JPH1167063A - 電子放出素子及びこれを用いた表示装置 - Google Patents
電子放出素子及びこれを用いた表示装置Info
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- JPH1167063A JPH1167063A JP9215134A JP21513497A JPH1167063A JP H1167063 A JPH1167063 A JP H1167063A JP 9215134 A JP9215134 A JP 9215134A JP 21513497 A JP21513497 A JP 21513497A JP H1167063 A JPH1167063 A JP H1167063A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
- H01J1/312—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode having an electric field perpendicular to the surface, e.g. tunnel-effect cathodes of metal-insulator-metal [MIM] type
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電子放出効率の高い電子放出素子を提供す
る。 【解決手段】 オーミック電極上に形成された金属又は
半導体からなる電子供給層、電子供給層上に形成された
絶縁体層及び絶縁体層上に形成された金属薄膜電極から
なり、電子供給層及び金属薄膜電極間に電界を印加し電
子を放出する電子放出素子であって、電子供給層はシリ
サイド層を有する。
る。 【解決手段】 オーミック電極上に形成された金属又は
半導体からなる電子供給層、電子供給層上に形成された
絶縁体層及び絶縁体層上に形成された金属薄膜電極から
なり、電子供給層及び金属薄膜電極間に電界を印加し電
子を放出する電子放出素子であって、電子供給層はシリ
サイド層を有する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子放出素子及び
これを用いた電子放出表示装置に関する。
これを用いた電子放出表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来から電界電子放出表示装置のFED
(field emission display)が、陰極の加熱を必要とし
ない冷陰極の電子放出源のアレイを備えた平面形発光デ
ィスプレイとして知られている。例えば、spindt形冷陰
極を用いたFEDの発光原理は、冷陰極アレイが異なる
もののCRT(cathode ray tube)と同様に、陰極から
離間したゲート電極により電子を真空中に引出し、透明
陽極に塗布された蛍光体に衝突させて、発光させるもの
である。
(field emission display)が、陰極の加熱を必要とし
ない冷陰極の電子放出源のアレイを備えた平面形発光デ
ィスプレイとして知られている。例えば、spindt形冷陰
極を用いたFEDの発光原理は、冷陰極アレイが異なる
もののCRT(cathode ray tube)と同様に、陰極から
離間したゲート電極により電子を真空中に引出し、透明
陽極に塗布された蛍光体に衝突させて、発光させるもの
である。
【0003】しかしながら、この電界放出源は、微細な
spindt型冷陰極の製造工程が複雑で、その工程数が多い
ので、製造歩留りが低いといった問題がある。また、面
電子源として金属−絶縁体−金属(MIM)構造の電子
放出素子がある。このMIM構造の電子放出素子は、基
板上に陰極としてのAl層、膜厚10nm程度のA1 2
O3絶縁体層、膜厚10nm程度の陽極としてのAu層
を順に形成した構造を有するものがある。これを真空中
で対向電極の下に配置して下部Al層と上部Au層の間
に電圧を印加するとともに対向電極に加速電圧を印加す
ると、電子の一部が上部Au層を飛び出し対向電極に達
する。しかしながら、MIM構造の電子放出素子を用い
てもまだ放出電子の量は十分とはいえない。
spindt型冷陰極の製造工程が複雑で、その工程数が多い
ので、製造歩留りが低いといった問題がある。また、面
電子源として金属−絶縁体−金属(MIM)構造の電子
放出素子がある。このMIM構造の電子放出素子は、基
板上に陰極としてのAl層、膜厚10nm程度のA1 2
O3絶縁体層、膜厚10nm程度の陽極としてのAu層
を順に形成した構造を有するものがある。これを真空中
で対向電極の下に配置して下部Al層と上部Au層の間
に電圧を印加するとともに対向電極に加速電圧を印加す
ると、電子の一部が上部Au層を飛び出し対向電極に達
する。しかしながら、MIM構造の電子放出素子を用い
てもまだ放出電子の量は十分とはいえない。
【0004】これを改善するために、従来のAl2O3絶
縁体層の膜厚を数nm程度薄膜化したり、極薄膜のAl
2O3絶縁体層の膜質及びAl2O3絶縁体層と上部Au層
の界面を、より均一化することが必要であると考えられ
ている。例えば、特開平7−65710号に記載の発明
のように、絶縁体層のさらなる薄膜化及び均一化のため
に陽極酸化法を用いて、化成電流を制御することにより
電子放出特性を向上させる試みがなされている。
縁体層の膜厚を数nm程度薄膜化したり、極薄膜のAl
2O3絶縁体層の膜質及びAl2O3絶縁体層と上部Au層
の界面を、より均一化することが必要であると考えられ
ている。例えば、特開平7−65710号に記載の発明
のように、絶縁体層のさらなる薄膜化及び均一化のため
に陽極酸化法を用いて、化成電流を制御することにより
電子放出特性を向上させる試みがなされている。
【0005】しかしながら、このような方法で製造され
たMIM構造の電子放出素子でも、まだ放出電流は1×
10-5A/cm2程度で、放出電流比は1×10-3程度に
すぎない。
たMIM構造の電子放出素子でも、まだ放出電流は1×
10-5A/cm2程度で、放出電流比は1×10-3程度に
すぎない。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上の事情
に鑑みてなされたものであり、低い電圧で安定して電子
放出することのできる電子放出効率の高い電子放出素子
及びこれを用いた電子放出表示装置を提供することを目
的とする。さらに、電子放出素子の広範囲な応用を考え
る時、本素子を高真空中に封止する際、素子に必然的な
輻射熱などがかかり、これによってオーミック電極の電
極Al膜と電子供給層のSi膜との界面で拡散による異
種の合金層が形成し、素子の特性の劣化などを引き起こ
す場合がある。この合金層の形成によって、抵抗値や応
力の変化を引き起こし、素子の電気特性(電子放出効
率、負性抵抗など)や機械特性の変化をもたらし、信頼
性の乏しい素子となる場合もある。したがって、信頼性
の高い電子放出素子及びこれを用いた電子放出表示装置
を提供することをも目的とする。
に鑑みてなされたものであり、低い電圧で安定して電子
放出することのできる電子放出効率の高い電子放出素子
及びこれを用いた電子放出表示装置を提供することを目
的とする。さらに、電子放出素子の広範囲な応用を考え
る時、本素子を高真空中に封止する際、素子に必然的な
輻射熱などがかかり、これによってオーミック電極の電
極Al膜と電子供給層のSi膜との界面で拡散による異
種の合金層が形成し、素子の特性の劣化などを引き起こ
す場合がある。この合金層の形成によって、抵抗値や応
力の変化を引き起こし、素子の電気特性(電子放出効
率、負性抵抗など)や機械特性の変化をもたらし、信頼
性の乏しい素子となる場合もある。したがって、信頼性
の高い電子放出素子及びこれを用いた電子放出表示装置
を提供することをも目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明の電子放出素子
は、オーミック電極上に形成された金属又は半導体から
なる電子供給層、前記電子供給層上に形成された絶縁体
層及び前記絶縁体層上に形成された金属薄膜電極からな
り、前記電子供給層及び前記金属薄膜電極間に電界を印
加し電子を放出する電子放出素子であって、前記電子供
給層はシリサイド層を有することを特徴とする。
は、オーミック電極上に形成された金属又は半導体から
なる電子供給層、前記電子供給層上に形成された絶縁体
層及び前記絶縁体層上に形成された金属薄膜電極からな
り、前記電子供給層及び前記金属薄膜電極間に電界を印
加し電子を放出する電子放出素子であって、前記電子供
給層はシリサイド層を有することを特徴とする。
【0008】本発明の電子放出素子においては、前記シ
リサイド層は前記オーミック電極と前記電子供給層との
界面または前記絶縁体層と前記電子供給層との界面また
は前記電子供給層の中間に設けられていることを特徴と
する。本発明の電子放出素子においては、前記電子供給
層と前記シリサイド層とは交互に複数積層されているこ
とを特徴とする。
リサイド層は前記オーミック電極と前記電子供給層との
界面または前記絶縁体層と前記電子供給層との界面また
は前記電子供給層の中間に設けられていることを特徴と
