KR20060020017A - 전자 방출 소자와 이의 제조 방법 - Google Patents

전자 방출 소자와 이의 제조 방법 Download PDF

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KR20060020017A
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Abstract

본 발명은 전자 방출을 일으키기 위한 구동 전압은 상승시키지 않으면서 전자 방출량을 증가시킬 수 있는 전자 방출 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 전자 방출 소자는 기판과; 기판 위에 형성되는 제1 전극과; 제1 전극에 전기적으로 연결되는 전자 방출부와; 제1 전극과 실질적으로 다른 층에 위치하고, 동일 전압을 인가받으면서 전자 방출부로부터 전자 방출에 필요한 전계를 형성하는 제2 및 제3 전극들과; 제1 전극과 실질적으로 같은 층에 위치하면서 제2 및 제3 전극들에 인가되는 전압과 동일한 전압을 인가받는 제4 전극을 포함한다.
캐소드전극, 게이트전극, 주사전극, 데이터전극, 전자방출부, 애노드전극, 형광층

Description

전자 방출 소자와 이의 제조 방법 {ELECTRON EMISSION DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 방출 소자를 도시한 부분 분해 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 방출 소자의 부분 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 방출 소자에 있어서 제1 게이트 전극과 제2 게이트 전극의 단부를 도시한 부분 사시도이다.
도 4는 캐소드-게이트 전극간 전압 차(Vcg)에 따른 평균 전류(IA) 특성을 나타낸 그래프이다.
도 5a 내지 도 5e는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 방출 소자의 제조 방법을 설명하기 위해 도시한 각 단계에서의 개략도이다.
본 발명은 전자 방출 소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 전자 방출부로부터 전자를 방출시키기 위한 전자 인출 전극의 구조를 개선한 전자 방출 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 전자 방출 소자(electron emission device)는 전자원으로 열음극을 이용하는 방식과 냉음극을 이용하는 방식이 있다. 이 가운데 냉음극을 이용하는 방식의 전자 방출 소자로는 FEA(Field Emitter Array)형, MIM(Metal-Insulator- Metal)형, MIS(Metal-Insulator-Semiconductor)형 및 SCE(Surface Conduction Emitter)형 등이 알려져 있다.
상기 MIM형과 MIS형 전자 방출 소자는 각각 금속/절연층/금속(MIM)과 금속/절연층/반도체(MIS) 구조로 이루어진 전자 방출부를 형성하고, 절연층을 사이에 두고 위치하는 두 전극 또는 금속과 반도체 사이에 전압을 인가할 때 높은 전자 전위를 갖는 금속 또는 반도체로부터 낮은 전자 전위를 갖는 금속쪽으로 전자가 이동 및 가속되면서 방출되는 원리를 이용한다.
상기 SCE형 전자 방출 소자는 일 기판 위에 서로 마주보며 배치된 제1 전극과 제2 전극 사이에 도전 박막을 제공하고 이 도전 박막에 미세 균열을 제공함으로써 전자 방출부를 형성하고 있으며, 양 전극에 전압을 인가하여 도전 박막의 표면으로 전류가 흐를 때 전자 방출부로부터 전자가 방출되는 원리를 이용한다.
그리고 상기 FEA형 전자 방출 소자는 일 함수(work function)이 낮거나 종횡비(aspect ratio)가 높은 물질을 전자원으로 사용할 경우 진공 중에서 전계에 의해 쉽게 전자가 방출되는 원리를 이용한 것으로서, 몰리브덴(Mo) 또는 실리콘(Si) 등을 주 재질로 하는 선단이 뾰족한 팁 구조물이나 카본 나노튜브, 흑연, 다이아몬드상 카본과 같은 카본계 물질을 전자원으로 적용한 예가 개발되고 있다.
이와 같이 냉음극을 이용하는 전자 방출 소자는 진공 용기를 구성하는 두 기판 중 제1 기판 위에 전자 방출부와 더불어 전자 방출부의 전자 방출을 제어하는 전자 인출 전극들을 구비하며, 제2 기판 위에 형광층과 더불어 제1 기판 측에서 방출된 전자들이 형광층을 향해 효율적으로 가속되도록 하는 전자 가속 전극을 구비하여 소정의 발광 또는 표시 작용을 하게 된다.
가령 상기한 FEA형 전자 방출 소자는 제1 기판 위에 전자 인출 전극으로서 캐소드 전극과 게이트 전극을 구비하고, 제2 기판 위에 전자 가속 전극으로서 애노드 전극을 구비한 이른바 3극관 구조로 이루어진다. 상기 캐소드 전극과 게이트 전극은 통상의 경우 서로 다른 층에 위치하며, 별도의 전압이 인가되어 캐소드 전극과 전기적으로 연결된 전자 방출부로부터 전자가 방출되도록 하는 구성을 지니고 있다.
상기 FEA형 전자 방출 소자에서는 전자 방출부의 전자 방출량이 전자 방출부 주위에 형성되는 전계의 세기(E)에 대해 지수적으로(exponentially) 증가하는 관계가 있으며, 여기에서 전계의 세기(E)는 게이트 전극에 인가되는 전압에 비례하는 관계를 지닐 수 있다.
그런데 상기한 관점에 비추어 지금까지 알려진 전자 방출 소자에서는 게이트 전극의 구조적인 한계로 인해 전계의 세기를 극대화할 수 없어 상기 전자 방출부에서 나오는 전류량을 크게 하지 못하였으며, 이로 인해 고휘도 화면 구현이 어려운 문제가 있다.
물론, 게이트 전극에 인가되는 전압을 크게 함으로써 상기한 문제를 해소할 수 있겠으나, 이러한 경우에는 소비 전력의 상승으로 전자 방출 소자의 대중적 사용을 어렵게 하며, 고가의 구동 드라이버를 사용해야 하므로 전자 방출 소자의 제조 원가를 상승시키는 부작용을 낳게 된다.
