 들어, 하나 이상의 그리드들 및/또는 캐소드는 (a) 위치에 가압 고정되고, (b) 돌출부(들) 또는 디텐드(들)을 갖는 노치 또는 그로브를 함께 매칭함으로써 고정되고, (c) 위치에 클림핑함으로써 고정되고, (d)는 몰딩된 물질(예를 들어, 글래스)에 그 부분들을 캡슐화함으로써 고정되고, 및/또는 (e) 고정(예를 들어, 리벳팅 또는 스크류링)함으로써 고정될 수 있다.
전류 대 전계 상관을 도 25의 그래프(400)에 도시한 "U-I 곡선"으로 나타낸다. 이 곡선은 시험으로부터 획득되는데, 냉음극(30) 및 추출 그리드(34)는 30 미크론의 정도로 분리되어 있다. 이 시험에서 사용되고, 발광장치(10)의 적어도 일부 실시예에서 사용된 냉음극(30)은 미국특허 제6,593,683호에 따른 증착 방법을 이용하여 생성될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 냉음극(30)은 10mA/cm2의 전류밀도에서 전자들을 방출한다. 따라서 그래프(400)에 도시한 바와 같이, 냉음극(30)과 추출 그리드(34) 사이의 적어도 3.5V/미크론의 전계(E)가 생성될 수 있다. 따라서 전계(E)는 E= V/d로 표현될 수 있으므로, V는 캐소드(30)에서의 전압을 나태내고, d는 캐소드(30)로부터 추출 그리드(34)까지의 거리이고(대략 -200V의 캐소드 전압을 가정할 때), 최대 거리 d = ｜V/E｜= 200/3.5 = 57미크론이다. 따라서 적어도 일 실시예에 있어서, 추출 그리드(34)는 대략 냉음극(30)으로부터 30미크론이다. 추가적으로 도 25에 도시한 바와 같이, 전류밀도와 전계 사이의 관계는 선형일 필요는 없으며, 전류와 펄스 폭 변조는 강도 전계를 변경하는 것보다 발광장치(10)에 대한 양호한 루미넌스 또는 휘도 관련 기술이고, 특히 펄스 폭 변조가 전계 강도를 조정하는 것보다 루미 넌스 조정의 신속하고 보다 정확한 방법임을 제안한다. 더욱이 펄스 폭 변조를 위한 구성부품들은 일반적으로 전계 강도를 조정하기 위한 부품들보다 저가이다. 추가적으로, 펄스 폭 변조는 예를 들어 8 비트 컴퓨터를 사용하여 적절하게 구현될 수 있다. 그러나, 휘도 조정은 냉음극(30)과 추출 그리드(34)(예를 들어, 캐소드 전압 및 추출 그리드 전압중 하나 이상을 변경함으로써) 사이의 전압차에 대한 변경을 통해 휘도 조정이 이루어질 수 있다.
256 휘도 레벨을 얻기 위한 100Hz의 수직 리프레시 율(따라서 지속기간은 10 ms)을 갖는 발광장치(10)의 배열의 경우에, 임펄스 지속기간은 10 ms/256 = 40 마이크로초의 증분일 수 있다. 따라서 휘도(B)는 임펄스 지속기간에 비례한다. 즉, B = n×40 마이크로초에 비례하는데, 여기서 n은 1 내지 256의 총수이다. 디지털 휘도 제어를 이용하는 것이 저렴하고, 그러한 제어가 전압 제어 구동기들 보다 더 효과적이므로, 디지털 휘도 제어들이 휘도를 제어하기 위한 발광장치(10)의 많은(대부분이 아니라면) 실시예에 사용에 보다 비용면에서 효과적일 수 있다.
추출 그리드(34)의 그리드 와이어 피치는 냉음극(30)과 추출 그리드(34) 사이의 간격과 같거나 그 이하일 수 있다. 따라서 30 미크론의 피치를 갖는 그리드가 사용된다. 그러나 10 내지 39 미크론의 피치가 사용될 수 있다.
냉음극(30)을 떠난 전자들은 냉음극(30)과 추출 그리드(34) 사이의 전압 차에 관련된 또는 상관된 전자 속도를 갖는다. 추출 그리드 만을 갖는 동작(즉, 디포커싱 그리드(38) 생략)이 냉음극(30)으로부터 방출된 전자들의 빔에 대한 미미한 각도 분산 예를 들어, 3도 이하의 분산을 제공한다. 추출 그리드(34) 및 디포커싱 그리드(38)를 전기적으로 모두 접속함으로써, 동일한 전기 전위가 각각의 그리드에 인가되어서 결과적으로 사실상 일정한 그리고 비교적 느린 전자 속도가 그리드들 사이에 제공된다. 그러나 전자 빔이 디포커싱 그리드(38)로부터 방출할 때, 전자 빔의 분산은 추출 그리드(34)와 디포커싱 그리드(38) 사이의 간격에 따라 예를 들어, 10 내지 49 도로 크다 (냉음극(30)으로부터 측정됨). 이때, 각각의 그리드(즉, 추출 그리드(34) 및 디포커싱 그리드(38)는 66%의 투명도를 갖는 것으로 가정한다.