する。本発明の電子放出素子においては、前記電子供給
層と前記シリサイド層とは交互に複数積層されているこ
とを特徴とする。
【0009】本発明の電子放出素子においては、前記シ
リサイド層は漸次拡大又は縮小した膜厚を有することを
特徴とする。本発明の電子放出表示装置は、真空空間を
挾み対向する一対の第1及び第2基板と、前記第1基板
に設けられた複数の電子放出素子と、前記第2基板内に
設けられたコレクタ電極と、前記コレクタ電極上に形成
された蛍光体層と、からなる電子放出表示装置であっ
て、前記電子放出素子の各々は、オーミック電極上に形
成された金属又は半導体からなる電子供給層、前記電子
供給層上に形成された絶縁体層及び前記絶縁体層上に形
成された金属薄膜電極からなり、前記電子供給層はシリ
サイド層を有することを特徴とする。
リサイド層は漸次拡大又は縮小した膜厚を有することを
特徴とする。本発明の電子放出表示装置は、真空空間を
挾み対向する一対の第1及び第2基板と、前記第1基板
に設けられた複数の電子放出素子と、前記第2基板内に
設けられたコレクタ電極と、前記コレクタ電極上に形成
された蛍光体層と、からなる電子放出表示装置であっ
て、前記電子放出素子の各々は、オーミック電極上に形
成された金属又は半導体からなる電子供給層、前記電子
供給層上に形成された絶縁体層及び前記絶縁体層上に形
成された金属薄膜電極からなり、前記電子供給層はシリ
サイド層を有することを特徴とする。
【0010】以上の構成により、本発明の電子放出素子
は熱的に安定なシリサイドを形成するので、製造中の熱
処理にも耐える信頼性の高いものとなる。よって、例え
ば表示素子に本発明の電子放出素子を用いた場合、高熱
真空封止可能な安定した高輝度電子放出表示装置が得ら
れる。本発明の電子放出素子では、絶縁体層は厚い膜厚
を有するのでスルーホールが発生しにくいので製造歩留
まりが向上する。
は熱的に安定なシリサイドを形成するので、製造中の熱
処理にも耐える信頼性の高いものとなる。よって、例え
ば表示素子に本発明の電子放出素子を用いた場合、高熱
真空封止可能な安定した高輝度電子放出表示装置が得ら
れる。本発明の電子放出素子では、絶縁体層は厚い膜厚
を有するのでスルーホールが発生しにくいので製造歩留
まりが向上する。
【0011】さらに、本発明の電子放出素子は、画素バ
ルブの発光源、電子顕微鏡の電子放出源、真空マイクロ
エレクトロニクス素子などの高速素子に応用でき、さら
に面状又は点状の電子放出ダイオードとして、ミリ波又
はサブミリ波の電磁波を放出する発光ダイオード又はレ
ーザダイオードとして、さらには高速スイッチング素子
として動作可能である。
ルブの発光源、電子顕微鏡の電子放出源、真空マイクロ
エレクトロニクス素子などの高速素子に応用でき、さら
に面状又は点状の電子放出ダイオードとして、ミリ波又
はサブミリ波の電磁波を放出する発光ダイオード又はレ
ーザダイオードとして、さらには高速スイッチング素子
として動作可能である。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面を参
照しつつ説明する。図1に示すように、本発明の電子放
出素子は、ガラス素子基板10上に例えばタングステン
Wなどからなるオーミック電極11を形成し、その上に
金属又はSiなどの半導体からなる電子供給層12を形
成し、その上にSiO2などからなる絶縁体層13及び
真空空間に面するAuなどの金属薄膜電極15を積層し
てなり、特に、電子供給層12の中間にはSiの金属間
化合物である熱的に安定なシリサイド層14が設けられ
て構成される。絶縁体層13は誘電体からなり50nm
以上の極めて厚い膜厚を有するものである。この電子放
出素子の対向する一対の第1及び第2基板10,1は真
空空間を挾んで保持される。第2基板1の内面にはコレ
クタ電極2と蛍光体層3R,G,B とが設けられる。素子基
板10の材質はガラスの他に、Al2O3,Si3N4、B
N等のセラミックスでも良い。
照しつつ説明する。図1に示すように、本発明の電子放
出素子は、ガラス素子基板10上に例えばタングステン
Wなどからなるオーミック電極11を形成し、その上に
金属又はSiなどの半導体からなる電子供給層12を形
成し、その上にSiO2などからなる絶縁体層13及び
真空空間に面するAuなどの金属薄膜電極15を積層し
てなり、特に、電子供給層12の中間にはSiの金属間
化合物である熱的に安定なシリサイド層14が設けられ
て構成される。絶縁体層13は誘電体からなり50nm
以上の極めて厚い膜厚を有するものである。この電子放
出素子の対向する一対の第1及び第2基板10,1は真
空空間を挾んで保持される。第2基板1の内面にはコレ
クタ電極2と蛍光体層3R,G,B とが設けられる。素子基
板10の材質はガラスの他に、Al2O3,Si3N4、B
N等のセラミックスでも良い。
【0013】電子放出素子は、表面の金属薄膜電極15
を正電位Vdとし裏面オーミック電極11を接地電位と
したダイオードである。オーミック電極11と金属薄膜
電極15との間に電圧Vd例えば90V程度を印加し電
子供給層12に電子を注入すると、ダイオード電流Id
が流れ、絶縁体層13は高抵抗であるので、印加電界の
大部分は絶縁体層13にかかる。電子は、金属薄膜電極
15側に向けて絶縁体層13内を移動する。金属薄膜電
極15付近に達した電子は、そこで強電界により一部は
金属薄膜電極15をトンネルし、外部の真空中に放出さ
れる。
を正電位Vdとし裏面オーミック電極11を接地電位と
したダイオードである。オーミック電極11と金属薄膜
電極15との間に電圧Vd例えば90V程度を印加し電
子供給層12に電子を注入すると、ダイオード電流Id
が流れ、絶縁体層13は高抵抗であるので、印加電界の
大部分は絶縁体層13にかかる。電子は、金属薄膜電極
15側に向けて絶縁体層13内を移動する。金属薄膜電
極15付近に達した電子は、そこで強電界により一部は
金属薄膜電極15をトンネルし、外部の真空中に放出さ
れる。
【0014】このトンネル効果によって薄膜電極15か
ら放出された電子e(放出電流Ie)は、対向したコレ
クタ電極(透明電極)2に印加された高い加速電圧Vc
例えば5kV程度によって加速され、コレクタ電極2に
集められる。コレクタ電極に蛍光体3が塗布されていれ
ば対応する可視光を発光させる。シリサイド層14はオ
ーミック電極11と電子供給層12の界面または電子供
給層12の内部に、例えばW/Siの人工格子膜、また
はシリサイド(例えば、遷移金属W,Mo,Ti,C
r,V,Co,Fe,Ta,Nb,Hf,Zr,Mn,
Re,Ru,Os,Rh,Ir,Ni,Pd,Ptとの
ケイ化物などの薄膜として形成される。シリサイド層1
4として、単独の膜でも良いが、これらのシリサイド層
とSi膜との人工格子膜の多層に積層しても良い。これ
ら人工格子膜、単独のシリサイド層またはこれとSi膜
との人工格子膜多層の膜厚は数nm〜数十nm程度で良
い。
ら放出された電子e(放出電流Ie)は、対向したコレ
クタ電極(透明電極)2に印加された高い加速電圧Vc
例えば5kV程度によって加速され、コレクタ電極2に
集められる。コレクタ電極に蛍光体3が塗布されていれ
ば対応する可視光を発光させる。シリサイド層14はオ
ーミック電極11と電子供給層12の界面または電子供
給層12の内部に、例えばW/Siの人工格子膜、また
はシリサイド(例えば、遷移金属W,Mo,Ti,C
r,V,Co,Fe,Ta,Nb,Hf,Zr,Mn,
Re,Ru,Os,Rh,Ir,Ni,Pd,Ptとの
ケイ化物などの薄膜として形成される。シリサイド層1
4として、単独の膜でも良いが、これらのシリサイド層
とSi膜との人工格子膜の多層に積層しても良い。これ
ら人工格子膜、単独のシリサイド層またはこれとSi膜
との人工格子膜多層の膜厚は数nm〜数十nm程度で良
い。
【0015】絶縁体層13の誘電体材料としては、酸化
珪素SiOx(xは原子比を示す)が特に有効である
が、LiOx,LiNx,NaOx,KOx,RbOx,C
sOx,BeOx,MgOx,MgNx,CaOx,Ca
Nx,SrOx,BaOx,ScOx,YOx,YNx,La
O x,LaNx,CeOx,PrOx,NdOx,SmOx,
EuOx,GdOx,TbO x,DyOx,HoOx,Er
Ox,TmOx,YbOx,LuOx,TbOx,DyO x,
HoOx,ErOx,TmOx,YbOx,LuOx,Ti
Ox,TiNx,ZrO x,ZrNx,HfOx,HfNx,
ThOx,VOx,VNx,NbOx,NbNx,TaOx,
TaNx,CrOx,CrNx,MoOx,MoNx,W
Ox,WNx,MnOx,ReOx,FeOx,FeNx,R
uOx,OsOx,CoOx,RhOx,IrOx,Ni
Ox,PdOx,PtOx,CuOx,CuNx,AgOx,
AuOx,ZnOx,CdOx,HgOx,BOx,BNx,
AlOx,AlNx,GaOx,GaNx,InOx,Ti
Ox,TiNx,SiNx,GeOx,SnOx,PbOx,
POx,PNx,AsOx,SbOx,SeOx,TeOxな
どの金属酸化物又は金属窒化物でもよい。
珪素SiOx(xは原子比を示す)が特に有効である
が、LiOx,LiNx,NaOx,KOx,RbOx,C