따라서 본 발명은 상기한 문제점을 해소하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 전자 방출을 일으키기 위한 구동 전압은 상승시키지 않으면서 전자 방출량을 증가시킬 수 있는 전자 방출 소자 및 이의 제조 방법을 제공하는데 있다.
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,
기판과, 기판 위에 형성되는 제1 전극과, 제1 전극에 전기적으로 연결되는 전자 방출부와, 제1 전극과 실질적으로 다른 층에 위치하고, 동일 전압을 인가받으면서 전자 방출부로부터 전자 방출에 필요한 전계를 형성하는 제2 및 제3 전극들을 포함하는 전자 방출 소자를 제공한다.
상기 전자 방출 소자는 제1 전극과 실질적으로 같은 층에 위치하면서 제2 및 제3 전극들에 인가되는 전압과 동일한 전압을 인가받는 제4 전극을 더욱 포함할 수 있다. 이 경우, 제2 전극과 제4 전극 사이에 제1 절연층이 형성되고, 제4 전극은 제1 절연층에 형성된 비아 홀(via hole)을 통해 제2 전극과 접촉할 수 있다.
상기 제1 전극은 제2 및 제3 전극들 사이에 배치되며, 제2 전극이 제3 전극보다 상기 기판에 근접 배치된다.
상기 제2 전극과 제3 전극 중 적어도 하나의 전극이 상기 기판의 일 방향을 따라 스트라이프 패턴을 이루면서 임의의 간격을 두고 기판 위에 각각 복수로 형성될 수 있다.
또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,
기판과, 기판 위에 형성되는 캐소드 전극과, 캐소드 전극에 전기적으로 연결되는 전자 방출부와, 캐소드 전극과 실질적으로 다른 층에 위치하고, 동일 전압을 인가받으면서 전자 방출부로부터 전자 방출에 필요한 전계를 형성하는 복수의 게이트 전극들을 포함하는 전자 방출 소자를 제공한다.
상기 게이트 전극들은 제1 절연층을 사이에 두고 캐소드 전극 하부에 위치하는 제1 게이트 전극과, 제2 절연층을 사이에 두고 캐소드 전극 상부에 위치하는 제2 게이트 전극을 포함한다. 제1 게이트 전극과 제2 게이트 전극은 단부가 서로 접촉하여 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 전자 방출 소자는 캐소드 전극과 실질적으로 같은 층에 위치하면서 제1 절연층에 형성된 비아 홀(via hole)을 통해 제1 게이트 전극과 접촉하는 대향 전극을 더욱 포함할 수 있다.
또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,
기판과, 기판 위에 형성되는 주사 전극과, 주사 전극에 전기적으로 연결되는 전자 방출부와, 주사 전극과 실질적으로 다른 층에 위치하고, 동일 전압을 인가받으면서 전자 방출부로부터 전자 방출에 필요한 전계를 형성하는 복수의 데이터 전극들을 포함하는 전자 방출 소자를 제공한다.
또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,
기판과, 기판 위에 형성되고 소정의 전위가 인가되는 전자 방출부와, 전자 방출부를 사이에 두고 샌드위치 상으로 위치하는 전자 인출 전극을 포함하는 전자 방출 소자를 제공한다.
상기에서 전자 인출 전극은 전자 방출부와 전기적으로 연결되는 캐소드 전극과, 캐소드 전극과 실질적으로 다른 층에 위치하고, 동일 전압을 인가받으면서 전자 방출부로부터 전자 방출에 필요한 전계를 형성하는 복수의 게이트 전극들을 포함한다.
또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,
기판 위에 제1 게이트 전극들을 형성하는 단계와, 제1 게이트 전극들을 덮으면서 기판 전체에 제1 절연층을 형성하고, 제1 절연층을 부분 식각하여 비아 홀(via hole)을 형성하는 단계와, 제1 절연층 위에 도전막을 형성하고 이를 패터닝하여 캐소드 전극들과, 비아 홀을 통해 제1 게이트 전극과 접촉하는 대향 전극을 형성하는 단계와, 캐소드 전극과 대향 전극 및 제1 절연층 위로 제1 절연층과 서로 다른 식각률을 갖는 제2 절연층을 형성하는 단계와, 제2 절연층 위에 도전막을 형성하고 이를 패터닝하여 개구부를 갖는 제2 게이트 전극들을 형성하는 단계와, 개구부에 의해 노출된 제2 절연층 부위를 부분 식각하여 제2 절연층의 개구부를 형성하는 단계를 포함하는 전자 방출 소자의 제조 방법을 제공한다.
이하, 첨부한 도면을 참고하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 방출 소자의 부분 분해 사시도이 고, 도 2는 도 1의 조립 상태를 나타내는 부분 단면도이다.
도면을 참고하면, 전자 방출 소자는 임의의 크기를 갖는 제1 기판(10)과 제2 기판(30)을 내부 공간부가 형성되도록 소정의 간격을 두고 실질적으로 평행하게 배치하고, 이들을 하나로 접합시킴으로써 전자 방출 소자의 외관인 진공 용기를 구성하고 있다. 상기 기판들(10, 30) 중 제1 기판(10)에는 전자 방출을 위한 구성이 제공되고, 제2 기판(30)에는 전자에 의해 가시광을 방출하여 임의의 발광 또는 표시를 행하는 구성이 제공된다.
먼저, 제1 기판(10) 위에는 제1 전극인 캐소드 전극들(16)과 제2 전극인 제1 게이트 전극들(12)이 제1 절연층(14)을 사이에 두고 위치하며, 제1 게이트 전극들(12)이 캐소드 전극들(16)보다 제1 기판(10)에 근접 배치된다.