발광장치(10)의 실시예에 대한 동작의 특정 실시예에 경계를 두지 않고, 발광장치(10)의 휘도는 다음과 같이 이론적으로 계산될 수 있다.
B = 3.2·η·J·U
여기서, B는 휘도(cd/m2)
η는 형광체 효율(Lm/W)
J는 평균 전류밀도(㎂/cm2)이고
U는 전자 에너지(형광체 18볼트)(kV)
따라서, 전술한 평균 전류밀도 및 전자 에너지에 대한 상기 결정된 값들과 더불어 형광체 효율 η= 15 Lm/W을 가정할 때, 발광장치(10)에 대한 평균 휘도는 B = 3.2×15×40×10 = 19,200 nits(즉, cd/m2)이다.
일 실시예에 있어서, 냉음극(30)은 미러층(26)과 면하는 형광체 층(18)의 영역 보다 영역에 있어서 100 배까지 작게 만들어진다. 이러한 실시예는 캐소드(30) 와 형광체 층(18) 사이의 0.2 와 0.4 마이크로암페어/cm2의 범위에서 전류밀도의 최적화에 의해 제공된다. 냉음극(30)과 추출 그리드(34) 사이의 30 마이크로미터의 공차의 경우에, 추출 그리드(34)가 고 전류밀도에서 동작하는 경우, 이 고 전류밀도는 추출 그리드(34)와 캐소드(30)에 역영향을 미침(초과 가열 및 그리드 변형, 전류 변형 등)을 지적한다. 진공실에서의 시험은 냉음극(30)과 추출 그리드(34)(비교적 고 전류밀도 40 mA/cm2에서 동작)사이의 30 마이크로미터의 공차가 그리드(34) 및/또는 캐소드(30)에 역영향을 미침을 결정하도록 수행되었다. 시험 및 그 결과에 대한 설명은 다음과 같다.
위의 시험은 진공실에서 제공된 발광장치(10) 부품, 특히 형광체(18) 및 조립체(46)(도 23, 24)가 진공실에 제공된 상태에서 수행되었다. 형광체 층(18) 상의 전류(밀리 암페어)는 시간에 따라 측정되었고(즉, 60분), 여기서, (a) 추출 그리드 전압은 +270V이고, (b) 냉음극(30) 전류밀도는 0.01 A/cm2이고, 그리고 (c) 형광체(18)는 + 10kV에서 일정(그리고 지속적)이다. 도 26은 60분의 시험에 걸쳐 냉음극(30)과 추출 그리드(34)의 안정성을 나타내는 그래프를 도시한다. 특히 도 26의 그래프는 어셈블리(46)의 안정성을 직접적으로 나타낸다. 즉, 예를 들어 높은 추출 그리드 전압 및/또는 캐소드(30) 에서의 전류밀도로 인해 조립체(46)에서 역영향이 있는 경우, 형광체(18)에서 전류내의 생성된 변동을 예상할 수 있다. 그러나, 변동은 캐소드(30) 표면 가스방출에 의한 것으로 생각되는 형광체(18)에서의 최초 전류 증가만(예를 들어, 처음 대략 5분에서의)이다. 시험에서 사용된 캐소드(30)의 실시 예의 경우에, 전류밀도는 캐소드(30)의 수명 또는 전자 방출 안정성에 실질적으로 영향을 미치지 않고, 100배의 요인에 의해 증가되는 것으로 생각된다. 따라서, 전술한 시험의 것과 실질적으로 유사한 전기 특성을 갖는 발광장치(10)의 실시예를 이용함으로써, 발광장치(10)는 높은 안전 요인을 갖는 한편, 신뢰할 만하게 전체적인 캐소드 안정성과 더불어 실질적으로 캐소드(30)에서의 그리드 열 팽창(새깅(sagging) 및 변형)으로부터 실질적으로 장치의 오기능을 일으키지 않는다. 그러나, 본 시험에서 제공된 전기 특성들을 갖는 발광장치(10)의 실시예의 경우에, 캐소드(30)에서의 전류밀도는 1.0 A/cm2으로 증가한다.
또한, 상기 시험에 있어서, 형광체(18)에서의 전류밀도 및 전력밀도 각기 5 × 10-5 A/cm2 및 0.4 W/cm2 임을 기술하는 것도 가치가 있다. 따라서, 대략 이들 값의 형광체(18) 전류밀도 및 전력밀도의 경우에, 형광체에서의 전류는 역영향을 받지 않으며, 캐소드(30) 또는 추출 그리드(34)에 대한 역영향은 없다.
도 27 - 29는 동작시의 발광장치(10)의 일 실시예의 전기적 특성들과 관련한 그래프를 나타낸다.
о 발광장치(10)는 대략 2 cm2의 형광체(18) 조명 표면을 갖는다.