sOx,BeOx,MgOx,MgNx,CaOx,Ca
Nx,SrOx,BaOx,ScOx,YOx,YNx,La
O x,LaNx,CeOx,PrOx,NdOx,SmOx,
EuOx,GdOx,TbO x,DyOx,HoOx,Er
Ox,TmOx,YbOx,LuOx,TbOx,DyO x,
HoOx,ErOx,TmOx,YbOx,LuOx,Ti
Ox,TiNx,ZrO x,ZrNx,HfOx,HfNx,
ThOx,VOx,VNx,NbOx,NbNx,TaOx,
TaNx,CrOx,CrNx,MoOx,MoNx,W
Ox,WNx,MnOx,ReOx,FeOx,FeNx,R
uOx,OsOx,CoOx,RhOx,IrOx,Ni
Ox,PdOx,PtOx,CuOx,CuNx,AgOx,
AuOx,ZnOx,CdOx,HgOx,BOx,BNx,
AlOx,AlNx,GaOx,GaNx,InOx,Ti
Ox,TiNx,SiNx,GeOx,SnOx,PbOx,
POx,PNx,AsOx,SbOx,SeOx,TeOxな
どの金属酸化物又は金属窒化物でもよい。
【0016】また、LiAlO2,Li2SiO3,Li2
TiO3,Na2Al22O34,NaFeO2,Na4SiO
4,K2SiO3,K2TiO3,K2WO4,Rb2Cr
O4,CS2CrO4,MgAl2O4,MgFe2O4,M
gTiO3,CaTiO3,CaWO4,CaZrO3,S
rFe12O19,SrTiO3,SrZrO3,BaAl2O
4,BaFe12O19,BaTiO3,Y3Al5O12,Y3
Fe5O12,LaFeO3,La3Fe5O12,La2Ti2
O7,CeSnO4,CeTiO4,Sm3Fe5O12,E
uFeO3,Eu3Fe5O12,GdFeO3,Gd3Fe5
O12,DyFeO3,Dy3Fe5O12,HoFeO3,H
o3Fe5O12,ErFeO3,Er3Fe5O 12,Tm3F
e5O12,LuFeO3,Lu3Fe5O12,NiTi
O3,Al2TiO3,FeTiO3,BaZrO3,Li
ZrO3,MgZrO3,HfTiO4,NH4VO3,A
gVO3,LiVO3,BaNb2O6,NaNbO3,S
rNb2O6,KTaO3,NaTaO3,SrTa2O6,
CuCr2O4,Ag2CrO4,BaCrO4,K2MoO
4,Na2MoO4,NiMoO4,BaWO4,Na2WO
4,SrWO4,MnCr2O4,MnFe2O4,MnTi
O3,MnWO4,CoFe2O4,NnFe2O4,FeW
O4,CoMoO4,CoTiO3,CoWO4,NiFe
2O4,NiWO4,CuFe2O4,CuMoO4,CuT
iO3,CuWO4,Ag2MoO4,Ag2WO4,ZnA
l2O4,ZnMoO4,ZnWO4,CdSnO3,Cd
TiO3,CdMoO4,CdWO4,NaAlO2,Mg
Al2O4,SrAl2O4,Gd3Ga5O12,InFeO
3,MgIn2O4,Al2TiO5,FeTiO3,MgT
iO3,Na2SiO3,CaSiO3,ZrSiO4,K2
GeO3,Li2GeO3,Na2GeO3,Bi2Sn
3O9,MgSnO3,SrSnO3,PbSiO3,Pb
MoO4,PbTiO3,SnO2−Sb2O3,CuSe
O4,Na2SeO3,ZnSeO3,K2TeO3,K2T
eO4,Na2TeO3,Na2TeO4などの金属複合酸
化物、FeS,Al2S3,MgS,ZnSなどの硫化
物、LiF,MgF2,SmF3などのフッ化物、HgC
l,FeCl2,CrCl3などの塩化物、AgBr,C
uBr,MnBr2などの臭化物、PbI2,CuI,F
eI2などのヨウ化物、又は、SiAlONなどの金属
酸化窒化物でも絶縁体層13の誘電体材料として有効で
ある。
TiO3,Na2Al22O34,NaFeO2,Na4SiO
4,K2SiO3,K2TiO3,K2WO4,Rb2Cr
O4,CS2CrO4,MgAl2O4,MgFe2O4,M
gTiO3,CaTiO3,CaWO4,CaZrO3,S
rFe12O19,SrTiO3,SrZrO3,BaAl2O
4,BaFe12O19,BaTiO3,Y3Al5O12,Y3
Fe5O12,LaFeO3,La3Fe5O12,La2Ti2
O7,CeSnO4,CeTiO4,Sm3Fe5O12,E
uFeO3,Eu3Fe5O12,GdFeO3,Gd3Fe5
O12,DyFeO3,Dy3Fe5O12,HoFeO3,H
o3Fe5O12,ErFeO3,Er3Fe5O 12,Tm3F
e5O12,LuFeO3,Lu3Fe5O12,NiTi
O3,Al2TiO3,FeTiO3,BaZrO3,Li
ZrO3,MgZrO3,HfTiO4,NH4VO3,A
gVO3,LiVO3,BaNb2O6,NaNbO3,S
rNb2O6,KTaO3,NaTaO3,SrTa2O6,
CuCr2O4,Ag2CrO4,BaCrO4,K2MoO
4,Na2MoO4,NiMoO4,BaWO4,Na2WO
4,SrWO4,MnCr2O4,MnFe2O4,MnTi
O3,MnWO4,CoFe2O4,NnFe2O4,FeW
O4,CoMoO4,CoTiO3,CoWO4,NiFe
2O4,NiWO4,CuFe2O4,CuMoO4,CuT
iO3,CuWO4,Ag2MoO4,Ag2WO4,ZnA
l2O4,ZnMoO4,ZnWO4,CdSnO3,Cd
TiO3,CdMoO4,CdWO4,NaAlO2,Mg
Al2O4,SrAl2O4,Gd3Ga5O12,InFeO
3,MgIn2O4,Al2TiO5,FeTiO3,MgT
iO3,Na2SiO3,CaSiO3,ZrSiO4,K2
GeO3,Li2GeO3,Na2GeO3,Bi2Sn
3O9,MgSnO3,SrSnO3,PbSiO3,Pb
MoO4,PbTiO3,SnO2−Sb2O3,CuSe
O4,Na2SeO3,ZnSeO3,K2TeO3,K2T
eO4,Na2TeO3,Na2TeO4などの金属複合酸
化物、FeS,Al2S3,MgS,ZnSなどの硫化
物、LiF,MgF2,SmF3などのフッ化物、HgC
l,FeCl2,CrCl3などの塩化物、AgBr,C
uBr,MnBr2などの臭化物、PbI2,CuI,F
eI2などのヨウ化物、又は、SiAlONなどの金属
酸化窒化物でも絶縁体層13の誘電体材料として有効で
ある。
【0017】さらに、絶縁体層13の誘電体材料として
ダイヤモンド,フラーレン(C2n) などの炭素、或いは、
Al4C 3,B 4C ,CaC 2,Cr3C 2,Mo2C ,MoC ,NbC ,S
iC,TaC ,TiC ,VC,W 2C ,WC,ZrC などの金属炭化
物も有効である。なお、フラーレン(C2n) は炭素原子だ
けからなりC60に代表される球面篭状分子でC32〜C
960などがあり、また、上式中、O x,N xのxは原子比
を表す。以下、同じ。
ダイヤモンド,フラーレン(C2n) などの炭素、或いは、
Al4C 3,B 4C ,CaC 2,Cr3C 2,Mo2C ,MoC ,NbC ,S
iC,TaC ,TiC ,VC,W 2C ,WC,ZrC などの金属炭化
物も有効である。なお、フラーレン(C2n) は炭素原子だ
けからなりC60に代表される球面篭状分子でC32〜C
960などがあり、また、上式中、O x,N xのxは原子比
を表す。以下、同じ。
【0018】絶縁体層の厚さは、50nm以上、好まし
くは 100〜1000nm程度である。電子放出素子の電子供
給層12の材料としてはSiが特に有効であるが、ゲル
マニウム(Ge)、炭化シリコン(SiC)、ヒ化ガリ
ウム(GaAs)、リン化インジウム(InP)、セレ
ン化カドミウム(CdSe)など、IV族、III-V族、
II-VI 族などの単体半導体及び化合物半導体が、用いら
れ得る。
くは 100〜1000nm程度である。電子放出素子の電子供
給層12の材料としてはSiが特に有効であるが、ゲル
マニウム(Ge)、炭化シリコン(SiC)、ヒ化ガリ
ウム(GaAs)、リン化インジウム(InP)、セレ
ン化カドミウム(CdSe)など、IV族、III-V族、
II-VI 族などの単体半導体及び化合物半導体が、用いら
れ得る。
【0019】又は、電子供給層12の材料としてAl,
Au,Ag,Cuなどの金属でも有効であるが、Sc,
Ti,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Zn,Ga,
Y,Zr,Nb,Mo,Tc,Ru,Rh,Pd,C
d,Ln,Sn,Ta,W,Re,Os,Ir,Pt,
Tl,Pb,La,Ce,Pr,Nd,Nd,Pm,S
m,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Y
b,Luなども用いられ得る。
Au,Ag,Cuなどの金属でも有効であるが、Sc,
Ti,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Zn,Ga,
Y,Zr,Nb,Mo,Tc,Ru,Rh,Pd,C
d,Ln,Sn,Ta,W,Re,Os,Ir,Pt,
Tl,Pb,La,Ce,Pr,Nd,Nd,Pm,S
m,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Y
b,Luなども用いられ得る。
【0020】電子放出側の金属薄膜電極15の材料とし