상기 캐소드 전극들(16)은 소정의 패턴, 가령 스트라이프 형상을 취하면서 서로간 임의의 간격을 두고 제1 기판(10)의 일 방향(도면의 x축 방향)을 따라 복수로 형성되며, 제1 절연층(14)은 제1 게이트 전극들(12)을 덮으면서 제1 기판(10) 전체에 형성된다. 제1 게이트 전극들(12)은 소정의 패턴, 가령 스트라이프 형상을 취하면서 서로간 임의의 간격을 두고 캐소드 전극(16)과 교차하는 방향(도면의 y축 방향)을 따라 복수로 형성된다.
그리고 캐소드 전극(16)에는 이와 전기적으로 연결될 수 있도록 적어도 일부가 캐소드 전극(16)과 접촉하며 위치하는 전자 방출부(18)가 형성된다. 전자 방출부(18)는 제1 기판(10) 상에 설정되는 화소 영역에 대응하여 각기 마련될 수 있는데, 본 실시예에서 화소 영역은 제1 게이트 전극(12)과 캐소드 전극(16)의 교차 영 역으로 정의할 수 있다. 상기 전자 방출부(18)는 도면에서와 같이 각 화소 위치에 맞추어 캐소드 전극(16)의 일측 가장자리에 위치하면서 캐소드 전극(16)에 적어도 한 측면이 둘러싸이도록 형성될 수 있다.
본 실시예에서 전자 방출부(18)는 전계가 가해지면 전자를 방출하는 물질들, 가령 카본계 물질 또는 나노미터(nm) 사이즈 물질로 이루어진다. 전자 방출부(18)로 사용 바람직한 물질로는 카본 나노튜브, 그라파이트, 그라파이트 나노파이버, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본, C60, 실리콘 나노와이어 중 어느 하나 또는 이들의 조합 물질이 있으며, 그 제조법으로는 스크린 인쇄, 화학기상증착, 직접 성장 또는 스퍼터링 등을 적용할 수 있다.
상기 캐소드 전극(16)과 제1 절연층(14) 위에는 제2 절연층(22)이 형성되고, 제2 절연층(22) 위로 제3 전극인 제2 게이트 전극(24)이 형성된다. 제2 절연층(22)과 제2 게이트 전극(24)은 전자 방출부(18)를 노출시키는 각자의 개구부(22a, 24a)를 가지면서 위치한다. 제2 게이트 전극(24)은 도면에서와 같이 제2 절연층(22) 위에 소정의 패턴, 가령 스트라이프 형상을 취하면서 서로간 임의의 간격을 두고 제1 기판(10)의 일 방향(도면의 y축 방향)을 따라 복수로 형성된다.
상기 제2 게이트 전극(24)은 제1 게이트 전극(12)과 전기적으로 연결되어 이와 동일한 전압을 인가받으며, 제1 게이트 전극(12)과 함께 전자 방출부(18)로부터 전자 방출에 필요한 전계를 형성하는 역할을 한다. 이러한 제2 게이트 전극(24)은 제1 게이트 전극(12)과 일대일로 대응 배치되도록 제1 게이트 전극(12) 위치에 맞 추어 제1 게이트 전극(12)과 평행하게 배치되는 것이 바람직하다.
그리고 제1 기판(10) 위에는 제1 게이트 전극(12)의 전계를 제1 절연층(14) 위로 끌어올리는 제4 전극인 대향 전극(20)이 위치한다. 대향 전극(20)은 캐소드 전극들(16) 사이에서 전자 방출부(18)와 임의의 간격을 두고 위치하고, 제1 절연층(14)에 형성된 비아 홀(via hole, 14a)을 통해 제1 게이트 전극(12)과 접촉하여 이와 전기적으로 연결된다. 이러한 대향 전극(20)은 전자 방출부(18)와 마찬가지로 제1 기판(10) 상에 설정된 화소 영역에 대응하여 각기 마련될 수 있으며, 그 일부가 제1 절연층(14) 위에 형성되어 캐소드 전극(16)과 같은 층에 위치한다.
상기 제2 절연층(22)과 제2 게이트 전극(24)의 개구부(22a, 24a)는 제1 기판(10) 상에 설정된 화소 영역에 대응하여 각기 마련될 수 있으며, 전자 방출부(18)와 더불어 대향 전극(20)의 일부 또는 전체를 노출시키도록 형성된다. 도면에서는 제2 절연층(22)과 제2 게이트 전극(24)의 개구부(22a, 24a)가 사각의 평면 형상을 갖는 경우를 도시하였으나, 개구부(22a, 24a)의 평면 형상과 그 개수는 도시한 예에 한정되지 않고 다양하게 변형 가능하다.
상기 제2 게이트 전극(24)은 전자 방출부(18)에 보다 가깝게 위치할수록 전자 방출부(18)에 미치는 전계 세기를 크게 할 수 있다. 이로써 제2 절연층(22)과 제2 게이트 전극(24)은 가능한 작은 크기의 개구부(22a, 24a)를 형성하는 것이 바람직하다. 일례로 제2 절연층(22)과 제2 게이트 전극(24)의 개구부(22a, 24a)는 그 중심에 전자 방출부(18)가 위치하도록 하면서 전자 방출부(18)와 마주보는 대향 전극(20)의 일부만을 노출시키면서 형성될 수 있다.
상기 각각의 제2 게이트 전극(24)은 이에 대응하는 제1 게이트 전극(12)과 전기적으로 연결되는 구성을 가지며, 도 3에 상기 구성을 실현하기 위한 구체적인 실시예를 도시하였다.