о 발광장치(10)는 대략 40 마이크로암페어(㎂)의 형광체에서의 전류를 갖는다.
о 형광체에서의 전력은 0.4 W(즉, + 10kV × 40 ㎂ = 0.4 W)이고, 그리고,
о 캐소드(30) 점류 밀도는 전자 방출 물질(72)의 표면이 형광체(18) 표면(2 sq. cm)보다 100 배 작으므로(2 sq. mm) 형광체(18)에서의 전류밀도보다 100배 크다. 따라서, 캐소드(특히, 전자 방출 물질(72)) 전류밀도는 대략 4 milliamps/cm2이다.
특히 도 27은 4개의 전압 차 각각에서의 캐소드(30)에서의 전류의 안정성을 나타내는데, 각 전압 차에 대한 전압 측정치는 캐소드(30)와 추출 그리드(34)(즉, 추출 그리드 전압- 캐소드 전압)사이의 전압에 대응한다. 즉, 캐소드(30)와 추출 그리드(34)(그라운드 됨) 사이의 각각의 전압차, +250, +260, +280 및 +290 볼트에서, 전류는 각기 라인들(222, 224, 226 및 228)로 도시한 바와 같이, 안정을 유지한다(예를 들어, 스파이크(spike)하거나 드롭 아웃하는 전류는 없다). 따라서, 120 ㎂의 높은 캐소드 전류의 경우에도(-290 볼트 또는 + 290의 전압 차의 경우에도), 이 전류는 발광장치(10)의 동작 동안 안정을 유지한다.
도 28 및 29는 도 27의 그래프의 데이터를 얻기 위한 시험 동안 발광장치(10)의 동작 특성에 대한 추가적 그래프이다. 특히 도 28 및 도 29는 +10kV의 전압을 갖는 애노드 (즉 형광체(18))에서의 휘도와 전류 사이의 상관을 나타낸다. 도 29는 형광체(18)에서의 대응 전류 대 nits (Cd/sq·m)로 측정된 발광장치(10)의 휘도 측정치를 도시한다. 특히, 도 29는 형광체(18)에서의 대략 50 ㎂까지의 실질적인 선형성을 나타낸다. 추가적으로, 형광체(18)에서 대략 120 ㎂의 전류를 생성하기 위해 캐소드(30)에 -290V를 제공할 경우(추출 그리드(34)가 그라운드됨 즉, 290볼트의 미분), 약 24,000 nits의 광 출력이 생성됨을 예상할 수 있다.
도 29는 형광체(18)에서의 각종 전류에 대한 발광장치의 관련 휘도를 나타낸다(120 ㎂의 전류가 형광체(18)에 제공되는 경우, 발광장치의 휘도와 비교하여). 수직 축 단위는 120 ㎂가 형광체(18)에 제공되는 경우, 발광장치(10)의 휘도에 비례하는 휘도의 퍼센테이지를 나타낸다. 따라서 도 29의 수직 축 상의 100%는 도 28에 나타낸 바와 같은 24,000 nits를 나타낸다.
형광체(18)의 + 10kV의 전압의 경우에, 도 30은 두 개의 그래프(242 및 244)를 도시하는데, 여기서,
ㆍ그래프(242)는 형광체(18)에서의 관련 휘도 대 캐소드(30)에서 시험된 전압을 나타내고, 특히, 그래프(242)의 경우에, 수직 축 상의 퍼센테이지는 형광체(18)에서(즉, 대략 24,000 nits) 120 ㎂에서 동작하는 발광장치(10)의 휘도의 퍼센테이지를 나타내고, 그리고
ㆍ그래프(244)는 형광체 층(18)에서의 관련 량 대 캐소드(30)에서 시험된 전압을 나타내고, 특히, 그래프(244)의 경우에, 수직 축 상의 퍼센테이지는 형광체(18)에서 전류의 120 ㎂의 퍼센테이지를 나타낸다.
100%의 휘도 레벨은 +200 내지 +280 볼트의 전압 차 사이에 있음을 지적한다.
따라서, 80 볼트의 전압 차 범위(+200 에서 +280까지)는 8 비트 휘도 제어로부터 파생하는 모든 256 휘도 레벨을 제공하는데 효과적으로 여겨진다.
전술한 설명은 예시 및 설명의 목적으로 제공되었다. 또한, 이 설명은 여기에 개시된 형태로 제한되도록 의도되지 않는다. 따라서 본 분야의 기술 및 지식 범 위내에서 상술한 바의 여러 가지의 변형 및 변경이 여기에 개시된 특징의 영역내에서 가능하다. 전술한 실시예는 또한, 당업자들이 여기에 개시된 특징을 이용하고 발광장치를 실시하는데 최적의 모드를 설명하도록 의도되며, 이에 의해 당업자들이 특정 응용 또는 사용에 필요하도록 다른 실시예로 여러 가지로 변형할 수 있다. 부속 청구 범위는 종래 기술에 허용된 정도로 다른 실시예들을 포함하도록 구성되게끔 의도되었다.