てはPt,Au,W,Ru,Irなどの金属が有効であ
るが、Al,Sc,Ti,V,Cr,Mn,Fe,C
o,Ni,Cu,Zn,Ga,Y,Zr,Nb,Mo,
Tc,Rh,Pd,Ag,Cd,Ln,Sn,Ta,R
e,Os,Tl,Pb,La,Ce,Pr,Nd,P
m,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,T
m,Yb,Luなども用いられ得る。
てはPt,Au,W,Ru,Irなどの金属が有効であ
るが、Al,Sc,Ti,V,Cr,Mn,Fe,C
o,Ni,Cu,Zn,Ga,Y,Zr,Nb,Mo,
Tc,Rh,Pd,Ag,Cd,Ln,Sn,Ta,R
e,Os,Tl,Pb,La,Ce,Pr,Nd,P
m,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,T
m,Yb,Luなども用いられ得る。
【0021】またこれらの成膜法としては、スパッタリ
ング法が特に有効であるが、真空蒸着法、CVD(chem
ical vapor deposition )法、レーザアブレーション
法、MBE(molecular beam epitaxy)法、イオンビー
ムスパッタリング法でも有効である。
ング法が特に有効であるが、真空蒸着法、CVD(chem
ical vapor deposition )法、レーザアブレーション
法、MBE(molecular beam epitaxy)法、イオンビー
ムスパッタリング法でも有効である。
【0022】具体的に、オーミック電極にW膜を、電子
供給層12にSi膜を用い、本発明による第1の電子放
出素子を作製し、それらの特性を調べた。まず、スパッ
タリング法により、W電極11を膜厚300nmで形成
したガラス基板10の電極表面に、Siの電子供給層1
2を膜厚2.5μmで形成した。その後、W0.35Si
0.65(〜WSi2)のシリサイド層14をSi電子供給
層上に3nm膜厚で成膜し、さらにこのシリサイド層上
に膜厚6nmでSi層12aを成膜した。(以下、この
シリサイド層14及びSi層12aの積層体を{シリサ
イド(膜厚)/シリコン(膜厚)}として{W0.35Si
0.65(3nm)/Si(6nm)}と表わす。)このS
i層12上に{W0.35Si0.65(3nm)/Si(6n
m)}を再度成膜した。(以下、この2組のシリサイド
層14及びSi層12aの積層体を{シリサイド(膜
厚)/シリコン(膜厚)}組数として{W0.35Si0.65
(3nm)/Si(6nm)}2と表わす。) その後、このSi層12上にSiの電子供給層12を膜
厚2.5μmで形成し、SiOx絶縁体層13が400
nmとなるように成膜した。このようにして、図2に示
す様に、等しい膜厚の電子供給層12に挾まれたシリサ
イド層14の多層からなる素子を第1の実施例として作製
した。また、シリサイド層を有さずにSiの電子供給層
12を膜厚5μmで形成した以外は上記実施例と同様の
素子を比較例として作成した。これらの層は、スパッタ
リング法をとおして、Ar,Kr,Xeあるいはそれら
の混合ガス、又はこれらの希ガスを主成分としO2,N2
などを混入した混合ガスを用いてガス圧 0.1〜 100mTor
r 好ましくは 0.1〜20mTorr 、成膜レート 0.1〜1000
nm/min好ましくは 0.5〜 100nm/minのスパッタ条件で成
膜された。
供給層12にSi膜を用い、本発明による第1の電子放
出素子を作製し、それらの特性を調べた。まず、スパッ
タリング法により、W電極11を膜厚300nmで形成
したガラス基板10の電極表面に、Siの電子供給層1
2を膜厚2.5μmで形成した。その後、W0.35Si
0.65(〜WSi2)のシリサイド層14をSi電子供給
層上に3nm膜厚で成膜し、さらにこのシリサイド層上
に膜厚6nmでSi層12aを成膜した。(以下、この
シリサイド層14及びSi層12aの積層体を{シリサ
イド(膜厚)/シリコン(膜厚)}として{W0.35Si
0.65(3nm)/Si(6nm)}と表わす。)このS
i層12上に{W0.35Si0.65(3nm)/Si(6n
m)}を再度成膜した。(以下、この2組のシリサイド
層14及びSi層12aの積層体を{シリサイド(膜
厚)/シリコン(膜厚)}組数として{W0.35Si0.65
(3nm)/Si(6nm)}2と表わす。) その後、このSi層12上にSiの電子供給層12を膜
厚2.5μmで形成し、SiOx絶縁体層13が400
nmとなるように成膜した。このようにして、図2に示
す様に、等しい膜厚の電子供給層12に挾まれたシリサ
イド層14の多層からなる素子を第1の実施例として作製
した。また、シリサイド層を有さずにSiの電子供給層
12を膜厚5μmで形成した以外は上記実施例と同様の
素子を比較例として作成した。これらの層は、スパッタ
リング法をとおして、Ar,Kr,Xeあるいはそれら
の混合ガス、又はこれらの希ガスを主成分としO2,N2
などを混入した混合ガスを用いてガス圧 0.1〜 100mTor
r 好ましくは 0.1〜20mTorr 、成膜レート 0.1〜1000
nm/min好ましくは 0.5〜 100nm/minのスパッタ条件で成
膜された。
【0023】最後に、各基板の絶縁体層の表面上にPt
の金属薄膜電極15を膜厚10nmでスパッタリング法
により成膜し、素子基板を多数作製した。一方、透明ガ
ラス基板1の内面にITOコレクタ電極2が形成された
ものや、各コレクタ電極上に、R,G,Bに対応する蛍
光体からなる蛍光体層3を常法により形成した透明基板
を作成した。
の金属薄膜電極15を膜厚10nmでスパッタリング法
により成膜し、素子基板を多数作製した。一方、透明ガ
ラス基板1の内面にITOコレクタ電極2が形成された
ものや、各コレクタ電極上に、R,G,Bに対応する蛍
光体からなる蛍光体層3を常法により形成した透明基板
を作成した。
【0024】これら素子基板及び透明基板を、金属薄膜
電極15及びコレクタ電極2が向かい合うように平行に
10mm離間してスベーサにより保持し、間隙を10-7
Torr又は10-5Paの真空になし、電子放出素子を
組立て、作製した。その後、多数の得られた素子につい
て、25℃、100℃、200℃、300℃、400
℃、500℃、600℃、700℃、800℃、900
℃、1000℃の温度で、1時間真空中にて熱処理をし
た。
電極15及びコレクタ電極2が向かい合うように平行に
10mm離間してスベーサにより保持し、間隙を10-7
Torr又は10-5Paの真空になし、電子放出素子を
組立て、作製した。その後、多数の得られた素子につい
て、25℃、100℃、200℃、300℃、400
℃、500℃、600℃、700℃、800℃、900
℃、1000℃の温度で、1時間真空中にて熱処理をし
た。
【0025】熱処理をした素子について、駆動電圧Vd
を0〜200V印加して、各素子の熱処理温度に対応し
たダイオード電流Id及び放出電流Ieを測定した。結
果を、図3及び図4に示す。図示のように、●の{W
0.35Si0.65(3nm)/Si(6nm)}2、を有す
る第1の実施例の素子の放出電流Ie及び電子放出効率
(Ie/Id) の変化は、○の比較例のものより減少の程度が
小さいことが分かる。比較例では、ダイオード電流Id
及び放出電流Ieが大幅に減少することが、わかる。ま
た、第1の実施例の素子では、25℃から1000℃の
真空中の熱処理にもかかわらず1×10-6以上の電子放
出効率が得られることが分かる。
を0〜200V印加して、各素子の熱処理温度に対応し
たダイオード電流Id及び放出電流Ieを測定した。結
果を、図3及び図4に示す。図示のように、●の{W
0.35Si0.65(3nm)/Si(6nm)}2、を有す
る第1の実施例の素子の放出電流Ie及び電子放出効率
(Ie/Id) の変化は、○の比較例のものより減少の程度が
小さいことが分かる。比較例では、ダイオード電流Id
及び放出電流Ieが大幅に減少することが、わかる。ま
た、第1の実施例の素子では、25℃から1000℃の
真空中の熱処理にもかかわらず1×10-6以上の電子放
出効率が得られることが分かる。
【0026】次に、SiOx絶縁体層13をSi電子供
給層12上に膜厚50nmから1000nmの各種膜厚
にて成膜した以外、上記第1の実施例と同様の{W0.35
Si 0.65(3nm)/Si(6nm)}2を有する第2
の実施例素子を作製した。その後、多数の得られた素子
について、500℃の温度にて1時間真空中で熱処理を
した。比較例としてかかる熱処理をしないものを残し
た。
給層12上に膜厚50nmから1000nmの各種膜厚
にて成膜した以外、上記第1の実施例と同様の{W0.35
Si 0.65(3nm)/Si(6nm)}2を有する第2
の実施例素子を作製した。その後、多数の得られた素子
について、500℃の温度にて1時間真空中で熱処理を
した。比較例としてかかる熱処理をしないものを残し
た。
【0027】さらに、各種膜厚の絶縁体層を有する第2
の実施例および比較例の素子について、SiOx絶縁体
層膜厚に対する放出電流Ie及び電子放出効率(Ie/Id)
の変化を測定した。結果として、図5及び図6に放出電
流Ie及び電子放出効率(Ie/Id) の変化を示す。図示す