도 3은 제1 게이트 전극과 제2 게이트 전극의 단부를 도시한 전자 방출 소자의 부분 사시도이다. 도면을 참고하면, 제1 게이트 전극(12)은 그 단부가 제1 및 제2 절연층(14, 22) 밖으로 노출되도록 형성되며, 제2 게이트 전극(24)은 그 단부가 제2 절연층(22)의 측면과 제1 절연층(14)의 측면 및 제1 게이트 전극(12)의 윗면에 걸치도록 연장되어 제1 게이트 전극(12)과의 접촉을 통해 이와 전기적으로 연결될 수 있다.
이와 같이 제1 기판(10) 위에는 전자 방출부(18)와 더불어 전자 방출부(18)의 전자 방출을 제어하는 전자 인출 전극이 위치하는데, 본 실시예에서 전자 인출 전극은 캐소드 전극(16)과, 캐소드 전극(16)을 사이에 두고 캐소드 전극(16)의 하부와 상부에 각각 위치하는 제1 및 제2 게이트 전극(12, 24)과, 캐소드 전극(16)과 같은 층에 위치하는 대향 전극(20)으로 구성된다. 이와 같이 제1 및 제2 게이트 전극(12, 24)과 대향 전극(20)은 샌드위치 상으로 위치하여 전자 방출 소자 구동시 전자 방출부(18)의 상부와 하부 및 측부에서 동시에 전자 방출에 필요한 전계를 형성한다.
한편, 상기에서 전극들간 절연을 위해 제공되는 제1 및 제2 절연층(14, 22)은 이종(異種)의 물질로 이루어지며, 보다 상세하게는 임의의 식각액 또는 식각가스에 대하여 서로 다른 식각률을 갖는 물질로 이루어진다. 이러한 식각률 차이는 제2 절연층(22)을 부분 식각하여 개구부(22a)를 형성할 때, 제1 절연층(14)이 함께 식각되어 그 형태가 손상되는 것을 방지하기 위한 것으로서, 바람직하게 제2 절연층(22)의 식각액 또는 식각가스에 대해 제1 절연층(14)의 식각률은 제2 절연층(22) 식각률의 1/3배 이하로 이루어진다.
그리고 제2 절연층(22)과 캐소드 전극(16) 또한 임의의 식각액 또는 식각가스에 대해 서로 다른 식각률을 갖는 물질로 이루어진다. 이 또한 제2 절연층(22)을 부분 식각하여 개구부(22a)를 형성할 때, 캐소드 전극(16)이 함께 식각되어 그 형태가 손상되는 것을 방지하기 위한 것으로서, 바람직하게 제2 절연층(22)의 식각액 또는 식각가스에 대해 캐소드 전극(16)의 식각률은 제2 절연층(22) 식각률의 1/10배 이하로 이루어진다.
일례로 제2 절연층(22)이 플루오르화수소(HF)를 포함하는 식각액에 의해 식각되어 개구부(22a)를 형성할 때, 캐소드 전극(16)의 구성 물질은 상기한 식각률 조건을 만족하는 금속, 가령 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.
이 때, 대향 전극(20) 또한 캐소드 전극(16)과 마찬가지로 그 일부가 제2 절연층(22)의 개구부(22a)에 의해 노출되는 구조로 이루어지므로, 대향 전극(20)도 제2 절연층(22)의 패터닝 과정에서 그 형태가 손상되는 것을 방지하기 위해서는 제2 절연층(22)의 식각액 또는 식각가스에 대해 캐소드 전극(16)과 동일한 식각률 조건을 만족하도록 형성된다. 즉, 대향 전극(20)은 바람직하게 전술한 캐소드 전극(16)의 구성 물질과 동일한 물질로 이루어진다.
다음으로, 제1 기판(10)에 대향하는 제2 기판(30)의 일면에는 형광층(32), 예를 들어 적색과 녹색 및 청색의 형광층이 임의의 간격을 두고 형성되고, 형광층(32) 사이로 화면의 컨트라스트 향상을 위한 흑색층(34)이 형성될 수 있다. 형광층(32)과 흑색층(34) 위로는 증착에 의한 금속막(예를 들어 알루미늄막)으로 이루어지는 애노드 전극(36)이 형성된다. 애노드 전극(36)은 외부로부터 전자빔 가속에 필요한 전압을 인가받으며, 메탈 백(metal back) 효과에 의해 화면의 휘도를 높이는 역할을 한다.
한편, 애노드 전극은 금속막이 아닌 투명한 도전막, 예를 들어 ITO막으로 이루어질 수 있다. 이 경우 제2 기판(30) 위로 투명한 도전막으로 이루어진 애노드 전극(도시하지 않음)을 먼저 형성하고, 그 위에 형광층(32)과 흑색층(34)을 형성하며, 필요에 따라 형광층(32)과 흑색층(34) 위에 금속막을 형성하여 화면의 휘도를 높이는데 이용할 수 있다. 이러한 애노드 전극은 제2 기판(30) 전체에 형성되거나, 소정의 패턴으로 구분되어 복수개로 형성될 수 있다.
상기한 구성의 제1 기판(10)과 제2 기판(30)은, 제2 게이트 전극(24)과 애노드 전극(36)이 서로 마주한 상태에서 임의의 간격을 두고 그 둘레에 도포되는 프릿(frit)과 같은 실링부(40, 도 3 참고)에 의해 접합되며, 그 사이에 형성되는 내부 공간을 배기시켜 진공 상태로 유지함으로써 전자 방출 소자를 구성한다. 이 때, 제1 기판(10)과 제2 기판(30) 사이의 비발광 영역에는 다수의 스페이서(42, 도 2 참고)가 배치되어 양 기판(10, 30) 사이의 간격을 일정하게 유지시킨다.