본 발명의 영역을 일탈하지 않고 상기 방법들 및 시스템들의 변경을 할 수 있다. 첨부 도면을 따라 도시되고 설명된 것들은 예시를 위함이지 제한의 의미로 해석되지 말아야 할 것이다.
예를 들어, 발광장치는 DC 모드에서 동작할 수 있으며, 펄스 모드에서도 동작할 수 있다. 이 발광장치는 1 밀리초의 최소 펄스 길리와 0.1 %와 100%의 듀티 사이클에서 동작할 수 있다. 예를 들어, 1 밀리초의 펄스 길이와 10 밀로초의 오프 타임은 1 %의 듀티 사이클을 나타낸다. 펄스 모드는 예를 들어, 형광체에서 저 전압 전류밀도를 제공하므로, 발광장치의 수명을 연장시킬 수 있다. 동작에 있어서, 2와 15 볼트/미크론 사이의 전계가 필요하여 0과 1 A/cm2의 전류밀도가 생긴다.
이하의 청구범위는 여기에 개시된 일반적인 그리고 특수한 특징들을 포함하고 언어의 문제로서 있을 수 있는 본 발명의 방법 및 시스템의 영역의 기술을 포함하는 것으로 의도된다.

Claims (67)

  1. 표면부를 구비한 인클로저;
    상기 인클로저 내의 냉음극;
    상기 표면부의 내부면에 배치된 형광체 층;
    상기 냉음극과 상기 형광체 층 사이의 추출 그리드; 및
    상기 추출 그리드와 상기 형광체 층 사이의 디포커싱 그리드를 포함하고,
    상기 냉음극으로부터의 전자들은 상기 냉음극, 추출 그리드, 디포커싱 그리드 및 형광체 층에서 인가된 전압에 의해 상기 냉음극과 상기 형광체 층 사이에서 전계가 생성될 때, 항기 형광체 층에 충격을 가함으로써 상기 디포커싱 그리드에 의해 디포커싱되고, 상기 형광체 층은 그에 입사하는 전자들에 응답하여 상기 표면부를 통해 광을 방출하는 발광장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 디포커싱 그리드는 그에 입사한 전자들에 의해 2차 전자 방출을 생성하는 발광장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 인클로저는 글래스를 포함하는 발광장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 형광체 층에 인가된 전압은 적어도 5킬로 볼트인 발광장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 형광체 층에 인가된 전압은 대략 10킬로 볼트인 발광장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 냉음극에 인가된 전압은 대략 마이너스 2백 볼트인 발광장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 추출 그리드에 인가된 전압은 대략 그라운드 전위인 발광장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 디포커싱 그리드에 인가된 전압은 대략 그라운드 전위인 발광장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 추출 그리드 및 상기 디포커싱 그리드는 전기적으로 서로 접속되는 발광장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 냉음극에 전기 접속 가능성을 제공하도록 상기 인클로저를 통해 연장하는 제 1 전기도체;
    상기 추출 및 디포커싱 그리드에 전기 접속 가능성을 제공하도록 상기 인클로저를 통해 연장하는 제 2 전기도체; 및
    상기 형광체 층에 전기 접속 가능성을 제공하도록 상기 인클로저를 통해 연장하는 제 3 전기도체를 더 포함하는 발광장치.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 냉음극에 전기 접속 가능성을 제공하도록 상기 인클로저를 통해 연장하는 제 1 전기도체;
    상기 추출 그리드에 전기 접속 가능성을 제공하도록 상기 인클로저를 통해 연장하는 제 2 전기도체;
    상기 디포커싱 그리드에 전기 접속 가능성을 제공하도록 상기 인클로저를 통해 연장하는 제 3 전기도체; 및
    상기 형광체 층에 전기 접속 가능성을 제공하도록 상기 인클로저를 통해 연장하는 제 4 전기도체를 더 포함하는 발광장치.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 형광체 층 상에 증착된 미러층을 더 포함하고, 상기 전자들은 상기 미러층을 통과해서 상기 형광체 층에 충격을 가하고, 상기 미러층은 상기 발광장치에 의한 광 출력의 강도를 증가시키도록 상기 형광체 층에 의해 발광된 광을 상기 표면부 쪽으로 반사시키는 발광장치.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 디포커싱 그리드와 상기 형광체 층 사이의 적어도 하나의 튜브레이터(tubulator)를 더 포함하고, 상기 튜브레이터는 상기 형광체 층에 충격을 가하는 전자들의 수를 증가시키는 발광장치.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 냉음극과 상기 추출 그리드 사이의 가변 전위 차는 상기 발광장치의 광 출력의 휘도를 변화시키는 발광장치.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 냉음극, 상기 추출 그리드 및 상기 형광체 층 사이의 가변 전위차는 발광장치의 광 출력을 변화시키는 발광장치.