るように、●の未熱処理の比較例に比べて、○の{W
0.35Si0.65(3nm)/Si(6nm)}2を有する
実施例の素子の放出電流Ie及び電子放出効率(Ie/Id)
の変化は、300nm、400nm、550nmの膜厚
の素子においては、500℃で、1時間真空中にて熱処
理を行なっても熱処理前と電気特性に大きな変化が見ら
れなかった。特に、電子放出効率の値も著しい変化が見
られなかった。アモルファスSiOx絶縁体層の全体厚
が50nm〜1000nmのとき、絶縁体層膜厚に対す
る放出電流Ie及び電子放出効率(Ie/Id) の変化におい
て、 200V以下の電圧を加えることにより、絶縁体層の
全体厚50nm以上の50nm〜1000nmで、1×
10-6A/cm2以上の放出電流が得られることが分か
る。
の実施例および比較例の素子について、SiOx絶縁体
層膜厚に対する放出電流Ie及び電子放出効率(Ie/Id)
の変化を測定した。結果として、図5及び図6に放出電
流Ie及び電子放出効率(Ie/Id) の変化を示す。図示す
るように、●の未熱処理の比較例に比べて、○の{W
0.35Si0.65(3nm)/Si(6nm)}2を有する
実施例の素子の放出電流Ie及び電子放出効率(Ie/Id)
の変化は、300nm、400nm、550nmの膜厚
の素子においては、500℃で、1時間真空中にて熱処
理を行なっても熱処理前と電気特性に大きな変化が見ら
れなかった。特に、電子放出効率の値も著しい変化が見
られなかった。アモルファスSiOx絶縁体層の全体厚
が50nm〜1000nmのとき、絶縁体層膜厚に対す
る放出電流Ie及び電子放出効率(Ie/Id) の変化におい
て、 200V以下の電圧を加えることにより、絶縁体層の
全体厚50nm以上の50nm〜1000nmで、1×
10-6A/cm2以上の放出電流が得られることが分か
る。
【0028】次に、第3の実施例として、上記第1の実
施例のW0.35Si0.65のシリサイド層14の代わりに、
タングステンWの金属層14Bを用いた以外、上記第1
の実施例と同様の{W(3nm)/Si(5nm)}2
を有する実施例素子を作製した。その後、多数の得られ
た第3の実施例素子について、上記第1の実施例と同様
の温度範囲にて1時間真空中で熱処理をした。
施例のW0.35Si0.65のシリサイド層14の代わりに、
タングステンWの金属層14Bを用いた以外、上記第1
の実施例と同様の{W(3nm)/Si(5nm)}2
を有する実施例素子を作製した。その後、多数の得られ
た第3の実施例素子について、上記第1の実施例と同様
の温度範囲にて1時間真空中で熱処理をした。
【0029】各第3の実施例素子の熱処理温度に対応し
たダイオード電流Id及び放出電流Ieを測定した結果
を、図7及び図8に示す。図示のように、●の{W(3
nm)/Si(5nm)}2を有する実施例素子の放出
電流Ie及び電子放出効率(Ie/Id) の変化は、○の比較
例のものより減少の程度が小さいことが分かる。また、
実施例の素子では、25℃から1000℃の真空中の熱
処理にもかかわらず1×10-6以上の電子放出効率が得
られることが分かる。
たダイオード電流Id及び放出電流Ieを測定した結果
を、図7及び図8に示す。図示のように、●の{W(3
nm)/Si(5nm)}2を有する実施例素子の放出
電流Ie及び電子放出効率(Ie/Id) の変化は、○の比較
例のものより減少の程度が小さいことが分かる。また、
実施例の素子では、25℃から1000℃の真空中の熱
処理にもかかわらず1×10-6以上の電子放出効率が得
られることが分かる。
【0030】さらに、SiOx絶縁体層13をSi電子
供給層12上に膜厚50nmから1000nmの各種膜
厚にて成膜し、かつW0.35Si0.65のシリサイド層14
の代わりに、タングステンWの金属層14Bを用いた以
外、上記第1の実施例と同様の{W(3nm)/Si
(5nm)}2を有する第4の実施例素子を作製した。
その後、多数の得られた第4の実施例素子について、5
00℃の温度にて1時間真空中の熱処理をした。比較例
としてかかる熱処理をしないものを残した。
供給層12上に膜厚50nmから1000nmの各種膜
厚にて成膜し、かつW0.35Si0.65のシリサイド層14
の代わりに、タングステンWの金属層14Bを用いた以
外、上記第1の実施例と同様の{W(3nm)/Si
(5nm)}2を有する第4の実施例素子を作製した。
その後、多数の得られた第4の実施例素子について、5
00℃の温度にて1時間真空中の熱処理をした。比較例
としてかかる熱処理をしないものを残した。
【0031】各種膜厚の絶縁体層を有する第4の実施例
および比較例の素子について、SiOX絶縁体層膜厚に
対する放出電流Ie及び電子放出効率(Ie/Id) の変化を
測定した。結果として、図9及び図10に放出電流Ie
及び電子放出効率(Ie/Id) の変化を示す。図示するよう
に、●の未熱処理の比較例に比べて、○の{W(3n
m)/Si(5nm)}2を有する実施例の素子の放出
電流Ie及び電子放出効率(Ie/Id) の変化は、500
℃、1時間真空中の熱処理を行なっても熱処理前と電気
特性に変化が見られなかった。特に、電子放出効率の値
も変化が見られなかった。アモルファスSiOx絶縁体
層の全体厚が50nm〜1000nmのとき、絶縁体層
膜厚に対する放出電流Ie及び電子放出効率(Ie/Id) の
変化において、 200V以下の電圧を加えることにより、
絶縁体層の全体厚50nm以上の50nm〜1000n
mで、1×10-3以上の放出効率が得られることが分か
る。
および比較例の素子について、SiOX絶縁体層膜厚に
対する放出電流Ie及び電子放出効率(Ie/Id) の変化を
測定した。結果として、図9及び図10に放出電流Ie
及び電子放出効率(Ie/Id) の変化を示す。図示するよう
に、●の未熱処理の比較例に比べて、○の{W(3n
m)/Si(5nm)}2を有する実施例の素子の放出
電流Ie及び電子放出効率(Ie/Id) の変化は、500
℃、1時間真空中の熱処理を行なっても熱処理前と電気
特性に変化が見られなかった。特に、電子放出効率の値
も変化が見られなかった。アモルファスSiOx絶縁体
層の全体厚が50nm〜1000nmのとき、絶縁体層
膜厚に対する放出電流Ie及び電子放出効率(Ie/Id) の
変化において、 200V以下の電圧を加えることにより、
絶縁体層の全体厚50nm以上の50nm〜1000n
mで、1×10-3以上の放出効率が得られることが分か
る。
【0032】さらに、種々の実験の結果、{W0.35Si
0.65(2〜4nm)/Si(1〜6nm)}のシリサイ
ドの2〜3層の多層膜の人工格子膜を、W電極膜とSi
膜の間に挿入(全てスパッタリング法で成膜)したとき
でも、500℃、1時間真空中の熱処理を行なっても熱
処理前と電気特性に変化が見られなかった。特に、電子
放出効率の値も変化が見られなかった。典型的な各層厚
はWSi2 層が2.5nmであって、Si層が5.5n
mであって、積層体の全体厚は12〜15nmである。
結晶構造の上からみると、第1および2実施例の熱処理
前の人工格子膜{(WSi)/Si}の多層を有するも
のは非晶質構造であり、熱処理後も非晶質構造が保持さ
れた。しかし、第3および4実施例の{W/Si}の多
層を有するものは、熱処理前は非晶質構造であったが、
500℃熱処理後はWのbcc構造に変化した。W−S
iダイオード構造の場合、1000℃までの熱処理温度で、
界面の障壁高さは変化せず一定で、WSiのタングステ
ンシリサイドが形成する。
0.65(2〜4nm)/Si(1〜6nm)}のシリサイ
ドの2〜3層の多層膜の人工格子膜を、W電極膜とSi
膜の間に挿入(全てスパッタリング法で成膜)したとき
でも、500℃、1時間真空中の熱処理を行なっても熱
処理前と電気特性に変化が見られなかった。特に、電子
放出効率の値も変化が見られなかった。典型的な各層厚
はWSi2 層が2.5nmであって、Si層が5.5n
mであって、積層体の全体厚は12〜15nmである。
結晶構造の上からみると、第1および2実施例の熱処理
前の人工格子膜{(WSi)/Si}の多層を有するも
のは非晶質構造であり、熱処理後も非晶質構造が保持さ
れた。しかし、第3および4実施例の{W/Si}の多
層を有するものは、熱処理前は非晶質構造であったが、
500℃熱処理後はWのbcc構造に変化した。W−S
iダイオード構造の場合、1000℃までの熱処理温度で、
界面の障壁高さは変化せず一定で、WSiのタングステ
ンシリサイドが形成する。
【0033】さらなる他の比較例としては、タングステ
ンWの代わりにモリブデンMoを用いたA:{Mo(2
〜8nm)/Si(1.5〜7nm)}の多層を有する
素子と、B:{MoSi2 (2〜8nm)/Si(1.
5〜7nm)の多層を有する素子と、が作製された。A
の素子の{Mo/Si}膜は300℃、30分熱処理で
MoとSiの拡散が生じるが、Bの素子の{MoSi2
/Si}膜は580℃、30分熱処理においても顕著な
MoSi2 とSiの拡散の徴候は見られなかった。
ンWの代わりにモリブデンMoを用いたA:{Mo(2
〜8nm)/Si(1.5〜7nm)}の多層を有する
素子と、B:{MoSi2 (2〜8nm)/Si(1.