이와 같이 구성되는 전자 방출 소자에서 캐소드 전극(16)과 제1 게이트 전극 (12)에 소정의 구동 전압을 인가하면, 제2 게이트 전극(24)과 대향 전극(20)이 제1 게이트 전극(12)과 전기적으로 연결되어 있음으로 인해 이들 전극에도 제1 게이트 전극(12)과 동일한 구동 전압이 인가된다. 일례로 상기 캐소드 전극(16)에는 수~수십 볼트의 (-)주사 전압이 인가되고, 제1 게이트 전극(12)에는 수~수십 볼트의 (+)데이터 전압이 인가되어 캐소드 전극(16)이 주사 전극으로 이용되고, 제1 및 제2 게이트 전극(12, 24)이 데이터 전극으로 이용될 수 있다. 주사 전압과 데이터 전압의 수치는 전술한 예에 한정되지 않고 다양하게 변형 가능하다.
따라서 캐소드 전극(16)과 제1 게이트 전극(12)간 전위 차에 의해 전자 방출부(18) 하부에서 전자 방출을 위한 전계가 형성되고, 캐소드 전극(16)과 대향 전극(20)간 전위 차에 의해 전자 방출부(18) 측부에서 전자 방출을 위한 전계가 형성되며, 캐소드 전극(16)과 제2 게이트 전극(24)간 전위 차에 의해 전자 방출부(18) 상부에서 전자 방출을 위한 전계가 동시에 형성되어 이로부터 전자가 방출된다. 그리고 방출된 전자들은 애노드 전극(36)에 인가된 고전압에 이끌려 제2 기판(30)으로 향하면서 해당 화소의 형광층(32)에 충돌하여 이를 발광시킨다.
상기 전자 방출부(18)에 가해지는 전계와 전자 방출량의 관계를 기술하는 파울러-노드하임(Fowler-Nordheim) 식에 의하면, 전자 방출량은 전계 세기에 대해 지수적으로(exponentially) 증가하는 관계를 가진다. 그리고 캐소드 전압을 0V로 가정하고, 애노드 전압에 의한 전계 방출 효과가 미비하다고 가정하면, 본 실시예에서 전자 방출부(18)에 인가되는 전계 세기(E)는 게이트 전압(Vg)에 대해 다음의 관계식을 가진다.
E=(β1×Vg)+(β2×Vg)+(β3×Vg)
여기서, β1은 제1 게이트 전극(12)에 의한 비례 상수이고, β2는 대향 전극(20)에 의한 비례 상수이며, β3는 제2 게이트 전극(24)에 의한 비례 상수를 나타낸다.
이와 같이 본 실시예의 전자 방출 소자에서 캐소드 전극(16)과의 전위 차를 이용해 전자 방출에 필요한 전계를 형성하는 전극이 3개 있으며, 이들 3개의 전극은 각기 다른 층에 위치하여 전자 방출부(18)의 상부와 하부 및 측부에서 전계를 동시에 형성한다. 이에 따라, 본 실시예의 전자 방출 소자는 종래의 전자 방출 소자와 동일한 게이트 전압(Vg)을 사용하는 조건에서 전자 방출부(18)에 인가되는 전계 세기를 극대화할 수 있으며, 그 결과 구동 전압을 높이지 않고도 전자 방출량을 증가시키는 효과를 갖는다.
특히 상기에서 전자 방출량의 증가율은 제2 게이트 전극(24)에 의한 비례 상수하는 관계를 가지며, β3는 일반적으로 제2 게이트 전극(24)이 전자 방출부(18)에 가깝게 위치할수록 커지므로, 이를 고려할 때 제2 절연층(22)과 제2 게이트 전극(24)은 전술한 바와 같이 개구부(22a, 24a) 크기를 가능한 작게 형성하여 전자 방출량 증가율을 최대화하는 구조를 이룬다.
도 4는 캐소드-게이트 전극간 전압 차(Vcg)에 따른 평균 전류(IA) 특성을 나타낸 그래프로서, 실시예 1과 실시예 2 및 비교예의 곡선이 각각의 경우 해당 전압 조건에서 발생하는 전자 방출량을 나타낸다. 실험에 사용된 전자 방출 소자에서 애노드 전압은 700V이고, 전자 방출부와 대향 전극간 거리는 대략 평균 30㎛이다.
도면에서 실시예 1은 제2 게이트 전극(24)에 x축 및 y축 방향을 따라 각각 40＞90㎛ 크기의 개구부(24a)를 형성한 경우이고, 실시예 2는 제2 게이트 전극(24)에 x축 및 y축 방향을 따라 각각 100＞120㎛ 크기의 개구부(24a)를 형성한 경우이며, 비교예는 제2 절연층과 제2 게이트 전극을 형성하지 않은 경우이다.
도면을 참고하면, 제2 게이트 전극(24)이 작은 크기의 개구부(24a)를 형성할수록 전자 방출량이 증가하는 것을 알 수 있으며, 목적하는 수준의 전자 방출량을 얻기 위한 실시예 1의 구동 전압은 비교예 및 실시예 2와 비교하여 상대적으로 감소한 것을 알 수 있다. 따라서 본 실시예의 전자 방출 소자는 구동 전압을 높이지 않고도 전자 방출량을 크게 증가시키는 효과가 있으며, 이는 곧 소비 전력을 낮추고, 고가의 구동 드라이버를 사용하지 않음에 따른 원가 감소 효과로 이어진다.
다음으로 도 5a 내지 도 5e를 참고하여 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 방출 소자의 제조 방법에 대해 설명한다.