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 형광체 층에 인가된 펄싱 전압은 상기 발광장치에 의한 광 출력의 휘도를 변화시키는 발광장치.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 펄싱의 온 및 오프의 기간의 비율은 0.1%와 100% 사이의 범위에 있는 발광장치.
  18. 제 1 항에 있어서,
    상기 인가된 전압에 의해 생성된 전계강도는 2와 15 볼트/미크론 사이에 있는 발광장치.
  19. 제 1 항에 있어서,
    상기 형광체 층에서의 전류밀도는 0과 1A/cm2사이에 있는 발광장치.
  20. 제 1 항에 있어서,
    상기 인가 전압을 생성하기 위한 장치제어기를 더 포함하는 발광장치.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 장치제어기는 상기 발광장치로부터 방출된 광의 휘도를 변화시키도록 인가된 전압의 하나 이상의 전압을 변화시키는 발광장치.
  22. 제 1 항에 있어서,
    상기 인클로저 내에 진공을 유지하기 위한 게터(getter) 물질을 더 포함하는 발광장치.
  23. 제 1 항에 있어서,
    상기 인클로저 내에 진공을 설정하기 위한 동적 게터를 더 포함하는 발광장치.
  24. 제 1 항에 있어서,
    상기 인클로저 내에 진공을 유지하기 위한 동적 게터를 더 포함하는 발광장치.
  25. 제 1 항에 있어서,
    상기 형광체 층은 전자에 의한 충격을 받았을 때, 레드, 그린 및 블루 광을 각기 방출하는 전기 절연된 레드, 그린 및 블루 형광체의 분리 영역들을 포함하는 발광장치.
  26. 제 25 항에 있어서,
    상기 3개의 각 영역 사이의 비율은 레드, 그린 및 블루 형광체들 각각 사이의 휘도 차이의 비율에 대응하는 발광장치.
  27. 제 25 항에 있어서,
    상기 레드, 블루 및 그린 형광체들 각각에 인가된 전압은 광의 컬러를 결정하는 발광장치.
  28. 제 25 항에 있어서,
    형광체의 각 영역의 형상은 방출된 광의 컬러를 혼합하도록 선택되는 발광장치.
  29. 제 25 항에 있어서,
    형광체의 각 영역의 휘도는 형광체의 각 영역에 인가된 전기 전위를 변화시킴으로써 변화되는 발광장치.
  30. 제 29 항에 있어서,
    형광체의 각 영역에 인가된 전압이 그라운드 전위로되는 경우, 형광체의 각 영역에 의해 광이 출력되지 않는 발광장치.
  31. 제 25 항에 있어서,
    각 형광체 층의 휘도는 형광체의 영역에 인가된 전압의 펄싱과 형광체의 영역에 의해 방출된 광의 펄싱 결정 휘도의 온-오프 비율에 의해 변화되는 발광장치.
  32. 제 25 항에 있어서,
    상기 냉음극, 상기 추출 그리드, 상기 디포커싱 그리드 및 상기 형광체의 각 영역에 전기 접속 가능성을 제공하기 위해 상기 인클로저를 통해 연장하는 6개의 전기도체들을 더 포함하는 발광장치.
  33. 제 25 항에 있어서,
    형광체의 각 영역은 상기 표면부를 통해 형광체의 영역에 의해 방출된 광을 반사시키도록 위에 증착되는 미러층을 더 포함하는 발광장치.
  34. 제 1 항에 있어서,
    상기 냉음극은 화학기상성장법으로 형성되는 발광장치.
  35. 표면부를 구비한 인클로저;
    볼록 또는 오목 형상을 갖는 인클로저 내의 냉음극;
    상기 표면부의 내면 상에 증착된 형광체 층; 및
    상기 냉음극과 상기 형광체층 사이의 추출 그리드를 포함하는데, 상기 추출 그리드는 볼록 또는 오목 형상을 가지며, 상기 냉음극의 표면으로부터 균일한 간격을 갖도록 형성되고;
    상기 냉음극, 추출 그리드 및 형광체 층에 인가된 전압으로 인해 상기 냉음극과 상기 형광체 층 사이에 전계가 형성되는 경우, 상기 냉음극으로부터의 전자들 이 상기 형광체 층에 충격을 가하고, 상기 형광체 층은 그에 입사하는 전자들에 응답하여 상기 표면부를 통해 광을 방출하는 발광장치.
  36. 제 35 항에 있어서,
    상기 인클로저는 글래스를 포함하는 발광장치.
  37. 제 35 항에 있어서,
    상기 형광체 층에 인가된 전압은 적어도 5킬로 볼트인 발광장치.
  38. 제 35 항에 있어서,
    상기 형광체 층에 인가된 전압은 대략 10킬로 볼트인 발광장치.
  39. 제 35 항에 있어서,
    상기 냉음극에 인가된 전압은 대략 마이너스 2백 볼트인 발광장치.
  40. 제 35 항에 있어서,
    상기 추출 그리드에 인가된 전압은 대략 그라운드 전위인 발광장치.