5〜7nm)の多層を有する素子と、が作製された。A
の素子の{Mo/Si}膜は300℃、30分熱処理で
MoとSiの拡散が生じるが、Bの素子の{MoSi2
/Si}膜は580℃、30分熱処理においても顕著な
MoSi2 とSiの拡散の徴候は見られなかった。
【0034】よって、絶縁体層膜厚が50nm以上と厚
く電子供給層がシリサイド層を有する素子から、良好な
結果が得られることが判明した。またさらに、上記実施
例素子において、蛍光体を塗布したコレクタ電極2及び
金属薄膜電極15の間に約4kVの電圧を印加した状態
では、絶縁体層膜厚50nm以上の素子で薄膜電極に対
応する形の均一な蛍光パターンが観測された。このこと
は、アモルファスSiOx層からの電子放出が均一であ
り、直線性の高いことを示し、電子放出ダイオードとし
て、ミリ波又はサブミリ波の電磁波を放出する発光ダイ
オード又はレーザダイオードとして、さらには高速スイ
ッチング素子として動作可能であることを示している。
く電子供給層がシリサイド層を有する素子から、良好な
結果が得られることが判明した。またさらに、上記実施
例素子において、蛍光体を塗布したコレクタ電極2及び
金属薄膜電極15の間に約4kVの電圧を印加した状態
では、絶縁体層膜厚50nm以上の素子で薄膜電極に対
応する形の均一な蛍光パターンが観測された。このこと
は、アモルファスSiOx層からの電子放出が均一であ
り、直線性の高いことを示し、電子放出ダイオードとし
て、ミリ波又はサブミリ波の電磁波を放出する発光ダイ
オード又はレーザダイオードとして、さらには高速スイ
ッチング素子として動作可能であることを示している。
【0035】スパッタリング法で成膜した絶縁体層の表
面をSEMで観察したところ、20nm程度の微細構造
からなることを特徴としていることが判った。50nm
以上の膜厚を有しながらトンネル電流が流れるといった
特異な現象はこの特徴に起因すると考えられる。すなわ
ち、SiOxは本来絶縁体であるが、結晶欠陥や不純物
などが原因で禁制帯中に局在化した不純物準位が多数現
れる。電子はこの不純物準位を介し次々にトンネリング
し、結果として50nm以上の膜厚をもトンネルするの
であると推定される。
面をSEMで観察したところ、20nm程度の微細構造
からなることを特徴としていることが判った。50nm
以上の膜厚を有しながらトンネル電流が流れるといった
特異な現象はこの特徴に起因すると考えられる。すなわ
ち、SiOxは本来絶縁体であるが、結晶欠陥や不純物
などが原因で禁制帯中に局在化した不純物準位が多数現
れる。電子はこの不純物準位を介し次々にトンネリング
し、結果として50nm以上の膜厚をもトンネルするの
であると推定される。
【0036】上記実施例では電子供給層12の中間にシ
リサイド層14を2層有するものを説明したが、他の実
施例として、図11に示すように、シリサイド層14の
単層または多層をオーミック電極11及び電子供給層1
2の界面に設けることができ、また、図12に示すよう
に、シリサイド層14の単層または多層を電子供給層1
2及び絶縁体層13の界面に有するようにもできる。
リサイド層14を2層有するものを説明したが、他の実
施例として、図11に示すように、シリサイド層14の
単層または多層をオーミック電極11及び電子供給層1
2の界面に設けることができ、また、図12に示すよう
に、シリサイド層14の単層または多層を電子供給層1
2及び絶縁体層13の界面に有するようにもできる。
【0037】さらに、図13は他の実施例の電子放出素
子の概略部分拡大断面図であり、2個以上のシリサイド
層14の単層または多層を電子供給層12内に設け、電
子供給層12を3つ以上に分けた多層構造とすることも
できる。即ち、本発明の電子放出素子においては、シリ
サイド層と電子供給層とは交互に積層され得る。また、
シリサイド層は、積層方向に沿って、漸次拡大又は縮小
した間隔で配置しても、等間隔で積層してもよい。
子の概略部分拡大断面図であり、2個以上のシリサイド
層14の単層または多層を電子供給層12内に設け、電
子供給層12を3つ以上に分けた多層構造とすることも
できる。即ち、本発明の電子放出素子においては、シリ
サイド層と電子供給層とは交互に積層され得る。また、
シリサイド層は、積層方向に沿って、漸次拡大又は縮小
した間隔で配置しても、等間隔で積層してもよい。
【0038】またさらに、本発明の他の実施例の電子放
出素子においては、図14に示すように、シリサイド層
は漸次拡大又は縮小した膜厚を有するように、成膜して
もよい。さらに、他の実施例においては、図15に示す
ように、シリサイド層14を、電子供給層12中に同時
スパッタリング方法などにより高導電性材料をドーパン
トとして分散させて設けることもできる。この場合も、
オーミック電極11から電子供給層12への電子の移動
を円滑にする働きをなす。また、シリサイド層ドーパン
トを電子供給層12の金属薄膜電極15に近い方に高く
なる又は低くなるような濃度勾配を設けて分散させても
よい。
出素子においては、図14に示すように、シリサイド層
は漸次拡大又は縮小した膜厚を有するように、成膜して
もよい。さらに、他の実施例においては、図15に示す
ように、シリサイド層14を、電子供給層12中に同時
スパッタリング方法などにより高導電性材料をドーパン
トとして分散させて設けることもできる。この場合も、
オーミック電極11から電子供給層12への電子の移動
を円滑にする働きをなす。また、シリサイド層ドーパン
トを電子供給層12の金属薄膜電極15に近い方に高く
なる又は低くなるような濃度勾配を設けて分散させても
よい。
【0039】このように、オーミック電極、電子供給
層、絶縁体層及び金属薄膜電極を積層した本発明の電子
放出素子においては、オーミック電極と電子供給層との
界面、或いは電子供給層と絶縁体層との界面、又は電子
供給層中に多層として、シリサイド層を設けることによ
り、低い電圧でかつ安定した放出電流を得ることができ
る。
層、絶縁体層及び金属薄膜電極を積層した本発明の電子
放出素子においては、オーミック電極と電子供給層との
界面、或いは電子供給層と絶縁体層との界面、又は電子
供給層中に多層として、シリサイド層を設けることによ
り、低い電圧でかつ安定した放出電流を得ることができ
る。
【0040】図16は、実施例の電子放出表示装置を示
す。実施例は、一対の透明基板1及び素子基板10から
なり、基板は真空空間4を挾み互いに対向している。図
示する電子放出表示装置において、表示面である透明ガ
ラス基板1すなわち透明基板の内面(背面板10と対向
する面)には、例えばインジウム錫酸化物(いわゆるI
TO)、酸化錫(SnO)、酸化亜鉛(ZnO)などか
らなる透明なコレクタ電極2の複数が互いに平行に形成
されている。また、コレクタ電極2は一体的に形成され
ていてもよい。放出電子を捕獲する透明コレクタ電極群
は、カラーディスプレイパネルとするために赤、緑、青
のR,G,B色信号に応じて3本1組となっており、そ
れぞれに電圧が印加される。よって、3本のコレクタ電
極2の上には、R,G,Bに対応する蛍光体からなる蛍
光体層3R,3G,3Bが真空空間4に面するように、
それぞれ形成されている。
す。実施例は、一対の透明基板1及び素子基板10から
なり、基板は真空空間4を挾み互いに対向している。図
示する電子放出表示装置において、表示面である透明ガ
ラス基板1すなわち透明基板の内面(背面板10と対向
する面)には、例えばインジウム錫酸化物(いわゆるI
TO)、酸化錫(SnO)、酸化亜鉛(ZnO)などか
らなる透明なコレクタ電極2の複数が互いに平行に形成
されている。また、コレクタ電極2は一体的に形成され
ていてもよい。放出電子を捕獲する透明コレクタ電極群
は、カラーディスプレイパネルとするために赤、緑、青
のR,G,B色信号に応じて3本1組となっており、そ
れぞれに電圧が印加される。よって、3本のコレクタ電
極2の上には、R,G,Bに対応する蛍光体からなる蛍
光体層3R,3G,3Bが真空空間4に面するように、
それぞれ形成されている。
【0041】一方、真空空間4を挾み透明ガラス基板1
に対向するガラス等からなる素子基板10すなわち素子
基板内面(透明ガラス基板1と対向する面)には絶縁体
インシュレータ層18を介してそれぞれ平行に伸長する
複数のオーミック電極11が形成されている。インシュ
レータ層18は、SiOx,SiNx,Al2O3,AlN
などの絶縁体からなり、素子基板10から素子への悪影
響(アルカリ成分などに不純物の溶出や、基板面の凹凸
など)を防ぐ働きをなす。オーミック電極の上に上記実
施例の電子放出素子Sの複数が形成され、隣接する金属
薄膜電極を電気的に接続しその一部上に、オーミック電
極に垂直に伸長して架設され、それぞれが平行に伸長す
る複数のバス電極16が設けられている。電子放出素子
Sはオーミック電極上に順に形成された電子供給層1
2、シリサイド層14、絶縁体層13及び金属薄膜電極
15からなる。金属薄膜電極15は真空空間4に面す
る。また、金属薄膜電極15の表面を複数の電子放出領
域に区画するため、開口を有した第2絶縁体層17が成
膜される。この第2絶縁体層17はバス電極16を覆う
ことで不要な短絡を防止する。
に対向するガラス等からなる素子基板10すなわち素子
基板内面(透明ガラス基板1と対向する面)には絶縁体
インシュレータ層18を介してそれぞれ平行に伸長する
複数のオーミック電極11が形成されている。インシュ
レータ層18は、SiOx,SiNx,Al2O3,AlN
などの絶縁体からなり、素子基板10から素子への悪影
響(アルカリ成分などに不純物の溶出や、基板面の凹凸
など)を防ぐ働きをなす。オーミック電極の上に上記実
施例の電子放出素子Sの複数が形成され、隣接する金属
薄膜電極を電気的に接続しその一部上に、オーミック電
極に垂直に伸長して架設され、それぞれが平行に伸長す
る複数のバス電極16が設けられている。電子放出素子