먼저, 도 5a에 도시한 바와 같이 제1 기판(10) 위에 제1 기판(10)의 일 방향을 따라 제1 게이트 전극(12)을 스트라이프 패턴으로 형성하고, 제1 게이트 전극(12)을 덮으면서 제1 기판(10) 전체에 제1 절연층(14)을 형성한다. 제1 절연층(14)은 스크린 인쇄를 수회 반복하여 형성할 수 있다. 그리고 대향 전극을 형성하기 위하여 제1 절연층(14) 위에 도시하지 않은 포토레지스트 패턴을 형성하고, 이를 통해 제1 절연층(14)을 부분 식각하여 비아 홀(14a)을 형성한 다음, 포토레지스트 패 턴을 박리하여 제거한다.
이어서 도 5b에 도시한 바와 같이, 제1 절연층(14) 위에 도전막을 형성하고, 이를 패터닝하여 캐소드 전극(16)과 대향 전극(20)을 형성한다. 캐소드 전극(16)과 대향 전극(20)의 구성 물질로는 이후 진행되는 제2 절연층의 식각 공정과 고온 소성 공정을 고려하여, 제2 절연층 식각률의 1/10 이하의 식각률을 가지면서 열에 의한 산화 또는 열화가 적은 재료를 사용한다. 이를 만족하는 캐소드 전극(16)과 대향 전극(20)의 구성 물질로는 알루미늄(Al), 크롬(Cr) 또는 몰리브덴(Mo) 등이 있다.
다음으로 도 5c에 도시한 바와 같이, 캐소드 전극(16)과 대향 전극(20)이 형성된 제1 절연층(14) 위로 제2 절연층(22)을 형성한다. 제2 절연층(22)은 제1 절연층(14)과의 식각률 차이가 큰 절연 물질, 바람직하게 임의의 식각액 또는 식각가스에 대해 제1 절연층(14)의 식각률보다 3배 이상 큰 식각률을 갖는 물질로 형성한다.
그리고 제2 절연층(22) 위에 도전막을 형성하고 이를 패터닝하여 제1 게이트 전극(12)과 평행한 스트라이프 형상을 가짐과 아울러, 그 내부에 개구부(24a)를 갖는 제2 게이트 전극(24)을 형성한다. 이 때, 제1 게이트 전극(12)의 단부가 제1 및 제2 절연층(14, 22) 밖에 노출되도록 제1 및 제2 절연층(14, 22)을 형성하고, 제2 게이트 전극(24)의 단부가 제1 및 제2 절연층(14, 22)의 측면을 거쳐 제1 게이트 전극(12)의 윗면에 걸쳐 형성되도록 제2 게이트 전극(24)을 형성하여 두 게이트 전극(12, 24)이 전기적으로 연결되도록 한다.
이어서 식각액 또는 식각가스를 이용하여 제2 절연층(22)을 부분 식각함으로써 도 5d에 도시한 바와 같이 개구부(22a)를 형성한다. 상기 개구부(22a)를 형성할 때에는 일례로 플루오르화수소(HF)가 포함된 식각액을 사용할 수 있으며, 이 때 제2 절연층(22)의 식각액에 대한 제1 절연층(14)의 식각률은 제2 절연층(22) 식각률의 1/3배 이하이므로, 제2 절연층(22)을 식각하여 개구부(22a)를 형성할 때 제1 절연층(14)의 손상을 최소화할 수 있다.
또한 전술한 제2 절연층(22)의 식각액에 대해 캐소드 전극(16) 및 대향 전극(20)의 식각률이 제2 절연층(22) 식각률의 1/10배 이하이므로, 제2 절연층(22)을 부분 식각하여 개구부(22a)를 형성할 때, 캐소드 전극(16)과 대향 전극(20)의 손상을 최소화할 수 있다.
다음으로 도 5e에 도시한 바와 같이 캐소드 전극(16)의 일측 가장자리에 전자 방출 물질, 가령 카본 나노튜브, 그라파이트, 그라파이트 나노파이버, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본, C60 및 실리콘 나노와이어 중 어느 하나 또는 이들의 조합 물질을 도포하여 전자 방출부(18)를 형성한다.
상기 전자 방출부(18)를 형성할 때에는 상기 전자 방출 물질에 비히클, 바인더 등의 유기물을 혼합하여 인쇄에 적합한 점도를 갖는 페이스트를 제작하고, 이를 스크린 인쇄, 건조 및 소성하는 과정이 적용될 수 있다. 또한 상기 페이스트에 감광성 물질을 포함시키고, 감광성 페이스트를 제1 기판(10) 전체에 스크린 인쇄한 후 포토 마스크(도시하지 않음)을 개재한 상태에서 노광을 통해 이를 부분적으로 경화시킨 다음 현상하는 과정이 적용될 수 있다.
상기한 과정을 통해 완성된 제1 기판(10)은 형광층(32)과 흑색층(34) 및 애노드 전극(36)이 형성된 제2 기판(30)과 조립되고, 그 내부가 배기되어 전자 방출 소자를 구성한다. 상기 제2 기판(30)에 대한 형광층(32)과 흑색층(34) 및 애노드 전극(36)의 제조 공정과, 두 기판(10, 30)의 조립 공정에 대해서는 자세한 설명을 생략한다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다. 다시 말해, 상기에서는 전자 방출 소자로 FEA형 전자 방출 소자를 예로 하여 설명하였으나, 본 발명은 FEA형에 한정되지 않고 다양하게 변형 가능하다.
이와 같이 본 발명에 의한 전자 방출 소자는 구동 전압을 높이지 않고도 전자 방출량을 크게 증가시키는 효과가 있다. 그 결과, 본 발명에 의한 전자 방출 소자는 화면의 휘도와 색재현율을 높이고, 소비 전력을 낮추며, 고가의 구동 드라이버를 사용하지 않음에 따른 원가 감소 효과를 갖는다.