  41. 제 35 항에 있어서,
    상기 냉음극에 전기 접속 가능성을 제공하도록 상기 인클로저를 통해 연장하 는 제 1 전기도체;
    상기 추출 그리드에 전기 접속 가능성을 제공하도록 상기 인클로저를 통해 연장하는 제 2 전기도체; 및
    상기 형광체 층에 전기 접속 가능성을 제공하도록 상기 인클로저를 통해 연장하는 제 3 전기도체를 더 포함하는 발광장치.
  42. 제 35 항에 있어서,
    상기 형광체 층 상에 증착된 미러층을 더 포함하고, 상기 전자들은 상기 미러층을 통과해서 상기 형광체 층에 충격을 가하고, 상기 미러층은 상기 발광장치에 의한 광 출력의 강도를 증가시키도록 상기 형광체 층에 의해 발광된 광을 상기 표면부 쪽으로 반사시키는 발광장치.
  43. 제 35 항에 있어서,
    상기 냉음극과 상기 추출 그리드 사이의 가변 전위 차는 상기 발광장치의 광 출력의 휘도를 변화시키는 발광장치.
  44. 제 35 항에 있어서,
    상기 냉음극, 상기 추출 그리드 및 상기 형광체 층 사이의 가변 전위차는 발광장치의 광 출력을 변화시키는 발광장치.
  45. 제 35 항에 있어서,
    상기 형광체 층에 인가된 펄싱 전압은 상기 발광장치에 의한 광 출력의 휘도를 변화시키는 발광장치.
  46. 제 45 항에 있어서,
    상기 펄싱의 온 및 오프 기간의 비율은 0.1%와 100% 사이의 범위에 있는 발광장치.
  47. 제 35 항에 있어서,
    상기 인가된 전압에 의해 생성된 전계강도는 2와 15 볼트/미크론 사이에 있는 발광장치.
  48. 제 35 항에 있어서,
    상기 형광체 층에서의 전류밀도는 0과 1 A/cm2사이에 있는 발광장치.
  49. 제 35 항에 있어서,
    상기 인가 전압을 생성하기 위한 장치제어기를 더 포함하는 발광장치.
  50. 제 49 항에 있어서,
    상기 장치제어기는 상기 발광장치로부터 방출된 광의 휘도를 변화시키도록 인가된 전압의 하나 이상의 전압을 변화시키는 발광장치.
  51. 제 35 항에 있어서,
    상기 인클로저 내에 진공을 유지하기 위한 게터(getter) 물질을 더 포함하는 발광장치.
  52. 제 35 항에 있어서,
    상기 인클로저 내에 진공을 설정하기 위한 동적 게터를 더 포함하는 발광장치.
  53. 제 35 항에 있어서,
    상기 인클로저 내에 진공을 유지하기 위한 동적 게터를 더 포함하는 발광장치.
  54. 제 35 항에 있어서,
    상기 형광체 층은 전자에 의한 충격을 받았을 때, 레드, 그린 및 블루 광을 각기 방출하는 전기 절연된 레드, 그린 및 블루 형광체의 분리 영역들을 포함하는 발광장치.
  55. 제 54 항에 있어서,
    상기 3개의 각 영역 사이의 비율은 레드, 그린 및 블루 형광체들 각각 사이의 휘도 차이의 비율에 대응하는 발광장치.
  56. 제 54 항에 있어서,
    상기 레드, 블루 및 그린 형광체들 각각에 인가된 전압은 광의 컬러를 결정하는 발광장치.
  57. 제 54 항에 있어서,
    형광체의 각 영역의 형상은 방출된 광의 컬러를 혼합하도록 선택되는 발광장치.
  58. 제 54 항에 있어서,
    형광체의 각 영역의 휘도는 형광체의 각 영역에 인가된 전기 전위를 변화시킴으로써 변화되는 발광장치.
  59. 제 58 항에 있어서,
    형광체의 각 영역에 인가된 전압이 그라운드(전위)로되는 경우, 형광체의 각 영역에 의해 광이 출력되지 않는 발광장치.
  60. 제 54 항에 있어서,
    각 형광체 층의 휘도는 형광체의 영역에 인가된 전압의 펄싱과 형광체의 영역에 의해 방출된 광의 펄싱 결정 휘도의 온-오프 비율에 의해 변화되는 발광장치.
  61. 제 54 항에 있어서,
    상기 냉음극, 상기 추출 그리드, 상기 디포커싱 그리드 및 상기 형광체의 각 영역에 전기 접속 가능성을 제공하기 위해 상기 인클로저를 통해 연장하는 5개의 전기도체들을 더 포함하는 발광장치.
  62. 제 54 항에 있어서,
    형광체의 각 영역은 상기 표면부를 통해 형광체의 영역에 의해 방출된 광을 반사시키도록 위에 증착되는 미러층을 더 포함하는 발광장치.
  63. 제 35 항에 있어서,
    상기 냉음극은 화학기상성장법으로 형성되는 발광장치.