Sはオーミック電極上に順に形成された電子供給層1
2、シリサイド層14、絶縁体層13及び金属薄膜電極
15からなる。金属薄膜電極15は真空空間4に面す
る。また、金属薄膜電極15の表面を複数の電子放出領
域に区画するため、開口を有した第2絶縁体層17が成
膜される。この第2絶縁体層17はバス電極16を覆う
ことで不要な短絡を防止する。
【0042】オーミック電極11の材料としては、A
u,Pt,Al,W等の一般にICの配線に用いられる
材料で、各素子にほぼ同電流を供給する均一な厚さであ
る。電子供給層12の材質は、シリコン(Si)が挙げ
られるが、本発明の電子供給層はシリコンに限られたも
のではなく他の半導体又は金属であり、アモルファス、
多結晶、単結晶のいずれでも良い。
u,Pt,Al,W等の一般にICの配線に用いられる
材料で、各素子にほぼ同電流を供給する均一な厚さであ
る。電子供給層12の材質は、シリコン(Si)が挙げ
られるが、本発明の電子供給層はシリコンに限られたも
のではなく他の半導体又は金属であり、アモルファス、
多結晶、単結晶のいずれでも良い。
【0043】薄膜電極15の材質は、電子放出の原理か
ら仕事関数φが小さい材料で、薄い程良い。電子放出効
率を高くするために、薄膜電極15の材質は周期律表の
I族、II族の金属が良く、たとえばCs,Rb,Li,
Sr,Mg,Ba,Ca等が有効で、更に、それらの合
金であっても良い。また、薄膜電極15の材質は極薄化
の面では、導電性が高く化学的に安定な金属が良く、た
とえばAu,Pt,Lu,Ag,Cuの単体又はこれら
の合金等が望ましい。また、これらの金属に、上記仕事
関数の小さい金属をコート、あるいはドープしても有効
である。
ら仕事関数φが小さい材料で、薄い程良い。電子放出効
率を高くするために、薄膜電極15の材質は周期律表の
I族、II族の金属が良く、たとえばCs,Rb,Li,
Sr,Mg,Ba,Ca等が有効で、更に、それらの合
金であっても良い。また、薄膜電極15の材質は極薄化
の面では、導電性が高く化学的に安定な金属が良く、た
とえばAu,Pt,Lu,Ag,Cuの単体又はこれら
の合金等が望ましい。また、これらの金属に、上記仕事
関数の小さい金属をコート、あるいはドープしても有効
である。
【0044】バス電極16の材料としては、Au,P
t,Al等の一般にICの配線に用いられる物で良く、
各素子にほぼ同電位を供給可能ならしめるに足る厚さ
で、 0.1〜50μmが適当である。また、本発明の表示
装置の駆動方式としては単純マトリックス方式またはア
クティブマトリックス方式が適用できる。
t,Al等の一般にICの配線に用いられる物で良く、
各素子にほぼ同電位を供給可能ならしめるに足る厚さ
で、 0.1〜50μmが適当である。また、本発明の表示
装置の駆動方式としては単純マトリックス方式またはア
クティブマトリックス方式が適用できる。
【図1】 本発明による実施例の電子放出素子の概略断
面図である。
面図である。
【図2】 本発明による実施例の電子放出素子のシリサ
イド層近傍を示す概略部分拡大断面図である。
イド層近傍を示す概略部分拡大断面図である。
【図3】 本発明による電子放出表示装置における電子
放出素子への熱処理温度と電子放出電流の関係を示すグ
ラフである。
放出素子への熱処理温度と電子放出電流の関係を示すグ
ラフである。
【図4】 本発明による電子放出表示装置における電子
放出素子への熱処理温度と電子放出電子放出効率の関係
を示すグラフである。
放出素子への熱処理温度と電子放出電子放出効率の関係
を示すグラフである。
【図5】 本発明による実施例の電子放出表示装置にお
ける電子放出電流の絶縁体層膜厚依存性を示すグラフで
ある。
ける電子放出電流の絶縁体層膜厚依存性を示すグラフで
ある。
【図6】 本発明による実施例の電子放出表示装置にお
ける電子放出効率の絶縁体層膜厚依存性を示すグラフで
ある。
ける電子放出効率の絶縁体層膜厚依存性を示すグラフで
ある。
【図7】 本発明による電子放出表示装置における電子
放出素子への熱処理温度と電子放出電流の関係を示すグ
ラフである。
放出素子への熱処理温度と電子放出電流の関係を示すグ
ラフである。
【図8】 本発明による電子放出表示装置における電子
放出素子への熱処理温度と電子放出電子放出効率の関係
を示すグラフである。
放出素子への熱処理温度と電子放出電子放出効率の関係
を示すグラフである。
【図9】 本発明による実施例の電子放出表示装置にお
ける電子放出電流の絶縁体層膜厚依存性を示すグラフで
ある。
ける電子放出電流の絶縁体層膜厚依存性を示すグラフで
ある。
【図10】 本発明による実施例の電子放出表示装置に
おける電子放出効率の絶縁体層膜厚依存性を示すグラフ
である。
おける電子放出効率の絶縁体層膜厚依存性を示すグラフ
である。
【図11】 本発明による他の実施例の電子放出素子の
シリサイド層近傍を示す概略部分拡大断面図である。
シリサイド層近傍を示す概略部分拡大断面図である。
【図12】 本発明による他の実施例の電子放出素子の
シリサイド層近傍を示す概略部分拡大断面図である。
シリサイド層近傍を示す概略部分拡大断面図である。
【図13】 本発明による他の実施例の電子放出素子の
シリサイド層近傍を示す概略部分拡大断面図である。
シリサイド層近傍を示す概略部分拡大断面図である。
【図14】 本発明による他の実施例の電子放出素子の
シリサイド層近傍を示す概略部分拡大断面図である。
シリサイド層近傍を示す概略部分拡大断面図である。
【図15】 本発明による他の実施例の電子放出素子の
シリサイド層近傍を示す概略部分拡大断面図である。
シリサイド層近傍を示す概略部分拡大断面図である。
【図16】 本発明による実施例の電子放出表示装置を
示す概略斜視図である。
示す概略斜視図である。
1 透明基板 2 コレクタ電極 3R,3G,3B 蛍光体層 4 真空空間 10 素子基板 11 オーミック電極 12 電子供給層 13 絶縁体層 14 シリサイド層 15 金属薄膜電極 16 バス電極 17 第2絶縁体層 18 インシュレータ層
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成10年8月11日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0013
【補正方法】変更
【補正内容】
【0013】電子放出素子は、表面の金属薄膜電極15
を正電位Vdとし裏面オーミック電極11を接地電位と
したダイオードである。オーミック電極11と金属薄膜
電極15との間に電圧Vd例えば90V程度を印加し電
子供給層12に電子を注入すると、ダイオード電流Id
が流れ、絶縁体層13は高抵抗であるので、印加電界の
大部分は絶縁体層13にかかる。電子は、金属薄膜電極
15側に向けて絶縁体層13内を移動する。金属薄膜電
極15付近に達した電子は、そこで強電界によって一部
は金属薄膜電極15から外部の真空中に放出される。
を正電位Vdとし裏面オーミック電極11を接地電位と
したダイオードである。オーミック電極11と金属薄膜
電極15との間に電圧Vd例えば90V程度を印加し電
子供給層12に電子を注入すると、ダイオード電流Id
が流れ、絶縁体層13は高抵抗であるので、印加電界の
大部分は絶縁体層13にかかる。電子は、金属薄膜電極
15側に向けて絶縁体層13内を移動する。金属薄膜電
極15付近に達した電子は、そこで強電界によって一部
は金属薄膜電極15から外部の真空中に放出される。
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0014
【補正方法】変更
【補正内容】
【0014】薄膜電極15から放出された電子e(放出
電流Ie)は、対向したコレクタ電極(透明電極)2に
印加された高い加速電圧Vc例えば5kV程度によって
加速され、コレクタ電極2に集められる。コレクタ電極
に蛍光体3が塗布されていれば対応する可視光を発光さ
せる。シリサイド層14はオーミック電極11と電子供
給層12の界面または電子供給層12の内部に、例えば
W/Siの人工格子膜、またはシリサイド(例えば、遷
移全属W,Mo,Ti,Cr,V,Co,Fe,Fa,
Nb,Hf,Zr,Mn,Re,Ru,Os,Rh,I
r,Ni,Pd,Ptとのケイ化物などの薄膜として形
成される。シリサイド層14として、単独の膜でも良い
が、これらのシリサイド層とSi膜との人工格子膜の多
層に積層しても良い。これら人工格子膜、単独のシリサ
イド層またはこれとSi膜との人工格子膜多層の膜厚は
数nm〜数十nm程度で良い。
電流Ie)は、対向したコレクタ電極(透明電極)2に
印加された高い加速電圧Vc例えば5kV程度によって
加速され、コレクタ電極2に集められる。コレクタ電極
に蛍光体3が塗布されていれば対応する可視光を発光さ
せる。シリサイド層14はオーミック電極11と電子供
給層12の界面または電子供給層12の内部に、例えば
W/Siの人工格子膜、またはシリサイド(例えば、遷
移全属W,Mo,Ti,Cr,V,Co,Fe,Fa,
Nb,Hf,Zr,Mn,Re,Ru,Os,Rh,I
r,Ni,Pd,Ptとのケイ化物などの薄膜として形
成される。シリサイド層14として、単独の膜でも良い
が、これらのシリサイド層とSi膜との人工格子膜の多
層に積層しても良い。これら人工格子膜、単独のシリサ
イド層またはこれとSi膜との人工格子膜多層の膜厚は
数nm〜数十nm程度で良い。
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0015
【補正方法】変更
【補正内容】
【0015】絶縁体層13の誘電体材料としては、酸化
珪素SiOx(xは原子比を示す)が特に有効である
が、LiOx,LiNx,NaOx,KOx,Rb
Ox,CsOx,BeOx,MgOx,MgNx,Ca
Ox,CaNx,SrOx,BaOx,ScOx,YO
x,YNx,LaOx,LaNx,CeOx,Pr