Claims (30)

  1. 기판과;
    상기 기판 위에 형성되는 제1 전극과;
    상기 제1 전극에 전기적으로 연결되는 전자 방출부; 및
    상기 제1 전극과 실질적으로 다른 층에 위치하고, 동일 전압을 인가받으면서 상기 전자 방출부로부터 전자 방출에 필요한 전계를 형성하는 제2 및 제3 전극들
    을 포함하는 전자 방출 소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극과 실질적으로 같은 층에 위치하면서 상기 제2 및 제3 전극들에 인가되는 전압과 동일한 전압을 인가받는 제4 전극을 더욱 포함하는 전자 방출 소자.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제2 전극과 제4 전극 사이에 제1 절연층이 형성되고, 상기 제4 전극이 제1 절연층에 형성된 비아 홀(via hole)을 통해 제2 전극과 접촉하는 전자 방출 소자.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극이 상기 제2 및 제3 전극들 사이에 배치되고, 상기 제2 전극이 상기 제3 전극보다 상기 기판에 근접 배치되는 전자 방출 소자.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제2 전극과 제3 전극 중 적어도 하나의 전극이 상기 기판의 일 방향을 따라 스트라이프 패턴을 이루면서 임의의 간격을 두고 상기 기판 위에 복수로 형성되는 전자 방출 소자.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 제2 전극과 제3 전극이 상기 기판의 동일한 일 방향을 따라 스트라이프 패턴을 이루면서 임의의 간격을 사이에 두고 상기 기판 위에 각각 복수로 형성되는 전자 방출 소자.
  7. 기판과;
    상기 기판 위에 형성되는 캐소드 전극과;
    상기 캐소드 전극에 전기적으로 연결되는 전자 방출부; 및
    상기 캐소드 전극과 실질적으로 다른 층에 위치하고, 동일 전압을 인가받으면서 상기 전자 방출부로부터 전자 방출에 필요한 전계를 형성하는 복수의 게이트 전극들
    을 포함하는 전자 방출 소자.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 게이트 전극들이 제1 절연층을 사이에 두고 상기 캐소드 전극 하부에 위치하는 제1 게이트 전극과, 제2 절연층을 사이에 두고 상기 캐소드 전극 상부에 위치하는 제2 게이트 전극을 포함하는 전자 방출 소자.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1 게이트 전극과 제2 게이트 전극이 상기 기판의 일 방향을 따라 스트라이프 패턴을 이루면서 임의의 간격을 두고 상기 기판 위에 각각 복수로 형성되는 전자 방출 소자.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 각각의 제1 게이트 전극과 제2 게이트 전극은 단부가 서로 접촉하여 전기적으로 연결되는 전자 방출 소자.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 캐소드 전극과 실질적으로 같은 층에 위치하면서 상기 제1 절연층에 형성된 비아 홀(via hole)을 통해 상기 제1 게이트 전극과 접촉하는 대향 전극을 더욱 포함하는 전자 방출 소자.
  12. 기판과;
    상기 기판 위에 형성되는 주사 전극과;
    상기 주사 전극에 전기적으로 연결되는 전자 방출부; 및
    상기 주사 전극과 실질적으로 다른 층에 위치하고, 동일 전압을 인가받으면서 상기 전자 방출부로부터 전자 방출에 필요한 전계를 형성하는 복수의 데이터 전극들
    을 포함하는 전자 방출 소자.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 데이터 전극들이 제1 절연층을 사이에 두고 상기 주사 전극 하부에 위치하는 제1 데이터 전극과, 제2 절연층을 사이에 두고 상기 주사 전극 상부에 위치하는 제2 데이터 전극을 포함하는 전자 방출 소자.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제1 데이터 전극과 제2 데이터 전극이 상기 기판의 일 방향을 따라 스트라이프 패턴을 이루면서 임의의 간격을 두고 상기 기판 위에 각각 복수로 형성되는 전자 방출 소자.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 각각의 제1 데이터 전극과 제2 데이터 전극은 단부가 서로 접촉하여 전 기적으로 연결되는 전자 방출 소자.
  16. 제13항에 있어서,
    상기 주사 전극과 실질적으로 같은 층에 위치하면서 상기 제1 절연층에 형성된 비아 홀(via hole)을 통해 상기 제1 데이터 전극과 접촉하는 제3 데이터 전극을 더욱 포함하는 전자 방출 소자.
  17. 기판과;
    상기 기판 위에 형성되고 소정의 전위가 인가되는 전자 방출부; 및
    상기 전자 방출부를 사이에 두고 샌드위치 상으로 위치하는 전자 인출 전극
    을 포함하는 전자 방출 소자.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 전자 인출 전극이,
    상기 전자 방출부와 전기적으로 연결되는 캐소드 전극; 및
    상기 캐소드 전극과 실질적으로 다른 층에 위치하고, 동일 전압을 인가받으면서 상기 전자 방출부로부터 전자 방출에 필요한 전계를 형성하는 복수의 게이트 전극들을 포함하는 전자 방출 소자.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 게이트 전극들이 제1 절연층을 사이에 두고 상기 캐소드 전극 하부에 위치하는 제1 게이트 전극과, 제2 절연층을 사이에 두고 상기 캐소드 전극 상부에 위치하는 제2 게이트 전극을 포함하는 전자 방출 소자.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 캐소드 전극과 실질적으로 같은 층에 위치하면서 상기 제1 절연층에 형성된 비아 홀(via hole)을 통해 상기 제1 게이트 전극과 접촉하는 대향 전극을 더욱 포함하는 전자 방출 소자.
  21. 제1항, 제7항, 제12항 및 제17항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전자 방출부가 카본 나노튜브, 그라파이트, 그라파이트 나노파이버, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본, C60 및 실리콘 나노와이어로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 전자 방출 소자.