  64. 발광장치의 배열;
    발광장치 각각에 전기적으로 접속되는 디스플레이 제어기를 포함하고,
    상기 디스플레이 제어기는 상기 발광장치 각각의 휘도를 제어하고;
    상기 각각의 발광장치는,
    표면부를 구비한 인클로저;
    상기 인클로저 내의 냉음극;
    상기 표면부의 내부면에 배치된 형광체 층;
    상기 냉음극과 상기 형광체 층 사이의 추출 그리드; 및
    상기 추출 그리드와 상기 형광체 층 사이의 디포커싱 그리드를 포함하고,
    상기 냉음극으로부터의 전자들은 상기 냉음극, 추출 그리드, 디포커싱 그리드 및 형광체 층에서 인가된 전압에 의해 상기 냉음극과 상기 형광체 층 사이에서 전계가 생성될 때, 항기 형광체 층에 충격을 가함으로써 상기 디포커싱 그리드에 의해 디포커싱되고, 상기 형광체 층은 그에 입사하는 전자들에 응답하여 상기 표면부를 통해 광을 방출하는 디스플레이 시스템.
  65. 발광장치의 배열로서 각각의 발광장치가 가변 컬러 및 휘도의 광을 생성할 수 있는 발광장치 배열;
    발광장치 각각에 전기적으로 접속되는 디스플레이 제어기를 포함하고, 상기 디스플레이 제어기는 상기 발광장치의 컬러 및 휘도를 제어하도록 상기 발광장치의 각각에 복수의 전기 전위를 제공하고,
    상기 각각의 발광장치는,
    표면부를 구비한 인클로저;
    상기 인클로저 내의 냉음극;
    상기 표면부의 내부면에 배치된 형광체 층;
    상기 냉음극과 상기 형광체 층 사이의 추출 그리드; 및
    상기 추출 그리드와 상기 형광체 층 사이의 디포커싱 그리드를 포함하고,
    상기 냉음극으로부터의 전자들은 상기 냉음극, 추출 그리드, 디포커싱 그리드 및 형광체 층에서 인가된 전압에 의해 상기 냉음극과 상기 형광체 층 사이에서 전계가 생성될 때, 상기 형광체 층에 충격을 가함으로써 상기 디포커싱 그리드에 의해 디포커싱되고, 상기 형광체 층은 그에 입사하는 전자들에 응답하여 상기 표면부를 통해 광을 방출하는 디스플레이 시스템.
  66. 냉음극으로부터 전자 빔 형태의 전자들을 추출하도록 전계를 생성하는 단계; 및
    전자들이 그로부터 광을 방출하도록 형광체 층에 고르게 충격을 가하기 위해 상기 전자 빔을 디포커스하도록 전계를 변경하는 단계를 포함하는 광생성방법.
  67. 제 66 항에 있어서,
    상기 전자 빔의 전자들은 제 2 전자 방출을 통해 전자 빔의 전자들을 증가시키는 단계를 더 포함하는 광생성방법.
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Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070098842A (ko) 2004-12-16 2007-10-05 텔레젠 코퍼레이션 발광장치 및 관련 제조 방법
CN100573797C (zh) * 2006-07-05 2009-12-23 清华大学 双面发光的场发射像素管
US7635945B2 (en) * 2006-07-21 2009-12-22 Tsinghua University Field emission device having a hollow shaped shielding structure
CN101118831A (zh) * 2006-08-02 2008-02-06 清华大学 三极型场发射像素管
US8058789B2 (en) 2007-02-05 2011-11-15 Vu1 Corporation Cathodoluminescent phosphor lamp having extraction and diffusing grids and base for attachment to standard lighting fixtures
US8294367B2 (en) * 2007-02-05 2012-10-23 Vu1 Corporation System and apparatus for cathodoluminescent lighting
CN101335175B (zh) * 2007-06-29 2010-05-26 清华大学 场发射像素管
CN101383264A (zh) * 2007-09-07 2009-03-11 清华大学 场发射光源
CN101441972B (zh) * 2007-11-23 2011-01-26 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 场发射像素管
US8766880B2 (en) * 2007-12-11 2014-07-01 Adti Media, Llc140 Enumeration system and method for a LED display
US8648774B2 (en) 2007-12-11 2014-02-11 Advance Display Technologies, Inc. Large scale LED display
US8922458B2 (en) * 2007-12-11 2014-12-30 ADTI Media, LLC Data and power distribution system and method for a large scale display
US8558755B2 (en) * 2007-12-11 2013-10-15 Adti Media, Llc140 Large scale LED display system
US8599108B2 (en) * 2007-12-11 2013-12-03 Adti Media, Llc140 Large scale LED display
WO2010065860A2 (en) 2008-12-04 2010-06-10 The Regents Of The Univerity Of California Electron injection nanostructured semiconductor material anode electroluminescence method and device
CN102549703A (zh) * 2009-03-30 2012-07-04 Vu1公司 制造阴极射线发光装置的***和方法
CN103620695B (zh) * 2011-07-04 2017-08-01 利乐拉瓦尔集团及财务有限公司 电子束装置
CN105393052B (zh) * 2013-07-23 2017-10-24 飞利浦灯具控股公司 用于生产发光布置的方法
US9207904B2 (en) 2013-12-31 2015-12-08 Ultravision Technologies, Llc Multi-panel display with hot swappable display panels and methods of servicing thereof
US9416551B2 (en) 2013-12-31 2016-08-16 Ultravision Technologies, Llc Preassembled display systems and methods of installation thereof
US9582237B2 (en) 2013-12-31 2017-02-28 Ultravision Technologies, Llc Modular display panels with different pitches