Ox,NdOx,SmOx,EuOx,GdOx,Tb
Ox,DyOx,HoOx,ErOx,TmOx,Yb
Ox,LuOx,TbOx,DyOx,HoOx,Er
Ox,TmOx,YbOx,LuOx,TiO x,Zr
Ox,ZrNx,HfOx,HfNx,ThOx,VO
x,VNx,NbOx,NbNx,TaOx,Ta
Nx,CrOx,CrNx,MoOx,MoNx,WO
x,WNx,MnOx,ReOx,FeOx,Fe
Nx,RuOx,OsOx,CoOx,RhOx,Ir
Ox,NiOx,PdOx,PtOx,CuOx,Cu
Nx,AgOx,AuOx,ZnOx,CdOx,Hg
Ox,BOx,BNx,AlOx,AlNx,Ga
Ox,GaNx,InO x,SiNx,GeOx,Sn
Ox,PbOx,POx,PNx,AsOx,Sb
Ox,SeOx,TeOxなどの金属酸化物又は金属窒
化物でもよい。
珪素SiOx(xは原子比を示す)が特に有効である
が、LiOx,LiNx,NaOx,KOx,Rb
Ox,CsOx,BeOx,MgOx,MgNx,Ca
Ox,CaNx,SrOx,BaOx,ScOx,YO
x,YNx,LaOx,LaNx,CeOx,Pr
Ox,NdOx,SmOx,EuOx,GdOx,Tb
Ox,DyOx,HoOx,ErOx,TmOx,Yb
Ox,LuOx,TbOx,DyOx,HoOx,Er
Ox,TmOx,YbOx,LuOx,TiO x,Zr
Ox,ZrNx,HfOx,HfNx,ThOx,VO
x,VNx,NbOx,NbNx,TaOx,Ta
Nx,CrOx,CrNx,MoOx,MoNx,WO
x,WNx,MnOx,ReOx,FeOx,Fe
Nx,RuOx,OsOx,CoOx,RhOx,Ir
Ox,NiOx,PdOx,PtOx,CuOx,Cu
Nx,AgOx,AuOx,ZnOx,CdOx,Hg
Ox,BOx,BNx,AlOx,AlNx,Ga
Ox,GaNx,InO x,SiNx,GeOx,Sn
Ox,PbOx,POx,PNx,AsOx,Sb
Ox,SeOx,TeOxなどの金属酸化物又は金属窒
化物でもよい。
【手続補正4】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図16
【補正方法】変更
【補正内容】
【図16】
フロントページの続き (72)発明者 中馬 隆 埼玉県鶴ヶ島市富士見6丁目1番1号パイ オニア株式会社総合研究所内 (72)発明者 根岸 伸安 埼玉県鶴ヶ島市富士見6丁目1番1号パイ オニア株式会社総合研究所内 (72)発明者 岩崎 新吾 埼玉県鶴ヶ島市富士見6丁目1番1号パイ オニア株式会社総合研究所内 (72)発明者 吉澤 淳志 埼玉県鶴ヶ島市富士見6丁目1番1号パイ オニア株式会社総合研究所内 (72)発明者 山田 高士 埼玉県鶴ヶ島市富士見6丁目1番1号パイ オニア株式会社総合研究所内 (72)発明者 柳沢 秀一 埼玉県鶴ヶ島市富士見6丁目1番1号パイ オニア株式会社総合研究所内 (72)発明者 酒村 一到 埼玉県鶴ヶ島市富士見6丁目1番1号パイ オニア株式会社総合研究所内
Claims (5)
- 【請求項1】 オーミック電極上に形成された金属又は
半導体からなる電子供給層、前記電子供給層上に形成さ
れた絶縁体層及び前記絶縁体層上に形成された金属薄膜
電極からなり、前記電子供給層及び前記金属薄膜電極間
に電界を印加し電子を放出する電子放出素子であって、
前記電子供給層はシリサイド層を有することを特徴とす
る電子放出素子。 - 【請求項2】 前記シリサイド層は前記オーミック電極
と前記電子供給層との界面または前記絶縁体層と前記電
子供給層との界面または前記電子供給層の中間に設けら
れていることを特徴とする請求項1記載の電子放出素
子。 - 【請求項3】 前記電子供給層と前記シリサイド層とは
交互に複数積層されていることを特徴とする請求項1記
載の電子放出素子。 - 【請求項4】 前記シリサイド層は漸次拡大又は縮小し
た膜厚を有することを特徴とする請求項2記載の電子放
出素子。 - 【請求項5】 真空空間を挾み対向する一対の第1及び
第2基板と、 前記第1基板に設けられた複数の電子放出素子と、 前記第2基板内に設けられたコレクタ電極と、 前記コレクタ電極上に形成された蛍光体層と、からなる
電子放出表示装置であって、 前記電子放出素子の各々は、オーミック電極上に形成さ
れた金属又は半導体からなる電子供給層、前記電子供給
層上に形成された絶縁体層及び前記絶縁体層上に形成さ
れた金属薄膜電極からなり、前記電子供給層はシリサイ
ド層を有することを特徴とする電子放出表示装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9215134A JPH1167063A (ja) | 1997-08-08 | 1997-08-08 | 電子放出素子及びこれを用いた表示装置 |
EP98114906A EP0896355B1 (en) | 1997-08-08 | 1998-08-07 | Electron emission device and display device using the same |
US09/131,339 US6316873B1 (en) | 1997-08-08 | 1998-08-07 | Electron emission device and display device using the same |
US09/131,339 US20010040430A1 (en) | 1997-08-08 | 1998-08-07 | Electron emission device and display device using the same |
DE69805028T DE69805028T2 (de) | 1997-08-08 | 1998-08-07 | Elektronenemissionsvorrichtung und Anzeigevorrichtung unter Verwendung derselben |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9215134A JPH1167063A (ja) | 1997-08-08 | 1997-08-08 | 電子放出素子及びこれを用いた表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1167063A true JPH1167063A (ja) | 1999-03-09 |
Family
ID=16667276
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9215134A Pending JPH1167063A (ja) | 1997-08-08 | 1997-08-08 | 電子放出素子及びこれを用いた表示装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6316873B1 (ja) |
EP (1) | EP0896355B1 (ja) |
JP (1) | JPH1167063A (ja) |
DE (1) | DE69805028T2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019009000A (ja) * | 2017-06-26 | 2019-01-17 | シャープ株式会社 | 電子放出素子、電子放出装置、電子放出素子の製造方法、及び、電子放出素子を備える装置 |
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KR20080043540A (ko) * | 2006-11-14 | 2008-05-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자 방출 디바이스, 발광 장치 및 표시 장치 |
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JP7234099B2 (ja) * | 2019-11-12 | 2023-03-07 | 株式会社東芝 | 電子放出素子 |
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DE1252818B (ja) * | 1962-03-22 | 1900-01-01 | ||
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-
1997
- 1997-08-08 JP JP9215134A patent/JPH1167063A/ja active Pending
-
1998
- 1998-08-07 EP EP98114906A patent/EP0896355B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-08-07 DE DE69805028T patent/DE69805028T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1998-08-07 US US09/131,339 patent/US6316873B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-08-07 US US09/131,339 patent/US20010040430A1/en active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2019009000A (ja) * | 2017-06-26 | 2019-01-17 | シャープ株式会社 | 電子放出素子、電子放出装置、電子放出素子の製造方法、及び、電子放出素子を備える装置 |
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