  22. 제1항, 제7항, 제12항 및 제17항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판과 소정의 간격을 두고 대향 배치되는 타측 기판에 형성되는 적어도 하나의 애노드 전극 및 애노드 전극의 어느 일면에 형성되는 형광층을 더욱 포함하는 전자 방출 소자.
  23. 제8항, 제13항 및 제19항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 절연층과 제2 절연층이 서로 다른 식각률을 가지는 전자 방출 소자.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 제1 절연층이 식각률이 상기 제2 절연층 식각률의 1/3배보다 작거나 같은 전자 방출 소자.
  25. 기판 위에 제1 게이트 전극들을 형성하는 단계와;
    상기 제1 게이트 전극들을 덮으면서 상기 기판 전체에 제1 절연층을 형성하고, 제1 절연층을 부분 식각하여 비아 홀(via hole)을 형성하는 단계와;
    상기 제1 절연층 위에 도전막을 형성하고 이를 패터닝하여 캐소드 전극들과, 상기 비아 홀을 통해 제1 게이트 전극과 접촉하는 대향 전극을 형성하는 단계와;
    상기 캐소드 전극과 대향 전극 및 제1 절연층 위로 제1 절연층과 서로 다른 식각률을 갖는 제2 절연층을 형성하는 단계와;
    상기 제2 절연층 위에 도전막을 형성하고 이를 패터닝하여 개구부를 갖는 제2 게이트 전극들을 형성하는 단계; 및
    상기 개구부에 의해 노출된 제2 절연층 부위를 부분 식각하여 제2 절연층의 개구부를 형성하는 단계
    를 포함하는 전자 방출 소자의 제조 방법.
  26. 제25항에 있어서,
    상기 제1 절연층과 제2 절연층을 형성할 때, 제1 절연층을 제2 절연층 식각률의 1/3배보다 작거나 같은 물질로 형성하는 전자 방출 소자의 제조 방법.
  27. 제25항에 있어서,
    상기 제2 게이트 전극들을 형성할 때, 제2 게이트 전극들이 상기 제1 게이트 전극들과 평행하면서 각각의 제2 게이트 전극이 상기 각각의 제1 게이트 전극에 대응 배치되도록 하는 전자 방출 소자의 제조 방법.
  28. 제25항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 절연층을 형성할 때 상기 제1 게이트 전극의 단부가 노출되도록 하며, 상기 제2 게이트 전극을 형성할 때 제2 게이트 전극들의 단부가 상기 제1 및 제2 절연층의 측면을 거쳐 제1 게이트 전극의 윗면과 접촉하도록 하는 전자 방출 소자의 제조 방법.
  29. 제25항에 있어서,
    상기 제2 절연층에 개구부를 형성한 다음, 개방된 캐소드 전극 부위에 전자 방출부를 형성하는 단계를 더욱 포함하는 전자 방출 소자의 제조 방법.
  30. 제29항에 있어서,
    상기 전자 방출부를 형성하는 단계가,
    카본 나노튜브, 그라파이트, 그라파이트 나노파이버, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본, C60 및 실리콘 나노와이어로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 물질에 유기물을 혼합하여 페이스트 상의 전자 방출 물질을 제작하고, 상기 전자 방출 물질을 스크린 인쇄, 건조 및 소성하는 과정들을 포함하는 전자 방출 소자의 제조 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200829074A (en) * 2006-12-29 2008-07-01 Tatung Co Ltd Field emitting display apparatus

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07254354A (ja) * 1994-01-28 1995-10-03 Toshiba Corp 電界電子放出素子、電界電子放出素子の製造方法およびこの電界電子放出素子を用いた平面ディスプレイ装置
JPH09293449A (ja) * 1996-04-25 1997-11-11 Mitsubishi Electric Corp 冷陰極素子及びその製造方法
JPH10289650A (ja) * 1997-04-11 1998-10-27 Sony Corp 電界電子放出素子及びその製造方法並びに電界電子放出型ディスプレイ装置
JPH11232997A (ja) * 1998-02-17 1999-08-27 Sony Corp 電子放出装置及びその製造方法
JP2000331596A (ja) * 1999-05-18 2000-11-30 Sony Corp 冷陰極電界電子放出素子及び冷陰極電界電子放出表示装置
JP3597740B2 (ja) * 1999-11-10 2004-12-08 シャープ株式会社 冷陰極及びその製造方法
US6621232B2 (en) * 2002-01-04 2003-09-16 Samsung Sdi Co., Ltd. Field emission display device having carbon-based emitter
JP2003258094A (ja) * 2002-03-05 2003-09-12 Sanyo Electric Co Ltd 配線構造、その製造方法、および表示装置
KR100839409B1 (ko) * 2002-03-27 2008-06-19 삼성에스디아이 주식회사 전계 방출 표시소자
CN100407362C (zh) * 2002-04-12 2008-07-30 三星Sdi株式会社 场发射显示器
KR100852690B1 (ko) * 2002-04-22 2008-08-19 삼성에스디아이 주식회사 전계 방출 표시소자용 탄소 나노 튜브 에미터 페이스트조성물 및 이를 이용한 전계 방출 표시소자용 탄소 나노튜브 에미터의 제조방법
KR100879292B1 (ko) * 2002-12-20 2009-01-19 삼성에스디아이 주식회사 전자 방출 특성을 향상시킬 수 있는 에미터 배열 구조를갖는 전계 방출 표시 장치
KR100884527B1 (ko) * 2003-01-07 2009-02-18 삼성에스디아이 주식회사 전계 방출 표시장치
KR100918044B1 (ko) * 2003-05-06 2009-09-22 삼성에스디아이 주식회사 전계 방출 표시장치
KR20050104643A (ko) * 2004-04-29 2005-11-03 삼성에스디아이 주식회사 전자 방출 표시장치용 캐소드 기판, 전자 방출 표시장치및 이의 제조 방법

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