US9195281B2 (en) 2013-12-31 2015-11-24 Ultravision Technologies, Llc System and method for a modular multi-panel display
US20150187237A1 (en) 2013-12-31 2015-07-02 Ultravision Holdings, Llc System and Method for a Modular Multi-Panel Display
US9311847B2 (en) 2014-07-16 2016-04-12 Ultravision Technologies, Llc Display system having monitoring circuit and methods thereof

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2925511A (en) * 1958-07-15 1960-02-16 Tung Sol Electric Inc Cold cathode vacuum lamp
GB2070849B (en) 1980-02-27 1983-11-09 Gen Electric Co Ltd Cathodoluminescent lamps
JPS5760658A (en) 1980-09-29 1982-04-12 Mitsubishi Electric Corp Cathode ray tube for light source
GB2097181B (en) 1981-04-22 1984-12-12 Gen Electric Plc Cathodoluminescent lamps
JP3574161B2 (ja) 1992-11-19 2004-10-06 セイコーエプソン株式会社 カソードルミネッセンス式照明装置の駆動方法及び駆動回路
US5552659A (en) * 1994-06-29 1996-09-03 Silicon Video Corporation Structure and fabrication of gated electron-emitting device having electron optics to reduce electron-beam divergence
WO1996000977A1 (en) 1994-06-30 1996-01-11 Philips Electronics N.V. Display device
US5656887A (en) * 1995-08-10 1997-08-12 Micron Display Technology, Inc. High efficiency field emission display
US6504311B1 (en) * 1996-03-25 2003-01-07 Si Diamond Technology, Inc. Cold-cathode cathodoluminescent lamp
JP2871579B2 (ja) * 1996-03-28 1999-03-17 日本電気株式会社 発光装置およびこれに用いる冷陰極
US6005343A (en) * 1996-08-30 1999-12-21 Rakhimov; Alexander Tursunovich High intensity lamp
US6081246A (en) 1996-11-12 2000-06-27 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for adjustment of FED image
JPH1167063A (ja) * 1997-08-08 1999-03-09 Pioneer Electron Corp 電子放出素子及びこれを用いた表示装置
US5949185A (en) * 1997-10-22 1999-09-07 St. Clair Intellectual Property Consultants, Inc. Field emission display devices
US6249083B1 (en) * 1998-01-12 2001-06-19 Samsung Display Devices Co., Ltd. Electric field emission display (FED) and method of manufacturing spacer thereof
TW577915B (en) 1998-08-26 2004-03-01 Toshiba Corp Red-emitting phosphor for cathode-ray tube, and cathode-ray tube
US6441550B1 (en) * 1998-10-12 2002-08-27 Extreme Devices Inc. Carbon-based field emission electron device for high current density applications
DE69931006T2 (de) 1998-10-14 2007-01-04 Terumo K.K. Drahtförmige Strahlenquelle und Katheteranordnung zur Strahlentherapie
JP3535832B2 (ja) * 1999-03-02 2004-06-07 キヤノン株式会社 電子線放出装置及び画像形成装置
JP4058223B2 (ja) * 1999-10-01 2008-03-05 日本碍子株式会社 圧電／電歪デバイス及びその製造方法
EP2426693A3 (en) * 1999-12-13 2013-01-16 Semequip, Inc. Ion source
US6404136B1 (en) * 2000-07-05 2002-06-11 Motorola Inc. Method and circuit for controlling an emission current
US6815875B2 (en) * 2001-02-27 2004-11-09 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Electron source having planar emission region and focusing structure
US6614149B2 (en) 2001-03-20 2003-09-02 Copytele, Inc. Field-emission matrix display based on lateral electron reflections
US6534923B2 (en) 2001-07-13 2003-03-18 Microwave Power Technology Electron source
JP3878571B2 (ja) * 2003-04-15 2007-02-07 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 電子放出源の製造方法
KR20050076454A (ko) 2004-01-20 2005-07-26 삼성에스디아이 주식회사 전계방출형 백라이트 장치
JP2006167710A (ja) * 2004-11-22 2006-06-29 Nissin Kogyo Co Ltd 薄膜の製造方法及び薄膜が形成された基材、電子放出材料及びその製造方法並びに電子放出装置
KR20070098842A (ko) 2004-12-16 2007-10-05 텔레젠 코퍼레이션 발광장치 및 관련 제조 방법

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